專利名稱：磁記錄介質(zhì)、信息存儲裝置和磁記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)、信息存儲裝置和磁記錄介質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來HDD (Hard Disc Drive，硬盤驅(qū)動器)等磁記錄裝置在小型化、大容量化方向進展迅速，隨磁化記錄介質(zhì)的大容量化對高記錄密度化也提出更高要求。其中用于實現(xiàn)高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)的磁粒子被細小化(直徑8nm左右)，為了滿足這種高密度化的需求，使用對記錄面沿著垂直的方向進行磁化的垂直磁記錄方式。其中，作為實現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化的垂直磁記錄方式的介質(zhì)，已經(jīng)提出了，在相鄰的磁道間形成非磁性體區(qū)域，僅在由磁性體形成的軌道部上進行記錄的離散磁道介質(zhì)(DTM =Discrete Track Media)。此外，還提出了使磁性粒子孤立，制作單一位元圖案，提高記錄分辨能力的位元圖案介質(zhì)(BPM:Bit Patterned Media)。由于在離散磁道介質(zhì)的情況中在半徑方向上、在位元圖案介質(zhì)的情況中在圓周方向和半徑方向上均以凹凸狀構(gòu)圖，伺服區(qū)域也形成了與伺服圖案對應(yīng)的具有凹部(非圖案部)和凸部(圖案部)的圖案，所以可以提高記錄密度。這里對上述圖案介質(zhì)的伺服區(qū)域的概要情況予以說明。圖11是用于說明以往的伺服區(qū)域21的伺服圖案的一例截面圖。如圖11所示，形成磁記錄介質(zhì)的伺服區(qū)域21具有以下構(gòu)造在基板9的上面疊層中間層10，在中間層10的上面設(shè)置有形成了凹凸圖案的磁性記錄層11。如圖11所示，在磁性記錄層11上，凹凸圖案部交替形成，在作為凸部的圖案部12 上設(shè)置有記錄磁性層13，在作為凹部的非圖案部14中填充了非磁性層15。其中，在伺服圖案中用向上或向下的任一方向的磁化的有無來表示信息，如圖11所示，記錄磁性層13作為伺服信號向規(guī)定方向(圖11是向上)磁化的記錄磁性層13形成。此外，作為這種磁記錄介質(zhì)構(gòu)成的伺服區(qū)域的構(gòu)造，還公開了以下構(gòu)造通過除去形成伺服區(qū)域的凹凸圖案中的凹部的上部磁性層，可以提高該凹部的矯頑力，并且通過使伺服區(qū)域向一方向磁化，可以使凸部的磁化方向反轉(zhuǎn)(例如專利文獻1)。通過采用這樣的使伺服區(qū)域的凹凸圖案中的凸部的磁化方向反轉(zhuǎn)的構(gòu)造，可以增大伺服區(qū)域中的伺服信號。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2007-95115號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但以上述方式形成的伺服區(qū)域的伺服圖案的情況存在以下問題。即、上述以往的離散磁道介質(zhì)或位元圖案介質(zhì)中作為伺服區(qū)域的伺服圖案形成的所有的圖案部(凸部)向相同方向(圖11所示的向上方向)磁化。其中，伺服圖案與數(shù)據(jù)位元不同，向一方向磁化的圖案部(凸部)的水平方向的面積傾向于變大，進而垂直方向的膜厚隨著高密度化而需要薄膜化。因此存在下述問題由于其形狀各向異性使垂直方向的磁化顯著不穩(wěn)定，所以即使在制造時向規(guī)定方向磁化，也因反磁場等的影響而使磁化方向反轉(zhuǎn)。具體地說，如圖12所示，伺服區(qū)域21的記錄磁性層11將伺服信號作為磁化進行記錄，但磁性記錄層13產(chǎn)生了與通過該磁性記錄層13產(chǎn)生的磁化方向a反向的反磁場b。 此外，同樣，對于磁性記錄層13，與該磁性記錄層13相鄰的另一磁性記錄層13產(chǎn)生的磁場 c也分別變?yōu)榕c磁性記錄層13的磁化方向a反向的磁場(圖12的向下方向)作用于磁性記錄層13。進而，伺服區(qū)域21的記錄磁性層11的凸部顯示出面內(nèi)方向的面積相對膜厚增大的傾向，所以磁性記錄層13的內(nèi)部產(chǎn)生的反磁場b變大，由此使磁性記錄層13的磁化方向 a更容易反轉(zhuǎn)。結(jié)果存在形成伺服區(qū)域21的磁性記錄層13的磁化不穩(wěn)定的問題。此外，在上述以往的專利文獻1的技術(shù)中，雖然可以增大伺服區(qū)域的伺服信號，但存在不能使形成伺服區(qū)域的磁性記錄層穩(wěn)定的問題。于是，本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的課題，目的在于提供可實現(xiàn)可以得到穩(wěn)定的伺服信號，并且磁化穩(wěn)定的高記錄密度介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)、信息存儲裝置和磁記錄介質(zhì)的制造方法。解決課題的手段本文公開的發(fā)明關(guān)鍵是具有磁性記錄層，所述磁性記錄層包含作為伺服區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)部且被作為圖案部形成的第一磁性層，與上述第一磁性層的磁化方向反平行磁化并且矯頑力比上述第一磁性層低、且被作為非圖案部形成的第二磁性層，和，在上述第一磁性層和第二磁性層之間形成的非磁性層。發(fā)明效果根據(jù)本文公開的發(fā)明，伺服區(qū)域的磁性記錄層具有與作為圖案部形成的第一磁性層磁化反向、矯頑力較低、作為非圖案部形成的第二磁性層，并且在兩磁性層之間設(shè)置了非磁性層，所以可以通過第二磁性層產(chǎn)生的反平行磁化得到穩(wěn)定的伺服信號，由此可以實現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化。


圖1是顯示本實施例1所涉及的信息存儲裝置的內(nèi)部的外觀圖。
圖2是用于說明圖1的伺服區(qū)域的伺服圖案的截面圖。
圖3是用于說明伺服區(qū)域的伺服圖案的放大截面圖。
圖4是用于說明伺服區(qū)域的伺服圖案的放大截面圖。
圖5是顯示磁記錄介質(zhì)的制造方法的流程圖。
圖6是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖。
圖7是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖。
圖8是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖。
圖9是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖。
圖10是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖。圖11是用于說明以往的伺服區(qū)域的伺服圖案的一例截面圖。圖12是用于說明以往的伺服區(qū)域的伺服圖案的一例截面圖。
具體實施例方式下面將參照附圖來具體說明本申請公開的磁記錄介質(zhì)、信息存儲裝置和磁記錄介質(zhì)的制造方法的優(yōu)選實施方式。需說明的是，并不是用該實施例1來限定本申請公開的磁記錄介質(zhì)、信息存儲裝置和磁記錄介質(zhì)的制造方法。實施例1首先對實施例1所涉及的信息存儲裝置1的概要情況進行說明。圖1是顯示實施例1所涉及的信息存儲裝置的內(nèi)部的外觀圖。如圖1所示，信息存儲裝置1具有磁記錄介質(zhì)2、主軸馬達4、音圈馬達5、和頂部設(shè)置有磁頭7的驅(qū)動臂3。磁記錄介質(zhì)2是用于以高記錄密度記錄各種磁信息的磁記錄介質(zhì)，通過主軸馬達 (下文中稱作“SPM”)4向規(guī)定方向旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。該磁記錄介質(zhì)2是具有用于記錄各種信息的以凹凸部圖案形成的伺服區(qū)域21 (圖2)、并且使彼此孤立的用于記錄再生的磁化區(qū)域被非磁化區(qū)域分隔開配置的圖案化介質(zhì)。磁記錄介質(zhì)2具有用于存儲伺服信息等的伺服區(qū)域21 (圖2)和、用于存儲使用數(shù)據(jù)(user data)的數(shù)據(jù)區(qū)域(圖中未顯示)。在驅(qū)動臂3的頂部設(shè)置用于進行磁記錄介質(zhì) 2讀寫的磁頭7。即通過設(shè)置在驅(qū)動臂3的一端的作為頭驅(qū)動機構(gòu)的音圈馬達(下文中稱作 “VCM”)5的驅(qū)動，驅(qū)動臂3在以軸6為中心的圓弧上來回移動。并通過使磁頭7沿磁化記錄介質(zhì)2的磁道寬度方向移動來改變作為讀寫對象的磁道。磁頭7借助磁記錄介質(zhì)2的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的舉力，在保持從磁記錄介質(zhì)2的表面微微上浮的狀態(tài)下移動到作為讀寫對象的磁道，進行讀出處理和寫入處理(數(shù)據(jù)讀寫處理)。[磁記錄介質(zhì)2的構(gòu)造]下面使用圖2來說明設(shè)置在信息存儲裝置1上的磁記錄介質(zhì)2的構(gòu)造。圖2是具有實施例1所涉及的信息存儲裝置1的磁記錄介質(zhì)2的構(gòu)造圖，是說明形成磁記錄介質(zhì)2 的伺服區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域中的伺服區(qū)域的圖。伺服區(qū)域21是存儲作為用于控制磁頭7的位置的數(shù)據(jù)的伺服信息等的區(qū)域。并且，圖2所示的構(gòu)成伺服區(qū)域21的伺服圖案通過磁化部分和非磁化部分的排列(磁化有 “1”、無“0”的組合)來表示用于伺服控制的位元信息。圖2中通過向上或向下的任一方向的磁化的有無來表示信息。如圖2所示，用于形成磁記錄介質(zhì)2的伺服區(qū)域21大致具有以下構(gòu)造在非磁性材料的基板30 (圖6)的上面疊層中間層34和中間層35，在中間層35的上面設(shè)置有形成凹凸圖案的磁性記錄層36。具體地說，形成伺服區(qū)域21的伺服圖案設(shè)置有用于輸出伺服信號、作為圖案部 22(凸部)的、由強磁性材料構(gòu)成的第一磁性層23、和埋入到各磁性層23間的非圖案部 24(凹部)中的由強磁性材料構(gòu)成的第二磁性層25。其中，第二磁性層25具有與第一磁性層M的磁化反平行的逆向磁化。
其中，第二磁性層25使用矯頑力比第一磁性層23低的磁性材料，在兩磁性層23、 25之間設(shè)置了非磁性層沈。即如圖3所示，在靜磁相互作用(磁場α)的存在下，第二磁性層25在外部磁場小時具有與第一磁性層23的磁化(磁化方向a)相反方向的磁化(磁化方向a')。這樣通過使兩磁性層23、25的磁化反平行，可以使第一磁性層23的磁化在能量上穩(wěn)定，結(jié)果可以使形成伺服區(qū)域21的圖案部22 (第一磁性層23)的磁化難以反轉(zhuǎn)。此外，在圖4所示的另一實施方式中，在第一磁性層23和第二磁性層25之間設(shè)置有Ru等的作為產(chǎn)生交換相互作用(RKKY Ruderman-Ki11e 1 -Kasuya-Yosida)的材料的非磁性層26。在這樣配置的第一磁性層23和第二磁性層25和非磁性層沈之間具有靜磁相互作用和交換相互作用。即、第一磁性層23，除了受到由第二磁性層25(磁化方向a')的靜磁相互作用產(chǎn)生的磁場α (圖；3)以外，還介由非磁性層沈受到交換耦合磁場β，因此該第一磁性層23的磁化可以更穩(wěn)定。下面使用圖3和圖4來說明靜磁相互作用和交換相互作用所產(chǎn)生的作用效果。圖 3是用于說明伺服區(qū)域的伺服圖案的放大截面圖。此外，圖4是用于說明伺服區(qū)域的伺服圖案的放大截面圖。即如圖3所示，在伺服區(qū)域21的第一磁性層23中存在反磁場b。但即使在這樣存在同伺服區(qū)域21的第一磁性層23反向的反磁場b的情況中，通過同由第一磁性層23的磁化產(chǎn)生的磁化方向a反向的、由第二磁性層25產(chǎn)生的磁場α也難以使第一磁性層23的磁化(磁化方向a)反轉(zhuǎn)，因此，該第一磁性層23的磁化穩(wěn)定。這里由于第二磁性層25的矯頑力比第一磁性層23的矯頑力低，所以第一磁性層23的磁化不會從朝著最初所希望的方向磁化了的方向反轉(zhuǎn)。此外，如圖4所示，在第一磁性層23和第二磁性層25之間設(shè)置了 Ru等作為產(chǎn)生交換相互作用的材料的非磁性層26，所以第一磁性層23除了受到磁場α ’以外，還介由非磁性層沈受到交換耦合磁場β作用，所以該第一磁性層23的磁化變得更穩(wěn)定。[磁記錄介質(zhì)2的制造方法]下面使用圖5和圖6 圖9來說明本實施例1所涉及的磁記錄介質(zhì)2的制造方法。 其中，圖5是實施例1所涉及的磁記錄介質(zhì)2的制造工序流程圖。此外，圖6 圖9是實施例1所涉及的磁記錄介質(zhì)2的制造工序說明圖。另外，在以下的說明中，本實施例的磁記錄介質(zhì)2的制造方法是通過以規(guī)定的步驟制造磁記錄介質(zhì) 2的制造體系來進行的。如圖5的流程圖所示，磁記錄介質(zhì)2的制造體系中依次進行多層膜形成工序(步驟Si)、抗蝕劑工序(步驟S2)、圖案形成工序(步驟s;3)、非磁性層形成工序(步驟S4)和磁性層形成工序(步驟S5)。即如圖5的流程圖所示，本實施例1的制造體系中進行在基板的上面疊層多個薄膜的多層膜形成工序(步驟Si)。該多層膜形成工序是在非磁性的基板30的上面依次疊層基底層31、結(jié)合層32、基底層33、中間層34和中間層35的工序。具體地說，在本實施例1所示的磁記錄介質(zhì)的制造體系中，如圖6所示，準備以近似圓盤狀形成的基板30。該基板30使用例如Al合金、鍍NiP的Al合金、玻璃材料等的非磁性材料。另外，作為該基板30優(yōu)選表面平坦性高、機械強度高的、不影響磁特性的非磁性板。然后在該基板30的上面通過濺射依次疊層基底層31、結(jié)合層32、基底層33、中間層；34和中間層35。另外，在中間層35的上面疊層磁性記錄層36，這將在后面敘述?；讓?1作為用于引入磁頭7(圖1)的寫入磁場的軟磁性輔助層而設(shè)置。此外， 該基底層31通常使用飽和磁化力氏高的軟磁性材料(例如!^CdrTa)。結(jié)合層32是為了使疊層在結(jié)合層32的上下的軟磁性的基底層31、33的磁化反平行而使用的膜層體(0. 5 3nm左右)，使用例如Ru等的非磁性材料?；讓?3，與基底層31同樣，作為用于引入磁頭7(圖1)的寫入磁場的軟磁性的輔助層而設(shè)置。此外，作為該基底層33，與基底層31同樣，使用飽和磁化力BS高的軟磁性材料(例如FeCoZrTa)。中間層34是用于控制疊層在該中間層34的上面的中間層35的結(jié)晶取向性、結(jié)晶粒徑的膜層體。該中間層34使用無定形系、晶體系的材料(例如Ta)。中間層35是用于控制記錄磁性層的結(jié)晶取向、結(jié)晶粒徑等的膜層體。其中，當疊層在中間層35的上面的磁性記錄層36使用Co合金時，該中間層35使用具有與Co合金相同的hep結(jié)晶結(jié)構(gòu)的作為非磁性材料的、非磁性CoCr合金、Ru合金等。另外，上述中間層 34,35還可以是組合多種材料的3層以上。接著如圖5的流程圖所示，本實施例1的制造體系進行在多層膜體上形成抗蝕劑的抗蝕劑形成工序(步驟S2)。該抗蝕劑形成工序是在多層膜體上形成抗蝕劑，并且在這樣形成的抗蝕劑上使用與伺服區(qū)域21的凹凸圖案具有相反凹凸部的樣板，通過納米壓印來形成凹凸部的工序。如此形成的抗蝕劑成為用于形成圖案的抗蝕劑掩模。接著，如圖5的流程圖所示，在本實施例1的制造體系中進行在多層膜的上面構(gòu)圖的構(gòu)圖工序(步驟S3)。該構(gòu)圖工序是在多層膜的上面形成的磁性記錄層36的規(guī)定位置上形成作為圖案部22的多個第一磁性層23的工序。具體地說，使用通過抗蝕劑形成工序形成的抗蝕劑掩模，通過離子蝕刻使中間層 35和在中間層35的上面形成的磁性記錄層36形成圖案。如圖7所示，通過構(gòu)圖可以在作為伺服區(qū)域21 (圖1)的多層膜上(中間層35的上面部)的規(guī)定位置上形成多個作為圖案部22的第一磁性層23。這里使用的圖案，數(shù)據(jù)部是60nm周期(凸部和凹部分別為約30nm左右)，伺服區(qū)域21具有與伺服信號匹配的規(guī)定周期QOO 500nm左右)。接著如圖5的流程圖所示，本實施例1的制造體系進行非磁性層形成工序(步驟 S4)。該非磁性層形成工序是在作為伺服區(qū)域21的非圖案部M的規(guī)定位置形成非磁性層 26的工序。具體地說，如圖8所示，通過濺射埋入僅相當于作為凹部的非圖案部M中的中間層35的膜厚的量的非磁性層26。非磁性層沈，為了不影響第一磁性層23的磁特性而作為非磁性材料使用膜厚尺寸為0. 5 1. 5nm左右的Ru。這里，在通過濺射埋入非磁性層沈時，可以通過調(diào)節(jié)基板30和濺射靶的距離來對圖案部22的側(cè)壁部進行充分濺射。即通過這樣的濺射可以切實地使第一磁性層23和第二磁性層25分離開，并且在
7第一磁性層23和第二磁性層25之間填充非磁性層沈。另外，作為該非磁性層沈的材料， 除Ru以外還可以使用非磁性CoCr、Cr合金等。接著，如圖5的流程圖所示，在本實施例1的制造體系中進行磁性層形成工序(步驟SQ。該磁性層形成工序是在非圖案部M上形成第二磁性層25的工序。具體地說，是通過濺射埋入僅相對于非圖案部M中的磁性記錄層36的膜厚的量的、由強磁性材料構(gòu)成的第二磁性層25。該第二磁性層25使用可以進行高品質(zhì)數(shù)據(jù)記錄的 CoCrPt合金等強磁性材料。如前所述，該第二磁性層25的磁化是作為同第一磁性層23的磁化反平行的磁性層形成的。此外，第二磁性層25使用矯頑力比第一磁性層23的矯頑力低的磁性材料。其中，第二磁性層25使用矯頑力比第一磁性層23的矯頑力低的磁性材料的原因是，通過使矯頑力有差別，可以容易地使兩者的磁化反平行。另一原因是，第一磁性層23是用于進行高品質(zhì)數(shù)據(jù)記錄的磁性層(通常為高矯頑力)，難以使第二磁性層25為矯頑力比第一磁性層23的矯頑力高的材料，而且由于格式化 (初期磁化)時需要較大的磁場而磁化困難。另外，埋入到非圖案部24 (凹部)中的第二磁性層25的過剩部分通過離子束蝕刻 (IBE)等的蝕刻進行蝕刻處理而平坦化。此外，圖9所示，在平坦化后的磁性記錄層36的上面依次疊層類金剛石碳(DLC)等的保護層37和用于潤滑的氟系潤滑層38。然后對通過以上的Sl S5的工序制造出的磁記錄介質(zhì)2進行向伺服區(qū)域21的伺服圖案提供規(guī)定磁信息的格式化。這里對作為形成伺服區(qū)域21的伺服圖案的第一磁性層23和第二磁性層25的磁化方法予以說明。圖10是用于說明磁記錄介質(zhì)的制造方法的圖，顯示出作為磁層的磁特性的磁滯回線(MH回線)。即通過本實施例1的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的磁記錄層36的含有凹凸圖案的伺服區(qū)域的磁滯回線是如圖10所示的磁滯回線。 圖10示出了第一磁性層23和第二磁性層25的體積和飽和磁化之乘積基本相同， 且第二磁性層25的矯頑力Hc比第一磁性層23小的情況。即、如圖10所示，通過沿垂直膜面的方向的任一方向作用外部磁場，使作為圖案部22的凸部(第一磁性層23)向所希望的方向磁化。此時，即使凹部(第二磁性層25)也向相同方向磁化，也可以在磁場消失的過程中，第二磁性層25通過磁性相互作用反轉(zhuǎn)成反平行。具體地說，如圖10的(1)所示，通過使伺服圖案的磁性記錄層向一方向(第一磁性層23和第二磁性層25的磁化是向上方向)磁化(例如2. 5T左右的磁場中)，進而取掉外部磁場(圖中的H = O附近)，可以形成圖10的(2)所示第二磁性層25的磁化為反平行的伺服圖案。同樣，如圖10的(3)所示，通過使伺服圖案的磁記錄層向一方向(第一磁性層23 和第二磁性層25的磁化是向下的方向)磁化，進而去掉外部磁場(圖中的H = 0附近)，可以形成圖10的(4)所示的第二磁性層25的磁化為反平行的伺服圖案。這里，本發(fā)明人為了確認通過本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造出的磁記錄介質(zhì)2的形成伺服區(qū)域21的第一磁性層23和第二磁性層25兩者的磁化為反平行而進行驗證試驗。具體地說，使用在硬盤中使用的普通的TMR型的磁頭進行磁信號讀取試驗，即讀取伺服圖案內(nèi)的作為第一磁性層23的約120nm的圖案部22(凸部)和埋有第二磁性層25 的約120nm的非圖案部24(凹部)周期性連續(xù)的位置的磁信號。S卩，通過由“磁信號讀取試驗”得到的磁信號為向上方向(正“1”)和向下方向(負 “0”)，可以知道第一磁性層23和第二磁性層25向哪一方向磁化。并且通過該“磁信號讀取試驗”檢查了圖案部22 (凸部)和非圖案部M (凹部)各約10萬個信號，結(jié)果可知，所有的第一磁性層23是向同一方向磁化，進而所有的第二磁性層25向同凸部反向的方向磁化。由上述可知，不將形成伺服區(qū)域21的伺服圖案的第一磁性層23和第二磁性層25 分別單獨磁化，僅通過使由本實施例1的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造出的介質(zhì)暴露在一方向的磁場中，就可以實現(xiàn)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)。由上面的說明可知，根據(jù)本實施例1的磁記錄介質(zhì)，伺服區(qū)域21由作為圖案部22 的第一磁性層23、與該第一磁性層23的磁化方向反平行磁化且矯頑力比第一磁性層23低的作為非圖案部M形成的第二磁性層25、和在第一磁性層23和第二磁性層25之間形成的非磁性層沈形成，所以可以使伺服區(qū)域21的伺服圖案磁化穩(wěn)定。附圖標記說明
1信息存儲裝置
2磁記錄介質(zhì)
3驅(qū)動臂
4主軸馬達
5音圈馬達
6軸
7磁頭
9、30基板
10、34、35中間層
11、36磁性記錄層
20,21伺服區(qū)域
22圖案部
23第一磁性層
對非圖案部
25第二磁性層
26非磁性層
31、33基底層
32結(jié)合層
37保護層
38潤滑層
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有磁性記錄層，所述磁性記錄層包含 作為伺服區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)部且被作為圖案部形成的第一磁性層，與上述第一磁性層的磁化方向反平行磁化并且矯頑力比上述第一磁性層的矯頑力低、 且被作為非圖案部形成的第二磁性層，和在上述第一磁性層和第二磁性層之間形成的非磁性層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性層由Ru形成。
3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第一磁性層和上述第二磁性層是強磁性材料。
4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第一磁性層和上述第二磁性層是Co合金。
5.一種信息存儲裝置，其特征在于，具有磁記錄介質(zhì)、和對上述磁記錄介質(zhì)進行數(shù)據(jù)讀寫處理的磁頭，所述磁記錄介質(zhì)具有磁性記錄層，所述磁性記錄層包含作為伺服區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)部且被作為圖案部形成的第一磁性層， 與上述第一磁性層的磁化方向反平行磁化并且矯頑力比上述第一磁性層低、且被作為非圖案部形成的第二磁性層，和在上述第一磁性層和第二磁性層之間形成的非磁性層。
6.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包含以下工序?qū)⑴c伺服區(qū)域內(nèi)的被作為圖案部形成的第一磁性層的磁化方向反平行磁化、并且矯頑力比上述第一磁性層的矯頑力低的第二磁性層作為非圖案部形成的圖案形成工序，以及在上述第一磁性層和通過上述圖案形成工序形成的第二磁性層之間形成作為非磁性材料的非磁性層的非磁性層形成工序。
全文摘要
由于在伺服區(qū)域(21)的內(nèi)部具有作為圖案部(22)的第一磁性層(23)、與該第一磁性層(23)的磁化方向反平行磁化且矯頑力比第一磁性層(23)低的作為非圖案部(24)形成的第二磁性層(25)、和在第一磁性層(23)和第二磁性層(25)之間形成的非磁性層(26)，所以可以使伺服區(qū)域(21)的伺服圖案磁化穩(wěn)定。
文檔編號G11B5/84GK102414747SQ20108001875
公開日2012年4月11日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月28日
發(fā)明者吉田祐樹 申請人:昭和電工株式會社