專利名稱：光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法、光盤再現(xiàn)方法及光盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于設(shè)定為了再現(xiàn)光盤而照射的激光的再現(xiàn)功率(再現(xiàn)光量)的方法、以及使用該方法的光盤再現(xiàn)方法和光盤裝置，其目的在于，將因再現(xiàn)光而導(dǎo)致的光盤上信息的劣化量抑制在預(yù)定的范圍內(nèi)。
背景技術(shù)：
關(guān)于再現(xiàn)光盤時(shí)的再現(xiàn)功率存在以下這樣彼此相反的要求。從再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的觀點(diǎn)出發(fā)，期望用盡可能大的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)，這樣能夠降低噪聲，因而比較有利。另一方面，從光盤對(duì)再現(xiàn)功率的耐受性和半導(dǎo)體激光器的壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，期望用盡可能小的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)，這樣比較有利。針對(duì)這兩個(gè)相反的要求，期望以能夠確保最低限度的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量、而且不會(huì)產(chǎn)生光盤的記錄標(biāo)記的特性劣化、能夠盡可能延長(zhǎng)光盤的使用壽命的方式，來(lái)設(shè)定再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)。在以往的光盤裝置中，在進(jìn)行反復(fù)再現(xiàn)同一軌道的靜態(tài)再現(xiàn)(still reproduction)時(shí)，該軌道受到較多的熱損害，該部分的記錄信息即記錄標(biāo)記劣化，導(dǎo)致再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量劣化。作為其改善對(duì)策，在進(jìn)行靜態(tài)再現(xiàn)時(shí)檢測(cè)再現(xiàn)信號(hào)振幅，以校正再現(xiàn)信號(hào)振幅的變化的形式控制再現(xiàn)功率(例如，參照專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2001-34944號(hào)公報(bào)(第1_6頁(yè)，圖9)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題在上述以往的光盤裝置中，由于只檢測(cè)再現(xiàn)信號(hào)振幅的變化，因而即使是記錄標(biāo)記大幅劣化的狀態(tài)也仍然檢測(cè)不到，存在會(huì)使記錄標(biāo)記劣化到不能進(jìn)行再現(xiàn)的狀態(tài)的情況。另外，如上述專利文獻(xiàn)1記載的那樣，使用為了顯示光盤上的靜態(tài)圖像而再現(xiàn)的用戶區(qū)域來(lái)檢測(cè)再現(xiàn)信號(hào)振幅的變化，因而用戶所需要的記錄標(biāo)記有可能劣化到不能進(jìn)行再現(xiàn)的狀態(tài)。另外，由于光盤的記錄標(biāo)記劣化，在將不能再現(xiàn)的狀態(tài)視為壽命已到的情況下，可以考慮采用通常被用作這種壽命預(yù)測(cè)用的阿雷尼厄斯圖(Arrhenius plot)的方法(通過(guò)加速試驗(yàn)來(lái)預(yù)測(cè)壽命的方法)，但是將在通常加速試驗(yàn)中施加的溫度負(fù)荷置換為再現(xiàn)功率且在將壽命設(shè)為截止到再現(xiàn)質(zhì)量達(dá)到設(shè)定允許值的再現(xiàn)時(shí)間的情況下，所述再現(xiàn)功率與截止到所述再現(xiàn)質(zhì)量達(dá)到設(shè)定允許值的再現(xiàn)時(shí)間之間的關(guān)系是非線性的，存在不能采用阿雷尼厄斯圖的問(wèn)題。本發(fā)明正是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于，高效地求出在反復(fù)再現(xiàn)光盤時(shí)也能夠保證預(yù)定的再現(xiàn)時(shí)間或者再現(xiàn)次數(shù)的最大再現(xiàn)功率。用于解決問(wèn)題的手段
本發(fā)明的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法求出向光盤上照射激光而從所述光盤再現(xiàn)信息的光盤再現(xiàn)方法中的再現(xiàn)功率的設(shè)定值，所述光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法的特征在于，其包括 測(cè)試再現(xiàn)步驟，使用比在再現(xiàn)光盤時(shí)使用的激光的再現(xiàn)功率高的測(cè)試用再現(xiàn)功率，對(duì)所述光盤上記錄有信息的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)；壽命指標(biāo)計(jì)算步驟，求出在所述測(cè)試再現(xiàn)步驟中到所再現(xiàn)的信號(hào)的質(zhì)量劣化到預(yù)定值時(shí)的再現(xiàn)時(shí)間或者再現(xiàn)次數(shù)，作為壽命指標(biāo)；以及再現(xiàn)功率確定步驟，根據(jù)在使用彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)的所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)之間的關(guān)系，求出在對(duì)所述光盤進(jìn)行預(yù)定的時(shí)間或者預(yù)定的次數(shù)的再現(xiàn)時(shí)所再現(xiàn)的信號(hào)所劣化的量為所述預(yù)定值以下的激光的功率，作為最佳再現(xiàn)功率，將其作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值，在所述再現(xiàn)功率確定步驟中，使用所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系為非線性的、彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率和所述壽命指標(biāo)，求出所述最佳再現(xiàn)功率。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠在短時(shí)間內(nèi)確定在光盤的再現(xiàn)中使用的激光功率(光量)的最佳值。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的光盤裝置的框圖。圖2是表示實(shí)施方式1的光盤裝置的再現(xiàn)步驟的一例的流程圖。圖3是表示圖2中的再現(xiàn)功率調(diào)整的步驟S15中的處理步驟的一例的流程圖。圖4是表示反復(fù)再現(xiàn)光盤時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)與抖動(dòng)之間的關(guān)系的圖。圖5是表示在反復(fù)再現(xiàn)光盤時(shí)得到的再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)(截止到再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù)))ND之間的關(guān)系的圖。圖6(a) (C)是表示在再現(xiàn)光盤時(shí)照射的激光的再現(xiàn)功率與輸出波形的關(guān)系的圖。圖7是在預(yù)測(cè)劣化次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù))達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)的再現(xiàn)功率時(shí)應(yīng)用阿雷尼厄斯圖的圖。圖8是表示在預(yù)測(cè)劣化次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù))達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)的再現(xiàn)功率(最大再現(xiàn)功率)PRm時(shí)使用的近似曲線的圖。圖9是表示用于預(yù)測(cè)劣化次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù))達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)的再現(xiàn)功率 (最大再現(xiàn)功率)PRm的近似曲線與實(shí)測(cè)值的圖。圖10(a) (C)是表示在實(shí)施方式1中進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的結(jié)束判定時(shí)使用的數(shù)據(jù)的圖。圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的光盤裝置的再現(xiàn)步驟的一例的流程圖。圖12是表示圖11中的再現(xiàn)功率調(diào)整的步驟S30中的處理步驟的一例的流程圖。圖13是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式3中使用的光盤的存儲(chǔ)區(qū)域的圖。圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的光盤裝置的框圖。圖15是表示實(shí)施方式4的光盤裝置的再現(xiàn)步驟的一例的流程圖。圖16是在不同的3個(gè)溫度下反復(fù)再現(xiàn)光盤時(shí)得到的、再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)(截止到再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù)))ND之間的關(guān)系的圖。
圖17是表示溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系的圖。圖18是表示溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系的一例的圖。圖19是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的光盤裝置的再現(xiàn)步驟的一例的流程圖。圖20是表示本發(fā)明的實(shí)施方式5的光盤裝置的變形例的再現(xiàn)步驟的一例的流程圖。圖21是表示圖20中的再現(xiàn)功率調(diào)整的步驟S60中的處理步驟的一例的流程圖。圖22是表示各個(gè)溫度時(shí)的多個(gè)最大再現(xiàn)功率的最小值的一例的圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式1下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的光盤裝置100的結(jié)構(gòu)示例的圖。圖示的光盤裝置100具有光頭300、前置放大器110、再現(xiàn)信號(hào)處理部120、信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部130、數(shù)據(jù)解碼器140、中央控制部200、緩存190、伺服控制部180、主軸電機(jī)181和螺旋(sled)電機(jī)182。伺服控制部180對(duì)用于使光盤500旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)181、用于使光頭300沿光盤的徑向移動(dòng)的螺旋電機(jī)182、和光頭300的致動(dòng)器183進(jìn)行控制。來(lái)自光頭300的再現(xiàn)信號(hào)在前置放大器電路110被放大，輸入到中央控制部200 中。所輸入的信號(hào)在中央控制部200被實(shí)施地址信息的解碼，而得到表示光頭300的當(dāng)前位置的信息。向伺服控制部180提供要訪問(wèn)的位置(訪問(wèn)對(duì)象位置)的地址信息與在當(dāng)前位置得到的地址信息的差分，由此伺服控制部180控制螺旋電機(jī)182，使光頭300向訪問(wèn)對(duì)象位
置移動(dòng)。另外，伺服控制部180根據(jù)來(lái)自前置放大器110的伺服誤差信號(hào)，驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器183 進(jìn)行聚焦控制和循軌控制。在進(jìn)行數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí)，從半導(dǎo)體激光器310射出的具有進(jìn)行數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需要的輸出值(再現(xiàn)功率)的激光，通過(guò)準(zhǔn)直透鏡330、光束分離器340和物鏡350而會(huì)聚照射到光盤 500上。來(lái)自光盤500的反射光在通過(guò)物鏡350后，利用光束分離器340與入射光相分離， 再通過(guò)檢測(cè)鏡頭360被受光元件370接受。由上述結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體激光器310、準(zhǔn)直透鏡330、光束分離器340、物鏡350和檢測(cè)鏡頭360構(gòu)成光學(xué)系統(tǒng)，由該光學(xué)系統(tǒng)和受光元件370、激光器驅(qū)動(dòng)部320和致動(dòng)器183 構(gòu)成光拾取器300。受光元件370將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。在受光元件370中被轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)通過(guò)前置放大器110分別輸入到中央控制部200及再現(xiàn)信號(hào)處理部120。再現(xiàn)信號(hào)處理部120對(duì)來(lái)自前置放大器110的電信號(hào)進(jìn)行均衡處理(波形整形)， 然后輸入到信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部130和數(shù)據(jù)解碼器140。信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部130測(cè)定再現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)值和/或錯(cuò)誤率等信號(hào)質(zhì)量。數(shù)據(jù)解碼器140對(duì)所輸入的再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行2值化處理，并進(jìn)行解調(diào)和糾錯(cuò)等處理， 由此生成(再現(xiàn))記錄在光盤500中的數(shù)據(jù)。
1
光盤裝置100與上位控制器400連接，中央控制部200將所生成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩存190中，然后向上位控制器400發(fā)送。所述上位控制器400例如與顯示裝置450連接。中央控制部200用于控制裝置整體，接受來(lái)自信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部130的抖動(dòng)等信號(hào)質(zhì)量、來(lái)自數(shù)據(jù)解碼器140的再現(xiàn)數(shù)據(jù)，并向激光控制部170、伺服控制部180提供控制信號(hào)。中央控制部200還進(jìn)行將在后面說(shuō)明的信號(hào)質(zhì)量的測(cè)定、用于求出最佳再現(xiàn)功率 PR0的測(cè)試再現(xiàn)和運(yùn)算處理、數(shù)據(jù)再現(xiàn)的停止和再次開(kāi)始處理等。中央控制部200具有例如CPU 210、存儲(chǔ)了該CPU 210的動(dòng)作程序的ROM 220、和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的RAM 230。存儲(chǔ)在ROM 220中的程序包括后面參照?qǐng)D2、圖11說(shuō)明的再現(xiàn)的控制、后面參照?qǐng)D3、圖12說(shuō)明的最佳再現(xiàn)功率調(diào)整用的運(yùn)算、以及定義在進(jìn)行運(yùn)算和測(cè)試再現(xiàn)時(shí)需要的設(shè)定值等部分。另外，ROM 220也可以基于后面敘述的理由而采用能夠改寫的例如EEPR0M。RAM 230用于存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)。例如，再現(xiàn)功率的設(shè)定值也存儲(chǔ)在RAM 230中。下面，參照?qǐng)D2說(shuō)明本實(shí)施方式的再現(xiàn)功率設(shè)定方法的步驟。首先，在光盤500被插入到光盤裝置100中后，由未圖示的傳感器檢測(cè)到該插入 (步驟S10)，并告知中央控制部200，中央控制部200通過(guò)伺服控制部180驅(qū)動(dòng)光頭300，判別被插入到光盤裝置100中的光盤500的類型(⑶、DVD、BD等類型)、和光盤500是幾層盤等(步驟Sll)。然后，在步驟S12中，根據(jù)在步驟Sll中所判別的光盤的類型，設(shè)定再現(xiàn)功率(在下一步驟S13中的初始調(diào)整、以及步驟S14中的控制信息等的讀出中使用的再現(xiàn)功率)。此時(shí)設(shè)定的再現(xiàn)功率的值(控制信息讀出用功率)采用例如預(yù)先存儲(chǔ)在中央控制部200內(nèi)的 ROM 220中的值(初始設(shè)定值)。然后，在步驟S13中調(diào)整(初始調(diào)整)與光盤500的傾斜角度和伺服條件等，然后在步驟S14中從光盤500讀出光盤的固有信息和用于控制再現(xiàn)動(dòng)作的控制信息等。另外，在步驟S12中，根據(jù)在步驟Sll中所判別的光盤500的類型來(lái)設(shè)定初始再現(xiàn)功率，但也可以在光盤裝置100的中央控制部200內(nèi)的ROM 220中，將在步驟S14中讀出的光盤的固有信息(ID等信息)、與能夠在預(yù)先確認(rèn)到的保證再現(xiàn)次數(shù)RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的最佳再現(xiàn)功率PRo之間的關(guān)系保存為表，而設(shè)定其值。但是， 在使用此處設(shè)定的再現(xiàn)功率的情況下，由于光盤500的批次偏差、光盤裝置100的光拾取器 300的批次偏差等，也不一定能夠保證抑制劣化，因而優(yōu)選進(jìn)行下面的步驟S15中的再現(xiàn)功率調(diào)整。在步驟S15中進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整(測(cè)試再現(xiàn)和最佳再現(xiàn)功率的計(jì)算)。即，使用多個(gè)測(cè)試用再現(xiàn)功率PR(i) (i = 1、2、3...)，測(cè)試再現(xiàn)在光盤500中記錄有信息的區(qū)域，根據(jù)測(cè)試到的再現(xiàn)功率與信號(hào)質(zhì)量通過(guò)測(cè)試再現(xiàn)而劣化預(yù)定的值的次數(shù)ND(i)之間的關(guān)系，求出最佳再現(xiàn)功率PRo，并對(duì)激光控制部170進(jìn)行設(shè)定。在該測(cè)試再現(xiàn)中使用的功率 PR(i)高于在通常的再現(xiàn)中使用的功率PNR，通過(guò)使用這種較高的功率進(jìn)行加速試驗(yàn)。在步驟S15之后，在由未圖示的手段提供了再現(xiàn)的指示后(步驟S16)，在步驟S17 中，根據(jù)在步驟S15中調(diào)整并設(shè)定的最佳再現(xiàn)功率PRo，開(kāi)始從光盤500讀出正式的數(shù)據(jù) (正式讀出)。
上述步驟中的步驟SlO的處理由未圖示的檢測(cè)光盤插入的傳感器和中央控制部 200進(jìn)行，步驟Sll的處理由光頭300、前置放大器110、伺服控制部180和中央控制部200 進(jìn)行，步驟S12的處理由中央控制部200進(jìn)行，步驟S13的處理由光頭300、前置放大器110、 伺服控制部180和中央控制部200進(jìn)行，步驟S14的處理由光頭300、伺服控制部180、前置放大器110、再現(xiàn)信號(hào)處理部120、數(shù)據(jù)解碼器140和中央控制部200進(jìn)行，步驟S15的處理由伺服控制部180、前置放大器110、再現(xiàn)信號(hào)處理部120、信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部130、中央控制部 200、激光控制部170和光頭300進(jìn)行，步驟S16的處理由未圖示的接受再現(xiàn)指示的單元(接口)和中央控制部200進(jìn)行，步驟S17以后的數(shù)據(jù)再現(xiàn)處理由中央控制部200、數(shù)據(jù)解碼器 140、激光控制部170、伺服控制部180和光頭300進(jìn)行。圖3詳細(xì)表示圖2中的步驟S15的處理。首先，在步驟S20中將多次進(jìn)行的測(cè)試再現(xiàn)的次數(shù)(表示是第幾次測(cè)試再現(xiàn)的參數(shù))i初始化(設(shè)i = 1)。然后，在步驟S21中設(shè)定第i個(gè)測(cè)試用再現(xiàn)功率ra(i)。在此，關(guān)于所設(shè)定的再現(xiàn)功率的值，例如預(yù)先在中央控制部200內(nèi)的ROM 220中存儲(chǔ)在測(cè)試中使用的再現(xiàn)功率值的列表，設(shè)定與測(cè)試再現(xiàn)的次數(shù)(i的值)對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率值。再現(xiàn)功率的值可以最先選擇預(yù)定的范圍內(nèi)的最小值，然后依次選擇逐漸增大的值，還可以最先選擇預(yù)定的范圍內(nèi)的最大值，然后依次選擇逐漸減小的值。然后，在步驟S22中，使用在步驟S21中設(shè)定的測(cè)試用再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)。首先，在步驟S22A中，移動(dòng)到第i個(gè)測(cè)試用區(qū)域，測(cè)定初始的再現(xiàn)質(zhì)量(連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)開(kāi)始前的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量)。然后，在步驟S22B中，在通過(guò)步驟S22A而測(cè)定了再現(xiàn)質(zhì)量的區(qū)域(第i個(gè)測(cè)試用區(qū)域)中進(jìn)行連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。在此，關(guān)于在測(cè)試再現(xiàn)中使用的測(cè)試用區(qū)域，優(yōu)選優(yōu)先選擇在光盤500中再現(xiàn)的頻度較少的區(qū)域。例如，優(yōu)選避開(kāi)再現(xiàn)的頻度較高的區(qū)域，例如管理盤的控制信息的區(qū)域、 和存儲(chǔ)了正文的菜單信息以及在顯示菜單時(shí)再現(xiàn)的縮略圖像和/或動(dòng)態(tài)圖像的區(qū)域等。另外，在進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)使用的測(cè)試用區(qū)域的管理也可以與光盤500的固有信息一起(與固有信息相關(guān)聯(lián)地)保存在例如中央控制部200內(nèi)的ROM 220中(采用EEPROM 時(shí))，還可以存儲(chǔ)在未圖示的上位控制器400的信息存儲(chǔ)單元(例如外部存儲(chǔ)器、內(nèi)置HDD 等)中。另外，并不需要一定如上述這樣進(jìn)行在測(cè)試再現(xiàn)中使用的測(cè)試用區(qū)域的管理，例如如果進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的區(qū)域與過(guò)去已進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的區(qū)域隔開(kāi)至少一次的測(cè)試再現(xiàn)中使用的區(qū)域以上的區(qū)域，則在進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)之前，測(cè)定包括進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的區(qū)域前后的區(qū)域在內(nèi)的多個(gè)區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量，將再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量沒(méi)有變差的區(qū)域作為未使用區(qū)域，使用在測(cè)試再現(xiàn)中。但是，在這種情況下也需要選擇緊鄰的區(qū)域(內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)的兩個(gè)相鄰區(qū)域)沒(méi)有由于測(cè)試再現(xiàn)而惡化的區(qū)域。在步驟S22C中，監(jiān)視對(duì)在連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)中再現(xiàn)的區(qū)域進(jìn)行再現(xiàn)的次數(shù)，并判定是否測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量。當(dāng)在步驟S22C中判定為不測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的情況下(“否”的情況下)， 返回步驟S22B，繼續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。當(dāng)在步驟S22C中判定為測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的情況下(“是”的情況下)，在步驟S22D中測(cè)定已連續(xù)再現(xiàn)的測(cè)試用區(qū)域的再現(xiàn)質(zhì)量，并計(jì)算相對(duì)于在步驟 S22A中測(cè)定的初始的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD(i，j)。
步驟S22C的“是否測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量”的判定是根據(jù)從步驟S22A進(jìn)入到步驟S22B， 在步驟S22B中開(kāi)始連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)后的再現(xiàn)次數(shù)(NS(i) =NT(i, 1))、或者從前一次在步驟 S22D測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量時(shí)之后的再現(xiàn)次數(shù)NT(i，j) (j是指表示是基于再現(xiàn)功率的測(cè)試再現(xiàn)中的第幾次的再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定的參數(shù))是否達(dá)到預(yù)定值NTL(i，j)而進(jìn)行的。然后，在步驟S22E中，判定在步驟S22D中求出的劣化量QD (i，j)是否大于預(yù)先指定的預(yù)定值QDM。當(dāng)在步驟S22D中求出的劣化量QD(i，j)大于預(yù)定值QDM的情況下(“是” 的情況下)，進(jìn)入步驟S22F。當(dāng)在步驟S22D中求出的劣化量QD(i,j)為預(yù)定值QDM以下的情況下(步驟S22E 為“否”的情況下)，在步驟S22G中，將進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率下的連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)次數(shù) NS (i)、和預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值NSL進(jìn)行比較。在沒(méi)有進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值(預(yù)定次數(shù))NSL以上次數(shù)的再現(xiàn)的情況下(步驟S22G為“否”的情況下)， 返回到步驟S22B，繼續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)測(cè)試再現(xiàn)區(qū)域，并再次執(zhí)行從步驟S22C開(kāi)始的處理。在進(jìn)行了預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值(預(yù)定次數(shù))NSL以上次數(shù)的再現(xiàn)的情況下(步驟S22G為“是”的情況下)，進(jìn)入步驟S22F。在步驟S22F中，計(jì)算截止到劣化量QD (i)達(dá)到預(yù)定值QDL的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù)， 換言之是指壽命再現(xiàn)次數(shù))ND (i)，將計(jì)算出的再現(xiàn)次數(shù)ND (i)和該再現(xiàn)功率(第i個(gè)測(cè)試用再現(xiàn)功率)PR(i) —起(與再現(xiàn)功率I3R⑴相關(guān)聯(lián)地)存儲(chǔ)在例如中央控制部200的RAM 230中，并結(jié)束連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。在步驟S22F之后，進(jìn)入步驟S23。再現(xiàn)次數(shù)對(duì)應(yīng)于再現(xiàn)時(shí)間，因此也可以說(shuō)截止到劣化量達(dá)到預(yù)定值的再現(xiàn)次數(shù) (劣化次數(shù))ND(i)對(duì)應(yīng)于截止到劣化量達(dá)到預(yù)定值的再現(xiàn)時(shí)間?！敖刂沟搅踊窟_(dá)到預(yù)定值的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù)，換言之是指壽命再現(xiàn)次數(shù))ND (i) ”和“截止到劣化量達(dá)到預(yù)定值的再現(xiàn)時(shí)間(劣化時(shí)間，換言之是指壽命再現(xiàn)時(shí)間)”都被用作壽命指標(biāo)。上述的步驟S22F的劣化次數(shù)的計(jì)算是按照下面所述進(jìn)行的。當(dāng)在步驟S22E中判定為“是”而進(jìn)入到步驟S22F的情況下，在該時(shí)刻求出此時(shí)的再現(xiàn)功率(第i個(gè))下的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD (i，j) (i為特定值，j為測(cè)定數(shù)量)(信息預(yù)先存儲(chǔ)在RAM等中)，根據(jù)其結(jié)果，對(duì)劣化量與再現(xiàn)次數(shù)的對(duì)數(shù)的關(guān)系進(jìn)行曲線近似(例如，使用樣條曲線等進(jìn)行近似)， 求出與預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)劣化量QDM近似的結(jié)果的QD值最接近的再現(xiàn)次數(shù)。此時(shí)，在利用樣條曲線進(jìn)行近似的情況下，可以采用基準(zhǔn)劣化量QDM附近的多個(gè)結(jié)果(另外也可以使用所有結(jié)果)。并且，抽取上述近似結(jié)果、或者近似之前的結(jié)果QD (i,j)跨越基準(zhǔn)劣化量QDM的兩個(gè)點(diǎn)進(jìn)行線性近似，由此計(jì)算ND (i)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)上述計(jì)算。當(dāng)在步驟S22G中判定為“是”而進(jìn)入到步驟S22F的情況下，對(duì)最后測(cè)定到的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD、和在此之前測(cè)定到的多個(gè)再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD、和與其對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)次數(shù)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行線性近似，通過(guò)近似結(jié)果的外插處理來(lái)計(jì)算達(dá)到基準(zhǔn)劣化量QDM的再現(xiàn)次數(shù)。但是，在基準(zhǔn)劣化量QDM與最后測(cè)定到的劣化量QD之差較大時(shí)(例如，QD為QDM 的50%以下時(shí))，由于基于外插處理的計(jì)算誤差增大，因而不進(jìn)行計(jì)算(或者，也可以根據(jù)近似時(shí)的誤差量進(jìn)行判定)。并且，在這種情況下即使繼續(xù)降低再現(xiàn)功率，在經(jīng)過(guò)預(yù)定再現(xiàn)次數(shù)時(shí)也不會(huì)達(dá)到基準(zhǔn)劣化量QDM，因而在步驟S21的再現(xiàn)功率設(shè)定中，設(shè)定比迄今為止測(cè)定到的再現(xiàn)功率中最大的再現(xiàn)功率大一個(gè)單位(step)量的再現(xiàn)功率，以后增大再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)。在步驟S22D中測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的間隔(第(j)個(gè)(j = 1、2、3、...)的再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定和截止到下一次再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定的再現(xiàn)次數(shù)NTL(i，j))，可以設(shè)為預(yù)先設(shè)定的一定間隔(每隔一定的再現(xiàn)次數(shù))，也可以根據(jù)在步驟S22D中計(jì)算出的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量進(jìn)行變更。例如，也可以是，隨著在步驟S22D中計(jì)算出的劣化量接近在步驟S22E中指定的預(yù)定的劣化量，而縮短間隔。另外，根據(jù)在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率，存在產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的急劇劣化的可能性，因此在尤其是第一次的測(cè)試再現(xiàn)(i = 1的情況)、和/或使用比在此之前實(shí)施的測(cè)試再現(xiàn)中的再現(xiàn)功率大的再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的情況下，優(yōu)選在開(kāi)始連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)后， 將用于測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的間隔NTL(i，j)設(shè)定得較短，以使再現(xiàn)質(zhì)量不會(huì)劣化到必要程度以上。另外，通過(guò)步驟S22E的判定，在再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD(i，j)與作為基準(zhǔn)的預(yù)先設(shè)定的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QDM之差較小的情況下(例如，所述劣化量之差(QDM-QD(i，j)相當(dāng)于預(yù)先設(shè)定的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QDM的10%以下(S卩，QD⑴相當(dāng)于QDM的90%以上)，能夠判定為通過(guò)追加再現(xiàn)達(dá)到期望的劣化量的情況等)，可以不實(shí)施在步驟S22G中關(guān)于是否再現(xiàn)了預(yù)定次數(shù)NSL的判定，而進(jìn)入到步驟S22E后面的步驟S22F。然后，在步驟S23中判定是否結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。當(dāng)在步驟S23中判定為不結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的情況下(“否”的情況下)，在步驟SM中對(duì)控制測(cè)試次數(shù)的值i加1，再次執(zhí)行從步驟S21開(kāi)始的處理。隨著i的增加，再現(xiàn)功率也變更。再現(xiàn)功率的變更例如可以是從第ι次測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率(i = ι)開(kāi)始順序減小的值，也可以是從第ι次測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率(i = ι)開(kāi)始順序增大的值。當(dāng)在步驟S23中判定為結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的情況下(“是”的情況下)，在步驟S25中， 根據(jù)已實(shí)施的測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率PR(i) (i = 1、2、...)與截止到再現(xiàn)質(zhì)量劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))ND(i)之間的關(guān)系，通過(guò)運(yùn)算來(lái)計(jì)算再現(xiàn)功率的最佳值、即應(yīng)該在正式再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率的設(shè)定值。例如，根據(jù)再現(xiàn)功率(i = 1、2、...)與劣化次數(shù)ND(i)的關(guān)系，求出劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率(最大再現(xiàn)功率)PRm，根據(jù)最大再現(xiàn)功率PRm求出最佳再現(xiàn)功率PRo，將最佳再現(xiàn)功率PRo作為將在正式再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率的設(shè)定值(目標(biāo)值)。另外，關(guān)于步驟S25中的再現(xiàn)功率的最佳值的計(jì)算和在步驟S23中是否結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的判定，將在后面進(jìn)行說(shuō)明。下面，使用圖4說(shuō)明再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量與再現(xiàn)時(shí)間及再現(xiàn)功率的關(guān)系。圖4表示不同的再現(xiàn)功率I3R⑴、PR(2)、PR(3)、PIU4)時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)NP(i) (i = 1、2、3、4)、與再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量(抖動(dòng)值)幾的關(guān)系。其中，再現(xiàn)功率的大小關(guān)系是I3R(I) <HU2) <冊(cè)(3) <HU4)。抖動(dòng)值JT越大，意味著再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量越差，抖動(dòng)值JL的臨界允許值JL是指再現(xiàn)性能容易產(chǎn)生問(wèn)題的水平。抖動(dòng)值JT相對(duì)于初始值JTI的增加量成為再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的劣化量QD。如圖4所示，在再現(xiàn)功率提高時(shí)，信號(hào)質(zhì)量在較少的再現(xiàn)次數(shù)NP時(shí)劣化，導(dǎo)致抖動(dòng)值JT超過(guò)臨界允許值幾。
下面，使用圖5說(shuō)明再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)(截止到再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)(壽命再現(xiàn)次數(shù)))ND之間的關(guān)系。圖5表示兩種不同的BD-RE盤的再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)ND的關(guān)系。其中，求出劣化次數(shù)ND時(shí)的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的劣化量QDM表示相對(duì)于再現(xiàn)開(kāi)始時(shí)的抖動(dòng)JTI劣化1%。S卩，如圖4所示，在再現(xiàn)開(kāi)始時(shí)的抖動(dòng)JTI為7. 5%的情況下，將抖動(dòng)達(dá)到8. 5%時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)NP設(shè)為劣化次數(shù)ND(3)、ND(4)。并且，在圖5中，〇標(biāo)記表示在某個(gè)BD-RE盤(盤A)中使用不同的再現(xiàn)功率(在不同的位置)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，□標(biāo)記表示在另一個(gè)BD-RE盤(盤B)中使用不同的再現(xiàn)功率(在不同的位置)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。保證再現(xiàn)次數(shù)RL是指作為截止到抖動(dòng)劣化1 %的再現(xiàn)次數(shù)ND的、光盤裝置100所保證的再現(xiàn)次數(shù)，在此設(shè)為100萬(wàn)次。在對(duì)數(shù)刻度上示出了劣化次數(shù)ND。無(wú)論在哪個(gè)盤中，在再現(xiàn)功率較低的區(qū)域(小于0. 5mW 0. 52mW附近的區(qū)域)中， 再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)ND的關(guān)系都呈現(xiàn)指數(shù)函數(shù)變化，在圖5中基本能夠以直線近似。另一方面，可知在再現(xiàn)功率較高的區(qū)域(大于0. 5mW 0. 52mW附近的區(qū)域)中，劣化次數(shù)ND相對(duì)于再現(xiàn)功率的的變化相比再現(xiàn)功率較低的區(qū)域明顯變平緩。這樣，關(guān)于在再現(xiàn)功率較低的區(qū)域和較高的區(qū)域中劣化次數(shù)與再現(xiàn)功率的關(guān)系不同的原因，可以考慮在再現(xiàn)時(shí)激光射出的再現(xiàn)波形的影響。圖6(a) (c)表示激光的再現(xiàn)功率與再現(xiàn)波形(WF1、WF2、WF3)的關(guān)系。通常在再現(xiàn)時(shí)，按照?qǐng)D6 (a) (c)所示將高頻疊加起來(lái)進(jìn)行間歇性的高頻發(fā)光。這是為了通過(guò)使激光諧振多?；瘉?lái)相對(duì)地降低噪聲，改善再現(xiàn)信號(hào)的CN比。在此，向光盤500照射時(shí)的再現(xiàn)功率相當(dāng)于圖6(a) (c)的平均功率 (API、AP2、AP3)。在增大再現(xiàn)功率時(shí)，如圖6 (a) 圖6(b)的激光輸出波形(WF1、WF2)所示，波形的形狀不變，峰值功率(PP1、PP2)增加，由此平均功率也增加。但是，在激光功率過(guò)大時(shí)，激光將不能完全響應(yīng)高頻的疊加，如圖6(c)所示，導(dǎo)致激光輸出波形(WF!3)變形。并且，雖然平均功率在增加，但是由于激光輸出波形的變形的影響，峰值功率(PP3)幾乎沒(méi)有增加。另外，在圖6(a) (c)中，BP1、BP2、BP3表示谷值功率，這些谷值功率彼此相等。記錄在光盤500中的信號(hào)通過(guò)反復(fù)再現(xiàn)而劣化的程度不受平均功率的影響，而是受到峰值功率的大小的影響，因此較高區(qū)域中的劣化次數(shù)與再現(xiàn)功率的關(guān)系變平緩。下面，說(shuō)明在預(yù)測(cè)劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率時(shí)采用在通常的壽命預(yù)測(cè)中使用的阿雷尼厄斯圖的情況。通常用于預(yù)測(cè)某個(gè)材質(zhì)的某個(gè)溫度下的化學(xué)反應(yīng)速度的公式即阿雷尼厄斯公式如式(1)所示，使用速度系數(shù)k、與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)(頻率因子)A、活化能E、氣體常數(shù)R、溫度T表示如下。k = A*exp (-E/RT)...式(1)并且，壽命L是速度系數(shù)k的倒數(shù)(1/k)，因而式(1)能夠變換為式(Ia)。L = 1/k = A，X exp (E/RT). . ·式(la)式(la)中的Α’與式(1)中的A的倒數(shù)相等。在取式(Ia)的兩邊的自然對(duì)數(shù)時(shí)，能夠表示為式O)的形式。In(L) = (E/R)*(l/T)+ln(A)...式(2)在阿雷尼厄斯圖中，設(shè)橫軸為溫度T的倒數(shù)(1/T)、設(shè)縱軸為壽命L的自然對(duì)數(shù)來(lái)繪制數(shù)據(jù)，根據(jù)直線近似的結(jié)果來(lái)預(yù)測(cè)壽命。在此，在式(Ia)中，溫度T的倒數(shù)(1/T)相當(dāng)于進(jìn)行加速試驗(yàn)后的應(yīng)力(stress)。因此，能夠取代溫度，將再現(xiàn)功率以應(yīng)力(將溫度T的倒數(shù)1/T設(shè)為再現(xiàn)功率PR)的形式給出，將壽命L設(shè)為劣化次數(shù)ND，將活化能E與氣體常數(shù)R之比(E/R)設(shè)為常數(shù)β，則式(Ia) 能夠表示如下ND = A' Xexp (-β XPR). . . (2a)其中，由于將作為應(yīng)力的溫度T的倒數(shù)(1/T)置換為再現(xiàn)功率冊(cè)，因而使常數(shù)β 的符號(hào)改變。這是因?yàn)橄鄬?duì)于在越提高溫度τ的倒數(shù)(1/Τ)時(shí)壽命L越長(zhǎng)，相當(dāng)于壽命L 的劣化次數(shù)ND在越提高再現(xiàn)功率I3R時(shí)越短。在取式Qa)的兩邊的自然對(duì)數(shù)時(shí)，能夠表示為式Qb)的形式。In(ND) = -β XPR+ln(A，)· · · (2b)其中，-β相當(dāng)于斜率Ka，ln(A，)相當(dāng)于截距Kb，能夠得到下式(3)。In(ND) = KaXPR+Kb. . . (3)在阿雷尼厄斯圖中，在設(shè)橫軸為再現(xiàn)功率PR、設(shè)縱軸為劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)來(lái)繪制數(shù)據(jù)的情況下，得到再現(xiàn)功率I3R越大、劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)越小的向右下降的曲線，通過(guò)在所述圖或者式⑶中求出ND = RL時(shí)的再現(xiàn)功率冊(cè)(最大再現(xiàn)功率PRm)，能夠推測(cè)劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL時(shí)的再現(xiàn)功率。另外，在實(shí)施方式中，將溫度T的倒數(shù)(1/T)設(shè)為應(yīng)力并置換為再現(xiàn)功率ra，但也可以將溫度T置換為再現(xiàn)功率ra。但是，在這種情況下，式Oa)將成為下式ND = AXexp+(β/PR). ·· (2c)在阿雷尼厄斯圖中，在設(shè)橫軸為再現(xiàn)功率冊(cè)的倒數(shù)(1/PR)、設(shè)縱軸為劣化次數(shù)ND 的自然對(duì)數(shù)來(lái)繪制數(shù)據(jù)的情況下，得到再現(xiàn)功率I3R的倒數(shù)(1/PR)越大、劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)越大的向右上升的曲線。圖7表示應(yīng)用阿雷尼厄斯圖時(shí)的圖。在此，在圖7中示出圖5中的盤B的情況，口標(biāo)記表示實(shí)測(cè)值，實(shí)線ECL表示使用以較低的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)果所得到的數(shù)據(jù)DUL 時(shí)的近似直線，虛線ECH表示使用以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)果所得到的數(shù)據(jù)DUH時(shí)的近似直線。在用實(shí)線ECL示出的使用以較低的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)果所得到的數(shù)據(jù)DUL時(shí)的近似直線ECL中，可知在將該直線延長(zhǎng)而求出的、被預(yù)測(cè)為劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率EL，與實(shí)測(cè)值ED同等(EL^ED)。另一方面，在使用以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)果所得到的數(shù)據(jù)DUH時(shí)的近似直線ECH中，可知在將該直線延長(zhǎng)而求出的、被預(yù)測(cè)為劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率EH大大遠(yuǎn)離實(shí)測(cè)值ED，預(yù)測(cè)誤差ER較大。在如此這樣應(yīng)用阿雷尼厄斯圖的情況下，可知在包括較高的再現(xiàn)功率時(shí)，不能準(zhǔn)確預(yù)測(cè)最大再現(xiàn)功率(劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率)。另一方面，如果在只包括較低的再現(xiàn)功率的區(qū)域中應(yīng)用阿雷尼厄斯圖，則雖然能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)最大再現(xiàn)功率， 但是需要實(shí)施到劣化為止花費(fèi)時(shí)間的低再現(xiàn)功率下的測(cè)試再現(xiàn)，導(dǎo)致求出最佳再現(xiàn)功率的預(yù)測(cè)值的時(shí)間變長(zhǎng)。為了解決這種問(wèn)題，在本實(shí)施方式中包括較高的再現(xiàn)功率的區(qū)域在內(nèi)來(lái)進(jìn)行近似，能夠通過(guò)較短的測(cè)試再現(xiàn)來(lái)預(yù)測(cè)再現(xiàn)功率。為此所采用的近似曲線APC的算式如式(4) 所示。In (ND) = f {(AA-DD) / (1+exp (BB X PR-CC)) +DD} +EE. · · (4)
另外，圖8表示式(4)的參數(shù)與近似曲線APC的關(guān)系。在圖8中與阿雷尼厄斯圖時(shí)相同地，設(shè)橫軸為再現(xiàn)功率冊(cè)，設(shè)縱軸為劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)。另外，雖然設(shè)縱軸為劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)，但也可以設(shè)為常用對(duì)數(shù)。式由AA、BB、CC、DD、EE這5個(gè)參數(shù)構(gòu)成。式(4)的近似曲線APC形成為被稱為S形(sigmoid)函數(shù)(式(5))的曲線的積分函數(shù)。S形函數(shù)經(jīng)常被用作表示成長(zhǎng)或死亡率、需求等的曲線，形成為在正或負(fù)無(wú)限大漸近地接近固定值的S字狀的曲線。f (X) = 1/(Ι+exp (-χ)) · · · (5)在本實(shí)施方式中使用的式⑷的In(ND)形成為該S形曲線的積分曲線，因而成為在正或負(fù)無(wú)限大斜率漸近地接近固定的直線的曲線。因此，式(4)的近似曲線APC能夠大致區(qū)分為低功率區(qū)域RQL、曲線區(qū)域RQC、高功率區(qū)域RQH這3個(gè)區(qū)域。在此，近似曲線APC構(gòu)成為在低功率區(qū)域RQL和高功率區(qū)域RQH 中呈現(xiàn)各自的斜率不同的直線狀，在曲線區(qū)域RQC中包括將低功率區(qū)域RPL的直線狀的部分(第1直線部分)和高功率區(qū)域RPH的直線狀的部分(第2直線部分)連接得到的曲線部分。第2直線部分的斜率比第1直線部分平緩。另外，各個(gè)參數(shù)對(duì)式⑷的近似曲線APC具有如下所示的影響。AA是確定低功率區(qū)域RQL的漸近直線EQL的斜率的參數(shù)，DD是確定高功率區(qū)域 RQH的漸近直線EQH的斜率的參數(shù)。BB是確定曲線區(qū)域RQC的大小的參數(shù)，其值越小，曲線區(qū)域越小。CC是確定位于曲線區(qū)域中心的拐點(diǎn)的位置(橫軸方向)的參數(shù)。EE是確定高功率區(qū)域RQH的漸近直線EQH的縱軸方向的位置的參數(shù)。 但是，所述5個(gè)參數(shù)不是完全獨(dú)立地確定近似曲線APC的形狀，而是對(duì)其它區(qū)域也產(chǎn)生影響。例如，AA和DD不僅對(duì)低功率區(qū)域RQL和高功率區(qū)域RQH的直線的斜率產(chǎn)生影響，也對(duì)由BB確定的曲線區(qū)域RQC的大小產(chǎn)生影響。反之也成立。通過(guò)優(yōu)化調(diào)整所述5個(gè)參數(shù)，即，通過(guò)以使得設(shè)定5個(gè)參數(shù)而得到的近似曲線APC 上的值、與通過(guò)測(cè)試再現(xiàn)而求出的實(shí)測(cè)值(再現(xiàn)功率的各個(gè)值I3R下的劣化次數(shù)ND)的誤差總體上達(dá)到最小，例如使得誤差的平方和達(dá)到最小的方式來(lái)確定所述近似曲線，由此能夠求出再現(xiàn)功率I3R與劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)的關(guān)系。另外，能夠根據(jù)所得到的近似曲線APC和保證再現(xiàn)次數(shù)RL，求出劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL時(shí)的再現(xiàn)功率(最大再現(xiàn)功率)。圖9表示用式(4)對(duì)兩種不同的BD-RE盤的再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)之間的關(guān)系(實(shí)測(cè)值)進(jìn)行近似時(shí)的近似曲線APCa、APCb。其中，〇標(biāo)記和實(shí)線APCa表示盤A的情況，□ 標(biāo)記和虛線APCb表示盤B的情況，如分別由標(biāo)號(hào)DUa、DUb所示的那樣，在近似中使用的實(shí)測(cè)值只采用在圖9中示出的、主要包含于曲線區(qū)域以及高功率區(qū)域中的、在比較高的再現(xiàn)功率下測(cè)定出的結(jié)果。根據(jù)圖9可知，對(duì)于兩個(gè)近似曲線APCa、APCb同樣地，都是近似曲線與保證再現(xiàn)次數(shù)RL相交的預(yù)測(cè)再現(xiàn)功率EA、EB幾乎和實(shí)測(cè)值相同，可知即使采用在阿雷厄尼斯圖中預(yù)測(cè)再現(xiàn)功率產(chǎn)生誤差的高功率區(qū)域的數(shù)據(jù)，也能夠高精度地預(yù)測(cè)最大再現(xiàn)功率(劣化次數(shù)ND 達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率)。
在圖2中的步驟S15中，按照以上所述將劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率設(shè)為最大再現(xiàn)功率(再現(xiàn)功率的允許上限值)，將與其相同的值或者(考慮到余量時(shí))比其略小的值的功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。換言之，將保證再現(xiàn)次數(shù)RL下的再現(xiàn)信號(hào)的劣化被抑制為預(yù)定值以下的再現(xiàn)功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。下面，參照?qǐng)D10(a) 圖10(c)說(shuō)明在圖3中的步驟S23中是否結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的判定。圖10(a)表示根據(jù)再現(xiàn)功率ra與劣化次數(shù)ND的自然對(duì)數(shù)的關(guān)系而求出的劣化特性結(jié)果，圖10(b)表示對(duì)圖10(a)的劣化特性結(jié)果進(jìn)行一次微分而得到的微分結(jié)果(一次微分)D1，圖10(c)表示對(duì)圖10(a)的劣化特性結(jié)果進(jìn)行二次微分而得到的微分結(jié)果(二次微分)D2。在此，圖10(b)的微分結(jié)果Dl是對(duì)劣化特性結(jié)果進(jìn)行一次微分時(shí)的結(jié)果，微分結(jié)果D22是對(duì)微分結(jié)果Dl進(jìn)一步進(jìn)行微分時(shí)的結(jié)果，通過(guò)對(duì)劣化特性結(jié)果進(jìn)行二次微分，能夠得到在劣化特性結(jié)果的拐點(diǎn)(一次微分的拐點(diǎn))的位置具有峰值的曲線。利用該特性， 在根據(jù)所測(cè)定到的數(shù)據(jù)而求出的微分結(jié)果D2為能夠得到峰值(極大值)點(diǎn)、和位于該點(diǎn)兩側(cè)的各自至少1個(gè)點(diǎn)的數(shù)據(jù)的狀態(tài)時(shí)，結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。S卩，每當(dāng)在步驟S24中對(duì)參數(shù)i加1時(shí)，逐漸減小測(cè)試用再現(xiàn)功率，例如按照?qǐng)D 10(a)所示，使冊(cè)按照冊(cè)(1)、1^2)、1^(3)、1^4)、1^(5)的順序變化(S21)，同時(shí)根據(jù)針對(duì)各個(gè)再現(xiàn)功率得到的劣化量數(shù)據(jù)，計(jì)算截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)(S22F)，并逐次得到對(duì)針對(duì)不同的再現(xiàn)功率(圖10中的 ra(5))得到的截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)ND(I) ,ND (2) ,ND (3) ,ND (4) ,ND (5)的自然對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分而得到的數(shù)據(jù)，按照上面所述對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行是否能夠得到峰值和位于峰值兩側(cè)的點(diǎn)的判定，在能夠得到時(shí)結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。在圖10(a) 圖10(c)的示例中，各個(gè)再現(xiàn)功率下的截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)的、利用自然對(duì)數(shù)ln(ND(i))表示的一次微分的結(jié)果Dl (i)是利用下式求出的，Dl (i) = ln(ND(i)-ln(ND(i-l))，二次微分的結(jié)果D (i)是利用下式求出的，D2(i) = |Dl((i))-Dl(i-l) I。并且，根據(jù)在此之前得到的數(shù)據(jù)得到近似曲線APC。即，估計(jì)劣化特性。另外，如上所述，使測(cè)試用再現(xiàn)功率逐漸減小來(lái)求出截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)，但是也可以取而代之，使測(cè)試用再現(xiàn)功率逐漸增大，針對(duì)各個(gè)再現(xiàn)功率求出截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)，逐次得到對(duì)針對(duì)不同的再現(xiàn)功率得到的截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)的自然對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分而得到數(shù)據(jù)，同時(shí)針對(duì)這些數(shù)據(jù)，按照上面所述進(jìn)行是否能夠得到峰值和位于峰值兩側(cè)的點(diǎn)的判定。另外，也可以是，即使在通過(guò)二次微分而得到的多個(gè)數(shù)據(jù)中不存在峰值、而是基本取0的值的情況下，如果與一次微分的結(jié)果Dl產(chǎn)生較大的差異(預(yù)定值以上的差異)，則判定為在高功率區(qū)域和低功率區(qū)域中分別進(jìn)行了多個(gè)測(cè)定，而結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。S卩，每當(dāng)在步驟S24中對(duì)參數(shù)i加1時(shí)，逐漸減小測(cè)試用再現(xiàn)功率，例如按照?qǐng)D 10(a)所示，使冊(cè)按照冊(cè)(1)、^^2)、1^(3)、^^4)、1^(5)的順序變化(S21)，根據(jù)針對(duì)各個(gè)再現(xiàn)功率得到的劣化量數(shù)據(jù)，計(jì)算截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)(S22F)，并逐次得到對(duì)針對(duì)不同的再現(xiàn)功率(圖10中的 ra(5))得到的截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)ND(l), ND (2)、ND (3)、ND (4)、ND (5)的自然對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分而得到的數(shù)據(jù)，同時(shí)針對(duì)這些數(shù)據(jù)，如上面所述，即使在不存在峰值而基本取為0的值的情況下，如果在相鄰的測(cè)試用再現(xiàn)功率值彼此之間一次微分的結(jié)果Dl產(chǎn)生較大的差異(預(yù)定值以上的差異)，則可以結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。并且，根據(jù)在此之前得到的數(shù)據(jù)得到近似曲線APC。即，估計(jì)劣化特性。另外，如上所述使測(cè)試用再現(xiàn)功率逐漸減小來(lái)求出截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)，但也可以取而代之，可以使測(cè)試用再現(xiàn)功率逐漸增大，針對(duì)各個(gè)再現(xiàn)功率求出截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)，逐次得到對(duì)針對(duì)不同的再現(xiàn)功率得到的截止到劣化預(yù)定量的再現(xiàn)次數(shù)的自然對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分而得到數(shù)據(jù)，針對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行如上面所述的判定，即使在不存在峰值而基本取為0的值的情況下，判定在相鄰的測(cè)試用再現(xiàn)功率值彼此之間的一次微分的結(jié)果Dl是否產(chǎn)生較大的差異(預(yù)定值以上的差異)。并且，在步驟S23的判定中，不一定需要進(jìn)行基于劣化數(shù)據(jù)的一次微分和二次微分的判定，也可以判定所測(cè)定到的區(qū)域是否只是高功率區(qū)域，而判定是否結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。并且，在圖3的步驟S21中，將測(cè)試用再現(xiàn)功率以列表形式預(yù)先存儲(chǔ)在中央控制部 200內(nèi)的ROM 220中，但也可以在步驟S23的判定時(shí)，確定進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)所需要的再現(xiàn)功率 (應(yīng)該在下一次的測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率)，并以該再現(xiàn)功率進(jìn)行追加的測(cè)試再現(xiàn)。如上所述，在本實(shí)施方式1中，用式(4)的曲線對(duì)再現(xiàn)功率與信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))的自然對(duì)數(shù)的關(guān)系進(jìn)行近似，由此即使使用以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行加速試驗(yàn)的數(shù)據(jù)，也能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)能夠在保證再現(xiàn)次數(shù)RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的最佳再現(xiàn)功率。并且，由于能夠以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行加速試驗(yàn)，因而能夠?qū)⑦M(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)所需要的再現(xiàn)次數(shù)抑制為較少的次數(shù)，相比于采用在通常的壽命試驗(yàn)中使用的阿雷尼厄斯圖的情況，能夠盡快求出最佳再現(xiàn)功率的預(yù)測(cè)。如前面所述，再現(xiàn)次數(shù)對(duì)應(yīng)于再現(xiàn)時(shí)間，劣化次數(shù)(截止到劣化量達(dá)到預(yù)定的值的再現(xiàn)次數(shù))ND(i)和與其對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)時(shí)間都能夠用作壽命指標(biāo)。如果使用壽命指標(biāo)LP取代劣化次數(shù)ND來(lái)改寫式(4)，則得到下式In (LP) = f {(LA-LD) / (1+exp (LB X PR-LC)) +LD} +LE. · · (4a)其中，LA、LB、LC、LD、LE是對(duì)應(yīng)于式 G)中的 AA、BB、CC、DD、EE 的參數(shù)。實(shí)施方式2在實(shí)施方式1中，在開(kāi)始再現(xiàn)數(shù)據(jù)之前進(jìn)行基于測(cè)試再現(xiàn)的最佳再現(xiàn)功率的調(diào)整，因而存在到能夠再現(xiàn)數(shù)據(jù)為止花費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。因此，在實(shí)施方式2中，利用在數(shù)據(jù)的再現(xiàn)過(guò)程中的待機(jī)時(shí)間來(lái)進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，進(jìn)行最佳再現(xiàn)功率的調(diào)整。下面，參照?qǐng)D11說(shuō)明本實(shí)施方式2的再現(xiàn)功率設(shè)定方法的步驟。在執(zhí)行實(shí)施方式 2的再現(xiàn)功率設(shè)定方法時(shí)使用的光盤裝置(在此用框圖表示實(shí)施方式2的光盤裝置1如圖 1所示)與實(shí)施方式1相同。圖11中截止到步驟S14的讀出光盤信息的處理與圖2相同，因而省略。當(dāng)在步驟S14進(jìn)行了光盤信息的讀出后，在由未圖示的單元提供了再現(xiàn)的指示時(shí) (步驟S16 “是”)，在步驟S17中，開(kāi)始從光盤500讀出正式的數(shù)據(jù)(正式讀出)。并且，當(dāng)在步驟S16中沒(méi)有從未圖示的單元提供再現(xiàn)的指示時(shí)(“否”的情況下)，在步驟S30中進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。關(guān)于步驟S30的處理的具體內(nèi)容將在后面進(jìn)行說(shuō)明，但該步驟S30存在與圖2中的步驟S15不同之處，即可能存在以下情況在一次的步驟S30的處理中不一定完成測(cè)試再現(xiàn)和最佳再現(xiàn)功率的計(jì)算，而可能在各次的步驟S30中進(jìn)行步驟S15的處理的一部分處理、尤其是需要反復(fù)進(jìn)行的測(cè)試再現(xiàn)(圖3中的步驟S22B)的一部分處理，通過(guò)反復(fù)執(zhí)行步驟S30來(lái)收集必要數(shù)量的測(cè)試再現(xiàn)結(jié)果，使用收集到的測(cè)試再現(xiàn)結(jié)果進(jìn)行最佳再現(xiàn)功率的計(jì)算(步驟S25)。通常，光盤裝置100按照由上位控制器400指示的待讀出的數(shù)據(jù)的開(kāi)始地址和待讀出的數(shù)據(jù)量，從光盤500讀出數(shù)據(jù)并存儲(chǔ)在緩存190中。并且，上位控制器400對(duì)存儲(chǔ)在緩存190中的再現(xiàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼而轉(zhuǎn)換為影像和聲音，然后輸出給顯示裝置450。在此，光盤裝置100從光盤500進(jìn)行讀出時(shí)的讀出速率，比在上位控制器400輸出給顯示裝置450 時(shí)從緩存190讀出的速率快，因而針對(duì)來(lái)自上位控制器400的再現(xiàn)指示，中央控制裝置200 進(jìn)行控制使得不會(huì)在緩存190中產(chǎn)生上溢或下溢。因此，交替地反復(fù)從光盤500讀出預(yù)定量的數(shù)據(jù)并向緩存190存儲(chǔ)的期間、和上位控制器400在為了影像輸出而從緩存190讀出數(shù)據(jù)的期間中停止來(lái)自光盤500的數(shù)據(jù)讀出的待機(jī)期間。在本實(shí)施方式2中，設(shè)為在上位控制器400為了影像輸出而停止來(lái)自光盤 500的數(shù)據(jù)讀出的待機(jī)期間、或者由于其它原因而停止來(lái)自光盤500的數(shù)據(jù)讀出的期間中， 進(jìn)行求出再現(xiàn)功率所需要的測(cè)試再現(xiàn)。當(dāng)在步驟S17中開(kāi)始了數(shù)據(jù)的讀出之后，光盤裝置100等待來(lái)自上位控制器400 的再現(xiàn)指示(步驟S31)。在沒(méi)有再現(xiàn)指示的情況(例如，相當(dāng)于由未圖示的單元進(jìn)行了再現(xiàn)的臨時(shí)停止等的情況)下，在步驟S30進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。并且，當(dāng)在步驟S31中存在再現(xiàn)指示的情況下，在步驟S32中，從所指定的地址讀入指定數(shù)據(jù)大小的數(shù)據(jù)。然后，在步驟S33中判定是否完成數(shù)據(jù)再現(xiàn)而處于再現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)，在處于再現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的情況下(“是”的情況下)，在步驟S30中實(shí)施再現(xiàn)功率調(diào)整。然后，在步驟S34中判定待機(jī)狀態(tài)是否結(jié)束，在待機(jī)狀態(tài)持續(xù)的情況下(“否”的情況下)，繼續(xù)步驟S30的再現(xiàn)功率調(diào)整。當(dāng)在步驟S34中待機(jī)狀態(tài)結(jié)束的情況下(“是” 的情況下)，返回到步驟S31，等待來(lái)自上位控制器400的再現(xiàn)指示。在此，關(guān)于在步驟S34的待機(jī)狀態(tài)是否結(jié)束的判定，例如，可以監(jiān)視緩存190的狀態(tài)，在緩存的數(shù)據(jù)量減少而接近空時(shí)，判定為結(jié)束待機(jī)狀態(tài)。例如，如果存儲(chǔ)于緩存中的數(shù)據(jù)量達(dá)到以下這樣的數(shù)據(jù)量以下，即在從測(cè)試再現(xiàn)用區(qū)域(進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的地址)到前一次已再現(xiàn)數(shù)據(jù)的區(qū)域之后應(yīng)該進(jìn)行再現(xiàn)的下一區(qū)域進(jìn)行查找的期間中，上位控制器400向顯示裝置450進(jìn)行持續(xù)輸出所需要的數(shù)據(jù)量以下，則判定為應(yīng)該結(jié)束待機(jī)狀態(tài)，并在已再現(xiàn)數(shù)據(jù)的區(qū)域之后應(yīng)該再現(xiàn)的下一區(qū)域中進(jìn)行查找。下面，參照?qǐng)D12對(duì)本實(shí)施方式2中的再現(xiàn)功率調(diào)整(步驟S30)的處理進(jìn)行說(shuō)明。 在圖12中，對(duì)與圖3相同的內(nèi)容或者對(duì)應(yīng)的步驟標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)。首先，在步驟S30A中，向第i個(gè)測(cè)試用區(qū)域移動(dòng)。在此，i表示在以彼此不同的多個(gè)再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)表示是第幾次測(cè)試再現(xiàn)的參數(shù)，在圖11中，在進(jìn)行第一次的測(cè)試再現(xiàn)之前初始化為i = 1。然后，在步驟S21中，設(shè)定第i個(gè)測(cè)試用再現(xiàn)功率ra (i)。然后，在步驟S30B中，判定i相對(duì)于前一次執(zhí)行步驟S30時(shí)是否已變更，在已變更的情況下(“是”的情況下)，進(jìn)入步驟S22A，測(cè)定作為劣化前的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量(第i個(gè)測(cè)試區(qū)域中的連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)開(kāi)始前的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量，即“初始的再現(xiàn)質(zhì)量”)的信號(hào)質(zhì)量。另外，在第一次執(zhí)行步驟S30的再現(xiàn)功率調(diào)整的情況下，與i有無(wú)變更無(wú)關(guān)，都在步驟S22A中測(cè)定劣化前的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量。在步驟S22A之后進(jìn)入步驟S22B。在步驟S30B中，在i沒(méi)有變更的情況下(“否”的情況下)，直接進(jìn)入步驟S22B。在步驟S22B進(jìn)行連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。在經(jīng)過(guò)步驟S22A進(jìn)入步驟S22B的情況下，在之前剛剛在步驟S22A中測(cè)定了再現(xiàn)質(zhì)量的區(qū)域繼續(xù)進(jìn)行連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。而在從步驟S30B直接進(jìn)入步驟S22B的情況下，在以前在步驟S22A中測(cè)定了再現(xiàn)質(zhì)量的區(qū)域開(kāi)始連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。然后，在步驟S30C中判定是否中斷測(cè)試再現(xiàn)。在存在來(lái)自上位控制器400的再現(xiàn)指示的情況下、或者光盤裝置100的中央控制部20根據(jù)緩存190的剩余數(shù)據(jù)容量判定為結(jié)束待機(jī)狀態(tài)的情況下，則進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)中斷(“是”)。當(dāng)在步驟S30C中斷測(cè)試再現(xiàn)的情況下，進(jìn)入步驟S30D，存儲(chǔ)至此為止進(jìn)行的測(cè)試再現(xiàn)的累計(jì)再現(xiàn)次數(shù)NS (i)(按照每個(gè)i進(jìn)行存儲(chǔ))。然后，在步驟S30E中中斷測(cè)試再現(xiàn)， 在步驟S30F中使再現(xiàn)功率恢復(fù)為在圖11中的步驟S12中設(shè)定的初始再現(xiàn)功率，結(jié)束步驟 S30的處理。在此，在步驟S14中，在已根據(jù)所插入的光盤500設(shè)定再現(xiàn)功率的情況下，也可以恢復(fù)為所設(shè)定的再現(xiàn)功率。當(dāng)在步驟S30C中判定為不中斷測(cè)試再現(xiàn)的情況下(“否”的情況下)，在步驟S22C 中判定是否測(cè)定再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量。當(dāng)在步驟S22C中判定為不測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的情況下(“否” 的情況下)，返回到步驟S22B。另一方面，當(dāng)在步驟S22C中判定為測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的情況下 (“是”的情況下)，在步驟S22D中測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量，并計(jì)算相對(duì)于在步驟S22A中測(cè)定到的相比于劣化前的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD (i，j)。與圖3中的步驟S22C —樣，根據(jù)從步驟S22A進(jìn)入到步驟S22B，且在步驟S22B開(kāi)始連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)起的再現(xiàn)次數(shù)(NS(i) = NT(i, 1))、或者從前一次在步驟S22D中測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量以后的再現(xiàn)次數(shù)NT(i，j) (j是指表示是再現(xiàn)功率下的測(cè)試再現(xiàn)中的第幾次再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定的參數(shù))是否達(dá)到預(yù)定值NTL (i，j)，進(jìn)行步驟S22C的“是否測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量”的判定。然后，在步驟S22E中，判定在步驟S22D求出的劣化量QD(i，j)是否大于預(yù)先指定的預(yù)定的值QDM。當(dāng)在步驟S22D中求出的劣化量QD(i，j)大于預(yù)定的值QDM的情況下 (“是”的情況下)，進(jìn)入步驟S22F。當(dāng)在步驟S22D求出的劣化量QD(i，j)為預(yù)定值QDM以下的情況下(步驟S22E為 “否”的情況下)，在步驟S22G中，將正在進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率下的連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)次數(shù) NS (i)、和預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值NSL進(jìn)行比較。在沒(méi)有進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值(預(yù)定次數(shù))NSL以上次數(shù)的再現(xiàn)的情況下(步驟S22G為“否”的情況下)， 返回到步驟S22B，繼續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)測(cè)試再現(xiàn)區(qū)域，并再次執(zhí)行從步驟S30C開(kāi)始的處理。在進(jìn)行了預(yù)先設(shè)定的測(cè)試再現(xiàn)次數(shù)的上限值(預(yù)定次數(shù))NSL以上次數(shù)的再現(xiàn)的情況下(步驟S22G為“是”的情況下)，進(jìn)入步驟S22F。在步驟S22F中，計(jì)算劣化量QD(i)達(dá)到預(yù)定值QDL的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))ND (i)， 將計(jì)算出的再現(xiàn)次數(shù)ND(i)和該再現(xiàn)功率(第i個(gè)測(cè)試用再現(xiàn)功率)PR(i) —起(與再現(xiàn)功率HUi)相關(guān)聯(lián)地)存儲(chǔ)在例如中央控制部200的RAM 230中，并結(jié)束連續(xù)靜態(tài)再現(xiàn)。在步驟S22F之后，進(jìn)入步驟S23。在此，在步驟S22C測(cè)定再現(xiàn)質(zhì)量的間隔(第(j)個(gè)(j = 1、2、3、...)的再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定到下一次再現(xiàn)質(zhì)量測(cè)定的再現(xiàn)次數(shù)NTL(i，j))，可以設(shè)為預(yù)先設(shè)定的固定間隔(每隔固定的再現(xiàn)次數(shù))，也可以根據(jù)在步驟S22D中計(jì)算出的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量進(jìn)行變更。例如， 也可以是，隨著在步驟S22D中計(jì)算出的劣化量接近在步驟S22E中指定的預(yù)定的劣化量，而縮短間隔。并且，當(dāng)在步驟S22E中判定為，再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QD (i，j)與作為基準(zhǔn)的預(yù)先設(shè)定的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QDM之差較小的情況下(例如，所述劣化量之差(QDM-QD(i，j))相當(dāng)于預(yù)先設(shè)定的再現(xiàn)質(zhì)量的劣化量QDM的10%以下，能夠判定為通過(guò)追加再現(xiàn)達(dá)到期望的劣化量的情況等情況下)，可以不實(shí)施在步驟S22G中的是否再現(xiàn)了預(yù)定次數(shù)NSL的判定，而進(jìn)入到步驟S22E后面的步驟S22F。然后，在步驟S23中判定是否結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)。在不結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的情況下(“否” 的情況下)，在步驟S24中將i加1，返回到步驟S30A。隨著i的增加，再現(xiàn)功率也變更。再現(xiàn)功率的變更例如可以是從第ι次測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率(i = 1)開(kāi)始順序減小的值，或者也可以是從第ι次測(cè)試再現(xiàn)的再現(xiàn)功率(i = 1)開(kāi)始順序增大的值。當(dāng)在步驟S23結(jié)束測(cè)試再現(xiàn)的情況下(“是”的情況下)，在步驟S25中根據(jù)運(yùn)算式計(jì)算最佳再現(xiàn)功率并進(jìn)行設(shè)定，結(jié)束步驟S30的處理。在此，有關(guān)步驟S23、步驟S25的處理已在實(shí)施方式1中詳細(xì)說(shuō)明，因而在此省略詳細(xì)說(shuō)明。如上所述，在本實(shí)施方式2中，利用光盤裝置100從光盤500讀出數(shù)據(jù)的期間中的待機(jī)期間，進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整、尤其是其中的測(cè)試再現(xiàn)，因而不需延長(zhǎng)從將光盤500插入到光盤裝置100中到進(jìn)行再現(xiàn)的時(shí)間，即可預(yù)測(cè)最佳再現(xiàn)功率。另外，在實(shí)施方式2中沒(méi)有特意示出通過(guò)步驟S30的再現(xiàn)功率調(diào)整而求出最佳再現(xiàn)功率后的處理，但是在求出了最佳再現(xiàn)功率之后，也可以不進(jìn)行圖11中的步驟S30的再現(xiàn)功率調(diào)整，而使用比在步驟S30的再現(xiàn)功率調(diào)整中使用的再現(xiàn)功率更低的再現(xiàn)功率追加進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，并在圖12中的步驟S25中計(jì)算最佳再現(xiàn)功率，這樣能夠更準(zhǔn)確地確定最佳再現(xiàn)功率(確定為更合適的值)。實(shí)施方式3在實(shí)施方式1和實(shí)施方式2中，在光盤裝置100從光盤500再現(xiàn)數(shù)據(jù)之前、或者利用光盤裝置100正在再現(xiàn)數(shù)據(jù)的待機(jī)期間，進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，由此求出能夠在保證再現(xiàn)次數(shù) RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的最佳再現(xiàn)功率，而在本實(shí)施方式3中， 例如在光盤裝置100的出廠之前或者開(kāi)發(fā)階段，預(yù)先求出與光盤500對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率， 并預(yù)先存儲(chǔ)在光盤裝置100的例如中央控制部200的ROM 220中。通常，光盤500如圖13所示被劃分為BCA區(qū)域RBC、導(dǎo)入?yún)^(qū)域RLI、數(shù)據(jù)記錄區(qū)域 RDR、導(dǎo)出區(qū)域RL0。其中，在BCA區(qū)域RBC中，利用條形碼狀的信號(hào)對(duì)每一張盤記錄了用于識(shí)別介質(zhì)的固有序號(hào)。并且，導(dǎo)入?yún)^(qū)域RLI包括記錄用于控制盤的控制信息的區(qū)域RCI、和記錄制造商等盤固有信息的區(qū)域RID，上述的控制信息(RCI)和盤的固有信息(RID)有時(shí)也被記錄在導(dǎo)出區(qū)域RLO中。
在本實(shí)施方式3中，按照盤的不同的固有信息，預(yù)先進(jìn)行與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?2相同的測(cè)試再現(xiàn)，用式的曲線對(duì)在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率以及與信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))ND的自然對(duì)數(shù)的關(guān)系進(jìn)行近似，預(yù)先求出能夠在保證再現(xiàn)次數(shù)RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的最佳再現(xiàn)功率，將盤的固有信息與所求出的最佳再現(xiàn)功率的關(guān)系以例如表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的中央控制部200 內(nèi)的ROM 220中。在光盤500被插入到要進(jìn)行再現(xiàn)的光盤裝置100中的情況下，該光盤裝置100通過(guò)光頭300、前置放大器、再現(xiàn)信號(hào)處理部、數(shù)據(jù)解碼器140和中央控制部200來(lái)讀取光盤 500的固有信息，從ROM 200內(nèi)的所述表中讀出與和所插入的光盤500相同的固有信息相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)的最佳再現(xiàn)功率，并在RAM 230內(nèi)進(jìn)行設(shè)定(在RAM 230內(nèi)設(shè)定為再現(xiàn)功率的設(shè)定值(目標(biāo)值))，以所設(shè)定的再現(xiàn)功率從光盤500再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在此，在光盤裝置100出廠之前，預(yù)先按照光盤500的不同的固有信息實(shí)施最佳再現(xiàn)功率的確定(生成包括關(guān)于各個(gè)盤的最佳再現(xiàn)功率在內(nèi)的表)，并存儲(chǔ)在光盤裝置100的 ROM 220中。另外，也可以只在光盤裝置100的型號(hào)乃至規(guī)格變化時(shí)(例如，光拾取器300 的光學(xué)規(guī)格變更時(shí))實(shí)施。在光盤裝置出廠之前，為了求出關(guān)于光盤裝置100的最佳再現(xiàn)功率，可以使用各個(gè)光盤裝置100來(lái)求出最佳再現(xiàn)功率，也可以使用相同規(guī)格的其它光盤裝置或者具有相同的性能和特性的試驗(yàn)裝置來(lái)求出最佳再現(xiàn)功率。另外，將這樣求出的最佳再現(xiàn)功率作為初始值，存儲(chǔ)在光盤裝置內(nèi)的例如R0M220 中。在光盤裝置中，也可以在被插入了光盤時(shí)，從ROM 220中讀出最佳再現(xiàn)功率的初始值， 使用所讀出的最佳再現(xiàn)功率的設(shè)定值進(jìn)行控制信息的讀出和/或正式再現(xiàn)。另外，也可以是，使用所讀出的最佳再現(xiàn)功率的設(shè)定值只進(jìn)行控制信息的讀出等 (步驟S13、S14的處理)，然后與參照?qǐng)D2、圖3對(duì)實(shí)施方式1說(shuō)明的情況同樣地進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，或者與參照?qǐng)D11、圖12對(duì)實(shí)施方式2說(shuō)明的情況同樣地進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，確定最佳再現(xiàn)功率并寫入到ROM 220中。另外，為了在光盤裝置出廠之前求出最佳再現(xiàn)功率，也可以使用關(guān)于實(shí)施方式1 或?qū)嵤┓绞?說(shuō)明的方法，但是為了高精度地求出最佳再現(xiàn)功率，優(yōu)選在包括圖8中的低功率區(qū)域、曲線區(qū)域和高功率區(qū)域在內(nèi)的范圍中測(cè)定在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率。另外，在實(shí)施方式3中按照導(dǎo)入?yún)^(qū)域的盤的不同的固有信息來(lái)存儲(chǔ)最佳再現(xiàn)功率，但也可以采用例如記錄在BCA區(qū)域RBC中的用于針對(duì)每一張盤識(shí)別介質(zhì)的固有序號(hào)、或其它能夠確定盤的信息。另外，針對(duì)實(shí)施方式3的光盤裝置，也可以利用實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?重新進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，而求出最佳的再現(xiàn)功率。實(shí)施方式4在實(shí)施方式1和實(shí)施方式2中，在光盤裝置100從光盤500再現(xiàn)數(shù)據(jù)之前、或者利用光盤裝置100正在再現(xiàn)數(shù)據(jù)的待機(jī)期間，進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，由此求出能夠在保證再現(xiàn)次數(shù) RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的再現(xiàn)功率(最佳再現(xiàn)功率PRo)，但是沒(méi)有對(duì)光盤裝置內(nèi)的溫度進(jìn)行考慮。信號(hào)質(zhì)量的劣化量根據(jù)溫度而變化，因此在光盤裝置100 內(nèi)的溫度變化的情況下，根據(jù)在實(shí)施方式1或者實(shí)施方式2中求出的再現(xiàn)功率，有可能產(chǎn)生預(yù)定量以上的信號(hào)的劣化。因此，在實(shí)施方式4中進(jìn)行與溫度變化對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率的校正(即再現(xiàn)功率的設(shè)定值的校正)。實(shí)施方式4中的光盤裝置100如圖14所示，在圖1所示的光盤裝置100的基礎(chǔ)上，還具有溫度測(cè)定部380。溫度測(cè)定部380例如是利用了熱敏電阻的部件，測(cè)定光盤再現(xiàn)裝置100內(nèi)部的溫度。在此，優(yōu)選將熱敏電阻設(shè)置在光盤裝置100內(nèi)的接近光頭300的部位、或者配置在光頭300上，測(cè)定光頭300尤其是其激光器310附近的溫度。另外，溫度測(cè)定部380不限于采用熱敏電阻，只要是能夠測(cè)定溫度的元件或裝置等即可。下面，使用圖15說(shuō)明實(shí)施方式4中的與溫度變化對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率的校正步驟。實(shí)施方式4的再現(xiàn)步驟中截止到步驟S15的再現(xiàn)功率調(diào)整的處理與圖2相同，因而關(guān)于截止到步驟S14的處理省略圖示及說(shuō)明。在步驟S15的再現(xiàn)功率調(diào)整中，與針對(duì)圖2的說(shuō)明相同地，求出最大再現(xiàn)功率 PRm(劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率)，將與其相同的值或者(考慮到余量時(shí))比其略小的值的功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。換言之，將保證再現(xiàn)次數(shù)RL下的再現(xiàn)信號(hào)的劣化被抑制為預(yù)定值以下的再現(xiàn)功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。然后，在步驟S40中，由溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100的溫度Tl，并作為基準(zhǔn)溫度TRA存儲(chǔ)在例如中央控制部200內(nèi)的RAM 230中。并且，將在步驟S15求出的最佳再現(xiàn)功率PRo作為基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRA，存儲(chǔ)在例如中央控制部200內(nèi)的RAM 230中。在步驟S40之后，在由未圖示的單元提供了再現(xiàn)的指示后(步驟S16)，在步驟S17 中，根據(jù)在步驟S15調(diào)整并設(shè)定的最佳再現(xiàn)功率PRo，開(kāi)始從光盤500正式讀出數(shù)據(jù)(正式讀出)。另外，雖然沒(méi)有圖示，但是以后的處理是與在步驟S17開(kāi)始的數(shù)據(jù)的讀出并行地進(jìn)行處理，下面對(duì)除數(shù)據(jù)的再現(xiàn)處理之外的處理進(jìn)行說(shuō)明。然后，在步驟S41中，與數(shù)據(jù)的讀出并行地，使用溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100 內(nèi)部的溫度T2。在此，步驟S41的動(dòng)作并不需要始終進(jìn)行，例如，可以在從前一次測(cè)定溫度的時(shí)刻起經(jīng)過(guò)了預(yù)先設(shè)定的時(shí)間以上的時(shí)間后執(zhí)行。另外，在光盤裝置100的其它處理負(fù)荷不大的情況下，也可以按照更短的時(shí)間間隔來(lái)執(zhí)行步驟S41的溫度測(cè)定。當(dāng)在步驟S41測(cè)定溫度T2后，在步驟S42中求出基準(zhǔn)溫度TRA(第一次執(zhí)行步驟 S42時(shí)，在步驟S40測(cè)定到的溫度Tl成為基準(zhǔn)溫度TRA)與在步驟S41測(cè)定到的溫度T2之間的溫度差(差的絕對(duì)值，即變化幅度)，判定該溫度差是否達(dá)到預(yù)定的溫度差ΔΤΑ以上 (例如10度以上)。在所述溫度差小于預(yù)定的溫度差Δ TA的情況下(“否”的情況下)，不進(jìn)行任何動(dòng)作，繼續(xù)數(shù)據(jù)的再現(xiàn)。在所述溫度差為預(yù)定的溫度差△ TA以上的情況下(“是” 的情況下)，在步驟S43校正再現(xiàn)功率。在步驟S43進(jìn)行的該再現(xiàn)功率的校正是校正最佳再現(xiàn)功率PRo。關(guān)于該再現(xiàn)功率的校正將在后面進(jìn)行說(shuō)明。另外，在步驟S44中，將基準(zhǔn)溫度 TRA更新為此時(shí)在步驟S41測(cè)定到的溫度T2，將基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRA更新為在步驟S43中求出的最佳再現(xiàn)功率PRo。然后，在步驟S45中，設(shè)定通過(guò)步驟S43校正后的最佳再現(xiàn)功率PRo (將校正后的最佳再現(xiàn)功率PRo作為新的設(shè)定值，即更新設(shè)定值)，以便在數(shù)據(jù)讀出時(shí)使用。在此，雖然沒(méi)有圖示，但是當(dāng)在步驟S45中設(shè)定再現(xiàn)功率的情況下，使來(lái)自光盤500的數(shù)據(jù)讀出暫且停止來(lái)設(shè)定再現(xiàn)功率。另外，也可以不需要強(qiáng)制使數(shù)據(jù)讀出暫且停止，例如可以進(jìn)行待機(jī)直到數(shù)據(jù)讀出待機(jī)期間(不進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出的期間)為止，來(lái)進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定。
圖15中的步驟S40、S41的處理由溫度測(cè)定部380和中央控制部200進(jìn)行，步驟 S42、S43、S44、S45的處理由中央控制部200進(jìn)行。下面，參照?qǐng)D16和圖17對(duì)步驟S43的再現(xiàn)功率的校正進(jìn)行說(shuō)明。圖16表示3個(gè)不同的溫度時(shí)的再現(xiàn)功率I3R和劣化次數(shù)ND的關(guān)系(實(shí)測(cè)值)以及用式(4)進(jìn)行近似時(shí)的近似曲線APC20、APC40、APC60。在此，Δ標(biāo)記和實(shí)線APC20表示光盤裝置內(nèi)的溫度為20°C 的情況，Δ標(biāo)記表示實(shí)測(cè)值，實(shí)線APC20表示近似曲線。〇標(biāo)記和虛線APC40表示40°C的情況，〇標(biāo)記表示實(shí)測(cè)值，虛線表示近似曲線。□標(biāo)記和點(diǎn)劃線APC60表示60°C的情況，□標(biāo)記表示實(shí)測(cè)值，點(diǎn)劃線表示近似曲線。在圖16中，用標(biāo)號(hào)PRm (APC20)、PRm (APC40)、PRm (APC60)表示針對(duì)各個(gè)曲線 APC20、APC40、APC60的最大再現(xiàn)功率(劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL時(shí)的再現(xiàn)功率)。根據(jù)圖16可知，隨著溫度升高，再現(xiàn)功率ra與劣化次數(shù)ND的關(guān)系向圖中的左側(cè)移動(dòng)，即使是較低的再現(xiàn)功率時(shí)也變得容易劣化。即，可知最大再現(xiàn)功率PRm隨著溫度升高而降低。圖17表示不同的兩種BD-RE盤的溫度與最大再現(xiàn)功率PRm的關(guān)系。在此，〇標(biāo)記和實(shí)線表示盤C的情況，□標(biāo)記和虛線表示盤D的情況，〇標(biāo)記和□標(biāo)記表示實(shí)測(cè)值，實(shí)線和虛線表示對(duì)實(shí)測(cè)值進(jìn)行一次近似時(shí)的近似直線。根據(jù)圖17可知，溫度與最大再現(xiàn)功率 PRm的關(guān)系能夠近似為線性關(guān)系。并且，可知不同的兩種BD-RE盤的近似直線的斜率基本相同。預(yù)先對(duì)作為對(duì)象的光盤裝置100確認(rèn)該近似直線的斜率CT，并保存在例如中央控制部 200的RAM 230中。在此，該斜率CT的保存可以只在光盤裝置100的型號(hào)乃至規(guī)格發(fā)生了變更時(shí)(例如，光拾取器300的光學(xué)規(guī)格發(fā)生了變更的情況下)進(jìn)行。另外，最佳再現(xiàn)功率PRo是與最大再現(xiàn)功率PRm對(duì)應(yīng)的值，因而溫度與最佳再現(xiàn)功率的關(guān)系和溫度與最大再現(xiàn)功率的關(guān)系相同，尤其是在通過(guò)向最大再現(xiàn)功率乘以預(yù)定的常數(shù)來(lái)得到最佳再現(xiàn)功率的情況下，表示溫度與最佳再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率，和表示溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率相同。在下面的說(shuō)明中，假設(shè)最佳再現(xiàn)功率是通過(guò)向最大再現(xiàn)功率乘以預(yù)定的系數(shù)而得到的，并且表示溫度與最佳再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率，和表示溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率相同。利用以上的結(jié)果，進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率的校正。設(shè)基準(zhǔn)再現(xiàn)功率為PRA，設(shè)基準(zhǔn)溫度為TRA，設(shè)在步驟S42之前剛剛進(jìn)行的通過(guò)步驟S41 (測(cè)定在步驟S42的判定中使用的溫度的步驟)測(cè)定到的溫度為T2，設(shè)溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率為CT，則能夠用下式求出校正后的最佳再現(xiàn)功率PRou (對(duì)應(yīng)于溫度變化進(jìn)行校正后的最佳再現(xiàn)功率)。PRou = CTX (T2—TRA)+PRA . . . (6A)在此，當(dāng)之后進(jìn)行步驟S43的處理的情況下，關(guān)于基準(zhǔn)溫度TRA和基準(zhǔn)再現(xiàn)功率 PRA，在式(6A)中采用在步驟S44更新后的值，但也可以將式(6A)中的基準(zhǔn)溫度TRA設(shè)為在步驟S40求出的溫度Tl，將基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRA固定為在步驟S15求出的最佳再現(xiàn)功率Pro 來(lái)進(jìn)行求出。另外，在圖17中示出了在不同的兩種BD-RE盤中溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系 (近似直線的斜率)基本相同，但是存在所述溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系(近似直線的斜率)根據(jù)光盤的特性而不同的可能性。圖18表示溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系(近似直線的斜率)根據(jù)光盤的特性而不同時(shí)的、溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系的一例。在此，〇標(biāo)記和實(shí)線表示盤E的情況，□標(biāo)記和虛線表示盤F的情況，Δ標(biāo)記和點(diǎn)劃線表示盤G的情況。在這種情況下，按照光盤的每個(gè)固有信息，將所述溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系的近似直線的斜率CT存儲(chǔ)在光盤裝置100的例如中央控制部200的 ROM 220中。例如，在圖18中，將各個(gè)盤E、盤F、盤G的近似直線的斜率設(shè)為CT (E)、CT (F)、 CT(G)，存儲(chǔ)在光盤裝置100(的ROM 220)中。在進(jìn)行光盤再現(xiàn)時(shí)，使用與所插入的光盤的固有信息對(duì)應(yīng)的近似直線的斜率信息，使用式(6A)求出與溫度變化對(duì)應(yīng)的校正后的最佳再現(xiàn)功率PRou。另外，在近似直線的斜率CT根據(jù)光盤而不同的情況下，將每個(gè)光盤的近似直線的斜率CT的關(guān)系和光盤的固有信息一起(與固有信息相關(guān)聯(lián)地)以例如表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的中央控制部200的ROM 220中。也可以取而代之，將對(duì)各種光盤求出的近似直線的斜率中絕對(duì)量為最大的斜率和絕對(duì)量為最小的斜率分別存儲(chǔ)在光盤裝置100的中央控制部200內(nèi)的ROM 220中。在這種情況下，針對(duì)沒(méi)有在所述表內(nèi)存儲(chǔ)固有信息的盤，在高于通過(guò)步驟S40而測(cè)定到的溫度(或者通過(guò)前一次的步驟S41的溫度測(cè)定而求出的溫度)的情況下，采用絕對(duì)量為最大的斜率進(jìn)行再現(xiàn)功率的校正，在溫度降低的情況下，采用絕對(duì)量為最大的斜率進(jìn)行再現(xiàn)功率的校正。S卩，可以在光盤裝置100的溫度升高的結(jié)果是進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率校正的情況下，采用近似直線的斜率的絕對(duì)量為最大的斜率，按照式(6A)進(jìn)行校正。另一方面，可以在光盤裝置100的溫度降低的結(jié)果是進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率校正的情況下，采用近似直線的斜率的絕對(duì)量為最小的斜率，按照式(6A)進(jìn)行校正。這樣，根據(jù)光盤的不同而設(shè)定為比本來(lái)低的再現(xiàn)功率，但能夠防止在所有光盤中劣化次數(shù)ND小于保證再現(xiàn)次數(shù)RL。在步驟S43中，使用式(6A)按照溫度變化來(lái)校正最佳再現(xiàn)功率PRo，并設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。另外，在步驟S40是將最佳再現(xiàn)功率PRo設(shè)定為基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRA，但也可以設(shè)定在步驟S15求出的最大再現(xiàn)功率PRm。在這種情況下，在步驟S43中，使用與式(6A)相同的下式(6B)進(jìn)行校正的結(jié)果為最大再現(xiàn)功率PRo。PRmu = CTX (T2-TRA) +PRA . . . (6B)(其中，PRA = PRm)如上所述，在本實(shí)施方式4中，預(yù)先確認(rèn)最大再現(xiàn)功率PRm與溫度之間的關(guān)系，根據(jù)溫度變化，使用式(6A)或者式(6B)校正最佳再現(xiàn)功率，由此在溫度變化的情況下，也能夠求出該溫度時(shí)的最佳再現(xiàn)功率PRo，能夠防止預(yù)定量以上的信號(hào)質(zhì)量的劣化。另外，在本實(shí)施方式4中，在步驟S42中判定是否達(dá)到預(yù)定的溫度差以上，進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率的校正，但也可以在步驟S41進(jìn)行溫度測(cè)定后，進(jìn)行再現(xiàn)功率的校正，在再現(xiàn)功率的變動(dòng)量達(dá)到預(yù)定的值以上(例如能夠控制的最小單位以上)的情況下，進(jìn)行步驟S44和步驟S45的處理。另外，為了在光盤裝置出廠之前求出溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系，也可以使用對(duì)實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?說(shuō)明的方法，但是為了高精度地求出最佳再現(xiàn)功率，優(yōu)選在包括圖8中的低功率區(qū)域、曲線區(qū)域和高功率區(qū)域在內(nèi)的范圍中測(cè)定在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率。另外，在本實(shí)施方式4中，如圖15所示，示出了在步驟S17開(kāi)始了數(shù)據(jù)再現(xiàn)之后的處理，但也可以在開(kāi)始數(shù)據(jù)再現(xiàn)之前的待機(jī)過(guò)程中進(jìn)行從步驟S41到步驟S45的處理。另外，在本實(shí)施方式4中，如圖17所示，對(duì)溫度與最大再現(xiàn)功率PRm之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似，但不限于直線近似，只要能夠?qū)烧叩年P(guān)系進(jìn)行近似即可。但是，在進(jìn)行除直線近似之外的近似的情況下，需要根據(jù)所使用的近似式變更式(6A)或者式(6B)以及所存儲(chǔ)的系數(shù)。另外，上述的步驟S43中的再現(xiàn)功率校正的處理也可以說(shuō)是根據(jù)溫度變化來(lái)變更再現(xiàn)功率的處理。實(shí)施方式5在實(shí)施方式4中，根據(jù)光盤裝置100內(nèi)的溫度變化，使用預(yù)先確認(rèn)的最大再現(xiàn)功率 PRm與溫度之間的關(guān)系，通過(guò)計(jì)算來(lái)校正再現(xiàn)功率。在此，最大再現(xiàn)功率PRm與溫度之間的關(guān)系只能在特定的光盤裝置100和有限的光盤500中進(jìn)行確認(rèn)，因而產(chǎn)生因光盤裝置100 和光盤500的個(gè)體差異等造成的偏差，尤其在溫度變化較大的情況下，這種影響比較顯著。 因此，在實(shí)施方式5中，根據(jù)溫度變化再次進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。利用框圖示出實(shí)施方式5的光盤裝置100，如圖14所示。下面，參照?qǐng)D19對(duì)實(shí)施方式5的與溫度變化后的溫度對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率的變更處理進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式4的再現(xiàn)步驟中截止到步驟S15的再現(xiàn)功率調(diào)整的處理與圖2相同， 因而省略有關(guān)步驟S14以前的處理的圖示和說(shuō)明。并且，步驟S41、步驟S42 步驟S45的處理與圖15大致相同。步驟S50的處理與步驟S40大致相同，但存在以下所述的不同之處。在步驟S15的再現(xiàn)功率調(diào)整中，與針對(duì)圖2的說(shuō)明相同地，求出最大再現(xiàn)功率 PRm (劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率)，將具有與其相同的值或者(考慮到余量時(shí))比其略小的值的功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。換言之，將保證再現(xiàn)次數(shù)RL下的再現(xiàn)信號(hào)的劣化被抑制為預(yù)定值以下的再現(xiàn)功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。然后，在步驟S50中，使用溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100的溫度Tl，并作為基準(zhǔn)溫度TRA和TRB存儲(chǔ)在例如中央控制部200內(nèi)的RAM 230中。并且，將在步驟S15求出的最大再現(xiàn)功率PRm作為基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRB和PRC，存儲(chǔ)在例如中央控制部200內(nèi)的RAM 230 中。在步驟S50之后，在通過(guò)未圖示的單元提供了再現(xiàn)的指示后(步驟S16)，在步驟 S17中，根據(jù)在步驟S15中調(diào)整并設(shè)定的最佳再現(xiàn)功率PRo，開(kāi)始正式從光盤500讀出數(shù)據(jù) (正式讀出)。另外，雖然沒(méi)有圖示，但是以后的處理是與在步驟S17開(kāi)始的數(shù)據(jù)的讀出并行地進(jìn)行處理，下面對(duì)除數(shù)據(jù)的再現(xiàn)處理之外的處理進(jìn)行說(shuō)明。然后，在步驟S41中，與數(shù)據(jù)的讀出并行地，使用溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100 內(nèi)部的溫度T2。在此，步驟S41的動(dòng)作不需要始終進(jìn)行，例如，在從前一次測(cè)定溫度的時(shí)刻起經(jīng)過(guò)了預(yù)先設(shè)定的時(shí)間以上的時(shí)間后執(zhí)行即可。另外，在光盤裝置100的其它處理負(fù)荷不大的情況下，也可以按照更短的時(shí)間間隔來(lái)執(zhí)行步驟S41的溫度測(cè)定。當(dāng)在步驟S41中測(cè)定溫度T2后，在步驟S51中求出基準(zhǔn)溫度TRB與在步驟S41中
28測(cè)定到的溫度T2之間的溫度差(差的絕對(duì)值，即變化幅度)，判定該溫度差是否達(dá)到預(yù)定的溫度差Δ TB以上(例如20度以上)。在小于預(yù)定的溫度差Δ TB的情況下(“否”的情況下)，執(zhí)行步驟S42 步驟S45的處理。在此，步驟S42 步驟S45的處理與實(shí)施方式4相同，因而省略說(shuō)明。另外，優(yōu)選在步驟S51中采用的溫度差Δ TB取大于在步驟S42采用的溫度差Δ TA的值。在步驟S51中，在所述溫度差為預(yù)定的溫度差ΔΤΒ以上的情況下(“是”的情況下)，在步驟S52中進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。步驟S52的處理與步驟S15相同。另外，在步驟S52 的再現(xiàn)功率調(diào)整中，不僅求出最佳再現(xiàn)功率PRo，(在求出最佳再現(xiàn)功率PRo的過(guò)程中)也求出最大再現(xiàn)功率PRm。在步驟S52之后，在步驟S54中，使用溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100的溫度 T3。另外，在步驟S55中，將基準(zhǔn)溫度TRA和TRB更新為在步驟SM測(cè)定到的溫度T3，將基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRB和PRC更新為在步驟S53求出的再現(xiàn)功率(最大再現(xiàn)功率PRm)。通過(guò)這樣處理，關(guān)于之后進(jìn)行的是否需要再次執(zhí)行步驟S51的最佳再現(xiàn)功率的調(diào)整的判定，以在步驟S52中為了調(diào)整再現(xiàn)功率而進(jìn)行的測(cè)試再現(xiàn)時(shí)的溫度為基準(zhǔn)(根據(jù)相對(duì)于該溫度的變化幅度是否為預(yù)定值以上)來(lái)進(jìn)行。另外，也可以省略步驟S54，取代溫度T3，而在步驟S55中使用在步驟S41測(cè)定到的溫度T2。在這種情況下，關(guān)于之后進(jìn)行的是否需要再次執(zhí)行步驟S51的最佳再現(xiàn)功率的調(diào)整的判定，以在步驟S15中為了調(diào)整再現(xiàn)功率而進(jìn)行的測(cè)試再現(xiàn)時(shí)的溫度為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行。然后，在步驟S45中，設(shè)定與在步驟S52求出的最大再現(xiàn)功率PRm對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率PRo(將所求出的最佳再現(xiàn)功率PRo作為新的設(shè)定值，即更新設(shè)定值)，以便在之后的數(shù)據(jù)讀出時(shí)使用該設(shè)定值。在此，雖然沒(méi)有圖示，但是當(dāng)在步驟S45設(shè)定再現(xiàn)功率的情況下， 使來(lái)自光盤500的數(shù)據(jù)讀出暫且停止，而設(shè)定再現(xiàn)功率。另外，不需要強(qiáng)制使數(shù)據(jù)讀出暫且停止，例如可以進(jìn)行待機(jī)直到數(shù)據(jù)讀出待機(jī)期間(不進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出的期間)為止，而進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定。在步驟S43的再現(xiàn)功率的校正中，與實(shí)施方式4相同地，利用預(yù)先確認(rèn)的溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系(近似直線的斜率)。此時(shí)，由于存儲(chǔ)了最大再現(xiàn)功率PRm作為基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRB和PRC，因而使用式(6B)進(jìn)行校正。在此，如圖18所示，在近似直線的斜率根據(jù)每個(gè)光盤而不同的情況下，也可以將每個(gè)光盤的近似直線的斜率存儲(chǔ)在光盤裝置100的 ROM 220中，還可以取而代之，從各種光盤的近似直線的斜率中，只將斜率的絕對(duì)量最大時(shí)和最小時(shí)的兩個(gè)斜率存儲(chǔ)在光盤裝置100的R0M220中。在這種情況下，在光盤裝置100的溫度升高的結(jié)果是進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率校正的情況下，采用近似直線的斜率的絕對(duì)量為最大的直線的斜率，按照式(6B)進(jìn)行校正。 另一方面，也可以在光盤裝置100的溫度降低的結(jié)果是進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率校正的情況下，采用近似直線的斜率的絕對(duì)量為最小的直線的斜率，按照式(6B)進(jìn)行校正。這樣，根據(jù)光盤的不同而可能被設(shè)定為比本來(lái)低的再現(xiàn)功率，但能夠防止在所有光盤中劣化次數(shù)ND 小于保證再現(xiàn)次數(shù)RL。并且，通過(guò)步驟S52的再現(xiàn)功率調(diào)整，能夠在之后的再現(xiàn)中使用與溫度變化后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率PRo，因而不僅能夠防止再現(xiàn)功率過(guò)大、劣化次數(shù)ND小于保證再現(xiàn)次數(shù)RL，而且能夠防止將再現(xiàn)功率設(shè)定為低至在進(jìn)行光盤的再現(xiàn)時(shí)不能再現(xiàn)光盤的水平。圖19中的步驟S50、S41、S54的處理由溫度測(cè)定部380和中央控制部200進(jìn)行，步驟S42、S43、S44、S45、S51、S53、S55的處理由中央控制部200進(jìn)行。另外，在上述的示例中，在步驟S51中，在所述溫度差為預(yù)定的溫度差ΔΤΒ以上的情況下(“是”的情況下)，在步驟S52進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整，然而在步驟S51中判定為“是” 時(shí)的處理步驟也可以按照?qǐng)D20所示進(jìn)行。圖20所示的步驟與參照?qǐng)D11對(duì)實(shí)施方式2說(shuō)明的步驟相同，用于間歇性地進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整、尤其是再現(xiàn)功率調(diào)整用的測(cè)試再現(xiàn)，在圖 20中與圖11相同的標(biāo)號(hào)表示相同的處理。首先，在步驟S51中，在所述溫度差為預(yù)定的溫度差Δ TB以上的情況下(“是”的情況下)，在步驟S31中判定有無(wú)再現(xiàn)指示，在沒(méi)有再現(xiàn)指示的情況下(例如，相當(dāng)于由未圖示的單元進(jìn)行了再現(xiàn)的臨時(shí)停止等的情況)，在步驟S60進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。步驟S60的處理與參照?qǐng)D11和圖12對(duì)實(shí)施方式2說(shuō)明的步驟S30相同，但不同之處是在圖12中的步驟S25之后進(jìn)行與圖19中的步驟SM和S55相同的處理。S卩，在圖 12中的步驟S25之后，如圖21所示，插入了步驟SM和S55，按照參照?qǐng)D19說(shuō)明的那樣，在步驟S54中，使用溫度測(cè)定部380測(cè)定光盤裝置100的溫度Τ3，在步驟S55中，將基準(zhǔn)溫度 TRA和TRB更新為在步驟SM測(cè)定到的溫度Τ3，將基準(zhǔn)再現(xiàn)功率PRB和PRC更新為在步驟 S25求出的最大再現(xiàn)功率PRm。當(dāng)在步驟S31存在再現(xiàn)指示的情況下，在步驟S32中，從所指定的地址讀入指定數(shù)據(jù)大小的數(shù)據(jù)。在步驟S33中判定是否完成數(shù)據(jù)再現(xiàn)并處于再現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)，在處于再現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的情況下(“是”的情況下)，利用步驟S60實(shí)施再現(xiàn)功率調(diào)整。然后，在步驟S34判定待機(jī)狀態(tài)是否結(jié)束，在繼續(xù)待機(jī)狀態(tài)的情況下(“否”的情況下)，繼續(xù)步驟S60的再現(xiàn)功率調(diào)整。在步驟S34中，在待機(jī)狀態(tài)結(jié)束的情況下(“是”的情況下)，返回到步驟S31，等待來(lái)自上位控制器400的再現(xiàn)指示。如上所述，在按照?qǐng)D20所示的步驟進(jìn)行處理的情況下，與實(shí)施方式2相同地，利用數(shù)據(jù)再現(xiàn)過(guò)程中的待機(jī)時(shí)間，間歇性地進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。在這種情況下，存在與在圖11 中說(shuō)明的情況相同的如下情況，即進(jìn)行其它處理、例如與步驟S32相同的數(shù)據(jù)再現(xiàn)處理等， 并反復(fù)執(zhí)行步驟S60，由此收集在計(jì)算最佳再現(xiàn)功率時(shí)需要的測(cè)試再現(xiàn)數(shù)據(jù)。另外，在按照?qǐng)D20所示的步驟進(jìn)行處理的情況下，在步驟S51中，在所述溫度差為預(yù)定的溫度差ΔΤΒ以上的情況下(“是”的情況下)，也可以停止數(shù)據(jù)再現(xiàn)，在光盤裝置100 的電源接通的情況下等，與步驟S52同樣地，進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整。即，如果步驟S31為“否”， 則之后可以進(jìn)行圖19中的步驟S52以后的處理。如上所述，在本實(shí)施方式5中，在從進(jìn)行步驟S15、步驟S52或者S60的再現(xiàn)功率調(diào)整時(shí)起的溫度變化較大的情況下(預(yù)定的溫度差△ TB以上的情況下)，再次進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整(S52、S60)，因而在最大再現(xiàn)功率PRm與溫度的關(guān)系由于因光盤裝置100和光盤500 的個(gè)體差異等而與預(yù)先設(shè)定的關(guān)系不同的情況下，也能夠與溫度變化無(wú)關(guān)地使劣化次數(shù)達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL以上。另外，在圖20中，在進(jìn)行步驟S52或者S60的再現(xiàn)功率調(diào)整(該再現(xiàn)功率調(diào)整用的測(cè)試再現(xiàn))的期間，不利用式(6A)或者式(6B)進(jìn)行步驟S43的再現(xiàn)功率的校正，而是在數(shù)據(jù)讀出待機(jī)期間進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整的情況下(圖20中的步驟S31為“否”或者步驟S33 為“是”時(shí)進(jìn)行步驟S60的處理的情況下)，也可以定期地進(jìn)行步驟S42 步驟S45的處理， 并設(shè)定為數(shù)據(jù)讀出用的再現(xiàn)功率。另外，當(dāng)在圖19中的步驟S52或者圖20中的步驟S60計(jì)算最佳再現(xiàn)功率的情況下，也可以使用在步驟S15求出的最大再現(xiàn)功率、在步驟S50通過(guò)測(cè)定而得到的溫度Tl、在步驟S52或者步驟S60求出的最大再現(xiàn)功率、以及在步驟SM通過(guò)測(cè)定而得到的溫度T3，重新計(jì)算在式(6A)或者式(6B)中使用的溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率 CT，并在之后的步驟S43的再現(xiàn)功率校正中使用。上述的步驟S52或者步驟S60中的針對(duì)變化后的溫度的最佳功率的計(jì)算處理、以及步驟S43中的再現(xiàn)功率校正的處理，都是根據(jù)溫度變化來(lái)變更再現(xiàn)功率的處理，在這一點(diǎn)上是相同的，這些各個(gè)處理或者這些處理的組合也可以說(shuō)是再現(xiàn)功率的變更。實(shí)施方式6在實(shí)施方式3中，例如在光盤裝置100的出廠之前或者開(kāi)發(fā)階段，預(yù)先求出與光盤 500對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率，并存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，但是沒(méi)有進(jìn)行對(duì)光盤裝置內(nèi)的溫度的考慮。由于信號(hào)質(zhì)量的劣化量也因溫度而變化，因此在光盤裝置100內(nèi)的溫度變化的情況下，根據(jù)在實(shí)施方式3中求出的再現(xiàn)功率，存在產(chǎn)生預(yù)定量以上的信號(hào)的劣化的可能性。因此，在實(shí)施方式6中，在實(shí)施方式3的基礎(chǔ)上，將與溫度變化對(duì)應(yīng)的信息也存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，進(jìn)行對(duì)應(yīng)于溫度的最佳再現(xiàn)功率的校正。在本實(shí)施方式6中，按照盤的不同的固有信息，預(yù)先在各種溫度環(huán)境下(作為光盤裝置100的動(dòng)作保證范圍而假設(shè)的范圍內(nèi))進(jìn)行與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?相同的測(cè)試再現(xiàn)，用式的曲線對(duì)在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率、與信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))ND的自然對(duì)數(shù)的關(guān)系進(jìn)行近似，預(yù)先求出能夠在保證再現(xiàn)次數(shù)RL內(nèi)將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的最佳再現(xiàn)功率，作為基準(zhǔn)功率。并且，也預(yù)先根據(jù)在各種(兩種以上的不同的)溫度下測(cè)定的最佳再現(xiàn)功率(基準(zhǔn)功率)與溫度(基準(zhǔn)溫度) 的關(guān)系求出近似直線的斜率。將所述求出的最佳再現(xiàn)功率(基準(zhǔn)功率)與求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度(基準(zhǔn)溫度)、與近似直線的斜率的關(guān)系作為溫度條件，并且與盤的固有信息 (識(shí)別信息)相關(guān)聯(lián)地以例如表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的中央控制部200內(nèi)的ROM 220 中。下面，說(shuō)明實(shí)施方式6的再現(xiàn)功率設(shè)定步驟。在盤500被插入到將要進(jìn)行再現(xiàn)的光盤裝置100中的情況下，該光盤裝置100讀取光盤500的固有信息，從所述表中讀出與和所插入的光盤500相同的固有信息對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率、得到最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度、和近似直線的斜率。然后，由溫度測(cè)定部380計(jì)測(cè)光盤裝置100的溫度，與實(shí)施方式4同樣地使用式 (6A)計(jì)算最佳再現(xiàn)功率。在此，進(jìn)行計(jì)算的式(6A)中的PRou表示要求出的最佳再現(xiàn)功率， CT表示從所述表中讀出的溫度與最佳再現(xiàn)功率之間的關(guān)系的近似直線的斜率，T2表示測(cè)定到的溫度，TRA表示從所述表中讀出的溫度(基準(zhǔn)溫度)，PRB表示從所述表中讀出的最佳再現(xiàn)功率(基準(zhǔn)功率)。設(shè)定通過(guò)計(jì)算而求出的最佳再現(xiàn)功率，并從光盤500再現(xiàn)數(shù)據(jù)。在此，在光盤裝置100出廠之前，預(yù)先按照光盤500的不同的固有信息實(shí)施最佳再現(xiàn)功率和溫度和近似直線的斜率的確定(生成包括針對(duì)各個(gè)盤的最佳再現(xiàn)功率、溫度、近似直線的斜率在內(nèi)的表)，并存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中。另外，也可以只在光盤裝置100的型號(hào)乃至規(guī)格變化時(shí)(例如，光拾取器300的光學(xué)規(guī)格變更時(shí))實(shí)施。
在此，溫度與最大再現(xiàn)功率PRm的關(guān)系如圖17所示，如果這種關(guān)系與光盤無(wú)關(guān)，是相同的關(guān)系，則不需按照光盤的每個(gè)固有信息在光盤裝置100中存儲(chǔ)溫度與最大再現(xiàn)功率 PRm的關(guān)系(近似直線的斜率)的信息，可以針對(duì)所有光盤的固有信息使用一個(gè)共同的值 (或者值的組)。并且，在溫度與最大再現(xiàn)功率PRm的關(guān)系如圖18所示是不同的關(guān)系的情況下，優(yōu)選按照光盤的每個(gè)固有信息在光盤裝置100的ROM 220中存儲(chǔ)溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系(近似直線的斜率)。另外，針對(duì)不能存儲(chǔ)溫度與最大再現(xiàn)功率之間的關(guān)系(近似直線的斜率)的光盤， 可以取代上述的方法，按照下面所述來(lái)求出各個(gè)溫度下的最佳再現(xiàn)功率。即，在各種光盤中求出各自的最大再現(xiàn)功率。例如，在圖18中，在0°C時(shí)盤E的最大再現(xiàn)功率、在20°C和40°C 時(shí)盤G的最大再現(xiàn)功率、在60°C時(shí)盤F的最大再現(xiàn)功率成為“最大再現(xiàn)功率值中的最小值”。將與多個(gè)溫度分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)最大再現(xiàn)功率值中的上述最小值(或者與該最小值對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率值)，與多個(gè)溫度相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中。在圖 18示例的情況下，所存儲(chǔ)的數(shù)值如圖22所示。在用存儲(chǔ)了這種信息的光盤裝置100進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，如果與通過(guò)溫度測(cè)定部380的測(cè)定而得到的溫度相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)有上述最佳再現(xiàn)功率值，則可以將該最佳再現(xiàn)功率值用作再現(xiàn)功率的設(shè)定值，在沒(méi)有存儲(chǔ)與測(cè)定溫度相關(guān)聯(lián)的上述最佳再現(xiàn)功率值的情況下，可以通過(guò)利用了所存儲(chǔ)的最佳再現(xiàn)功率值的線性插值，求出與測(cè)定溫度(測(cè)定到的當(dāng)前的溫度)對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率的設(shè)定值。另外，也可以將該方法應(yīng)用于所有光盤的固有信息。在光盤裝置出廠之前，為了求出針對(duì)該光盤裝置100的最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率，可以試驗(yàn)性地使用各個(gè)光盤裝置100求出最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率，還可以使用相同規(guī)格的其它光盤裝置或者具有相同的性能和特性的試驗(yàn)裝置，求出最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率。并且，將這樣求出的最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率存儲(chǔ)在待出廠的光盤裝置內(nèi)例如ROM 220中。在光盤裝置中被插入光盤后，可以是從ROM 220讀出最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率，使用此時(shí)的光盤裝置100的溫度和利用式(6A)校正后的最佳再現(xiàn)功率的設(shè)定值，進(jìn)行控制信息的讀出和正式再現(xiàn)。另外，也可以使用校正后的最佳再現(xiàn)功率的設(shè)定值只進(jìn)行控制信息的讀出等(步驟S13、S14的處理)，然后與實(shí)施方式1或者實(shí)施方式2相同地進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整，并寫入到ROM 220中。另外，也可以與實(shí)施方式4或者實(shí)施方式5相同地，進(jìn)行與溫度變化對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率的校正(S43)、和用于求出與溫度變化后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率的再現(xiàn)功率調(diào)整(S60)。另外，為了在光盤裝置出廠之前求出最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率，也可以采用針對(duì)實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?說(shuō)明的方法，但是為了高精度地求出最佳再現(xiàn)功率，優(yōu)選在包括圖8中的低功率區(qū)域、曲線區(qū)域和高功率區(qū)域在內(nèi)的范圍內(nèi)測(cè)定在測(cè)試再現(xiàn)中使用的再現(xiàn)功率。另外，優(yōu)選在溫度是作為光盤裝置100的動(dòng)作保證范圍而設(shè)定的較寬范圍的溫度下，尤其是在包括信號(hào)劣化的影響較大的高溫在內(nèi)的溫度下，求出最佳再現(xiàn)功率、溫度和近似直線的斜率。另外，在實(shí)施方式6中，按照光盤的不同的固有信息，將最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率以表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，但是關(guān)于近似直線的斜率，例如也可以將用于求出各種溫度下的最佳再現(xiàn)功率的測(cè)試再現(xiàn)限定為幾種代表性的光盤，來(lái)求出根據(jù)最佳再現(xiàn)功率與溫度的關(guān)系而求出的近似直線的斜率， 與光盤的固有信息無(wú)關(guān)地，將所求出的多個(gè)近似直線的斜率的平均值等用作所有光盤的共同的值。在這種情況下，對(duì)于沒(méi)有針對(duì)多個(gè)溫度求出最佳再現(xiàn)功率的光盤，可以只求出特定溫度下的最佳再現(xiàn)功率。另外，此時(shí)優(yōu)選在信號(hào)的劣化顯著的高溫下求出最佳再現(xiàn)功率。另外，在實(shí)施方式6中，按照光盤的不同的固有信息，將最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率以表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，但也可以將針對(duì)各種溫度的最佳再現(xiàn)功率的值以表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中， 例如針對(duì)沒(méi)有被存儲(chǔ)在表中的溫度，可以采用在表中存儲(chǔ)的比作為對(duì)象的溫度高的溫度下的最佳再現(xiàn)功率。另外，在實(shí)施方式6中，按照光盤的不同的固有信息，將最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率以表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，但在是減少了所存儲(chǔ)的信息的簡(jiǎn)易的表的情況下，針對(duì)用各種光盤的固有信息確認(rèn)到的最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度，使用各個(gè)溫度時(shí)的多個(gè)光盤各自的最大再現(xiàn)功率的值中的最小值與溫度之間的關(guān)系來(lái)確定近似直線的斜率，以使在所述確認(rèn)到的所有光盤的固有信息中劣化次數(shù)ND能夠達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL以上，并且將此時(shí)使用的最佳再現(xiàn)功率和溫度存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，使得能夠針對(duì)所有光盤使用所存儲(chǔ)的最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率。例如，在圖17的情況下，根據(jù)盤D 的結(jié)果求出的最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率被存儲(chǔ)在光盤裝置100中，這些參數(shù)也可以應(yīng)用于盤C。另外，在光盤裝置100的ROM 220中，以表的形式按照光盤的不同的固有信息(與固有識(shí)別信息相關(guān)聯(lián)地)存儲(chǔ)最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率，并使用式(6A)進(jìn)行針對(duì)溫度的再現(xiàn)功率的校正，但是本發(fā)明不限于這種方式。例如， 也可以將針對(duì)兩個(gè)不同溫度的最佳再現(xiàn)功率與溫度按照光盤的不同的固有信息存儲(chǔ)在ROM 220中，并根據(jù)針對(duì)這兩個(gè)溫度的最佳再現(xiàn)功率來(lái)計(jì)算斜率，還可以采用根據(jù)針對(duì)這兩個(gè)溫度的最佳再現(xiàn)功率進(jìn)行能夠與式(6A)等效的校正的其它算式。另外，在光盤裝置100的ROM 220中，以表的形式按照光盤的不同的固有信息存儲(chǔ)最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率，但是例如也可以使在光盤裝置100的ROM 220中存儲(chǔ)的最佳再現(xiàn)功率的溫度條件與光盤的固有信息無(wú)關(guān)地都相同， 并且也可以針對(duì)求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度，將求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度不與固有信息相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中。如上所述，在本實(shí)施方式6中，將最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度和近似直線的斜率，與盤的固有信息相關(guān)聯(lián)地、例如以表的形式存儲(chǔ)在光盤裝置100的ROM 220中，讀出所插入的光盤500的固有信息和與光盤裝置100的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率、 和能夠得到最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度、和近似直線的斜率，使用式(6A)求出最佳再現(xiàn)功率，因而能夠與光盤裝置100的溫度無(wú)關(guān)地，將信號(hào)的劣化都抑制在預(yù)定量以下。在實(shí)施方式3和實(shí)施方式6中，將預(yù)先求出的最佳再現(xiàn)功率存儲(chǔ)在光盤裝置100 中，但也可以取而代之，存儲(chǔ)預(yù)先求出的最大再現(xiàn)功率。在這種情況下，使用所存儲(chǔ)的最大再現(xiàn)功率來(lái)計(jì)算最佳再現(xiàn)功率，并用作再現(xiàn)功率的設(shè)定值。在上述的實(shí)施方式1 實(shí)施方式6中，說(shuō)明了光盤500是BD (藍(lán)光光盤)的情況， 但在光盤500是除BD之外的光盤時(shí)，在照射激光而再現(xiàn)來(lái)自光盤500的數(shù)據(jù)的情況下，也能夠應(yīng)用本實(shí)施方式。另外，在上述的實(shí)施方式1 實(shí)施方式6中，求出最大再現(xiàn)功率，將與其相同的值或者(考慮到余量時(shí))比其略小的值的功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo，但也可以求出低于最大再現(xiàn)功率的再現(xiàn)功率、而且是通過(guò)與圖3中的步驟S22D相同的信號(hào)質(zhì)量測(cè)定步驟而測(cè)定到的再現(xiàn)質(zhì)量為最好的再現(xiàn)功率，將該再現(xiàn)功率設(shè)定為最佳再現(xiàn)功率PRo。在以上所述的本發(fā)明中，用式的S形函數(shù)的積分函數(shù)對(duì)再現(xiàn)功率與信號(hào)質(zhì)量劣化預(yù)定量時(shí)的再現(xiàn)次數(shù)(劣化次數(shù))的自然對(duì)數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行近似，由此即使使用以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行了加速試驗(yàn)的數(shù)據(jù)，也能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)最佳再現(xiàn)功率(能夠在保證再現(xiàn)次數(shù)RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的再現(xiàn)功率)。另外，由于能夠以較高的再現(xiàn)功率進(jìn)行加速試驗(yàn)，因而能夠?qū)y(cè)試再現(xiàn)所需要的再現(xiàn)次數(shù)抑制為較少的次數(shù)， 相比采用在通常的壽命試驗(yàn)中使用的阿雷尼厄斯圖的情況，能夠盡快求出最佳再現(xiàn)功率的預(yù)測(cè)。另外，如參照?qǐng)D11和圖12對(duì)實(shí)施方式2進(jìn)行說(shuō)明的那樣、或者如參照?qǐng)D20和圖 21對(duì)實(shí)施方式5進(jìn)行說(shuō)明的那樣，光盤裝置在通過(guò)交替地反復(fù)從光盤讀取數(shù)據(jù)的再現(xiàn)期間和到下一次讀出數(shù)據(jù)之前的待機(jī)期間來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的再現(xiàn)的情況下，利用待機(jī)期間來(lái)進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整，因而能夠進(jìn)行來(lái)自光盤的再現(xiàn)，而不需等待通過(guò)再現(xiàn)功率調(diào)整來(lái)求出最佳再現(xiàn)功率。另外，將最佳再現(xiàn)功率(預(yù)先求出的能夠在保證再現(xiàn)次數(shù)RL下將信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定的劣化量以下的再現(xiàn)功率)和盤的固有信息一起(與固有信息相關(guān)聯(lián)地)存儲(chǔ)在光盤裝置例如其內(nèi)部的ROM 220中，由此在進(jìn)行盤的再現(xiàn)之前不需進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)，即可設(shè)定為最佳的再現(xiàn)功率。另外，預(yù)先確認(rèn)最大再現(xiàn)功率(劣化次數(shù)ND達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL的再現(xiàn)功率) 與溫度之間的關(guān)系，根據(jù)溫度變化使用式(6A)來(lái)校正溫度變化后的最佳再現(xiàn)功率，由此在光盤裝置的溫度變化的情況下，也能夠求出該溫度下的最佳再現(xiàn)功率，能夠防止預(yù)定量以上的信號(hào)質(zhì)量的劣化。另外，在光盤裝置的溫度變化較大的情況下，再次進(jìn)行(包括測(cè)試再現(xiàn)在內(nèi)的)再現(xiàn)功率調(diào)整，因而即使在最大再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系由于光盤裝置和光盤的個(gè)體差異等而與預(yù)先設(shè)定的關(guān)系不同的情況下，也能夠使劣化次數(shù)與溫度變化無(wú)關(guān)地達(dá)到保證再現(xiàn)次數(shù)RL以上。另外，將最佳再現(xiàn)功率和求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的溫度、和對(duì)溫度與最大再現(xiàn)功率的關(guān)系進(jìn)行近似的近似直線的斜率，與盤的固有信息一起(與固有信息相關(guān)聯(lián)地)存儲(chǔ)在光盤裝置例如其內(nèi)部的ROM 220中，由此在進(jìn)行盤的再現(xiàn)之前不需進(jìn)行再現(xiàn)功率調(diào)整(包括測(cè)試再現(xiàn))，即可將再現(xiàn)功率設(shè)定為最佳的值，而且也能夠應(yīng)對(duì)光盤裝置的溫度變化。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明100光盤裝置；110前置放大器；120再現(xiàn)信號(hào)處理部；130信號(hào)質(zhì)量測(cè)定部；140 數(shù)據(jù)解碼器；170激光控制部；180伺服控制部；181主軸電機(jī)；182螺旋電機(jī)；190緩存；200 中央控制部；210CPU ；220R0M ；230RAM ；300光頭；310半導(dǎo)體激光器；320激光器驅(qū)動(dòng)電路； 330準(zhǔn)直透鏡；340光束分離器；350物鏡；360檢測(cè)鏡頭；370受光元件；400上位控制器； 500光盤。
權(quán)利要求
1.一種光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，求出在通過(guò)向光盤上照射激光而從所述光盤再現(xiàn)信息的光盤再現(xiàn)方法中的再現(xiàn)功率的設(shè)定值，其特征在于，該光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法包括測(cè)試再現(xiàn)步驟，使用比在再現(xiàn)光盤時(shí)使用的激光的再現(xiàn)功率高的測(cè)試用再現(xiàn)功率，對(duì)所述光盤上記錄有信息的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)；壽命指標(biāo)計(jì)算步驟，求出在所述測(cè)試再現(xiàn)步驟中所再現(xiàn)的信號(hào)的質(zhì)量劣化到預(yù)定的值為止的再現(xiàn)時(shí)間或者再現(xiàn)次數(shù)，作為壽命指標(biāo)；以及再現(xiàn)功率確定步驟，根據(jù)在使用彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)的所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)之間的關(guān)系，求出在對(duì)所述光盤進(jìn)行預(yù)定的時(shí)間或者預(yù)定的次數(shù)的再現(xiàn)時(shí)所再現(xiàn)的信號(hào)劣化的量為所述預(yù)定的值以下的激光的功率，作為最佳再現(xiàn)功率，將其作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值，在所述再現(xiàn)功率確定步驟中，使用所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系為非線性的、彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率和所述壽命指標(biāo)，求出所述最佳再現(xiàn)功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，所述再現(xiàn)功率確定步驟包括近似步驟，在該近似步驟中，用近似曲線對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與在所述壽命指標(biāo)計(jì)算步驟中求出的壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行近似，所述近似曲線由以下部分構(gòu)成第1直線部分，其是漸近第1斜率的直線狀的區(qū)域；第2直線部分，其是漸近比所述第1斜率平緩的第2斜率的直線狀的區(qū)域；以及曲線部分，其連接所述第1直線部分和所述第2直線部分，在所述再現(xiàn)功率確定步驟中，根據(jù)在所述近似步驟中得到的近似曲線，在將所述光盤再現(xiàn)預(yù)定的再現(xiàn)時(shí)間后，求出對(duì)所述光盤進(jìn)行再現(xiàn)得到的再現(xiàn)信號(hào)所劣化的量為所述預(yù)定的值以下的激光的功率，作為所述最佳再現(xiàn)功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述近似步驟中，用以下式子對(duì)所述壽命指標(biāo)LP與所述測(cè)試用再現(xiàn)功率PR的關(guān)系進(jìn)行近似，In(LP) = f {(LA-LD)/(1+exp(LB XPR-LC))+LD}+LE通過(guò)調(diào)整常數(shù)LA、LB、LC、LD、LE來(lái)求出所述近似曲線，使得所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的各個(gè)值I3R下的所述壽命指標(biāo)LP與從所述式子得到的近似曲線上的值之差總體上為最小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，所述測(cè)試用再現(xiàn)功率是指所述第2直線部分的區(qū)域中的再現(xiàn)功率和所述曲線部分的區(qū)域中的再現(xiàn)功率。
5.根據(jù)權(quán)利要求2 4中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述近似步驟中，在將針對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分得到的結(jié)果是得到峰值點(diǎn)和位于該峰值點(diǎn)兩側(cè)的各自至少1個(gè)點(diǎn)的數(shù)據(jù)時(shí)，使用在此之前得到的所述測(cè)試再現(xiàn)步驟的結(jié)果來(lái)求出所述近似直線。
6.根據(jù)權(quán)利要求2 4中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述近似步驟中，在將針對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分得到的結(jié)果是不存在峰值而基本為0的值，且在將針對(duì)再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行一次微分得到的結(jié)果是，檢測(cè)到在相鄰的測(cè)試用再現(xiàn)功率值彼此之間存在預(yù)定值以上的差時(shí)，使用在此之前得到的所述測(cè)試再現(xiàn)步驟的結(jié)果來(lái)求出所述近似直線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述測(cè)試再現(xiàn)步驟中，在進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)使用的光盤上的區(qū)域是指存儲(chǔ)了記錄于光盤上的信息中被訪問(wèn)的頻度低的數(shù)據(jù)的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，所述預(yù)定的時(shí)間或者預(yù)定的次數(shù)是指保證再現(xiàn)時(shí)間或者保證再現(xiàn)次數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，該方法包括再現(xiàn)功率變更步驟，該再現(xiàn)功率變更步驟進(jìn)一步包括溫度測(cè)定步驟，在該溫度測(cè)定步驟中，測(cè)定照射激光的激光器附近的溫度，當(dāng)在所述再現(xiàn)功率確定步驟中求出所述最佳再現(xiàn)功率的期間或者求出之后，測(cè)定所述激光器附近的溫度作為第1溫度，在所述激光器附近的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了預(yù)定的變化幅度以上的情況下， 取代在所述再現(xiàn)功率確定步驟中求出的所述最佳再現(xiàn)功率，將所述變化后的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，所述再現(xiàn)功率變更步驟包括根據(jù)所述溫度變化來(lái)校正在所述再現(xiàn)功率確定步驟中求出的所述最佳再現(xiàn)功率的再現(xiàn)功率校正步驟，在所述再現(xiàn)功率校正步驟中，在所述激光器附近的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了第 1預(yù)定的變化幅度以上的情況下，根據(jù)預(yù)先確定的再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系，將在所述再現(xiàn)功率確定步驟中求出的所述最佳再現(xiàn)功率校正為與變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述激光器附近的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了第2預(yù)定的變化幅度以上的情況下，進(jìn)行所述測(cè)試再現(xiàn)步驟的處理、所述壽命指標(biāo)計(jì)算步驟的處理、和所述再現(xiàn)功率確定步驟的處理，由此求出變化了所述第2預(yù)定的變化幅度以上后的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率，將其作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，在所述再現(xiàn)功率校正步驟中，根據(jù)預(yù)先求出的對(duì)所述最佳再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似的近似直線，校正為與變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，預(yù)先針對(duì)多個(gè)光盤分別求出對(duì)所述最佳再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似的多個(gè)近似直線，將所述多個(gè)近似直線中斜率的絕對(duì)量最大的近似直線的斜率作為第1斜率，將所述多個(gè)近似直線中斜率的絕對(duì)量最小的近似直線的斜率作為第2斜率，在所述再現(xiàn)功率校正步驟中，在變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度高于所述第1溫度的情況下，采用所述第1斜率來(lái)校正為與所述第2溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率，在變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度低于所述第1溫度的情況下，采用所述第2斜率來(lái)校正為與所述第2溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 13中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法，其特征在于，該方法還包括測(cè)定針對(duì)再現(xiàn)功率的信號(hào)質(zhì)量的信號(hào)質(zhì)量測(cè)定步驟，將低于所述最大再現(xiàn)功率且信號(hào)質(zhì)量為最好的再現(xiàn)功率，作為所述最佳再現(xiàn)功率。
15.一種光盤再現(xiàn)方法，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利要求1 14中任意一項(xiàng)所述的設(shè)定方法而設(shè)定的功率的激光，從所述光盤再現(xiàn)信息。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光盤再現(xiàn)方法，其特征在于，在從所述光盤再現(xiàn)信息之前執(zhí)行所述測(cè)試再現(xiàn)步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光盤再現(xiàn)方法，其特征在于，在該光盤再現(xiàn)方法中，在從所述光盤再現(xiàn)信息的情況下，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行執(zhí)行信息再現(xiàn)的讀出期間和使再現(xiàn)中斷而待機(jī)的待機(jī)期間來(lái)再現(xiàn)信息，在使來(lái)自所述光盤的再現(xiàn)中斷而待機(jī)的待機(jī)期間中執(zhí)行所述測(cè)試再現(xiàn)步驟。
18.—種光盤再現(xiàn)方法，在該光盤再現(xiàn)方法中，針對(duì)各個(gè)光盤裝置，使用規(guī)格與該光盤裝置相同的其它光盤裝置或者具有與該光盤裝置相同特性的試驗(yàn)裝置進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定，將所設(shè)定的再現(xiàn)功率的值與在試驗(yàn)中使用的光盤的識(shí)別信息相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)在上述各個(gè)光盤裝置內(nèi)的存儲(chǔ)單元中，在該光盤裝置中，在對(duì)規(guī)格與在使用所述其它光盤裝置或者試驗(yàn)裝置進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定時(shí)使用的光盤相同的光盤進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，將存儲(chǔ)的所設(shè)定的再現(xiàn)功率的值用作再現(xiàn)功率的初始值，從光盤再現(xiàn)信息，其特征在于，在該光盤再現(xiàn)方法中，在使用所述其它光盤裝置或者試驗(yàn)裝置進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定時(shí)，利用權(quán)利要求1 14 中任意一項(xiàng)所述的方法進(jìn)行設(shè)定。
19.一種光盤裝置，其通過(guò)向光盤上照射激光，從所述光盤再現(xiàn)信息，其特征在于，所述光盤裝置具有存儲(chǔ)單元，將利用權(quán)利要求1 14中任意一項(xiàng)所述的光盤再現(xiàn)功率設(shè)定方法對(duì)多種光盤分別設(shè)定的所述最佳再現(xiàn)功率，與識(shí)別各個(gè)光盤的信息相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)；讀取單元，讀取所插入的光盤的識(shí)別信息；以及再現(xiàn)單元，使用與該讀取的識(shí)別信息相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的最佳再現(xiàn)功率的激光，從所述光盤再現(xiàn)信息。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光盤裝置，其特征在于，將在所述存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的最佳再現(xiàn)功率用作再現(xiàn)功率的初始值，進(jìn)行再現(xiàn)功率的設(shè)定。
21.一種光盤裝置，其通過(guò)向光盤上照射激光，從所述光盤再現(xiàn)信息，其特征在于，所述光盤裝置具有測(cè)試再現(xiàn)單元，其使用比在再現(xiàn)光盤時(shí)使用的激光的再現(xiàn)功率高的測(cè)試用再現(xiàn)功率， 對(duì)所述光盤上記錄有信息的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)；壽命指標(biāo)計(jì)算單元，其求出在所述測(cè)試再現(xiàn)單元中，到所再現(xiàn)的信號(hào)的質(zhì)量劣化到預(yù)定的值時(shí)的再現(xiàn)時(shí)間或者再現(xiàn)次數(shù)，作為壽命指標(biāo)；以及再現(xiàn)功率確定單元，其根據(jù)在使用彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)的所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)之間的關(guān)系，求出在對(duì)所述光盤進(jìn)行預(yù)定的時(shí)間或者預(yù)定的次數(shù)的再現(xiàn)時(shí)所再現(xiàn)的信號(hào)所劣化的量為所述預(yù)定的值以下的激光的功率， 作為最佳再現(xiàn)功率，將其作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值，所述再現(xiàn)功率確定單元使用所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系為非線性的、彼此不同的3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率和所述壽命指標(biāo)，求出所述最佳再現(xiàn)功率。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光盤裝置，其特征在于，所述再現(xiàn)功率確定單元具有近似單元，該近似單元用近似曲線對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率與由所述壽命指標(biāo)計(jì)算單元求出的壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行近似，所述近似曲線由以下部分構(gòu)成第1直線部分，其是漸近第1斜率的直線狀的區(qū)域；第2直線部分，其是漸近比所述第1斜率平緩的第2斜率的直線狀的區(qū)域；以及曲線部分，其連接所述第1直線部分和所述第2直線部分，所述再現(xiàn)功率確定單元根據(jù)由所述近似單元得到的近似曲線，在將所述光盤再現(xiàn)預(yù)定的再現(xiàn)時(shí)間后，求出對(duì)所述光盤進(jìn)行再現(xiàn)得到的再現(xiàn)信號(hào)所劣化的量為所述預(yù)定的值以下的激光的功率，作為所述最佳再現(xiàn)功率。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光盤裝置，其特征在于，所述近似單元用以下的式子對(duì)所述壽命指標(biāo)LP與所述測(cè)試用再現(xiàn)功率PR之間的關(guān)系進(jìn)行近似，In(LP) = f {(LA-LD)/(1+exp(LB XPR-LC))+LD}+LE通過(guò)調(diào)整常數(shù)LA、LB、LC、LD、HE來(lái)求出所述近似曲線，使得所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的各個(gè)值I3R的所述壽命指標(biāo)LP與從所述式子得到的近似曲線上的值之差總體上達(dá)到最小。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的光盤裝置，其特征在于，所述測(cè)試用再現(xiàn)功率是指所述第2直線部分的區(qū)域中的再現(xiàn)功率和所述曲線部分的區(qū)域中的再現(xiàn)功率。
25.根據(jù)權(quán)利要求22 M中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，在將針對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分得到的結(jié)果是得到峰值點(diǎn)和位于該峰值點(diǎn)兩側(cè)的各自至少1點(diǎn)的數(shù)據(jù)時(shí)，所述近似單元使用在此之前得到的所述測(cè)試再現(xiàn)步驟的結(jié)果來(lái)求出所述近似直線。
26.根據(jù)權(quán)利要求22 M中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，在將針對(duì)所述測(cè)試用再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行二次微分得到的結(jié)果是不存在峰值而基本為0 的值，且在將針對(duì)再現(xiàn)功率的所述壽命指標(biāo)的對(duì)數(shù)進(jìn)行一次微分得到的結(jié)果是，檢測(cè)到在相鄰的測(cè)試用再現(xiàn)功率值彼此之間存在預(yù)定值以上的差時(shí)，所述近似單元使用在此之前得到的所述測(cè)試再現(xiàn)步驟的結(jié)果來(lái)求出所述近似直線。
27.根據(jù)權(quán)利要求21 沈中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，在所述測(cè)試再現(xiàn)單元中，在進(jìn)行測(cè)試再現(xiàn)時(shí)使用的光盤上的區(qū)域是指存儲(chǔ)了被記錄于光盤上的信息中被訪問(wèn)的頻度低的數(shù)據(jù)的區(qū)域。
28.根據(jù)權(quán)利要求21 27中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，所述預(yù)定的時(shí)間或者預(yù)定的次數(shù)是指保證再現(xiàn)時(shí)間或者保證再現(xiàn)次數(shù)。
29.根據(jù)權(quán)利要求21 觀中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置具有再現(xiàn)功率變更單元，該再現(xiàn)功率變更單元進(jìn)一步具有測(cè)定光盤裝置內(nèi)的溫度的溫度測(cè)定單元，該再現(xiàn)功率變更單元在由所述再現(xiàn)功率確定單元求出所述最佳再現(xiàn)功率的期間或者求出之后，測(cè)定所述光盤裝置內(nèi)的溫度作為第1溫度，在所述光盤裝置內(nèi)的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了預(yù)定的變化幅度以上的情況下， 取代由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的所述最佳再現(xiàn)功率，將所述變化后的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的光盤裝置，其特征在于，所述再現(xiàn)功率變更單元具有再現(xiàn)功率校正單元，該再現(xiàn)功率校正單元根據(jù)所述溫度變化來(lái)校正由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的激光的功率，在所述光盤裝置內(nèi)的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了第1預(yù)定的變化幅度以上的情況下，所述再現(xiàn)功率校正單元根據(jù)預(yù)先設(shè)定的再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系，將由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的所述最佳再現(xiàn)功率校正為與變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
31.根據(jù)權(quán)利要求四或30所述的光盤裝置，其特征在于，在所述光盤裝置內(nèi)的溫度相對(duì)于所述第1溫度變化了第2預(yù)定的變化幅度以上的情況下，進(jìn)行所述測(cè)試再現(xiàn)單元的測(cè)試再現(xiàn)、所述壽命指標(biāo)計(jì)算單元的壽命指標(biāo)計(jì)算、和所述再現(xiàn)功率確定單元的最佳再現(xiàn)功率計(jì)算，由此求出變化了所述第2預(yù)定的變化幅度以上后的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率， 將其作為再現(xiàn)功率的設(shè)定值。
32.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤裝置，其特征在于，所述再現(xiàn)功率校正單元根據(jù)預(yù)先求出的對(duì)所述最佳再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似的近似直線，校正為與變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光盤裝置，其特征在于，預(yù)先針對(duì)多個(gè)光盤分別求出對(duì)所述最佳再現(xiàn)功率與溫度之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似的多個(gè)近似直線，將所述多個(gè)近似直線中斜率的絕對(duì)量最大的近似直線的斜率作為第1斜率，將所述多個(gè)近似直線中斜率的絕對(duì)量最小的近似直線的斜率作為第2斜率，在變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度高于所述第1溫度的情況下，所述再現(xiàn)功率校正單元采用所述第1斜率來(lái)校正為與所述第2溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率，在變化了所述第1預(yù)定的變化幅度以上后的溫度低于所述第1溫度的情況下，所述再現(xiàn)功率校正單元采用所述第2斜率來(lái)校正為與所述第2溫度對(duì)應(yīng)的最佳再現(xiàn)功率。
34.根據(jù)權(quán)利要求21 33中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置還具有測(cè)定針對(duì)再現(xiàn)功率的信號(hào)質(zhì)量的信號(hào)質(zhì)量測(cè)定單元，將低于所述最大再現(xiàn)功率且信號(hào)質(zhì)量為最好的再現(xiàn)功率，作為所述最佳再現(xiàn)功率。
35.根據(jù)權(quán)利要求21 34中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置還具有使用由所述再現(xiàn)功率確定單元設(shè)定的功率的激光，從所述光盤再現(xiàn)信息的單元。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的光盤裝置，其特征在于，所述測(cè)試再現(xiàn)單元在從所述光盤再現(xiàn)信息之前實(shí)施所述測(cè)試再現(xiàn)。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置在從所述光盤再現(xiàn)信息的情況下，通過(guò)對(duì)進(jìn)行信息的再現(xiàn)的讀出期間和使再現(xiàn)中斷而待機(jī)的待機(jī)期間進(jìn)行反復(fù)來(lái)再現(xiàn)信息，所述測(cè)試再現(xiàn)單元在使來(lái)自所述光盤的再現(xiàn)中斷而待機(jī)的待機(jī)期間中執(zhí)行所述測(cè)試再現(xiàn)。
38.根據(jù)權(quán)利要求21 34中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置還具有存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元將由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的激光的功率與該光盤的識(shí)別信息相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)，該光盤裝置還具有在插入了光盤時(shí)，使用在所述存儲(chǔ)單元中與插入的所述光盤的識(shí)別信息相關(guān)聯(lián)地存儲(chǔ)的激光的功率進(jìn)行再現(xiàn)的單元。
39.根據(jù)權(quán)利要求21 28中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置還具有溫度測(cè)定單元，其測(cè)定光盤裝置內(nèi)的溫度；存儲(chǔ)單元，其存儲(chǔ)由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的最佳再現(xiàn)功率、與由所述再現(xiàn)功率確定單元求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的光盤裝置內(nèi)的溫度之間的關(guān)系；以及再現(xiàn)功率校正單元，其通過(guò)計(jì)算來(lái)求出由所述溫度測(cè)定單元測(cè)定到的光盤裝置內(nèi)的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率，再現(xiàn)功率校正單元根據(jù)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的所述激光的功率與溫度之間的關(guān)系、 和所測(cè)定到的所述光盤裝置內(nèi)的溫度，計(jì)算所述光盤裝置內(nèi)的溫度下的所述最佳再現(xiàn)功率。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的光盤裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)近似直線的斜率，該近似直線對(duì)由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的最佳再現(xiàn)功率、與由所述再現(xiàn)功率確定單元求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的光盤裝置的溫度之間的關(guān)系進(jìn)行直線近似，在所述光盤裝置的任意一個(gè)溫度下，所述存儲(chǔ)單元將由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的最佳再現(xiàn)功率作為基準(zhǔn)功率，將由所述再現(xiàn)功率確定單元求出所述最佳再現(xiàn)功率時(shí)的光盤裝置的溫度作為基準(zhǔn)溫度，并將各個(gè)基準(zhǔn)功率和基準(zhǔn)溫度與識(shí)別各個(gè)光盤的信息相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)，所述再現(xiàn)功率校正單元根據(jù)與所插入的光盤的識(shí)別信息對(duì)應(yīng)的、存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的所述近似直線的斜率和所述基準(zhǔn)功率以及所述基準(zhǔn)溫度，計(jì)算所述光盤裝置的當(dāng)前溫度下的最佳再現(xiàn)功率。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的光盤裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元將在所述光盤裝置的兩個(gè)以上的溫度下由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的最佳再現(xiàn)功率、和由所述再現(xiàn)功率確定單元求出最佳再現(xiàn)功率時(shí)的光盤裝置的溫度，與識(shí)別各個(gè)光盤的信息相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)，所述再現(xiàn)功率校正單元對(duì)與所插入的光盤的識(shí)別信息對(duì)應(yīng)的、存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的所述兩個(gè)以上的溫度下的所述再現(xiàn)功率與所述光盤裝置的溫度之間的關(guān)系進(jìn)行插值處理，由此求出與由所述溫度測(cè)定部測(cè)定到的光盤裝置的當(dāng)前溫度對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的光盤裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元針對(duì)兩個(gè)以上的不同溫度，存儲(chǔ)對(duì)多個(gè)光盤求出的、由所述再現(xiàn)功率確定單元求出的多個(gè)最佳再現(xiàn)功率的值中在光盤裝置的同一溫度下為最小的值、和所述光盤裝置的溫度，所述再現(xiàn)功率校正單元對(duì)存儲(chǔ)在所述溫度條件存儲(chǔ)單元中的所述兩個(gè)以上的溫度下的所述最小的值與所述光盤裝置的溫度之間的關(guān)系進(jìn)行插值處理，由此求出與由所述溫度測(cè)定步驟測(cè)定到的光盤裝置的當(dāng)前溫度對(duì)應(yīng)的再現(xiàn)功率。
43.根據(jù)權(quán)利要求39 42中任意一項(xiàng)所述的光盤裝置，其特征在于，該光盤裝置還具有測(cè)定針對(duì)再現(xiàn)功率的信號(hào)質(zhì)量的信號(hào)質(zhì)量測(cè)定單元，將低于所述最大再現(xiàn)功率且信號(hào)質(zhì)量為最好的激光的功率，作為所述最佳再現(xiàn)功率。
全文摘要
在設(shè)定為了再現(xiàn)光盤而照射的激光的功率的方法中，使用3個(gè)以上的測(cè)試用再現(xiàn)功率對(duì)光盤上記錄了信息的區(qū)域進(jìn)行再現(xiàn)(S22B)，求出到該再現(xiàn)信號(hào)的質(zhì)量的劣化達(dá)到預(yù)定值的再現(xiàn)次數(shù)作為劣化次數(shù)(S22F)，對(duì)測(cè)試用再現(xiàn)功率與劣化次數(shù)的關(guān)系進(jìn)行曲線近似，求出將截止到預(yù)定保證再現(xiàn)次數(shù)的再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的劣化抑制為預(yù)定量以下的再現(xiàn)功率(S25F)。在對(duì)記錄了信息的光盤進(jìn)行光學(xué)再現(xiàn)時(shí)，能夠?qū)榱嗽佻F(xiàn)光盤而照射的功率設(shè)定為最佳值，能夠防止因再現(xiàn)光導(dǎo)致的信息的劣化。
文檔編號(hào)G11B7/125GK102388419SQ20108001611
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月10日
發(fā)明者岸上智, 清瀨泰廣, 生田剛一, 竹下伸夫, 金武佑介 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社