專利名稱：變形鏡致動器和光盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可使透鏡面變形、并具有可變焦透鏡、像差修正透鏡等光學(xué)特性 可變的元件的變焦透鏡致動器以及使用了該變焦透鏡致動器的光盤裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著因特網(wǎng)的普及和圖像的高畫質(zhì)化等而使電子信息量增加，由此，作為 主要信息記錄介質(zhì)之一的光盤尋求高密度化。高密度化通常采用縮小通過增加物鏡的開口 數(shù)和縮短波長而聚光的光點尺寸、將記錄層多層化的方式等。由于光盤是使來自半導(dǎo)體激光的光穿過基板而聚光，因此會產(chǎn)生取決于激光波長 和物鏡的開口數(shù)、基板厚度(盤入射面與記錄層之間的距離、此后的基板厚度)的球面像 差。該球面像差與物鏡開口數(shù)的四次方成正比，因此隨著開口數(shù)的增加，因基板厚度的誤差 變動而產(chǎn)生的球面像差急劇增大。由于記錄層多層化，自激光入射側(cè)看去最近的記錄層與 最遠(yuǎn)的記錄層的基板厚度相差數(shù)十μ m(微米)，因此為了實現(xiàn)正常的記錄、再現(xiàn)動作，需要 有修正由此產(chǎn)生的球面像差的機(jī)構(gòu)。作為光拾取器的物鏡的材質(zhì)，研究采用玻璃、塑料等。塑料在成本、量產(chǎn)性等方面 優(yōu)于玻璃，近年來光拾取器多使用塑料制的物鏡。但是，與玻璃透鏡相比，塑料的折射率的 溫度變化非常大，因溫度變化而產(chǎn)生的球面像差增大。因此，尤其是對于塑料制的物鏡，需 要有修正由于溫度變化產(chǎn)生的球面像差的機(jī)構(gòu)。另一方面，在光拾取器中，因光盤相對于激光光軸的傾斜(disk tilt)、光拾取器 組裝的誤差，會產(chǎn)生彗形像差、像散等像差。因此，需要修正這些像差。球面像差是相對于光軸旋轉(zhuǎn)而對稱的像差，例如通過使光拾取器的透鏡沿光軸方 向移動，或?qū)τ诰哂锌勺兘雇哥R的光拾取器，改變該可變焦透鏡的焦距，能夠產(chǎn)生球面像 差。另一方面，彗形像差、像散是相對于光軸旋轉(zhuǎn)而不對稱的像差，例如通過使用透射型液 晶元件，并使施加于該液晶元件的電壓模式最優(yōu)化，能夠產(chǎn)生彗形像差、像散。在專利文獻(xiàn)1記載的光拾取器中公開了如下技術(shù)利用致動器使用于修正球面像 差的透鏡沿光軸方向平行移動來產(chǎn)生與因基板厚度的誤差變動產(chǎn)生的球面像差相反符號 的球面像差，來修正因基板厚度的誤差變動產(chǎn)生的球面像差。圖15是表示以往的具有像差修正機(jī)構(gòu)223的光拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的一例子的圖。為了修正因光盤212的記錄層211的位置變化(記錄層211a與記錄層211b的位 置變化)等產(chǎn)生的球面像差的變化，以往，使用采用了電動機(jī)222的單軸致動器，使自入射 到物鏡209的激光源207發(fā)出的激光光束的發(fā)散角度、透鏡221光軸方向的位置發(fā)生變化。在專利文獻(xiàn)2中記載的光拾取器中公開了使用產(chǎn)生光相位差的透射型液晶元件 來利用來自盤的信號修正球面像差的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)3中記載的光拾取器中公開了如下技術(shù)將向物鏡反射激光光束的反 射鏡的反射面彎曲成拋物線狀，改變?nèi)肷涞轿镧R的激光光束的強(qiáng)度分布圖案來修正球面像差。
在專利文獻(xiàn)4中公開了如下技術(shù)在具有兩個透明電極面的液晶像差修正元件 中，一方具有修正光盤的徑向彗形像差的透明電極圖案，另一方具有修正光盤的切向的彗 形像差和像散的透明電極圖案，使液晶像差修正元件中產(chǎn)生彗形像差和像散來修正在光拾 取器產(chǎn)生的彗形像差和像散。專利文獻(xiàn)1 日本特開平13-45067號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開平12-57616號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2006-155850號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開2005-122828號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專利文獻(xiàn)1示出的例子中，隨著新時代光盤的多層化，會產(chǎn)生更大的球面 像差SA1，因此要修正這樣的球面像差，需要透鏡沿光軸方向更大的平行移動。例如，若光盤 為4層以上，則為了修正有時需要使透鏡沿光軸方向移動zl =數(shù)cm。另外，除了因光盤的 多層化產(chǎn)生的較大的球面像差SA1，對于因基板厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫度變 動而在物鏡(尤其是塑料物鏡)產(chǎn)生的球面像差等、比球面像差SAl小的球面像差SA2，也 需要修正。為此，例如有時需要使透鏡沿光軸方向以z2=數(shù)十μπι的微細(xì)步距移動。由于 透鏡的移動量ζ與所要修正的球面像差SA成大致正比關(guān)系，因此無法獨立設(shè)計用于修正球 面像差SA1、SA2必須的透鏡的移動量zl、z2。以本構(gòu)造難以同時實現(xiàn)數(shù)cm的較大的透鏡 移動和數(shù)十μ m的較小的高精度透鏡移動。在本構(gòu)造中，球面像差修正機(jī)構(gòu)復(fù)雜，設(shè)置空間 變大。因此，在需要小型、薄型化的光拾取器中，存在難以確保部件配置空間的問題。而且， 以本構(gòu)造難以修正彗形像差、像散。在專利文獻(xiàn)2所示的例子中，為了修正較大的球面像差SA1，必須對用于產(chǎn)生光相 位差的液晶元件施加非常大的電壓，而且需要多個電極圖案，不現(xiàn)實。另外，在專利文獻(xiàn)3所示的例子中，可變反射鏡的驅(qū)動電極少，而且球面像差修正 致動器與反射鏡的功能融合，因此適于小型化，但是要制作截面形狀復(fù)雜的反射鏡需要許 多加工，成本變高。而且，由于反射鏡的彎曲，電極間距離在反射鏡中心和端部不同，由此存 在難以對反射鏡均勻施加變形力這樣待解決的問題。在專利文獻(xiàn)4的液晶元件中，能夠修正彗形像差、像散，但是不能同時修正球面像差。本發(fā)明鑒于上述問題，目的在于提供一種在可變焦透鏡中小型且容易控制、能夠 以低功耗修正多種球面像差的變焦透鏡致動器。而且，目的在于提供一種手段，在需要小 型、薄型化的光拾取器中，不僅能夠修正因光盤的多層化產(chǎn)生的較大的球面像差SA1、因基 板厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫度變動而在物鏡(尤其是塑料物鏡)產(chǎn)生的球面像 差等的比球面像差SAl小的球面像差SA2這樣的多種球面像差，而且還同時修正因光盤相 對于光軸的傾斜(disk tilt)、光拾取器組裝的誤差所產(chǎn)生的彗形像差、像散等。本發(fā)明的光拾取器，其特征在于，具有多個球面像差修正機(jī)構(gòu)，第一球面像差修正 機(jī)構(gòu)修正因光盤的多層化產(chǎn)生的較大的球面像差SAl。第二球面像差修正機(jī)構(gòu)修正因基板 厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫度變動而在物鏡產(chǎn)生的球面像差等的比上述球面像 差SAl小的球面像差SA2。上述第一或第二球面像差修正機(jī)構(gòu)的至少一方還能修正彗形像差、像散等相對于透鏡的光軸旋轉(zhuǎn)為非對稱的波面像差。修正該彗形像差、像散的上述第一或第二球面像差修正機(jī)構(gòu)由變焦透鏡致動器構(gòu) 成。該變焦透鏡致動器包括折射所照射的光的透鏡構(gòu)件、通過施加磁場而對上述透鏡構(gòu)件 施加彎曲力的磁力施加構(gòu)件、通過施加電流來對上述磁力施加構(gòu)件施加上述磁場而將上述 透鏡構(gòu)件彎曲成所希望形狀的電磁鐵構(gòu)造體。修正該彗形像差、像散的上述第一或第二球面像差修正機(jī)構(gòu)由透射型液晶元件構(gòu) 成。該透射型液晶元件具有多個透明電極面，第一透明電極具有用于修正球面像差的電極 圖案，第二透明電極具有用于修正彗形像差和像散的電極圖案。另一球面像差修正機(jī)構(gòu)由例如利用致動器使光拾取器的透鏡沿光軸方向平行移 動的機(jī)構(gòu)構(gòu)成?；蛘撸摿硪磺蛎嫦癫钚拚龣C(jī)構(gòu)由反射鏡面可相對于光拾取器的規(guī)定位置 變形的變形反射鏡裝置構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，可實現(xiàn)小型且簡單的、能夠以低功耗控制修正多種球面像差及彗形 像差、像散的光拾取器。


圖1是表示組裝了第一實施方式的可變焦透鏡裝置的變形鏡致動器的光拾取器 的光學(xué)系統(tǒng)的概略圖。圖2(a)是表示第一實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖，圖2(b)是從圖 2(a)的A方向看與反射膜形成為一體的變形膜和固定于變形膜上的磁體的圖。圖3是表示組裝了第二實施方式的變形鏡致動器的光拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的概略 的一例子的圖。圖4(a)是表示第二實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖，圖4(b)是從圖 4(a)的B方向看與反射膜形成為一體的變形膜和固定于變形膜上的環(huán)狀磁體的圖。圖5是表示第三實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖。圖6是表示表示第四實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖。圖7(a)是表示第五實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體、變形膜及反射膜 的反射體的仰視圖，圖7(b)是圖7(a)的C-C線剖視圖。圖8(a)是表示第六實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體、變形膜及反射膜 的反射體的仰視圖，圖8(b)是圖8(a)的D-D線剖視圖，圖8 (c)是圖8(a)的E-E線剖視圖。圖9(a)是表示第七實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖，圖9(b)是從圖 9(a)的F方向看與反射膜形成為一體的變形膜的圖。圖10(a)是表示第八實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖，圖10(b)是從 圖10(a)的G方向看與反射膜形成為一體的變形膜和固定于變形膜上的環(huán)狀磁體的圖。圖11是表示第九實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體、變形膜及反射膜的 反射體的仰視圖。圖12是表示對環(huán)狀磁體施加磁力時的相對于距反射鏡中心(反射膜27的中心) 距離的反射鏡的位移量的圖。圖13是表示相對于距反射鏡中心(反射膜的中心)距離的反射鏡(反射膜)表 面形狀與理想拋物線的偏差的圖。
圖14(a)是表示第十實施方式的變形鏡致動器的軸向的縱剖視圖，圖14(b)是從 圖14(a)的H方向看圖14(a)的保持架和導(dǎo)線的圖。圖15是表示具有以往的像差修正機(jī)構(gòu)的光拾取器的光學(xué)系統(tǒng)的一例子的圖。圖16是本發(fā)明的光盤裝置的整體概略圖。圖17是具有第九實施方式的多個球面像差修正機(jī)構(gòu)的光拾取器的概略圖。圖18是表示第九實施方式的變焦透鏡致動器的一例子的概略圖。圖19是具有第十實施方式的多個球面像差修正機(jī)構(gòu)的光拾取器的概略圖。圖20是表示第十實施方式的變形鏡致動器的一例子的概略圖。圖21是表示光盤的基板厚度與由此產(chǎn)生的球面像差的關(guān)系的圖。圖22是表示第一實施方式的變焦透鏡致動器的變形量與球面像差的關(guān)系的圖。圖23是變焦透鏡致動器Al中C-C剖視圖。圖24(a)、圖24(b)和圖24(c)是表示使用液晶元件來修正球面像差及彗形像差和 /或像散的實施例的圖。標(biāo)號說明13、23、33、43、73、83 線圈14、24、34、44、54、64、74、84 磁軛16、26、36、46、56、66、76、86、96、106 變形膜(可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件)17、27、37、47、57、67、77、97、107 反射膜(反射構(gòu)件)18、28、38、48、58、68、98、108 環(huán)狀磁體(磁力施加構(gòu)件)34k:空洞(孔)44H 保持架56al、56a2、56a3 膜厚較厚區(qū)域(凹凸構(gòu)造)56bU56b2.56b3.56b4 膜厚較薄區(qū)域(凹凸構(gòu)造)66a 膜厚較厚區(qū)域(棱構(gòu)造)78 磁體環(huán)(磁力施加構(gòu)件)78s 壓縮螺旋彈簧88 良導(dǎo)體(磁力施加構(gòu)件)99:空隙(開口部)128 導(dǎo)線Al AlO 變形鏡致動器Dl DlO 電磁鐵(電磁體構(gòu)造體)37 反射膜38 變形膜100:光盤裝置Hl 光拾取器
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。圖16是表示本發(fā)明實施方式的光盤裝置的整體結(jié)構(gòu)的一例的圖。
光盤裝置100具有光拾取器Hl和旋轉(zhuǎn)電動機(jī)，光盤32構(gòu)成為借助旋轉(zhuǎn)電動機(jī)而
可旋轉(zhuǎn)。光拾取器Hl起到將光照射到光盤32來記錄和/或再現(xiàn)數(shù)字信息的作用。用光拾 取器Hl所檢測出的再現(xiàn)光被轉(zhuǎn)換為電流電壓(IV)后輸入到信號處理電路。由信號處理電 路生成再現(xiàn)信號、伺服信號，并傳送至控制器?？刂破骰谒欧盘柨刂扑欧刂齐娐?、訪問控制電路、自動位置控制單元。自動 控制單元利用旋轉(zhuǎn)電動機(jī)進(jìn)行光盤32的旋轉(zhuǎn)控制，訪問控制電路進(jìn)行光拾取器Hl的位置 控制，伺服控制電路進(jìn)行后述的光拾取器Hl的物鏡的位置控制等。由此，將光點定位于光 盤32的任意位置。另外，控制器根據(jù)是再現(xiàn)還是記錄來控制激光驅(qū)動器，使后述的包含于 光拾取器Hl中的激光以適當(dāng)?shù)墓β?、波形發(fā)光。光盤裝置100中，為了對應(yīng)于具有多個記錄層的多層光盤的記錄和/或再現(xiàn)，并根 據(jù)作為對象的層修正所發(fā)生的球面像差，控制器控制后述的球面像差修正機(jī)構(gòu)。為了修正 由于光盤相對于光軸的傾斜(disk tilt)、光盤組裝時的誤差所產(chǎn)生的彗形像差、像散，控 制器還控制后述的像差修正機(jī)構(gòu)。圖21是表示在使物鏡的NA為0. 85時即Blu-ray Disc(BD)中的光盤的基板厚 度誤差和由此產(chǎn)生的球面像差量之間關(guān)系的圖。多數(shù)的BD用光拾取器的物鏡設(shè)計成在2 層BD的LO層(基板厚度0. Imm)和Ll層(基板厚度0. 075mm)的中間位置即基板厚度為 0. 0875mm處球面像差為0，但在記錄層的位置偏離該厚度時，會產(chǎn)生如圖21所示的球面像 差。如此在球面像差量與基板厚度誤差大致成正比，在偏離了例如50 μ m的記錄層中，會產(chǎn) 生約300narms這樣非常大的球面像差。由此光點不會聚光，不能正確讀取光盤的信息。 另一方面，由于基板厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫度變動而在物鏡產(chǎn)生的球面像差 等，也會導(dǎo)致光點不會正確地聚光在光盤上。這些球面像差是比上述球面像差小的量，但在 多層光盤中，在要修正上述球面像差的記錄層對焦期間也會發(fā)生變化，因此需要進(jìn)行微調(diào)。 有時探索在光拾取器中為使再現(xiàn)信號強(qiáng)度最大而有意地引起球面像差并將球面像差修正 為最佳的狀態(tài)，但這種情況希望能夠微調(diào)球面像差。《第一實施方式》圖1表示組裝了第一實施方式的可變焦透鏡裝置的變形鏡致動器Al的光拾取器 Pl的光學(xué)系統(tǒng)的概略的一例。第一實施方式的變形鏡致動器Al是可使用于反射激光光束的反射鏡(反射膜17) 的反射面任意變形，并可進(jìn)行球面像差修正的器件。光拾取器Pl包括安裝于光拾取器Pl上的形成有多個記錄層11 (IlaUlb)的光盤 12、發(fā)出照射到光盤12的記錄層11上的激光光束的激光源7、檢測由光盤12的記錄層11 反射過來的激光光束的檢測器1。光拾取器Pl包括偏振光分光器3，其在從激光源7到經(jīng)由光盤12的記錄層11的 檢測器1為止的激光光束的光路中將來自激光源7、光盤12的記錄層11的激光光束反射或 透射來將其分割；變形鏡致動器Al，其將由偏振光分光器3反射來的來自激光源7的激光 光束向光盤12的記錄層11反射并將記錄層11所反射的激光光束向檢測器1反射；將直線 偏振光轉(zhuǎn)換為圓偏振光的1/4波長板8 ；物鏡9，其利用透鏡致動器10沿光軸方向移動，并 將激光光束對光盤12的記錄層11聚光；以及聚光透鏡2，其將被記錄層11反射的激光光束對檢測器1聚光。在光拾取器Pl的激光源7與偏振光分光器3之間具有用于使來自激光源7的激 光光束為平行光的準(zhǔn)直透鏡6和用于將由準(zhǔn)直透鏡6校準(zhǔn)過的激光光束分割的光柵5?！醋冃午R致動器Al〉圖2(a)是示例圖1的變形鏡致動器Al的軸向的縱剖視圖，圖2 (b)是從圖2(a) 的A方向看與變形鏡致動器Al的反射膜17形成為一體的變形膜16和固定于變形膜16上 的環(huán)狀磁體18的圖。如圖1所示，在變形鏡致動器Al中，反射激光光束的反射膜17使用反射激光光束 的材料例如鋁、銀等金屬、含有Si02、TiO2的電介質(zhì)多層膜等，形成為平板狀。如此，反射膜 17既可以是金屬等的單層膜，也可以是使用了電介質(zhì)等的多層膜反射膜，無限定。在此，由于激光光束具有圓形橫截面，相對于反射膜17以45度的角度入射，因此， 反射膜17形成為由反射膜17反射后的激光光束與反射前為同樣圓形橫截面那樣的、沿激 光光束行進(jìn)方向較長的橢圓形的平板狀。如圖2(a)和圖2(b)所示，反射膜17層疊在與反射膜17相同形狀的橢圓形的例 如硅基板等的變形膜16的一面上。變形膜16只要是能變形的構(gòu)件即可，可以是由硅基板 以外的構(gòu)件構(gòu)成，不限定于硅基板。在變形膜16的另一面上層疊并固定有環(huán)狀磁體18，該環(huán)狀磁體18用于使反射膜 17彎曲成反射出與反射前相同的激光光束的拋物線狀。環(huán)狀磁體18使用磁體構(gòu)成。如圖1所示，由于激光光束相對于反射膜17以45度 的角度入射，因此，為使由反射膜17反射后的激光光束為與反射前同樣的圓形橫截面，環(huán) 狀磁體18與反射膜17、變形膜16同樣，形成為沿激光光束行進(jìn)方向較長的橢圓形的環(huán)狀。 為了防止環(huán)狀磁體18利用自身的剛性而妨礙變形膜16的變形，更優(yōu)選該環(huán)狀磁體18為低 剛性的構(gòu)造。環(huán)狀磁體18例如可以是使磁性粉末分散于光致抗蝕劑而成的復(fù)合材料，只要是 在磁場作用下受到較強(qiáng)磁力的材料即可。以下將這樣反射膜17層疊于變形膜16的一個面上、并且在變形膜16的另一面 上層疊有環(huán)狀磁體18的具有多個層疊物的環(huán)狀構(gòu)造稱為反射體17T(參照圖2(a)和圖 2(b))。如圖2(a)所示，在變形鏡致動器Al中，反射體17Τ隔著外周形狀為與反射膜17、 變形膜16同樣橢圓形的環(huán)狀的墊圈15而設(shè)于電磁鐵Dl之上。墊圈15優(yōu)選是樹脂等非磁體，可以與變形膜16形成為一體。墊圈15可以由不會 使變形鏡致動器Al的性能劣化的磁體形成。電磁鐵Dl包括磁體的磁軛14、和在形成其中央部的磁軛中央部Hc的周圍纏繞了 多圈的線圈13。電磁鐵Dl的磁軛14具有與環(huán)狀磁體18同樣為橢圓形的橢圓柱狀的磁軛中央部 14c和與在磁軛中央部14c的下部外周連續(xù)形成的磁軛周邊部14s。磁軛周邊部Hs具有 軸向截面向內(nèi)部開口的二字狀，其外周形狀與反射膜17、變形膜16 (參照圖2 (b))同樣為橢 圓形。磁軛14由層疊了多張鋼板的薄板而成的鐵芯、鐵氧體、鈷等形成。
本構(gòu)成的變形鏡致動器Al通過對電磁鐵Dl的線圈13施加電流而使磁軛14產(chǎn)生 強(qiáng)磁場，吸引反射體17T的環(huán)狀磁體18，從而如圖2(a)的雙點劃線所示，使變形膜16、反射 膜17均彎曲成拋物線狀。如此，通過使反射膜17彎曲成適于像差修正的拋物線狀，來控制 由反射膜17反射的激光光束的發(fā)散角度。由此，來修正因記錄層11的位置變化為圖1所 示的記錄層Ila的位置Pl和記錄層lib的位置p2所產(chǎn)生的激光光束的球面像差。在此，關(guān)于磁軛14的構(gòu)造，與僅是僅形成于線圈13內(nèi)部的簡單的橢圓柱形狀的磁 軛中央部14c的結(jié)構(gòu)相比，圖2(a)所示的在線圈13的外周外部區(qū)域連接附加同心橢圓狀 的磁軛周邊部14的結(jié)構(gòu)，其線圈13周圍的磁力線的密度變大，能夠更大地增強(qiáng)作用于環(huán)狀 磁體18的磁力，因此更優(yōu)選。例如圖2(a)所示，在截面為二字狀的磁軛周邊部14s形成磁軛周邊上部Hsl，從 而能夠使形成于線圈13周圍的磁場為更高密度，能夠?qū)Νh(huán)狀磁體18施加更強(qiáng)的磁力。磁軛14當(dāng)然也可以僅由磁軛中央部14c構(gòu)成。圖22是表示第一實施方式的變焦透鏡致動器的變形量與球面像差的關(guān)系的一例 的圖。通過使在沒有基板厚度誤差的狀態(tài)下大致平坦的變形膜16隨著基板厚度的變化如 圖2(a)和圖2(b)所示那樣變化曲率，能夠大致抵消由于基板厚度誤差產(chǎn)生的球面像差。在 本例子中，例如對于50 μ m的基板厚度變化，通過使曲率變形為0. 045[l/mm]，能夠大致修 正約300m λ rms產(chǎn)生的球面像差。<從光盤32的記錄層31讀取記錄>接著，關(guān)于利用激光光束從安裝于光拾取器Pl上的光盤12的記錄層11讀取記錄 (信號)，以自記錄層lib讀取為例進(jìn)行說明。自記錄層Ila讀取記錄(信號)也是同樣。如圖1所示，為了將記錄于光盤12的記錄層lib上的坑作為電信號來讀取，自激 光源7射出的激光光束被準(zhǔn)直透鏡6校準(zhǔn)、透射過光柵5后，被偏振光分光器3向變形鏡致 動器Al反射。自激光源7射出的激光光束的一部分透射過偏振光分光器3，由前監(jiān)視器4 接受光并監(jiān)視激光源7的發(fā)光強(qiáng)度。并且，由偏振光分光器3反射的激光光束被變形鏡致動器Al的反射膜17反射，然 后透射過1/4波長板8而被轉(zhuǎn)換為圓偏振光，利用物鏡9聚光于記錄膜lib上，自記錄膜 lib被反射。在記錄膜lib反射的激光光束再次透射過物鏡9被轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)直光，然后透射過 1/4波長板8而被轉(zhuǎn)換為直線偏振光，利用變形鏡致動器的反射膜17向偏振光分光器3反射。在反射膜17所反射的激光光束透射過偏振光分光器3而利用聚光透鏡2聚光于 檢測器1上，入射到檢測器1的光量被轉(zhuǎn)換為電信號。此時，為了使物鏡9的激光光束的焦點位置對焦于光盤12的記錄層Ildla或 lib)上，根據(jù)表示由控制電路Cl基于由檢測器1接受的激光光束的信息運(yùn)算出的物鏡9的 移動量的信號，使驅(qū)動電流自透鏡驅(qū)動電路C2流向透鏡致動器10。由此，透鏡致動器10使 物鏡9沿光軸或與光軸垂直的方向相對于光盤12的記錄層11并進(jìn)或旋轉(zhuǎn)。根據(jù)表示由控制電路Cl基于由檢測器1接受的信息運(yùn)算出的反射膜17的彎曲量 的信號，自反射鏡驅(qū)動電路C3向變形鏡致動器Al的線圈13施加電流。由此，變形鏡致動器Al利用流過線圈13的電流而在磁軛14的中心部產(chǎn)生較強(qiáng)的 磁場，如圖2(a)的雙點劃線所示那樣向電磁鐵Dl吸引反射體17T的環(huán)狀磁體18。隨之，隔著墊圈15支承于電磁鐵Dl上的反射體17T的變形膜16、反射膜17彎曲成拋物線狀。如此，通過在變形鏡致動器Al的線圈13流過電流而使反射膜17彎曲成所希望的 拋物線狀，利用線圈13的電流大小控制在反射膜17所反射的激光光束的發(fā)散角度，來修正 因記錄層11的位置變化為位置Pl (記錄層Ila)和位置P2(記錄層lib)而產(chǎn)生的激光光 束的球面像差?！兜诙嵤┓绞健方又褂脠D3、圖4(a)、圖4(b)說明第二實施方式的變形鏡致動器A2。圖3是表示組裝了第二實施方式的變形鏡致動器A2的光拾取器P2的光學(xué)系統(tǒng)的 概略的一例的圖。圖4(a)是示例了第二實施方式的變形鏡致動器A2的軸向的縱剖視圖，圖4(b)是 從圖4(a)的B方向看與變形鏡致動器A2的反射膜27形成為一體的變形膜沈和固定于變 形膜26上的環(huán)狀磁體觀的圖。圖3所示的第二實施方式的光拾取器P2的基本構(gòu)成與第一實施方式的光拾取器 Pl(參照圖1)相同，不同之處在于將第一實施方式的變形鏡致動器Al配置成激光光束垂 直入射的變形鏡致動器A2。隨之，第二實施方式的變形鏡致動器A2與第一實施方式的變形 鏡致動器Al的構(gòu)成不同。其他構(gòu)成與第一實施方式的變形鏡致動器Al相同，省略其詳細(xì)說明在圖3、圖4(a)、圖4(b)中對變形鏡致動器A2的各構(gòu)成要素標(biāo)注20號段的附圖標(biāo)記。以下詳細(xì)說明第二實施方式的光拾取器P2與第一實施方式的不同構(gòu)造。第二實施方式的光拾取器P2中，與圖1所示的第一實施方式的光學(xué)系統(tǒng)中的位于 光柵5與物鏡9之間的光學(xué)系統(tǒng)不同。在圖3所示的光拾取器P2中，自激光源7發(fā)出光而其一部分被分光器19反射的 激光光束透射過偏振光分光器3，并透射過1/4波長板8而成為圓偏振光。該透射過1/4波 長板8的激光光束被變形鏡致動器A2的反射膜27反射而再次透射過1/4波長板8成為直 線偏振光，然后被偏振光分光器3向光盤12的記錄層11反射。被偏振光分光器3反射的激光光束透射過物鏡9而聚光，并被記錄層11 (Ila或 lib)反射。所反射的激光光束再次透射過物鏡9而成為平行光，在偏振光分光器3被反射， 透射過1/4波長板8而成為圓偏振光。然后，在變形鏡致動器A2的反射膜27被再次反射 的激光光束透射過1/4波長板8成為直線偏振光，進(jìn)而透射過偏振光分光器3向分光器19 照射，一部分光透射而利用聚光透鏡2聚光于檢測器1。在光拾取器P2的光學(xué)系統(tǒng)中，激光光束相對于變形鏡致動器A2的反射鏡27垂直 入射、反射。因此，照射到反射鏡27的激光光束為圓形。因此，第二實施方式的變形鏡致動器A2是將第一實施方式的橢圓柱狀的變形鏡 致動器Al形成為圓柱形狀的構(gòu)件。除此之外的構(gòu)成與第一實施方式的變形鏡致動器Al相 同。如圖4(a)和圖4(b)所示，在第二實施方式的變形鏡致動器A2中，反射膜27形成 為圓形的平板狀，變形膜26形成為與反射膜27相同形狀的圓形平板狀。而且固定于變形 膜26的環(huán)狀磁體28形成為圓形的環(huán)狀形狀。由此，如圖4(b)所示，反射體27T形成為圓形平板狀。如圖4 (a)所示，反射體27T隔著具有與變形膜沈、反射膜27相同外周形狀的圓形 環(huán)狀的墊圈25而設(shè)置于圓柱狀的電磁鐵D2上。電磁鐵D2具有大致圓柱形狀的磁軛M，該磁軛M包括與環(huán)狀磁體觀相同的圓形 的圓柱狀磁軛中央部2 和與其下部外周連續(xù)形成的軸向截面為向內(nèi)部開口的二字狀的 磁體的磁軛周邊部24s。并且，在電磁鐵D2的磁軛M的圓柱狀的磁軛中央部Mc的周圍纏繞有多圈線圈 23。圖4(a)中的尺寸t表示環(huán)狀磁體28與磁軛M之間的空隙的尺寸，圖4(b)中的 尺寸Wl表示圓形的環(huán)狀磁體28內(nèi)徑的半徑尺寸，圖4(b)中的尺寸W2表示圓形的環(huán)狀墊 圈25內(nèi)徑的半徑尺寸。根據(jù)第二實施方式的變形鏡致動器A2，與第一實施方式的變形鏡致動器Al所使 用的圖2(a)和圖2(b)的橢圓形反射鏡的反射膜17不同，能夠?qū)⒎瓷淠?7做成圓形狀，能 夠減小反射鏡尺寸。變形鏡致動器A2由于能夠做成圓柱狀，因此容易制造。用于由使反射膜27變形 的控制電路Cl、反射鏡驅(qū)動電路C3進(jìn)行的控制變得容易。環(huán)狀磁體觀也可以層疊并固定 于反射膜上?！兜谌龑嵤┓绞健方又褂脠D5說明第三實施方式的變形鏡致動器A3。圖5是示例了第三實施方式的變形鏡致動器A3的軸向的縱剖視圖。第三實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取器P1、 P2(參照圖1、圖3)相同，不同之處在于與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的磁 軛14、磁軛M (參照圖2 (a)、圖4 (a))的形狀不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明。在圖5中對變形鏡致動器A3的各構(gòu)成要素標(biāo)注3開頭的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2的磁軛14J4不同的構(gòu)造。圖5所示的第三實施方式的變形鏡致動器A3，采用與第一實施方式的磁軛14相同 的圓柱狀磁軛；34時(參照圖2 (a)和圖2 (b))，將線圈33內(nèi)徑側(cè)的磁軛34的中心部做成橢 圓柱狀的空洞:34k。另一方面，第三實施方式的變形鏡致動器A3采用與第二實施方式的磁軛M相同 的圓柱狀磁軛；34時(參照圖4 (a)和圖4 (b))，將線圈33內(nèi)徑側(cè)的磁軛34的中心部做成圓 柱狀的空洞34k。由此，流到線圈33內(nèi)徑側(cè)的磁軛34的磁通利用線圈33內(nèi)側(cè)的磁軛中央部3 而 集中，結(jié)果穿過環(huán)狀磁體38的磁通密度變高。因此，起到提高電磁鐵D3對環(huán)狀磁體38的 吸引力的效果?！兜谒膶嵤┓绞健方又?，使用圖6說明第四實施方式的變形鏡致動器A4。圖6是示例第四實施方式的變形鏡致動器A4的軸向的縱剖視圖。第四實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取器P1、P2(參照圖1、圖3)相同，不同之處在于圖6所示的變形鏡致動器A4的磁軛44a的形狀與 第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的磁軛14、磁軛M (參照圖2 (a)、圖4 (a))的形 狀不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明在圖6中對變形鏡致動器A4的各構(gòu)成要素標(biāo)注40號段的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2的磁軛14J4不同的構(gòu)造。與第一、第二實施方式的橢圓柱形狀或圓柱形狀的磁軛14、磁軛M相比，第四實 施方式的變形鏡致動器A4采用鐵芯、鐵氧體等磁體形成線圈43的內(nèi)周部的磁軛44a，并用 例如樹脂等其他材料的構(gòu)造體的保持架44H構(gòu)成線圈43外周部的部位。在此，在與磁軛4 不同構(gòu)件的構(gòu)造體即保持架44H上一體形成相當(dāng)于第一、第二 實施方式的墊圈15、25(參照圖2仏)、圖4仏))的構(gòu)造。由此，能夠?qū)⒌谝?、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2的磁軛14J4的部位做成 磁軛4 和保持架44H的構(gòu)造。通過使用容易加工的材料制作保持架44H，從而能夠容易加工。能夠與作為光拾取器的樹脂基礎(chǔ)支承構(gòu)件的基座構(gòu)件一體地形成保持架44H，提 高了應(yīng)對光學(xué)系統(tǒng)的適應(yīng)性?！兜谖鍖嵤┓绞健方又褂脠D7(a)和圖7(b)說明第五實施方式的變形鏡致動器。圖7(a)是表示第五實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體58、變形膜56及反 射膜57的反射體57T的仰視圖(圖2 (a)的A方向向視圖)，圖7 (b)是圖7 (a)的C-C剖視 圖。第五實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取器P1、 P2(參照圖1、圖幻相同，不同之處在于圖7(a)和圖7(b)所示的變形鏡致動器的變形膜 56的形狀與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2的變形膜16、26(參照圖2(a)和圖 2(b)、圖4(a)和圖4(b))的形狀不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明。在圖7(a)和圖7(b)中對變形鏡致動器的反射體57T的各構(gòu)成要素標(biāo)注50號段 的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的變形膜16、26不同的構(gòu)造。與第一、第二實施方式的單一膜厚的變形膜16、沈相比，圖7(a)和圖7(b)所示的 變形鏡致動器的變形膜56構(gòu)成為在環(huán)狀磁體58外周外部的區(qū)域以同心圓狀交替周期地形 成有膜厚較厚的區(qū)域56a(56al、56a2、56a;3)和較薄的區(qū)域56b (56bl、56b2、56b3)。變形膜56的膜厚較厚的區(qū)域56a和較薄的區(qū)域56b在各自一周內(nèi)的膜厚較厚區(qū) 域56a的比例隨著遠(yuǎn)離反射鏡中心即反射膜57的中心而降低，隨之，隨著遠(yuǎn)離反射鏡中心 (反射膜57的中心)而使構(gòu)成反射鏡的反射體57T的有效剛性降低。因此，通過使膜厚較厚的區(qū)域56a和較薄的區(qū)域56b在各自一周內(nèi)的較厚區(qū)域56a 的比例最優(yōu)化，能夠利用作用于環(huán)狀磁體58的磁力而使反射體57T變形為理想的拋物線 狀。
在第五實施方式中，例示了具有圓形狀的環(huán)狀磁體58、變形膜56、反射膜57的反 射體57T進(jìn)行了說明，當(dāng)然，也可以應(yīng)用如第一實施方式的變形鏡致動器Al (參照圖2(a) 和圖2(b))那樣的，具有橢圓形狀的環(huán)狀磁體18、變形膜16、反射膜17的反射體17T。另外，環(huán)狀磁體58可以層疊并固定于反射膜上。《第六實施方式》接著，使用圖8 (a)、圖8 (b)、圖8 (c)說明第六實施方式的變形鏡致動器。圖8 (a)是表示第六實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體68、變形膜66及反 射膜67的反射體67T的仰視圖(圖2 (a)的A方向向視圖)，圖8 (b)是圖8 (a)的D-D線剖 視圖，圖8(c)是圖8(a)的E-E線剖視圖。第六實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取器P1、 P2 (參照圖1、圖3)相同，不同之處在于圖8 (a)、圖8 (b)、圖8 (c)所示的變形鏡致動器的變 形膜66的形狀與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2的變形膜16、26(參照圖2(a)、 圖4(a))的形狀不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明在圖8 (a)、圖8 (b)、圖8 (c)中對變形鏡致動器的反射體67T的各構(gòu)成要素標(biāo)注60 號段的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的變形膜16、沈不同的構(gòu)造。與第一、第二實施方式的單一膜厚的變形膜16、26(參照圖2(a)和圖2 (b)、圖 4(a)和圖4(b))相比，圖8(a)、圖8(b)、圖8(c)所示的第六實施方式的變形鏡致動器的變 形膜66構(gòu)成為在環(huán)狀磁體68外周外部的區(qū)域，膜厚較厚的區(qū)域66a呈放射狀在膜厚較薄 的區(qū)域66b之間擴(kuò)展。并且，膜厚較厚的區(qū)域66a形成為隨著接近變形膜66的中心部而寬 度變寬，隨著接近外周而寬度變窄。由此，隨著遠(yuǎn)離反射鏡中心(反射膜67的中心)，形成反射鏡的反射體67T的有效 剛性降低。因此，通過使變形膜66中的膜厚較厚的區(qū)域66a呈放射狀擴(kuò)展的構(gòu)造最優(yōu)化，能 夠利用作用于環(huán)狀磁體68的磁力而使反射體67T變形為理想的拋物線狀。在第六實施方式中，例示了具有圓形狀的環(huán)狀磁體68、變形膜66、反射膜67的反 射體67T進(jìn)行了說明，當(dāng)然，也可以應(yīng)用如第一實施方式的變形鏡致動器Al (參照圖2 (a) 和圖2(b))那樣的，具有橢圓形狀的環(huán)狀磁體18、變形膜16、反射膜17的反射體17T?！兜谄邔嵤┓绞健方又?，使用圖9(a)和圖9(b)說明第七實施方式的變形鏡致動器A7。圖9(a)是表示第七實施方式的變形鏡致動器A7的軸向的縱剖視圖，圖9 (b)是從 圖9(a)的F方向看與變形鏡致動器A7的反射膜77形成為一體的變形膜76的圖。第七實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取器P1、 P2(參照圖1、圖3)相同，不同之處在于圖9(a)所示的變形鏡致動器A7中，與第一、第二實 施方式的變形鏡致動器Al、A2的環(huán)狀磁體18、28(參照圖2(a)、圖4(a))的形狀和反射鏡 變形原理(反射體17T、27T的變形原理)不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、Α2相同，省略其詳細(xì)說明。
以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的環(huán)狀磁體18J8及反射 鏡變形原理(反射體17T、27T的變形原理)不同的構(gòu)造。在圖9 (a)和圖9(b)中對變形鏡致動器A7的各構(gòu)成要素標(biāo)注70號段的附圖標(biāo)記。第七實施方式的變形鏡致動器A7是例如相當(dāng)于圖2(a)和圖2(b)所示的環(huán)狀磁 體18的磁體環(huán)78不固定于變形膜76的結(jié)構(gòu)。如圖9(a)所示，在電磁鐵D7的磁軛74中線圈73周圍所形成的圓筒形槽部7 ! 配置有具有板厚較厚的短圓筒狀的磁體環(huán)78和向上方推壓磁體環(huán)78的壓縮螺旋彈簧78s 的構(gòu)造體。根據(jù)該構(gòu)造，在電磁鐵D7的線圈73中不流通電流的正常時，短圓筒狀的磁體環(huán)78 受到來自壓縮螺旋彈簧78s的向上方的推壓力而被向上方(圖9(a)中的上方)推出，使變 形膜76、反射膜77變形為接近拋物線的形狀(參照圖9(a)的實線)。在該正常狀態(tài)下，當(dāng)對電磁鐵D7的線圈73施加電流時，在線圈73周圍的磁軛74 產(chǎn)生的磁場穿過磁體環(huán)78，磁體環(huán)78被向靠近電磁鐵D7的方向吸引，對磁體環(huán)78的向上 的推壓力減弱，因此變形膜76、反射膜77復(fù)原為接近平板狀的形狀(參照圖9 (a)的雙點劃 線)。而當(dāng)減少向線圈73施加的電流時，在線圈73周圍的磁軛74產(chǎn)生的磁場變?nèi)?，?體環(huán)78受到的靠近電磁鐵D7方向的磁力減弱，受到來自壓縮螺旋彈簧78s的向上方的彈 力，磁體環(huán)78向上方(圖9(a)中的上方)推出變形膜76、反射膜77。如此，在壓縮螺旋彈簧78s的彈力作用下，環(huán)狀的磁體環(huán)78以環(huán)狀與變形膜76接 觸，并且驅(qū)動變形鏡致動器A7對電磁鐵D7的線圈73施加電流，從而能夠使變形膜76與第 一實施方式同樣地自由彎曲，能夠使反射膜77形成為所希望的拋物線形狀。在第七實施方式中，以變形鏡致動器A7為圓柱形狀的情況為例進(jìn)行了說明，當(dāng) 然，對于如第一實施方式那樣變形鏡致動器A7為橢圓柱形狀的情況(參照圖2 (a)和圖 2(b))也同樣能夠適用。《第八實施方式》接著，使用圖10(a)和圖10(b)說明第八實施方式的變形鏡致動器A8。圖10(a)是示例第八實施方式的變形鏡致動器A8的結(jié)構(gòu)的軸向的縱剖視圖，圖 10(b)是從圖10(a)的G方向看與變形鏡致動器A8的反射膜87形成為一體的變形膜86和 固定于變形膜86上的環(huán)狀良導(dǎo)體88的圖。圖10(a)和圖10(b)所示的第八實施方式的光拾取器的基本構(gòu)成與第一、第二實 施方式的光拾取器P1、P2 (參照圖1、圖3)相同。第八實施方式的變形鏡致動器A8的基本構(gòu)造與第一、第二實施方式的變形鏡致 動器A1、A2類似，但與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2和其反射鏡(反射膜17、 27)的驅(qū)動原理不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明在圖10(a)和圖10(b)中對變形鏡致動器A8的各構(gòu)成要素標(biāo)注80號段的附圖標(biāo)記。以下說明第八實施方式的變形鏡致動器A8與第一、第二實施方式的變形鏡致動 器A1、A2和其反射鏡(反射膜17、27)驅(qū)動原理不同的構(gòu)造。
在第八實施方式的變形鏡致動器A8中，代替與反射膜87 —體形成的固定于變形 膜86上的環(huán)狀磁體而設(shè)置例如金等環(huán)狀的良導(dǎo)體88 (參照圖10(b))。環(huán)狀的良導(dǎo)體88配 置在面向電磁鐵D8的線圈83內(nèi)周的磁軛84的外周面84a的外部區(qū)域。并且，去除了反射體87T與磁軛84之間的在第一、第二實施方式中例示的環(huán)狀墊 圈而使磁軛外周部84g延伸形成至墊圈的區(qū)域，反射體87T固定于磁軛外周部84g。本構(gòu)成的變形鏡致動器A8中，在電磁鐵D8的線圈83流過驅(qū)動電流，使因電磁感 應(yīng)引起的磁軛84內(nèi)的磁通發(fā)生變化，由此配置于磁軛84外周面84a的外部的圖10(b)所 示的環(huán)狀良導(dǎo)體88的環(huán)內(nèi)所穿過的磁通發(fā)生變化。隨之，在環(huán)狀的良導(dǎo)體88沿環(huán)圓周方 向引起感應(yīng)電流，產(chǎn)生抵消良導(dǎo)體88的環(huán)內(nèi)所穿過的磁通的磁場，與由線圈83產(chǎn)生的磁場 相反的力作用于環(huán)狀的良導(dǎo)體88。由此，與第一、第二實施方式相同，能夠使變形膜86彎曲成適合的拋物線狀。關(guān)于施加于線圈83的電流的驅(qū)動波形，在恒定電流驅(qū)動下，沒有磁場變化，不會 對良導(dǎo)體88施加力。在線形的正弦曲線的電流驅(qū)動下，作用于良導(dǎo)體88的力被抵消，產(chǎn)生 良導(dǎo)體88的移動受阻礙的現(xiàn)象。因此，施加于線圈83的電流優(yōu)選是能夠使良導(dǎo)體88良好移動的三角波形、正弦半 波等時間上非線性的驅(qū)動波形。在第八實施方式中，以變形鏡致動器A8為圓柱形狀的情況為例進(jìn)行了說明，當(dāng) 然，對于如第一實施方式那樣變形鏡致動器A7為橢圓柱形狀的情況(參照圖2 (a)和圖 2(b))也同樣能夠適用?！兜诰艑嵤┓绞健方又褂脠D11等說明第九實施方式的變形鏡致動器。圖11是表示第九實施方式的變形鏡致動器的具有環(huán)狀磁體98、變形膜96及反射 膜97的反射體97T的仰視圖(相當(dāng)于圖2(a)的A方向向視圖)。第九實施方式的光拾取器(未圖示)的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取 器P1、P2(參照圖1、圖2(a)和圖2(b))相同。第九實施方式的變形鏡致動器的反射體97T與第一、第二實施方式的變形鏡致動 器Al、A2的反射鏡形狀(反射體17T、27T的形狀)不同。其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、Α2相同，省略其詳細(xì)說明。在圖11中對反射體97Τ的各構(gòu)成要素標(biāo)注90號段的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、Α2的反射體17Τ、27Τ不同的 構(gòu)造。如圖4(a)和圖4(b)所示，上述第二實施方式中的作為可變反射鏡的反射體27Τ 中，環(huán)狀磁體觀固定于圓形形狀的單一膜厚的反射膜27和變形膜沈上。利用由在作為可 變反射鏡的反射體27Τ的下部配置的線圈23和磁軛M產(chǎn)生的磁場，對環(huán)狀磁體28作用朝 向磁軛M的吸引力，圖12中的實線L3表示此時在相對于形成反射鏡的反射體27Τ的中心 (反射膜27的中心)的各距離下的反射鏡的位移量。圖12是表示對第二實施方式的環(huán)狀磁體觀施加了磁力時的相對于距反射鏡中心 (反射膜27的中心)的距離的反射鏡(反射膜27)的位移量的圖。用實線(L3)表示第二 實施方式的反射鏡表面形狀，用(L4)表示理想反射激光光束的反射鏡表面形狀的理想拋物曲線。根據(jù)圖12，在第二實施方式的構(gòu)造中，對于反射鏡的變形，在環(huán)狀磁體觀內(nèi)周以 內(nèi)(圖12的環(huán)內(nèi)周位置Wl的左側(cè))與以虛線表示的理想拋物線形狀的理想拋物曲線L4 符合度高，在環(huán)狀磁體觀外周外部區(qū)域(圖12的環(huán)內(nèi)周位置Wl的右側(cè)且直到反射鏡端位 置W2的區(qū)域)，隨著接近反射膜27的外周緣27e (參照圖4 (a)和圖4 (b))而逐漸偏離理想 拋物線形狀的理想拋物曲線L4。要進(jìn)行高精度的球面像差修正，需要理想拋物線形狀的理想拋物曲線L4與反射 鏡(反射膜27)的反射鏡表面形狀L3的偏離為納米級以下。變形鏡致動器A2中，為了搭載于光拾取器P2 (參照圖3)，需要小型化為角形幾微 米左右，因此，由配置在形成可變反射鏡的反射體27T的下部的線圈23與磁軛M產(chǎn)生的磁 場，作用于環(huán)狀磁體觀的引力變得非常弱。而變形膜26、反射膜27，隨著小型化而截面系數(shù)變大，剛性提高，因此，通常需要 擴(kuò)大圖12所示的環(huán)內(nèi)周位置Wl與反射鏡端位置W2之間的間隔來有效降低環(huán)狀磁體觀外 周外部區(qū)域(參照圖4(b))的剛性。即，變形鏡致動器A2的變形膜沈、反射膜27的小型化 與低剛性化是相悖的現(xiàn)象。因此，在圖11所示的第九實施方式的反射體97T中，在變形膜96、反射膜97的環(huán) 狀磁體98的外周外部區(qū)域96s、97s以放射狀周期性地形成空隙99。通過增加外周外部區(qū) 域96s、97s中的每一周期Dl的成為空隙99的區(qū)域D2的比例來有效降低環(huán)狀磁體98外周 外部區(qū)域96s、97s的剛性，因此可以同時實現(xiàn)變形鏡致動器的變形膜96、反射膜97的小型 化與低剛性化。關(guān)于本第九實施方式的變形膜96、反射膜97的變形，由于在圖11所示的梁構(gòu)造 部Ll與空隙部L2的截面處剛性不同，因此在梁構(gòu)造部Ll與空隙部L2的各自位置處的反 射鏡表面形狀與理想拋物曲線的偏差是如圖13所示那樣隨著距反射鏡中心的距離越遠(yuǎn)， 分別自理想拋物曲線的線(橫軸為0.0的線)向相反的方向遠(yuǎn)離。圖13是表示反射鏡(反射膜97)表面形狀與理想拋物曲線的偏差相對于距反射 鏡中心(反射膜97的中心)的距離的圖，圖13的反射鏡表面形狀與理想拋物曲線的偏差 (0. 0)的線表示反射鏡表面形狀與理想拋物曲線無偏差的線、即表示理想拋物曲線的線。因此，通過最優(yōu)化設(shè)計圖11所示的環(huán)狀磁體98的外周外部區(qū)域的空隙99與環(huán)狀 磁體98之間的距離W3、梁構(gòu)造部Ll的個數(shù)、空隙部L2的空隙99的大小、個數(shù)等，不需擴(kuò)大 環(huán)內(nèi)周位置Wl與實質(zhì)上形成反射鏡的端邊即反射鏡端位置W2之間的間隔，就能夠使環(huán)狀 磁體98內(nèi)周以內(nèi)的區(qū)域及自環(huán)狀磁體98內(nèi)周外部到反射鏡端位置W2的區(qū)域高精度地與 理想拋物線形狀的理想拋物曲線一致。《第十實施方式》接著，使用圖14(a)和圖14(b)說明第十實施方式的變形鏡致動器A10。圖14(a)是表示第十實施方式的變形鏡致動器AlO的軸向的縱剖視圖，圖14(b) 是從圖14(a)的H方向看圖14(a)所示的保持架130和導(dǎo)線128的圖。第十實施方式的光拾取器(未圖示)的基本構(gòu)成與第一、第二實施方式的光拾取 器P1、P2(參照圖1、圖2(a)和圖2(b))相同，圖14(a)所示的變形鏡致動器AlO與第一、 第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2的磁軛14J4和線圈13、23不同。
其他構(gòu)成與第一、第二實施方式的變形鏡致動器Al、A2相同，省略其詳細(xì)說明。在圖14(a)和圖14(b)中對變形鏡致動器AlO的各構(gòu)成要素標(biāo)注100號段的附圖標(biāo)記。以下說明與第一、第二實施方式的變形鏡致動器A1、A2不同的構(gòu)造。圖14(a)和圖14(b)所示的第十實施方式的變形鏡致動器AlO的保持架130的上 方中央部形成有短圓柱狀的凹部130ο，使用樹脂等形成為短圓柱狀。而且，在保持架130的 凹部130ο以旋渦狀配置有用于對反射體107Τ的環(huán)狀磁體108施加磁場引力的導(dǎo)線128。本構(gòu)成的變形鏡致動器Α10，通過對以旋渦狀配置于保持架130內(nèi)凹部130ο的導(dǎo) 線1 施加電流，產(chǎn)生對環(huán)狀磁體108作用引力的磁場，借助該磁場將環(huán)狀磁體108向?qū)Ь€ 128吸引，從而使固定有環(huán)狀磁體108的變形膜106、反射膜107變形為接近理想拋物線的 拋物線狀。根據(jù)第十實施方式，由于平繞導(dǎo)線128，因此能夠?qū)⒈３旨?30和導(dǎo)線128的構(gòu)造 做得較薄，結(jié)果與第一、第二實施方式相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整個變形鏡致動器AlO的薄型化。變形鏡致動器AlO的保持架130的形狀也可簡化，能夠提高生產(chǎn)率，能夠降低生產(chǎn) 成本。在第十實施方式中，例示了將旋渦狀的導(dǎo)線1 形成平面狀的情況，但只要能夠 產(chǎn)生作用出用于使反射膜107變形為理想拋物線的引力的磁場，也可以將旋渦狀的導(dǎo)線 128形成為具有凹凸的形狀。環(huán)狀磁體108可以層疊并固定于反射膜上?！蹲饔眯Ч犯鶕?jù)第一 第十實施方式，當(dāng)由電磁鐵D1、…、DlO對固定于作為可變膜的變形膜 16、…、106上的圓形狀或橢圓形狀的環(huán)狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán)狀磁體 98,108作用驅(qū)動力時，圓形狀或橢圓形狀的環(huán)狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán) 狀磁體98、108的環(huán)狀的力分布作用于變形膜16、…、106。由此，能夠使環(huán)狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán)狀磁體98、108內(nèi)的變 形膜16、…、106及反射膜17、…、107形成理想拋物曲線形狀。本構(gòu)造中，環(huán)狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán)狀磁體98、108的相對于 中心的彎曲量相同，呈同心圓狀或同心橢圓狀。因此，即使可變膜的變形膜16、…、106及反射膜17、…、107彎曲變形，環(huán)狀磁體 18、…、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán)狀磁體98、108與電磁鐵Dl、…、DlO的距離在環(huán)狀的 任一處均相同，能夠?qū)勺兡さ淖冃文?6、…、106及反射膜17、…、107施加應(yīng)力分布均 勻的力。作用于環(huán)狀磁體18、···、68、磁體環(huán)78、良導(dǎo)體88、環(huán)狀磁體98、108的力依賴于驅(qū) 動電磁鐵D1、…、DlO的電流值，因此通過控制驅(qū)動電流值，可以多級修正球面像差。在第一 第十實施方式中，例示的是來自激光源7的激光光束為圓形橫截面，因 此將反射膜17等做成圓形或橢圓形的情況，但只要自反射膜17反射的激光光束為圓形，也 可不將反射膜17等做成圓形或橢圓形狀。若將來自激光源7的激光光束做成圓形以外的 形狀，則可以不將反射膜17等的形狀做成圓形或橢圓形。在光學(xué)系統(tǒng)等的處理中，來自激 光源7的激光光束的橫截面優(yōu)選圓形，因此反射膜17等的形狀優(yōu)選橢圓形，最優(yōu)選圓形。在第一 第十實施方式中，例示了以環(huán)狀連續(xù)的環(huán)狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、環(huán)狀磁體98、108，但只要能將反射膜17、…、77、97、107形成為理想的拋物曲線形狀，則環(huán) 狀磁體18、…、68、磁體環(huán)78、環(huán)狀磁體98、108也可不是環(huán)狀連續(xù)。在第一 第十實施方式中，例示了設(shè)置變形膜16、…、106的情況，但只要能將反 射膜17、…、107的強(qiáng)度形成為規(guī)定值以上，且能夠?qū)h(huán)狀磁體18、…、68、良導(dǎo)體88、環(huán)狀 磁體98、108分別接合于反射膜17、…、67、87、…、107，而且能夠使磁體78接觸反射膜76， 用壓縮螺旋彈簧78s推壓反射膜76，則可不設(shè)置變形膜16、…、106。在第一 第十實施方式中，分別說明了各構(gòu)成，也可以適當(dāng)組合第一 第十實施 方式的構(gòu)成?！兜谑粚嵤┓绞健穲D17表示組裝了本實施方式的可變焦透鏡裝置的變焦透鏡致動器Al和可動透鏡 裝置的可動透鏡致動器B的光拾取器P3的光學(xué)系統(tǒng)的概略一例。在圖17的說明中省略了 與第一實施方式重復(fù)的部分。第十一實施方式的變焦透鏡致動器Al是使供激光光束透射的透鏡的入射、透射 兩面任意變形，并能修正球面像差以及彗形像差和/或像散的器件?？蓜油哥R致動器B是 使透鏡位置沿光軸方向移動，可修正球面像差的器件。光拾取器P3包括偏振光分光器23，其在從激光源27到經(jīng)由光盤32的記錄層31 的檢測器21為止的激光光束的光路中將來自激光源27、光盤32的記錄層31的激光光束 反射或透射來將其分割；可動透鏡致動器B、變焦透鏡致動器Al，其將由偏振光分光器23反 射來的來自激光源27的激光光束向反射鏡33方向透射并變換激光光束的發(fā)散角度；反射 鏡33，其將透射過變焦透鏡致動器Al的激光光束向光盤32的記錄層31反射并將在記錄層 31反射的激光光束向檢測器21反射；將直線偏振光轉(zhuǎn)換為圓偏振光的1/4波長板觀；物鏡 四，其利用透鏡致動器30沿光軸方向移動，并將激光光束對光盤32的記錄層31聚光；以及 聚光透鏡22，其將被記錄層31反射的激光光束對檢測器21聚光。<變焦透鏡致動器Al〉圖18(a)是表示變焦透鏡致動器Al的軸向的水平剖視圖，圖18(b)是變焦透鏡致 動器Al的E-E線剖視圖。在圖15的說明中，省略與第一實施方式重復(fù)的部分。使用圖18(a)、圖18(b)說明變焦透鏡致動器Al。具有圓形橫截面的激光光束透 射透明的變形膜11a，例如透射機(jī)油等透明液體5進(jìn)而在透明的變形膜lib被折射而聚光。透明液體5借助墊圈封入于上部透明變形膜Ila和下部透明變形膜lib之間，透 鏡區(qū)域P2的全部區(qū)域被透明液體5填滿，儲存區(qū)域P3 (圖2 的一部分填充有氣體4，該儲 存區(qū)域P3儲存用于彌補(bǔ)透鏡區(qū)域P2的體積隨著透鏡曲率變化而發(fā)生變化的透明液體5，隨 著儲存區(qū)域P3內(nèi)的透明液體5的增減，氣體4進(jìn)行壓縮和膨脹，從而可增減儲存區(qū)域P3內(nèi) 的透明液體5。在上部的透明變形膜Ila面上為了使透明變形膜1 Ia任意傾斜而固定有環(huán)狀的磁 體36。上部透明變形膜Ila借助墊圈7固定于電磁鐵D3的磁軛34上。墊圈7優(yōu)選是樹脂等非磁體，也可以與透明變形膜Ila —體形成。關(guān)于墊圈7，只 要不會導(dǎo)致變焦透鏡致動器Al的性能劣化，也可以由磁體形成。電磁鐵D3包括磁體的磁軛34和在磁軛34周圍纏繞多圈的線圈35。磁軛34由鋼板的鐵芯、鐵氧體、鈷等形成。
通過在四個線圈3fe、3^、35d、35d流過不同的電流，從而能夠利用四個線圈35a、 35b、35d、35d的磁場的強(qiáng)度分布使入射面任意傾斜。磁軛34和線圈35不一定是四個，用三 個磁軛也能得到同樣的效果。本構(gòu)成的變焦透鏡致動器Al通過對電磁鐵D3的線圈35施加電流而在磁軛34產(chǎn) 生強(qiáng)磁場，來吸引透明變形膜Ila的環(huán)狀磁體36，由此儲存區(qū)域P3內(nèi)的透明液體5緩緩流 入透鏡區(qū)域P2，隨之透明變形膜Ila的彎曲量增大。透明變形膜Ila的變形力與作用于環(huán) 狀磁體36的力相平衡，在到達(dá)目標(biāo)彎曲量的點以后維持恒定的彎曲量。通過使施加于電磁 鐵D3的線圈35a、35b、35d、35d的電流發(fā)生變化，使透明變形膜Ila任意傾斜，透射過透明 變形膜Ila的激光光束引起取決于透明變形膜Ila彎曲量的行進(jìn)方向的變化。透明變形膜 Ila的彎曲量取決于施加到線圈35a、35b、35d、35d的電流值，進(jìn)行控制變形為適于修正彗 形像差、像散的形狀。關(guān)于下部透明變形膜11b，其功能、構(gòu)成與第一實施方式的變焦透鏡致動器Al相 同，省略其說明。透明變形膜lib的變形所產(chǎn)生的球面像差的修正量取決于入射到變焦透鏡致動 器Al的光束的會聚、發(fā)散度、變形量。利用透明變形膜lib的變形可以修正因光盤的多層 化產(chǎn)生的較大的球面像差SA1，也可以修正因基板厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫度 變動而在物鏡產(chǎn)生的球面像差等的比上述球面像差SAl小的球面像差SA2。<可動透鏡致動器B>可動透鏡致動器B使用例如步進(jìn)電動機(jī)作為驅(qū)動源，將形成有螺旋狀槽的絲杠安 裝于步進(jìn)電動機(jī)的軸上，對在絲杠的槽上搭載了透鏡的透鏡保持架進(jìn)行支承。利用步進(jìn)電 動機(jī)的驅(qū)動使絲杠旋轉(zhuǎn)，使支承于絲杠的槽上的透鏡沿光軸方向直進(jìn)移動。能夠由步進(jìn)電 動機(jī)的步進(jìn)數(shù)控制透鏡的移動量。該步進(jìn)電動機(jī)具有例如約ΙΟμπι的步距，可根據(jù)透鏡的 焦距、光學(xué)系統(tǒng)的倍率來設(shè)計每個步距的球面像差修正量。從倍率方面考慮，在設(shè)可動透鏡 的焦距為f時，每個步距的球面像差修正量與f的-2次方大致正比，因此通過例如移動短 焦透鏡能夠以較小的透鏡移動量來修正較大的球面像差SA1。通過移動過長焦透鏡，也能高 精度修正較小的球面像差SA2。<從光盤32的記錄層31讀取記錄>接著，以從記錄層31b讀取為例，說明利用激光光束從安裝于光拾取器Hl上的光 盤32的記錄層31讀取記錄(信號)。從記錄層31a讀取記錄(信號)也是相同的。如圖17所示，為了將記錄于光盤32的記錄層31b的坑作為電信號來讀取，自激光 源27射出的激光光束在準(zhǔn)直透鏡沈被校準(zhǔn)，透射過光柵25后，被偏振光分光器23向可動 透鏡致動器B、變焦透鏡致動器Al反射。并且，由偏振光分光器23反射的激光光束透射可動透鏡致動器B、變焦透鏡致動 器Al并調(diào)整發(fā)散角度，被反射鏡33反射，然后透射過1/4波長板觀而被轉(zhuǎn)換為圓偏振光， 利用物鏡四聚光于記錄膜31b上，自記錄膜31b被反射。在記錄膜31b反射的激光光束再 次透射過物鏡四被轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)直光，然后透射過1/4波長板觀而被轉(zhuǎn)換為直線偏振光，被反 射鏡33反射，然后被可動透鏡致動器B、變焦透鏡致動器Al調(diào)整發(fā)散角度后，向偏振光分光 器23透射。透射過偏振光分光器23的激光光束利用聚光透鏡22聚光于檢測器21上，入射到檢測器21的光量被轉(zhuǎn)換為電信號。根據(jù)表示由控制電路Cl基于由檢測器21接受的信息運(yùn)算出的變焦透鏡致動器Al 的透明變形膜1 la、1 Ib的彎曲量的信號，使電流自反射鏡驅(qū)動電路C3施加于變焦透鏡致動 器Al線圈9、35。根據(jù)表示由控制電路Cl運(yùn)算出的可動透鏡致動器B的移動量的信號，使 電流自透鏡驅(qū)動電路C2施加于可動透鏡致動器B的線圈。由此，變焦透鏡致動器Al利用流過線圈9的電流而在磁軛10的中心部產(chǎn)生較強(qiáng) 的磁場，如圖17的虛線所示那樣向電磁鐵Dl吸引透明變形膜lib的環(huán)狀磁體8。隨之，隔 著墊圈7支承于電磁鐵Dl上的變形膜lib彎曲成拋物線狀。利用流過線圈35的電流而在 磁軛34的中心部產(chǎn)生較強(qiáng)的磁場，如圖17的虛線所示那樣向電磁鐵D3吸引透明變形膜 Ila的環(huán)狀磁體36。隨之，隔著墊圈7支承于電磁鐵D3上的變形膜Ila傾斜。如此，通過在變焦透鏡致動器Al的線圈9流過電流而使透明變形膜lib彎曲成所 希望的拋物線狀，利用線圈9的電流大小控制透射過透明變形膜lib的激光光束的發(fā)散角 度，來修正因記錄層31的位置變?yōu)橛涗泴?1a和記錄層31b而產(chǎn)生的激光光束的球面像 差。通過在變焦透鏡致動器Al的線圈35流過電流而使透明變形膜Ila傾斜成所希望的形 狀，利用線圈35的電流大小控制透射過透明變形膜Ila的激光光束的行進(jìn)方向，來修正因 光盤相對于光軸的傾斜(disk tilt)、光拾取器組裝時的誤差所產(chǎn)生的彗形像差、像散。通過在可動透鏡致動器B的線圈流過電流來驅(qū)動透鏡沿光軸方向移動，控制透射 過透鏡的激光光束的發(fā)散角度，來修正因記錄層31的位置變?yōu)橛涗泴?1a和記錄層31b而 產(chǎn)生的激光光束的球面像差。利用上述變焦透鏡致動器Al和上述可動透鏡致動器B所修正的球面像差分為因 光盤的多層化產(chǎn)生的較大的球面像差SA1、和因基板厚度的誤差變動、激光的波長變動、溫 度變動而在物鏡產(chǎn)生的球面像差等的比上述球面像差SAl小的球面像差SA2。在此，可動透鏡致動器B和變形膜lib修正球面像差，變形膜Ila修正像散、彗形 像差。因此，它們的組合如表1、表2所示。表1
變形膜Ila變形膜lib可動透鏡致動器B較大的球面像差SAl〇較小的球面像差SA2〇像散、彗形像差〇表2
變形膜Ila變形膜lib可動透鏡致動器B較大的球面像差SAl〇
權(quán)利要求
1.一種變形鏡致動器，其特征在于，包括 反射構(gòu)件，用于對被照射的光進(jìn)行反射；磁力施加構(gòu)件，通過被施加磁場來向上述反射構(gòu)件施加彎曲力；以及 電磁鐵結(jié)構(gòu)體，通過被施加電流來向上述磁力施加構(gòu)件施加上述磁場而使上述反射構(gòu) 件彎曲成期望形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于， 上述反射構(gòu)件和上述磁力施加構(gòu)件具有圓形或橢圓形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于，在上述反射構(gòu)件與上述磁力施加構(gòu)件之間設(shè)置有可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件，該可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件受到 來自上述磁力施加構(gòu)件的力而使上述反射構(gòu)件彎曲成期望形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件在上述磁力施加構(gòu)件的外周的外部具有同心的凹凸結(jié)構(gòu)，越靠近外 周緣，上述凹凸結(jié)構(gòu)的凸部形成得越小。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件在上述磁力施加構(gòu)件的外周的外部具有凸棱結(jié)構(gòu)，該凸棱結(jié)構(gòu)呈放 射狀且越靠近外周緣形成得越細(xì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件在上述磁力施加構(gòu)件的外部區(qū)域形成有開口部， 上述可變結(jié)構(gòu)構(gòu)件在磁力施加構(gòu)件的外部區(qū)域的上述開口部與除此以外的區(qū)域的非 開口部之間的比例按照使上述反射構(gòu)件彎曲成期望形狀來確定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于， 上述磁力施加構(gòu)件為磁性體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述磁力施加構(gòu)件是環(huán)狀的良導(dǎo)體，通過由上述電磁鐵產(chǎn)生的磁場變化，在環(huán)周方向 上產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，并且產(chǎn)生相對于上述磁場變化的反作用力。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的變形鏡致動器，其特征在于，向上述電磁鐵施加的電流是包含三角波或正弦半波的在時間上呈非線性的波形的電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于， 上述磁力施加構(gòu)件為磁性體，還具有按壓上述磁力施加構(gòu)件的按壓構(gòu)件，利用吸引力和按壓力使上述反射構(gòu)件彎曲成期望形狀，其中，上述吸引力是由從上述 電磁鐵結(jié)構(gòu)體產(chǎn)生的磁場對上述磁力施加構(gòu)件施加的力，上述按壓力是與上述吸引力反方 向的、由上述按壓構(gòu)件對上述磁力施加構(gòu)件施加的力。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述電磁鐵結(jié)構(gòu)體在磁軛的中央部形成沿線圈繞線的軸向延伸的孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于， 上述電磁鐵結(jié)構(gòu)體在線圈的內(nèi)部區(qū)域形成有磁軛。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變形鏡致動器，其特征在于，上述電磁鐵結(jié)構(gòu)體是被施加上述電流的漩渦狀的導(dǎo)線。
14.一種光盤裝置，其特征在于，包括 光源；和變焦透鏡致動器，設(shè)置在將來自上述光源的光照射到具有記錄層的光信息記錄介質(zhì)上 的光路中，上述變焦透鏡致動器包括通過其形狀變化來修正彗形像差和像散中的至少任意一方 的第一變形構(gòu)件、和通過其形狀變化來修正球面像差的第二變形構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光盤裝置，其特征在于， 在上述光路中還具有使透鏡可動的可動透鏡致動器， 利用上述可動透鏡致動器來修正球面像差。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光盤裝置，其特征在于，在上述光路中還具有反射構(gòu)件的形狀可變的變形鏡致動器， 利用上述變形鏡致動器來修正球面像差。
17.一種光盤裝置，其特征在于，包括 光源；和變焦透鏡致動器，設(shè)置在將來自上述光源的光照射到具有記錄層的光信息記錄介質(zhì)上 的光路中，上述變焦透鏡致動器包括 第一變形構(gòu)件；使上述第一變形構(gòu)件的形狀變化的第一磁場施加構(gòu)件； 第二變形構(gòu)件；以及使上述第二變形構(gòu)件的形狀變化的第二磁場施加構(gòu)件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光盤裝置，其特征在于，利用上述第一變形構(gòu)件來修正彗形像差和像散中的至少任意一方， 利用上述第二變形構(gòu)件來修正球面像差。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光盤裝置，其特征在于， 在上述光路中還設(shè)置有球面像差修正機(jī)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光盤裝置，其特征在于， 用上述球面像差修正機(jī)構(gòu)修正第一球面像差，利用上述第二變形構(gòu)件來修正比上述第一球面像差小的第二球面像差。
21.一種光盤裝置，其特征在于，包括 光源；和液晶元件，設(shè)置在將來自上述光源的光照射到具有記錄層的光信息記錄介質(zhì)上的光路中，上述液晶元件具有用于修正球面像差的第一電極圖案和用于修正彗形像差和像散中 的至少任意一方的第二電極圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有小型、且能以低功耗修正多種球面像差及彗形像差、像散的像差修正機(jī)構(gòu)的變形鏡致動器和光盤裝置。變焦透鏡致動器(A1)通過施加磁場而使透明變形膜彎曲成拋物線形狀，并使所透射的光的強(qiáng)度分布變化來修正球面像差。通過使透明變形膜任意傾斜來改變所透射的光的傳播方向，能夠修正彗形像差、像散。
文檔編號G11B7/09GK102063913SQ20101055697
公開日2011年5月18日 申請日期2010年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者井手達(dá)朗, 山內(nèi)良明, 橋爪滋郎, 渡邊康一 申請人:日立民用電子株式會社