專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)記錄介質(zhì)及其記錄和再現(xiàn)方法以及盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)使用短波長(zhǎng)激光束(如藍(lán)色激光束)可以記錄并再現(xiàn)信息的信息 記錄介質(zhì)，更具體而言，本發(fā)明涉及一次寫(xiě)入型信息記錄介質(zhì)、能在多層內(nèi)記錄信息的信息 記錄介質(zhì)、以及使用所述信息記錄介質(zhì)的光盤(pán)設(shè)備。
背景技術(shù)：
光盤(pán)大致可以分為三類(lèi)，即僅用于重放的ROM光盤(pán)、一次寫(xiě)入型R光盤(pán)、以及可重 寫(xiě)的RW或RAM光盤(pán)。隨著信息量的增加，需要光盤(pán)具有大容量以及高傳輸速率。為了滿(mǎn)足 市場(chǎng)對(duì)大容量光盤(pán)的需求，人們正在研制開(kāi)發(fā)具有兩個(gè)記錄層而不是具有一個(gè)常規(guī)的單記 錄層的DVD-R光盤(pán)，從而即使所使用的記錄系統(tǒng)采用相同的激光波長(zhǎng)時(shí)，也可使容量增加。為了進(jìn)一步增加光盤(pán)的容量，人們研制了被稱(chēng)作HD DVD的光盤(pán)。HD DVD-ROM或 HD DVD-R的一個(gè)面上的數(shù)據(jù)容量為15GB，這是常規(guī)DVD數(shù)據(jù)容量(即4. 7GB)的三倍或更 高。例如，如日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2006-205683和2005-271587所述，有機(jī)染料材料被用在這 種HD DVD-R的記錄層中。然而不利的是，由于密度較高，在這種HD DVD-R中形成兩個(gè)記錄層要比在DVD-R 中形成兩個(gè)記錄層更為困難。具體而言，在外圓周處的信號(hào)特性嚴(yán)重劣化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明第一方面，提供一種包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，配置來(lái)采用具 有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè)記錄標(biāo)記的通道時(shí)鐘 周期被設(shè)定為T(mén)，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2T、3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記上，多脈沖用來(lái)記錄 長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后脈沖，以及長(zhǎng)度為3Τ或 更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記在這樣的條件下被記錄所述最后脈沖的寬度處在從OT到1. IOT之間的范 圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供一種在上述包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄信 息的方法，所述方法包括采用所述光在所述多個(gè)記錄層的至少一個(gè)上記錄信息。根據(jù)本發(fā)明第三方面，提供一種從上述包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中再現(xiàn)信 息的方法，所述方法包括采用所述光從所述多個(gè)記錄層的至少一個(gè)中再現(xiàn)信息。根據(jù)本發(fā)明第四方面，提供一種盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，用于從上述包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記 錄介質(zhì)中再現(xiàn)信息，所述盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括光發(fā)射器，配置來(lái)將光發(fā)射到多個(gè)記錄層的任一 個(gè)，光接收器，配置來(lái)對(duì)光被發(fā)射到其上的記錄層所反射的光進(jìn)行接收，和再現(xiàn)器，配置來(lái) 根據(jù)所反射的光再現(xiàn)記錄在介質(zhì)上的信息。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并將通過(guò)這些描述使這些目的和優(yōu)點(diǎn)部分地變得明顯，或者可從本發(fā)明的實(shí)踐中得到認(rèn)識(shí)。可通過(guò)下文所具體指出 的手段和組合來(lái)實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖與說(shuō)明書(shū)相結(jié)合并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，這些附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方 案，連同上面的概述以及下面的對(duì)實(shí)施方案的詳細(xì)描述，用以解釋本發(fā)明的主旨。

圖1是示出了 L 1層在5kHz至85kHz處的C/N與r = 57mm時(shí)Ll的PRSNR之間 的關(guān)系的示圖；圖2為用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方案的光盤(pán)結(jié)構(gòu)的例子的視圖；圖3是示出了可用作L到H有機(jī)染料層的有機(jī)染料材料的例子的示圖；圖4A至4C為分別示出了激光束波長(zhǎng)與預(yù)定染料的吸光度之間的關(guān)系的曲線圖；圖5A和5B為分別示出了激光束波長(zhǎng)與預(yù)定染料的吸光度之間的關(guān)系的曲線圖；圖6為示出了在第一實(shí)施方案的一次寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄可重寫(xiě)數(shù)據(jù)的 方法的時(shí)間圖，并且是用于說(shuō)明記錄脈沖波形(寫(xiě)入策略)的示圖；以及圖7為示出了用于重放光盤(pán)的光盤(pán)設(shè)備的結(jié)構(gòu)概要的框圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施方案進(jìn)行描述。一般而言，根據(jù)本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施方案，公開(kāi)了一種具有多個(gè)記錄層的、并且通過(guò)將不超過(guò)450nm的半導(dǎo)體激光發(fā)射 至記錄層可以記錄和再現(xiàn)信息的信息記錄介質(zhì)，并且公開(kāi)了一種使用該信息記錄介質(zhì)的光 盤(pán)設(shè)備，其中當(dāng)通過(guò)使用光檢測(cè)機(jī)構(gòu)來(lái)檢測(cè)被記錄層所反射的光從而再現(xiàn)所記錄的信息 時(shí)，信息的最短標(biāo)記長(zhǎng)度和最短間隔長(zhǎng)度的重復(fù)記錄頻率設(shè)定為X，則在由x/3240至χ/190 表示的頻率范圍內(nèi)，由光檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到的和信號(hào)的最高電平值與x/190處的電平值的比 值低于32dB，或者對(duì)最短標(biāo)記長(zhǎng)度和最短間隔長(zhǎng)度進(jìn)行重復(fù)記錄的信號(hào)的幅度的平均值與 檢測(cè)到的信號(hào)的和信號(hào)的最高電平值的比高于10dB。在本發(fā)明中，可從具有多個(gè)記錄層的信息記錄介質(zhì)的內(nèi)圓周向外圓周很好地進(jìn)行 記錄和再現(xiàn)，其中通過(guò)使用450nm或更小的波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。本發(fā)明人進(jìn)行了大量研究以解決上述現(xiàn)有技術(shù)中信號(hào)特性劣化的問(wèn)題，并且發(fā) 現(xiàn)，低頻噪聲尤其在外圓周區(qū)域?qū)τ涗浱匦杂泻艽蟮挠绊?。例如，?dāng)最短標(biāo)記長(zhǎng)度和最短間隔長(zhǎng)度為0. 204 μ m時(shí)，最短標(biāo)記長(zhǎng)度的兩倍為最 短標(biāo)記和最短間隔的重復(fù)記錄模式的一個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)度。一個(gè)循環(huán)長(zhǎng)度=0. 204μπιΧ2 = 0. 408μπι而且，當(dāng)光盤(pán)的旋轉(zhuǎn)線速度為6. 61m/s時(shí)，光盤(pán)的旋轉(zhuǎn)線速度除以一個(gè)循環(huán)長(zhǎng)度 所得到的值，即6. 61(m/s)/0. 408 μ m = 16. 2M(l/s) = 16. 2MHz為最短標(biāo)記和最短間隔的重復(fù)記錄頻率。當(dāng)該頻率被代入χ/3240 至 χ/190中的χ時(shí)，頻率為5kHz至85kHz。在該頻帶中，使用頻譜分析儀對(duì)再現(xiàn)激光束的 反射光進(jìn)行測(cè)量。設(shè)定頻譜分析儀，使得RBW(分辨率帶寬)為1kHz，并且VBW(視頻帶寬) 為1kHz，輸入波形64次并求平均值。這些條件使得處于85kHz處的值為噪聲電平，5kHz和85kHz間的峰值為載波電平，并且C/N為(載波電平-噪聲電平)。如果C/N值大于32dB，則外圓周處的記錄/再現(xiàn)特性通常會(huì)劣化。本發(fā)明的實(shí)施方案可以使C/N值低于32dB。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，最短標(biāo)記長(zhǎng)度和最短間隔長(zhǎng)度的模式的載波電平 Cst表示最短標(biāo)記長(zhǎng)度和最短間隔長(zhǎng)度的重復(fù)記錄的再現(xiàn)信號(hào)的幅度值，并且Cst/C為Cst 與5kHz和85kHz之間的峰值C的比值。其它實(shí)施方案可使Cst/C高于10dB。如果Cst/C 等于或低于10dB，則記錄信號(hào)的誤碼率特性通常會(huì)劣化。本發(fā)明另一實(shí)施方案的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)使C/N低于32dB且使Cst/C高于10dB，可 從信息記錄介質(zhì)的內(nèi)圓周至外圓周獲得良好的記錄/再現(xiàn)特性。需要注意的是，從實(shí)際角度來(lái)看，C/N可為0 (包括0) dB至32 (不包括32) dB。同樣需要注意的是，從實(shí)際角度來(lái)看，Cst/C可為10 (不包括10) dB至60 (包括60) dB。如果Cst/C高于60dB，則由于信號(hào)過(guò)大，會(huì)使設(shè)備電路飽和。這通常會(huì)使得不能夠 正確地再現(xiàn)信號(hào)。圖1示出了本發(fā)明信息記錄介質(zhì)的Ll記錄層在5kHz至85kHz處的C/N與r = 57mm時(shí)PRSNR之間的關(guān)系。PRSNR表示部分響應(yīng)信噪比。該值越高，信號(hào)特性越好。在這一實(shí)施方案中，當(dāng) PRSNR為12或更高時(shí)，驅(qū)動(dòng)器可以讀取數(shù)據(jù)。PRSNR優(yōu)選為15或更高。從激光束入射側(cè)看，Ll記錄層為第二記錄層。圖2為用于說(shuō)明作為本發(fā)明實(shí)施方案的光盤(pán)例子的一次寫(xiě)入型單側(cè)雙層光盤(pán)100 的結(jié)構(gòu)的例子的視圖。如圖2中的(a)和(b)所示，光盤(pán)100具有由合成樹(shù)脂材料(如聚 碳酸酯(PC))制成的盤(pán)狀透明樹(shù)脂基片101。透明樹(shù)脂基片101具有同心溝槽或螺旋式溝 槽。可通過(guò)使用壓模，由注射成型法來(lái)制造透明樹(shù)脂基片101。有機(jī)染料記錄層105 (其作為第一層(LO))和半透光反射層106順序地堆疊于由 聚碳酸酯等制成的0. 59mm厚透明樹(shù)脂基片101上，并且光敏聚合物(2P樹(shù)脂)104通過(guò)旋涂 法形成于半透光反射層106上。第二層(Li)的溝槽形狀轉(zhuǎn)印至光敏聚合物104上，并且作 為第二層的有機(jī)染料記錄層107和由(例如)銀或銀合金制成的反射膜108順序地堆疊。 0. 59mm厚的透明樹(shù)脂基片(或偽基片)102層壓于堆疊有LO記錄層和Ll記錄層的基片上， 其中在這兩個(gè)基片之間插入有UV固化型樹(shù)脂(粘合層)103。有機(jī)染料記錄層105和107 形成了雙層結(jié)構(gòu)，在這雙層結(jié)構(gòu)中，半透光反射層106和夾層104被夾在中間。這樣獲得的 層壓光盤(pán)的總厚度為約1. 2mm。例如，在透明樹(shù)脂基片101或光敏聚合物104上，形成軌道間距為0. 4 μ m且深度 為60nm的螺旋狀溝槽(在LO和Ll每一層中)。溝槽發(fā)生擺動(dòng)，并且地址信息被記錄到擺 動(dòng)上。在透明樹(shù)脂基片101或光敏聚合物104上形成含有有機(jī)染料的記錄層105和記錄層 107，以填充溝槽。作為形成記錄層105和記錄層107的有機(jī)染料，可以使用其最大吸收波長(zhǎng)區(qū)域向 比記錄波長(zhǎng)(例如405nm)更長(zhǎng)的波長(zhǎng)遷移的有機(jī)染料。而且，設(shè)計(jì)有機(jī)染料使得該有機(jī)染 料在記錄波長(zhǎng)區(qū)域中不是完全沒(méi)有吸收，而是在長(zhǎng)波區(qū)域(例如450nm至600nm)有相當(dāng)大 的吸光度。
當(dāng)上述有機(jī)染料(后面將描述其實(shí)際例子)溶解于溶劑中時(shí)，可通過(guò)旋涂法，輕松 地將該有機(jī)染料以液體的形式涂覆到透明樹(shù)脂基片的表面上。在這種情況中，可通過(guò)控制 溶劑的稀釋比以及旋涂的旋轉(zhuǎn)速度，從而精確地控制膜的厚度。需要注意的是，當(dāng)在信息被記錄之前用記錄激光束在軌道上進(jìn)行聚焦或循軌時(shí)， 光的反射率低。隨后，由于激光束引起染料發(fā)生分解反應(yīng)，并且吸光度降低，因此記錄標(biāo)記 部分的光反射率升高。這就造成了所謂的低到高(或L到H)特性，由于該特性，通過(guò)發(fā)射 激光束而形成的記錄標(biāo)記部分的光反射率要高于發(fā)射激光束之前的光反射率。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，應(yīng)用到存在于透明樹(shù)脂基片101和光敏聚合物(2P樹(shù) 脂)104上的LO層和Ll層的物理格式的例子如下。即，一次寫(xiě)入型單側(cè)雙層光盤(pán)的一般 參數(shù)與單層光盤(pán)的一般參數(shù)幾乎相同，不同之處在于用戶(hù)可用的記錄容量為30GB，層0(L0 層)中的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為24. 6mm，且層1 (Li層)中的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為24. 7mm，并且(在層 0和層1這2層中的)數(shù)據(jù)區(qū)的外徑為58. 1mm。在圖2中(a)所示的光盤(pán)100中，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SLA包括如圖2中(c)所示出的控 制數(shù)據(jù)部分。作為物理格式信息等的一部分，該控制數(shù)據(jù)部分包括針對(duì)LO和Ll每一層的 有關(guān)記錄的參數(shù)，如記錄功率(峰值功率)和偏置功率。另外，如圖2中(d)所示，在光盤(pán)100的數(shù)據(jù)區(qū)DA中，在軌道上以具有預(yù)定記錄功 率(峰值功率)和偏置功率的激光來(lái)進(jìn)行標(biāo)記/間隔記錄。如圖2中(e)所示，該標(biāo)記/ 間隔記錄記錄了高分辨率電視廣播問(wèn)題等的對(duì)象數(shù)據(jù)(例如，V0B)、以及位于數(shù)據(jù)區(qū)DA中 的(L0和/或Ll的)軌道上的對(duì)象數(shù)據(jù)的管理信息(VMG)。作為可用于本發(fā)明實(shí)施方案中的低到高(或L到H)有機(jī)染料，可使用含有染料部 分和反離子(陰離子)部分的有機(jī)染料或者有機(jī)金屬絡(luò)合物。作為所述染料部分，可以使 用(例如)菁染料、苯乙烯基染料、嚇啉染料、或偶氮染料。尤其適合的是菁染料、苯乙烯基 染料、和偶氮染料，這是因?yàn)樗鼈儗?duì)記錄波長(zhǎng)的吸光度容易控制。當(dāng)用含有單次甲基菁染料的記錄薄膜來(lái)涂敷透明樹(shù)脂基片時(shí)，最大吸收以及在記 錄波長(zhǎng)區(qū)域(400nm至405nm)的吸光度可被輕松地調(diào)節(jié)至近似于0. 3至0. 5，優(yōu)選地，調(diào)節(jié) 至近似于0. 4，其中在L到H型有機(jī)染料中，所述單次甲基菁染料具有單次甲基鏈。這使得 能夠改善記錄/再現(xiàn)特性，并能夠很好地設(shè)計(jì)光反射率和記錄靈敏度。同樣從光學(xué)穩(wěn)定性的角度來(lái)看，有機(jī)染料的陰離子部分優(yōu)選為有機(jī)金屬絡(luò)合物。 含有鈷或鎳作為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物尤其具有高的光學(xué)穩(wěn)定性。偶氮金屬絡(luò)合物等可被用作有機(jī)金屬絡(luò)合物。當(dāng)使用2，2，3，3_四氟丙醇 (TFP)作為溶劑時(shí)，偶氮金屬絡(luò)合物具有高的溶解度。這有利于制備用于旋涂的溶液。此 外，由于在旋涂后溶液可以循環(huán)使用，因此可降低信息記錄介質(zhì)的制造成本。需要注意的是，有機(jī)金屬絡(luò)合物可被溶解在TFP溶液中，并通過(guò)旋涂法來(lái)涂覆。當(dāng) 偶氮金屬絡(luò)合物被用于具有兩個(gè)記錄層的信息記錄介質(zhì)中時(shí)，偶氮金屬絡(luò)合物作為由薄的 Ag合金層而制成的LO記錄層是尤其有利的，這是因?yàn)榕嫉饘俳j(luò)合物在記錄后不容易變 形。雖然Cu、Ni、Co、Zn、Fe、Al、Ti、V、Cr、或Y可以用作中心金屬，但是Cu、Ni和Co尤其 具有高的再現(xiàn)光耐性。Cu不具有遺傳毒性，并且可提高記錄/再現(xiàn)信號(hào)的質(zhì)量。多種材料可被用作中心金屬周?chē)呐潴w。其例子為由下列通式(Dl)至(D6)表示 的染料。也可通過(guò)這些配體的組合來(lái)形成其它結(jié)構(gòu)。
圖3示出了可用作本發(fā)明的L到H型有機(jī)染料層的有機(jī)染料材料的染料A至D四 個(gè)例子。染料A具有苯乙烯基染料作為染料部分(陽(yáng)離子部分)，以及偶氮金屬絡(luò)合物1作 為陰離子部分。染料C具有苯乙烯基染料作為染料部分(陽(yáng)離子部分)，以及偶氮金屬絡(luò)合 物2作為陰離子部分。染料D具有單次甲基菁染料作為染料部分(陽(yáng)離子部分)，以及偶氮 金屬絡(luò)合物1作為陰離子部分。需要注意的是，也可單獨(dú)使用有機(jī)金屬絡(luò)合物。染料B為 鎳絡(luò)合物染料便是一個(gè)例子。下文中的通式(El)示出了作為染料A和染料C的染料部分的苯乙烯基染料的結(jié) 構(gòu)式。下文中的通式(E2)示出了作為染料A和染料C的陰離子部分的偶氮金屬絡(luò)合物的 通式。下文中的通式(E3)示出了作為染料D的染料部分的單次甲基菁染料的通式。下文 中的通式(E4)示出了作為染料D的陰離子部分的偶氮金屬絡(luò)合物的通式。 在苯乙烯基染料的通式中，Z3代表芳環(huán)，并且該芳環(huán)可具有取代基。Y31代表碳原 子或雜原子。r31、R32、和R33代表相同的脂肪烴基或不同的脂肪烴基，并且這些脂肪烴基可 具有取代基。R34和R35各自獨(dú)立地代表氫原子或合適的取代基。當(dāng)Y31為雜原子時(shí)，則不存 在R34或者R35，或者R34和R35 二者均不存在。在單次甲基菁染料的通式中，Z1和Z2代表相同的芳環(huán)或不同的芳環(huán)，并且這些芳 環(huán)可具有取代基。Y11和Y12各自獨(dú)立地代表碳原子或雜原子。R11和R12代表脂肪烴基團(tuán)， 并且這些脂肪烴基團(tuán)可具有取代基。R13、R14、R15、和R16各自獨(dú)立地代表氫原子或合適的取 代基。當(dāng)Y11和Y12為雜原子時(shí)，則R13、R14、R15、和R16中的若干個(gè)或者全部不存在。用于該實(shí)施方案中的單次甲基菁染料的例子為通過(guò)將相同的或不同的環(huán)核鍵合 而獲得的染料，其中所述單次甲基菁染料在單次甲基鏈的兩個(gè)末端上具有一個(gè)或多個(gè)取代 基，并且所述單次甲基鏈可具有一個(gè)或多個(gè)取代基。所述環(huán)核的例子為咪唑啉環(huán)、咪唑環(huán)、 苯并咪唑環(huán)、α-萘并咪唑環(huán)、β-萘并咪唑環(huán)、吲哚環(huán)、異吲哚環(huán)、假吲哚(indolenine)環(huán)、 異假吲哚環(huán)、苯并假吲哚環(huán)、吡啶并假吲哚環(huán)、卩惡唑啉環(huán)J惡唑環(huán)、異卩惡唑環(huán)、苯并卩惡唑環(huán)、吡啶并卩惡唑環(huán)、α-萘并卩惡唑環(huán)、β-萘并 惡唑環(huán)、硒唑啉環(huán)、硒唑環(huán)、苯并硒唑環(huán)、α-萘并 硒唑環(huán)、β -萘并硒唑環(huán)、噻唑啉環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、α -萘并噻唑環(huán)、β -萘 并噻唑環(huán)、碲唑啉環(huán)、碲唑環(huán)、苯并碲唑環(huán)、α-萘并碲唑環(huán)、β-萘并碲唑環(huán)、吖啶環(huán)、蒽環(huán)、 異喹啉環(huán)、異吡咯環(huán)、imidanoxaline環(huán)、茚滿(mǎn)二酮環(huán)、吲唑環(huán)、吲唑啉(indaline)環(huán)、二嗯 唑環(huán)、咔唑環(huán)、氧雜蒽環(huán)、喹唑啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹啉環(huán)、色滿(mǎn)環(huán)、環(huán)己二酮環(huán)、環(huán)戊二酮環(huán)、噌 啉環(huán)、噻二唑環(huán)、硫代卩惡唑烷酮(thioxazolidone)環(huán)、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、硫代巴比土酸 環(huán)、海硫因環(huán)、四唑環(huán)、三嗪環(huán)、萘環(huán)、萘啶環(huán)、哌嗪環(huán)、吡嗪環(huán)、吡唑環(huán)、吡唑啉環(huán)、吡唑烷環(huán)、 吡唑啉酮環(huán)、吡喃環(huán)、吡啶環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、吡喃镥環(huán)、吡咯烷環(huán)、吡咯啉環(huán)、吡咯環(huán)、吩嗪 環(huán)、菲啶環(huán)、菲環(huán)、菲并咯啉環(huán)、酞嗪環(huán)、喋啶環(huán)、呋咱環(huán)、呋喃環(huán)、嘌呤環(huán)、苯環(huán)、苯并卩惡嗪環(huán)、 苯并吡喃環(huán)、嗎啉環(huán)、和若丹寧環(huán)。在單次甲基菁染料和苯乙烯基染料的通式中，Z1至Z3代表諸如苯環(huán)、萘環(huán)、吡啶 環(huán)、喹啉環(huán)、和喹喔啉環(huán)之類(lèi)的芳環(huán)，并且這些芳環(huán)可具有一個(gè)或多個(gè)取代基。這些取代 基的例子為脂肪烴基，如甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁 基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己基、庚 基、以及辛基；脂環(huán)烴基，如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、以及環(huán)己基；芳烴基，如苯基、聯(lián)苯基、 鄰甲苯基、間甲苯基、對(duì)甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、以及對(duì)異 丙苯基；醚基，如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧 基、戊氧基、苯氧基、以及苯甲酰氧基；酯基，如甲氧基羰基、三氟甲氧基羰基、乙氧基羰基、 丙氧基羰基、乙酰氧基、和苯甲酰氧基；商素基團(tuán)，如氟、氯、溴、和碘；硫代基團(tuán)，如甲硫基、 乙硫基、丙硫基、丁硫基、以及苯硫基；氨磺?；缂谆被酋；⒍谆被酋；?、乙基氨 磺酰基、二乙基氨磺?；?、丙基氨磺酰基、二丙基氨磺?；?、丁基氨磺?；⒑投』被酋?基；氨基，如伯氨基、甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨基、二丙氨基、異丙氨基、二 異丙氨基、丁氨基、二丁氨基、和哌啶基；氨基甲?；?，如甲基氨基甲?；?、二甲基氨基甲酰 基、乙基氨基甲?；?、二乙基氨基甲?；?、丙基氨基甲?；投被柞；?；以及羥基、 羧基、氰基、硝基、亞磺酸基、磺基、和甲磺?；?。需要注意的是，在這些通式中，Z1和Z2可以 相同或不同。在單次甲基菁染料和苯乙烯基染料的通式中，Yn、Y12和Y31各自獨(dú)立地代表碳原子 或雜原子。該雜原子的例子為周期表中的XV族原子和XVI族原子，如氮原子、氧原子、硫原 子、硒原子、和碲原子。需要注意的是，γη、γ12或Y31所代表的碳原子也可以是主要含有兩個(gè) 碳原子的原子基團(tuán)，如亞乙基或亞乙烯基。同樣需要注意的是，單次甲基菁染料的通式中的 Y11和Y12可以相同或不同。在單次甲基菁染料和苯乙烯基染料的通式中，R11, R12, R31 > R32和R33各自代表脂肪 烴基。該脂肪烴基的例子為甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、丁 基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2- 丁烯基、1，3_ 丁二烯基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲 基戊基、2-甲基戊基、2-戊烯基、己基、異己基、5-甲基己基、庚基、和辛基。該脂肪烴基可具 有一個(gè)或多個(gè)與Z1至Z3的取代基相似的取代基。需要注意的是，單次甲基菁染料通式中的R11和R12可以相同或不同，并且苯乙烯基 染料的通式中的R31、R32和R33可以相同或不同。在單次甲基菁染料和苯乙烯基染料的通式中，R13至R16、R34、和R35在各自的通式中獨(dú)立地代表氫原子或合適的取代基。所述取代基的例子為脂肪烴基，如甲基、三氟甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊 基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己基、庚基、和辛基；醚基，如甲氧基、三氟甲氧基、乙 氧基、丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、苯氧基、以及苯甲酰氧基；鹵素基團(tuán)，如氟、氯、溴、 和碘；以及羥基、羧基、氰基、和硝基。需要注意的是，當(dāng)單次甲基菁染料和苯乙烯基染料的 通式中的Yn、Y12和Y31為雜原子時(shí)，Z1和Z2中的R13至R16中的若干個(gè)或全部是不存在的， 并且Z3中的R34和R35中的一個(gè)或兩個(gè)也是不存在的。在偶氮金屬絡(luò)合物的通式中，A和A'代表相同或不同的5元至10元雜環(huán)基 團(tuán)，并且A和A'各自含有一個(gè)或多個(gè)選自氮原子、氧原子、硫原子、硒原子、和碲原子的 雜原子。雜環(huán)基團(tuán)的例子為呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、哌啶(piperidino)基、哌啶 (piperidyl)基、喹啉基、和異卩惡唑基。該雜環(huán)基團(tuán)可具有一個(gè)或多個(gè)取代基。所述取代基 的例子為脂肪烴基，如甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、 戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、和5-甲基己基；酯 基，如甲氧基羰基、三氟甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、乙酰氧基、三氟乙酰氧基、和 苯甲酰氧基；芳烴基團(tuán)，如苯基、聯(lián)苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對(duì)甲苯基、鄰異丙苯基、間異 丙苯基、對(duì)異丙苯基、二甲苯基、均三甲苯基、苯乙烯基、肉桂?；?、和萘基；以及羧基、羥基、 氰基、和硝基。需要注意的是，形成由該通式所代表的偶氮系有機(jī)金屬絡(luò)合物的偶氮化合物，可 根據(jù)常規(guī)方法來(lái)獲得，該常規(guī)方法為將具有對(duì)應(yīng)于通式的R21和R22或R23和R24的重氮鹽 與雜環(huán)化合物反應(yīng)，其中所述雜環(huán)化合物的分子內(nèi)具有與羰基連接的活性亞甲基。所述雜 環(huán)化合物的例子為異卩惡唑酮化合物、卩惡唑酮化合物、苯并噻吩化合物、吡唑啉酮化合物、巴 比土酸化合物、乙內(nèi)酰脲化合物、以及若丹寧化合物。Y21和Y22代表相同或不同的雜原子， 其選自周期表的XVI族元素，如氧原子、硫原子、硒原子、和碲原子。該通式所表示的偶氮金屬絡(luò)合物通常以金屬絡(luò)合物的形式使用，在這種金屬絡(luò)合 物中，在金屬(中心原子)的周?chē)湮挥幸粋€(gè)或多個(gè)偶氮金屬絡(luò)合物。用作這種中心原子的 金屬元素的例子為鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、鈷、銠、銥、 鎳、鈀、鉬、銅、銀、金、鋅、鎘、和汞，并且尤其優(yōu)選的是鈷。圖4A示出了染料A的吸光度隨發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)變化而發(fā)生的改變。圖4B示 出了染料B的吸光度隨發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)變化而發(fā)生的改變。圖4C示出了染料C的吸 光度隨發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)變化而發(fā)生的改變。圖5A示出了染料D的吸光度隨發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)變化而發(fā)生的改變。圖5B示 出了染料D的陰離子部分的吸光度隨發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)變化而發(fā)生的改變。圖4A至圖5B所顯示出的特征表明，染料A至染料D各自的最大吸收波長(zhǎng)區(qū)域均 向大于記錄波長(zhǎng)(405nm)的區(qū)域遷移。該實(shí)施方案中所說(shuō)明的一次寫(xiě)入型光盤(pán)包括這樣的 記錄薄膜這種記錄薄膜包含具有上述特征的有機(jī)染料，并且該實(shí)施方案中所說(shuō)明的一次 寫(xiě)入型光盤(pán)被給予了所謂的L到H特性，S卩，發(fā)射激光束后的光反射率高于發(fā)射激光束前的 光反射率。因此，即使當(dāng)使用諸如藍(lán)色激光束之類(lèi)的短波長(zhǎng)激光束時(shí)，這種一次寫(xiě)入型光盤(pán) 的(例如)存儲(chǔ)穩(wěn)定性、再現(xiàn)信號(hào)S/N比、以及誤碼率都很出色，并且能夠以出色的實(shí)用水 平高密度地記錄并再現(xiàn)信息。
也就是說(shuō)，在這種一次寫(xiě)入型光盤(pán)中，含有有機(jī)染料的記錄薄膜的最大吸收波長(zhǎng) 比記錄激光束的波長(zhǎng)要長(zhǎng)。由于這可以降低諸如紫外線輻射之類(lèi)的短波長(zhǎng)光的吸收，因此 光學(xué)穩(wěn)定性和信息記錄/再現(xiàn)的可靠性均得以提高。而且，由于信息記錄時(shí)，光的反射率低，因此不會(huì)因反射散射而發(fā)生交叉寫(xiě)入。因 此，即使當(dāng)信息被記錄在相鄰的軌道上時(shí)，也可降低再現(xiàn)信號(hào)S/N比的劣化程度以及誤碼 率。此外，即使在有熱量的情況下，記錄標(biāo)記的對(duì)比度和分辨率也可保持高水平。這有利于 進(jìn)行記錄靈敏度的設(shè)計(jì)。當(dāng)其最大吸收波長(zhǎng)區(qū)域遷移至比記錄波長(zhǎng)(405nm)短的波長(zhǎng)區(qū)域的染料被用作 記錄薄膜時(shí)，該實(shí)施方案中所說(shuō)明的一次寫(xiě)入型光盤(pán)具有所謂的H到L特性，S卩，發(fā)射激光 束后的光反射率低于發(fā)射激光束前的光反射率。因此，即使當(dāng)使用諸如藍(lán)色激光束之類(lèi)的 短波長(zhǎng)激光束時(shí)，這種一次寫(xiě)入型光盤(pán)也具有高的反射率，其(例如)再現(xiàn)信號(hào)S/N比以及 誤碼率都很出色，并且能夠以出色的實(shí)用水平高密度地記錄并再現(xiàn)信息。也就是說(shuō)，在這種一次寫(xiě)入型光盤(pán)中，含有有機(jī)染料的記錄薄膜的最大吸收波長(zhǎng) 比記錄激光束的波長(zhǎng)要短。由于這使得可以吸收或者或多或少地反射諸如紫外線輻射之類(lèi) 的短波長(zhǎng)光，因此光學(xué)穩(wěn)定性和信息記錄/再現(xiàn)的可靠性均得以提高。此外，即使在有熱量的情況下，記錄標(biāo)記的對(duì)比度和分辨率也可保持高水平。這有 利于進(jìn)行記錄靈敏度的設(shè)計(jì)。例子由(例如)聚碳酸酯制備得到直徑為120mm、厚度為0. 6mm的透明樹(shù)脂基片，其中 在這種透明樹(shù)脂基片的表面上具有同心溝槽和槽岸或者螺旋溝槽和槽岸。制備得到由上述通式(Dl)所表示的有機(jī)染料的2，2，3，3-四氟-1-丙醇(TFP)溶 液，該溶液的濃度為1.2重量％。隨后，通過(guò)旋涂將該TFP溶液涂敷于所述透明樹(shù)脂基片上，從而在該透明樹(shù)脂基 片上形成有機(jī)染料層。從涂敷后的有機(jī)染料層的溝槽底部起的厚度為60nm。通過(guò)濺射將由 銀合金制成的IOOnm厚的光反射層堆疊在所獲得的有機(jī)染料層上，從而獲得堆疊有有機(jī)染 料層和光反射層的記錄層。此外，通過(guò)旋涂將UV-固化樹(shù)脂涂敷在光反射層上，并且將厚度為0. 60mm的透明 樹(shù)脂基片102層壓在該UV-固化樹(shù)脂上，從而獲得單側(cè)雙層的一次寫(xiě)入型信息記錄介質(zhì)。通式(Dl)所示的染料為有機(jī)金屬絡(luò)合物。使用上述制得的信息存儲(chǔ)介質(zhì)(單側(cè)雙層評(píng)估光盤(pán))，進(jìn)行再現(xiàn)信號(hào)的評(píng)估實(shí)驗(yàn)。用于評(píng)估的設(shè)備為由Pulstec Industrial公司生產(chǎn)的光盤(pán)評(píng)估設(shè)備0DU-1000。 該設(shè)備的激光波長(zhǎng)為405nm，且NA為0. 65。記錄和再現(xiàn)的線速度選擇為6. 61m/s。記錄信 號(hào)為8至12調(diào)制的隨機(jī)數(shù)據(jù)，并且如圖6所示，通過(guò)使用包含給定記錄功率和兩個(gè)偏置功 率1和2的激光波形來(lái)記錄信息。評(píng)估所采用的記錄條件如下所示。記錄條件的說(shuō)明(寫(xiě)入策略的信息)參見(jiàn)圖6，下面將對(duì)檢測(cè)最佳記錄功率時(shí)所用的記錄波形(記錄時(shí)的暴露條件)進(jìn) 行描述。記錄時(shí)的暴露級(jí)別有記錄功率(峰值功率)、偏置功率1、偏置功率2和偏置功率3 共四個(gè)級(jí)別。在形成長(zhǎng)(4T或更長(zhǎng))的記錄標(biāo)記9時(shí)，以記錄功率(峰值功率)和偏置功 率3之間的多脈沖形式進(jìn)行調(diào)制。在本實(shí)施方案中，在H格式系統(tǒng)和B格式系統(tǒng)的任意一個(gè)中，所獲得的與通道位長(zhǎng)度T相關(guān)的最小標(biāo)記長(zhǎng)度作為2T。在記錄該2T最小標(biāo)記的情況 中，如圖6所示，使用偏置功率1后的記錄功率(峰值功率)電平的一個(gè)寫(xiě)入脈沖，并且在 寫(xiě)入脈沖之后立即臨時(shí)獲得偏置功率2。在記錄3T記錄標(biāo)記9的情況中，在暴露兩個(gè)寫(xiě)入 脈沖之后，即，偏置功率1之后的記錄功率(峰值功率)電平的第一脈沖和最后脈沖之后， 臨時(shí)使用偏置功率2。在記錄長(zhǎng)度為4T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記9的情況中，在經(jīng)多脈沖和寫(xiě)入 脈沖暴露后使用偏置功率2。圖6中的垂直虛線表示通道時(shí)鐘周期。當(dāng)記錄2T最小標(biāo)記時(shí)，激光功率在從時(shí)鐘 邊緣延遲TSFP的位置處上升，并在延遲了從一個(gè)時(shí)鐘跨越部分開(kāi)始的TELP的位置處下降。 在H格式的情形中，緊隨其后的周期(在該周期中，激光功率被設(shè)為偏置功率2)被定義為 TLC0 TSFP、TELP和TLC的值被記錄在物理格式信息PFI (其包含在控制數(shù)據(jù)帶⑶Z中)中。在形成3T或更長(zhǎng)記錄標(biāo)記的情形中，激光功率在從時(shí)鐘邊緣延遲TSFP的位置處 上升，并最后以最后脈沖結(jié)束。緊接在最后脈沖之后，激光功率在TLC期間保持在偏置功率 2。從時(shí)鐘邊緣到最后脈沖的上升/下降定時(shí)的移位時(shí)間被定義為T(mén)SLP、TELP。另外，從時(shí) 鐘邊緣到最后脈沖的下降定時(shí)的移位時(shí)間被定義為T(mén)EFP，并且進(jìn)一步，多脈沖的單脈沖間 隔時(shí)間被定義為T(mén)MP。時(shí)間間隔TELP-TSFP、TMP、TELP-TSLP、和TLC中每一個(gè)均被定義為相對(duì)于最大值 的半值寬度。另外，在本實(shí)施方案中，上述參數(shù)設(shè)置范圍被限定為0. 25T 彡 TSFP 彡 1. 50T (方程式 01)0. OOT 彡 TELP 彡 1. OOT (方程式 02)1. OOT ^ TEFP 彡 1. 75T (方程式 03)-0. IOT 彡 TSLP 彡 1. OOT (方程式 04)0. OOT 彡 TLC 彡 1. OOT (方程式 05)0. 15T 彡 TMP 彡 0. 75T (方程式 06)另外，在本實(shí)施方案中，上述參數(shù)的值可以根據(jù)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度(標(biāo)記長(zhǎng)度)和緊接 在前的/緊接在后的間隔長(zhǎng)度(導(dǎo)引/后續(xù)間隔長(zhǎng)度)而改變或調(diào)整。在本實(shí)施方案中，最短標(biāo)記長(zhǎng)度為0.204 μ m，并且光盤(pán)旋轉(zhuǎn)線速度為6. 61m/s。因 此，最短標(biāo)記和最短間隔的重復(fù)模式的頻率為16.2MHz。當(dāng)該頻率被代入X/3240 至 χ/190中的χ時(shí)，通過(guò)頻譜分析儀所測(cè)出的范圍為5kHz至85kHz。在該范圍中，在85kHz 處的N電平為-89. 8dBm，且最高電平(C電平)為-66. 7dBm。由這些結(jié)果可得出，C/N為 23. ldB( = C電平值-N電平值)。當(dāng)信息被記錄時(shí)，LO的內(nèi)圓周處的PRSNR為18. 7，LO的 外圓周處的I3RSNR為17.6，Ll的內(nèi)圓周處的PRSNR為23. 1，并且Ll的外圓周處的PRSNR 為17.0。即，可在從內(nèi)圓周至外圓周的區(qū)域內(nèi)獲得有利的記錄特性。當(dāng)用該最佳記錄功率 (通過(guò)該最佳記錄功率而獲得最高SbER和I3RSNR)來(lái)重復(fù)記錄作為最短標(biāo)記的2T時(shí)，通過(guò) 頻譜分析儀測(cè)出的載波電平(Cst)為-43. 5dB。Cst/C為23. 2dB。載波電平(Cst)表示的是當(dāng)用該最佳記錄功率來(lái)重復(fù)記錄2T并隨后進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)， 所獲得的多個(gè)再現(xiàn)信號(hào)振幅的平均值。比較例按照與實(shí)施例相同的步驟制造信息記錄介質(zhì)，并記錄信息。在5kHz至85kHz范圍內(nèi)，在85kHz處的N電平為-89. OdBmX電平為-49. 7dBm。由這些結(jié)果可得出，C/N為39. 3dB。 當(dāng)信息被記錄時(shí)，LO的內(nèi)圓周處的PRSNR為20. 9，LO的外圓周處的PRSNR為19. 8，Ll的內(nèi) 圓周處的PRSNR為21. 2，并且Ll的外圓周處的PRSNR為11.4。S卩，可在LO和Ll的內(nèi)圓周 獲得有利的記錄特性，但在其外圓周處的記錄特性劣化。當(dāng)用該最佳記錄功率(通過(guò)該最 佳記錄功率而獲得最高的SbER和I3RSNR)來(lái)重復(fù)記錄作為最短標(biāo)記的2T時(shí)，通過(guò)頻譜分析 儀測(cè)出的 Cst 為-45. OdB。Cst/C 為 4. 7dB。在該比較例中，雖然其信息記錄介質(zhì)是按照與上述實(shí)施例相同的程序制造的，但 是在外圓周處的特性劣化。這是因?yàn)橛蓛蓚€(gè)層所產(chǎn)生的高密度造成了外圓周處的信號(hào)特性 劣化。本發(fā)明可通過(guò)上述方法輕松地評(píng)估特性發(fā)生劣化的介質(zhì)，并且可以?xún)H選擇這樣的 介質(zhì)，從該介質(zhì)的內(nèi)圓周至外圓周可獲得良好的信號(hào)特性。需要注意的是，本發(fā)明并不限于上述例子，并且當(dāng)現(xiàn)在或?qū)?lái)實(shí)施本發(fā)明時(shí)，可以 在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，基于現(xiàn)在的技術(shù)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改。例如，本 發(fā)明不僅可以在雙層光盤(pán)中實(shí)施，也可以在將來(lái)可能會(huì)被實(shí)際應(yīng)用的具有三層或更多記錄 層的光盤(pán)中得以實(shí)施。下面將對(duì)用于將記錄于上述光盤(pán)上的信息進(jìn)行再現(xiàn)的光盤(pán)設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖7為示出用于光盤(pán)重放的光盤(pán)設(shè)備的結(jié)構(gòu)概要的框圖。如圖7所示，光盤(pán)為(例如)圖2所示的單側(cè)雙層光盤(pán)。短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光源120 被用作光源。出射光束的波長(zhǎng)位于(例如)400nm至410nm的紫外波長(zhǎng)帶。由半導(dǎo)體激光 源120發(fā)出的出射光束110被準(zhǔn)直透鏡121校準(zhǔn)成為平行光束，并通過(guò)偏振分束器122和 λ/4板123進(jìn)入物鏡124。隨后，光束110穿過(guò)光盤(pán)D的基片并聚焦于各信息記錄層。從 光盤(pán)D的信息記錄層反射回的反射光111再次穿過(guò)光盤(pán)D的基片，并穿過(guò)物鏡124和λ/4 板123后被偏振分束器122反射。隨后，反射光111通過(guò)聚光透鏡125進(jìn)入光檢測(cè)機(jī)構(gòu)。光檢測(cè)機(jī)構(gòu)包含光電檢測(cè)器127和未示出的I/V放大器(電流電壓轉(zhuǎn)換器)。光 電檢測(cè)器127的光接收部分通常分成多個(gè)部分，并且各個(gè)光接收部分均輸出與光密度相對(duì) 應(yīng)的電流。ΙΛ放大器(電流電壓轉(zhuǎn)換器)將輸出電流轉(zhuǎn)換成為電壓，并將該電壓施加到 運(yùn)算電路140。運(yùn)算電路140通過(guò)輸入電壓信號(hào)來(lái)計(jì)算(例如)傾斜誤差信號(hào)、HF信號(hào)、聚 焦誤差信號(hào)、及循軌誤差信號(hào)。傾斜誤差信號(hào)用于進(jìn)行傾斜控制。HF信號(hào)用于再現(xiàn)記錄在 光盤(pán)D上的信息。用于本發(fā)明的和信號(hào)即為該HF信號(hào)。聚焦誤差信號(hào)用于進(jìn)行聚焦控制。 循軌誤差信號(hào)用于進(jìn)行循軌控制。致動(dòng)器128可以沿垂直方向、光盤(pán)徑向、和傾斜方向(徑向或/和切線方向)驅(qū)動(dòng) 物鏡124。伺服驅(qū)動(dòng)器150控制著致動(dòng)器128，從而使得物鏡124跟隨著光盤(pán)D上的信息軌 道。需要注意的是，存在兩個(gè)不同的傾斜方向。其中之一的“徑向傾斜”發(fā)生于光盤(pán)表面向 光盤(pán)中心傾斜時(shí)。另一個(gè)傾斜方向“切線傾斜”沿著軌道的切線方向發(fā)生。通常由于光盤(pán) 的翹曲而發(fā)生的傾斜為徑向傾斜。不僅需要考慮到在光盤(pán)制造過(guò)程中所發(fā)生的傾斜，還需 要對(duì)因光盤(pán)隨時(shí)間的推移發(fā)生變化而發(fā)生的傾斜、或是因使用環(huán)境的快速改變而發(fā)生的傾 斜加以考慮?？赏ㄟ^(guò)使用類(lèi)似于這種的光盤(pán)設(shè)備對(duì)本發(fā)明的光盤(pán)進(jìn)行重放。另外，在實(shí)際操作中，也可將各實(shí)施方案盡可能恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行組合。在這種情況中， 可獲得組合效果。此外，這些實(shí)施方案包括不同階段的多種發(fā)明，因此可通過(guò)將多種公開(kāi)的構(gòu)成要素進(jìn)行恰當(dāng)?shù)亟Y(jié)合，從而提煉出各種發(fā)明。例如，即使刪除實(shí)施方案中所公開(kāi)的全部 構(gòu)成要素中的若干個(gè)構(gòu)成要素時(shí)，也可以將其構(gòu)成要素被刪除后的構(gòu)造提煉為發(fā)明。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易想到其它的優(yōu)點(diǎn)和變形。因此，本發(fā)明的更寬的方面并 不局限于本文所示出和描述的具體細(xì)節(jié)以及代表性的實(shí)施方案。所以，在不脫離由所附權(quán) 利要求及其等同概念所限定的廣義發(fā)明概念的精神或范圍的情況下，可以進(jìn)行多種修改。
權(quán)利要求
一種包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，配置來(lái)采用具有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè)記錄標(biāo)記的通道時(shí)鐘周期被設(shè)定為T(mén)，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2T、3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記上，多脈沖用來(lái)記錄長(zhǎng)度為3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后脈沖，以及長(zhǎng)度為3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記在這樣的條件下被記錄所述最后脈沖的寬度處在從0T到1.10T之間的范圍內(nèi)。
2.一種在包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄信息的方法，所述光學(xué)記錄介質(zhì)配置 來(lái)采用具有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè)記錄標(biāo)記的 通道時(shí)鐘周期被設(shè)定為Τ，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2Τ、3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記上，多脈沖 用來(lái)記錄長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后脈沖，以及如 果所述最后脈沖的寬度處在從OT到1. IOT之間的范圍內(nèi)則記錄長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo) 記，所述方法包括步驟采用所述光在所述多個(gè)記錄層的至少一個(gè)上記錄信息。
3.—種從包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中再現(xiàn)信息的方法，在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上 至少部分地采用具有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè)記錄標(biāo)記 的通道時(shí)鐘周期被設(shè)定為Τ，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2Τ、3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記上，多脈 沖用來(lái)記錄長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后脈沖，以及 如果所述最后脈沖的寬度處在從OT到1. IOT之間的范圍內(nèi)則記錄長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄 標(biāo)記，所述方法包括步驟采用所述光從所述多個(gè)記錄層的至少一個(gè)中再現(xiàn)信息。
4.一種盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，用于從包括多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中再現(xiàn)信息，在所述光學(xué)記 錄介質(zhì)上至少部分地采用具有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè) 記錄標(biāo)記的通道時(shí)鐘周期被設(shè)定為Τ，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2Τ、3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo) 記上，多脈沖用來(lái)記錄長(zhǎng)度為3Τ或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后 脈沖，以及如果所述最后脈沖的寬度處在從OT到1. IOT之間的范圍內(nèi)則記錄長(zhǎng)度為3Τ或 更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括光發(fā)射器，配置來(lái)將光發(fā)射到多個(gè)記錄層的任一個(gè)，光接收器，配置來(lái)對(duì)光被發(fā)射到其上的記錄層所反射的光進(jìn)行接收，和再現(xiàn)器，配置來(lái)根據(jù)所反射的光再現(xiàn)記錄在介質(zhì)上的信息。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光學(xué)記錄介質(zhì)、記錄方法、再現(xiàn)方法和盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。光學(xué)記錄介質(zhì)包括多個(gè)記錄層，配置來(lái)采用具有預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息，其中用于在記錄層上記錄至少一個(gè)記錄標(biāo)記的通道時(shí)鐘周期被設(shè)定為T(mén)，所述信息可以記錄在長(zhǎng)度為2T、3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記上，多脈沖用來(lái)記錄長(zhǎng)度為3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記，所述多脈沖在其結(jié)束處包括一個(gè)最后脈沖，如果所述最后脈沖的寬度處在從0T到1.10T之間的范圍內(nèi)，則記錄長(zhǎng)度為3T或更長(zhǎng)的記錄標(biāo)記。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101930769SQ20101026539
公開(kāi)日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2008年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月18日
發(fā)明者中村直正, 梅澤和代, 森下直樹(shù), 森田成二, 勝田伸一, 高澤孝次 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝