專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)及采用該光記錄介質(zhì)的光盤驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)包括一層由高反射材料制成的反射層。金銀是目前應(yīng)用最為廣泛 的反射材料。除了需要有高反射率以外，光記錄介質(zhì)還需要耐受潮濕及溫度的影響。金銀在制造光記錄介質(zhì)過程中的使用增加了光記錄介質(zhì)的成本。過去所做的各種 嘗試致力于尋找比金銀便宜的替代品。然而，這些嘗試的失敗很大程度上歸因于對高反射 率及對潮濕和溫度的高耐受性的需求上。如上述討論，有必要提供一種使用低成本反射材料從而相對于傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)具 有較低成本的光記錄介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個實(shí)施例是提供一個光記錄介質(zhì)(及其制造方法和系統(tǒng))。本發(fā)明的另一個實(shí)施例是提供一種利用低成本反射材料的光記錄介質(zhì)，從而使其 相對于傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)具有更低的成本。本發(fā)明的一個實(shí)施例提供的光記錄介質(zhì)包括一個基底、一層形成于基底上的記錄 層、一層形成于記錄層上的反射層、以及一層形成于反射層上的保護(hù)層。光記錄介質(zhì)可為壓 縮光盤(⑶)或數(shù)字通用光盤(DVD)。本發(fā)明的另一個實(shí)施例提供的光記錄介質(zhì)包括一個基底、一層形成于基底上的反 射層、一層形成于反射層上的記錄層、以及一層形成于記錄層上的保護(hù)層。光記錄介質(zhì)可為 藍(lán)光光盤(BD)。反射層至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層包含質(zhì)量百分 含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層還包含鎳和鉍中的至少其中之一。本發(fā)明的一個具體實(shí)施例中，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例中，反射層包含(以質(zhì)量百分含 量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。因?yàn)榉瓷鋵硬捎玫统杀镜姆瓷洳牧现瞥?，使得光記錄介質(zhì)的制造成本下降。因此， 本發(fā)明的光記錄介質(zhì)相對于傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)具有較低的成本。


圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例一的光記錄介質(zhì)的各層。圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例二的光記錄介質(zhì)的各層。圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例三的光記錄介質(zhì)的各層。圖4所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的系統(tǒng)。
圖5所示為本發(fā)明另一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的系統(tǒng)。圖6所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的方法。圖7所示為本發(fā)明另一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的方法。圖8所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的光盤驅(qū)動器，其用于在所制造的光記錄介質(zhì)上讀
與fn息。
具體實(shí)施例方式名詞解釋光記錄介質(zhì)光記錄介質(zhì)是指一種能夠記錄和復(fù)制數(shù)據(jù)的光學(xué)介質(zhì)。光記錄介質(zhì)的實(shí)例包括但不限于以下類型壓縮光盤(Compact Discs,⑶s)、數(shù)字通用光盤(Digital Versatile Discs, DVDs)、高清晰數(shù)字通用光盤(High-DefinitionDVDs，HD-DVDs)、藍(lán)光光 盤(Blu-ray Discs, BDs)及迷你光盤(MiniDiscs，MDs)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解“光 記錄介質(zhì)”不僅僅限定于上述例子?；谆诪楣庥涗浗橘|(zhì)的各層提供支撐。記錄層記錄層用以記錄數(shù)據(jù)。反射層反射層能夠反射照射在光記錄介質(zhì)上的光線。然后反射光線可被光探測 器接收。保護(hù)層保護(hù)層能夠保護(hù)位于其下的各層免受外界因素，諸如刮擦及臟污損壞。緩沖層緩沖層能夠控制光記錄介質(zhì)的各層之間的熱傳導(dǎo)?；仔纬蓡卧仔纬蓡卧靡垣@得一個具有所需形狀與尺寸的基底。記錄層形成單元記錄層形成單元用以形成一層記錄層。反射層形成單元反射層形成單元用以形成一層反射層。反射層形成單元可用于 以濺射_沉積反射材料的方式形成反射層。保護(hù)層形成單元保護(hù)層形成單元用以形成保護(hù)層。光盤驅(qū)動器光盤驅(qū)動器為一種能夠在光記錄介質(zhì)上讀寫信息的裝置。托盤托盤被用以承載光記錄介質(zhì)。光源光源用以發(fā)射預(yù)定波長的光線。光學(xué)透鏡光學(xué)透鏡用以聚焦光線于光記錄介質(zhì)上。光探測器光探測器用以探測從光記錄介質(zhì)上反射出的光線。旋轉(zhuǎn)體旋轉(zhuǎn)體用以旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)，從而使光線被引導(dǎo)至光記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，光記錄介質(zhì)包括一個基底、一層形成于基底上的記錄 層、一層形成于記錄層上的反射層以及一層形成于反射層上的保護(hù)層。光記錄介質(zhì)可為CD 或 DVD。根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例，光記錄介質(zhì)包括一個基底、一層形成于基底上的反 射層、一層形成于反射層上的記錄層以及一層形成于記錄層上的保護(hù)層。光記錄介質(zhì)可為 BD0根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。本發(fā)明的一個實(shí) 施例中，反射層包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。 除了銅和鋅以外，反射層還可包含其他適合的金屬。本發(fā)明的一個實(shí)施例中，反射層還包含鎳與鉍中的至少其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分 含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層通過濺射_沉積反射材料的方式形成，該反射 材料包括含量配比大體接近理想預(yù)定配比的銅和鋅兩種物質(zhì)。而該反射材料可被按照預(yù)定 配比的形式制成濺射靶。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50 %的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，光記錄介質(zhì)可滿足各種測試參數(shù)。圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例一的光記錄介質(zhì)100的各層。請參閱圖1，光記錄介質(zhì) 100包括基底102、形成于基底102上的記錄層104、形成于記錄層104上的反射層106，以 及形成于反射層106上的保護(hù)層108?；?02可由聚碳酸酯或塑料制成。記錄層104用以記錄數(shù)據(jù)。記錄層104可由有機(jī)染料，諸如氰藍(lán)(Cyanine)、酞菁 (Phthalocyanine)、偶氮化合物(Azo Compounds)、甲暨(Formazan)、二吡咯亞甲基化合物 (Dipyrromethene Compounds)及上述材料的任意組合制成。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層106至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。本實(shí)施例中， 反射層106包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。除了銅和鋅以外，反射層106還可包括其他任何合適的金屬。本實(shí)施例中，反射層 106還包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層106包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的 銅、15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層106包含(以 質(zhì)量百分含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及的鉍。箭頭110代表照射于光記錄介質(zhì)100上的光線的方向。光線被反射層106反射， 然后可被光探測器接收，這可實(shí)現(xiàn)在光記錄介質(zhì)100上追蹤光線。保護(hù)層108能夠保護(hù)記錄層104和反射層106不被損壞。保護(hù)層108可由丙烯酸 清漆(Acrylic Lacquer)制成。另外，保護(hù)層108可包括一層粘結(jié)層及一個偽基板(Dummy Substrate)。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50 %的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，光記錄介質(zhì)100可滿足各種測試參數(shù)。光存儲介質(zhì)100可為任何適宜的類型、形狀及尺寸。光記錄介質(zhì)100的實(shí)例包括 但不限于⑶s、DVDs、HD-DVDs以及MDs。光記錄介質(zhì)100可為可記錄型、復(fù)寫形、只讀型或 者隨機(jī)存儲型。圖1僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s?？梢岳斫?，光記 錄介質(zhì)100的細(xì)節(jié)性設(shè)計僅為了便于閱讀，而不應(yīng)被解釋為限定光記錄介質(zhì)100于具體數(shù) 量、形狀、尺寸、類型，以及光記錄介質(zhì)100各層的排列。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)可了解根 據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例二的光記錄介質(zhì)200的各層。請參閱圖2，光記錄介質(zhì) 200包括基底202、形成于基底202上的反射層204、形成于反射層204上的記錄層206，以及形成于記錄層206上的保護(hù)層208。基底202可由聚碳酸酯或塑料制成。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層204至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。本實(shí)施例中， 反射層204包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。
除了銅和鋅以外，反射層204還可包含其他任何合適的金屬。本實(shí)施例中，反射層 204還包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層204包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的 銅、15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層204包含(以 質(zhì)量百分含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及的鉍。箭頭210代表照射于光記錄介質(zhì)200上的光線的方向。光線被反射層204反射， 然后可被光探測器接收，這可實(shí)現(xiàn)在光記錄介質(zhì)200上追蹤光線。記錄層206用以記錄數(shù)據(jù)。記錄層206可由有機(jī)染料或者無機(jī)相變材料 (Phase-changing Inorganic Material)制成。有機(jī)染料的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、 偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲基化合物及上述材料的任意組合制成。保護(hù)層208能夠保護(hù)記錄層206不被損壞。保護(hù)層208可由丙烯酸基聚合物 (Acrylic-based Polymer)制成。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50 %的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，光記錄介質(zhì)200可滿足各種測試參數(shù)。光存儲介質(zhì)200可為任何適宜的類型、形狀及尺寸。光記錄介質(zhì)200可為藍(lán)光光 盤(BD)。光記錄介質(zhì)200可為可記錄型、復(fù)寫形、只讀型或者隨機(jī)存儲型。圖2僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s。可以理解，光記 錄介質(zhì)200的細(xì)節(jié)性設(shè)計僅為了便于閱讀，而不應(yīng)被解釋為限定光記錄介質(zhì)200于具體數(shù) 量、形狀、尺寸、類型，以及光記錄介質(zhì)200各層的排列。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)可了解根 據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例三的光記錄介質(zhì)300的各層。請參閱圖3，光記錄介質(zhì) 300包括基底302、形成于基底302上的反射層304、形成于反射層304上的第一緩沖層306、 形成于緩沖層306上的記錄層308、形成于記錄層308上的第二緩沖層310，以及形成于第 二緩沖層310上的保護(hù)層312?；?02可由聚碳酸酯或塑料制成。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層304至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。本實(shí)施例中， 反射層304包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。除了銅和鋅以外，反射層304還可包含其他任何合適的金屬。本實(shí)施例中，反射層 304還包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層304包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的 銅、15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層304包含(以 質(zhì)量百分含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及的鉍。箭頭314代表照射于光記錄介質(zhì)300上的光線的方向。光線被反射層304反射， 然后可被光探測器接收，這可實(shí)現(xiàn)在光記錄介質(zhì)300上追蹤光線。第一緩沖層306能夠控制反射層304與記錄層308之間的熱傳導(dǎo)。第一緩沖層306可由絕緣材料制成。記錄 層308用以記錄數(shù)據(jù)。記錄層308可由有機(jī)染料或無機(jī)相變材料制成。有機(jī) 染料的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲基化合物及上述材料 的任意組合制成。第二緩沖層310能夠控制記錄層308與保護(hù)層312之間的熱傳導(dǎo)。第二緩沖層 310可由絕緣材料制成。保護(hù)層312能夠保護(hù)記錄層308不被損壞。保護(hù)層312可由丙烯酸基聚合物制成。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50 %的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，光記錄介質(zhì)300可滿足各種測試參數(shù)。光存儲介質(zhì)300可為任何適宜的類型、形狀及尺寸。光記錄介質(zhì)300可為藍(lán)光光 盤(BD)。光記錄介質(zhì)300可為可記錄型、復(fù)寫形、只讀型或者隨機(jī)存儲型。圖3僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s?？梢岳斫?，光記 錄介質(zhì)300的細(xì)節(jié)性設(shè)計僅為了便于閱讀，而不應(yīng)被解釋為限定光記錄介質(zhì)300于具體數(shù) 量、形狀、尺寸、類型，以及光記錄介質(zhì)300各層的排列。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)可了解根 據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。圖4所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的系統(tǒng)400。系統(tǒng)400包括基底 形成單元402、記錄層形成單元404、反射層形成單元406以及保護(hù)層形成單元408?；仔纬蓡卧?02用以獲得一個基底?；仔纬蓡卧?02可成型聚合材料以形成 一個理想形狀和尺寸的基底。聚合材料可為聚碳酸酯或塑料?；仔纬蓡卧?02可為一個注射成型單元，其可在一個注塑模具中注射成型聚合 物材料。記錄層形成單元404用以在基底上形成一層記錄層。記錄層可由有機(jī)染料制成。 有機(jī)染料的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲基化合物及上述 材料的任意組合制成。記錄層形成單元404可采用染料與對應(yīng)溶劑混合的溶液進(jìn)行旋涂 (spincoating)，隨后再將溶劑烘干。記錄層形成單元404可被用以形成多于一層的記錄層。記錄層的數(shù)量可取決于待 制造的光記錄介質(zhì)的類型。反射層形成單元406用以在記錄層上形成一層反射層。反射層采用反射材料制 成，反射材料至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。因此，所形成的反射層至少包含預(yù)定配比的銅 和鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為 15-45% 的鋅。反射層形成單元406可為一個濺射單元用以在記錄層上濺射_沉積反射材料。因 此，反射材料可被按照預(yù)定配比制成濺射靶的形態(tài)。如前所述，反射層還可包含其他適合的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層還 包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分 含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。
保護(hù)層形成單元408用 以在反射層上形成一層保護(hù)層。保護(hù)層可采用丙烯酸清漆 制成。在這種情況下，保護(hù)層形成單元408可進(jìn)行旋涂及隨后紫外線固化的方式形成保護(hù) 層。在另一個例子中，保護(hù)層可包括一層粘結(jié)層和一個偽基板。這種情況下，保護(hù)層形成單 元408可形成粘結(jié)層，然后將偽基板連接于粘結(jié)層上。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50%的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，所制造的光記錄介質(zhì)可滿足各種測試參數(shù)。圖4僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s。本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)可了解根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。圖5所示為本發(fā)明另一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的系統(tǒng)500。系統(tǒng)500包括基 底形成單元502、反射層形成單元504、記錄層形成單元506及保護(hù)層形成單元508?；仔纬蓡卧?02用以獲得一個基底?；仔纬蓡卧?02可成型聚合材料以形成 一個理想形狀和尺寸的基底。聚合材料可為聚碳酸酯或塑料?；仔纬蓡卧?02可為一個注射成型單元，其可在一個注塑模具中注射成型聚合 物材料。反射層形成單元504用以在基底上形成一層反射層。反射層采用反射材料制成， 反射材料至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。因此，所形成的反射層至少包含預(yù)定配比的銅和 鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為 15-45% 的鋅。反射層形成單元504可為一個濺射單元用以在基底上濺射-沉積反射材料。因此， 反射材料可被按照預(yù)定配比制成濺射靶的形態(tài)。如前所述，反射層還可包含其他適合的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層還 包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分 含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。記錄層形成單元506用以在反射層上形成一層記錄層。記錄層可由有機(jī)染料或無 機(jī)相變材料制成。有機(jī)染料的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲 基化合物及上述材料的任意組合制成。記錄層形成單元506可采用染料與對應(yīng)溶劑混合的溶液進(jìn)行旋涂，隨后再將溶劑 烘干?？梢岳斫猓涗泴有纬蓡卧?06還可進(jìn)行無機(jī)相變材料濺射-沉積。記錄層形成單元506可被用以形成多于一層的記錄層。記錄層的數(shù)量可取決于待 制造的光記錄介質(zhì)的類型。保護(hù)層形成單元508用以在記錄層上形成一層保護(hù)層。例如，保護(hù)層形成單元508 可在記錄層上旋涂丙烯酸基聚合物。根據(jù)本發(fā)明的另外一個實(shí)施例，系統(tǒng)500包括一層緩沖層形成單元用以在反射層 與記錄層之間形成一層第一緩沖層，并在記錄層與保護(hù)層之間形成一層第二緩沖層。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50 %的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，所制造的光記錄介質(zhì)可滿足各種測試參數(shù)。圖5僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)可了解根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。 圖6所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的方法。該方法以邏輯流程圖中 步驟的集合加以說明。邏輯流程圖代表了可于硬件、軟件或硬件與軟件的組合中加以執(zhí)行 的步驟次序。步驟602中，基底被制造。步驟602可包括成型聚合物材料以形成一個理想形狀 及尺寸的基底。聚合物材料可為聚碳酸酯或塑料。步驟602可包括在一個注塑模具中注射成型聚合物材料。步驟604中，一層記錄層被形成于基底上。記錄層可由有機(jī)染料制成。有機(jī)染料 的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲基化合物及上述材料的任 意組合制成。步驟604包括采用染料與對應(yīng)溶劑混合的溶液進(jìn)行旋涂，然后再將溶劑烘干。另外，多于一層的記錄層可在步驟604中被制造。記錄層的數(shù)量可取決于待制造 的光記錄介質(zhì)的類型。步驟606中，一層反射層被形成于記錄層上。如前所述，反射層采用反射材料制 成，反射材料至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。因此，所形成的反射層至少包含預(yù)定配比的銅 和鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為 15-45% 的鋅。步驟606包括在記錄層上濺射_沉積反射材料。因此，反射材料可被按照預(yù)定配 比制成濺射靶的形態(tài)。如前所述，反射層還可包含其他適合的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層還 包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分 含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。步驟608中，一層保護(hù)層被形成于反射層上。保護(hù)層可采用丙烯酸清漆制成。在 這種情況下，步驟608可包括旋涂及后續(xù)的紫外線固化。在另一個例子中，保護(hù)層可包括一 層粘結(jié)層和一個偽基板。這種情況下，步驟608包括形成粘結(jié)層，然后將偽基板連接于粘結(jié)層上。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50%的相對濕度且持續(xù)96個小 時的條件下，所制造的光記錄介質(zhì)可滿足各種測試參數(shù)。需要注意的是，步驟602-608僅為實(shí)例，其它變更設(shè)計可被提供，諸如一些步驟可 被增加，一個或多個步驟可被刪除，或者一個或多個步驟可具有不同次序，這些都不會超出 權(quán)利要求的范圍。圖7所示為本發(fā)明另一個實(shí)施例的制造光記錄介質(zhì)的方法。該方法以邏輯流程圖 中步驟的集合加以說明。邏輯流程圖代表了可于硬件、軟件或硬件與軟件的組合中加以執(zhí) 行的步驟次序。步驟702中，基底被制造。步驟702可包括成型聚合物材料以形成一個理想形狀 及尺寸的基底。聚合物材料可為聚碳酸酯或塑料。步驟702可包括在一個注塑模具中注射成型聚合物材料。
步驟704中，一層反射層被形成于基底上。如前所述，反射層采用反射材料制成， 反射材料至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。因此，所形成的反射層至少包含預(yù)定配比的銅和 鋅。本發(fā)明一個實(shí)施例中，反射層包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為 15-45% 的鋅。步驟704包括在基底上濺射_沉積反射材料。因此，反射材料可被按照預(yù)定配比 制成濺射靶的形態(tài)。如前所述，反射層還可包含其他適合的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，反射層還 包含鎳與鉍中的至少其中之一。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分含量計)60_70%的銅、 15-30%的鋅以及5-20%的鎳。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實(shí)施例，反射層包含(以質(zhì)量百分 含量計)50-65%的銅、30-45%的鋅以及1-10%的鉍。步驟706中，一層記錄層被形成于反射層上。記錄層可由有機(jī)染料或無機(jī)相變材 料制成。有機(jī)染料的實(shí)例包括但不限于氰藍(lán)、酞菁、偶氮化合物、甲暨、二吡咯亞甲基化合物 及上述材料的任意組合制成。步驟706包括采用染料與對應(yīng)溶劑混合的溶液進(jìn)行旋涂，然后再將溶劑烘干。可 以理解，步驟706還可包括濺射-沉積無機(jī)相變材料。另外，多于一層的記錄層可在步驟706中被制造。記錄層的數(shù)量可取決于待制造 的光記錄介質(zhì)的類型。步驟708中，一層保護(hù)層被形成于記錄層上。步驟708可包括在記錄層上旋涂丙 烯酸基聚合物。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一層在反射層與記錄層之間形成一層第一緩沖層的步 驟可被執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的另外一個實(shí)施例，一層在記錄層與保護(hù)層之間形成一層第二緩 沖層的步驟可被執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在承受55°C的溫度和50%的相對濕度且持續(xù)96小時 的條件下，所制造的光記錄介質(zhì)可滿足各種測試參數(shù)。需要注意的是，步驟702-708僅為實(shí)例，其它變更設(shè)計可被提供，諸如一些步驟可 被增加，一個或多個步驟可被刪除，或者一個或多個步驟可具有不同次序，這些都不會違背 權(quán)利要求的范圍。圖8所示為本發(fā)明一個實(shí)施例的用以在光記錄介質(zhì)上讀寫信息的光盤驅(qū)動器 800。光盤驅(qū)動器800包括托盤802、光源804、光學(xué)透鏡806及光探測器808。托盤802用以承載光記錄介質(zhì)。托盤802可在裝載位置與工作位置之間伸展及回縮。光源804用以發(fā)出預(yù)定波長的光線，同時光學(xué)透鏡806用以將光線聚焦在光記錄 介質(zhì)上。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，預(yù)定波長取決于光記錄介質(zhì)的類型。以兩種不同類型 的分別被稱作DVD與BD的光記錄介質(zhì)為例，在DVD的情況下，第一預(yù)定波長的光線將被采 用，在BD的情況下，第二預(yù)定波長的光線將被采用，其中第二預(yù)定波長小于第一預(yù)定波長。并且，光源804還可包括一個控制器用以根 據(jù)操作需要的類型控制光線的量。例 如，不同量的光線可被用于在光記錄介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)或從光記錄介質(zhì)上讀出數(shù)據(jù)。
光探測器808用以探測從光記錄介質(zhì)上反射的光線。已經(jīng)被記錄在光記錄介質(zhì)上 的數(shù)據(jù)可通過確定反射光線的變化被讀出。在光記錄介質(zhì)為圓形的情況下，光盤驅(qū)動器800還可包括一個旋轉(zhuǎn)體用以旋轉(zhuǎn)光 記錄介質(zhì)。當(dāng)光記錄介質(zhì)被旋轉(zhuǎn)時，光線被引導(dǎo)至光記錄介質(zhì)的各個部位。光盤驅(qū)動器800可被應(yīng)用于個人電腦或筆記本電腦中。電腦一般包括一個用以執(zhí) 行各種程序的處理器、一個用以向用戶顯示一個或多個用戶界面的顯示屏以及一個或多個 用以接收用戶輸入信息的輸入裝置。電腦可包括一個能夠在光記錄介質(zhì)上讀寫信息的單一 集成裝置。圖8僅為一個實(shí)例，其不應(yīng)對權(quán)利要求的范圍造成不適當(dāng)?shù)南蘅s。本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)可了解根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例做出其他的變化，變更及改良。本發(fā)明的實(shí)施例提供了 一種光記錄介質(zhì)，其可滿足根據(jù)說明書中提及的 IEC68-2-2Ba所列舉的各種測試參數(shù)。這些測試參數(shù)是以一個承受55°C的溫度和50%的相 對濕度且持續(xù)96個小時的光記錄介質(zhì)來測定的。以DVD為例，下列測試參數(shù)將被采用
反射率反射率是光線從光記錄介質(zhì)的擬定區(qū)域(包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、導(dǎo)出區(qū)、中間區(qū)及 數(shù)據(jù)區(qū))返回的百分率的測量指標(biāo)。反射率的值太低將可能導(dǎo)致讀出數(shù)據(jù)出現(xiàn)問題。調(diào)制(Modulation)調(diào)制體現(xiàn)了關(guān)于凹坑形狀的信息，因此，也體現(xiàn)了關(guān)于光記 錄介質(zhì)記錄質(zhì)量的信息。不對稱度(Asymmetry)不對稱度用來檢測包括偏差(deviation)、抖動(Jitter) 及數(shù)字錯誤的信號值。奇偶校驗(yàn)外碼失效(Parity Outer Fail,P0F) :P0F反映了目前在光記錄介質(zhì)中不 能被糾正的模塊數(shù)量。PISumS :PISum8反映了光記錄介質(zhì)的每連續(xù)八個模塊中奇偶校驗(yàn)內(nèi)碼錯誤 (Parity Inner Errors, PIE)的總數(shù)。數(shù)據(jù)對時鐘抖晃(Datato Clock Jitter, DC Jitter) =DC Jitter 反映了相對于 理想時間周期出現(xiàn)的偏差。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種光記錄介質(zhì)以及制造這種光記錄介質(zhì)的方法和系統(tǒng)。 光記錄介質(zhì)包括一層反射層，該反射層至少包含預(yù)定配比的銅和鋅。反射層具有高反射率從而可適用于各種類型的光記錄介質(zhì)。并且，反射層采用低成本的反射材料制成。這減少了制造光記錄介質(zhì)的總成本，從 而降低了所制造光記錄介質(zhì)的成本。進(jìn)一步地，所制造的光記錄介質(zhì)在標(biāo)準(zhǔn)所指定的條件下是穩(wěn)定的，因此，其質(zhì)量是 可靠的。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對 以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，其包括一個基底、一層形成于該基底上的記錄層、一層形成于該記 錄層上的反射層以及一層形成于該反射層上的保護(hù)層，該記錄層被用以記錄數(shù)據(jù)，其特征 在于該反射層至少包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層進(jìn)一步包含選自鎳與鉍中 的至少一種金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層包含質(zhì)量百分含量為 60-70%的銅、質(zhì)量百分含量為15-30%的鋅及質(zhì)量百分含量為5-20%的鎳。
4.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層包含質(zhì)量百分含量為 50-65%的銅、質(zhì)量百分含量為30-45%的鋅及質(zhì)量百分含量為的鉍。
5.一種光記錄介質(zhì)，其包括一個基底、一層形成于該基底上的反射層、一層形成于該反 射層上的記錄層以及一層形成于該記錄層上的保護(hù)層，該記錄層被用于記錄數(shù)據(jù)，其特征 在于該反射層至少包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅。
6.如權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層進(jìn)一步包含選自鎳與鉍中 的至少一種金屬。
7.如權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層包含質(zhì)量百分含量為 60-70%的銅、質(zhì)量百分含量為15-30%的鋅及質(zhì)量百分含量為5-20%的鎳。
8.如權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于該反射層包含質(zhì)量百分含量為 50-65%的銅、質(zhì)量百分含量為30-45%的鋅及質(zhì)量百分含量為的鉍。
9.一種光盤驅(qū)動器用以在一個光記錄介質(zhì)上讀寫信息，該光記錄介質(zhì)包括一層反射 層，該反射層至少包含質(zhì)量百分含量為50-75%的銅和質(zhì)量百分含量為15-45%的鋅，該光 盤驅(qū)動器包括一個托盤用以承載該光記錄介質(zhì)；一個光源用以發(fā)射預(yù)定波長的光線；一個光學(xué)透鏡用以將該光線聚焦在該光記錄介質(zhì)上；及一個光探測器用以探測從該光記錄介質(zhì)上反射出的光線。
10.如權(quán)利要求9所述的光盤驅(qū)動器，其特征在于該光盤驅(qū)動器進(jìn)一步包括一個旋轉(zhuǎn) 體用以旋轉(zhuǎn)該光記錄介質(zhì)，從而使光線被引導(dǎo)至該光記錄介質(zhì)。
全文摘要
光記錄介質(zhì)及制造光記錄介質(zhì)的方法和系統(tǒng)被提供。光記錄介質(zhì)包括基底及形成于基底上的記錄層和反射層。反射層至少包含預(yù)定配比的銅和鋅，其中銅的質(zhì)量百分含量為50-75％，鋅的質(zhì)量百分含量為15-45％。記錄層可形成于基底或反射層上用以記錄數(shù)據(jù)。保護(hù)層可形成于反射層或記錄層上。
文檔編號G11B7/249GK102005223SQ201010263749
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者吉里拉吉尼阿提, 維諾德夏爾馬, 阿基爾泰雅 申請人:莫澤巴爾印度有限公司