專利名稱：微致動(dòng)器偏移校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種光驅(qū)，尤其是關(guān)于光驅(qū)中光學(xué)讀取頭的微致動(dòng)器，用以校正移動(dòng) 物鏡的平移電壓產(chǎn)生偏移誤差的方法。
背景技術(shù)：
一般光學(xué)讀取頭是利用微致動(dòng)器(Actuator)承載物鏡，并控制供給電壓大小所 形成相對的電磁力，在磁場中水平及垂直方向驅(qū)動(dòng)物鏡，使物鏡投射的激光束，定位聚焦在 光盤片，以讀寫光盤片。如圖1所示，為先前技術(shù)的微致動(dòng)器1，具有一基座2，四支彈性的金屬線3分別由 基座2的兩側(cè)，延伸連接在承座4的兩側(cè)，支撐承座4在基座2中漂浮移動(dòng)。承座4中央承 載投射激光束的物鏡5，四周纏繞水平電磁線圈6，前后則設(shè)有垂直電磁線圈7。基座2延 伸L型底板8，在底板8的兩端分別設(shè)磁塊9，使承座4介于兩磁塊9之間。微致動(dòng)器1利 用控制電壓量至水平電磁線圈6及垂直電磁線圈7產(chǎn)生不同方向的電磁力，與兩磁塊9的 磁力形成交互作用，以驅(qū)動(dòng)承座4抵抗四支金屬線3的彈性，沿著聚焦方向F上下移動(dòng)，或 沿著循軌方向T左右移動(dòng)。如圖2所示，為微致動(dòng)器1驅(qū)動(dòng)物鏡5產(chǎn)生偏移的狀態(tài)。先前技術(shù)的微致動(dòng)器1 固定在光學(xué)讀取頭10中，并隨著光學(xué)讀取頭10粗略移動(dòng)至讀寫目標(biāo)位置附近，即由微致動(dòng) 器1利用電壓產(chǎn)生電磁力，抵抗金屬線3的彈性細(xì)微移動(dòng)物鏡5。由于金屬線3的彈性與電 壓的電磁力大小有一定的比例關(guān)系，微致動(dòng)器1在循軌方向T，施加一定量的平移電壓Tvn， 可移動(dòng)物鏡5離開零電壓TvO的中心相對比例的位置，控制物鏡5在循軌方向T移動(dòng)定位。 同樣在聚焦方向F供給定量的聚焦電壓Fv，可控制物鏡5的焦點(diǎn)在聚焦方向F比例移動(dòng)，以 進(jìn)行目標(biāo)位置的定位及聚焦。然而，微致動(dòng)器1常因制造組裝的誤差、金屬線材質(zhì)不均、線圈纏繞質(zhì)量不良及電 磁線圈間相互作用，尤其在磁場變化較大的周邊區(qū)域，造成物鏡5未依電壓大小比例移動(dòng)。 以致造成在不同的聚焦電壓電平FvO、Fvl、Fv2下，同樣大小的平移電壓Tvn，平移不同的距 離dl、d2、d3，導(dǎo)致在循軌方向T的平移位置產(chǎn)生誤差。前述的誤差，在閉回路的控制中，雖 然可通過循軌誤差，將物鏡5移動(dòng)到所需的位置。但是在開回路的控制中，尤其在無法進(jìn)行 循軌伺服的標(biāo)簽面繪制標(biāo)簽圖案時(shí)，并無法不能自動(dòng)消除循軌方向T所造的平移誤差，導(dǎo) 致微致動(dòng)器1移動(dòng)物鏡5精度不足，無法達(dá)到光學(xué)讀取頭越來越精密的讀寫的要求，更會(huì)造 成標(biāo)簽圖案的扭曲變形。因此，先前技術(shù)微致動(dòng)器在平移物鏡的方法上，仍有校正的問題亟 待解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種微致動(dòng)器偏移校正方法，通過不同高度的參考反射面 及預(yù)設(shè)校正點(diǎn)，比對基準(zhǔn)參考反射面的平移電壓所產(chǎn)生偏移量，形成平移電壓偏移曲線，校 正微致動(dòng)器循軌方向T不同位置平移電壓的偏移量，以提高微致動(dòng)器平移精度。
本發(fā)明另一目的在于提供一種微致動(dòng)器偏移校正方法，根據(jù)微致動(dòng)器的平移電壓 及聚焦電壓，利用內(nèi)插或外插平移電壓偏移曲線，取得偏移量校正平移電壓，以改善標(biāo)簽打 印正確性。為了達(dá)到前述發(fā)明的目的，本發(fā)明的微致動(dòng)器偏移校正方法，設(shè)定數(shù)個(gè)不同聚焦 電壓電平的參考反射面；對參考反射面的數(shù)個(gè)預(yù)定校正點(diǎn)進(jìn)行聚焦，并記錄各校正點(diǎn)的平 移電壓；選擇參考反射面的一聚焦電壓電平作為基準(zhǔn)聚焦電壓電平；計(jì)算參考反射面其它 聚焦電壓電平的各校正點(diǎn)相對于基準(zhǔn)聚焦電壓電平的平移電壓偏移量；根據(jù)基準(zhǔn)聚焦電壓 電平的平移電壓，將各校正點(diǎn)平移電壓的偏移量，可曲線適應(yīng)(Curve Fitting)成各聚焦電 壓電平的平移電壓偏移曲線；由平移電壓偏移曲線，內(nèi)插或外插取得平移電壓的偏移量，校 正平移電壓。本發(fā)明的微致動(dòng)器偏移校正方法，是選擇影響較小的零或最接近零的聚焦電壓電 平作為基準(zhǔn)聚焦電壓電平。并根據(jù)驅(qū)動(dòng)物鏡的平移電壓，由驅(qū)動(dòng)物鏡的聚焦電壓上下相鄰 的平移電壓偏移曲線，內(nèi)插或外插取得平移電壓的偏移量，校正驅(qū)動(dòng)的平移電壓。再利用校 正后平移電壓，進(jìn)行打印光盤片標(biāo)簽面的標(biāo)簽圖案。


圖1為先前技術(shù)微致動(dòng)器的立體圖。圖2為先前技術(shù)微致動(dòng)器產(chǎn)生偏移的示意圖。圖3至圖5為本發(fā)明微致動(dòng)器形成平移電壓偏移曲線過程的示意圖。圖6為本發(fā)明微致動(dòng)器的各個(gè)聚焦電壓偏移曲線。圖7為本發(fā)明微致動(dòng)器偏移校正方法的流程圖。[主要元件標(biāo)號(hào)說明]20 光學(xué)讀取頭21 微致動(dòng)器22 參考反射面23 物鏡
具體實(shí)施例方式有關(guān)本發(fā)明為達(dá)成上述目的，所采用的技術(shù)手段及其功效，茲舉較佳實(shí)施例，并配 合圖式加以說明如下。請參考圖3至圖5，為本發(fā)明微致動(dòng)器形成平移電壓偏移曲線的示意過程。如圖 3所示，首先利用光學(xué)讀取頭20將微致動(dòng)器21移動(dòng)至一參考反射面22，使微致動(dòng)器21面 對參考反射面22，參考反射面22可以為正常反射的面或光盤片數(shù)據(jù)層，且在聚焦方向F距 離微致動(dòng)器21預(yù)定高度K。參考反射面22上設(shè)數(shù)個(gè)不同相隔預(yù)定距離的校正點(diǎn)P，相隔預(yù) 定距離可設(shè)為等距或不等距。本實(shí)施例設(shè)校正點(diǎn)P-3，P-2，P-I, P0, PI, P2，P3等7個(gè)等距 校正點(diǎn)。在開回路中及不移動(dòng)光學(xué)讀取頭20下，利用微致動(dòng)器21 —一驅(qū)動(dòng)物鏡23至7個(gè) 校正點(diǎn)，將焦點(diǎn)聚焦在參考反射面22上。由于參考反射面22為預(yù)定高度K，7個(gè)校正點(diǎn)物 鏡23在聚焦方向F聚焦高度相同，因此所用的聚焦電壓Fv，基本上為相同的聚焦電壓電平 Fvk0并一一測量及記錄各校正點(diǎn)的平移電壓Tv及參考反射面22相對應(yīng)的聚焦電壓電平Fvk0接著一一移動(dòng)參考反射面22至數(shù)個(gè)不同聚焦電壓電平的預(yù)定高度Kl. . . Kn,重復(fù) 前述聚焦、測量及記錄步驟，對每一預(yù)定高度的參考反射面22，利用微致動(dòng)器21驅(qū)動(dòng)物鏡 23至7個(gè)校正點(diǎn)，進(jìn)行聚焦并記錄各校正點(diǎn)的平移電壓及參考反射面22相對應(yīng)的聚焦電壓 電平Fvk。由于聚焦電壓Fv等于零時(shí)，對循軌方向T的平移電壓Tv的磁場影響最小，可獲得 平移電壓Tv與物鏡23移動(dòng)距離較正確比例。因此，由前述數(shù)個(gè)不同聚焦電壓電平，所獲得 的測量數(shù)據(jù)，如圖4所示，本發(fā)明取聚焦電壓等于零的聚焦電壓電平FvO作為基準(zhǔn)舉例說 明，測量數(shù)據(jù)如未包含零聚焦電壓電平FvO，可以聚焦電壓最接近零為基準(zhǔn)聚焦電壓電平。 將測量數(shù)據(jù)中其它數(shù)個(gè)不同預(yù)定高度的聚焦電壓電平，一一與基準(zhǔn)聚焦電壓電平FvO的測 量數(shù)據(jù)比較。由移動(dòng)至相同距離的校正點(diǎn)，比較所用平移電壓的差量，就可獲得平移電壓的 偏移量。例如在基準(zhǔn)聚焦電壓電平FvO，微致動(dòng)器21需要平移電壓IV3移動(dòng)物鏡23至校正 點(diǎn)P3。而對聚焦電壓電平Fvk，在移動(dòng)物鏡23至校正點(diǎn)P3的相同距離下，如仍以平移電壓 Tv3則無法移動(dòng)物鏡23至校正點(diǎn)P3，需要平移電壓Tvk3才能移動(dòng)至校正點(diǎn)P3。平移電壓 Tvk 3與平移電壓IV3的差量就形成偏移量Δν，即AV = Tvk3-Tv3。如圖5所示，將各校 正點(diǎn)聚焦電壓電平Fvk及基準(zhǔn)聚焦電壓電平FvO的偏移量，相對基準(zhǔn)聚焦電壓電平FvO至 各校正點(diǎn)的平移電壓Tv以坐標(biāo)標(biāo)示，就可適應(yīng)出聚焦電壓電平Fvk的平移電壓偏移曲線。如圖6所示，為本發(fā)明各聚焦電壓電平的平移電壓偏移曲線。將測量數(shù)據(jù)中其它 數(shù)個(gè)不同預(yù)定高度的聚焦電壓電平，一一與基準(zhǔn)聚焦電壓電平FvO計(jì)算出各校正點(diǎn)的平移 電壓偏移量，適應(yīng)出相對的平移電壓偏移曲線FV1、FV2、FV3、FV4、FV5、FV6。當(dāng)微致動(dòng)器在 A點(diǎn)以平移電壓Tvm及聚焦電壓Fvm驅(qū)動(dòng)物鏡時(shí)，根據(jù)平移電壓Tvm，聚焦電壓Fvm介于平 移電壓偏移曲線Fv2、Fv3間，可利用內(nèi)插平移電壓偏移曲線Fv2、Fv3，在平移電壓Tvm相對 的B點(diǎn)及C點(diǎn)的偏移量，獲得偏移量Δ Vm,補(bǔ)償平移電壓=Tvm+ Δ Vm,讓微致動(dòng)器將物鏡移 動(dòng)至正確的位置，達(dá)到校正微致動(dòng)器平移電壓Tvm的偏移。如圖7所示，為本發(fā)明微致動(dòng)器偏移校正方法的流程。本發(fā)明利用形成平移電壓 偏移曲線，校正微致動(dòng)器平移電壓偏移量的詳細(xì)步驟，說明如下在步驟R1，首先設(shè)定數(shù)個(gè) 不同聚焦電壓電平的參考反射面，并在參考反射面規(guī)劃數(shù)個(gè)等距或不等距的預(yù)定校正點(diǎn)； 步驟R2，將參考反射面移動(dòng)至一設(shè)定的聚焦電壓電平的預(yù)定高度；步驟R3在參考反射面 的數(shù)個(gè)預(yù)定校正點(diǎn)進(jìn)行聚焦，并測量及記錄各校正點(diǎn)的平移電壓；進(jìn)入步驟R4，檢查是否 完成設(shè)定的數(shù)個(gè)不同聚焦電壓電平的參考反射面的測量？假如尚未完成測量，則回至步驟 R2，將參考反射面移動(dòng)至另一設(shè)定的聚焦電壓電平預(yù)定高度，繼續(xù)進(jìn)行測量。假如完成測 量，則進(jìn)入步驟R5，由測量數(shù)據(jù)中，選擇一參考反射面的聚焦電壓電平作為基準(zhǔn)聚焦電壓電 平。接著在步驟R6，計(jì)算測量數(shù)據(jù)中其它聚焦電壓電平的各校正點(diǎn)相對基準(zhǔn)聚焦電壓 電平平移電壓的偏移量，再進(jìn)入步驟R7，根據(jù)基準(zhǔn)聚焦電壓電平的平移電壓，由各校正點(diǎn)平 移電壓的偏移量，可適應(yīng)成各聚焦電壓電平的平移電壓偏移曲線。在步驟R8，根據(jù)驅(qū)動(dòng)物鏡 的平移電壓，由驅(qū)動(dòng)物鏡的聚焦電壓上下相鄰的平移電壓偏移曲線，內(nèi)插或外插取得平移 電壓的偏移量，補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)物鏡的平移電壓，以校正物鏡的移動(dòng)誤差。最后進(jìn)入步驟R10，利用校正的平移電壓，進(jìn)行打印光盤片標(biāo)簽面的標(biāo)簽圖案。因此，本發(fā)明微致動(dòng)器偏移校正方法，即可通過設(shè)定不同高度的參考反射面及預(yù) 設(shè)校正點(diǎn)，比對基準(zhǔn)參考反射面的平移電壓所產(chǎn)生偏移量，適應(yīng)形成平移電壓偏移曲線，再 根據(jù)微致動(dòng)器平移電壓及聚焦電壓，內(nèi)插或外插平移電壓偏移曲線，獲得偏移量，補(bǔ)償平移 電壓，校正微致動(dòng)器平移的精度，以改善標(biāo)簽打印正確性。此外，前述的實(shí)施例，由不同高度的參考反射面，適應(yīng)形成的平移電壓偏移曲線， 亦可適應(yīng)成平移電壓偏移曲面，而可不需經(jīng)由內(nèi)插或外插，直接由平移電壓偏移曲面，獲得 偏移量，補(bǔ)償平移電壓，校正微致動(dòng)器平移的精度。以上所述者，僅用以方便說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例，本發(fā)明的范圍不限于該等較 佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明所做的任何變更，于不脫離本發(fā)明的精神下，皆屬本發(fā)明權(quán)利要求的 范圍。
權(quán)利要求
1.一種微致動(dòng)器偏移校正方法，包含步驟(1)設(shè)定數(shù)個(gè)不同聚焦電壓電平的參考反射面；(2)對參考反射面的數(shù)個(gè)預(yù)定校正點(diǎn)進(jìn)行聚焦，并記錄各校正點(diǎn)的平移電壓；(3)選擇參考反射面的一聚焦電壓電平作為基準(zhǔn)聚焦電壓電平；(4)計(jì)算參考反射面其它聚焦電壓電平的各校正點(diǎn)相對基準(zhǔn)聚焦電壓電平的平移電壓 偏移量；(5)將各校正點(diǎn)平移電壓的偏移量，適應(yīng)成各聚焦電壓電平的平移電壓偏移曲線；以及(6)由平移電壓偏移曲線，取得平移電壓的偏移量，校正平移電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該參考反射面為光盤片數(shù)據(jù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該數(shù)個(gè)預(yù)定校正點(diǎn)相隔距離為等距。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該數(shù)個(gè)預(yù)定校正點(diǎn)相隔距離為 不等距。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該步驟( 是在循軌開回路中 進(jìn)行聚焦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該步驟( 之后進(jìn)一步包含步驟(2-1)檢查是否完成設(shè)定的數(shù)個(gè)不同聚焦電壓電平的參考反射面的測量？假如尚未完 成測量，則將該參考反射面移動(dòng)至另一設(shè)定的聚焦電壓電平，再回至步驟O)，假如完成測 量，則進(jìn)入步驟(3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該步驟C3)選擇聚焦電壓最接 近零的聚焦電壓電平為基準(zhǔn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該步驟C3)選擇聚焦電壓等于 零的聚焦電壓電平為基準(zhǔn)聚焦電壓電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該平移電壓偏移曲線，是根據(jù) 驅(qū)動(dòng)的平移電壓，由驅(qū)動(dòng)的聚焦電壓上下相鄰的平移電壓偏移曲線，內(nèi)插或外插取得平移 電壓的偏移量，校正驅(qū)動(dòng)的平移電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微致動(dòng)器偏移校正方法，其中該平移電壓校正后，進(jìn)行打印 光盤片標(biāo)簽面的標(biāo)簽圖案。
全文摘要
一種微致動(dòng)器偏移校正方法，設(shè)定不同聚焦電壓電平的參考反射面；對參考反射面的各個(gè)校正點(diǎn)進(jìn)行聚焦，并記錄平移電壓；選擇基準(zhǔn)聚焦電壓電平；計(jì)算其它聚焦電壓電平各校正點(diǎn)的平移電壓偏移量；將各校正點(diǎn)平移電壓的偏移量，曲線適應(yīng)各聚焦電壓電平的平移電壓偏移曲線；由內(nèi)插或外插取得平移電壓的偏移量，以校正平移電壓。
文檔編號(hào)G11B21/02GK102044268SQ20091017978
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者蘇怡賓, 郭起祥 申請人:廣明光電股份有限公司