專利名稱：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板，更詳細(xì)而言，涉及適用于硬盤驅(qū)動器的帶 電路的懸掛基板。
背景技術(shù)：
以往，在硬盤驅(qū)動器中，使用的是搭載磁頭的帶電路的懸掛基板。例如， 提出了在不銹鋼箔基材上依次層疊有絕緣層和導(dǎo)體層的帶電路的懸掛基板(例如參照日本專利特開平10 — 12983號公報)。而且，在日本專利特開平10—12983號公報披露的帶電路的懸掛基板中， 不銹鋼箔基材對安裝磁頭的滑動器予以支承，據(jù)此， 一邊使磁頭與磁盤相對運 動， 一邊使它們之間維持微小的間隔。近年來，為了提高硬盤驅(qū)動器的記錄密度，人們期望進一步縮小磁頭與磁盤間的間隔。這種情況下，需要使磁頭相對于磁盤表面的微小凹凸也能靈活地 隨動，需要高精度地維持磁頭與磁盤間的間隔。然而，在日本專利特開平10 — 12983號公報披露的帶電路的懸掛基板中， 若減小不銹鋼箔基材的厚度，則可以提高磁頭相對于磁盤的隨動性。但是，在 不銹鋼箔基材的厚度整體減小時，不銹鋼箔基材的剛性會下降。因此，在帶電 路的懸掛基板的制造工序中，容易產(chǎn)生翹曲和褶皺等變形，存在會產(chǎn)生次品的 不理想情況。另外，在將不銹鋼箔基材的厚度較薄的帶電路的懸掛基板組裝到硬盤驅(qū)動 器上時，由于剛性的下降，還存在操作性變差的不理想情況。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能提高磁頭的隨動性、并能防止變形的具有優(yōu)說明書第2/12頁良的操作性的帶電路的懸掛基板。本發(fā)明的帶電路的懸掛基板包括沿長度方向延伸的金屬支承基板、形成在 上述金屬支承基板上的絕緣層、形成在上述絕緣層上的導(dǎo)體圖案，其特征是， 在上述長度方向一端部配置有磁頭搭載區(qū)域，該磁頭搭載區(qū)域供安裝磁頭的滑 動器進行搭載，上述磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的上述金屬支承基板的厚度比 上述磁頭搭載區(qū)域以外的上述金屬支承基板的厚度薄。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，較為理想的是，在上述磁頭搭載 區(qū)域內(nèi)形成有朝上述長度方向一側(cè)張開的近似U字形狀的開口部，上述磁頭搭 載區(qū)域包括在與上述長度方向垂直的垂直方向上被上述開口部夾持的舌片 部、配置在上述開口部的上述垂直方向兩個外側(cè)的外伸支架部，至少上述舌片 部和/或上述外伸支架部的上述金屬支承基板的厚度比上述磁頭搭載區(qū)域以外 的上述金屬支承基板的厚度薄。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，較為理想的是，上述磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的上述金屬支承基板的厚度為10"m以上、不到15um，上述 磁頭搭載區(qū)域以外的上述金屬支承基板的厚度為15um以上、25um以下。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，較為理想的是，上述磁頭搭載區(qū) 域的至少一部分的上述金屬支承基板的厚度比上述磁頭搭載區(qū)域以外的上述 金屬支承基板的厚度薄1 15um。在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的金屬支承 基板的厚度比磁頭搭載區(qū)域以外的金屬支承基板的厚度形成得薄。因此，磁頭 搭載區(qū)域的金屬支承基板可以獲得良好的柔軟性和隨動性。而且，若在磁頭搭 載區(qū)域內(nèi)搭載滑動器，則可以使磁頭相對于磁盤表面的凹凸靈活地隨動。因此， 可提高硬盤驅(qū)動器的記錄密度。另一方面，磁頭搭載區(qū)域以外的金屬支承基板的厚度比磁頭搭載區(qū)域的至 少一部分的金屬支承基板的厚度形成得厚。因此，磁頭搭載區(qū)域以外的金屬支 承基板可以確保良好的剛性。其結(jié)果是，在帶電路的懸掛基板朝硬盤驅(qū)動器安裝時，磁頭相對于磁盤可 以獲得優(yōu)良的隨動性，并且，在制造帶電路的懸掛基板時，能防止產(chǎn)生次品，此外，在帶電路的懸掛基板朝硬盤驅(qū)動器組裝時，能以良好的操作性進行組裝。


圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的局部剖切俯視圖。圖2是表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的前端部的沿A—A線剖切的剖 視圖。圖3是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，(a) 表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序，(b) 表示在金屬支承基板上形成基底絕緣層的工序，(c) 表示在基底絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d) 表示在基底絕緣層上形成覆蓋絕緣層的工序。 圖4接著圖3，是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，(e) 表示在端子部的表面上形成金屬鍍層的工序，(f) 表示蝕刻萬向支架部的金屬支承基板的下部的工序，(g) 表示對金屬支承基板進行外形加工并形成狹縫的工序。 圖5是用于說明蝕刻工序的工序圖，(a) 表示在帶電路的懸掛基板的表面和背面層疊抗蝕膜的工序，(b) 表示將從抗蝕膜露出的金屬支承基板的下部通過蝕刻去除的工序。圖6是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實施方式的主要部分放大 俯視圖。
具體實施方式
圖1是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的局部剖切俯視圖， 圖2是圖l所示的帶電路的懸掛基板的長度方向一端部(前端部)的沿A—A 線剖切的剖視圖，圖3和圖4是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的 工序圖，圖5是用于說明蝕刻工序的工序圖。另外，圖1中，為明確表示 導(dǎo)體圖案4與后述的金屬支承基板2的相對配置，省略了后述的基底絕緣 層3、覆蓋絕緣層5和金屬鍍層8。5圖1中，在該帶電路的懸掛基板1中，在搭載供硬盤驅(qū)動器的磁頭23(圖 2的雙點劃線)進行安裝的滑動器24(圖2的雙點劃線)的金屬支承基板2上 一體形成有用于連接磁頭23和讀寫基板等外部基板(未圖示)的導(dǎo)體圖案4。金屬支承基板2是為了一邊使安裝的磁頭23與磁盤(未圖示)相對運 動、 一邊維持磁頭23與磁盤間的微小間隔而設(shè)置的。金屬支承基板2與帶 電路的懸掛基板1的外形形狀對應(yīng)地形成，形成為沿長度方向延伸的俯視 近似扁平帶狀。如后文所述，導(dǎo)體圖案4一體地包括用于與磁頭23的連接端子(未 圖示)連接的頭部側(cè)端子部6、用于與外部基板的連接端子(未圖示)連接的 外部側(cè)端子部7、以及用于連接頭部側(cè)端子部6和外部側(cè)端子部7(下面有 時僅將其總稱為"端子部9")的多條布線10。頭部側(cè)端子部6配置在帶電路的懸掛基板1的前端部，該帶電路的懸掛基板1的前端部為磁頭搭載區(qū)域11。外部側(cè)端子部7配置在帶電路的懸掛基板1的長度方向另一端部(下面 稱為后端部)，該帶電路的懸掛基板1的后端部為外部側(cè)區(qū)域12。另外，在 帶電路的懸掛基板1中，配置在磁頭搭載區(qū)域ll(相當(dāng)于后述的萬向支架部 21)與外部側(cè)區(qū)域12之間的部分為布線部13。外部側(cè)區(qū)域12從布線部13 的后端部的寬度方向(與長度方向垂直的方向)一端朝寬度方向一側(cè)突出， 形成為俯視近似矩形。布線部13形成為沿長度方向延伸的俯視近似矩形。在布線部13，各 布線IO在寬度方向上成列配置。而且，如圖2所示，該帶電路的懸掛基板1包括金屬支承基板2、 形成在金屬支承基板2上的作為絕緣層的基底絕緣層3、形成在基底絕緣層 3上的導(dǎo)體圖案4、以及在基底絕緣層3上以覆蓋導(dǎo)體圖案4的形態(tài)形成的 覆蓋絕緣層5。金屬支承基板2由金屬箔或金屬薄板形成。另外，如圖1所示，金屬 支承基板2在磁頭搭載區(qū)域11、布線部13和外部側(cè)區(qū)域12分別與它們的6外形形狀對應(yīng)地形成。另外，金屬支承基板2的詳細(xì)說明會在后面給出，磁頭搭載區(qū)域11的厚度Tl與布線部13和外部側(cè)區(qū)域12的厚度T2相比形 成得較薄。如圖2所示，基底絕緣層3在金屬支承基板2的表面上形成于與導(dǎo)體 圖案4對應(yīng)的部分。另外，基底絕緣層3在磁頭搭載區(qū)域11、布線部13 和外部側(cè)區(qū)域12的范圍內(nèi)連續(xù)形成，使金屬支承基板2的周端部露出。導(dǎo)體圖案4形成于基底絕緣層3的表面。另外，如圖1所示，導(dǎo)體圖 案4形成為如下的布線電路圖案，該布線電路圖案包括在帶電路的懸掛 基板1的長度方向中途、具體而言是在布線部13沿著長度方向并行設(shè)置的 多條(例如六條)布線10a、 10b、 10c、 10d、 10e和10f;磁頭搭載區(qū)域11 的頭部側(cè)端子部6;以及外部側(cè)區(qū)域12的外部側(cè)端子部7。在布線部13，導(dǎo)體圖案4的布線10a、 10b、 10c、 10d、 10e和10f從寬度方向一側(cè)朝寬度方向另一側(cè)依次并列配置。頭部側(cè)端子部6形成在磁頭搭載區(qū)域11內(nèi)，沿著寬度方向成列配置， 形成為方連接盤。在頭部側(cè)端子部6上連接著各布線10的前端。外部側(cè)端子部7形成在外部側(cè)區(qū)域12內(nèi)，沿著長度方向成列配置，形 成為方連接盤。在外部側(cè)端子部7上連接著各布線10的后端。各布線10的寬度例如是10 150"m，較為理想的是20 100um。各 布線10間的間隔例如是10 200n m，較為理想的是20 150"m。如圖2所示，覆蓋絕緣層5在基底絕緣層3的表面上以覆蓋布線10并 露出端子部9的形態(tài)形成。另外，覆蓋絕緣層5在磁頭搭載區(qū)域11、布線 部13和外部側(cè)區(qū)域12的范圍內(nèi)與布線IO對應(yīng)地連續(xù)形成。另外，在帶電路的懸掛基板1的端子部9的表面形成有金屬鍍層8。下面，對帶電路的懸掛基板1的前端部進行詳細(xì)說明。在帶電路的懸掛基板1的前端部上，如圖1和圖2所示，磁頭搭載區(qū) 域11形成為使磁頭23相對于磁盤具有隨動性的萬向支架部21。萬向支架部21配置于帶電路的懸掛基板1的前端部，以從布線部13 的前端朝前側(cè)延伸的形態(tài)連續(xù)形成，形成為相對于布線部13朝寬度方向兩個外側(cè)膨脹的俯視近似矩形。另外，在萬向支架部21形成有作為開口部的狹縫15，該狹縫15在俯視下呈朝前側(cè)(長度方向一側(cè))張開的近似U字形。 狹縫15在厚度方向上貫穿金屬支承基板2。萬向支架部21—體地包括配置在狹縫15的后側(cè)的后部19、在寬度 方向上被狹縫15夾持的舌片部16、配置在狹縫15的寬度方向兩個外側(cè)的 外伸支架部17、以及配置在舌片部16的前側(cè)的前部18。后部19被劃分成在長度方向上從布線部13的前端一直到狹縫15的俯 視近似矩形的區(qū)域。舌片部16由狹縫15分隔，據(jù)此，形成為俯視近似矩形。另外，舌片 部16包括搭載部20和端子形成部22。搭載部20是搭載供圖2的雙點劃線所示的磁頭23進行安裝的滑動器 24的區(qū)域，配置在舌片部16的后側(cè)部，并被劃分成沿寬度方向延伸的俯視 近似矩形。端子形成部22是形成頭部側(cè)端子部6的區(qū)域，對置配置在搭載部20 的前側(cè)部。外伸支架部17以相對于后部19和前部18朝寬度方向兩個外側(cè)伸出的 形態(tài)形成。具體而言，外伸支架部17被劃分成沿著長度方向延伸的俯視近 似矩形，外伸支架部17以連接后部19的寬度方向外側(cè)端部和前部18的寬 度方向外側(cè)端部的形態(tài)形成。前部18被劃分成從舌片部16的前端一直到萬向支架部21的前端緣的 俯視近似矩形的區(qū)域。另外，前部18被劃分成架設(shè)外伸支架部17的前端 部的寬度方向內(nèi)側(cè)端部。在該萬向支架部21，各布線10中的寬度方向一側(cè)的三條布線10(10a、 10b和10c)以及寬度方向另一側(cè)的三條布線10(10d、 10e和10f)分別從布 線部13的前端經(jīng)由后部19、外伸支架部17和前部18 —直到達端子形成部 22，并以與頭部側(cè)端子部6連接的形態(tài)折回。具體而言，各布線10在后部 19朝寬度方向兩個外側(cè)彎曲，之后，在外伸支架部17的后端部朝長度方向 一側(cè)彎曲，接著在外伸 架部17的前端部朝寬度方向內(nèi)側(cè)彎曲，之后，在前部18以朝長度方向另一側(cè)彎曲的形態(tài)折回。而且，在該帶電路的懸掛基板1中，如圖2所示，萬向支架部21和布 線部13的前端部25的金屬支承基板2的厚度Tl與其它部分的金屬支承基 板2、也就是布線部13的長度方向中途(下面簡稱為中途部)和后端部以及 外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2的厚度T2相比形成得較薄。具體而言，如圖1的陰影部分和圖2所示，萬向支架部21(后部19、 舌片部16、外伸支架部17和前部18)以及布線部13的前端部25的金屬支 承基板2的厚度Tl例如是10"m以上、不到15"m，較為理想的是llum 以上、不到14u m。若萬向支架部21的金屬支承基板2的厚度Tl處在上述 范圍內(nèi)，則可以確實地使磁頭23具有優(yōu)良的隨動性。另外，布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基 板2的厚度T2例如是15um以上、25"m以下，較為理想的是18wm以上、 20um以下。若布線部13(中途部和后端部)以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承 基板2的厚度T2處在上述范圍內(nèi)，則可以確實地確保帶電路的懸掛基板1 的良好的剛性。艮P，萬向支架部21以及布線部13的前端部25的金屬支承基板2的厚 度Tl比布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2 的厚度T2形成得例如薄1 15um，較為理想的是薄4 12um。在上述金屬支承基板2的厚度Tl和T2滿足上述關(guān)系時，可以確實地 使磁頭23具有優(yōu)良的隨動性，并可以確實地確保帶電路的懸掛基板1具有 良好的剛性。下面，參照圖3 圖5對該帶電路的懸掛基板1的制造方法進行說明。 首先，在本方法中，如圖3(a)所示，準(zhǔn)備金屬支承基板2。 作為形成金屬支承基板2的金屬，例如可以使用不銹鋼、42合金等，較為理想的是使用不銹鋼。金屬支承基板2的厚度T與上述外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2的厚度T2相同。接下來，如圖3(b)所示，在金屬支承基板2上形成基底絕緣層3。 作為形成基底絕緣層3的絕緣材料，例如可以使用聚酰亞胺、聚醚腈、9聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹 脂。這其中，較為理想的是使用感光性的合成樹脂，更為理想的是使用感 光性聚酰亞胺。為了形成基底絕緣層3，在金屬支承基板2的表面例如涂布感光性的 合成樹脂，干燥后，以形成基底絕緣層3的圖案進行曝光和顯影，并根據(jù) 需要使其固化。另外，為了形成基底絕緣層3，也可以在金屬支承基板2的表面均勻 涂布上述合成樹脂的溶液，之后干燥，接下來，根據(jù)需要，通過加熱使其 固化，之后，通過蝕刻等形成為上述圖案。此外，為了形成基底絕緣層3，例如也可以將合成樹脂預(yù)先形成為上 述圖案的薄膜，將該薄膜通過已知的粘接劑層粘貼于金屬支承基板2的表 面。這樣形成的基底絕緣層3的厚度例如是1 20um，較為理想的是8 15 P m。接下來，如圖3(c)所示，在基底絕緣層3上形成導(dǎo)體圖案4。作為形成導(dǎo)體圖案4的導(dǎo)體材料，例如可以使用銅、鎳、金、錫、焊 料、或者它們的合金等導(dǎo)體材料，較為理想的是使用銅。為了形成導(dǎo)體圖案4，例如可以使用加成法、減成法等已知的圖案形 成法，較為理想的是使用加成法。在加成法中，具體而言，首先，在包含基底絕緣層3的金屬支承基板 2的表面通過濺射法等形成導(dǎo)體種膜。接下來，在該導(dǎo)體種膜的表面以與導(dǎo) 體圖案4的相反圖案形成抗鍍膜。之后，在從抗鍍膜露出的、基底絕緣層3 的導(dǎo)體種膜的表面通過電解鍍覆形成導(dǎo)體圖案4。之后，將抗鍍膜及層疊有 該抗鍍膜的部分的導(dǎo)體種膜去除。這樣形成的導(dǎo)體圖案4的厚度例如是3 50utn，較為理想的是5 25y m。接下來，如圖3(d)所示，在基底絕緣層3上形成覆蓋絕緣層5。形成 覆蓋絕緣層5的絕緣材料可以例舉與基底絕緣層3的絕緣材料同樣的材料。為了形成覆蓋絕緣層5，在包含導(dǎo)體圖案4的基底絕緣層3的表面例 如涂布感光性的合成樹脂，干燥后，以上述圖案進行曝光和顯影，并根據(jù)需要使其固化。另外，為了形成覆蓋絕緣層5，也可以在包含導(dǎo)體圖案4的基底絕緣 層3的表面均勻涂布上述合成樹脂的溶液，之后干燥，接下來，根據(jù)需要， 通過加熱使其固化，之后，通過蝕刻等形成為上述圖案。此外，為了形成覆蓋絕緣層5，例如也可以將合成樹脂預(yù)先形成為上 述圖案的薄膜，將其薄膜通過已知的粘接劑層粘貼于包含導(dǎo)體圖案4的基 底絕緣層3的表面。這樣形成的覆蓋絕緣層5的厚度例如是2 25"ffl，較為理想的是3 接下來，在本方法中，如圖4(e)所示，在從覆蓋絕緣層5露出的端子 部9的表面形成金屬鍍層8。作為形成金屬鍍層8的金屬，例如可以使用金、鎳等金屬材料。為了形成金屬鍍層8，例如在以覆蓋金屬支承基板2的形態(tài)形成未圖 示的抗鍍膜后，例如進行電解鍍覆或非電解鍍覆，較為理想的是進行電解 鍍金或非電解鍍金。之后，去除抗鍍膜。這樣形成的金屬鍍層8的厚度例如是0. 2 3y m，較為理想的是0. 5 2 u m。接下來，在本方法中，如圖4(f)所示，減小與萬向支架部21和布線 部13的前端部25對應(yīng)的金屬支承基板2的厚度。具體而言，將與萬向支架部21和布線部13的前端部25對應(yīng)的金屬支 承基板2的下部去除。作為去除金屬支承基板2的下部的方法，例如可以使用蝕刻。為了蝕刻金屬支承基板2的下部，如圖5(a)所示，在帶電路的懸掛基 板1的表面(覆蓋絕緣層5、導(dǎo)體圖案4、基底絕緣層3和金屬支承基板2 的上表面)、與布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12對應(yīng)的金屬 支承基板2的背面(下表面)，層疊抗蝕膜(蝕刻掩膜)26。11為了層疊抗蝕膜26，在帶電路的懸掛基板1的表面和背面層疊感光性的干膜抗蝕膜。接下來，通過光掩膜對干膜抗蝕膜進行曝光和顯影，形成 上述圖案的抗蝕膜。接下來，如圖5(b)所示，將從抗蝕膜26露出的金屬支承基板2的下 部通過蝕刻去除。作為蝕刻中使用的蝕刻液，例如可以使用氯化鐵水溶液等已知的蝕刻 液。另外，作為蝕刻條件，可以根據(jù)用途和目的適當(dāng)?shù)剡x擇已知的半蝕刻 條件。之后，將抗蝕膜26例如通過剝離或蝕刻等去除。據(jù)此，可以使與萬向支架部21和布線部13的前端部25對應(yīng)的金屬支 承基板2的厚度Tl變得比與布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域 12對應(yīng)的金屬支承基板2的厚度T2薄。接下來，在本方法中，如圖4(g)所示，例如通過蝕刻、穿孔、激光加 工等對金屬支承基板2進行外形加工，并形成狹縫15，從而得到帶電路的 懸掛基板1。據(jù)此，在帶電路的懸掛基板1上形成萬向支架部21、布線部 13和外部側(cè)區(qū)域12。而且，在該帶電路的懸掛基板1中，萬向支架部21和前端部25的金 屬支承基板2的厚度Tl形成得比布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè) 區(qū)域12的金屬支承基板2的厚度T2薄。因此，萬向支架部21的金屬支承 基板2可以獲得良好的柔軟性和隨動性。另外，若在萬向支架部21的搭載 部20搭載滑動器24,則可使磁頭23靈活地跟隨磁盤(未圖示)的表面的凹 凸進行動作。因此，可以提高硬盤驅(qū)動器的記錄密度。另一方面，布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支 承基板2的厚度T2比萬向支架部21的金屬支承基板2的厚度Tl形成得厚。 因此，布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2 可以確保良好的剛性。其結(jié)果是，在帶電路的懸掛基板l朝硬盤驅(qū)動器安裝時， 頭23相對 于磁盤可以獲得優(yōu)良的隨動性，并且，在制造帶電路的懸掛基板1時，可以防止因翹曲和褶皺等變形而產(chǎn)生次品，此外，在帶電路的懸掛基板1朝 硬盤驅(qū)動器組裝時，能以良好的操作性進行組裝。另外，在上述說明中，相對于布線部13的中途部和后端部以及外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2的厚度T2，減小萬向支架部21和布線部13的前 端部25兩者的金屬支承基板2的厚度Tl，雖然未圖示，但例如也可以僅減 小萬向支架部21的金屬支承基板2的厚度Tl。另外，如圖6的陰影部分所示，在萬向支架部21，相對于布線部13 和外部側(cè)區(qū)域12的金屬支承基板2的厚度T2可以僅減小舌片部16和外伸 支架部17的金屬支承基板2的厚度T1。此外，也可以僅減小舌片部16的 金屬支承基板2和外伸支架部17的金屬支承基板2中任一方的厚度Tl。[實施例]下面通過實施例，更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于任何實施例。實施例1首先，準(zhǔn)備由厚度(T)25um的不銹鋼形成的金屬支承基板(參照圖 3(a))，接下來，在金屬支承基板的表面涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆， 干燥后，進行曝光和顯影，并加熱固化，據(jù)此，以上述圖案形成厚度10"ra 的由聚酰亞胺形成的基底絕緣層(參照圖3 (b))。接下來，在包含金屬支承基板的基底絕緣層的表面，通過鉻濺射法和 銅濺射法依次形成厚度0.03um的鉻薄膜和厚度0. 07"m的銅薄膜作為導(dǎo) 體薄膜。接下來，在導(dǎo)體薄膜的表面形成與導(dǎo)體圖案相反圖案的抗鍍膜， 之后，在從抗鍍膜露出的導(dǎo)體薄膜的表面通過電解鍍銅形成厚度15um的 導(dǎo)體圖案。接下來，將抗鍍膜和形成有抗鍍膜部分的導(dǎo)體薄膜通過化學(xué)蝕 刻去除(參照圖3(c))。接下來，在包含導(dǎo)體圖案的基底絕緣層的表面涂布感光性聚酰胺酸樹 脂的清漆，干燥后，進行曝光和顯影，并加熱固化，據(jù)此，以覆蓋布線并 露出端子部的圖案形成厚度5pm的由聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層(參照圖 3(d))。接下來，在端子部的表面通過電解鍍金形成由金形成的厚度0.5um13的金屬鍍層(參照圖4(e))。接下來，蝕刻萬向支架部和布線部的前端部的金屬支承基板(參照圖4(f))。艮p，首先，在帶電路的懸掛基板的表面和背面層疊感光性的干膜抗蝕 膜，并通過光掩膜對其進行曝光和顯影，據(jù)此，形成具有露出萬向支架部和布線部的前端部的圖案的抗蝕膜(參照圖5(a))。接下來，使用氯化鐵水溶液作為蝕刻液，將從抗蝕膜露出的金屬支承基板的下部通過蝕刻去除(參照圖5(b))。之后，使用氫氧化鈉水溶液作為剝離液，將抗蝕膜通過剝離去除。 據(jù)此，使萬向支架部和布線部的前端部的金屬支承基板的厚度(T1)比外部側(cè)區(qū)域的金屬支承基板的厚度(T2)25pm形成得薄12um，具體而言，形成為13um。接下來，通過化學(xué)蝕刻對金屬支承基板進行外形加工，并形成狹縫， 據(jù)此，得到帶電路的懸掛基板(參照圖l和圖4(g))。另外，上述說明提供了作為本發(fā)明例舉的實施方式，但這只是單純的 例舉，并非限定性的解釋。對于本技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)人員而言明顯是本發(fā)明 的變形例包含在權(quán)利要求書內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶電路的懸掛基板，包括沿長度方向延伸的金屬支承基板、形成在所述金屬支承基板上的絕緣層、形成在所述絕緣層上的導(dǎo)體圖案，其特征在于，在所述長度方向一端部配置有磁頭搭載區(qū)域，該磁頭搭載區(qū)域供安裝磁頭的滑動器進行搭載，所述磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的所述金屬支承基板的厚度比所述磁頭搭載區(qū)域以外的所述金屬支承基板的厚度薄。
2. 如權(quán)利要求l所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 在所述磁頭搭載區(qū)域內(nèi)形成有朝所述長度方向一側(cè)張開的近似U字形狀的開口部，所述磁頭搭載區(qū)域包括在與所述長度方向垂直的垂直方向上被所述開口部夾持的舌片部、以及配置在所述開口部的所述垂直方向兩個外側(cè)的外伸支架部， 至少所述舌片部和/或所述外伸支架部的所述金屬支承基板的厚度比 所述磁頭搭載區(qū)域以外的所述金屬支承基板的厚度薄。
3. 如權(quán)利要求l所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 所述磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的所述金屬支承基板的厚度在10Pm以上且不到15um，所述磁頭搭載區(qū)域以外的所述金屬支承基板的厚度在15 u m以上且25 u m以下。
4. 如權(quán)利要求l所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，所述磁頭搭 載區(qū)域的至少一部分的所述金屬支承基板的厚度比所述磁頭搭載區(qū)域以外 的所述金屬支承基板的厚度薄1 15um。
全文摘要
一種帶電路的懸掛基板，包括沿長度方向延伸的金屬支承基板、形成在金屬支承基板上的絕緣層、以及形成在絕緣層上的導(dǎo)體圖案。在帶電路的懸掛基板中，在長度方向一端部配置有磁頭搭載區(qū)域，該磁頭搭載區(qū)域供安裝磁頭的滑動器進行搭載，磁頭搭載區(qū)域的至少一部分的金屬支承基板的厚度比磁頭搭載區(qū)域以外的金屬支承基板的厚度薄。
文檔編號G11B5/48GK101645274SQ200910159278
公開日2010年2月10日 申請日期2009年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月6日
發(fā)明者吉田好成, 金川仁紀(jì) 申請人:日東電工株式會社