專利名稱：：具有一對由屏蔽層控制其磁化的磁性層的薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及薄膜磁頭。具體地，本發(fā)明涉及配置有一對磁性層的薄膜磁頭的器件結(jié)構(gòu)，所述一對磁性層響應(yīng)外部磁場而改變磁化方向。
背景技術(shù)：
：隨著硬盤驅(qū)動器(HDD)的高密度記錄的開發(fā)，需要高靈敏性和高輸出的磁頭。作為滿足上述要求的磁頭，發(fā)明了一種自旋閥磁頭(spinvalvehead)。自旋閥磁頭在非磁性中間層的兩側(cè)配置有一對鐵磁性層。設(shè)置反鐵磁性層與一個(gè)鐵磁性層接觸，并且通過與反鐵磁性層的交換耦合將鐵磁性層中的磁化方向固定在一個(gè)方向上。另外一個(gè)鐵磁性層中的磁化方向響應(yīng)外部磁場而自由地旋轉(zhuǎn)。這種鐵磁性層被稱為自由層。在自旋閥磁頭中，這兩個(gè)鐵磁性層內(nèi)自旋相對角的變化引起磁阻的變化。將一對上述鐵磁性層安置在一對屏蔽層之間，從而屏蔽從記錄介質(zhì)的同一磁軌上的相鄰比特(bit)施加的外部磁場。反鐵磁性層和鐵磁性層之間的交換耦合是自旋閥磁頭中的一個(gè)重要特征。然而，隨著高密度記錄的進(jìn)一步發(fā)展，如果讀取間隔(readgap)(即，當(dāng)磁頭讀取信號的時(shí)候，介質(zhì)信號在介質(zhì)中的傳播方向上的寬度，其與安置在屏蔽體之間的膜的厚度相關(guān))接近約20nm，則不能將反鐵磁性層容納在讀取間隔內(nèi)。因此，我們需要這樣的技術(shù)，其通過以某些方式控制鐵磁性層中的磁化方向，使兩個(gè)鐵磁性層中磁化方向之間的相對角響應(yīng)外部磁場變化。美國專利7,035,062公開了包含兩個(gè)自由層和非磁性中間層的薄膜磁頭，所述兩個(gè)自由層響應(yīng)外部磁場改變磁化方向，所述非磁性中間層安置在上述兩個(gè)自由層之間。兩個(gè)自由層經(jīng)由非磁性中間層通過RKKY(Rudermann，Kittel，Kasuya，Yoshida)相互作用交換耦合，并且在沒有施加磁場的時(shí)候(即，如在本文中所使用的，無磁場狀態(tài))，在彼此反平行的方向上被磁化。在從記錄介質(zhì)的相對面(或氣墊表面，下面表示為ABS)看的兩個(gè)自由層和非磁性中間層的背面設(shè)置偏磁性層，并且在垂直于ABS的方向上施加偏磁場。從偏磁性層施加的磁場導(dǎo)致在兩個(gè)自由層中的磁化方向具有特定的相對角。如果在垂直于ABS的方向上從記錄介質(zhì)施加外部磁場，則此時(shí)兩個(gè)自由層中的磁化方向之間的相對角將改變，這導(dǎo)致感應(yīng)電流(sensecmrent)的電阻的變化。從而可以檢測外部磁場。因此，在膜構(gòu)造中使用兩個(gè)自由層消除了反鐵磁性層，從而簡化了膜構(gòu)造并且容易地減小了讀取間隔。如在此使用的，術(shù)語"平行"表示磁化方向在相同的方向上彼此平行的狀態(tài)，而術(shù)語"反平行"表示磁化方向在相反的方向上彼此平行的狀態(tài)。然而，在使用通過RKKY相互作用將兩個(gè)自由層磁性連接的方法的薄膜磁頭中，可以用作非磁性中間層的材料類型是有限的。也不能預(yù)期磁阻變化率的任何改善。因此，需要另一種技術(shù)，用于使兩個(gè)自由層在彼此反平行的方向上磁化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及薄膜磁頭，所述薄膜磁頭包含MR(磁阻)層壓體和為MR層壓體設(shè)置的偏磁場施加層，所述MR層壓體由依次相互接觸的其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第一MR磁性層(自由層)、非磁性中間層和其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第二MR磁性層(自由層)組成，所述偏磁場施加層被設(shè)置在ABS的相對側(cè)上，以施加垂直于ABS的偏磁場。本發(fā)明的目的是提供這樣的薄膜磁頭，該薄膜磁頭不僅允許在不依賴于MR磁性層之間的磁性相互作用的情況下，通過將無磁場狀態(tài)下的兩個(gè)MR磁性層中的磁化方向控制成彼此反平行方向，從而產(chǎn)生高的磁阻變化率，還允許容易地減小讀取間隔。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的薄膜磁頭包含MR層壓體，所述MR層壓體由其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第一MR磁性層、非磁性中間層和其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第二MR磁性層組成，其中第一MR磁性層、非磁性中間層和第二MR磁性層依次互相接觸，設(shè)置分別面向第一MR磁性層和第二MR磁性層的第一和第二屏蔽層，并且它們被設(shè)置為在垂直于MR層壓體的膜表面的方向上將MR層壓體夾在中間，并且它們還起到電極的作用，用于使感應(yīng)電流在垂直于MR層壓體的膜表面的方向上流動，在MR層壓體的氣墊表面(ABS)的相對側(cè)上設(shè)置偏磁場施加層，以施加垂直于ABS的偏磁場。第一屏蔽層包含第一交換耦合磁場施加層和第一反鐵磁性層，將所述第一交換耦合磁場施加層設(shè)置為面向第一MR磁性層，并且允許在平行于ABS的方向上向第一MR磁性層施加交換耦合磁場，所述第一反鐵磁性層被設(shè)置成在從第一MR磁性層看的第一交換耦合磁場施加層的背面上與第一交換耦合磁場施加層接觸，并且與第一交換耦合磁場施加層反磁性地耦合。第二屏蔽層包含第二交換耦合磁場施加層和第二反鐵磁性層，所述第二交換耦合磁場施加層被設(shè)置為面向第二MR磁性層，并且允許在與ABS平行并且與從第一交換耦合磁場施加層向第一MR磁性層施加的交換耦合磁場反平行的方向上向第二MR磁性層施加交換耦合磁場，所述第二反鐵磁性層被設(shè)置為在從第二MR磁性層看的第二交換耦合磁場施加層的背面上與第二交換耦合磁場施加層接觸，并且與第二交換耦合磁場施加層反鐵磁性地耦合。在具有上述構(gòu)造的薄膜磁頭中，第一和第二MR磁性層接收從第一和第二交換耦合磁場施加層施加的磁場，通過分別與第一和第二反鐵磁性層反鐵磁性地耦合，所述第一和第二交換耦合磁場施加層的磁化方向被牢固固定。由于從第一交換耦合磁場施加層施加的磁場和從第二交換耦合磁場施加層施加的磁場是彼此反平行的，所以在無磁場狀態(tài)下，第一和第二MR磁性層是在反平行的方向上被磁化的。然而，第一和第二MR磁性層在垂直于ABS的方向上接收來自偏磁場施加層的偏磁場，因此，它們在介于平行與反平行之間的中間狀態(tài)下被磁化，這是初始磁化狀態(tài)。當(dāng)向記錄介質(zhì)施加外部磁場時(shí)，在第一和第二MR磁性層中的磁化方向之間的相對角依賴于外部磁場的大小和取向而波動。因此，能夠利用磁阻效應(yīng)檢測外部磁場。此外，第一和第二反鐵磁性層與第一和第二交換耦合磁場施加層還起到屏蔽層的作用，因此有助于讀取間隔的減小。本發(fā)明的主要特征在于屏蔽層與MR磁性層磁性地耦合，而不像常規(guī)方式那樣，沒有屏蔽層與MR磁性層磁性地耦合。因此，本發(fā)明可以提供薄膜磁頭，其不僅允許提供高的磁阻變化率，而且允許容易地減小讀取間隔。下面將參照說明本發(fā)明的附圖，更詳細(xì)地描述本發(fā)明的上述目的、其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的薄膜磁頭的側(cè)面截面圖。圖2A是從圖1中的2A-2A方向看到的薄膜磁頭的讀取部的側(cè)視圖。圖2B是從圖1中的方向看到的薄膜磁頭的讀取部的截面圖。圖3A-圖3D是顯示圖1中的薄膜磁頭的工作原理的示意圖。圖4是顯示施加到第一和第二MR磁性層的磁場強(qiáng)度與信號輸入之間關(guān)系的示意圖。圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)備選方案的薄膜磁頭構(gòu)造和工作原理的示意圖。圖6A是顯示交換耦合磁場施加層的厚度與交換耦合磁場之間關(guān)系的曲線圖。圖6B是顯示交換耦合磁場施加層的厚度與MR中的變化率之間關(guān)系的曲線圖。圖6C是顯示交換耦合磁場施加層的厚度與MR中的變化率的變化之間關(guān)系的曲線圖。圖7是與根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭的制備有關(guān)的晶片的平面圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的滑橇(slider)的透視圖。圖9是磁頭臂組件的透視圖，該磁頭臂組件具有與根據(jù)本發(fā)明的滑橇一體化的磁頭懸掛組件(headgimbalassembly)。圖10是與根據(jù)本發(fā)明的滑橇一體化的磁頭臂組件的側(cè)視圖。圖11是與根據(jù)本發(fā)明的滑橇一體化的硬盤器件的平面圖。具體實(shí)施例方式下面參照附圖給出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的薄膜磁頭的說明。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的薄膜磁頭的側(cè)視截面圖。圖2A是從圖1中的2A-2A方向(g卩，ABSS)看到的薄膜磁頭的讀取部的側(cè)視圖。圖2B是從圖1中的方向所看到的薄膜磁頭的讀取部的截面圖。ABSS是薄膜磁頭1在面向記錄介質(zhì)M的一側(cè)上的面。薄膜磁頭1包含MR層壓體2以及在垂直于MR層壓體2的膜表面的方向P上被設(shè)置于MR層壓體的兩側(cè)的第一和第二屏蔽層。表1顯示MR層壓體2以及第一和第二屏蔽層3和4的膜構(gòu)造。該表從下至上顯示從第一屏蔽層3至第二屏蔽層4的層壓層。表中的磁化方向?qū)?yīng)于圖3A中的磁化方向。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>如圖2A和表1中所示，MR層壓體2包含第一MR磁性層6、非磁性中間層7和第二MR磁性層8，所述第一MR磁性層6的磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化，所述第二MR磁性層8的磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化，其中第一MR磁性層6、非磁性中間層7和第二MR磁性層8依次互相接觸。設(shè)置與第一MR磁性層6接觸的第一交換耦合傳輸層5。設(shè)置與第二MR磁性層8接觸的第二交換耦合傳輸層9。第一MR磁性層6和第二MR磁性層8各自都由CoFe層制成。非磁性中間層7由ZnO層制成。第一MR磁性層6和第二MR磁性層8可以由NiFe或CoFeB制成。第一MR磁性層6可以由NiFe/CoFe的雙層制成。第二MR磁性層8可以由CoFe/NiFe的雙層制成。如在本文中所使用的，A/B/C…表示膜A、B、C...依次被層壓。如果第一MR磁性層6和第二MR磁性層8各自由雙層組成，則優(yōu)選使CoFe層與ZnO層接觸。非磁性中間層7可以由MgO、A1203、A1N、Ti02或NiO制成。如果將金屬或半導(dǎo)體如ZnO用于非磁性中間層7，則薄膜磁頭1起到CPP(CurrentPerpendiculartothePlane,電流垂直平面)-GMR(GiantMagneto-Resistance,巨磁阻)器件的作用。如果使用絕緣材料如MgO，則薄膜磁頭1起到TMR(TunnelingMagneto-Resistance,隧道磁阻)器件的作用。將第一交換耦合傳輸層5設(shè)置在第一MR磁性層6和第一屏蔽層3的第一交換耦合磁場施加層13之間，并且如下面詳細(xì)描述的，所述第一交換耦合傳輸層5具有將從第一交換耦合磁場施加層13所施加的交換耦合磁場輸送到第一MR磁性層6的功能。在本實(shí)施方案中，第一交換耦合傳輸層5由Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層這五層組成。同樣地，將第二交換耦合傳輸層9設(shè)置在第二MR磁性層8和第二屏蔽層4的第二交換耦合磁場施加層14之間，并且如下面詳細(xì)描述的，所述第二交換耦合傳輸層9具有將從第二交換耦合磁場施加層14所施加的交換耦合磁場輸送到第二MR磁性層8的功能。在本實(shí)施方案中，第二交換耦合傳輸層9由Ru層/CoFe層/Ru層這三層組成。第一屏蔽層3起到電極的作用，用于在垂直于MR層壓體的膜表面的方向P上流動感應(yīng)電流。對于第二屏蔽層4也是這樣。將第一屏蔽層3設(shè)置為經(jīng)由第一交換耦合傳輸層5面向MR磁性層6。第一屏蔽層3包含第9一交換耦合磁場施加層13、第一反鐵磁性層12和第一主屏蔽層11，所述第一反鐵磁性層12被設(shè)置為在從第一MR磁性層6看的第一交換耦合磁場施加層13的背面上與第一交換耦合磁場施加層13接觸，所述第一主屏蔽層11被設(shè)置在從第一MR磁性層6看的第一反鐵磁性層12的背面上。第一交換耦合磁場施加層13由雙層即CoFe層13a和NiFe層13b制成，所述CoFe層13a被設(shè)置為與第一反鐵磁性層12接觸，所述NiFe層13b被設(shè)置為同時(shí)與CoFe層13a和第一交換耦合傳輸層5接觸。如下面所述，第一交換耦合磁場施加層13的厚度優(yōu)選在5~80nm的范圍內(nèi)。第一反鐵磁性層12由IrMn制成，并且與相鄰的CoFe層13a反鐵磁性地結(jié)合。第一反鐵磁性層12可以由合金，比如Fe-Mn、Ni-Mn、Pt-Mn或Pd-Pt-Mn，或包括IrMn的這些的組合制成。第一主屏蔽層ll由NiFe層制成，并且阻擋從記錄介質(zhì)M的同一磁軌(track)上的相鄰比特施加的外部磁場。第一主屏蔽層11的構(gòu)造與常規(guī)公知的主屏蔽層的構(gòu)造相同，并且厚度通常在12)nm的范圍內(nèi)。第一主屏蔽層11比第一交換耦合磁場施加層13和第一反鐵磁性層12厚。通常，由于其多磁疇結(jié)構(gòu)，第一主屏蔽層ll是高滲透性的。因此，第一主屏蔽層ll起到具有高效率的屏蔽的作用。第二屏蔽層4的構(gòu)造與第一屏蔽層3的構(gòu)造相同。即，第二屏蔽層4被設(shè)置為經(jīng)由第二交換耦合傳輸層9面向MR磁性層8。第二屏蔽層4包括第二交換耦合磁場施加層14、第二反鐵磁性層15和第二主屏蔽層16，所述第二反鐵磁性層15被設(shè)置為在從第二MR磁性層8看的第二交換耦合磁場施加層14的背面上與第二交換耦合磁場施加層14接觸，所述第二主屏蔽層16被設(shè)置在從第二MR磁性層8看的第二反鐵磁性層15的背面上。第二交換耦合磁場施加層14由雙層即CoFe層14b和NiFe層14a制成，所述CoFe層14b被設(shè)置為與第二反鐵磁性層15接觸，所述NiFe層14a被設(shè)置為與CoFe層14b和第二交換耦合傳輸層9這兩者都接觸。第二交換耦合磁場施加層14的厚度在580nm的范圍內(nèi)。第二反鐵磁性層15由IrMn制成，并且與相鄰的CoFe層14b反鐵磁性地耦合。第二反鐵磁性層15可以由合金，比如Fe-Mn、Ni-Mn、Pt-Mn或Pd-Pt-Mn制成。第二主屏蔽層16由NiFe層制成，并且阻擋從記錄介質(zhì)M的同一磁軌上的相鄰比特施加的外部磁場。第二主屏蔽層16的構(gòu)造與常規(guī)公知的主屏蔽層的構(gòu)造相同，并且厚度通常在12pm的范圍內(nèi)。第二主屏蔽層16比第二交換耦合磁場施加層14和第二反鐵磁性層15厚。通常，由于其多磁疇結(jié)構(gòu)，第二主屏蔽層16是高滲透性的。因此，第二主屏蔽層16起到具有高效率的屏蔽的作用。為了確保與第一和第二反鐵磁性層12和15的高交換耦合強(qiáng)度，第一和第二屏蔽層3和4的第一和第二反鐵磁性層12和15分別與第一和第二交換耦合磁場施加層13和14的CoFe13a和14b接觸。如果第一和第二反鐵磁性層12和15分別與NiFe層13b和14a接觸，則交換耦合強(qiáng)度變得小到難以通過分別使用第一和第二反鐵磁性層12和15牢固地固定在第一和第二交換耦合磁場施加層13和14中的磁化方向。設(shè)置NiFe層13b和14a，用于改善屏蔽層的軟磁性質(zhì)，從而允許有效地起到屏蔽層的作用?？梢詫⒎谴判詫?此處未顯示)如Cu插入到第二反鐵磁性層15和第二主屏蔽層16之間的空間中。在Cu的情況下，非磁性層的厚度為約lnm就足夠了。通過插入非磁性層，主屏蔽層16趨于具有多磁疇。因此，主屏蔽層16的屏蔽外部磁場的性能被提高。另一方面，如果不設(shè)置非磁性層，則幾乎不會出現(xiàn)由主屏蔽層16中的磁疇運(yùn)動所導(dǎo)致的任何噪聲。因此，在設(shè)計(jì)中選擇是否插入非磁性層是有關(guān)系的。如圖2A中所示，在磁軌寬度的方向T上，在MR層壓體的兩側(cè)均形成由八1203制成的絕緣層17。絕緣層17的設(shè)置允許在MR層壓體2上聚集感應(yīng)電流，所述感應(yīng)電流在垂直于MR層壓體2的膜表面的方向P上流動。在MR層壓體的側(cè)面上的絕緣層17的任何厚度都是允許的，只要其足以絕緣即可。在絕緣層17的外面可以具有導(dǎo)電層。然而，在這種情況下，第一屏蔽層3和第二屏蔽層4也需要被絕緣。如圖2B中所示，經(jīng)由八1203所制成的絕緣層19，在ABSS的相反側(cè)上，為MR層壓體2設(shè)置偏磁場施加層18。偏磁場施加層18是由CoPt或CoCrPt制成的硬磁膜，并且允許在垂直于ABSS的方向Q上向MR層壓體施加偏磁場。絕緣層19防止感應(yīng)電流流入到偏磁場施加層18內(nèi)。如圖1中所示，在第二屏蔽層4上方，經(jīng)由通過濺射法等形成的器件間屏蔽層(inter-deviceshieldlayer)31設(shè)置寫入部20。寫入部20具有垂直磁記錄的構(gòu)造。用于寫入的磁極層由主磁極層21和輔助磁極層22組。磁極層21和22是通過框架鍍敷(frameplating)法等形成的。主磁極層21由FeCo制成，并且在基本上垂直于ABSS的方向上暴露在ABSS上。主磁極21被線圈層(coillayer)23巻繞，延伸到由絕緣材料制成的間隔層(gaplayer)24上方。通過線圈層23在主磁極層21內(nèi)引起磁通。線圈層23通過框架鍍敷法等形成。將磁通導(dǎo)向主磁極層21內(nèi)部并且向ABSS處的記錄介質(zhì)釋放。不僅在垂直于膜表面的方向P上，還在磁軌寬度的方向T(即，垂直于紙表面的方向；參見圖2A)上，都使主磁極層21在ABSS的附近收縮，因此產(chǎn)生與高密度記錄匹配的微小并且強(qiáng)大的寫入磁場。輔助磁極層22是與主磁極層21磁性地耦合的磁極層。輔助磁極層22是膜厚度約0.01pm約0.5pm的磁極層，由選自Ni、Fe和Co的組中的兩種或三種金屬構(gòu)成的合金制成。輔助磁極層22從主磁極層21分支出來，并且在ABSS處經(jīng)由間隔層24和線圈絕緣層25面向主磁極層21。在輔助磁極層22在ABSS處的邊緣部分上，形成拖尾屏蔽部(trailingshieldsection),其橫截面比輔助磁極層22的其它部分的橫截面寬。設(shè)置具有上述構(gòu)造的輔助磁極層22允許輔助磁極層22和主磁極層21之間的磁場梯度在ABSS的附近變得更陡。因此，使信號輸出抖動小，由此導(dǎo)致讀取時(shí)的出錯(cuò)率降低。下面，如圖3A3D和圖4中所示，本發(fā)明人將解釋，使用根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁場磁頭將記錄在記錄介質(zhì)上的磁信息讀取出來的工作原理。首先，假定無磁場狀態(tài)，即，其中既沒有施加外部磁場也沒有施加來自偏磁長施加層18的偏磁場。圖3A是說明在這種虛態(tài)下，MR層壓體和屏蔽層的磁化狀態(tài)的示意圖。為了顯示沒有施加偏磁場，用虛線顯示偏磁場施加層18。圖4是顯示施加于第一和第二MR磁性層的磁場強(qiáng)度和信號輸入之間關(guān)系的示意圖。X-軸和Y-軸分別顯示磁場強(qiáng)度和信號輸出。在圖3A3D中，各個(gè)空心箭頭顯示各個(gè)磁性層中的磁化方向。預(yù)先將第一屏蔽層3的第一反鐵磁性層12和第二屏蔽層4的第二反鐵磁性層15在同一方向(左手方向)上磁化。因此，通過與第一反鐵磁性層12反鐵磁性地耦合，第一交換耦合磁場施加層13在圖中右手方向上被磁化。同樣地，通過與第二反鐵磁性層15反鐵磁性地耦合，第二交換耦合磁場施加層14在圖中右手方向上被磁化。層5a、CoFe層5b、Ru層5c、CoFe層5d和Ru層5e組成的層壓結(jié)構(gòu)。CoFe層5b和第一反鐵磁性層13經(jīng)由Ru層5a交換耦合。已知Ru的交換耦合強(qiáng)度依賴于膜厚度而具有正值或負(fù)值。例如，如果膜厚度為例如0.4nm、0.8nm或1.7nm，則產(chǎn)生高的負(fù)交換耦合強(qiáng)度，例如，其中的負(fù)交換耦合表示這樣的狀態(tài)，目卩，在Ru層的兩側(cè)的磁性層上，磁化方向變得彼此反平行。因此，通過將Ru層5a的膜厚度設(shè)定為上述值，使CoFe層5b在圖中左手方向上被磁化。同樣地，CoFe層5b和CoFe層5d經(jīng)由Ru層5c交換耦合。此外，CoFe層5d和第一MR磁性層6經(jīng)由Ru層5e交換耦合。例如，通過將Ru層5c和5e的膜厚度設(shè)定為0.4nm、0.8nm或1.7nm，使第一MR磁性層6在左手方向上磁化。對于第二反鐵磁性層15、第二交換耦合磁場施加層14、第二交換耦合傳輸層9和第二MR磁性層8中的磁化方向也是這樣。因此，如圖3A中所示，第二MR磁性層8在圖中右手方向上被磁化。圖4中的狀態(tài)A顯示圖3A中的狀態(tài)。因?yàn)榧葲]有從偏磁場層18施加的任何偏磁場，也沒有從記錄介質(zhì)M施加的任何外部磁場，所以第一MR磁性層6中的磁化方向FL1和第二MR磁性層8中的磁化方向FL2彼此反平行通過。然而，如下所述，第一MR磁性層6中的磁化方向FL1和第二MR磁性層8中的磁化方向FL2不一定是精確地彼此反平行的，只要當(dāng)施加偏磁場時(shí)磁化方向在彼此相反的方向上旋轉(zhuǎn)即可。因此，第一交換耦合傳輸層5將第一交換耦合磁場施加層13與第一MR磁性層6磁性地連接(tie)。第一交換耦合磁場施加層13起到經(jīng)由第一交換耦合傳輸層5向第一MR磁性層6施加平行于ABSS的方向上的交換耦合磁場的作用。類似地，第二交換耦合傳輸層9將第二交換耦合磁場施加層14與第二MR磁性層8磁性地連接。第二交換耦合磁場施加層14起到經(jīng)由第二交換耦合傳輸層9向第二MR磁性層8施加平行于ABSS的方向上的交換耦合磁場的作用。因此，在無磁場狀態(tài)下，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8彼此反平行地磁化。下面，如圖3B中所示，假定其中僅施加偏磁場(S卩，沒有施加外部磁場)的狀態(tài)，因?yàn)閷?shí)際上向第一MR磁性層6和第二MR磁性層8施加偏13磁場。在此，在朝向ABSS的方向上施加偏磁場。在偏磁場的影響下，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向在朝ABSS的方向上旋轉(zhuǎn)。因此，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向在從反平行狀態(tài)向平行狀態(tài)的方向上旋轉(zhuǎn)，這導(dǎo)致如圖4中顯示為狀態(tài)B的初始磁化狀態(tài)(即，僅施加偏磁場的狀態(tài))。在圖4中，偏磁場和外部磁場的正向?yàn)橄蛳隆Ｈ绻麖挠涗浗橘|(zhì)M施加外部磁場，此時(shí)，第一MR磁性層6內(nèi)的磁化方向和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向之間的相對角根據(jù)外部磁場的方向而增加或減小。具體地，如圖3C中所示，如果從記錄介質(zhì)M施加從ABSS指向記錄介質(zhì)M的磁場MF1，則第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向繼續(xù)朝ABSS旋轉(zhuǎn)。因此，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向更接近平行狀態(tài)(即，圖4中的狀態(tài)D)。它們越接近平行狀態(tài)，則從電極(即，第一和第二屏蔽層3和4)供給的電子越不容易被散射。因此，感應(yīng)電流的電阻值減小。換言之，信號輸出減小。相反，如圖3D中所示，如果施加從記錄介質(zhì)M指向ABSS的磁場MF2，則第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向在遠(yuǎn)離ABSS的方向上旋轉(zhuǎn)。因此，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向更接近反平行狀態(tài)(即，圖4中的狀態(tài)E)。它們越接近反平行狀態(tài)，則從電極供給的電子越容易被散射。因此，感應(yīng)電流的電阻值增加。換言之，信號輸出增加。因此，利用第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向之間的相對角的變化，可以檢測外部磁場。第一和第二交換耦合傳輸層5和9幾乎不被外部磁場影響，因?yàn)樵谄鋬?nèi)部的磁性層內(nèi)的磁化方向被交換耦合牢固地固定。由于這個(gè)原因，第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向幾乎不受第一和第二交換耦合傳輸層5和9內(nèi)磁化方向變化的影響；磁化方向主要隨外部磁場變化。在本實(shí)施方案中，控制偏磁場施加層18的膜厚度和形狀，使得第一MR磁性層6和第二MR磁性層8內(nèi)的磁化方向在狀態(tài)B(S口，初始磁化狀態(tài))下基本上彼此垂直。如圖4中所示，如果磁化方向在初始磁化狀態(tài)下彼此垂直，則輸出變化(即，信號輸出的交角(inclination))隨外部磁場的變化而變大，導(dǎo)致高磁阻變化率和良好的輸出對稱性。如上所述，第一和第二交換耦合傳輸層5和9具有向第一和第二MR磁性層6和8傳輸關(guān)于第一和第二交換耦合磁場施加層13和14內(nèi)磁化方向，特別是磁化方向的各向異性的信息的功能。然而，應(yīng)當(dāng)指出，第一和第二交換耦合傳輸層5和9還具有調(diào)節(jié)讀取間隔的功能。讀取間隔的目標(biāo)值是基于通過薄膜磁頭所獲得的線性記錄密度所確定的。然而，由于第一和第二MR磁性層6和8以及非磁性中間層7的厚度是基于各種其它因素確定的，所以第一和第二交換耦合傳輸層5和9具有將讀取間隔調(diào)節(jié)到所需大小的功能。如上所述，對于構(gòu)成第一和第二交換耦合傳輸層5和9的Ru層的厚度，僅有小的自由度。為了相對于外部磁場固定CoFe層內(nèi)的磁化方向，也不能將CoFe層制作得很厚。如果第一和第二交換耦合傳輸層5和9需要大的厚度，則因而需要增加層壓的Ru和CoFe層的數(shù)目。在本實(shí)施方案中，第一和第二交換耦合傳輸層5和9使用Ru層/CoFe層/Ru層的三層構(gòu)造或Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層的五層構(gòu)造。然而，允許使用其它的構(gòu)造，包括例如Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層的七層構(gòu)造。當(dāng)設(shè)定第一和第二交換耦合傳輸層5和9的構(gòu)造時(shí)，需要考慮以下幾點(diǎn)。為了穩(wěn)定磁化狀態(tài)，從磁化過程考慮，第一和第二反鐵磁性層12和15的磁化方向應(yīng)當(dāng)相同。由于這一原因，在本實(shí)施方案中，第一和第二反鐵磁性層12和15在圖3A中左手方向上被磁化。不必說，第一和第二反鐵磁性層12和15均可以在右手方向上被磁化。還需要使第一MR磁性層6和第二MR磁性層8在初始磁化狀態(tài)下在非磁性中間層7兩側(cè)上彼此反平行地被磁化。在本實(shí)施方案中，調(diào)節(jié)起到反鐵磁耦合作用的Ru層/CoFe層的組合的數(shù)目。通過為第一交換耦合傳輸層5制備Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層的五層構(gòu)造，以及為第二交換耦合傳輸層9制備Ru層/CoFe層/Ru層的三層構(gòu)造，使第一MR磁性層6和第二MR磁性層8彼此反平行地磁化。還允許為第一交換耦合傳輸層5制備Ru層/CoFe層/Ru層的三層構(gòu)造，以及為第二交換耦合傳輸層9制備Ru層/CoFe層/Ru層/CoFe層/Ru層的五層構(gòu)造。如果需要小的讀取間隔，則第一交換耦合傳輸層5或第二交換耦合傳輸層9可以具有由RU層組成的單層構(gòu)造。表2顯示了一種膜構(gòu)造，其中第二交換耦合傳輸層9具有由Ru層組成的單層構(gòu)造。第一交換耦合傳輸層5具有Ru層/CoFe層/Ru層的三層構(gòu)造，因而第一和第二反鐵磁性層12和15可以具有相同的磁化方向，并且第一MR磁性層6和第二MR磁性層8可以彼此反平行地被磁化。不必說，允許第一交換耦合傳輸層5具有由Ru層組成的單層構(gòu)造，以及第二交換耦合傳輸層9具有由Ru層/CoFe層/Ru層組成的三層構(gòu)造。此外，如果第一和第二反鐵磁性層12和15具有相反的磁化方向，則第一和第二交換耦合傳輸層5和9均可以分別具有由Ru層組成的單層構(gòu)造。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>因此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭可以具有包括磁性層的構(gòu)造，所述磁性層在第一MR磁性層6和第一交換耦合磁場施加層13之間的空間內(nèi)和/或在第二MR磁性層8和第二交換耦合磁場施加層14之間的空間內(nèi)，并且由至少一個(gè)Ru層組成的磁性層(交換耦合傳輸層)。根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭還可以具有包括交換耦合傳輸層的結(jié)構(gòu)，所述交換耦合傳輸層在第一MR磁性層6和第一交換耦合磁場施加層13之間的空間內(nèi)和/或在第二MR磁性層8和第二交換耦合磁場施加層14之間的空間內(nèi)，并且由Ru層組成。此外，如圖5中所示，可以使用綜合交換耦合磁場施加層41代替第一交換耦合磁場施加層13，所述綜合交換耦合磁場施加層41包含一對在由Rn等制成的非磁性導(dǎo)電層41b的兩側(cè)上的反鐵磁性地耦合鐵磁性層41a和41c。鐵磁性層41a和41c可以各自具有CoFe層、NiFe層、CoFe層和NiFe層的層壓結(jié)構(gòu)。如果非磁性導(dǎo)電層41b由Ru層組成，則膜厚度優(yōu)選為約0.8nm。綜合交換耦合磁場施加層41的總膜厚度優(yōu)選在約5100nm的范圍內(nèi)。在此構(gòu)造中，磁化方向在第一屏蔽層3內(nèi)部反轉(zhuǎn)一次；從而，第一交換耦合傳輸層5可以被制成Ru層/CoFe層/Ru層的三層構(gòu)造。因此，第一交換耦合傳輸層5以及第二交換耦合傳輸層9的膜構(gòu)造和厚度可以被制成相同的。此外，如通過圖3A和圖5之間的對比所示，可以將第一交換耦合磁場施加層5的厚度減小，這樣導(dǎo)致讀取間隔的減小，因此進(jìn)一步有助于高密度記錄。代替第一交換耦合磁場施加層13，第二交換耦合磁場施加層14可以具有鐵磁性層/非磁性導(dǎo)電層/鐵磁性層的綜合結(jié)構(gòu)。簡言之，在本發(fā)明中，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置第一交換耦合傳輸層5、第二交換耦合傳輸層9、第一交換耦合磁場施加層13和第二交換耦合磁場施加層14，以這樣的方式可以使得第一反鐵磁性層12和第二反鐵磁性層15之間磁化方向相同，并且可以使第一MR磁性層6和第二MR磁性層8彼此反平行地被磁化。在使用多個(gè)CoFe層的情況下，CoFe層的厚度優(yōu)選應(yīng)當(dāng)為相同的。CoFe層被外部磁場磁化，并且磁化方向易于朝外部磁場旋轉(zhuǎn)。如果CoFe層的厚度不同，則大的膜厚度的CoFe層變得更易于被旋轉(zhuǎn)，克制交換耦合，從而抑制向第一和第二MR磁性層6和8傳輸關(guān)于第一和第二交換耦合磁場施加層13和14內(nèi)的磁化方向的信息的功能?？梢酝ㄟ^以下方法制備根據(jù)本實(shí)施方案的薄膜磁頭。首先，在基底91(見圖1)上形成第一屏蔽層3。然后，通過濺射在第一屏蔽層3上形成構(gòu)成MR層壓體2的各個(gè)層。然后，將各層圖案化，并且將在磁軌寬度方向T上的部分都用絕緣膜17填充。之后，進(jìn)行滾軋，保留器件的ABSS與高度h(見圖l)之間的部分完整，以經(jīng)由絕緣層19形成偏磁場施加層18。因此，在MR層壓體2的兩個(gè)側(cè)面上，于磁軌寬度方向T上形成絕緣層17，并且于從ABSS看的MR層壓體的背側(cè)上形成偏磁場施加層18。隨后，形成第二屏蔽層4。然后，通過本領(lǐng)域的公知方法形成前述寫入部20。(示例性實(shí)施方案)本發(fā)明人通過在ALTiC(Al203-TiC)基底上形成1iLim厚的第一屏蔽層3，然后使用DC磁控管濺射設(shè)備在其上堆積5nm厚的IrMn合金，從而制備出第一反鐵磁性層12。然后，本發(fā)明人利用厚度作為參數(shù)的情況下，將CoFe合金和NiFe合金依次堆積，形成第一交換耦合磁場施加層13。然后，本發(fā)明人通過堆積由0.8nm厚的Ru層、1nm厚的CoFe合金和0.8nm厚的Ru層組成的多層膜，形成第一交換耦合傳輸層5。本發(fā)明人在第一交換耦合傳輸層5上依次堆積4nm厚的第一MR磁性層6、由ZnO制成的2nm厚的非磁性中間層7禾B4nm厚的第二MR磁性層8。然后，本發(fā)明人堆積構(gòu)造與第一交換耦合傳輸層5的構(gòu)造相同的第二交換耦合傳輸層9，以通過滾軋形成重放磁頭形狀。之后，本發(fā)明人利用厚度作為參數(shù)，依次堆積NiFe合金和CoFe合金，以形成第二交換稱合磁場施加層14。本發(fā)明人通過在其上堆積5nm厚的IrMn合金，形成第二反鐵磁性層15。在其上堆積1nm厚的Cu層之后，本發(fā)明人堆積1pm厚的NiFe合金，以形成第二屏蔽層4。然后，本發(fā)明人通過在250。C進(jìn)行3小時(shí)磁性退火，制備出重放磁頭測試樣品。本發(fā)明人還制備了沒有第一和第二交換耦合磁場施加層13和14的樣品作為參比。對于每個(gè)樣品，NiFe合金和CoFe合金在第一交換耦合磁場施加層13和第二交換耦合磁場施加層14中的膜厚度都相同。圖6A6C和表3顯示這樣制備的測試樣品的交換耦合磁場、磁阻變化率(MR變化率)和磁阻變化率的COV值(通過用平均值除方差所得到的值)。如果交換耦合磁場太大，則將抑制屏蔽層的功能。如果交換耦合磁場太小，則將難以固定第一和第二MR磁性層6和8中的磁化方向。從這些角度考慮，本發(fā)明人設(shè)定不小于4[kA/m](50[Oe])并且不大于159[kA/m](2000[Oe])的容許范圍。磁阻變化率越高，則越優(yōu)選。然而，在本例中，當(dāng)其超過14%時(shí)，這是在所述參比情況下的磁阻變化率，本發(fā)明人證明了本發(fā)明的效果。COV值越小，則越優(yōu)選。然而，從實(shí)際應(yīng)用考慮，本發(fā)明人將容許范圍設(shè)定為不大于5%。如這些圖和表3中所示，當(dāng)?shù)谝缓偷诙粨Q耦合磁場施加層13和14的厚度在480nm的范圍內(nèi)時(shí)，交換耦合磁場在容許范圍內(nèi)；當(dāng)所述厚度在5200nm的范圍內(nèi)時(shí)，磁阻變化率在容許范圍內(nèi)；而當(dāng)所述厚度在580nm的范圍內(nèi)時(shí)，磁阻變化率的變化(COV值)在容許范圍內(nèi)。在表3中，在容許范圍內(nèi)的全部實(shí)例均以半色調(diào)點(diǎn)網(wǎng)(half-tonedotmeshing)顯示。因此，優(yōu)選第一和第二交換耦合磁場施加層13和14的厚度在580nm的范圍內(nèi)。在表3中，滿足全部判斷標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)例被稱為優(yōu)選例，相應(yīng)的總膜厚度用粗線包圍?？偰ず穸染嗟鹊膬?yōu)選例1和2之間與優(yōu)選例3和4之間的對比顯示出，當(dāng)將CoFe層設(shè)置在第一和第二交換耦合磁場施加層13和14中并且其中CoFe層與第一和第二反鐵磁性層12和15接觸時(shí)，能夠產(chǎn)生大的交換耦合磁場。<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如上所述，在根據(jù)本實(shí)施方案和本示例性實(shí)施方案的薄膜磁頭中，在無磁場狀態(tài)下，磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第一和第二MR磁性層6和8通過從第一-和第二交換耦合磁場施加層13和M經(jīng)由第一和第二交換耦合傳輸層5和9所施加的交換耦合磁場而彼此反平行地被磁化。這消除了使用對于非磁性中間層7具有交換耦合作用的材料的必要性。因此，可以使用能夠發(fā)揮最大磁阻效應(yīng)的任何材料，這樣產(chǎn)生高的磁阻變化率。由于第一和第二交換耦合磁場施加層13和14被第一和第二反鐵磁性層12和15強(qiáng)烈地磁化，所以將導(dǎo)致高的磁阻變化率的第一和第二MR磁性層^和8的磁性狀態(tài)控制得顯示出較小的變化是容易的。此外，第一和第二交換耦合磁場施加層13和14以及第一和第二反鐵磁性層12和15起到屏蔽層3和1的作用，這樣有助于讀取間隔的減小。換言之，在根據(jù)本實(shí)施方案和本示例性實(shí)施方案的薄膜磁頭中，第一和第二交換耦合磁場施加層13和14以及第一和第二反鐵磁性層12和15具有作為用于控制第一和第二MR磁性層6和8的磁性狀態(tài)的磁性控制層和作為屏蔽層的兩種功能。接下來，以下描述用于制備上述薄膜磁頭的晶片。如圖7中所示，在晶片ioo上至少形成構(gòu)成上述薄膜磁頭的層壓體。將晶片ioo分成多個(gè)條101，它們是用于磨光(polish)ABSS的工作單元。在磨光后，將條101切割成各自包含薄膜磁頭的滑橇210。晶片100配置有切割邊緣(在此未顯示)，用于將晶片100切割成條101和將條101切割成滑橇210。如圖8中所示，滑橇210近似為六面體形狀。其一面是面向硬盤的ABSS。如圖9中所示，磁頭懸掛組件220包含滑橇210和用于彈性支撐滑橇210的懸架221。懸架221包含由不銹鋼制成的彈簧組件承載梁(spring-setloadbeam)222、安置在承載梁222—邊的彎曲部223、以及安置在承載梁222另一邊的底板224。彎曲部223與滑橇210安置在一起，提供適當(dāng)?shù)淖杂啥?。在滑?10被安裝到彎曲部223的這部分上，安置用于將滑橇210的位置保持恒定的懸掛部分?；?10被安置在硬盤設(shè)備內(nèi)，面向硬盤，該硬盤為被旋轉(zhuǎn)的盤形記錄介質(zhì)。當(dāng)硬盤在如圖9中的z方向上旋轉(zhuǎn)時(shí)，在硬盤和滑橇210之間的空間通過的空氣流為y方向上向下的滑橇210提供上升力。該上升力使滑橇210遠(yuǎn)離從硬盤表面移動。薄膜磁頭1在滑橇210的空氣出口側(cè)的邊緣部分(即，圖8中左下側(cè)的邊緣部分)附近形成。磁頭懸掛組件220安裝到臂230上的這部分被稱為磁頭臂組件221。臂230允許在x方向上橫穿硬盤262的磁軌移動滑橇210。臂230的一邊安裝到底板224上。在臂230的另一邊安裝組成音圈電機(jī)的一部分的線圈231。在臂230的中間部分安置軸承部分233。臂230被安裝在軸承部分233上的軸234轉(zhuǎn)動地支撐。臂230和用于驅(qū)動臂230的音圈電機(jī)組成傳動裝置。下面參照圖10和圖11，對與前述滑橇一體化的磁頭堆疊組件和硬盤裝置進(jìn)行解釋。磁頭堆疊組件包含具有多個(gè)臂的支架，其中磁頭懸掛組件220被安裝在各個(gè)臂上。圖IO是磁頭堆疊組件的側(cè)視圖，圖ll是硬盤設(shè)備的平面圖。磁頭堆疊組件250包含具有多個(gè)臂252的支架251。在每個(gè)臂252上，在垂直方向上間隔地安裝磁頭懸掛組件。組成音圈電機(jī)的一部分的線圈253被安裝在支架251的與臂252相反的一側(cè)上。音圈電機(jī)具有永久磁鐵263，其彼此面對地安置在線圈253的兩側(cè)上。如圖11中所示，將磁頭堆疊組件250結(jié)合到硬盤設(shè)備中。硬盤設(shè)備具有多個(gè)安裝在主軸電機(jī)261上的硬盤262。對于每個(gè)硬盤262，在硬盤262的兩側(cè)安置彼此相對的兩個(gè)滑橇210。對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的定位裝置的磁頭堆疊組件250(不包括滑橇210)和傳動裝置，不僅支撐滑橇210，而且將滑橇210相對于硬盤262定位?；?10通過相對于硬盤262定位的傳動裝置在橫穿硬盤262的磁軌的方向上移動?；?10的薄膜磁頭1通過記錄頭在硬盤262上記錄信息，并且通過重放頭將記錄在硬盤262上的信息重放。上面詳細(xì)地提供了對根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的說明。然而，應(yīng)當(dāng)理解只要它們不偏離后附權(quán)利要求的精神或范圍，多種變化和修改都是可能的。權(quán)利要求1.一種薄膜磁頭，所述薄膜磁頭包含MR層壓體，所述MR層壓體由其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第一MR磁性層、非磁性中間層和其磁化方向響應(yīng)外部磁場而變化的第二MR磁性層組成，其中所述第一MR磁性層、所述非磁性中間層和所述第二MR磁性層依次相互接觸；第一和第二屏蔽層，所述第一和第二屏蔽層分別面向所述第一MR磁性層和所述第二MR磁性層設(shè)置，并且所述第一和第二屏蔽層以在垂直于所述MR層壓體的膜表面的方向上將所述MR層壓體夾在中間的狀態(tài)排列，并且所述第一和第二屏蔽層還起到電極的作用，用于使感應(yīng)電流在垂直于所述MR層壓體的膜表面的方向上流動；以及偏磁場施加層，所述偏磁場施加層被設(shè)置在所述MR層壓體的氣墊表面(ABS)的相對側(cè)上，以施加垂直于所述ABS的偏磁場，其中所述第一屏蔽層包含第一交換耦合磁場施加層，所述第一交換耦合磁場施加層被設(shè)置為面向所述第一MR磁性層，并且在平行于所述ABS的方向上向所述第一MR磁性層施加交換耦合磁場；和第一反鐵磁性層，所述第一反鐵磁性層被設(shè)置為在從所述第一MR磁性層看的所述第一交換耦合磁場施加層的背面上與所述第一交換耦合磁場施加層接觸，并且所述第一反鐵磁性層與所述第一交換耦合磁場施加層反磁性地耦合，并且所述第二屏蔽層包含第二交換耦合磁場施加層，所述第二交換耦合磁場施加層被設(shè)置為面向所述第二MR磁性層，并且向所述第二MR磁性層施加交換耦合磁場，所述交換耦合磁場在與所述ABS平行的方向上，并且在與由所述第一交換耦合磁場施加層向所述第一MR磁性層所施加的交換耦合磁場反平行的方向上，和第二反鐵磁性層，所述第二反鐵磁性層被設(shè)置為在從所述第二MR磁性層看的所述第二交換耦合磁場施加層的背面上與所述第二交換耦合磁場施加層接觸，并且所述第二反鐵磁性層與所述第二交換耦合磁場施加層反磁性地耦合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述第一和第二反鐵磁性層分別包含選自Fe-Mn、Ni-Mn、Ir-Mn、Pt-Mn和Pd-Pt-Mn中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜磁頭，其中所述第一和第二交換耦合磁場施加層分別包含CoFe合金層，所述CoFe合金層被設(shè)置為分別與所述第一和第二反鐵磁性層接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜磁頭，其中所述第一和第二交換耦合磁場施加層中僅有一個(gè)包含反鐵磁性層，所述反鐵磁性層在非磁性導(dǎo)電層的兩側(cè)上彼此反鐵磁性地耦合。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述第一和第二交換耦合磁場施加層的厚度各自在580nm的范圍內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述MR層壓體包括第一交換耦合傳輸層，所述第一交換耦合傳輸層由包括至少一個(gè)釕(Ru)層的磁性層組成，并且在所述第一MR磁性層和所述第一交換耦合磁場施加層之間和/或在所述第二MR磁性層和所述第二交換耦合磁場施加層之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述MR層壓體包括第一交換耦合傳輸層，所述第一交換耦合傳輸層由釕(Ru)層組成，并且在所述第一MR磁性層和所述第一交換耦合磁場施加層之間以及在所述第二MR磁性層和所述第二交換耦合磁場施加層之間中的至少一處。8.—種滑橇，所述滑橇配置有根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭。9.一種晶片，在所述晶片上形成層壓體，所述層壓體被構(gòu)造為根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭。10.—種磁頭懸掛組件，所述磁頭懸掛組件包含根據(jù)權(quán)利要求8所述的滑橇和用于彈性支撐所述滑橇的懸架。11.一種硬盤設(shè)備，所述硬盤設(shè)備包含根據(jù)權(quán)利要求8所述的滑橇和用于支撐所述滑橇并且使所述滑橇相對于記錄介質(zhì)定位的設(shè)備。全文摘要本發(fā)明提供了具有一對由屏蔽層控制其磁化的磁性層的薄膜磁頭。薄膜磁頭包含由第一和第二MR磁性層組成的MR層壓體、第一和第二屏蔽層以及偏磁場施加層，所述偏磁場施加層被設(shè)置在MR層壓體的氣墊表面(ABS)的相對側(cè)上，以施加垂直于ABS的偏磁場。第一屏蔽層包含第一交換耦合磁場施加層和第一反鐵磁性層，并且第二屏蔽層包含第二交換耦合磁場施加層和第二反鐵磁性層。將第一反鐵磁性層設(shè)置為在第一交換耦合磁場施加層的背面與第一交換耦合磁場施加層接觸，并且所述第一反鐵磁性層與第一交換耦合磁場施加層反磁性地耦合。第二屏蔽層具有與第一屏蔽層相同的構(gòu)造。文檔編號G11B5/39GK101667427SQ20091013907公開日2010年3月10日申請日期2009年5月15日優(yōu)先權(quán)日2008年7月29日發(fā)明者原晉治,土屋芳弘,宮內(nèi)大助,町田貴彥,勤長申請人:Tdk株式會社