專利名稱：記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)及其制造方法，并且更具體而言，涉及具有高密度和高 能量傳遞效率的記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
近期快速發(fā)展的技術(shù)提供了高容量記錄介質(zhì)。這種記錄介質(zhì)的實例包括光盤 (⑶)、數(shù)字通用光盤(DVD)等。除了這些記錄介質(zhì)，還有容量高得多的藍(lán)光光盤和近場記錄 介質(zhì)作為下一代記錄介質(zhì)。能夠?qū)τ涗浗橘|(zhì)進(jìn)行記錄的能量傳遞效率對于這種記錄介質(zhì)是 重要的。由于在記錄介質(zhì)與記錄/復(fù)制設(shè)備之間它們之間的距離相對較小而通常發(fā)生碰 撞。因此，記錄介質(zhì)需要具有足夠高的能量傳遞效率和優(yōu)異的物理性能，以保護(hù)記錄介質(zhì)和 記錄/復(fù)制設(shè)備不受機(jī)械碰撞影響。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于解決具有高密度和高能量傳遞效率的記錄介質(zhì)及其制造方法 的問題。技術(shù)方案通過提供一種記錄介質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的，所述記錄介質(zhì)包含襯底；在所 述襯底上形成的記錄層；在所述記錄層上形成的具有第一硬度的第一覆蓋層；以及在所述 第一覆蓋層上形成的具有第二硬度的第二覆蓋層。在本發(fā)明的另一方面中，本文中提供了一種制造記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括 在襯底上形成記錄層；在所述記錄層上形成具有第一硬度的第一覆蓋層；以及在所述第一 覆蓋層上形成具有第二硬度的第二覆蓋層。第二硬度大于第一硬度。第一硬度可以為2H以下。所述第二硬度可以為2H以上。第一覆蓋層可以具有第一折射率，并且第二覆蓋層可以具有第二折射率。第二折射率可以大于第一折射率。利用包含光學(xué)系統(tǒng)的記錄/復(fù)制設(shè)備，可以對記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄/復(fù)制。記錄介質(zhì)的第二覆蓋層的第二折射率可以比光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑大。第一覆蓋層可以由聚合物和納米復(fù)合材料中的至少一種構(gòu)成。第二覆蓋層可以由至少一種電介質(zhì)材料構(gòu)成。第二覆蓋層可以包含Si3N4和ZnS中的至少一種。第二覆蓋層可以包含氧化硅(SiO2)。第二覆蓋層還可以包含金屬氧化物。第二覆蓋層可以由復(fù)合物(compound) (SiO2) ^x+ (金屬氧化物)x構(gòu)成。
在所述復(fù)合物中，χ為0. 1 0.9。在所述復(fù)合物中，χ為0.2 0.8。金屬氧化物可以是選自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、 Ag、Hf、Ta、W、Re、W、Os、Ir、Pt、Al、Ge、In 和 Sn 的氧化物中的至少一種。第二覆蓋層可以具有的折射率為1. 5 2. 2。第一覆蓋層和第二覆蓋層的總厚度可以為1 5μπι。第二覆蓋層可以為抗反射層。


為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的實施方案，并且附圖與說明書一起 用作解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出用于本發(fā)明的記錄層的材料的相變。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)的記錄層的相變條件。圖3示出入射到根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)的光束與從其折射的光束之間的相關(guān)性。圖4示出依賴根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)折射率的光束反射狀態(tài)。圖5示出依賴根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)折射率的光束反射狀態(tài)。圖6示出依賴根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)折射率的光束反射狀態(tài)。圖7示出依賴根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)折射率的光束反射狀態(tài)。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的記錄介質(zhì)。圖9示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的覆蓋層。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方案的記錄介質(zhì)。
具體實施例方式現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，其實例示于附圖中。盡管本發(fā)明中所使用的大部分術(shù)語選自本領(lǐng)域中通常廣泛使用的術(shù)語，但是本發(fā)明人已經(jīng)任意選擇了一部分術(shù)語且在下面的說明書中根據(jù)需要對它們的意思進(jìn)行詳細(xì)解 釋。因此，應(yīng)該利用所述術(shù)語的期望含義來理解本發(fā)明，而不是根據(jù)它們簡單的名稱或含義
來理解。本文中所使用的術(shù)語“記錄介質(zhì)”是指存儲所記錄數(shù)據(jù)或記錄數(shù)據(jù)的所有介質(zhì)。例 如，不考慮諸如光盤或磁帶的記錄方式，記錄介質(zhì)包括所有介質(zhì)。下文中為了更好地理解， 將參考光盤的一個實例，尤其是近場記錄介質(zhì)，對本發(fā)明進(jìn)行說明。明顯地，本發(fā)明的技術(shù) 構(gòu)思適用于其他記錄介質(zhì)。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的記錄介質(zhì)的記錄層的構(gòu)成材料的圖。圖 1示出構(gòu)成記錄層的相變材料的狀態(tài)。相變材料根據(jù)其原子排列來確定其物相。如圖1的 左側(cè)中所示，在各個晶格點處排列原子。這種狀態(tài)被稱作“晶態(tài)”，其處于最小能態(tài)。當(dāng)晶態(tài) 原子熔化并然后快速冷卻時，它們偏離它們的原始位置，然后發(fā)生被散布(圖1的右側(cè)中所 示)。與晶態(tài)相比，將這種狀態(tài)稱作“無定形”且處于高能態(tài)。在構(gòu)成記錄層的記錄材料為晶態(tài)或無定形材料時，晶態(tài)和無定形記錄材料的折射率彼此不同。因此，基于光學(xué)特性，即，折射率的不同，能夠?qū)崿F(xiàn)通過“O”或“1”來表示數(shù)字的記錄和復(fù)制。另外，晶態(tài)和無定形材料具有的反射率不同。與無定形材料相比，晶態(tài)材料 呈現(xiàn)出優(yōu)異的光學(xué)特性。例如，這種相變材料可以為GeSbTe。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)的記錄層經(jīng)歷結(jié)晶和無定形化的現(xiàn)象。圖2還示 出能夠使記錄介質(zhì)的記錄層進(jìn)行結(jié)晶和無定形化的條件的實例。圖2中左側(cè)的曲線示出構(gòu)成記錄介質(zhì)的記錄層的相變材料的結(jié)晶條件。圖2的左 側(cè)曲線示出相變材料在結(jié)晶溫度(Tss)以上退火之后緩慢冷卻的情況。在該曲線中，At’ 代表相變材料保持在結(jié)晶溫度(Tss)以上的時間段。圖2中的右側(cè)曲線示出構(gòu)成記錄層的相變材料的無定形化的條件。圖2的右側(cè)曲 線示出相變材料在熔化溫度(T_)以上退火之后，快速冷卻的情況。與晶態(tài)材料相比較， 無定形材料具有高能量。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的記錄介質(zhì)的記錄方法。如上所述，為了更 好地描述記錄介質(zhì)，將作為一個實例對近場記錄介質(zhì)進(jìn)行描述。然而，明顯地，本說明書也 適用于其他記錄介質(zhì)。本發(fā)明的記錄介質(zhì)使用相變材料，以構(gòu)成記錄層，并因而進(jìn)行記錄操作，由此提高 記錄密度。然而，可以使用近場記錄技術(shù)來進(jìn)一步提高記錄密度。圖3中所示的半球形物 體為固體浸沒透鏡(SIL)。所述SIL用于提高數(shù)值孔徑，并由此提高記錄介質(zhì)的記錄密度。記錄介質(zhì)的記錄密度與在其上聚焦的激光強度相關(guān)。另外，對所聚焦激光的強度 有影響的其他參數(shù)為光源的光的波長(λ)和透鏡的數(shù)值孔徑(ΝΑ)。記錄密度可以由下列 方程表不<formula>formula see original document page 6</formula>從該方程能夠看出，光源的波長越短(或數(shù)值孔徑越大)，則激光的密度越大。光 源的波長可以為400nm 700nm的范圍中。作為提高數(shù)值孔徑的一種方法，可以使用具有 高折射率的材料來進(jìn)行光聚焦。這種材料的實例包括固體浸沒透鏡(SIL)和固體浸沒鏡 (SIM)。例如，當(dāng)不使用這種材料時，最大數(shù)值孔徑僅為0. 85，然而，當(dāng)使用SIL或SIM時，能 夠?qū)?shù)值孔徑增加至高達(dá)1. 5 2。另外，近場記錄是指使用增大的數(shù)值孔徑的記錄方法， 使用SIL或SIM來增大數(shù)值孔徑。通過使用相變材料以及短波長和近場記錄，能夠增加記 錄介質(zhì)的記錄密度。另外，關(guān)于近場記錄，記錄介質(zhì)與記錄/復(fù)制設(shè)備之間的能量傳遞效率是重要的。 為此，可以考慮記錄介質(zhì)和記錄設(shè)備的光學(xué)特性來對近場記錄進(jìn)行設(shè)計。例如，可以考慮記 錄介質(zhì)和記錄設(shè)備的折射率來制造記錄介質(zhì)。如圖3中所示，在折射率為Iii的SIL中以角度(θ 入射光束。關(guān)于透射光束的 折射角(θ t)和例如記錄介質(zhì)的最上層的透射介質(zhì)的折射角(θ t)，能夠從Snell定律得到 下列方程式。riiSin θ j = ntsin θ t其中當(dāng)θ t = 90°時，NA = nt, NA = HiSin θ J其中，NA是指光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔 徑，所述光學(xué)系統(tǒng)屬于記錄和/或復(fù)制記錄介質(zhì)的設(shè)備)，并且另外，當(dāng)et = 90°時，進(jìn)入 記錄介質(zhì)的光不入射到記錄介質(zhì)上并且發(fā)生全反射。因此，為了將光束傳遞至記錄介質(zhì)而不是發(fā)生全反射，要求，S卩，NA彡nt的條件。也就是，為了將通過近場發(fā)生器的光束傳遞到記錄介質(zhì)而不是發(fā)生全反射，則必 須滿足nt ^ NA的條件。在此情況下，根據(jù)用于記錄/復(fù)制記錄介質(zhì)的光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)特 性，可以確定NA。圖4示出記錄介質(zhì)最上層的折射率小于記錄設(shè)備的NA值的一個實例。如上所述， 當(dāng)nt < NA時，光束幾乎不從記錄設(shè)備傳遞到記錄介質(zhì)上，并且從記錄/復(fù)制設(shè)備進(jìn)入記錄 介質(zhì)的光束發(fā)生全反射。圖5示出入射到記錄介質(zhì)的光束從記錄介質(zhì)完全反射的情況。即在圖5中，如果nt彡NA，則光束入射到記錄介質(zhì)。從反射的圈形光束能夠看出， 入射到記錄介質(zhì)的光束發(fā)生全反射。在此情況下，傳遞到記錄介質(zhì)的光束的效率低，使得難 以有效率地進(jìn)行記錄和復(fù)制。圖6示出記錄介質(zhì)最上層的折射率(Iit)大于記錄設(shè)備的NA值的一個實施方案。 在此情況下，在記錄介質(zhì)與記錄設(shè)備之間沒有反射，光束從記錄設(shè)備發(fā)射到記錄介質(zhì)上。圖7示出從記錄介質(zhì)得到的光束反射的一個實例。從記錄介質(zhì)反射的光束最小。 即從記錄設(shè)備到記錄介質(zhì)的能量傳遞效率高。為了提高記錄介質(zhì)最上層的能量傳遞效率， 最上層的折射率可以大于記錄/復(fù)制設(shè)備(例如，光學(xué)系統(tǒng))的NA高。例如，使用近場光 學(xué)系統(tǒng)的記錄/復(fù)制設(shè)備可以具有1. 5以上的NA。在此情況下，記錄介質(zhì)最上層(或覆蓋 層)的折射率為1. 5，以便確保高的能量傳遞效率。除了諸如折射率的光學(xué)特性之外，記錄介質(zhì)最上層可以需要合適的機(jī)械性能。即， 為了使刮擦或物理碰撞所造成的損害最小化，可以需要合適的硬度。為此，記錄介質(zhì)需要覆 蓋層，并且更具體而言，可以包括具有不同光學(xué)特性和機(jī)械特性的一個覆蓋層或多個覆蓋 層，以滿足前述的光學(xué)特性和機(jī)械特性。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的記錄介質(zhì)的截面圖。在該實施方案中， 記錄介質(zhì)包含第二覆蓋層10、第一覆蓋層20、信息層30和襯底40。另外，第二覆蓋層10需要具有合適的硬度。合適的硬度用于保護(hù)記錄介質(zhì)。特 別地，在作為一個實例而提供的近場記錄介質(zhì)的情況中，由于近場發(fā)生器與記錄介質(zhì)之間 的距離小于100皿，因此在它們之間經(jīng)常發(fā)生碰撞。除了透鏡之外，會刮擦記錄介質(zhì)。記錄 介質(zhì)的覆蓋層可以保持適當(dāng)?shù)挠捕纫苑乐构尾?。例如，防止傳統(tǒng)透鏡刮擦所需要的硬度為 2H(基于鉛筆硬度測試儀)。明顯地，可以根據(jù)其他硬度測試儀來表示第二覆蓋層的厚度。 另外，可以設(shè)定第二覆蓋層的折射率，使得其大于記錄設(shè)備的NA，如上所述。另外，第二覆蓋層可以包含在下部中形成的第一覆蓋層。用于第一覆蓋層的材料 可以是聚合物和納米復(fù)合材料中的至少一種。另外，當(dāng)?shù)诙采w層由其厚度難以控制的材料制成時，第一覆蓋層由其厚度易于 控制的材料制成。例如，可以使用濺射法來形成第二覆蓋層，其中不利地是厚度難以控制。另外，在確保第二覆蓋層具有足夠的硬度時，第一覆蓋層的硬度可以小于第二覆 蓋層的硬度。另外，第一覆蓋層的硬度和第二覆蓋層的硬度分別是指第一硬度和第二硬度。 例如，第二覆蓋層具有2H以上的硬度，第一覆蓋層具有2H以下的硬度。另外，為了有效率 地進(jìn)行光束傳遞，第一覆蓋層的折射率可以小于第二覆蓋層的折射率?？梢詫⒌谝桓采w層和第二覆蓋層的厚度表示為兩個覆蓋層的總厚度。例如，第一覆蓋層和第二覆蓋層的總厚度可以為1 5μπι?？商娲?，在沒有第一覆蓋層的情況下，可以僅使用第二覆蓋層的厚度。第二覆蓋層可以用作抗反射層。為此，需要將厚度和折射率調(diào)節(jié)至期望水平。在這 點上，記錄介質(zhì)與諸如襯底的厚度和折射率的因素、或在襯底上設(shè)置的保護(hù)膜的折射率有 關(guān)。本文中所使用的術(shù)語“抗反射層”是指用于抵消入射到記錄介質(zhì)的光束的層，并由此防 止光束的反射。即，入射到記錄介質(zhì)的光束穿過記錄層并然后從其襯底或保護(hù)膜反射。在 此情況下，通過襯底或襯底保護(hù)膜所反射的光束會影響記錄介質(zhì)的記錄和復(fù)制操作。因此， 通過適當(dāng)控制第二覆蓋層10的厚度，能夠抵消從第二覆蓋層和襯底和/或襯底的保護(hù)膜反 射的光束。第二覆蓋層10可以包含至少一種電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料可以是Si3N4或ZnSr， 其具有相對大的折射率。其他有用的電介質(zhì)材料可以包括Si3N4或ZnSr與SiO2的組合，即， Si3N4-SiO2 或 ZnS-SiO2。另外，第二覆蓋層可以包含氧化硅(SiO2)和/或金屬氧化物。另外，第二覆蓋層 可以由氧化硅(SiO2)和金屬氧化物的混合物構(gòu)成?？梢杂裳趸?SiO2)和金屬來制備氧化硅(SiO2)和金屬氧化物的混合物，可替代 地，由氧化硅(SiO2)和金屬氧化物制備所述混合物。在第二覆蓋層中所包含的金屬的實例包括IVB、VB、VIB、VIIB和VIII族的金屬、以 及IB、IIB、IIIA和IVA族的金屬。特別地，IVB、VB、VIB、VIIB和VIII族的金屬或IB、IIB、 IIIA和IVA族的金屬可以是具有氧化物形成能力的金屬。這些金屬的實例包括鈦(Ti)、釩 (V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、 锝(Tc)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鎢(W)、錸(Re)、鋨(Os)、銥 (Ir)、鉬(Pt)、鋁(Al)、鍺(Ge)、銦(In)和錫(Sn)。另外，用于第二覆蓋層的金屬可以單獨使用或以其組合來使用。如上所述，所述金 屬可以采用金屬氧化物的形式。示例性金屬氧化物包括Si02/Sn氧化物、SiO2Ai氧化物、 SiO2Ar氧化物、Si02/Y氧化物、Si02/Ta氧化物和Si02/In_Sn氧化物。用于記錄介質(zhì)的第二覆蓋層的金屬或金屬氧化物用以增加記錄介質(zhì)的折射率。僅 使用金屬氧化物會降低記錄介質(zhì)的硬度。為了防止這種降低，可以將金屬氧化物與其他材 料一起使用。例如，可以使用二氧化硅(SiO2)。通過將氧化硅和金屬氧化物適當(dāng)混合，可以 制造用于有效率的記錄和復(fù)制操作的記錄介質(zhì)的覆蓋層。即，用于第二覆蓋層的材料可以 由式1表示(SiO2) (金屬氧化物)x (1)其中，χ為第二覆蓋層的摩爾分?jǐn)?shù)，其在0. 1 0. 9的范圍中。在式1中，χ在0. 2 0. 8的范圍中，并且可以根據(jù)記錄介質(zhì)的硬度或折射率來變化。圖9是示出折射率根據(jù)用于第二覆蓋層復(fù)合物組成的摩爾分?jǐn)?shù)而的曲線。在圖9 中，水平軸和垂直軸分別代表摩爾分?jǐn)?shù)和折射率。例如，在圖9中，示出根據(jù)&02/Si02混合 物的摩爾分?jǐn)?shù)而變化的折射率。如圖9中所示，在作為金屬氧化物的&02的含量增加時，折 射率增加。在&02的含量在80 100%的范圍內(nèi)的區(qū)域中，折射率降低。通過&02/Si02 混合物的密度來影響該行為。即，當(dāng)&02的含量是80%以上時，Zr02/Si0jg合物的密度增 力口，由此導(dǎo)致折射率下降。因此，&02/Si02混合物可以包含20%以上的量的Si02。在式1中，X可以是0. 8以下。另外，如圖7中所示，Zr02/Si02混合物可以具有的折射率為1. 5 金屬氧化物與氧化硅(SiO2)的混合物的折射率可以根據(jù)金屬氧化物的種類而變 化。例如，由Ta2O5和SiO2構(gòu)成的混合物可以具有的折射率為1. 5 2. 1。作為另一實例， CeO2-SiO2混合物可以具有的折射率為1. 4 2. 0。 另外，用于形成第二覆蓋層的方法包括物理汽相淀積(PVD)、化學(xué)汽相淀積(CVD) 等。作為在本發(fā)明中使用的PVD的一個實例，利用氧化硅和金屬的氧反應(yīng)共濺射法可以被 使用。作為PVD的另一實例，利用氧化硅和金屬氧化物的共濺射法可以被使用。另外，如圖8中所示，記錄介質(zhì)還可以包含信息層30。信息層30可以僅包含記錄 層。可替代地，信息層30可以包含記錄層和用以吸收從記錄層所產(chǎn)生的熱的層。在圖10 中示出信息層的一個實施方案。圖1 O示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的信息層。信息層30可以包含第一保護(hù) 層31、記錄層32、第二保護(hù)層33和抗熱層34。用于第一保護(hù)層31和第二保護(hù)層33的材料 可以是電介質(zhì)。可用于記錄層32的材料可以是諸如GeSbTe的相變材料?？篃釋涌梢杂靡?釋放從記錄層產(chǎn)生的熱，并且抗熱層由銀(Ag)或銀(Ag)合金構(gòu)成。應(yīng)理解，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠?qū)?本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明意圖覆蓋所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化以及它們的等
效方案。發(fā)明的實施方式由前述可以明確，在“具體實施方式
”部分中示出了本發(fā)明。工業(yè)應(yīng)用本發(fā)明提供了一種記錄介質(zhì)及其制造方法，該記錄介質(zhì)確保足夠的折射率和強 度，并因此實現(xiàn)有效率的記錄/復(fù)制操作。另外，記錄介質(zhì)及其制造方法由于有效率的能量 傳遞而能夠有效率地進(jìn)行記錄/復(fù)制操作。此外，通過適當(dāng)控制覆蓋層原料的混合比，記錄 介質(zhì)及其制造方法可以易于控制覆蓋層的厚度，并且能夠保證光學(xué)特性和機(jī)械特性適于記 錄/復(fù)制設(shè)備。
權(quán)利要求
一種記錄介質(zhì)，包含襯底在所述襯底上形成的記錄層；在所述記錄層上形成的具有第一硬度的第一覆蓋層；以及布置在所述第一覆蓋層上的具有第二硬度的第二覆蓋層。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二硬度大于所述第一硬度。
3.如權(quán)利要求2所述的記錄介質(zhì)，其中所述第一硬度是2H以下。
4.如權(quán)利要求2所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二硬度是2H以上。
5.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第一覆蓋層具有第一折射率，第二覆蓋層 具有第二折射率。
6.如權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二折射率大于所述第一折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中通過包含光學(xué)系統(tǒng)的記錄/復(fù)制設(shè)備對所述記 錄介質(zhì)進(jìn)行記錄/復(fù)制。
8.如權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)，其中所述記錄介質(zhì)的第二覆蓋層的第二折射率大于 所述光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。
9.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第一覆蓋層由聚合物和納米復(fù)合材料中的 至少一種構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層由至少一種電介質(zhì)材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層包含Si3N4和ZnS中的至少一種。
12.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層包含氧化硅(SiO2)。
13.如權(quán)利要求12所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層還包含金屬氧化物。
14.如權(quán)利要求13所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層由復(fù)合物(SiO2)η+(金屬氧 化物)x構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求14的記錄介質(zhì)，其中復(fù)合物的χ為0.1 0. 9。
16.如權(quán)利要求14所述的記錄介質(zhì)，其中復(fù)合物的χ為0.2 0. 8。
17.如權(quán)利要求13的記錄介質(zhì)，其中所述金屬氧化物為選自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、 Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、W、Os、Ir、Pt、Al、Ge、In 和 Sn 的氧化物 中的至少一種。
18.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層的折射率為1.5 2. 2。
19.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層的總厚度 為1 5 μ m。
20.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中所述第二覆蓋層為抗反射層。
21.一種制造記錄介質(zhì)的方法，包括 在襯底上形成記錄層；在所述記錄層上形成具有第一硬度的第一覆蓋層；以及 在所述第一覆蓋層上形成具有第二硬度的第二覆蓋層。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中通過物理汽相淀積(PVD)或化學(xué)汽相淀積(CVD)形成所述第二覆蓋層。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二硬度大于所述第一硬度。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一硬度為2H以下。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二硬度為2H以上。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一覆蓋層具有第一折射率，所述第二覆蓋 層具有第二折射率。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第二折射率大于所述第一折射率。
28.如權(quán)利要求21所述的方法，其中通過包含光學(xué)系統(tǒng)的記錄/復(fù)制設(shè)備對所述記錄 介質(zhì)進(jìn)行記錄/復(fù)制。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述記錄介質(zhì)的第二覆蓋層的第二折射率大于所 述光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。
30.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一覆蓋層由聚合物和納米復(fù)合材料中的至 少一種構(gòu)成。
31.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二覆蓋層由至少一種電介質(zhì)材料構(gòu)成。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述第二覆蓋層包含Si3N4和ZnS中的至少一種。
33.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二覆蓋層包含氧化硅(SiO2)。
34.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二覆蓋層還包含金屬氧化物。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述第二覆蓋層由復(fù)合物(SiO2)J (金屬氧化 物)x構(gòu)成。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中復(fù)合物的χ為0.1 0. 9。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其中復(fù)合物的χ為0.2 0. 8。
38.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述金屬氧化物為選自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、 Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、W、Os、Ir、Pt、Al、Ge、In 和 Sn 的氧化物 中的至少一種。
39.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二覆蓋層的折射率為1.5 2. 2。
40.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層的總厚度為 1 5 μ m0
41.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二覆蓋層為抗反射層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種記錄介質(zhì)及其制造方法。更具體而言，公開了一種具有高密度和高能量傳遞效率的記錄介質(zhì)及其制造方法。所述記錄介質(zhì)包含襯底、在襯底上形成的記錄層、在記錄層上形成的具有第一硬度的第一覆蓋層以及布置在第一覆蓋層上的具有第二硬度的第二覆蓋層。
文檔編號G11B7/254GK101821806SQ200880111460
公開日2010年9月1日 申請日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月17日
發(fā)明者徐勛, 李俊碩, 林定植, 金真洪 申請人:Lg電子株式會社