專利名稱：用以選擇存儲(chǔ)器區(qū)域的方法、電路及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路，更明確地說涉及在存儲(chǔ)器裝置中選擇存儲(chǔ)器區(qū)域
以便改進(jìn)自刷新操作的性能。
背景技術(shù)：
在存儲(chǔ)器裝置(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置("DRAM")中執(zhí)行各種操作，所述 各種操作中的每一者均影響所述存儲(chǔ)器裝置消耗功率所處的速率。往往以很大速率消耗功 率的一個(gè)操作是DRAM裝置中的存儲(chǔ)器單元的刷新。如此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知，必須周期性地 刷新DRAM存儲(chǔ)器單元(其每一者基本上由電容器組成)以保持存儲(chǔ)在所述DRAM裝置中的 數(shù)據(jù)。通常通過從存儲(chǔ)器單元陣列的每一行中的存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)位并接著將那些數(shù)據(jù) 位寫回到所述行中的所述單元來執(zhí)行刷新。通常以避免存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器單元中的電荷在 刷新之間過度泄漏所需要的速率在逐行基礎(chǔ)上執(zhí)行此刷新。由于刷新實(shí)質(zhì)上涉及從大量存 儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)位及向大量存儲(chǔ)器單元寫入數(shù)據(jù)位，因此刷新往往是尤其消耗功率的操 作。因此，減少DRAM裝置中的功率消耗的許多嘗試已經(jīng)集中在減小刷新期間消耗功率所處 的速率。 因刷新所消耗的功率的量還取決于啟動(dòng)了數(shù)個(gè)刷新模式中的哪一模式。通常啟動(dòng) 自刷新模式以在未從DRAM裝置讀取數(shù)據(jù)或向DRAM裝置寫入數(shù)據(jù)時(shí)的周期期間自動(dòng)刷新存 儲(chǔ)器單元或選定存儲(chǔ)器單元。由于便攜式電子裝置在大量時(shí)間周期中經(jīng)常是不活動(dòng)的，因 此在自刷新期間所消耗的功率的量可能是確定所述電子裝置可在電池充電之間使用多長 時(shí)間的重要因素。 減小刷新操作消耗功率的所處的速率的另一途徑是通過僅刷新存儲(chǔ)用于給定應(yīng) 用的數(shù)據(jù)所需要的那些存儲(chǔ)器單元來刷新不到DRAM裝置中的所有存儲(chǔ)器單元。在一種技 術(shù)中，在含有DRAM裝置的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行軟件程序且分析所述軟件程序以確定所述程 序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求。接著，DRAM裝置僅刷新存儲(chǔ)所述程序數(shù)據(jù)所需要的那些存儲(chǔ)器單元行。 在另一技術(shù)中，DRAM裝置可以部分陣列自刷新("PASR")模式操作。在PASR模式中，由 用戶對(duì)模式寄存器進(jìn)行編程以指定將要使用且因此必須刷新的存儲(chǔ)器單元區(qū)域。剩余的存 儲(chǔ)器單元未被使用且因此在所述刷新模式中的至少一些刷新模式期間不需要刷新。舉例來 說，可將DRAM裝置分割為兩個(gè)區(qū)域，其中一個(gè)區(qū)域含有對(duì)刷新及維持來說是重要的關(guān)鍵數(shù) 據(jù)(例如處理器指令)，而另一區(qū)域含有如果不對(duì)其進(jìn)行刷新則其可丟失的較不關(guān)鍵數(shù)據(jù) (例如圖像數(shù)據(jù))。由于處理器指令數(shù)據(jù)通常比圖像數(shù)據(jù)小得多，因此通過僅刷新具有關(guān)鍵 數(shù)據(jù)的區(qū)域可顯著減少功率消耗。 盡管用于刷新不到所有存儲(chǔ)器單元的技術(shù)可大大減小功率消耗的速率，但刷新將 要刷新的單元仍可能需要很大量的功率。另外，盡管用戶能夠選擇部分自刷新模式來替代 全部自刷新模式以減小功率消耗速率，但選擇用于所述部分自刷新的存儲(chǔ)器單元是在制造 時(shí)硬連線在所述裝置中的且無法由用戶改變。因此，如果選定部分自刷新區(qū)域含有固有缺 陷，那么無法重新選擇可更有效地刷新的另一存儲(chǔ)器區(qū)域。當(dāng)一定數(shù)目的存儲(chǔ)器單元(例
6如)由于短路的存儲(chǔ)器單元電容器而變得有缺陷時(shí)，由于所述有缺陷的存儲(chǔ)器單元，可能 產(chǎn)生對(duì)存儲(chǔ)器存取的延遲。因此，必須將所述存儲(chǔ)器存取重新引導(dǎo)到不同的存儲(chǔ)器單元使 得將從DRAM準(zhǔn)確地讀取數(shù)據(jù)。出于此目的，通常提供冗余的存儲(chǔ)器單元行。然而，必須提 供大量額外電路以將存儲(chǔ)器存取重新引導(dǎo)到冗余的存儲(chǔ)器單元，此向刷新操作添加了進(jìn)一 步的延遲。 因此，需要改進(jìn)的存儲(chǔ)器裝置、系統(tǒng)及方法，例如可以允許(例如)用戶定制選擇 存儲(chǔ)器裝置的具有最少量缺陷的最優(yōu)區(qū)域以實(shí)現(xiàn)最佳刷新速率的方式組織的存儲(chǔ)器裝置、 系統(tǒng)及方法。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有陣列選擇塊的存儲(chǔ)器裝置的框圖。 圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可通過圖1的選擇塊選擇的存儲(chǔ)器陣列區(qū)域的映
射的圖示。 圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的映射用于刷新的存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域的映射模塊的示 意圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有選擇塊的基于處理器的系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式
舉例來說，所明確揭示的本發(fā)明實(shí)施例是針對(duì)改進(jìn)存儲(chǔ)器裝置、系統(tǒng)及方法中的
自刷新操作的性能。下文陳述某些細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的充分理解。然而，所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了無需這些特定細(xì)節(jié)也可實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例。在其它情形中，未詳 細(xì)顯示眾所周知的電路、電路組件、控制信號(hào)及定時(shí)協(xié)定以避免不必要地模糊本發(fā)明的實(shí) 施例。 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的DRAM存儲(chǔ)器裝置100的框圖，其顯示用于映射存儲(chǔ)器 陣列170的區(qū)域的陣列映射邏輯模塊152。以簡化形式顯示了 DRAM存儲(chǔ)器裝置100，應(yīng)理 解，DRAM裝置通常包含大量的其它組件，為簡明及清晰起見已從圖1中省略了所述其它組 件。DRAM裝置100包含劃分為四個(gè)區(qū)域的存儲(chǔ)器陣列170，然而，可根據(jù)裝置類型及應(yīng)用類 型將DRAM裝置IOO劃分為任一數(shù)目的區(qū)域。舉例來說，存儲(chǔ)器陣列170可以是128兆字節(jié) (meg)裝置，其被劃分為四個(gè)32meg區(qū)域或其可被劃分為八個(gè)16meg區(qū)域。另外，存儲(chǔ)器陣 列170的大小可變化。舉例來說，存儲(chǔ)器陣列170可以是96meg裝置，其被劃分為三個(gè)(而 不是四個(gè))32meg區(qū)域。 DRAM裝置IOO包含地址寄存器塊110，所述地址寄存器塊具有經(jīng)配置(例如，電耦 合)以從外部地址總線(未顯示)接收外部地址信號(hào)XAIO、 XA11的地址輸入緩沖器112。 響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK，地址輸入緩沖器112向DRAM裝置100提供來自對(duì)應(yīng)的外部地址信號(hào) XA10、XA11的經(jīng)緩沖內(nèi)部地址信號(hào)A10、A11。內(nèi)部地址信號(hào)A10、A11對(duì)應(yīng)于識(shí)別上述存儲(chǔ) 器區(qū)域中的一者中將要刷新的行的一組地址。行地址多路復(fù)用器(mux)115接收地址信號(hào) A10、A11，且還從命令解碼器(未顯示)或控制器(未顯示)接收自刷新命令信號(hào)SREF或 自動(dòng)刷新命令信號(hào)AREF以使DRAM裝置100置于所述兩個(gè)刷新模式中的一者中。自刷新模 式用于即使在系統(tǒng)斷電時(shí)仍保持DRAM裝置100中的數(shù)據(jù)，此允許DRAM裝置100不依賴外部時(shí)鐘便可保持?jǐn)?shù)據(jù)。當(dāng)未選擇所述自刷新模式時(shí)，在正常操作期間選擇自動(dòng)刷新模式。所 述自刷新模式與自動(dòng)刷新模式的組合確保整個(gè)芯片保持隨著時(shí)間變化而被刷新。mux 115 還從CAS Before RAS (CBR)計(jì)數(shù)器114接收計(jì)數(shù)信號(hào)CBRIO、 CBRll，所述計(jì)數(shù)器在每一選 定的存儲(chǔ)器區(qū)域的整個(gè)地址范圍中進(jìn)行計(jì)數(shù)以追蹤下一可用地址且確保依序刷新每一個(gè) 地址。CBR計(jì)數(shù)器114在每一刷新啟動(dòng)完成時(shí)遞增，且由此追蹤最后一個(gè)被刷新的行以便選 擇下一行地址。響應(yīng)于其輸入信號(hào)，mux 115產(chǎn)生陣列區(qū)域地址信號(hào)RAIO、 RAll，所述陣列 區(qū)域地址信號(hào)RAIO、 RA11識(shí)別具有對(duì)應(yīng)于從外部接收的地址信號(hào)XAIO、 XA11的存儲(chǔ)器單 元的區(qū)域。將地址信號(hào)RA10、RA11供應(yīng)到刷新控制塊130及陣列選擇模塊(例如陣列選擇 塊150)，使得選擇存儲(chǔ)器陣列170的適當(dāng)?shù)倪x定區(qū)域以用于刷新，如下文將進(jìn)一步詳細(xì)地 描述。將理解，在適當(dāng)情況下將存儲(chǔ)器裝置100的各種組件稱為模塊。然而，所屬領(lǐng)域的技 術(shù)人員將了解，模塊是包含電路、電路塊、軟件、固件、微碼等的通用術(shù)語。
為使存儲(chǔ)器裝置100置于所述自刷新模式中，刷新控制塊130中的自刷新邏輯模 塊136接收自刷新啟用信號(hào)SREFEN且約每16 y s即產(chǎn)生SrefCLK信號(hào)，所述SrefCLK信號(hào) 還起始施加到mux 115的SREF命令信號(hào)。SrefCLK信號(hào)是用于指令啟動(dòng)命令邏輯模塊138 產(chǎn)生ACTIVATE信號(hào)的內(nèi)部命令信號(hào)，所述ACTIVATE信號(hào)是用于刷新選定行的另一控制信 號(hào)。如先前所描述，接著由CBR計(jì)數(shù)器114追蹤經(jīng)刷新的行以準(zhǔn)備將要刷新的下一行。一 旦使DRAM裝置100置于所述自刷新模式中，DRAM裝置100便將響應(yīng)于SREFEN信號(hào)而保持 在所述自刷新模式中直到響應(yīng)于適當(dāng)?shù)耐Ｓ妹疃蛊渫顺鏊瞿Ｊ健Ｔ谒鲎运⑿履Ｊ?中，可刷新整個(gè)存儲(chǔ)器陣列170或可選擇所述存儲(chǔ)器的某些區(qū)域以用于刷新，例如通過對(duì) 模式寄存器132進(jìn)行編程來選擇由部分陣列自刷新(PASR)邏輯模塊134控制的數(shù)個(gè)自刷 新操作中的一者。 刷新控制塊130中的PASR邏輯模塊134從模式寄存器132接收數(shù)個(gè)模式信號(hào)中 的一者，所述模式寄存器可經(jīng)編程以選擇存儲(chǔ)器陣列170的區(qū)域或整個(gè)陣列以用于刷新。 舉例來說，模式寄存器132可經(jīng)編程以刷新8meg、16meg、32meg或所述整個(gè)陣列。更明確詳 細(xì)地來說，模式寄存器132可用于產(chǎn)生以下對(duì)應(yīng)啟用信號(hào)EN8M、 EN16M、 EN32M或ENALL中 的一者，接著所述一者被施加到PASR邏輯模塊134。 PASR邏輯模塊134另外從地址寄存器 塊IIO接收用于刷新的選定行的RAIO、 RA11信號(hào)及ADDRESS信號(hào)。響應(yīng)于來自模式寄存 器132的模式啟用信號(hào)及來自地址寄存器塊110的地址信號(hào)兩者，PASR邏輯模塊134產(chǎn)生 供應(yīng)到啟動(dòng)命令邏輯模塊138的SkipSrefCLK信號(hào)。SkipSrefCLK信號(hào)控制何時(shí)允許啟動(dòng) 命令邏輯模塊138使用SrefCLK信號(hào)來產(chǎn)生ACTIVATE信號(hào)，此取決于在所述自刷新模式或 所述部分陣列自刷新模式中已選擇了存儲(chǔ)器陣列170的區(qū)域中的哪一區(qū)域。舉例來說，響 應(yīng)于RA11、RA10信號(hào)，如果SkipSrefCLK信號(hào)為低，那么啟動(dòng)命令邏輯模塊138響應(yīng)于接收 SrefCLK信號(hào)而產(chǎn)生ACTIVATE信號(hào)。如果SkipSrefCLK信號(hào)為高，那么忽略傳入的SrefCLK 信號(hào)且不產(chǎn)生ACTIVATE信號(hào)，由此繞過用于刷新的選定行。無論如何，CBR計(jì)數(shù)器114繼 續(xù)針對(duì)所有已接收的地址遞增其計(jì)數(shù)，使得所跳過的地址被計(jì)數(shù)且最終被傳回以稍后或在 不同的刷新模式中選擇用于刷新。 在現(xiàn)有技術(shù)中關(guān)于部分自刷新模式的問題是用于部分刷新的區(qū)域在制造期間被 預(yù)選擇且硬連線在裝置100中，如先前所描述。然而，確定存儲(chǔ)器陣列170的哪一區(qū)域最適 合于提供最佳刷新及具有將對(duì)那些區(qū)域的部分刷新重新編程的靈活性可用于(例如)改進(jìn)刷新時(shí)間及/或所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性且可減小功率消耗的速率。 另外，將地址信號(hào)RA11、RA10供應(yīng)到陣列選擇塊150，接著所述陣列選擇塊施加對(duì) 應(yīng)的選擇信號(hào)SECO到SEC3以選擇存儲(chǔ)器陣列170的區(qū)域以用于啟動(dòng)。如先前所論述，可 在部分陣列自刷新模式中定制選擇存儲(chǔ)器陣列170的區(qū)域以用于刷新，例如在已測試裝置 之后，以選擇存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)區(qū)域。舉例來說，常規(guī)存儲(chǔ)器測試可用于確定存儲(chǔ)器的 最優(yōu)區(qū)域，例如導(dǎo)致最少錯(cuò)誤發(fā)生(由于缺陷)及產(chǎn)生最佳刷新時(shí)間的那些區(qū)域。陣列選 擇映射模塊152可使用熔絲控制信號(hào)fRA10及fRAll (例如)基于所述存儲(chǔ)器測試來控制 映射(例如，對(duì)存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)刷新區(qū)域的選擇)。舉例來說，接著可使用存儲(chǔ)器陣 列170的最優(yōu)區(qū)域來存儲(chǔ)需要高可靠性存儲(chǔ)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。舉例來說，具有選擇存儲(chǔ)器陣列 170的將要刷新的最優(yōu)區(qū)域的位置的靈活性可改進(jìn)所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性且需要較不頻繁的 刷新操作，由此減少功率消耗。陣列映射模塊152使用熔絲控制信號(hào)fRA10、 fRAll來使地 址RA10、RA11與存儲(chǔ)器陣列170中選擇用于最優(yōu)刷新且(例如)通過產(chǎn)生映射信號(hào)GRAIO、 GRA11來映射的區(qū)域的物理位置相關(guān)。盡管對(duì)應(yīng)于地址信號(hào)RA10、RA11的存儲(chǔ)器區(qū)的邏輯 位置對(duì)于用戶來說保持相同，但選定區(qū)域的實(shí)際位置可能已被重新分配給所述存儲(chǔ)器的在 物理上不同的區(qū)域(如由信號(hào)GRAIO、 GRA11所映射)，以便分配最佳存儲(chǔ)器區(qū)域用于高可 靠性數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)或用于最佳刷新。因此，陣列映射模塊152能夠使所述選定刷新區(qū)域的物 理位置對(duì)用戶為透明的。 映射信號(hào)GRA10、GRA11由行冗余模塊158及由區(qū)段控制模塊156接收。冗余模塊 158允許替換存儲(chǔ)器陣列170中的發(fā)生故障的存儲(chǔ)器單元。如此項(xiàng)技術(shù)中所已知，通常通過 將預(yù)定數(shù)據(jù)值寫入到對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元的選定行地址及列地址來對(duì)存儲(chǔ)器陣列170執(zhí)行 測試。接著讀取所述存儲(chǔ)器單元以確定所讀取的數(shù)據(jù)是否匹配寫入到那些存儲(chǔ)器單元的所 述數(shù)據(jù)。如果所讀取的數(shù)據(jù)不匹配所述所寫入的數(shù)據(jù)，那么那些存儲(chǔ)器單元可能含有將阻 止存儲(chǔ)器裝置100的正確操作的缺陷。可通過啟用冗余模塊158來替換所述有缺陷的存儲(chǔ) 器單元。用對(duì)應(yīng)的冗余元件(例如整列或整行冗余存儲(chǔ)器單元)分別替代列或行中發(fā)生故 障的存儲(chǔ)器單元。因此，即使存儲(chǔ)器裝置100含有有缺陷的存儲(chǔ)器單元也不需要將其擯棄， 且替代存取具有有缺陷的存儲(chǔ)器單元的行或列而存取與匹配地址相關(guān)聯(lián)的冗余元件。冗余 模塊158產(chǎn)生MATCH信號(hào)以向區(qū)段控制模塊156指示經(jīng)匹配的冗余元件經(jīng)啟動(dòng)以替換接 著被解除啟動(dòng)的有缺陷的存儲(chǔ)器單元。冗余模塊158還向區(qū)段控制模塊156提供地址信號(hào) Rsec〈0:3〉，所述地址信號(hào)Rsec〈0: 3>含有替換冗余元件的位置。由于可選擇具有最少缺陷 發(fā)生的區(qū)域，因此在對(duì)存儲(chǔ)器裝置100進(jìn)行第一測試之后在存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)區(qū)域中 存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的行為應(yīng)減少對(duì)冗余元件的依賴性。因此，可最小化刷新冗余模塊158中的 冗余元件所必需的額外功率，如果需要如此的話。 區(qū)段控制模塊156另外從啟動(dòng)邏輯模塊154接收控制信號(hào)SECEN以啟用區(qū)段控制 模塊156，例如在陣列映射模塊152提供映射信號(hào)GRA10、GRA11時(shí)啟用區(qū)段控制模塊156以 用于選擇。啟動(dòng)邏輯154從啟動(dòng)命令邏輯模塊138接收ACTIVATE信號(hào)以用于選擇將要刷 新的區(qū)域。視需要，啟動(dòng)邏輯154在接收ACTIVATE信號(hào)之后及在延遲發(fā)生之后產(chǎn)生SECEN 信號(hào)，使得區(qū)段控制模塊156從冗余模塊158接收控制信號(hào)。因此，啟動(dòng)邏輯154確保了僅 在區(qū)段控制模塊156具有從冗余模塊158接收信號(hào)的機(jī)會(huì)之后啟用區(qū)段控制模塊156。
總而言之，當(dāng)系統(tǒng)處于部分陣列自刷新模式中時(shí)，存儲(chǔ)器裝置100接收外部行地址信號(hào)且可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器地址，所述存儲(chǔ)器地址包含存儲(chǔ)器陣列170中將要刷新的所 尋址單元行。(例如)在存儲(chǔ)器測試之后，可能已將地址RA10、RA11映射到存儲(chǔ)器陣列170 的最優(yōu)區(qū)域。舉例來說，在測試之后，可能已將存儲(chǔ)器陣列170中的原始位置重新分配給在 物理上不同的位置，以便選擇存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)區(qū)域。如果所述從外部接收的地址對(duì) 應(yīng)于將在活動(dòng)模式中刷新的區(qū)域RAIO、 RA11，那么通過陣列選擇塊150選擇行地址以用于 刷新。如果從外部接收的地址不對(duì)應(yīng)于將要在所述活動(dòng)模式中刷新的區(qū)段RAIO、 RA11，那 么陣列選擇塊150繞過所述尋址的行使得不對(duì)其進(jìn)行刷新且不因不必要的刷新操作而浪
費(fèi)功率。存儲(chǔ)器裝置ioo接收接下來的外部行地址信號(hào)等，直到刷新了將要在所述活動(dòng)模
式中刷新的區(qū)段RA10、RA11的所有行。陣列選擇塊150允許重新分配用于部分陣列自刷新 的選定行以選擇存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)區(qū)域。陣列選擇塊150還可啟用存儲(chǔ)器裝置100以 選擇存儲(chǔ)器陣列170的具有用于存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最高可靠性的區(qū)域，且因此選擇實(shí)現(xiàn)最優(yōu) 刷新的那些區(qū)域。舉例來說，在存儲(chǔ)器測試之后且針對(duì)最優(yōu)刷新選擇存儲(chǔ)器陣列170的最 優(yōu)區(qū)域顯示出周期性刷新時(shí)間從此項(xiàng)技術(shù)中已知的標(biāo)準(zhǔn)64毫秒到128毫秒的減少。
—個(gè)說明性存儲(chǔ)器陣列202的大小是128meg，可將所述大小視為包括各自分割為 四個(gè)16meg區(qū)域的兩個(gè)64meg的塊。將理解，存儲(chǔ)器陣列202可具有不同大小且可以先前 所描述的其它方式分割。圖2中顯示存儲(chǔ)器映射200的實(shí)例，其中針對(duì)存儲(chǔ)器陣列202顯 示存儲(chǔ)器陣列選擇202a到202d。四個(gè)可能選擇中的每一者均包含兩個(gè)64meg的塊，所述 兩個(gè)塊分別垂直地標(biāo)記有RA11 = 0及RA11 = 1。所述64meg塊中的每一者進(jìn)一步被分割 為標(biāo)記有RA10 = 0或RA10 = 1的水平子區(qū)段，如先前所描述。使用RA11值作為y坐標(biāo)且 使用RA10值作為x坐標(biāo)，可將存儲(chǔ)器陣列202劃分為標(biāo)記有(O，O) 、 (0， 1) 、 (l，O)或(1， 1) 的四個(gè)32meg區(qū)域。 如先前所描述，陣列映射模塊152可使用兩個(gè)熔絲信號(hào)fRA10、 fRAll來使如由存 儲(chǔ)器映射200中的存儲(chǔ)器陣列選擇202a到202d顯示的四個(gè)不同的32meg區(qū)域中的一者相 關(guān)，且分配通過所接收的RAIO、 RA11信號(hào)而識(shí)別的區(qū)域。所述熔絲信號(hào)中的每一者用于對(duì) 應(yīng)于具有邏輯狀態(tài)0或1的熔絲，以導(dǎo)出各自分別對(duì)應(yīng)于四個(gè)存儲(chǔ)器陣列選擇202a到202d 中的一者的組合00、01、10或11。舉例來說，可通過將熔絲信號(hào)fRA10及fRAll編程為"O" 選擇對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器陣列選擇202a中所圖解說明的RA10 = 0及RA11 = 0的32meg區(qū) 域(如由所述選擇202a中的水平線圖案所指示)以與所接收的RA10、R11信號(hào)相關(guān)。第 四存儲(chǔ)器陣列選擇202d中的情形相反，其中熔絲fRA10 = 1及fRAll = 1選擇32meg區(qū)域 RA10 = l及RAll = 1。同時(shí)，將熔絲fRA10及fRAll編程為"l"可用于選擇選擇202d中 所識(shí)別的32meg區(qū)域。 圖3顯示與圖1的陣列映射模塊152類似的陣列映射模塊300的示意圖。陣列映 射模塊300可用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)熔絲fRA10、fRAll進(jìn)行編程以使存儲(chǔ)器陣列的區(qū) 域相關(guān)。如先前所描述，陣列映射模塊300從地址寄存器110接收地址信號(hào)RAIO、 RA11且 還接收熔絲信號(hào)fRA10、fRAll，例如在存儲(chǔ)器裝置100已經(jīng)測試且存儲(chǔ)器陣列170的最優(yōu)區(qū) 域已經(jīng)識(shí)別之后。陣列映射模塊300中包含大致相同的邏輯電路302、304，其每一者產(chǎn)生對(duì) 應(yīng)于所接收的信號(hào)RA10及RA11的映射信號(hào)。分別在節(jié)點(diǎn)322a、324a處接收信號(hào)RA10及 熔絲信號(hào)fRA10作為第一邏輯電路302的輸入?？芍苯酉虻谝粋魉烷T342a(其作為由所接 收的fRA10輸入信號(hào)控制的多路復(fù)用器操作)提供RA10輸入信號(hào)，且向反相器345a提供RA10輸入信號(hào)以向第二傳送門343a(其也由fRA10信號(hào)控制)提供反相的RA10信號(hào)。根 據(jù)fRA10信號(hào)選擇了所述存儲(chǔ)器的哪一區(qū)域而啟用傳送門342a、343a中的一者。接著，向 兩個(gè)反相器347a、348a的輸入提供所啟用的傳送門342a或343a在節(jié)點(diǎn)326a處的輸出以 驅(qū)動(dòng)所接收的信號(hào)作為映射信號(hào)GRA10輸出。接著，映射信號(hào)GRA10由圖1的選擇控制模 塊156用來選擇所述存儲(chǔ)器的對(duì)應(yīng)于所接收地址的區(qū)域(例如)以用于刷新，如先前所描 述。 除了邏輯電路304的輸入是信號(hào)RA11及對(duì)應(yīng)的熔絲信號(hào)fRAll之外，邏輯電路 304包含與邏輯電路302相同的組件。邏輯電路304以與邏輯電路302相同的方式工作以 產(chǎn)生第二映射信號(hào)GRA11，且為簡明起見，將不對(duì)第二邏輯電路304進(jìn)行描述。
總而言之，陣列映射模塊300可用于將到存儲(chǔ)器陣列區(qū)域RAIO、 RA11的信號(hào)尋址 到存儲(chǔ)器陣列170、202的不同的優(yōu)化物理區(qū)域，例如先前通過熔絲信號(hào)fRA10、 fRAll選擇 的區(qū)域。以此方式，陣列映射模塊300允許對(duì)選定存儲(chǔ)器區(qū)域的物理分配對(duì)用戶為透明，但 允許改進(jìn)的存儲(chǔ)器操作，此在部分自刷新期間節(jié)省功率。因此，在制造時(shí)不必對(duì)所述存儲(chǔ)器 的用于部分陣列自刷新的區(qū)域進(jìn)行編程或硬連線。而是，可稍后(例如，在存儲(chǔ)器測試之 后)對(duì)所述存儲(chǔ)器的多個(gè)最優(yōu)區(qū)域進(jìn)行編程以用于部分陣列自刷新。接著，所述最優(yōu)區(qū)域 (例如，具有較佳刷新特性的那些區(qū)域)可用于存儲(chǔ)較多的關(guān)鍵數(shù)據(jù)(例如，軟件及代碼)， 如先前所描述。 圖4圖解說明具有其中可替代地利用本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器集線器架構(gòu)的計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)400。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400包含用于實(shí)施各種計(jì)算功能(例如，執(zhí)行特定軟件以實(shí)施特定 計(jì)算或任務(wù))的處理器404。處理器404包含處理器總線406，所述處理器總線406通常包 含地址總線、控制總線及數(shù)據(jù)總線。處理器總線406通常與高速緩沖存儲(chǔ)器408通信(例 如，耦合)，所述高速緩沖存儲(chǔ)器通常為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("SRAM")。處理器總線406 進(jìn)一步耦合到系統(tǒng)控制器410，所述系統(tǒng)控制器還稱為總線橋接器。 系統(tǒng)控制器410還為各種其它組件充當(dāng)通向處理器404的通信路徑。更具體來說， 系統(tǒng)控制器410包含通常耦合到圖形控制器412的圖形端口，而所述圖形控制器又耦合到 視頻端子414。系統(tǒng)控制器410還耦合到一個(gè)或一個(gè)以上輸入裝置418 (例如鍵盤或鼠標(biāo)) 以允許操作者與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400介接。通常，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400還包含一個(gè)或一個(gè)以上輸出 裝置420(例如打印機(jī))，所述輸出裝置通過系統(tǒng)控制器410耦合到處理器404。 一個(gè)或一 個(gè)以上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置424通常也通過系統(tǒng)控制器410耦合到處理器404以允許處理器404 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或從內(nèi)部或外部存儲(chǔ)媒體(未顯示)檢索數(shù)據(jù)。典型存儲(chǔ)裝置424的實(shí)例包含硬 磁盤及軟磁盤、盒式磁帶及光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)。 系統(tǒng)控制器410含有存儲(chǔ)器集線器控制器428，其通過總線系統(tǒng)454、456耦合到數(shù) 個(gè)存儲(chǔ)器模塊430a到430n。存儲(chǔ)器模塊430a到430n中的每一者包含存儲(chǔ)器集線器440， 所述存儲(chǔ)器集線器通過命令、地址及數(shù)據(jù)總線(共同顯示為總線450a、450b)耦合到數(shù)個(gè)存 儲(chǔ)器裝置448、449。存儲(chǔ)器集線器440在控制器428與存儲(chǔ)器裝置448、449之間有效地路 由存儲(chǔ)器請(qǐng)求及響應(yīng)。存儲(chǔ)器裝置448、449可以是先前參照?qǐng)D1所描述的存儲(chǔ)器裝置100。 存儲(chǔ)器集線器440中的每一者包含寫入緩沖器及讀取數(shù)據(jù)緩沖器。采用此架構(gòu)的計(jì)算機(jī)系 統(tǒng)允許處理器404在一個(gè)存儲(chǔ)器模塊430a到430n正在響應(yīng)于前一存儲(chǔ)器請(qǐng)求時(shí)存取另一 存儲(chǔ)器模塊430a到430n。舉例來說，處理器404可在系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器模塊430a到430n中的一者正準(zhǔn)備向處理器404提供讀取數(shù)據(jù)時(shí)將寫入數(shù)據(jù)輸出到所述系統(tǒng)中的另一存儲(chǔ)器 模塊430a到430n。另外，存儲(chǔ)器集線器架構(gòu)還可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中提供大大增加的存儲(chǔ)器容 可在每一存儲(chǔ)器模塊430a到430n中的存儲(chǔ)器裝置448 、 449 、存儲(chǔ)器集線器控制器 428或存儲(chǔ)器集線器440中利用本發(fā)明的實(shí)施例。如果存儲(chǔ)器裝置448、449中的每一者中 均利用圖3的陣列映射模塊300，那么每一裝置的存儲(chǔ)器陣列可經(jīng)優(yōu)化以在所述裝置的具 有最佳刷新時(shí)間的區(qū)域中存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)，如先前所描述。或者，可在每一存儲(chǔ)器模塊430的 存儲(chǔ)器集線器440中利用陣列映射模塊300，其中可選擇具有最優(yōu)性能的存儲(chǔ)器裝置448、 449群組來存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)或進(jìn)行自刷新。類似地，如果存儲(chǔ)器集線器控制器428利用陣列映 射模塊300，那么陣列映射模塊300可經(jīng)配置以選擇存儲(chǔ)器模塊430的最優(yōu)群組等等。
盡管已參照所揭示的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在 不背離本發(fā)明的前提下可在形式及細(xì)節(jié)上做出改變。此類修改已為所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所 熟知。因此，本發(fā)明不受除所附權(quán)利要求書之外的其它限制。
權(quán)利要求
一種存儲(chǔ)器裝置，其包括存儲(chǔ)器單元陣列；及陣列選擇塊，其與所述存儲(chǔ)器單元陣列通信且經(jīng)配置以接收指示所述存儲(chǔ)器單元陣列中的位置的地址信號(hào)，所述陣列選擇塊可操作以響應(yīng)于所述地址信號(hào)而產(chǎn)生指示所述存儲(chǔ)器單元陣列的至少一個(gè)區(qū)域的選擇信號(hào)，所述陣列選擇塊進(jìn)一步可操作以基于所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述至少一個(gè)區(qū)域中缺陷的相對(duì)發(fā)生產(chǎn)生所述選擇信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包括與所述陣列選擇塊通信的刷新控 制塊，所述刷新控制塊可操作以響應(yīng)于部分陣列自刷新模式的選擇，而分配所述存儲(chǔ)器單 元的將要刷新的區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述刷新控制塊進(jìn)一步包括啟動(dòng)命令邏輯 模塊，所述啟動(dòng)命令邏輯模塊可操作以響應(yīng)于選擇所述部分陣列自刷新模式而產(chǎn)生控制信 號(hào)，以僅選擇所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的地址。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊進(jìn)一步包括與所述啟動(dòng)命令邏輯模塊通信的啟動(dòng)模塊，所述啟動(dòng)模塊可操作以響應(yīng)于從所述啟動(dòng)命令邏輯模塊接收 所述控制信號(hào)，而啟用所述陣列的選定存儲(chǔ)器單元的選擇。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述存儲(chǔ)器單元陣列被分割為四個(gè)區(qū)域。
6. —種具有存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器裝置，所述存儲(chǔ)器裝置包括 地址寄存器塊，其經(jīng)配置以接收外部地址信號(hào)且可操作以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述外部地址信號(hào)的內(nèi)部地址信號(hào)；及陣列選擇塊，其與所述地址寄存器塊及所述存儲(chǔ)器單元陣列通信，所述陣列選擇塊經(jīng) 配置以接收所述內(nèi)部地址信號(hào)及指示存儲(chǔ)器單元的至少一個(gè)區(qū)域中相對(duì)于存儲(chǔ)器單元的 至少一個(gè)其它區(qū)域的缺陷的輸入信號(hào)，所述陣列選擇塊可操作以基于所述輸入信號(hào)將所述 內(nèi)部地址信號(hào)映射到所述存儲(chǔ)器單元陣列的物理位置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包括刷新控制塊，所述刷新控制塊與 所述地址寄存器塊通信以接收所述內(nèi)部地址信號(hào)，所述刷新控制塊可操作以產(chǎn)生控制信 號(hào)，以在部分陣列自刷新模式中選擇將要刷新的地址信號(hào)的存儲(chǔ)器單元。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊進(jìn)一步包括啟動(dòng)模塊，所 述啟動(dòng)模塊可操作以響應(yīng)于從所述刷新控制塊接收所述控制信號(hào)，而啟用所述陣列的選定 存儲(chǔ)器單元的選擇。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊可操作以基于刷新特性將 所述內(nèi)部地址信號(hào)映射到所述存儲(chǔ)器單元陣列的物理位置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述刷新特性包括刷新之間的為刷新之 間的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間的兩倍的時(shí)間。
11. 一種存儲(chǔ)器裝置，其具有經(jīng)選擇以用于在部分陣列自刷新模式中刷新的存儲(chǔ)器單 元陣列，所述存儲(chǔ)器裝置包括刷新控制塊，其經(jīng)配置以接收對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)器陣列的第一區(qū)域的啟用信號(hào)及地址信 號(hào)，所述刷新控制塊可操作，以響應(yīng)于所述接收的地址信號(hào)及啟用信號(hào)而產(chǎn)生控制信號(hào)，以 啟用所述存儲(chǔ)器陣列的將要刷新的所述第一區(qū)域；及陣列選擇塊，其與所述刷新控制塊通信以接收所述控制信號(hào)，且經(jīng)配置以接收所述地址信號(hào)，所述陣列選擇塊可操作以響應(yīng)于所述控制信號(hào)，而選擇相對(duì)于所述存儲(chǔ)器陣列的所述第一區(qū)域不同定位的所述存儲(chǔ)器陣列的第二區(qū)域以用于刷新操作。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊進(jìn)一步可操作以將所述接收的地址信號(hào)映射到所述存儲(chǔ)器陣列的所述第二區(qū)域。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述存儲(chǔ)器陣列的所述第二區(qū)域是基于所述第二區(qū)域相對(duì)于所述第一區(qū)域的刷新性能選擇的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一區(qū)域的所述刷新性能包括每64毫秒需要一次的刷新操作，且所述第二區(qū)域的所述刷新性能包括每128毫秒需要一次的刷新操作。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊進(jìn)一步包括啟動(dòng)模塊，所述啟動(dòng)模塊可操作以響應(yīng)于從所述刷新控制塊接收所述控制信號(hào)，而啟用所述存儲(chǔ)器陣列的將要刷新的選定區(qū)域的選擇。
16. —種處于部分陣列自刷新模式中的具有存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括陣列選擇塊，其經(jīng)配置以接收具有對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元的用于刷新的選定區(qū)域的第一坐標(biāo)的第一信號(hào)，且接收具有對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)器單元陣列的物理位置的第二坐標(biāo)的第二信號(hào)，所述陣列選擇塊可操作以使用所述第二信號(hào)將所述第一坐標(biāo)映射到所述第二坐標(biāo)，并產(chǎn)生指示所映射的關(guān)系的輸出信號(hào)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括與所述陣列選擇塊通信的刷新控制塊，所述刷新控制塊可操作以選擇在部分陣列自刷新模式中所述存儲(chǔ)器單元的將要刷新的區(qū)域。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述刷新控制塊進(jìn)一步包括啟動(dòng)命令邏輯模塊，所述啟動(dòng)命令邏輯模塊可操作以產(chǎn)生控制信號(hào)，以在所述部分陣列自刷新模式中僅選擇所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述物理位置內(nèi)的地址。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述陣列選擇塊進(jìn)一步包括與所述啟動(dòng)命令邏輯模塊通信的啟動(dòng)模塊，所述啟動(dòng)模塊可操作以響應(yīng)于從所述啟動(dòng)命令邏輯模塊接收所述控制信號(hào)，而啟用所述陣列的選定存儲(chǔ)器單元的選擇。
20. —種存儲(chǔ)器模塊，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器裝置；及存儲(chǔ)器集線器，其經(jīng)配置以接收對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器裝置的第一區(qū)域的存儲(chǔ)器請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器集線器可操作以將所述存儲(chǔ)器請(qǐng)求傳遞到所述存儲(chǔ)器裝置，且響應(yīng)于所述存儲(chǔ)器請(qǐng)求中的至少一者而從所述存儲(chǔ)器裝置傳輸存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)；及選擇塊，其經(jīng)配置以接收對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域存儲(chǔ)器裝置的所述存儲(chǔ)器請(qǐng)求且接收指示存儲(chǔ)器裝置的至少一個(gè)區(qū)域中相對(duì)于存儲(chǔ)器裝置的至少另一區(qū)域的缺陷的輸入信號(hào)，所述選擇塊可操作以基于所述輸入信號(hào)將所述存儲(chǔ)器請(qǐng)求映射到存儲(chǔ)器裝置的第二區(qū)域。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)器模塊，其中存儲(chǔ)器裝置的所述第二區(qū)域包括所檢測到的相對(duì)于存儲(chǔ)器裝置的所述第一區(qū)域的較低比率的缺陷。
22. —種基于處理器的系統(tǒng)，其包括處理器，其可操作以處理數(shù)據(jù)并提供存儲(chǔ)器命令及地址；系統(tǒng)控制器，其與所述處理器通信，所述系統(tǒng)控制可操作以接收并傳輸存儲(chǔ)器命令、地址及數(shù)據(jù)；多個(gè)存儲(chǔ)器裝置，其與所述系統(tǒng)控制器通信，所述多個(gè)存儲(chǔ)器裝置中的每一者可操作以接收存儲(chǔ)器命令、地址及寫入數(shù)據(jù)以用于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器裝置中的至少一者中，且將讀取數(shù)據(jù)從所述存儲(chǔ)器裝置傳輸?shù)剿鱿到y(tǒng)控制器；及選擇塊，其經(jīng)配置以接收指示存儲(chǔ)器裝置的區(qū)域的地址信號(hào)，所述選擇塊可操作以產(chǎn)生選擇信號(hào)，以將指示存儲(chǔ)器裝置的所述區(qū)域的所述地址信號(hào)映射到所述多個(gè)存儲(chǔ)器裝置的物理位置，所述選擇塊可操作以基于所述多個(gè)存儲(chǔ)器裝置的所述物理位置中缺陷的相對(duì)發(fā)生產(chǎn)生所述選擇信號(hào)。
23. —種基于處理器的系統(tǒng)，其包括處理器，其可操作以處理數(shù)據(jù)并提供存儲(chǔ)器命令及地址；系統(tǒng)控制器，其與所述處理器通信，所述系統(tǒng)控制器可操作以接收并傳輸存儲(chǔ)器命令、地址及數(shù)據(jù)；及多個(gè)存儲(chǔ)器裝置，其與所述系統(tǒng)控制器通信，所述多個(gè)存儲(chǔ)器裝置中的每一者可操作以接收存儲(chǔ)器命令、地址及寫入數(shù)據(jù)，以用于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器裝置中的至少一者中，且將讀取數(shù)據(jù)從所述存儲(chǔ)器裝置傳輸?shù)剿鱿到y(tǒng)控制器，所述多個(gè)存儲(chǔ)器裝置各自包括刷新控制塊，其經(jīng)配置以接收對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器裝置的第一區(qū)域的啟用信號(hào)及地址信號(hào)，所述刷新控制塊可在部分自刷新模式中操作，以響應(yīng)于所述接收的地址信號(hào)及啟用信號(hào)而產(chǎn)生控制信號(hào)，以啟用存儲(chǔ)器裝置的所述第一區(qū)域；及選擇塊，其與所述刷新控制塊通信以接收所述控制信號(hào)及所述地址信號(hào)，所述選擇塊可操作以響應(yīng)于所述控制信號(hào)，而選擇相對(duì)于所述存儲(chǔ)器裝置的所述第一區(qū)域不同定位的存儲(chǔ)器裝置的第二區(qū)域以用于刷新操作。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的基于處理器的系統(tǒng)，其中所述選擇塊進(jìn)一步可操作以將所述接收的地址信號(hào)映射到存儲(chǔ)器裝置的所述第二區(qū)域。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的基于處理器的系統(tǒng)，其中存儲(chǔ)器裝置的所述第二區(qū)域是基于所述第二區(qū)域相對(duì)于所述第一區(qū)域的刷新性能選擇的。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的基于處理器的系統(tǒng)，其中所述選擇塊進(jìn)一步包括啟動(dòng)塊，所述啟動(dòng)塊可操作以響應(yīng)于從所述刷新控制塊接收所述控制信號(hào)，而啟用存儲(chǔ)器裝置的選定區(qū)域的選擇。
27. —種用于在部分陣列自刷新期間尋址存儲(chǔ)器陣列的方法，其包括基于刷新特性選擇所述存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域；及將地址信號(hào)映射到所述存儲(chǔ)器陣列的所述選定區(qū)域。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器陣列的所述區(qū)域包括四個(gè)區(qū)域中的一者。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中基于刷新特性選擇所述存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域包括響應(yīng)于存儲(chǔ)器裝置測試而選擇所述存儲(chǔ)器陣列的所述區(qū)域。
30. —種用于分配存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域的方法，所述方法包括接收指示存儲(chǔ)器單元的邏輯群組的地址的第一坐標(biāo)；接收指示存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域的物理位置的第二坐標(biāo)；使所述第二坐標(biāo)與所述第一坐標(biāo)相關(guān)；及產(chǎn)生指示所述相關(guān)的映射信號(hào)，其中響應(yīng)于所述映射信號(hào)而在部分陣列自刷新模式中刷新所述存儲(chǔ)器陣列的所述區(qū)域。
31. —種用于選擇存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域的方法，所述方法包括測試所述存儲(chǔ)器陣列；基于所述測試確定所述存儲(chǔ)器陣列的區(qū)域；使地址群組與所述存儲(chǔ)器陣列的所述確定的區(qū)域相關(guān)；及以與刷新所述存儲(chǔ)器陣列的至少一個(gè)其它區(qū)域的方式不同的方式刷新所述存儲(chǔ)器陣列的所述確定的區(qū)域。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中測試所述存儲(chǔ)器陣列包括在制造之后測試所述存儲(chǔ)器陣列。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中確定所述區(qū)域包括確定具有是標(biāo)準(zhǔn)刷新時(shí)間兩倍快的刷新時(shí)間的所述區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明描述用于選擇存儲(chǔ)器區(qū)域的實(shí)施例。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，具有存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器裝置包含陣列選擇塊。所述陣列選擇塊接收指示所述存儲(chǔ)器單元陣列中的區(qū)域的輸入信號(hào)。所述陣列選擇塊基于所述存儲(chǔ)器單元陣列中的至少一個(gè)物理位置中的缺陷數(shù)目的檢測產(chǎn)生選擇信號(hào)以將所述區(qū)域映射到所述位置。
文檔編號(hào)G11C11/403GK101743597SQ200880024386
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月21日
發(fā)明者斯科特·史密斯 申請(qǐng)人:美光科技公司