專利名稱：具備光波導(dǎo)路的熱輔助磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用熱輔助磁記錄方式進行信號寫入的熱輔助磁頭、
具備該熱輔助磁頭的磁頭懸架組件(HGA: Head Gimbals Assembly),
以及具備HGA的硬盤裝置。
背景技術(shù)：
伴隨著硬盤裝置的高記錄密度化，要求薄膜磁頭的性能進一步提 高。作為薄膜磁頭，將磁阻(MR: Magneto Resistive)效應(yīng)元件等的 磁檢測元件和電磁線圈元件等的磁記錄元件層疊的結(jié)構(gòu)，即復(fù)合型薄 膜磁頭被廣泛地應(yīng)用，利用這些元件，在磁記錄介質(zhì)即磁盤上讀寫數(shù)
字信號。
一般而言，磁性記錄介質(zhì)是所謂的磁性微粒集合而成的不連續(xù)體， 各個磁性微粒成為單磁疇結(jié)構(gòu)。在此， 一個記錄位(record bits)由多 個磁性微粒構(gòu)成。所以，為了提高記錄密度，必須使磁性微粒變小， 減少記錄位的邊界的凹凸。然而，如果磁性微粒變小，則伴隨著體積 的減小，產(chǎn)生磁化的熱穩(wěn)定性降低的問題。
磁化的熱穩(wěn)定性的基準(zhǔn)由KuV/kBT給出。在此，Ku是磁性微粒的 磁各向異性能、V是1個磁性微粒的體積、KB是波爾茨曼常數(shù) (Boltzmann constant)、 T是絕對溫度。使磁性微粒變小，也就是使V 變小，在這種狀態(tài)下KuV/KeT變小，有損于熱穩(wěn)定性。作為針對該問 題的對策，考慮同時增大Ku，然而，Ku的增加導(dǎo)致磁性記錄介質(zhì)的矯 頑力的增加。對此，磁頭產(chǎn)生的寫入磁場強度大致由構(gòu)成磁頭內(nèi)的磁 極的軟磁性材料的飽和磁通量密度決定。所以，當(dāng)矯頑力超出由該寫 入磁場強度的界限所決定的許可值時，就不能寫入。
作為解決如此的磁化的熱穩(wěn)定性的問題的方法，有人提出所謂的 熱輔助磁記錄方式，其在使用Ku大的磁性材料的同時，通過在即將施 加寫入磁場之前加熱磁記錄介質(zhì)，從而減小矯頑力，進行寫入。這種
方式大致可分為磁優(yōu)先記錄方式和光優(yōu)先記錄方式。在磁優(yōu)先記錄方
式中，寫入的主體為電磁線圈元件，光的放射徑比磁道寬度(track width)(記錄寬度)大。另一方面，在光優(yōu)先記錄方式中，寫入的主體 為光放射部，光的放射徑與磁道寬度(記錄寬度)大致相同。即，磁 優(yōu)先記錄方式使磁場具有空間分解能，而光優(yōu)先記錄方式使光具有空 間分解能。
作為這樣的熱輔助磁頭記錄裝置，專利文獻1 2以及非專利文獻1
中公開了如下結(jié)構(gòu)在離開具有產(chǎn)生磁場的磁記錄元件的滑動塊 (slider)的位置上設(shè)置半導(dǎo)體激光等光源，通過光纖或透鏡等將來自 該光源的光引導(dǎo)至滑動塊的介質(zhì)相對面。
此外，在專利文獻3 4中，公開了在滑動塊的側(cè)面上集成了磁記 錄元件和光源的熱輔助磁頭，以及在滑動塊的介質(zhì)相對面上集成了磁 記錄元件和光源的熱輔助磁頭。
此外，在專利文獻5 6中，公開了相對于電磁線圈元件在接近磁 頭的層疊方向(位長方向)的位置上設(shè)置光波導(dǎo)路的熱輔助磁頭。在 該構(gòu)成中，將發(fā)光元件的出射光導(dǎo)入光波導(dǎo)路內(nèi)，使其從位于介質(zhì)相 對面內(nèi)的光波導(dǎo)路的光出射面出射，從而局部地加熱磁記錄介質(zhì)。然 后，利用電磁線圈元件對被局部地加熱且矯頑力降低的磁記錄介質(zhì)的 局部區(qū)域施加寫入磁場，進行寫入。
此外，在非專利文獻2中，公開了主磁極層中露出于介質(zhì)相對面 的部分即磁極端部向靠近光波導(dǎo)路的方向突出的熱輔助磁頭。
此外，在非專利文獻3中，公開了用于如上所述的熱輔助磁記錄 的磁記錄介質(zhì)。
而且，非專利文獻7中，公開了利用偏向結(jié)構(gòu)，使傳播于磁心的 光等的電磁波向著形成有磁頭的基底部偏向的光照射元件。 專利文獻1:日本特開平10-162444號公報 專利文獻2:日本特開平2001-255254號公報 專利文獻3:日本特開平2004-158067號公報 專利文獻4:日本特開平2005-004091號公報 專利文獻5:日本特開平2005-190655號公報 專利文獻6:日本特開平2006-185548號公報專利文獻7:日本特開平2006-331508號公報
非專禾U文獻1: Shintaro Miyanishi, et al., "Near-Field Assisted Magnetic Recording", IEEE Transactions on Magnetics, 2005， Vol. 41， No. 10， pp. 2817-2821
非專利文獻2: Micheal A. Seigler， et. al.， "Progress and Prospects in Heat Assisted Magnetic Recording", in Optical Data Storage, OSA Technical Digest Series (CD) (Optical Society of America, 2007), paper TuAl
非專禾U文獻3: Jan-Ulrich Thiele, et al., "Magnetic and Structural Properties of FePt-FeRh Exchange Spring Films for Thermally Assisted Magnetic Recording Media", IEEE Transactions on Magnetics, 2004, Vol. 40, No. 4， pp. 253
發(fā)明內(nèi)容
然而，即使在通過照射光來加熱磁記錄介質(zhì)，降低磁記錄介質(zhì)的 矯頑力的情況下，隨著時間的經(jīng)過磁記錄介質(zhì)被冷卻，磁記錄介質(zhì)的 矯頑力復(fù)原。因此，優(yōu)選在加熱磁記錄介質(zhì)后立即進行被加熱的該部 分的磁記錄，使得來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置和磁極端部盡量 靠近。在此，如上述非專利文獻2所記載的發(fā)明那樣，使磁極端部向 靠近光波導(dǎo)路的方向突出，以及如上述專利文獻7所記載的發(fā)明那樣， 利用光波導(dǎo)路使光偏轉(zhuǎn)，是用于使來自光波導(dǎo)路路的出射光的出射位 置和磁極端部靠近的有效方法。
然而，如果利用這些方法使來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置和 磁極端部更加靠近，則存在著因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的光的一部分向 磁極端部照射的情況。此時，產(chǎn)在磁極端部被加熱，矯頑力降低，不 能很好地進行對磁記錄介質(zhì)的寫入的問題。
在此，本發(fā)明的目的在于，提供一種熱輔助磁頭、磁頭懸架組件、 以及硬盤裝置，能夠一邊使來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置和磁極 端部靠近， 一邊實現(xiàn)對磁記錄介質(zhì)的高密度的寫入。
本發(fā)明涉及的熱輔助磁頭包括主磁極層，具有露出于與磁記錄
介質(zhì)相對的介質(zhì)相對面的磁極端部，以及光波導(dǎo)路，具有一個層和與 該一個層相鄰且折射率高于該一個層的另一個層，并使入射的熱輔助
用的光向?qū)盈B方向偏轉(zhuǎn)。主磁極層位于光因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一 側(cè)，磁極端部向光因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出，光波導(dǎo)路在介 質(zhì)相對面?zhèn)缺却艠O端部更突出。
在本發(fā)明所涉及的熱輔助磁頭中，主磁極層位于光因光波導(dǎo)路而 發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)，磁極端部向光因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出。 因此，與現(xiàn)有的熱輔助磁頭相比，來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置 和磁極端部更靠近，能夠在加熱磁記錄介質(zhì)后立即進行被加熱的該部 分的磁記錄。于是，本發(fā)明涉及的熱輔助磁頭中，光波導(dǎo)路在介質(zhì)相 對面?zhèn)缺却艠O端部更突出。因此，與像現(xiàn)有的熱輔助磁頭那樣，光波 導(dǎo)路的光出射面和介質(zhì)相對面位于同一面的情況相比，即使伴隨著光 的行進，光向靠近主磁極(磁極端部)的方向偏轉(zhuǎn)，也能夠保持光通 過磁極端部的附近時的光和磁極端部的距離。結(jié)果，由于因磁極端部 被加熱而導(dǎo)致的矯頑力的降低極難發(fā)生，因而，根據(jù)本發(fā)明涉及的熱 輔助磁頭，能夠一邊使來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置與磁極端部 靠近， 一邊實現(xiàn)對磁記錄介質(zhì)的高密度的寫入。
此外，在本發(fā)明涉及的熱輔助磁頭中，由于光波導(dǎo)路在介質(zhì)相對 面?zhèn)缺却艠O端部更突出，因而在與離開磁記錄介質(zhì)的上浮量相同的情 況下，光波導(dǎo)路的光出射面比現(xiàn)有的熱輔助磁頭更接近于磁記錄介質(zhì)。 因此，在來自光波導(dǎo)路的出射光的發(fā)光強度更大的狀態(tài)下，出射光向 磁記錄介質(zhì)照射。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明涉及的熱輔助磁頭，能夠有效地 防止磁記錄介質(zhì)的加熱不足，從而向磁記錄介質(zhì)進行良好的寫入。
優(yōu)選相對于用于化學(xué)機械拋光的堿性的拋光溶劑，光波導(dǎo)路的蝕 刻速率小于以包圍主磁極層和主磁極層的周圍的方式設(shè)置的絕緣層的 蝕刻速率。這樣，在熱輔助磁頭的制造過程中，通過利用化學(xué)機械拋 光對加工介質(zhì)相對面進行拋光加工，能夠使熱輔助磁頭成為光波導(dǎo)路 在介質(zhì)相對面?zhèn)缺却艠O端部更突出的結(jié)構(gòu)。
進一歩優(yōu)選光波導(dǎo)路由氧化鉭、氧化鈦、氧化硅等氧化物，氮化 鉭、氮化鈦、氮化硅等氮化物，或者氮氧化鉭、氮氧化鈦、氮氧化硅 等氮氧化物形成。更優(yōu)選由氧化鉭、氧化鈦、氧化硅、氮化鉭、氮化 鈦、氮化硅、氮氧化鉭、氮氧化鈦、氮氧化硅、或者以這些為主要成
分的材料形成。此外，在光波導(dǎo)路由氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiON)
形成的情況下，為了提高氮化硅和氮氧化硅的耐堿性，優(yōu)選使用以
Zr02、 Sn02、 Cr203、或La203置換3重量％~15重量％左右的材料。
優(yōu)選在光波導(dǎo)路中，在介質(zhì)相對面?zhèn)鹊亩嗣嫔显O(shè)有近場光發(fā)光部。 這樣，能夠利用近場光局部地加熱磁記錄介質(zhì)。
優(yōu)選磁極端部與光波導(dǎo)路接觸。這樣，能夠記憶不使來自光波導(dǎo) 路的出射光的出射位置和磁極端部更接近。
此外，本發(fā)明涉及的磁頭懸架組件具備上述任一種熱輔助磁頭和 支撐熱輔助磁頭的懸架。
此外，本發(fā)明涉及的硬盤裝置具備上述磁頭懸架組件和與介質(zhì)向 對面相對的磁記錄介質(zhì)。
利用本發(fā)明，能夠提供一種熱輔助磁頭、磁頭懸架組件、以及硬 盤裝置，能夠一邊使來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置和磁極端部靠 近， 一邊實現(xiàn)對磁記錄介質(zhì)的高密度的寫入。


圖1是硬盤裝置的立體示意圖。
圖2是以熱輔助磁頭的介質(zhì)相對面朝上的狀態(tài)示意磁頭懸架組件 的立體圖。
圖3是熱輔助磁頭的立體示意圖。 圖4是圖3的IV-IV線截面圖。
圖5是圖4的磁極端部以及光波導(dǎo)路附近的放大示意圖。 圖6是以從介質(zhì)相對面看時的狀態(tài)示意的磁極端部以及光波導(dǎo)路 的部分放大圖。
圖7是熱輔助磁頭的主要部分的立體示意圖。
圖8 (a)是示意將激光導(dǎo)入光波導(dǎo)路時的模擬結(jié)果的橫截面示意 圖。圖8 (b)是以從介質(zhì)相對面看時的狀態(tài)示意將激光導(dǎo)入光波導(dǎo)路 時的模擬結(jié)果的示意圖。
圖9是激光二極管的立體示意圖。
圖IO是熱輔助磁頭的電路構(gòu)成的示意圖。
圖11是用于說明拋光加工的工序的圖。
具體實施例方式
參照附圖，說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式。其中，在說明時，用 同一符號表示同一要素或具有同一功能的要素，重復(fù)的說明被省略。 此外，為了便于觀看附圖，附圖中的構(gòu)成要素內(nèi)以及構(gòu)成要素間的尺 寸比均任意地設(shè)定。
(1) 硬盤裝置的構(gòu)成
首先，參照圖1，說明硬盤裝置1的構(gòu)成。硬盤裝置1具備在主軸
電機11的旋轉(zhuǎn)軸的周圍旋轉(zhuǎn)的多個磁盤(磁記錄介質(zhì))10、用于在磁 道(track)上將熱輔助磁頭21定位的裝配臺架(assembly carriage)裝 置12、以及用于控制該熱輔助磁頭21的寫入動作和讀出動作并控制激 光二極管40的記錄再生和發(fā)光控制電路13，其中，該激光二極管40 是發(fā)出熱輔助磁頭用的激光的光源。
在裝配臺架裝置12中，設(shè)有多個驅(qū)動臂14。這些驅(qū)動臂14，能 夠以樞軸承(pivotbearing)軸16為中心被音圈電機(VCM: Voice Coil Motor) 15搖動，在沿著樞軸承軸16的方向上層疊。在各驅(qū)動臂14 的前端部安裝有磁頭懸架組件(HGA) 17。在各HGA17上，以與各磁 盤10的表面相對的方式設(shè)有熱輔助磁頭21。在熱輔助磁頭21中，與 磁盤10的表面相對的面為介質(zhì)相對面(也稱為氣墊面(ABS: Air Bearing Surface) ) S。此外，磁盤10、驅(qū)動臂14、 HGA17、以及熱輔 助磁頭21也可以為單個。
(2) 磁頭懸架組件的構(gòu)成
接著，參照圖2，說明HGA17的構(gòu)成。HGA17通過將熱輔助磁頭 21固定在懸架(suspension) 20的前端部而構(gòu)成。懸架20主要由承載 梁200、固定在承載梁200上且被其支撐的具有彈性的彎曲部(flexure) 201、設(shè)在承載梁200的底部的底盤202、形成于彎曲部201上且由引 線導(dǎo)體和電連接于引線導(dǎo)體的兩端的連接墊構(gòu)成的配線部件203、以及 在彎曲部201的前端形成為板式彈簧狀的舌狀部204構(gòu)成。另外， HGA17的懸架20不限于上述的構(gòu)成。此外，雖然圖中未顯示，但是 也可以在懸架20的中間安裝磁頭驅(qū)動用IC芯片。
(3) 熱輔助磁頭的構(gòu)成
接著，參照圖3 圖9，說明熱輔助磁頭21的構(gòu)成。熱輔助磁頭
21具備滑塊22和光源單元23?；瑝K22具有滑塊基板220以及進行數(shù) 字信號的寫入和讀出的磁頭部32，光源單元23具有光源支撐基板230 以及作為熱輔助磁記錄用的光源的激光二極管(發(fā)光元件)40?；瑝K 基板220和光源支撐基板230，以滑塊基板220的背面2201和光源支 撐基板230的粘合面2300相接觸的狀態(tài)由UV硬化型環(huán)氧樹脂或UV 硬化型丙烯樹脂等粘合劑44固定(參照圖4)。
在此，滑塊基板220的背面2201為位于滑塊22的介質(zhì)相對面S 的相反側(cè)的面。此外，光源支撐基板230的底面2301由環(huán)氧樹脂等粘 合劑固定于彎曲部201的舌狀部204。 (3.1)滑塊
如圖3所示，滑塊22所具有的滑塊基板220呈板狀。滑塊基板220 的介質(zhì)相對面S被加工為規(guī)定形狀，使得熱輔助磁頭21能夠得到適當(dāng) 的上浮量?；瑝K基板220可以由導(dǎo)電性的氧化鋁 碳化鈦陶瓷 (Al203.TiC)等形成。
如圖3和圖4所示，滑塊22所具有的磁頭部32設(shè)在相對于滑塊 基板220的介質(zhì)相對面S大致垂直的側(cè)面，即集成面2202上。磁頭部 32包括具有MR元件332的讀取磁頭部33，作為寫入用的感應(yīng)型的 電磁變換元件的記錄磁頭部34，穿過讀取磁頭部33和記錄磁頭部34 之間而設(shè)置的光波導(dǎo)路35，產(chǎn)生用于加熱磁盤10的記錄層部分的近場 光的近場光發(fā)生部(等離子體探針(plasmonprobe)) 36，以及形成在 集成面上以覆蓋這些讀取磁頭部33、記錄磁頭部34、光波導(dǎo)路35、近 場光發(fā)生部36的絕緣層38。
如圖4所示，讀取磁頭部33通過在滑塊基板220上依次層疊兼作 為下部電極的下部磁屏蔽層330、 MR元件332、兼作為上部電極的上 部磁屏蔽層334而構(gòu)成。此外，在MR元件332的磁道寬度方向的兩 側(cè)，隔著絕緣層38形成有一對由硬磁性材料形成的偏壓施加層HM(參 照圖7)。
下部磁屏蔽層330和上部磁屏蔽層334由NiFe、 CoFeNi、 CoFe、 FeN、 FeZrN等軟磁性材料形成，防止MR元件332感應(yīng)不必要的外部 磁場?？梢允褂冒蚣茈婂?frame plating)法的圖案電鍍法等形成 下部磁屏蔽層330和上部磁屏蔽層334，其厚度例如可以設(shè)定為
0.5|am~3|im左右。
MR元件332為包含自由層的多層結(jié)構(gòu)(圖中未顯示)，以露出于 介質(zhì)相對面S的方式配置在介質(zhì)相對面S側(cè)。MR元件332利用磁阻 效應(yīng)來檢測從磁盤10輸入的磁場的變化，讀出記錄于磁盤10的磁信 息。此外，也可以使用利用磁阻變化率高的巨磁阻效應(yīng)的GMR (Giant Magneto Resistive)元件、利用各向異性磁阻效應(yīng)的AMR (Anisotropy Magneto Resistive)元件、利用產(chǎn)生于隧道結(jié)的磁阻效應(yīng)的TMR (tunnel Magneto Resistive)元j牛、CPP (Current Perpendicular to Plane ) -GMR 元件等來代替MR元件332。
記錄磁頭部34具有主磁極層340、間隙層341a、薄膜線圈絕緣層 341b、薄膜線圈342、以及輔助磁極層344。主磁極層340為用于將由 薄膜線圈342感應(yīng)的磁通量一邊聚集一邊引導(dǎo)至被進行寫入的磁盤10 的記錄層的導(dǎo)磁路，從薄膜線圈342的螺旋中心向介質(zhì)相對面S延伸。 1-:磁極層340包含位于介質(zhì)相對面S側(cè)且露出于介質(zhì)相對面S的磁極 端部340a。當(dāng)薄膜線圈342通電時，磁場被引導(dǎo)至主磁極層340的磁 極端部340a，從其前端產(chǎn)生寫入磁場。
如圖4 6所示，磁極端部340a的光波導(dǎo)路35側(cè)的面與光波導(dǎo)路 35相接。在此，優(yōu)選磁極端部340a相對于介質(zhì)相對面S在縱深方向上 與光波導(dǎo)路35接觸的長度L為0.1lam 2.0^im。
優(yōu)選磁極端部340a的磁道寬度方向的寬度和層疊方向(圖4的左 右方向)的厚度小于其它部分。結(jié)果，能夠產(chǎn)生與高記錄密度化相對 應(yīng)的細(xì)小且高強度的寫入磁場。具體而言，如圖5所示，優(yōu)選磁極端 部340a的前端為前端細(xì)小，以形成引導(dǎo)側(cè)即滑塊基板220側(cè)的邊的長 度短于拖曳側(cè)的邊的長度的倒梯形。即，在磁極端部340a的端面上設(shè) 有斜角e，防止因轉(zhuǎn)動裝置的驅(qū)動而產(chǎn)生的扭斜角的影響給相鄰的磁道 帶來不必要的寫入。斜角6的大小例如為15°左右。寫入磁場主要產(chǎn)生 于拖曳側(cè)的長邊附近，在磁優(yōu)先記錄方式的情況下，寫入磁道的寬度 由該長邊的長度的決定。
在此，優(yōu)選使用由Ni、 Fe、 Co中任兩個元素或三個元素形成的合 金、或者以這些為主要成分并添加規(guī)定元素的合金等構(gòu)成主磁極層 340?？梢允褂每蚣茈婂兎?、濺射法等形成主磁極層340。磁極端部340a
的厚度，例如可以設(shè)定為0.01nm 0.5iam左右，主磁極層340的磁極端 部340a以外的部分的厚度，例如可以設(shè)定為0.5^im 3.(^m左右。磁道 寬度，例如可以設(shè)定為100nm左右。
輔助磁極層344在離開介質(zhì)相對面S的一側(cè)的端部344a與主磁極 層340磁連接。輔助磁極層344的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部，形成層截 面比輔助磁極層344的其它部分寬廣的拖曳屏蔽部。輔助磁極層344 的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部露出介質(zhì)相對面S。此外，由于間隙層341a 和薄膜線圈絕緣層341b介于主磁極層340和輔助磁極層344之間，因 而，輔助磁極層344的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部與主磁極層340的磁極 端部340a相對，且具有規(guī)定的間隔。
優(yōu)選使用由Ni、 Fe、 Co中任兩個元素或三個元素形成的合金、或 者以這些為主要成分并添加規(guī)定元素的合金等構(gòu)成輔助磁極層344?？?以使用框架電鍍法、濺射法等形成輔助磁極層344。輔助磁極層344 的厚度，例如可以設(shè)定為0.5pm 5^im左右。
由于間隙層341a將主磁極層340和薄膜線圈342電絕緣，因而可 以由八1203或A1N等構(gòu)成，可以使用濺射法、CVD法等形成。間隙層 341 a的厚度，例如可以設(shè)定為0.01 fim 0.5 (im左右。
由于薄膜線圈絕緣層341b將薄膜線圈342和輔助磁極層344電絕 緣，因而可以由氧化鋁或有機絕緣材料的電阻等構(gòu)成。薄膜線圈絕緣 層341b厚度，例如可以設(shè)定為0. l|im 5 iim左右。
薄膜線圈342構(gòu)成為導(dǎo)線巻繞在輔助磁極層344的端部344a的周 圍的螺旋狀。薄膜線圈342可以由Cu等構(gòu)成。薄膜線圈342的厚度， 例如可以設(shè)定為0.5 jum 3 nm左右。
如圖4所示，光波導(dǎo)路35配置于讀取磁頭部33和記錄磁頭部34 之間，以與集成面2202平行的方式從磁頭部32的介質(zhì)相對面S延伸 至磁頭部32的介質(zhì)相對面S的相反側(cè)的面32a。具體而言，如圖4所 示，在介質(zhì)相對面S上，光波導(dǎo)路35的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部比磁極 端部340a更突出。該光波導(dǎo)路35的介質(zhì)相對面S側(cè)的端面成為出射 來自激光二極管40的激光的光出射面353，光出射面353的相反側(cè)的 端面成為入射來自激光二極管40的激光的光入射面354 (參照圖4和 圖7)。
如圖7所示，光波導(dǎo)路35的大部分大致呈矩形板狀，其介質(zhì)相對 面s側(cè)的端部中的磁道寬度方向上的兩個角部被進行了倒角處理。因 此，光波導(dǎo)路35的介質(zhì)相對面S的端部，隨著靠近介質(zhì)相對面S側(cè)， 其磁道寬度方向上的寬度越小。由此，在光波導(dǎo)路35中，在磁道寬度 方向上，能夠使激光二極管40的激光聚光于中央部分。此外，面32a 與介質(zhì)相對面S大致平行。
如圖6所示，光波導(dǎo)路35具有多個核(core)35A廣35A6、35B廣35B6。 核35A, 35A6和核35B, 35B6交替地層疊。核35A廣35A6由SiON構(gòu)成， 折射率被設(shè)定為1.80左右。核35A廣35A6的厚度分別被設(shè)定為400nm 左右、300nm左右、250nm左右、200nm左右、150nm左右、100nm 左右。即，從記錄磁頭部34到讀取磁頭部33，核35A, 35A6厚度由大 到小依次排列。
另一方面，核35B, 35B6由SiON構(gòu)成，折射率被設(shè)定為低于核 35A, 35A6的折射率的1.72左右。另外，核35B, 35B6的厚度分別被 設(shè)定為50nm左右、100nm左右、150nm左右、200nm左右、250nm 左右、350nm左右。即，從記錄磁頭部34到讀取磁頭部33，核35B, 35B6
的厚度由小到大依次排列。
如圖8所示，如果激光從激光二極管40向具有這樣的構(gòu)成的光波 導(dǎo)路35入射，則隨著激光的行進，激光向?qū)盈B方向偏轉(zhuǎn)，即從讀取磁 頭部33至記錄磁頭部34的方向。這是因為，這樣的光波導(dǎo)路35的結(jié) 構(gòu)，可以視為折射率從讀取磁頭部33至記錄磁頭部34逐漸增大的結(jié) 構(gòu)，光具有從折射率小的一方向折射率大的一方偏轉(zhuǎn)的性質(zhì)。所以， 主磁極層340位于激光因光波導(dǎo)路35而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)，磁極端部 340a向激光因光波導(dǎo)路35而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出(尤其參照圖5)。
此外，如圖8 (a)所示，如果激光從激光二極管40向具有這樣的 構(gòu)成的光波導(dǎo)路35入射，則激光的強度發(fā)生周期性地變化。因此，優(yōu) 選以激光的強度在光波導(dǎo)路35的光出射面353上為最大的方式?jīng)Q定光 波導(dǎo)路35的長度。
回到圖4，除了光出射面353和光入射面354、以及露出于外部的 部分(在介質(zhì)相對面S側(cè)比磁極端部340a更突出的部分)和與磁極端 部340a相接的部分之外，光波導(dǎo)路35被絕緣層38和間隙層341a覆
蓋。絕緣層38和間隙層341a，由折射率低于構(gòu)成光波導(dǎo)路35的核 35A廣35A6、 35B廣35B6的材料即Al203或A1N等構(gòu)成，作為光波導(dǎo)路 35的核35A, 35A6、 35B廣35B6的包層(clad)而起作用。
此外，作為構(gòu)成光波導(dǎo)路35的材料，優(yōu)選相對于在化學(xué)機械拋光 (CMP: Chemical Mechanical Polishing)中使用的堿性拋光溶劑的蝕 刻速率小于其它的構(gòu)成要素的蝕刻速率的材料。具體而言，作為構(gòu)成 光波導(dǎo)路35的材料，除了上述SiON之外，還能夠使用氧化鉭、氧化 鈦、氧化硅、氮化鉭、氮化鈦、氮化硅、氮氧化鉭、氮氧化鈦、或者 以這些為主要成分的材料，這些材料也可以含有氧化鈮、氧化鉍、氧 化鋁、氧化硅等添加物。即，這些材料相對于堿性拋光溶劑的蝕刻速 率，小于構(gòu)成絕緣體層38和間隙層341a的八1203或A1N等材料相對 于堿性拋光溶劑的蝕刻速率。此外，在光波導(dǎo)路35由氮化硅(SiN) 或氧氮化硅(SiON)形成的情況下，為了提高氮化硅或氮氧化硅的耐 堿性，優(yōu)選使用以Zr02、 Sn02、 Cr203或La203置換3重量％ 15重量 %左右的材料。此外，構(gòu)成主磁極層340或輔助磁極層344的材料為金 屬，由于金屬柔軟，因而，光波導(dǎo)路35相對于堿性拋光溶劑的蝕刻速 率，小于主磁極層340或輔助磁極層344相對于堿性拋光溶劑的蝕刻 速率。
在讀取磁頭部33和光波導(dǎo)路35之間，配置有由與下部屏磁蔽層 330和上部磁屏蔽層334相同的材料形成的元件間屏蔽層148。元件間 屏蔽層148屏蔽產(chǎn)生于記錄磁頭部34的磁場，使其不被MR元件332 感應(yīng)，起到在MR元件進行讀取時抑制外來噪音的作用。另外，還可 以在讀取部33和光波導(dǎo)路35之間形成反接線圈(backing coil)。
如圖4 圖6所示，近場光發(fā)生部36為配置于光波導(dǎo)路35的光出 射面353的板狀部件。近場光發(fā)生部36位于光出射面353中出射強度 大的激光的部分(在圖6和圖8中，核35A,的光出射面353的大致中 央部分)，其端面以露出于光出射面353的方式被埋設(shè)在核35Ai內(nèi)。
如圖6等所示，從介質(zhì)相對面S看時，近場光發(fā)生部36呈三角形 狀，由導(dǎo)電材料(例如，Au、 Ag、 Al、 Cu、 Pd、 Pt、 Rn、 Ir、或這些 元素組合而成的合金)構(gòu)成。近場光發(fā)生部36的底邊36d與滑塊基板 220的集成面2202平行，即與磁道的寬度方向平行地配置，與近場光 發(fā)生部36的底邊36d相對的頂點36v，比底邊36d更靠近記錄磁頭部 34的主磁極層340側(cè)。在此，優(yōu)選在層疊方向上的近場光發(fā)生部36 的頂點36v和磁極端部340a的直線距離H為50nm 300nm。此外，優(yōu) 選近場光發(fā)生部36的形狀為底邊36d的兩端的兩個底角均相等的等腰
三角形。
如果向這樣的近場光發(fā)生部36照射來自激光二極管40的激光， 則構(gòu)成近場光發(fā)生部36的金屬內(nèi)的電子發(fā)生等離子體振動，在其頂點 36v的附近產(chǎn)生電場的集中，從該頂點36v的附近向磁盤10的記錄區(qū) 域R (參照圖7)產(chǎn)生近場光。由于該近場光的擴張為近場光發(fā)生部 36的頂點36v附近的半徑大小，因而，如果該頂點36v的半徑為磁道 寬度以下，那么，能夠模擬地將出射光限定于衍射界限以下。
回到圖3，滑塊22所具有的磁頭部32還包括分別與讀取磁頭部 33的輸入輸出端子連接的一對信號端子用的電極墊371(也參照圖7)、 分別與記錄磁頭部34的兩端連接的一對信號電極用的電極墊373 (也 參照圖7)、以及經(jīng)由通孔(viahole) 375a與滑塊基板220電連接的接 地用的電極墊375 (也參照圖4)。這些電極墊371、 373、 375形成于 絕緣層38的露出面上。此外，電極墊375通過連接線(bonding wire) (圖中未顯示)與彎曲部201的電極墊274連接。因此，利用電極墊 274，可以將滑塊基板220的電位控制在例如接地電位。 (3.3)光源單元
如圖3所示，光源單元23所具有的光源支撐基板230呈板狀。如 圖4所示，光源支撐基板230具有由氧化鋁等形成的隔熱層230a和由 導(dǎo)電性的氧化鋁 碳化鈦陶瓷(A1203 'TiC)等形成的導(dǎo)電體層230b。 隔熱層230a與滑塊基板220的背面2201相粘合，該面成為光源支撐 基板230的粘合面2300。在與該粘合面2300相鄰的側(cè)面即元件形成面 2303上，設(shè)有由氧化鋁等絕緣材料形成的絕緣層41。
在絕緣層41的表面且與介質(zhì)相對面S交叉的面411上(與滑塊基 板220的集成面2202平行的面411上)，形成有激光二極管40的驅(qū)動 用的電極墊47、 48 (參照圖3)。電極墊47具有在絕緣層41的面411 的中央部分沿著磁道寬度方向延伸的第一部分47a、以及從第一部分 47a的端部向光源支撐基板230的底面2301延伸的第二部分47b。另
一方面，電極墊48形成于絕緣層41的面411上的與電極墊47離開的 位置，具有在絕緣層41的面411的中央部分沿著磁道寬度方向延伸的 第一部分48a、以及從第一部分48a的端部向光源支撐基板230的底面 2301延伸的第二部分48b。于是，通過回流焊，電極墊47、 48分別與 彎曲部201的電極墊247、 248電連接。
此外，如圖4所示，電極墊47通過設(shè)在絕緣層41內(nèi)的通孔47c 而與光源支撐基板230的導(dǎo)電體層230b電連接。因此，利用電極墊47， 能夠?qū)?dǎo)電體層230b的電位控制在例如接地電位。此外，該電極墊47 與通孔47c —起作為用于使激光二極管40驅(qū)動時的熱向?qū)щ婓w層230b 側(cè)散發(fā)的熱傳導(dǎo)通路而起作用。
可以使用例如由Ta或Ti等形成的基底層、以及利用真空蒸鍍法或 濺射法等在該基底層上形成的Au或Cu等的層來構(gòu)成電極墊47、 48。 Ta或Ti等的基底層的厚度，設(shè)定可以為例如10nm左右，Au或Cu等 的層的厚度，例如可以設(shè)定為1(im 3iim左右。
如圖4所示，光源單元23所具有的激光二極管40，被由Au-Sn 等導(dǎo)電性焊料材料形成的焊料層42固定在電極墊47上，并與電極墊 47電連接。這時，電極墊47的一部分被激光二極管40覆蓋。
通常，激光二極管40可以具有與用于光學(xué)系磁盤存儲(disk storage)的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，例如，如圖9所示，具有將n電極40a、 n-GaAs基板40b、 n-InGaAlP包層40c、第一 InGaAlP引導(dǎo)層40d、由 多重量子阱(InGaP/InGaAlP)等形成的活性層40e、第二 InGaAlP引 導(dǎo)層40f、 p-InGaAlP包層40g、 *n-GaAs電流阻止層40h、 p-GaAs接 觸層40i、 p電極40j依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。在這些多層結(jié)構(gòu)的劈開面 的前后，形成有由用于激發(fā)基于全反射的振蕩的Si02或A1203等形成 反射膜50、 51。于是，在一方的反射膜50的與活性層40e對應(yīng)的位置 上設(shè)有開口 50a，形成有反射膜50的面中的與開口 50a對應(yīng)的區(qū)域成 為放射激光的出光端400。在這樣的激光二極管40中，通過向膜厚方 向施加電壓，從而從出光端400出射激光。
所放射的激光的波長k，例如為600nm 650nm左右。但是，必須 留意與近場光發(fā)生部36的金屬材料相應(yīng)的適當(dāng)?shù)募畈ㄩL的存在。例 如，在使用Au作為近場光發(fā)生部36的情況下，優(yōu)選激光的波長k在
600nm附近。
激光二極管40的大小，例如可以設(shè)定為寬度W40為 200|mi 350(im、長度L40為250pm 600(am、厚度T40為60lim 200(im
左右。在此，激光二極管40的寬度W40以與電流阻止層40h相對的 一端的間隔為下限，例如能夠減小至100pm左右。但是，激光二極管 40的長度L40是與電流密度有關(guān)的量，不能減小至這樣小。無論如何， 對于激光二極管40而言，考慮到搭載時的操作，優(yōu)選確保相當(dāng)?shù)拇笮　?br> 此外，可以通過使用硬盤裝置l內(nèi)的電源來驅(qū)動激光二極管40。 實際上，硬盤裝置1通常具備例如2V左右的電源，該電壓的大小足以 使激光振蕩。此外，由于激光二極管40所消耗的電能，例如為數(shù)十 mW左右，因而，硬盤裝置1內(nèi)的電源足以提供。
激光二極管40的n電極40a由AuSn等的焊料層42固定于電極墊 47。在此，激光二極管40的出光端(光出射面)400為圖4中的向下 方向(-Z方向)(與粘合面2300平行)，與光波導(dǎo)路35的光入射面354 相對。實際上，在固定激光二極管40時，例如，在電極墊47的表面 上形成厚度為0.7)Lim ^m左右的AuSn合金膜的蒸鍍膜，放上激光二 極管40后，利用熱板等在熱風(fēng)機下加熱至20(TC 30(TC左右。
此外，激光二極管40的p電極40j由連接線與電極墊48電連接。 并且，n電極40a可以由連接線與電極墊48電連接，p電極40j也可以 被焊料層42固定在電極墊47上。而且，通過將激光二極管40的與光 源支撐基板230連接的一側(cè)加工為階梯狀，能夠不使用連接線而與電 極墊48電連接。
在此，在利用上述的AuSn合金進行焊接的情況下，光源單元23 被加熱至例如30(TC左右的高溫，而根據(jù)本實施方式涉及的熱輔助磁頭 21 ，由于該光源單元23與滑塊22分開制造，因而滑塊22的磁頭部32 不受到該高溫的不良影響。
此外，激光二極管40和電極墊47、 48的構(gòu)成，不限于上述實施 方式。例如，激光二極管40也可以是使用GaAlAs系等的其它半導(dǎo)體 材料的構(gòu)成。此外，也可以使用其它的焊劑進行激光二極管40和電極 的焊接。而且，也可以通過在光源支撐基板230上直接外延生長半導(dǎo) 體材料來形成激光二極管40。(4) 熱輔助磁頭的電路構(gòu)成
接著，參照圖IO，說明熱輔助磁頭21的電路構(gòu)成。
構(gòu)成配線部件203的配線之一經(jīng)由電極墊247和電極墊47而與激 光二極管40的陰極電連接，另一配線經(jīng)由電極墊248和電極墊48而 與激光二極管40的陽極電連接。如果向電極墊247、 248之間供給驅(qū) 動電流，則激光二極管40發(fā)光。該光經(jīng)由光波導(dǎo)路35和介質(zhì)相對面S 而向磁盤10的記錄區(qū)域R照射(參照圖7)。
構(gòu)成配線部件203的另一對配線經(jīng)由電極墊237、連接線BW、以 及電極墊373而分別與記錄磁頭部34的兩端連接。如果向一對電極墊 237之間施加電壓，則對記錄磁頭部34進行通電，產(chǎn)生寫入磁場。在 熱輔助磁頭21中，從激光二極管40出射的激光向光波導(dǎo)路35的光入 射面354入射，從設(shè)在介質(zhì)相對面S的光出射面353出射，向磁盤IO 的記錄區(qū)域R照射(參照圖7)。此時，與介質(zhì)相對面R相對的磁盤10 的記錄區(qū)域R的溫度上升，記錄區(qū)域R的矯頑力暫時下降。所以，通 過在該矯頑力下降的期間內(nèi)對記錄磁頭部34進行通電，產(chǎn)生寫入磁場， 能夠?qū)⑿畔懭胗涗泤^(qū)域R。
構(gòu)成配線部件203的另一對配線經(jīng)由電極墊238、連接線BW、以 及電極墊371而分別與讀取磁頭部33的兩端連接。如果向一對電極墊 238施加電壓，則在讀取磁頭部33流過感應(yīng)電流(sense current)。通 過使感應(yīng)電流流過讀取磁頭部33，能夠讀出寫入記錄區(qū)域R的信息。(5) 熱輔助磁頭的制造方法
接著，參照圖ll，說明熱輔助磁頭21的制造方法。 首先，在滑塊基板220上依次形成讀取磁頭部33、光波導(dǎo)路35、 以及記錄磁頭部34，從而形成滑塊22的前驅(qū)體22a。然后，利用化學(xué) 機械拋光，進行用于調(diào)整MR元件332和近場光發(fā)生部36的高度 (height)的拋光加工(lapping加工)(參照圖11的(a))。這時，從 作為介質(zhì)相對面S側(cè)的拋光面向縱深方向?qū)橘|(zhì)相對面S進行拋光， 當(dāng)MR元件332的高度和近場光發(fā)生部36的高度成為規(guī)定的大小時， 拋光結(jié)束。
在此，在利用化學(xué)機械拋光進行拋光加工時， 一般使用添加了 KOH、 NaOH、 NH4OH等堿性的氫離子調(diào)整劑的拋光溶劑(拋光液)，
在本實施方式涉及的熱輔助磁頭21中，相對于堿性的拋光溶劑，光波 導(dǎo)路35的蝕刻速率小于其它構(gòu)成要素的蝕刻速率。因此，在拋光結(jié)束
時，在介質(zhì)相對面S側(cè)，光波導(dǎo)路35的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部為比磁 極端部340a更突出(參照圖11的(b))的狀態(tài)。 (6)作用
接著，說明本實施方式涉及的熱輔助磁頭21的作用。
在進行寫入或讀出時，熱輔助磁頭21上浮于旋轉(zhuǎn)的磁盤10的表 面上，并具有流體力學(xué)上的規(guī)定的上浮量。這時，通過使讀取磁頭部 33和記錄磁頭部34的介質(zhì)相對面S側(cè)的端部隔著微小的間距而與磁盤 10相對，從而進行基于數(shù)字信號磁場的感應(yīng)的讀出和基于數(shù)字信號磁 場的施加的寫入。
在此，在寫入數(shù)字信號時，從光源單元23經(jīng)由光波導(dǎo)路35傳播 來的激光到達近場光發(fā)生部36，從近場光發(fā)生部36產(chǎn)生近場光。利用 該近場光，能夠進行熱輔助磁記錄。
接著，通過采用熱輔助磁記錄方式，在高矯頑力的磁盤io上使用 垂直磁記錄用的薄膜磁頭進行寫入，通過使記錄位極細(xì)微化，從而也 能夠達到例如1Tbits/inch2級的記錄密度。
此外，在以上的本實施方式中，主磁極層340位于激光因光波導(dǎo) 路35而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)，磁極端部340a向激光因光波導(dǎo)路35而發(fā)生 偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出。因此，與現(xiàn)有的熱輔助磁頭相比，來自光波導(dǎo)路35 的出射光的出射位置和磁極端部340a更靠近(參照圖5)，能夠在加熱 磁盤10的記錄區(qū)域R之后立即進行被加熱的該記錄區(qū)域R的磁記錄。 而且，在本實施方式中，光波導(dǎo)路35在介質(zhì)相對面S側(cè)比磁極端部340a 更突出。因此，與像現(xiàn)有的熱輔助磁頭那樣，光波導(dǎo)的光出射面和介 質(zhì)相對面位于同-一面的情況相比，即使伴隨著激光的行進，光向靠近 主磁極340 (磁極端部340a)的方向偏轉(zhuǎn)，也能夠保持激光通過磁極 端部340a的附近時的激光和磁極端部340a的距離。結(jié)果，由于因磁 極端部340a被加熱而導(dǎo)致的矯頑力的降低極難發(fā)生，因而，根據(jù)本實 施方式涉及的熱輔助磁頭21，能夠一邊使來自光波導(dǎo)路35的出射光的 出射位置和磁極端部340a接近， 一邊實現(xiàn)對磁盤10的高密度的寫入。
此外，在本實施方式中，由于光波導(dǎo)路35在介質(zhì)相對面S側(cè)比磁
極端部340a更突出，因而在與離開磁盤10的上浮量相同的情況下， 光波導(dǎo)路35的光出射面353比現(xiàn)有的熱輔助磁頭更接近磁盤10。因此， 在來自光波導(dǎo)路35的出射光的發(fā)光強度更大的狀態(tài)下，出射光向磁盤 IO照射。結(jié)果，根據(jù)本實施方式涉及的熱輔助磁頭21，能夠有效地防 止磁盤10的加熱不足，從而向磁盤10進行良好的寫入。
此外，在本實施方式中，相對于用于化學(xué)機械拋光的堿性的拋光 溶劑，光波導(dǎo)路35的蝕刻速率小于絕緣層38、間隙層341a、主磁極 層340等的蝕刻速率。因此，在熱輔助磁頭21的制造過程中，通過利 用化學(xué)機械拋光對介質(zhì)相對面S進行拋光加工，能夠使熱輔助磁頭21 成為光波導(dǎo)路35在介質(zhì)相對面S側(cè)比磁極端部340a更突出的結(jié)構(gòu)。
此外，在本實施方式中，磁極端部340a的光波導(dǎo)路35側(cè)的面與 光波導(dǎo)路35相接。因此，能夠使來自光波導(dǎo)路35的出射光的出射位 置和磁極端部340a更接近。
以上，詳細(xì)地說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是本發(fā)明不限于 上述實施方式。例如，在本實施方式中，近場光發(fā)生部36呈三角形狀， 但是，也可以是頂點36v平坦的梯形狀，此外，也可以實施所謂的"蝴 蝶結(jié)型"結(jié)構(gòu)，即，配置一對三角形狀或梯形狀的板，并使其頂點彼 此或短邊彼此離開規(guī)定的距離且相對。該"蝴蝶結(jié)型"結(jié)構(gòu)中，在其 中心部產(chǎn)生強烈的電場集中。
此外，作為近場光發(fā)生部36，也可以在光波導(dǎo)路35的介質(zhì)相對面 S側(cè)設(shè)有比激光的波長小的微小的開口 。
此外，本實施方式中，雖然設(shè)有一層薄膜線圈342，但是也可以設(shè) 有兩層以上的薄膜線圈342，或螺旋狀線圈。
此外，隔熱層230a可以形成于滑塊基板220的背面2201頂lj，即 使完全不設(shè)置隔熱層，也可以實施本發(fā)明。
此外，在粘合光源單元23和滑塊22時，使用UV硬化型粘合劑 以外的粘合劑，例如用于粘合激光二極管40和電極墊47的AuSn等的 焊料層，也可以實施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種熱輔助磁頭，其特征在于，包括主磁極層，具有露出于與磁記錄介質(zhì)相對的介質(zhì)相對面的磁極端部，以及光波導(dǎo)路，具有一個層和與該一個層相鄰且折射率高于該一個層的另一個層，并使入射的熱輔助用的光向?qū)盈B方向偏轉(zhuǎn)，所述主磁極層位于光因所述光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)，所述磁極端部向光因所述光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出，所述光波導(dǎo)路在所述介質(zhì)相對面?zhèn)缺人龃艠O端部更突出。
2. 如權(quán)利要求1所述的熱輔助磁頭，其特征在于， 相對于用于化學(xué)機械拋光的堿性的拋光溶劑，所述光波導(dǎo)路的蝕刻速率小于以包圍所述主磁極層和所述主磁極層的周圍的方式設(shè)置的 絕緣層的蝕刻速率。
3. 如權(quán)利要求2所述的熱輔助磁頭，其特征在于， 所述光波導(dǎo)路由氧化鉭、氧化鈦、氧化硅、氮化鉭、氮化鈦、氮化硅、氮氧化鉭、氮氧化鈦、氮氧化硅、或者以這些為主要成分的材 料形成。
4. 如權(quán)利要求1所述的熱輔助磁頭，其特征在于， 在所述光波導(dǎo)路中，在所述介質(zhì)相對面?zhèn)鹊亩嗣嫔显O(shè)有近場光發(fā)光部。
5. 如權(quán)利要求l所述的熱輔助磁頭，其特征在于， 所述磁極端部與所述光波導(dǎo)路接觸。
6. —種磁頭懸架組件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1 5中任一項所述的熱輔助磁頭、以及支撐所述 熱輔助磁頭的懸架。
7. —種硬盤裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的磁頭懸架組件、以及與所述介質(zhì)相對面 相對的磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種熱輔助磁頭。一邊使來自光波導(dǎo)路的出射光的出射位置和磁極端部靠近，一邊實現(xiàn)對磁記錄介質(zhì)的高密度的寫入。熱輔助磁頭包括主磁極層，具有露出于與磁記錄介質(zhì)相對的介質(zhì)相對面的磁極端部；以及光波導(dǎo)路，使入射的激光向?qū)盈B方向偏轉(zhuǎn)。主磁極層位于光因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)。磁極端部向光因光波導(dǎo)路而發(fā)生偏轉(zhuǎn)的一側(cè)突出。光波導(dǎo)路在介質(zhì)相對面?zhèn)缺却艠O端部更突出。
文檔編號G11B5/127GK101373598SQ200810146838
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者小村英嗣, 島澤幸司, 平林啟, 田中浩介 申請人:Tdk株式會社