專利名稱：一種偵測存儲陣列中字元線損壞的方法及相關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種偵測存儲陣列中字元線損壞的方法及相關(guān)裝置，更明確 地說，是有關(guān)一-置。
背景技術(shù)：
請參考圖1，圖1是為一動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)陣列100的示意圖；如圖所示，動態(tài)隨機存取存儲器陣列100 包含字元線(wordline)WLl、 WL2及WL3、位元線(bit line)BLl 、 BL2及BL3、 開關(guān)SWll、 SW12、 SW21、 SW22、 SW31及SW32，以及存儲單元Mll、 M12、 M21、 M22、 M31與M32。當(dāng)使用者欲將一資料寫入一存儲單元中時，字元線 的電位將會被提升至一高電位VH以將該存儲單元所對應(yīng)的開關(guān)打開，再在對 應(yīng)的位元線上載入欲寫入的資料，如此便可將資料寫入。舉例來說，當(dāng)使用者 欲將一資料"1"寫入存儲單元M22時，則字元線WL2的電位會被提升至電位 VH以將開關(guān)SW22打開，使存儲單元M22與位元線BL2導(dǎo)通，然后便可將資 料"1"寫入存儲單元M22。反之，如果沒有要將資料寫入，則字元線上的電位 會保持于一低電位VL，而使其對應(yīng)的存儲單元的開關(guān)皆呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)。如圖所 示，當(dāng)使用者欲將資料寫入存儲單元M22時，只有字元線WL2的電位為高電 位VH(意即只有開關(guān)SW21、 SW22被打開)，其余未^皮寫入的存儲單元所對應(yīng)的 字元線WL1與WL3的電位皆為低電位VL。而動態(tài)隨機存取存儲器陣列的制造過程中，難免會有雜質(zhì)分子存在。而雜 質(zhì)分子會造成字元線與字元線之間的短路，而使得被造成短路的字元線不能達 到所要的電位，進而使所對應(yīng)的存儲單元無法儲存資料。如圖1所示，雜質(zhì)分 子P存在于字元線WL1與WL2之間，造成字元線WL1與WL2短路。因此， 在使用者欲寫入字元線WL1或WL2所對應(yīng)的存儲單元時，將會因為雜質(zhì)分子P 所造成的短路，使得寫入失敗。舉例來說，當(dāng)使用者欲寫入資料于存儲單元M22時，字元線WL2的電位會被提升至高電位VH,而其余字元線WL1、 WL3將會 被維持于低電位VL。由于雜質(zhì)分子P將字元線WL2與WL1短路，因此便會有 漏電流,人字元線WL2流向字元線WL1,而4吏得字元線WL2的電位從原本的電 位VH逐漸下降。請參考圖2,圖2是為說明字元線WL2上的電壓的示意圖；如圖所示，在 理想情況下(未有雜質(zhì)分子P存在時)，字元線WL2在寫入的情況時是會被提升 至高電位VH—段時間Tl(如虛線部分所示)。而實際上由于雜質(zhì)分子P的影響， 字元線WL2的電位VH逐漸被字元線WL1的低電位VL下拉。當(dāng)字元線WL2 的電位下降至臨界電位VB時，若此時寫入動作尚未完成，則開關(guān)SW22將會關(guān) 閉而無法將資料寫入存儲單元M22,造成寫入失敗。如圖所示，當(dāng)字元線WL2 被啟動之后(提升至高電位VH)，若經(jīng)過時間T2后，寫入動作尚未完成，則字 元線WL2上的電位將會下降至臨界電位VB-而使開關(guān)SW21、 SW22關(guān)閉。如 此一來，字元線WL2所對應(yīng)的存儲單元(如圖示的存儲單元M21、 M22)，其所 儲存的資料便可能產(chǎn)生錯誤。而使用者在使用這樣的存儲單元時，也會讀取到 錯誤的資料，造成使用者的不便。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種用于對DRAM前期檢測的方法和裝置，以檢測存 儲器中各字元線是否工作正常，避免由于字元線的損壞而導(dǎo)致的存儲錯誤影響 使用者對數(shù)據(jù)的存儲和讀取。本發(fā)明提供了一種偵測一存儲陣列中字元線損壞的方法。其中，該存儲陣 列包含復(fù)數(shù)條字元線及復(fù)數(shù)個對應(yīng)的存儲單元。該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字 元線及復(fù)數(shù)條第二字元線。該方法包含以下步驟在該第一字元線耦接于一第 一偏壓源時，對該第一字元線所對應(yīng)的一第一存儲單元寫入一第一資料；在該 第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后，對該第一存儲單元寫入一相異于該 第一資料的一第二資料；讀取該第一存儲單元所儲存的資料；及根據(jù)該讀取資 料判斷該第一字元線是否損壞。本發(fā)明另提供一種存儲陣列中字元線損壞的偵測裝置。其中，該存儲陣列 包含復(fù)數(shù)條字元線及復(fù)數(shù)個對應(yīng)的存儲單元，該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字元 線及復(fù)數(shù)條第二字元線。該偵測裝置包含一第一寫入單元，用來于該第一字元 線耦接于一第一偏壓源時，對該第一字元線所對應(yīng)的一第一存儲單元寫入一第一資料； 一第二寫入單元，用來于該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后， 對該第一存儲單元寫入一相異于該第一資料的一第二資料； 一讀取單元，用來讀取該第一存儲單元所儲存的資料；及一判斷單元，用來根據(jù)該讀取資料判斷 該第一字元線是否損壞。偵測裝置，可以讓使用者偵測哪些字元線有被其他字元線短路的情況。不但讓 使用者避免使用到損壞字元線所對應(yīng)到的存儲單元，亦可讓使用者知道所使用 的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列有損壞字元線的情況，而可更換其他良好的動 態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列，提供使用者對動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列更大 的便利性。


圖1是為動態(tài)隨機存取存儲器陣列的示意圖； 圖2是為字元線上的電壓的示意圖；法流程圖；圖4是為本發(fā)明偵測存儲陣列中字元線損壞的偵測裝置的示意圖。 附圖標(biāo)記i兌明100-動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列；SW-開關(guān)；BL-位元線；WL-字元 線；M-存儲單元；P-雜質(zhì)分子；VL、 VH、 VB-電壓；Tl、 T-2、 TP-時間； 300-方法；301~306-步驟；VDD、 VSS-偏壓源；400-偵測裝置；401、 402 -寫入單元；403 -讀取單元；404-判斷單元。
具體實施方式
因此，本發(fā)明提供了 一種動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列中字元線損壞的偵 測方法，可以讓使用者偵測哪些字元線有被其他字元線短路的情況。 一方面可 讓使用者避免使用到損壞字元線所對應(yīng)到的存儲單元，另 一方面亦可讓使用者良好的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列。請參考圖3，并同時參考圖1;圖3是為本發(fā)明所提供的偵測動態(tài)隨機存取 存儲存儲器陣列中字元線損壞的方法300的流程圖；而圖3的流程是以偵測圖中的字元線WL2是否損壞并以偵測存儲單元M22所儲存的資料來判斷的方式 來進行。以圖1的存儲存儲器模型的方式來偵測是為方便說明而僅為一示范例。 任何與偵測方法300的精神相同的偵測方法皆屬本發(fā)明的范疇。偵測方法300 的步驟說明如下步驟301: 開始；步驟302: 啟動字元線WL2，并在啟動字元線WL2的同時，對存儲單元 M22寫入一資料D1;步驟303: 再度啟動字元線WL2，并在啟動字元線WL2后，才對存儲單 元M22寫入相異于資料D1的資料D2;步驟304: 讀取存儲單元M22所儲存的資料；步驟305: 根據(jù)從存儲單元M22所讀取的資料，判斷字元線WL2是否損壞；步驟306: 結(jié)束。在步驟302與303中，資料D1與D2需為相異。舉例來說，若資料D1為" 1"時，則資料D2便為"0"。反之，若資料D1為，，0"時，則資料D2便為" 1"。以下以資料D1為"1" 、 D2為"0"為示范例說明。于步驟302中，啟動字元線WL2是為將字元線WL2的電位提升至電位VH。 而將字元線WL2的電位提升至電位VH的方法可為將字元線WL2耦接至一具 有高電位VH的偏壓源，如此字元線WL2的電位便會被提升至高電位VH,而 此時所對應(yīng)的開關(guān)SW21、 SW22將會被打開，再將資料Dl" 1"載入位元線BL2。 如此一來，資料D1" 1" ^f更會被儲存至存儲單元M22。于步驟303中，啟動字元線WL2是為將字元線WL2的電位提升至電位VH。 而將字元線WL2的電位提升至電位VH的方法可為將字元線WL2耦接至一具 有高電位VH的偏壓源，如此字元線WL2的電位便會被提升至高電位VH，而 此時所對應(yīng)的開關(guān)SW21、 SW22將會被打開。而步驟303與步驟302的不同之 處在于當(dāng)將字元線WL2啟動之后，步驟303會將字元線WL2與具有高電位 VH的偏壓源的耦接斷開，經(jīng)過一預(yù)定時間TP之后，再將資料D2" 0"載入位 元線BL2。換句話說，步驟303是為將字元線WL2的電位提高至電位VH之后， 再使字元線WL2呈現(xiàn)浮動(floating)的狀態(tài)，而不是把字元線WL2上的電位固定 在高電位VH。另外，值得注意的是，預(yù)定時間TP需大于時間TB。因為除了元線WL2上電位為高電位VH之外，其余字元線WL1、 WL3上的電位皆為低 電位VL。因此，當(dāng)字元線WL2與字元線WL1或WL3中間有雜質(zhì)分子P存在 時，在經(jīng)過預(yù)定時間TP之后，字元線WL2上的電位將會逐漸下降至低于臨界 電位VB，而使得所對應(yīng)的開關(guān)SW21、 SW22關(guān)閉。之后再將資料D2" 0"載 入位元線BL2時，便無法將資料D2" 0"寫入存儲單元M22。反之，當(dāng)字元線 WL2與字元線WL1或WL3中間皆沒有雜質(zhì)分子P存在時，在經(jīng)過預(yù)定時間TP 之后，字元線WL2上的電位將仍可保持高電位VH,而使得所對應(yīng)的開關(guān)SW21 、 SW22持續(xù)打開。之后再將資料D2" 0"載入位元線BL2時，便可將資料D2" 0"寫入存儲單元M22。因此，根據(jù)步驟302與303,在步驟304中，便可將存儲單元M22所儲存 的資料讀取出來。若讀取出的資料為"0"，則可判斷步驟303將資料D2" 0" 寫入存儲單元M22的動作成功，表示字元線WL2并沒有任何與其他字元線的 短路。反之，若讀取出的資料為，，1"，則可判斷步驟303資料D2" 0"寫入存 儲單元M22的動作失敗，而存儲單元M22僅儲存步驟302所寫入的資料DTI", 也就是說字元線WL2與其他字元線之間有雜質(zhì)分子造成短路的情況。因此，根 據(jù)步驟304所讀出的資料是0或1，于步驟305中，便可判斷字元線WL2是否 有損壞。另外，本發(fā)明的偵測方法，亦可同時在多條位元線執(zhí)行。舉例來說，在步 驟302中，可以將資料D1" 1"同時寫入存儲單元M21、 M22。于步驟303中， 可以將資料D2" 0"同時寫入存儲單元M21、 M22。于步驟304中，若讀出的 資料為"11",則表示位元線WL2損壞；反之，若讀出的資料為，，00"，則表 示位元線WL2未損壞。請參考圖4,圖4是為本發(fā)明偵測存儲陣列中字元線損壞的偵測裝置400的 示意圖；如圖所示，偵測裝置400包含寫入單元401、 402、讀取單元403、判 斷單元404、 一高偏壓源VDD以及一低偏壓源VSS。高偏壓源VDD用來提供 電位VH、低偏壓源VSS用來提供電位VL。偏壓源VSS耦接于其余字元線WL1、 WL3…等。寫入單元401用來在字元線WL2耦接于偏壓源VDD時，對存儲單 元M22寫入資料D1" 1"。寫入單元402用來在字元線WL2與偏壓源VDD的 耦接斷開后，經(jīng)由一預(yù)定時間TP，才對存儲單元M22寫入資料D2" 0"。讀取 單元403用來讀取存儲單元M22所儲存的資料。判斷單元404用來判斷讀取單 元403所讀取的資料為"0"或，，1",并與資料D1與D2作比對，以判斷字元線WL2是否損壞。如此一來，經(jīng)由本發(fā)明的偵測裝置400,便可判斷出隨機存 取存儲存儲器陣列中有哪些字元線損壞，而提供使用者更多關(guān)于所使用的存儲 存儲器陣列的資訊。綜上所述，本發(fā)明所提供的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列中字元線損壞的 偵測方法與偵測裝置，可以讓使用者偵測哪些字元線有被其他字元線短路的情 況。不但讓使用者避免使用到損壞字元線所對應(yīng)到的存儲單元，亦可讓使用者 知道所使用的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列有損壞字元線的情況，而可更換其 他良好的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列，提供使用者對動態(tài)隨機存取存儲存儲 器陣列更大的便利性。以上具體實施方式
僅為本發(fā)明的較佳實施例，其對本發(fā)明而言是說明性的， 而非限制性的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不超出本發(fā)明精神和范圍的情況下，對之 進行變換、修改甚至等效，這些變動均會落入本發(fā)明的權(quán)利要求保護范圍。
權(quán)利要求
1. 一種偵測存儲陣列中字元線損壞的方法，其中該存儲陣列包含復(fù)數(shù)條字元線及復(fù)數(shù)個對應(yīng)的存儲單元，該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字元線及復(fù)數(shù)條第二字元線，所述方法包括以下步驟將該第一字元線耦接于一第一偏壓源，與此同時，對該第一字元線所對應(yīng)的一第一存儲單元寫入一第一資料；將該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開，之后，對該第一存儲單元寫入一相異于該第一資料的一第二資料；讀取該第一存儲單元所儲存的資料；及根據(jù)該讀取資料判斷該第一字元線是否損壞。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)該讀取資料判斷該 第一字元線是否損壞的步驟中，當(dāng)該讀取資料與該第一資料相同時，判斷該第 一字元線已損壞。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)該讀取資料判斷該 第一字元線是否損壞的步驟中，當(dāng)該讀取資料與該第二資料相同時，判斷該第 一字元線未損壞。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一字元線與該第一 偏壓源的耦接斷開后，對該第一存儲單元寫入該第二資料的步驟，是為該第一 字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后，經(jīng)由一預(yù)定時間，再對該第一存儲單元 寫入該第二資料。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一字元線耦接于該 第一偏壓源時，對該第一字元線所對應(yīng)的該第一存儲單元寫入該第一資料的步 驟是為該第一字元線耦接于一高偏壓源時，對該第一字元線所對應(yīng)的該第一存 儲單元寫入該第一資料；所述在該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后， 對該第一存儲單元寫入該第二資料的步驟包括在該第一字元線與該高偏壓源 的耦接斷開后，對該第一存儲單元寫入該第二資料。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括將該復(fù)數(shù)條第二字元 線耦接于相異于該高偏壓源的 一低偏壓源。
7、 一種存儲陣列中字元線損壞的偵測裝置，該存儲陣列包含復(fù)數(shù)條字元線 及復(fù)數(shù)個對應(yīng)的存儲單元，該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字元線及復(fù)數(shù)條第二字 元線，該偵測裝置包含一第一寫入單元，用于在該第一字元線耦接于一第一偏壓源時，對該第一 字元線所對應(yīng)的第一存儲單元寫入一第一資料；一第二寫入單元，用于在該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后，對 該第一存儲單元寫入一相異于該第一資料的一第二資料；一讀取單元，用來讀取該第一存儲單元所儲存的資料；及一判斷單元，用來根據(jù)該讀取資料判斷該第一字元線是否損壞。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的偵測裝置，其特征在于，當(dāng)該讀取資料與該第一 資料相同時，該判斷單元判斷該第 一 字元線已損壞。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的偵測裝置，其特征在于，當(dāng)該讀取資料與該第二 資料相同時，該判斷單元判斷該第 一 字元線未損壞。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的偵測裝置，其特征在于，當(dāng)該第一字元線與該 第一偏壓源的耦接斷開后，經(jīng)由一預(yù)定時間，該第二寫入單元才對該第一存儲 單元寫入該第二資料。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的偵測裝置，其特征在于，當(dāng)該第一字元線耦接 于一高偏壓源時，該第一寫入單元對該第一字元線所對應(yīng)的該第一存儲單元寫 入該第一資料；當(dāng)該第一字元線與該高偏壓源的耦接斷開后，該第二寫入單元 對該第一存儲單元寫入該第二資料。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的偵測裝置，其特征在于，其還包含一相異于該 高偏壓源的低偏壓源，用來耦接于該復(fù)數(shù)條第二字元線。
全文摘要
一種偵測一存儲陣列中字元線損壞的方法，包含以下步驟在一字元線耦接于一偏壓源時，對該字元線所對應(yīng)的存儲單元寫入一第一資料、于該字元線與該偏壓源的耦接斷開后，對該存儲單元寫入相異于該第一資料的一第二資料、讀取該存儲單元所儲存的資料，及根據(jù)該讀取資料、該第一資料、該第二資料，判斷該字元線是否損壞。以及一種存儲陣列中字元線損壞的偵測裝置，包括第一寫入單元，第二寫入單元、讀取單元和判斷單元。本發(fā)明所提供的動態(tài)隨機存取存儲存儲器陣列中字元線損壞的偵測方法與偵測裝置，可以讓使用者偵測哪些字元線有被其他字元線短路的情況。
文檔編號G11C11/4078GK101281786SQ200810081849
公開日2008年10月8日 申請日期2008年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日
發(fā)明者楊連圣, 藍(lán)尹明, 許人壽, 陳子豪 申請人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司