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半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法

文檔序號(hào):6780979閱讀:172來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及例如時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、搭載了該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝 置的集成電路、以及使用了該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)(半導(dǎo)體裝置)、和 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置等。
背景技術(shù)
作為現(xiàn)有的時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,例如,在面向近年來(lái)需求增
大的移動(dòng)電話用途等中,作為具備成批(burst)讀出模式的非同步SRAM 型高速存取存儲(chǔ)器的FCRAM (注冊(cè)商標(biāo))被實(shí)用化。
該FCRAM在被設(shè)定為成批讀出模式后,與從外部輸入的時(shí)鐘信號(hào)同 步地動(dòng)作。當(dāng)被輸入地址之后,在輸入了與預(yù)先設(shè)定的等待時(shí)間(latency) 對(duì)應(yīng)數(shù)量的時(shí)鐘脈沖之后輸出數(shù)據(jù)。
另外,在未指定一并讀出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度的連續(xù)成批讀出模式下,當(dāng)連續(xù)讀 出過(guò)程中讀出地址到達(dá)存儲(chǔ)器陣列的低位地址邊界時(shí),會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)輸出延 遲。為了向外部通知該輸出延遲,從FCRAM輸出表示數(shù)據(jù)總線有效或無(wú) 效的數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)。主機(jī)裝置在該數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)變?yōu)楸硎?有效" 的電平時(shí),進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出,由此可防止無(wú)效數(shù)據(jù)的誤讀出(例如,參照 非專利文獻(xiàn)l)。
圖20是現(xiàn)有的時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的時(shí)間圖,表示了成批讀 出中的外部輸入時(shí)鐘信號(hào)、輸出數(shù)據(jù)信號(hào)、及數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)等的遷移 定時(shí)。在該圖中,/CE是芯片使能信號(hào),ADD是外部輸入地址信號(hào),CLK 是外部輸入時(shí)鐘信號(hào),DQ是輸出數(shù)據(jù)信號(hào),/WAIT是數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)。 此外,在該圖中,表示了設(shè)定為等待時(shí)間=4的例子。另外,在該圖和以 下的說(shuō)明中,對(duì)"CLK"標(biāo)注的數(shù)字表示從讀出動(dòng)作開始的時(shí)鐘數(shù)。
在圖20中,相對(duì)于CLK1的上升在規(guī)定的設(shè)置(setup)時(shí)間后,由 ADD輸入讀出地址,在輸入了所設(shè)定的等待時(shí)間一l的時(shí)鐘數(shù)(這里為4一1=3時(shí)鐘)的CLK2 4后,在CLK5輸出DQ。另外,在輸出上述DQ 的前一個(gè)時(shí)鐘CLK4, /WAIT信號(hào)從表示數(shù)據(jù)總線無(wú)效的"L (Low)"電 平變化為表示有效的"H (High)"電平。
在讀出了四個(gè)數(shù)據(jù)后,若讀出地址到達(dá)存儲(chǔ)器陣列的低位地址邊界, 則/WAIT信號(hào)在變?yōu)?H"之后經(jīng)四個(gè)時(shí)鐘后,/WAIT信號(hào)變?yōu)楸硎緮?shù)據(jù) 總線無(wú)效的"L"電平,當(dāng)再次變?yōu)?H"電平后輸出接下來(lái)的數(shù)據(jù)。
這樣,在輸出有效數(shù)據(jù)時(shí)使/WAIT信號(hào)為"H",在數(shù)據(jù)無(wú)效時(shí)使/WAIT 信號(hào)為"L",從而主機(jī)裝置不會(huì)讀出錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。
另外,作為與系統(tǒng)的高速化對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器,在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿輸出數(shù) 據(jù)的DDR SDRAM被實(shí)用化。該DDR SDRAM為了避免數(shù)據(jù)的接收失誤, 通過(guò)設(shè)置DQS (數(shù)據(jù)選通脈沖)端子,實(shí)現(xiàn)了高速化。
該存儲(chǔ)器中,在進(jìn)行寫入時(shí),從主機(jī)裝置輸出DQS、與DQS同步的 數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器利用DQS來(lái)取入寫入數(shù)據(jù)。
另外,在進(jìn)行讀出時(shí),從存儲(chǔ)器輸出DQS和與DQS同步的數(shù)據(jù),主 機(jī)裝置利用DQS來(lái)取入讀出數(shù)據(jù)。輸出讀出數(shù)據(jù)的定時(shí)由預(yù)先設(shè)定的等 待時(shí)間確定,在將數(shù)據(jù)輸出的前一個(gè)周期,作為前同步信號(hào)(preamble), DQS從HiZ (高阻抗?fàn)顟B(tài))變?yōu)?L"電平,在接下來(lái)的周期,DQS變?yōu)?"H"電平,開始輸出數(shù)據(jù)(例如,二》tf一夕'存儲(chǔ)器株式會(huì)社、「512M
位DDR SDRAM DATA SHEET」、Document No. E0699E50 (Ver. 5.0)、2006 年11月、p.27)。
非專利文獻(xiàn)l:富士通株式會(huì)社,「富士通半導(dǎo)體器件DATA SHEET DS05-11429-2 (存儲(chǔ)器Mobile FCRAM MB82DBS02163C)」、2005年
但是,現(xiàn)有的方法中,由于與預(yù)先設(shè)定的等待時(shí)間對(duì)應(yīng)地輸出數(shù)據(jù), 因此即使迅速完成了從存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù),也不能向外部輸出數(shù)據(jù)。具 體而言,例如,在圖20的例子中,即使在CLK3的下降之前已經(jīng)完成了 從存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù),也需等待一個(gè)時(shí)鐘后從CLK4的下降開始進(jìn)行數(shù) 據(jù)輸出。并且,上述等待時(shí)間需要與因半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置使用時(shí)的溫度、電 壓條件、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置制造時(shí)的條件而不同的讀出時(shí)間的最大時(shí)間對(duì)應(yīng) 地設(shè)定。
因此,未必能有效利用半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀出速度,難以提高系統(tǒng)性另一方面,在動(dòng)作中時(shí)鐘周期變更的情況等下,為了提高系統(tǒng)性能, 如非專利文獻(xiàn)1的P.20所示,需要由主機(jī)裝置根據(jù)時(shí)鐘周期等進(jìn)行改變等 待時(shí)間的控制。
另外,如圖20所示,即使在通過(guò)數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)(/WAIT)通知
數(shù)據(jù)無(wú)效的情況下,當(dāng)在主機(jī)裝置與時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置之間,例
如產(chǎn)生了 CLK的1/2周期量(該圖中的thCLK)(以上)的信號(hào)延遲的情 況下,輸出數(shù)據(jù)信號(hào)DQ和數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)/WAIT將分別成為該圖所示 的DQ1、 /WAIT1。在這種情況下,因CPU通過(guò)CLK進(jìn)行數(shù)據(jù)取入時(shí)的 設(shè)置不足、或CLK與數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)的監(jiān)視定時(shí)不一致所導(dǎo)致的讀出 開始周期的偏差,有可能引起誤讀出。為了防止這種誤讀出,需要由主機(jī) 裝置進(jìn)行復(fù)雜的時(shí)鐘控制,另外,時(shí)鐘頻率越高,越難以防止。
進(jìn)而,在檢測(cè)到讀出地址到達(dá)低位地址邊界后要使數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào) 為"L"的情況下,因讀出中的電壓變動(dòng)等其他各種原因而即使讀出發(fā)生 延遲數(shù)據(jù)總線狀態(tài)信號(hào)也不會(huì)變?yōu)?L"。該情況下,無(wú)論數(shù)據(jù)總線是否 無(wú)效,都有可能取入不正確的數(shù)據(jù)。
另外,在開始輸出數(shù)據(jù)時(shí),如上所述,在DQS (數(shù)據(jù)選通脈沖)信號(hào) 從高阻抗?fàn)顟B(tài)變?yōu)?L"電平(需要前同步信號(hào))的構(gòu)成中,需要由接收 數(shù)據(jù)的主機(jī)裝置在檢測(cè)到變?yōu)?L"電平的情況后進(jìn)行用于等待DQS時(shí)鐘 的復(fù)雜的控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述方面而實(shí)現(xiàn),目的在于不需要在主機(jī)裝置中進(jìn)行復(fù)雜 的控制,能容易地實(shí)現(xiàn)在最早的定時(shí)讀出數(shù)據(jù)等,或者,在輸出數(shù)據(jù)延遲 到時(shí)鐘周期以上的情況下或因各種原因而(突發(fā))讀出時(shí)間發(fā)生了變動(dòng)的 情況等之下,也能容易地防止誤讀出。
本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中包括地址端子,其輸入將存儲(chǔ)器陣 列中的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出的地址;時(shí)鐘輸入端子,其將輸入時(shí)鐘輸入;數(shù)據(jù)輸 出端子,其對(duì)根據(jù)上述地址從存儲(chǔ)器陣列讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出;和時(shí)鐘輸 出端子,其對(duì)與上述輸入時(shí)鐘同步的輸出時(shí)鐘進(jìn)行輸出;上述時(shí)鐘輸出端子始終輸出第一電壓和第二電壓中的一方,并且,僅在從上述數(shù)據(jù)輸出端 子輸出了有效數(shù)據(jù)的情況下,使輸出電壓從第一電壓遷移到第二電壓,或 從一方電壓遷移到另 一方電壓。
另外,例如,上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的特征在于,被構(gòu)成為上述時(shí)鐘 輸出端子的上述輸出電壓的遷移在下述定時(shí)進(jìn)行,該定時(shí)依賴于從上述存 儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間,但不依賴于從上述讀出開始之 后的輸入時(shí)鐘數(shù)。
由此,在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置中,能基于輸出時(shí)鐘,容易地實(shí)現(xiàn)將從半 導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出的數(shù)據(jù)可靠地取入。
另外,通過(guò)進(jìn)行如上述的時(shí)鐘端子的輸出電壓的遷移,能容易地實(shí)現(xiàn) 進(jìn)行迅速的讀出。 (發(fā)明效果)
根據(jù)本發(fā)明,能容易地實(shí)現(xiàn)在最早的定時(shí)讀出數(shù)據(jù),或防止誤讀出等。


圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖2是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖3是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的其他動(dòng)作的時(shí)間
圖4是表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖; 圖5是表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖; 圖6是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖; 圖7是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的輸出控制部65的詳細(xì)構(gòu) 成的框圖8是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖; 圖9是表示實(shí)施方式3的變形例的輸出控制部85的詳細(xì)構(gòu)成的框圖; 圖10是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖; 圖11是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的輸出控制部105的詳細(xì) 構(gòu)成的框圖12是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖;圖13是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖14是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖15是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的輸出控制部165的構(gòu)成 的框圖16是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖; 圖17是表示實(shí)施方式7的系統(tǒng)的構(gòu)成的框圖18是表示實(shí)施方式7的系統(tǒng)的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)取入控制部163的詳細(xì) 構(gòu)成的框圖19是表示實(shí)施方式7的系統(tǒng)的各部的動(dòng)作的時(shí)間圖; 圖20是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作的時(shí)間圖。
圖中l(wèi)一存儲(chǔ)器陣列;2 —讀出定時(shí)控制部;3 —讀出電路;4一讀出 完成判定部;5 —輸出控制部;6 —地址譯碼器;7 —地址控制部;IO —讀 出數(shù)據(jù)鎖存器;ll一輸出位計(jì)數(shù)器;12 —輸出位選擇電路;13 —輸出同步 電路;14一OUTCLK生成部;15—AND電路;16—觸發(fā)器電路;20—鎖 存器選擇電路;21—讀出數(shù)據(jù)鎖存器L; 22—讀出數(shù)據(jù)鎖存器H; 23—Read 完成計(jì)數(shù)器;24—OUTCLK生成部;25—AND電路;32—輸出位選擇電
路;42 —讀出定時(shí)控制部;44 —讀出完成判定部;62 —讀出定時(shí)控制部;
65 —輸出控制部;84—OUTCLK生成部;85 —輸出控制部;105 —輸出控
制部;113 —讀出電路;114一讀出完成判定部;160 —主機(jī)裝置;161_存 儲(chǔ)器;162 —存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀出控制部;163 —存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)取入控制部;164
—CPU; 165—輸出控制部;171—OUTCLK計(jì)數(shù)器;172—存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖 存器;173—存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器;174—比較器。
具體實(shí)施例方式
以下,基于附圖,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外,在以下 的各實(shí)施方式中,對(duì)于具有與其他實(shí)施方式同樣功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同 標(biāo)記并省略說(shuō)明。
《發(fā)明的實(shí)施方式1》
圖1是表示實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的要部的構(gòu)成的框圖。 在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,設(shè)置有存儲(chǔ)器陣列1、讀出定時(shí)控制部2、讀出電路3、讀出完成判定部4、輸出控制部5和地址譯碼器6。此外,在
半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,除上述單元之外,還設(shè)置有賦予各部的動(dòng)作所需的 偏壓的電源電路、在還可進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)用于寫入的電路等、作為存儲(chǔ)裝 置所需的各種電路,但主要對(duì)本實(shí)施方式的說(shuō)明中必要的部分進(jìn)行說(shuō)明。 上述存儲(chǔ)器陣列1排列有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。 讀出定時(shí)控制部2與從外部輸入的輸入時(shí)鐘同步地生成表示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
的讀出動(dòng)作的開始定時(shí)的Read觸發(fā)信號(hào)。
讀出電路3具有未圖示的讀出放大器,與從讀出定時(shí)控制部2輸出的 Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H (高電平)"對(duì)應(yīng)地開始進(jìn)行存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出動(dòng)作, 與從讀出完成判定部4輸出的Read定時(shí)信號(hào)變?yōu)?L (低電平)"對(duì)應(yīng)地 保持從存儲(chǔ)器單元讀出的數(shù)據(jù),作為Read數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出。
讀出完成判定部4在Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"之后,輸出在后面詳述 的期間TRAC間為"H"的Read定時(shí)信號(hào)、和在期間TRAC+TDLY間為 "L"的Read完成信號(hào)。這里,上述定時(shí)的控制例如利用在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝 置的內(nèi)部振蕩的、周期比輸入時(shí)鐘還短的時(shí)鐘來(lái)進(jìn)行。此外,并不限定于 此,也可利用模擬延遲電路等進(jìn)行控制等。另外,上述期間TRAC等可在 設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行設(shè)定,也可在制造時(shí)或組裝到設(shè)備時(shí)根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的特 性等進(jìn)行設(shè)定,還可在組裝到設(shè)備后因使用開始時(shí)或使用中的初始化處理 等而根據(jù)電源電壓或溫度等進(jìn)行動(dòng)態(tài)設(shè)定等。
輸出控制部5將從讀出電路3輸出的Read數(shù)據(jù)作為輸出數(shù)據(jù)DATA 進(jìn)行輸出,并且,輸出表示由未圖示的主機(jī)裝置所取入的定時(shí)的輸出時(shí)鐘 OUTCLK。
另外,地址譯碼器6對(duì)從外部輸入的讀出地址進(jìn)行譯碼,輸出對(duì)存儲(chǔ)
器陣列1內(nèi)的特定的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行選擇的選擇信號(hào)。
這里,該圖中的端子ADD是輸入讀出地址的地址輸入端子。 端子/CE是輸入在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出時(shí)為"L"電平的芯片使能信號(hào)的芯
片使能信號(hào)輸入端子。
端子CLK是將輸入時(shí)鐘輸入的輸入時(shí)鐘輸入端子。 端子OUTCLK是將輸出時(shí)鐘輸出的輸出時(shí)鐘輸出端子。 端子DATA是將輸出數(shù)據(jù)DATA輸出的數(shù)據(jù)輸出端子。此外,在以下的說(shuō)明中,為了便于說(shuō)明,上述各端子的標(biāo)記作為適當(dāng) 信號(hào)名進(jìn)行使用。另外,在以下的說(shuō)明和附圖中,對(duì)"CLK"標(biāo)注的數(shù)字
表示/CE變?yōu)?L"之后的時(shí)鐘數(shù)。
對(duì)如上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示半 導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各部的信號(hào)的時(shí)間圖。
在輸入了讀出地址ADD后,上述地址在CLK1的上升時(shí)(T21)被取 入到地址譯碼器6進(jìn)行譯碼,與地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元的選擇信號(hào)被輸出 到存儲(chǔ)器陣列1。
另外,當(dāng)伴隨上述讀出地址ADD的輸入而芯片使能信號(hào)/CE變?yōu)?L" 時(shí),讀出定時(shí)控制部2與CLK1的上升(T21)同步地使Read觸發(fā)信號(hào)僅 一次在規(guī)定時(shí)間內(nèi)(例如,到下一個(gè)CLK2的上升為止的期間)為"H"。 讀出電路3被上述Read觸發(fā)信號(hào)激活(開始預(yù)充電等的讀出步驟)。 另夕卜,讀出完成判定部4在上述Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H" (T21)后, 使Read定時(shí)信號(hào)為"H",在經(jīng)過(guò)預(yù)先設(shè)定的期間TRAC后變?yōu)?L"。 上述期間TRAC是根據(jù)由讀出電路3進(jìn)行的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出所需的時(shí)間而 設(shè)定的期間。
讀出電路3在Read定時(shí)信號(hào)變?yōu)?L"時(shí)被激活(結(jié)束讀出步驟), 對(duì)從存儲(chǔ)器陣列1讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行保持,作為Read數(shù)據(jù)輸出。
讀出完成判定部4在上述Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"時(shí)(T21),還使 Read完成信號(hào)為"L",在經(jīng)過(guò)期間TRAC+TDLY后變?yōu)?H"。上述 TDLY是根據(jù)將從讀出電路3輸出的Read數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵隹刂撇?所需 的時(shí)間而設(shè)定的期間。(此外,在可忽略TDLY的情況等下也可僅設(shè)定期 間TRAC)。
輸出控制部5在Read完成信號(hào)變?yōu)?H"后的第一個(gè)CLK5的下降處 (T22),取入從讀出電路3輸出的Read數(shù)據(jù),作為輸出數(shù)據(jù)DATA輸 出到DATA輸出端子。另外,與下一個(gè)CLK6的上升(T23)同步地向 OUTCLK端子輸出一個(gè)時(shí)鐘份的輸出時(shí)鐘OUTCLK。
然后,當(dāng)芯片使能信號(hào)/CE變?yōu)?H"后,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置成為非使 能狀態(tài),不會(huì)從輸出控制部5將輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出。
如上所述,例如,因半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置制造時(shí)的條件、動(dòng)作時(shí)的條件(電壓、溫度等)等而由讀出電路3進(jìn)行的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出所需要的時(shí)間等不
同,據(jù)此來(lái)設(shè)定期間TRAC等,從而能靈活地控制輸出數(shù)據(jù)DATA的輸 出定時(shí)。具體而言,例如,如上所述,圖2的例子中,在從CLK1開始的 第六個(gè)CLK6處,將輸出數(shù)據(jù)DATA和輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出,相對(duì)于 此,如圖3所示,若期間TRAC短(TRAC1),則從第五個(gè)的CLK5進(jìn)行 輸出。即,能容易地實(shí)現(xiàn)從最早的定時(shí)讀出存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。另外,還能容易地 防止誤讀出。
另外,即使在輸入時(shí)鐘的頻率不同的情況下,也同樣能根據(jù)期間TRAC 等控制定時(shí),因此,無(wú)需與時(shí)鐘頻率對(duì)應(yīng)的等待時(shí)間的變更等。因此,能 容易地切換時(shí)鐘頻率。
而且,主機(jī)裝置只需根據(jù)輸出時(shí)鐘OUTCLK取入輸出數(shù)據(jù)DATA即 可,無(wú)需進(jìn)行基于脈沖選通信號(hào)對(duì)從存儲(chǔ)器將輸出數(shù)據(jù)輸出的定時(shí)進(jìn)行檢 測(cè)等用于讀出等待的控制。
此外,在上述例子中,表示了通過(guò)輸出控制部5輸出Read數(shù)據(jù)的例 子,但也可從讀出電路3直接輸出,而輸出控制部5主要將輸出時(shí)鐘 OUTCLK輸出。《發(fā)明的實(shí)施方式2》
作為實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,對(duì)在芯片使能信號(hào)/CE為"L" 期間,輸出以輸入的讀出地址ADD為初始值而連續(xù)的讀出地址的存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。
該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置如圖4所示,與實(shí)施方式1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu) 成相比,取代讀出定時(shí)控制部2和讀出完成判定部4,包括讀出定時(shí)控制 部42和讀出完成判定部44。另外,還包括地址控制部7。
上述讀出定時(shí)控制部42除/CE和CLK之外,還被輸入來(lái)自讀出完成 判定部44的Read完成信號(hào),在/CE為"L"期間,每當(dāng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出 完成,都反復(fù)輸出Read觸發(fā)信號(hào)。
讀出完成判定部44每次輸出上述Read觸發(fā)信號(hào),都重復(fù)與實(shí)施方式 1的讀出完成判定部4同樣的動(dòng)作,當(dāng)/CE變?yōu)?H"時(shí),使該動(dòng)作停止。
另外,地址控制部7具有地址自動(dòng)增加功能,依次輸出連續(xù)的讀出地址。更詳細(xì)地說(shuō),將從外部輸入的讀出地址ADD作為初始值,每當(dāng)從讀
出完成判定部4輸出的Read完成信號(hào)變?yōu)?H"時(shí),輸出加1后的地址
AIN、 AIN+1、 AIN+2......。
在如上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,每個(gè)地址的讀出動(dòng)作與實(shí)施 方式l大致相同,但按如下所述在多個(gè)地址依次進(jìn)行讀出。以下,基于圖 5進(jìn)行說(shuō)明。
首先,地址控制部7當(dāng)/CE從"H"遷移為"L"時(shí),與CLK的下降 同步地將從外部輸入的讀出地址ADD取入,直接將其作為讀出地址AIN 進(jìn)行輸出。此外,然后,在/CE為"L"期間,如后面所述,在Read完成 信號(hào)變?yōu)?H"后每當(dāng)CLK的下降時(shí),都輸出依次加1的讀出地址AIN、 AIN+1、 ......o
另夕卜,讀出定時(shí)控制部42在滿足/CE為"L"和Read完成信號(hào)為"H" 這兩個(gè)條件后,從CLK的第一個(gè)下降后的上升(T51)開始,使Read觸 發(fā)信號(hào)在規(guī)定期間內(nèi)為"H"。
因此,與實(shí)施方式1同樣地進(jìn)行從存儲(chǔ)器陣列1讀出的動(dòng)作,在Read 觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"后經(jīng)期間TRAC+TDLY之后Read完成信號(hào)變?yōu)?H"。 輸出控制部5在之后第一個(gè)CLK4的下降處(T52)將輸出數(shù)據(jù)DATA輸 出作為DATA0,而且,在與下一個(gè)CLK5的上升(T53)同步地輸出一個(gè) 時(shí)鐘份的輸出時(shí)鐘OUTCLK。
另外,在上述(T52)處,地址控制部7如上所述,在Read完成信號(hào) 變?yōu)?H"后通過(guò)CLK4下降而將讀出地址增加到AIN+1。
另一方面,在上述(T53)處,與(T51)同樣,在滿足/CE為"L" 和Read完成信號(hào)為"H"這兩個(gè)條件后,CLK成為從第一個(gè)下降后的上 升,因此,讀出定時(shí)控制部42再次使Read觸發(fā)信號(hào)在規(guī)定期間內(nèi)為"H"。 因此,針對(duì)讀出地址AIN+1的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),再次與上述同樣地進(jìn)行讀出動(dòng) 作。即,讀出電路3開始讀出步驟,讀出完成判定部44從上述(T51)開 始在期間TRAC之間使Read定時(shí)信號(hào)為"H",并且,在期間TRAC+ TDLY之間使Read完成信號(hào)為"L"。由此,在(T54)處,從輸出控制 部5輸出下一個(gè)輸出數(shù)據(jù)DATA1。
以下,同樣地進(jìn)行接下來(lái)的讀出動(dòng)作,但在圖5的例子中,在(T56)處,/CE變?yōu)?H",從而執(zhí)行中的讀出動(dòng)作被打斷。即,讀出定時(shí)控制
部42使Read觸發(fā)信號(hào)返回"L",讀出完成判定部44使Read定時(shí)信號(hào) 為"L",使Read完成信號(hào)返回"H",輸出控制部5停止此后的輸出數(shù) 據(jù)DATA等的輸出,輸出控制部5抑制此后的輸出時(shí)鐘OUTCLK的輸出。 如上所述,每當(dāng)Read完成信號(hào)變?yōu)?H",地址控制部7使讀出地址 增加,并且,在Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"之后進(jìn)行下一個(gè)讀出動(dòng)作,從而 僅輸入起始地址即可進(jìn)行連續(xù)讀出動(dòng)作。
《發(fā)明的實(shí)施方式3》
作為實(shí)施方式3的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,對(duì)從DATA端子輸出的數(shù)據(jù)的位 寬小于從讀出電路輸出的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位寬的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子進(jìn)行 說(shuō)明。在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子中,從讀出電路讀出的32位的數(shù)據(jù)按 每8位分4次從DATA端子輸出。
該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置如圖6所示,與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu) 成相比,取代讀出定時(shí)控制部42和輸出控制部5,包括讀出定時(shí)控制部 62和輸出控制部65。
在從讀出電路3讀出Read數(shù)據(jù)完成后Read完成信號(hào)變?yōu)?H",并 且在此前讀出的數(shù)據(jù)全部從輸出控制部65輸出而數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?"H"之后,讀出定時(shí)控制部62與CLK的上升同步地,為了讀出下一個(gè) 數(shù)據(jù)而使Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"。這里,上述數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)如后面 所述在CLK上升之前會(huì)返回"L",但例如基于在數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?"H"時(shí)被置位的未圖示的觸發(fā)器電路的輸出,使Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"。
輸出控制部65對(duì)從讀出電路讀出的32位的Read數(shù)據(jù)暫時(shí)進(jìn)行保持, 按每8位分4次從DATA端子輸出。另外,在4次輸出完成時(shí),將數(shù)據(jù)輸 出完成信號(hào)輸出。該輸出控制部65具體而言例如如圖7所示,構(gòu)成為包 括讀出數(shù)據(jù)鎖存器ll、輸出位計(jì)數(shù)器ll、輸出位選擇電路12、輸出同 步電路13、 OUTCLK生成部14和AND電路15。
上述AND電路15輸出鎖存/復(fù)位信號(hào),該鎖存/復(fù)位信號(hào)當(dāng)從讀出完 成判定部44輸出的Read完成信號(hào)和從輸出位計(jì)算器11輸出的數(shù)據(jù)輸出 完成信號(hào)均為"H"時(shí)變?yōu)?H",上述AND電路15還將從讀出電路3輸出的32位的Read數(shù)據(jù)保持在讀出數(shù)據(jù)鎖存器10中,并且對(duì)輸出位計(jì) 數(shù)器ll進(jìn)行復(fù)位。
輸出位計(jì)數(shù)器11與CLK的下降同步地對(duì)計(jì)數(shù)值在0 4內(nèi)進(jìn)行計(jì)數(shù), 在計(jì)數(shù)值為0 3之間時(shí)使數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)為"L",表示數(shù)據(jù)鎖存器 10中保持的Read數(shù)據(jù)的輸出尚未完成,另一方面,在計(jì)數(shù)值為4時(shí)使數(shù) 據(jù)輸出完成信號(hào)為"H"。此外,初始狀態(tài)及/CE為"H"時(shí)的動(dòng)作在后面 描述。
輸出位選擇電路12對(duì)讀出數(shù)據(jù)鎖存器10所保持的32位Read數(shù)據(jù)中 的、與從輸出位計(jì)數(shù)器11輸出的計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)的位位置的8位數(shù)據(jù)進(jìn)行選 擇。
輸出同步電路13在CLK的下降保持由輸出位選擇電路12選擇的8 位數(shù)據(jù),作為輸出數(shù)據(jù)DATA進(jìn)行輸出。
OUTCLK生成部14在數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)為"L"期間、以及在數(shù)據(jù) 輸出完成信號(hào)變?yōu)?H"后到讀出數(shù)據(jù)鎖存器10所保持的Read數(shù)據(jù)的輸 出完成為止的期間,將輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出。
基于圖8對(duì)如上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
在以下方面與實(shí)施方式2相同地址控制部7輸出依次加1的讀出地 址AIN、 AIN+1、 ;讀出完成判定部44與Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"
相對(duì)應(yīng)地輸出Read定時(shí)信號(hào)和Read完成信號(hào);由讀出電路3進(jìn)行存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)的讀出動(dòng)作。
艮口,地址控制部7當(dāng)/CE從"H"遷移為"L"時(shí),與CLK的下降同 步地將從外部輸入的讀出地址ADD取入,直接將其作為讀出地址AIN進(jìn) 行輸出,然后,在Read完成信號(hào)變?yōu)?H"后每當(dāng)CLK的下降時(shí),都輸 出依次加1的讀出地址AIN、 AIN+1、(T82、 T86等)。
另外,讀出完成判定部44根據(jù)從讀出定時(shí)控制部62輸出的Read觸 發(fā)信號(hào),輸出與實(shí)施方式2同樣地遷移的Read定時(shí)信號(hào)和Read完成信號(hào), 讀出電路3根據(jù)上述Read觸發(fā)信號(hào)和上述Read定時(shí)信號(hào),輸出Read數(shù) 據(jù)DATA0、 DATA1。
另一方面,讀出定時(shí)控制部62在/CE為"L" 、 Read完成信號(hào)為"H"、 并且在之前Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"后出現(xiàn)過(guò)數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?H"的狀態(tài)的情況下,與CLK的上升同步地使Read觸發(fā)信號(hào)為"H" (T81、 T83、 T87、 T90)。具體而言,例如,在(T87) Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H" 而觸發(fā)的Read數(shù)據(jù)DATA2的讀出在CLK9附近完成,Read完成信號(hào)變 為"H"。不過(guò),用于下一次讀出的Read觸發(fā)信號(hào)在Read數(shù)據(jù)DATAl 的輸出完成而數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?H"之后的CLKll的上升(T90) 變?yōu)?H"。
接著,主要對(duì)由輸出控制部65進(jìn)行的Read數(shù)據(jù)的輸出動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。 輸出控制部65在初始狀態(tài)下,對(duì)輸出位計(jì)數(shù)器11設(shè)置值"4",并
以停止計(jì)數(shù)的狀態(tài)繼續(xù)輸出"H"的數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)。因此,從AND
電路15輸出的鎖存/復(fù)位信號(hào)進(jìn)行與Read完成信號(hào)同樣的遷移。S口,在 (T81) Read完成信號(hào)變?yōu)?L"后,鎖存/復(fù)位信號(hào)也變?yōu)?L",在經(jīng)
過(guò)期間TRAC+TDLY后若Read完成信號(hào)變?yōu)?H",則鎖存/復(fù)位信號(hào)
也變?yōu)?H"。
與上述鎖存/復(fù)位信號(hào)變?yōu)?H"相對(duì)應(yīng),讀出數(shù)據(jù)鎖存器10對(duì)從讀 出電路3輸出的Read數(shù)據(jù)DATA0進(jìn)行保持。另外,輸出位計(jì)數(shù)器11的 計(jì)數(shù)值被復(fù)位為"O"(因此,數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)立即變?yōu)?L",從AND 電路15輸出的鎖存/復(fù)位信號(hào)也變?yōu)?L")。
輸出位計(jì)數(shù)器11的上述計(jì)數(shù)值被復(fù)位為"0"之后,輸出位選擇電路 12對(duì)讀出數(shù)據(jù)鎖存器10所保持的32位Read數(shù)據(jù)DATAO中的、與上述 計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)的位位置的8位Read數(shù)據(jù)DATA0[7:0]進(jìn)行選擇并輸出。
因此,在接下來(lái)CLK下降(T82)時(shí),上述選擇的Read數(shù)據(jù)DATA0[7: O]被保持在輸出同步電路13中,并作為輸出數(shù)據(jù)DATA從DATA輸出端 子輸出。另外,通過(guò)如上述那樣數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?L",即存在取 入到讀出數(shù)據(jù)鎖存器10中但尚未輸出的Read數(shù)據(jù)的情況下,從OUTCLK 生成部14將輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出(T83)。然后,同樣地按每個(gè)CLK 的下降輸出位計(jì)數(shù)器11進(jìn)行計(jì)數(shù),并且Read數(shù)據(jù)DATA0[15:8]~[31:24] 依次保持于輸出同步電路13后從輸出同步電路13輸出(T84等),從 OUTCLK生成部14將輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出。
不久,在(T86)若輸入到輸出位計(jì)數(shù)器ll的CLK下降,則在極短 的延時(shí)后輸出位計(jì)數(shù)器11的計(jì)數(shù)值變?yōu)?4",數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?H"。此時(shí),如該圖的例子那樣,若Read完成信號(hào)變?yōu)?H",則從AND電路 15輸出的鎖存/復(fù)位信號(hào)也變?yōu)?H",所述(82)附近的定時(shí)的情況同樣, 讀出數(shù)據(jù)鎖存器10對(duì)從讀出電路3輸出的下一個(gè)Read數(shù)據(jù)DATA1進(jìn)行 保持。另外,輸出位計(jì)數(shù)器ll的計(jì)數(shù)值被復(fù)位為"0"。
此外,在輸出位計(jì)數(shù)器11的計(jì)數(shù)值變?yōu)?4"時(shí)若Read完成信號(hào)未 變?yōu)?H",則鎖存/復(fù)位信號(hào)仍為"L",輸出位計(jì)數(shù)器11停止計(jì)數(shù)動(dòng)作。 在該情況下,在Read完成信號(hào)變?yōu)?H"的時(shí)刻進(jìn)行與上述同樣的動(dòng)作。
另外,在/CE變?yōu)?H"后讀出動(dòng)作停止的情況下(T91),與實(shí)施方 式2中說(shuō)明過(guò)的同樣,讀出定時(shí)控制部62使Read觸發(fā)信號(hào)恢復(fù)為"L", 讀出完成判定部44使Read定時(shí)信號(hào)為"L",使Read完成信號(hào)恢復(fù)為"H", 并且,對(duì)輸出控制部65的輸出位計(jì)數(shù)器11設(shè)置值"4",從而數(shù)據(jù)輸出 完成信號(hào)變?yōu)?H",計(jì)數(shù)動(dòng)作停止,并且,Read數(shù)據(jù)和輸出時(shí)鐘的輸出 也停止。
如上所述,無(wú)論讀出電路3的讀出動(dòng)作和輸出控制部65的輸出動(dòng)作 的哪一方快,都基于Read完成信號(hào)和數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)雙方來(lái)控制下一 個(gè)讀出動(dòng)作和輸出動(dòng)作,即,通過(guò)控制Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"的定時(shí)、 由讀出數(shù)據(jù)鎖存器10進(jìn)行的Read數(shù)據(jù)的鎖存、輸出位計(jì)數(shù)器11的復(fù)位 等,從而,能容易地實(shí)現(xiàn)可靠且高效的讀出。
此外,在上述例子中,表示了從存儲(chǔ)器陣列1讀出Read數(shù)據(jù)后輸出 四次8位的輸出數(shù)據(jù)DATA的例子,但并不限定于此,還能容易地實(shí)現(xiàn)各 種位數(shù)的組合。
《發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例》
可取代上述的輸出控制部65,而利用如圖9所示的輸出控制部85。 在該圖中,觸發(fā)器電路16—0 16—31構(gòu)成移位寄存器,與Read完成信 號(hào)變?yōu)?H"相對(duì)應(yīng)對(duì)32位的Read數(shù)據(jù)進(jìn)行保持,每當(dāng)CLK下降時(shí)使各 位的值依次移位,并且輸出1位的輸出數(shù)據(jù)DATA。另夕卜,OUTCLK生成 部84每當(dāng)Read完成信號(hào)變?yōu)?H",都輸出32次的輸出時(shí)鐘OUTCLK。 此外,也可根據(jù)輸出完成定時(shí),輸出與實(shí)施方式3中說(shuō)明過(guò)的同樣的數(shù)據(jù) 輸出完成信號(hào)。
上述的構(gòu)成尤其容易輸出1位的輸出數(shù)據(jù)DATA,但并不限定于此,例如,也可設(shè)置8位X4級(jí)的移位寄存器,與實(shí)施方式3中說(shuō)明過(guò)的同樣 地輸出四次的8位輸出數(shù)據(jù)。
另外,還可將觸發(fā)器電路的級(jí)數(shù)設(shè)置得更多,即使輸出數(shù)據(jù)的輸出完
成也能保持下一個(gè)Read數(shù)據(jù)。
《發(fā)明的實(shí)施方式4》 作為實(shí)施方式4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,與所述實(shí)施方式3相反,對(duì)從 DATA端子輸出的數(shù)據(jù)的位寬大于從讀出電路讀出的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)位寬的 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子中,將從讀 出電路按每8位分兩次讀出的數(shù)據(jù)合并為16位的數(shù)據(jù)后從DATA端子輸 出。
該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置如圖10所示,與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的 構(gòu)成相比,取代讀出輸出控制部5,包括輸出控制部105。
輸出控制部105對(duì)從讀出電路讀出的兩個(gè)8位的Read數(shù)據(jù)暫時(shí)進(jìn)行 保持,合并后作為16位的輸出數(shù)據(jù)DATA從DATA端子輸出。該輸出控 制部105具體而言例如如圖11所示,構(gòu)成為包括鎖存器選擇電路20、 讀出數(shù)據(jù)鎖存器L21、讀出數(shù)據(jù)鎖存器H22、Read完成計(jì)數(shù)器23、OUTCLK 生成部24和AND電路25 。
上述鎖存器選擇電路20選擇將從讀出電路3輸出的Read數(shù)據(jù)取入到 哪個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器中。
讀出數(shù)據(jù)鎖存器L21和讀出數(shù)據(jù)鎖存器H22分別與DATA端子的低 位位和高位位連接。
Read完成計(jì)數(shù)器23對(duì)Read完成信號(hào)變?yōu)?H"的次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。 OUTCLK生成部24根據(jù)輸入時(shí)鐘和Read完成計(jì)數(shù)器23的輸出來(lái)生 成輸出時(shí)鐘OUTCLK。更詳細(xì)地說(shuō),當(dāng)Read完成計(jì)數(shù)器23的輸出達(dá)到 規(guī)定的值(在本實(shí)施方式4中為2)時(shí),將輸出時(shí)鐘OUTCLK輸出一次, 并且,向Read完成計(jì)數(shù)器23輸出復(fù)位信號(hào)。
AND電路25在Read完成信號(hào)為"H"時(shí)輸出CLK。
基于圖12對(duì)如上述那樣構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
在以下方面與實(shí)施方式2相同地址控制部7輸出依次加1的讀出地址AIN、 AIN+1、 ;讀出定時(shí)控制部42與CLK的上升同步地使Read
觸發(fā)信號(hào)為"H";讀出完成判定部44與Read觸發(fā)信號(hào)變?yōu)?H"相對(duì) 應(yīng)地輸出Read定時(shí)信號(hào)和Read完成信號(hào);由讀出電路3進(jìn)行存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的 讀出動(dòng)作。
接著,主要對(duì)由輸出控制部105進(jìn)行的Read數(shù)據(jù)的輸出動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
輸出控制部105的Read完成計(jì)數(shù)器23在初始狀態(tài)下被復(fù)位,將讀出 地址AIN的Read數(shù)據(jù)讀出,當(dāng)Read完成信號(hào)上升時(shí),進(jìn)行計(jì)數(shù),輸出 計(jì)數(shù)值"l" (T121)。因此,在下一個(gè)CLK的下降,從讀出電路3輸出 的Read數(shù)據(jù)被鎖存到讀出數(shù)據(jù)鎖存器L21中(T122)。目P,在該時(shí)刻, DATA端子其高位為無(wú)效數(shù)據(jù)、低位為DATAOO,成為所有位尚未齊備的 狀態(tài)。
然后,讀出下一個(gè)地址AIN+1的Read數(shù)據(jù),當(dāng)Read完成信號(hào)再次 變?yōu)?H"時(shí),Read完成計(jì)數(shù)器23進(jìn)一步進(jìn)行計(jì)數(shù),輸出計(jì)數(shù)值"2" (T125)。 因此,在下一個(gè)CLK的下降,從讀出電路3輸出的Read數(shù)據(jù)被鎖存到讀 出數(shù)據(jù)鎖存器H22中(T126)。在該時(shí)刻,DATA端子其高位為DATAOl、 低位為DATAOO,成為所有位齊備的狀態(tài)。
另一方面,在OUTCLK生成部24中,判定Read完成計(jì)數(shù)器23的計(jì) 數(shù)值是否與規(guī)定的數(shù)值(這里為"2") —致,由于二者一致,OUTCLK 在下一個(gè)CLK上升變?yōu)?H",在下一個(gè)CLK下降變?yōu)?L"。另外,此 時(shí),同時(shí)Read完成計(jì)數(shù)器23被復(fù)位。
以下,反復(fù)進(jìn)行同樣的動(dòng)作直至/CE變?yōu)?H"為止。
如上所述,在DATA端子的輸出數(shù)據(jù)位寬大于讀出電路3的Read數(shù) 據(jù)位寬時(shí),能在向DATA端子輸出有效的輸出數(shù)據(jù)的狀態(tài)下,將輸出時(shí)鐘 OUTCLK輸出。因此,能容易地增大輸出數(shù)據(jù)的位寬而無(wú)需增加讀出電路 3的讀出放大器數(shù)量。
此外,Read數(shù)據(jù)和輸出數(shù)據(jù)并不限于上述的8位和16位,還能容易 地實(shí)現(xiàn)各種位數(shù)的組合。
《發(fā)明的實(shí)施方式5》作為實(shí)施方式5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,對(duì)自動(dòng)控制Read定時(shí)信號(hào)和Read 完成信號(hào)的遷移定時(shí)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。具體而言,例如, 基于實(shí)際讀出的虛設(shè)數(shù)據(jù)(dummydata)進(jìn)行控制。
該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置如圖13所示,與實(shí)施方式3的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的 構(gòu)成相比,取代讀出電路3和讀出完成判定部44,具備讀出電路13和讀 出完成判定部114。
讀出電路113例如除32位的Read數(shù)據(jù)之外,還將值己知的虛設(shè)數(shù)據(jù) 輸出。
讀出完成判定部114基于上述虛設(shè)數(shù)據(jù),檢測(cè)實(shí)際中讀出存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所 需要的時(shí)間,從而對(duì)Read定時(shí)信號(hào)和Read完成信號(hào)進(jìn)行控制。
這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作例如如圖14所示,除了Read定時(shí) 信號(hào)變?yōu)?H"的期間TRAC和Read完成信號(hào)變?yōu)?L"的期間TRAC+ TDLY動(dòng)態(tài)變化這一點(diǎn)之外,與實(shí)施方式3中說(shuō)明的裝置相同。g卩,與實(shí) 施方式3中說(shuō)明的裝置同樣,輸出控制部65根據(jù)由讀出完成判定部114 輸出的Read完成信號(hào)來(lái)進(jìn)行控制,讀出定時(shí)控制部62根據(jù)由輸出控制部 65輸出的數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)進(jìn)行控制,從而能容易地進(jìn)行臨界定時(shí)的控 制、即例如與制造時(shí)的條件變動(dòng)或使用時(shí)的條件變動(dòng)等相對(duì)應(yīng)的最早的定 時(shí)的數(shù)據(jù)輸出等,因此,容易實(shí)現(xiàn)可靠且高效的讀出。
此外,如上所述,并不限于對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出所需的時(shí)間進(jìn)行直接檢 測(cè),也可基于溫度或電源電壓等的間接檢測(cè),來(lái)進(jìn)行同樣的定時(shí)控制。
另外,如上所述,根據(jù)虛設(shè)數(shù)據(jù)對(duì)輸出控制部65等進(jìn)行控制的構(gòu)成, 并不限于讀出電路3所讀出的數(shù)據(jù)的位寬與從DATA端子輸出的數(shù)據(jù)的位 寬不同的情況,也可應(yīng)用于如實(shí)施方式2那樣這些位寬相等的情況。
《發(fā)明的實(shí)施方式6》 如圖15所示,可取代實(shí)施方式3的輸出控制部65,而使用具備輸出 位選擇電路32的輸出控制部165,從而可對(duì)最先輸出的位位置進(jìn)行變更。 上述輸出位選擇電路32輸入來(lái)自ADD端子的輸入地址。另外,輸入地址 的低位位(例如低兩位)被預(yù)設(shè)為輸出位計(jì)數(shù)器11的初始值。g卩,如圖 16所示,若在(T141)的定時(shí)取入的地址成為對(duì)讀出地址AIN加上半字(halfword)后的地址即AIN+1/2,則最先輸出的數(shù)據(jù)就成為中途的位, 而非讀出數(shù)據(jù)的起始位。更具體地說(shuō),在(T142)的定時(shí),從讀出數(shù)據(jù)鎖 存器中鎖存的DATA0中的、DATA0[23:16]開始輸出。
該情況下,在輸出了兩次數(shù)據(jù)后(T144)的定時(shí),數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào) 變?yōu)?H",但由于Read完成信號(hào)為"L",因此并不立即進(jìn)行數(shù)據(jù)的鎖 存,數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)仍為"H"。因此,在下一個(gè)CLK的上升(T145), OUTCLK不變成"H"。
不久,當(dāng)Read完成信號(hào)變?yōu)?H"時(shí),下一個(gè)Read數(shù)據(jù)被鎖存到讀 出數(shù)據(jù)鎖存器10中,從數(shù)據(jù)輸出完成信號(hào)變?yōu)?L"后的下一個(gè)CLK上 升T148開始再次輸出OUTCLK。
如上所述,在從半字邊界開始進(jìn)行讀出時(shí)等,也能控制(停止) OUTCLK輸出,以避免主機(jī)裝置讀出無(wú)效數(shù)據(jù)或?qū)⑾嗤瑪?shù)據(jù)讀出兩次。
《發(fā)明的實(shí)施方式7》
說(shuō)明對(duì)上述各實(shí)施方式中說(shuō)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀 出的主機(jī)裝置的例子。此外,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可與這樣的主機(jī)裝置一體地 搭載于集成電路中,也可形成為獨(dú)立的集成電路。
圖17是表示作為上述各實(shí)施方式中說(shuō)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器 161、和包括主機(jī)裝置160的系統(tǒng)的要部的構(gòu)成的框圖。
主機(jī)裝置160包括CPU164;存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀出控制部162,其控制對(duì) 存儲(chǔ)器161中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出用的信號(hào);和存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)取入控制部 163,其基于從存儲(chǔ)器161輸出的DATA和OUTCLK,按照使CPU164讀 出數(shù)據(jù)的方式進(jìn)行控制。這里,以存儲(chǔ)器161的DATA輸出寬度為8位、 CPU164的數(shù)據(jù)總線寬度為16位進(jìn)行說(shuō)明。
上述控制部163具體而言例如如圖18所示,構(gòu)成為包括對(duì)OUTCLK 進(jìn)行計(jì)數(shù)的OUTCLK計(jì)數(shù)器171、在OUTCLK的上升來(lái)鎖存DATA的存 儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器172、在OUTCLK的上升對(duì)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器172的輸出 數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器173、以及將OUTCLK計(jì)數(shù)器的值與期 待值(例如2)進(jìn)行比較并且當(dāng)二者一致時(shí)使ACK信號(hào)為"H"的比較器 174。上述ACK信號(hào)使得能進(jìn)行握手方式的訪問(wèn)?;趫D19對(duì)上述那樣構(gòu)成的系統(tǒng)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
首先,CPU164為了讀出存儲(chǔ)器161的數(shù)據(jù),通過(guò)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀出控 制部162向存儲(chǔ)器生成訪問(wèn)存儲(chǔ)器161用的/CE (芯片使能)、CLK (訪 問(wèn)時(shí)鐘)禾BADD (讀出地址)信號(hào),并輸入到存儲(chǔ)器16中。此時(shí),控制 部163的OUTCLK計(jì)數(shù)器171在/CE的下降被復(fù)位為"0"。
存儲(chǔ)器161通過(guò)在各實(shí)施方式中說(shuō)明過(guò)的動(dòng)作,在(T180)的定時(shí), 輸出起始的數(shù)據(jù)DATAO,在(T181)的定時(shí)使OUCLK為"H"。
因此,從存儲(chǔ)器161輸出的DATA在OUTCLK的上升被鎖存到存儲(chǔ) 器數(shù)據(jù)取入控制部163內(nèi)的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器172中。此時(shí),OUTCLK計(jì) 數(shù)器171將計(jì)數(shù)值計(jì)數(shù)為"1"。比較器174將上述計(jì)數(shù)值與期待值進(jìn)行 比較,但由于二者不一致,因此ACK信號(hào)仍為"L"。
接著,從存儲(chǔ)器161輸出DATA1,在(T182)的定時(shí)輸出的OUTCLK 的上升,存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器172的數(shù)據(jù)被取入到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器173中, 從存儲(chǔ)器輸出的DATA1被取入到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)鎖存器172中。
此時(shí),OUTCLK計(jì)數(shù)器171的計(jì)數(shù)值被計(jì)數(shù)為"2"。該情況下,在 比較器174中,由于上述計(jì)數(shù)值與期待值一致,因此ACK信號(hào)變?yōu)?H"。 因此,CPU164在ACK信號(hào)變?yōu)?H"后的下一個(gè)CLK的上升定時(shí)(T183), 將CPUDATA取入。
在讀出完成之后,存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀出控制部162使/CE為"H",結(jié)束 對(duì)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)。
如上所述,即使在CPU的數(shù)據(jù)位寬與存儲(chǔ)器的輸出數(shù)據(jù)寬度不同的 情況下,也無(wú)需進(jìn)行CPU中的特別的控制,就能容易地實(shí)現(xiàn)正確地讀出 所希望的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。此外,未必要進(jìn)行位寬的變換,在該情況下也能獲 得可容易地實(shí)現(xiàn)正確的讀出的效果。
另外,例如,如圖19所示,當(dāng)CPU與存儲(chǔ)器間的信號(hào)延遲大時(shí),在 以等待時(shí)間4這樣的規(guī)格在CLK4的上升要讀出數(shù)據(jù)時(shí),數(shù)據(jù)的延遲大, 誤讀出的可能性大,相對(duì)于此,如上所述,通過(guò)采用在OUTCLK的上升 將數(shù)據(jù)取入的構(gòu)成,能容易地實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)的讀出。
因此,不需要為防止信號(hào)延遲而增大驅(qū)動(dòng)能力或極力縮短布線長(zhǎng)度的 對(duì)策,能容易地構(gòu)筑自由度高的系統(tǒng)。此外,在上述第一 第六實(shí)施方式中,對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中地址端子 和數(shù)據(jù)端子為獨(dú)立的端子的情況進(jìn)行了說(shuō)明,但在將地址和數(shù)據(jù)從同一端 子以串行方式等進(jìn)行輸入輸出的情況下也能應(yīng)用本發(fā)明。這樣,采用將地 址、數(shù)據(jù)串行輸入并將數(shù)據(jù)串行輸出,或?qū)崿F(xiàn)端子的共用化的構(gòu)成,在以 特別高的時(shí)鐘頻率動(dòng)作時(shí)等,還能以少的端子數(shù)量容易地獲得提高數(shù)據(jù)傳 輸量的顯著效果。
另外,上述各實(shí)施方式和變形例中說(shuō)明的構(gòu)成在邏輯上可能的范圍內(nèi) 可進(jìn)行各種組合。具體而言,例如,如實(shí)施方式l那樣,在讀出一個(gè)地址 的數(shù)據(jù)時(shí),可如實(shí)施方式3 6那樣進(jìn)行位寬的變換等,也可合并各實(shí)施 方式的功能來(lái)進(jìn)行切換使用。
另外,應(yīng)用如上述的構(gòu)成的裝置并不特別限定,例如作為各種系統(tǒng)的 代碼存儲(chǔ)用存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用存儲(chǔ)器有用。另外,例如,由于易于忽略 信號(hào)延遲等,因此還適合作為大規(guī)模系統(tǒng)LSI (SOC:片上系統(tǒng))或系統(tǒng)
LSI和存儲(chǔ)器的SiP (封裝系統(tǒng))中搭載的存儲(chǔ)器。另外,由于適用于端 子數(shù)量少的串行訪問(wèn),因此還可應(yīng)用于各種存儲(chǔ)卡或USB存儲(chǔ)器等中。
(工業(yè)上的可利用性) 本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有能容易地實(shí)現(xiàn)在最早的定時(shí)讀出數(shù)據(jù), 或能容易地防止誤讀出的效果,例如,作為時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、 搭載了其的集成電路以及使用了其的系統(tǒng)(半導(dǎo)體裝置)、和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀 出裝置等有用。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中包括地址端子,其輸入將存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出的地址;時(shí)鐘輸入端子,其將輸入時(shí)鐘輸入;數(shù)據(jù)輸出端子,其對(duì)根據(jù)上述地址從存儲(chǔ)器陣列讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出;和時(shí)鐘輸出端子,其對(duì)與上述輸入時(shí)鐘同步的輸出時(shí)鐘進(jìn)行輸出;上述時(shí)鐘輸出端子始終輸出第一電壓和第二電壓中的一方,并且,僅在從上述數(shù)據(jù)輸出端子輸出了有效數(shù)據(jù)的情況下,使輸出電壓從第一電壓遷移到第二電壓,或從一方電壓遷移到另一方電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述時(shí)鐘輸出端子的上述輸出電壓的遷移,在依賴于從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間,但不依賴于從上述讀出開始之后的輸 入時(shí)鐘數(shù)的這樣一個(gè)定時(shí)進(jìn)行。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 預(yù)先設(shè)定從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 基于環(huán)境狀態(tài)來(lái)檢測(cè)從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 基于虛設(shè)數(shù)據(jù)的讀出動(dòng)作來(lái)檢測(cè)從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 共用上述地址端子和數(shù)據(jù)輸出端子。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述數(shù)據(jù)輸出端子,將對(duì)以所輸入的地址為初始值的連續(xù)地址所讀出的數(shù)據(jù)輸出。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述數(shù)據(jù)輸出端子將從上述存儲(chǔ)器陣列讀出的一個(gè)數(shù)據(jù)分多次輸出。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述數(shù)據(jù)輸出端子將從上述存儲(chǔ)器陣列讀出的多個(gè)數(shù)據(jù)同時(shí)輸出。
10、 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中包括存儲(chǔ)器陣列,其排列有對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元; 讀出定時(shí)控制部,其與輸入時(shí)鐘同步地生成讀出開始信號(hào);讀出電路,其具有讀出放大器,根據(jù)上述讀出開始信號(hào)從存儲(chǔ)器單元讀出數(shù)據(jù);讀出完成判定部,其對(duì)數(shù)據(jù)的讀出是否己完成進(jìn)行判定;和 輸出控制部,其輸出來(lái)自上述讀出電路的讀出數(shù)據(jù)、和與該讀出數(shù)據(jù)'對(duì)應(yīng)并與上述輸入時(shí)鐘同步的輸出時(shí)鐘;在由上述讀出完成判定部判定為讀出完成之后,上述輸出控制部輸出上述讀出數(shù)據(jù)和輸出時(shí)鐘。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述讀出完成判定部,根據(jù)從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間是否已達(dá)到預(yù)先設(shè)定的時(shí)間來(lái)進(jìn)行上述判定。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述讀出完成判定部,根據(jù)從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成為止的時(shí)間是否己達(dá)到基于環(huán)境狀態(tài)而設(shè)定的時(shí)間來(lái)進(jìn)行上述判定。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 上述讀出完成判定部,基于虛設(shè)數(shù)據(jù)的讀出動(dòng)作來(lái)進(jìn)行上述判定。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,對(duì)以所輸入的地址為初始值的連續(xù)地址,從上述存儲(chǔ)器單元讀出數(shù)據(jù)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 將從上述存儲(chǔ)器陣列讀出的一個(gè)數(shù)據(jù)分多次輸出。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于, 將從上述存儲(chǔ)器陣列讀出的多個(gè)數(shù)據(jù)同時(shí)輸出。
17、 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中包括數(shù)據(jù)輸出端子,其對(duì)根據(jù)從外部輸入的地址從存儲(chǔ)器陣列讀出的數(shù)據(jù) 進(jìn)行輸出;和時(shí)鐘輸出端子,其對(duì)與從外部輸入的輸入時(shí)鐘同步的輸出時(shí)鐘進(jìn)行輸出;上述時(shí)鐘輸出端子,在依賴于從上述存儲(chǔ)器陣列讀出數(shù)據(jù)開始到完成 為止的時(shí)間的、但不依賴于從上述讀出開始之后的輸入時(shí)鐘數(shù)的定時(shí),并 且僅在從上述數(shù)據(jù)輸出端子輸出了有效數(shù)據(jù)的情況下,使輸出電壓從第一 電壓遷移到第二電壓,或從一方電壓遷移到另一方電壓。
18、 一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置,基于從權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置輸 出的數(shù)據(jù)和輸出時(shí)鐘,讀出上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置,其特征在于,將從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出的規(guī)定數(shù)量的數(shù)據(jù)合起來(lái)同時(shí)傳遞到數(shù)據(jù) 的處理部。
20、 一種半導(dǎo)體裝置,包括權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和權(quán)利要求18的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置。
21、 一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置,基于從權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置 輸出的數(shù)據(jù)和輸出時(shí)鐘,讀出上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置,其特征在于,將從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出的規(guī)定數(shù)量的數(shù)據(jù)合起來(lái)同時(shí)傳遞到數(shù)據(jù) 的處理部。
23、 一種半導(dǎo)體裝置,包括權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和權(quán)利 要求21的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中包括地址端子,其輸入將存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出的地址;時(shí)鐘輸入端子,其將輸入時(shí)鐘輸入;數(shù)據(jù)輸出端子,其對(duì)根據(jù)上述地址從存儲(chǔ)器陣列讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出;和時(shí)鐘輸出端子,其對(duì)與上述輸入時(shí)鐘同步的輸出時(shí)鐘進(jìn)行輸出;上述時(shí)鐘輸出端子始終輸出第一電壓和第二電壓中的一方,并且,僅在從上述數(shù)據(jù)輸出端子輸出了有效數(shù)據(jù)的情況下,使輸出電壓從第一電壓遷移到第二電壓,或從一方電壓遷移到另一方電壓。
文檔編號(hào)G11C11/4091GK101410908SQ200780010510
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者上南雅裕, 新田忠司, 西川和予 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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