專利名稱::光記錄介質的制作方法
技術領域:
:本發(fā)明涉及一種通過照射激光來進行信息的記錄、消除、播放的光記錄介質。本發(fā)明尤其涉及一種在光盤、光卡等光記錄介質中能在高溫高濕以及光照射等苛刻保存條件下也能維持優(yōu)異的記錄性能的光記錄介質。
背景技術:
:光記錄介質可以列舉近年來的CD-R以及CD-RW,或者更高密度化的DVD-RW、DVD-RAM、DVD-R、藍光盤等。此處CD表示壓縮盤,DVD表示數字化多用途盤。這種光記錄介質是通過光使記錄膜升溫而形成記錄標記,該記錄標記為播放介質中的凹痕,利用反射率變化作為信息。光記錄介質具有與播放專用介質的互換性高的特點。光記錄介質的構造是在基板上至少具有記錄層和反射層。公知的是,在該記錄層的材料上,以偶氮類、花青類、鈦花青類等有機色素,及以SbTe作為主要成分的相變型無機材料、把無機材料做成2層的結構。還有,作為材料,反射層多使用以反射率高的Ag或Al或Au作為主要成分的材料,由于高的導熱率以及在大范圍的波長段的反射率高,因此最近多使用Ag或Ag合金。但是Ag或Ag合金與S和02的反應性高,光活性高,粒狀結晶形成能高,因此存在在高溫高濕以及光照射條件下的保存穩(wěn)定性明顯差的缺點。特許1709731公報(專利文獻1)中提出,在反射層上涂布形成有機物類的保護層,使得反射層與空氣等氣氛隔斷,由此抑制反射層在高溫高濕條件下的腐蝕。通過本發(fā)明人研究的結果,雖然提高了高溫高濕條件下的保存穩(wěn)定性,但是在反射層中采用Ag或Ag合金的情況下,發(fā)現從記錄面的相反側照射在反射層面的光(熒光燈以及太陽光等)會使記錄特性劣化,因此難以具有充分的保存穩(wěn)定性。為了提高高溫高濕條件下的保存穩(wěn)定性,特開平7—201075號公報(專利文獻2)提出了在Ag或Ag合金的反射層和有機物保護層之間使用防腐蝕層。在該公報中,披露了出于抑制反射層的腐蝕的目的、通過在Ag或Ag合金的反射層上層疊耐腐蝕性高的防腐蝕層而成的介質結構。但是本發(fā)明人研究后認為,專利文獻2中實施例記載的防腐蝕層在使用Al、Cu或者它們的合金的情況下會在高溫高濕條件下在Ag或者Ag合金反射層的界面發(fā)生剝離,而后通過光照射而進行記錄的特性變差,不能保證在高溫高濕條件以及光照射條件下兩種情況的保存穩(wěn)定性。專利文獻1特公平3—75939號公報(特許1709731號)專利文獻2特開平7—201075號公報
發(fā)明內容如前所述,反射層優(yōu)選使用Ag或者Ag合金,不過,在這種材料的反射層與有機物保護層層疊的條件下,存在在反射層中照射光后保存穩(wěn)定性明顯變差的缺點。即使還有防腐蝕層,由防腐蝕層的材料也難以兼顧在高溫高濕條件下以及光照射條件下的保存穩(wěn)定性。此處本發(fā)明是為了解決上述問題而作出的,其目的在于提供一種在高溫高濕以及光照射等苛刻的保存條件下也能維持優(yōu)異的記錄特性的光揭露介質。本發(fā)明鑒于上述問題,提供一種具有如下(a)(d)的構成的光記錄介質。200710140829.1說明書第3/19頁(a)—種利用記錄光來記錄信息的光記錄介質,其特征在于,具有信號基板(A)以及在該信號基板上層疊的支持體(B,C),所述信號基板,從所述信號基板的底面?zhèn)认蛩鲋С煮w側,由具有所述記錄光入射的第一入射面(Al)的第一基板(1)以及在所述第一基板上順次層疊的至少以下部分構成記錄層(3);由含有Ag的物質構成的反射層(5);以及,由有機物類物質形成的保護層(6),從作為所述支持體的表面的第二入射面(Bl)照射波長為350nm的特定波長的光時,從所述第二入射面至所述反射層的表面的范圍所構成的層對于所述特定波長的光的透射率T為0%《T《25%。'(b)如(a)記載的光記錄介質,其特征在于,所述支持體包括具有所述第二入射面的空(dummy)基板(B)以及粘結層(C)。(c)如(b)記載的光記錄介質,其特征在于,所述空基板具有第二基板(8)以及透過率控制部件(9),通過使得所述透過率控制部件的透過率為025%來設定所述透過率T。(d)如(b)記載的光記錄介質,其特征在于,所述空基板具有第二基板(8),通過使得所述第二基板作為透過率為025%的透過率控制部件(8,9),來設定所述透過率T。(e)—種利用記錄光來記錄信息的光記錄介質,其特征在于,具有信號基板(A)以及在該信號基板上層疊的支持體(B,C),所述信號基板,從所述信號基板的底面?zhèn)认蛩鲋С煮w側,由具有所述記錄光入射的第一入射面(Al)的第一基板(1)以及在所述第一基板上順次層疊的至少以下部分構成記錄層(3);由含有Ag的物質構成的反射層(5);以及,由有機物類物質形成的保護層(6),所述非活性層抑制所述反射層與所述保護層的化學反應。(f)如(e)記載的光記錄介質,其特征在于,所述支持體具有空基板(B)以及粘結層(C)。(g)如(e)或(f)記載的光記錄介質,其特征在于,所述反射層(5)和所述非活性層(7)之間的粘接強度大于等于1.6MPa。按照本發(fā)明的光記錄介質,在高溫高濕以及光(熒光燈、太陽光)等苛刻的環(huán)境條件下,即使在光記錄介質的材質易于變質的惡劣條件下,也能維持優(yōu)異的記錄播放性能。圖1是表示本發(fā)明光記錄介質的各實施方式的概略構成的圖2是表示本發(fā)明的信號基板A的第一構成例的圖3是表示本發(fā)明的空基板B的各構成例的圖4是表示空基板B的波長350mn照射光下的透過率T與記錄播放誤差率的關系的圖5是表示遮光層9(Al)的層厚與透過率T之間的關系的圖6是表示本發(fā)明的信號基板A的第二構成例的圖7是表示高粘接活性層7與反射層5的粘接強度與記錄播放誤差率之間的關系的圖8是拉伸試驗的說明圖。具體實施例方式以下參考附圖描述本發(fā)明的光記錄介質的實施方案。另外,在以下的說明中,作為本發(fā)明的光記錄介質的一個實施方案,采用相變型光盤進行說明,無須說明,除此以外的光盤、光卡等具有同樣構成的光記錄介質也可以適用本發(fā)明。(光記錄介質的構成)圖1是光記錄介質的各實施方式的概略構成的示意圖。光記錄介質D可以是DVD-RW等相變型光盤、光卡等可以反復重寫信息的介質。還有,光記錄介質D如圖1所示,是將信號基板A和空基板B利用粘結層C粘合而構成的。此處還由空基板B和粘結層C構成支持體。記錄播放用的激光從信號基板的入射面Al(第一入射面)入射。保存試驗光從空基板B的入射面B1(第二入射面)入射。<光記錄介質D的第一實施方式〉圖2是作為信號基板A的第一構成例的信號基板Aa的示意圖。信號基板Aa是在基板1上順次層疊第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5、第三保護層6而構成的。采用信號基板Aa構成光記錄介質D作為第一實施方式。另外,可以適宜地設置阻擋層。如后所述。作為基板1的材料,可以使用透明的各種合成樹脂、透明玻璃等?;?優(yōu)選的是具有光透過率大致在100%的光透過特性。為了避免塵埃的附著或者基板1的劃傷等的影響,使用透明基板,使用聚光的激光從基板1一側在記錄層3上記錄信息。作為這種基板1的材料,可以列舉玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等。由于光學雙折射、吸濕性小,容易成形,因此特別優(yōu)選聚碳酸酯樹脂?;?的厚度沒有特別的限制,出于和DVD互換性的考慮,優(yōu)選0.01mm0.6mm,其中更優(yōu)選0.6mm(DVD的整個厚度為1.2mm)。該基板1的厚度在不足O.Olmm的情況下,即使從基板1的入射面Al一側采用會聚的激光進行記錄的時候,也容易受到灰塵的影響。還有,對光記錄介質的整體厚度沒有限制,從實用角度來說是在0.01mm5mm的范圍內。在5mm以上時,難以增大物鏡的數值孔徑,照射激光的光斑尺寸大,因此難以提高記錄密度。基板1可以是柔性的,也可以是剛性的。柔性的基板1在帶狀、片狀、卡狀光記錄介質中使用。剛性基板1在卡狀或者盤狀光記錄介質中使用。第一保護層2和第二保護層4用于防止在記錄時基板1和記錄層3等因為熱變形而損害記錄特性等,具有對基板1和記錄層3的防熱保護的效果,以及通過光學干涉效果,改善播放時信號的對比度的效果。希望第一保護層2以及第二保護層4分別對于記錄播放用激光是透明的,折射率n在1.9《n《2.3的范圍內。而且,第一保護層2和第二保護層4的材料根據熱特性,優(yōu)選使用Si02、SiO、ZnO、Ti02、Ta205、Nb205、Zr02、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的單體以及它們的混合物。ZnS以及Si02的混合膜,即使反復進行記錄和消除,也難以引起記錄靈敏度、C/N、消除率等的惡化,因此特別優(yōu)選。還有,第一保護層2和第二保護層4,可以采用同樣的材料、不同組成,也可以采用不同的材料構成。第一保護層2的厚度約在5nm500nm之間。為了避免從基板1以及記錄層3上剝離、產生裂紋等缺陷,第一保護層2的厚度優(yōu)選在40nm300nm。比40nm薄的時候,難以確保盤的光學性能,比300nm厚時,生產性變差。更優(yōu)選在50nm80nm的范圍內。第二保護層4的厚度,考慮C/N、消除率等記錄特性以及穩(wěn)定的多次書寫的可能性,優(yōu)選在5nm40nm。比5nm薄時,記錄膜的熱確保是困難的,因此提高了最適合的記錄功率,比40nm厚時,導致重寫特性的惡化。更優(yōu)選的是在10nm20nm范圍內。記錄層3是在Ag—In—Sb—Te合金以及Ge—In—Sb—Te合金或者Ge—In—Sb—Te合金中含有Ag或者Si、Al、Ti、Bi、Ga中的至少一種的合金層。記錄層3的厚度優(yōu)選10nm25nm。層厚小于10nm時,結晶化速度低,高速記錄特性差,層厚大于25nm時,記錄時必須要使用大的激光功率。作為反射層5的材料,從高導熱率、大范圍的波長段中的反射率高的角度而言,優(yōu)選使用Ag或者Ag合金。作為Ag合金的示例,是在Ag中混合Cr、Au、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In、Ca、Bi等中的至少一種元素而成的合金等。反射層5的厚度,根據形成反射層'5的金屬或者合金的導熱率大小而變化,優(yōu)選在50nm300nm。反射層5的厚度在50nm以上時,反射層5不會發(fā)生光學變化,不會影響反射率值,隨著反射層5厚度的增加,對冷卻速度的影響增大。另外,形成超過300nm的厚度需要花費制造時間。因此采用導熱率高的材料,盡量將反射層5的厚度控制在該最佳范圍內。此處,第二保護層4中使用含有S化合物的混合物的時候,為了抑制與反射層5生成AgS化合物,優(yōu)選使用不含有S的材料作為阻擋層10插入到第二保護層4和反射層5之間。第三保護層6是為了提高耐擦傷性和耐腐蝕性而設置的。第三保護層6優(yōu)選由各種有機物質構成,特別優(yōu)選是放射線硬化型化合物以及其組合物,采用電子射線、紫外線等放射線進行硬化。第三保護層6的厚度通常在0.1(im100nm??梢酝ㄟ^旋涂、凹印涂布、噴涂、浸涂等通常采用的方法來形成該層。圖3(A)(D)是空基板B的各構成例的示意圖??栈錌在不用記錄播放用激光照射的情況下不必是透明的,為了例如提高介質光照射時的保存特性,可以考慮在基板8上以有色膜或者金屬膜形成遮光層9。特別優(yōu)選波長入二350nm處的透過率T為0%25%。透過率大于25。^時耐光性效果差。此處,透過率T是指構成從空基板B的入射面Bl至反射層5的表面(空基板B側的面)的范圍的層的光透過率。即該透過率是從入射面Bl至反射層5的表面的范圍內所含有的所有物質(層)所決定的光透過率。圖3(A)(D)表示采用用于控制透過率的透過率控制部件作為遮光層9的空基板B的各種構成例,此處認為作為優(yōu)選的構成例的第一構成例Ba第四構成例Bd。圖3(A)是空基板B的第一構成例Ba,圖3(B)是空基板B的第二構成例Bb,圖3(C)是空基板B的第三構成例Bc,圖3(D)是空基板B的第四構成例Bd。在第一構成例Ba中,基板8設置在空基板Ba的入射面?zhèn)菳l,遮光層9設置在空基板Ba的粘合面?zhèn)菳2,在第二構成例Bb中,遮光層9設置在空基板Bb的入射面?zhèn)菳l,基板8設置在空基板Bb的粘合面?zhèn)菳2,在第三構成例Bc中,兩個基板8之間插入遮光層9,在第四構成例Bd中,基板8中帶有顏色而使得基板8整體作為遮光層。由各構成例BaBd來控制空基板B的透過率。圖4中顯示了空基板B對350nm的照射光(特定波長光)的透射率T(transmittancy)與3萬勒克司(k)白色光在600小時照射之后光記錄介質中記錄播放的誤差率之間的關系。由圖4可以知道,透射率T在30X以上時,誤差率超過1X1(T3。如果誤差率超過1X10—3,誤差的修正就會變得困難,因此空基板B的透射率T優(yōu)選在025X,更優(yōu)選在10%以下。特定波長光的波長為350nm是由于第三保護層6是一般的紫外光硬化型有機物類保護層,因此紫外線區(qū)域即波長350nm附近光化學反應最劇烈。上述的透射率T是從入射面Bl至反射層5表面的光的透過率,因此可以通過空基板B單獨的透過率來控制透過率T。例如,如空基板B與粘接層,在從空基板B至反射層5的表面之間存在的各材料(各層、各膜)的各光透過率的合計的光透過率優(yōu)選在上述透射率T的025%范圍內,更優(yōu)選在10%以下。作為基板8的材料,可以使用透明的各種合成樹脂、玻璃等。作為基板8的材料的例子,可以列舉玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴數值、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等。特別是,由于吸濕性小容易成形,優(yōu)選聚碳酸酯樹脂。遮光層9的材料只要能遮擋從入射面Bl的入射光即可。另外,考慮到生產性,遮光層9優(yōu)選薄的。因此,遮光層9的材料中,優(yōu)選采用Al合金等金屬材料。圖5中顯示了Al合金的遮光層9的層厚與透過率T(基板8釆用0.6mm厚的聚碳酸酯,測定波長入二350nm)的關系的一例。作為空基板B,釆用與圖3(A)(D)同樣的構成。從圖5中可以知道,遮光層9的層厚小于40nm時,透射率T急劇增加??梢灾?,為使透過率T為25%以下,確保層厚在14nm以上就可以,為使透過率為10%以下,確保層厚在25nm以上就可以。使信號基板A與空基板B粘合的粘接方法,可以是利用電子線、紫外線等放射線對由有機物質構成的放射線硬化型化合物以及組合物進行硬化粘接的方法,以及采用粘接片進行粘接的方法。還有,為了獲得耐光性效果,作為圖1的粘接層C而使用的粘接劑以及粘接片的光透過率優(yōu)選(在測定波長人二350nm時)在025°%。信號基板A與空基板B的粘接,是夾著空氣的構造、伴隨有空氣的構造、緊密粘接的構造等。另外,又可以在信號基板A上層疊除了基板1的構成的信號基板A,通過粘接層C與空基板B粘接,形成單面2層的光記錄介質。(光記錄介質的制造方法)以下描述第一實施方式的光記錄介質的制造方法。首先,作為在基板1上層疊第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5等的方法,可以列舉公知的在真空中形成薄膜的方法。例如,真空蒸鍍方,法(電阻加熱型和電子束型)、離子鍍覆、濺射法(直流或交流濺射/反應性濺射)等。特別是由于組成和層厚的控制容易性,優(yōu)選濺射法。還有,優(yōu)選采用真空槽內多個基板1同時成膜的成批方法,以及每個基板1逐一處理的逐片式成膜裝置。對于形成的第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5等的層厚的控制,通過控制濺射電源的投入功率和時間,用水晶振動型膜厚計監(jiān)控堆積狀態(tài),就容易進行。對于第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5等的形成,固定或者移動、旋轉基板1的狀態(tài),哪種都可以。從層厚的面內均勻性優(yōu)異的角度來說,優(yōu)選使基板l自轉,更優(yōu)選進一步與公轉相結合。根據需要對基板l進行冷卻,以減少基板l的翹曲量。在不明顯損害本發(fā)明的效果的范圍內,在形成反射層5等之后,為了防止薄膜的變形,優(yōu)選根據需要設置ZnS、Si02等介電質層或者紫外線硬化樹脂等第三保護層等。在形成反射層5、或者再形成第三保護層6之后,將圖2所示的第三保護層6(在沒有設置第三保護層6的情況下是反射層5)的粘接面A2與空基板B的粘接面B2利用粘接劑等粘接層C進行粘合。記錄層3優(yōu)選在實際進行記錄之前,預先利用激光、氙閃光燈等的光進行照射加熱,使之結晶化。特別是為了減少播放噪音,優(yōu)選利用激光進行初始化。以下順序說明第一實施方式的光記錄介質D的實施例1實施例3以及比較例1和2。此處以相變型光盤為例進行描述。在以下的實施例以及比較例中,用裝有波長為658mn的激光二極管、NA=0.60的光學透鏡的帕盧斯太可("A,'7夕)公司制造的光盤驅動測試儀(DDU1000)進行記錄播放,通過誤差率來評價記錄特性。保存特性試驗,是在作為高溫高濕條件的溫度8(TC并且相對濕度為85%的條件下(80°C,85%RH)將光記錄介質放置100小時,然后,作為光照射條件,以3萬lx的白色光(保存試驗光)對入射面Bl照射600小時。在以上的高溫高濕條件以及光照射條件下保存處理(以下稱之為保存處理)之后,在未記錄部分進行記錄,然后測定誤差率,以難以修訂誤差的1X1(^以上的誤差率為不良。透過率的測定采用日立制作所制造的330型分光光度計。實施例1信號基板A是在直徑為120min、板厚為0.6mm的聚碳酸酯樹脂制成的基板1上形成各薄膜而制成的。基板1中按照軌距為0.74pm交替形成空溝(溝槽)和接合面。溝深25nm,溝槽寬度和接合面的寬度的比值為40:60。將真空容器排氣至3X10^Pa之后,采用高頻磁控濺射方法,在基板1的一面中在2X10"Pa的氬氣氛中用按照20mor^添加了Si02的ZnS形成層厚為70nm的第一保護層2。然后順次層疊層厚為16nm的Ge-In-Sb-Te的四種元素的單一合金耙的記錄層3、與第一保護層2同樣材料的厚度為16rnn的第二保護層4、利用GeN的厚度為2nm的阻擋層10、以及Ag-Pd-Cu靶的厚度為120nm的反射層5。從真空容器中取出基板1之后,在反射層5上旋涂丙烯酸類紫外線硬化樹脂(^二一少$力A公司制造的SK5110),利用紫外線照射,之硬化,形成層厚為3pm的第三保護層6,得到如圖2所示的信號基板A。如上所述,與形成基板1的各層的面相反的面(另一面)為照射面Al,不與第三保護層6的反射層5相接的面為粘接面A2??栈錌形成如下由與基板1同樣的直徑120mm和板厚0.6mm的聚碳酸酯樹脂制成基板8,在基板8的一面采用Al靶濺射法形成層厚為35nm的遮光層9。本實施例中空基板B的構成為圖3(A)所示的第一構成例Ba,形成遮光層9的面為粘接面B2。如此形成的空基板B的波長人二350nm的透過率T為3%。在粘接層C上利用粘接密封材料,粘合信號基板A(Aa)的粘接面A2與空基板B(Ba)的粘接面B2。然后用初始化裝置(日立->匕'二一夕機器制造的POP120),采用徑向激光寬度250|im、掃描方向激光寬度為1.0pm的激光,按照掃描線速度為4.5m/s、激光功率為1600mW、輸送間距為220(im的條件進行記錄層3的初始化,由此制造光記錄介質。利用如此制造的光記錄介質,從基板l側(入射面A1)在作為記錄層3的引導槽的溝槽部分進行記錄。從播放用的激光的入射方向可以看見溝槽為凸起狀。上述記錄是以3.5m/s的線速度(DVD規(guī)格的一倍速)的條件進行的,測定誤差率,確認保存前的記錄特性為2X10—5。再進行高溫高濕條件以及光照射條件的保存處理,然后記錄并測定誤差率,如表1所示,5X10—s為良好,保存處理后得到了良好的特性。表1中,誤差率良好為OK,誤差率不良為NG。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>實施例2除了空基板B的遮光層9的層厚為70nm之外,其它與實施例1同樣來制造光記錄介質。如此作出的空基板B在波長人二350nm的光的透過率T為0%。與實施例1同樣的方法進行測定,表1顯示,保存處理后的記錄播放的誤差率為2X10'5,與實施例1同樣也在保存處理之后得到良好的記錄特性。實施例3除了空基板B的遮光層9的層厚為15mn之外,其它與實施例1同樣來制造光記錄介質。如此作出的空基板B在波長i二350nm的光的透過率T為22X。與實施例1同樣的方法進行測定,表1顯示,保存處理后的記錄播放的誤差率為3X1(T4,與實施例1同樣也在保存處理之后得到良好的記錄特性。比較例1除了空基板B沒有遮光層9(0nm)之外,其它與實施例1同樣來制造光記錄介質。如此作出的空基板B在波長入二350nm的光的透過率T為82%。與實施例1同樣的方法進行測定,表1顯示,保存處理后的記錄播放的誤差率為2X1(T3,與實施例l相比,保存處理之后的記錄特性明顯惡化。比較例2除了空基板B的遮光層厚度為lOrnn之外,其它與實施例1同樣來制造光記錄介質。如此作出的空基板B在波長人二350nm的光的透過率T為37X。與實施例1同樣的方法進行測定,表1顯示,保存處理后的記錄播放的誤差率為1X10—3,與實施例l相比,保存處理之后的記錄特性明顯惡化。如上所述,不充分設置遮光層9,由此在反射層5中長時間照射光之后,光照射后的記錄特性會明顯惡化。可以推測,這是由于光照射使得第三保護層6的紫外線硬化樹脂以及反射層5的Ag或者Ag合金活化,反射層5的特性發(fā)生變化,變?yōu)榉艧釥顟B(tài),記錄特性由此惡化。還有,如上所述,在可以修訂誤差的誤差率為1X1(^以下的情況,照射光對反射層5的透過率T優(yōu)選在025%的范圍內。另外,使反射層5對照射波長入-350nm的激光的透過率T在025%的范圍內的方法是,通過如實施例13的在空基板B上附著的遮光層9的層厚來控制透過率T,控制透過率T也可以不通過空基板B進行。即在夾著反射層5,光記錄介質D的記錄播放用激光的入射面Al的相反側形成的例如第三保護層6以及在使得信號基板A與空基板B粘接的粘接劑(粘接層C)中混合碳黑等粉末,由此將透過率T控制在025%的范圍內,實現與實施例1同樣的效果。光記錄介質的第二實施方式空基板B以及粘接層C的波長X-350nm的光的透過率不在025%的范圍內的情況下,作為提高耐光性的另一種方法,采用圖6所示的高度粘接的非活性層7插入到反射層5和第三保護層6之間而構成的信號基板Ab。本發(fā)明人研究認為,通過從入射面B1的光照射而造成的記錄特性惡化,是因為Ag或者Ag合金的反射層5以及第三保護層6直接接觸,并且Ag或者Ag合金的反射層5經過長時間照射導致的。這種惡化機理中,由于反射層5的金屬光澤沒有失去,因而推測為第三保護層6中的成分與作為反射層5的材料的Ag或者Ag合金之間的化學反應因為光照射而活化,反射層5的金屬材料發(fā)生化學變化(不是腐蝕)??梢哉J為,由于反射層5的這種光活性的化學變化,反射層5的金屬材料的導熱率發(fā)生變化,由此記錄層3的記錄時的放熱狀態(tài)惡化,引起記錄特性的惡化。即反射層5的化學變化不是腐蝕(金屬消失的化學變化),而是從金屬向金屬的變化,因此在反射層5和第三保護層6之間插入高度粘接的非活性層7,提高了耐光性。圖6是顯示作為信號基板A的第二構成例的信號基板Ab的示意圖。信號基板Ab通過在基板1上順次層疊第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5、高度粘接的非活性層7、第三保護層6而構成的。采用了信號基板Ab的光記錄介質D的構成是第二實施方式。如上所述,可以適宜地設置阻擋層10。形成信號基板Ab的基板和層的與第一實施方式中采用的信號基板Aa同樣的部分采用同樣的標記,上述基板以及層的材料、其厚度等與第一實施方式的前面描述相同的,省略其說明。高度粘接的非活性層7的材料,可以是金屬、半金屬、氮化物、氧化物、碳化物或者其化合物,與反射層5中使用的Ag或者Ag合金的粘合強度優(yōu)選在1.6MPa以上。圖7是表示在溫度8(TC相對濕度85%(高溫高濕8(TC,85%RH)條件下放置100小時,再用3萬k白色光照射600小時之后,高度粘接的非活性層7與Ag或者Ag合金的反射層5的粘合強度與記錄播放誤差率之間的關系圖。從圖7中可以看出,粘合強度小于1.6MPa時,誤差率超過了誤差難以修訂的1X10—3,因而優(yōu)選的是粘合強度在1.6MPa??梢哉J為,當粘合強度小于1.6MPa時,在高溫高濕條件下(80°C,85%RH)從反射層5和高度粘接的非活性層7之間的界面就會發(fā)生剝離。發(fā)生剝離時,不僅介質變白,整體外觀惡化,并且高度粘接的非活性層7的耐光性效果不好,因此光照射導致的記錄特性惡化,因此不是優(yōu)選的。另外,粘接強度的上限沒有限制,在1.6MPa以上即可。對于粘接強度的測定,采用圖8所示的拉伸測試。作為拉伸測試的條件,先在玻璃板71上層疊200nm厚的反射層5中使用的Ag或者Ag合金的薄膜5s,再在其上層疊由高度粘接的非活性層7的材料形成的200nm厚的薄膜7s,作為試樣。在試樣中,采用環(huán)氧類粘合劑將SUS板72和方桿73結合成為共同的試驗材料,拉伸方向h是與SUS板72相對垂直的,把共同的試驗材料懸掛在C型鉤74上。確認共同試驗材料靜止,進行拉伸試驗,測定薄膜5s(反射層5)和薄膜7s(高度粘接的非活性層7)之間的界面破裂的力,除以面積得到粘接強度。以下,描述設置了高度粘接的非活性層7的第二實施方式的光記錄介質的實施例4實施例7以及比較例3和4。第二實施方式的光記錄介質與上述第一實施方式的光記錄介質按照同樣的制造方法來制造。高度粘接的非活性層7,與在基板1上形成的其它層例如第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、以及反射層5同樣地形成。第二實施方式中空基板B不設置遮光層9,僅由基板8構成??栈?用粘接層C中的粘接密封材料與信號基板Ab粘合。還有,記錄特性的評價、保存特性試驗以及誤差率的測定與第一實施方式的光記錄介質相同。實施例4除了空基板B沒有遮光層9,而在反射層5和第三保護層6之間插入GeN的厚度為5mn的高度粘接的非活性層7之外,與實施例1同樣,制造光記錄介質。拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與GeN的粘接強度是5.1MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為5X10—5,與實施例1同樣在保存處理之后得到良好的記錄特性。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>造光記錄介質。在拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與A1203的粘接強度是3.6MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為6X1(T5,與實施例1同樣在保存處理之后得到良好的記錄特性。實施例6除了高度粘接的非活性層7為Ge之外,與實施例4同樣地制造光記錄介質。在拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與Ge的粘接強度是1.6MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為9X1(T5,與實施例1同樣在保存處理之后得到良好的記錄特性。實施例7除了高度粘接的非活性層7為NiCr之外,與實施例4同樣地制造光記錄介質。在拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與NiCr的粘接強度是2.5MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為6X1(T5,與實施例1同樣在保存處理之后得到良好的記錄特性。比較例3除了高度粘接的非活性層7為Al之外,與實施例4同樣地制造光記錄介質。在拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與Al的粘接強度是1.2MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為3X1(T3,與實施例l相比,光照射之后的記錄特性明顯惡化。比較例4除了高度粘接的非活性層7為Cu之外,與實施例4同樣地制造光記錄介質。在拉伸試驗中,反射層5的材料AgPdCu與Cu的粘接強度是1.4MPa。按照與實施例1同樣的測定得到的表2顯示,保存處理之后的記錄播放誤差率為1X1(T3,與實施例l相比,光照射之后的記錄特性明顯惡化。如上所述,高度粘接的非活性層7的材料變?yōu)锳l以及Cll之后與反射層5的粘接強度減小。結果高溫高濕條件下發(fā)生剝離,中間層的效果被削弱??梢酝茰y,由此,高溫高濕條件下的光照射條件使得第三保護層6的紫外線硬化樹脂與反射層5的Ag或者Ag合金活化,記錄特性因此而惡化。在第二實施方式中,在沒有在空基板B中形成遮光層9的情況下,為了抑制因為光照射導致第三保護層6的紫外線硬化樹脂與反射層5的Ag或者Ag合金的化學反應活化,在反射層5和第三保護層6之間必須釆用高度粘接的非活性層7。這種材料優(yōu)選與反射層5的界面的粘接強度在1.6MPa以上。如果粘接強度小于1.6MPa,則在高溫高濕條件下發(fā)生剝離,在光照射影響之前就發(fā)生記錄特性的惡化。如上所述,為使光不照射到Ag或者Ag合金的反射層5中,粘合的空基板B以及第三保護層6和粘接層C具有遮光性的第一實施方式的光記錄介質,或者在Ag或Ag合金的反射層5與第三保護層6之間插入高度粘接的非活性層7的第二實施方式的光記錄介質,哪一種介質構造都能有效維持良好的記錄特性。從生產角度考慮,可以采用上述任一種構造的制造方法。光記錄介質的第三實施方式圖6中顯示的設置高度粘接的非活性層7的信號基板Ab與圖3顯示的設置遮光層9的空基板B通過粘接層C粘接構成的光記錄介質為第三實施方式。把光記錄介質做成本第三實施方式的構成,就能夠控制向反射層5的透過率T,并且抑制反射層5的化學反應,因而能夠維持高溫高濕條件以及光照射條件下的記錄播放特性。權利要求1.一種利用記錄光來記錄信息的光記錄介質,其特征在于,具有信號基板,以及在該信號基板上層疊的支持體,所述信號基板,從所述信號基板的底面?zhèn)认蛩鲋С煮w側,由具有所述記錄光入射的第一入射面的第一基板以及在所述第一基板上順次層疊的至少以下部分構成記錄層;由含有Ag的物質構成的反射層;以及,由有機物類物質形成的保護層,所述非活性層抑制所述反射層與所述保護層的化學反應。2.如權利要求1的光記錄介質,其特征在于,所述支持體具有空基板以及粘結層。3.如權利要求1或者2的光記錄介質,其特征在于,所述反射層和所述非活性層之間的粘接強度大于等于1.6MPa。全文摘要提供一種在高溫高濕以及光(熒光燈、太陽光)等苛刻的環(huán)境條件下,也能維持優(yōu)異記錄特性的光記錄介質。光記錄介質D是用粘結層C粘結信號基板A以及空基板B而成的。信號基板A在具有記錄播放用的激光入射面A1的基板1上至少順次層疊具有通過光而記錄信息的記錄層、由Ag或者Ag合金構成的反射層、由有機物質構成的保護層而形成。空基板B由基板和遮光層構成,從入射面B1一側照射波長為350nm的光而得到的從入射面B1至反射層的透過率T在0~25%范圍內。文檔編號G11B7/243GK101105959SQ200710140829公開日2008年1月16日申請日期2004年12月15日優(yōu)先權日2003年12月16日發(fā)明者久保尚之,出野隆之,松本郁夫,田畑浩,神原理申請人:日本勝利株式會社