專利名稱：：信息記錄介質(zhì)和信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種允許使用各種激光束進(jìn)行信息記錄和重放處理的信息記錄介質(zhì)，以及一種實(shí)現(xiàn)該記錄和重放處理的盤設(shè)備。
背景技術(shù)：
：作為能夠重放和記錄大容量的視頻信息的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，DVD(數(shù)字多功能光盤)已經(jīng)盛行。在DVD上記錄有大約兩個(gè)小時(shí)的影像或視頻內(nèi)容，并使用播放器重放所記錄的信息，則用戶可以在家中自由地享受比如影像等的視頻內(nèi)容。近年來(lái)提出了電視廣播的數(shù)字化，并且計(jì)劃進(jìn)行一種稱作高清晰度電視(HDTV)系統(tǒng)的高分辨率電視系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用。為此，提出了下一代DVD的標(biāo)準(zhǔn)，其通過(guò)縮短激光波長(zhǎng)、增大數(shù)值孔徑NA等等來(lái)減小射束點(diǎn)的尺寸，以提高記錄容量。如日本專利申請(qǐng)公開2004-206849所公開的，提高記錄容量的方法除了減小射束點(diǎn)尺寸的方法之外，還包括使用單面可記錄/可重放型多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)的方法，其中該介質(zhì)通過(guò)在光盤上提供多個(gè)記錄層、在光軸方向上移動(dòng)物鏡、以及從一面把光束聚焦在各個(gè)層上而實(shí)現(xiàn)各個(gè)記錄層的記錄和重放。在這樣的多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，當(dāng)把激光束聚焦在預(yù)定的記錄層時(shí)，由于一些光分量照射在預(yù)定記錄層以外的記錄層上而容易發(fā)生層間串?dāng)_(層間XT)。該層間XT不僅影響記錄和重放信號(hào)，還影響尋軌信號(hào)等等。在實(shí)際的記錄/重放設(shè)備中，由于設(shè)備內(nèi)的溫度升高，存儲(chǔ)重放介質(zhì)趨于輕微的變形。在這種情況下會(huì)發(fā)生所謂的光盤傾斜，并且在記錄或重放信息時(shí)產(chǎn)生比如誤碼率增加等不利的影響。該光盤傾斜不僅影響記錄和重放信號(hào)，還影響尋軌信號(hào)等等。在此單面可記錄/可再現(xiàn)型多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，各個(gè)記錄層的軌道由于粘合基片的重合不良、壓模的偏心、以及生產(chǎn)中的類似原因而易于發(fā)生偏心。偏心意味著偏離精確的圓形以及偏離其它層的對(duì)應(yīng)軌道。如果偏離信息記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)中心的偏心情況惡化，則信息記錄介質(zhì)的記錄/重放特性中會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，在最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致無(wú)法尋軌。為了解決此問(wèn)題，例如日本專利申請(qǐng)公開2003-263789中所公開的，提出一種通過(guò)測(cè)量盤形信息記錄介質(zhì)的內(nèi)圓周邊緣來(lái)檢驗(yàn)光盤的偏心量等以判定缺陷的方法。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)包括形成在具有同心圓或螺旋形狀軌道的透明基片上的第一信息層，以及形成在第一信息層上的第二信息層，并且該信息記錄介質(zhì)允許使用預(yù)定波長(zhǎng)的光從一面進(jìn)行光學(xué)記錄和重放，該信息記錄介質(zhì)的特征在于信息層的軌道的偏心量處在0至70pm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/重放設(shè)備是用于在多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法的特征在于包括以下步驟使用激光束照射裝置來(lái)用激光束照射多層信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620腿范圍內(nèi)的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放，并且測(cè)量第一和第二信息層軌道的至少一周的反射光的反射分布；以及通過(guò)由圖像處理單元對(duì)所得的反射分布進(jìn)行處理來(lái)提取軌道的路徑，并且由運(yùn)算和控制單元基于所提取的信息來(lái)計(jì)算軌道的偏根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備的特征在于包括照射系統(tǒng)，其被配置來(lái)使用不包含620nm或更小波長(zhǎng)的光分量的光源(illumination)來(lái)照射多層信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放；圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)，其被配置來(lái)感測(cè)第一信息層和第二信息層的軌道的圖像；圖像處理單元，其被配置來(lái)通過(guò)處理由圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)獲得的圖像信息來(lái)提取軌道路徑；以及運(yùn)算和控制單元，其被配置來(lái)基于所提取的信息計(jì)算軌道的偏根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有極好的尋軌、記錄、和重放穩(wěn)定性的信息記錄介質(zhì)。本發(fā)明的附加目的和優(yōu)點(diǎn)將在后續(xù)說(shuō)明中闡述，并且部分地在說(shuō)明中顯見(jiàn)，或者可以在本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)中得出。通過(guò)后文中特別指出的方法及組合，本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)將得以實(shí)現(xiàn)和獲得。并入說(shuō)明書并構(gòu)成其一部分的附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，并且同前面給出的一般說(shuō)明和后面給出的對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明一起，用于闡述本發(fā)明的原理。圖1是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)的示意剖視圖2是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖4是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖5是示出用于根據(jù)第九方面的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備示例的示意圖6是示出用于根據(jù)第十方面的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備示例的示意圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的另一個(gè)示例的剖視圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)示例的剖視圖9是本發(fā)明中所使用的處理室的框圖IO是示出形成層的處理過(guò)程的流程圖IIA和IIB是根據(jù)本發(fā)明的檢驗(yàn)方法的示意圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一種檢驗(yàn)方法的示意圖13是示出線速度、偏心量和尋軌之間的關(guān)系的曲線圖14是用于說(shuō)明可用于本發(fā)明的信息記錄/重放設(shè)備的實(shí)施例的布置的框圖15是示出使用P體L檢測(cè)方法的信號(hào)處理電路的框圖16是示出Viterbi解碼器156中的布置的框圖；圖17是示出PR(1，2，2，2，1)類中的狀態(tài)轉(zhuǎn)換的示圖；18是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和尺寸的示圖19是示出在具有單層結(jié)構(gòu)的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)或只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上設(shè)置物理扇區(qū)號(hào)的方法的示圖20A和20B是示出在具有雙層結(jié)構(gòu)的只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上設(shè)置物理扇區(qū)號(hào)的方法的示圖21是示出在可寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上設(shè)置物理扇區(qū)號(hào)的方法的表；圖22是示出可寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的通用參數(shù)值的表；圖23A、23B、23C、23D、23E和23F是示出各種類型的信息存儲(chǔ)介質(zhì)在數(shù)據(jù)區(qū)DTA和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)上的比較的示圖24是示出用于在驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶上進(jìn)行試寫的記錄脈沖的波形(寫策略)的示圖25是示出記錄脈沖形狀的定義的示圖26是示出控制數(shù)據(jù)帶CDZ和R物理信息帶RIZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的示圖27是示出物理格式信息PFI和R物理格式信息R—PFI中的詳細(xì)信息內(nèi)容的表；圖28是示出到物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)形成為止的轉(zhuǎn)換順序的總覽的示圖29是示出數(shù)據(jù)幀中的結(jié)構(gòu)的示圖30是ECC塊結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖31是加擾幀陣列的說(shuō)明圖32是P0的交叉方法的說(shuō)明圖33A和33B是物理扇區(qū)中的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖34是同步碼圖案內(nèi)容的說(shuō)明圖35是示出調(diào)制塊的布置的框圖36是示出用于各類信息記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄格式的比較的示圖37A和37B是現(xiàn)有技術(shù)的各類信息記錄介質(zhì)中數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的對(duì)比說(shuō)明圖38是現(xiàn)有技術(shù)的各類信息記錄介質(zhì)中數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的對(duì)比說(shuō)明圖39是示出要被記錄在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的可重寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄方法的示圖40是要被記錄在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的可重寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)隨機(jī)移位的說(shuō)明圖41是要被記錄在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一次寫入型數(shù)據(jù)的一次寫入方法的說(shuō)明圖42是示出在圖32中所示的PO交叉之后ECC塊的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的示圖43A、43B、和43C是示出以標(biāo)記長(zhǎng)度/前一個(gè)間隔的長(zhǎng)度的函數(shù)形式表達(dá)的記錄狀態(tài)參數(shù)的表；圖44是與要被記錄在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一次寫入型數(shù)據(jù)的一次寫入方法相關(guān)的另一個(gè)實(shí)施例的說(shuō)明圖45是示出包括圖14中所示的同步碼位置提取單元145的外圍單元的詳細(xì)布置的框圖46是示出信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的結(jié)構(gòu)和尺寸示例的示圖47是擺動(dòng)形狀與地址位區(qū)中的地址位之間的關(guān)系的說(shuō)明圖48A、48B、48C、和48D是擺動(dòng)同步圖案與擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的分配之間的位置關(guān)系的對(duì)比說(shuō)明圖49A、49B、49C、和49D是與一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的說(shuō)明圖50示出在光盤的特定層的記錄或重放期間另一個(gè)層上的光束；圖51是用于說(shuō)明用于防止其它層影響的余隙的示圖52示出層0上的PSN和層1上對(duì)應(yīng)的可記錄物理扇區(qū)；圖53是示出導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的配置的示圖；圖54是示出初始化中間區(qū)的配置的示圖55是示出軌道路徑的示圖56是示出物理扇區(qū)布局和物理扇區(qū)號(hào)的示圖57是示出中間區(qū)在擴(kuò)展前后的配置的示圖；圖58是示出中間區(qū)在擴(kuò)展前的配置的示圖59是示出中間區(qū)在小尺寸擴(kuò)展后的配置的示圖；圖60是示出中間區(qū)在大尺寸擴(kuò)展后的配置的示圖61是示出兩個(gè)相鄰軌道的總覽以說(shuō)明物理段類型的選擇順序的示圖62是示出在層1最終完成時(shí)記錄的結(jié)束符示例的示圖63是示出在層1最終完成時(shí)記錄的結(jié)束符的其它示例的示圖64是示出記錄序列的修改示例的流程圖；以及圖65是示出記錄序列的另一個(gè)修改示例的流程圖。具體實(shí)施例方式下面將參考附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。大體上，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，披露了一種信息記錄介質(zhì)，其包括形成在具有同心圓或螺旋形狀軌道的透明基片上的第一信息層，以及形成在第一信息層上的第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用預(yù)定波長(zhǎng)的光從一個(gè)表面進(jìn)行光學(xué)記錄和重放，在該信息記錄介質(zhì)中信息層的軌道的偏心量處在0至70|im的范圍內(nèi)。圖1是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖l所示，本發(fā)明的一種信息記錄介質(zhì)20基本上是可以從一面進(jìn)行光學(xué)記錄/重放的信息記錄介質(zhì)，其包括形成在具有同心圓或螺旋形狀(未示出)軌道的透明基片21上的第一信息層22，以及形成在第一信息層22上的第二信息層23，并且其特征在于信息層的軌道的偏心量處在0至70,的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明，由于偏心量是70nm或更低，從而即使在易于發(fā)生層間串?dāng)_的狀態(tài)下也能夠穩(wěn)定地獲得記錄和重放信號(hào)以及尋軌信號(hào)。依據(jù)第一和第二信息層的配置、及其記錄/重放光的波長(zhǎng)，把根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)大致分成如下的七個(gè)方面。圖2是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的第一方面的信息記錄介質(zhì)30能夠接受使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光進(jìn)行的記錄和重放。介質(zhì)30的第一信息層22形成在透明基片21上，并且包括第一有機(jī)染料層24和形成在第一有機(jī)染料層24上的第一反射層25。介質(zhì)30的第二信息層23形成在第一反射層25上，并且具有第二有機(jī)染料層26和形成在第二有機(jī)染料層26上的第二反射層27。根據(jù)第一方面的信息記錄介質(zhì)能夠接受使用620nm或更小的短波長(zhǎng)的光例如405nm的藍(lán)紫激光之類進(jìn)行的記錄和重放，并且由于其記錄層包括有機(jī)染料層從而能夠用作一次寫入型光學(xué)記錄介質(zhì)(例如DVD-R之類)。用于光學(xué)分離第一和第二信息層的作為夾層電介質(zhì)層的中間層可以形成在第一反射層和第二有機(jī)染料層之間。應(yīng)注意，在本發(fā)明中，偏心量包括從盤狀基片的中心的偏離以及從基片的旋轉(zhuǎn)中心的偏離，它們分別指示從第一和第二信息層上的軌道偏離的最大值。在本發(fā)明中，假設(shè)反射層包括全反射層和半透明反射層。在本發(fā)明中，多層信息記錄介質(zhì)具有兩個(gè)或更多信息層，而可以任意提供更多的信息層比如第三信息層、第四信息層之類。圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的第二方面的信息記錄介質(zhì)40能夠接受使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光進(jìn)行的記錄和重放。介質(zhì)40的第一信息層22形成在透明基片21上，并且包括第一電介質(zhì)層31、第一相變記錄層34、第二電介質(zhì)層38、以及第一反射層35。介質(zhì)40的第二信息層23經(jīng)由中間層33形成在第一信息層22上，并且具有第三電介質(zhì)層32、第二相變記錄層36、第四電介質(zhì)層39、以及第二反射層37。根據(jù)第二方面的信息記錄介質(zhì)能夠接受使用620nm或更小的短波長(zhǎng)的光例如405nm的藍(lán)紫激光之類進(jìn)行的記錄和重放，并且由于其記錄層包括相變記錄層從而能夠用作可重寫型光學(xué)記錄介質(zhì)(例如DVD-RW、謂-應(yīng)之類)電介質(zhì)層可以任意包括保護(hù)層、界面層等。界面層可以與第一和第二相變記錄層的主面中的一個(gè)或兩個(gè)形成接觸。整個(gè)電介質(zhì)層可以作為界面層。第一和第二反射層可以形成來(lái)與各個(gè)信息層的對(duì)應(yīng)電介質(zhì)層接觸。另一個(gè)電介質(zhì)層可以形成在反射層之上以獲得光學(xué)增強(qiáng)、熱擴(kuò)散、SN比提高等等。圖4是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三方面的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的第三方面的信息記錄介質(zhì)能夠接受使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光進(jìn)行的記錄和重放。介質(zhì)50的第一信息層22包括模壓在透明樹脂基片21的表面上的第一信息圖案44，和形成在該第一信息圖案上的第一反射層45。介質(zhì)50的第二信息層23形成在第一反射層上，并且具有透明樹脂層46或者模壓了第二信息圖案47的透明樹脂基片、以及形成在第二信息圖案47上的第二反射層48。根據(jù)第三方面的信息記錄介質(zhì)能夠接受使用620nm或更小的短波長(zhǎng)的光例如405nm的藍(lán)紫激光之類進(jìn)行的重放，并且由于其記錄層包括模壓的信息圖案從而能夠用作只讀型光學(xué)記錄介質(zhì)(例如DVD-ROM之類)o根據(jù)第四方面的信息記錄介質(zhì)除開其記錄和重放是以30(m/sec)或更高的線速度完成，以及使用波長(zhǎng)在620nm(不含)到830nm(含)范圍內(nèi)的光以外，其結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一方面的介質(zhì)相同。根據(jù)第五方面的信息記錄介質(zhì)除開其記錄和重放是以30(m/sec)或更高的線速度完成，以及使用波長(zhǎng)在620nm(不含)到830nm(含)范圍內(nèi)的光以外，其結(jié)構(gòu)與根據(jù)第二方面的介質(zhì)相同。根據(jù)第六方面的信息記錄介質(zhì)除開其重放能夠使用兩種或更多種不同波長(zhǎng)的光來(lái)實(shí)現(xiàn)以外，其結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一方面的介質(zhì)相同。根據(jù)第七方面的信息記錄介質(zhì)除開其重放能夠使用兩種或更多種不同波長(zhǎng)的光來(lái)實(shí)現(xiàn)以外，其結(jié)構(gòu)與根據(jù)第二方面的介質(zhì)相同。根據(jù)本發(fā)明的第八方面的信息記錄/重放設(shè)備是記錄和重放根據(jù)第一至第七方面的信息記錄介質(zhì)之一的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的用于信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備大致分成兩個(gè)方面，即第九和第十方面。圖5是示出根據(jù)第九方面的用于信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備示例的示意圖。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的用于信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備70具有機(jī)構(gòu)74，該機(jī)構(gòu)74夾持多層信息記錄介質(zhì)71，該介質(zhì)71包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的激光從一個(gè)表面進(jìn)行重放；照射系統(tǒng)73，其使用不包含620nm或更小波長(zhǎng)的光分量的光源照射多層信息記錄介質(zhì)71;圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)72，比如CCD攝像機(jī)等，其感測(cè)第一信息層和第二信息層的軌道的圖像；圖像處理單元75，其通過(guò)處理由圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)72獲得的圖像信息來(lái)提取軌道路徑；以及運(yùn)算和控制單元76，其基于所提取的信息計(jì)算軌道的偏心量。該單元是個(gè)人計(jì)算機(jī)或類似設(shè)備。圖6是示出根據(jù)第十方面的用于信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備示例的示意圖。如圖6所示，用于信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備90具有與圖5所示相同的布置，不同處在于，代替了圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)72，其包括比如LD、LED之類的光源79、使來(lái)自光源79的光按照預(yù)定的方向衍射的鏡78、用于聚焦被鏡78衍射的光并且使用聚焦的光照射期望記錄層的軌道的透鏡91、以及接收被記錄層反射的光的反射測(cè)量裝置77(例如光檢測(cè)器)。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法大致分成兩個(gè)方面，即第11和第12方面。根據(jù)第ll方面的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法是使用根據(jù)第九方面的檢驗(yàn)設(shè)備的方法，其包括以下步驟以不包含620nm或更小的波長(zhǎng)分量的光源照射多層的信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的激光束從一個(gè)表面進(jìn)行重放；使用圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)通過(guò)把光點(diǎn)聚焦在第一和第二信息層的軌道上來(lái)感測(cè)至少一周軌道的圖像；由圖像處理單元對(duì)所得的圖像信息進(jìn)行處理以提取軌道的路徑；以及由運(yùn)算和控制單元基于所提取的信息來(lái)計(jì)算軌道的偏心量。此外，根據(jù)第12方面的信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法是使用根據(jù)第十方面的檢驗(yàn)設(shè)備的方法，并且該方法與根據(jù)第11方面的方法相同，不同處在于該方法包括以下步驟在使用激光束照射裝置用激光束照射多層信息記錄介質(zhì)的同時(shí)，使用反射分布測(cè)量機(jī)構(gòu)測(cè)量第一和第二信息層至少一周軌道的反射光的反射分布，以該步驟代替使用不包含620rnn或更小波長(zhǎng)的光分量的光源照射多層信息記錄介質(zhì)、并且使用圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)通過(guò)把光點(diǎn)聚焦在第一和第二信息層的軌道上來(lái)感測(cè)至少一周軌道的圖像的步驟；以及通過(guò)對(duì)用來(lái)代替所獲得的圖像信息的反射分布進(jìn)行圖像處理來(lái)提取軌道路徑。根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的操作將在下文中詳細(xì)說(shuō)明。圖7示出與第一、第四、和第六方面相關(guān)的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的另一個(gè)示例。信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有如下結(jié)構(gòu)，從光入射側(cè)開始，通過(guò)在透明基片2-3上依次層疊有機(jī)染料記錄層3-3和反射層4-3而制備出L0信息層，通過(guò)在L0層上依次層疊作為粘合層的夾層電介質(zhì)層7、有機(jī)染料記錄層3-4、和反射層4-4而制備Ll信息層，而另一個(gè)透明基片8粘合在所得結(jié)構(gòu)之上。注意信息存儲(chǔ)介質(zhì)可以具有這樣一種結(jié)構(gòu)，即反射層4-4和有機(jī)染料記錄層3-4依次層疊在用于Ll信息層的透明基片8上，所得的結(jié)構(gòu)可以使用夾層電介質(zhì)層7作為粘合層而被粘合到L0信息層上。注意根據(jù)本方面的實(shí)施例的有機(jī)染料記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)不限于圖7中所示。例如，可以在有機(jī)染料記錄層3-3和反射層4-3之間形成這樣的層，其用于防止由于反射層或半透明反射層與有機(jī)染料的接觸而造成的反射層或半透明反射層與有機(jī)染料之間發(fā)生的任何反應(yīng)，或者防止反射層或半透明反射層的任何變化或劣變。反射層可以由多個(gè)金屬層構(gòu)成。更多的電介質(zhì)層可以形成在有機(jī)染料記錄層和反射層之間、有機(jī)染料和夾層電介質(zhì)層之間、半透明反射層和夾層電介質(zhì)層之間、反射層和透明基片之間等等的接觸位置處。在雙層介質(zhì)的情況下，具有上述結(jié)構(gòu)的更靠近光入射面的第一信息層和距離光入射面較遠(yuǎn)的第二信息層被制備，并且這兩個(gè)信息層可以通過(guò)粘合層粘合以實(shí)現(xiàn)夾層分離。同樣的方法基本可以用于具有三個(gè)或更多層的多層介質(zhì)。此外，本發(fā)明也適用于經(jīng)由粘合在形成有各種層的基片上的薄約0.lmm的透明薄片來(lái)接收光的介質(zhì)(假設(shè)這種介質(zhì)使用高達(dá)0.85的NA的物鏡)。這是因?yàn)樗糜袡C(jī)染料記錄薄膜層和反射層材料所需的特性在以下兩種情況中的差別并不大，即在光入射面上使用薄約0.lmm的透明覆蓋層的情況，以及使用主要應(yīng)用于本發(fā)明的0.6mm厚透明基片的情況。圖8示出與第二和第五方面相關(guān)的可重寫型信息記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的示例。信息記錄介質(zhì)具有如下結(jié)構(gòu)，從光入射面開始，通過(guò)在透明基片80上依次層疊第一干涉層81(也稱為包含層或電介質(zhì)層；同樣應(yīng)用在以下說(shuō)明中)、下界面層82、記錄層83、上界面層84、第二干涉層85、反射層86、以及第三干涉層87來(lái)制備L0信息層，通過(guò)在透明基片80上按照與L0層相反的順序依次層疊反射層86、第二干涉層85、上界面層84、記錄層83、下界面層82、以及第一干涉層81來(lái)制備Ll信息層，并且兩個(gè)信息層通過(guò)夾層電介質(zhì)層88粘合在一起。注意根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)不限于圖8中所示。例如，可以在第二干涉層85和反射層86之間形成另一個(gè)電介質(zhì)層。干涉層可以被界面層的材料取代或者忽略。反射層也可以忽略。每個(gè)反射層可以由多個(gè)金屬層構(gòu)成。在反射層上可以形成另一個(gè)電介質(zhì)層。本實(shí)施例中使用的基片大致分為兩種。(a)—種基片具有約為0.6到0.8pm的溝槽間距，并且使用既在槽岸也在溝槽上進(jìn)行記錄的所謂槽岸溝槽記錄方法。在后面的描述中，使用此類型基片的介質(zhì)將被稱為可重寫型(1)信息記錄介質(zhì)。(b)另一種基片具有約為0.3到0.4)Lim的溝槽間距，并且使用僅在槽岸或僅溝槽上進(jìn)行記錄的所謂溝槽記錄方法(僅在槽岸上記錄的方法也稱為溝槽記錄方法)。在后面的描述中，使用此方法的可重寫型介質(zhì)也將被稱為可重寫型(2)信息記錄介質(zhì)。此外，使用有機(jī)染料記錄層并且僅允許記錄一次的介質(zhì)將被稱為一次寫入型介質(zhì)(一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(一次寫入型介質(zhì)))。在寫入之后，該介質(zhì)被設(shè)計(jì)為使得已寫凹坑在軌道方向上的間距變成與只讀型存儲(chǔ)介質(zhì)相同的O.3到0.4)im。在只讀型介質(zhì)上不形成溝槽，使用凹坑陣列來(lái)記錄數(shù)據(jù)。與光學(xué)拾取器的物鏡的NA值一致，光入射面上的基片厚度可以處在約為0.1mm的很小厚度到0.6mm的厚度的范圍內(nèi)。下文將要描述的示例使用這些信息記錄/重放設(shè)備和光盤(信息記錄介質(zhì))。對(duì)上述方面進(jìn)行仔細(xì)考慮的結(jié)果是，本發(fā)明人得出結(jié)論下文將要描述的要點(diǎn)很重要。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各信息層的軌道偏心量是例如70pra或更小、并且更優(yōu)選地是40nm或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)受到使用波長(zhǎng)在620nm(含)到180nm(含)范圍內(nèi)的光進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且包括透明基片、夾層電介質(zhì)層、有機(jī)染料材料、以及反射層或半透明反射層，或者其中在反射層或半透明反射層與有機(jī)染料記錄層之間形成了一個(gè)層，其用來(lái)防止由于反射層或半透明反射層與有機(jī)染料的接觸而造成的反射層或半透明反射層與有機(jī)染料之間發(fā)生任何反應(yīng)，或者防止反射層或半透明反射層的任何變化或劣變。由于建立了下文將要描述的精確評(píng)定方法，使得軌道的偏心量可以精確地呈現(xiàn)。因此，建立下列評(píng)定方法是本發(fā)明的重要前提之一。本發(fā)明的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的特性很大程度上取決于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)信息的記錄、以及記錄方法，如前文所述。通常，由于未建立精確評(píng)定方法、在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的生產(chǎn)過(guò)程中存在各種變化因素等等的影響，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等以及信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和重放特性的改善和穩(wěn)定性無(wú)法得到檢査。本發(fā)明人致力于探索信息存儲(chǔ)介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)，以及介質(zhì)中所使用的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、記錄方法等等，并且對(duì)以往尚未探索的要點(diǎn)進(jìn)行研究，從而得出了本發(fā)明。不僅描述了本發(fā)明的測(cè)量每個(gè)軌道偏心量的方法的測(cè)量原理，并且應(yīng)用此方法的設(shè)備可以用作工業(yè)批量生產(chǎn)該存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)的檢驗(yàn)設(shè)備。傳統(tǒng)使用的方法不具備足夠的測(cè)量精度，并且需要非常復(fù)雜的測(cè)量。使用本發(fā)明的評(píng)定方法，可以以幾秒鐘一個(gè)介質(zhì)的速率來(lái)檢驗(yàn)存儲(chǔ)介質(zhì)，即相當(dāng)于制造一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)所需的時(shí)間段。因此，本發(fā)明的評(píng)定方法非常適合于工業(yè)生產(chǎn)。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各個(gè)信息層的軌道偏心量是例如70,或更小、并且更優(yōu)選地是40網(wǎng)或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)使用波長(zhǎng)在620nm(含)到180nm(含)范圍內(nèi)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且包括透明基片、夾層電介質(zhì)層、相變記錄材料、保護(hù)層、干涉層、以及反射層或半透明反射層，和形成在半透明反射層上的另一個(gè)保護(hù)層。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各個(gè)信息層的軌道偏心量是例如70,或更小、并且更優(yōu)選地是40，或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)以波長(zhǎng)為620nm(含)到180nra(含)范圍內(nèi)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且包括模壓有信息的透明基片、夾層電介質(zhì)層、以及反射層或半透明反射層。一種測(cè)量各信息層的各個(gè)軌道的偏心量的評(píng)定方法是優(yōu)選的，其通過(guò)使用一種圖像處理設(shè)備和運(yùn)算和控制設(shè)備來(lái)把射束點(diǎn)聚焦在各信息層從而評(píng)定軌道的偏心量，其中該圖像處理設(shè)備包括不包含波長(zhǎng)為620nm或更短波長(zhǎng)的光分量的照射系統(tǒng)、CCD攝像機(jī)、以及軌道提取機(jī)構(gòu)。特別是，由于使用有機(jī)染料的介質(zhì)的材料被照射光改變，因此本發(fā)明的檢驗(yàn)方法選擇所用照射系統(tǒng)的光的波長(zhǎng)。另一方面，在照射系統(tǒng)中使用的光源的波長(zhǎng)范圍很大程度上影響檢測(cè)系統(tǒng)CCD攝像機(jī)的敏感度、測(cè)量精度、和測(cè)量時(shí)間。為了提高檢測(cè)精確度，所用光源的波長(zhǎng)范圍優(yōu)選地是較短。反過(guò)來(lái)，考慮到有機(jī)染料的敏感度，如果使用620nm或更短波長(zhǎng)的光，則有機(jī)染料會(huì)在評(píng)定時(shí)發(fā)生不期望的變化。一種作為測(cè)量各信息層的各軌道偏心量的方法的評(píng)定方法是優(yōu)選的，其通過(guò)使用圖像處理設(shè)備和運(yùn)算和控制設(shè)備聚焦在各信息層上以評(píng)定軌道的偏心量，其中該圖像處理設(shè)備包括激光照射裝置、反射分布測(cè)量機(jī)構(gòu)、以及軌道提取機(jī)構(gòu)。特別是，由于使用有機(jī)染料的介質(zhì)的材料被照射光改變，因此本發(fā)明的檢驗(yàn)方法可以選擇所用照射系統(tǒng)的光的波長(zhǎng)。另一方面，在照射系統(tǒng)中使用的光源的波長(zhǎng)范圍很大程度上影響檢測(cè)系統(tǒng)CCD攝像機(jī)的敏感度、測(cè)量精度、和測(cè)量時(shí)間。為了提高檢測(cè)精確度，所用光源的波長(zhǎng)范圍優(yōu)選地是較短。反過(guò)來(lái)，考慮到有機(jī)染料的敏感度，如果使用620mn或更短波長(zhǎng)的光，則有機(jī)染料會(huì)在評(píng)定時(shí)發(fā)生不期望的變化。一種作為測(cè)量各信息層的各軌道偏心量的方法的評(píng)定方法是優(yōu)選的，其評(píng)定軌道偏心量的特征在于使用波長(zhǎng)超過(guò)620nm的激光照射裝置。一種作為測(cè)量上述各信息層的各軌道偏心量的方法是優(yōu)選的，其使用為了對(duì)寫策略的學(xué)習(xí)、優(yōu)化等目的而進(jìn)行了試記錄的軌道來(lái)進(jìn)行軌道偏心量測(cè)量。使用前述評(píng)定方法測(cè)量各信息層的各軌道偏心量的測(cè)量設(shè)備是優(yōu)選的。包括前述評(píng)定方法的信息記錄/重放設(shè)備是優(yōu)選的。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各信息層的軌道偏心量是例如70,或更小、并且更優(yōu)選地是40叫或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)使用超過(guò)620nm的波長(zhǎng)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且以30m/sec或更高、更優(yōu)選地是以40m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)，并且包括透明基片、夾層電介質(zhì)層、有機(jī)染料材料、以及反射層或半透明反射層，或者其中在反射層或半透明反射層與有機(jī)染料記錄層之間形成一個(gè)層，其用于防止由于反射層或半透明反射層與有機(jī)染料材料的接觸而造成的反射層或半透明反射層與有機(jī)染料之間發(fā)生的任何反應(yīng)，或者防止反射層或半透明反射層的任何變化或劣變。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各信息層的軌道偏心量是例如70,或更小、并且更優(yōu)選地是40pm或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)使用波長(zhǎng)在620nm(含)到180nm(含)范圍內(nèi)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且以30m/sec或更高、更優(yōu)選地是以40m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)，并且包括透明基片、夾層電介質(zhì)層、相變記錄材料、保護(hù)層、干涉層、以及反射層或半透明反射層和另一個(gè)保護(hù)層。本發(fā)明是一種單面多層介質(zhì)，其具有多個(gè)使用620nm或更短波長(zhǎng)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層，并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且該介質(zhì)已經(jīng)被檢查過(guò)。發(fā)現(xiàn)即使在波長(zhǎng)是620nm或更長(zhǎng)時(shí)這些技術(shù)也是適用的。還發(fā)現(xiàn)，在以很高的線速度進(jìn)行記錄和重放時(shí)這些效果更加明顯，并且這些技術(shù)優(yōu)選地適用于以40m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)。此外，當(dāng)把上述技術(shù)應(yīng)用到以50ra/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)的不同是顯著的。在應(yīng)用于620nra或更短波長(zhǎng)的情況下以高線速度獲得的相同效果，并且當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用在以30m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)、優(yōu)選地以40m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)、以及尤其優(yōu)選地以50m/sec或更高的線速度驅(qū)動(dòng)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)的不同十分顯著。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是其中各信息層的軌道偏心量是例如70萍或更小、并且更優(yōu)選地是40,或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)以多種波長(zhǎng)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且包括透明基片、夾層電介質(zhì)層、有機(jī)染料材料、以及反射層或半透明反射層，或者其中在反射層或半透明反射層與有機(jī)染料記錄層之間形成一個(gè)層，其用于防止由于反射層或半透明反射層與有機(jī)染料材料的接觸而造成的反射層或半透明反射層與有機(jī)染料材料之間發(fā)生任何反應(yīng)，或者防止反射層或半透明反射層的任何變化或劣變。在作為單面多層介質(zhì)的信息記錄/重放介質(zhì)中，優(yōu)選的是各個(gè)信息層的軌道偏心量是例如70pra或更小、并且更優(yōu)選地是40pm或更小的信息記錄/重放介質(zhì)，所述信息記錄/重放介質(zhì)具有多個(gè)以多種波長(zhǎng)的光來(lái)進(jìn)行記錄或重放的信息層并且能夠從一面訪問(wèn)各個(gè)層，并且包括模壓有信息的透明基片、夾層電介質(zhì)層、以及反射層或半透明反射層。優(yōu)選的是這樣一種信息記錄/重放介質(zhì)，其是前述信息記錄/重放介質(zhì)并具有以下特征，即形成有每個(gè)信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同的擺動(dòng)形狀的徑向位置中的任意一個(gè)依據(jù)信息層的不同而不同。優(yōu)選的是這樣一種信息記錄/重放介質(zhì)，其是前述信息記錄/重放介質(zhì)并具有以下特征，即形成有每個(gè)信息層的徑向位置、結(jié)晶位置、和初始化位置的任一個(gè)依據(jù)信息層的不同而不同。在后續(xù)的說(shuō)明中將描述單面雙層介質(zhì)的示例。此外，作為以試驗(yàn)方式制造的光盤的測(cè)量數(shù)據(jù)，L0和L1的槽岸(L)和溝槽(G)在每個(gè)實(shí)驗(yàn)中的最差值被指示為代表值。用于評(píng)定可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的光盤特性的實(shí)驗(yàn)大致分成以下三個(gè)實(shí)驗(yàn)。(1)位誤碼率(SbER:仿真位誤碼率)的測(cè)量一個(gè)實(shí)驗(yàn)是用以測(cè)量數(shù)據(jù)誤碼率的位誤碼率(SbER:仿真位誤碼率)以及PRSNR的測(cè)量。另一個(gè)實(shí)驗(yàn)是用于確定讀出信號(hào)質(zhì)量的模擬測(cè)量。在SbER和PRSNR的測(cè)量中，包括從2T到13T的隨機(jī)圖案的標(biāo)記串被覆寫10次。然后，相同的隨機(jī)圖案在前一軌道兩側(cè)的相鄰軌道上覆寫10次。然后測(cè)量該中間軌道的SbER和PRSNR。(2)模擬測(cè)量模擬測(cè)量如下進(jìn)行。首先，包括從2T到13T的隨機(jī)圖案的標(biāo)記串被覆寫10次。然后，一個(gè)9T的單個(gè)圖案在此標(biāo)記串上覆寫一次，并使用光譜分析儀測(cè)量該9T標(biāo)記的信號(hào)頻率的載噪比(CNR)。此后，發(fā)射具有擦除功率等級(jí)的激光束并持續(xù)光盤一轉(zhuǎn)的周期，以擦除記錄的標(biāo)記。在這種狀態(tài)下，該9T標(biāo)記的載波強(qiáng)度的減少被測(cè)量，并被定義為擦除率(ER)。然后光頭移動(dòng)到足夠遠(yuǎn)的軌道以測(cè)量交叉擦除(E-X)。(3)覆寫(0W)測(cè)試作為第三種測(cè)量，進(jìn)行關(guān)于覆寫(0W)特性的實(shí)驗(yàn)。在此實(shí)驗(yàn)中，測(cè)量CNR，同時(shí)在同一軌道上覆寫(0W)隨機(jī)信號(hào)，從而在CNR從初始值減少了2dB或更多時(shí)，檢査覆寫的計(jì)數(shù)是否達(dá)到2000或以上。此實(shí)驗(yàn)不用于檢査OW的計(jì)數(shù)極限。對(duì)視頻記錄來(lái)說(shuō)，0W的計(jì)數(shù)極限要求大約為1000。對(duì)PC的數(shù)據(jù)記錄來(lái)說(shuō)，0W的計(jì)數(shù)極限要求大然而，由于視頻記錄的市場(chǎng)遠(yuǎn)大于數(shù)據(jù)記錄的市場(chǎng)，所以該評(píng)定是針對(duì)視頻記錄而進(jìn)行。SbER的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是5.0X1(T或更低，PRSNR的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是15.0或更高。注意，對(duì)單面雙層光盤的讀功率的選擇考慮到介質(zhì)的光學(xué)特性(LO的反射率和透射率，Ll的反射率)和敏感度、以及重放信號(hào)的信號(hào)幅度和SN比，因此LO和Ll重放信號(hào)的SN比以及信號(hào)幅度幾乎是彼此相等的。當(dāng)全部特性符合目標(biāo)值時(shí)，記錄介質(zhì)被判定為"良好"，而當(dāng)至少一項(xiàng)特性不符合目標(biāo)值時(shí)，其被判定為"拒絕"。另一方面，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(一次寫入型介質(zhì))情況下，進(jìn)行以下四個(gè)實(shí)驗(yàn)(a)，(b)(1)對(duì)可重寫型介質(zhì)進(jìn)行的位誤碼率的測(cè)量；(C)調(diào)制；以及(d)數(shù)據(jù)部分的反射率和重放(讀)穩(wěn)定性。SbER的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是5.0X10—5或更低，PRSNR的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是15.0或更高，調(diào)制的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是0.4或更高，單面雙層介質(zhì)情況下的L0和Ll中每層的反射率的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是4%或更高，而讀穩(wěn)定性的評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)是在單面雙層介質(zhì)情況下使用O.4到0.8mW中適當(dāng)?shù)墓β蔬M(jìn)行連續(xù)讀取時(shí)，即使在讀取一百萬(wàn)次或更多次以后，特性(a)到特性(d)仍然符合目標(biāo)值。注意，對(duì)單面雙層光盤的讀功率的選擇考慮到介質(zhì)的光學(xué)特性(LO的反射率和透射率，Ll的反射率)和敏感度、以及重放信號(hào)的信號(hào)幅度和SN比，因此L0和Ll重放信號(hào)的SN比以及信號(hào)幅度幾乎是彼此相等的。當(dāng)全部特性符合目標(biāo)值時(shí)，記錄介質(zhì)被判定為"良好"，而當(dāng)至少一項(xiàng)特性不符合目標(biāo)值時(shí)，其被判定為"拒絕"。在可重寫型介質(zhì)的情況下，通過(guò)使用初始化設(shè)備把每層的整個(gè)介質(zhì)表面上的記錄薄膜結(jié)晶化。初始化之后，各層通過(guò)UV樹脂粘合，因此其上形成有薄膜的表面彼此相對(duì)，從而形成夾層電介質(zhì)層。一次寫入型介質(zhì)經(jīng)由用旋涂形成有機(jī)染料記錄薄膜、形成反射層、以及粘合或膠合的處理制成。只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)通過(guò)在以凹坑記錄信息的每個(gè)基片上形成反射層、并且使用UV樹脂粘合基片而制成。夾層電介質(zhì)層的厚度處于20pm到30,的范圍內(nèi)。使用可以從Pulstec公司購(gòu)買的ODU-1000光盤評(píng)定設(shè)備來(lái)執(zhí)行評(píng)定。此設(shè)備包括具有405rnn波長(zhǎng)的藍(lán)紫半導(dǎo)體激光，以及具有NA=0.65的物鏡。記錄/重放實(shí)驗(yàn)在線速度為5.6m/sec或6.6m/sec的狀態(tài)下進(jìn)行以評(píng)定可重寫型介質(zhì)，在線速度為6.6m/sec的狀態(tài)下進(jìn)行以評(píng)定一次寫入型介質(zhì)。注意，本發(fā)明也適用于經(jīng)由在形成有各層的基片上粘合薄約0.lmm的透明薄片來(lái)接收光的介質(zhì)(假設(shè)這種介質(zhì)使用高達(dá)0.85的NA的物鏡)。這是因?yàn)樗玫南嘧冇涗泴?、界面層、保護(hù)層、有機(jī)染料記錄層、和反射層材料所需的特性在以下兩種情況中的差別并不大，即在光入射面上使用薄約O.lmm的透明覆蓋層的情況，以及使用主要應(yīng)用于本發(fā)明的0.6mm厚透明基片的情況。下列示例將主要例示圖7和圖8中示出的單面雙層介質(zhì)，以幫助理解本發(fā)明的效果。示例1使用通過(guò)注塑成型制造的0.6mm厚聚碳酸酯(PC)基片作為基片。在基片上以0.4,的軌道間距形成溝槽。通過(guò)這樣的方式來(lái)制成單層介質(zhì)把染料用旋涂敷涂在基片上、采用濺射在染料薄膜上形成反射層、用UV-固化樹脂把0.6mm厚的PC基片粘合到所得的結(jié)構(gòu)上。另一方面，單面雙層介質(zhì)可以使用兩種不同的方法。在第一種方法中，通過(guò)這樣的方式來(lái)制成介質(zhì)用旋涂把染料敷涂在LO基片上、采用濺射在染料薄膜上形成半透明反射層、使用2P方法在反射層上形成夾層電介質(zhì)層、在夾層電介質(zhì)層中形成Ll的溝槽、采用旋涂把染料敷涂在夾層電介質(zhì)層上、采用濺射在染料薄膜上形成反射層、以及最后用UV-固化樹脂把0.6mm厚的PC基片粘合到所得的結(jié)構(gòu)上。按照這種方法，在形成L0層的半透明反射層之后，可以為了調(diào)節(jié)光學(xué)特性的目的而在反射層上形成另一個(gè)層。在第二種方法中，通過(guò)在基片上旋涂敷涂染料、并且在染料薄膜上形成半透明反射層而制備L0基片，并且通過(guò)在基片上用濺射首先形成反射薄膜、通過(guò)旋涂在反射層上敷涂染料而制備Ll基片。制成的L0和Ll層使用UV-固化樹脂粘合，因此它們的半透明層表面和有機(jī)染料表面彼此相對(duì)。按照此方法，為了作為L(zhǎng)l記錄層材料的有機(jī)染料的穩(wěn)定性或光學(xué)特性的調(diào)節(jié)，可以在作為L(zhǎng)l記錄層的有機(jī)染料層和UV-固化樹脂之間插入另一個(gè)層。本發(fā)明所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)使用由這兩種方法制成的介質(zhì)。所用的有機(jī)染料材料(下文中也簡(jiǎn)稱為"染料")大致分成三種類型，g卩，(1)陰陽(yáng)離子基，(2)有機(jī)金屬絡(luò)合物(偶氮基)，以及(3)陰陽(yáng)離子基和有機(jī)金屬絡(luò)合物(偶氮基)的染料混合物。反射層使用從AgAu、AgBi、AgCa、AgCe、AgCo、AgGa、AgLa、AgMg、AgN、AgNi、AgNd、AgPd、AgY、AgW、和AgZr組成的組中選出的二元銀合金，以及從AgAlMg、AgAuBi、AgBiGa、AgAuCo、AgAuCe、AgAuNi、AgAuMg、AgBiMg、AgBiN、AgBiPd、和AgBiZr組成的組中選出的三元銀合金，并且同時(shí)添加第一和第二組以及N(氮)的附加元素的效果是確認(rèn)的。薄膜形成方法使用前述的各銀合金目標(biāo)濺射，以及濺射狀態(tài)已調(diào)整為可以獲得期望合成物的多目標(biāo)濺射，等等。使用Ar和N(氮)的混合氣體代替通常的單獨(dú)Ar作為濺射氣體，來(lái)進(jìn)行與氮的反應(yīng)。染料和反射層的合成薄膜厚度以及基片形狀被分別調(diào)節(jié)以獲得滿意的信號(hào)特性。在示例中使用的銀合金反射層的附加元素的附加量包括四個(gè)等級(jí)，即，0.05at.%、lat.%、2at.%、和5at.%，而作為記錄層的有機(jī)染料材料使用三個(gè)等級(jí)，即，(1)、(2)、和(3)。因此，示例中準(zhǔn)備的示例總數(shù)是12。下面的表1和表2示出示例中所用銀合金反射層的附加元素名稱。介質(zhì)被制成具有70,或更低的信息層軌道偏心量。注意，帶有較小偏心量的介質(zhì)是從壓模級(jí)制成，并且選擇使用壓模成型并且具有較小偏心量的基片。對(duì)膠合處理進(jìn)行調(diào)節(jié)以減小偏心量。注意，較小的偏心量的條件是在考慮到溫度管理之類的情況下通過(guò)形成壓模以提高偏心量的可再現(xiàn)性來(lái)考察的。示例(二元)表1示例(二元)<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>銅被用作銀合金反射層的附加元素，附加量使用四個(gè)等級(jí)，艮p，0.05at.%、lat.%、2at.%、和5at.%，而記錄層的有機(jī)染料材料使用三個(gè)等級(jí)，即，(1)、(2)、和(3)。為了覆蓋附加元素量和染料材料的全部組合，制成了全部組合即12種記錄介質(zhì)，并對(duì)其記錄/重放特性進(jìn)行了評(píng)定。下面的表3列出反射層的合成物的組合和實(shí)際使用的記錄層的有機(jī)染料材料。反射層材料(二元)和合成物的組合，以及記錄層的有機(jī)染料材料表3反射薄膜材料(二元)和合成物的組合，以及示例l的記錄薄膜的有機(jī)染料材料<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>在評(píng)定制成的記錄介質(zhì)的特性(a)至(d)時(shí)，獲得如表4所示的結(jié)果。示例1的評(píng)定結(jié)果(二元)表4示例1的評(píng)定結(jié)果(二元)<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>*Mod.:調(diào)制，RS.:讀穩(wěn)定性，以及R:反射率從這些結(jié)果中可以看出，各個(gè)記錄介質(zhì)獲得5.0X10—5或更低的SbER、15.0或更高的PRSNR、0.4或更高的調(diào)制、4%或更高的反射率、以及一百萬(wàn)次或更多的讀穩(wěn)定性作為目標(biāo)值。因此，各記錄介質(zhì)都獲得了"良好"的特性。Bi用作銀合金反射層的附加元素，附加量使用四個(gè)等級(jí)，艮P，0.05at.%、lat.%、2at.%、和5at.%，而記錄層的有機(jī)染料材料使用三個(gè)等級(jí)，艮口，(1)、(2)、和(3)。如示例l所示，制造了全部組合即12種記錄介質(zhì)，并對(duì)它們的記錄/重放特性進(jìn)行了評(píng)定。具有0.05at.%、lat.%、2at.%、和5at.%的Bi附加量的介質(zhì)被制造并且被評(píng)定。下面的表5列出了反射層合成物的組合和實(shí)際使用的記錄層的有機(jī)染料材料。表5示例中反射薄膜材料和合成物的組合、以及記錄薄膜的有機(jī)染<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>在評(píng)定制成的記錄介質(zhì)的特性(a)至(d)時(shí)，獲得如表6所示的結(jié)果。示例的評(píng)定結(jié)果(二元)表6示例的評(píng)定結(jié)果(二元)<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>從這些結(jié)果中可以看出，各個(gè)記錄介質(zhì)獲得5.0X1(T或更低的SbER、15.0或更高的PRSNR、0.4或更高的調(diào)制、單面雙層介質(zhì)的L0和Ll兩個(gè)面都具有的4%或更高的反射率、以及一百萬(wàn)次或更高的讀穩(wěn)定性作為目標(biāo)值。各記錄介質(zhì)都獲得了"良好"的特性。對(duì)于其它附加元素，也獲得了符合目標(biāo)值的特性，各記錄介質(zhì)都獲得了"良好"的特性。通過(guò)把所制介質(zhì)的各信息層的軌道偏心量設(shè)定為70拜或更低，可以改善特性。通過(guò)把所制介質(zhì)的各信息層的軌道偏心量設(shè)定為401im或更低，可以進(jìn)一步改善特性。各介質(zhì)展示出令人滿意的特性。改善的尋軌穩(wěn)定性對(duì)這些提高的貢獻(xiàn)很大。這也影響實(shí)驗(yàn)中尋軌失敗(outoftracking)的出現(xiàn)頻率。當(dāng)軌道的偏心量是70,或更高時(shí)，僅10次測(cè)量左右就會(huì)出現(xiàn)幾次或更多次尋軌失敗，從而難以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的測(cè)量。降低軌道的偏心量可以減少此類失誤的可能性。當(dāng)軌道偏心量是4(Him或更低時(shí)，絕大多數(shù)介質(zhì)能夠在更高的線速度下穩(wěn)定地進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。此一事實(shí)會(huì)在實(shí)際的記錄和重放設(shè)備中起到很大的作用。示例2圖8示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光盤記錄介質(zhì)。下面將詳細(xì)說(shuō)明此介質(zhì)。這些兼容前述的方法(a)和方法(b)即槽岸溝槽記錄方法和溝槽記錄方法的基片被用作基片。也即，在方法(a)中，使用通過(guò)注塑成型形成的0.59mm厚聚碳酸酯(PC)基片。由于使用了其上形成有溝槽間距為0.68,的溝槽的基片，因此這對(duì)應(yīng)于同時(shí)在槽岸(L)和溝槽(G)上記錄時(shí)的溝槽間距=0.34,。在方法(b)中，也使用通過(guò)注塑成型形成的0.59mm厚聚碳酸酯(PC)基片，并且溝槽間距被設(shè)定為0.體m。信息層L0，其被形成在距離光入射面較近的面上的每個(gè)PC基片的形成有溝槽的表面上，該信息層L0通過(guò)依次形成ZnS:Si02、界面層、記錄層、界面層、ZnS:Si02、銀合金、以及ZnS:Si02而制成。另一方面，使用濺射設(shè)備形成在遠(yuǎn)離光入射面的面上的信息層Ll，是通過(guò)在PC基片的表面上依次形成銀合金、ZnS:Si02、界面層、記錄薄膜層、界面層、以及ZnS:Si02而制成。所用的濺射設(shè)備是所謂的集束型(clusterchamber)濺射薄膜形成設(shè)備，其通過(guò)在不同的薄膜形成腔室中濺射而形成各個(gè)層。該集束型濺射薄膜形成設(shè)備包括加載基片的加載閘室、傳送室、以及形成各個(gè)層的處理室。圖9是示出一個(gè)處理室的布置的框圖。處理室60包括用于抽空腔室的裝置61、真空計(jì)64、壓力傳感器57、薄膜式測(cè)量計(jì)53、濺射目標(biāo)66(即將要形成薄膜的材料)、已加載的基片59等等。稀有氣體Ar等等主要用作濺射氣體，根據(jù)需要也使用氧氣或氮?dú)獾鹊?。濺射時(shí)的放電模式根據(jù)待形成薄膜的材料、將獲得的薄膜厚度等使用RF電源、直流電源等。形成薄膜的處理過(guò)程如圖10所示。當(dāng)記錄薄膜層由Ge、Sb、和Te構(gòu)成，并且其成分由GexSbyTez(x+y+z=100)表示，則記錄薄膜層使用GeSbTe三元相圖中由x=55iz=45，x二45且z二55，x=10、y=28且z=42，以及x二10、y=36且2=54限定的合成物。當(dāng)記錄薄膜由Ge、Sb、Te、和Bi或Sn構(gòu)成，并且通過(guò)用Bi和/或In和/或Sn部分取代GeSbTe合成物所得的合成物由(Ge(卜w)Snw)x(Sb(卜v)(Bi(卜u)Inu)v)yTez(其中x+y+z=100)給出時(shí)，記錄薄膜層使用從GeSnSbTe、GeSnSbTeIn、GeSbTeln、GeSbTeBiln、GeSbSnTeBiln、GeSbTeBi、GeSnSbTeBi、和GeSnSbTeBiln中選出的合成物，其中w、v、和u滿足0《w《0.5、0《v《0.7、以及0《u《L0。此外，當(dāng)記錄薄膜層由Ge、Bi、和Te及其合成物GexSbyTez(x+y+z二100)構(gòu)成時(shí)，記錄薄膜層使用GeBiTe三元相圖中由x=55且z=45，x二45且z二55，x=10、y=28且z=42，以及x二lO、y=36且z二54限定的合成物。檢驗(yàn)了很多合成物，表8示出這些合成物的示例。注意，記錄層的薄膜厚度被設(shè)為等于或小于IO薩。界面層材料和記錄層的合成物從表7和表8中選擇。表7所用的界面層<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>表8記錄層的合成物No.記錄薄膜的合成物1Ge10Sb2Te132Ge4Sb2Te了3Ge8Sb2Te13Bi24GegSb^TeyBi5Ge6Sb2Te13Sn46GegSb^TeySn7Ge10Bi2Te138Ge2.gBiTe4.49Gen.25BiTe12.7510GeioSb;[.5Ino.5Te1311Gei()Bil.5工no.5Te1312Ge4Sb1.5Ino.5Te713Ge2.9Bi0.75Iri0.25化4.4(Zr02—XNX)卜y((Y203)卜z(Nb205)z)y優(yōu)選地具有由0<x《0.2、0<y《0.1、禾B0<z《l限定的合成物范圍，并且Hf02—xNx優(yōu)選地具有由O.l《x《0.2限定的范圍。在兩面皆使用GeN的介質(zhì)中，更優(yōu)選的是使用如表9所示的不同合成比的組合物例如Ge54N46和Ge47N53等等。表9示例中所用的GeN的合成比[at.。/。]NO.GeN1544625248350504485254753界面層把GeN用在兩面，即光入射面和反射層面上。使用把Si02混合在ZnS中所制備的目標(biāo)來(lái)形成ZnS:Si02層。所用的濺射設(shè)備是通過(guò)在不同的薄膜形成腔室中濺射來(lái)形成各個(gè)層的所謂集束型濺射薄膜形成設(shè)備。制成各個(gè)介質(zhì)之后，使用分光光度計(jì)來(lái)測(cè)量它們的反射率和透射率。所制成的介質(zhì)具有70)im或更低的信息層軌道偏心量。表10示例(盤特性測(cè)量)<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>從這些結(jié)果中可以看出，各個(gè)記錄介質(zhì)獲得5.0X1(T或更低的SbER、15.0或更高的PRSNR作為目標(biāo)值。因此，各記錄介質(zhì)都獲得了"良好"的特性。通過(guò)把所制介質(zhì)的各信息層的軌道偏心量設(shè)定為7(Vm或更低，可以改善特性。通過(guò)把所制介質(zhì)的各信息層的軌道偏心量設(shè)定為40^im或更低，可以進(jìn)一步改善特性。各介質(zhì)展示出令人滿意的特性。改善的尋軌穩(wěn)定性對(duì)這些提高的貢獻(xiàn)很大。示例3對(duì)于只讀型介質(zhì)，反射層被形成在模壓有信息的透明基片上，并且該結(jié)構(gòu)通過(guò)UV-固化樹脂而被粘合到另一個(gè)基片上，從而制成單面雙層、三層、和四層的介質(zhì)。該介質(zhì)被制成具有701im或更低的軌道偏心量。只讀型介質(zhì)最初具有令人滿意的基本特性。因此，為了評(píng)定，通過(guò)在光入射側(cè)的基片表面上增加很多指紋和劃痕來(lái)產(chǎn)生易于導(dǎo)致錯(cuò)誤的情況，并且除了評(píng)定SbER和PRSNR之外，還對(duì)能否穩(wěn)定地重放信息進(jìn)行確認(rèn)。表11在光入射側(cè)的基片表面上增加有很多指紋和劃痕的易于<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>各介質(zhì)展示出令人滿意的重放特性，并且其穩(wěn)定性在易于導(dǎo)致錯(cuò)誤的情況下相比現(xiàn)有技術(shù)有了提高。改善的尋軌穩(wěn)定性對(duì)這些提高的貢獻(xiàn)很大。示例4下面對(duì)示例1至3或后述示例中信息層的軌道偏心量的測(cè)量方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5是一種測(cè)量系統(tǒng)的框圖。一種測(cè)量系統(tǒng)包括不包含波長(zhǎng)為620腿或更短波長(zhǎng)的任何光分量的照射系統(tǒng)、CCD攝像機(jī)、包括軌道提取機(jī)構(gòu)的圖像處理設(shè)備、以及運(yùn)算和控制設(shè)備。使用此測(cè)量系統(tǒng)，各軌道的偏心量可以在幾秒內(nèi)即在每個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)的制造時(shí)間期間測(cè)量到。帶有軌道提取機(jī)構(gòu)的圖像處理設(shè)備、運(yùn)算和控制設(shè)備等等可以在所謂的個(gè)人計(jì)算機(jī)等執(zhí)行預(yù)定的程序時(shí)實(shí)現(xiàn)。比如CCD攝像機(jī)之類的圖像感測(cè)裝置的性能取決于介質(zhì)，也取決于透鏡系統(tǒng)和夾具的精度、分級(jí)移動(dòng)的精度等等。可以對(duì)不使用對(duì)620nm或更短的波長(zhǎng)敏感的有機(jī)染料的介質(zhì)進(jìn)行測(cè)量，而不用限制照射系統(tǒng)的波長(zhǎng)。然而，考慮到CCD和圖像處理設(shè)備的敏感度，照射系統(tǒng)的波長(zhǎng)優(yōu)選地是處在550nm(含)到780nm(含)的范圍內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)各種類型的介質(zhì)獨(dú)立進(jìn)行檢驗(yàn)的設(shè)備，優(yōu)選使用不包含波長(zhǎng)為620nm或更短波長(zhǎng)的任何光分量的照射系統(tǒng)。示例5下面對(duì)示例1至3或后述示例中信息層的軌道偏心量的測(cè)量方法進(jìn)行說(shuō)明。圖6是一種測(cè)量系統(tǒng)的框圖。測(cè)量系統(tǒng)包括激光照射裝置、反射分布測(cè)量機(jī)構(gòu)、帶有軌道提取機(jī)構(gòu)的圖像處理設(shè)備、以及運(yùn)算和控制設(shè)備。激光照射裝置主要使用LD，但也可以使用LED等來(lái)代替。反射分布測(cè)量機(jī)構(gòu)包括光度計(jì)、電壓/電流測(cè)量裝置等等。帶有軌道提取機(jī)構(gòu)的圖像處理設(shè)備、運(yùn)算和控制設(shè)備等等可以在所謂的個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等執(zhí)行預(yù)定的程序時(shí)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)把激光束聚焦在信息層上以使攝像機(jī)感測(cè)到圖像，來(lái)測(cè)量和評(píng)定軌道的偏心量。使用此測(cè)量系統(tǒng)，各軌道的偏心量可以在幾秒內(nèi)測(cè)量即在每個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)的制造時(shí)間期間內(nèi)測(cè)量到。由于使用機(jī)構(gòu)照射裝置的評(píng)定系統(tǒng)能夠把射束點(diǎn)的尺寸縮減為很小的尺寸，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的測(cè)量。可以獲得亞微米級(jí)的精度，盡管其取決于測(cè)量時(shí)間。示例6作為測(cè)量示例1和示例2中所述信息層的軌道偏心量的方法，一種使用為了學(xué)習(xí)、優(yōu)化等寫策略的目的而進(jìn)行了試記錄的軌道來(lái)進(jìn)行軌道偏心量測(cè)量的方法是優(yōu)選的。由于根據(jù)介質(zhì)需要在介質(zhì)上寫信息所需的不同寫策略，因此它們必須根據(jù)實(shí)際的試記錄的學(xué)習(xí)而進(jìn)行優(yōu)化。在單面雙層介質(zhì)的情況下，各信息層需要進(jìn)行試記錄以學(xué)習(xí)和優(yōu)化寫策略。圖IIA和IIB是示出測(cè)量的概念的示圖。圖IIA示出第一和第二信息層。圖IIB是彼此重疊的第一和第二信息層的上視圖。注意，即使在其信息層具有不同的試記錄位置半徑的介質(zhì)中，也能夠估計(jì)特定徑向位置處的偏心量(圖12)。示例7使用注塑成型制成的0.6mm厚聚碳酸酯(PC)基片作為基片。同現(xiàn)行DVD中一樣，在基片上以0.74,的軌道間距形成溝槽。通過(guò)旋涂把染料敷涂在基片上，通過(guò)濺射在染料薄膜上形成反射層，并且使用UV固化樹脂把0.6mm厚的PC基片粘合到所得的結(jié)構(gòu)上，來(lái)制造介質(zhì)。也即，與一次寫入型DVD中相同的基片等被用于形成使用有機(jī)染料和反射層的介質(zhì)，并且被粘合以制成能夠使用與DVD中相同的紅光波長(zhǎng)a二650nm)的光來(lái)在各個(gè)信息層上進(jìn)行信息記錄和重放的介質(zhì)重放。介質(zhì)被制成具有70p或更小的信息層軌道偏心量。評(píng)定中對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行測(cè)量。評(píng)定在30、40、70、100、和110m/sec的線速度下進(jìn)行。如圖13所示，當(dāng)線速度低于30m/sec時(shí)，即使當(dāng)軌道偏心量是70Hm或更高時(shí)，也很少發(fā)生尋軌失敗。而當(dāng)線速度超過(guò)30m/sec時(shí)，這種現(xiàn)象開始出現(xiàn)。當(dāng)線速度超過(guò)40m/sec時(shí)，尋軌失敗的出現(xiàn)頻率明顯提高，而在40m/sec或更高的線速度下無(wú)法穩(wěn)定地尋軌。另一方面，當(dāng)偏心量被設(shè)為70，或更高時(shí)，尋軌失敗的出現(xiàn)頻率明顯提高，并且無(wú)論在何種線速度下都無(wú)法穩(wěn)定地尋軌。當(dāng)偏心量被設(shè)為70^或更低時(shí)，可以與線速度無(wú)關(guān)地進(jìn)行穩(wěn)定的尋軌，并且可以在高達(dá)110m/sec的線速度下進(jìn)行穩(wěn)定的評(píng)定。注意，大約110ra/sec的線速度近似對(duì)應(yīng)于機(jī)械主軸的最大旋轉(zhuǎn)速度。各介質(zhì)獲得8%或更低的抖動(dòng)值作為目標(biāo)值。各介質(zhì)獲得"良好"的特性d改善的尋軌穩(wěn)定性對(duì)此結(jié)果貢獻(xiàn)很大。即使當(dāng)介質(zhì)以30m/sec或更高的線速度旋轉(zhuǎn)時(shí)也能夠達(dá)到穩(wěn)定的記錄和重放。示例8使用注塑成型制成的0.6mm厚聚碳酸酯(PC)基片作為基片。同現(xiàn)行DVD中一樣，在基片上以0.74,的軌道間距形成溝槽。通過(guò)濺射在基片上形成相變記錄層材料、保護(hù)層、界面層、和反射層，并且使用UV固化樹脂把0.6nrni厚的PC基片粘合到所得的結(jié)構(gòu)上，來(lái)制造介質(zhì)。也即，與一次寫入型DVD相同的基片等被用于形成使用相變記錄層材料、保護(hù)層、界面層和反射層的介質(zhì)，并且被粘合以制成能夠使用與DVD中相同的紅光波長(zhǎng)的光來(lái)在各個(gè)信息層上進(jìn)行信息記錄和重放的介質(zhì)重放。介質(zhì)被制成具有70,或更小的信息層軌道偏心量。評(píng)定中對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行測(cè)量。評(píng)定在30、40、70、100、和110m/sec的線速度下進(jìn)行。如示例7的圖13所示，當(dāng)線速度低于30m/sec時(shí)，即使當(dāng)軌道偏心量是70,或更高時(shí)，也很少發(fā)生尋軌失敗。而當(dāng)線速度超過(guò)30m/sec時(shí)，這種現(xiàn)象開始出現(xiàn)。當(dāng)線速度超過(guò)40m/sec時(shí)，尋軌失敗的出現(xiàn)頻率明顯提髙，而在40m/sec或更高的線速度下無(wú)法穩(wěn)定地尋軌。另一方面，當(dāng)偏心量被設(shè)為70,或更低時(shí)，可以與線速度無(wú)關(guān)地進(jìn)行穩(wěn)定的尋軌，并且可以在高達(dá)110m/sec的線速度下進(jìn)行穩(wěn)定的評(píng)定。尤其是，由于可重寫型介質(zhì)具有比只讀型和一次寫入型介質(zhì)更低的反射率，因此本發(fā)明的效果在其中更為突出。各介質(zhì)獲得8%或更低的抖動(dòng)值作為目標(biāo)值。各介質(zhì)獲得"良好"的特性。改善的尋軌穩(wěn)定性對(duì)此結(jié)果貢獻(xiàn)很大。即使當(dāng)介質(zhì)以30m/sec或更高的線速度旋轉(zhuǎn)時(shí)也能夠達(dá)到穩(wěn)定的記錄和重放。尤其是，由于可重寫型介質(zhì)具有比只讀型和一次寫入型介質(zhì)更低的反射率，因此本發(fā)明的效果在其中更為突出。示例9對(duì)于只讀型介質(zhì)，反射層被形成在模壓有信息的透明基片上，并且該結(jié)構(gòu)通過(guò)UV固化樹脂而被粘合到另一個(gè)基片上，從而制成所謂的單面雙層的孿生格式光盤(使用藍(lán)紫波長(zhǎng)的介質(zhì)和使用紅光波長(zhǎng)的介質(zhì)(DVD))。介質(zhì)被制成具有70,或更小以及40,或更小的信息層軌道偏心量。評(píng)定中對(duì)使用藍(lán)紫波長(zhǎng)的介質(zhì)的SbER和PRSNR進(jìn)行測(cè)量，并且對(duì)DVD的抖動(dòng)進(jìn)行測(cè)量。介質(zhì)被制成具有40pm或更小的信息層軌道偏心量。各個(gè)介質(zhì)獲得5.0X10—s或更低的SbER、15.0或更高的PRSNR、以及8%或更低的抖動(dòng)值作為目標(biāo)值。各介質(zhì)獲得"良好"的特性。示例10制造與示例1相同的介質(zhì)，不同之處在于一種使用與一次寫入型DVD相同的基片、有機(jī)染料、和反射層的結(jié)構(gòu)，并且該結(jié)構(gòu)被粘合到另一個(gè)基片上，以制成能夠使用多種波長(zhǎng)的激光束在各個(gè)信息層上進(jìn)行信息記錄和重放的介質(zhì)。介質(zhì)被制成具有70,或更小以及4(^m或更小的信息層軌道偏心量。評(píng)定中對(duì)使用藍(lán)紫波長(zhǎng)的介質(zhì)的SbER和PRSNR進(jìn)行測(cè)量，并且對(duì)DVD的抖動(dòng)進(jìn)行測(cè)量。介質(zhì)被制成具有40叫或更小的信息層軌道偏心量。各個(gè)介質(zhì)獲得5.OX10—5或更低的SbER、15.0或更高的PRS服、以及8%或更低的抖動(dòng)值作為目標(biāo)值。各介質(zhì)獲得"良好"的特性。示例11作為對(duì)示例1至3和7至10中所述的信息記錄/重放介質(zhì)的軌道偏心量進(jìn)行測(cè)量的方法，如果使用了如圖12所示的具有在形成各信息層處的不同徑向位置之特征的信息記錄/重放介質(zhì)，則測(cè)量精度會(huì)提高，并且測(cè)量時(shí)間會(huì)縮短。評(píng)定可以以幾秒鐘一個(gè)盤的速度進(jìn)行。示例12作為對(duì)示例1至3和7至10中所述的信息記錄/重放介質(zhì)的軌道偏心量進(jìn)行測(cè)量的方法，如果使用了如圖13所示的具有在形成各信息層處的不同徑向位置之特征的信息記錄/重放介質(zhì)，則測(cè)量精度會(huì)提高，并且測(cè)量時(shí)間會(huì)縮短。評(píng)定可以幾秒鐘一個(gè)盤的速度進(jìn)行。對(duì)比示例1同示例1中相同的介質(zhì)被制出，并且所制介質(zhì)的信息層的軌道偏心量未被控制設(shè)為71薩或更高，更具體地說(shuō)，是71、72、和80nm。所制介質(zhì)與示例1中的介質(zhì)相同，然而除了偏心量不同，這些已進(jìn)行評(píng)定的介質(zhì)是與示例1-1、1-2、1-3等等相同的介質(zhì)。當(dāng)偏心量是71拜或更高時(shí)，尋軌變得不穩(wěn)定，從而妨礙穩(wěn)定的測(cè)量。當(dāng)偏心量是71m或更高時(shí)，在測(cè)量中尋軌失敗的可能性會(huì)升高。在上述示例的測(cè)量中，很少發(fā)生尋軌失敗。然而，當(dāng)偏心量是71,或更高時(shí)，在某一實(shí)驗(yàn)的IO次測(cè)量中出現(xiàn)了4次尋軌失敗。當(dāng)偏心量是72jLim或更高時(shí)，在IO次測(cè)量中出現(xiàn)了7次尋軌失敗。當(dāng)偏心量是8(Vm時(shí)，測(cè)量中無(wú)法正常尋軌。對(duì)于具有71(im和72拜的偏心量的光盤的評(píng)定結(jié)果，SbER、PRSNR等等無(wú)法獲得令人滿意的特性。因此，無(wú)法獲得良好的介質(zhì)。下面將對(duì)信息記錄/重放設(shè)備和在本實(shí)施例中使用各方法時(shí)所用的光盤(信息記錄介質(zhì))的具體布置進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)把槽岸溝槽記錄方法用作方法(a)的情形進(jìn)行描述。圖14是用于說(shuō)明信息記錄/重放設(shè)備的實(shí)施例的布置的框圖。參考圖14，控制器143上方的方框主要代表信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的信息記錄控制系統(tǒng)。信息重放設(shè)備的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖14中除了信息記錄控制系統(tǒng)以外的方框。在圖14中，粗實(shí)線箭頭指明表示重放信號(hào)或記錄信號(hào)的主信息的流動(dòng)，細(xì)實(shí)線箭頭指明信息的流動(dòng)，點(diǎn)劃線箭頭指明基準(zhǔn)時(shí)鐘線，而細(xì)虛線箭頭指明指令的方向。圖14中示出的信息記錄/重放單元141包括光頭(未示出)。此實(shí)施例在信息重放中使用PRML(部分響應(yīng)最大似然)方法來(lái)獲得高密度信息存儲(chǔ)介質(zhì)。作為各種實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，當(dāng)采用PR(l，2，2，2，1)作為所用的PR類時(shí)，發(fā)現(xiàn)可以提高線密度，并且可以改善重放信號(hào)的可靠性(在出現(xiàn)伺服修正錯(cuò)誤比如聚焦失敗、尋軌失敗等等情況下的解調(diào)可靠性)。因此，此實(shí)施例采用PR(l，2，2，2，1)。在此實(shí)施例中，在調(diào)制之后，信道位串依據(jù)(d，k;m，n)調(diào)制規(guī)則(前述說(shuō)明方法意味著m/n調(diào)制的RLL(d，k))記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上。具體而言，用于把8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成12信道位(m=8，n=12)的ETM(8到12調(diào)制)用作調(diào)制系統(tǒng)，并且設(shè)置了這樣的RLL(l，10)的條件其中連續(xù)〃0〃的最小值被定義為d=l，并且最大值被定義為k=10來(lái)作為限定了掃描長(zhǎng)度的RLL限制，該RLL限制對(duì)調(diào)制之后的信道位串中連續(xù)"O"的長(zhǎng)度加以限制。在本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)高密度的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，信道位間隙被減小到最小。結(jié)果是，例如在屬于是d=l的模式的重復(fù)的模式〃101010101010101010101010〃已被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上并且由信息記錄/重放單元141再現(xiàn)所記錄數(shù)據(jù)時(shí)，由于該數(shù)據(jù)接近重放光學(xué)系統(tǒng)的MTF特性的截止頻率，因此重放原始信號(hào)的信號(hào)幅度幾乎被噪聲淹沒(méi)。因此，把P體L(部分響應(yīng)最大似然)技術(shù)用作來(lái)重放記錄標(biāo)記或凹坑的一種方法，該記錄標(biāo)記或凹坑的密度已經(jīng)達(dá)到MTF特性的極限(截止頻率)附近。也即，由信息記錄/重放單元141重放的信號(hào)受到由PR均衡器電路130進(jìn)行的重放波形校正。模數(shù)轉(zhuǎn)換器169通過(guò)與從基準(zhǔn)時(shí)鐘產(chǎn)生電路160送出的基準(zhǔn)時(shí)鐘198的定時(shí)相同步對(duì)經(jīng)過(guò)PR均衡器電路130的信號(hào)進(jìn)行采樣來(lái)把它轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，并且維特比解碼器156對(duì)此數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)執(zhí)行維特比解碼處理。經(jīng)維特比解碼處理后的數(shù)據(jù)被處理成與以限幅電平進(jìn)行二進(jìn)制化的傳統(tǒng)數(shù)據(jù)相同的數(shù)據(jù)。在使用該P(yáng)RML方法的技術(shù)的情況中，如果模數(shù)轉(zhuǎn)換器169的采樣時(shí)間變化，則將增加維特比解碼之后的數(shù)據(jù)誤碼率。因此，為了提高取樣定時(shí)的精度，根據(jù)本實(shí)施例的信息重放裝置或信息記錄/重放裝置具有特別的獨(dú)立采樣定時(shí)提取電路(施密特(Schmidt)觸發(fā)器二進(jìn)制化電路155和PLL電路174的組合)。此施密特觸發(fā)器二進(jìn)制化電路155的特征在于為二進(jìn)制化的限制基準(zhǔn)電平提供一個(gè)具體范圍(現(xiàn)實(shí)中二極管的正向電壓值)，并且僅當(dāng)信號(hào)電平超過(guò)該具體范圍時(shí)才進(jìn)行二進(jìn)制化。因此，如上所述，當(dāng)輸入模式〃101010101010101010101010"時(shí)，信號(hào)幅度很小，因此不發(fā)生進(jìn)行二進(jìn)制化的切換。例如在輸入比上述的模式粗糙的"iooiooiooiooiooiooioor等模式時(shí)，由于重放原始信號(hào)的幅度增加，因此與施密特觸發(fā)器二進(jìn)制化電路155的〃1〃定時(shí)同步地發(fā)生二進(jìn)制信號(hào)的極性切換。在本實(shí)施例中，使用NRZI(不歸零反向)技術(shù)，并且上述模式的每個(gè)〃r的位置與記錄標(biāo)記或凹坑的邊緣部分(邊界部分)相符合。PLL電路174檢測(cè)在屬于是施密特觸發(fā)器二進(jìn)制化電路155的輸出的一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)和從基準(zhǔn)時(shí)鐘產(chǎn)生電路160發(fā)送基準(zhǔn)時(shí)鐘198的一個(gè)信號(hào)之間的頻率和相位中的偏移，以便改變PLL電路174的輸出時(shí)鐘的頻率和相位。通過(guò)使用PLL電路174的輸出信號(hào)和在維特比解碼器156上的解碼特性信息(具體地說(shuō)，在維特比解碼器156中的路徑度量存儲(chǔ)器(未示出)中的會(huì)聚長(zhǎng)度信息(到會(huì)聚的距離))，基準(zhǔn)時(shí)鐘產(chǎn)生電路160對(duì)基準(zhǔn)時(shí)鐘198(的頻率和相位)施加反饋控制，以便獲得在維特比解碼之后的低誤碼率。由基準(zhǔn)時(shí)鐘產(chǎn)生電路160產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘198被用作重放信號(hào)處理之時(shí)的基準(zhǔn)定時(shí)。同步碼位置提取單元145通過(guò)檢測(cè)維特比解碼器156的輸出數(shù)據(jù)串中混合的同步碼的位置來(lái)取樣輸出數(shù)據(jù)的開始位置。參考這個(gè)開始位置，解調(diào)電路152對(duì)于暫存在移位寄存電路170中的數(shù)據(jù)執(zhí)行解調(diào)。在本實(shí)施例中，解調(diào)電路152參考記錄在解調(diào)轉(zhuǎn)換表記錄裝置154中的轉(zhuǎn)換表、以每12個(gè)信道位的速率解調(diào)原始位串。然后，ECC解碼電路162對(duì)該信號(hào)執(zhí)行糾錯(cuò)處理，隨后由去擾電路159執(zhí)行去擾。預(yù)先通過(guò)擺頻調(diào)制把地址信息記錄在根據(jù)本實(shí)施例的可記錄型或可重寫型或一次寫入型的信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元135重放這一地址信息(即判斷擺動(dòng)信號(hào)的內(nèi)容)，并把訪問(wèn)期望位置所需要的信息提供到控制器143。下面將給出在控制器143之上的信息記錄控制系統(tǒng)的描述。在數(shù)據(jù)ID產(chǎn)生單元165根據(jù)在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄位置產(chǎn)生數(shù)據(jù)ID信息并且CPR—MAI數(shù)據(jù)產(chǎn)生單元167產(chǎn)生復(fù)制控制信息時(shí)，數(shù)據(jù)ID、IED、CPR—MAI、和EDC添加單元168把各種信息，即數(shù)據(jù)ID、IED、CPR一MAI以及EDC，添加到待記錄的信息中。在由加擾電路157對(duì)該信息加擾之后，ECC編碼電路161形成ECC塊，并由調(diào)制電路151把ECC塊轉(zhuǎn)換成信道位串。同步碼產(chǎn)生/添加單元146把同步碼添加到信道位串，并且信息記錄/重放單元141將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。在調(diào)制之時(shí)，由DSV(數(shù)字和值)計(jì)算器148順序地計(jì)算調(diào)制之后的DSV值，并且將它們反饋來(lái)在調(diào)制時(shí)作代碼轉(zhuǎn)換。圖15示出在數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中使用PRML檢測(cè)方法的信號(hào)處理電路。圖15中:的四分(4-split)光檢測(cè)器302被固定到圖14的信息記錄/重放單元141中包括的光頭中。在下文中，作為從四分光檢測(cè)器302的各個(gè)光檢測(cè)單元獲得的檢測(cè)信號(hào)的總和的信號(hào)將被稱為讀取信道1信號(hào)。圖14中的PR均衡器電路130的詳細(xì)結(jié)構(gòu)包括圖15中的從前置放大器電路304到抽頭控制器332、均衡器330和偏移消除器336的電路。圖15中的PLL電路334是圖15中PR均衡器電路130中的一部分，并且表示與圖14中的施密特觸發(fā)器二進(jìn)制化電路155不同的電路。圖15中的高通濾波電路306的基本截止頻率被設(shè)置在lKHz。前置均衡器電路308使用一個(gè)7抽頭均衡器(因?yàn)槭褂迷?抽頭均衡器將電路規(guī)模最小化，并能精確檢測(cè)重放信號(hào))。模數(shù)轉(zhuǎn)換電路324的采樣時(shí)鐘頻率被設(shè)置為72腿z,并且其數(shù)字輸出是8位輸出。在PRML檢測(cè)技術(shù)中，如果在維特比解調(diào)時(shí)受到整個(gè)重放信號(hào)的電平變化(DC偏移)的影響，則可能出現(xiàn)誤差。為了消除此影響，偏移消除器336使用從均衡器330輸出的信號(hào)來(lái)消除偏移。在圖15所示的實(shí)施例中，圖14中的PR均衡器電路130執(zhí)行自適應(yīng)均衡處理。因此，使用了在使用維特比解碼器156的輸出信號(hào)的均衡器中自動(dòng)校正抽頭系數(shù)的抽頭控制器332。圖16示出圖14或圖15所示維特比解碼器的結(jié)構(gòu)。支路度量計(jì)算器340計(jì)算關(guān)于輸入信號(hào)的所有可預(yù)測(cè)支路的支路度量，并將計(jì)算值送到ACS342。ACS342是添加-比較-選擇(AddCompareSelect)的縮寫。ACS342計(jì)算通過(guò)對(duì)應(yīng)于各個(gè)可預(yù)測(cè)路徑來(lái)添加支路度量而獲得的路徑度量，并將計(jì)算結(jié)果轉(zhuǎn)送到路徑度量存儲(chǔ)器350。此時(shí)，在ACS342中，參考在路徑度量存儲(chǔ)器350中的信息來(lái)執(zhí)行一個(gè)計(jì)算處理。路徑存儲(chǔ)器346暫存對(duì)應(yīng)于這些路徑的可預(yù)測(cè)路徑(轉(zhuǎn)移)狀態(tài)數(shù)據(jù)和由ACS342計(jì)算的路徑度量值。輸出切換單元348比較對(duì)應(yīng)于每個(gè)路徑的路徑度量值，并選擇帶有最小路徑度量值的路徑。圖17示出在本實(shí)施例中的PR(1,2,2，2，l)類別中的狀態(tài)改變。由于PR(1，2，2，2，l)類別中可能的狀態(tài)的改變僅允許按照如圖17中所示的來(lái)進(jìn)行，因此維特比解碼器156在解碼時(shí)根據(jù)圖17中的轉(zhuǎn)換圖表來(lái)判定可能的(可預(yù)測(cè)的)路徑。圖18示出了本實(shí)施例中的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和尺寸。作為實(shí)施例，這三種類型的信息存儲(chǔ)介質(zhì)被明確說(shuō)明，艮P:*只讀而不能記錄的"只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"；*允許進(jìn)行一次記錄(一次寫入記錄)的"一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"；以及*能夠任意次重寫記錄的"可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"。如圖18所示，所述三種信息存儲(chǔ)介質(zhì)在大多數(shù)結(jié)構(gòu)和尺寸上彼此通用。全部三種信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有這樣的結(jié)構(gòu)從內(nèi)圓周側(cè)依次分配燒錄區(qū)BCA、系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI、連接區(qū)CNA、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLSI、和數(shù)據(jù)區(qū)DTA。除OPT型只讀介質(zhì)之外的全部介質(zhì)的外圓周部分分配了數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO。如稍后所述，在OPT型只讀介質(zhì)的外圓周部分分配了中間區(qū)MDA。在一次寫入型和可重寫型介質(zhì)兩者中，信息以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中，并且該區(qū)域用于只讀(禁用一次寫入型記錄)。在只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中記錄信息。而在一次寫入型和可重寫型介質(zhì)中，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI允許以記錄標(biāo)記的形式一次寫入地記錄新信息(在可重寫型中是重寫)。如后面所述，在一次寫入型和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0既包括可一次寫入記錄(在可重寫介質(zhì)上是重寫記錄)新信息的區(qū)域，也包括以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式記錄信息的只讀區(qū)域。如前所述，由于使用PRML方法來(lái)重放在圖18所示的數(shù)據(jù)區(qū)DTA、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0、和中間區(qū)MDA中記錄的信號(hào)，因此可實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)密度的提高(尤其是線密度的提高)。另外，由于使用限幅電平檢測(cè)方法來(lái)重放在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLD0中記錄的信號(hào)，因此可以確保與當(dāng)前DVD的兼容性和重放的穩(wěn)定性。不同于當(dāng)前DVD規(guī)范，在圖18所示的實(shí)施例中，燒錄區(qū)BCA和系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)位置上彼此分開，而不會(huì)彼此重疊。這些區(qū)域物理上彼此分開，從而能夠防止在信息重放時(shí)記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的信息和記錄在燒錄區(qū)BCA中的信息相互干擾，并且能夠確保高精確度地重放信息?？梢园巡捎肏"型記錄介質(zhì)的在燒錄區(qū)BCA的分配位置預(yù)先形成良好的三維圖案的方法作為另一個(gè)實(shí)施例。在關(guān)于圖27中的第192字節(jié)中的記錄標(biāo)記的極性(L"或"L-—H"的識(shí)別符)的信息的說(shuō)明部分中，將說(shuō)明該規(guī)范不僅包括傳統(tǒng)的"H—L"記錄薄膜也包括"L—H"記錄薄膜，以加寬記錄薄膜的選擇范圍，從而可以提供高速記錄和低成本的介質(zhì)。如稍后所述，本實(shí)施例考慮使用H"記錄薄膜。通過(guò)對(duì)記錄薄膜進(jìn)行局部地激光照射，來(lái)形成燒錄區(qū)BCA(條碼數(shù)據(jù))中記錄的數(shù)據(jù)。圖22示出了可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中根據(jù)本實(shí)施例的參數(shù)值。通過(guò)減小軌道間距和增加線密度(數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度)，可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有比只讀型或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)更大的記錄容量。如稍后所述，由于可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)采用槽岸-溝槽記錄，因此通過(guò)降低相鄰軌道之間的串?dāng)_影響來(lái)減小軌道間距。只讀型、一次寫入型、和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)都具有如下特征，即，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLD0的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(對(duì)應(yīng)于記錄密度)設(shè)置來(lái)大于數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI/數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(以降低記錄密度)。通過(guò)把系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLD0的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距設(shè)置為接近當(dāng)前DVD導(dǎo)入?yún)^(qū)的值，來(lái)確保與當(dāng)前DVD的兼容。在本實(shí)施例中，一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO中的凸紋臺(tái)階設(shè)置來(lái)與當(dāng)前DVD-R的一樣淺。這樣得到這種效果，即，設(shè)置了一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的預(yù)制溝槽的較淺的深度，并且提高了來(lái)自通過(guò)一次記錄形成在預(yù)制溝槽上的記錄標(biāo)記的重放信號(hào)的調(diào)制等級(jí)。然而，作為反作用，出現(xiàn)了這樣的問(wèn)題，艮口，來(lái)自系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO的重放信號(hào)的調(diào)制等級(jí)降低。為了解決該問(wèn)題，由于通過(guò)使得系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度(和軌道間距)變得粗糙而把最密集位置的凹坑和間隔的重復(fù)頻率從重放物鏡的MTF(調(diào)制傳遞函數(shù))的光關(guān)斷頻率隔絕(從而顯著下降)，因此能夠增加來(lái)自系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI/系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO的重放信號(hào)幅度以確保重放穩(wěn)定性。圖23A至23F示出了各種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)區(qū)DTA和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)之間的比較。圖23A示出了只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，圖23B和23C示出了可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，并且圖23D至23F示出了一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。尤其是，圖23B和23D示出了初始狀態(tài)時(shí)(記錄前)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，而圖23C、23E和23F示出了記錄(一次寫入記錄或重寫記錄)進(jìn)行到某一程度的狀態(tài)下的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。如圖23A所示，記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO中的數(shù)據(jù)具有一種數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)(稍后將述)，并且這些區(qū)中的全部主數(shù)據(jù)的值被設(shè)置為"00h"。在只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)DTA可以用作用戶數(shù)據(jù)的預(yù)記錄區(qū)201。然而，如稍后所述，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的實(shí)施例中，用戶重寫/一次寫入的可記錄范圍202至205比數(shù)據(jù)區(qū)DTA窄。在一次寫入型或可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，在數(shù)據(jù)區(qū)DTA的最內(nèi)側(cè)圓周上設(shè)置有SPA。在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中產(chǎn)生缺陷時(shí)，使用備用區(qū)SPA進(jìn)行備用處理。在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，備用處理的備用歷史信息(缺損管理信息)被記錄在圖23B和23C中的第三缺損管理區(qū)腿A3和第四缺損管理區(qū)DMA4中。在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，在執(zhí)行備用處理時(shí)的備用歷史信息(缺損管理信息)被記錄在邊界帶中包括的記錄管理帶中記錄的內(nèi)容的復(fù)制信息C—RMZ中。在當(dāng)前DVD-R盤中未進(jìn)行缺損管理。但是，隨著DVD-R盤的制造量的提高，一些具有缺陷位置的DVD-R盤會(huì)出現(xiàn)，并且對(duì)于改善在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄的信息的可靠性的需要增加。在本實(shí)施例中，如圖23D至23F所示，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上也設(shè)置備用區(qū)SPA，從而允許通過(guò)備用處理進(jìn)行缺損管理。由于對(duì)部分具有缺陷位置的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行缺損管理處理，因此能夠改善要記錄信息的可靠性。在可重寫型或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，在出現(xiàn)許多缺損時(shí)，如圖23C、23D、和23F所示，信息記錄/重放設(shè)備從用戶的角度出發(fā)進(jìn)行判斷來(lái)自動(dòng)地把擴(kuò)展備用區(qū)ESPA、ESPA1、和ESPA2設(shè)置成如圖23B和23D所示的剛剛出售給用戶之后的狀態(tài)，從而擴(kuò)寬備用位置。這樣，通過(guò)設(shè)置擴(kuò)展備用區(qū)ESPA、ESPA1、和ESPA2，從而可能銷售具有由于制造原因而出現(xiàn)的大量缺損的介質(zhì)。結(jié)果，改善了介質(zhì)的制造成品率來(lái)達(dá)到介質(zhì)價(jià)格下降。如圖23C、23E、或23F所示，當(dāng)在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中另外確保擴(kuò)展備用區(qū)ESPA、ESPA1、和ESPA2時(shí)，用戶數(shù)據(jù)重寫或一次寫入的可記錄范圍203和205減小，從而必須管理其相關(guān)的位置信息。如稍后所述，在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，位置信息被記錄在從第一缺損管理區(qū)腿A1至第四缺損管理區(qū)DMA4中和控制數(shù)據(jù)帶CDZ中。在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，位置信息被記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI和出邊界BRD0中包括的記錄管理帶RMZ中。如稍后所述，位置信息被記錄在包含在記錄管理帶RMZ中的記錄管理數(shù)據(jù)RMD中。每當(dāng)更新管理數(shù)據(jù)的內(nèi)容時(shí)，就在記錄管理帶RMZ中添加寫入記錄管理數(shù)據(jù)RMD作為更新數(shù)據(jù)。因此，即使多次重設(shè)擴(kuò)展備用區(qū)，也可進(jìn)行及時(shí)的更新和管理。(圖23E中所示的實(shí)施例表示這樣的狀態(tài)，其中，擴(kuò)展備用區(qū)1ESPA1先被設(shè)置，并且在擴(kuò)展備用區(qū)1ESPA1已被完全使用之后，由于有一些缺陷導(dǎo)致需要設(shè)置另一個(gè)備用區(qū)域，所以另一個(gè)擴(kuò)展備用區(qū)2ESPA2己被及時(shí)地設(shè)置。)圖23B和23C中示出的第三保護(hù)軌道帶GTZ3被排列在第四缺損管理區(qū)腿A4和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTS之間以使其彼此分開，并且保護(hù)軌道帶4GTZ4被排列在盤測(cè)試帶DKTZ和伺服器校準(zhǔn)帶SCZ之間以使其彼此分開。第三保護(hù)軌道帶GTZ3和第四保護(hù)軌道帶GTZ4指定為禁止通過(guò)形成記錄標(biāo)記進(jìn)行記錄的區(qū)域。由于第三保護(hù)軌道帶GTZ3和第四保護(hù)軌道帶GTZ4存在于數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0中，因此，在這些區(qū)域中預(yù)先形成了預(yù)制溝槽區(qū)域(一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì))或溝槽區(qū)域和槽岸區(qū)域(可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì))。如圖22所示，在預(yù)制溝槽區(qū)域或溝槽區(qū)域和槽岸區(qū)域中預(yù)先記錄了擺動(dòng)地址，從而通過(guò)使用該擺動(dòng)地址來(lái)判斷信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的當(dāng)前位置。驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ被確定為用于在信息記錄/重放裝置在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄信息之前進(jìn)行試寫入的區(qū)域。信息記錄/重放裝置在該區(qū)域中預(yù)先進(jìn)行試寫入來(lái)確定最佳記錄條件(寫入策略)，其后，該裝置可在最佳記錄條件下在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中記錄信息。盤測(cè)試帶DKTZ是提供給信息存儲(chǔ)介質(zhì)的制造商進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試(評(píng)定)的區(qū)域。在SCZ(伺服器校準(zhǔn)帶)以外的整個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0中，預(yù)先形成預(yù)制溝槽區(qū)(一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì))或者溝槽區(qū)域和槽岸區(qū)域(可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì))，從而允許記錄(一次寫入或重寫)記錄標(biāo)記。如圖23C和23E所示，在伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中確保有凸凹區(qū)211。該區(qū)形成了具有凸凹的連續(xù)軌道來(lái)與數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0的其它帶相連續(xù)。這些軌道以螺旋方式連續(xù)地沿著信息存儲(chǔ)介質(zhì)的圓周形成了360度的凸凹。確保該區(qū)使用DPD(差分相位檢測(cè))方法來(lái)檢測(cè)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的傾斜量。如果信息存儲(chǔ)介質(zhì)傾斜，則使用DPD方法以循軌誤差檢測(cè)信號(hào)幅度產(chǎn)生偏移，從而能夠精確地基于偏移量來(lái)檢測(cè)傾斜量并且基于偏移方向來(lái)檢測(cè)傾斜方向。利用該原理，通過(guò)在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的最外側(cè)圓周部分(數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的外側(cè)圓周部分)形成允許進(jìn)行DPD檢測(cè)的凸凹，從而能夠進(jìn)行精確的傾斜檢測(cè)，而不用為圖14所示的信息記錄/重放單元141中包括的光頭添加特殊部件(用于傾斜檢測(cè))。而且，通過(guò)檢測(cè)外側(cè)圓周部分的傾斜量，即使在數(shù)據(jù)區(qū)DTA也可(基于傾斜量校正)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的伺服器控制。在本實(shí)施例中，伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的軌道間距符合數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD中的其它帶的軌道間距，從而能夠改善信息存儲(chǔ)介質(zhì)的制造性能，并且通過(guò)提高成品率而降低介質(zhì)的價(jià)格。也即，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0中的其它帶中形成了預(yù)制溝槽。在制造一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的母盤時(shí)，通過(guò)設(shè)置母盤記錄裝置的照射部分的進(jìn)給電動(dòng)機(jī)速度保持恒定來(lái)形成預(yù)制溝槽。此時(shí)，由于伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的軌道間距符合數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0中的其它帶的軌道間距，從而能夠在伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中保持恒定的電動(dòng)機(jī)速度，因此幾乎不會(huì)出現(xiàn)間距不均勻，從而改善了信息存儲(chǔ)介質(zhì)的制造性能。作為另一實(shí)施例，可以使用調(diào)整伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的軌道間距和數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度中的至少一個(gè)，以使其符合系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的軌道間距和數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度的方法。如前所述，使用DPD方法測(cè)量伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的傾斜量及其傾斜方向，并且還在數(shù)據(jù)區(qū)DTA中利用測(cè)量結(jié)果來(lái)使得數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的伺服器控制穩(wěn)定。作為預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的傾斜量的方法，通過(guò)使用DPD方法來(lái)預(yù)先測(cè)量系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的傾斜量及其方向，并且利用與伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的測(cè)量結(jié)果的關(guān)系來(lái)預(yù)測(cè)傾斜量和傾斜方向。在使用DPD方法時(shí)，與信息存儲(chǔ)介質(zhì)的傾斜相關(guān)的檢測(cè)信號(hào)幅度的偏移量和偏移出現(xiàn)的方向根據(jù)軌道間距和凸凹的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度而改變。因此，通過(guò)伺服器校準(zhǔn)帶SCZ中的軌道間距和數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度中的至少一個(gè)被調(diào)整以符合系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的軌道間距和數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度，在伺服器校準(zhǔn)帶SCZ和系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中與檢測(cè)信號(hào)幅度的偏移量和偏移出現(xiàn)的方向相關(guān)的檢測(cè)特性彼此一致，從而有利于預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的傾斜量和方向。如圖23D所示，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的兩個(gè)位置，即內(nèi)圓周側(cè)和外圓周側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ。當(dāng)驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ中進(jìn)行的試寫入操作次數(shù)增加時(shí)，可通過(guò)精確地改變參數(shù)來(lái)詳細(xì)地搜索最佳記錄條件，從而改善數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的記錄精確度?？芍貙懶托畔⒋鎯?chǔ)介質(zhì)允許通過(guò)覆寫重復(fù)使用該驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ。然而，如果通過(guò)增加在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中進(jìn)行試寫入的次數(shù)來(lái)提高記錄精確度，則會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ被很快用盡的問(wèn)題。為了解決該問(wèn)題，本實(shí)施例的特征在于，可從外圓周向內(nèi)圓周方向設(shè)置擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ，從而擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶。本實(shí)施例具有如下典型特征，其與設(shè)置擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的方法和在擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶中試寫入的方法相關(guān)。1)從外圓周方向向內(nèi)圓周側(cè)順序地一起設(shè)置(構(gòu)造)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ…在23E中，擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶1EDRTZ1被設(shè)置為從數(shù)據(jù)區(qū)中最靠近外圓周(最靠近數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0)的位置的相當(dāng)大的區(qū)。在擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶1EDRTZ1被用盡之后，能夠接下來(lái)把擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶2EDRTZ2設(shè)置為存在于帶1EDRTZ1的內(nèi)圓周側(cè)的相當(dāng)大的區(qū)。2)從一個(gè)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中的內(nèi)圓周側(cè)順序地進(jìn)行試寫入?！跀U(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中進(jìn)行試寫入時(shí)，沿著從內(nèi)圓周側(cè)向外圓周側(cè)以螺旋型排列的溝槽區(qū)域進(jìn)行這種試寫入，并且對(duì)緊接在先前試寫入(已記錄)的位置之后的未記錄位置進(jìn)行當(dāng)前試寫入。數(shù)據(jù)區(qū)具有這樣的結(jié)構(gòu)其中沿著從內(nèi)圓周側(cè)向外圓周側(cè)以螺旋型排列的溝槽區(qū)域214進(jìn)行一次寫入記錄。由于可以使用用于對(duì)先前試寫入位置之后的位置順序進(jìn)行添加記錄試寫入信息的方法進(jìn)行從"確認(rèn)緊靠在前的試寫入的位置"到"執(zhí)行當(dāng)前試寫入"的處理，因此不僅使試寫入處理得以簡(jiǎn)化，并且使得對(duì)擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中己經(jīng)進(jìn)行了測(cè)試寫入的位置的管理變得簡(jiǎn)單。3)數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO可以預(yù)設(shè)置來(lái)包括擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶…圖23E示出了這樣的示例，其中，數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的擴(kuò)展備用區(qū)ESPA1和擴(kuò)展備用區(qū)ESPA2被設(shè)置在兩個(gè)位置處，并且擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ1和擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ2被設(shè)置在兩處。在該情況下，如圖23F所示，本實(shí)施例的特征在于，可把包括直到擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ2的區(qū)重設(shè)為數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0。在重設(shè)數(shù)據(jù)區(qū)DTA的范圍的同時(shí)與此區(qū)域的重設(shè)一起進(jìn)行范圍縮窄，則數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的用戶數(shù)據(jù)的一次寫入可記錄范圍205的管理變得容易。如圖23F所示，重設(shè)范圍時(shí)，如圖23E所示的擴(kuò)展備用區(qū)1ESPA1的設(shè)置位置被認(rèn)為是"己經(jīng)用盡的擴(kuò)展備用區(qū)"，并且對(duì)其進(jìn)行管理，使得未記錄區(qū)(可進(jìn)行一次寫入記錄的試寫入的區(qū))僅存在于擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶EDRTZ中的擴(kuò)展備用區(qū)ESPA2中。在此情況下，記錄在擴(kuò)展備用區(qū)ESPA1中的并作為備用信息的無(wú)損信息被整體傳送到擴(kuò)展備用區(qū)ESPA2中非備用區(qū)的位置，從而重寫缺損管理信息。圖24示出用于在驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶進(jìn)行試寫的記錄脈沖的波形(寫策略)，圖25示出記錄脈沖形狀的定義。使用帶有峰值功率、第一偏置功率、第二偏置功率、和第三偏置功率的照射脈沖而在光盤上覆寫標(biāo)記和間隔。使用在峰值功率和第三偏置功率之間進(jìn)行調(diào)制的照射脈沖而在光盤上覆寫標(biāo)記。通過(guò)第一偏置功率的照射脈沖而在光盤上覆寫間隔。SbER是用于評(píng)定隨機(jī)誤差的工具，其對(duì)應(yīng)于由隨機(jī)誤差導(dǎo)致的誤碼率。在測(cè)量PRSNR和SbER之前，使用最小方差(MSE)算法來(lái)計(jì)算均衡器系數(shù)。如圖24所示，記錄脈沖是光學(xué)脈沖串。2T標(biāo)記的記錄脈沖包括單脈沖和后續(xù)的第二偏置功率脈沖。3T標(biāo)記的記錄脈沖包括第一脈沖、末脈沖、以及后續(xù)的第二偏置功率脈沖。超過(guò)3T的標(biāo)記的記錄脈沖包括第一脈沖、多脈沖串、末脈沖、以及后續(xù)的第二偏置脈沖。T是信道時(shí)鐘周期。2T標(biāo)記的記錄脈沖結(jié)構(gòu)在TSFP持續(xù)期之后，單脈沖從NRZI信號(hào)的導(dǎo)引邊沿開始產(chǎn)生，并且在NRZI信號(hào)的后續(xù)邊沿之前IT-TELP處結(jié)束。單脈沖的周期是1T-TELP+TSFP。TELP和TSFP記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。單脈沖之后的第二偏置功率的周期是TLC。TLC記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。超過(guò)2T的標(biāo)記的記錄脈沖結(jié)構(gòu)在TSFP持續(xù)期之后，第一脈沖從NRZI信號(hào)的導(dǎo)引邊沿開始產(chǎn)生，并且在NRZI信號(hào)的后續(xù)邊沿之后持續(xù)TEFP以后結(jié)束。TELP和TSFP記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。對(duì)應(yīng)于4T到13T的記錄脈沖形成多脈沖串。多脈沖串包括每一個(gè)具有一個(gè)周期T的脈寬TMP的脈沖的重復(fù)。多脈沖串的產(chǎn)生從NRZI信號(hào)的導(dǎo)引邊沿之后2T處開始，而多脈沖串的末脈沖的產(chǎn)生在NRZI信號(hào)的后續(xù)邊沿之前2T處結(jié)束。TMP記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。末脈沖在NRZI信號(hào)的導(dǎo)引邊沿之前IT-TSLP處開始產(chǎn)生，并且在NRZI信號(hào)的后續(xù)邊沿之前IT-TELP處結(jié)束。TELP和TSLP記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。末脈沖后面的第二偏置功率的脈沖寬度是TLC。TLC記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。TEFP-TSFP、TMP、TELP-TSLP、和TLC是全脈寬和半脈寬的最大周期。圖25定義了全脈寬和半脈寬的最大周期。導(dǎo)引周期Tr和后續(xù)周期Tf是1.5ns或更少。導(dǎo)引周期Tr和后續(xù)周期Tf之差是O.5ns或更少。TSFP、TEFP、TSLP、TELP、TMP、和TLC各以(1/32)T的長(zhǎng)度記錄在控制數(shù)據(jù)帶中，并且取下列值。TSFP處在0.25T(含)到1.50T(含)的范圍內(nèi)。TELP處在0.00T(含)到1.00T(含)的范圍內(nèi)。TEFP處在l,OOT(含)到1.75T(含)的范圍內(nèi)。TSLP處在-O.10T(含)到1.00T(含)的范圍內(nèi)。TLC處在0.00T(含)到1.00T(含)的范圍內(nèi)。TMP處在0.15T(含)到0.75T(含)的范圍內(nèi)。適當(dāng)?shù)目刂茀?shù)TSFP、TELP、和TLC具有下列限制。TSFP的最大值和最小值之間的差值是0.50T或更小。TELP的最大值和最小值之間的差值是0.50T或更小。TLC的最大值和最小值之間的差值是l.OOT或更小。單脈沖的寬度IT-TSFP+TELP處在0.25T(含)到1.50T(含)的范圍內(nèi)。這些參數(shù)的精度控制在士O.2ns。如果第一脈沖和多脈沖串的峰值功率周期彼此重疊，則其組合峰值功率周期是這些峰值功率周期的連續(xù)周期的總和。如果第一脈沖和末脈沖的峰值功率周期彼此重疊，則其組合峰值功率周期是這些峰值功率周期的連續(xù)周期的總和。如果多脈沖串的最后一個(gè)脈沖與末脈沖的峰值功率周期彼此重合，則其組合峰值功率周期是這些峰值功率周期的連續(xù)周期的總和。記錄功率具有四個(gè)等級(jí)峰值功率、第一偏置功率、第二偏置功率、和第三偏置功率。它們是用于在光盤的讀表面上進(jìn)行照射以記錄標(biāo)記和間隔的光功率。峰值功率、第一偏置功率、第二偏置功率、和第三偏置功率記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。峰值功率的最大值不超過(guò)例如10.0mW。第一偏置功率、第二偏置功率、和第三偏置功率的最大值不超過(guò)例如4.0mW。單脈沖、第一脈沖、和末脈沖的平均峰值功率滿足下列要求。I(平均峰值功率)-(峰值功率)|《峰值功率的5%平均第一偏置功率和平均第二偏置功率滿足下列要求。I(平均第一偏置功率)-(第一偏置功率)i《第一偏置功率的5%i(平均第二偏置功率)-(第二偏置功率)1《第二偏置功率的5%多脈沖串的平均功率是測(cè)量周期內(nèi)功率的瞬態(tài)值。測(cè)量周期包括多脈沖串的全部脈沖，并且是T的整數(shù)倍。多脈沖串的平均功率滿足下列要求。I(多脈沖串的平均功率)-(峰值功率+第三偏置功率)/2|《(峰值功率+第二偏置功率)/2的5%所述功率的瞬態(tài)值是實(shí)際功率的瞬態(tài)值。所述平均功率是處在預(yù)定的功率范圍內(nèi)的功率瞬態(tài)值的平均值。所述功率平均值的功率范圍滿足下列要求。峰值功率的平均值I(實(shí)際功率)-(峰值功率)|《峰值功率的10%第一偏置功率的平均值I(實(shí)際功率)-(第一偏置功率)|《第一偏置功率的10%第二偏置功率的平均值I(實(shí)際功率)-(第二偏置功率)|《第二偏置功率的10%第三偏置功率的平均值I(實(shí)際功率)-(第三偏置功率)1《第三偏置功率的10%平均功率的測(cè)量周期不超過(guò)每個(gè)脈沖脈寬的周期。功率的瞬態(tài)值滿足下列要求。I(峰值功率的瞬態(tài)值)-(峰值功率)|《峰值功率的10%I(第一偏置功率的瞬態(tài)值)-(第一偏置功率)|《第一偏置功率的10%I(第二偏置功率的瞬態(tài)值)-(第二偏置功率)|《第二偏置功率的10%I(第三偏置功率的瞬態(tài)值)-(第三偏置功率)1《第三偏置功率的10%為了精確地控制標(biāo)記邊緣的位置，對(duì)第一脈沖、末脈沖、和單脈沖的定時(shí)進(jìn)行調(diào)制。NRZI的標(biāo)記長(zhǎng)度分為M2、M3、禾口M4。標(biāo)記長(zhǎng)度M2、M3、禾口M4表示2T、3T、和3T或更長(zhǎng)。緊靠在標(biāo)記之前的NRZI間隔長(zhǎng)度分為L(zhǎng)S2、LS3、和LS4。間隔長(zhǎng)度LS2、LS3、和LS4表示2T、3T、和3T或更長(zhǎng)。緊靠在標(biāo)記之后的NRZI間隔長(zhǎng)度分為TS2、TS3、和TS4。間隔長(zhǎng)度TS2、TS3、和TS4表示2T、3T、和3T或更長(zhǎng)。把TLC作為NRZI標(biāo)記長(zhǎng)度的類別的函數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)制。因此，TLC取下面的三個(gè)值。TLC(M2)、TLC(M3)、TLC(M4)TLC(M)表示當(dāng)NRZI信號(hào)的標(biāo)記長(zhǎng)度的類別為M時(shí)TMC的值。這三個(gè)TLC值記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。把TSFP作為NRZI的標(biāo)記長(zhǎng)度以及緊靠在標(biāo)記之前的NRZI間隔長(zhǎng)度的類別的函數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)制。因此，TSFP取下面的9個(gè)值TSFP(M2，LS2),TSFP(M3，LS2)，TSFP(M4，LS2)，TSFP(M2，LS3)，TSFP(M3，LS3)，TSFP(M4，LS3)，TSFP(M2，LS4)，TSFP(M3，LS4)，TSFP(M4，LS4)。TSFP(M，LS)表示當(dāng)NRZI信號(hào)的標(biāo)記長(zhǎng)度的類別為M并且緊靠在標(biāo)記之前的NRZI間隔長(zhǎng)度的類別為L(zhǎng)S時(shí)的值。這9個(gè)TSFP值記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。把TELP作為NRZI的標(biāo)記長(zhǎng)度以及緊靠在標(biāo)記之后的NRZI間隔長(zhǎng)度的類別的函數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)制。因此，TELP取下面的9個(gè)值TELP(M2，TS2)，TELP(M3，TS2)，TELP(M4，TS2)，TELP(M2，TS3)，TELP(M3，TS3)，TELP(M4，TS3)，TELP(M2，TS4)，TELP(M3，TS4)，TELP(M4，TS4)。TELP(M，TS)表示當(dāng)NRZI信號(hào)的標(biāo)記長(zhǎng)度的類別為M并且緊靠在標(biāo)記之后的NRZI間隔長(zhǎng)度的類別為TS時(shí)的值。這9個(gè)TELP值記錄在控制數(shù)據(jù)帶中。TSFP的值由標(biāo)記長(zhǎng)度和導(dǎo)引間隔長(zhǎng)度的函數(shù)a到i表示(見(jiàn)圖43A)，TELP的值由標(biāo)記長(zhǎng)度和后續(xù)間隔長(zhǎng)度的函數(shù)j到r表示(見(jiàn)圖43B)，而TLC的值由標(biāo)記長(zhǎng)度的函數(shù)s到u表示(見(jiàn)圖43C)。圖26示出了控制數(shù)據(jù)帶CDZ和R物理信息帶RIZ的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。如圖26所示，控制數(shù)據(jù)帶CDZ包含物理格式信息PFI和盤制造信息麗I，并且R物理信息帶RIZ包含相同的盤制造信息DMI和R物理格式信息R—PFI。盤制造信息DMI記錄了與盤制造國(guó)家名稱相關(guān)的信息251和盤制造商的國(guó)家信息252。當(dāng)售出的信息存儲(chǔ)介質(zhì)侵犯了專利權(quán)時(shí)，侵權(quán)警告通常被發(fā)送到制造地點(diǎn)所在的國(guó)家或者消費(fèi)(使用)該信息存儲(chǔ)介質(zhì)的國(guó)家。由于每個(gè)信息存儲(chǔ)介質(zhì)中都要求記錄前述信息，所以可以通過(guò)判定制造地點(diǎn)(國(guó)家名稱)來(lái)簡(jiǎn)化專利侵權(quán)警告的發(fā)送，從而保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)并促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。而且，盤制造信息DMI也記錄其它盤制造信息253。本實(shí)施例的特征在于，根據(jù)物理格式信息PFI或R物理格式信息R—PFI中的記錄位置(相對(duì)于頭的字節(jié)位置)，指定要被記錄的信息的類型。具體來(lái)說(shuō)，作為物理格式信息PFI或R物理格式信息R一PFI中的記錄位置，在從字節(jié)0到字節(jié)31的32字節(jié)區(qū)中記錄DVD系列中的公共信息261;把作為本實(shí)施例的主題HD—DVD系列中的公共信息262記錄在從字節(jié)32到字節(jié)127的96個(gè)字節(jié)中。把與規(guī)范類型或部分版本相關(guān)的獨(dú)有信息(具體信息)記錄在從字節(jié)128到字節(jié)511的384個(gè)字節(jié)中；并且把對(duì)應(yīng)于每一修訂的信息記錄在從字節(jié)512到字節(jié)2047的1536個(gè)字節(jié)中。這樣，通過(guò)根據(jù)信息的內(nèi)容公共使用物理格式信息中的信息分配位置，從而可部考慮介質(zhì)類型公共使用記錄信息的位置。因而能夠公共進(jìn)行或簡(jiǎn)化信息重放設(shè)備或者信息記錄/重放設(shè)備的重放處理。如圖26所示，記錄在字節(jié)0到字節(jié)31中的DVD系列中的公共信息261進(jìn)一步分為公共記錄在全部只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)、可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)、和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的字節(jié)0到字節(jié)16中的信息267;和信息268，其公共記錄在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，從字節(jié)17到字節(jié)31，但是不記錄在只讀型介質(zhì)中。圖27是示出包含在物理格式信息PFI或R物理格式信息R一PFI中的具體信息內(nèi)容、和根據(jù)如圖26所示的物理格式信息PFI中的信息的介質(zhì)類型(只讀型、可重寫型，或一次寫入型)所進(jìn)行的比較的表。記錄在DVD家族中的公共信息261中對(duì)于全部只讀型、可重寫型，或一次寫入型介質(zhì)通用的信息267，從字節(jié)位置0至16順序記錄規(guī)范類型(只讀型/可重寫型/一次寫入型)信息和版本號(hào)信息；介質(zhì)大小(直徑)和最大數(shù)據(jù)傳輸速率信息；介質(zhì)結(jié)構(gòu)(單層或雙層、是否存在凸凹/一次寫入?yún)^(qū)/可重寫區(qū))；記錄密度(線密度和軌道密度)信息；數(shù)據(jù)區(qū)DTA的分配位置信息；以及是否存在燒錄區(qū)BCA的信息(存在于本實(shí)施例的全部介質(zhì)中)。在DVD家族的公共信息261中對(duì)重寫型和一次寫入型介質(zhì)通用記錄的信息268，記錄有從字節(jié)28至字節(jié)31順序記錄規(guī)定了最大記錄速度的修訂號(hào)信息、用于規(guī)定最小記錄速度的修訂號(hào)信息、修訂號(hào)表(應(yīng)用修訂號(hào))、等級(jí)狀態(tài)信息、和擴(kuò)展(部分)版本信息。本實(shí)施例的特征在于，從字節(jié)28至31所提供的信息用來(lái)根據(jù)物理格式信息PFI或R物理格式信息R一PFI的記錄區(qū)中的記錄速度來(lái)提供修訂信息。傳統(tǒng)上，隨著記錄速度提高到諸如2倍速或4倍速等等的介質(zhì)的發(fā)展，需要根據(jù)個(gè)案重新制定新規(guī)范，這是相當(dāng)麻煩的。如后續(xù)實(shí)施例所述，本發(fā)明致力于得出這些設(shè)備裝置、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、和介質(zhì)配置的優(yōu)選組合。這些組合對(duì)于獲得更穩(wěn)定的記錄/重放是非常重要的。由于ECC塊等的結(jié)構(gòu)到物理扇區(qū)的結(jié)構(gòu)已經(jīng)在轉(zhuǎn)換序列示例圖中給出了配置，數(shù)據(jù)幀的結(jié)構(gòu)示例圖、ECC塊結(jié)構(gòu)的示例圖、已加擾的幀序列的示例圖、PO交織方法的示例圖、物理扇區(qū)的結(jié)構(gòu)示例圖、同步碼的圖案內(nèi)容的示例圖等等和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等一起在誤差校正處理中起到很重要的作用，因此它們是使得能夠在信息重放設(shè)備和信息存儲(chǔ)介質(zhì)中獲得高密度和高穩(wěn)定性的重要部分。如下文所述，在已經(jīng)寫入有信息(數(shù)據(jù))的介質(zhì)上進(jìn)行信息的一次寫入記錄時(shí)，記錄是從已記錄信息的末尾部分之后開始進(jìn)行，從而無(wú)損地在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄信息。在這種情況下，盡管信息會(huì)被部分地重寫，本發(fā)明的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的配置由于具有高ow擦除率而特別適用于此情況。圖28示出直到形成待記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)為止的轉(zhuǎn)換過(guò)程的示意圖，其中通過(guò)從記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)中以2048字節(jié)的大小配置ECC塊、并且附加同步碼來(lái)形成該物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)。此轉(zhuǎn)換過(guò)程為只讀型、一次寫入型、和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)所共用。根據(jù)每一轉(zhuǎn)換階段，定義數(shù)據(jù)幀、加擾幀、記錄幀、和記錄數(shù)據(jù)字段。數(shù)據(jù)幀是記錄用戶數(shù)據(jù)的位置，該數(shù)據(jù)幀包括2048字節(jié)的主數(shù)據(jù)；四字節(jié)的數(shù)據(jù)ID;兩字節(jié)的ID檢錯(cuò)碼(IED)字段；保留字節(jié)(六字節(jié))RSV;和四字節(jié)檢錯(cuò)碼(EDC)。首先，在IED(ID檢錯(cuò)碼)被添加到數(shù)據(jù)ID(下文所述)后，把六個(gè)保留字節(jié)和2048字節(jié)的主數(shù)據(jù)加入數(shù)據(jù)幀，并且把檢錯(cuò)碼(EDC)加入數(shù)據(jù)幀。然后，對(duì)主數(shù)據(jù)加擾。交叉式里德-所羅門糾錯(cuò)碼被用在這些加擾的32個(gè)數(shù)據(jù)幀中(加擾幀)，進(jìn)行ECC編碼處理操作。通過(guò)這樣的處理來(lái)形成記錄幀。該記錄幀的每一個(gè)包括外部碼奇偶校驗(yàn)位PO和內(nèi)部碼奇偶校驗(yàn)位PI。該奇偶校驗(yàn)碼PO和PI是為各自包括32個(gè)加擾幀的ECC塊而產(chǎn)生的糾錯(cuò)碼。如上所述，該記錄幀受ETM(8到12調(diào)制)將8數(shù)據(jù)位轉(zhuǎn)換為12信道位。在每91字節(jié)中添加同步碼SYNC以形成32個(gè)物理扇區(qū)。如圖28所示較低的右側(cè)幀所述，本實(shí)施例的特征在于32個(gè)扇區(qū)形成誤差校正單元(ECC塊)。如下所述，圖30或圖31所示每幀中數(shù)字"0"到"31"表示物理扇區(qū)號(hào)，并且這32個(gè)物理扇區(qū)"0"到"31"的總和構(gòu)成大的ECC塊。下一代DVD在即使程度和現(xiàn)在一代DVD的一樣的劃痕附著在信息存儲(chǔ)介質(zhì)表面的情況下也需要能夠通過(guò)誤差校正處理進(jìn)行精確信息的重放。本實(shí)施例中，記錄密度已被改善從而提高了容量。結(jié)果，在傳統(tǒng)DVD的一個(gè)ECC塊=16扇區(qū)的情況下，可經(jīng)誤差校正糾正物理劃痕的長(zhǎng)度比傳統(tǒng)DVD的小。而在本實(shí)施例中，由于ECC塊由32個(gè)扇區(qū)組成，從而可以增加信息存儲(chǔ)介質(zhì)表面經(jīng)誤差校正允許的劃痕長(zhǎng)度，并保證當(dāng)前DVD中ECC塊結(jié)構(gòu)的兼容性和格式的連續(xù)性。圖29示出數(shù)據(jù)幀的結(jié)構(gòu)圖。一個(gè)數(shù)據(jù)幀由172字節(jié)X2X6行，即2064字節(jié)組成，并包括2048字節(jié)的主數(shù)據(jù)。IED是ID檢錯(cuò)碼的縮寫，表示用于在重放數(shù)據(jù)ID信息時(shí)進(jìn)行誤差檢測(cè)的附加碼。REV是"保留"的縮寫，表示今后進(jìn)行信息設(shè)置的保留區(qū)。EDC為檢錯(cuò)碼的的縮寫，表示用于整個(gè)數(shù)據(jù)幀誤差檢測(cè)的附加碼。圖30示出本實(shí)施例的ECC塊結(jié)構(gòu)。ECC塊由連續(xù)的32個(gè)加擾幀構(gòu)成。垂直方向排列了192行+16行，水平方向排列了(172+10)X2列。B0，0，IH，o…分別是一字節(jié)。PO和PI為糾錯(cuò)碼，分別是外部奇偶校驗(yàn)位和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位。本實(shí)施例形成使用乘積碼的ECC塊結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，本實(shí)施例形成一種把待記錄于信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)二維排列的結(jié)構(gòu)，并且作為誤差校正附加位，PI(奇偶校驗(yàn)輸入)和PO(奇偶校驗(yàn)輸出)分別被加入"行"向和"列"向中。通過(guò)形成采用乘積碼的ECC塊結(jié)構(gòu)，能保證通過(guò)擦除校正和垂直、水平方向上的重復(fù)校正處理實(shí)現(xiàn)的高效誤差校正能力。與傳統(tǒng)DVD中ECC塊結(jié)構(gòu)不同，圖30所示的ECC塊結(jié)構(gòu)的特征在于，兩個(gè)PI碼被置于同一"行"。也就是說(shuō)，圖30中間描述的IO字節(jié)大小的PI碼被添加到排列在其左側(cè)的172字節(jié)中。具體來(lái)說(shuō)，從Bo，172到Bo，181的10字節(jié)的PI碼被添加到從B0，0到B0，i71的172字節(jié)數(shù)據(jù)中；從B^72到B^8i的10字節(jié)PI碼被添加到從Bl，0到Bl，171的172字節(jié)數(shù)據(jù)中。圖30右側(cè)最后所述的10字節(jié)大小的PI碼被添加到圖30左側(cè)和中間位置排列的172字節(jié)的數(shù)據(jù)中。具體來(lái)說(shuō)，例如，從Bo，354到B0，363的10字節(jié)PI碼被添加到B0，182到B0，353的172字節(jié)數(shù)據(jù)中。圖31是加擾后的幀陣列的示意圖。(6行X172字節(jié))單元被處理為一個(gè)已加擾幀。也就是說(shuō)，一個(gè)ECC塊由32個(gè)連續(xù)的已加擾幀構(gòu)成。此外，該系統(tǒng)運(yùn)用一對(duì)塊(182字節(jié)X208字節(jié))。L被指定為左邊ECC塊的已加擾幀的幀號(hào)，R被指定為右邊ECC塊的已加擾幀的幀號(hào)。結(jié)果，已加擾幀的排列如圖31所示。也就是說(shuō)，右側(cè)和左側(cè)的已加擾幀在左邊的塊中交替出現(xiàn)，也在右邊的塊中同樣交替出現(xiàn)。也就是說(shuō)，一個(gè)ECC塊由連續(xù)的32個(gè)已加擾幀構(gòu)成。每一奇數(shù)扇區(qū)的左半行與右半行交換。172X2字節(jié)X192行與172字節(jié)X12行X32加擾幀等價(jià)，并形成一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)。16字節(jié)的PO碼被添加在每一172X2列中構(gòu)成外部碼RS(208，192，17)。10字節(jié)PI碼(RS(182，172，11))被添加到左右塊每一個(gè)的208X2行中。PI碼也被添加到PO行中。每個(gè)幀中的數(shù)字表示了加擾的幀號(hào)，后綴R與L表示加擾幀的右邊和左邊。本實(shí)施的典型特征在于，一個(gè)數(shù)據(jù)幀的內(nèi)容分散在多個(gè)小ECC塊中。具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例中，一個(gè)大ECC塊由兩個(gè)小ECC塊組成，而一個(gè)數(shù)據(jù)幀的內(nèi)容交替分配在兩個(gè)小ECC塊中。如上所述，在圖30的中間描述的10字節(jié)大小的PI碼被添加到排列在其左側(cè)的172字節(jié)中，右邊末尾所描述的IO字節(jié)大小的PI碼被添加到排列在其左側(cè)和中間位置的172字節(jié)中。也就是說(shuō)，左邊的小ECC塊由從圖30左邊最后的172字節(jié)和172字節(jié)之后的IO字節(jié)PI碼組成，右邊的小ECC塊由中間的172字節(jié)和右邊末尾處的IO字節(jié)PI碼組成。每一幀的標(biāo)記在圖31中對(duì)應(yīng)于這些結(jié)構(gòu)來(lái)確定。例如，圖31中的"2-R"等表示數(shù)據(jù)幀號(hào)以及其內(nèi)容屬于左右小ECC塊中的哪一個(gè)(例如，第二數(shù)據(jù)幀的內(nèi)容屬于右邊小ECC塊)。如下所述，一個(gè)物理扇區(qū)中的數(shù)據(jù)也被交替分配到右側(cè)和左側(cè)的小ECC塊中以最終形成各個(gè)物理扇區(qū)(圖32中左邊的列的數(shù)據(jù)包括在左側(cè)小ECC塊中(圖42所示左邊的小ECC塊A)，右邊的列包括在右側(cè)小ECC塊中(圖42所示右邊的小ECC塊B))。通過(guò)把數(shù)據(jù)幀的內(nèi)容分配到多數(shù)個(gè)小ECC塊中，可以改善物理扇區(qū)(圖33A和圖33B)中數(shù)據(jù)的誤差校正能力，并提高記錄數(shù)據(jù)的可靠性。例如，考慮一種情況，其中在記錄另一組數(shù)據(jù)以覆寫已記錄的數(shù)據(jù)、從而破壞一個(gè)物理扇區(qū)的數(shù)據(jù)期間，發(fā)生尋軌失敗。由于本實(shí)施例對(duì)使用兩個(gè)小ECC塊的扇區(qū)中的被損數(shù)據(jù)進(jìn)行誤差校正，因此一個(gè)ECC塊上的誤差校正的負(fù)擔(dān)減小，從而確保了高性能的誤差校正。在本實(shí)施例中，由于即使在形成ECC塊之后，數(shù)據(jù)ID也被分配在每個(gè)扇區(qū)的開始位置，因此可以確保對(duì)數(shù)據(jù)位置的高速訪問(wèn)。圖32是P0交織方法的示例圖。如圖32所示，16個(gè)奇偶校驗(yàn)行按行分配。也就是說(shuō)，對(duì)每?jī)蓚€(gè)記錄分配16個(gè)奇偶校驗(yàn)行的每一個(gè)。因此，由12行形成的記錄幀變成12行+1行。進(jìn)行行交織之后，13行X182字節(jié)稱為一個(gè)數(shù)據(jù)幀。因此，行交織之后的ECC塊由32個(gè)記錄幀構(gòu)成。如上圖31所述，在一個(gè)記錄幀中，左塊和右塊各有6行。PO字節(jié)被分配在左塊(182X208字節(jié))和右塊(182X208字節(jié))之間的不同行。圖32示出一個(gè)己經(jīng)完成的ECC塊。然而，在實(shí)際的數(shù)據(jù)重放時(shí)，這些ECC塊連續(xù)訪問(wèn)誤差校正處理單元。為了改善誤差校正的校正性能，采用了如圖32所示的交織方法。下面使用圖42詳細(xì)描述從圖29所示數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)到圖32所示的PO交織方法之間的關(guān)系。圖42允許通過(guò)圖32中所示PO交織后的ECC塊結(jié)構(gòu)的上部分的放大示例圖來(lái)觀察從圖29到圖32的轉(zhuǎn)化關(guān)系，并且清楚地指明了放大圖的圖29中所示的數(shù)據(jù)ID，IED，RSV和EDC的分配位置。"0-L"，"O-R"，"1-R"和"1-L"分別與圖31所示的"0-L"，"0-R"，"1-R"禾n"1-L"—致。"0-L"和"1-L"表示圖29所示的左邊的主數(shù)據(jù)，即中間線左側(cè)的172字節(jié)X6行的塊，被加擾后得到的數(shù)據(jù)。同樣的，"0-R"和"1-R"表示圖29所示的右邊的主數(shù)據(jù)，即中間線右側(cè)的172字節(jié)X6行的塊，被加擾后得到的數(shù)據(jù)。因此，從圖29可以明顯看出，數(shù)據(jù)ID，IED，RSV從"O-L"或"1-L"的首個(gè)行(第0行)開始依次排列到第12字節(jié)。如圖33A和33B示出物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)。圖33A顯示了偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)，圖33B顯示了奇數(shù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。在圖33A和圖33B中，圖32所示的外部奇偶校驗(yàn)P0信息被插入每個(gè)偶數(shù)和奇數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段的最后2個(gè)同步幀(即，包括最后同步碼SY3和后續(xù)同步數(shù)據(jù)的幀，以及包括同步碼SY1和后續(xù)同步數(shù)據(jù)的幀)的同步數(shù)據(jù)字段中。圖31所示的左邊P0的字節(jié)被插入偶數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段的最后2個(gè)同步幀，圖31所示的右邊P0的字節(jié)被插入奇數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段的最后2個(gè)同步幀。如圖31所示，ECC塊分別由左右小ECC塊組成，不同PO組的數(shù)據(jù)根據(jù)不同扇區(qū)被交替的插入(屬于左邊小ECC塊的P0數(shù)據(jù)或?qū)儆谟疫呅CC塊的P0)。圖33A所示偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)和圖33B所示奇數(shù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)被中線分成兩部分。左邊"24+1092+24+1092信道位"包括在圖30或圖31所示的左邊小ECC塊中，右邊"24+1092+24+1092信道位"包括在圖30或圖31所示的右邊小ECC塊中。當(dāng)圖33A和圖33B所示的物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)被記錄于信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，該結(jié)構(gòu)被連續(xù)一列接一列的記錄。因此，例如，在圖33A所示的偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)的信道位數(shù)據(jù)被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，第一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中。此外，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中。相反，在圖33B所示奇數(shù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的信道位數(shù)據(jù)被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，第一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中。此外，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中。如上所述，本實(shí)施例特征在于，相同物理扇區(qū)中的數(shù)據(jù)每2232個(gè)信道位交替分配到2個(gè)小ECC塊中。換句話說(shuō)，物理扇區(qū)形成這種形式，右邊小ECC塊中和左邊小ECC塊中的數(shù)據(jù)可交替的按每2232個(gè)信道位進(jìn)行分配，然后被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。結(jié)果，可提供了一種強(qiáng)于對(duì)付突發(fā)錯(cuò)誤的結(jié)構(gòu)。例如，考慮如下的狀況，即在信息存儲(chǔ)介質(zhì)圓周方向上形成縱向劃痕，發(fā)生不能讀取超過(guò)172字節(jié)數(shù)據(jù)的突發(fā)誤差。這樣，由于超過(guò)172字節(jié)的突發(fā)誤差被分配在2個(gè)小ECC塊中，從而減小ECC塊中誤差校正的負(fù)擔(dān)，保證了誤差校正的很好性能。如圖33A和圖33B所示，本實(shí)施例特征在于，根據(jù)判斷形成有ECC塊的物理扇區(qū)的物理扇區(qū)編號(hào)是偶數(shù)或奇數(shù)，物理扇區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)互不相同。也即，采用下列結(jié)構(gòu)(1)物理扇區(qū)中第一個(gè)2232信道位數(shù)據(jù)屬于不同的小ECC塊(右邊或左邊)。(2)針對(duì)各個(gè)扇區(qū)交替插入互不相同的P0組數(shù)據(jù)。結(jié)果，即使形成ECC塊之后，由于保證了在所有物理扇區(qū)的頭位置設(shè)置數(shù)據(jù)ID的結(jié)構(gòu)，因此訪問(wèn)數(shù)據(jù)位置時(shí)可確保很高的速度。通過(guò)把屬于不同小ECC塊的PO數(shù)據(jù)一起插入到相同物理扇區(qū)中，簡(jiǎn)化了圖32所示利用PO插入法的方法和結(jié)構(gòu)，從而在信息重放裝置誤差校正處理之后，使得對(duì)各個(gè)扇區(qū)進(jìn)行信息提取變得更容易，因此簡(jiǎn)化了信息記錄/重放裝置中ECC塊數(shù)據(jù)的組合過(guò)程。作為實(shí)際的完成上面內(nèi)容的方法，一種具有不同的PO交織和左右側(cè)插入位置的結(jié)構(gòu)被采用。圖32中用窄雙線表示的部分或窄雙線加陰影表示的部分表示P0交織和插入位置。PO被插入偶數(shù)物理扇區(qū)號(hào)的左邊最后的位置，并被插入奇數(shù)物理扇區(qū)號(hào)的右邊最后的位置。利用這種結(jié)構(gòu)，由于數(shù)據(jù)ID被配置在物理扇區(qū)的開始位置，因此即使形成ECC塊之后也能夠確保對(duì)數(shù)據(jù)位置的高速訪問(wèn)。圖35示出調(diào)制塊的排列。代碼表352按照下式根據(jù)數(shù)據(jù)字B(t)和狀態(tài)S(t)計(jì)算代碼字X(t)和后續(xù)狀態(tài)S(t+l):X(t)=H{B(t)，S(tMS(t+l)=G{B(t)，S(t)}其中H是代碼字輸出函數(shù)，而G是后續(xù)狀態(tài)輸出函數(shù)。狀態(tài)寄存器358從代碼表352接收后續(xù)狀態(tài)S(t+1)，并把(當(dāng)前)狀態(tài)S(t)輸出到代碼表352。代碼轉(zhuǎn)換表中的12信道位包括以"0b"和"lb"表示的星號(hào)位"*"和井號(hào)(sharp)位。代碼轉(zhuǎn)換表中的星號(hào)位"*"表示該位是合并位。轉(zhuǎn)換表中的一些代碼字在其LSB位置處具有合并位。由代碼連接器354根據(jù)合并位后面的信道位來(lái)把該合并位設(shè)為"0b"或"lb"。如果后面的信道位是"0b"，則合并位被設(shè)為"lb"。如果后面的信道位是"lb"，則合并位被設(shè)為"Ob"。轉(zhuǎn)換表中的井號(hào)位表示該位是DSV控制位。DSV控制位在DSV控制器356執(zhí)行直流分量抑制控制時(shí)被確定。參考圖36，對(duì)本實(shí)施例中多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄格式的比較進(jìn)行說(shuō)明。圖36(a)示出傳統(tǒng)只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-ROM、傳統(tǒng)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-R、和傳統(tǒng)可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-RW中的數(shù)據(jù)記錄格式。圖36(b)示出本實(shí)施例的只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄格式。圖36(c)示出本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄格式。圖36(d)示出本實(shí)施例的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄格式。如圖36(a)所示的傳統(tǒng)只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-ROM、傳統(tǒng)一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-R、和傳統(tǒng)可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-RW中，ECC塊由16個(gè)物理扇區(qū)組成。不同于傳統(tǒng)介質(zhì)，在本實(shí)施例中如圖36(b)到圖36(d)和圖32所示，ECC塊由32個(gè)物理扇區(qū)組成。本實(shí)施例特征在于，有與同步幀長(zhǎng)度433同樣長(zhǎng)度的保護(hù)字段442到448被確保提供于相鄰的ECC塊#1411到tt8418之間。在傳統(tǒng)只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-ROM中，如圖36所示，ECC塊#1411至1」#8418被連續(xù)記錄。當(dāng)為了保持與傳統(tǒng)的只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-ROM兼容的數(shù)據(jù)記錄格式、而在傳統(tǒng)的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-R和傳統(tǒng)的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-RW上執(zhí)行稱為受限的覆寫的一次寫入或重寫處理時(shí)，ECC塊上的一些數(shù)據(jù)會(huì)被覆寫破壞，從而產(chǎn)生了重放時(shí)數(shù)據(jù)可靠性嚴(yán)重劣化的問(wèn)題。相反，與在本實(shí)施例中類似，如果保護(hù)字段442到448被分配在相鄰的數(shù)據(jù)字段(ECC塊)之間，則重寫位置被限制在保護(hù)字段442到448，從而避免對(duì)數(shù)據(jù)字段(ECC塊)的數(shù)據(jù)破壞。本實(shí)施例次要特征在于保護(hù)字段442到448每一個(gè)的長(zhǎng)度都符合一個(gè)同步幀大小的同步幀長(zhǎng)度433。如圖33A到圖31所示，同步碼以同步幀長(zhǎng)度433的恒定間隔(1116信道位)分配，圖14所示的同步碼位置提取單元145按照此固定周期間隔來(lái)抽取同步碼位置。在本實(shí)施例中，由于即使在重放訪問(wèn)擴(kuò)展到保護(hù)字段442到448時(shí)同步幀間隔也保持不變，，因此重放時(shí)易于進(jìn)行同步碼位置檢測(cè)。此外，為了(1)通過(guò)匹配在即使延伸到保護(hù)字段442到448的位置上的同步碼產(chǎn)生頻率，來(lái)提高對(duì)同步碼位置的檢測(cè)精度；以及(2)易于對(duì)包括保護(hù)字段442到448的物理扇區(qū)的位置進(jìn)行判斷；同步碼(同步數(shù)據(jù))被分配在保護(hù)字段。特別的，如圖38所示，后同步碼字段481被置于保護(hù)字段442到448開始位置，帶有同步碼號(hào)"1"的同步碼"SY1"被分配在該后同步碼字段481中。從圖33A和33B中可以看出，物理扇區(qū)中三個(gè)連續(xù)同步碼的同步碼號(hào)組合在所有位置中互不相同。因此，根據(jù)任意區(qū)三個(gè)連續(xù)同步碼的同步碼號(hào)的組合，不僅對(duì)物理扇區(qū)的位置信息，還可對(duì)保護(hù)字段以及物理扇區(qū)中的位置進(jìn)行判定。圖38示出圖36所示的保護(hù)字段441到448的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖。物理扇區(qū)中的結(jié)構(gòu)包括同步碼431和同步數(shù)據(jù)432的組合。本實(shí)施例特征在于保護(hù)字段441到448的每一個(gè)都包括同步碼433和同步數(shù)據(jù)434的組合，并且按照與扇區(qū)中的同步數(shù)據(jù)432相同的調(diào)制規(guī)則進(jìn)行了調(diào)制的數(shù)據(jù)被分配在保護(hù)字段#3443中的同步數(shù)據(jù)字段434中。在本發(fā)明中，由圖30所示32個(gè)物理扇區(qū)組成的ECC塊#2412中的字段稱為數(shù)據(jù)字段470。數(shù)據(jù)字段470被重放時(shí)，圖38中VF0(變頻振蕩器)字段471和472被用于獲得信息重放裝置或信息記錄/重放裝置的同步基準(zhǔn)時(shí)鐘。進(jìn)行如后所述的一般調(diào)制之前的數(shù)據(jù)，即記錄在VF0字段471和472中的數(shù)據(jù)內(nèi)容，是"7Eh"的重復(fù)，并且調(diào)制之后實(shí)際記錄的信道位模式為"010001000100"的重復(fù)(連續(xù)重復(fù)三個(gè)"O"的模式)。為得到這種模式，需要在調(diào)整中將VF0字段471和472的首字節(jié)設(shè)置為狀態(tài)2。預(yù)同步字段477和478表示VF0字段471和472與數(shù)據(jù)字段470之間的分界線位置，調(diào)制后記錄信道位模式是"100000100000"的重復(fù)(連續(xù)5個(gè)"0"被重復(fù)的模式)。該信息重放裝置或信息記錄/重放裝置在預(yù)同步字段477和478檢測(cè)"100000100000"重復(fù)模式的模式變化位置來(lái)識(shí)別數(shù)據(jù)字段470的附近。后同步碼字段481表示數(shù)據(jù)字段470的結(jié)束位置以及保護(hù)字段443的開始位置。后同步碼字段481的模式與同步碼中"SY1"的模式一致。附加字段482用來(lái)進(jìn)行復(fù)制控制或非法復(fù)制保護(hù)。如果該字段不用于進(jìn)行復(fù)制控制或非法復(fù)制保護(hù)，該字段如信道位一樣被置為全"0，，。在緩沖字段474和475中，調(diào)制前的數(shù)據(jù)與VF0字段471和472的數(shù)據(jù)相同，即"7Eh"的重復(fù)，調(diào)制之后實(shí)際記錄的信道位模式為"010001000100"的重復(fù)模式(連續(xù)3個(gè)"0"被重復(fù)的模式)。為獲得此模式，需要在調(diào)制中將VF0字段471和472的開始字節(jié)設(shè)置在狀態(tài)2。如圖38所示，記錄"SY1"模式的后同步碼字段481與該同步碼字段433—致；從緊接在后同步碼字段481到預(yù)同步字段478的附加字段與該同步數(shù)據(jù)字段434—致。從VF0字段471到緩沖字段475(即，包括數(shù)據(jù)字段470的字段及其前后的保護(hù)字段)的字段稱為數(shù)據(jù)段490并且表示與后述的"物理段"不同的內(nèi)容。圖38中所示的每項(xiàng)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)容量由調(diào)制前的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)表示。本實(shí)施例不限于圖38所示的結(jié)構(gòu)，并可以采用下面方法作為另一實(shí)施例。也就是說(shuō)，該預(yù)同步字段477被設(shè)置在VF0字段471和472中間，而不是將預(yù)同步字段477分配在在VF0字段471和數(shù)據(jù)字段470之間的分界線部分。在另一實(shí)施例中，通過(guò)延長(zhǎng)位于數(shù)據(jù)字段470的頭位置的同步碼"SY0"和預(yù)同步字段477之間的距離作為臨時(shí)同步位置來(lái)得到較大的距離相關(guān)性，其中該預(yù)同步字段477用作實(shí)際同步位置的距離相關(guān)信息(盡管與另一同步位置的距離不同)。如果檢測(cè)同步位置失敗，則同步被插入到由臨時(shí)同步位置產(chǎn)生的實(shí)際位置會(huì)被檢測(cè)出的位置。另一實(shí)施例的特征在于該預(yù)同步字段477與實(shí)際同步("SYO")之間間隔很小。如果預(yù)同步字段477被設(shè)置在VFO字段471和472之間，則由于讀時(shí)鐘PLL未被鎖定而使得預(yù)同步作用變?nèi)?。因此，希望該預(yù)同步字段477被設(shè)置在VFO字段471和472中間位置。如上所述，當(dāng)在已經(jīng)寫有一定信息(數(shù)據(jù))的介質(zhì)上進(jìn)行信息的一次寫入記錄時(shí)，為了無(wú)損地在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)，必須在已有的記錄信息的末端之后進(jìn)行記錄。在這種情況下，盡管信息會(huì)被部分地重寫，下面實(shí)施例中描述的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的配置由于具有高OW擦除率而特別適用于此情況。在使用下一代大容量介質(zhì)的時(shí)代，由于所處理的信息量很大，可重寫型介質(zhì)的數(shù)據(jù)一次寫入特性也非常重要。使用本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)，可以獲得更高密度和更高可靠性的介質(zhì)，并且可以更加穩(wěn)定地進(jìn)行記錄/重放。圖39示出用于在可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄可重寫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄方法。本實(shí)施例的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄簇的布局將以圖39中所示布局為示例加以說(shuō)明。然而本發(fā)明不限于此具體布置，并且可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)可以采用圖39中所示的布局。圖39(a)示出與上述圖36(d)相同的內(nèi)容。在本實(shí)施例中，與可重寫數(shù)據(jù)相關(guān)的重寫處理可在圖39(b)和39(e)中所示的各記錄簇540和541中實(shí)現(xiàn)。如下所述，一個(gè)記錄簇包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)段529到531以及設(shè)置在記錄簇末尾的擴(kuò)展保護(hù)字段528。也就是說(shuō)，記錄簇541的開始位置與數(shù)據(jù)段531的開始位置一致，該簇從VFO字段522開始。在連續(xù)記錄多個(gè)數(shù)據(jù)段529和530的情況下，由于多個(gè)數(shù)據(jù)段529和530被連續(xù)分配在一個(gè)記錄簇540中，并且分配在數(shù)據(jù)段529末尾處的緩沖字段547和下一個(gè)數(shù)據(jù)段開始處的VFO字段532相連接，因此它們的相位(記錄時(shí)的記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘的相位)彼此一致，如圖39B和圖39C所示。當(dāng)連續(xù)記錄終止時(shí)，擴(kuò)展保護(hù)字段528被設(shè)置在記錄簇540的末尾位置。擴(kuò)展保護(hù)字段528的數(shù)據(jù)容量與調(diào)制前作為數(shù)據(jù)的24數(shù)據(jù)字節(jié)容量一樣。從圖39A和圖39C之間的相關(guān)性明顯看出，可重寫型保護(hù)字段461和462包括后同步字段546和536;附加字段544和534;緩沖字段547和537;VF0字段532和522;以及預(yù)同步字段533和523。擴(kuò)展保護(hù)字段528僅被設(shè)置在連續(xù)記錄終止的位置。為了比較重寫單元的物理范圍，圖39(c)示出記錄簇540的一些作為信息重寫單元的字段；圖39(d)示出記錄簇541的一些作為后續(xù)重寫單元的字段。本實(shí)施例的特征在于，進(jìn)行重寫以便擴(kuò)展保護(hù)字段528和隨后的VF0字段522在重寫時(shí)部分地相互重疊在復(fù)制位置541(K3點(diǎn))。通過(guò)對(duì)字段部分重疊地重寫信息，可以避免在記錄簇540和541之間產(chǎn)生間隔(未形成記錄標(biāo)記的區(qū)域)，以消除單面、雙記錄層可記錄型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的層間串?dāng)_，從而對(duì)平穩(wěn)重放信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。本實(shí)施例的一個(gè)數(shù)據(jù)段中可重寫數(shù)據(jù)的容量為67+4+77376+2+4+16=77469數(shù)據(jù)字節(jié)。(2)從圖48A和圖48B可以看出，擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560為6+4+6+68=84次擺動(dòng)。(3)一個(gè)物理段550由17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元組成，7個(gè)物理段550到556的長(zhǎng)度與一個(gè)數(shù)據(jù)段531的長(zhǎng)度一致。這樣，在一個(gè)數(shù)據(jù)段531長(zhǎng)度中，分配有84X17X7=9996次擺動(dòng)。(4)因此，根據(jù)公式(2)到(4)，一次擺動(dòng)對(duì)應(yīng)于77496+9996=7.75數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)/擺動(dòng)(5)如圖40所示，隨后的VFO字段522和擴(kuò)展保護(hù)字段528的重疊部分位于一個(gè)物理段開始位置之后24次擺動(dòng)后面的位置。從物理段550頭位置開始的16次擺動(dòng)的字段對(duì)應(yīng)于一個(gè)擺動(dòng)同步字段，但是隨后的68次擺動(dòng)字段被配置在非調(diào)制字段590中。因此，后續(xù)VFO字段522和擴(kuò)展保護(hù)字段528的重疊部分位于非調(diào)制字段590中。這樣，通過(guò)把數(shù)據(jù)段頭位置置于物理段頭位置之后24次擺動(dòng)以后的位置，不僅使重疊部分位于非調(diào)制字段590中，并且能夠保證適當(dāng)?shù)臋z測(cè)擺動(dòng)同步字段580的檢測(cè)時(shí)間和記錄處理的準(zhǔn)備時(shí)間，從而確保平穩(wěn)和精確的記錄處理相變記錄薄膜被用于本實(shí)施例的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄薄膜。在相變記錄薄膜中，由于記錄薄膜的劣變開始于重寫的開始/結(jié)束位置，因此，如果記錄開始/記錄結(jié)束在相同位置被重復(fù)，由于記錄薄膜的劣變，會(huì)限制重寫的次數(shù)。本實(shí)施例中，為了縮略上述問(wèn)題，在重寫時(shí)如圖40所示，以(Jm+1/12)數(shù)據(jù)字節(jié)為單位隨機(jī)地改變記錄開始位置。在圖39中，為了解釋基本概念，擴(kuò)展保護(hù)字段528的頭位置與VFO字段522的開始位置一致。然而在本實(shí)施例中，嚴(yán)格的講，如圖40所示，VFO字段522的頭位置是隨機(jī)改變的。相變記錄薄膜被用作當(dāng)前可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)DVD-RAM盤中的記錄薄膜，并且為了提高重寫量而隨機(jī)地改變記錄的開始/結(jié)束位置。當(dāng)在當(dāng)前DVD-RAM盤中隨機(jī)改變時(shí)，最大改變量范圍被設(shè)置為8數(shù)據(jù)字節(jié)。當(dāng)前DVD-RAM盤中的平均信道位長(zhǎng)度(如調(diào)制后的數(shù)據(jù)，要被記錄在盤中)被設(shè)為0.143pm。如圖22所示，在本實(shí)施例的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，信道位的平均長(zhǎng)度被取為(0.087+0.093)+2=0.090,(6)在物理變化范圍長(zhǎng)度符合當(dāng)前的DVD-RAM盤的情況下，使用上面的值，本實(shí)施例中作為隨機(jī)改變范圍所需的最小長(zhǎng)度被取為8字節(jié)X(0.143pm+0.090|iim)=12.7字節(jié)。(7)本實(shí)施例中，為了保證易于進(jìn)行重放信號(hào)檢測(cè)處理，隨機(jī)改變量單元被調(diào)整符合調(diào)制后的"信道位"。本實(shí)施例中，采用ETM調(diào)制(8到12調(diào)制)把8位轉(zhuǎn)換成12位，參考數(shù)據(jù)字節(jié)，隨機(jī)變化量被數(shù)學(xué)表達(dá)為Jm/12數(shù)據(jù)字節(jié)(8)利用公式(7)中的值，由于Jm可取的值為12.7X12二152.4(9)因此Jm的范圍從0到152。由于上述原因，只要滿足公式(9)，隨機(jī)變化量的長(zhǎng)度就與當(dāng)前DVD-RAM盤一致，從而能夠確保與當(dāng)前DVD-RAM盤相似的重寫次數(shù)。本實(shí)施例中，為了保證比當(dāng)前光盤更多的重寫次數(shù)，對(duì)公式(7)的值提供了很小的余量，使得隨機(jī)變化范圍的長(zhǎng)度=14數(shù)據(jù)字節(jié)(10)由于把公式(10)的值代入公式(8)可得出14X12=168，可以設(shè)定Jm可取的值二0到167(11)如上所述，隨機(jī)變化量被定義在比Jm/12(0《Jm《154)寬的范圍內(nèi)，由此，滿足公式(9)并且對(duì)應(yīng)于隨機(jī)變化量的物理范圍的長(zhǎng)度與當(dāng)前DVD-RAM光盤一致。這樣，可以保證與當(dāng)前DVD-RAM相同的重復(fù)記錄次數(shù)。在圖39中，記錄簇540的緩沖字段547和VF0字段532的長(zhǎng)度為常量。相同記錄簇540中所有數(shù)據(jù)段529和530的隨機(jī)變化量Jm在任何地方都取相同的值。在連續(xù)記錄包括大量數(shù)據(jù)段的記錄簇540的情況下，記錄位置由擺動(dòng)被檢測(cè)出。這時(shí)，由于錯(cuò)誤的擺動(dòng)計(jì)數(shù)或者使信息存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)(如圖14中的電動(dòng)機(jī))的非均勻旋轉(zhuǎn)，很少發(fā)生擺動(dòng)滑移(在一個(gè)擺動(dòng)周期內(nèi)，記錄在變化的位置上)，并且信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄位置發(fā)生變化。本實(shí)施例的信息存儲(chǔ)介質(zhì)特征在于如此產(chǎn)生的記錄位置變化被檢測(cè)的情況下，在圖39所示的保護(hù)字段461中、或者圖36C所示的一次寫入保護(hù)字段452中進(jìn)行調(diào)節(jié)以校正記錄時(shí)間。在圖39中，不允許發(fā)生位丟失或位復(fù)制的重要信息被記錄在后同步字段546、附加字段544、和預(yù)同步字段533中。然而，由于緩沖區(qū)547和VF0字段532記錄重復(fù)的特殊模式，因此只要能夠確保該重復(fù)交界線位置，可以允許僅一個(gè)模式的丟失或復(fù)制。因此，在本實(shí)施例中，在保護(hù)字段461并且尤其是在保護(hù)區(qū)中的緩沖字段547或VF0字段532中進(jìn)行調(diào)節(jié)，以校正記錄時(shí)間。如圖40所示，在本實(shí)施例中，作為設(shè)置位置基準(zhǔn)的實(shí)際開始點(diǎn)位置被設(shè)置來(lái)與擺動(dòng)幅度"0"(擺動(dòng)中心)位置匹配。然而，由于擺動(dòng)位置的檢測(cè)精度較低，如同所述的"土l最大值"，因此本實(shí)施例允許實(shí)際開始點(diǎn)位置的最大值為上至"土l數(shù)據(jù)字節(jié)"的變化量最大值(12)把Jm定義為圖39和圖40中的數(shù)據(jù)段中隨機(jī)變化量(如上所述，記錄簇540中所有數(shù)據(jù)段529隨機(jī)變化量彼此一致)；并且把JmH定義為稍后要附加寫入的數(shù)據(jù)段531隨機(jī)變化量。如公式(11)所示的Jm和Jra+1可取的值，取其中間值，即Jm=Jm+l=84。在實(shí)際開始點(diǎn)的位置精度足夠高的情況下，擴(kuò)展保護(hù)字段528的開始位置與VF0522中的開始位置一致，如圖39所示。相反，在數(shù)據(jù)段530被記錄在最后面的位置后，要被附加寫入或稍后重寫的數(shù)據(jù)段531已被記錄在最前面的位置的情況下，根據(jù)公式(10)中明確指定的值以及表達(dá)式(12)的值，VF0字段522的頭位置可以進(jìn)入緩沖區(qū)537最多15個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。特別重要的信息被記錄在緊靠緩沖字段537之前的附加字段534中。因此，本實(shí)施例中緩沖字段537的長(zhǎng)度需要15數(shù)據(jù)字節(jié)或者更多(13)在如圖39所示的實(shí)施例中，添加了一數(shù)據(jù)字節(jié)的余量，并且把緩沖字段537的數(shù)據(jù)容量設(shè)為16數(shù)據(jù)字節(jié)。作為隨機(jī)變化的結(jié)果，如果擴(kuò)展保護(hù)字段528和VF0字段522之間出現(xiàn)了間隔，在采用單面雙記錄層結(jié)構(gòu)的情況下，該間隔會(huì)導(dǎo)致在重放時(shí)產(chǎn)生層間串?dāng)_。這樣，即使產(chǎn)生隨機(jī)變化，擴(kuò)展保護(hù)字段528和VF0字段522也會(huì)相互部分地重疊使得不會(huì)形成任何間隔。因此，根據(jù)與表達(dá)式(13)中相同的理由，在本實(shí)施例中，擴(kuò)展保護(hù)字段528的長(zhǎng)度必須設(shè)為等于或大于15數(shù)據(jù)字節(jié)。由于后續(xù)的VF0字段522足夠容納71數(shù)據(jù)字節(jié)的長(zhǎng)度，因此即使擴(kuò)展保護(hù)字段528和VF0字段522的重疊區(qū)發(fā)生微小的展寬，信號(hào)重放時(shí)也不會(huì)有障礙(因?yàn)榇_保了足夠長(zhǎng)的在無(wú)重疊VF0字段522中同步重放基準(zhǔn)時(shí)鐘的時(shí)間)。因此，可以將擴(kuò)展保護(hù)字段528的值設(shè)置大于15數(shù)據(jù)字節(jié)。如已描述的，在連續(xù)記錄時(shí)很少發(fā)生擺動(dòng)滑移，記錄位置可在一個(gè)擺動(dòng)周期內(nèi)變化。由于一個(gè)擺動(dòng)周期對(duì)應(yīng)于7.75("8)數(shù)據(jù)字節(jié)，因此本實(shí)施例根據(jù)表達(dá)式(13)和此值進(jìn)行設(shè)置擴(kuò)展保護(hù)字段528長(zhǎng)度為等于或大于(15+8=)23數(shù)據(jù)字節(jié)(14)在圖39A到39F所示的實(shí)施例中，像緩沖區(qū)537—樣添加了1數(shù)據(jù)字節(jié)的余量，并把擴(kuò)展保護(hù)字段528的長(zhǎng)度設(shè)為24數(shù)據(jù)字節(jié)。在圖39中，需要準(zhǔn)確的設(shè)置記錄簇541的記錄開始位置。利用事先記錄在可重寫型或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的擺動(dòng)信號(hào)，本實(shí)施例的信息記錄/重放設(shè)備檢測(cè)該記錄開始位置。在除了擺動(dòng)同步字段580以外的所有字段中，每四次擺動(dòng)，模式就從NPW變化到IPW。相比之下，在該擺動(dòng)同步字段580中，由于擺動(dòng)變換單元在四次擺動(dòng)中被部分改變，因此該擺動(dòng)同步字段580的位置可非常容易地被檢測(cè)出。這樣，在對(duì)擺動(dòng)同步字段580的位置進(jìn)行檢測(cè)之后，本實(shí)施例的信息記錄/重放設(shè)備進(jìn)行記錄處理的準(zhǔn)備工作，并開始記錄。為此，需要在緊靠該擺動(dòng)同步字段580之后的非調(diào)制字段590中設(shè)置記錄簇541的開始位置。圖40示出分配的內(nèi)容。該擺動(dòng)同步字段580被設(shè)置在緊接著物理段轉(zhuǎn)換位置之后。該擺動(dòng)同步字段580的長(zhǎng)度總計(jì)為16次擺動(dòng)周期。檢測(cè)完該擺動(dòng)同步字段580之后，考慮到余量，需要8個(gè)擺動(dòng)周期用于準(zhǔn)備記錄過(guò)程。因此，即使考慮到隨機(jī)變化，位于記錄簇541頭位置處的VFO字段522的頭位置必須分配在物理段變化位置24或更多次擺動(dòng)之后的位置。如圖39所示，在重寫處理時(shí)，記錄處理在重疊位置541處重復(fù)多次。當(dāng)重寫處理被重復(fù)時(shí)，擺動(dòng)溝槽或擺動(dòng)槽岸的物理形狀會(huì)改變(劣變)，該擺動(dòng)重放信號(hào)的質(zhì)量會(huì)降低。如圖39所示，本實(shí)施例中，在重寫或一次寫入記錄處理時(shí)，重疊位置541不被記錄在擺動(dòng)同步字段580或擺動(dòng)地址字段586中而被記錄在非調(diào)制字段590中。由于給定的擺動(dòng)模式(NPW)僅在非調(diào)制字段590中重復(fù)，故即使當(dāng)擺動(dòng)重放信號(hào)的質(zhì)量部分劣變，也可利用相鄰的擺動(dòng)重放信號(hào)對(duì)已經(jīng)劣變的擺動(dòng)重放信號(hào)進(jìn)行插值。由于在重寫或一次寫入記錄處理時(shí)重疊位置541被置于非調(diào)制字段590中，因此可以避免由擺動(dòng)同步字段580或擺動(dòng)地址字段586中的形狀劣變導(dǎo)致的擺動(dòng)重放信號(hào)質(zhì)量的劣變，并且可以確保來(lái)自擺動(dòng)地址信息610的穩(wěn)定的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)。圖41示出要記錄在一次寫入信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一次寫入型數(shù)據(jù)的一次寫入記錄方法的實(shí)施例。由于只進(jìn)行一次記錄，該一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)不要求上述的任何隨機(jī)移位。在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，數(shù)據(jù)段的頭位置被設(shè)置在物理段頭位置之后24次擺動(dòng)處，如圖40所示，從而使覆寫位置處于擺動(dòng)非調(diào)制字段中。參照?qǐng)D42詳細(xì)說(shuō)明從圖29所示數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)到圖32所示的PO交織方法的關(guān)系。圖42允許通過(guò)查看圖32中所示PO交織后的ECC塊結(jié)構(gòu)上部分的放大示例圖，其中清楚規(guī)定了圖29中所示的數(shù)據(jù)ID，IED，RSV和EDV的分配位置，來(lái)觀察圖29到圖32的轉(zhuǎn)換的關(guān)系。圖42所示的"0-L"，"0-R"，"1-R"和"1-L"與圖31所示的"O-L"，"0-R"，"1-R"禾卩"1-L"一致。"0-L"和"1-L"的每一個(gè)表示圖29的左邊只有主數(shù)據(jù)(即，中線左側(cè)172字節(jié)X6行的塊)被加擾后得到的數(shù)據(jù)。同樣的，"0-R"和"1-R"表示圖29的右邊只有主數(shù)據(jù)(即，中線右側(cè)172字節(jié)X6行的塊)被加擾后得到的數(shù)據(jù)。因此，從圖29中可明顯看出，數(shù)據(jù)ID，IED，RSV被依次排列，上至"0-L"或"1-L"的首行(第0行)中的第12字節(jié)。在圖42中，中線以左形成有左邊小ECC塊A，中線以右形成有右邊小ECC塊B。因此，從圖42中可明顯看出，"0-L"禾口"2-L"中的數(shù)據(jù)ID#1，數(shù)據(jù)ID#2，IED#0，IED#2，RSV#0和RSV#2包含在左邊小ECC塊A中。圖31中，"0-L"和"2-L"配置于左邊，"0-R"和"2-R"配置于右邊，同時(shí)"1-R"和"1-L"的分配被顛倒"1-L"分配在右邊，而"1-R"分配在左邊。由于數(shù)據(jù)I加l，IE加l，和RSV#1從"1-L"第一行的開頭開始排列到第12字節(jié)，并且其左右排列是顛倒的，因此"1-L"中的數(shù)據(jù)ID#1，IED#1，和RSV#1被記錄在右側(cè)小ECC塊B中。在本實(shí)施例中，圖42中"0-L"和"0-R"的組合稱為"第O個(gè)記錄幀"，"1-L"和"1-R"的組合稱為"第1個(gè)記錄幀"。相鄰記錄幀的分界線由圖42中的粗線表示。從圖42中可明顯看出，數(shù)據(jù)ID配置在每一記錄幀的頭，P0和PI-L配置在每一記錄幀的末尾。如圖42所示，本實(shí)施例特點(diǎn)在于，奇數(shù)和偶數(shù)記錄幀包括帶有數(shù)據(jù)ID的不同的小ECC塊，并且當(dāng)記錄幀連續(xù)時(shí)數(shù)據(jù)ID,IED和RSV交替地配置于左側(cè)和右側(cè)的小ECC塊。小ECC塊的誤差校正能力受到限制，不能對(duì)超過(guò)特定數(shù)量的隨機(jī)誤差或超過(guò)特定長(zhǎng)度的突發(fā)誤差進(jìn)行誤差校正。如上所述，通過(guò)把數(shù)據(jù)ID，IED和RSV交替地配置在左側(cè)和右側(cè)小ECC塊A和B中，來(lái)提高數(shù)據(jù)ID的重放可靠性。也就是說(shuō)，即使信息存儲(chǔ)介質(zhì)上發(fā)生很多缺損，無(wú)法對(duì)左側(cè)和右側(cè)的任一小ECC塊進(jìn)行誤差校正，并且無(wú)法對(duì)屬于失效小ECC塊的數(shù)據(jù)ID進(jìn)行解碼，但由于數(shù)據(jù)ID，IED和RSV被交替配置在左側(cè)和右側(cè)小ECC塊中，因此其它的小ECC塊也進(jìn)行誤差校正，并對(duì)保留的數(shù)據(jù)ID進(jìn)行解碼。因?yàn)閿?shù)據(jù)ID的地址信息具有連續(xù)性，無(wú)法解碼的數(shù)據(jù)ID的信息可以利用可解碼數(shù)據(jù)ID的信息來(lái)插值獲得。因此，如圖42所示的實(shí)施例能夠提高讀取的可靠性。圖42中左邊加括號(hào)的數(shù)字表示P0交織后ECC塊的行號(hào)。在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)，記錄是以行號(hào)的順序從左到右連續(xù)地進(jìn)行的。在圖42中，各個(gè)記錄幀的數(shù)據(jù)ID以常數(shù)間隔來(lái)分配，從而使數(shù)據(jù)ID的位置檢索能力得到改善。如圖33A和33B示出物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)。圖33A顯示了偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)，圖33B顯示了奇數(shù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。在圖33A和圖33B中，，圖32所示的外部奇偶校驗(yàn)P0信息被插入每個(gè)偶數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段和奇數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段中最后2個(gè)同步幀(即，包括最后同步碼SY3和后續(xù)同步數(shù)據(jù)的幀，以及包括同步碼SY1和后續(xù)同步數(shù)據(jù)的幀)中的同步數(shù)據(jù)字段。圖31所示的左邊P0—些字節(jié)被插入偶數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段的最后2個(gè)同步幀，圖31所示的右邊PO—些字節(jié)被插入奇數(shù)記錄數(shù)據(jù)字段的最后2個(gè)同步幀。如圖31所示，ECC塊分別由左右小ECC塊組成，不同的PO組(屬于左邊小ECC塊的PO數(shù)據(jù)或?qū)儆谟疫呅CC塊的PO數(shù)據(jù))交替插入各個(gè)扇區(qū)。圖33A所示偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)和圖33B所示奇數(shù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)在中線位置被分成兩部分。左邊"24+1092+24+1092信道位"包括在圖30或圖31所示的左邊小ECC塊中，右邊"24+1092+24+1092信道位"包括在圖30或圖31所示的右邊小ECC塊中。當(dāng)圖33A和圖33B所示的物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)被記錄于信息存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，該結(jié)構(gòu)被連續(xù)一列接一列的記錄。因此，例如，在圖33A所示的偶數(shù)物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)的信道位數(shù)據(jù)被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，第一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中。此外，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中。相反，在圖33B所示奇數(shù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的信道位數(shù)據(jù)被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下，第一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在左邊小ECC塊中。此外，下一次記錄的2232個(gè)信道位數(shù)據(jù)包括在右邊小ECC塊中。如上所述，本實(shí)施例特征在于，一個(gè)物理扇區(qū)中的數(shù)據(jù)以2232信道位為單位交替分配到2個(gè)小ECC塊中。換句話說(shuō)，右邊小ECC塊中和左邊小ECC塊中的數(shù)據(jù)可交替的以2232信道位為基礎(chǔ)進(jìn)行分配來(lái)形成物理扇區(qū)，并隨后記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。結(jié)果，可提供了一種強(qiáng)于對(duì)付突發(fā)錯(cuò)誤的結(jié)構(gòu)。例如，考慮如下的狀況，即在信息存儲(chǔ)介質(zhì)圓周方向上形成周向長(zhǎng)劃痕，發(fā)生不能讀取超過(guò)172字節(jié)數(shù)據(jù)的突發(fā)誤差。這樣，由于超過(guò)172字節(jié)的突發(fā)誤差被分配在2個(gè)小ECC塊中，從而減小一個(gè)ECC塊中誤差校正的負(fù)擔(dān)，保證了誤差校正的很好性能。如圖33A和圖33B所示，其特征在于，物理扇區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)根據(jù)形成有ECC塊的物理扇區(qū)的物理扇區(qū)編號(hào)是偶數(shù)或奇數(shù)而不相同。也即，采用下列結(jié)構(gòu)(1)物理扇區(qū)中第一個(gè)2232信道位數(shù)據(jù)屬于不同的小ECC塊(右邊或左邊)。(2)針對(duì)各個(gè)扇區(qū)交替插入互不相同的P0組數(shù)據(jù)。結(jié)果，即使在形成ECC塊之后，由于保證了在所有物理扇區(qū)的頭位置設(shè)置數(shù)據(jù)ID的結(jié)構(gòu)，因此訪問(wèn)數(shù)據(jù)位置時(shí)也可確保很高的速度。通過(guò)把屬于不同小ECC塊的PO—起插入到相同物理扇區(qū)中，簡(jiǎn)化了圖32所示利用PO插入法的方法和結(jié)構(gòu)，從而在信息重放裝置誤差校正處理之后，使得對(duì)各個(gè)扇區(qū)進(jìn)行信息提取變得更容易，因此簡(jiǎn)化了信息記錄/重放裝置中ECC塊數(shù)據(jù)的組合處理。作為特定的完成上面內(nèi)容的方法，一種具有不同的PO交織和左右側(cè)插入位置的結(jié)構(gòu)被采用。圖32中用窄雙線表示的部分或窄雙線加陰影表示的部分表示PO交織和插入位置。PO被插入偶數(shù)物理扇區(qū)號(hào)的左邊最后的位置或者奇數(shù)物理扇區(qū)號(hào)的右邊最后的位置。利用這種結(jié)構(gòu)，即使配置完ECC塊，但由于采用了數(shù)據(jù)ID被配置在物理扇區(qū)的頭位置的結(jié)構(gòu)，因此也能夠確保對(duì)數(shù)據(jù)位置的高速訪問(wèn)。圖44示出另一種與圖41所示的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一次寫入記錄方法相關(guān)的實(shí)施例。物理段塊交界線位置后24次擺動(dòng)后面的位置是寫入開始點(diǎn)。對(duì)于將于此處一次寫入記錄的新數(shù)據(jù)，在形成71數(shù)據(jù)字節(jié)的VF0字段之后，ECC塊中的數(shù)據(jù)字段被記錄。該寫入開始點(diǎn)與緊靠在前的記錄數(shù)據(jù)的緩沖字段537結(jié)束位置一致，并且在形成8數(shù)據(jù)字節(jié)長(zhǎng)度的擴(kuò)展保護(hù)字段528后面的位置成為一次寫入數(shù)據(jù)的記錄結(jié)束位置(寫入結(jié)束點(diǎn))。因此，在一次寫入記錄數(shù)據(jù)時(shí)，緊靠在前記錄的擴(kuò)展保護(hù)字段529和將要一次寫入的新VFO字段將彼此重疊8數(shù)據(jù)字節(jié)。下面對(duì)把溝槽記錄方法用作方法(b)的情況進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于這些方法多余的描述被忽略。表12是記錄定時(shí)參數(shù)的設(shè)置表。在本實(shí)施例中，上述參數(shù)設(shè)置范圍被定義如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage78</formula>而且在本實(shí)施例中，上述參數(shù)的值可以根據(jù)記錄標(biāo)記的標(biāo)記長(zhǎng)度及其導(dǎo)引、后續(xù)間隔長(zhǎng)度發(fā)生變化，如表12所示?；谌缟纤鲞M(jìn)行確定的參數(shù)值等，可以確定"某驅(qū)動(dòng)器的給定存儲(chǔ)介質(zhì)(已在其驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶DRTZ中進(jìn)行了試寫)的最優(yōu)記錄條件(寫策略信息)"。表13、14、15、和16分別示出只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)、一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)、和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的通用參數(shù)設(shè)置示例。表13示出只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中本實(shí)施例的參數(shù)值。表14示出一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中本實(shí)施例的參數(shù)值。表15示出可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的參數(shù)值。從表13或14與表15的對(duì)比(尤其是(B)部分的對(duì)比)中可以看出，通過(guò)減小軌道間距并提高線密度(數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度)，可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有比只讀型或一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)更大的記錄容量。如下文所述，由于可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)使用槽岸/溝槽記錄，通過(guò)減少相鄰軌道間串?dāng)_的影響來(lái)減小軌道間距。只讀型、一次寫入型、和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)都具有如下特征，即系統(tǒng)導(dǎo)入/導(dǎo)出區(qū)SYLDI/SYLD0的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(對(duì)應(yīng)于記錄密度)都被設(shè)為大于數(shù)據(jù)導(dǎo)入/導(dǎo)出區(qū)DTLDI/DTLD0的數(shù)據(jù)位長(zhǎng)度和軌道間距(以降低記錄密度)。表16示出包含在物理格式信息PFI或R物理格式信息R—PFI中的具體信息內(nèi)容、和根據(jù)記錄在物理格式信息PFI中的信息的介質(zhì)類型(只讀型、可重寫型，或一次寫入型)所進(jìn)行的比較。記錄在DVD家族中的公共信息261中對(duì)于全部只讀型、可重寫型，或一次寫入型介質(zhì)通用的信息267，從字節(jié)位置0至16順序記錄規(guī)范類型(只讀型/可重寫型/一次寫入型)信息和版本號(hào)信息；介質(zhì)大小(直徑)和最大數(shù)據(jù)傳輸速率信息；介質(zhì)結(jié)構(gòu)(單層或雙層、是否存在凸凹/一次寫入?yún)^(qū)/可重寫區(qū))；記錄密度(線密度和軌道密度)信息；數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的分配位置信息；以及是否存在燒錄區(qū)BCA的信息(存在于本實(shí)施例的全部介質(zhì)中)。在DVD家族的公共信息261中對(duì)重寫型和一次寫入型通用地記錄的信息268，記錄有從字節(jié)28至字節(jié)31順序記錄了規(guī)定最大記錄速度的修訂號(hào)信息、規(guī)定最小記錄速度的修訂號(hào)信息、修訂號(hào)表(應(yīng)用修訂號(hào))、等級(jí)狀態(tài)信息、和擴(kuò)展(部分)版本信息。本實(shí)施例的特征在于，從字節(jié)28至31所提供的信息包括根據(jù)物理格式信息PFI或R物理格式信息R—PFI的記錄區(qū)中的記錄速度的修訂信息。表17和表18是用于說(shuō)明與物理格式信息和R物理格式信息相關(guān)的另一個(gè)實(shí)施例、并且示出一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的通用參數(shù)設(shè)置示例的列表。表17示出與物理格式信息和R物理格式信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的另一個(gè)實(shí)施例。為了比較起見(jiàn)，表17還描述了"更新的物理格式信息"。在表17中，從第0字節(jié)到第31字節(jié)的字段用作DVD家族中公用信息269的記錄字段，并且一個(gè)從第32字節(jié)開始的字段被設(shè)置用于各個(gè)規(guī)范。注意，就HDJ)VD-R的物理格式信息(表17中的R物理格式信息)而言，表17中從256到263的字節(jié)位置(BP)配置來(lái)描述邊界帶的起始位置的PSN(對(duì)應(yīng)于當(dāng)前出邊界的起始物理段號(hào))以及如表16中字節(jié)位置197到511所示的更新后的起始位置的PSN(對(duì)應(yīng)于后續(xù)出邊界的起始物理段號(hào))。J盡管未示出，表17的字節(jié)位置(BP)32描述了所關(guān)心光盤上能夠確保的實(shí)際最大讀取速度。例如在BP32處，"0001010b"對(duì)應(yīng)于IX，這表示64.8Mbps的信道比特率。實(shí)際最大讀取速度通過(guò)該值X(1/10)來(lái)計(jì)算。盡管未示出，字節(jié)位置(BP)33能夠描述與HD—DVD-R(具有層0和層1的雙層光盤)的物理格式相關(guān)的"層格式表"。該表具有8位的結(jié)構(gòu)，其中3位表示層0的格式(當(dāng)此3位是000b時(shí)表示HD—DVD-R格式)，另外3位表示層1的格式(當(dāng)此3位是000b時(shí)表示HD—DVD-R格式)。在單面單層R光盤的情況下，BP33處的層格式表不起作用。此外，盡管未示出，表17的字節(jié)位置(BP)133到151能夠描述下列信息。即，BP133到148描述第i(i=l，2，，16)記錄速度的實(shí)際值。注意，"第i"表示所關(guān)心光盤上可用速度中的第i最小速度。因此，BP133即i=l描述最低的記錄速度。在BP133到148處，第一到第16字段是為"i"準(zhǔn)備的，并且可能沒(méi)有輸入。例如，如果某字段為"00000000b"(沒(méi)有可用的第i記錄速度)，這意味著第i字段的字節(jié)被保留。注意，第i記錄速度以該值X(1/10)來(lái)計(jì)算。BP149描述數(shù)據(jù)區(qū)的反射率。如果BP149為例如"00101000b"，這表示反射率是20%。實(shí)際反射率以該值X(1/2)(%)來(lái)計(jì)算。BP150描述包括軌道形狀的一位的推挽信號(hào)的信息。如果軌道形狀是"Ob"，這表示所關(guān)心的軌道是呈現(xiàn)在溝槽上。如果此位是"lb"，則表示所關(guān)心的軌道是呈現(xiàn)在槽岸上。當(dāng)代表推挽信號(hào)的7位是"0101000b"時(shí)，推挽信號(hào)的值是例如"0.40"。推挽信號(hào)的實(shí)際幅值(如后所述的(I1-I2)pp/(I1+I2)dc)以該值X(1/100)來(lái)計(jì)算。bp151描述"軌道上信號(hào)"的幅度。如果BP151為"01000110b"，則表示軌道上信號(hào)的幅度是"O.70"。軌道上信號(hào)的實(shí)際幅值以該值X(1/10)來(lái)計(jì)算。表12記錄脈沖定時(shí)參數(shù)的設(shè)置表(a)<table>tableseeoriginaldocumentpage81</column></row><table>表13只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的通用參數(shù)設(shè)置示例<table>tableseeoriginaldocumentpage82</column></row><table>(A)表示系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLDO中的數(shù)值，而(B)表示數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO、和中間區(qū)MDA中的數(shù)值82表14一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的通用參數(shù)設(shè)置示例<table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>(A)表示系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的數(shù)值，而(B)表示數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的數(shù)值表15可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的通用參數(shù)設(shè)置示例<table>tableseeoriginaldocumentpage84</column></row><table>(A)表示系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的數(shù)值，而(B)表示數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的數(shù)值表16物理格式信息和R物理格式信息中信息內(nèi)容的對(duì)比示例圖<table>tableseeoriginaldocumentpage85</column></row><table>表16物理格式信息和R物理格式信息中信息內(nèi)容的對(duì)比示例圖(續(xù))<table>tableseeoriginaldocumentpage86</column></row><table>表17與物理格式信息和R物理格式信息相關(guān)的另一實(shí)施例的說(shuō)明<table>tableseeoriginaldocumentpage87</column></row><table>*:R物理格式信息中的BP256至263表17與物理格式信息和R物理格式信息相關(guān)的另一實(shí)施例的說(shuō)明(續(xù))<table>tableseeoriginaldocumentpage88</column></row><table>本發(fā)明是找出這些設(shè)備裝置、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、和介質(zhì)配置的優(yōu)選組合的發(fā)明。使用本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)能夠獲得更高密度和更高可靠性的介質(zhì)，并實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的記錄/重放。表18示出一次寫入型單面雙層光盤的通用參數(shù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>據(jù)區(qū)的內(nèi)徑是24.6，層1的內(nèi)徑是24.7ram，并且數(shù)據(jù)區(qū)的外徑是58.1mm(層0和層1皆然)。下面給出特別涉及一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(一次寫入型介質(zhì))的說(shuō)明?！禬AP布局》物理段必須與一個(gè)周期性位置中的擺動(dòng)地址(WAP)信息相對(duì)應(yīng)。每個(gè)WAP信息以17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元WDU表示。物理段的長(zhǎng)度等于17個(gè)WDU的長(zhǎng)度。圖35示出WAP地址字段的布局。圖35對(duì)應(yīng)于單面單層介質(zhì)情況下的圖49C和49D。WAP布局字段中的數(shù)值指示在物理段中的WDU號(hào)。在物理段中第一W而必須是"0"。WAP的位b0到b8描述CRC，b9到bll描述物理段次序，b12到b30描述PS塊地址，并且b31到b32描述段信息。在段信息之中，b31描述保留字段，而b32描述類型。類型表示物理段的類型(Ob為類型1(圖22B)，lb為類型2(圖22C)或類型3(圖22D)。PS塊地址被分配給各個(gè)PS塊。對(duì)于物理段次序，"000b"設(shè)置在PS塊中的第一物理段，并且類似地把各個(gè)值分配給其它六種類型的物理段。擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元WDU由84個(gè)擺動(dòng)組成。擺動(dòng)的周期等于93T(T代表溝道時(shí)鐘周期)。圖19示出在SYNC字段中的主要WDU。表19SYNC字段的主要WDU<table>tableseeoriginaldocumentpage90</column></row><table>42次擺動(dòng)6次擺動(dòng)4次擺動(dòng)6次擺動(dòng)26次擺動(dòng)表22示出地址字段中的次要WDU。該地址字段記錄了3位(0b作為正相擺動(dòng)(NPW)，而lb作為反相擺動(dòng)(IPW))。表22地址字段中的次要WDUNPWIPW位2位1位0NPW42次擺動(dòng)4次擺動(dòng)4次擺動(dòng)4次擺動(dòng)4次擺動(dòng)26次擺動(dòng)表23示出統(tǒng)一字段中的WDU。統(tǒng)一字段中的WDU未被調(diào)制。表23統(tǒng)一字段的WDUNPW84次擺動(dòng)NPW和IPW以圖47所示的波形記錄在軌道上。物理段的開始位置與SYNC字段的開始位置相一致。如圖19到22所示，有兩個(gè)調(diào)制過(guò)的擺動(dòng)位置，即主要WDU和次要WDU。通常選擇主要WDU。不過(guò)，在控制過(guò)程中有可能在相鄰軌道里已經(jīng)有已調(diào)制的擺動(dòng)。在此情況下，選擇次要WDU來(lái)避免使已調(diào)制的擺動(dòng)相鄰，如圖21所示。如圖22所示，按已調(diào)制的擺動(dòng)位置把物理段分成類型l、類型2和類型3。根據(jù)下列規(guī)則選擇物理段的類型。1)類型l或類型2的物理段被連續(xù)重復(fù)等于或大于10次。2)類型2的物理段被連續(xù)重復(fù)不超過(guò)28次。3)類型3的物理段在從類型1物理段到類型2物理段的轉(zhuǎn)換位置上可被選擇一次。4)已調(diào)制的擺動(dòng)位置與臨近軌道之一隔開大于等于2個(gè)擺動(dòng)的長(zhǎng)度。表24示出驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶中從BP52到99的排列。表24驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的分配<table>tableseeoriginaldocumentpage92</column></row><table>圖45示出包括如圖14所示的同步碼位置提取單元145的外圍單元的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。同步碼包括具有固定模式的同步位置檢測(cè)碼部分和可變碼部分。從維特比解碼器156輸出的信道位串中，同步碼位置檢測(cè)碼檢測(cè)器182檢測(cè)具有固定模式的同步位置檢測(cè)碼部分的位置。可變碼轉(zhuǎn)移單位183和184提取位于同步位置檢測(cè)碼部分前后的可變碼數(shù)據(jù)。然后，同步幀位置辨識(shí)碼內(nèi)容標(biāo)識(shí)符185判斷所檢測(cè)的同步碼位于扇區(qū)中的哪個(gè)同步幀(下文所述)中。記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的用戶信息被順次轉(zhuǎn)移到移位寄存器電路170、解調(diào)電路152中的解調(diào)處理器188、和ECC解碼電路162中。在本實(shí)施例中，通過(guò)在數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的重放中使用PRML方法，實(shí)現(xiàn)了信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度的H格式(尤其提高了線密度)，并且通過(guò)使用在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中進(jìn)行重放的限幅電平檢測(cè)方法而確保了與目前DVD的兼容性以及重放穩(wěn)定性。圖46示出了本實(shí)施例中的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和尺寸。作為實(shí)施例，這三種類型的信息存儲(chǔ)介質(zhì)被明確說(shuō)明，艮P:，只讀且不允許記錄的"只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"；92M又允許進(jìn)行一次添加記錄(一次寫入記錄)的"一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"；以及*能夠任意次重寫記錄的"可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)"。如圖46所示，所述三種信息存儲(chǔ)介質(zhì)在大多數(shù)結(jié)構(gòu)和尺寸上彼此通用。全部三種信息存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)是，從內(nèi)圓周側(cè)依次排列有燒錄區(qū)BCA、系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI、連接區(qū)CNA、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、和數(shù)據(jù)區(qū)DTA。數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0排列在除OPT型只讀介質(zhì)之外的全部類型的介質(zhì)的外圓周部分。如稍后所述，中間區(qū)MDA排列在OPT型只讀介質(zhì)的外圓周部分。在一次寫入型和可重寫型介質(zhì)中，信息以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中，并且該區(qū)域用于只讀(禁用一次寫入型記錄)。在只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，信息以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式記錄在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中。而在一次寫入型和可重寫型介質(zhì)中，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI允許以記錄標(biāo)記的形式一次寫入地記錄新信息(在可重寫型介質(zhì)中是重寫記錄)。如后面所述，在一次寫入型和可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0既包括允許一次寫入記錄(在可重寫型介質(zhì)中是重寫記錄)的區(qū)域也包括其上信息以凸紋(預(yù)制凹坑)的形式被記錄的只讀區(qū)。如前所述，由于使用P腹L方法來(lái)重放記錄在圖46所示的數(shù)據(jù)區(qū)DTA、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO、和中間區(qū)MM中的信號(hào)重放記錄，因此可實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)密度增加(尤其是線密度增加)。另外，由于使用限幅電平檢測(cè)方法來(lái)重放記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)SYLD0中的信號(hào)，，因此可以確保與當(dāng)前DVD的兼容和重放的穩(wěn)定性。不同于當(dāng)前DVD規(guī)范，在圖46所示的實(shí)施例中，燒錄區(qū)BCA和系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI位置上彼此分開，而不會(huì)彼此重疊。這些區(qū)域物理上彼此分開，從而能夠防止在信息重放時(shí)記錄在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的信息和記錄在燒錄區(qū)BCA中的信息相互干擾，并且能夠確保高精確度地重放信息?，F(xiàn)在，對(duì)圖46所示的燒錄區(qū)BCA的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。在測(cè)量BCA信號(hào)時(shí)，從光頭發(fā)出的激光束焦點(diǎn)必須聚焦在記錄層上。從燒錄區(qū)BCA中獲得的重放信號(hào)被截止頻率為550kHz的二次低通貝塞爾濾波器過(guò)濾。燒錄區(qū)BCA的跟隨信號(hào)特性被指定在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中心和22.4mm到23.0mm的半徑之間。在來(lái)自該燒錄區(qū)BCA的重放信號(hào)中，當(dāng)BCA碼信道位="0"時(shí)，最大和最小電平分別被定義為IBHraax和IBHmin;當(dāng)BCA碼信道位="l"時(shí)，最大末端電平被定義為IBLmax，中間電平被定義為(IBHmin+IBLmax)/2。在本實(shí)施例中，各檢測(cè)信號(hào)特性包括滿足(IBLmax/IBHrain)《0.8的狀態(tài)和(IBHmax/IBHmin)《1.4的狀態(tài)。參考IBL和IBH的平均電平，把BCA信號(hào)在基準(zhǔn)位置交叉的位置作為邊沿位置。當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度為2760rpm(46.0Hz)時(shí)，BCA信號(hào)的周期被指定。導(dǎo)引邊沿(后續(xù)位置)之間的周期被設(shè)定為4.63Xn±1.00w，光量下降處的脈沖位置的寬度(從給定后續(xù)位置到下一個(gè)導(dǎo)引位置之間的間隔)被設(shè)定為1.56±0.75|is。在很多情況下，BCA碼在信息存儲(chǔ)介質(zhì)完全制成之后進(jìn)行記錄。然而，BCA碼也可事先記錄為預(yù)制凹坑。該BCA碼沿該信息存儲(chǔ)介質(zhì)圓周方向記錄，這樣，脈寬較窄的方向與光反射率較低的方向一致。在記錄時(shí)使用RZ調(diào)制方法對(duì)BCA碼進(jìn)行調(diào)制。帶有窄脈寬(=低反射率)的脈沖必須窄于己調(diào)制BCA碼的信道時(shí)鐘寬度的一半。圖47示出本實(shí)施例位分配的方法。如圖47的左邊所示，從擺動(dòng)開始位置初始地向外圓周側(cè)擺動(dòng)的擺動(dòng)模式稱為NPW(正相擺動(dòng))，其被指派為數(shù)據(jù)"0"。如右邊所示，從擺動(dòng)開始位置初始地向內(nèi)圓周側(cè)擺動(dòng)的擺動(dòng)模式稱為IPW(反相擺動(dòng))，其被指派為數(shù)據(jù)"1"。圖48A到48D對(duì)各個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中調(diào)制字段和非調(diào)制字段的出現(xiàn)率進(jìn)行說(shuō)明。在圖48A到48D所示的全部擺動(dòng)單元中，調(diào)制字段598由16次擺動(dòng)組成，而非調(diào)制字段593由68次擺動(dòng)組成。此實(shí)施例的特征在于非調(diào)制字段593比調(diào)制字段598更寬。通過(guò)設(shè)置較寬的非調(diào)制字段593，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)、寫時(shí)鐘、或重放時(shí)鐘可以在使用非調(diào)制字段593的PLL電路中獲得穩(wěn)定的同步。為了獲得穩(wěn)定的同步，非調(diào)制字段593期望比調(diào)制字段598寬2倍以上。下面對(duì)本發(fā)明的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)H格式中使用擺頻調(diào)制的地址信息記錄格式將進(jìn)行描述。本實(shí)施例中使用擺頻調(diào)制的地址信息設(shè)置方法的最典型特征在于，"以同步幀長(zhǎng)度433為單元進(jìn)行分配"。一個(gè)扇區(qū)由26個(gè)同步幀組成，一個(gè)ECC塊由32個(gè)物理扇區(qū)構(gòu)成。這樣，一個(gè)ECC塊包括832(=26X32)個(gè)同步幀。每個(gè)物理段分成17個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元(WDU)。7個(gè)同步幀被指派到一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的長(zhǎng)度中。擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元tt0560到#11571的每一個(gè)包含16次擺動(dòng)的調(diào)制字段598，68次擺動(dòng)的非調(diào)制字段592和593，如圖48A到48D所示。本實(shí)施例最典型的特征在于，非調(diào)制字段592和593對(duì)調(diào)制字段的占有比非常大。由于在非調(diào)制字段592和593中，溝槽區(qū)或槽岸區(qū)總是以固定的頻率擺動(dòng)，這樣，利用非調(diào)制字段592和593來(lái)運(yùn)用PLL(鎖相環(huán))，能夠穩(wěn)定地提取(生成)對(duì)記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄標(biāo)記進(jìn)行重放時(shí)所用的基準(zhǔn)時(shí)鐘或者記錄新的記錄標(biāo)記時(shí)所用的基準(zhǔn)時(shí)鐘。由于在本實(shí)施例中，非調(diào)制字段592和593對(duì)調(diào)制字段598的占有比很大，因此提取(生成)重放基準(zhǔn)時(shí)鐘和記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘的精度和提取(生成)穩(wěn)定性能夠顯著地提高。也即，在基于擺動(dòng)而執(zhí)行相位調(diào)制時(shí)，當(dāng)為了波形整形而使重放信號(hào)通過(guò)帶通濾波器時(shí)，出現(xiàn)一種現(xiàn)象，其中整形后的檢測(cè)信號(hào)波形幅度在相位變化位置的前后減小。因此提出了以下問(wèn)題。即當(dāng)由于相位調(diào)制度而使相位變化點(diǎn)的出現(xiàn)頻率增加時(shí)，波形幅度變化增加，并且時(shí)鐘提取精度降低。相反，如果調(diào)制字段中相位變化點(diǎn)的出現(xiàn)頻率低，則易于在擺動(dòng)地址信息檢測(cè)時(shí)發(fā)生位移動(dòng)。為解決此問(wèn)題，本實(shí)施例通過(guò)相位調(diào)制形成調(diào)制字段和非調(diào)制字段、并且為非調(diào)制字段設(shè)置高占有比來(lái)提高時(shí)鐘提取的精度。在本實(shí)施例中，由于調(diào)制字段和非調(diào)制字段之間的切換位置可事先預(yù)測(cè)，因此為了提取時(shí)鐘，非調(diào)整字段被選通以檢測(cè)僅來(lái)自非調(diào)制字段的信號(hào)，可以從檢測(cè)到的信號(hào)中提取時(shí)鐘。此外，如果記錄層3-2由使用根據(jù)本實(shí)施例的記錄原理的有機(jī)染料記錄材料構(gòu)成，則相對(duì)難以在使用"3-2)對(duì)本實(shí)施例中有機(jī)染料薄膜的基本特性的公用說(shuō)明"中"3-2-D]在本實(shí)施例中有關(guān)預(yù)制溝槽形狀/寬度的基本特性"所描述的預(yù)制溝槽形狀/寬度的情況下，提取擺動(dòng)信號(hào)。為了解決此問(wèn)題，由于非調(diào)制字段592和593相對(duì)調(diào)制字段的占有比被設(shè)定得很大，因此擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)的可靠性能夠得到提高。在從非調(diào)制字段592或593向調(diào)制字段598轉(zhuǎn)換之處，設(shè)使用4或6次擺動(dòng)設(shè)置IPW字段作為調(diào)制開始標(biāo)記，并且在如圖48C和48D所示的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分，擺頻調(diào)制后的擺動(dòng)地址字段(字段位#2至1」#0)作為調(diào)制開始標(biāo)記緊隨IPW字段的檢測(cè)之后。圖48A和圖48B示出與圖49C中所示擺動(dòng)同步字段580相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0560中的內(nèi)容；圖48C和48D示出與圖49C中所示段信息727到CRC碼726的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容。圖48A和48C示出與下述調(diào)制字段的主要位置701相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元內(nèi)容；圖48B和48D示出與擺動(dòng)字段的次要位置702相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容。如圖48A和48B所示，在擺動(dòng)同步字段580中，每個(gè)IPW字段配置了6次擺動(dòng)，IPW字段包圍的NPW字段配置了4次擺動(dòng)。如圖48C和圖48D所示，在擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分，4次擺動(dòng)分別配置到IPW字段和所有地址位字段#2到#0。圖49A到49D示出與一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中擺動(dòng)地址信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的實(shí)施例。為了對(duì)比起見(jiàn)，圖49A示出可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中擺動(dòng)地址信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。圖49B和49C示出與一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中擺動(dòng)地址信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的兩個(gè)不同的實(shí)施例。在擺動(dòng)地址信息610中，3個(gè)地址位設(shè)置使用12次擺動(dòng)。也就是說(shuō)，每一地址位由四個(gè)連續(xù)擺動(dòng)組成。這樣，本實(shí)施例采用了地址信息位置以每3個(gè)地址位為單位進(jìn)行分配的結(jié)構(gòu)。當(dāng)擺動(dòng)地址信息610的所有部分被集中記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的一個(gè)位置時(shí)，若介質(zhì)表面附有灰塵或劃痕則所有信息都無(wú)法檢測(cè)。在本實(shí)施例中，擺動(dòng)地址信息610的位置以擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560到576中之一所包括的3個(gè)地址位(12次擺動(dòng))為基礎(chǔ)進(jìn)行分配，以針對(duì)3地址位整數(shù)倍的各個(gè)地址位進(jìn)行信息組的記錄。即使由于灰塵或劃痕的影響而難以檢測(cè)某給定位置的信息時(shí)，也可以檢測(cè)另外的信息。由于擺動(dòng)地址信息610的位置被分配，并且該擺動(dòng)地址信息610針對(duì)每個(gè)物理段進(jìn)行完全配置，從而可以在每個(gè)物理段中檢測(cè)地址信息。因此，在信息記錄/重放裝置進(jìn)行訪問(wèn)時(shí)，能夠檢測(cè)出每個(gè)物理段的當(dāng)前位置。由于本實(shí)施例采用NRZ方法，因此在擺動(dòng)地址信息610中的4個(gè)連續(xù)擺動(dòng)中，相位不發(fā)生變化。利用此特性來(lái)設(shè)置擺動(dòng)同步碼580。也即，由于為擺動(dòng)同步字段580設(shè)置了擺動(dòng)地址信息610中不會(huì)產(chǎn)生的擺動(dòng)模式，因此易于辨別擺動(dòng)同步字段580的分配位置。本實(shí)施例的特征在于相對(duì)于一個(gè)地址位由4次連續(xù)擺動(dòng)組成的擺動(dòng)地址字段586和587，擺動(dòng)同步字段580處的地址位被設(shè)置為不同于4次擺動(dòng)長(zhǎng)度的地址位長(zhǎng)度。具體來(lái)說(shuō)，在擺動(dòng)同步字段580中，設(shè)置了不會(huì)在擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分發(fā)生的擺動(dòng)模式變化(圖48C和48D)，其類似于把擺動(dòng)位="1"處的字段(IPW字段)設(shè)置為不同于四次擺動(dòng)，即圖48A和48B所示的"六次擺動(dòng)一四次擺動(dòng)一六次擺動(dòng)"。當(dāng)如上所述改變擺動(dòng)周期的方法被用作設(shè)置擺動(dòng)模式的實(shí)際方法，其中該擺動(dòng)模式在擺動(dòng)同步字段580的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分不會(huì)產(chǎn)生，則可以獲得如下的效果(1)擺動(dòng)檢測(cè)(擺動(dòng)信號(hào)判斷)能穩(wěn)定的持續(xù)進(jìn)行，不會(huì)破壞與擺動(dòng)的開槽位置512相關(guān)的PLL，其中該擺動(dòng)檢測(cè)在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器中進(jìn)行。(2)通過(guò)在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器中改變地址位的邊界位置，可以容易地檢測(cè)出擺動(dòng)同步字段580和調(diào)制開始標(biāo)記581和582。如圖48A到48D所示，本實(shí)施例的特征在于擺動(dòng)同步字段580具有12個(gè)擺動(dòng)周期，并且該擺動(dòng)同步字段580的長(zhǎng)度與三個(gè)地址位長(zhǎng)度一致。這樣，把擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元圳560中整個(gè)調(diào)制字段(16次擺動(dòng))配置在擺動(dòng)同步字段580中，使得擺動(dòng)地址信息610的開始位置(擺動(dòng)同步字段580的分配位置)更易于檢測(cè)。該擺動(dòng)同步字段580被分配在物理段的第一擺動(dòng)單元中。把擺動(dòng)同步字段580分配在物理段的開始位置，這樣，僅通過(guò)檢測(cè)擺動(dòng)同步字段580位置，就可以提取出物理段的邊界位置。如圖48C和48D所示，作為調(diào)制開始標(biāo)記的IPW字段(見(jiàn)圖47)被分配在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#1561到#1571中的地址位#2到#0之前的頭位置。由于分配在前面位置的非調(diào)制字段592和593具有連續(xù)的NPW波形，因此擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135通過(guò)檢測(cè)到從NPW到IPW的切換位置來(lái)提取調(diào)制開始標(biāo)記的位置。作為參考，圖49A所示的可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容如下(1)物理段地址601…表示軌道中物理段號(hào)的信息(在信息存儲(chǔ)介質(zhì)221的一周之內(nèi))。(2)帶地址602…表示信息存儲(chǔ)介質(zhì)221中的帶編號(hào)。(3)奇偶校驗(yàn)信息605…該信息設(shè)置來(lái)在從擺動(dòng)地址信息610中進(jìn)行重放時(shí)用于誤差檢測(cè)，并且表示通過(guò)把14個(gè)地址位從保留信息604中單獨(dú)添加到地址位單元的帶地址602中所得到的和是偶數(shù)還是奇數(shù)。奇偶校驗(yàn)信息605的值被設(shè)置，使得對(duì)包括此地址奇偶信息605的一個(gè)地址位的總共15個(gè)地址位進(jìn)行異或處理所得的結(jié)果變?yōu)?1"。(4)統(tǒng)一字段608…如前所述，每一擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元被設(shè)置為包括16次擺動(dòng)的調(diào)制字段598、68次擺動(dòng)的非調(diào)制字段592和593，使得非調(diào)制字段592和593相對(duì)調(diào)制字段598的占有比被設(shè)為很大。此外，通過(guò)增加非調(diào)制字段592和593的占有比，可以提高重放基準(zhǔn)時(shí)鐘或記錄基準(zhǔn)時(shí)鐘的提取(生成)精度和穩(wěn)定性。在統(tǒng)一字段608中，全部的NPW字段以一致的相位連續(xù)形成非調(diào)制字段。圖49A示出分配到這些信息項(xiàng)中的地址位編號(hào)。如上所述，擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容以3地址位為單位分開并分配在各個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中。即使由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)表面上的灰塵或劃痕導(dǎo)致發(fā)生突發(fā)誤差，誤差在不同擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中擴(kuò)散的可能性很低。因此，相同信息的記錄位置跨越不同擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的次數(shù)減少到最低，從而使各信息的分界位置與每個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的邊界位置相匹配。這樣，即使由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)表面的灰塵或劃痕導(dǎo)致發(fā)生突發(fā)誤差，并且無(wú)法讀取特定信息，也可以讀取記錄在其它擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的另一信息，從而提高了擺動(dòng)地址信息的重放可靠性。如圖49A到圖49C所示，本實(shí)施例最典型的特征在于統(tǒng)一字段608和609被配置在該擺動(dòng)地址信息610的末尾。如上所述，由于統(tǒng)一字段608和609中的擺動(dòng)波形由NPW定義，這樣，NPW實(shí)際上保持在三個(gè)連續(xù)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中。利用此特點(diǎn)，通過(guò)搜索NPW保持三個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元576長(zhǎng)度的位置，如圖14所示的擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135可以容易地提取分配在擺動(dòng)地址信息610末尾處的統(tǒng)一字段608的位置。利用此位置信息，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135能夠檢測(cè)擺動(dòng)地址信息610的開始位置。在圖49A所示的多種信息中，物理段地址601和帶地址602表示相鄰軌道之間的相同值，同時(shí)溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址607在相鄰軌道之間改變它們的值。因此，不確定位字段504出現(xiàn)在記錄有溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址607的字段中。為減小這種不確定位的頻率，本實(shí)施例用格雷碼表示溝槽軌道地址606和槽岸軌道地址607的地址(號(hào))。格雷碼表示這樣一個(gè)碼，該碼在原始值改變"1"之后只變化"1位"。這樣，不確定位的頻率降低，并且不僅可以從記錄標(biāo)記中穩(wěn)定地檢測(cè)擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)，還可以穩(wěn)定地檢測(cè)重放信號(hào)。如圖49B和49C所示，在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，擺動(dòng)同步字段680被分配在物理段的頭位置，從而易于檢測(cè)物理段頭位置或相鄰物理段之間的邊界位置。由于如圖49D所示的物理段中類型識(shí)別信息721表示按照與上述擺動(dòng)同步字段580中的擺動(dòng)同步模式相同的模式進(jìn)行的物理段中調(diào)制字段的分配位置，因此可以事先預(yù)測(cè)同一物理段中另一個(gè)調(diào)制字段598的分配位置，并提前準(zhǔn)備對(duì)后來(lái)的調(diào)制字段進(jìn)行的檢測(cè)，從而使調(diào)制字段的信號(hào)檢測(cè)(判別)精度得到提高。圖49B所示的一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的層號(hào)信息722表示單面單記錄層或單面雙記錄層中的一個(gè)記錄層，并且表明，當(dāng)設(shè)置為"0"時(shí)，表示單面單記錄層介質(zhì)或單面雙記錄層介質(zhì)情況下的"L0層"(位于激光束入射面的前面的層)；以及當(dāng)設(shè)置為"1"時(shí)，表示單面雙記錄層中的"L1層"(激光束入射面的后面的層)。物理段順序信息724表示單物理段塊中物理段的相關(guān)分配順序。與圖49A比較可看出，擺動(dòng)地址信息610中物理段順序信息724的頭位置與可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中物理段地址601的頭位置一致。根據(jù)可重寫型介質(zhì)中的位置來(lái)判定物理段順序信息的位置，可以提高不同介質(zhì)類型之間的兼容性，使用擺動(dòng)信號(hào)的公用地址檢測(cè)控制程序可以用在能夠使用可重寫型信息存儲(chǔ)介質(zhì)和一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)兩者的信息記錄/重放設(shè)備中，從而使其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。圖49B所示的數(shù)據(jù)段地址725用數(shù)字描述數(shù)據(jù)段的地址信息。如已經(jīng)描述的，本實(shí)施例中，一個(gè)ECC塊由32個(gè)扇區(qū)組成。因此，分配在某ECC塊頭部的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)中的低5位與分配在相鄰ECC塊頭部的扇區(qū)的扇區(qū)號(hào)中的低5位一致。當(dāng)分配在ECC塊頭部的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位被設(shè)置為"00000"時(shí)，同一ECC塊中包括的所有扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的第6低位或更高位的值相一致。因此，通過(guò)移除同一ECC塊中各扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低5位數(shù)據(jù)、并且僅提取第6低位或更高位的數(shù)據(jù)所獲得的地址信息被設(shè)為ECC塊地址(或ECC塊地址號(hào))。預(yù)先通過(guò)擺動(dòng)調(diào)制記錄的數(shù)據(jù)段地址725(或物理段塊號(hào)信息)與ECC塊地址一致。于是，如果每個(gè)擺動(dòng)調(diào)制后的物理段塊的位置信息表示為數(shù)據(jù)段地址，則其數(shù)據(jù)大小比用物理扇區(qū)號(hào)表示時(shí)減少了5位，從而簡(jiǎn)化了訪問(wèn)時(shí)的當(dāng)前位置檢測(cè)。圖49B和49C中的CRC碼726是24個(gè)地址位的從物理段的類型識(shí)別信息721到數(shù)據(jù)段地址725的CRC碼(糾錯(cuò)碼)或者24個(gè)地址位的從段信息727到物理段順序信息724的CRC碼(糾錯(cuò)碼)，并且即使擺頻調(diào)制信號(hào)被部分地誤讀，該信號(hào)也可以通過(guò)此CRC碼726獲得部分的糾正。在一次寫入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，與剩余15個(gè)地址位相對(duì)應(yīng)的字段被指派給統(tǒng)一字段609，并且從第12到第16擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元共5個(gè)單元的內(nèi)容全部由NPW定義(不包括調(diào)制字段598)。圖49C中的物理段塊地址728是每個(gè)由7個(gè)物理段形成一個(gè)單元的物理段塊的地址，并且數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTRDI中第一物理段塊的物理段地址被設(shè)為"1358h"。該物理段塊地址的數(shù)值從數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的第一物理段塊順次地加1直到數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0和數(shù)據(jù)區(qū)DTA的末物理段塊。該物理段順序信息724表示一個(gè)物理段塊中物理段的順序第一物理段設(shè)為"0"，最后一個(gè)物理段設(shè)為"6"。圖49C所示實(shí)施例的特征在于物理段塊地址728被分配在物理段順序信息724的頭位置。例如，與RMD字段1類似，地址信息通常受物理段塊地址控制。在根據(jù)這些管理信息訪問(wèn)預(yù)定的物理段塊地址的情況下，首先，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器檢測(cè)圖49C所示的擺動(dòng)同步字段580的位置，然后，對(duì)緊接著擺動(dòng)同步字段580記錄的信息依次進(jìn)行連續(xù)的解碼。在物理段塊地址被分配在物理段順序信息724的頭位置的情況下，首先由擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器解碼物理段塊地址，然后可以檢査預(yù)定的物理塊信息，或者不解碼物理段順序信息724，以提高使用擺動(dòng)地址的訪問(wèn)能力。本實(shí)施例的特征還在于類型識(shí)別信息721被分配在緊隨圖49C所示擺動(dòng)同步字段580之后。如上所述，首先，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)器135檢測(cè)圖49C所示的擺動(dòng)同步字段580的位置，然后，對(duì)記錄在緊隨擺動(dòng)同步字段580之后的信息依次進(jìn)行連續(xù)解碼。因此，通過(guò)把類型識(shí)別信息721分配在緊隨擺動(dòng)同步字段580之后，由于能夠立即確定物理段中調(diào)制字段的分配位置，因此使用擺動(dòng)地址的訪問(wèn)處理的速度能夠得到提高。由于此實(shí)施例使用H格式，因此把擺動(dòng)信號(hào)頻率的預(yù)定值設(shè)為697kHz?！队嘞兜亩x》在單面多層盤中，如果聚焦到盤的給定層上的光束擴(kuò)散到其它層上，則光在其它層或者在光線所聚焦的層上反射(見(jiàn)圖50)。因此，給定層的讀/寫訪問(wèn)受到被盤的其它層反射的光束的影響。為避免此影響，該盤其它層的狀態(tài)根據(jù)被記錄標(biāo)記的存在應(yīng)該是恒定的。在以焦點(diǎn)為基準(zhǔn)的盤的其它層上需要明確地定義影響該層的讀/寫訪問(wèn)質(zhì)量的區(qū)。這樣，通過(guò)把該盤其它層上的該區(qū)狀態(tài)保持恒定來(lái)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行層上給定位置處的讀/寫訪問(wèn)。此區(qū)的徑向距離被稱作"余隙"(見(jiàn)圖51)?？紤]三個(gè)要素來(lái)計(jì)算余隙聚焦在指定層上的光束在其它層上的的半徑、在層0和層1之間半徑的相對(duì)偏差最大值、以及在層0和層1之間最大相對(duì)徑向跳動(dòng)值。這些值被定義如下；在層0和層1之間半徑的相對(duì)偏差最大值Rdraax=40,在層0和層1之間相對(duì)徑向跳動(dòng)的最大值Rrmax=(40+60)/2=50|im層O上軌道形狀偏離理想圓形的偏差(徑向跳動(dòng))是40,(峰峰值)，而層l上的偏差是60,(峰峰值)。因此所得的平均值是50,。其它層上的、聚焦在給定層上的光束的半徑理論值由下式給出Rc_theoretical二Tslxtan(sin-1(NA/n))=14,Tsl(間隔層的最大厚度)=30|LimNA(數(shù)值孔徑)=0.65n(間隔層的折射率)=1.5。因?yàn)樵摴馐膹?qiáng)度在中心部分最高而在邊緣最低，所以對(duì)于實(shí)際半徑Rc—pmctieal可把有效半徑設(shè)為大約10,。該盤的余隙C1由下式來(lái)計(jì)算CI=Rdmax+Rrmax+Rc_practical=100|im考慮在信息區(qū)各區(qū)邊沿上的余隙來(lái)建立信息區(qū)格式。注意，圖51僅示出位置偏差的示例。因此，層l中的相對(duì)半徑跳動(dòng)不會(huì)一直向外偏移，并且層0中的相對(duì)半徑跳動(dòng)不會(huì)一直向內(nèi)偏移。《余隙(物理扇區(qū)號(hào))的實(shí)例》從兼容性的觀點(diǎn)出發(fā)以物理扇區(qū)號(hào)來(lái)簡(jiǎn)化表達(dá)余隙是有用的。圖52示出了層0的給定物理扇區(qū)號(hào)PSN和層1上相應(yīng)的可記錄物理扇區(qū)。層0和層1的物理扇區(qū)號(hào)具有位取反關(guān)系。圖53示出導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的示意圖。圖54示出層0和層1上的初始狀態(tài)中間區(qū)的示意圖。所述中間區(qū)的布局可通過(guò)再分配來(lái)改變，圖54示出改變前的布局。在導(dǎo)入?yún)^(qū)、導(dǎo)出區(qū)和中間區(qū)中的每個(gè)帶和每個(gè)區(qū)的邊界必須與數(shù)據(jù)段的邊界相一致。從層0的內(nèi)圓周側(cè)最內(nèi)側(cè)圓周起依次形成有系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)。從在層1的內(nèi)圓周側(cè)最內(nèi)側(cè)圓周起依次形成有系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)。這樣，因?yàn)榘ü芾韰^(qū)的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)僅提供給層0，所以在最終完成層1時(shí)層1上的信息也被寫入層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中。因此，可通過(guò)在啟動(dòng)時(shí)僅僅讀取層O而獲得所有的管理信息，并且無(wú)需讀取層O和層1的每一個(gè)。為了在層1上記錄數(shù)據(jù)，整個(gè)層0必須寫滿。所述管理區(qū)將在最終完成該盤時(shí)被填滿。層0的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)從內(nèi)圓周側(cè)開始依次包括初始帶、緩沖帶、控制數(shù)據(jù)帶和緩沖帶。層0的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)由空白帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RZD(RMD復(fù)制帶)、L-體D(記錄位置管理數(shù)據(jù))、R物理格式信息帶和基準(zhǔn)碼帶從內(nèi)圓周側(cè)依次組成。層0的數(shù)據(jù)區(qū)的開始地址(內(nèi)圓周偵lj)和層1的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束地址(內(nèi)圓周側(cè))由于余隙的存在而不同，并且層1的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束地址(內(nèi)圓周側(cè))處于比層0的數(shù)據(jù)區(qū)的開始地址(內(nèi)圓周側(cè))更靠外的一側(cè)。層1的數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)由空白帶、盤測(cè)試帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶和保護(hù)軌道帶從內(nèi)圓周側(cè)依次組成。所述空白帶是具有溝槽的帶，但是其上沒(méi)有記錄數(shù)據(jù)。所述保護(hù)軌道帶記錄了用于測(cè)試的特殊圖案，即未調(diào)制的數(shù)據(jù)"00〃。層0的保護(hù)軌道帶被形成來(lái)在層1的盤測(cè)試帶和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶上記錄。因此，層0的保護(hù)軌道帶對(duì)應(yīng)于由向?qū)?的盤測(cè)試帶和驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶至少添加一個(gè)余隙所獲得的范圍。層1的保護(hù)軌道帶被形成來(lái)在層0的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RZD(RMD復(fù)制帶)、L-歴D、R物理格式信息帶和基準(zhǔn)碼帶上進(jìn)行記錄。因此，層1的保護(hù)軌道帶對(duì)應(yīng)于由向?qū)?的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、RZD(RMD復(fù)制帶)、L-體D、R物理格式信息帶和基準(zhǔn)碼帶至少添加一個(gè)余隙所獲得的范圍。如圖54所示，層0和層1的中間區(qū)的每一個(gè)都從內(nèi)圓周側(cè)起依次包括保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶和空白帶。層0的保護(hù)軌道帶被形成來(lái)在層1的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶和盤測(cè)試帶上進(jìn)行記錄。因此，層O的保護(hù)軌道帶的結(jié)束位置位于距層1的盤測(cè)試帶的開始位置至少一個(gè)余隙寬度的外圓周偵ij。層1的空白帶被形成來(lái)在層0的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶和盤測(cè)試帶上進(jìn)行記錄。因此，層1的空白帶的結(jié)束位置位于距層O的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的開始位置至少一個(gè)余隙寬度的內(nèi)圓周側(cè)?！盾壍缆窂健繁緦?shí)施例采用如圖55所示的相反軌道路徑來(lái)保持從層0到層1記錄的連續(xù)性。在順序記錄中，只有當(dāng)層0上的記錄完成時(shí)，層1上的記錄才會(huì)開始?！段锢砩葏^(qū)布局和物理扇區(qū)號(hào)》每個(gè)PS塊均包含32個(gè)物理扇區(qū)。用于單面雙層盤的HDDVD-R中層0的物理扇區(qū)號(hào)(PSN)在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中從數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的開始到中間區(qū)的結(jié)束連續(xù)地增加，如圖56所示。然而，層1的PSN采用層O的PSN的各位反轉(zhuǎn)值，并且從中間區(qū)的開始(外側(cè))到數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的結(jié)束(內(nèi)側(cè))、以及從系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的外側(cè)到系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)的內(nèi)側(cè)連續(xù)地增加。計(jì)算位反轉(zhuǎn)的數(shù)字值以使得位值"1"成為位值"0"(反之亦然)。具有位反轉(zhuǎn)PSN的各層中的物理扇區(qū)與該盤的中心有幾乎相同的距離。其PSN為X的物理扇區(qū)被包含在PS塊中，其中通過(guò)X除以32并舍去小數(shù)部分來(lái)計(jì)算所述PS塊的PS塊地址。通過(guò)使處在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)末端的物理扇區(qū)的PSN為"131071〃(01FFFFh)來(lái)計(jì)算在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的PSN。通過(guò)使處在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)之后的數(shù)據(jù)區(qū)開始處的物理扇區(qū)的PSN為"262144〃(04OOOOh)來(lái)計(jì)算在層0中的除系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)之外的PSN。通過(guò)使處在中間區(qū)之后的數(shù)據(jù)區(qū)開始處的物理扇區(qū)的PSN為"9184256〃(BC2400h)來(lái)計(jì)算在層1中的除系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)之外的PSN?！吨虚g區(qū)》中間區(qū)的結(jié)構(gòu)由中間區(qū)擴(kuò)展而改變。如果用戶記錄的數(shù)據(jù)量較小，則可以通過(guò)擴(kuò)展中間區(qū)來(lái)減小最終完成所需的啞元數(shù)據(jù)大小，從而能夠縮短最終完成的時(shí)間。圖57示出中間區(qū)擴(kuò)展的示意圖。擴(kuò)展的細(xì)節(jié)如下文所述。圖58、圖59、和圖60示出擴(kuò)展前和擴(kuò)展后的中間區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖58是用于說(shuō)明擴(kuò)展前的中間區(qū)結(jié)構(gòu)的示圖。圖59和圖60是用于說(shuō)明擴(kuò)展后的中間區(qū)結(jié)構(gòu)的示圖。有兩種擴(kuò)展模式，并且圖59和圖60之一是根據(jù)中間區(qū)的擴(kuò)展量來(lái)執(zhí)行的。根據(jù)擴(kuò)展量是否小于17000h扇區(qū)來(lái)判定尺寸的大小。圖59示出擴(kuò)展量較小的擴(kuò)展后結(jié)構(gòu)，圖60示出擴(kuò)展量較大的擴(kuò)展后結(jié)構(gòu)。保護(hù)軌道帶的大小、層0的附加保護(hù)軌道帶的大小、以及擴(kuò)展之后驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的形成取決于層0的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束PSN。在層1上記錄之前必須用"00h"填充層0上的保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段。在最終完成該盤之前必須用"00h"填充層1的保護(hù)軌道帶的每個(gè)數(shù)據(jù)段。驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶用于由驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行的測(cè)試。這些帶從外PS塊向內(nèi)PS塊記錄。在層l上記錄之前必須用"00h"填充層O上的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的所有數(shù)據(jù)段。盤測(cè)試帶用于由盤制造商執(zhí)行的質(zhì)量測(cè)試?？瞻讕У母鲾?shù)據(jù)段不包含任何數(shù)據(jù)。層0的最外空白帶的大小必須等于或大于968個(gè)PS塊。層1的最外空白帶的大小必須等于或大于2464個(gè)PS塊。類型選擇的目的是為了避免已調(diào)制的擺動(dòng)相互對(duì)準(zhǔn)。圖61示出2個(gè)相鄰軌道的示意圖。軌道tti的起始點(diǎn)與物理段lln的起始點(diǎn)相同(這里i和n是自然數(shù))。軌道tti包含j個(gè)物理段、k個(gè)WDU和m個(gè)擺動(dòng)(這里j代表自然數(shù)而k和m代表非負(fù)整數(shù))。如果k和m兩者都不為零，那么物理段ttn+j被分配在軌道tti和tti+l處。最終完成當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)最終完成時(shí)，在數(shù)據(jù)區(qū)的未記錄部分記錄結(jié)束符。結(jié)束符的主數(shù)據(jù)設(shè)置成00h，并且它的區(qū)類型是數(shù)據(jù)導(dǎo)出屬性。在用戶數(shù)據(jù)被記錄在層1上的情況下，結(jié)束符被記錄在數(shù)據(jù)區(qū)中所有未記錄的部分，如圖62所示。在用戶數(shù)據(jù)沒(méi)有被記錄在層1上的情況下，結(jié)束符被記錄在層0和層1上，如圖63所示。必須把層0的結(jié)束符記錄在接觸數(shù)據(jù)區(qū)的位置。如果在數(shù)據(jù)區(qū)與中間區(qū)之間有充足的未被記錄數(shù)據(jù)段，那么沒(méi)有必要在所有未被記錄數(shù)據(jù)段上記錄結(jié)束符，并且允許在層1上產(chǎn)生新的結(jié)束符測(cè)試帶(見(jiàn)圖63)。該新結(jié)束符測(cè)試帶用于驅(qū)動(dòng)測(cè)試，并且要求具有480PS塊的大小。在記錄了結(jié)束符之后，層1的分配在數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)和中間區(qū)中的保護(hù)軌道帶、以及層1的附加保護(hù)軌道帶如果未被記錄則必須以"00h"填充。在填充分配于數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的保護(hù)軌道帶之前，必須記錄驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、固D復(fù)制帶的未記錄部分、L-RMZ、R物理格式信息帶和基準(zhǔn)碼帶。如圖63所示，如果結(jié)束符未接觸中間區(qū)，則不需要記錄被分配在層O和層1的中間區(qū)的保護(hù)軌道帶、以及分配在層0的中間區(qū)的附加保護(hù)軌道帶。作為另一種修改，為了能夠盡快地開始在層0的數(shù)據(jù)區(qū)上記錄數(shù)據(jù)，應(yīng)該在RMD復(fù)制帶的RDZ導(dǎo)入記錄之后立即在層0的數(shù)據(jù)區(qū)上執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄，如圖64所示。同樣如圖64所示，填充層O的中間區(qū)的驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶的操作可以省略。然而，如果記錄數(shù)據(jù)的量大于層0的數(shù)據(jù)區(qū)的記錄容量，并且該數(shù)據(jù)的記錄會(huì)擴(kuò)展到層O和層1，則會(huì)產(chǎn)生一些麻煩。在這種情況下，可以在RMD復(fù)制層的RDZ導(dǎo)入記錄之后填充層0的中間區(qū)的保護(hù)軌道帶，并且在層0的數(shù)據(jù)區(qū)以及層1的數(shù)據(jù)區(qū)上記錄數(shù)據(jù)，如圖65所示。如果層0的中間區(qū)的保護(hù)軌道帶已被填充，則可以開始在層l上進(jìn)行記錄。其它的優(yōu)點(diǎn)和修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)。因此，本發(fā)明在廣義上不限于文中示出和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。于是，在不偏離由權(quán)利要求及其等同物限定的一般發(fā)明概念的精神或范圍的前提下，可以對(duì)其進(jìn)行各種修改。權(quán)利要求1.一種多層信息記錄介質(zhì)，其包括透明基片，其具有同心圓或螺旋形狀的軌道；第一信息層，其具有形成在透明基片上的第一有機(jī)染料層和形成在所述第一有機(jī)染料層上的第一反射層；以及第二信息層，其具有形成在所述第一反射層上的中間層、形成在所述中間層上的第二有機(jī)染料層、以及形成在所述第二有機(jī)染料層上的第二反射層，并且所述介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)范圍為180nm到620nm的光從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，所述介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70μm的范圍內(nèi)。2.如權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。3.如權(quán)利要求l所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。4.一種用于在如權(quán)利要求1所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。5.—種信息記錄介質(zhì)，其包括透明基片，其具有同心圓或螺旋形狀的軌道；第一信息層，其形成在所述透明基片上并且具有相變記錄層、電介質(zhì)層、和反射層；和第二信息層，其具有形成在所述第一信息層上的中間層、以及相變記錄層、電介質(zhì)層、和反射層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)范圍為180nm到620nm的光從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，該信息記錄介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70拜的范圍內(nèi)。6.如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。7.如權(quán)利要求5所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。8.—種用于在如權(quán)利要求5所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。9.一種多層信息記錄介質(zhì)，其包括第一信息層，其具有透明樹脂基片，所述基片具有同心圓或螺旋形狀的軌道并且模壓有第一信息，并且該第一信息層具有第一反射層，其形成在所述透明樹脂基片上；以及第二信息層，其具有透明樹脂層，所述透明樹脂層形成在所述第一反射層上并且模壓有第二信息，并且該第二信息層具有第二反射層，其形成在所述透明樹脂層上；并且所述多層信息記錄介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)范圍為180nm到620nm的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放，所述多層信息記錄介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70，的范圍內(nèi)。10.如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。11.如權(quán)利要求9所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。12.—種用于在如權(quán)利要求9所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。13.—種多層信息記錄介質(zhì)，其包括透明基片，其具有同心圓或螺旋形狀的軌道；第一信息層，其具有形成在所述透明基片上的第一有機(jī)染料層和形成在所述第一有機(jī)染料層上的第一反射層；以及第二信息層，其具有形成在所述第一反射層上的中間層、形成在所述中間層上的第二有機(jī)染料層、以及形成在所述第二有機(jī)染料層上的第二反射層，所述介質(zhì)以不低于30m/sec的線速度執(zhí)行記錄和重放，并且所述介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)為大于620nm且不大于830nm的光從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，所述介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70|im的范圍內(nèi)。14.如權(quán)利要求13所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。15.如權(quán)利要求13所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。16.—種用于在如權(quán)利要求13所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。17.—種信息記錄介質(zhì)，其包括透明基片，其具有同心圓或螺旋形狀的軌道；第一信息層，其形成在所述透明基片上并且具有相變記錄層、電介質(zhì)層、和反射層；和第二信息層，其具有形成在所述第一信息層上的中間層、以及相變記錄層、電介質(zhì)層、和反射層，該介質(zhì)以不低于30m/sec的線速度執(zhí)行記錄和重放，并且允許使用波長(zhǎng)為大于620nm且不大于830nm的光從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，該信息記錄介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70,的范圍內(nèi)。18.如權(quán)利要求17所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。19.如權(quán)利要求17所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。20.—種用于在如權(quán)利要求17所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。21.—種多層信息記錄介質(zhì)，其包括透明基片，其具有同心圓或螺旋形狀的軌道；第一信息層，其具有形成在所述透明基片上的第一有機(jī)染料層和形成在所述第一有機(jī)染料層上的第一反射層；以及第二信息層，其具有形成在所述第一反射層上的中間層、形成在所述中間層上的第二有機(jī)染料層、以及形成在所述第二有機(jī)染料層上的第二反射層，并且所述介質(zhì)允許使用具有不少于兩種不同波長(zhǎng)的光束從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，所述介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70,的范圍內(nèi)。22.如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置。23.如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。24.—種用于在如權(quán)利要求21所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。25.—種多層信息記錄介質(zhì)，其包括第一信息層，其具有透明樹脂基片，所述基片具有同心圓或螺旋形狀的軌道并且模壓有第一信息，并且該第一信息層具有第一反射層，其形成在透明樹脂基片上；以及第二信息層，其具有透明樹脂層，所述透明樹脂層形成在所述第一反射層上并且模壓有第二信息，并且該第二信息層具有第二反射層，其形成在所述透明樹脂層上，并且所述多層信息記錄介質(zhì)允許使用具有不少于兩種不同波長(zhǎng)的光束從一個(gè)表面進(jìn)行記錄和重放，所述多層信息記錄介質(zhì)的特征在于所述第一信息層和所述第二信息層上的軌道的偏心量處在0至70,的范圍內(nèi)。26.如權(quán)利要求25所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、和具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置，上述位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的徑向位置、凹坑形成部分和溝槽形成部分的徑向位置、鏡面部分和溝槽形成部分的徑向位置、帶的邊界的徑向位置、以及具有不同擺動(dòng)形狀的徑向位置不同。27.如權(quán)利要求25所述的介質(zhì)，其特征在于形成有所述第一信息層的結(jié)晶位置和初始化位置中的至少一個(gè)不同于形成有所述第二信息層的結(jié)晶位置和初始化位置。28.—種用于在如權(quán)利要求25所述的多層信息記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和重放的信息記錄/重放設(shè)備。29.—種信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)方法，其特征在于包括步驟以不包括波長(zhǎng)不大于620nra的光分量的光源來(lái)照射多層信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放，并且使用圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)通過(guò)把光點(diǎn)聚焦在所述第一信息層和所述第二信息層的軌道上來(lái)感測(cè)至少一周軌道的圖像；以及通過(guò)由圖像處理單元對(duì)所得的圖像信息進(jìn)行處理來(lái)提取軌道的路徑，并且由運(yùn)算和控制單元基于所提取的信息來(lái)計(jì)算軌道的偏心30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于所述圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)包括CCD攝像機(jī)。31.—種信息存儲(chǔ)介質(zhì)的檢驗(yàn)方法，其特征在于包括步驟使用激光束照射裝置用激光束來(lái)照射多層信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放，并且使用反射分布測(cè)量機(jī)構(gòu)來(lái)測(cè)量所述第一和第二信息層的至少一周軌道的反射分布；以及通過(guò)由圖像處理單元對(duì)所得的反射分布進(jìn)行處理來(lái)提取軌道的路徑，并且由運(yùn)算和控制單元基于所提取的信息來(lái)計(jì)算軌道的偏心32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于所述激光束具有超過(guò)620nm的波長(zhǎng)。33.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于為了對(duì)寫策略的學(xué)習(xí)、優(yōu)化等而進(jìn)行了試記錄的軌道被用作第一信息層和第二信息層的軌道。34.—種信息記錄介質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備，其特征在于包括照射系統(tǒng)，其被配置來(lái)使用不包含620nm或更小波長(zhǎng)的光分量的光源來(lái)照射一種多層信息記錄介質(zhì)，其中該介質(zhì)包括具有同心圓或者螺旋形狀軌道的第一信息層和第二信息層，并且該介質(zhì)允許使用波長(zhǎng)在180nm到620nm范圍內(nèi)的光從一個(gè)表面進(jìn)行重放；圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)，其被配置來(lái)感測(cè)所述第一信息層和所述第二信息層的軌道的圖像；圖像處理單元，其被配置來(lái)通過(guò)處理由所述圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)獲得的圖像信息來(lái)提取軌道路徑；以及運(yùn)算和控制單元，其被配置來(lái)基于所提取的信息計(jì)算軌道的偏35.如權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其特征在于所述圖像感測(cè)機(jī)構(gòu)包括CCD攝像機(jī)。全文摘要根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，公開了一種信息記錄介質(zhì)(20)，該介質(zhì)包括形成在具有同心圓或螺旋形狀軌道的透明基片(21)上的第一信息層(22)、和形成在第一信息層(22)上的第二信息層(23)，并且該介質(zhì)允許從一個(gè)表面進(jìn)行光學(xué)記錄和重放，并且該介質(zhì)中信息層(22，23)的軌道的偏心量處在0至70μm的范圍內(nèi)。文檔編號(hào)G11B7/095GK101110239SQ200710130569公開日2008年1月23日申請(qǐng)日期2007年7月18日優(yōu)先權(quán)日2006年7月18日發(fā)明者中居司,安東秀夫,高澤孝次申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝