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可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法

文檔序號(hào):6777700閱讀:255來源:國(guó)知局
專利名稱:可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種可寫式光盤(Recordable Disc)寫入策略的調(diào)整 方法,且特別是有關(guān)于利用交互符號(hào)干擾(Inter-Symbol Interference,以 下簡(jiǎn)稱ISI)表來調(diào)整可寫式光盤寫入策略的方法。
背景技術(shù)
一般來說,可寫式光盤的規(guī)格書中會(huì)規(guī)劃一功率校正區(qū)域(Power Calibrating Area,簡(jiǎn)稱PCA區(qū))。當(dāng)可寫式光盤置入光盤刻錄機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù) 寫入動(dòng)作之前,光盤刻錄機(jī)的光學(xué)讀寫頭(Optical Pick-Up Head)會(huì)移動(dòng) 至可寫式光盤的PCA區(qū)執(zhí)行最佳化功率校正(Optimal Power Calibrating, 簡(jiǎn)稱OPC)動(dòng)作。而OPC動(dòng)作結(jié)束之后,光盤刻錄機(jī)就會(huì)產(chǎn)生一最佳寫 入功率(Optimal Write Power),并利用此最佳寫入功率進(jìn)行后續(xù)可寫式光 盤的數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作。眾所周知,可寫式光盤上的數(shù)據(jù)是形成于螺旋狀的軌道(Spiral Track) 上,也就是說,經(jīng)由光盤刻錄機(jī)的控制芯片進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)的編碼(Encode) 后,光盤刻錄機(jī)即根據(jù)編碼后的信號(hào)驅(qū)動(dòng)光學(xué)讀寫頭的激光二極管并于光 盤軌道上形成亮暗相間的標(biāo)記(Mark)。而亮的標(biāo)記稱之為平部(Land), 暗的標(biāo)記稱之為凹部(Pit)。同理,光盤刻錄機(jī)進(jìn)行OPC動(dòng)作時(shí),會(huì)直接 控制光學(xué)讀寫頭的激光二極管于PCA區(qū)中產(chǎn)生平部與凹部相互交錯(cuò)的測(cè) 試圖樣(Test Pattern)。請(qǐng)參照?qǐng)D1 ,其所繪示為可寫式DVD光盤的寫入策略(Write Strategy)示意圖。由于熱擴(kuò)散效應(yīng)會(huì)使得凹部10長(zhǎng)度變長(zhǎng),因此,為了要讓凹部IO的長(zhǎng)度更準(zhǔn)確,以凹部10為nT的時(shí)間長(zhǎng)度來說(n=3 ll),激光二極 管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升緣(Rising Edge)必須延后一前緣延遲時(shí)間(tnl)且下 降緣(Falling Edge)必須提前一后緣提前時(shí)間(tn2)。再者,于形成凹部 10的初期與后期時(shí),除了刻錄功率(Pw)之外必須再提供一過驅(qū)功率(Over drive Power, Po)疊力口 (Superpose)于刻錄功率(Pw)上,而前端過馬區(qū) 功率的時(shí)間長(zhǎng)度可由驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升緣開始計(jì)算一前端過驅(qū)吋間(tn3)而 后端過驅(qū)功率的時(shí)間長(zhǎng)度可由驅(qū)動(dòng)信號(hào)的下降緣往前 后端過驅(qū)時(shí)間 (tn4)。而于驅(qū)動(dòng)信號(hào)的初期與后期之間,驅(qū)動(dòng)信號(hào)僅提供刻錄功率(Pw)即可。舉例來說,3T的凹部的前緣延遲時(shí)間為&、后緣提前時(shí)間為t32、 前端過驅(qū)時(shí)間為t33與后端過驅(qū)時(shí)間為t34。
一般來說,llT時(shí)間長(zhǎng)度(rrfT ll)的凹部10會(huì)有不同的前緣延遲時(shí)間(^)、后緣提前時(shí)間(t,,2)、 前端過驅(qū)時(shí)間(tn3)與后端過驅(qū)時(shí)間(tn4)設(shè)定。而所有的前緣延遲時(shí)間(tnl)、后緣提前時(shí)間(tn2)、前端過驅(qū)時(shí)間(tn3)與后端過驅(qū)時(shí)間(tn4), 即為寫入策略的時(shí)間參數(shù)組。一般來說,可寫式光盤的軌道上會(huì)記錄可寫式光盤的制造商序號(hào) (Manufacture ID)和盤片序號(hào)(DiscID)。也就是說,由于制造商所制造 的各式可寫式光盤之間由于染料的差異,所以不同制造商的可寫式光盤的 寫入策略皆有所不同。就算同一家廠商所生產(chǎn)不同規(guī)格的寫入式光盤之間 的寫入策略也會(huì)不同。因此,光盤刻錄機(jī)的研發(fā)工程師在光盤刻錄機(jī)出廠 正式販?zhǔn)壑?,必須廣為蒐集市面上所有的可寫式光盤并進(jìn)行寫入策略驗(yàn) 證程序。所謂的寫入策略驗(yàn)證程序就是光盤刻錄機(jī)的研發(fā)工程師針對(duì)不同 的制造商序號(hào)(Manufacture ID)和盤片序號(hào)(Disc ID)進(jìn)行各別寫入策 略的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組調(diào)校,并將相對(duì)應(yīng)制造商序號(hào)、盤片序號(hào)、以 及調(diào)校后的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組儲(chǔ)存于光盤刻錄機(jī)的唯讀記憶體中。因 此,當(dāng)使用者將一片可寫式光盤置入光盤刻錄機(jī)時(shí),光盤刻錄機(jī)可以根據(jù) 記錄于可寫式光盤中的制造商序號(hào)以及盤片序號(hào)于唯讀記憶體中獲得相 對(duì)應(yīng)的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組定義一寫入策略,并利用該過驅(qū)功率與時(shí)間 參數(shù)組所定義的寫入策略于PCA區(qū)進(jìn)行OPC動(dòng)作。當(dāng)光盤刻錄機(jī)的唯讀記憶體并沒有相符的盤片序號(hào),唯讀記憶體會(huì)提供一組標(biāo)準(zhǔn)的過驅(qū)功率以 及標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)間參數(shù)組,而光盤刻錄機(jī)即利用該標(biāo)準(zhǔn)的過驅(qū)功率與標(biāo)準(zhǔn)的時(shí) 間參數(shù)組所定義的寫入策略于PCA區(qū)進(jìn)行OPC動(dòng)作。而OPC動(dòng)作就是提供不同的寫入功率于唯讀記憶體所定義的寫入策略上并于PCA區(qū)形成多組測(cè)試圖樣,之后,光盤刻錄機(jī)讀取由不同的寫 入功率所形成的測(cè)試圖樣并進(jìn)行計(jì)算因而獲得一最佳寫入功率(Optimal Write Power)。而光盤刻錄機(jī)于進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作時(shí)即根據(jù)該最佳寫入功 率搭配該過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組所定義的該寫入策略產(chǎn)生不同時(shí)間長(zhǎng)度 的凹部。也就是說,現(xiàn)有光盤刻錄機(jī)寫入策略的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組是在出 廠前由研發(fā)工程師調(diào)校之后記錄于光盤刻錄機(jī)的唯讀記憶體中,而PCA 區(qū)所進(jìn)行的OPC動(dòng)作是用來求取一最佳寫入功率。然而,由于制造商針對(duì)特定盤片序號(hào)的可寫式光盤進(jìn)行工藝改變時(shí), 由于光盤刻錄機(jī)中的唯讀記憶體所儲(chǔ)存的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組不適用 于更新工藝后的可寫式光盤的寫入策略。因此,光盤刻錄機(jī)中唯讀記憶體 中的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組勢(shì)必要重新調(diào)整,否則,可寫式光盤的寫入品 質(zhì)會(huì)變差,嚴(yán)重者甚至無法對(duì)數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作完成的可寫式光盤進(jìn)行數(shù)據(jù)讀 取?;蛘?,使用者所載入的可寫式光盤之盤片序號(hào)并沒有存在于光盤刻錄 機(jī)的唯讀記憶體時(shí),以標(biāo)準(zhǔn)的過驅(qū)功率以及時(shí)間參數(shù)組所定義的寫入策略 也會(huì)造成寫入品質(zhì)不佳的問題。因此,如何于可寫式光盤上動(dòng)態(tài)的調(diào)整過 驅(qū)功率或者時(shí)間參數(shù)組即為本發(fā)明之重點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提出一種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,使得光 盤刻錄機(jī)于OPC動(dòng)作時(shí)除了可找出最佳寫入功率之外,也可以找出最佳 寫入策略。再者,本發(fā)明提出一種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,包括下列步驟于一可寫式光盤的一功率校正區(qū)以一第一寫入策略與一第一寫入功率產(chǎn)生一測(cè)試圖樣;量測(cè)該測(cè)試圖樣的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)度不一的平部與凹部用以 產(chǎn)生一平部至凹部交互符號(hào)干擾表與一凹部至平部交互符號(hào)干擾表;以及,根據(jù)該平部至凹部交互符號(hào)干擾表與該凹部至平部交互符號(hào)干擾表調(diào) 整該第一寫入策略的一第一時(shí)間參數(shù)組進(jìn)而產(chǎn)生一第二時(shí)間參數(shù)組。再者,本發(fā)明更提出一種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,包括下列 步驟于一可寫式光盤以一第一寫入策略與一第一寫入功率產(chǎn)生多個(gè)時(shí)間 長(zhǎng)度不一的平部與凹部;量測(cè)該些平部與凹部用以產(chǎn)生一平部至凹部交互 符號(hào)千擾表與一凹部至平部交互符號(hào)干擾表;以及,根據(jù)該平部至凹部交互符號(hào)干擾表與該凹部至平部交互符號(hào)干擾表調(diào)整該第--寫入策略的一 第一時(shí)間參數(shù)組進(jìn)而產(chǎn)生一第二時(shí)間參數(shù)組。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明特征及技術(shù)內(nèi)容,請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā) 明的詳細(xì)說明與附圖,然而所附圖式僅提供參考與說明,并非用來對(duì)本 發(fā)明加以限制。


圖1所繪示為可寫式DVD光盤的寫入策略示意圖;圖2所繪示為本發(fā)明可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法流程圖;圖3 (a)所繪示為測(cè)試圖樣的電信號(hào)示意圖;圖3 (b)所繪示為平部至凹部ISI表; 圖3 (C)所繪示為凹部至平部ISI表;圖4所繪示為本發(fā)明調(diào)整寫入策略中的過驅(qū)功率的示意圖。主要元件符號(hào)說明10凹部 S10 S60流程步驟具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2,其所繪示為本發(fā)明可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法流程 圖。當(dāng)使用者將一片可寫式光盤置入光盤刻錄機(jī)時(shí),光盤刻錄機(jī)即根據(jù)記 錄于可寫式光盤片中的制造商序號(hào)以及盤片序號(hào)于唯讀記憶體中獲得相 對(duì)應(yīng)的過驅(qū)功率與時(shí)間參數(shù)組并且定義出一初始寫入策略,而光盤刻錄機(jī) 也會(huì)提供一初始寫入功率與一初始目標(biāo)卩值(SIO)。而在此歩驟中,當(dāng)光 盤刻錄機(jī)的唯讀記憶體并沒有相符的盤片序號(hào),唯讀記憶體會(huì)提供一組標(biāo) 準(zhǔn)的過驅(qū)功率以及標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)間參數(shù)組來定義該初始寫入策略。再來,光盤刻錄機(jī)即于PCA區(qū)利用初始寫入策略以及該初始寫入功率形成一測(cè)試圖樣(S15)。接著,光盤刻錄機(jī)對(duì)測(cè)試圖樣進(jìn)行卩值計(jì)算。所謂p值計(jì)算就是將激光光束照射于測(cè)試圖樣并將反射的激光光束轉(zhuǎn)換成電信號(hào)并進(jìn)行對(duì)稱性分析后的數(shù)值。當(dāng)計(jì)算后的(3值與目標(biāo)卩值差異在一 第一設(shè)定值之外時(shí)(S20),則進(jìn)入調(diào)整寫入功率步驟(S25);當(dāng)計(jì)算后的 P值與目標(biāo)卩值差異在一第一設(shè)定值之內(nèi)時(shí)(S20),則進(jìn)行抖動(dòng)值Gitter) 比較步驟(S30)。根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例,該第一設(shè)定值為±1%,也就是說 當(dāng)計(jì)算后的P值與目標(biāo)P值差異在±1%之外時(shí),代表寫入功率必須調(diào)整; 反之,代表寫入功率已經(jīng)可以被接受。再者,于調(diào)整寫入功率步驟(S25) 中,當(dāng)計(jì)算后的P值小于目標(biāo)卩值時(shí),調(diào)整后的寫入功率必須提高;反之, 當(dāng)計(jì)算后的(3值大于目標(biāo)P值時(shí),調(diào)整后的寫入功率必須降低。于抖動(dòng)值比較步驟(S30)時(shí),光盤刻錄機(jī)對(duì)測(cè)試圖樣進(jìn)行抖動(dòng)值計(jì) 算。所謂抖動(dòng)值計(jì)算就是將激光光束照射于測(cè)試圖樣并將反射的激光光束 轉(zhuǎn)換成具有高低準(zhǔn)位的電信號(hào),而高低準(zhǔn)位的時(shí)間周期與精確的平部與凹 部時(shí)間長(zhǎng)度的差異即為抖動(dòng)值。當(dāng)計(jì)算后的抖動(dòng)值低于在一第二設(shè)定值時(shí) (S30),則決定一最佳寫入策略以及一最佳寫入功率(S33),并結(jié)束寫入 策略的調(diào)整流程。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,該第二設(shè)定值為9%,也就是說 當(dāng)計(jì)算后的抖動(dòng)值低于9%時(shí),代表此時(shí)的寫入功率以及寫入策略已可視 為最佳寫入策略以及最佳寫入功率,并結(jié)束寫入策略的調(diào)整流程;反之, 寫入策略可能需要調(diào)整。接著,光盤刻錄機(jī)會(huì)將目前為止的寫入策略、寫入功率、以及計(jì)算出 的抖動(dòng)值暫時(shí)儲(chǔ)存于記憶體中(S35)。之后,進(jìn)入檢測(cè)交互符號(hào)干擾(Inter-Symbol Interference,以下簡(jiǎn)稱ISI)表步驟(S40)。請(qǐng)參照?qǐng)D3 (a)、圖3 (b)與圖3 (c),其所繪示為測(cè)試圖樣與ISI 表的示意圖。 一般來說,光盤刻錄機(jī)于PCA區(qū)形成的測(cè)試圖樣包括多個(gè) 時(shí)間長(zhǎng)度不一 (3T 11T)相互交錯(cuò)的凹部與平部,而圖3 (a)則以少許 3T與4T的凹部與平部來作說明。當(dāng)利用一寫入功率于PCA區(qū)形成測(cè)試 圖樣后,光盤刻錄機(jī)會(huì)通過由反射的激光光束所獲得的電信號(hào)來分析測(cè)試 圖樣中所有凹部與平部與理想位置的差距并形成ISI表。如圖3 (a)所示, 根據(jù)反射的激光光束所獲得的電信號(hào)可知。測(cè)試圖樣依序?yàn)?T平部、3T 凹部、3T平部、3T凹部、4T平部、4T凹部、4T平部、4T凹部...。所謂 的ISI表可以分為圖3 (b)的平部至凹部ISI表以及圖3 (c)的凹部至平 部ISI表。由圖3 (a)的電信號(hào)可知,當(dāng)3T平部轉(zhuǎn)換成為3T凹部時(shí),轉(zhuǎn)換位 置提前0.15T,于是圖3 (b)中平部至凹部ISI表的參數(shù)a33即為+0.15T。 接著,3T凹部轉(zhuǎn)換成為3T平部時(shí),轉(zhuǎn)換位置提前0.2T,于是圖3 (c)中 凹部至平部ISI表的參數(shù)b33即為+0.2T,而此3T凹部的實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為 2.95T。接著,3T平部轉(zhuǎn)換成為3T凹部時(shí),轉(zhuǎn)換位置提前0.2T,于是圖3 (b)中平部至凹部ISI表的參數(shù)a33即修改為平均值(+0.15T+0.2T) /2=0.175T。接著,3T凹部轉(zhuǎn)換成為4T平部時(shí),轉(zhuǎn)換位置并無提前或延后, 于是圖3 (c)中凹部至平部ISI表的參數(shù)b34即為0T,而此3T凹部的實(shí) 際時(shí)間長(zhǎng)度為3.2T。接著,4T平部轉(zhuǎn)換成為4T凹部時(shí),轉(zhuǎn)換位置提前0.1T, 于是圖3 (b)中平部至凹部ISI表的參數(shù)a44即成為+0.1T。接著,4T凹 部轉(zhuǎn)換成為4T平部時(shí),轉(zhuǎn)換位置延后0.15T,于是圖3 (c)中凹部至平 部ISI表的參數(shù)b44即為-1.5T,而此4T凹部的實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為4.25T。接 著,4T平部轉(zhuǎn)換成為4T凹部時(shí),轉(zhuǎn)換位置延后0.05T,于是圖3 (b)中 平部至凹部ISI表的參數(shù)a44即成為平均值(+0.1T-0.05T) /2=0.025T,而 此4T凹部的實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為3.95T。所以,以圖3 (a)的電信號(hào)為例, 3T凹部的平均實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為3.075T,而4T凹部的平均實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為4.1T。由于測(cè)試圖樣包括時(shí)間長(zhǎng)度不一且相互交錯(cuò)的平部與凹部,因此,光 盤刻錄機(jī)可以統(tǒng)計(jì)所有測(cè)試圖樣中的平部與凹部,并根據(jù)所有時(shí)間長(zhǎng)度平 部至凹部的關(guān)系建立圖3 (b)的平部至凹部ISI表,而記錄所有時(shí)間長(zhǎng)度 凹部至平部的關(guān)系建立圖3 (c)的凹部至平部ISI表。而由ISI表即可得 知實(shí)際的平部與凹部與理想的平部與凹部之間的差異并進(jìn)行后續(xù)寫入策 略的調(diào)整步驟。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2,于檢測(cè)交互符號(hào)干擾(ISI)表步驟(S40)中,ISI表 中的參數(shù)a33 al111以及b33 bl111內(nèi)的數(shù)值必須進(jìn)行檢測(cè),來確識(shí)ISI 表中的數(shù)值是否正常。 一般來說,所有的數(shù)值皆小于一第三設(shè)定值時(shí),即 可視為ISI表為正常,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例第三設(shè)定值可設(shè)定為T/12、 T/16、或者T/32。當(dāng)ISI表中的數(shù)值為正常(S40)時(shí),此吋,代表寫入策 略以及寫入功率改善的空間已經(jīng)有限,所以不再進(jìn)行寫入策略的調(diào)整,因 此,將此時(shí)的寫入功率以及寫入策略視為最佳寫入策略以及最佳寫入功率 (S33),并結(jié)束調(diào)整流程。反之,當(dāng)ISI表中的數(shù)值為不正常(S40)且回 圈尚未到達(dá)一預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)(S45),必須進(jìn)行寫入策略調(diào)整步驟。當(dāng)ISI表中的數(shù)值為不正常(S40)且回圈已經(jīng)到達(dá)一預(yù)設(shè)次數(shù)(S45) 時(shí),代表記憶體中已經(jīng)儲(chǔ)存了多數(shù)筆不同的抖動(dòng)值以及相對(duì)應(yīng)的寫入策略 與寫入功率。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,為了不造成OPC動(dòng)作時(shí)間太長(zhǎng)而導(dǎo) 致數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作的總時(shí)間太長(zhǎng),該預(yù)定次數(shù)設(shè)定為12次,也就是說,當(dāng) ISI表中的數(shù)值為不正常(S40)且回圈已經(jīng)到達(dá)12次數(shù)(S45)時(shí),必須 選取記憶體中12筆抖動(dòng)值中最低抖動(dòng)值所相對(duì)應(yīng)的寫入策略與寫入功率 為最佳寫入策略以及最佳寫入功率(S50),并結(jié)束調(diào)整流程。當(dāng)ISI表中的數(shù)值為不正常(S40)且回圈尚未到達(dá)-預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí) (S45),則進(jìn)入調(diào)整時(shí)間參數(shù)組與過驅(qū)功率并獲得一更新的寫入策略步驟 (S55)。首先,介紹時(shí)間參數(shù)組的調(diào)整,時(shí)間參數(shù)組包含nT吋間長(zhǎng)度(11=3 11) 的前緣延遲時(shí)間(tnl)、后緣提前時(shí)間(tn2)、前端過驅(qū)時(shí)間(tn3)與后端過驅(qū)時(shí)間(tn4),而本發(fā)明即根據(jù)ISI表來進(jìn)行時(shí)間參數(shù)組的調(diào)整。舉例來說,3T凹部的平均前緣誤差為i^':^, 4T凹部的平均前緣誤差為g^;《, 依此類推。同理,3T凹部的平均后緣誤差為g 《,4T凹部的平均后緣誤差為l^";^,依此類推。所以利用上述的ISI表中的數(shù)據(jù),更新后的3T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(t31)、后緣提前時(shí)間(t32)即可由3T凹部 的平均前緣誤差、3T凹部的平均后緣誤差、以及3T凹部平均實(shí)際時(shí)間長(zhǎng) 度來決定。同理,更新后的4T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(t41)、后緣 提前時(shí)間(t42)即可由4T凹部的平均前緣誤差、4T凹部的平均后緣誤差、 以及4T凹部平均實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度來決定。依此類推,所有時(shí)間長(zhǎng)度的凹部 的寫入策略均可以依據(jù)上述的各個(gè)數(shù)值作適當(dāng)?shù)男薷?。舉例來說,假設(shè)3T 凹部的平均前緣誤差為+0.1T、 3T凹部的平均后緣誤差為-0.2T、以及3T 凹部平均實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度為3.3T,因此,更新后的3T凹部寫入策略的前緣 延遲時(shí)間(t31)可較原前緣延遲時(shí)間更延遲0.1T、而后緣提前時(shí)間(t32) 則可較原后緣提前時(shí)間更提前0.2T,如此,可使得更新后的3T凹部平均 實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度更接近3T,而3T凹部的平均前緣誤差與3T凹部的平均后 緣誤差更接近O。同理,其他時(shí)間長(zhǎng)度的凹部也可以根據(jù)上述的方式進(jìn)行 前緣延遲時(shí)間(tnl)、后緣提前時(shí)間(tn2)的調(diào)整。接著,介紹時(shí)間參數(shù)組中前端過驅(qū)時(shí)間(tn3)與后端過驅(qū)時(shí)間(tn4)的調(diào)整。本發(fā)明直接利用3T凹部的平均前緣誤差ii"':^ ,以及3T凹部的 平均后緣誤差i 《,來更新3T時(shí)間長(zhǎng)度的前端過驅(qū)時(shí)間(t33)與后端過驅(qū)時(shí)間(t34)。同理,利用4T凹部的平均前緣誤差I(lǐng)^"《,以及4T凹 部的平均后緣誤差l^4《,來更新4T時(shí)間長(zhǎng)度的前端過驅(qū)時(shí)間(t43)與后端過驅(qū)時(shí)間(t44),并依此類推。也就是說,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,更新的前端過驅(qū)時(shí)間(t33)為原前端過驅(qū)時(shí)間加上3T凹部的平均前緣誤差 更新的后端過驅(qū)時(shí)間(t34)為原后端過驅(qū)時(shí)間加上3T凹部的平均后緣誤差|^3;^。例如,假設(shè)3T凹部之前的前端過驅(qū)時(shí)間為0.5T,后端過驅(qū)時(shí)間為0.5T,而平均前緣誤差為+0.1T,平均后緣誤差為-0.1T,因 此,更新的3T凹部的前端過驅(qū)時(shí)間(t33)為0.5T+0.1T-0.6T,更新的3T 凹部的后端過驅(qū)時(shí)間(t34)為0.5T-0.1T=0.4T。同理,所有時(shí)間長(zhǎng)度的凹 部也可以依此類推。再來,介紹過驅(qū)功率的調(diào)整。由于過驅(qū)功率(Po)的大小對(duì)于3T凹 部影響最大,因此,本發(fā)明即根據(jù)ISI表來統(tǒng)計(jì)3T凹部前后緣所有的誤差 來決定一更新的過驅(qū)功率。請(qǐng)參照?qǐng)D4,其所繪示為本發(fā)明調(diào)整寫入策略 中的過驅(qū)功率的示意圖。當(dāng)圖3 (b)的平部至凹部ISI表與圖3 (c)的凹 部至平部ISI表建立完成后。過驅(qū)功率的調(diào)整即可根據(jù)以下的公式來調(diào)整:U 11 A-"—,"=尸。+尸。
(1>"3 + 5^3 ■ Wj . C",卿一由于3T凹部之前所有前緣誤差為a33 al13,而3T凹部之后所有后 緣誤差即為b33 b311,因此,根據(jù)3T凹部的前后緣不同時(shí)間長(zhǎng)度誤差個(gè) 別提供一權(quán)重(Weight)并加總。如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,3T 凹部前后所對(duì)應(yīng)的3T平部之前后緣誤差權(quán)重(w3)為24%, 3T凹部前后 所對(duì)應(yīng)的4T平部之前后緣誤差權(quán)重(w4)為16%, 3T凹部前后所對(duì)應(yīng)的5T平部之前后緣誤差權(quán)重(w5)為8%, 3T凹部前后所對(duì)應(yīng)的6T平部之 前后緣誤差權(quán)重(w6)為2%, 3T凹部前后所對(duì)應(yīng)的其余平部之前后緣誤 差權(quán)重(w7 wll)為0。當(dāng)然,上述權(quán)重的數(shù)值僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已, 實(shí)際的權(quán)重?cái)?shù)值可以根據(jù)實(shí)際調(diào)整狀況來做適當(dāng)?shù)母?,使得調(diào)整后的過 驅(qū)功率更接近最佳值。將加總之后的一數(shù)值乘以一第一映射常數(shù)(Mapping constant)之后即 為過驅(qū)功率需要改變的比率值。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,假設(shè)加總之后的數(shù) 值為+0.15T , 而第 一 映射常數(shù)Cmappingl=]/10T 。因此, +0.15TMA0T=+0.015=+1.5%。也就是說,更新的過驅(qū)功率(P()-updated)為 原過驅(qū)功率增加1.5%,即P。,dated=Po+ (1.5%) Po。而所有時(shí)間長(zhǎng)度(nT) 的凹部皆利用此更新的過驅(qū)功率設(shè)定即可。根據(jù)上述方法,利用更新的時(shí)間參數(shù)組與更新的過驅(qū)功率即可以定義 一更新的寫入策略(S55)。接著,進(jìn)入更新目標(biāo)(H直步驟(S60)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,比較更新后的3T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí) 間(t31)、后緣提前時(shí)間(t32)與更新后的其他任一吋間長(zhǎng)度(4T 11T) 的凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(tnl)、后緣提前時(shí)間(tn2)的大小來決定 更新的目標(biāo)(3值。舉例來說,更新后的3T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間 (t31)為0.6T、后緣提前時(shí)間(t32)為0.4T。而更新后的4T凹部寫入策 略的前緣延遲時(shí)間(t41)為0.5T、后緣提前時(shí)間(t42)為0.6T。因此,3T 凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(t31)減去后緣提前時(shí)間(t32)的結(jié)果大于 4T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(t41)減去后緣提前時(shí)間(t42)的結(jié)果 (
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),因此,更新的目標(biāo)卩值必須小于原目標(biāo)卩值。 而將上述的結(jié)果差值(0.3T)乘上一第二映射常數(shù)之后即為原目標(biāo)(3值需要改變的比率值。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,而第二映射常數(shù)C,ppmgfl/20T。因此,0.3T>q/20T=0.015=1.5%。也就是說,更新的目標(biāo)卩值為原目標(biāo)卩 值減少1.5%。反之,假設(shè)3T凹部寫入策略的前緣延遲時(shí)間(t31)減去后 緣提前時(shí)間(t32)的結(jié)果小于4T凹部寫入策略的前緣延遲吋間(t41)減去后緣提前時(shí)間(t42)的結(jié)果,則更新的目標(biāo)(3值必須大于原目標(biāo)P值。 同理,根據(jù)第二映射常數(shù)也可以確定更新的目標(biāo)(3值與原目標(biāo)(3值之間的關(guān)系。當(dāng)S55與S60步驟完成之后,代表更新的寫入策略以及更新的目標(biāo)(3 值已經(jīng)確識(shí),因此,再次回到S15步驟,也就是于PCA區(qū)形成測(cè)試圖樣 并進(jìn)行后續(xù)步驟。根據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例,光盤刻錄機(jī)除了可在PCA區(qū)進(jìn)行OPC動(dòng)作找 出最佳寫入功率之外,也可以找出最佳寫入策略。因此,光盤刻錄機(jī)于可 寫式光盤進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作后,可寫式光盤的寫入品質(zhì)可以顯著地獲得改 善。再者,本發(fā)明的OPC動(dòng)作并不限定于可寫式光盤的PCA區(qū)進(jìn)行,可 寫式光盤的其他區(qū)域,例如,數(shù)據(jù)區(qū)(Program Area)也可以利用本發(fā)明 來進(jìn)行寫入策略的調(diào)整。綜上所述,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定 本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝者,在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各 種更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之權(quán)利要求所界定者為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,其特征在于包括下列步驟于一可寫式光盤的一功率校正區(qū)以一第一寫入策略與一第一寫入功率產(chǎn)生一測(cè)試圖樣;量測(cè)該測(cè)試圖樣的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)度不一的平部與凹部用以產(chǎn)生一平部至凹部交互符號(hào)干擾表與一凹部至平部交互符號(hào)干擾表;以及根據(jù)該平部至凹部交互符號(hào)干擾表與該凹部至平部交互符號(hào)干擾表調(diào)整該第一寫入策略的一第一時(shí)間參數(shù)組進(jìn)而產(chǎn)生一第二時(shí)間參數(shù)組。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于該第一時(shí)間參數(shù)組至少包括kT第一前端過驅(qū)時(shí)間與kT第一后端過驅(qū)時(shí)間,該第二吋間參數(shù)組至少 包括kT第二前端過驅(qū)時(shí)間與kT第二后端過驅(qū)時(shí)間,其中,k為3至11 的任一值。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于該平部至凹部交互符號(hào)干 擾表至少包括m個(gè)不同時(shí)間長(zhǎng)度平部至kT凹部的m個(gè)前緣誤差。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于該kT第二前端過驅(qū)時(shí)間 等于該kT第一前端過驅(qū)時(shí)間加上該m個(gè)前緣誤差的平均值。
5. 如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于該凹部至平部交互符號(hào)干 擾表至少包括kT凹部至n個(gè)不同時(shí)間長(zhǎng)度平部的n個(gè)后緣誤差。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于該kT第二后端過驅(qū)時(shí)間 等于該kT第一后端過驅(qū)時(shí)間加上該n個(gè)后緣誤差的平均值。
7. —種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,其特征在于包括下列步驟 于一可寫式光盤以一第一寫入策略與一第一寫入功率產(chǎn)生多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)度不一的平部與凹部;量測(cè)該些平部與凹部用以產(chǎn)生一平部至凹部交互符號(hào)干擾表與一凹部至平部交互符號(hào)干擾表;以及根據(jù)該平部至凹部交互符號(hào)干擾表與該凹部至平部交互符號(hào)千擾表 調(diào)整該第一寫入策略的一第一時(shí)間參數(shù)組進(jìn)而產(chǎn)生一第二時(shí)間參數(shù)組。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于該第一時(shí)間參數(shù)組至少包括kT第一前端過驅(qū)時(shí)間與kT第一后端過驅(qū)時(shí)間,該第二時(shí)間參數(shù)組至少 包括kT第二前端過驅(qū)時(shí)間與kT第二后端過驅(qū)時(shí)間,其中,k為3至11 的任一值。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于該平部至凹部交互符號(hào)干擾表至少包括m個(gè)不同時(shí)間長(zhǎng)度平部至kT凹部的m個(gè)前緣誤差。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于該kT第二前端過驅(qū)時(shí)間 等于該kT第一前端過驅(qū)時(shí)間加上該m個(gè)前緣誤差的平均值。
11. 如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于該凹部至平部交互符號(hào) 干擾表至少包括kT凹部至n個(gè)不同時(shí)間長(zhǎng)度平部的n個(gè)后緣誤差。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于該kT第二后端過驅(qū)時(shí) 間等于該kT第一后端過驅(qū)時(shí)間加上該n個(gè)后緣誤差的平均值。
全文摘要
本發(fā)明一種可寫式光盤寫入策略的調(diào)整方法,包括下列步驟于一可寫式光盤的一功率校正區(qū)以一第一寫入策略與一第一寫入功率產(chǎn)生一測(cè)試圖樣;量測(cè)該測(cè)試圖樣的多個(gè)時(shí)間長(zhǎng)度不一的平部與凹部用以產(chǎn)生一平部至凹部交互符號(hào)干擾表與一凹部至平部交互符號(hào)干擾表;以及,根據(jù)該平部至凹部交互符號(hào)干擾表與該凹部至平部交互符號(hào)干擾表調(diào)整該第一寫入策略的一第一時(shí)間參數(shù)組進(jìn)而產(chǎn)生一第二時(shí)間參數(shù)組。
文檔編號(hào)G11B7/125GK101246701SQ20071007934
公開日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2007年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月15日
發(fā)明者李易學(xué), 翁勢(shì)凱, 胡肇文, 陳凌風(fēng) 申請(qǐng)人:建興電子科技股份有限公司
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