專利名稱：光盤和光盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種能夠從光入射平面向多層記錄薄膜進(jìn)行信息記錄和再現(xiàn)的多層型光盤和一種執(zhí)行所述記錄和再現(xiàn)操作的光盤設(shè)備。
背景技術(shù)：
關(guān)于作為信息記錄介質(zhì)的光盤，能夠記錄視頻和音樂內(nèi)容的DVD標(biāo)準(zhǔn)的光盤被廣泛使用。這種光盤的例子包括只播放型、信息可被記錄一次的一次寫入型、和由計(jì)算機(jī)和錄像機(jī)的外部存儲(chǔ)器呈現(xiàn)的可重寫型。DVD標(biāo)準(zhǔn)的光盤具有將厚度為0.6mm(標(biāo)稱)的兩片基片彼此粘貼的結(jié)構(gòu)。物鏡的NA為0.6，并且記錄/再現(xiàn)中使用的激光束的波長為650nm。
近年來需要越來越高的存儲(chǔ)容量。作為提高存儲(chǔ)容量的方法，現(xiàn)在已經(jīng)有加長光源的短波、提高物鏡的數(shù)值孔徑值、改進(jìn)調(diào)制解調(diào)技術(shù)、提高格式效率、增加層數(shù)等。在HD DVD標(biāo)準(zhǔn)中，采用了波長大約為405nm的藍(lán)色激光，從而極大增強(qiáng)了記錄密度并且提高了容量。另外，由于物鏡的NA被設(shè)置為0.65，所以實(shí)現(xiàn)了與當(dāng)前DVD的兼容。然而，為了進(jìn)一步提高容量，現(xiàn)在正在著手進(jìn)行多層信息記錄介質(zhì)的開發(fā)。
在這樣的多層信息記錄介質(zhì)中，把有機(jī)染料材料和無機(jī)染料材料用作記錄層的溝槽的材料，并且同時(shí)，記錄層的溝槽深度的有關(guān)信息也是公知的。
然而，在現(xiàn)有系統(tǒng)中沒有公開的是在記錄層的溝槽使用有機(jī)染料材料的情況下如何設(shè)置溝槽深度等。更具體地講，不能通過汽相沉積來處理有機(jī)染料材料，并且僅通過在液態(tài)下涂覆材料的方法來把有機(jī)染料材料固定到溝槽上。例如，在有機(jī)染料材料未流到溝槽深度的情況下，會(huì)出現(xiàn)包括記錄層使用壽命縮短和可靠性下降的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于通過提供導(dǎo)槽深度的標(biāo)準(zhǔn)等來把有機(jī)染料材料精確地涂覆到記錄層的導(dǎo)槽上從而提供高可靠性光盤。
一種光盤，包括設(shè)置在光入射面的透明基片層；具有第一深度的第一溝槽；第一信息層，所述第一信息層中記錄有信息；粘合層；具有第二深度的第二溝槽，所述第二深度比所述第一深度更深；以及第二信息層，所述第二信息層中記錄有信息，其中通過使用波長λ，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度不大于0.3μm；所述第一溝槽和所述第二溝槽的軌道間距不大于0.45μm；所述第一信息層和所述第二信息層包括在從390nm到420nm的用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長λ的范圍內(nèi)具有光吸收性的有機(jī)染料材料。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種雙層可記錄光盤，其在記錄層的導(dǎo)槽中使用有機(jī)染料材料并且具有導(dǎo)槽深度等各種標(biāo)準(zhǔn)，從而提高所述光盤的操作可靠性。


現(xiàn)在將參照附圖來描述實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的一般結(jié)構(gòu)。所述附圖和相關(guān)描述被提供來描述本發(fā)明實(shí)施例并且不限制本發(fā)明的范圍。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的溝槽的尺寸的示例的橫截面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的層結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的層結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，(第一信息層溝槽深度H1)/(第二信息層溝槽深度H2)對(duì)第一信息層的信號(hào)波動(dòng)寬度的影響的示例的曲線圖；圖5是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，H1/H2對(duì)第一信息層的記錄和再現(xiàn)特性的影響的示例的曲線圖；圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，H1/H2對(duì)第一信息層耐久時(shí)間和第二信息層耐久時(shí)間的影響的示例的曲線圖；圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，當(dāng)?shù)谝恍畔拥臏喜凵疃菻1恒定時(shí)H1/H2對(duì)第一信息層的信號(hào)波動(dòng)寬度的影響的示例的曲線圖；圖8是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，當(dāng)?shù)谝恍畔拥臏喜凵疃菻1恒定時(shí)H1/H2對(duì)記錄和再現(xiàn)特性的影響的示例的曲線圖；圖9是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中，當(dāng)?shù)谝恍畔拥臏喜凵疃菻1恒定時(shí)H1/H2對(duì)第一信息層耐久時(shí)間和第二信息層耐久時(shí)間的影響的示例的曲線圖；圖10是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的比較示例1、2、和3中，H1/H2對(duì)第一信息層的信號(hào)波動(dòng)寬度的影響的示例的曲線圖；圖11是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的比較示例1、2、和3中，H1/H2對(duì)記錄和再現(xiàn)特性的影響的示例的曲線圖；圖12是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的比較示例1、2、和3中，H1/H2對(duì)第一信息層耐久時(shí)間和第二信息層耐久時(shí)間的影響的示例的曲線圖；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的另一結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的另一結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的另一結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；圖16是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的另一結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖；圖17是示出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤進(jìn)行操作的光盤設(shè)備的示例的框圖；圖18是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的一般參數(shù)設(shè)置示例的說明性示圖；圖19是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的地址位區(qū)中的擺動(dòng)形狀和地址位的說明性示圖；圖20是示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中與調(diào)制區(qū)的主要位置和次要位置有關(guān)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的布置的說明性示圖；圖21是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的說明性示圖；圖22是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的調(diào)制區(qū)的布置空間的說明性示圖；圖23是示出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的Wppmax和Wppmin進(jìn)行測(cè)量的方法的說明性示圖；圖24是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的擺動(dòng)信號(hào)和軌道位移信號(hào)的特性的說明性示圖；圖25是示出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的(I1-I2)pp信號(hào)進(jìn)行測(cè)量的方法的說明性示圖；圖26是示出對(duì)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的擺動(dòng)信號(hào)的矩形波形來測(cè)量NBSNR的測(cè)量電路的框圖；圖27是示出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的NBSNR進(jìn)行測(cè)量的方法的說明性示圖；圖28是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的經(jīng)過相位調(diào)制的擺動(dòng)信號(hào)的頻譜分析儀檢測(cè)信號(hào)特性的示例的曲線圖；以及圖29是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的經(jīng)過相位調(diào)制的擺動(dòng)信號(hào)的頻譜分析儀波形的示例的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。通常，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光盤包括設(shè)置在光入射面的透明基片層；第一信息層，其形成在所述透明基片層上并具有深度為第一深度的第一溝槽，所述第一信息層不可逆地在其中記錄信息；設(shè)置在所述第一信息層上的粘合層；以及第二信息層，其形成在所述粘合層上并且具有深度為比所述第一深度更深的第二深度的第二溝槽，所述第二信息層不可逆地在其中記錄信息，其中通過使用波長λ，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度不大于0.3μm，所述第一溝槽和所述第二溝槽的軌道間距不大于0.45μm，所述第一信息層和所述第二信息層包括在從390nm到420nm的用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長λ的范圍內(nèi)具有光吸收性的有機(jī)染料材料。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，溝槽是凹入的并且為擺動(dòng)導(dǎo)向軌道。在一個(gè)實(shí)施例中，槽岸是凸起的并且為溝槽之間的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，軌道間距是在溝槽中心和相鄰溝槽的中心之間測(cè)得的距離。
以下將參照附圖來更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖。
根據(jù)本發(fā)明的光盤的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)和材料圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤中的溝槽的尺寸的示例的橫截面圖。圖2是示出其層結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖。圖3是示出其層結(jié)構(gòu)的示例的橫截面圖。圖1僅示出了基片，而圖2示出了在基片上形成信息記錄層并且基片彼此粘合的狀態(tài)。
如圖1所示，在根據(jù)本發(fā)明的光盤D中，透明基片11、第一信息層12、粘合層(中間層)13、第二信息層14、和基片15從入射激光束面按上述順序布置。聚碳酸酯(PC)基片或玻璃基片可被用作基片11或15。在所述基片或所述粘合層中，一般形成有用于使記錄和再現(xiàn)信息的激光束尋軌的溝槽。在圖1中，第一信息層12中形成的溝槽的深度是H1nm，并且第二信息層14中形成的溝槽的深度是H2nm。
在該光盤中，由物鏡聚焦的激光束從透明基片11一面照射，從而在第一信息層12和第二信息層14中記錄信息并從中再現(xiàn)信息。
同時(shí)，在第一信息層12和第二信息層14中，優(yōu)選的是，已經(jīng)記錄了信息的已記錄區(qū)的反射系數(shù)高于未記錄信息的未記錄區(qū)的反射系數(shù)。然而，本發(fā)明不限于此。
如圖2所示，第一信息層具有將記錄層22和反射層23順序地層疊在透明基片21上的結(jié)構(gòu)。粘合層24、作為第二信息層的記錄層25、和反射層26層疊在其上。
而且，如圖3所示，在某些情況下將電解質(zhì)薄膜層38插入到粘合層34和作為第二信息層的記錄層35之間?？刹捎迷诒扔糜谟涗浐驮佻F(xiàn)的激光束波長短的波長下吸收率最大的有機(jī)染料材料(H到L極)、或在比用于記錄和再現(xiàn)的激光束波長長的波長下吸收率最大的有機(jī)染料材料(L到H極)來作為用于第一信息層和第二信息層的記錄層?？紤]到諸如記錄薄膜的分辨率之類的記錄和再現(xiàn)特性，優(yōu)選的是，采用菁藍(lán)染料、酞菁染料等，這些染料在比用于記錄和再現(xiàn)的激光束波長長的波長側(cè)具有最大吸收率?？砂阎饕摄y、金、銅、鋁、鈦等制成的金屬薄膜用作反射薄膜。
在用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長不小于390nm且不大于420nm、且使用了有機(jī)染料材料的雙層可記錄光盤中，第一信息層中形成的溝槽的深度H1被做得比第二信息層中形成的溝槽的深度H2淺。因此，可防止由于來自非再現(xiàn)層的信號(hào)的泄入而導(dǎo)致的記錄和再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量的下降，并且可使得第一信息層和第二信息層的環(huán)境耐久度相同。優(yōu)選的是，H1和H2都比λ/2n淺。如果它們變得比λ/2n深，則調(diào)制程度的下降變大，并且不能獲得優(yōu)選的記錄和再現(xiàn)特性。
溝槽深度測(cè)試等對(duì)于第二信息層的溝槽深度H2被固定并且第一信息層的溝槽深度H1被設(shè)為滿足H1/H2為0.85至1.1的雙層可記錄盤，對(duì)記錄和再現(xiàn)信號(hào)從非再現(xiàn)層的泄入和環(huán)境耐久度進(jìn)行比較。
圖4示出在記錄和再現(xiàn)第一信息層的信號(hào)時(shí)的信號(hào)波動(dòng)寬度。在此示出的信號(hào)波動(dòng)寬度為波動(dòng)幅度與信號(hào)幅度之比(％)。由于來自非再現(xiàn)層的信號(hào)的泄入的影響，所述信號(hào)波動(dòng)寬度在對(duì)再現(xiàn)層的信號(hào)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的頻率處產(chǎn)生波動(dòng)，并且因?yàn)樗霾▌?dòng)寬度對(duì)再現(xiàn)特性影響極大，所以所述信號(hào)波動(dòng)寬度優(yōu)選地很小。隨著H1/H2的下降，所述信號(hào)波動(dòng)寬度輕微下降。
圖5示出作為此時(shí)記錄和再現(xiàn)特性的SbER(模擬位誤碼率，參考文獻(xiàn)Y.NagaiJpn.J.Appl.Phys.42(2003)971.)的結(jié)果。已經(jīng)確定在信號(hào)波動(dòng)寬度中沒有大的改變，但是在H1＜H2＜1.0的情況下SbER有很大改善。這是因?yàn)楫?dāng)信號(hào)波動(dòng)寬度變得比某一值小時(shí)，其難以對(duì)SbER產(chǎn)生影響。
圖6示出在該盤中第一信息層耐久時(shí)間和第二信息層耐久時(shí)間之間的關(guān)系。這里的耐久時(shí)間指的是在85℃和相對(duì)濕度85％的條件下到記錄標(biāo)記被加速時(shí)的時(shí)間，并且加速之前記錄的標(biāo)記可被沒有困難地再現(xiàn)。理想情況是，第一信息層的耐久時(shí)間等于第二信息層的耐久時(shí)間。然而，如果差為±10％，就不會(huì)有實(shí)際問題。換言之，能夠發(fā)現(xiàn)在一個(gè)實(shí)施例中，需要0.9≤(第一信息層耐久時(shí)間)/(第二信息層耐久時(shí)間)≤1.1的條件。
從圖6可知，在H1/H2＜1.0的情況下滿足該條件。在所述雙層可記錄光盤中，必須在第一信息層中把記錄薄膜制得很薄從而保證光透射率。然而，通過控制H1和H2，把有機(jī)染料材料涂覆得平坦均勻，并且可使得在高溫高濕環(huán)境下的耐久度與在所述深度下布置的信息記錄層的耐久度相同。
所使用的基片的厚度被設(shè)置為不小于580μm且不大于600μm。如果第一信息層和第二信息層之間所形成的粘合層的厚度太薄，則來自非再現(xiàn)層的泄入變大，并且如果所述厚度太厚，則球面象差的影響在所述第二信息層變強(qiáng)。因此，期望的是，所述厚度為不小于20μm且不大于35μm。具體地講，期望的是，第一基片的厚度X不小于f(n)-13μm，第一信息層和第二信息層之間所形成的粘合層的厚度Y不小于20μm，并且滿足dX+Y≤f(n)+30μm且f(n)+1μm≤X+Y/2的條件。在此，獲得f(n)＝(A1×n3)(n2+A2)/(n2-1)(n2+A3)×1000(μm)，其中n為第一基片的折射率，A1為0.26200，A2為-0.32400，并且A3為0.00595。通過滿足該條件，在第一信息層和第二信息層中獲得優(yōu)選的記錄和再現(xiàn)特性變得可能。而且，從高密度記錄的觀點(diǎn)看，第一信息層和第二信息層中形成的溝槽的寬度不大于0.3μm。在如上所述溝槽很窄的情況下，本發(fā)明實(shí)施例的影響變得明顯。而且，第一溝槽和第二溝槽中的軌道間距不大于0.45μm。
而且，期望的是，第一信息層和第二信息層對(duì)用于記錄和再現(xiàn)的激光束的反射系數(shù)不小于3％且不大于10％。如果反射的光量很少，則在記錄和再現(xiàn)設(shè)備側(cè)SN比變得不足，因此在某些實(shí)施例中，不小于3％的反射系數(shù)是必需的。然而，當(dāng)反射系數(shù)很高時(shí)，記錄薄膜吸收的光量下降，并且記錄靈敏度下降。為了能夠以相同的光量來對(duì)兩個(gè)信息層記錄信息，在特定實(shí)施例中需要在第一信息層的透射率為40％至55％的光盤中把反射系數(shù)設(shè)置為不高于10％。而且，再現(xiàn)層的反射系數(shù)和非再現(xiàn)層的反射系數(shù)之間的差增大，從具有高反射系數(shù)的層到具有低反射系數(shù)的層的信號(hào)的泄入變大。因此，期望的是，來自所述兩個(gè)信息層的反射系數(shù)之間的差不大于±20％。
關(guān)于把信息記錄到根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄盤并從中再現(xiàn)信息的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，除了需要當(dāng)前的記錄和再現(xiàn)設(shè)備之外，還需要用于識(shí)別所插入的光盤具有多少層的機(jī)構(gòu)、用于在每一層上聚焦的機(jī)構(gòu)、和用于對(duì)所聚焦的每一信息記錄層執(zhí)行記錄和再現(xiàn)的機(jī)構(gòu)。而且，在某些情況下，還需要用于根據(jù)情況對(duì)光學(xué)系統(tǒng)執(zhí)行球面象差處理的機(jī)構(gòu)。
通過使用該盤結(jié)構(gòu)、盤制造方法和材料、以及上述記錄和再現(xiàn)設(shè)備，可從雙層可記錄盤中的兩個(gè)信息層獲得優(yōu)選再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量和環(huán)境耐久度，從而提高記錄容量。
導(dǎo)致第一實(shí)施例的各種情況的測(cè)試數(shù)據(jù)第一測(cè)試數(shù)據(jù)以下將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試數(shù)據(jù)。通過使用厚度為590μm的聚碳酸酯基片來制造雙層可記錄盤，并且對(duì)記錄和再現(xiàn)進(jìn)行評(píng)估。該盤的結(jié)構(gòu)為透明基片/記錄薄膜/反射薄膜/粘合薄膜/記錄薄膜/反射薄膜/基片。在比用于記錄和再現(xiàn)的激光束波長長的波長側(cè)具有最大吸收率的有機(jī)染料材料被用于記錄薄膜，并且銀合金被用于反射薄膜。注意，第一信息層被構(gòu)成為在405nm的波長處具有45％的光透射率。而且，如圖15所示，關(guān)于每一信息層的溝槽，在透明基片91中形成第一信息層92，并且在粘合層93中形成第二信息層94。關(guān)于所形成的溝槽的深度，第二信息層深度H2被設(shè)置為50nm，并且第一信息層深度H1被做成能使得H1/H2從0.85變到1.1，從而制造和評(píng)估該盤。溝槽的寬度為0.2μm，并且粘合層的厚度為25μm。
通過使用具有405nm的波長和0.65的NA的光頭來把信息記錄到上述雙層可記錄盤并從上述雙層可記錄盤再現(xiàn)信息。該盤以6.6m/s的線速度轉(zhuǎn)動(dòng)，時(shí)鐘頻率被設(shè)置為64.8MHz，隨機(jī)記錄2T到11T的信號(hào)，并且測(cè)量信號(hào)的波動(dòng)寬度和SbER。由于來自非再現(xiàn)層的信號(hào)的泄入的影響，信號(hào)波動(dòng)寬度在對(duì)再現(xiàn)層的信號(hào)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的頻率處產(chǎn)生波動(dòng)。然而，因?yàn)槠鋵?duì)再現(xiàn)特性有很大影響，所以所述波動(dòng)寬度優(yōu)選地很小。
圖7示出了在對(duì)第一信息層記錄和再現(xiàn)信號(hào)時(shí)的信號(hào)波動(dòng)寬度。在此示出的信號(hào)波動(dòng)寬度為波動(dòng)幅度與信號(hào)幅度的比(％)。該信號(hào)波動(dòng)寬度隨著H1/H2下降而輕微下降。圖8示出了當(dāng)時(shí)作為記錄和再現(xiàn)特性的SbER的結(jié)果。已經(jīng)確定在信號(hào)波動(dòng)寬度中沒有大的改變，但是在H1＜H2＜1.0的情況下SbER有很大改善。這是因?yàn)榧词巩?dāng)信號(hào)波動(dòng)寬度很小時(shí)也會(huì)極大地影響記錄和再現(xiàn)信號(hào)，但是在以SbER進(jìn)行評(píng)估的情況下，當(dāng)信號(hào)波動(dòng)寬度極小時(shí)，所述影響也就很小。圖9示出了在該盤中第一信息層耐久時(shí)間和第二信息層耐久時(shí)間之間的關(guān)系。這里的耐久時(shí)間指的是在85℃和相對(duì)濕度85％的條件下記錄標(biāo)記被加速的情況下的時(shí)間。理想情況是，第一信息層的耐久時(shí)間基本等于第二信息層的耐久時(shí)間。不過，如果差為±10％，就不會(huì)有實(shí)際問題。換言之，期望的是0.9≤(第一信息層耐久時(shí)間)/(第二信息層耐久時(shí)間)≤1.1的條件，但是在H1/H2＜1.0的情況下滿足該條件。為了保證光透射率，必須使得所述記錄薄膜在第一信息層中很薄。然而，通過控制H1和H2，把有機(jī)染料材料涂覆得平坦均勻，并且可使得在高溫高濕環(huán)境下的耐久度與在所述深度下布置的信息記錄層的耐久度相同。
第二測(cè)試數(shù)據(jù)在第一測(cè)試數(shù)據(jù)中，第二信息層深度H2被設(shè)置為70nm，并且第一信息層深度H1被做成使得H1/H2從0.85變到1.1，從而制造該盤，并且評(píng)估記錄和再現(xiàn)特性和環(huán)境耐久度。如圖8和9所示，以和第一測(cè)試數(shù)據(jù)中的方式相同的方式，獲得出色的SbER，并在H1/H2＜1.0的第一信息層和第二信息層中獲得相等的耐久時(shí)間。
第三測(cè)試數(shù)據(jù)在第一測(cè)試數(shù)據(jù)中，第二信息層深度H2被設(shè)置為90nm，并且第一信息層深度H1被做成使得H1/H2從0.85變到1.1，從而制造該盤，并且評(píng)估記錄和再現(xiàn)特性和環(huán)境耐久度。如圖8和9所示，以和第一測(cè)試數(shù)據(jù)中的方式相同的方式，獲得出色的SbER，并在H1/H2＜1.0的第一信息層和第二信息層中獲得相等的耐久時(shí)間。
比較示例1在第一測(cè)試數(shù)據(jù)中，評(píng)估當(dāng)粘合層厚度被設(shè)置為15μm時(shí)的記錄和再現(xiàn)特性以及環(huán)境耐久度。因?yàn)樵撜澈蠈雍鼙?，不考慮圖10所示的H1/H2，來自再現(xiàn)層的信號(hào)的泄入變大了大約10％。因此，如圖11所示，不考慮H1/H2，SbER大約為1.0E-4。圖12示出了耐久時(shí)間的結(jié)果。不存在粘合層厚度的影響，并在H1/H2＜1.0的第一信息層和第二信息層中獲得相等的耐久時(shí)間。
比較示例2在第一測(cè)試數(shù)據(jù)中，評(píng)估當(dāng)粘合層厚度被設(shè)置為45μm時(shí)的記錄和再現(xiàn)特性以及環(huán)境耐久度。因?yàn)樵撜澈蠈雍芎?，如圖10所示，來自非再現(xiàn)層的信號(hào)的泄入很小。然而，在球面象差的影響下，如圖11所示記錄和再現(xiàn)特性下降。圖12示出了耐久時(shí)間的結(jié)果。不存在粘合層厚度的影響，并在H1/H2＜1.0的第一信息層和第二信息層中獲得相等的耐久時(shí)間。
比較示例3在第一測(cè)試數(shù)據(jù)中，當(dāng)溝槽深度為0.5μm時(shí)，如圖10和11所示，可確定與第一測(cè)試數(shù)據(jù)相同的趨勢(shì)。而且，因?yàn)闇喜蹖挾群軐?，所以不考慮圖12所示的H1/H2而在第一信息層和第二信息層中獲得了相等的耐久時(shí)間。
第二實(shí)施例第二實(shí)施例說明，在透明基片71中設(shè)置第一信息層22的溝槽，并且在基片75中設(shè)置第二信息層74的溝槽。在此，粘合層73中未設(shè)置溝槽。
更具體地講，如圖13所示，在透明基片71和基片75中分別形成了在圖1中的第一信息層12和第二信息層14中設(shè)置的溝槽。在此實(shí)施例中，獲得上述第一到第三測(cè)試數(shù)據(jù)和比較示例1和2的記錄和再現(xiàn)特性。
而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)靠近激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)遠(yuǎn)離激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。以相同的方式，優(yōu)選的是，對(duì)第一和第二信息層中形成的溝槽都執(zhí)行記錄。
第三實(shí)施例第三實(shí)施例說明，在粘合層83中設(shè)置第一信息層82的溝槽，并且在粘合層83中設(shè)置第二信息層84的溝槽。在此，在透明基片81和基片85中未設(shè)置溝槽。
更具體地講，如圖14所示，在粘合層83中形成了在圖1中的第一信息層12和第二信息層14中布置的溝槽。在某些情況下，粘合層83可能為由多種材料制成的多層。同樣在此實(shí)施例中，獲得上述第一至第三測(cè)試數(shù)據(jù)和比較示例1和2的記錄和再現(xiàn)特性。
而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)靠近激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)遠(yuǎn)離激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。以相同的方式，優(yōu)選的是，對(duì)第一和第二信息層中形成的溝槽都執(zhí)行記錄。
第四實(shí)施例第四實(shí)施例說明，在基片91中設(shè)置第一信息層92的溝槽，并且在粘合層93中設(shè)置第二信息層94的溝槽。在此，在基片95中未設(shè)置溝槽。
更具體地講，如圖15所示，在透明基片91中形成了在圖1中的第一信息層12中設(shè)置的溝槽，并且在粘合層93中形成了在第二信息層14中設(shè)置的溝槽。在某些情況下，粘合層93可能為由多種材料制成的多層。在此實(shí)施例中，同樣也獲得上述第一至第三測(cè)試數(shù)據(jù)和比較示例1和2的記錄和再現(xiàn)特性。
而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)靠近激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)遠(yuǎn)離激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。以相同的方式，優(yōu)選的是，對(duì)第一和第二信息層中形成的溝槽都執(zhí)行記錄。
第五實(shí)施例第五實(shí)施例說明，在粘合層103中設(shè)置第一信息層102的溝槽，并且在基片105中設(shè)置第二信息層104的溝槽。在此，在透明基片101中未設(shè)置溝槽。
更具體地講，如圖16所示，在粘合層103中形成了在圖1中的第一信息層12中設(shè)置的溝槽，并且在基片105中形成了在第二信息層104中設(shè)置的溝槽。在某些情況下，粘合層103可能為由多種材料制成的多層。在此實(shí)施例中，同樣也獲得上述第一至第三測(cè)試數(shù)據(jù)和比較示例1和2的記錄和再現(xiàn)特性。
而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)靠近激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。而且，關(guān)于第一和第二信息層中形成的溝槽，可僅對(duì)遠(yuǎn)離激光束入射面的溝槽執(zhí)行記錄。以相同的方式，優(yōu)選的是，對(duì)第一和第二信息層中形成的溝槽都執(zhí)行記錄。
第六實(shí)施例第六實(shí)施例說明在上述雙層可記錄光盤上執(zhí)行記錄和再現(xiàn)處理的光盤設(shè)備的示例。圖17是示出對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤進(jìn)行操作的光盤設(shè)備的示例的框圖。
作為光盤設(shè)備110，具有作為源的調(diào)諧器等的具備記錄功能的數(shù)字電視機(jī)被作為示例示出。而且，優(yōu)選的是，光盤設(shè)備110是具有調(diào)諧器等并具有記錄功能的硬盤記錄器。
因此，在以下參照?qǐng)D17對(duì)實(shí)施例的描述中，對(duì)具有記錄功能的數(shù)字電視機(jī)進(jìn)行詳細(xì)說明。然而，通過從圖17中分離出顯示126，該說明也可被解釋為對(duì)具有相同功能的硬盤記錄器的說明。
在圖17中，作為數(shù)字電視機(jī)的光盤設(shè)備110具有兩種盤驅(qū)動(dòng)器。即，光盤設(shè)備110具有硬盤驅(qū)動(dòng)單元118和光盤驅(qū)動(dòng)單元119。硬盤驅(qū)動(dòng)單元118驅(qū)動(dòng)作為第一介質(zhì)的硬盤H。光盤驅(qū)動(dòng)單元119轉(zhuǎn)動(dòng)并驅(qū)動(dòng)作為可構(gòu)成作為第二介質(zhì)的視頻文件的信息記錄介質(zhì)的光盤D。而且，控制單元130通過數(shù)據(jù)總線B與每一單元連接，從而控制整個(gè)操作。然而，在本發(fā)明實(shí)施例中，光盤驅(qū)動(dòng)單元119并不總是必要的部件。
圖17中的光盤設(shè)備110具有構(gòu)成記錄側(cè)的編碼器單元121、構(gòu)成再現(xiàn)側(cè)的MPEG解碼器單元123、和控制作為主要部件的設(shè)備主體的操作的控制單元130。光盤設(shè)備110具有輸入側(cè)的選擇器單元116和輸出側(cè)的選擇器單元117。諸如LAN之類的通信單元111、通常所說的衛(wèi)星廣播(BS/CS)數(shù)字調(diào)諧器單元112、和通常所說的地面數(shù)字/模擬調(diào)諧器單元113連接到輸入側(cè)的選擇器單元116，并且信號(hào)被輸出到編碼器單元121。而且，衛(wèi)星天線與BS/CS數(shù)字調(diào)諧器單元112相連接，并且地面天線與地面數(shù)字/模擬調(diào)諧器單元113相連接。而且，所述光盤設(shè)備110具有編碼器單元121、接收編碼器單元121的輸出并執(zhí)行諸如數(shù)據(jù)編輯之類的所期望的數(shù)據(jù)處理的信號(hào)編輯單元120、和連接到信號(hào)編輯單元120的硬盤驅(qū)動(dòng)單元118和光盤驅(qū)動(dòng)單元119。光盤設(shè)備110還具有從硬盤驅(qū)動(dòng)單元118和光盤驅(qū)動(dòng)單元119接收信號(hào)并解碼信號(hào)的MPEG解碼器單元123、編碼器單元121、緩沖器單元122、MPEG解碼器單元123、多路復(fù)用單元128、分離單元129、控制單元130、定時(shí)器設(shè)置單元/定時(shí)器記錄單元142、和節(jié)目表產(chǎn)生單元143。這些單元通過數(shù)據(jù)總線B與控制單元130相連接。而且，選擇器單元117的輸出被提供給顯示器126，或者通過與外部裝置執(zhí)行通信的接口單元127提供給外部裝置。
而且，光盤設(shè)備110具有操作單元132，其通過數(shù)據(jù)總線B連接到控制單元130，并且其接收用戶操作和遙控器R的操作。在此，遙控器R基本上允許進(jìn)行與由設(shè)置在光盤設(shè)備110的主體中的操作單元132所作操作相同的操作。遙控器R可對(duì)硬盤驅(qū)動(dòng)單元118和光盤驅(qū)動(dòng)單元119作出記錄和再現(xiàn)指示，并且作出編輯指示和進(jìn)行諸如調(diào)諧器操作和定時(shí)器記錄設(shè)置之類的各種設(shè)置。
基本操作記錄處理接下來，將詳細(xì)描述包括其它實(shí)施例的記錄時(shí)的操作。作為光盤設(shè)備110的輸入端，諸如LAN的通信單元111與外部裝置連接，經(jīng)由諸如互聯(lián)網(wǎng)之類的通信路徑借助例如調(diào)制解調(diào)器來與節(jié)目信息提供服務(wù)器通信，并且下載廣播內(nèi)容等。而且，BS/CS數(shù)字調(diào)諧器單元112和地面數(shù)字/模擬調(diào)諧器單元113通過天線選擇廣播信號(hào)來解調(diào)信號(hào)，并且接收視頻信號(hào)和音頻信號(hào)。調(diào)諧器單元與各種廣播信號(hào)相對(duì)應(yīng)。其例子包括地面模擬廣播、地面波、數(shù)字廣播、BS模擬廣播、BS數(shù)字廣播、和CS數(shù)字廣播，但是本發(fā)明不限于此。另外，本發(fā)明不限于僅僅一個(gè)調(diào)諧器的布置，而是其包括布置有兩個(gè)或三個(gè)地面廣播調(diào)諧器單元和BS/CS調(diào)諧器單元的情況，并且它們根據(jù)對(duì)定時(shí)器記錄操作的請(qǐng)求并行操作。
上述通信單元111可以是IEEE1394接口，并且可從網(wǎng)絡(luò)上的外部裝置接收數(shù)字內(nèi)容。通信單元111還可從輸入終端(未示出)接收亮度信號(hào)、色差信號(hào)、合成的視頻信號(hào)、和音頻信號(hào)。信號(hào)的輸入由控制單元130所控制的選擇器單元116等來進(jìn)行控制，并且被選擇性地提供給編碼器單元121。
編碼器單元121具有用來對(duì)選擇器單元116輸入的模擬視頻信號(hào)和模擬音頻信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化的視頻和音頻的模擬和數(shù)字轉(zhuǎn)換器、視頻編碼器、和音頻編碼器。其還包括子畫面編碼器。編碼器單元121的輸出被轉(zhuǎn)換為諸如MPEG之類的預(yù)定壓縮格式，并且被提供給上述控制單元130。
而且，BS/CS數(shù)字調(diào)諧器112等不必內(nèi)置。優(yōu)選的是，它們通過數(shù)據(jù)輸入終端在外部布置，并且通過選擇器單元116把接收到的數(shù)字信號(hào)提供給編碼器單元121和控制單元130。
在此，圖17中的設(shè)備可經(jīng)由控制單元130把編碼器單元121所編碼的信息(視頻、音頻、子畫面數(shù)據(jù)等的包)和創(chuàng)建的管理信息提供給硬盤驅(qū)動(dòng)單元118或光盤驅(qū)動(dòng)單元119，并且把它們記錄到硬盤驅(qū)動(dòng)單元118或光盤D中。而且，該設(shè)備可經(jīng)由控制單元130和光盤驅(qū)動(dòng)單元119把記錄在硬盤驅(qū)動(dòng)單元118或光盤D中的信息記錄到光盤D和硬盤驅(qū)動(dòng)單元118中。
可執(zhí)行編輯處理，包括刪除記錄在硬盤驅(qū)動(dòng)單元118和光盤D中的多個(gè)節(jié)目的視頻對(duì)象的一部分、和接合不同節(jié)目的對(duì)象等。
再現(xiàn)處理等接下來將詳細(xì)描述包括其它實(shí)施例的再現(xiàn)主要記錄的信息的處理。MPEG解碼器單元123具有視頻處理器，其把解碼過的主畫面和解碼過的子畫面適當(dāng)結(jié)合，并且在主畫面上輸出菜單、加亮按鈕、重疊的字幕和其子畫面。
MPEG解碼器單元123的輸出音頻信號(hào)由數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(未示出)經(jīng)由選擇器單元117進(jìn)行模擬轉(zhuǎn)換，并被提供給揚(yáng)聲器，或者經(jīng)由I/F單元27提供給外部裝置。由來自控制單元130的選擇信號(hào)控制選擇器單元117。因此，當(dāng)直接監(jiān)控來自各個(gè)調(diào)諧器單元12和13的數(shù)字信號(hào)時(shí)，選擇器單元117可直接選擇已通過編碼器單元121的信號(hào)。
本實(shí)施例的光盤設(shè)備110具有這樣的全面功能，并且通過光盤D或硬盤驅(qū)動(dòng)單元118對(duì)多個(gè)源執(zhí)行記錄和再現(xiàn)處理。
第七實(shí)施例第七實(shí)施例詳細(xì)說明作為上述HD DVD的雙層光盤的標(biāo)準(zhǔn)的示例。圖18是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層可記錄光盤的一般參數(shù)設(shè)置示例的說明性示圖。
雙層光盤的參數(shù)以下將參照?qǐng)D18來描述根據(jù)本發(fā)明的雙層光盤的參數(shù)。關(guān)于本發(fā)明的雙層光盤，如圖18所示，在一層結(jié)構(gòu)中可用記錄容量是15G字節(jié)，并且在雙層結(jié)構(gòu)中是30G字節(jié)。
關(guān)于一層結(jié)構(gòu)和雙層結(jié)構(gòu)，以相同的方式示出了所使用的波長、物鏡的NA值。而且，作為系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中的(A)數(shù)值，而且進(jìn)一步，作為數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、中間區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中的(B)數(shù)值，關(guān)于一層結(jié)構(gòu)和雙層結(jié)構(gòu)示出了數(shù)據(jù)位長度、通道位長度、最小標(biāo)記/凹坑長度(2T)、最大標(biāo)記/凹坑長度(13T)、軌道間距、和物理地址設(shè)置方法的值。
而且，關(guān)于一層結(jié)構(gòu)和雙層結(jié)構(gòu)，已經(jīng)示出了信息記錄介質(zhì)的外直徑、信息記錄介質(zhì)的總厚度、中心孔的直徑、數(shù)據(jù)區(qū)DTA的內(nèi)半徑、數(shù)據(jù)區(qū)DTA的外半徑、扇區(qū)大小、ECC、ECC塊大小、調(diào)制方法、可糾錯(cuò)的錯(cuò)誤長度、和線速度。
而且，關(guān)于一層結(jié)構(gòu)和雙層結(jié)構(gòu)，作為系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中的(A)數(shù)值，而且進(jìn)一步，作為數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、中間區(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中的(B)數(shù)值，示出了通道位傳送速率和用戶數(shù)據(jù)傳送速率。
雙層光盤的擺動(dòng)結(jié)構(gòu)接下來，關(guān)于作為根據(jù)本發(fā)明的雙層光盤的HD DVD，將參照附圖來詳細(xì)描述尤其關(guān)于擺動(dòng)結(jié)構(gòu)的特性。
圖19中示出了根據(jù)實(shí)施例的雙層光盤中的位地址分配方法。如圖19中的左側(cè)所示，首先從一個(gè)擺動(dòng)的開始位置彎曲前進(jìn)到外圓周側(cè)的一個(gè)擺動(dòng)圖案被稱作NPW(正常相位擺動(dòng))，并且對(duì)其分配數(shù)據(jù)“0”。如圖19中的右側(cè)所示，首先從一個(gè)擺動(dòng)的開始位置彎曲前進(jìn)到內(nèi)圓周側(cè)的一個(gè)擺動(dòng)圖案被稱作IPW(反轉(zhuǎn)相位擺動(dòng))，并且對(duì)其分配數(shù)據(jù)“1”。
如圖20所示，各個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0560至#11571的內(nèi)容每一個(gè)均配置有16個(gè)擺動(dòng)的調(diào)制區(qū)598和68個(gè)擺動(dòng)的非調(diào)制區(qū)592和593。本實(shí)施例的一個(gè)極佳特性在于非調(diào)制區(qū)592和593與調(diào)制區(qū)的占用比被做得足夠大。在非調(diào)制區(qū)592和593中，溝槽區(qū)或槽岸區(qū)總是在恒定頻率下擺動(dòng)。因此，可通過使用非調(diào)制區(qū)592和593來制成PLL(鎖相環(huán))，并且穩(wěn)定地提取(產(chǎn)生)將用于再現(xiàn)記錄在信息記錄介質(zhì)上的記錄標(biāo)記的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘或?qū)⒂糜谥匦掠涗洏?biāo)記的記錄標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘。
在從非調(diào)制區(qū)592和593轉(zhuǎn)移到調(diào)制區(qū)598的情況下，通過使用4個(gè)擺動(dòng)或6個(gè)擺動(dòng)來設(shè)置作為調(diào)制開始標(biāo)記的IPW區(qū)。在圖20的(c)和(d)中所示的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分，進(jìn)行布置從而檢測(cè)到正好在作為調(diào)制開始標(biāo)記的IPW區(qū)之后的被擺動(dòng)調(diào)制后的擺動(dòng)地址區(qū)(地址位#2到#0)。圖20的(a)和(b)示出了與下面將描述的圖21的(c)所示的擺動(dòng)下沉區(qū)580相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0560中的內(nèi)容，并且圖20的(c)和(d)示出了與圖21的(c)中的從段信息727到CRC碼726的擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容。圖20的(a)和(c)示出了與下面將描述的調(diào)制區(qū)的主要位置701相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容，并且圖20的(b)和(d)示出了與調(diào)制區(qū)的次要位置702相對(duì)應(yīng)的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元。如圖20的(a)和(b)所示，在擺動(dòng)下沉區(qū)580中，對(duì)IPW區(qū)分配6個(gè)擺動(dòng)，并且對(duì)由IPW區(qū)環(huán)繞的NPW區(qū)分配4個(gè)擺動(dòng)。如圖20的(c)和(d)所示，在擺動(dòng)數(shù)據(jù)部分中，對(duì)IPW區(qū)和全部地址位區(qū)#2到#0分配4個(gè)擺動(dòng)。
圖21示出了在可記錄信息記錄介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。為了進(jìn)行比較，在圖21的(a)中示出了可重寫信息記錄介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。在圖21的(b)和(c)中示出了可重寫信息記錄介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。
在擺動(dòng)地址區(qū)610中，以12個(gè)擺動(dòng)來設(shè)置3個(gè)地址位。即，連續(xù)的四個(gè)擺動(dòng)構(gòu)成一個(gè)地址位。以此方式，本實(shí)施例具有在每三個(gè)地址位分配和布置地址信息的結(jié)構(gòu)。當(dāng)在信息記錄介質(zhì)中的一個(gè)部分中集中記錄擺動(dòng)地址信息610時(shí)，如果在介質(zhì)表面出現(xiàn)灰塵或損傷，那么檢測(cè)全部信息就變的很困難。在該實(shí)施例中，在包括在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元560至576之一中的每三個(gè)地址位(12個(gè)擺動(dòng))分配和布置擺動(dòng)地址信息610，并且在每三個(gè)地址位的一整體多地址位記錄所收集的信息。因此，即使由于灰塵或損傷而難以在一個(gè)部分檢測(cè)到信息，也可檢測(cè)到其它信息。
分配并布置擺動(dòng)地址信息610，并且布置擺動(dòng)地址信息610從而完成上述每一物理段，由此可知每一物理段的地址信息。結(jié)果，當(dāng)信息記錄和再現(xiàn)設(shè)備訪問時(shí)，可以以物理段為單位來了解當(dāng)前位置。
通過把NRZ方法用作實(shí)施例，相位在擺動(dòng)地址信息610中的連續(xù)四個(gè)擺動(dòng)中不改變。通過使用此特性，設(shè)置擺動(dòng)下沉區(qū)580。即，擺動(dòng)地址信息610中不能出現(xiàn)的擺動(dòng)圖案被設(shè)置給擺動(dòng)下沉區(qū)580，從而識(shí)別擺動(dòng)下沉區(qū)580的布置位置變得容易。本實(shí)施例的特征在于，關(guān)于四個(gè)擺動(dòng)構(gòu)成一個(gè)地址位的擺動(dòng)地址區(qū)586和587，一個(gè)地址位長度被設(shè)置為擺動(dòng)下沉區(qū)580處中的四個(gè)擺動(dòng)的長度以外的長度。更具體地講，在擺動(dòng)下沉區(qū)580中，在圖20的(c)和(d)中所示的擺動(dòng)數(shù)據(jù)處中不能出現(xiàn)的擺動(dòng)圖案變化被設(shè)置給圖20的(a)和(b)中所示的擺動(dòng)位變?yōu)椤?”的區(qū)(IPW區(qū))。在擺動(dòng)圖案變化中，設(shè)置與四個(gè)擺動(dòng)不動(dòng)的“六個(gè)擺動(dòng)→四個(gè)擺動(dòng)→六個(gè)擺動(dòng)”。當(dāng)如上所述用來改變擺動(dòng)周期的方法被用作用來把擺動(dòng)數(shù)據(jù)處中不能出現(xiàn)的擺動(dòng)圖案設(shè)置給擺動(dòng)下沉區(qū)580的具體方法時(shí)，獲得以下優(yōu)點(diǎn)。
1)可在不破壞在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元中執(zhí)行的與擺動(dòng)槽位置有關(guān)的PLL的情況下來穩(wěn)定地連續(xù)進(jìn)行擺動(dòng)檢測(cè)(確定擺動(dòng)信號(hào))。
2)可通過在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元中執(zhí)行的對(duì)地址位邊界位置的位移來容易地檢測(cè)擺動(dòng)下沉區(qū)580和調(diào)制開始標(biāo)記561和582。本實(shí)施例的特征在于，以12個(gè)擺動(dòng)的周期來形成擺動(dòng)下沉區(qū)580，并且擺動(dòng)下沉區(qū)580的長度被做得與三個(gè)地址位的長度相同。因此，通過把一個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#0560中的全部(16個(gè)擺動(dòng)的)調(diào)制區(qū)分配給擺動(dòng)下沉區(qū)580，提高對(duì)擺動(dòng)地址信息610的開始位置(擺動(dòng)下沉區(qū)580的布置位置)檢測(cè)的容易程度。該擺動(dòng)下沉區(qū)580布置在物理段中的第一擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中。通過在物理段中的頭部位置布置擺動(dòng)下沉區(qū)580，可通過檢測(cè)擺動(dòng)下沉區(qū)580的位置來容易地提取物理段的邊界位置。
如圖20的(c)和(d)中所示，在地址位#2到#0之前，在擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元#1561到#11571中的頭部位置處布置作為調(diào)制開始標(biāo)記的IPW區(qū)。在其之前的位置處布置的非調(diào)制區(qū)592和593中，NPW波形連續(xù)。因此，在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元中，檢測(cè)到從NPW到IPW的改變，并且提取調(diào)制開始標(biāo)記的位置。
作為參考，以下內(nèi)容被記錄為圖21的(a)中所示的可重寫信息記錄介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容。
1)物理段地址601其是示出了一個(gè)軌道(在信息記錄介質(zhì)221中的一周)中的物理段號(hào)的信息。
2)帶地址602其示出了信息記錄介質(zhì)221中的帶號(hào)。
3)奇偶信息605其為在從擺動(dòng)地址信息610進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)為錯(cuò)誤檢測(cè)設(shè)置的信息。該信息把14個(gè)地址位以地址位為單位單獨(dú)地從定時(shí)器信息604添加到帶地址602，并且顯示添加結(jié)果是偶數(shù)還是奇數(shù)。奇偶信息605的值設(shè)置來使得以地址位為單位對(duì)包括地址奇偶信息605的一個(gè)地址位的總共15個(gè)地址位取異或的結(jié)果變?yōu)椤?”。
4)統(tǒng)一區(qū)608如上所述，每一擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的內(nèi)容被設(shè)置為由16個(gè)擺動(dòng)的調(diào)制區(qū)598和68個(gè)擺動(dòng)的非調(diào)制區(qū)592和593來構(gòu)成，并且非調(diào)制區(qū)592和593與調(diào)制區(qū)598的占用比被做得足夠大。而且，非調(diào)制區(qū)592和593的占用比被加寬，并且再現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘或記錄標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘的提取(產(chǎn)生)的精度和穩(wěn)定性被進(jìn)一步提高。在統(tǒng)一區(qū)608中，全部NPW區(qū)連續(xù)，統(tǒng)一區(qū)608變?yōu)榫哂薪y(tǒng)一相位的非調(diào)制區(qū)。
圖21的(a)示出了對(duì)上述各個(gè)信息的分配的地址位的號(hào)碼。如上所述，將擺動(dòng)地址信息610的內(nèi)容每三個(gè)地址位分開，并且在每一擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中分配和布置所述擺動(dòng)地址信息的內(nèi)容。即使由于信息記錄介質(zhì)表面上的灰塵或損傷導(dǎo)致出現(xiàn)突發(fā)錯(cuò)誤，該錯(cuò)誤擴(kuò)展到不同的擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的可能性也是極低的。因此，遍歷作為記錄了相同信息的位置的不同擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的次數(shù)盡可能地減小，并且各個(gè)信息的分割線和擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的邊界位置被做得彼此匹配。因此，即使由于信息記錄介質(zhì)表面上的灰塵或損傷導(dǎo)致出現(xiàn)突發(fā)錯(cuò)誤并且特定信息不能被讀取，也可讀取記錄在其它擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元中的其它信息，這提高了擺動(dòng)地址信息的再現(xiàn)可靠性。
如圖21的(b)和(c)中所示，還是在可記錄信息記錄介質(zhì)中，以和可重寫信息記錄介質(zhì)中相同的方式在物理段的頭部位置分配擺動(dòng)下沉區(qū)580，從而易于檢測(cè)物理段的頭部位置或相鄰物理段之間的邊界位置。在圖21的(b)中所示的物理段的類型標(biāo)識(shí)信息721中，以和上述擺動(dòng)下沉區(qū)580中的擺動(dòng)下沉圖形相同的方式，來指示物理段中的調(diào)制區(qū)的布置位置，從而可提前預(yù)測(cè)相同物理段中的其它調(diào)制區(qū)598的布置位置。因此，可提前準(zhǔn)備對(duì)緊接著的調(diào)制區(qū)的檢測(cè)，這使得能夠提高調(diào)制區(qū)中的信號(hào)檢測(cè)(調(diào)整)的精度。
圖21的(b)中所示的可記錄信息記錄介質(zhì)中的層號(hào)信息722示出了是一面單記錄層還是一面雙記錄層的記錄層被顯示，并且-如果其為“0”，則意味著一面單記錄層介質(zhì)或在一面雙記錄層情況下的“L0層”(激光束入射面的前一層)，并且-如果其為“1”，則意味著一面雙記錄層的“L1層”(激光束入射面的后一層)。
物理段次序信息724示出了相同的物理段塊中的相關(guān)物理段的布置順序。如同在與圖21的(a)進(jìn)行的比較所示，擺動(dòng)地址信息610中的物理段次序信息724的頭部位置與可重寫信息記錄介質(zhì)中的物理段地址601的頭部位置相匹配。通過把物理段次序信息位置設(shè)置到可重寫類型，可提高介質(zhì)類型之間的兼容性。另外，通過在可使用可重寫型記錄介質(zhì)和可記錄信息記錄介質(zhì)的信息記錄和再現(xiàn)設(shè)備中共享使用了擺動(dòng)信號(hào)的地址檢測(cè)控制程序，可進(jìn)行簡化。
圖21的(b)中的數(shù)據(jù)段地址725以數(shù)字描述了數(shù)據(jù)段的地址信息。如上所述，在本實(shí)施例中一個(gè)ECC塊由32個(gè)扇區(qū)構(gòu)成。因此，在指定ECC塊中的頭部布置的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低五位與在相鄰ECC塊中的頭部位置布置的扇區(qū)的扇區(qū)號(hào)相一致。當(dāng)物理扇區(qū)號(hào)被設(shè)置為在ECC塊中的頭部布置的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低五位變?yōu)椤?0000”時(shí)，同一ECC塊中存在的全部扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)低第六位及其以上的值彼此一致。因此，同一ECC塊中存在的扇區(qū)的物理扇區(qū)號(hào)的低五位的數(shù)據(jù)被移除、且僅低第六位及其以上的數(shù)據(jù)被提取的地址信息被作為ECC塊地址(或ECC塊地址號(hào))。以擺動(dòng)調(diào)制預(yù)先記錄的數(shù)據(jù)段地址725(或物理段塊號(hào)信息)與上述ECC塊地址相一致。因此，當(dāng)經(jīng)過擺動(dòng)調(diào)制的物理段塊的位置信息由數(shù)據(jù)段地址顯示時(shí)，與物理扇區(qū)號(hào)所顯示的數(shù)據(jù)流相比，每五位數(shù)據(jù)量會(huì)下降，并且在訪問時(shí)的當(dāng)前位置檢測(cè)變得簡單。
圖21的(b)和(c)中的CRC碼726是關(guān)于從類型標(biāo)識(shí)信息721到物理段的數(shù)據(jù)段地址725的24個(gè)地址位的CRC碼(校錯(cuò)碼)、或者是關(guān)于從段信息727到物理段次序信息724的24個(gè)地址位的CRC碼。即使擺動(dòng)調(diào)制信號(hào)被部分誤讀，它們也可由CRC碼726部分校正。
在可記錄信息記錄介質(zhì)中，與剩余的15個(gè)地址位相等的區(qū)被分配給統(tǒng)一區(qū)609，并且從第12到第16五個(gè)擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元的內(nèi)容全部是NPW(即，不存在調(diào)制區(qū)598)。
圖21的(c)中的物理段塊地址728是對(duì)由七個(gè)物理段構(gòu)成一個(gè)單元的每一物理段塊設(shè)置的地址，并且把關(guān)于數(shù)據(jù)導(dǎo)入DTRDI中的第一物理段塊的物理段塊地址設(shè)置為“1358h”。從數(shù)據(jù)導(dǎo)入DTLDI中的第一物理段塊到數(shù)據(jù)導(dǎo)出DTLDO中的最后物理段塊，包括數(shù)據(jù)區(qū)DTA，物理段塊地址的值按順序增加1。
物理段次序信息724示出了一個(gè)物理段塊中的各個(gè)物理段的次序，并且“0”被設(shè)置給第一物理段，并且“6”被設(shè)置給最后的物理段。
圖21的(c)所示的實(shí)施例的特征在于，在物理段次序信息724之前的位置布置物理段塊地址728。例如，如同表18中所示的RMD字段1，地址信息通常由物理段塊地址來管理。在根據(jù)管理信息訪問預(yù)定物理段塊地址的情況下，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元首先檢測(cè)圖21的(c)所示的擺動(dòng)下沉區(qū)580的位置，之后，從正好在擺動(dòng)下沉區(qū)580之后記錄的信息開始順序地解釋信息。當(dāng)在物理段次序信息724之前的位置存在物理段塊地址時(shí)，首先解釋物理段塊地址，從而可在不解釋物理段次序信息724的情況下確定是否存在預(yù)定的物理段塊地址。因此，改善了通過使用擺動(dòng)地址的可訪問性。
由類型標(biāo)識(shí)信息721和保留區(qū)723來構(gòu)成段信息727的內(nèi)容。
還是在圖21的(c)中，本實(shí)施例的特征在于，正好在擺動(dòng)下沉區(qū)580之后布置類型標(biāo)識(shí)信息721。如上所述，在擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元(未示出)中，首先檢測(cè)圖21的(c)所示的擺動(dòng)下沉區(qū)580的位置，其后，從正好記錄在擺動(dòng)下沉區(qū)580之后的信息開始順序地解釋信息。因此，通過正好在擺動(dòng)下沉區(qū)580之后布置類型標(biāo)識(shí)信息721，可即時(shí)確定物理段中的調(diào)制區(qū)的布置位置，因此，可實(shí)現(xiàn)通過使用擺動(dòng)地址的高速訪問處理。
測(cè)量擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的方法為了調(diào)整再現(xiàn)信號(hào)質(zhì)量從而把擺動(dòng)信號(hào)的串?dāng)_量控制在特定水平或更低，以下將參照?qǐng)D23的流程圖來描述測(cè)量擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的最大幅度(Wppmax)和最小幅度(Wppmin)的方法。由于以下流程圖可被作成電路塊，所以流程圖的每一步驟均可被定義為塊。如步驟ST01所示，擺動(dòng)信號(hào)被輸入到頻譜分析儀。在此，頻譜分析儀的參數(shù)被設(shè)置為如下所示。
中心頻率697kHz頻率間隔0Hz分辨率帶窗口10kHz視頻帶窗口 30Hz接下來，在步驟ST02，改變盤的旋轉(zhuǎn)速度，從而擺動(dòng)信號(hào)頻率變?yōu)轭A(yù)定值，并且調(diào)整線速度。
由于在本實(shí)施例中使用H格式，所以擺動(dòng)信號(hào)頻率的預(yù)定值被設(shè)置為697kHz。
接下來，將描述對(duì)擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波水平的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)進(jìn)行測(cè)量的示例。
由于恒定的線速度(CLV)記錄方法被用在本實(shí)施例的可記錄存儲(chǔ)器中，所以，相鄰軌道之間的擺動(dòng)相位隨軌道位置而改變。如果相鄰軌道之間的擺動(dòng)相位相同，則擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波水平變?yōu)樽罡?，并且其變?yōu)樽畲笾?Cwmax)。當(dāng)相鄰軌道之間的擺動(dòng)相位變得彼此相反，則在相鄰軌道間的串?dāng)_的影響下，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)變?yōu)樽钚?，并且其可變?yōu)樽钚≈?Cwmin)。因此，在沿著從內(nèi)圓周到外圓周方向?qū)ぼ壍那闆r下，檢測(cè)到的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波的大小以4軌道的周期波動(dòng)。
在本實(shí)施例中，每4個(gè)軌道就檢測(cè)一次擺動(dòng)信號(hào)，并且測(cè)量每4個(gè)軌道的最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)。在步驟ST03，該對(duì)最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)被累積為30對(duì)的數(shù)據(jù)或更多。
接下來，通過使用以下計(jì)算等式，在步驟ST04中，從最大值(Cwmax)和最小值(Cwmin)的平均值計(jì)算最大幅度(Wppmax)和最小幅度(Wppmin)。
在以下等式中，R表示頻譜分析儀的終結(jié)電阻值(terminatedresistance value)。接下來，將說明從Cwmax和Cwmin的值轉(zhuǎn)換Wppmax和Wppmin的等式。
在dBm單位體系中，標(biāo)準(zhǔn)是0dBm＝1mW。因此，如下計(jì)算電功率Wa變?yōu)?mW的電壓幅度Vo。
Wao＝IVo＝Vo×Vo/R＝1/1000W因此，得Vo＝(R/1000)1/2接下來，由頻譜分析儀觀察到的擺動(dòng)幅度Wpp[V]和載波電平Cw[dBm]之間的關(guān)系變?yōu)槿缦滤尽Ｔ诖?，由于Wpp是正弦波，所以該幅度被校正為如下所示的有效值。
Wpp-rms＝Wpp/(2×21/2)Cw＝20×log(Wpp-rms/Vo)[dBm]因此，得Cw＝10×log(Wpp-rms/Vo)2當(dāng)對(duì)上述對(duì)數(shù)進(jìn)行變換時(shí)，建立以下公式。
(Wpp-rms/Vo)2
＝10(Cw/10)＝{[Wpp/(2×21/2)]/Vo}2＝{[Wpp/(2×22)]/(R/1000)1/2}2＝(Wpp2/8)/(R/1000)WPP22＝(8×R)/(1000×10(Cw/10))＝8×R×10-3×10(Cw/10)＝8×R×10(Cw/10)(-3)Wpp＝{8×R×10(Cw/10)(-3)}1/2(61)現(xiàn)在，圖24中示出了擺動(dòng)信號(hào)和軌道位移檢測(cè)信號(hào)的特性。
作為圖24的(a)示出的光頭所檢測(cè)到的軌道位移檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)(I1-I2)被輸入到擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元(未示出)。
以下將描述在信息記錄和再現(xiàn)單元中存在的光頭的結(jié)構(gòu)。如圖24的(a)所示，從半導(dǎo)體激光器1021發(fā)射的激光束通過準(zhǔn)直透鏡1022形成平行光，并且該平行光通過分束器1023由物鏡1028聚焦，并且照射到信息記錄介質(zhì)1001的預(yù)制溝槽區(qū)1011。預(yù)制溝槽區(qū)1011輕微擺動(dòng)。從預(yù)制溝槽區(qū)1011反射的光再次穿過物鏡1028，并且由分束器1023反射并通過聚光透鏡1024照射到光檢測(cè)器1025。
光檢測(cè)器1025由光檢測(cè)單元1025-1和光檢測(cè)單元1025-2構(gòu)成。獲得從光檢測(cè)單元1025-1和1025-2分別檢測(cè)到的信號(hào)I1和I2之間的差，并且該信號(hào)被輸入到擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元(未示出)。圖24所示的光頭可檢測(cè)推挽類型的擺動(dòng)信號(hào)和軌道位移檢測(cè)信號(hào)二者。
由于在軌道環(huán)路為ON時(shí)擺動(dòng)頻率的頻帶比尋軌頻帶高，所以從光頭檢測(cè)到擺動(dòng)信號(hào)。在此，當(dāng)相鄰軌道之間的預(yù)制溝槽的擺動(dòng)相位相等時(shí)，獲得最大幅度Wppmax，并且在反轉(zhuǎn)相位的情況下，在相鄰軌道串?dāng)_的影響下擺動(dòng)信號(hào)幅度下降，并且獲得最小幅度Wppmin。
在本實(shí)施例中，進(jìn)行這樣的設(shè)計(jì)，使得在最大幅度(Wppmax)和最小幅度(Wppmin)之間的條件被規(guī)定以獲得更加穩(wěn)定的擺動(dòng)檢測(cè)。即，設(shè)計(jì)擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元使得即使在擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的幅度值改變3次時(shí)，也可穩(wěn)定地檢測(cè)信號(hào)。而且，期望的是，在串?dāng)_的影響下，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的幅度的變化比率不大于1/2。
因此，在本實(shí)施例中，取其中間值，并且通過用擺動(dòng)信號(hào)的最小值除可允許的擺動(dòng)信號(hào)的最大值(Wppmax÷Wppmin)所獲得的值被設(shè)置為不大于2.3。
在本實(shí)施例中，(Wppmax÷Wppmin)的值被設(shè)置為不大于2.3。然而，從擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元性能的觀點(diǎn)看，即使(Wppmax÷Wppmin)的值被設(shè)置為不大于3，也可穩(wěn)定地檢測(cè)信號(hào)。而且，在執(zhí)行更精確地?cái)[動(dòng)檢測(cè)的情況下，(Wppmax÷Wppmin)的值可被設(shè)置為不大于2.0。設(shè)置預(yù)制溝槽區(qū)1011的擺動(dòng)幅度以滿足上述條件。
當(dāng)軌道環(huán)路如圖24(b)所示為OFF時(shí)，從光頭出現(xiàn)軌道位移檢測(cè)信號(hào)。此時(shí)的軌道位移檢測(cè)信號(hào)的最大幅度被指示為(I1-I2)pp。通過確定從光檢測(cè)單元1025-1檢測(cè)到的信號(hào)I1和從光檢測(cè)單元1025-2檢測(cè)到的信號(hào)I2之間的差獲得(I1-I2)pp的值。所獲得的信號(hào)通過關(guān)閉頻率(截止頻率)為30kHz的低通濾波器，其后被處理。低通濾波器由初級(jí)濾波器構(gòu)成。而且，在未記錄的數(shù)據(jù)區(qū)(DTA)和未記錄區(qū)的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)(DTLDI)或數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)(DTLDO)中測(cè)量(I1-I2)pp的值。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D25來描述測(cè)量軌道位移檢測(cè)信號(hào)的幅度值(I1-I2)pp的方法。
由于以下流程圖可被做成電路塊，所以流程圖的每一步驟均可被定義為一塊。在步驟ST11中，從圖24的(a)示出的光頭獲得的信號(hào)(I1-I2)被輸入到關(guān)閉頻率(截止頻率)fc為30kHz的低通濾波器。
在步驟ST12，針對(duì)低通濾波器的輸出測(cè)量每一軌道的幅度值，并且累積不少于30個(gè)采樣。
通過獲得在步驟ST12所獲得的采樣的平均值，在步驟ST13獲得(I1-I2)pp。
擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元(未示出)檢測(cè)擺動(dòng)信號(hào)，并且還通過使用相同的檢測(cè)電路檢測(cè)軌道位移檢測(cè)信號(hào)。通過由擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元(未示出)來檢測(cè)擺動(dòng)信號(hào)和軌道位移檢測(cè)信號(hào)二者，可由一個(gè)檢測(cè)電路處理(一起使用)兩個(gè)任務(wù)，因此，可簡化該電路。
NBSNR測(cè)量方法現(xiàn)在，將參照流程圖27描述測(cè)量NBSNR的特定方法。由于以下流程圖可被做成電路塊，所以流程圖的每一步驟均可被定義為一塊。首先，連續(xù)的400個(gè)或更多軌道的隨機(jī)數(shù)據(jù)被記錄到信息記錄介質(zhì)(步驟ST21)。接下來，當(dāng)在不跳軌的情況下對(duì)在步驟ST21記錄的軌道執(zhí)行尋軌時(shí)，測(cè)量載波電平和噪音電平(步驟ST22)。根據(jù)在步驟ST22中測(cè)得的載波電平和噪音電平之差來獲得NBSNR(步驟ST23)。
接下來將說明把平方電路(圖26中的1033)用于測(cè)量擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的C/N比的原因。如圖28所示，在使用H格式的實(shí)施例中，通過相位調(diào)制給出擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)。在相位調(diào)制的情況下，存在圖28的(a)中所示的相位改變部分(NPW和IPW之間)的切換部分α處的很多頻率分量。因此，當(dāng)圖28的(a)中的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的波形由頻譜分析儀1034分析時(shí)，在圖29所示的載波周圍出現(xiàn)大的峰值。這使得難以調(diào)整噪音電平。
與此相比，當(dāng)如圖28的(b)所示取由相位調(diào)制所調(diào)制的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的平方時(shí)，在IPW區(qū)和在NPW區(qū)中的平方波形變得相同。因此，不存在類似于相位的切換部分的部分，可獲得非常穩(wěn)定的信號(hào)，并且在圖29中的載波信號(hào)周圍不會(huì)出現(xiàn)上升的部分。因此，可獲得單峰的載波電平值。
根據(jù)如上所述的各個(gè)實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很好地理解可對(duì)這些實(shí)施例做各種調(diào)整，并且在不作創(chuàng)新的條件下應(yīng)用于各個(gè)實(shí)施例。因此，本發(fā)明的范圍不與在此描述的原理和新特性相矛盾，并且不限于上述實(shí)施例。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅僅是以示例的方式示出，并且并不意味著限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，在此描述的新方法和系統(tǒng)可以以其它形式實(shí)施；而且，可在不脫離本發(fā)明的精神的情況下對(duì)在此描述的方法和系統(tǒng)的形式進(jìn)行各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求及其等同物意在覆蓋將落在本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這些形式或變化。
權(quán)利要求
1.一種光盤，其特征在于包括設(shè)置在光入射面的透明基片層(11)；第一溝槽，其深度為第一深度(H1)；第一信息層(12)，所述第一信息層中記錄有信息；粘合層(13)；第二溝槽，其深度為第二深度(H2)，所述第二深度比所述第一深度更深；以及第二信息層(14)，所述第二信息層中記錄有信息，其中通過使用波長λ，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度不大于0.3μm；所述第一溝槽和所述第二溝槽的軌道間距不大于0.45μm；所述第一信息層和所述第二信息層包括在從390nm到420nm的用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長λ的范圍內(nèi)具有光吸收性的有機(jī)染料材料。
2.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述第一溝槽形成在所述第一信息層中，并且所述第二溝槽形成在所述第二信息層中。
3.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述透明基片層的厚度不小于580μm且不大于600μm。
4.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述粘合層的厚度不小于20μm且不大于35μm。
5.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述透明基片層、所述第一信息層、所述第二信息層、和所述粘合層對(duì)所述波長的激光束的反射系數(shù)不小于3％且不大于10％。
6.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，來自所述第二信息層的反射系數(shù)不小于來自所述第一信息層的反射系數(shù)的0.8倍且不大于來自所述第一信息層的反射系數(shù)的1.2倍。
7.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，在所述第一信息層和所述第二信息層中，已經(jīng)記錄了信息的已記錄區(qū)的反射系數(shù)高于未記錄信息的未記錄區(qū)的反射系數(shù)。
8.如權(quán)利要求2所述的光盤，其特征在于，在所述第一信息層和所述第二信息層中所形成的溝槽中，僅對(duì)靠近激光束入射面的溝槽進(jìn)行記錄。
9.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述第一溝槽形成在所述透明基片層中，并且所述第二溝槽形成在一基片層中，所述基片層形成于所述第二信息層上。
10.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述第一溝槽形成在所述透明基片層中，并且所述第二信息層中的所述第二溝槽形成在所述粘合層中。
11.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述第一溝槽形成在所述粘合層中，并且所述第二信息層中的所述第二溝槽形成在一基片層中，所述基片層形成于所述第二信息層上。
12.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽二者都形成在所述粘合層中。
13.一種光盤設(shè)備，其特征在于包括處理器電路，用于與至少一個(gè)光盤通信，所述光盤包括設(shè)置在光入射面的透明基片層(11)；第一溝槽，其深度為第一深度(H1)；第一信息層(12)，所述第一信息層中記錄有信息；粘合層(13)；第二溝槽，其深度為第二深度(H2)，所述第二深度比所述第一深度更深；以及第二信息層(14)，所述第二信息層中記錄有信息，其中通過使用波長λ，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度不大于0.3μm；所述第一溝槽和所述第二溝槽的軌道間距不大于0.45μm；所述第一信息層和所述第二信息層包括在從390nm到420nm的用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長λ的范圍內(nèi)具有光吸收性的有機(jī)染料材料。
14.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，所述處理器電路被配置來在所述光盤上記錄信息。
15.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，所述處理器電路被進(jìn)一步配置來再現(xiàn)存儲(chǔ)在所述光盤上的信息。
16.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，還包括在所述透明基片層中形成所述第一溝槽，并且在一基片層中形成所述第二溝槽，所述基片層形成于所述第二信息層上。
17.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，還包括在所述透明基片層中形成所述第一溝槽，并且在所述粘合層中形成所述第二溝槽。
18.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，還包括在所述粘合層中形成所述第一溝槽，并且在一基片層中形成所述第二溝槽，所述基片層形成于所述第二信息層上。
19.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，還包括在所述粘合層中形成所述第一溝槽和所述第二溝槽。
20.如權(quán)利要求13所述的光盤設(shè)備，其特征在于，所述透明基片層的厚度不小于580μm且不大于600μm。
全文摘要
一種光盤具有設(shè)置在光入射面的透明基片層(11)；具有深度為第一深度(H1)的第一溝槽的第一信息層(12)；設(shè)置在所述第一信息層上的粘合層(13)；以及具有深度為第二深度(H2)的第二溝槽并且不可逆地在其中記錄信息的第二信息層(14)，所述第二深度比所述第一深度更深；其中，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一溝槽和所述第二溝槽的寬度不大于0.3μm；所述第一溝槽和所述第二溝槽的軌道間距不大于0.45μm；所述第一信息層和所述第二信息層包括在從390nm到420nm的用于記錄和再現(xiàn)信息的激光束波長λ的范圍內(nèi)具有光吸收性的有機(jī)染料材料。
文檔編號(hào)G11B7/26GK101038763SQ200710079220
公開日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2007年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者大間知范威, 松丸祐晃, 山本亮介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝