專利名稱：記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對信號進(jìn)行記錄的記錄介質(zhì)等，更具體來說，涉及記錄介質(zhì)和記錄介質(zhì)制造方法，利用方法可以對在實(shí)際使用時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
背景技術(shù)：
作為緊湊的數(shù)據(jù)記錄和播放介質(zhì)，諸如CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW或DVD-RAM的可記錄光盤介質(zhì)已變得普遍。有時(shí)使用同一裝置來記錄和播放數(shù)據(jù)。有時(shí)使用不同的裝置來記錄數(shù)據(jù)和播放數(shù)據(jù)。重要的要求在于可以在沒有錯(cuò)誤的情況下讀取數(shù)據(jù)。
然而，記錄條件(其為在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)時(shí)的條件)會(huì)變化。記錄條件隨各種再現(xiàn)裝置或者隨各種記錄介質(zhì)、再現(xiàn)裝置內(nèi)部的溫度波動(dòng)或濕度波動(dòng)而變化。記錄條件的這種變化會(huì)導(dǎo)致缺陷(以下稱為“缺陷”)。如再現(xiàn)波形的失真或抖動(dòng)的增強(qiáng)。在最差的情況下，出現(xiàn)的錯(cuò)誤會(huì)使得不可能再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
常常使用測試盤來檢查在記錄介質(zhì)中是否存在由于記錄條件的變化而產(chǎn)生的任何服務(wù)器錯(cuò)誤。使用在最佳條件下記錄數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)或由于某種原因而存在再現(xiàn)錯(cuò)誤的記錄介質(zhì)作為這種測試盤。
日本專利3674545號、日本專利申請?zhí)亻_平10-233040號、特開平10-83506號、特開2000-322782號、特開2002-334481號以及特開平9-274741號公報(bào)公開了制造測試盤的方法。
在常規(guī)再現(xiàn)檢驗(yàn)中，使用在最佳條件下記錄數(shù)據(jù)、不受與記錄過程有關(guān)的各種波動(dòng)因素的影響的記錄介質(zhì)作為再現(xiàn)裝置的測試盤。作為另一種選擇，通過由于與在市場上進(jìn)行記錄有關(guān)的原因而存在缺陷的實(shí)際記錄介質(zhì)來執(zhí)行檢驗(yàn)并開發(fā)了改進(jìn)方法。
在實(shí)際市場上，記錄介質(zhì)中的記錄條件會(huì)由于各種原因而發(fā)生變化。必須在沒有錯(cuò)誤的情況下播放即使在各種條件下記錄數(shù)據(jù)的所有記錄介質(zhì)。然而，如果使用如上所述的數(shù)據(jù)是在進(jìn)行記錄時(shí)沒有各種波動(dòng)的幾乎理想的條件下進(jìn)行記錄的記錄介質(zhì)來執(zhí)行對再現(xiàn)裝置的檢驗(yàn)，則不可能預(yù)測與對數(shù)據(jù)是在市場上的各種記錄條件下記錄的記錄介質(zhì)進(jìn)行播放有關(guān)的缺陷。
在該方法中，為了進(jìn)行檢驗(yàn)或評估，因?yàn)槭袌錾系挠涗浗橘|(zhì)由于記錄條件的波動(dòng)是未知的原因而存在未知缺陷，因此該檢驗(yàn)很可能是不充分的。還存在未獲得用于改進(jìn)可播放性的方法的問題。
在日本專利3674545號、日本專利申請?zhí)亻_平10-233040號、特開平10-83506號、特開2000-322782號以及特開2002-334481號公報(bào)中公開了制造測試盤的方法。該方法利用類似記錄介質(zhì)的垂直偏差的變形基板形狀。因此，不可能對由于在諸如CD-R、CD-RW、DVD-R以及DVD-RW的記錄介質(zhì)中進(jìn)行記錄時(shí)的條件的波動(dòng)而導(dǎo)致的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。與日本專利申請?zhí)亻_平9-274741號中公開的測試盤制造方法一樣，不可能對由于上述記錄條件的波動(dòng)而導(dǎo)致的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
實(shí)際發(fā)運(yùn)到市場的盤的變化因素不僅有基板形狀的變形(如記錄介質(zhì)的垂直偏差)而且有包括記錄條件的變化在內(nèi)的總體變化。由此，會(huì)出現(xiàn)與質(zhì)量有關(guān)的嚴(yán)重問題，如再現(xiàn)錯(cuò)誤。
由此，需要一種用于對在市場上(即，在實(shí)際使用中)可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行定量且穩(wěn)定地模擬的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是至少部分地解決常規(guī)技術(shù)中的問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在記錄有信號的記錄介質(zhì)中，根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因的量值的指標(biāo)的設(shè)定值，在壓模(stamper)上形成標(biāo)記，并使用其上形成有所述標(biāo)記的所述壓模來記錄信號。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造其中記錄有信號的記錄介質(zhì)的方法，該方法包括以下步驟根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因的量值的指標(biāo)設(shè)定值，在壓模上形成標(biāo)記；和使用所述壓模來制造其中記錄有信號的記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的還一方面，在記錄介質(zhì)中，在預(yù)定標(biāo)記中相坑(phasepit)的深度不是均勻的，即，在該標(biāo)記的前沿與后沿之間形成有比該前沿的最大深度和該后沿的最大深度更淺的部分。
結(jié)合附圖，通過閱讀對本發(fā)明的本文的多個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的以下詳細(xì)說明，將更好地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)和工業(yè)意義。


圖1是用于對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造記錄介質(zhì)的方法的概念進(jìn)行說明的示意圖；圖2是形成在光刻膠盤上的相坑的示例的平面圖；圖3是曝光波形的示例；圖4是理想波形的示例；圖5是受熱蓄積影響的再現(xiàn)波形的示例；圖6是由于熱蓄積而導(dǎo)致的曝光波形的h1/h2與波形不規(guī)則度的量d/b之間的關(guān)系的曲線圖；圖7是制造ROM介質(zhì)的在進(jìn)行模制之后的工藝的流程圖；圖8A是當(dāng)對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)形成在光刻膠基板上的相坑的示例的平面圖；圖8B是當(dāng)對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)形成在光刻膠基板上的相坑的剖視圖；圖9是曝光波形與再現(xiàn)波形之間的關(guān)系的曲線圖；圖10是曝光功率與對稱度之間的關(guān)系的曲線圖；圖11是最短標(biāo)記的脈沖寬度與對稱度之間的關(guān)系的曲線圖；圖12是施加的噪聲的電平與抖動(dòng)之間的關(guān)系的曲線圖；圖13是Al層厚度與反射率之間的關(guān)系的曲線圖；
圖14是模具溫度與調(diào)制度之間的關(guān)系的曲線圖；圖15是樹脂量與板厚度之間的關(guān)系的曲線圖；以及圖16是根據(jù)本實(shí)施例的正交陣列的示例的表。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
這些實(shí)施例涉及首先生產(chǎn)壓模然后利用該壓模來制造記錄介質(zhì)。當(dāng)生產(chǎn)壓模時(shí)，根據(jù)表示在信號再現(xiàn)時(shí)對再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的多個(gè)原因(熱蓄積、對稱度、噪聲、反射率、調(diào)制度(a degree of modulation)、板厚度等)的量值的多個(gè)指標(biāo)的設(shè)定值來在壓模上形成一個(gè)或多個(gè)標(biāo)記(由于設(shè)定值偏離最佳值而會(huì)使再現(xiàn)信號的質(zhì)量劣化)。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)可以對在市場上(即，在用戶端)可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬，從而通過使用該記錄介質(zhì)對再現(xiàn)裝置進(jìn)行精確的檢驗(yàn)。
圖1是用于對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造記錄介質(zhì)的方法的概念進(jìn)行說明的示意圖。通過圖1所示的曝光裝置10來形成諸如CD-ROM或DVD-ROM的ROM光盤的相坑。通過將激光束照射在光刻膠盤20上(將從激光束源30經(jīng)由棱鏡40和透鏡50照射的激光束照射在光刻膠盤20上)來在該光刻膠盤20上完成其上形成有相坑的壓模。
圖2是形成在光刻膠盤20上的相坑的示例的圖。通過對來自激光束源30的激光束的脈沖寬度進(jìn)行調(diào)節(jié)來在光刻膠盤20上形成具有各種長度的相坑。為了形成長相坑，只要將曝光波形的脈沖寬度設(shè)置得長。通常，在CD的情況下相坑的長度在3T到11T的范圍內(nèi)。隨著附加在T之前的數(shù)字變大，相坑變得更長(最短的相坑是3T，最長的相坑是11T)。
將通過上述曝光工藝和電鍍工藝(未示出)形成的壓模安裝到成型機(jī)(未示出)的模具(未示出)上，以模制出聚碳酸酯等的樹脂基板。這使得可以穩(wěn)定地制造出具有與壓模的坑形狀相同的坑形狀的大量記錄介質(zhì)。
如果通過對在曝光工藝中的相坑的形狀進(jìn)行調(diào)節(jié)可以對由于諸如CD-R或DVD-R的記錄介質(zhì)的記錄條件的各種波動(dòng)而產(chǎn)生的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬，那么可以使用ROM介質(zhì)作為針對該記錄介質(zhì)的測試盤。換句話說，如果通過對ROM介質(zhì)的相坑進(jìn)行調(diào)節(jié)可以對由于由記錄條件的各種波動(dòng)導(dǎo)致的記錄介質(zhì)的標(biāo)記形狀的變化而引起的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬，那么可以使再現(xiàn)波形的不規(guī)則度程度固定。這使得可以在具有高模擬能力的情況下執(zhí)行穩(wěn)定的檢驗(yàn)。
在本發(fā)明中，為了使用ROM介質(zhì)對記錄介質(zhì)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬，改變曝光波形(用于在壓模上形成標(biāo)記的激光束的波形)的時(shí)間和剖面的功率(power)值。圖3是曝光波形的示例的圖。可以通過改變曝光條件(例如，改變圖3所示的h1/h2)來對由于記錄介質(zhì)的記錄條件的波動(dòng)而導(dǎo)致的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
下面對ROM介質(zhì)的再現(xiàn)波形的示例進(jìn)行描述。圖4是沒有不規(guī)則度并接近于理想的再現(xiàn)波形的示例的圖。圖5是受到熱蓄積影響的再現(xiàn)波形的示例的圖。可以看到，與圖4中的理想再現(xiàn)波形相比，將在圖5中的再現(xiàn)波形中出現(xiàn)的波形的非對稱不規(guī)則度d/b(見圖5)定義為由于熱蓄積而產(chǎn)生的波形不規(guī)則度的量。
在d/b中，b是從再現(xiàn)波形的最大值到最小值的距離，d是從再現(xiàn)波形的最小值到(由于熱蓄積的影響而導(dǎo)致的)與原始再現(xiàn)波形不同的波形的平坦部分(或波形的最大值等)的距離。
可以通過對圖3所示的曝光波形進(jìn)行調(diào)節(jié)來改變由于熱蓄積而導(dǎo)致的波形不規(guī)則度的量d/b的水平。圖6是曝光波形的h1/h2與波形不規(guī)則度的量d/b之間的關(guān)系的曲線圖。如該圖所示，可以看到，通過對曝光波形的h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)，可以對由于諸如CD-R、CD-RW、DVD-R以及DVD-RW的記錄介質(zhì)中的熱蓄積而導(dǎo)致的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
圖7是用于對ROM介質(zhì)的模制之后的制造工藝進(jìn)行說明的圖。通過對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)以將由于熱蓄積而導(dǎo)致的波形不規(guī)則度的量d/b設(shè)定為0到0.3并通過根據(jù)圖7所示的制造工藝來制造ROM介質(zhì)，可以利用ROM介質(zhì)對在市場上在CD-R和CD-RW介質(zhì)中進(jìn)行記錄時(shí)由于熱蓄積而導(dǎo)致的波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。在實(shí)際市場上的CD-R和CD-RW的d/b的變化在0到0.3的范圍內(nèi)。在將d/b設(shè)定在該范圍內(nèi)的情況下，通過制造ROM介質(zhì)可以制造出具有相同條件的高模擬能力的測試盤。
圖8A是當(dāng)對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)形成在光刻膠基板上的相坑的示例的圖。如該圖所示，通過對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)，具體來說，通過對h1和h2的曝光輸出(功率)和h1和h2的曝光部分的寬度(曝光時(shí)間)進(jìn)行調(diào)節(jié)，在壓模上形成了特殊的相坑，該相坑的深度在預(yù)定標(biāo)記長度上從其前沿到后沿是不均勻的。當(dāng)使用再現(xiàn)裝置來播放通過使用這種壓模制造出的ROM介質(zhì)時(shí)，在再現(xiàn)波形中產(chǎn)生了預(yù)定的不規(guī)則度，換句話說，該再現(xiàn)波形變形成特殊的形狀。
在圖3中的曝光波形中，如果h1/h2＝1，則可以在壓模上形成令人滿意的相坑，該相坑的深度在預(yù)定標(biāo)記長度上從其前沿到后沿是大致均勻的。當(dāng)使用再現(xiàn)裝置來播放通過具有這種理想的相坑的壓模制造出的ROM介質(zhì)時(shí)，可以獲得理想的再現(xiàn)波形。
圖8B是當(dāng)對h1/h2進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)形成在光刻膠基板上的相坑的剖視圖。在圖8B中，作為示例，示出了圖8A中的多個(gè)相坑之中的圓形相坑的剖視圖。如該圖所示，該相坑的深度從其前沿到后沿是不是大體均勻的，并且在中間變化。具體來說，在前沿與后沿之間形成有比前沿的最大深度和后沿的最大深度更淺的部分?？梢酝ㄟ^在預(yù)定曝光時(shí)間上將曝光的輸出從最高水平減小預(yù)定量，來在光刻膠基板上形成該淺部?？梢酝ㄟ^改變該預(yù)定曝光時(shí)間和預(yù)定功率量，來形成具有各種形狀的多種類型的特殊相坑圖案。
根據(jù)形成在光刻膠基板上的標(biāo)記的長度來改變該淺部的長度，以使得可以對由于取決于標(biāo)記長度的熱蓄積而對再現(xiàn)波形的影響進(jìn)行模擬。具體來說，隨著形成在光刻膠基板上的標(biāo)記的長度增大，將淺部的長度設(shè)置得更長。因此，在該壓模和通過該壓模制造出的ROM介質(zhì)中，例如，不將圖8B所示的淺部形成在最短的標(biāo)記(3T)中，并且將11T的最長標(biāo)記的淺部的長度形成為比7T的較短標(biāo)記的長度更大。
圖9是曝光波形與再現(xiàn)波形之間的關(guān)系的曲線圖。如由該曝光波形表示的，使用高電平(功率-200)和比該高電平減小50％的低電平(功率-100)。例如，當(dāng)標(biāo)記長度是7T時(shí)，將第一1T部分(前沿)設(shè)定為高電平，將2T部分(中部)設(shè)定為低電平，并將3T到7T部分(后沿)設(shè)定為高電平。每當(dāng)標(biāo)記長度增大1T，低電平的長度就增大1T。當(dāng)標(biāo)記長度是11T時(shí)，將第一1T部分(前沿)設(shè)定為高電平，將2T到6T部分(中部)設(shè)定為低電平，并將7T到11T部分(后沿)設(shè)定為高電平。這樣，通過根據(jù)標(biāo)記長度對曝光波形的h1/h2的電平和寬度(照射時(shí)間)進(jìn)行控制來在光刻膠基板上形成相坑，形成了壓模，并基于該壓模制造了用于進(jìn)行檢驗(yàn)的ROM介質(zhì)，以使得可以使用該相坑ROM來對由于取決于標(biāo)記長度的熱蓄積現(xiàn)象而對再現(xiàn)波形的影響進(jìn)行精確的模擬。
圖9示出了基于在其上根據(jù)上述曝光波形形成有相坑的壓模而制造的ROM介質(zhì)的具有7T或11T的標(biāo)記長度情況下的再現(xiàn)波形。在7T的情況下，在再現(xiàn)波形中出現(xiàn)了輕微的失真。然而，在11T的情況下，可以使得在再現(xiàn)波形中失真如同凸塊一樣。
因此，可以形成對市場上的記錄條件的波動(dòng)進(jìn)行了精確的模擬的相坑ROM，并制造出對由于熱蓄積而導(dǎo)致的波形不規(guī)則度的量d/b進(jìn)行了更精確的模擬的測試盤。
下面解釋對稱度?？梢酝ㄟ^對圖3所示的整個(gè)曝光波形的功率(h2)進(jìn)行調(diào)節(jié)來模擬對稱度?？梢愿鶕?jù)公式“對稱度＝(1/2-ID/I11)×100(％)”(見圖4)來定義對稱度。ID表示最長標(biāo)記(11T)的最大值與最小標(biāo)記(3T)的中心值之間的距離。I3表示從最短標(biāo)記(3T)的最小值到其最大值的距離。圖10是曝光功率與對稱度之間的關(guān)系的圖。
通過將對稱度值設(shè)定在0％到-10％的范圍內(nèi)，可以對由于在市場上在CD-R或CD-RW中進(jìn)行記錄時(shí)的功率變化而導(dǎo)致的非對稱度進(jìn)行模擬。由于在實(shí)際市場上記錄介質(zhì)的對稱度的變化是-0.15到-0.05，因此可以通過制造將對稱度設(shè)定在該范圍內(nèi)的ROM介質(zhì)，來制造出在固定條件下具有高模擬能力的測試盤。
還可以通過對形成最短標(biāo)記(3T)的曝光波形的脈沖寬度進(jìn)行調(diào)節(jié)來改變對稱度。圖11是最短標(biāo)記的脈沖寬度(3T坑長度)與對稱度之間的關(guān)系的曲線圖?，F(xiàn)在將由曝光波形形成的最短標(biāo)記(3T)的長度定義為l3，并將最長標(biāo)記(11T)的長度定義為l11。如果對最短標(biāo)記的脈沖寬度進(jìn)行控制以使通過將l11除以l3而獲得的值保持在0.25到0.27的范圍內(nèi)，則可以在固定的條件下制造出具有高模擬能力的測試盤。
在諸如CD-R或DVD-R的記錄介質(zhì)中，由于由與在進(jìn)行記錄時(shí)的熱干擾或介質(zhì)表面的坑形狀有關(guān)的各種因素而導(dǎo)致的噪聲的增大，再現(xiàn)波形的SN比降低因而抖動(dòng)增大。換句話說，可以通過對圖1所示的曝光裝置10施加隨機(jī)噪聲來增大抖動(dòng)值。
圖12是施加的噪聲的電平與抖動(dòng)之間的關(guān)系的曲線圖。在用于形成壓模的工藝中，可以通過對切割信號施加由隨機(jī)數(shù)等確定的隨機(jī)噪聲來定量地增大抖動(dòng)值。通過對所施加的噪聲級進(jìn)行調(diào)節(jié)，可以對抖動(dòng)的增大量進(jìn)行調(diào)節(jié)并使用ROM介質(zhì)在固定條件下制造出具有高模擬能力的測試盤。
已經(jīng)對使用ROM介質(zhì)對由于記錄介質(zhì)的記錄條件的波動(dòng)而導(dǎo)致的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬的方法進(jìn)行了描述。然而，在實(shí)際市場上，除了記錄條件的波動(dòng)以外，還會(huì)出現(xiàn)與基板有關(guān)的變形和與記錄層有關(guān)的因素。通過對與基板有關(guān)的變形因素和與盤上的記錄層有關(guān)的因素同時(shí)進(jìn)行模擬，可以提供更精確地反映了記錄介質(zhì)在實(shí)際市場上的狀態(tài)的測試盤。
例如，記錄層的材料和厚度隨著諸如CD-R、CD-RW或DVD-R的記錄介質(zhì)的制造變化而變化。再現(xiàn)時(shí)的反射率由于記錄層的材料和厚度的變化而波動(dòng)?？梢酝ㄟ^對用于形成ROM介質(zhì)的金屬反射層的工藝中的濺射功率或?yàn)R射時(shí)間進(jìn)行調(diào)節(jié)，來改變反射層的厚度。圖13是Al層厚度與反射率之間的關(guān)系的曲線圖。如圖13所示，可以通過改變形成Al(鋁)層時(shí)的輸入功率以改變厚度，來調(diào)節(jié)反射率。
可以通過將反射率設(shè)定為60％到80％來對市場上的記錄介質(zhì)的變化進(jìn)行模擬。該技術(shù)可以根據(jù)使用由于上述曝光工藝而存在再現(xiàn)波形的不規(guī)則度的基板對Al層形成工藝進(jìn)行的調(diào)節(jié)來制作具有所需反射率的有效介質(zhì)。這使得可以提供反映了實(shí)際市場上的變化的具有高模擬能力的測試盤。
調(diào)制度隨著記錄介質(zhì)的跟蹤槽的深度的變化等而變化?？梢酝ㄟ^對模制步驟處(見圖7)的模具溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)來對ROM介質(zhì)上的調(diào)制度進(jìn)行模擬。圖14是模具溫度與調(diào)制度之間的關(guān)系的曲線圖。通過對模具溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，將調(diào)制度設(shè)定為0.6到0.8。該技術(shù)可以制作具有對應(yīng)于對模具溫度的調(diào)節(jié)的必要調(diào)制以及具有上述其它波動(dòng)因素的有效介質(zhì)。這使得可以提供反映了市場上的變化的具有高模擬能力的測試盤。
在ROM介質(zhì)制造工藝的模制步驟處(見圖7)，可以改變諸如聚碳酸酯的樹脂的量以將基板的板厚度設(shè)定為約1.1毫米到1.2毫米。該技術(shù)(其與其它波動(dòng)因素相結(jié)合，將包括記錄層等的記錄介質(zhì)的板厚度控制到1.1毫米到1.2毫米)可以使得可以提供反映了市場上的變化的具有高模擬能力的測試盤。圖15是樹脂量與板厚度之間的關(guān)系的曲線圖。此外，通過進(jìn)一步對基板的垂直偏離和偏心率進(jìn)行調(diào)節(jié)并與其它波動(dòng)因素相結(jié)合，可以提供反映了市場上的變化的具有高模擬能力的測試盤。該測試盤的板厚度只是與用戶記錄介質(zhì)的板厚度大致相同，而并不限于1.1毫米到1.2毫米。
在實(shí)際市場上，上述波動(dòng)因素單獨(dú)地出現(xiàn)是不常見的。通常，這些波動(dòng)因素同時(shí)出現(xiàn)。因此，在對再現(xiàn)裝置的檢驗(yàn)過程中，不可能簡單地通過單獨(dú)地對這些波動(dòng)因素進(jìn)行檢驗(yàn)來實(shí)現(xiàn)實(shí)際市場上的情況并執(zhí)行精確的檢驗(yàn)。
可以使用圖16所示的正交陣列來解決該問題。圖16是根據(jù)本實(shí)施例的正交陣列的示例的表?？梢酝ㄟ^根據(jù)圖16所示的正交陣列的陣列同時(shí)地設(shè)定各種波動(dòng)因素來對市場上的變化進(jìn)行模擬。通過根據(jù)該正交陣列的陣列來設(shè)定各種噪聲因素的水平并對相應(yīng)行中的測試盤的再現(xiàn)波形的抖動(dòng)進(jìn)行測量，使相應(yīng)波動(dòng)因素的貢獻(xiàn)率變得明了。這使得可以獲得用于改進(jìn)再現(xiàn)裝置的可播放性的設(shè)計(jì)方針。
與圖16所示的正交陣列的第1行到第18行相對應(yīng)的設(shè)定值(1)到(3)分別對應(yīng)于該正交陣列中的第一級到第三級。例如，位于第1行與B列相交叉的點(diǎn)處的設(shè)定值(1)是指熱蓄積的第一級。在本說明書中，使用正交陣列L18。然而，也可以使用其它正交陣列L9、L8、L12等。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的多個(gè)原因(熱蓄積、對稱度、噪聲、反射率、調(diào)制度、板厚度等)的量值的多個(gè)指標(biāo)的設(shè)定值(由于設(shè)定值偏離最佳值而會(huì)使再現(xiàn)信號的質(zhì)量劣化)，在光刻膠盤20上形成標(biāo)記。使用其上形成有標(biāo)記的光刻膠盤20來制造ROM介質(zhì)。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。使用該ROM介質(zhì)可以更精確地對再現(xiàn)裝置執(zhí)行檢驗(yàn)。
根據(jù)一個(gè)方面，使用其上形成有標(biāo)記的壓模來記錄信號，該標(biāo)記是根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因的量值的指標(biāo)的設(shè)定值而形成的。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬，并穩(wěn)定地制造出具有與壓模的坑形狀相同的坑形狀的大量記錄介質(zhì)。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是調(diào)制度，將該調(diào)制度設(shè)定為0.6到0.8。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)信號的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是熱蓄積，將由于該熱蓄積而導(dǎo)致的波形的不規(guī)則度的量設(shè)定為0到0.3。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是對稱度，將該對稱度設(shè)定為-0.15到-0.05。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是反射率，將該反射率設(shè)定為60％到80％。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是記錄介質(zhì)的板厚度，將該板厚度設(shè)定為1.1毫米到1.2毫米。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因是隨機(jī)噪聲，將疊加噪聲峰值設(shè)定為0納秒到11納秒。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因包括調(diào)制度、熱蓄積、對稱度、反射率、板厚度以及隨機(jī)噪聲中的至少一個(gè)。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度定量地進(jìn)行模擬。
此外，在預(yù)定標(biāo)記中相坑的深度不是均勻的，因而在該標(biāo)記的前沿與后沿之間形成有比前沿的最大深度和后沿的最大深度更淺的部分。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
此外，與短標(biāo)記相比，在長標(biāo)記中將淺部的長度形成得更長。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
此外，在最短標(biāo)記的情況下不形成淺部。這使得可以對在市場上可能會(huì)出現(xiàn)的再現(xiàn)波形的不規(guī)則度進(jìn)行模擬。
盡管為了進(jìn)行完全且清楚的公開的目的針對具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是所附權(quán)利要求并不由此而受到限制，而應(yīng)被解釋成體現(xiàn)了本領(lǐng)域的技術(shù)人員可能會(huì)想到的恰好落入本文所闡述的基本教示之內(nèi)的所有修改例和另選例結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種記錄信號的記錄介質(zhì)，其中根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因的量值的指標(biāo)的設(shè)定值，在壓模上形成標(biāo)記，并使用其上形成有所述標(biāo)記的所述壓模來記錄信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是調(diào)制度，將該調(diào)制度設(shè)定為0.6到0.8。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是熱蓄積，將由于該熱蓄積而導(dǎo)致的波形的不規(guī)則度的量設(shè)定為0到0.3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是對稱度，將該對稱度設(shè)定為-0.15到-0.05。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是反射率，將該反射率設(shè)定為60％到80％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是所述記錄介質(zhì)的板厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是隨機(jī)噪聲，將疊加噪聲峰值設(shè)定為0納秒到11納秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因包括調(diào)制度、熱蓄積、對稱度、反射率、板厚度以及隨機(jī)噪聲中的至少一個(gè)。
9.一種制造其中記錄有信號的記錄介質(zhì)的方法，該方法包括以下步驟根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的原因的量值的指標(biāo)的設(shè)定值，在壓模上形成標(biāo)記；并且使用所述壓模來制造其中記錄有信號的記錄介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是調(diào)制度，將該調(diào)制度設(shè)定為0.6到0.8。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是熱蓄積，將由于該熱蓄積而導(dǎo)致的波形的不規(guī)則度的量設(shè)定為0到0.3。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是對稱度，將該對稱度設(shè)定為-0.15到-0.05。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是反射率，將該反射率設(shè)定為60％到80％。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是所述記錄介質(zhì)的板厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因是隨機(jī)噪聲，將疊加噪聲峰值設(shè)定為0納秒到11納秒。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中對信號再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的所述原因包括調(diào)制度、熱蓄積、對稱度、反射率、板厚度以及隨機(jī)噪聲中的至少一個(gè)。
17.一種記錄介質(zhì)，其中在預(yù)定標(biāo)記中相坑的深度不是均勻的，在所述標(biāo)記的前沿與后沿之間形成有比該前沿的最大深度和該后沿的最大深度更淺的部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的記錄介質(zhì)，其中與短標(biāo)記相比，在長標(biāo)記中所述淺部的長度更長。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的記錄介質(zhì)，其中在最短標(biāo)記的情況下不形成所述淺部。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種記錄介質(zhì)及其制造方法。根據(jù)表示對在信號再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)信號的質(zhì)量的劣化有影響的多個(gè)原因的量值的多個(gè)指標(biāo)的設(shè)定值，在光刻膠盤上形成標(biāo)記。使用該光刻膠盤來制造ROM介質(zhì)。
文檔編號G11B7/00GK101064143SQ20071007874
公開日2007年10月31日 申請日期2007年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者細(xì)川哲夫, 密谷武史, 田畑文夫, 宮田勝則 申請人:富士通株式會(huì)社, 富士通天株式會(huì)社