專利名稱：數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體及其數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種記錄技術(shù)(recordingtechnology),特別是有關(guān)于一種 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體以及所儲(chǔ)存的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存取方法。
背景技術(shù)：
隨著當(dāng)代電子技術(shù)的快速進(jìn)步，不論是硬件產(chǎn)品或軟件產(chǎn)品都不斷地 推陳出新?，F(xiàn)今的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取裝置可分為磁盤(Magnetk; disk)、光盤 (CompactDisc; CD)與閃存等三大類，其中，磁盤是一種利用磁性媒體 (Magnetic media)記錄數(shù)據(jù)的盤片， 一般可分固定式的硬式磁盤驅(qū)動(dòng)器 (Hard disk; HD)與可移動(dòng)式的軟式磁盤(Floppy disk)兩種;磁性媒體 則是指利用磁化性質(zhì)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的媒體。常見的磁性媒體有磁盤、磁帶等； 磁性媒體是目前計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最常用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的媒體。此外，光盤通常指的是由光學(xué)燒錄的方式儲(chǔ)存數(shù)字訊號(hào)的小型盤片， 其數(shù)據(jù)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)可以分為區(qū)段(session)與軌跡(track)兩層?，F(xiàn)今的光 盤具有容量大、攜帶方便等優(yōu)點(diǎn)。然而，其容量、讀取速度與可再利用性 皆較硬式磁盤驅(qū)動(dòng)器差，因此并無(wú)法取代硬式磁盤驅(qū)動(dòng)器。另一方面， 一般個(gè)人計(jì)算機(jī)使用的軟式磁盤亦具有便于攜帶的優(yōu)點(diǎn)， 然而其容量更小、存取速度更慢，在現(xiàn)今數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)越來(lái)越龐大的趨勢(shì)下， 再加上閃存的普及使用，軟式磁盤將逐漸被淘汰。硬式磁盤具有容量大、速度快等優(yōu)點(diǎn)，為目前計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最主要的 存取設(shè)備。硬式磁盤通常是由許多磁性圓盤組合而成，在圓盤上可利用磁 性原理儲(chǔ)存許多數(shù)據(jù)，每個(gè)磁性圓盤都有上下兩面可儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，每面有許 多同心圓， 一般稱此圓為磁道， 一個(gè)磁道便是一個(gè)圓圈，每個(gè)磁道又可分 為許多扇區(qū)， 一般說(shuō)來(lái)，扇區(qū)是讀取數(shù)據(jù)的最小單位。磁柱、磁頭與扇區(qū)(Cylinder Head Sector; CHS)是構(gòu)成磁盤的三種單位，磁柱是一個(gè)圓柱 體的單位，其由許多不同磁盤上同一個(gè)磁道所組成；磁頭則是指磁盤驅(qū)動(dòng) 器的磁面?zhèn)€數(shù)；扇區(qū)則是不分硬軟盤而共有的單位，其為磁盤中檔案存取 的最小單位； 一個(gè)扇區(qū)的大小為512 bytes (0.5 KB)。因此，上述磁盤驅(qū)動(dòng)器的尋址方法，便是利用指定扇區(qū)所在的磁柱和 磁頭來(lái)決定的，此種方法稱為磁柱磁頭扇區(qū)尋址法。但在設(shè)計(jì)此尋址方式 時(shí)，早期標(biāo)準(zhǔn)IDE接口能支持的單一硬盤最大容量為512MB。后續(xù)針對(duì)512MB硬盤的限制而改良了 CHS的尋址方法，稱為L(zhǎng)arge 模式，其所支持的硬盤達(dá)到2 GB大小。另一種則是目前更為普遍的邏輯 區(qū)塊尋址模式(Logical Block Addressing; LBA)，可支持8.4 GB以上硬盤 空間。邏輯區(qū)塊尋址是一種硬式磁盤驅(qū)動(dòng)器的尋址技術(shù)，利用邏輯映對(duì)的方 式來(lái)指定磁盤驅(qū)動(dòng)器的扇區(qū)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)所使用的接口中，加強(qiáng)型IDE 和小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口 (Small Computer System Interface; SCSI)均使用 此方式尋址。傳統(tǒng)的硬盤尋址是采取實(shí)際尋址(physical mapping、 physical addressing)的方式，磁盤驅(qū)動(dòng)器的實(shí)際結(jié)構(gòu)，便是硬盤指定地址的結(jié)構(gòu)， 例如我們可以指定某一個(gè)扇區(qū)在第幾磁面的第幾軌，這亦是扇區(qū)在磁盤上實(shí)際的地址。由上所述，光盤系統(tǒng)雖然具有便于攜帶的優(yōu)點(diǎn)，但仍有其限制如儲(chǔ)存 數(shù)據(jù)容量與讀取速度等而未能取代傳統(tǒng)硬盤系統(tǒng)，而傳統(tǒng)硬盤系統(tǒng)亦具有 相當(dāng)多的問題待解決。硬盤工業(yè)有許多技術(shù)上的挑戰(zhàn)。其中一個(gè)目標(biāo)是將更多的數(shù)據(jù)位擠進(jìn) 現(xiàn)有的儲(chǔ)存空間。為了達(dá)成此項(xiàng)目標(biāo)，最好采用垂直記錄(perpendicular-recording)技術(shù)寫入數(shù)據(jù)位，而不是采傳統(tǒng)的縱向記錄 (kmgitudinal-recording)技術(shù)。垂直記錄技術(shù)能縮小位尺寸并提高儲(chǔ)存密度。 然而，這些垂直記錄技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)仍有限制，因?yàn)閿?shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體的磁性媒體 位只能被排列在垂直于讀寫頭的一個(gè)平面上。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體及其數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存取方法， 以克服公知技術(shù)中存在的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括 一第一磁性媒體區(qū)塊，用于一第一讀寫頭；以及 一第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于一第二讀寫頭。所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊具有一磁場(chǎng)。 所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該磁場(chǎng)可由該第二讀寫頭進(jìn)行偵測(cè)。 所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二讀寫頭是位在該第二磁性媒體區(qū) 塊的下，且位在該第一磁性媒體區(qū)塊下。所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二讀寫頭與該第二磁性媒體區(qū)塊的 該磁場(chǎng)是位在同一在線。本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，還可以包括一第一磁性媒體區(qū)塊，用于一讀寫頭，以存取一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；以及 一第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于該讀寫頭，以存取一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊被-一可電性導(dǎo)通的線圈所部份纏繞。所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊具有一磁場(chǎng)。 所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該磁場(chǎng)表示一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該可電性導(dǎo)通的線圈是用于偵測(cè)該電場(chǎng)。 所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該讀寫頭與該第二磁性媒體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位在同一在線。本發(fā)明提供的存取方法，包括存取位在一磁性媒體區(qū)塊下的另一磁性媒體區(qū)塊所儲(chǔ)存的一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。所述的存取方法，其中，該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)是用一磁性媒體區(qū)塊的一磁場(chǎng)來(lái)表示。所述的存取方法，其中，該磁場(chǎng)是以一讀寫頭進(jìn)行偵測(cè)。 所述的存取方法，其中，該磁場(chǎng)可由一讀寫頭以及部分纏繞在該一磁 性媒體區(qū)塊，進(jìn)行偵測(cè)。所述的存取方法，其中，該讀寫頭是位在該一磁性儲(chǔ)存媒體區(qū)塊下，且位在該另一儲(chǔ)存媒體區(qū)塊下。所述的存取方法，其中，該讀寫頭與該一儲(chǔ)存媒體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位 在同一在線。所述的存取方法，其中，該讀寫頭與該一儲(chǔ)存媒體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是 位在同一在線。概括地說(shuō)，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括一第一磁性媒體區(qū)塊 一第二磁性媒體區(qū)塊。上述第一磁性媒體區(qū)塊，用于一第一讀寫頭。上述 第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于--第二讀寫頭。就另一方面而言，本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括一第一磁性媒 體區(qū)塊以及一第二磁性媒體區(qū)塊。上述第一磁性媒體區(qū)塊，用于一讀寫頭， 以存取一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。上述第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū) 塊下，用于該讀寫頭，以存取一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。再就另一方面而言，本發(fā)明提供一種存取方法，包括存取位在一磁性 媒體區(qū)塊下的另一磁性媒體區(qū)塊所儲(chǔ)存的一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，本發(fā)明的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)系將復(fù) 數(shù)個(gè)微讀寫組件或存取回路分別形成于特定的存取地址上以取代傳統(tǒng)硬 式磁盤系統(tǒng)的存取機(jī)制。當(dāng)然，本發(fā)明除了可能應(yīng)用在電磁式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存 取系統(tǒng)上，也可能用在任何數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)中。而且，本發(fā)明由特定地 址設(shè)置微存取組件或感應(yīng)回路于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)中以取代傳統(tǒng)電磁式 硬盤的讀寫機(jī)制，迄今仍未發(fā)展用在關(guān)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)方面。


圖1A顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例， 一儲(chǔ)存媒體以及一第一讀寫頭示意圖；圖IB顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，儲(chǔ)存媒體以及第一讀寫頭示意圖； 圖2顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例， 一種儲(chǔ)存媒體示意圖； 圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第四較佳實(shí)施例中定址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)的 電路方塊示意圖；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第五較佳實(shí)施例中定址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)的 電路方塊示意圖；以及圖5所示為根據(jù)本發(fā)明第六較佳實(shí)施例中定址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)的 電路方塊示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的方向?yàn)橐环N數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體。為了能徹底地了解本發(fā)明，將在 下列的描述中提出詳盡的結(jié)構(gòu)組件。顯然地，本發(fā)明的施行并未限定于數(shù) 字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)的技樣人員所熟悉的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的組 件并未描述于細(xì)節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。本發(fā)明的較佳實(shí) 施例會(huì)詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地 施行在其它的實(shí)施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以權(quán)利要求范圍為 準(zhǔn)。請(qǐng)參閱圖1A，其顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，并提供一儲(chǔ)存媒體82 以及一第一讀寫頭80。第一讀寫頭80可包括一第一線圈10以及一第一柱狀物20。該第一柱狀物20可以被磁化，且可具有一燒瓶(flask)外型(shape)。 此具有燒瓶外型的第一柱狀體20含有一第一頸部20a以及一第一本體 20b。此具有燒瓶外型的第一柱狀體20的第一頸部20a被第一線圈10所 纏繞。上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體82可包括一第一磁性媒體區(qū)塊84以及一第二磁性 媒體區(qū)塊86。第一磁性媒體區(qū)塊84可用于第一讀寫頭80，以存取一第-- 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。第二磁性媒體區(qū)塊86可位在第一磁性媒體區(qū)塊84下。與傳統(tǒng) 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體不同的是，本發(fā)明第一磁性媒體區(qū)塊84以及第二磁性媒體 區(qū)塊86的配置方式，是實(shí)質(zhì)上與第一讀寫頭80位在同一在線，而不是配 置在垂直于第一讀寫頭80的平面上。共線配置方式可以增加硬盤的儲(chǔ)存 空間。第二儲(chǔ)存媒體86，可用于一第二讀寫頭90，以存取第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)與第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)可以被分別儲(chǔ)存在第一磁性媒體區(qū)塊84以 及第二儲(chǔ)存媒體區(qū)塊86。第一磁性媒體區(qū)塊84可具有一第一磁場(chǎng)。第二磁性媒體區(qū)塊86可具 有一第二磁場(chǎng)。第二磁場(chǎng)，可利用第二讀寫頭卯進(jìn)行偵測(cè)，以存取第二 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，是用以表示第二磁性媒體86的第二磁場(chǎng)。較佳的作法是，第二讀寫頭90是位在第二磁性媒體區(qū)塊86下，且位 在第一磁性媒體區(qū)塊84下。第二讀寫頭90可以是與第二儲(chǔ)存媒體區(qū)塊86 的磁場(chǎng)相互垂直，也可以是在同一在線。如果應(yīng)用的是垂直記錄技術(shù) (perpendicular-recording technology),夷卩么第二讀寫頭90與第二儲(chǔ)存媒體 區(qū)塊86的磁場(chǎng)，可以是在同一在線。如果應(yīng)用的是縱向記錄技術(shù)(longitudinal-recording technology),那么第二讀寫頭90是與第二儲(chǔ)存媒體 區(qū)塊86的磁場(chǎng)相互垂直。圖1B顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，儲(chǔ)存媒體以及第一讀寫頭示意圖。 當(dāng)復(fù)數(shù)個(gè)儲(chǔ)存媒體82以及復(fù)數(shù)個(gè)第一讀寫頭80排列的時(shí)候，其情形就如 圖6所示。請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種儲(chǔ)存媒體。此儲(chǔ)存媒體是一 種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，可包括一第一磁性媒體區(qū)塊94以及一第二磁性媒體區(qū) 塊96。第一磁性媒體區(qū)塊94可用于一讀寫頭98，以存取一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 第二磁性媒體區(qū)塊96，可位在第一磁性媒體區(qū)塊94下。與傳統(tǒng)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存 媒體不同的是，本發(fā)明第一磁性媒體區(qū)塊94以及第二磁性媒體區(qū)塊96的 配置方式，是實(shí)質(zhì)上與第一讀寫頭98在同一在線，而不是配置在垂直于 第一讀寫頭98的平面上。共線的配置方式可以增加硬盤的儲(chǔ)存空間。第二磁性媒體區(qū)塊96，可用于讀寫頭98，以存取一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 第二磁性媒體區(qū)塊96，可具有表示第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的一第一磁場(chǎng)。讀寫頭 98，與第二磁性媒體96的第一磁場(chǎng)，可以是在同一在線，也可以相互垂 直。如果應(yīng)用的是垂直記錄技術(shù)，那么讀寫頭98，與第二磁性媒體96的 第一磁場(chǎng)，可以是在同一在線。如果應(yīng)用的是縱向記錄技術(shù)，那么讀寫頭 98，與第二磁性媒體96的第一磁場(chǎng)，可以相互垂直。第二磁性媒體區(qū)塊％可以被一可電性導(dǎo)通的線圈92所部分纏繞 (partially wrapped)。當(dāng)?shù)谝淮艌?chǎng)改變成第二磁場(chǎng)時(shí)，可電性導(dǎo)通的線圈92 會(huì)被誘導(dǎo)而產(chǎn)生一電流。上述誘導(dǎo)電流，是供使用者，由可電性導(dǎo)通的線圈92與讀寫頭98， 讀取一第三數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。舉例而言，讀寫頭98可產(chǎn)生一磁場(chǎng)，此磁場(chǎng)的強(qiáng) 度足以將第二磁性媒體區(qū)塊96的第一磁場(chǎng)改變成第二磁場(chǎng)。此項(xiàng)變化可 以誘導(dǎo)使可電性導(dǎo)通的線圈92產(chǎn)生電流。這個(gè)電流可以被偵測(cè)到，因此 由此項(xiàng)偵測(cè)，第三數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)可以被存取。本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種存取方法。此項(xiàng)存取方法可包括一存取步 驟，其中儲(chǔ)存在一第一磁性媒體區(qū)塊的一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)會(huì)被存取，此第一 磁性媒體媒體區(qū)塊是位在第二磁性媒體區(qū)塊下。第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)可以用第一 磁性媒體區(qū)塊的的一第一磁場(chǎng)表示。此第一磁場(chǎng)可以被一讀寫頭偵測(cè)。此 讀寫頭，與第一磁性媒體區(qū)塊的第一磁場(chǎng)，可以是相互垂直的，或者更好 的是位在同一在線。如果應(yīng)用的是垂直記錄技術(shù)，那么讀寫頭，與第一磁 性媒體區(qū)塊的第一磁場(chǎng)，可以是位在同一在線。如果應(yīng)用的是縱向記錄技 術(shù)，那么讀寫頭，與第一磁性媒體區(qū)塊的第一磁場(chǎng)，可以是相互垂直的。第一磁性媒體區(qū)塊也可以具有一第二磁場(chǎng)。此第二磁場(chǎng)可以被讀寫頭 改變。此讀寫頭可以位在第一磁性媒體區(qū)塊下，或者是位在第二磁性媒體 區(qū)塊下。于后者，讀寫頭可以產(chǎn)生一磁場(chǎng)，其強(qiáng)度足以通過第二磁性媒體 區(qū)±央，將第一磁性媒體區(qū)塊的第二磁場(chǎng)，改變?yōu)榈谝淮判悦襟w區(qū)塊的第一 磁場(chǎng)。讀寫頭以及部分纏繞第一磁性媒體區(qū)塊的可電性導(dǎo)通的線圈，兩者可 以聯(lián)合偵測(cè)上述第一磁場(chǎng)。第一磁性媒體區(qū)塊的第二磁場(chǎng)被改變?yōu)榈谝淮?場(chǎng)時(shí)，可電性導(dǎo)通的線圈會(huì)被誘導(dǎo)，而產(chǎn)生一誘導(dǎo)電流。由于此誘導(dǎo)電流 可以被偵測(cè)，所以第一磁場(chǎng)也可以被偵測(cè)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)100，尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)IOO包含一控制模塊110、 一儲(chǔ)存模塊120 與一存取模塊B0，其中，控制模塊110與存取模塊130相互電性耦合以 控制存取模塊130的作動(dòng)，且儲(chǔ)存模塊120具有可抽換功能以便于隨時(shí)抽 換更新另一儲(chǔ)存模塊。上述的控制模塊110還包含一連接接口 140、 一控 制次電路150與至少一傳輸接口 160，其中，控制次電路150分別與連接 接口 140與至少一傳輸接口 160相互電性耦合，且尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系 統(tǒng)100由傳輸接口 160與系統(tǒng)外界的電子設(shè)備相互通訊以傳輸訊號(hào)。上述 的存取模塊130還包含一電磁感應(yīng)次電路180與一具有復(fù)數(shù)個(gè)微讀寫組件 170A的電磁感應(yīng)區(qū)170。每個(gè)微讀寫組件170A可以包括本發(fā)明第一實(shí)施例的第一線圈以及可 以被磁化的柱狀物。電磁感應(yīng)區(qū)170與電磁感應(yīng)次電路80相互電性耦合， 且每個(gè)微讀寫組件170A根據(jù)特定的存取地址形成于電磁感應(yīng)區(qū)170中。參考圖3所示，在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存模塊120還含至少一電磁感應(yīng)媒 體120A，且儲(chǔ)存模塊120的至少一電磁感應(yīng)媒體120A與存取模塊130的 電磁感應(yīng)區(qū)170的位置相對(duì)應(yīng)，其中，至少一電磁感應(yīng)媒體120A具有復(fù) 數(shù)個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)120B，且復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)120B根據(jù)特定的存 取地址依序設(shè)置于至少一電磁感應(yīng)媒體120A中以便與復(fù)數(shù)個(gè)微讀寫組件 170A的位置相對(duì)應(yīng)，并使得每個(gè)微讀寫組件170A能與位于同一存取地址 上的每個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)120B進(jìn)行電磁感應(yīng)的存取作用。此外，當(dāng)儲(chǔ)存 模塊120置入尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)100中時(shí)，儲(chǔ)存模塊120亦可接收 尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)100所傳輸?shù)碾娏σ越档痛嫒∧K130所需的電力，其中，儲(chǔ)存模塊120可與控制模塊110相互電性耦合，以使得控制次 電路150能同時(shí)控制位于特定的存取地址的微讀寫組件170A與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù) 存取區(qū)120B。另一方面，至少一電磁感應(yīng)媒體120A還包含一導(dǎo)電材質(zhì)以 增強(qiáng)電磁感應(yīng)作用。上述尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)100的運(yùn)作如下所述首先，將儲(chǔ)存模 塊120置入尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)100的特定位置中。當(dāng)系統(tǒng)外界的電 子設(shè)備欲存取特定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)外界的電子設(shè)備由至 少一傳輸接口 160傳輸一存取信息予控制模塊110以便于特定的存取地址 上存取數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。然后，控制模塊110的控制次電路150由連接接口 140 傳輸一控制訊號(hào)至電磁感應(yīng)次電路180以控制位于同一存取地址上的微讀 寫組件170A與儲(chǔ)存模塊120的電磁感應(yīng)媒體120A產(chǎn)生一電磁感應(yīng)交互 作用，并在設(shè)置于特定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)120B存取數(shù)字?jǐn)?shù) 據(jù)。每個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)120B，例如是本發(fā)明第一或第二實(shí)施例的第--儲(chǔ)存媒體區(qū)塊或第二儲(chǔ)存媒體區(qū)塊。參考圖4所示，在本發(fā)明的一第五實(shí)施例中，首先提供一尋址式數(shù)字 數(shù)據(jù)存取系統(tǒng)200，尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200包含一控制模塊210、 一儲(chǔ)存模塊220與一存取模塊230，其中，控制模塊210與存取模塊230 相互電性耦合以控制存取模塊230的作動(dòng)，且儲(chǔ)存模塊220具有可抽換功 能以便于隨時(shí)抽換更新另一儲(chǔ)存模塊。上述的控制模塊210還包含一連接 接口 240、 一控制次電路250與至少一傳輸接口 260，其中，控制次電路 250分別與連接接口 240與至少一傳輸接口 260相互電性耦合，且尋址式 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200由傳輸接口 260與系統(tǒng)外界的電子設(shè)備相互通訊以傳輸訊號(hào)。此外，控制次電路250具有至少一存取地址表250A以儲(chǔ)存復(fù)數(shù)個(gè)存 取地址，且連接接口 240具有一開關(guān)次電路245以控制復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)區(qū) 270的作動(dòng)，其中，開關(guān)次電路245具有復(fù)數(shù)個(gè)存取地址開關(guān)245A，且每 個(gè)存取地址開關(guān)245A系與存取地址表250A的每個(gè)存取地址相對(duì)應(yīng)，由 此，控制次電路250能根據(jù)存取地址表250A對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)個(gè)開關(guān)次電路245 的復(fù)數(shù)個(gè)存取地址開關(guān)245A。上述的存取模塊230還包含一具有復(fù)數(shù)個(gè) 電磁感應(yīng)區(qū)270的電磁感應(yīng)次電路275，且電磁感應(yīng)區(qū)270中根據(jù)存取地 址表250A的每個(gè)存取地址設(shè)置每個(gè)微讀寫組件270A，其中，復(fù)數(shù)個(gè)微讀 寫組件270A由電磁感應(yīng)次電路275分別與開關(guān)次電路245的復(fù)數(shù)個(gè)存取 地址開關(guān)245A相互電性耦合。參考圖4所示，在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存模塊220還包含復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng) 媒體280，且復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)媒體280與存取模塊230的復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng) 區(qū)270的位置相對(duì)應(yīng)以進(jìn)行電磁感應(yīng)的存取作用，其中，每個(gè)電磁感應(yīng)媒 體280具有復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)280A，復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)280A根 據(jù)存取地址表250A的存取地址設(shè)置于復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)媒體280中以便與 復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)區(qū)270的復(fù)數(shù)個(gè)微讀寫組件270A位置相對(duì)應(yīng)。每個(gè)微讀 寫組件270A，可以是包括本發(fā)明第一實(shí)施例的第一線圈以及可以被磁化 的柱狀物。每個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)280A，可以是本發(fā)明第一或第二實(shí)施例 的第一儲(chǔ)存媒體區(qū)塊，或第二儲(chǔ)存媒體區(qū)塊。此外，當(dāng)儲(chǔ)存模塊220置入尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200中時(shí)，儲(chǔ)存 模塊220亦可接收尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200所傳輸?shù)碾娏σ越档痛嫒∧K230所需的電力，其中，儲(chǔ)存模塊220可與尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng) 200的控制模塊210相互電性耦合以使得控制次電路250能同時(shí)控制位于 同一存取地址的微讀寫組件270A與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)280A。另一方面，每 個(gè)電磁感應(yīng)媒體280還包含一導(dǎo)電材質(zhì)以增強(qiáng)電磁感應(yīng)作用。上述尋址式 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200的運(yùn)作如下所述首先，將儲(chǔ)存模塊220置入尋址 式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)200的特定位置中。當(dāng)系統(tǒng)外界的電子設(shè)備欲存取特 定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)外界的電子設(shè)備由至少一傳輸接口 260通訊一存取信息予控制模塊210以便于存取特定的存取地址上的數(shù)字 數(shù)據(jù)。然后，控制模塊210的控制次電路250根據(jù)存取地址表250A傳輸 —控制訊號(hào)至連接接口 240的開關(guān)次電路245以開啟特定的存取地址上的 存取地址開關(guān)245A。接著，經(jīng)由存取地址開關(guān)245A傳輸控制訊號(hào)至存取 模塊230的電磁感應(yīng)次電路275中，并控制位于特定的存取地址上的電磁 感應(yīng)區(qū)270的微讀寫組件270A與儲(chǔ)存模塊220的電磁感應(yīng)媒體280產(chǎn)生 一電磁感應(yīng)交互作用，并在設(shè)置于特定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū) 280A存取數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。參考圖5所示，在本發(fā)明第六實(shí)施例中，首先提供一尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù) 存取系統(tǒng)300，尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)300包含一控制模塊310與一存 取模塊320，其中，控制模塊310與存取模塊320相互電性耦合以控制存 取模塊320的作動(dòng)，且存取模塊320具有可抽換功能以便于隨時(shí)抽換更新 另一制存取模塊。上述的控制模塊310還包含一連接接口 330、--控制次 電路340與至少一傳輸接口 350，其中，控制次電路340分別與連接接口 330與至少一傳輸接口 350相互電性耦合，且尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)300由至少一傳輸接口 350與系統(tǒng)外界的電子設(shè)備相互通訊以傳輸訊號(hào)，而存取模塊320由連接接口 330與控制模塊310相互電性耦合。此外，控制次 電路340具有至少一存取地址表340A以儲(chǔ)存復(fù)數(shù)個(gè)存取地址，且連接接 口 330具有一開關(guān)次電路355以控制復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)回路370A的作動(dòng)。每個(gè)電磁感應(yīng)回路370A可以是本發(fā)明第一實(shí)施例的讀寫頭，或者是 本發(fā)明第二實(shí)施例的讀寫頭。開關(guān)次電路355具有復(fù)數(shù)個(gè)存取地址開關(guān) 355A，且每個(gè)存取地址開關(guān)355A與存取地址表340A的每個(gè)存取地址相 對(duì)應(yīng)，由此，控制次電路340能根據(jù)存取地址表340A的復(fù)數(shù)個(gè)存取地址 控制開關(guān)次電路355的復(fù)數(shù)個(gè)存取地址開關(guān)355A。上述存取模塊320包 含至少一儲(chǔ)存媒體層360與一具有復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)回路370A的電磁感應(yīng) 次電路370，其中，至少一儲(chǔ)存媒體層360形成于電磁感應(yīng)次電路370的 復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)回路370A上，且電磁感應(yīng)次電路370與開關(guān)次電路355 相互電性耦合以使得每一存取地址開關(guān)355A能根據(jù)存取地址表340A的 每個(gè)存取地址與每一電磁感應(yīng)回路370A相互電性耦合。參考圖5所示，在本實(shí)施例中，至少一儲(chǔ)存媒體層360還包含復(fù)數(shù)個(gè) 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)360A，且復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)360A根據(jù)存取地址表 340A的存取地址形成于復(fù)數(shù)個(gè)電磁感應(yīng)回路370A上以直接進(jìn)行電磁感應(yīng)每個(gè)電磁感應(yīng)回路370A可以是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一讀寫頭，或 者本發(fā)明第二實(shí)施例的讀寫頭?？刂拼坞娐?40亦能由連接接口 330同時(shí) 控制位于同一存取地址的電磁感應(yīng)回路370A與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)360A，其 中，至少一儲(chǔ)存媒體層360還包含一導(dǎo)電材質(zhì)以增強(qiáng)電磁感應(yīng)作用。上述的尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)300的運(yùn)作如下所述首先，將存取模塊320置入尋址式數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取系統(tǒng)300的特定位置中。當(dāng)系統(tǒng)外界的電子設(shè)備欲存取特定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)外界的電子設(shè)備由至少一傳輸接口 350傳輸一存取信息予控制模塊310以便于存取特定的存取地址上 的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。然后，控制模塊310的控制次電路340根據(jù)存取地址表340A 傳輸一控制訊號(hào)至連接接口 330的開關(guān)次電路355以開啟特定的存取地址 上的存取地址開關(guān)355A。接著，經(jīng)由存取地址開關(guān)355A傳輸控制訊號(hào)至 存取模塊320的電磁感應(yīng)次電路370中，并控制位于特定的存取地址上的 電磁感應(yīng)回路370A與至少一儲(chǔ)存媒體層360的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū)360A產(chǎn) 生一電磁感應(yīng)交互作用，并在設(shè)置于特定的存取地址上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存取區(qū) 360A存取數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。顯然地，依照上面實(shí)施例中的描述，本發(fā)明可能有許多的修正與差異。 因此需要在其附加的權(quán)利要求范圍內(nèi)加以理解，除了上述詳細(xì)描述外，本 發(fā)明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例中施行。上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例 而己，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示 的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括一第一磁性媒體區(qū)塊，用于一第一讀寫頭；以及一第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于一第二讀寫頭。
2、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊具 有一磁場(chǎng)。
3、 如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該磁場(chǎng)可由該第二讀 寫頭進(jìn)行偵測(cè)。
4、 如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二讀寫頭是位在 該第二磁性媒體區(qū)塊的下，且位在該第一磁性媒體區(qū)塊下。
5、 如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二讀寫頭與該第 二磁性媒體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位在同一在線。
6、 一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括一第一磁性媒體區(qū)塊，用于一讀寫頭，以存取一第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；以及 一第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于該讀寫頭， 以存取一第二數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
7、 如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊 被一可電性導(dǎo)通的線圈所部份纏繞。
8、 如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該第二磁性媒體區(qū)塊 具有一磁場(chǎng)。
9、 如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該磁場(chǎng)表示一第二數(shù) 字?jǐn)?shù)據(jù)。
10、 如權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該可電性導(dǎo)通的線圈 是用于偵測(cè)該電場(chǎng)。
11、 如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，其中，該讀寫頭與該第二磁 性媒體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位在同一在線。
12、 一種存取方法，包括存取位在一磁性媒體區(qū)塊下的另一磁性媒體區(qū)塊所儲(chǔ)存的一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
13、 如權(quán)利要求12所述的存取方法，其中，該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)是用一磁性 媒體區(qū)塊的一磁場(chǎng)來(lái)表示。
14、 如權(quán)利要求13所述的存取方法，其中，該磁場(chǎng)是以一讀寫頭進(jìn) 行偵測(cè)。
15、 如權(quán)利要求13所述的存取方法，其中，該磁場(chǎng)可由一讀寫頭以 及部分纏繞在該一磁性媒體區(qū)塊，進(jìn)行偵測(cè)。
16、 如權(quán)利要求14所述的存取方法，其中，該讀寫頭是位在該一磁 性儲(chǔ)存媒體區(qū)塊下，且位在該另一儲(chǔ)存媒體區(qū)塊下。
17、 如權(quán)利要求16所述的存取方法，其中，該讀寫頭與該一儲(chǔ)存媒 體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位在同一在線。
18、 如權(quán)利要求15所述的存取方法，其中，該讀寫頭與該一儲(chǔ)存媒 體區(qū)塊的該磁場(chǎng)是位在同一在線。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，包括一第一磁性媒體區(qū)塊、一第二磁性媒體區(qū)塊。上述第一磁性媒體區(qū)塊，用于一第一讀寫頭。上述第二磁性媒體區(qū)塊，位在該第一磁性媒體區(qū)塊下，用于一第二讀寫頭。
文檔編號(hào)G11B5/09GK101241702SQ20071000284
公開日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2007年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月8日
發(fā)明者楊清溪 申請(qǐng)人:楊清溪