專利名稱：磁盤基底以及其磁盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過使用珪基底形成的磁盤基底，以及利用該磁盤基底的 磁盤。該申請要求于2005年12月19日提交的日本專利申請No,2005-364545 的優(yōu)先4又和于2005年12月27日提交的美國臨時申請No.60/753418的優(yōu) 先權(quán)，在此引入其內(nèi)容作為參考。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著各種各樣的IT產(chǎn)品的研發(fā)，磁記錄介質(zhì)的存儲容量 持續(xù)增加。特別地，關(guān)于作為計算機的外部存^i殳備起著重要的作用的磁 盤設(shè)備例如硬盤驅(qū)動器(HDD),其記錄容量以及其記錄密度逐年持續(xù)增 加。這就是為什么期望開發(fā)可以以更高密度記錄的磁盤的原因。另一方面， 在便攜式電子裝置例如筆記本電腦中，優(yōu)選使用小且抗沖擊的磁盤設(shè)備。 最近，還將小的磁盤設(shè)備應(yīng)用于導(dǎo)航系統(tǒng)、便攜式音樂播放器等等。因此， 期望微小型磁盤，其能夠以更高的密度記錄且具有優(yōu)良的機械強度。因此，在用于這種磁盤的磁盤基底中，已經(jīng)強調(diào)對更高記錄密度的需 求和伴隨小型化和重量減輕帶來的輕薄化的需求，以及當(dāng)其以高速旋轉(zhuǎn)時 為了能夠抵抗磁盤的震蕩所需的例如剛性的機械性能。并且，為了實現(xiàn)這 種高記錄密度，已急劇減小磁頭相對于磁盤的飛行高度。因此，需要磁盤 基底具有例如象鏡面那樣的優(yōu)良平坦度，具有平滑的表面，并且在表面上 具有盡可能少的缺陷，例如微小劃痕、；微小凹陷以及孩i小突出。常規(guī)地，將鋁合金基底、玻璃基底等應(yīng)用于磁盤基底。在抗磨損性和 可加工性方面鋁合金基底是較差的，且這就是為什么使用表面鍍有NiP的鋁合金基底來彌補該缺陷的原因。然而，在鍍有NiP的基底中存在缺陷，
其中，例如，當(dāng)在高溫下處理它們時它們可能翹曲，且易于祐:磁化。另一 方面，在玻璃基底中存在缺陷，其中當(dāng)為了加固而處理它們時可能在它們 的表面上產(chǎn)生扭曲層，且當(dāng)加熱它們時由于壓縮應(yīng)力的影響而使它們翹曲。
在例如那些具有1英寸(27.4mmq))或0.85英寸(21.6mm(|))直徑的 微小型磁盤中，當(dāng)將它們應(yīng)用于更高密度記錄時其中基底翹曲的缺陷是致 命的。因此，期望這樣的材料作為用于這種微小型磁盤的基底，該材料更 薄且難以由于外力而扭曲，該材料的表面是平滑的，且在其上容易形成磁
記錄層o
已經(jīng)提議將常用于半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域中的硅基底用作滿足上述需求的磁
盤基底(例如，參見專利文獻1至3)。這種使用硅基底的磁盤基底使得能 夠形成潔凈的表面，因而它們具有優(yōu)良(即l象鏡面那樣)的平坦度、具有 較低的表面粗糙度，并在表面上具有較少的缺陷，例如微小劃痕、微小凹 陷或孩史小突出。除這種特征以外，硅基底還具有優(yōu)點。例如，其密度小于 鋁基底的密度，其彈性模量較大，其熱膨脹系數(shù)較小，其高溫特性較好， 且其具有導(dǎo)電性。因此，硅基底適合用于磁盤，并且，可以通過使盤直徑
較小來提供用于磁盤的耐用磁盤基底，這是因為盤直徑越小，所受到的沖 擊力變得越小，
當(dāng)制造用于磁盤的硅基底時，通常預(yù)先制造單晶珪錠。然后，將單晶 硅錠加工成具有預(yù)定厚度的切片。對從上述被切片加工成的圓盤切割下來 的具有小直徑的硅基底進行對于它們的主表面的兩側(cè)以及它們的外周表面 的研磨工藝、拋光工藝等，從而它們被鏡面磨光。
然而，硅基底具有這樣的缺點，其中通過上述工藝它們可能裂紋或斷 裂，這是因為其材料上的易碎性。如果它們具有裂紋或碎片，則不僅制造
磁盤的成品率下降，而且當(dāng)記錄或?qū)懭霑r產(chǎn)生的顆粒會引起4t^:或磁頭碰 撞。
為了獲得在硅基底中沒有裂紋或碎片的磁盤基底，專利文獻1提出一 種方法，其中利用研磨石等對硅基底的中心孔以及外圓部分的邊緣倒棱(chamfer),且將倒棱部分的角度倒圓。另一方面，專利文獻2提出一種 方法，其中通過化學(xué)蝕刻的方法在硅基底中形成圓弧的倒棱表面。另外， 專利文獻3提出一種方法，其中將a底中的倒棱角度制造為20°到40°， 且將倒棱部分的長度設(shè)定為0.03mm到0.15mm。這些專利文獻1到3描 述了，將它們的外周部分加工成上述的形狀，從而它們可以減少在制造工 藝中通過操作或掉落所導(dǎo)致的裂紋或碎片，且可以顯著地提高它們的成品 率。專利文獻l:日本的未審專利申請，公開號No.H6-76282 專利文獻2:日本的未審專利申請，公開號No.H6-195707 專利文獻3:曰本的未審專利申請，公開號No.H7-24922
發(fā)明內(nèi)容當(dāng)制造磁盤時，在上述基底上依序相繼地形成底涂層、磁記錄層、保 護層等。并且，如果在保護層的表面上存在微小顆粒，則在其上執(zhí)行"磨光 處理"。在該磨光處理中，例如，通過利用由橡膠制成的接觸輪將移動的研 磨帶壓在保護層的表面上，輕微地拋光保護層的表面。通過該處理的方法， 可以除去存在于保護層表面上的微小顆粒，且可以使得磁頭的浮動量更小。然而，當(dāng)在上述磨光工藝中研磨帶刮擦硅基底的外周部分時，很可能 從該研磨帶產(chǎn)生顆?；覊m，且所產(chǎn)生的顆粒將可能保留在磁盤的表面上。 然后，在讀出或?qū)懭霑r，附著于磁盤表面的顆粒會導(dǎo)致錯誤或磁頭碰撞， 因此在最后的質(zhì)量檢查中其上具有顆粒的這種磁盤被排除。為了解決上述問題，完成本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種磁盤基底， 其可以提高使用硅基底的磁盤制造的成品率，當(dāng)讀出或?qū)懭霑r防止錯誤或 磁頭碰撞，且實現(xiàn)更低的磁頭飛行高度，因此其可以與更高的記錄致密化 相兼容。并且，本發(fā)明的目的是提供一種利用該磁盤基底的磁盤。本發(fā)明人研究了上述問題，并發(fā)現(xiàn)不僅需要通過控制該硅基底的圃周 部分的形狀防止材料上易碎的硅基底裂紋或碎裂，還需要通過控制該硅基 地的圓周部分的形狀來防止在磁盤基底的制造工藝中在其上產(chǎn)生灰塵。這以便于可以提高使用硅基底的磁盤制造的成品率，可以防止讀出或?qū)懭霑r 的錯誤或磁頭碰撞，且可以實現(xiàn)更低的磁頭飛行高度，因此其可以與更高 的記錄密度相兼容。最后，該發(fā)現(xiàn)帶來了本發(fā)明。 即，本發(fā)明提供下列方案。 (1 ) 一種使用硅基底的磁盤基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之間設(shè)置倒棱的表面；滑雪跳躍(ski-jump)值H。，其中H。S0nm， 表示從基平面到點A3的距離；滾降(roll-off)值H!，其中H^-0.2nm且 H《0.0nm，表示從所述基平面到點A的距離；標(biāo)記(tag-off)值H2,其 中H^0nm且H^0.012fim，表示所述主表面的邊界線相對于線A，到A2 的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之間設(shè)置曲面；以及所述曲 面的曲率半徑R，其中R^0.013mm且R50.080mm，其中所逸基平面是指 所述主表面的平坦表面；所述點Ai是指存在于所述主表面的所述邊界線上 的位置，其位于在從所述外周表面到所述基底中心平行于所迷基平面的方 向上偏移lmm的點處；所述點A2是指存在于所述主表面的所述邊界線上 的位置，其位于在從所述點^到所述基底的中心平行于所述基平面的方向 上偏移1.6mm的點處；以及所述入3是指存在于所述點A,和入2之間的所 述主表面的所述邊界線上的位置，其位于相對于所述基平面的最高位置處。(2) 根據(jù)(1)的磁盤基底，其中所述滾降值&為Hg-0.18jim且 H《-0.08nm，所述標(biāo)記值H2為H^0.004nm且H250.008nm，以及所述曲 率半徑R為R^0.030mm且R￡0.070mm。(3) —種4吏用才艮據(jù)(1)或(2)的磁盤基底的磁盤。 根據(jù)本發(fā)明，通過將珪基底的外周部分加工成上述限定的形狀，不僅可以防止在材料上易碎的硅基底的裂紋或碎裂，還可以防止在磁盤的制造 工藝中在其上產(chǎn)生灰塵。因此，可以防止灰塵顆粒等附著到磁盤的表面， 可以提高磁盤的生產(chǎn)成品率，當(dāng)讀出或?qū)懭霑r可以防止錯誤或磁頭碰撞的 發(fā)生，且磁頭能夠以更低的高度在其上飛行。于是，這使得磁盤可以與更 高的記錄密度相兼容。


圖1A是示出珪基底的截面的透視圖。
圖1B是硅基底的截面圖。
圖2是示出硅基底的截面的端視圖。
圖3是說明基平面T、滑雪跳躍值Vo和滾降值Hi的示意圖。
圖4是說明標(biāo)記值H2的示意圖。
圖5是i兌明曲面的曲率半徑R的示意圖。
圖6是示出層疊結(jié)構(gòu)的主要部件的側(cè)面圖。
圖7是示出其中利用拋光刷拋光層疊結(jié)構(gòu)的內(nèi)周部分的情形的透視圖。
圖8是示出其中利用拋光刷拋光硅基底的外周部分的情形的透視圖。 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的磁盤的一個實例中的多層結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施例方式
在下文中，將通過利用附圖詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的磁盤基底和磁盤。 應(yīng)該理解的是，在附圖中放大了作為本發(fā)明中的特征的某些部分，以明確 地描述它們的特征，且它們的尺寸比率等不總;L良映實際比率。另外，可 以通過使用商業(yè)可得的表面輪廓儀，來實現(xiàn)用于設(shè)置限定點的表面輪廓測 定，且在本發(fā)明中將由MITSUTOYO CORPORATION制造的 "CONTRACER CP400"用于表面輪廓測定。 (磁盤基底)
首先，描述本發(fā)明的磁盤基底。
在圖1和圖2中，示出本發(fā)明的利用硅基底l的磁盤基底。圖1A是 示出硅基底1的截面的透視圖。圖1B是硅基底1的截面圖。圖2是示出 硅基底l的截面的端視圖。
如圖1和圖2中所示，本發(fā)明的磁盤基底是利用盤形的硅基底1形成 的，并且具有中心孔la。并且，在珪基底1的主表面2和外周表面3之間 設(shè)置倒棱的表面4。同樣，以相同的方式在主表面2和內(nèi)周表面5之間設(shè)置倒棱的表面6。
圖3是描逸基平面T、滑雪跳躍值H。以及滾降值&的示意圖。圖4 是描述標(biāo)記值H2的示意圖。圖5是描述曲面7的曲率半徑R的示意圖。
如圖3至圖5中所述，在本發(fā)明的磁盤基底中，滑雪跳躍值H。，其中 H。^0nm，表示從基平面T到點A3的距離；滾降值H"其中H^-0.2nm 且H^0.0nm，表示從基平面T到點^的距離；標(biāo)記值112，其中H^Opm 且H-0,012nm，表示主表面2的邊界線S相對于經(jīng)過點A、到人2的線X 的最大偏移；在主表面2和倒棱的表面4之間設(shè)置曲面7;且曲面7的曲 率半徑R，其中R^0.013mm且R50.080mm，其中基平面T是指珪基底1 的主表面2的平坦表面；點A，是指存在于主表面2的邊界線S上的位置， 其位于在從外周表面3到基底中心的方向上平行于基平面T偏移lmm的 點處；點A2是指存在于主表面2的邊界線S上的位置，其位于在從點^ 到基底的中心的方向上平行于基平面T偏移1.6mm的點處；以及入3是指 存在于點A,和A2之間的主表面2的邊界線S上的位置，其位于相對于基 平面T的最高位置處。
如圖3中所述，基平面T以通過對于主表面2的最小二乘法計算出的 平坦表面為基準(zhǔn)。更具體地，在基平面T的測量中，首先，限定經(jīng)過基底 中心且垂直于主表面2的截面。然后，在其記錄區(qū)域(穿過點A2的基底內(nèi) 部區(qū)域)內(nèi)的主表面2的邊界線S上繪制至少2個參考點，且從最靠近基 底中心的點分別將它們指定為R,至Rn (n表示參考點的數(shù)量)。例如，可 以將它們繪制在下述位置當(dāng)盤的外部直徑為0.85英寸時，R尸6.5mm且 R2=8.3mm (從基底的中心到該點的距離)；當(dāng)外部直徑為1.0英寸時， 1^=8.3111111且R2=10.6mm;當(dāng)外部直徑為1.89英寸時，R產(chǎn)14.8mm且 R2=18.8mm;當(dāng)外部直徑為2.5英寸時，R產(chǎn)23.0mm且R2=27.0mm。
接著，例如，通過使用觸針或光學(xué)表面輪廓儀，對于參考點R!至Rn 中的每一個測定硅基底l的形狀的輪廓。然后，基于對硅基底l的形狀的 輪廓測定結(jié)果，通過最小二乘法計算用于表示每一個參考點的線的方程式， 其中線的方程式將相對于線的方程式的測量數(shù)據(jù)中的誤差的平方的總和最小化。這種設(shè)定的線表示限定主表面2的平坦表面的基線，即基平面T。 在下文中，使得該基平面T為零(O)，將與基平面T交叉的上部區(qū)域限定 為正(+ )的，且將與基平面T交叉的下部區(qū)域限定為負(-)的。接著，如下所述將兩個參考點設(shè)定在主表面2的邊界線S上。即，將 點Aj殳定在存在于主表面2的邊界線S上的位置處，其位于在從外周表面 3到基底中心的方向上平行于基平面T偏移lmm的點處；且將點Aj殳定 在存在于主表面2的邊界線S上的位置處，其位于從點A,到基底中心的方 向上平行于基平面T偏移1.6mm的點處。然后，例如，通過使用觸針或 光學(xué)表面輪廓儀，在點A,和A2之間測定硅基底1的形狀的輪廓。然后， 基于對硅基底1的形狀的輪廓測定的結(jié)果，獲得滑雪跳躍值HQ、滾降值 H,以及標(biāo)記值H2?；┨S值Ho是由基平面T和點A3之間的距離表示的值，其中點 A3位于存在于點A,和點A2之間的主表面2的邊界線S上的位置處，其位 于相對于基平面T的最高位置處。另外，圖3示出其中滑雪跳躍值Ho為 正(+ )值的情況。在該情況中，主表面2的邊界線S顯示出一種形狀， 在該形狀中，其向上提高到相對于基平面T的最高位置即點A3。另 一方面， 如圖2中所示，當(dāng)滑雪跳躍值H。為H^0nm且表示為負(-)值時，主表 面2的邊界線S在點Ai和A2之間形成表面降低(滾降)形狀。滾降值Hi是由從基平面T到點A,的距離表示的值。滾降值H,表示 硅基底1的外周部分的拐角凹陷率，且從不大于O.Ojim。另一方面，如果 值E^小于-0.2jun，那么，其拐角凹陷率會過度，且磁頭在外周部分處的飛 行姿態(tài)趨于不穩(wěn)定。因此，滾降值H^優(yōu)選為H^-0.2nm且H《0.0nm,且 更優(yōu)選為H^-0.18nm且H《-0.08nm。如圖4中所示，標(biāo)記值H2是由主表面2的邊界線S相對于點A!和A2 之間的線X的最大偏移表示的值。標(biāo)記值H2表示硅基底1的外周部分的 圓度。值H2從不小于0nm，但是，如果H2大于0.012nm，那么，圓度過 大，且磁頭在外周部分處的飛行姿態(tài)趨于不穩(wěn)定，并且當(dāng)研磨帶接觸硅基 底1的外周部分時很可能從研磨帶產(chǎn)生灰塵。因此，標(biāo)記值H2優(yōu)選為H^Ojim且H《0.012nm，且更優(yōu)選為H^O.OO—m且H《0.008nm。
關(guān)于測量曲面7的曲率半徑R的方法，如圖5中所示，由上述主表面 2的基平面T延伸一條線(圖5中示出的虛線)，假設(shè)這條延伸線從曲面7 偏移的位置為起點A。然后，分別地將點B和C設(shè)定在主表面2的邊界線 S上和曲面7的邊界線S，上，它們在主表面2或曲面7的方向上從起點A 偏移10jim。接著，相對于點A、 B和C，例如，通過使用觸針或光學(xué)表面 輪廓儀，測定出硅基底l的形狀的輪廓。然后，基于對硅基底l的表面輪 廓測定，計算經(jīng)過這些點A、 B和C的圓O的半徑，并將該值用作曲面7 的曲率半徑R。
另夕卜，將商業(yè)可得的測量儀器(由MITSUTOYO CORPORATION制 造的"CONTRACER CP400")用于測量曲面7的曲率半徑。在該測量儀器 中設(shè)定的條件如下
<測量條件>
速度0.06mm/s
間JE巨0.0010mm
模式X-軸固定
如果曲面7的曲率半徑R小于0.013mm，那么，主表面2和倒棱的表 面4之間的區(qū)域變得太陡峭，基底不耐受沖擊，因此當(dāng)操作其或與某物碰 撞時易于產(chǎn)生裂紋、碎裂等。另一方面，如果曲率半徑R大于0.080mm， 主表面2的在其上記錄信息的區(qū)域變得更狹窄。因此，曲面7的曲率半徑 R優(yōu)選為R^0.013mm且RS0.080mm,且更優(yōu)選為R^0.030mm且 R50.070mm。
另外，在本發(fā)明的硅基底l中，還可以在主表面2和內(nèi)周部分的倒棱 表面6之間設(shè)置這種曲面。
如上所述，通過將硅基底1的外周部分加工成本發(fā)明的磁盤基底中的 上述形狀，科研防止材料上易碎的硅基底l中的裂紋和碎片。同樣，可以 制造磁盤硅基底，其可以防止在磁盤的制造工藝中產(chǎn)生灰塵。 (制造磁盤基底的方法)在下文中，說明制造上M盤基底的方法。作為硅基底1即上述的磁盤基底的實例，可以應(yīng)用在半導(dǎo)體工程領(lǐng)域中經(jīng)常使用的單晶硅(Si)?？梢酝ㄟ^下述工藝來制造上述硅基底l。具體地，為了制造該硅基底1，首先，可以通過切克勞斯基法制造單 晶珪錠。然后，以預(yù)定的厚度將該錠切片。對從被切片的盤切割下來的小 直徑硅基底進行研磨工藝，以提高形狀和尺寸的精確度。通過使用研磨設(shè) 備分兩個步驟來進行研磨工藝。通常在執(zhí)行研磨工藝的第一個步驟之后所 獲得的硅基底作為磁盤基底相對較大，因此，通過使用激光劃片器從大的 珪基底切割出具有適當(dāng)?shù)膬?nèi)部和外部直徑的珪基底1。此后，對硅基底1的外周和內(nèi)周部分進行倒棱工藝，形成在主表面2和外周表面3之間的倒 棱的表面4以及在主表面2和內(nèi)周表面5之間的倒棱的表面6。此時，硅 基底l的內(nèi)周和外周表面的表面粗糙度在R，x處為例如約4jmi。然后，對 珪基底l進行第二研磨工藝，并且，例如，使得主表面2的輪廓不均勻度 (profile irregularity)小于lmm,且其表面糙度在Rmax處小于6jim。 接著，利用化學(xué)液體，即包含氟酸、硝酸和醋酸的混合物，蝕刻珪基 底l的表面，并且除去在研磨工藝中的殘留的損傷。然后，拋光和鏡面加 工硅基底1的倒棱表面4和6。最后，拋光在其上設(shè)置磁記錄層的主表面2。 關(guān)于拋光主表面2，執(zhí)行其中除去在先前工藝中產(chǎn)生的劃痕或扭曲的第一 拋光步驟和其中鏡面加工表面的第二拋光步驟。通過上述工藝，可以獲得 磁盤基底。在本發(fā)明的磁盤基底中，通過利用拋光刷拋光上述硅基底1的外周表 面3，可以獲得外周部分的上述形狀。具體地，例如，將多個硅基底l配置成如圖6中所示的層疊結(jié)構(gòu)11。 在硅基底1的該層疊結(jié)構(gòu)11中，多個硅基底1被層疊，且在硅基底1之間 插入分隔物12。設(shè)置分隔物12,以在拋光它們時防止硅基底1的內(nèi)周和外周部分的倒 棱表面4和6在某些部分未被拋光，且防止珪基底1破裂。該分隔物12 具有與硅基底l相同的帶有中心孔的盤的形狀。并且，才艮據(jù)所使用的刷的硬毛(bristle)的直徑來調(diào)節(jié)分隔物12的厚度，但該直徑為例如約0.1mm 到0.3mm。關(guān)于分隔物12的材料，可以應(yīng)用那些比硅基底1軟的材料。 優(yōu)選那些在材料上與拋光工藝中使用的拋光墊相同的材料，特別地，那些 軟到如此程度的材料，以至于它們可以防止由來自所使用的拋光刷和拋光 墊的壓力所導(dǎo)致的對硅基底l的破壞。作為這種材料的實例，可以提及聚 氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等。
當(dāng)在形成層疊結(jié)構(gòu)11的珪基底1之間插入分隔物12時，如此設(shè)置分 隔物12的直徑，以使分隔物12的外周表面從硅基底1的倒棱表面4向里 面約0mm至2mm，優(yōu)選向里面約0.5mm至2mm。在該情況下，雖然其 隨分隔物12的厚度和刷的硬毛的直徑改變，但是硬毛ii^硅基底1的主表 面2的區(qū)域，且然后，拋光主表面2和倒棱表面4之間的區(qū)域。因此，該 區(qū)域變得圓滑。
在該拋光工藝中，如圖7中所示，利用拋光刷13拋光層疊結(jié)構(gòu)11的 內(nèi)周部分。具體地，將硅基底1和間隔物12相繼地層疊，且通過利用夾具 緊固夾緊蓋來形成硅基底1的緊固層疊結(jié)構(gòu)11。
接著，將拋光刷13插入層疊結(jié)構(gòu)11的中心孔lla中，以便硬毛13a 與每一個硅基底1的內(nèi)周表面5接觸。例如，作為拋光刷13，可以使用通 過螺旋形地捆綁具有約0.05mm到0.3mm的直徑和約lmm到10mm的長 度的聚酰胺基纖維制成的刷。然后，通過滴落的方法將適量的拋光液施加 到拋光刷13，利用拋光刷13拋光珪基底1的內(nèi)周表面5，其中相對層疊結(jié) 構(gòu)11上下移動拋光刷13，同時它們以彼此相反的方向旋轉(zhuǎn)。另外，層疊 結(jié)構(gòu)11的旋轉(zhuǎn)速度為例如約60rpm，而拋光刷13的旋轉(zhuǎn)速度為例如約 1000rpm到3000rpm。
同樣，如圖8中所示，利用拋光刷14拋光層疊結(jié)構(gòu)11的外周部分。 具體地，將軸15插入層疊結(jié)構(gòu)11的中心孔lla中，且相對層疊結(jié)構(gòu)11的 外周部分的表面推動拋光刷14，以便硬毛14a與每一個硅基底1的外周表 面3接觸。例如，作為拋光刷14 ，可以使用通過螺旋形地捆綁具有約0.05mm 到0.3mm的直徑和約lmm到10mm的長度的聚酰胺基纖維制成的具有約200mm到500mm的直徑的圓柱形刷。然后，通過滴落的方法將適量的拋 光液施加到拋光刷14，利用拋光刷14拋光a底1的外周表面3，其中相 對層疊結(jié)構(gòu)11上下移動拋光刷14,同時它們以彼此相反的方向旋轉(zhuǎn)。另 外，層疊結(jié)構(gòu)11的旋轉(zhuǎn)速度為例如約60rpm，而拋光刷14的旋轉(zhuǎn)速度為 例如約700rpm到1000rpm。在利用刷的上述拋光工藝之后，用水沖洗珪基底1的主表面2,且對 其進行第一拋光步驟。該第一拋光步驟的主要目的在于除去由先前執(zhí)行的 工藝殘留的劃痕和扭曲。在第一拋光步驟中，可以使用通用的拋光設(shè)備， 且作為拋光液的實例，可以使用混合有水的膠態(tài)二氧化硅。在第一拋光步 驟中，例如，可以在下述條件下拋光硅基底1的主表面2。負載為約 100gf/cm2 (0.98N/cm2 (相對壓力))；下壓板的旋轉(zhuǎn)速度為約40rpm;上 壓板的旋轉(zhuǎn)速度為約35rpm;中心齒輪的旋轉(zhuǎn)速度為約14rpm;且內(nèi)齒輪 的旋轉(zhuǎn)速度為約29rpm。接著，在第一拋光步驟之后用水沖洗硅基底，且對其進行將被精加工(finishing)的第二拋光步驟(精加工拋光)。在該第二拋光步驟中，例如， 可以使用膠態(tài)二氧化硅和水的液態(tài)混合物。在第二拋光步驟中，例如，可 以在下述條件下拋光珪基底1的主表面2。負載為約100gf/cm2 (0.98N/cm2(相對壓力))；下壓板的旋轉(zhuǎn)速度為約40rpm;上壓板的旋轉(zhuǎn)速度為約 35rpm;中心齒輪的旋轉(zhuǎn)速度為約14rpm;且內(nèi)齒輪的旋轉(zhuǎn)速度為約 29rpm。接著，在第二次拋光之后，例如，通過依次在用中性洗滌劑、純水、 純水和IPA (異丙醇)的混合物以及IPA (蒸氣干燥)填充的各清洗槽中 浸泡，對硅基底l進行超聲波清潔。通過執(zhí)行上述工藝，可以獲得上述珪基底1，其中滑雪跳躍值H。為 H0$0nm;滾降值為Hg-0.2nm且H^O，Onm，標(biāo)記值H2為H^0nm且 H《0，012nm;在主表面2和倒棱表面4之間設(shè)置曲面7;且曲面7的曲率 半徑R為R^0.013mm且RS0.080mm。在本發(fā)明中，可以使用除了上述通過利用拋光刷拋光硅基底1的外周表面的方法之外的方法，只要它們能夠獲得a底l的外周部分的上述形 狀。(磁盤)在下文中，說明使用上i^t盤基底的磁盤(磁記錄介質(zhì))。 本發(fā)明的磁盤至少包括形成在上i^盤基底上的磁記錄層。即，本發(fā) 明的磁盤使用具有外周部分的上述形狀的上述珪基底1，且對于例如在硅 基底1上相繼層疊的底涂層、磁記錄層、保護層、潤滑層的每一層的結(jié)構(gòu)、形成每一層的方法等沒有限制，只要它們實質(zhì)上不妨礙通過將該珪基底1 的外周部分加工成上述形狀所帶來的效果。例如，對于圖9中所示的磁盤，通過^f吏用軸向型(inline-type)濺射 設(shè)備等在上述珪基底1的兩面上相繼層疊由CrMo構(gòu)成的底涂層21、由 CoCrPtTa構(gòu)成的磁記錄層22以及由氫化碳構(gòu)成的保護層23，通過滴落的 方法在其上進一步形成由全氟聚醚構(gòu)成的液態(tài)潤滑層24，且這通過對硅基 底進行使用研磨帶的磨光處理來實現(xiàn)。工業(yè)適用性在使用上述硅基底1的磁盤中，本發(fā)明可以防止材料上易碎的硅基底 1裂紋或碎裂，還可以防止在制造磁盤的過程中產(chǎn)生灰塵。即，本發(fā)明可 以防止當(dāng)在上述磨光處理中研磨帶與硅基底1的外周部分接觸時從研磨帶 產(chǎn)生灰塵，并且，本發(fā)明可以防止顆粒附著到磁盤的表面。因此，可以提 高磁盤的生產(chǎn)成品率；可以防止在讀出或?qū)懭肫陂g錯誤、磁頭碰撞等的發(fā) 生；且可以實現(xiàn)低的磁頭飛行高度。結(jié)果，本發(fā)明的磁盤可以與所需要的 更高記錄密度相兼容。因此，本發(fā)明的硅基底和磁盤非常適用于例如IT 行業(yè)的各個技術(shù)領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1. 一種使用硅基底的磁盤基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之間設(shè)置倒棱的表面； 滑雪跳躍值H。，其中H^0nm，表示從基平面到點A3的距離； 滾降值H"其中H^-0.2fim且H!50.0jim，表示從所述基平面到點A, 的多巨離；標(biāo)記值H2，其中H20nm且H2^0.012nm，表示所述主表面的邊界線 相對于線A,到A2的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之間設(shè)置曲面；并且 所述曲面的曲率半徑R，其中R^).013mm且RS0.080mm，其中 所述基平面是指所述主表面的平坦表面；所述點A,是指存在于所述主 表面的所述邊界線上的位置，其位于在從所述外周表面到所述基底中心平 行于所述基平面的方向上偏移lmm的點處；所述點A2是指存在于所述主 表面的所述邊界線上的位置，其位于在從所述點A,到所述基底中心平行于 所述基平面的方向上偏移1.6mm的點處；以及所述A3是指存在于所述點 A，和A2之間的所述主表面的所述邊界線上的位置，其位于相對于所述基 平面的最高位置處。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤基底，其中所述滾降值H,為H^-0，18nm 且H《-0.08nm，所述標(biāo)記值H2為H:^0.004nm且H2S0.008nm,以及所述 曲率半徑R為R^0.030mm且R50.070mm。
3. —種使用根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁盤基底的磁盤。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種使用硅基底的磁盤基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之間設(shè)置倒棱的表面；滑雪跳躍值H₀，其中H₀≤0μm，表示從基平面到點A₃的距離；滾降值H₁，其中H₁≥-0.2μm且H₁≤0.0μm，表示從所述基平面到點A₁的距離；標(biāo)記值H₂，其中H₂≥0μm且H₂≤0.012μm，表示所述主表面的邊界線相對于線A₁到A₂的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之間設(shè)置曲面；且所述曲面的曲率半徑R，其中R≥0.013mm且R≤0.080mm。
文檔編號G11B5/82GK101313356SQ20068004338
公開日2008年11月26日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月19日
發(fā)明者會田克昭, 町田裕之 申請人:昭和電工株式會社