專利名稱：用于編程存儲器陣列的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
存儲器單元，例如反熔絲一次編程(OTP)存儲器單元，可含有在編程存儲器陣 列中的所有存儲器單元后被激活的泄漏路徑。泄漏路徑的激活可由數(shù)種機(jī)制導(dǎo)致。舉 例來說，泄漏路徑可由存在于直到反熔絲斷裂才在電方面被人們察覺的位置上的缺陷 造成。 一旦所述反熔絲斷裂并且形成細(xì)絲，那么此缺陷可在兩個字線之間、兩個位線 之間或一個字線和一個位線之間提供短路。泄漏路徑也可由經(jīng)編程存儲器單元的逆向 泄漏的輕微改變而造成。盡管選擇存儲器單元時并非用于讀取目的，但未選擇的逆向 泄漏增加斷電泄漏并且可觸發(fā)存儲器單元的不正確讀取。泄漏路徑也可由高壓編程期 間局部加熱或電遷移引發(fā)的弱缺陷泄漏中的輕微改變造成。此改變可足以在存儲器讀 取期間局部降低讀取電壓或讀取電流，導(dǎo)致讀出不正確的值。所有這些機(jī)制中的一個 共同之處是問題并不總能在編程存儲器陣列的任何具體位期間檢測到，而是可能在編 程存儲器陣列的數(shù)個位后檢測到。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明由隨附權(quán)利要求界定，此部分中的所有內(nèi)容均不應(yīng)視為限定所述權(quán)利要求。
簡要說來，下文所述優(yōu)選實施例提供用于編程存儲器陣列的方法和設(shè)備。在一個 優(yōu)選實施例中，編程存儲器陣列中的字線。在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述字線上 的缺陷。如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線。然后將所述字線重新編程 并重新檢查是否有缺陷。在另一個優(yōu)選實施例中，在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述 字線上的缺陷。如果檢測到缺陷，那么將所述字線與先前編程的相鄰字線一起修復(fù)。 在再一個優(yōu)選實施例中，在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述字線和先前編程的相鄰字 線上的缺陷。如果在所述字線上檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線和所述先 前編程的相鄰字線。本發(fā)明提供另外一些優(yōu)選實施例中，每個本文所述優(yōu)選實施例可 單獨使用或彼此間可組合使用。
現(xiàn)在將參照附圖闡述所述優(yōu)選實施例。


圖1為優(yōu)選實施例的存儲器裝置的方塊圖。
圖2為顯示兩個相鄰字線中缺陷的影響的示圖。
圖3A-3D為優(yōu)選實施例的兩遍編程技術(shù)的示圖。
圖4A-4D為優(yōu)選實施例的編程技術(shù)的示圖，在所述編程技術(shù)中如果在給定字線上 檢測到缺陷，那么修復(fù)所述字線和先前編程的相鄰字線。
圖5A-5C為優(yōu)選實施例的編程技術(shù)的示圖，在所述編程技術(shù)中設(shè)法檢測剛編程的 字線以及先前編程的相鄰字線上的缺陷。
具體實施例方式
圖1為優(yōu)選實施例的存儲器裝置100的方塊圖。存儲器裝置IOO包括主存儲器陣 列110、冗余存儲器陣列120和與主存儲器陣列110和冗余存儲器陣列120耦聯(lián)的冗 余控制邏輯部分130。主和冗余存儲器陣列110、 120各自包括相應(yīng)的字線140、 150 和位線(未圖示)，并且存儲器單元形成于各存儲器陣列110、 120的字線140、 150 與位線的交叉處。主存儲器陣列110、 120也包括由冗余控制邏輯部分130使用的冗余 指針160。雖然在圖1中顯示為分開的陣列，但主和冗余存儲器陣列110、 120可集成 在一個存儲器陣列中。在一個優(yōu)選實施例中，存儲器裝置采用包括外部電連接器的模 塊式緊縮手持單元形式，例如存儲器卡或棒，所述外部電連接器可與主機(jī)裝置(例如 數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼自動播放器或其他便攜式消費(fèi)產(chǎn)品)耦聯(lián)。
主和冗余存儲器陣列110、 120各自包括多個存儲器單元。所述存儲器單元可采 用任何適宜形式并且可為一次寫入(即一次編程)、多次寫入、或數(shù)次編程。所述存儲 器單元可呈單層構(gòu)造(即兩維陣列)或呈多個層彼此豎直堆疊于單個硅襯底上的構(gòu)造 (即三維陣列)，如頒予Johnson等人的美國專利第6,034,882號和頒予Knall等人的美 國專利第6,420,215號中所述，所述兩個專利案均讓與本發(fā)明的受讓人并且特此以引用 方式并入。雖然優(yōu)選地所述存儲器單元包括半導(dǎo)體材料，但可使用其他材料，例如(但 不限于)相變材料和非晶態(tài)固體以及那些用于MRAM和有機(jī)被動元件陣列的材料， 如特此以引用方式并入的美國專利第6，055，180號中所述。重要的是應(yīng)注意，除非在隨 附權(quán)利要求中明確提出，否則不應(yīng)將隨附權(quán)利要求視為規(guī)定存儲器裝置的具體類型(例 如一次寫入或多次寫入)或存儲器陣列的具體類型(例如二維或三維)。本發(fā)明將使用 包括串聯(lián)電容器和二極管的反熔絲存儲器單元來舉例說明這些優(yōu)選實施例。在未經(jīng)編 程狀態(tài)，所述反熔絲存儲器單元不導(dǎo)電，因為無電流通過電容器。然而，當(dāng)編程時， 通過擊穿電容器而形成細(xì)絲，并且，在編程狀態(tài)，所述反熔絲存儲器單元通過所述細(xì) 絲導(dǎo)電。如背景技術(shù)中所述，主存儲器陣列110中可存在缺陷。本文所述"缺陷"指 使得泄漏路徑激活而觸發(fā)存儲器單元的不正確讀取的任何機(jī)制。缺陷包括(但不限于) 存在于直到反熔絲存儲器中的反熔絲斷裂才在電方面被人們察覺的位置上的缺陷、導(dǎo) 至未經(jīng)選擇的逆向泄漏而增加斷電泄漏并觸發(fā)存儲器單元的不正確讀取的缺陷、以及
由高壓編程期間的局部加熱或電遷移誘發(fā)的缺陷。
圖2顯示多個字線(字線A、字線B、字線C)和位于兩個存儲器單元210、 220 之間的缺陷(顯示為橢圓形200)。字線A與字線B相鄰，而字線B與字線C相鄰。 此物理布置使得缺陷位于相鄰字線A和B上。應(yīng)注意，盡管所述缺陷顯示于存儲器單 元中(在電容器與二極管之間)，但本文件將稱所述缺陷位于字線A和B上(或字線 A和B包括所述缺陷)，因為所述缺陷可激活泄漏路徑而觸發(fā)存儲器單元沿所述字線 的不正確讀取。缺陷200可導(dǎo)致自存儲器單元210、 220讀出不正確的數(shù)據(jù)，因為在編 程存儲器單元210、 220后，缺陷200使字線A與字線B短接。當(dāng)設(shè)法讀取字線A上 的存儲器單元210時，將例如2V的讀取電壓施加至字線A，而其他的字線保持在例 如0V。由于缺陷200導(dǎo)致短路，字線A將因與相鄰字線B交戰(zhàn)而得不到整個2V (盡 管將其驅(qū)動至2V)。如圖2所示，所述短路使字線A上的電壓降低為IV (而非2V) 而字線B上的電壓升高為IV (而非OV)。 1V的中間電壓不足以在字線A的所有位中 導(dǎo)電，沿字線A的存儲器單元210可讀取為未經(jīng)編程而非經(jīng)編程。同時，字線B上的 中間電壓IV可能足以使得意外地讀取字線B上的數(shù)據(jù)而非字線A上的數(shù)據(jù)。
圖1中的冗余控制邏輯部分130可用于使用冗余陣列120中的冗余陣列字線150 來修復(fù)具有缺陷的主陣列字線140。(應(yīng)注意，由冗余控制邏輯130提供的傳輸中的冗 余方案也可用于檢測其他類型的錯誤(即不是由"缺陷"導(dǎo)致的錯誤))。在此實施例 中，主陣列110中的各主陣列字線140可存儲冗余指針160來將字線140指派給冗余 陣列120中的相應(yīng)字線150。在生產(chǎn)揀選期間標(biāo)記為壞的或在編程期間發(fā)現(xiàn)為壞的主 陣列字線140可通過寫入指向冗余陣列120中的行的冗余指針160來用冗余陣列120 中的字線150替換。應(yīng)注意，冗余陣列字線150可以任何期望方式與主陣列字線140 相關(guān)聯(lián)，例如通過使用直接映射、集合相關(guān)映射或完全相關(guān)映射算法，舉例來說。
運(yùn)行中，冗余控制邏輯部分130檢測主陣列110中已編程的字線140上是否存在 缺陷。如果在字線140上檢測到缺陷，那么用冗余陣列120中的字線150修復(fù)字線140。 當(dāng)冗余陣列120中的代換字線150取代主陣列110中字線140的位置時，那么字線140 被"修復(fù)"。冗余指針160存儲在主陣列110中與壞字線140相關(guān)聯(lián)的位置中。當(dāng)接收 到壞字線140的存儲器地址連同讀取或?qū)懭氩僮鲿r，與字線140相關(guān)聯(lián)的冗余指針160 被讀取并將冗余控制邏輯部分130指向冗余陣列120中的修復(fù)字線150。美國專利第 6,868,022號、美國專利申請案第US 2003-0115518 Al號和美國專利申請案第 11/024,516號提供優(yōu)選和替代冗余方案的額外信息，所述專利和專利申請案均讓于本 發(fā)明的受讓人并且特此以引用方式并入。
可使用各種機(jī)制來設(shè)法檢測字線上的缺陷。在一個實施例中，將信息逐頁寫入至 主存儲器IIO，并且冗余控制邏輯部分130包括頁緩沖器。(出于簡便的目的，本文件 將假定各字線可存儲一頁信息。當(dāng)然，可使用其他構(gòu)造方案。)運(yùn)行時，在用存儲在所 述頁緩沖器中的信息編程主陣列110中的各字線后，回讀所述字線，并且將存儲在所 述字線中的信息與存儲在所述頁緩沖器中的信息進(jìn)行比較。自所述字線回讀的信息與 存儲在所述頁緩沖器中的信息間的失配表明在所述字線上存在缺陷(或某另一類型的 錯誤)。如上所述，如果在主陣列110的字線上檢測到缺陷，那么用冗余陣列120中的 冗余字線修復(fù)所述字線，并且將適宜的冗余指針160寫在主陣列110中。(如上所述， 代替或除在編程期間將字線標(biāo)記為壞的(即"傳輸中的冗余")夕卜，可在生產(chǎn)揀選期間 將字線標(biāo)記為壞的。)
與檢測影響多個字線的缺陷相關(guān)的一個困難是，只有在編程所述字線中的至少兩 個后才可檢測所述缺陷。以圖2中所示缺陷200為例，只有在編程字線B后才能觀察 到字線A上的缺陷200。在編程字線A或B之前，缺陷200不影響字線A或B并且 檢測不到，因為其位于電容器的另一側(cè)(即不管缺陷200是否存在，所述兩個位均顯 示為開路。)編程字線A后，仍檢測不到缺陷200，因為字線B上的未經(jīng)編程存儲器 單元220的電容器使得缺陷200不能使字線A與字線B短接。然而，編程字線B后， 出現(xiàn)圖2中的狀況，并且產(chǎn)生上述短路問題。
冗余控制邏輯部分130可以解決此問題的方式設(shè)計。 一個實施例使用"兩遍"編 程解決方案。通常將存儲器陣列視為具有第一和第二字線(所用術(shù)語"第一"和"第 二"為通稱，不一定指存儲器陣列中的確切的第一和第二字線)，其中所述第一字線包 括僅在所述第二字線編程后才檢測到的缺陷(如同上述實例中的字線A)。在編程各個 字線后，設(shè)法檢測所述字線上的缺陷，并且如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所 述字線。這被視為第一遍編程。實施第二遍編程，重復(fù)上述舉動。由于所述第二字線 已在所述第一遍編程中被編程，所以當(dāng)在所述第二遍編程中重新編程所述第一字線時， 檢測到所述第一字線中的缺陷并且修復(fù)所述第一字線?，F(xiàn)在將結(jié)合圖3A-3D進(jìn)一步舉 例說明此實施例。
圖3A-3D顯示當(dāng)以兩遍編程方案將頁0-4編程入字線A-E中時的編程步驟順序。 在所述兩遍的每一遍中，在用信息頁編程各個字線后，自所述字線回讀所述信息頁并 將其與存儲在頁緩沖器中的信息進(jìn)行比較。失配表明存在缺陷(或某另一類型的錯誤)，
且實施修復(fù)操作。應(yīng)注意，雖然此實例中的一遍編程包括五個字線，但一遍編程可含 有較少或較大數(shù)目的字線。舉例來說， 一遍編程可僅包括兩個字線或包括存儲器陣列 中的所有字線。
圖3A圖解說明在第一遍編程期間在將信息頁(頁0)編程入字線A中后的主和 冗余存儲器陣列IIO、 120 (在字線A和B中有缺陷，如上所述)。盡管字線A含有缺 陷，但卻檢測不到缺陷，因為字線B尚未編程。換句話說，尚未產(chǎn)生使得字線A上的 缺陷能被檢測到的短路。因此，當(dāng)信息被讀出字線A時，其將與存儲在頁寄存器中的 信息相匹配(假定不發(fā)生其他錯誤)。接下來，將頁1編程入字線B中(參見圖3B)。 現(xiàn)在字線A和B均被編程，在所述兩個字線間產(chǎn)生短路。當(dāng)從字線B讀出的信息與存 儲在頁寄存器中的字線B的信息不匹配時檢測到缺陷，并通過將頁1編程入冗余陣列 120中的字線中而修復(fù)字線B。在主陣列110中編程指向冗余陣列120中的所述字線 的冗余指針160。所述第一遍編程操作繼續(xù)進(jìn)行，頁2、 3和4被分別成功編程入主陣 列110中的字線C、 D和E中(參見圖3C)。然后所述第一遍編程操作結(jié)束。盡管現(xiàn) 在己修復(fù)字線B，但字線A中的頁O現(xiàn)在卻遭到破壞。
在所述第一遍編程操作結(jié)束后，第二遍編程操作開始，重復(fù)上述舉動。然而，此 時，在將頁O編程入字線A中后，現(xiàn)在存在于字線A和B之間的短路(但在第一次 編程字線A時不存在)使得檢測到缺陷。響應(yīng)于所檢測到的缺陷，通過將頁0編程入 冗余陣列120中的字線中而修復(fù)字線A，并且將適宜的冗余指針160編程在主陣列110 中。所述第二遍編程操作繼續(xù)進(jìn)行并且在將頁4編程入字線E后結(jié)束。因此，在所述 第一遍編程期間檢測到字線B上的缺陷并且修復(fù)字線B，而在所述第二遍編程期間檢 測到字線A上的缺陷并且修復(fù)字線A。
圖4A-4D圖解說明另一實施例。如同上文結(jié)合圖3A-3D所述的實施例，編程多 個主陣列字線140，并且在編程每一字線140后，設(shè)法檢測所述字線上的缺陷。然而， 在此實施例中，如果在給定字線上檢測到缺陷，那么不僅用冗余字線150修復(fù)所述字 線，而且也修復(fù)先前編程的相鄰字線?，F(xiàn)在參看圖4A，將頁O編程入字線A。如同圖 3A，盡管字線A包含缺陷，但不能檢測到缺陷，因為尚未編程字線B來在字線A和 B之間產(chǎn)生短路。在圖4B中編程繼續(xù)進(jìn)行，將頁1編程入字線B?，F(xiàn)在字線A和B 均被編程，檢測到字線B中的缺陷，并且使用冗余陣列字線150修復(fù)字線B。在此實 施例中，冗余控制邏輯部分130也使用冗余陣列字線150修復(fù)字線A，如圖4C中所 示。然后編程操作繼續(xù)進(jìn)行，將頁2、 3和4分別成功編程入主陣列110的字線C、 D 和E中(參見圖4D)。
由此闡釋可看出，此實施例通過避免重新編程不含缺陷的字線而降低進(jìn)行完整的 兩遍編程的帶寬開銷。換句話說，此實施例通過僅重新編程第一遍編程失敗的字線和 先前編程的相鄰字線而實現(xiàn)高質(zhì)量和高帶寬的編程。(在替代的實施例中，如果在給定 字線(例如字線B)上檢測到缺陷，不僅修復(fù)所述字線(例如字線B)和所述先前編 程的相鄰字線(例如字線A),而且也修復(fù)尚待編程的相鄰字線(例如字線C))。
在再一實施例中，冗余控制邏輯部分130 (設(shè)計有足夠大的頁緩沖器)不是設(shè)法 檢測剛編程的字線上的缺陷，而是可設(shè)法檢測所述字線以及先前編程的相鄰字線上的 缺陷。圖5A-5C圖解說明此實施例。在圖5A中，將頁O編程入字線A中。如同先前 的圖中，盡管字線A含有缺陷，但不能檢測到缺陷，因為尚未編程字線B。在圖5B 中，將頁1編程入字線B中。然而，不是回讀以及比較存儲在字線B中的信息，而是 同時回讀字線A和B并且與頁緩沖器中的相應(yīng)信息進(jìn)行比較。此將不僅檢測字線B 中的錯誤，而且檢測字線A中的錯誤，字線A中的錯誤現(xiàn)在之所以可檢測是因為字線 A和B之間存在短路。然后用冗余陣列字線150修復(fù)所述兩個字線。然后所述編程操 作繼續(xù)進(jìn)行，將頁2、 3禾卩4分別成功編程入主陣列110中的字線C、 D和E中(參見 圖5C)。
有數(shù)種替代方案可用于這些優(yōu)選實施例。舉例來說，在上述實施例中，通過回讀 一字線并且將其內(nèi)容與存儲在頁寄存器中的信息進(jìn)行比較來設(shè)法檢測字線上的缺陷。
不是使用分開的讀取操作逐個字線地測定一字線的內(nèi)容是否與頁緩沖器的內(nèi)容相匹 配，而是在設(shè)法編程各存儲器單元的同時感測存儲器單元的編程/未經(jīng)編程狀態(tài)。此在
編程的同時進(jìn)行感測的技術(shù)詳細(xì)描述于美國專利第6,574,145號中，所述專利讓與本發(fā) 明的受讓人并且特此以引用方式并入。并且，在上述實施例中，冗余控制邏輯部分130 提供傳輸中的冗余/自修復(fù)功能。在替代實施例中，代替冗余/自修復(fù)"芯片上"支持的 是，與所述存儲器裝置通信的主機(jī)裝置負(fù)責(zé)冗余操作。另外，應(yīng)注意，上述"傳輸中 的"自修復(fù)功能可于在現(xiàn)場(由終端用戶)編程主陣列110時或在工廠(例如當(dāng)用數(shù) 據(jù)編程主陣列IIO或測試主陣列110時)使用。
另外，重新編程可使用完全相同的條件或使用不同的邊際設(shè)置來適應(yīng)重新編程條 件，從而標(biāo)注出并且由此修復(fù)受薄弱缺陷影響的存儲器單元。整個存儲器的編程可能 因為存在降低所選擇位上的有效電壓或有效電流的泄漏而產(chǎn)生邊際0單元(應(yīng)編程至 導(dǎo)通狀態(tài)的單元)，或因為在所選擇位或位線上存在增加所選擇位上的電流的泄漏而產(chǎn) 生邊際1單元(應(yīng)在斷開狀態(tài)不編程的單元)。邊際0單元可用低讀取電壓和/或高讀 取參考電流檢測。邊際l單元可用高讀取電壓和/或低讀取參考電流檢測。 一遍缺省編 程同時具有l(wèi)單元和o單元的邊際。因此可通過僅用缺省1單元和0單元邊際編程整
個存儲器兩次或通過兩遍編程步驟使用不同的邊際來達(dá)成高合格率。上述說明內(nèi)容應(yīng) 理解為舉例說明本發(fā)明可采用的所選形式，而非界定本發(fā)明。本發(fā)明的范疇僅將由隨
附權(quán)利要求書(包括所有等效內(nèi)容在內(nèi))來界定。最后，應(yīng)注意，本文所述任何優(yōu)選
實施例的任何方面均可單獨使用或彼此間組合使用。
權(quán)利要求
1、一種用于編程存儲器陣列的方法，所述方法包括(a)編程存儲器陣列中的第一和第二字線，其中所述第一字線包括僅在編程所述第二字線后才可檢測到的缺陷；(b)在編程各個字線后(b1)設(shè)法檢測所述字線上的缺陷；和(b2)如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線；和(c)重復(fù)(a)和(b)，從而在第二次實施(a)和(b)時檢測所述第一字線上的所述缺陷并且修復(fù)所述第一字線。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在第一次實施(a)和(b)時檢測所述第二字線上 的所述缺陷并且修復(fù)所述第二字線。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述存儲器陣列中所述第一字線與所述第 二字線相鄰。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器陣列包括多個一次寫入存儲器單元。
5、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述一次寫入存儲器單元包括反熔絲存儲器單元。
6、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器陣列包括三維存儲器陣列，所述 三維存儲器陣列包括多個彼此豎直堆疊在單個硅襯底上的存儲器單元層。
7、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中(a)包括編程第一和第二字線和所述存儲器陣 列中的至少一另外的字線。
8、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中(bl)包括讀取存儲在所述字線中的信息并且將 所述讀取信息與存儲在緩沖器中的信息進(jìn)行比較。
9、 一種用于編程存儲器陣列的方法，所述方法包括(a) 編程存儲器陣列中的多個字線；和(b) 在編程各個字線后，(bl)設(shè)法檢測所述字線上的缺陷；和(b2)如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線和先前編程的相鄰字線，從而修復(fù)所述先前編程的相鄰字線，即使在編程所述先前編程的相鄰字線后未檢 測到所述先前編程的相鄰字線上的缺陷。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中(b2)包括如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線、先前編程的相鄰字線和尚待編程的相鄰字線。
11、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述存儲器陣列包括多個一次寫入存儲器單元。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述一次寫入存儲器單元包括反瑢絲存儲器單元。
13、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述存儲器陣列包括三維存儲器陣列，所述 三維存儲器陣列包括多個彼此豎直堆疊在單個硅襯底上的存儲器單元層。
14、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中(bl)包括讀取存儲在所述字線中的信息并且 將所述讀取信息與存儲在緩沖器中的信息進(jìn)行比較。
15、 一種用于編程存儲器陣列的方法，所述方法包括-(a) 編程存儲器陣列中的多個字線；和(b) 在編程各個字線后，(bl)設(shè)法檢測所述字線和先前編程的相鄰字線上的缺陷；和(b2)如果在所述字線上檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線和所述先 前編程的相鄰字線，從而修復(fù)所述先前編程的相鄰字線，即使在編程所述先前編程的 相鄰字線后未檢測到所述先前編程的相鄰字線上的缺陷。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述存儲器陣列包括多個一次寫入存儲器 單元。
17、 如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述一次寫入存儲器單元包括反熔絲存儲 器單元。
18、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述存儲器陣列包括三維存儲器陣列，所 述三維存儲器陣列包括多個彼此豎直堆疊在單個硅襯底上的存儲器單元層。
19、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中(bl)包括讀取存儲在所述字線和先前編程的 相鄰字線中的信息并且將所述讀取信息與存儲在緩沖器中的信息進(jìn)行比較。
全文摘要
本發(fā)明揭示用于編程存儲器陣列的方法和設(shè)備。在一個實施例中，在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述字線上的缺陷。如果檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線。然后重新編程所述字線并重新檢查是否有缺陷。在另一個實施例中，在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述字線上的缺陷。如果檢測到缺陷，那么將所述字線與先前編程的相鄰字線一起修復(fù)。在再一個實施例中，在編程各個字線后，設(shè)法檢測所述字線和先前編程的相鄰字線上的缺陷。如果在所述字線上檢測到缺陷，那么用冗余字線修復(fù)所述字線和所述先前編程的相鄰字線。
文檔編號G11C29/00GK101189683SQ200680019980
公開日2008年5月28日 申請日期2006年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月22日
發(fā)明者于承恩, 本迪克·克萊韋蘭, 鋒 李, 李泰元, 嘉 楊, 楊曉宇 申請人:桑迪士克3D公司