專利名稱：記錄設(shè)備、記錄方法、盤制造方法和光盤記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于利用凹坑(pit)和岸臺(tái)(land)的組合來(lái)將數(shù)據(jù)記錄 到光盤記錄介質(zhì)上的記錄設(shè)備和用于該記錄設(shè)備的記錄方法。本發(fā)明還涉 及其上利用凹坑和岸臺(tái)的這種組合而記錄有數(shù)據(jù)的光盤記錄介質(zhì)和制造該 介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
光盤，尤其是例如ROM盤這樣的只讀光盤，在全世界都被用作封裝 介質(zhì)，因?yàn)槊繌埍P的復(fù)制基片(substrate)可以在短時(shí)間內(nèi)以低成本利用 單個(gè)壓模通過(guò)塑料注射成型來(lái)大規(guī)模地生產(chǎn)。例如，CD (致密盤)和 DVD (數(shù)字多功能盤)被廣泛地用作ROM盤，其上記錄有信息，例如一 段音樂(lè)或視頻圖像。
相關(guān)技術(shù)在日本專利No. 3454410中公開(kāi)。

發(fā)明內(nèi)容
雖然每張ROM盤的復(fù)制基片可以如上所述地在短時(shí)間內(nèi)以低成本大 規(guī)模生產(chǎn)，但是就其記錄形式而言，記錄的數(shù)據(jù)無(wú)法被重寫。如果記錄在 ROM盤上的數(shù)據(jù)可被重寫，則可以提供在其上能夠?qū)τ涗浀臄?shù)據(jù)進(jìn)行重 寫的光盤記錄介質(zhì)(例如可寫盤)，同時(shí)保持上述優(yōu)點(diǎn)。這是極為優(yōu)選 的。
考慮到上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了包括以下要素的記錄設(shè)備。 換言之，該記錄設(shè)備是用于光盤記錄介質(zhì)的，該介質(zhì)包括至少被反射 層和覆蓋層所覆蓋的基片并且通過(guò)在基片中形成的凹坑和岸臺(tái)的組合而被 記錄以數(shù)據(jù)。該設(shè)備包括激光照射裝置，用于利用具有預(yù)定激光功率的激 光來(lái)照射光盤記錄介質(zhì)，以將基片的被照射部分變形成凸起部分。
該設(shè)備還包括記錄控制裝置，用于控制激光照射裝置，以使得光盤記 錄介質(zhì)中的預(yù)定的凹坑或岸臺(tái)被用具有預(yù)定激光功率的激光所照射。
如上所述，基片被用激光照射，并且被照射部分被變形成凸起部分， 從而使得布置在基片上的反射層也被變形成具有凸起部分。對(duì)于預(yù)定的凹 坑，由上述基片的變形引起的反射層的每個(gè)凸起部分的變形狀態(tài)允許在每 個(gè)凹坑中獲得至少正的再現(xiàn)信號(hào)電平。換言之，變形允許了獲得等同于每 個(gè)岸臺(tái)中的再現(xiàn)信號(hào)電平的再現(xiàn)信號(hào)電平(以下此變形將被稱為"凹坑到
岸臺(tái)(pit-to-land)變形")。對(duì)于預(yù)定的岸臺(tái)，該變形允許了在每個(gè)岸臺(tái)
中獲得至少負(fù)的再現(xiàn)信號(hào)電平。換言之，變形允許了獲得等同于每個(gè)凹坑 中的再現(xiàn)信號(hào)電平的再現(xiàn)信號(hào)電平(以下此變形將被稱為"岸臺(tái)到凹坑
(land-to-pit)變開(kāi)》")。
在此情況下，由于每個(gè)凸起部分的變形狀態(tài)可基于用于照射的激光的 功率來(lái)控制，因此凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑變形可通過(guò)設(shè)置激光功率 來(lái)執(zhí)行。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光盤記錄介質(zhì)(原始數(shù)據(jù)記錄盤)的
截面圖，該介質(zhì)充當(dāng)記錄設(shè)備的記錄目標(biāo)。
圖2是說(shuō)明根據(jù)該實(shí)施例制造光盤記錄介質(zhì)的過(guò)程的圖。
圖3是說(shuō)明要記錄到圖1所示的光盤記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)圖。
圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的記錄設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。 圖5是示出對(duì)照在通過(guò)激光照射執(zhí)行記錄的部分(被記錄部分)中的 激光功率Pw而繪制的再現(xiàn)信號(hào)電平的變化特性的圖。
圖6包括示意性地示出當(dāng)在岸臺(tái)中執(zhí)行記錄時(shí)在基片上的觀察結(jié)果的圖。
圖7包括示意性地示出當(dāng)在凹坑中執(zhí)行記錄時(shí)在基片上的觀察結(jié)果的圖。
圖8包括示意性地示出當(dāng)在岸臺(tái)中執(zhí)行記錄時(shí)通過(guò)改變激光功率而引 起的基片截面變化和利用該變化而獲得的再現(xiàn)信號(hào)波形的圖。
圖9包括示意性地示出當(dāng)在凹坑中執(zhí)行記錄時(shí)通過(guò)改變激光功率而引
起的基片截面變化和利用該變化而獲得的再現(xiàn)信號(hào)波形的圖。
圖10是說(shuō)明在本實(shí)施例的應(yīng)用示例中要記錄到光盤記錄介質(zhì)上的記
錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)圖。
圖11是說(shuō)明本實(shí)施例的應(yīng)用示例中的記錄操作的圖。 圖12是說(shuō)明本實(shí)施例的應(yīng)用示例中的記錄操作的圖。
圖13是示出在本實(shí)施例的應(yīng)用示例中要存儲(chǔ)在記錄設(shè)備中的數(shù)據(jù)的 描述的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)圖。
圖14是為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例的應(yīng)用示例中的操作在記錄設(shè)備中要執(zhí)行 的操作的流程圖。
圖15是說(shuō)明在按2T執(zhí)行邊緣偏移的情況下的操作的圖。
圖16包括說(shuō)明在通過(guò)擴(kuò)展凹坑來(lái)執(zhí)行邊緣偏移的情況下的操作的
具體實(shí)施例方式
將描述用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式(以下稱為"實(shí)施例")。描述將
按以下順序進(jìn)行
<1.光盤記錄介質(zhì)>; <2.記錄設(shè)備>; <3.記錄的原理>;以及
<4.應(yīng)用示例>。
<1.光盤記錄介質(zhì)〉
圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光盤記錄介質(zhì)(原始數(shù)據(jù)記錄盤D16)的截
面圖，該介質(zhì)充當(dāng)記錄設(shè)備的記錄目標(biāo)。
根據(jù)本實(shí)施例的原始數(shù)據(jù)記錄盤D16是只讀(ROM)盤。具體而 言，該盤具有基于被稱為藍(lán)光盤(注冊(cè)商標(biāo))的盤標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和格式。
如圖所示，該盤D16包括基片101、布置在基片101上的反射層102 以及利用UV固化樹(shù)脂(或紅外固化樹(shù)脂)104與反射層102粘合的覆蓋
層103?；?01的與反射層102相接觸的表面具有不規(guī)則的樣式。每個(gè) 凹陷的部分對(duì)應(yīng)于一個(gè)凹坑，每個(gè)凸起的部分對(duì)應(yīng)于一個(gè)岸臺(tái)。在盤D16 中，數(shù)據(jù)是利用凹坑和岸臺(tái)的組合來(lái)記錄的，具體而言，是利用各個(gè)凹坑 的長(zhǎng)度和各個(gè)岸臺(tái)的長(zhǎng)度的組合來(lái)記錄的。
由于反射層102被布置在基片101上，因此反射層102也具有與上述 凹坑和岸臺(tái)的樣式相對(duì)應(yīng)的不規(guī)則截面。反射層102例如是金屬膜。當(dāng)被 物鏡會(huì)聚的激光如圖所示通過(guò)覆蓋層103和UV固化樹(shù)脂104被施加到反 射層102時(shí)，獲得根據(jù)不規(guī)則性的反射光。下面將描述的記錄設(shè)備50可 基于利用激光照射的反射層102所反射的光來(lái)讀取利用凹坑和岸臺(tái)的組合 而記錄的數(shù)據(jù)。
圖2是說(shuō)明根據(jù)該實(shí)施例制造上述原始數(shù)據(jù)記錄盤D16和制作光盤記 錄介質(zhì)(盤100)的過(guò)程的圖，每個(gè)介質(zhì)是通過(guò)重寫記錄在盤D16上的數(shù) 據(jù)而獲得的。
為了制作盤100 (原始數(shù)據(jù)記錄盤D16)，首先執(zhí)行圖中的格式化步 驟Sll。格式化步驟Sll例如是利用計(jì)算機(jī)來(lái)執(zhí)行的。
在格式化步驟Sll中，執(zhí)行轉(zhuǎn)換操作以獲得與要記錄在原始數(shù)據(jù)記錄 盤D16 (盤100)上的內(nèi)容數(shù)據(jù)(用戶數(shù)據(jù))相對(duì)應(yīng)的按預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)格式化 的數(shù)據(jù)流。換言之，在本實(shí)施例中，執(zhí)行轉(zhuǎn)換操作以獲得如圖3所示的根 據(jù)藍(lán)光盤標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)流(后面將描述)。實(shí)際上，還執(zhí)行了向用戶數(shù)據(jù)添 加檢錯(cuò)碼和糾錯(cuò)碼以及交織的操作。
在可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12中，對(duì)在格式化步驟Sll中生成的數(shù)據(jù)流執(zhí) 行可變長(zhǎng)度調(diào)制。在本實(shí)施例中，執(zhí)行Rll (1， 7) PP (奇偶保留/禁止， RLL:游程長(zhǎng)度受限)調(diào)制和NRZI (非回零逆轉(zhuǎn))調(diào)制。在可變長(zhǎng)度調(diào) 制步驟S12中獲得的數(shù)據(jù)流中的比特"0"和"1"的樣式充當(dāng)將要利用凹 坑和岸臺(tái)的組合實(shí)際記錄到原始數(shù)據(jù)記錄盤D16 (盤100)上的數(shù)據(jù)(也
稱為"原始數(shù)據(jù)")的樣式。
然后，執(zhí)行主盤產(chǎn)生歩驟S13。主盤產(chǎn)生步驟S13是利用主控設(shè)備來(lái) 執(zhí)行的。
在主盤產(chǎn)生步驟S13中，首先，玻璃主盤被覆蓋以光刻膠。根據(jù)上述
可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12中生成的原始數(shù)據(jù)的激光在覆蓋了光刻膠的玻璃主 盤被旋轉(zhuǎn)的同時(shí)被施加到主盤，從而沿著記錄軌道形成不規(guī)則的樣式，即 凹坑和岸臺(tái)。
然后，其中形成了凹坑和岸臺(tái)的抗蝕劑被顯影，從而將樣式固定到玻 璃主盤上。所得到的主盤的表面經(jīng)歷電解電鍍，從而產(chǎn)生如圖所示的金屬 主盤D14。
利用這樣產(chǎn)生的金屬主盤D14執(zhí)行盤形成步驟S15。
在盤形成步驟S15中，利用上述金屬主盤D14形成壓模。該壓模被布 置在注模(injection mold)中，然后，透明樹(shù)脂(例如聚碳酸酯或者亞克 力(acryl))的基片101由注模機(jī)形成。每個(gè)基片101具有沿著記錄軌道 的凹坑和岸臺(tái)的樣式，這些凹坑和岸臺(tái)是基于在前述可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟 S12中生成的原始數(shù)據(jù)的。
基片101通過(guò)蒸發(fā)作用而被覆蓋以反射層102。覆蓋層103被用UV 固化樹(shù)脂104粘合到反射層102。從而形成了其上僅記錄有基于凹坑和岸 臺(tái)的組合的數(shù)據(jù)(原始數(shù)據(jù))的原始數(shù)據(jù)記錄盤D16。
然后，執(zhí)行數(shù)據(jù)重寫步驟S17。
換言之，在此歩驟中，后面將參考圖4描述的記錄設(shè)備50利用激光 照射如上所述形成的原始數(shù)據(jù)記錄盤D16，以重寫記錄的原始數(shù)據(jù)，從而
產(chǎn)生根據(jù)該實(shí)施例的盤ioo。
后面將描述根據(jù)另一實(shí)施例通過(guò)記錄設(shè)備50重寫記錄的數(shù)據(jù)。
圖3示出記錄在通過(guò)上述制造過(guò)程制作的每張盤100 (原始數(shù)據(jù)記錄 盤D16)上的信息信號(hào)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
如圖所示，定義一個(gè)被稱為RUB的記錄單元。 一個(gè)RUB由16個(gè)扇 區(qū)和兩個(gè)鏈接幀組成。鏈接幀是作為兩個(gè)RUB之間的緩沖區(qū)域提供的。
每個(gè)扇區(qū)由31個(gè)幀組成，如圖所示。每個(gè)幀包括1392通道比特的數(shù) 據(jù)。在此情況下，每個(gè)幀包括單個(gè)地址單元。
在本實(shí)施例中例示的藍(lán)光盤中，記錄在盤上的信息信號(hào)遵守RLL (1， 7) PP調(diào)制規(guī)則。因此，連續(xù)的代碼"0"和"1"的數(shù)目(即凹坑和 岸臺(tái)中每一個(gè)的長(zhǎng)度)限于2T (通道比特)到8T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度。
對(duì)于位于每個(gè)幀的頭部的"sync"，不遵循該調(diào)制規(guī)則的9T的連續(xù)代
碼被布置并用于在再現(xiàn)期間檢測(cè)幀同步信號(hào)。
<2.記錄設(shè)備>
圖4示出根據(jù)該實(shí)施例的記錄設(shè)備50的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，該記錄設(shè)備50在 圖2所示的數(shù)據(jù)重寫步驟S17中利用激光照射原始數(shù)據(jù)記錄盤D16以產(chǎn)生 盤100。
首先，盤D16在被置于轉(zhuǎn)盤(未示出)上的同時(shí)被主軸電機(jī)51根據(jù) 預(yù)定的旋轉(zhuǎn)方法所旋轉(zhuǎn)。圖中所示的光學(xué)拾取裝置OP從如上所述旋轉(zhuǎn)的 盤D16讀取記錄的信號(hào)(記錄的數(shù)據(jù))。
光學(xué)拾取裝置OP包括充當(dāng)如圖所示的激光源的激光二極管LD、用于 將激光聚焦到盤D16的記錄表面上的物鏡52a和用于檢測(cè)被利用激光照射 的盤D16所反射的光的光電探測(cè)器PD。
光學(xué)拾取裝置OP還包括在聚焦方向和跟蹤方向上可移動(dòng)地支撐物鏡 52a的雙軸機(jī)構(gòu)52。雙軸機(jī)構(gòu)52基于從雙軸驅(qū)動(dòng)電路56 (后面描述)提 供來(lái)的聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD和跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD，在上述聚焦和跟蹤方向上移 動(dòng)物鏡52a。
為了確認(rèn)，上述聚焦方向是物鏡52a移動(dòng)得更靠近或更遠(yuǎn)離盤D16的 方向。
作為由上述光學(xué)拾取裝置OP中的光電探測(cè)器PD所檢測(cè)的反射光的 信息被IV轉(zhuǎn)換電路53轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。然后，電信號(hào)被提供到矩陣電路 54。矩陣電路54基于從IV轉(zhuǎn)換電路53提供來(lái)的反射光信息，生成再現(xiàn) 信號(hào)RF、跟蹤差錯(cuò)信號(hào)TE和聚焦差錯(cuò)信號(hào)FE。
伺服電路55對(duì)從矩陣電路54提供來(lái)的跟蹤差錯(cuò)信號(hào)TE和聚焦差錯(cuò) 信號(hào)FE執(zhí)行用于相位補(bǔ)償?shù)念A(yù)定操作，例如濾波和環(huán)路增益處理，以生 成跟蹤伺服信號(hào)TS和聚焦伺服信號(hào)FS。伺服電路55將跟蹤伺服信號(hào)TS 和聚焦伺服信號(hào)FS提供到雙軸驅(qū)動(dòng)電路56。
雙軸驅(qū)動(dòng)電路56基于跟蹤伺服信號(hào)TS和聚焦伺服信號(hào)FS生成跟蹤 驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD和聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD，并將生成的信號(hào)提供到雙軸機(jī)構(gòu)52的 跟蹤線圈和聚焦線圈。
圖中所示的光電探測(cè)器PD、 IV轉(zhuǎn)換電路53、矩陣電路54、伺服電路 55、雙軸驅(qū)動(dòng)電路56和雙軸機(jī)構(gòu)52構(gòu)成跟蹤伺服環(huán)路和聚焦伺服環(huán)路。 跟蹤伺服環(huán)路和聚焦伺服環(huán)路的布置允許進(jìn)行控制，以使得施加到盤D16 的激光的射束點(diǎn)跟蹤形成在盤D16中的凹坑(記錄軌道)的序列，并且射 束點(diǎn)被保持在適當(dāng)?shù)木劢範(fàn)顟B(tài)。
由上述矩陣電路54生成的再現(xiàn)信號(hào)KF被提供到二進(jìn)制化電路57，其 中執(zhí)行PRML (部分響應(yīng)最大似然)解碼以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)"0"或 "1" 。 二進(jìn)制數(shù)據(jù)被提供到同步檢測(cè)電路58和PLL (鎖相環(huán))電路59。
PLL電路59生成與提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)同步的時(shí)鐘CLK，并且將時(shí)鐘 作為工作時(shí)鐘提供到必要的組件。具體而言，時(shí)鐘CLK被作為上述二進(jìn) 制化電路57以及下面將描述的組件(即同步檢測(cè)電路58、地址檢測(cè)電路 60和寫脈沖生成電路61)中的每一個(gè)的工作時(shí)鐘。
同步檢測(cè)電路58從所提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)中檢測(cè)布置在圖3所示的每 一幀中的同步樣式。具體而言，同步檢測(cè)電路58檢測(cè)充當(dāng)同歩樣式的9T 的片段，以執(zhí)行幀同步檢測(cè)。
幀同步信號(hào)被提供到地址檢測(cè)電路60和必要的組件。
地址檢測(cè)電路60基于上述幀同步信號(hào)和提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)地 址信息ADR。檢測(cè)到的地址信息ADR被提供到控制器65。地址信息 ADR還被提供到寫脈沖生成電路61中的寫脈沖生成器63。
寫脈沖生成電路61包括寫脈沖生成器63和RAM (隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ) 器)62，如圖所示。
寫脈沖生成電路61接收重寫指定數(shù)據(jù)，該重寫指定數(shù)據(jù)用于指定其 中要重寫記錄在盤D16上的原始數(shù)據(jù)的位置。同時(shí)，從上述地址檢測(cè)電路 60提供來(lái)的地址信息ADR和從PLL電路59提供來(lái)的時(shí)鐘CLK被提供到 寫脈沖生成電路61。
例如，對(duì)于重寫指定數(shù)據(jù)，提供了利用數(shù)據(jù)串指示重寫位置的信息， 在所述數(shù)據(jù)串中的每一個(gè)中，對(duì)應(yīng)于每個(gè)重寫位置的數(shù)據(jù)值是"1"，其 他數(shù)據(jù)值是"0"。寫脈沖生成器63將數(shù)據(jù)串存儲(chǔ)到RAM 62中。在盤 D16的重放期間，寫脈沖生成器63基于地址信息ADR和時(shí)鐘CLK所產(chǎn)生
的定時(shí)，將數(shù)據(jù)串作為如圖所示的寫脈沖信號(hào)Wrp輸出到激光控制電路 64。例如，用于將記錄的數(shù)據(jù)重寫在適當(dāng)?shù)闹付ㄎ恢弥械膶懨}沖信號(hào)Wrp 由上述操作生成。
激光控制電路64基于從上述寫脈沖生成電路61輸出的寫脈沖信號(hào) Wrp，控制光學(xué)拾取裝置OP中的激光二極管LD的激光功率。具體而言， 在此情況下，激光控制電路64在寫脈沖信號(hào)Wrp處于低(L)電平時(shí)控制 激光二極管LD以輸出具有再現(xiàn)功率的激光。當(dāng)寫脈沖信號(hào)Wrp處于高 (H)電平時(shí)，激光控制電路64控制激光二極管LD以輸出具有記錄功率 的激光。
控制器65例如包括微計(jì)算機(jī)，并且控制整個(gè)記錄設(shè)備50。 例如，控制器65向伺服電路55給出目標(biāo)地址，從而控制搜索 (seeking)操作。換言之，當(dāng)指定目標(biāo)地址時(shí)，控制器65允許伺服電路
55通過(guò)光學(xué)拾取裝置OP在目標(biāo)地址中執(zhí)行訪問(wèn)操作。
此外，當(dāng)向伺服電路55給出跳軌(track jump)指令時(shí)，控制器65允
許伺服電路55關(guān)斷跟蹤伺服環(huán)路并執(zhí)行跳軌操作。
<3.記錄的原理〉
一個(gè)實(shí)施例涉及通過(guò)上述記錄設(shè)備50重寫記錄在盤D16上的數(shù)據(jù)， 該數(shù)據(jù)是利用凹坑和岸臺(tái)的組合來(lái)記錄的。下面將描述原理。
圖5至圖9示出通過(guò)經(jīng)由記錄設(shè)備50利用具有記錄功率的激光實(shí)際地 照射原始數(shù)據(jù)記錄盤D16而進(jìn)行記錄的結(jié)果。
圖5示出對(duì)照在通過(guò)激光照射執(zhí)行記錄的部分(被記錄部分)中的激 光功率Pw (mW)而繪制的再現(xiàn)信號(hào)電平的變化特性。
在此圖中，被記錄部分中的每個(gè)再現(xiàn)信號(hào)電平的變化由被記錄部分中 的再現(xiàn)信號(hào)電平(Levd一wrt )和未記錄部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平 (Level—non)之間的差來(lái)表達(dá)。在此圖中，在凹坑上執(zhí)行的記錄的情況下 獲得的再現(xiàn)信號(hào)電平的變化特性由實(shí)圈和虛線的組合來(lái)表達(dá)。在岸臺(tái)上執(zhí) 行記錄的情況下獲得的再現(xiàn)信號(hào)電平的變化特性由實(shí)三角和實(shí)線的另一組 合來(lái)表達(dá)。
作為參考，現(xiàn)在將描述獲得圖5所示的結(jié)果時(shí)設(shè)置的條件，如下
基片101 ...聚碳酸酯；
反射層102…鋁(Al) 70、鐵(Fe) 15、銅(Cu) 15;
覆蓋層103和反射層102之間的粘合劑...UV固化樹(shù)脂104;
激光照射時(shí)間(寫脈沖寬度)=30ns;
線速度=4.917 m/s;
激光波長(zhǎng)入二405 nm;并且
數(shù)值孔徑NA-0.85。
對(duì)于實(shí)線所指示的在岸臺(tái)中的記錄(以下稱為岸臺(tái)記錄)，激光功率 Pw從最低水平Pw-ll上升。被記錄部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平和未記錄部分 中的再現(xiàn)信號(hào)電平之間沒(méi)有差異，直到激光功率Pw達(dá)到某個(gè)水平為止
(在圖中Pw約為17 mW)。當(dāng)激光功率Pw進(jìn)一步增大時(shí)，被記錄部分 中的再現(xiàn)信號(hào)電平和未記錄部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平之間的差具有負(fù)值。換 言之，在此特性中，被記錄部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平在激光功率Pw達(dá)到該 某個(gè)水平之后降低。
在此情況下，當(dāng)激光功率Pw大約為比如上所述再現(xiàn)信號(hào)電平開(kāi)始降 低的水平更高的Pw-12水平的情況下，再現(xiàn)信號(hào)電平大約降低到凹坑的再 現(xiàn)信號(hào)電平(以下稱之為凹坑電平)的一半，從而開(kāi)始記錄。換言之，再 現(xiàn)信號(hào)電平具有負(fù)值，從而實(shí)現(xiàn)岸臺(tái)到凹坑變形。
當(dāng)激光功率Pw約為Pw-12水平時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)電平根據(jù)被記錄部分而 波動(dòng)，導(dǎo)致不穩(wěn)定的記錄(在此情況下是不穩(wěn)定的岸臺(tái)到凹坑變形)。對(duì) 于岸臺(tái)記錄，當(dāng)激光功率Pw被設(shè)置為高于上述Pw-12水平時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)
電平可被進(jìn)一步降低。當(dāng)激光功率Pw處于圖中所示的Pw-13水平時(shí)，再 現(xiàn)信號(hào)電平可穩(wěn)定在低于凹坑電平的電平。因此，為了確保岸臺(tái)到凹坑變 形，激光功率Pw可被設(shè)置為Pw-12水平或更高，最好大約為Pw-13水平。
另一方面，對(duì)于凹坑中的記錄(以下稱之為凹坑記錄)，當(dāng)激光功率 Pw從Pw-pl水平增大時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)電平被穩(wěn)定地增大。在圖中的激光功 率水平Pw-p2，再現(xiàn)信號(hào)電平上升到鏡像電平(岸臺(tái)的再現(xiàn)信號(hào)電平)的 大約一半或更高。換言之，再現(xiàn)信號(hào)電平被切換到正值，從而實(shí)現(xiàn)凹坑到
岸臺(tái)變形。
在激光功率Pw上升到Pw-p2水平之后，再現(xiàn)信號(hào)電平趨向于降低。 在激光功率Pw約為Pw-p3水平或更高之后，再現(xiàn)信號(hào)電平穩(wěn)定到低于原 始凹坑電平的電平。
如上所述，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在凹坑記錄期間，當(dāng)激光功率Pw約為Pw-p2水 平時(shí)，凹坑可被穩(wěn)定地變形成岸臺(tái)。當(dāng)激光功率Pw等于或高于Pw-p3水
平時(shí)，穩(wěn)定的記錄可在低于正常凹坑電平的再現(xiàn)信號(hào)電平下執(zhí)行(在未記 錄部分中)。
圖6和圖7示意性地示出了通過(guò)上述激光照射在其上執(zhí)行記錄的盤 100的基片101的狀態(tài)，覆蓋層103和反射層102與基片101相分離，并 且所得到的基片101被用原子力顯微鏡(AFM)來(lái)觀察。在圖6和圖7中 的每一幅中，(a)是基片101的俯視圖，(b)是沿實(shí)線x或y所取的基 片101的截面圖。在圖6和7中，(b)中的虛線A至E和虛線F至I指示 (a)中的點(diǎn)A至E的位置和點(diǎn)F至I的位置。
作為觀察的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在圖6所示的岸臺(tái)記錄和圖7所示的凹坑記錄 中的每一個(gè)中，基片101的表面(覆蓋有反射層102)在被記錄部分中被 變形到凸起狀態(tài)(部分)。
凸起狀態(tài)是通過(guò)反射層102附近的基片101的樹(shù)脂膨脹成球體m而引 起的，因?yàn)榉瓷鋵?02被具有相對(duì)較高的激光功率的激光照射在高溫下加 熱。
圖8和圖9示意性地示出了根據(jù)圖5所示的激光功率Pw的變化的基 片101的凸起部分的變形以及在變形時(shí)獲得的再現(xiàn)信號(hào)的波形。在每幅圖 中，(a)示出變形的基片101的截面，(b)示出再現(xiàn)信號(hào)波形。
在圖8所示的岸臺(tái)記錄的情況下，根據(jù)激光功率Pw按圖5所示的 Pw-ll、 Pw-12和Pw-D這一順序的增大，反射光的量趨向于與通過(guò)單調(diào) 地提升基片101而形成的凸起部分的高度增大相關(guān)聯(lián)地減小?；谏鲜鲈?理，在岸臺(tái)記錄的情況下，再現(xiàn)信號(hào)電平趨向于根據(jù)激光功率Pw按Pw-11 -〉 Pw-12 -〉 Pw-13這一順序增大而逐漸降低。
在圖9所示的凹坑記錄的情況下，基片101的提升(凸起)程度類似
地與激光功率Pw按Pw-pl -> Pw-p2 -> Pw-p3這一順序的增大相關(guān)聯(lián)地增 大。在此情況下，在激光功率水平Pw-p2下的凸起中，凹坑底的電平接近
于岸臺(tái)的電平，并且凹坑壁的高度相對(duì)較低。因此，隨著凹坑底的電平更 接近岸臺(tái)的電平，反射光的量趨向于增大。
隨著激光功率從Pw-p2水平增大，凸起程度也增大，從而使得凹坑底 的電平高于岸臺(tái)的電平。在此情況下，每個(gè)凹坑壁的高度也與激光功率 Pw的增大相關(guān)聯(lián)地增大。從而，因?yàn)榘伎有纬稍谕蛊鸩糠种?，所以反?光的量趨向于減小。
如上所述，在凹坑記錄的情況下，再現(xiàn)信號(hào)電平趨向于與激光功率從 Pw-pl水平增大到Pw-p2水平相關(guān)聯(lián)地增大。相反，再現(xiàn)信號(hào)電平趨向于 與激光功率從Pw-p2水平增大到Pw-p3水平相關(guān)聯(lián)地減小。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的記錄設(shè)備50可通過(guò)改變激光二極管LD的 記錄功率來(lái)將原始數(shù)據(jù)記錄盤D16上的凹坑變形成岸臺(tái)，或者將岸臺(tái)變形 成凹坑，并且還可降低凹坑部分的再現(xiàn)信號(hào)電平。
為了實(shí)現(xiàn)凹坑到岸臺(tái)變形，用于記錄的激光功率可被設(shè)置到Pw-p2水 平。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)岸臺(tái)到凹坑變形，激光功率可被設(shè)置到Pw-13水 平。
換言之，為了在凹坑中記錄，圖4所示的記錄設(shè)備50將激光二極管 LD的記錄功率設(shè)置到Pw-p2水平。另一方面，為了在岸臺(tái)中記錄，記錄 設(shè)備50將記錄功率設(shè)置到Pw-13水平。從而，在原始數(shù)據(jù)記錄盤D16中 形成的凹坑可被變形成岸臺(tái)，并且在其中形成的岸臺(tái)可被變形成凹坑。
為了同時(shí)在凹坑中重寫數(shù)據(jù)和在岸臺(tái)中重寫數(shù)據(jù)，必須經(jīng)常改變記錄 功率。當(dāng)?shù)谝挥涗洸僮鲀H在凹坑上執(zhí)行，然后第二記錄操作僅在岸臺(tái)上執(zhí) 行時(shí)，即兩個(gè)記錄操作被分開(kāi)執(zhí)行時(shí)，記錄功率可以很容易被控制以使得 記錄功率就在每次記錄操作之前被改變。具體而言，例如，寫脈沖生成電 路61基于輸入的重寫指定數(shù)據(jù)來(lái)指定岸臺(tái)要重寫數(shù)據(jù)的位置，并且向激 光控制電路64輸出寫脈沖信號(hào)Wrp，每個(gè)寫脈沖信號(hào)Wrp在相應(yīng)的指定 位置中處于H電平。然后，重寫操作首先僅在岸臺(tái)上執(zhí)行。隨后，基于其 中每一個(gè)在要重寫數(shù)據(jù)的相應(yīng)凹坑的位置中為H電平的寫脈沖信號(hào)Wrp，重寫操作僅在凹坑上執(zhí)行。激光功率在每次僅在岸臺(tái)上進(jìn)行的記錄操作和 僅在凹坑上進(jìn)行的記錄操作的執(zhí)行之前被控制，以使得針對(duì)岸臺(tái)的激光二
極管LD的記錄功率被設(shè)置到Pw-13水平，而針對(duì)凹坑的激光二極管LD 的記錄功率被設(shè)置到Pw-p2水平。
上述操作可利用凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑變形兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)記錄 的數(shù)據(jù)的重寫。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，在原始數(shù)據(jù)記錄盤D16中形成的凹坑可被 變形成岸臺(tái)，并且在其中形成的岸臺(tái)可被變形成凹坑。從而，記錄在盤 D16上的數(shù)據(jù)(原始數(shù)據(jù))可被重寫。由于凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑 變形兩者都可如上所述地實(shí)現(xiàn)，對(duì)記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫的靈活性可以高于 使用任一種變形的情況。
在本實(shí)施例中，例示了利用凹坑和岸臺(tái)的組合來(lái)寫入通過(guò)對(duì)用戶數(shù)據(jù) (內(nèi)容數(shù)據(jù))執(zhí)行可變長(zhǎng)度調(diào)制而獲得的信號(hào)的情況。例如，假定內(nèi)容數(shù) 據(jù)是在未被調(diào)制的情況下被記錄的，則內(nèi)容數(shù)據(jù)的描述可被重寫，因?yàn)橛?錄的數(shù)據(jù)可如上所述地被重寫。
或者，如果通過(guò)對(duì)內(nèi)容數(shù)據(jù)執(zhí)行可變長(zhǎng)度調(diào)制而獲得的數(shù)據(jù)是以與本 實(shí)施例相同的方式利用凹坑和岸臺(tái)的組合來(lái)記錄的，則內(nèi)容數(shù)據(jù)的描述可 被類似地重寫，只要重寫的數(shù)據(jù)是基于調(diào)制規(guī)則即可。
在此情況下，記錄的數(shù)據(jù)是利用凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑變形兩 者來(lái)重寫的。記錄的數(shù)據(jù)可以利用任何一種變形來(lái)重寫。
在本實(shí)施例中，圖5所示的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是在以下條件下獲得的
基片101 ...聚碳酸酯；
反射層102…鋁(Al) 70、鐵(Fe) 15、銅(Cu) 15; 覆蓋層103和反射層102之間的粘合劑...UV固化樹(shù)脂104; 激光照射時(shí)間(寫脈沖寬度)=30ns; 線速度=4.917 m/s; 激光波長(zhǎng)入-405nm;并且 數(shù)值孔徑NA-0.85。 用于實(shí)現(xiàn)凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑變形的基片！01的變形狀態(tài)可通過(guò) 設(shè)置通過(guò)記錄設(shè)備50施加的激光的功率來(lái)控制。
換言之，在本實(shí)施例中，在獲得如圖5所示的再現(xiàn)信號(hào)電平的變化特
性的上述條件(上述基片101、反射層102、覆蓋層103和粘合劑的材 料、線速度和波長(zhǎng)入)下，凹坑上的記錄操作是利用在該激光功率Pw下 再現(xiàn)信號(hào)電平具有正值的激光功率Pw (Pw-p2)來(lái)執(zhí)行的，岸臺(tái)上的記錄 操作是利用在該激光功率Pw下再現(xiàn)信號(hào)電平具有負(fù)值的激光功率Pw (等 于或高于Pw-12水平)來(lái)執(zhí)行的，從而使得凹坑可被變形成岸臺(tái)，岸臺(tái)可 被變形成凹坑。
此外，對(duì)于凹坑記錄，記錄是利用在該激光功率Pw下再現(xiàn)信號(hào)電平 進(jìn)一步降低的設(shè)定激光功率Pw (激光功率Wp-p3)來(lái)執(zhí)行的，從而形成 其中再現(xiàn)信號(hào)電平進(jìn)一步降低的凹坑。
<4.應(yīng)用示例〉
現(xiàn)在將描述根據(jù)上述實(shí)施例的記錄方法的應(yīng)用示例。
在應(yīng)用示例中，利用根據(jù)本實(shí)施例的記錄方法，ID信息塊被分配給各
個(gè)原始數(shù)據(jù)記錄盤D16，所述ID信息塊是基于不同的對(duì)于盤來(lái)說(shuō)唯一的值的。
圖10示出了在應(yīng)用示例中使用的原始數(shù)據(jù)記錄盤D16上記錄的數(shù)據(jù) 的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，并且具體示出了圖3所示的幀的結(jié)構(gòu)。
圖IO所示的幀的結(jié)構(gòu)代表要經(jīng)歷RLL (1， 7) PP調(diào)制的數(shù)據(jù)。換言 之，RLL (1， 7) PP調(diào)制在圖IO所示的數(shù)據(jù)(除了 sync外)上執(zhí)行，從 而產(chǎn)生圖3所示的1932通道比特的幀。
"sync"數(shù)據(jù)包括調(diào)制之前的20比特。在此情況下，sync之后是25 比特的數(shù)據(jù)區(qū)域。此外，25比特?cái)?shù)據(jù)區(qū)域之后是包括DC控制比特和數(shù)據(jù) 區(qū)域的樣式，每個(gè)DC控制比特包括單個(gè)比特，每個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域包括45個(gè)比 特，DC控制比特和45比特?cái)?shù)據(jù)區(qū)域被布置成按以下順序的樣式DC控 制比特->數(shù)據(jù)區(qū)域-〉DC控制比特，...
在本實(shí)施例中，充當(dāng)sync之后的25比特?cái)?shù)據(jù)區(qū)域的頭部的包括三個(gè) 字節(jié)(24個(gè)比特)的區(qū)域被用作ID比特寫入?yún)^(qū)域，用于寫入構(gòu)成ID信息 的比特的值。
對(duì)于此ID比特寫入?yún)^(qū)域中的各個(gè)字節(jié)(從區(qū)域開(kāi)頭按該順序布置的
字節(jié)l、字節(jié)2和字節(jié)3)中的值，46h被分配給每個(gè)字節(jié)，如圖所示。因 此，當(dāng)每個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)經(jīng)歷RLL (1， 7) PP調(diào)制和NRZI調(diào)制并且所得 到的數(shù)據(jù)被實(shí)際記錄為凹坑和岸臺(tái)時(shí)，提供如圖所示的多個(gè)片段，在每個(gè) 片段中5T的岸臺(tái)與5T的凹坑相鄰。
具體而言，46h (01000110)經(jīng)歷RLL (1， 7) PP調(diào)制，成為在圖中 被指示為"調(diào)制比特"的"010000100001"。在NRZI調(diào)制之后的記錄波 形中，獲得按5-T凹坑-〉5-T岸臺(tái)的順序布置的一組5-T凹坑和5-T岸臺(tái)和 按5-T岸臺(tái)》5-T凹坑的順序布置的一組5-T岸臺(tái)和5-T凹坑，如圖中所示 的NRZI比特流1和NRZI比特流2所指示，從而提供每個(gè)片段中5-T岸臺(tái) 和5-T凹坑相鄰的多個(gè)片段。
必須為相同的調(diào)制比特布置具有不同極性的NRZI比特流1和NRZI 比特流2的原因是在一些情況下字節(jié)開(kāi)頭的NRZI的極性可能不同于前一 幀中的最后一比特的極性。
在根據(jù)本實(shí)施例的應(yīng)用示例中，當(dāng)在ID比特寫入?yún)^(qū)域中的相應(yīng)字節(jié)1 至3中獲得每個(gè)片段中預(yù)定長(zhǎng)度的岸臺(tái)與預(yù)定長(zhǎng)度的凹坑相鄰的多個(gè)片段 之后，確定是否偏移相鄰岸臺(tái)和凹坑之間的每個(gè)邊界部分(邊緣)，從而 記錄構(gòu)成ID信息的值。
換言之，當(dāng)圖中的其中將要偏移邊緣的邊緣偏移目標(biāo)部分sft被偏移 時(shí)，"1"被記錄為ID信息的值。如果邊緣偏移目標(biāo)部分sft不被偏移， 則"0"被記錄為ID信息的值。
為了確認(rèn)，在此應(yīng)用示例中，執(zhí)行圖2所示的格式化步驟Sll中的格 式化以獲得圖IO所示的幀結(jié)構(gòu)。
圖11示出了作為本實(shí)施例的應(yīng)用示例的記錄操作的示例。
在圖ll所示的這一示例中，充當(dāng)邊緣偏移目標(biāo)部分sft的岸臺(tái)邊緣部 分被變形成凹坑，從而執(zhí)行邊緣偏移。假定邊緣被偏移1T的量。
與圖IO—樣，此圖示出了存儲(chǔ)在ID比特寫入?yún)^(qū)域中的數(shù)據(jù)值(數(shù)據(jù) 比特)、基于數(shù)據(jù)值的調(diào)制比特和基于調(diào)制比特可獲得的具有相反極性的 NRZI比特流1和NRZI比特流2的記錄波形之間的關(guān)系。
在此情況下，如上所述，邊緣偏移是通過(guò)將岸臺(tái)邊緣部分變形成凹坑
來(lái)執(zhí)行的。在NRZI比特流1和NRZI比特流2中的每一個(gè)中，通過(guò)利用
具有記錄功率的激光來(lái)照射岸臺(tái)邊緣部分來(lái)執(zhí)行邊緣偏移，從而執(zhí)行記 錄。
應(yīng)當(dāng)注意，在NRZI比特流1的極性的情況下激光照射的定時(shí)不同于 在NRZI比特流2的極性的情況下激光照射的定時(shí)。換言之，在NRZI比 特流1的極性的情況下，字節(jié)1中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠溟_(kāi)頭起的 第7個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠溟_(kāi)頭起的第6個(gè)時(shí) 鐘，字節(jié)3中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠溟_(kāi)頭起的第7個(gè)時(shí)鐘。另一方 面，在NRZI比特流2的情況下，字節(jié)1中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠?開(kāi)頭起的第6個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠溟_(kāi)頭起的第 7個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)3中的適當(dāng)?shù)募す庹丈湮恢檬菑钠溟_(kāi)頭起的第6個(gè)時(shí)鐘。
根據(jù)上述事實(shí)，為了適當(dāng)?shù)貓?zhí)行邊緣偏移，必須掌握關(guān)于記錄目標(biāo)幀 中的NRZI的極性的信息。
例如，假定ID信息值將要被記錄在各個(gè)字節(jié)中，使得"0"將被寫在 字節(jié)1中，"1"將被寫在字節(jié)2和字節(jié)3中的每一個(gè)中。
在此情況下，在每個(gè)字節(jié)中是否要執(zhí)行邊緣偏移是基于分配給該字節(jié) 的ID信息值來(lái)確定的。換言之，基于分配給字節(jié)1至3的值"0"、 "1"和"i"發(fā)現(xiàn)，在字節(jié)2和字節(jié)3中的每一個(gè)中可執(zhí)行邊緣偏移。
在此情況下，由于適當(dāng)?shù)倪吘壠莆恢酶鶕?jù)記錄目標(biāo)幀中的NRZI比 特流的極性而變化，因此激光照射在根據(jù)幀中的極性的位置中執(zhí)行。換言 之，對(duì)于NRZI比特流1的極性，如圖所示，激光照射在對(duì)應(yīng)于從字節(jié)2 開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特的位置和對(duì)應(yīng)于從字節(jié)3開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比 特的位置中的每個(gè)位置中執(zhí)行。從而，充當(dāng)邊緣偏移目標(biāo)部分sft的岸臺(tái) 邊緣部分可在字節(jié)2和字節(jié)3中的每一個(gè)中被適當(dāng)?shù)仄啤?br> 對(duì)于NRZI比特流2的極性，激光照射在對(duì)應(yīng)于從字節(jié)2開(kāi)頭起的第 7個(gè)通道比特的位置和對(duì)應(yīng)于從字節(jié)3開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特的位置中 的每個(gè)位置中執(zhí)行。從而，充當(dāng)邊緣偏移目標(biāo)部分sft的岸臺(tái)邊緣部分可 在字節(jié)2和字節(jié)3中的每一個(gè)中被適當(dāng)?shù)仄啤?br> 利用上述操作，在此情況下，"1"被寫入字節(jié)2和字節(jié)3中的每一 個(gè)中。換言之，上述值"0" 、 "1"和"1"被記錄在此ID比特寫入?yún)^(qū)域 中。
雖然圖11只示出了從一幀提取出的ID比特寫入?yún)^(qū)域，但是ID寫入
區(qū)域也可類似地布置在其他幀中。因此，可通過(guò)在多個(gè)幀中執(zhí)行上述記錄
操作來(lái)記錄構(gòu)成ID信息的所有值。
記錄的值可以被估計(jì)，即ID信息可被再現(xiàn)，如下。 首先，再現(xiàn)設(shè)備再現(xiàn)在每個(gè)幀中的ID比特寫入?yún)^(qū)域中記錄的數(shù)據(jù) (原始數(shù)據(jù))。
在本實(shí)施例的應(yīng)用示例中，如圖IO所示，每個(gè)ID比特寫入?yún)^(qū)域的位 置和應(yīng)當(dāng)存儲(chǔ)在該區(qū)域中的數(shù)據(jù)值是由格式定義的。因此，再現(xiàn)設(shè)備可識(shí) 別盤上的每個(gè)ID比特寫入?yún)^(qū)域的位置。類似地，存儲(chǔ)在每個(gè)ID比特寫入 區(qū)域中的各個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)值可被預(yù)先掌握。
再現(xiàn)設(shè)備再現(xiàn)每個(gè)ID比特寫入?yún)^(qū)域中的數(shù)據(jù)，并且將從每個(gè)字節(jié)再 現(xiàn)的數(shù)據(jù)與該字節(jié)中應(yīng)當(dāng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值(在此情況下是46h)相比較。
當(dāng)從字節(jié)再現(xiàn)的數(shù)據(jù)與46h相一致時(shí)，可以確定未執(zhí)行邊緣偏移，即 記錄了 "0"。另一方面，數(shù)據(jù)與46h不一致，則可確定執(zhí)行了邊緣偏 移，即記錄了 "1"。
以這種方式，ID信息可被再現(xiàn)。
由于ID信息的三個(gè)值可如上所述地被記錄在每個(gè)幀中，因此ID信息 可利用通過(guò)將幀的總數(shù)乘以3而獲得的比特來(lái)記錄。但是，不一定所有的 幀都用于記錄ID信息。例如，當(dāng)要被記錄為ID信息的比特的數(shù)目等于或 低于通過(guò)將幀總數(shù)乘以3而獲得的值時(shí)，ID信息可利用足以記錄構(gòu)成ID 信息的所有比特的幀來(lái)記錄。換言之，ID信息可被記錄在所有幀中的一些 之上。
為了參考起見(jiàn)，圖12示出了其中執(zhí)行了邊緣偏移的盤100的表面的 狀態(tài)、邊緣偏移之后的記錄波形以及通過(guò)邊緣偏移獲得的調(diào)制比特和數(shù)據(jù) 比特的值。
參考此圖，由類型1所指示的記錄波形對(duì)應(yīng)于在NRZI比特流1的極 性的情況下字節(jié)1和3的每一個(gè)中的記錄波形，并且也對(duì)應(yīng)于在NRZI比
特流2的極性的情況下字節(jié)2中的記錄波形。
由類型2所指示的記錄波形對(duì)應(yīng)于在NRZI比特流1的極性的情況下 字節(jié)2中的記錄波形，并且也對(duì)應(yīng)于在NRZI比特流2的極性的情況下字 節(jié)1和3的每一個(gè)中的記錄波形。換言之，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在每個(gè)字節(jié)中只提供 兩種類型作為記錄波形。
當(dāng)記錄波形是上述類型1時(shí)，邊緣偏移之后的調(diào)制比特的值是 "010000010001 "，如圖所示。當(dāng)記錄波形是上述類型2時(shí)，其值為 "010001000001"。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這些值遵循RLL (1， 7) pp調(diào)制規(guī)則。
在本實(shí)施例中，要存儲(chǔ)在ID比特寫入?yún)^(qū)域中的各個(gè)字節(jié)中的值被設(shè) 置成符合這樣的條件，即在邊緣偏移之后獲得的值遵循調(diào)制規(guī)則。
這防止了因?yàn)閿?shù)據(jù)不遵循調(diào)制規(guī)則所以再現(xiàn)設(shè)備不適當(dāng)?shù)卦佻F(xiàn)數(shù)據(jù)的 情況。
對(duì)于此情況下通過(guò)對(duì)邊緣偏移之后獲得的調(diào)制比特進(jìn)行再現(xiàn)(RLL (1， 7) pp解調(diào))而獲得的值，在類型1中獲得值"00110110"，在類型 2中獲得值"01101110"，如圖中的數(shù)據(jù)比特所指示。
在上述描述中，在本實(shí)施例中，46h被設(shè)置為將要存儲(chǔ)在每個(gè)ID比特 寫入?yún)^(qū)域中的每個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)值。因此，每個(gè)字節(jié)中的邊緣偏移目標(biāo)部 分sft被設(shè)置為相鄰的5-T岸臺(tái)和5-T凹坑之間的邊緣部分，并且遵循調(diào)制 規(guī)則的值作為邊緣偏移后的調(diào)制比特被獲得。
在本實(shí)施例中，這樣的邊緣偏移目標(biāo)部分sft對(duì)應(yīng)于相對(duì)較長(zhǎng)的相鄰 的5-T岸臺(tái)和5-T凹坑之間的邊緣部分的原因如下。即使通過(guò)激光照射進(jìn) 行的變形的l范圍增大，與邊緣偏移目標(biāo)部分相關(guān)的岸臺(tái)和凹坑中的每一 個(gè)的較長(zhǎng)的長(zhǎng)度也降低了偏移不是目標(biāo)的邊緣的概率，從而減少了 ID信 息的記錄差錯(cuò)的發(fā)生。
在此情況下，與邊緣偏移目標(biāo)部分sft相關(guān)的岸臺(tái)和凹坑越長(zhǎng)，記錄 差錯(cuò)的發(fā)生就能越有效地被防止。換言之，岸臺(tái)長(zhǎng)度和凹坑長(zhǎng)度并不限于 5T。當(dāng)將岸臺(tái)和凹坑中的每一個(gè)的長(zhǎng)度設(shè)置得更長(zhǎng)時(shí)，就可以更可靠地防
止記錄差錯(cuò)的發(fā)生。
在本實(shí)施例中，充當(dāng)存儲(chǔ)每個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)的46h被描述為滿足以下 兩個(gè)就防止記錄差錯(cuò)而言的條件的值的示例第一個(gè)條件是邊緣偏移目標(biāo) 部分Sft對(duì)應(yīng)于各自具有預(yù)定長(zhǎng)度或更長(zhǎng)的岸臺(tái)和凹坑之間的邊緣；第二 個(gè)條件是邊緣偏移之后調(diào)制比特遵循調(diào)制規(guī)則。存儲(chǔ)在每個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù) 可被設(shè)置到任何值，只要上述條件得到滿足即可。
當(dāng)不必提供利用與邊緣偏移目標(biāo)部分Sft相關(guān)的凹坑和岸臺(tái)中的每一 個(gè)的長(zhǎng)度來(lái)防止記錄差錯(cuò)的措施時(shí)，凹坑和岸臺(tái)中的每一個(gè)可具有任何長(zhǎng) 度。在此情況下，必須將存儲(chǔ)在每個(gè)字節(jié)中的數(shù)據(jù)比特設(shè)置到滿足以下條 件的值提供了邊緣偏移目標(biāo)部分Sft，并且邊緣偏移之后的調(diào)制比特遵循
^在本實(shí)施例中，用于記錄ID信息的一個(gè)比特的每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域 (每個(gè)字節(jié))是一個(gè)字節(jié)=8個(gè)比特的區(qū)域。每個(gè)區(qū)域也可包括9個(gè)或更 多個(gè)比特。
在此情況下，必須將存儲(chǔ)在每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域中的數(shù)據(jù)的值設(shè)置成這 些數(shù)據(jù)值滿足下條件凹坑與岸臺(tái)相鄰，并且偏移之后的調(diào)制比特的值遵 循調(diào)制規(guī)則。另外，當(dāng)將值設(shè)置為滿足通過(guò)布置各自具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰 凹坑和岸臺(tái)而獲得的條件時(shí)，可以更可靠地防止記錄差錯(cuò)的發(fā)生。
在每個(gè)幀中布置的ID比特寫入?yún)^(qū)域中提供了用于記錄ID信息的一個(gè)
比特的三個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域(在此情況下是字節(jié)1至3)。比特寫入?yún)^(qū)域的
數(shù)目沒(méi)有具體限制。
現(xiàn)在將參考圖4描述用于實(shí)現(xiàn)作為以上描述中的本應(yīng)用示例的記錄操
作的記錄設(shè)備。
本應(yīng)用示例中的記錄設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)與圖4所示的記錄設(shè)備50相 同?，F(xiàn)將描述要添加到記錄設(shè)備50以用于實(shí)現(xiàn)本應(yīng)用示例的操作的組 件。假定其他組件與以上參考圖4描述的類似，省略對(duì)先前描述的組件的 說(shuō)明。
為了實(shí)現(xiàn)如上所述的記錄ID信息的操作，必須將每個(gè)幀中關(guān)于NRZI 的極性的信息(以下稱之為NRZI極性信息)和要記錄的ID信息的值輸入
到記錄設(shè)備50。
換言之，可以基于ID信息的輸入值來(lái)確定在每個(gè)幀的每個(gè)字節(jié)中是
否應(yīng)當(dāng)執(zhí)行邊緣偏移。
對(duì)于NRZI極性信息，如上所述，比特偏移目標(biāo)位置取決于NRZI的 極性，也就是說(shuō)，目標(biāo)位置是從相應(yīng)字節(jié)開(kāi)頭起的第7個(gè)或6個(gè)時(shí)鐘。因 此，為了根據(jù)相應(yīng)的極性在適當(dāng)?shù)奈恢弥袌?zhí)行比特偏移，需要NRZI極性 信息。
在此情況下，在記錄設(shè)備50中，與各個(gè)幀相關(guān)的NRZI極性信息塊和 構(gòu)成ID信息的值如圖4所示作為重寫指定數(shù)據(jù)被提供到寫脈沖生成電路 61。
為了確認(rèn)，此情況下的記錄設(shè)備50是在原始數(shù)據(jù)記錄盤D16 (盤 100)的制造者一方管理的。因此，可以預(yù)先掌握要記錄在充當(dāng)ROM盤的 盤D16上的記錄數(shù)據(jù)的值。由于可以掌握可記錄在盤D16上的記錄數(shù)據(jù)的 值，因此上述與各個(gè)幀相關(guān)的NRZI極性信息塊可在制造者一方獲得。
在寫脈沖生成電路61中，ID信息的值(以下稱之為ID信息值)和極 性信息塊作為上述重寫指定數(shù)據(jù)被提供到寫脈沖生成器63。寫脈沖生成器 63將這些ID信息值和極性信息塊存儲(chǔ)到RAM 62中，以使得每個(gè)值和每
個(gè)極性信息塊被分配到相應(yīng)的幀(地址)。
圖13示出了此時(shí)存儲(chǔ)在RAM62中的數(shù)據(jù)的描述。
如圖所示，輸入的ID信息值被存儲(chǔ)成對(duì)于每個(gè)地址(幀)中的每個(gè) 字節(jié)分配一個(gè)值。另外，指示NRZI極性的信息被存儲(chǔ)在每個(gè)地址中，以
使得該極性與該地址相關(guān)聯(lián)。
在此情況下，記錄設(shè)備50基于存儲(chǔ)在RAM62中的如圖13所示的數(shù)
據(jù)來(lái)執(zhí)行以下操作。
首先，寫脈沖生成器63基于存儲(chǔ)在RAM 62中的上述數(shù)據(jù)，指定每 個(gè)記錄目標(biāo)幀中的至少一個(gè)其中應(yīng)當(dāng)執(zhí)行邊緣偏移的字節(jié)。
每個(gè)目標(biāo)幀中的NRZI的極性是基于聯(lián)系該幀存儲(chǔ)的信息"1"或 "0"來(lái)確定的。在此情況下，"1"指示先前描述的NRZI比特流1的極 性，"0"指示NRZI比特流2的極性。
然后，基于關(guān)于指定的字節(jié)的信息和極性信息，在每個(gè)ID比特寫入 區(qū)域中識(shí)別邊緣偏移位置。
在此情況下，當(dāng)極性由"1"指示時(shí)，發(fā)現(xiàn)字節(jié)1和3中的每一個(gè)中
的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比特，而字節(jié)2中的邊緣偏移 位置是從其開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特。如果極性由"2"指示，則發(fā)現(xiàn)字 節(jié)1和3中的每一個(gè)中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特， 而字節(jié)2中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比特。
基于上述信息和關(guān)于指定字節(jié)的信息，可識(shí)別適當(dāng)?shù)倪吘壠莆恢谩?br> 在基于分配給每個(gè)幀的值和極性信息的適當(dāng)邊緣偏移位置被識(shí)別之 后，寫脈沖生成器63對(duì)于每個(gè)幀生成一幀的數(shù)據(jù)串，其中對(duì)應(yīng)于每個(gè)識(shí) 別出的邊緣偏移位置的數(shù)據(jù)值是"1"，其他數(shù)據(jù)值是"0"。
換言之，假定"1"作為ID信息被記錄在某個(gè)幀的每個(gè)字節(jié)中并且該 幀中的極性由"1"所指示，在一幀包括1932個(gè)通道比特的情況下， 一幀 的數(shù)據(jù)串被生成，使得從字節(jié)1開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比特、從字節(jié)2開(kāi)頭 起的第6個(gè)通道比特和從字節(jié)3開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特為"1"，其他 1929個(gè)通道比特為"0"。
寫脈沖生成器63對(duì)于每個(gè)記錄有ID信息的目標(biāo)幀生成這樣的數(shù)據(jù)串。
在實(shí)際記錄中，在對(duì)原始數(shù)據(jù)記錄盤D16執(zhí)行再現(xiàn)操作的同時(shí)，將基 于數(shù)據(jù)串的寫脈沖信號(hào)Wrp提供到激光控制電路64，每個(gè)信號(hào)的電平在 數(shù)據(jù)值為"0"時(shí)下降到L電平，在數(shù)據(jù)值為"1"時(shí)上升到H電平。
如上所述，激光控制電路64控制激光二極管LD的激光輸出，以使得 當(dāng)寫脈沖信號(hào)Wrp處于L電平時(shí)，具有再現(xiàn)功率的激光被輸出，而當(dāng)寫脈 沖信號(hào)Wrp處于H電平時(shí)，具有記錄功率的激光被輸出。因此，換言 之，在原始數(shù)據(jù)記錄盤D16中，只有其中應(yīng)當(dāng)執(zhí)行邊緣偏移的每個(gè)部分能 夠被用具有記錄功率的激光照射。從而，輸入的ID信息可被適當(dāng)?shù)赜涗?br> 到盤D16上。在此情況下，每個(gè)ID信息值是利用由岸臺(tái)到凹坑變形引起 的邊緣偏移來(lái)記錄的。因此，在此情況下的激光二極管LD被這樣地設(shè) 置，以使得記錄功率被設(shè)置到在該水平下岸臺(tái)可被變形成凹坑的激光功率
水平Pw-13。
現(xiàn)在將參考圖14的流程圖更詳細(xì)地描述記錄設(shè)備50記錄ID信息的 操作。
參考圖14，在步驟S101中，原始數(shù)據(jù)記錄盤D16首先被裝載。
在步驟S102中，要記錄的ID信息被輸入。如上所述，輸入到記錄設(shè) 備50的ID信息的值作為重寫指定數(shù)據(jù)被提供到寫脈沖生成器63。
在歩驟S103中，寫脈沖生成器63將輸入的ID信息值存儲(chǔ)到相應(yīng)地 址中的相應(yīng)字節(jié)中。
例如，在此情況下的ID信息被順序地從頭部幀起分配到相應(yīng)字節(jié)。 在步驟S103中，輸入的值被順序地存儲(chǔ)到圖13所示的RAM 62中的相應(yīng) 幀中的相應(yīng)字節(jié)的存儲(chǔ)區(qū)域中。
在步驟S104中，極性信息被輸入。極性信息也作為重寫指定數(shù)據(jù)被 提供到寫脈沖生成器63。
在步驟S105中，寫脈沖生成器63將極性信息塊存儲(chǔ)在每個(gè)地址中。
由于每個(gè)極性信息塊指示與相應(yīng)地址相關(guān)聯(lián)的NRZI的極性，因此寫 脈沖生成器63將指示極性的值"0"或"1"存儲(chǔ)到如圖13所示的RAM 62的每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域中，以使得NRZI極性與每個(gè)地址之間的關(guān)系得以保 存。
極性信息的輸入和存儲(chǔ)可在ID信息的輸入和存儲(chǔ)之前執(zhí)行。 在此情況下，充當(dāng)重寫指定數(shù)據(jù)的ID信息值和極性信息塊是分開(kāi)輸
入的。ID信息值和極性信息塊可以被同時(shí)輸入并由不同的存儲(chǔ)過(guò)程來(lái)存儲(chǔ)。
在此情況下，ID信息和極性信息是在盤D16裝載之后輸入的。這些 信息集合可在裝載之前或之后輸入。
在步驟S106中，地址值N被設(shè)置到初始值NO。
在此步驟S106中，寫脈沖生成器63將其中構(gòu)建的計(jì)數(shù)器的值設(shè)置到 初始值NO，以為每個(gè)地址生成一個(gè)數(shù)據(jù)串，如下所述。
在歩驟S107中，執(zhí)行指定第N地址中的其中應(yīng)當(dāng)將"1"記錄為ID 信息值(ID比特)的字節(jié)的操作。換言之，寫脈沖生成器63參考存儲(chǔ)在
RAM 62中的第N地址中的各個(gè)字節(jié)中的ID信息值，并指定至少一個(gè)包 括ID比特"1"的字節(jié)。
在步驟S108中，與第N地址相關(guān)的極性被確定。換言之，寫脈沖生 成器63確定指示聯(lián)系RAM 62中的第N地址存儲(chǔ)的極性的值是"0"還是
在歩驟S109中，根據(jù)指定的字節(jié)的位置和極性，生成其中與每個(gè)邊 緣偏移位置相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)值為"1"并且其他數(shù)據(jù)值為"0"的一幀的數(shù)據(jù) 串。
如上所述，當(dāng)極性由"1"指示時(shí)，充當(dāng)邊緣偏移目標(biāo)部分sft的岸臺(tái) 邊緣部分對(duì)應(yīng)于從字節(jié)1和字節(jié)3中每一個(gè)開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比特，并 且還對(duì)應(yīng)于從字節(jié)2開(kāi)頭起的第6個(gè)通道比特。另一方面，當(dāng)極性由 "0"指示時(shí)，岸臺(tái)邊緣部分對(duì)應(yīng)于從字節(jié)2開(kāi)頭起的第7個(gè)通道比特， 并且還對(duì)應(yīng)于從字節(jié)1和字節(jié)3中每一個(gè)開(kāi)頭起的第6通道比特。
因此，寫脈沖生成器63可以基于關(guān)于在上述歩驟S107中指定的字節(jié) 的信息和關(guān)于在步驟S109中確定的極性的信息來(lái)指定邊緣偏移位置。
上述邊緣偏移位置可利用一個(gè)表來(lái)指定，該表基于關(guān)于記錄目標(biāo)字節(jié) 的信息和極性信息的組合而包含關(guān)于邊緣偏移位置的信息。
然后，寫脈沖生成器63生豐一幀的數(shù)據(jù)串，其中與每個(gè)指定的邊緣 偏移位置相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)值是"1"，其他數(shù)據(jù)值是"0"。
由于在步驟S109中生成的每一幀的數(shù)據(jù)串是用于在后面的階段生成 寫脈沖信號(hào)Wrp的，因此該數(shù)據(jù)串與RAM 62中的相應(yīng)地址相關(guān)聯(lián)地保
在生成一幀數(shù)據(jù)串之后，寫脈沖生成器63確定是否完成了對(duì)所有地 址的數(shù)據(jù)串生成(S110)。換言之，確定是否完成了為所有先前設(shè)置的要 向其記錄ID信息的幀生成所有數(shù)據(jù)串。歩驟S110中的操作是基于寫脈沖 生成器63關(guān)于計(jì)數(shù)器值(在步驟S106中設(shè)置到初始值N0)是否達(dá)到預(yù) 定值的判定來(lái)執(zhí)行的。
如果因?yàn)橛?jì)數(shù)器值未達(dá)到預(yù)定值而獲得否定判定，則地址值N被遞增 1 (步驟Sill)。然后，過(guò)程返回上述歩驟S107，從而為要向其記錄ID
信息的所有幀生成數(shù)據(jù)串。
如果在步驟S110中因?yàn)橛?jì)數(shù)器值達(dá)到預(yù)定值而確定完成了對(duì)于所有 地址的數(shù)據(jù)串生成，則指示數(shù)據(jù)生成完成的信息在步驟S112中被發(fā)送到
圖4所示的控制器65。換言之，寫脈沖生成器63認(rèn)識(shí)到如上所述對(duì)于所
有地址的數(shù)據(jù)串生成已經(jīng)完成，然后將指示這一事實(shí)(即數(shù)據(jù)生成完成)
的信息發(fā)送到控制器65。
根據(jù)該信息，控制器65在裝載的原始數(shù)據(jù)記錄盤D16上執(zhí)行用于搜 索其中要記錄ID信息的頭部幀(地址)的控制操作(步驟S113)。控制 器65基于盤D16上先前存儲(chǔ)的關(guān)于頭部幀的地址的信息向伺服電路55指 定目標(biāo)地址，以使得此搜索操作能得以執(zhí)行。
根據(jù)如上所述的搜索頭部地址的操作，寫脈沖生成器63基于在上述 步驟S109中為各個(gè)幀生成的數(shù)據(jù)串，而將寫脈沖信號(hào)Wrp輸出到激光控 制電路64 (步驟S114)?；跀?shù)據(jù)串的寫脈沖信號(hào)Wrp是基于由時(shí)鐘 CLK提供的定時(shí)而輸出的，以便與再現(xiàn)的數(shù)據(jù)同步。寫脈沖信號(hào)Wrp的 輸出可在基于指示頭部地址的信息的輸入的定時(shí)開(kāi)始，該輸入的信息是從 地址檢測(cè)電路60提供來(lái)的地址信息ADR。
隨著在歩驟S114中輸出寫脈沖信號(hào)Wrp，每個(gè)獲得的信號(hào)基于輸入 的ID信息值和極性信息而在每個(gè)適當(dāng)?shù)倪吘壠莆恢眠_(dá)到H電平。換言 之，激光控制電路64基于寫脈沖信號(hào)Wrp來(lái)控制激光二極管LD的激光 輸出從再現(xiàn)功率水平到記錄功率水平，從而將輸入的ID信息值適當(dāng)?shù)赜?錄到盤D16上。
在圖14中，ID信息值是從外部輸入的?？梢蕴峁┯糜谠诿看伪PD16 被裝載時(shí)生成新的序列號(hào)的電路，并且可以將從該電路輸出的ID信息的 值順序地存儲(chǔ)到RAM 62中。
對(duì)于極性信息，如果盤D16具有相同的標(biāo)題，即相同的記錄數(shù)據(jù)描 述，則這些盤D16在幀和與幀相關(guān)聯(lián)的極性之間具有相同的關(guān)系。因此， 在制造具有相同標(biāo)題的盤D16時(shí)，可以省略如圖14所示的每次裝載盤時(shí) 輸入和存儲(chǔ)極性信息的歩驟(S104和S105)。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不限于上述
實(shí)施例。
例如，在本實(shí)施例的應(yīng)用示例中，為了說(shuō)明方便，ID信息值按從頭部 幀中的字節(jié)1起的順序被順序地記錄在字節(jié)上。實(shí)際上，為了使得第三方 難以分辨ID信息，ID信息值可利用例如M系列隨機(jī)數(shù)來(lái)按隨機(jī)順序?qū)?入。
在此情況下，記錄設(shè)備1利用相同的隨機(jī)數(shù)生成來(lái)確定再現(xiàn)順序，以
便ID信息值能夠被適當(dāng)?shù)卦佻F(xiàn)?；蛘撸?dāng)再現(xiàn)順序不被改變并且通過(guò)再 現(xiàn)獲得的值的順序被基于隨機(jī)數(shù)而改變時(shí)，ID信息可以被適當(dāng)?shù)卦佻F(xiàn)。
在本實(shí)施例的應(yīng)用示例中，邊緣偏移目標(biāo)部分sft被偏移1T。偏移量 可以長(zhǎng)于1T。
圖15示出了例如邊緣偏移目標(biāo)部分sft被偏移2T的情況。圖15還以 與圖12類似的方式示出了其中執(zhí)行邊緣偏移的盤的表面狀態(tài)、邊緣偏移 之后的記錄波形以及通過(guò)邊緣偏移獲得的調(diào)制比特和數(shù)據(jù)比特的值。
參考此圖可以理解，在邊緣偏移按2T執(zhí)行的情況下，如果記錄波形 為類型1 (即在NRZI比特流1的極性的情況下字節(jié)1和字節(jié)3中每一個(gè)中 的記錄波形或者在NRZI比特流2的極性的情況下字節(jié)2中的記錄波 形)，則對(duì)應(yīng)于從字節(jié)開(kāi)頭起的第7和第8個(gè)通道比特的部分將被用激光 照射。另一方面，如果記錄波形為類型2 (即在NRZI比特流1的極性的 情況下字節(jié)2中的記錄波形或者在NRZI比特流2的極性的情況下字節(jié)1 和字節(jié)3中每一個(gè)中的記錄波形)，則對(duì)應(yīng)于從字節(jié)開(kāi)頭起的第5和第6 個(gè)通道比特的部分將被用激光照射。
在此情況下，當(dāng)記錄波形為上述類型1時(shí)，邊緣偏移之后的調(diào)制比特 的值為"010000001001"，如圖所示。當(dāng)記錄波形為上述類型2時(shí)，其值 為"010010000001"。在此情況下，還發(fā)現(xiàn)這些值遵循RLL (1， 7) pp調(diào) 制規(guī)則。換言之，如果邊緣偏移按2T執(zhí)行，則在本實(shí)施例中要存儲(chǔ)在每 個(gè)字節(jié)中的值"46h"符合在邊緣偏移之后獲得的值遵循調(diào)制規(guī)則這一條 件。
實(shí)際上，在類型1的情況下在邊緣偏移之后獲得的數(shù)據(jù)比特的值為 "01111010"，在類型2的情況下的值為"01011110"。
在此情況下基于存儲(chǔ)在每個(gè)字節(jié)中的上述46h的記錄波形中，當(dāng)邊緣 偏移按3T或更長(zhǎng)執(zhí)行時(shí)，在偏移之后獲得的調(diào)制比特包括不遵循調(diào)制規(guī)
則的部分(換言之，在此情況下形成8T的凹坑)。因此，邊緣偏移的量 可取決于與邊緣偏移目標(biāo)部分sft相關(guān)的凹坑和岸臺(tái)中的每一個(gè)的長(zhǎng)度，
并且可以被設(shè)置在使得偏移之后調(diào)制比特的值遵循調(diào)制規(guī)則的范圍中。
雖然在應(yīng)用示例中是通過(guò)將岸臺(tái)變形成凹坑來(lái)執(zhí)行邊緣偏移的，但是 利用凹坑到岸臺(tái)變形引起的邊緣偏移也可類似地執(zhí)行記錄。但是，當(dāng)凹坑
被變形成岸臺(tái)時(shí)，充當(dāng)邊緣偏移目標(biāo)部分sft的凹坑邊緣部分是要偏移的
目標(biāo)。因此，與如上所述的岸臺(tái)邊緣部分是要偏移的目標(biāo)的情況相反，在
NRZI比特流1的極性的情況下，字節(jié)1和字節(jié)3中的每一個(gè)中的邊緣偏移 位置是從其開(kāi)頭起的第6個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起 的第7個(gè)時(shí)鐘。在NRZI比特流2的極性的情況下，字節(jié)1和字節(jié)3中的 每一個(gè)中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起的第7個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的邊緣偏 移位置是從其開(kāi)頭起的第6個(gè)時(shí)鐘。
由于根據(jù)圖5所示的特性，凹坑到岸臺(tái)變形所必需的激光功率水平 Pw是Pw-p2水平，因此在此情況下必須將激光二極管LD的記錄功率設(shè)置 到該功率水平Pw。
根據(jù)圖5所示的特性，除了如上所述的對(duì)于岸臺(tái)到凹坑變形的降低或 者對(duì)于凹坑到岸臺(tái)變形的降低之外，凹坑中的再現(xiàn)信號(hào)電平還可進(jìn)一步降 低。
當(dāng)如圖16的(a)所示，凹坑邊緣部分被用激光照射以進(jìn)一步降低再 現(xiàn)信號(hào)電平時(shí)，此邊緣部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平被降低，如圖16的(b)中 示出的再現(xiàn)信號(hào)波形所示，并且相鄰岸臺(tái)中的再現(xiàn)信號(hào)電平也隨著上述降 低而降低。換言之，可以獲得與通過(guò)擴(kuò)展凹坑而獲得的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。
ID信息可通過(guò)由這種凹坑擴(kuò)展而引起的邊緣偏移來(lái)記錄。根據(jù)圖5所 示的特性，凹坑擴(kuò)展可利用Pw-p3水平下的激光功率來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，激光 二極管LD可被設(shè)置為在激光功率水平Pw-p3下獲得記錄功率。
在利用上述凹坑擴(kuò)展執(zhí)行記錄的情況下，以類似于上述凹坑到岸臺(tái)變 形的方式在凹坑邊緣部分上執(zhí)行邊緣偏移。因此，在NRZI比特流1的極
性的情況下，字節(jié)1和字節(jié)3中的每一個(gè)中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起 的第6個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起的第7個(gè)時(shí)鐘。在
NRZI比特流2的極性的情況下，字節(jié)1和字節(jié)3中的每一個(gè)中的邊緣偏移 位置是從其開(kāi)頭起的第7個(gè)時(shí)鐘，字節(jié)2中的邊緣偏移位置是從其開(kāi)頭起 的第6個(gè)時(shí)鐘。
在本應(yīng)用示例中，對(duì)于每個(gè)盤D16來(lái)說(shuō)唯一的信息被記錄在盤D16 上。用于讀取內(nèi)容數(shù)據(jù)的控制信息可取代上述ID信息而被寫入到每個(gè)盤 D16中，以使得對(duì)于不同的盤，控制內(nèi)容可以不同。從而，可以從不同的 盤100再現(xiàn)不同的內(nèi)容。
對(duì)于例如電影的內(nèi)容數(shù)據(jù)，可以使電影的內(nèi)容彼此有部分不同，或者 可以使電影的結(jié)尾彼此不同，從而提高娛樂(lè)性。例如，大規(guī)模生產(chǎn)的原始 數(shù)據(jù)記錄盤D16被存儲(chǔ)在工廠中，并且對(duì)于不同的運(yùn)輸目的地區(qū)域來(lái)說(shuō)不 同的控制信息在盤被運(yùn)輸之前被寫入到每張盤中。從而，對(duì)于不同的銷售 區(qū)域，故事的結(jié)束可以不同。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，凹坑可被變形成岸臺(tái)，或者岸臺(tái)可被變形成 凹坑，從而對(duì)記錄在光盤記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫。
在此情況下，由于根據(jù)本發(fā)明凹坑到岸臺(tái)變形和岸臺(tái)到凹坑變形都可 以被執(zhí)行，因此對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫的靈活性可以高于使用任一種變形的 情況。
權(quán)利要求
1.一種用于光盤記錄介質(zhì)的記錄設(shè)備，所述介質(zhì)包括至少被反射層和覆蓋層所覆蓋的基片并且通過(guò)在所述基片中形成的凹坑和岸臺(tái)的組合而被記錄以數(shù)據(jù)，所述設(shè)備包括激光照射裝置，用于利用具有預(yù)定激光功率的激光來(lái)照射所述光盤記錄介質(zhì)，以將所述基片的被照射部分變形成凸起部分；以及記錄控制裝置，用于控制所述激光照射裝置，以使得所述光盤記錄介質(zhì)中的預(yù)定的凹坑或岸臺(tái)被用所述具有預(yù)定激光功率的激光所照射。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄設(shè)備，其中所述記錄控制裝置控制激光照射，以使得所述凹坑是要被用所述具有 預(yù)定激光功率的激光所照射的目標(biāo)，并且所述預(yù)定激光功率被設(shè)置成使得所述基片的被照射部分被變形成其中 再現(xiàn)信號(hào)電平等同于每個(gè)岸臺(tái)中的再現(xiàn)信號(hào)電平的凸起部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄設(shè)備，其中所述記錄控制裝置控制激光照射，以使得所述岸臺(tái)是要被用所述具有 預(yù)定激光功率的激光所照射的目標(biāo)，并且所述預(yù)定激光功率被設(shè)置成使得所述基片的被照射部分被變形成其中 再現(xiàn)信號(hào)電平等同于每個(gè)凹坑中的再現(xiàn)信號(hào)電平的凸起部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄設(shè)備，其中所述光盤記錄介質(zhì)包括在多個(gè)預(yù)定的位置的比特寫入?yún)^(qū)域，每個(gè)比特 寫入?yún)^(qū)域以預(yù)定的數(shù)據(jù)樣式被進(jìn)行記錄，以使得當(dāng)數(shù)據(jù)被記錄時(shí)，至少一 個(gè)岸臺(tái)和一個(gè)凹坑被形成為與彼此相鄰；并且所述記錄控制裝置控制所述激光照射裝置，以使得每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域 中的岸臺(tái)或凹坑的邊緣部分是要被用所述具有預(yù)定激光功率的激光所照射 的目標(biāo)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄設(shè)備，其中，數(shù)據(jù)是利用一個(gè)樣式被記 錄在每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域中的，該樣式包括各自具有預(yù)定的長(zhǎng)度或更長(zhǎng)的相 鄰的岸臺(tái)和凹坑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄設(shè)備，其中所述記錄控制裝置控制所述激光照射裝置，以使得每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域 中的岸臺(tái)的邊緣部分是要被用所述具有預(yù)定功率的激光所照射的目標(biāo)，并 且所述預(yù)定激光功率被設(shè)置成使得所述基片的被照射部分被變形成其中 再現(xiàn)信號(hào)電平等同于所述凹坑中的再現(xiàn)信號(hào)電平的凸起部分。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄設(shè)備，其中所述記錄控制裝置控制所述激光照射裝置，以使得每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域 中的凹坑的邊緣部分是要被用所述具有預(yù)定功率的激光所照射的目標(biāo)，并 且所述預(yù)定激光功率被設(shè)置成使得所述基片的被照射部分被變形成其中 再現(xiàn)信號(hào)電平等同于所述岸臺(tái)中的再現(xiàn)信號(hào)電平的凸起部分。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄設(shè)備，其中所述記錄控制裝置控制所述激光照射裝置，以使得每個(gè)比特寫入?yún)^(qū)域 中的凹坑的邊緣部分是要被用所述具有預(yù)定功率的激光所照射的目標(biāo)，并 且所述預(yù)定激光功率被設(shè)置成使得所述基片的被照射部分被變形成其中 再現(xiàn)信號(hào)電平低于另一凹坑中的再現(xiàn)信號(hào)電平的凸起部分。
9. 一種用于在光盤記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄的記錄設(shè)備的記錄方法，所述 介質(zhì)包括至少被反射層和覆蓋層所覆蓋的基片并且利用在所述基片中形成的凹坑和岸臺(tái)的組合而被記錄以數(shù)據(jù)，所述方法包括利用具有預(yù)定激光功率的激光來(lái)照射所述光盤記錄介質(zhì)中的凹坑或岸 臺(tái)，以將所述基片的每個(gè)被照射部分變形成凸起部分，從而重寫所述數(shù) 據(jù)。
10. —種制造光盤記錄介質(zhì)的盤制造方法，所述介質(zhì)包括至少被反射 層和覆蓋層所覆蓋的基片并且利用在所述基片中形成的凹坑和岸臺(tái)的組合而被記錄以數(shù)據(jù)，所述方法包括主盤產(chǎn)生步驟，產(chǎn)生其上利用所述凹坑和岸臺(tái)的組合而記錄了所述數(shù)據(jù)的主盤； 盤形成步驟，利用基于所述主盤而制作的壓模來(lái)形成所述基片，并且 至少將所述反射層和所述覆蓋層布置在所述基片上以形成其上記錄所述數(shù) 據(jù)的原始數(shù)據(jù)記錄盤；以及數(shù)據(jù)重寫歩驟，利用具有預(yù)定激光功率的激光來(lái)照射所述原始數(shù)據(jù)記 錄盤中的所述凹坑或岸臺(tái)，以將所述基片的被照射部分變形成凸起部分， 從而重寫所述數(shù)據(jù)。
11. 一種光盤記錄介質(zhì)，包括至少被反射層和覆蓋層所覆蓋的基片， 所述介質(zhì)利用在所述基片中形成的凹坑和岸臺(tái)的組合而被記錄以數(shù)據(jù)，其 中所述數(shù)據(jù)是通過(guò)利用激光來(lái)照射所述基片的相應(yīng)部分以將所述部分變 形成凸起部分而被重寫在所述基片中的所述凹坑或岸臺(tái)中的。
全文摘要
通過(guò)利用具有預(yù)定激光功率的激光來(lái)照射而將基片變形成凸起形狀。由于基片被變形成凸起形狀，疊壓在基片上的反射膜也變形成凸起形狀，并且通過(guò)凸起變形的實(shí)施例，可在凹坑部分處獲得與岸臺(tái)部分處的再現(xiàn)信號(hào)電平相等同的再現(xiàn)信號(hào)電平。在岸臺(tái)處可獲得與凹坑部分處的再現(xiàn)信號(hào)電平相等同的再現(xiàn)信號(hào)電平。此時(shí)，由于凸起變形實(shí)施例可由施加的激光束的功率來(lái)控制，因此通過(guò)設(shè)置激光功率可以使凹坑成為岸臺(tái)和使岸臺(tái)成為凹坑。從而，可在其中通過(guò)形成在基片上的凹坑和岸臺(tái)的組合來(lái)記錄數(shù)據(jù)的光盤記錄介質(zhì)中重寫記錄數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK101185129SQ20068001823
公開(kāi)日2008年5月21日 申請(qǐng)日期2006年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月24日
發(fā)明者三木剛, 下馬隆司, 中倉(cāng)雅人, 蘆崎浩二, 藤田五郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社