專利名稱：存儲(chǔ)/再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置、控制方法及使用該方法的存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)設(shè)置在磁盤裝置等中的存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和/或再現(xiàn)的機(jī)構(gòu)的控制裝置。
背景技術(shù)：
通常，將磁盤裝置構(gòu)造成由于使磁盤高速地旋轉(zhuǎn)所導(dǎo)致的氣流而使磁頭(擺臂)浮起約為0.01微米到0.02微米。
近來，由于磁盤的記錄表面的密度增大了，因此磁頭的漂浮(flying)高度逐漸降低。
因此，磁頭的漂浮高度現(xiàn)在變得更容易受到大氣壓、溫度或其他變化因素的變化的影響。例如，當(dāng)大氣壓升高時(shí)，磁頭的漂浮高度也升高，因此信號(hào)特性劣化了。當(dāng)大氣壓降低時(shí)，磁頭的漂浮高度響應(yīng)于此而降低，因此磁頭接觸并損壞磁盤的概率也變大了。
換句話說，存在如下問題在磁盤上存儲(chǔ)和/或再現(xiàn)的信號(hào)的特性受到大氣壓、溫度或其他變化因素的變化的影響。
日本專利公報(bào)《特開昭63-069075號(hào)》公開了一種磁盤裝置，其增大了記錄表面密度，同時(shí)通過僅當(dāng)正在對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和/或再現(xiàn)處理時(shí)才降低磁頭的漂浮高度，來降低磁頭與磁盤之間發(fā)生碰撞的危險(xiǎn)。
日本專利公報(bào)《特開平06-236641號(hào)》公開了一種磁頭漂浮高度控制裝置，其通過實(shí)時(shí)地對(duì)讀/寫頭懸浮系統(tǒng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)來控制盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的頭的漂浮高度。
日本專利公報(bào)《特開2002-092810號(hào)》公開了一種磁盤裝置，其通過根據(jù)錯(cuò)誤原因改變磁頭的漂浮高度來提高錯(cuò)誤恢復(fù)率。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題提出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種用于存儲(chǔ)和/或再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置，其可以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定信號(hào)質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)以上目的，根據(jù)本發(fā)明的控制裝置是通過使盤形存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)而使用于對(duì)所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)處理或再現(xiàn)處理的頭浮起的控制裝置，該控制裝置至少包括錯(cuò)誤檢測(cè)單元，用于從所述頭再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中檢測(cè)錯(cuò)誤；和漂浮高度控制單元，用于根據(jù)所計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率對(duì)所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。
根據(jù)本發(fā)明，即使所述頭的漂浮高度由于大氣壓的變化而變化因而錯(cuò)誤率發(fā)生變化，也可以根據(jù)由所述錯(cuò)誤檢測(cè)單元計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率對(duì)所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。因此，可以保持不受大氣壓的變化的影響的恒定漂浮高度，從而產(chǎn)生可以通過存儲(chǔ)和再現(xiàn)機(jī)構(gòu)來獲得恒定信號(hào)質(zhì)量的效果。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以為存儲(chǔ)和再現(xiàn)機(jī)構(gòu)提供一種控制裝置，該控制裝置可以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定信號(hào)質(zhì)量。


圖1對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制裝置的概要進(jìn)行了說明；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)示例；圖3對(duì)用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度控制的基準(zhǔn)錯(cuò)誤率進(jìn)行了說明；圖4對(duì)用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度控制的錯(cuò)誤率與漂浮高度控制電流Ihr之間的關(guān)系進(jìn)行了說明；以及圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置的漂浮高度的控制處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照?qǐng)D1到5對(duì)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖1對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的控制裝置10的概要進(jìn)行了說明。
如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的控制裝置10至少包括存儲(chǔ)介質(zhì)11，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；頭12，用于對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)11上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)/再現(xiàn)處理；錯(cuò)誤檢測(cè)單元13，用于對(duì)由頭12讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤進(jìn)行計(jì)數(shù)；漂浮高度控制單元14，用于根據(jù)錯(cuò)誤率對(duì)頭12的漂浮高度進(jìn)行控制。
存儲(chǔ)介質(zhì)11例如是在磁盤裝置中使用的存儲(chǔ)介質(zhì)的磁盤。
頭12對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)11中的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)(寫)和再現(xiàn)(讀)處理，同時(shí)保持距存儲(chǔ)介質(zhì)11的比規(guī)定距離大的距離(漂浮高度)。例如，當(dāng)存儲(chǔ)介質(zhì)11是磁盤時(shí)，由于使存儲(chǔ)介質(zhì)11高速旋轉(zhuǎn)而導(dǎo)致的氣流，使頭12浮起比規(guī)定距離大的距離。
錯(cuò)誤檢測(cè)單元13對(duì)由頭12再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤進(jìn)行計(jì)數(shù)。例如，錯(cuò)誤檢測(cè)單元13通過根據(jù)分配給再現(xiàn)數(shù)據(jù)的ECC(錯(cuò)誤校正碼)對(duì)數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)，來對(duì)錯(cuò)誤進(jìn)行計(jì)數(shù)。
漂浮高度控制單元14對(duì)由錯(cuò)誤檢測(cè)單元13計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率與作為基準(zhǔn)的預(yù)定錯(cuò)誤率(以下稱為“基準(zhǔn)錯(cuò)誤率”)進(jìn)行比較，并根據(jù)這兩者之差對(duì)頭12的漂浮高度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置20的結(jié)構(gòu)示例。
圖2所示的磁盤裝置20至少包括一個(gè)或更多個(gè)磁盤21；主軸電動(dòng)機(jī)22，用于使磁盤21按規(guī)定速率旋轉(zhuǎn)；磁頭23，用于對(duì)磁盤21中的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)和再現(xiàn)處理；預(yù)放大器24，用于將由磁頭23讀取的信號(hào)放大到規(guī)定電平；A/D轉(zhuǎn)換器25，用于對(duì)由磁頭23讀取的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化；控制器26，用于通過使用分配給經(jīng)數(shù)字化數(shù)據(jù)的ECC來檢測(cè)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤并計(jì)算錯(cuò)誤率；MPU(微處理單元)27，用于對(duì)磁盤裝置20的整體進(jìn)行控制；漂浮高度調(diào)節(jié)單元28，用于根據(jù)MPU 27的指令對(duì)磁頭23的漂浮高度進(jìn)行調(diào)節(jié)；驅(qū)動(dòng)器29，用于根據(jù)MPU 27的指令對(duì)主軸電動(dòng)機(jī)22進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及I/F 30，其與連接到磁盤裝置20的裝置相連接。
當(dāng)使磁盤21高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁頭23由于由該旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致的氣流而浮起在磁盤21的上方。然后，磁頭23讀取存儲(chǔ)在磁盤21上的數(shù)據(jù)，并將所讀取的內(nèi)容輸出給預(yù)放大器24。
由A/D轉(zhuǎn)換器25對(duì)已通過預(yù)放大器24放大到規(guī)定電平的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化，并將它輸入給控制器26?？刂破?6通過使用分配給所輸入的數(shù)據(jù)的ECC來對(duì)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)，并對(duì)錯(cuò)誤進(jìn)行計(jì)數(shù)。在本實(shí)施例中，使用錯(cuò)誤數(shù)據(jù)與所讀取的全部數(shù)據(jù)的百分比(％)作為錯(cuò)誤率。
將從控制器26輸出的數(shù)據(jù)通過I/F 30輸出給外部設(shè)備。
MPU 27基于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率與由控制器26計(jì)數(shù)出的錯(cuò)誤率之差來計(jì)算對(duì)磁頭23的調(diào)節(jié)量，并向漂浮高度調(diào)節(jié)單元28發(fā)出指令。
漂浮高度調(diào)節(jié)單元28使磁頭23浮起從MPU 27指示的調(diào)節(jié)量。例如，根據(jù)本實(shí)施例，漂浮高度調(diào)節(jié)單元28在磁頭的存儲(chǔ)再現(xiàn)元件的附近設(shè)置熱源，并通過對(duì)其進(jìn)行加熱而導(dǎo)致的存儲(chǔ)再現(xiàn)元件的熱膨脹來調(diào)節(jié)漂浮高度。電流對(duì)該熱源的加熱進(jìn)行控制。以下，將該電流稱為漂浮高度控制電流Ihr。應(yīng)當(dāng)指出，通過熱膨脹來調(diào)節(jié)磁頭23的漂浮高度的方法是常規(guī)方法；因此，略去對(duì)它的詳細(xì)說明。
在以上結(jié)構(gòu)中，圖1所示的存儲(chǔ)介質(zhì)11和頭12分別對(duì)應(yīng)于磁盤21和磁頭23。此外，錯(cuò)誤檢測(cè)單元13和漂浮高度控制單元14分別對(duì)應(yīng)于控制器26和漂浮高度調(diào)節(jié)單元28。
圖3說明了用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置20的漂浮高度控制的基準(zhǔn)錯(cuò)誤率。
在本實(shí)施例中，為了獲得基準(zhǔn)錯(cuò)誤率，對(duì)磁盤裝置20在各種高度(大氣壓)處的錯(cuò)誤率進(jìn)行了測(cè)量。圖3是示出了在6kPa(千帕)、7kPa、8kPa、9kPa以及10kPa下測(cè)量的錯(cuò)誤率的結(jié)果的曲線圖。
根據(jù)本實(shí)施例，磁盤裝置20保證了在等于或低于海拔三千米的高度處的操作。在海拔三千米高度處的大氣壓是7kPa；因此，假設(shè)在7kPa的高度處的錯(cuò)誤率“a”是基準(zhǔn)錯(cuò)誤率。
圖4說明了用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置20的漂浮高度控制的錯(cuò)誤率與漂浮高度控制電流Ihr之間的關(guān)系。
圖4的曲線圖示出了基于利用各種漂浮高度的錯(cuò)誤率的測(cè)量結(jié)果的錯(cuò)誤率特性。由漂浮高度控制電流Ihr來確定漂浮高度，由此，橫軸表示漂浮高度控制電流Ihr。
如圖4所示，當(dāng)漂浮高度控制電流Ihr變大時(shí)，磁頭23的存儲(chǔ)再現(xiàn)元件附近的熱源被加熱，并且存儲(chǔ)再現(xiàn)元件由于該熱而膨脹；因此，磁頭23的漂浮高度變低。作為其結(jié)果，錯(cuò)誤率變低。
當(dāng)漂浮高度控制電流Ihr變小時(shí)，熱源在磁頭23的存儲(chǔ)再現(xiàn)元件附近的熱量變小，因此存儲(chǔ)再現(xiàn)元件更少地膨脹；因此，磁頭23的漂浮高度變得更高。作為其結(jié)果，錯(cuò)誤率變高。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁盤裝置20的漂浮高度的控制處理的流程圖。
當(dāng)接通磁盤裝置20時(shí)，將磁盤裝置20啟動(dòng)，因此處理進(jìn)行到步驟S501。然后，在步驟S501中，磁盤裝置20通過使磁盤21按規(guī)定速率旋轉(zhuǎn)來使磁頭23漂浮，以準(zhǔn)備在磁盤21上可以存儲(chǔ)和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
在步驟S502中，磁盤裝置20讀取預(yù)先存儲(chǔ)在磁盤21的柱面上的數(shù)據(jù)(該數(shù)據(jù)僅用于進(jìn)行漂浮高度測(cè)量)，并對(duì)錯(cuò)誤率進(jìn)行計(jì)數(shù)。以下，將以上柱面和以上數(shù)據(jù)分別稱為“漂浮高度測(cè)量柱面”和“漂浮高度測(cè)量數(shù)據(jù)”。
然后，磁盤裝置20對(duì)漂浮高度控制電流Ihr進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得所計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率對(duì)應(yīng)于在圖3中說明的基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”。以下，將以上調(diào)節(jié)后的漂浮高度控制電流稱為“臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax”。
當(dāng)完成了調(diào)節(jié)時(shí)，磁盤裝置20將臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(或類似裝置)上，然后處理進(jìn)行到步驟S503。
在步驟S503中，磁盤裝置20將漂浮高度控制電流Ihr設(shè)定(固定)為臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax。換句話說，使磁頭23在磁盤21上方的漂浮高度固定。
在步驟S504中，磁盤裝置20根據(jù)來自連接到磁盤裝置20的信息處理設(shè)備等的指令對(duì)磁盤21上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)/再現(xiàn)處理。換句話說，磁盤裝置20對(duì)磁盤21上的數(shù)據(jù)執(zhí)行讀/寫處理。
此外，當(dāng)(由于在從磁盤21讀取數(shù)據(jù)的過程中的失敗而)執(zhí)行重試處理時(shí)，磁盤裝置20對(duì)已執(zhí)行的重試處理的次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
此外，磁盤裝置20根據(jù)通過對(duì)磁盤21進(jìn)行再現(xiàn)處理而讀取的數(shù)據(jù)所分配的ECC來對(duì)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)，并計(jì)算錯(cuò)誤率。
在步驟S505中，磁盤裝置20檢查在步驟S504中計(jì)數(shù)的重試處理的次數(shù)是否等于或大于規(guī)定次數(shù)。當(dāng)該重試處理次數(shù)等于或大于規(guī)定次數(shù)時(shí)，磁盤裝置20確定讀取錯(cuò)誤出現(xiàn)得太頻繁。然后，處理回到步驟S502，并再次執(zhí)行對(duì)臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax的測(cè)量。
然而，當(dāng)在步驟S505中確定讀取錯(cuò)誤并未出現(xiàn)得太頻繁時(shí)，處理進(jìn)行到步驟S506。
在步驟S506中，磁盤裝置20對(duì)在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率與基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”進(jìn)行比較。然后，如果在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率低于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”，則確定磁頭23在磁盤21上方的漂浮高度正在變小，然后處理進(jìn)行到步驟S507。磁盤裝置20接著通過減小漂浮高度控制電流Ihr來提高磁頭23的漂浮高度。
可以防止由于由磁頭23的漂浮高度的降低而引起的磁盤21與磁頭23之間的接觸所導(dǎo)致的頭損毀。
在步驟S506中，當(dāng)在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率不低于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”時(shí)，磁盤裝置20使得處理進(jìn)行到步驟S508。
在步驟S508中，磁盤裝置20對(duì)在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率與基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”進(jìn)行比較。當(dāng)在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率高于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”時(shí)(即，當(dāng)錯(cuò)誤率升高了時(shí))，處理進(jìn)行到步驟S509。
在步驟S509中，磁盤裝置20通過增加漂浮高度控制電流Ihr來降低磁頭23的漂浮高度。
在步驟S510中，磁盤裝置20對(duì)漂浮高度控制電流Ihr與臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax進(jìn)行比較。
如果漂浮高度控制電流Ihr等于或小于臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax，則磁盤裝置20使得處理回到步驟S504。
當(dāng)漂浮高度控制電流Ihr大于臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax時(shí)，磁盤裝置20使得處理進(jìn)行到步驟S511。然后，將漂浮高度控制電流Ihr設(shè)定為臨時(shí)最大漂浮高度控制電流Ihmax，然后處理回到步驟S504。
在步驟S508中，當(dāng)在步驟S504中計(jì)算出的錯(cuò)誤率不高于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率“a”時(shí)(即，當(dāng)錯(cuò)誤率未升高時(shí))，處理進(jìn)行到步驟S512。
在步驟S512中，磁盤裝置20檢查當(dāng)前時(shí)間是否為空閑時(shí)間。例如，如果在規(guī)定的時(shí)段內(nèi)未對(duì)磁盤21執(zhí)行存儲(chǔ)和再現(xiàn)處理，則將該時(shí)段確定為空閑時(shí)間。當(dāng)該時(shí)段被確定為空閑時(shí)段時(shí)，處理回到步驟S502。當(dāng)該時(shí)段被確定為不是空閑時(shí)間時(shí)，處理回到步驟S504。
如上所述，通過不斷測(cè)量錯(cuò)誤率并對(duì)漂浮高度進(jìn)行控制，使得所測(cè)得的錯(cuò)誤率總是等于基準(zhǔn)錯(cuò)誤率，可以防止由于大氣壓的變化引起的漂浮高度的變化而導(dǎo)致的信號(hào)特性的劣化。
換句話說，可以對(duì)磁頭(存儲(chǔ)和再現(xiàn)機(jī)構(gòu))進(jìn)行控制，以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定特性品質(zhì)。結(jié)果，減少了磁盤裝置的重試處理次數(shù)，使得可以使對(duì)數(shù)據(jù)的讀和寫處理加速。
還可以防止由于大氣壓的降低而引起漂浮高度的降低使磁頭與磁盤相互接觸而導(dǎo)致的損毀。
此外，僅僅通過增加一通過對(duì)根據(jù)由磁頭再現(xiàn)的信號(hào)中的錯(cuò)誤率進(jìn)行計(jì)算來對(duì)漂浮高度(漂浮高度控制電流)進(jìn)行控制的處理就可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明；因此，可以通過使用常規(guī)電路結(jié)構(gòu)(即，不必增加專用電路)來容易地實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的漂浮高度控制。
在以上說明中，使用磁盤裝置20的示例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明。然而，本發(fā)明的范圍并不限于這些示例。通過將本發(fā)明應(yīng)用于使用如下方法或類似方法的任何存儲(chǔ)裝置，都可以獲得與以上實(shí)施例相同的效果，所述方法是通過使存儲(chǔ)介質(zhì)高速旋轉(zhuǎn)來使對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)和再現(xiàn)處理的機(jī)構(gòu)浮起。
權(quán)利要求
1.一種控制裝置，該控制裝置通過使盤形存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)而使用于對(duì)所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)處理或再現(xiàn)處理的頭漂浮，該控制裝置至少包括錯(cuò)誤檢測(cè)單元，用于對(duì)由所述頭再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)；和漂浮高度控制單元，用于根據(jù)所計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率來對(duì)所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述漂浮高度控制單元將預(yù)定基準(zhǔn)錯(cuò)誤率與由所述錯(cuò)誤檢測(cè)單元計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率進(jìn)行比較，根據(jù)所述比較的結(jié)果來確定對(duì)所述頭的所述漂浮高度的調(diào)節(jié)量，并將所述頭的所述漂浮高度調(diào)節(jié)所述確定的調(diào)節(jié)量。
3.一種存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包括通過使盤形存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)而使用于對(duì)所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)處理或再現(xiàn)處理的頭漂浮的控制裝置，該存儲(chǔ)裝置至少包括錯(cuò)誤檢測(cè)單元，用于對(duì)由所述頭再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)；和漂浮高度控制單元，用于根據(jù)所計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率來對(duì)所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述漂浮高度控制單元將預(yù)定基準(zhǔn)錯(cuò)誤率與由所述錯(cuò)誤檢測(cè)單元計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率進(jìn)行比較，根據(jù)所述比較的結(jié)果來確定對(duì)所述頭的所述漂浮高度的調(diào)節(jié)量，并將所述頭的所述漂浮高度調(diào)節(jié)所述確定的調(diào)節(jié)量。
5.一種控制方法，該控制方法通過使盤形存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)而使用于對(duì)所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)處理或再現(xiàn)處理的頭漂浮，該控制方法使存儲(chǔ)裝置執(zhí)行以下處理錯(cuò)誤檢測(cè)處理，對(duì)由所述頭再現(xiàn)的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)；和漂浮高度控制處理，根據(jù)所計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率來對(duì)所述頭的漂浮高度進(jìn)行控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制方法，其中，所述漂浮高度控制處理將預(yù)定基準(zhǔn)錯(cuò)誤率與由所述錯(cuò)誤檢測(cè)單元計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤率進(jìn)行比較，根據(jù)所述比較的結(jié)果來確定對(duì)所述頭的所述漂浮高度的調(diào)節(jié)量，并將所述頭的所述漂浮高度調(diào)節(jié)所述確定的調(diào)節(jié)量。
全文摘要
本發(fā)明提供了存儲(chǔ)/再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置、控制方法及使用該方法的存儲(chǔ)裝置。為了提供可以獲得不受大氣壓的變化的影響的恒定錯(cuò)誤率的存儲(chǔ)和再現(xiàn)機(jī)構(gòu)的控制裝置，一種控制裝置包括存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；頭，用于對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)執(zhí)行存儲(chǔ)/再現(xiàn)處理；錯(cuò)誤檢測(cè)單元，用于對(duì)由頭讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)；以及漂浮高度控制單元，用于根據(jù)錯(cuò)誤率對(duì)頭的漂浮高度進(jìn)行控制，以對(duì)漂浮高度由于大氣壓的變化而產(chǎn)生的變化進(jìn)行校正。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101075471SQ20061013577
公開日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2006年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月18日
發(fā)明者柿木格 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社