專(zhuān)利名稱(chēng)：磁記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及搭載在作為信息處理裝置的外部存儲(chǔ)裝置而使用的固定磁盤(pán)裝置等上的磁盤(pán)等磁記錄介質(zhì)及其制造方法，更詳細(xì)地涉及改善磁記錄介質(zhì)的表面形狀，使磁頭低上浮化成為可能的磁記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為計(jì)算機(jī)等信息處理裝置和外部存儲(chǔ)裝置，大多使用固定磁盤(pán)裝置，近年來(lái)，作為便攜電話和MP3播放器等小型存儲(chǔ)裝置也開(kāi)始利用固定磁盤(pán)裝置。
搭載在該固定磁盤(pán)裝置上的磁記錄介質(zhì)是用于磁記錄信息的部件，一般在基板上層疊底層、磁記錄層、保護(hù)層，再涂布液體潤(rùn)滑層?；迨褂帽P(pán)狀的非磁性材料、例如鋁合金和玻璃，也有在表面上用無(wú)電解鍍法等形成由Ni-P膜構(gòu)成的非磁性金屬膜。在非磁性基板上實(shí)施構(gòu)造(texture)加工，用濺射法等在其上形成用于使磁特性提高的由Cr等構(gòu)成的非磁性金屬底層，再用濺射法等形成記錄信息的由Co合金等構(gòu)成的磁記錄層。為了保護(hù)磁記錄層，再用濺射法或等離子體CVD法形成潤(rùn)滑性?xún)?yōu)異、難以磨耗的稱(chēng)之為金剛石類(lèi)碳(DLC)的硬的無(wú)定形碳保護(hù)膜，在其上涂布液體潤(rùn)滑劑。作為液體潤(rùn)滑層的涂布法，考慮生產(chǎn)性和裝置簡(jiǎn)便的方面，大多使用浸漬涂布法(浸漬法)。這是根據(jù)所希望的膜厚，用氟碳類(lèi)溶劑將液體潤(rùn)滑劑原液稀釋為適當(dāng)濃度，在所得到的涂布液中，使基板浸漬一定的時(shí)間后，以一定的速度引起基板或引下涂布液、使溶劑蒸發(fā)，并使殘存在基板上的潤(rùn)滑劑成分吸附在保護(hù)膜上的方法。作為其它的涂布方法，也可以使用旋轉(zhuǎn)涂、噴涂法、蒸鍍法。在保護(hù)層上被涂布的液體潤(rùn)滑劑，主要可以使用全氟聚醚(PFPE)。
近年來(lái)，隨著計(jì)算機(jī)信息處理的高速化，存在要求更加增大磁記錄介質(zhì)記錄容量的狀況。磁記錄介質(zhì)的記錄容量，因?yàn)榭梢杂煽s小磁頭的上浮量(即磁頭和磁記錄介質(zhì)表面之間的距離)而增大，所以，磁頭上浮量變得越來(lái)越小，最近，要求在0.4μin以下的穩(wěn)定飛行。磁頭的上浮量降低時(shí)，磁頭和磁記錄介質(zhì)的接觸機(jī)會(huì)增多，但伴之而來(lái)的因?yàn)闈?rùn)滑劑變得容易移向磁頭，所以，磁頭的上浮變得不穩(wěn)定，使記錄再生特性和磁頭尋找耐久性變得惡化的壞影響變得顯著。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-6849號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本專(zhuān)利特公平7-58545號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3日本專(zhuān)利特開(kāi)2004-326880號(hào)公報(bào)以往以來(lái)認(rèn)識(shí)到涂布潤(rùn)滑層時(shí)，潤(rùn)滑劑不一定被均勻地涂布、產(chǎn)生膜厚的分布，為了解決該問(wèn)題，至今提出在涂覆有潤(rùn)滑劑的表面上通過(guò)按壓擦拭器(wiper)和拋光輪(buff)，由此將潤(rùn)滑劑的分布均勻化，使表面平坦化的方案(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。這些方法中，實(shí)施摩擦接觸處理和拋光處理的部分都是以磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)面內(nèi)(即磁頭上浮區(qū)域、記錄區(qū)域)為對(duì)象。但是，判明隨著磁頭上浮量減少，以往不被關(guān)注的在磁頭上浮區(qū)域以外的局部潤(rùn)滑劑的異常涂布對(duì)磁頭上浮特性帶來(lái)壞影響。圖9是用于說(shuō)明在浸漬涂布法中產(chǎn)生的問(wèn)題的模式圖，為了容易理解進(jìn)行夸大地描寫(xiě)。因?yàn)榻n涂布法利用重力使涂布液在涂布表面上流下，所以，如圖9(a)所示，在磁記錄介質(zhì)20的下側(cè)外周部形成涂布液滯留21，溶劑蒸發(fā)后，如圖9(b)所示地在磁記錄介質(zhì)外周的端面上產(chǎn)生殘存潤(rùn)滑劑22。判明磁記錄介質(zhì)端面是磁頭上浮區(qū)域外，不是與磁頭直接相對(duì)，但殘存的潤(rùn)滑劑隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)、在磁記錄介質(zhì)表面上擴(kuò)散，對(duì)磁頭的上浮帶來(lái)壞影響。潤(rùn)滑劑向端面的殘存不限于浸漬涂布法。在旋轉(zhuǎn)涂布法中，涂布時(shí)的離心力和重力同樣地發(fā)揮作用，產(chǎn)生類(lèi)似的現(xiàn)象。
為了解決該現(xiàn)象，提出在端面按壓摩擦接觸帶、除去潤(rùn)滑劑的方法(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。但是，發(fā)明人等研討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在只在端面按壓摩擦接觸帶的方法中，隨著被用于磁記錄介質(zhì)的基板變薄，就會(huì)產(chǎn)生新的問(wèn)題。即，在磁記錄介質(zhì)端面流下的潤(rùn)滑劑涂布液的量，大致被磁記錄介質(zhì)的表面積左右而不依存于板厚。但是，因?yàn)殡S著磁記錄介質(zhì)的板厚變薄，磁記錄介質(zhì)端面面積按照板厚減少的程度相應(yīng)地減少，所以，端面單位面積上流下的涂布液量增大。其結(jié)果，如果是以往，在端面殘存的潤(rùn)滑劑就變得在磁記錄介質(zhì)端面近處的磁記錄介質(zhì)表面也殘存。在基板、特別是薄的磁記錄介質(zhì)中，從潤(rùn)滑劑剛涂布后，在數(shù)據(jù)面?zhèn)鹊耐庵懿繚?rùn)滑劑滯留被確認(rèn)。在該潤(rùn)滑劑的滯留處，磁頭接觸時(shí)，引起潤(rùn)滑劑向磁頭移動(dòng)，磁頭的上浮變得不穩(wěn)定，對(duì)記錄再生特性和磁頭尋找耐久性帶來(lái)壞影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，用于制造具有非磁性基板、磁記錄層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在該保護(hù)層上涂布液體潤(rùn)滑劑后，一邊使上述磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，一邊將含有溶劑的加工帶同時(shí)按壓在上述磁記錄介質(zhì)的端面和數(shù)據(jù)面的外周部，擦去上述液體潤(rùn)滑劑。
上述非磁性基板的厚度優(yōu)選為0.635mm以下。
另外，優(yōu)選在涂布上述液體潤(rùn)滑劑后，進(jìn)一步實(shí)施加熱處理，然后再利用上述加工帶進(jìn)行擦去。
另外，上述加工帶的負(fù)荷優(yōu)選為15g以上40g以下。
另外，優(yōu)選在擦去上述液體潤(rùn)滑劑后，在對(duì)上述加工帶維持按壓力的狀態(tài)下，從上述磁記錄介質(zhì)拉出該加工帶。
另外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，利用上述任一種制造方法制造。
根據(jù)本發(fā)明，就可以有效地減少磁記錄介質(zhì)端面的潤(rùn)滑劑和磁記錄介質(zhì)數(shù)據(jù)面的最外周部的潤(rùn)滑劑滯留，抑制潤(rùn)滑劑向磁頭的移動(dòng)，另外，即使是低上浮的磁頭，也可以形成能夠穩(wěn)定飛行的磁盤(pán)表面。


圖1是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)外周部的擦去加工方法的一個(gè)例子的模式圖。
圖2是表示本發(fā)明的帶按壓器件的構(gòu)成例子和按壓方法的例子的模式圖。
圖3是表示本發(fā)明的導(dǎo)向輥構(gòu)成例子的模式圖。
圖4是表示本發(fā)明的對(duì)照例2的擦去加工方法的模式圖。
圖5是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成例子的截面模式圖。
圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)外周部的截面模式圖。
圖7是表示實(shí)施例1和對(duì)照例1的磁記錄介質(zhì)外周部的膜厚分布的曲線圖。
圖8是表示實(shí)施例1和對(duì)照例2的磁記錄介質(zhì)外周部的膜厚分布的曲線圖。
圖9是用于說(shuō)明磁記錄介質(zhì)的潤(rùn)滑劑滯留的模式圖。
符號(hào)說(shuō)明11...加工帶12...帶的供給卷盤(pán)13...帶的卷取卷盤(pán)14...導(dǎo)向輥15...溶劑供給噴嘴16...帶按壓器件17...襯墊18...襯墊保持器件20...磁記錄介質(zhì)21...涂布液滯留22...殘存潤(rùn)滑劑25...磁記錄介質(zhì)的端面26...磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)面31...非磁性基板32...底層33...磁記錄層34...保護(hù)層35...潤(rùn)滑層具體實(shí)施方式
以下，參照?qǐng)D面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的圖，是擦去加工形成有潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)20的端面和數(shù)據(jù)面的外周部的機(jī)構(gòu)模式圖。圖6是放大表示磁記錄介質(zhì)20的端部的模式圖，端面25和數(shù)據(jù)面26的外周部是作為加工對(duì)象的加工區(qū)域。
一邊使涂布有液體潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)20在箭頭方向以1000～3000rpm旋轉(zhuǎn)，一邊由帶按壓器件16將含有溶劑的加工帶11按壓在磁記錄介質(zhì)上。加工帶11從帶供給卷盤(pán)12供給，在加工帶附近所圖示的箭頭方向上送出。潤(rùn)滑劑的溶劑從溶劑供給噴嘴15進(jìn)行供給，加工帶11含有溶劑后，被按壓在磁記錄介質(zhì)，進(jìn)行擦去加工。加工后，被容納在帶卷取卷盤(pán)13中。作為加工帶，優(yōu)選尼龍聚酯的織布。這是因?yàn)槭褂玫娜軇┯泻?、但不溶解，微粒等的污染少。另外，作為使用的溶劑，如果具有溶解?rùn)滑劑的作用就不特別要求其種類(lèi)，但優(yōu)選異丙醇或全氟碳。這些對(duì)潤(rùn)滑劑有適當(dāng)?shù)娜芙庑?。另外，?lái)自溶劑供給噴嘴15的溶劑滴加量?jī)?yōu)選是0.01～0.10ml/分鐘。
圖2是放大表示帶按壓器件16和磁記錄介質(zhì)20的接觸部的模式圖，圖2a表示安裝磁記錄介質(zhì)后、進(jìn)行擦去加工前的狀態(tài)，圖2b表示加工中的狀態(tài)，圖2c表示加工后的狀態(tài)。帶按壓器件16由襯墊17和襯墊保持器件18構(gòu)成，襯墊保持器件18在夾持磁記錄介質(zhì)的方向上能夠開(kāi)閉。圖中的箭頭表示襯墊保持器件18的移動(dòng)方向。
圖2a是將帶按壓器件16剛按壓在磁記錄介質(zhì)的狀態(tài)，但襯墊保持器件18成為開(kāi)的狀態(tài)。這里，所謂開(kāi)的狀態(tài)，指的是在磁記錄介質(zhì)方向上移動(dòng)帶按壓器件16時(shí)，在襯墊17和其之間夾著的加工帶11被設(shè)定成不接觸磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)面的間隙。加工帶11優(yōu)選保持為如圖所圖示的圓弧狀(或山形)。圖3是用于說(shuō)明將加工帶保持為圓弧狀的方法的例子的圖，作為導(dǎo)向輥14、使用中央凸的桶狀的輥，在2個(gè)導(dǎo)向輥14之間，由賦予加工帶適當(dāng)?shù)膹埩?，可以保持圓弧狀的形狀。由這樣制作，在加工時(shí)，可以成為帶端不接觸磁記錄介質(zhì)的表面，可以抑制意想不到的加工傷和微粒的發(fā)生。
在加工時(shí)使襯墊保持器件18成為閉的狀態(tài)，由襯墊17將含有溶劑的濕加工帶11以所希望的面積壓力按壓在磁記錄介質(zhì)上。此時(shí)，如圖2b所示地，加工帶11為コ字型，進(jìn)行磁記錄介質(zhì)的端面25和數(shù)據(jù)面26的外周部的處理。在個(gè)別處理數(shù)據(jù)面和端面的方法中，增加加工時(shí)間。通過(guò)同時(shí)加工，從加工裝置數(shù)量、帶使用量方面出發(fā)也有利于減少成本。襯墊17優(yōu)選以磁記錄介質(zhì)垂直方向的負(fù)荷為15～40g進(jìn)行按壓。這是因?yàn)樨?fù)荷過(guò)低時(shí)沒(méi)有擦去效果，負(fù)荷過(guò)高時(shí)帶和磁記錄介質(zhì)之間的摩擦力變高，就從帶上產(chǎn)生灰塵。
擦去加工結(jié)束后，以襯墊保持器件18成為閉的狀態(tài)，即對(duì)加工帶施加按壓力，以帶成為コ字型的狀態(tài)，如圖2c那樣地從磁記錄介質(zhì)拉出帶按壓器件16。這是為了避免擦去的潤(rùn)滑劑殘留在磁記錄介質(zhì)上。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成、以及各層材料和成膜條件等沒(méi)有特別限定。除了通過(guò)先前所示的確定工序進(jìn)行液體潤(rùn)滑層的處理以外，可以適用本技術(shù)領(lǐng)域中的常用技術(shù)。
圖5是表示磁記錄介質(zhì)構(gòu)成的一個(gè)例子的截面模式圖，在非磁性基板31上形成底層32，在其上以濺射方式和CVD方式等順序形成磁記錄層33、保護(hù)層34后，例如以浸漬涂布法涂布潤(rùn)滑層35。也可以根據(jù)需要設(shè)置取向控制層、中間層、軟磁性里層等附加層。
非磁性基板31可以是由鋁合金、化學(xué)強(qiáng)化玻璃、結(jié)晶化玻璃、陶瓷、硅、聚碳酸酯、高分子樹(shù)脂等材料制成的基板，也可以是沒(méi)有特別限定的基板。其大小沒(méi)有特別限定，但適用直徑為0.85英寸～2.5英寸、厚度為0.635mm以下的磁記錄介質(zhì)時(shí)可以得到特別的效果。
底層32可以由常用的任意成分形成，沒(méi)有特別限定。例如可以使用Cr、Cr-W、Cr-V、Cr-Mo、Cr-Si、Ni-Al、Co-Cr、Mo、W、Pt等。膜厚優(yōu)選為20nm以下，特別優(yōu)選為10～20nm。
磁記錄層33可以使用常用的磁性材料，例如可以使用以CoCrTaPt、CoCrTaPt-Cr2O3、CoCrTaPt-SiO2、CoCrTaPt-ZrO2、CoCrTaPt-TiO2、CoCrTaPt-Al2O3等成分制成的磁記錄層。膜厚優(yōu)選為20nm以下，特別優(yōu)選為10～20nm。也可以使用多層磁記錄層作為多層結(jié)構(gòu)的記錄層。
從磁頭沖擊、外界腐蝕物質(zhì)等的腐蝕觀點(diǎn)出發(fā)，保護(hù)層34具有保護(hù)磁記錄層的功能，例如可以使用無(wú)定形碳、金剛石類(lèi)碳和加氮無(wú)定形碳等。保護(hù)層的厚度優(yōu)選為5.0nm以下，特別優(yōu)選為2.0～4.0nm。
形成潤(rùn)滑層35的潤(rùn)滑劑優(yōu)選全氟聚醚，例如可以使用Z-dol、Z-tetraol、Z-dolTX、AM類(lèi)、膦腈(phosphazene)類(lèi)等。根據(jù)所希望的，可以是混合2種以上的潤(rùn)滑劑。膜厚優(yōu)選為2.0nm以下，特別優(yōu)選為1.0～1.5nm。
以下，利用實(shí)施例更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
(實(shí)施例1)制作以Z-tetraol為潤(rùn)滑層的圖5的構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)，說(shuō)明對(duì)端部進(jìn)行擦去加工的例子。
作為非磁性基板31，使用外徑2.5英寸、板厚0.635mm的玻璃基板。充分洗凈基板后、導(dǎo)入到濺射裝置中，以合計(jì)膜厚25nm形成Cr類(lèi)的層疊底層32。接著，形成15nm的Co類(lèi)磁記錄層33，接著，形成膜厚4nm的加氮碳保護(hù)層34后，從濺射裝置取出，以浸漬涂布法形成潤(rùn)滑層35。潤(rùn)滑劑使用Z-tetraol，將其用氟碳類(lèi)溶劑稀釋成為0.03wt％，以拉出速度為1.0mm/sec進(jìn)行成膜，以基板中間的環(huán)狀區(qū)域的膜厚為1.2nm涂布潤(rùn)滑層。接著，以70℃加熱35分鐘后，進(jìn)行端部的擦去加工。
端部的擦去加工裝置，使用如圖1所示的申請(qǐng)人在公司內(nèi)部使用的制作的裝置。加工帶11使用Kanebo社生產(chǎn)的NC-310，溶劑使用異丙醇，襯墊17使用厚度為1.5mm、寬為5mm的氯丁二烯橡膠?；逍D(zhuǎn)數(shù)2000rpm，在基板上以垂直方向的襯墊按壓負(fù)荷為20g進(jìn)行3秒鐘的端部加工。另外，帶按壓器件16從加工前位置向加工位置的移動(dòng)量設(shè)定為，在加工帶接觸磁記錄介質(zhì)外周部以后，再向內(nèi)周側(cè)移動(dòng)5mm。此時(shí)的移動(dòng)速度是1.0mm/sec。
(對(duì)照例1)除了不進(jìn)行端部的擦去加工以外，與實(shí)施例1同樣操作，制作磁記錄介質(zhì)，完成對(duì)照例1。
(對(duì)照例2)除了作為端部擦去加工裝置的加工帶按壓器件16，使用圖4所示圓筒狀的輥以外，與實(shí)施例1同樣操作，制作磁記錄介質(zhì)，完成對(duì)照例2。
使用這些試樣，測(cè)定潤(rùn)滑層的膜厚分布。測(cè)定以Candela社生產(chǎn)的OSA5100進(jìn)行。OSA是相對(duì)磁記錄介質(zhì)的表面從斜面處照射P偏光波(縱波)和S偏光波(橫波)的激光，檢測(cè)反射光的位相差，定量反射物質(zhì)上(例如，磁記錄層和保護(hù)層上)的物質(zhì)(碳和潤(rùn)滑劑)的裝置。這次，為了詳細(xì)地檢測(cè)潤(rùn)滑層的狀態(tài)，使用比P、S偏光波單體靈敏度高的Q偏光波和S偏光波的位相差變化。
圖7是表示實(shí)施例1和對(duì)照例1的磁記錄介質(zhì)的潤(rùn)滑層膜厚分布的圖，表示在端部的擦去加工前時(shí)，在基板表面外周部含有潤(rùn)滑劑滯留處的半徑位置的測(cè)定值。半徑位置表示離開(kāi)磁記錄介質(zhì)的中心的距離如果參照?qǐng)D7，在磁記錄介質(zhì)外周部的潤(rùn)滑層厚膜處和磁記錄介質(zhì)內(nèi)周部的潤(rùn)滑層膜厚的差中，相對(duì)于沒(méi)有進(jìn)行擦去加工處理的對(duì)照例1的膜厚約0.6nm厚，實(shí)施了擦去加工處理的實(shí)施例1的厚膜部只滯留約0.2nm厚度，可知通過(guò)擦去加工處理，減少磁記錄介質(zhì)外周部的潤(rùn)滑劑滯留的高度。
圖8是表示實(shí)施例1和對(duì)照例2的磁記錄介質(zhì)的潤(rùn)滑層膜厚分布的圖，測(cè)定位置與圖7相同。如果與圖7同樣地比較膜厚差，可知將帶按壓器件16制成輥狀的對(duì)照例2，膜厚約0.5nm厚度，實(shí)施例1有效地減少潤(rùn)滑劑滯留。
如以上所述，通過(guò)積極地進(jìn)行擦去加工磁記錄介質(zhì)外周部，減少磁記錄介質(zhì)外周部的潤(rùn)滑劑滯留高度、減少潤(rùn)滑劑向磁頭的移動(dòng)，即使低上浮也可以形成能夠穩(wěn)定飛行的磁記錄介質(zhì)表面。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，用于制造具有非磁性基板、磁記錄層、保護(hù)層和潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在該保護(hù)層上涂布液體潤(rùn)滑劑后，一邊使所述磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，一邊將含有溶劑的加工帶同時(shí)按壓在所述磁記錄介質(zhì)的端面和數(shù)據(jù)面的外周部，擦去所述液體潤(rùn)滑劑。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于所述非磁性基板的厚度為0.635mm以下。
3.如權(quán)利要求1～2中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于在涂布所述液體潤(rùn)滑劑后，進(jìn)一步實(shí)施加熱處理，然后再利用所述加工帶進(jìn)行擦去。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于所述加工帶的負(fù)荷為15g以上40g以下。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于在擦去所述液體潤(rùn)滑劑后，在對(duì)所述加工帶施加按壓力的狀態(tài)下，從所述磁記錄介質(zhì)拉出該加工帶。
6.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于利用權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使磁記錄介質(zhì)外周部的潤(rùn)滑層膜厚均勻化、使磁頭上浮穩(wěn)定化的方法。該方法用于制造具有潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在保護(hù)層上涂布液體潤(rùn)滑劑后，一邊使磁記錄介質(zhì)(20)旋轉(zhuǎn)，一邊利用帶按壓器件(16)，將含有溶劑的加工帶(11)同時(shí)按壓在所述磁記錄介質(zhì)的端面和數(shù)據(jù)面的外周部，擦去所述液體潤(rùn)滑劑。非磁性基板的厚度優(yōu)選為0.635mm以下。另外，涂布液體潤(rùn)滑劑后，進(jìn)一步施加加熱處理，再利用加工帶進(jìn)行擦去。
文檔編號(hào)G11B5/84GK1920962SQ200610116000
公開(kāi)日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月22日
發(fā)明者草川和大, 白井信二 申請(qǐng)人:富士電機(jī)控股株式會(huì)社