專利名稱：于讀取缺陷碟片信號(hào)時(shí)鎖相回路的保護(hù)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于光碟機(jī)的保護(hù)裝置，特別是有關(guān)于一種于缺陷碟片上讀取信號(hào)時(shí)光碟機(jī)中鎖相回路的保護(hù)方法與裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，碟片型式的儲(chǔ)存媒介由于具備強(qiáng)大的儲(chǔ)存能力而被廣泛用來保存數(shù)據(jù)。這種碟片型式的儲(chǔ)存媒介，例如光碟片，亦即CD-R碟片、CD-RW碟片、DVD-R碟片、DVD-RW碟片、DVD+R碟片、DVD+RW碟片、或DVD-RAM碟片等，也對(duì)儲(chǔ)存于其中的數(shù)據(jù)提供較佳的保護(hù)以免于損傷。然而對(duì)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存而言，上面所描述的特色并不意味著光碟片為完美的儲(chǔ)存媒介，某些缺陷可能發(fā)生于它們裸露的表面上，例如深的刮痕(deep scratch)、淺的刮痕(shallow scratch)，甚至于指紋(fingerprint)等等，這些缺陷不只導(dǎo)致系統(tǒng)讀寫時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤，也會(huì)于讀寫數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生對(duì)系統(tǒng)的干擾。因此，檢測(cè)碟片上的缺陷以保護(hù)系統(tǒng)避免出現(xiàn)被干擾或不穩(wěn)定的情況是很重要的事。
以往習(xí)知技術(shù)是利用信號(hào)振幅(amplitude)的差異，例如射頻位準(zhǔn)(RF level，RFLVL)或是次電波信號(hào)附加(sub-beam added，SBAD)信號(hào)，來檢測(cè)碟片上的缺陷。如圖1A所示，其系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)深缺陷所得的信號(hào)示意圖。在圖1A中，射頻信號(hào)110于時(shí)段120有一個(gè)凹陷區(qū)域112。這表示凹陷區(qū)域112相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)因缺陷而受損，以至于無法讀出時(shí)段120中的射頻信號(hào)110。更進(jìn)一步而言，凹陷區(qū)域112的深度顯示缺陷的深度。由射頻信號(hào)110經(jīng)過一低通濾波器所形成的射頻位準(zhǔn)(RFLVL)信號(hào)114顯現(xiàn)出射頻信號(hào)110的封包(envelope)。檢測(cè)臨界值130為一固定的直流參考電位。當(dāng)RFLVL信號(hào)114于時(shí)段120中低于檢測(cè)臨界值130時(shí)，缺陷旗標(biāo)信號(hào)140從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。此外，F(xiàn)E/TE(focusing error/tracking error)信號(hào)150分別于時(shí)段120的起點(diǎn)和終點(diǎn)產(chǎn)生正凸波(surge)152及負(fù)凸波154來顯示聚焦(focusing)及循軌(tracking)的錯(cuò)誤信號(hào)。然而，當(dāng)缺陷旗標(biāo)信號(hào)140由低準(zhǔn)位提升至高準(zhǔn)位時(shí)，伺服機(jī)系統(tǒng)，例如聚焦與循軌伺服機(jī)，及數(shù)據(jù)路徑控制系統(tǒng)，例如前級(jí)放大器、分片器(slicer)或鎖相回路，就能得知系統(tǒng)檢測(cè)到缺陷信號(hào)，因而可以利用一些適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)方法及裝置來降低潛在的干擾與不穩(wěn)定性。
參考圖1B，其系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)淺缺陷所得的信號(hào)示意圖。在圖1B中，射頻信號(hào)110-1于時(shí)段120-1有一凹陷區(qū)域112-1。這也表示凹陷區(qū)域112-1相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)因缺陷而受損，以至于時(shí)段120-1中的射頻信號(hào)110-1無法被完全讀出。但是凹陷區(qū)域112-1的深度可能只是受到一淺缺陷的影響，例如一個(gè)淺刮痕，不似圖1A所示的凹陷區(qū)域112那么深。RFLVL信號(hào)114-1顯現(xiàn)出射頻信號(hào)110-1的封包。檢測(cè)臨界值130-1如同圖1A所示的檢測(cè)臨界值130為一固定的直流參考電位。很明顯的，RFLVL信號(hào)114-1總是高于檢測(cè)臨界值130-1，因?yàn)闇\缺陷并未造成足夠深的凹陷區(qū)域112-1。因此，不只缺陷旗標(biāo)信號(hào)140-1對(duì)淺缺陷無反應(yīng)，而且除了一些雜訊外，F(xiàn)E/TE信號(hào)150-1并沒有明顯的改變。更進(jìn)一步而言，由于并未檢測(cè)到淺缺陷，一些保護(hù)的方法及裝置并未被觸發(fā)來保護(hù)系統(tǒng)免于潛在的干擾及不穩(wěn)定性。換句話說，伺服機(jī)系統(tǒng)及數(shù)據(jù)路徑控制系統(tǒng)很容易在此種缺陷情況下被影響。
類似的情況，參考圖1C，其系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)指紋所得的信號(hào)示意圖。在圖1C中，射頻信號(hào)110-2于時(shí)段120-2有一凹陷區(qū)域112-2。這也表示凹陷區(qū)域112-2相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)因缺陷而受到輕微的影響，以至于射頻信號(hào)110-2于時(shí)段120-2有較弱的振幅。同樣的，凹陷區(qū)域112-2可能只受到淺缺陷的影響，例如指紋，也不如圖1B所示的凹陷區(qū)域112-1那么深。RFLVL信號(hào)114-2顯現(xiàn)出射頻信號(hào)110-2的封包，且檢測(cè)臨界值130-2如同圖1A所示的檢測(cè)臨界值130為一固定的直流參考電位。RFLVL信號(hào)114-2總是高于檢測(cè)臨界值130-2，因?yàn)闇\缺陷并未造成足夠深的凹陷區(qū)域112-2。因此，不只缺陷旗標(biāo)信號(hào)140-2對(duì)淺缺陷無反應(yīng)，而且除了一些雜訊外，F(xiàn)E/TE信號(hào)150-2并沒有明顯的改變。這情況類似于圖1B所描述的情況，伺服機(jī)系統(tǒng)及數(shù)據(jù)路徑控制系統(tǒng)不能被安全地保護(hù)。然而另一方面，圖1B與圖1C所示的缺陷根據(jù)他們受損的深度、寬度及方向，包含不同的狀態(tài)。有些缺陷可能還有原始的數(shù)據(jù)，但是其他的只有已損壞的數(shù)據(jù)。因此，很難只靠檢測(cè)臨界值的比較來決定缺陷旗標(biāo)信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種鎖相回路保護(hù)裝置，用以保護(hù)一鎖相回路于讀取缺陷碟片時(shí)不被干擾，該鎖相回路保護(hù)裝置包含一缺陷檢測(cè)裝置以及一邏輯組合單元。缺陷檢測(cè)裝置接收多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)以設(shè)置多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)，其中該多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)至少包含一射頻信號(hào)的一封包信號(hào)以及位元調(diào)變信號(hào)。邏輯組合單元用以對(duì)該多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行一邏輯運(yùn)算以檢測(cè)一特定缺陷。其中當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，鎖相回路使用不同頻寬以補(bǔ)償一受該特定缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。
本發(fā)明進(jìn)一步揭露一種鎖相回路保護(hù)方法，用以保護(hù)一鎖相回路于讀取缺陷碟片時(shí)不被干擾，該鎖相回路保護(hù)方法包含以下步驟。首先，接收多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)以設(shè)置多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)，其中該多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)至少包含一射頻信號(hào)的一封包信號(hào)以及位元調(diào)變信號(hào)。接著，對(duì)該多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行一邏輯運(yùn)算以檢測(cè)一特定缺陷。當(dāng)檢測(cè)該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路使用不同頻寬以補(bǔ)償一受該特定缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。

圖1A系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)深缺陷所得的信號(hào)示意圖；圖1B系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)淺缺陷所得的信號(hào)示意圖；圖1C系為通過習(xí)知射頻位準(zhǔn)檢測(cè)方法來檢測(cè)指紋所得的信號(hào)示意圖；圖2系為根據(jù)本發(fā)明所繪示的一應(yīng)用缺陷檢測(cè)裝置的光碟機(jī)方塊示意圖；圖3A至圖3F系為根據(jù)本發(fā)明所繪示的缺陷檢測(cè)方法流程圖；圖4系為根據(jù)本發(fā)明的缺陷檢測(cè)方法來檢測(cè)不同的缺陷所得的信號(hào)示意圖；以及圖5通過根據(jù)本發(fā)明的鎖相回路的方塊示意圖為例。
具體實(shí)施方式本發(fā)明的一些實(shí)施例將會(huì)在此較詳細(xì)地介紹。不過，必須要了解本發(fā)明除了以下詳述的實(shí)施例的外，還可以以其他較大范圍的實(shí)施例來實(shí)施，且本發(fā)明所保護(hù)的范圍應(yīng)在附錄的申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)。此外，為使例證簡(jiǎn)潔以及使本發(fā)明易于了解，一些無關(guān)的細(xì)節(jié)并未描繪出來。
請(qǐng)參考圖2，其系為根據(jù)本發(fā)明所繪示的一應(yīng)用缺陷檢測(cè)裝置的光碟機(jī)方塊示意圖。在圖2中，伺服機(jī)控制裝置210通過功率驅(qū)動(dòng)器212控制相關(guān)機(jī)電裝置，例如主軸馬達(dá)204的轉(zhuǎn)速、推動(dòng)馬達(dá)206的移動(dòng)，以及鏡片208些微的循軌與聚焦的移動(dòng)。也就是說，伺服機(jī)控制裝置210可以使得鏡片208不只是對(duì)準(zhǔn)碟片202的正確軌道，也可于數(shù)據(jù)讀取與轉(zhuǎn)移時(shí)有較佳的聚焦。通過讀取頭209于水平方向上粗略的移動(dòng)及鏡片208于水平方向上些微的循軌移動(dòng)，以及鏡片208于垂直方向上些微的聚焦移動(dòng)，伺服機(jī)控制裝置210可以使得讀取頭209于碟片202的正確軌道上有較好的聚焦。數(shù)據(jù)路徑控制單元280包含一前級(jí)放大器220、分片器(slicer)230、鎖相回路(phase lock loop，PLL)240及解碼器250。前級(jí)放大器220由讀取頭209接收數(shù)據(jù)信號(hào)并產(chǎn)生各種不同的信號(hào)，例如數(shù)據(jù)處理用的射頻信號(hào)、伺服機(jī)控制裝置210用的伺服機(jī)控制信號(hào)，即FE/TE信號(hào)以及檢測(cè)缺陷用的其他信號(hào)，即8到14個(gè)位元調(diào)變(eight to fourteen modulation，EFM)信號(hào)及射頻位準(zhǔn)(RFLVL)信號(hào)。分片器230將由前級(jí)放大器220輸出來的射頻信號(hào)數(shù)字化。鎖相回路240使得數(shù)字化的射頻信號(hào)與系統(tǒng)計(jì)時(shí)器同步，且根據(jù)系統(tǒng)計(jì)時(shí)器計(jì)算數(shù)字化的射頻信號(hào)的長(zhǎng)度。解碼器250解譯數(shù)字化的射頻信號(hào)至一主機(jī)(未圖示)。
為了檢測(cè)各種不同的信號(hào)，缺陷檢測(cè)裝置260通過不同的缺陷檢測(cè)方法來設(shè)定相對(duì)應(yīng)的缺陷旗標(biāo)信號(hào)，從前級(jí)放大器220接收各種不同的信號(hào)，以及從分片器230及鎖相回路240接收EFM信號(hào)。其中，不同的缺陷檢測(cè)方法包含ADefect檢測(cè)方法、ADefect1檢測(cè)方法、EFMDefect檢測(cè)方法、RPDefect檢測(cè)方法、中斷檢測(cè)方法、及DSPDefect檢測(cè)方法，用以設(shè)置(set)ADefect旗標(biāo)信號(hào)、ADefect1旗標(biāo)信號(hào)、EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)、RPDefect旗標(biāo)信號(hào)、中斷旗標(biāo)信號(hào)及DSPDefect旗標(biāo)信號(hào)。此缺陷檢測(cè)裝置260可為一微處理器，或?yàn)橐粩?shù)字信號(hào)處理器(Digital SignalProcessor，DSP)，其內(nèi)部?jī)?chǔ)存上述該些檢測(cè)方法的韌體，用以執(zhí)行相對(duì)應(yīng)的缺陷檢測(cè)。邏輯組合單元270對(duì)該些缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行適當(dāng)?shù)倪壿嬤\(yùn)算，例如簡(jiǎn)單的“或”運(yùn)算或者“及”運(yùn)算，來精確地檢測(cè)缺陷。當(dāng)此運(yùn)算結(jié)果顯示檢測(cè)到一缺陷時(shí)，邏輯組合單元270會(huì)觸發(fā)缺陷保護(hù)(defect protection)方法及裝置來保護(hù)相對(duì)應(yīng)的單元，例如伺服機(jī)控制裝置210、前級(jí)放大器220、分片器230、鎖相回路240及解碼器250。此邏輯組合單元270可為數(shù)字邏輯電路，由使用者設(shè)計(jì)所需的運(yùn)算邏輯。
如圖3A到3F圖所示，其系為根據(jù)本發(fā)明所繪示的缺陷檢測(cè)方法流程圖。參閱圖3A，其系為ADefect缺陷檢測(cè)方法流程圖。首先，比較RFLVL信號(hào)與ADefect位準(zhǔn)(步驟311)，其中，RFLVL信號(hào)為射頻信號(hào)的封包，且ADefect位準(zhǔn)為固定的直流參考電位。當(dāng)RFLVL信號(hào)低于ADefect位準(zhǔn)時(shí)，ADefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟315)。當(dāng)RFLVL信號(hào)高于ADefect位準(zhǔn)時(shí)，則判斷是否在一缺陷延遲時(shí)間內(nèi)(步驟312)。當(dāng)在該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)高于ADefect位準(zhǔn)，則ADefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟314)。然而，當(dāng)未于該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)高于ADefect位準(zhǔn)時(shí)，則ADefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0(步驟313)。ADefect檢測(cè)方法可用于檢測(cè)深缺陷，例如刮痕。ADefect旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。
參閱圖3B，其系為ADefect1缺陷檢測(cè)方法流程圖。圖3B中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號(hào)與ADefect1位準(zhǔn)(步驟321)，其中RFLVL信號(hào)為射頻信號(hào)的封包，且ADefect1位準(zhǔn)為固定的直流參考電位，其中ADefect位準(zhǔn)與ADefect1位準(zhǔn)主要的差別在于ADefect1位準(zhǔn)高于ADefect位準(zhǔn)，使得ADefect1檢測(cè)對(duì)于淺缺陷及指紋較ADefect檢測(cè)敏感。當(dāng)RFLVL信號(hào)低于ADefect1位準(zhǔn)時(shí)，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟325)。當(dāng)RFLVL信號(hào)高于ADefect1位準(zhǔn)時(shí)，則判斷是否在一缺陷延遲時(shí)間內(nèi)(步驟322)。當(dāng)在該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)高于ADefect1位準(zhǔn)，則ADefect1旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟324)。然而，當(dāng)未于缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)高于ADefect1位準(zhǔn)時(shí)，則ADefect1旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0(步驟323)。ADefect1旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。
參閱圖3C，其系為EFMDefect缺陷檢測(cè)方法流程圖。當(dāng)一數(shù)據(jù)領(lǐng)域(sector)或數(shù)據(jù)框架(frame)有至少n1個(gè)射頻信號(hào)的樣式短于一第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟331)。例如，對(duì)CD與DVD而言第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為3T。當(dāng)此數(shù)據(jù)領(lǐng)域或數(shù)據(jù)框架有至少n2個(gè)射頻信號(hào)的樣式長(zhǎng)于一第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度時(shí)，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟332)。例如，此第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度對(duì)于CD及DVD而言，分別為11T與14T。當(dāng)此數(shù)據(jù)領(lǐng)域或數(shù)據(jù)框架有至少n3個(gè)射頻信號(hào)的樣式長(zhǎng)于一非常(serious)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度時(shí)，例如18T，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟333)。另一方面，當(dāng)此數(shù)據(jù)領(lǐng)域或數(shù)據(jù)框架有至少n4個(gè)射頻信號(hào)的樣式介于第一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度與第二預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度的間，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0。EFMDefect檢測(cè)方法可用于檢測(cè)異常的信號(hào)長(zhǎng)度，且為即時(shí)缺陷檢測(cè)方法。其中，當(dāng)變數(shù)n1、n2、n3及n4的數(shù)值較小時(shí)，EFMDefect檢測(cè)方法較為敏感。EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。
參閱圖3D，其系為中斷缺陷檢測(cè)方法流程圖。圖3D中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號(hào)與中斷位準(zhǔn)(步驟341)，其中RFLVL信號(hào)為射頻信號(hào)的封包，且中斷位準(zhǔn)為固定的直流參考電位，其中中斷位準(zhǔn)的設(shè)定高于RFLVL信號(hào)以檢測(cè)因全反射而產(chǎn)生的缺陷。當(dāng)RFLVL信號(hào)高于中斷位準(zhǔn)時(shí)，中斷旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟345)。當(dāng)RFLVL信號(hào)低于中斷位準(zhǔn)時(shí)，則判斷是否在一缺陷延遲時(shí)間內(nèi)(步驟342)。當(dāng)在該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)低于中斷位準(zhǔn)，則中斷旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟344)。然而，當(dāng)未于缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)低于中斷位準(zhǔn)時(shí)，則中斷旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0(步驟343)。中斷旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。
參考圖3E，其系為RPDefect缺陷檢測(cè)方法流程圖。圖3E中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFRP信號(hào)與RPDefect位準(zhǔn)(步驟351)，其中RFRP信號(hào)可能為射頻信號(hào)的峰端封包或底端封包，也有可能為射頻信號(hào)的峰端到底端的值，且RPDefect位準(zhǔn)為固定的直流參考電位。當(dāng)RFRP信號(hào)低于RPDefect位準(zhǔn)時(shí)，RPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟355)。當(dāng)RFRP信號(hào)高于RPDefect位準(zhǔn)時(shí)，則判斷是否在一缺陷延遲時(shí)間內(nèi)(步驟352)。當(dāng)在該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFRP信號(hào)高于RPDefect位準(zhǔn)，則RPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟354)。然而，當(dāng)未于缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFRP信號(hào)高于RPDefect位準(zhǔn)時(shí)，則RPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0(步驟353)。RPDefect旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。RPDefect檢測(cè)方法通過進(jìn)一步處理射頻信號(hào)來檢測(cè)缺陷，所以對(duì)于缺陷檢測(cè)較為敏感。由于對(duì)檢測(cè)缺陷的敏感度，使得RPDefect檢測(cè)適合用來檢測(cè)小刮痕以及中斷缺陷。
參考圖3F，其系為DSPDefect缺陷檢測(cè)方法流程圖。圖3F中的所有步驟與圖3A類似。首先，比較RFLVL信號(hào)與RFLVL_LPF信號(hào)的間差異的絕對(duì)值與一預(yù)設(shè)臨界值(步驟361)，其中RFLVL_LPF信號(hào)為RFLVL信號(hào)經(jīng)過低通濾波器的后一個(gè)緩慢漸降的信號(hào)。當(dāng)RFLVL信號(hào)與RFLVL_LPF信號(hào)的間差異的絕對(duì)值高于該預(yù)設(shè)臨界值，則DSPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟365)。當(dāng)RFLVL信號(hào)與RFLVL_LPF信號(hào)的間差異的絕對(duì)值低于該預(yù)設(shè)臨界值時(shí)，則判斷是否在一缺陷延遲時(shí)間內(nèi)(步驟362)。當(dāng)在該缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)與RFLVL_LPF信號(hào)的間差異的絕對(duì)值低于該預(yù)設(shè)臨界值，則DSPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)1(步驟364)。而當(dāng)未于缺陷延遲時(shí)間內(nèi)，RFLVL信號(hào)與RFLVL_LPF信號(hào)的間差異的絕對(duì)值低于該預(yù)設(shè)臨界值時(shí)，則DSPDefect旗標(biāo)信號(hào)設(shè)成邏輯狀態(tài)0(步驟363)。DSPDefect旗標(biāo)信號(hào)從低準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)0)提升至高準(zhǔn)位(邏輯狀態(tài)1)，代表檢測(cè)到一缺陷。DSPDefect檢測(cè)方法通過一可變動(dòng)的臨界值來檢測(cè)缺陷，因此不需要固定的直流參考電位。
以下將舉一最佳實(shí)施例來說明上述數(shù)種缺陷檢測(cè)方法的應(yīng)用。請(qǐng)參考圖4，其系為根據(jù)本發(fā)明的缺陷檢測(cè)方法來檢測(cè)不同的缺陷所得的信號(hào)示意圖。在圖4中，射頻信號(hào)41有一深凹陷區(qū)域，因此它的封包信號(hào)411也有一深凹陷區(qū)域。根據(jù)的前提過的ADefect1及ADefect檢測(cè)方法，當(dāng)封包信號(hào)411低于ADefect1位準(zhǔn)402及ADefect位準(zhǔn)401時(shí)，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)416及ADefect旗標(biāo)信號(hào)415分別由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。因?yàn)榇税枷輩^(qū)域足夠?qū)?，且產(chǎn)生異常數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，所以EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)417一樣也由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。中斷旗標(biāo)信號(hào)419對(duì)此凹陷區(qū)域沒有任何反應(yīng)，因?yàn)榉獍盘?hào)411總是低于中斷位準(zhǔn)404。RFRP(峰端維持)信號(hào)412及RFRP(底端反向)信號(hào)413分別表示射頻信號(hào)41的峰端封包及反向底端封包。因此，RFRP(峰-底)信號(hào)414由RFRP(峰端維持)信號(hào)412減RFRP(底端反向)信號(hào)413所得到。當(dāng)RFRP(峰-底)信號(hào)414低于RPDefect位準(zhǔn)405時(shí)，RPDefect旗標(biāo)信號(hào)418由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。如此，由深缺陷所造成的深凹陷區(qū)域，例如刮痕，可以通過ADefect、ADefect1、EFMDefect及RPDefect檢測(cè)方法而檢測(cè)出來，因?yàn)樗纳疃燃皩挾葘?duì)于缺陷檢測(cè)而言，夠深且夠?qū)挕?br> 射頻信號(hào)42有一淺及窄的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號(hào)421也有相同的形式。根據(jù)ADefect1檢測(cè)方法，當(dāng)此封包信號(hào)421低于ADefect1位準(zhǔn)402時(shí)，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)426由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號(hào)422及RFRP(底端反向)信號(hào)423分別表示射頻信號(hào)42的峰端封包及反向底端封包。更進(jìn)一步，RFRP(峰-底)信號(hào)424由RFRP(峰端維持)信號(hào)422減RFRP(底端反向)信號(hào)423所得到。當(dāng)RFRP(峰-底)信號(hào)424低于RPDefect位準(zhǔn)405時(shí)，RPDefect旗標(biāo)信號(hào)428由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。然而ADefect旗標(biāo)信號(hào)425、EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)427、中斷旗標(biāo)信號(hào)429對(duì)此淺且窄的凹陷區(qū)域沒有任何反應(yīng)，因?yàn)榉獍盘?hào)421總是高于ADefect位準(zhǔn)401，也并不滿足的前所提的EFMDefect檢測(cè)方法的條件，亦即并無檢測(cè)到異常的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，而且總是低于中斷位準(zhǔn)404。如此淺且窄的凹陷區(qū)域可能是由一淺刮痕所引起，只能由ADefect1及RPDefect檢測(cè)方法來檢測(cè)出來，因?yàn)樗纳疃燃皩挾炔环掀渌娜毕輽z測(cè)條件。
射頻信號(hào)43有一淺及寬的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號(hào)431也有相同的形式。當(dāng)此封包信號(hào)431低于ADefect1位準(zhǔn)402時(shí)，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)436由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。因?yàn)榇税枷輩^(qū)域足夠?qū)?，也產(chǎn)生異常數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)437一樣由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號(hào)432及RFRP(底端反向)信號(hào)433分別表示射頻信號(hào)43的峰端封包及反向底端封包。更進(jìn)一步，RFRP(峰-底)信號(hào)434由RFRP(峰端維持)信號(hào)432減RFRP(底端反向)信號(hào)433所得到。當(dāng)RFRP(峰-底)信號(hào)434低于RPDefect位準(zhǔn)405時(shí)，RPDefect旗標(biāo)信號(hào)438由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。然而ADefect旗標(biāo)信號(hào)435及中斷旗標(biāo)信號(hào)439對(duì)此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有任何反應(yīng)，因?yàn)榉獍盘?hào)431總是高于ADefect位準(zhǔn)401且低于中斷位準(zhǔn)404。如此淺且寬的凹陷可能是由一淺缺陷所引起，且因?yàn)樗纳疃燃皩挾炔环掀渌娜毕輽z測(cè)條件，所以只能由ADefect1、EFMDefect及RPDefect檢測(cè)來檢測(cè)出來。
射頻信號(hào)44有一淺及寬的凹陷區(qū)域，因此它的封包信號(hào)441也有相同的形式。當(dāng)此封包信號(hào)441低于ADefect1位準(zhǔn)402時(shí)，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)446由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。RFRP(峰端維持)信號(hào)442及RFRP(底端反向)信號(hào)443分別表示射頻信號(hào)44的峰端封包及反向底端封包。更進(jìn)一步，RFRP(峰-底)信號(hào)444由RFRP(峰端維持)信號(hào)442減RFRP(底端反向)信號(hào)443所得到。因?yàn)镽FRP(峰-底)信號(hào)444總是高于RPDefect位準(zhǔn)405，所以RPDefect旗標(biāo)信號(hào)448對(duì)此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有反應(yīng)。此外，ADefect旗標(biāo)信號(hào)445、EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)447以及中斷旗標(biāo)信號(hào)449都對(duì)此淺且寬的凹陷區(qū)域沒有任何反應(yīng)，因?yàn)榇朔獍盘?hào)441總是高于ADefect位準(zhǔn)401，也并無檢測(cè)到異常的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，且總是低于中斷位準(zhǔn)404。如此淺且寬的凹陷區(qū)域可能是由指紋所造成，在此情況下，因?yàn)樗纳疃燃皩挾炔环掀渌娜毕輽z測(cè)條件，只能由ADefect1檢測(cè)來檢測(cè)出來。
至于射頻信號(hào)45及射頻信號(hào)46，兩者皆由很強(qiáng)信號(hào)的強(qiáng)度所造成，例如強(qiáng)光反射。射頻信號(hào)45于其峰端及底端封包具有強(qiáng)振幅的區(qū)域，此區(qū)域也稱為中斷缺陷區(qū)域。因此它的封包信號(hào)451有此相對(duì)應(yīng)的形式。由于此中斷缺陷區(qū)域足夠?qū)挘耶a(chǎn)生異常數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)457由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。當(dāng)封包信號(hào)451高于中斷位準(zhǔn)404，中斷旗標(biāo)信號(hào)459也由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。至于其他的旗標(biāo)信號(hào)，因?yàn)榉獍盘?hào)451總是高于ADefect1位準(zhǔn)402及ADefect位準(zhǔn)401，ADefect1旗標(biāo)信號(hào)456及ADefect旗標(biāo)信號(hào)455對(duì)此封包信號(hào)451沒有任何反應(yīng)。RFRP(峰端維持)信號(hào)452及RFRP(底端反向)信號(hào)453分別表示射頻信號(hào)45的峰端封包及反向底端封包。更進(jìn)一步，RFRP(峰-底)信號(hào)454由RFRP(峰端維持)信號(hào)452減RPRP(底端反向)信號(hào)453所得到。因?yàn)镽FRP(峰-底)信號(hào)454總是高于RPDefect位準(zhǔn)405，所以RPDefect旗標(biāo)信號(hào)458對(duì)這種中斷缺陷區(qū)域沒有任何反應(yīng)。這種中斷缺陷區(qū)域只能通過的前提過的EFMDefect檢測(cè)及中斷檢測(cè)方法來檢測(cè)出來。
射頻信號(hào)46由其底端封包形成反向凹陷區(qū)域，因此它的峰端封包信號(hào)461有相對(duì)應(yīng)的形式。EFMDefect旗標(biāo)信號(hào)467由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1，因?yàn)榇酥袛嗳毕輩^(qū)域足夠?qū)?，且產(chǎn)生異常數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。RFRP(峰端維持)信號(hào)462及RFRP(底端反向)信號(hào)463分別表示射頻信號(hào)46的峰端封包及反向底端封包。更進(jìn)一步，RFRP(峰-底)信號(hào)464有一由RFRP(峰端維持)信號(hào)462減RFRP(底端反向)信號(hào)463所形成的深凹陷區(qū)域。當(dāng)RFRP(峰-底)信號(hào)464低于RPDefect位準(zhǔn)405時(shí)，RPDefect旗標(biāo)信號(hào)468由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。當(dāng)封包信號(hào)461高于中斷位準(zhǔn)404時(shí)，中斷旗標(biāo)信號(hào)469由邏輯狀態(tài)0設(shè)成邏輯狀態(tài)1。然而因?yàn)榉獍盘?hào)461高于ADefect1位準(zhǔn)402及ADefect位準(zhǔn)401，所以ADefect1旗標(biāo)信號(hào)466及ADefect旗標(biāo)信號(hào)465對(duì)此封包信號(hào)461沒有任何反應(yīng)。這種中斷缺陷區(qū)域只能由的前提過的EFMDefect、RPDefect及中斷檢測(cè)方法來檢測(cè)出來。
一般而言，比起ADefect檢測(cè)，ADefect1檢測(cè)方法較適合檢測(cè)小且淺的缺陷區(qū)域。RPDefect檢測(cè)方法對(duì)于檢測(cè)小刮痕較敏感。因此，應(yīng)該了解到本發(fā)明所提及的缺陷檢測(cè)方法，對(duì)于特定的缺陷檢測(cè)可以各種方式結(jié)合而成。例如對(duì)于小刮痕檢測(cè)，可以通過“或”邏輯來結(jié)合ADefect1與EFMDefect檢測(cè)方法，或者小刮痕檢測(cè)的外，不要檢測(cè)指紋，則可通過“及”邏輯來結(jié)合ADefect1與EFMDefect檢測(cè)方法等等。
通過上述的缺陷檢測(cè)和其適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合以啟動(dòng)一保護(hù)方法和裝置，鎖相回路將可被保護(hù)而免于不穩(wěn)定。在這當(dāng)中，此適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合方法中以EFMDefect檢測(cè)尤佳。必須了解的是，本發(fā)明可由單一或數(shù)種不同前述缺陷檢測(cè)方法的組合觸發(fā)鎖相回路的保護(hù)方法或裝置，并非僅限于以下的較佳實(shí)施例實(shí)施。
參考圖5，一鎖相回路240包含一相位檢測(cè)器(phase detector)510、一電荷泵(charge-pump)520、一低通濾波器(a low pass filter)530、一電壓控制震蕩器(voltage controlled oscillator)540和一除N電路(divide-by-N circuit)550。相位檢測(cè)器510接收一參考時(shí)脈與除N電路的相位并進(jìn)行比較后，相位檢測(cè)器510的輸出將被發(fā)送至電荷泵520。電荷泵520具有不同的電荷泵電流源，例如電流源521-526等，用以適時(shí)地被選取以補(bǔ)償相位檢測(cè)器510的輸出。的后，再由低通濾波器530接收電荷泵520的輸出信號(hào)以產(chǎn)生一控制電壓予電壓控制震蕩器540。其中低通濾波器530中提供不同的調(diào)整電阻，例如可變電阻532，用以提供不同的截止頻率以產(chǎn)生不同的頻寬(bandwidths)以補(bǔ)償電荷泵520的輸出信號(hào)的頻移(frequency-shift)。
本發(fā)明中鎖相回路240的一特性為當(dāng)檢測(cè)到一缺陷時(shí)，鎖相回路240將關(guān)閉電荷泵520以及/或消除電荷泵520的電流以防止頻移。其另一特性為鎖相回路240亦可于電荷泵520中提供不同的電荷泵電流源，例如電流源521-526等，以及于低通濾波器530中提供不同的調(diào)整電阻，例如可變電阻532，藉以當(dāng)缺陷發(fā)生時(shí)或在缺陷發(fā)生的后，得到不同的頻寬以補(bǔ)償由缺陷所引起的頻移。如此一來，受缺陷所引起的不穩(wěn)定信號(hào)將不會(huì)對(duì)鎖相回路有任何影響。例如，電荷泵520的電流源521-526等系適時(shí)地被選取并通過拉升或調(diào)降數(shù)字化的射頻信號(hào)的電流，以補(bǔ)償一受缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。另外，通過改變可變電阻532的電阻值，可使得低通濾波器530因此具有不同的截止頻率而產(chǎn)生不同的頻寬以補(bǔ)償受缺陷所影響的數(shù)字化射頻信號(hào)的頻移。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習(xí)此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種鎖相回路保護(hù)裝置，用以保護(hù)一鎖相回路于讀取缺陷碟片時(shí)不被干擾，該鎖相回路保護(hù)裝置包含一缺陷檢測(cè)裝置，接收多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)以設(shè)置多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)，其中該多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)至少包含一射頻信號(hào)的一封包信號(hào)以及位元調(diào)變信號(hào)；以及一邏輯組合單元，對(duì)該多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行一邏輯運(yùn)算以檢測(cè)一特定缺陷；其中當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路使用不同頻寬以補(bǔ)償一受該特定缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相回路保護(hù)裝置，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路關(guān)閉一電荷泵以防止由該特定缺陷所產(chǎn)生的鎖相回路頻移。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相回路保護(hù)裝置，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路消除一電荷泵的電流以防止由該特定缺陷所引起的鎖相回路頻移。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相回路保護(hù)裝置，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路選取一電荷泵中不同的電荷泵電流源以提供不同的頻寬，該電荷泵具有不同的電荷泵電流源。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相回路保護(hù)裝置，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路調(diào)整一低通濾波器中不同的電阻值以提供不同的頻寬，該低通濾波器具有不同的調(diào)整電阻。
6.一種鎖相回路保護(hù)方法，用以保護(hù)一鎖相回路于讀取缺陷碟片時(shí)不被干擾，該鎖相回路保護(hù)方法包含接收多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)以設(shè)置多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)，其中該多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)至少包含一射頻信號(hào)的一封包信號(hào)以及位元調(diào)變信號(hào)；對(duì)該多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行一邏輯運(yùn)算以檢測(cè)一特定缺陷；以及于檢測(cè)該特定缺陷時(shí)，該鎖相回路使用不同頻寬以補(bǔ)償一受該特定缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎖相回路保護(hù)方法，其特征在于，更包含當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，關(guān)閉該鎖相回路的一電荷泵以防止由該特定缺陷所產(chǎn)生的鎖相回路頻移。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎖相回路保護(hù)方法，其特征在于，更包含當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，消除該鎖相回路的一電荷泵的電流以防止由該特定缺陷所引起的鎖相回路頻移。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎖相回路保護(hù)方法，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，通過選取該鎖相回路的一電荷泵中不同的電荷泵電流源以提供不同的頻寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎖相回路保護(hù)方法，其特征在于，當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，通過調(diào)整該鎖相回路的一低通濾波器中不同的電阻值以提供不同的頻寬。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鎖相回路保護(hù)裝置，用以保護(hù)一鎖相回路于讀取缺陷碟片時(shí)不被干擾，該鎖相回路保護(hù)裝置包含一缺陷檢測(cè)裝置以及一邏輯組合單元。缺陷檢測(cè)裝置用以接收多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)以設(shè)置多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)，其中該多個(gè)缺陷檢測(cè)信號(hào)至少包含一射頻信號(hào)的一封包信號(hào)以及位元調(diào)變信號(hào)。邏輯組合單元用以對(duì)該多個(gè)缺陷旗標(biāo)信號(hào)執(zhí)行一邏輯運(yùn)算以檢測(cè)一特定缺陷。其中當(dāng)檢測(cè)到該特定缺陷時(shí)，鎖相回路使用不同頻寬以補(bǔ)償一受該特定缺陷所影響的數(shù)字化的射頻信號(hào)。本發(fā)明亦提出一種鎖相回路保護(hù)方法。
文檔編號(hào)G11B20/18GK1835111SQ20061005885
公開日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月17日
發(fā)明者賴義麟, 湛益淞 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司