專利名稱：一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一次寫入多次讀取(write-once-read-many)(WORM)的光記錄介質(zhì)，或者更具體地，本發(fā)明涉及允許在藍(lán)色激光束波長區(qū)域內(nèi)進(jìn)行高密度記錄的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
目前正在進(jìn)行關(guān)于允許在藍(lán)色激光波長或更短波長下記錄的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的研究。
關(guān)于已有的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，通過施加激光束到含有有機(jī)染料的記錄層上，引起主要因有機(jī)材料的分解或改變導(dǎo)致的折射率改變，從而形成信息坑(information pit)。因此，記錄層所使用的有機(jī)染料的光學(xué)常數(shù)和分解行為是形成優(yōu)選的記錄坑的重要因素。
因此，為了實(shí)現(xiàn)依據(jù)藍(lán)色激光束的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，需要選擇在藍(lán)色激光波長下具有合適的光學(xué)性能和分解行為的材料作為記錄層所使用的有機(jī)材料。
然而，沒有付諸實(shí)際應(yīng)用的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料在藍(lán)色激光波長區(qū)域內(nèi)包括高到低(high-to-low)(即，在記錄標(biāo)記處的反射率低于非記錄部分的)的記錄極性且能在藍(lán)色激光波長下提供有利的光學(xué)性能。
必須縮減分子骨架或者必須縮短共軛體系以生產(chǎn)在藍(lán)色激光波長附近具有吸收帶的有機(jī)材料，以便獲得在藍(lán)色激光波長附近具有吸收帶的有機(jī)記錄介質(zhì)。然而，這會降低吸收系數(shù)，并因此降低折射率，接下來還會在非記錄期內(nèi)反射率下降且調(diào)制較小。
換句話說，盡管存在多種在藍(lán)色激光波長附近具有吸收帶的有機(jī)材料，并且可以控制吸收系數(shù)，但這些材料不具有足夠高的折射率。因此，難以(但不是不可能)利用有機(jī)材料實(shí)現(xiàn)高到低的極性。
在上述情況下，近來的趨勢是使記錄極性為低到高(low-to-high)，以便將有機(jī)材料用于依據(jù)藍(lán)色激光束的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
然而，不可否認(rèn)的是，記錄極性優(yōu)選高到低，這是因?yàn)閷τ涗浹b置來說，采用低到高的記錄極性將損失與只讀光記錄介質(zhì)(ROM)和其它常規(guī)光記錄介質(zhì)的兼容性。
另一方面，例如在專利文獻(xiàn)1或2中，提出了采用具有無機(jī)材料的記錄層作為一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的技術(shù)，所述光記錄介質(zhì)依據(jù)了其記錄極性為高到低的藍(lán)色激光束。此外，在非專利文獻(xiàn)1-2中提出了含金屬或半金屬的氧化物，特別是鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的可用性。
另外，類似于這些常規(guī)的技術(shù)，關(guān)于含鉍或鉍的氧化物的材料，公開了下述技術(shù)例如，專利文獻(xiàn)3提出了關(guān)于通式為Ax(MmOn)y(Fe2O3)z的無定形鐵磁氧化物的技術(shù)，其中定義了A為氧化物，M為元素，并且x、y和z為分?jǐn)?shù)。此外，對于通式Ax(MmOn)y(Fe2O3)z來說，專利文獻(xiàn)4提出了包含50％或更多的具有氧化物MmOn及預(yù)定的分?jǐn)?shù)x、y和z的無定形相的金屬氧化物，及其制造方法。對于含式(B2O3)x(Bi2O3)1-x的無定形化合物，專利文獻(xiàn)5提出了組成x的范圍，及其驟冷方法。另外，專利文獻(xiàn)6公開了涉及包含組成為(Bi2O3)1-x(Fe2O3)x(其中0.90≥x＞0)的鉍-鐵無定形化合物材料的技術(shù)。這些文獻(xiàn)全部涉及應(yīng)用于磁光記錄介質(zhì)的透明的鐵磁無定形氧化物材料、以磁性方式控制光的功能元件、磁光傳感器、透明傳導(dǎo)膜和壓電膜。此外，專利文獻(xiàn)3-6中所述的常規(guī)技術(shù)都被涉及材料與制造方法的專利限制，且這些文獻(xiàn)沒有提及一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的可應(yīng)用性。
專利文獻(xiàn)1 日本專利申請?zhí)亻_(JP-A)No.2003-200663專利文獻(xiàn)2 JP-A No.2003-203383專利文獻(xiàn)3 JP-A No.S61-101450專利文獻(xiàn)4 JP-A No.S61-101448專利文獻(xiàn)5 JP-A No.S59-8618專利文獻(xiàn)6 JP-A No.S59-73438非專利文獻(xiàn)1 Write-Once Disk with BiFeO Thin Films for MultilevelOptical Recording，JJAP，Vol.43，No.7B，2004，pp.4972非專利文獻(xiàn)2 Write-Once Disk with BiFeO Thin Films for MultilevelOptical Recording，JJAP，Vol.44，No.5B，2005，pp.3643-3644

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其包括含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層，該記錄層在藍(lán)色激光束或更短的記錄/再現(xiàn)波長下具有高到低的記錄極性和優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特征。
以下是解決上述問題的措施。
<1>一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂(overcoat)層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分上時(shí)，一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
<2>根據(jù)<1>的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中記錄層的厚度為3nm～20nm，并且上涂層的厚度為5nm～60nm。
<3>根據(jù)<1>的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中記錄層的厚度為3nm-20nm，并且上涂層的厚度為70nm～150nm。
<4>一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、底涂層、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分上時(shí)，一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
<5>根據(jù)<4>的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)滿足下述條件(i)-(iii)(i)底涂層的厚度為10nm～150nm，(ii)記錄層的厚度為3nm～20nm，(iii)上涂層的厚度為5nm～60nm。
<6>根據(jù)<4>的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)滿足下述條件(i)-(ii)和(iv)(i)底涂層的厚度為10nm～150nm，(ii)記錄層的厚度為3nm～20nm，(iv)上涂層的厚度為70nm～150nm。
<7>根據(jù)<4>-<6>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中底涂層包括氧化物和氮化物中的任何一種。
<8>根據(jù)<7>的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中氧化物和氮化物中的至少任何一種是選自Al2O3、AlN、SiN和ZrN中的化合物。
<9>根據(jù)<1>-<8>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中上涂層和底涂層中的至少任何一層包括硫化物，并且該硫化物是選自AgS、AlS、BS、BaS、BiS、CaS、CdS、CoS、CrS、CuS、FeS、GeS、InS、KS、LiS、MgS、MnS、MoS、NaS、NbS、NiS、PbS、SbS、SnS、SrS、WS和ZnS中的至少任何一種化合物。
<10>根據(jù)<1>-<8>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中上涂層和底涂層中的至少任何一層包括ZnS-SiO2，并且ZnS與SiO2的摩爾混合比為70/30～90/10。
<11>根據(jù)<1>-<10>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中反射層包括銀和鋁中的任何一種。
<12>根據(jù)<1>-<11>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中記錄層包括選自Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb中的任何一種元素。
<13>根據(jù)<1>-<12>任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中形成了生成三種或更多種不同類型的再現(xiàn)信號級的記錄標(biāo)記，并基于該再現(xiàn)信號級確定記錄標(biāo)記的類型。
在第一種結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分上時(shí)，一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
在第二種結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、底涂層、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分上時(shí)，一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)提供了使含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄介質(zhì)優(yōu)良性能最大化的層組成(即，材料與厚度的結(jié)合)。
根據(jù)本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)下述性能(1)高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)即使在500nm或更低的藍(lán)色激光波長區(qū)域內(nèi)，尤其在接近405nm的波長處，也容易地允許二元(binary)記錄/再現(xiàn)(2)高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)即使在500nm或更低的藍(lán)色激光波長區(qū)域內(nèi)，尤其在接近405nm的波長處，也允許多級(multi-level)記錄/再現(xiàn)(3)高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)即使在500nm或更低的藍(lán)色激光波長區(qū)域內(nèi)，尤其在接近405nm的波長處，也適合于通過部分應(yīng)答最大幾率(Partial Response Maxium Likelihood)(PRML)信號處理系統(tǒng)來進(jìn)行記錄/再現(xiàn)(4)對于記錄功率的變化，高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，在抖動、誤差率和其它性能上具有寬泛的余量(5)對于記錄/再現(xiàn)波長的變化，高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)在例如記錄靈敏度、調(diào)制、抖動和誤差率的記錄性能方面，以及反射率方面顯示出較少的變化(6)高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)即使采用具有淺溝槽的基底也允許容易地記錄/再現(xiàn)，并實(shí)現(xiàn)良好的轉(zhuǎn)移性能(transfer property)(7)高密度的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)允許甚至在其凸區(qū)(lands)內(nèi)記錄


圖1是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖2是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖3是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖4是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖5是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖6是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖7是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖8是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖9是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖10是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖11是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖12是顯示確定上涂層和底涂層最佳厚度范圍的研究結(jié)果的圖表。
圖13是顯示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的假設(shè)單位記錄面積的示意圖。
圖14示出了記錄策略的示意圖。
圖15是顯示從其中記錄了逐級(stepwise)波形的部分獲得的再現(xiàn)信號的視圖。
圖16是示意本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的示范圖。
圖17是顯示上涂層的厚度與反射率和SDR的關(guān)系的視圖。
圖18是顯示記錄層的厚度與反射率和SDR的關(guān)系的視圖。
圖19是示意本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的另一示范圖。
圖20是顯示底涂層的厚度與反射率和SDR的關(guān)系的視圖。
圖21是顯示上涂層的厚度與反射率和抖動的關(guān)系的視圖。
圖22是顯示記錄層的厚度與反射率和抖動的關(guān)系的視圖。
圖23是顯示底涂層的厚度與反射率和抖動的關(guān)系的視圖。
具體實(shí)施例方式
在第一種結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、包含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，并且當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分上時(shí)，該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
在第二種結(jié)構(gòu)中，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)從激光束入射平面起依次包括基底、底涂層、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，并且當(dāng)將激光到基底的平坦部分上時(shí)，該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
下面將參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地闡述，但這些不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制本發(fā)明。
一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)中的層組成的特征在于下述(A)和(B)(A)使用了含鉍和或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層。
(B)優(yōu)選地，含硫化物的層與記錄層相鄰安裝。
首先，描述(A)使用了含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的原因。
含鉍和/或鉍的氧化物，例如Bi2O3、Bi+Bi2O3、Bi3Fe5O12、Bi+Bi3Fe5Ox作為主要組分的記錄層顯示出優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)性能，正如在前述文獻(xiàn)“Write-Once Disk with BiFeO Thin Films for Multilevel Optical Recording，JJAP，Vol.43，No.7B，2004，pp.4972”和“Write-Once Disk with BiFeO ThinFilms for Multilevel Optical Recording，JJAP，Vol.44，No.5B，2005，pp.3643-3644”中所述。
這是因?yàn)橥ㄟ^施加激光束，記錄層形成非常微細(xì)的微晶團(tuán)；這可歸因于比記錄/再現(xiàn)激光束(即聚束點(diǎn))的尺寸足夠小的微晶。
因?yàn)槲⒕У男纬蓪⒁种朴涗洏?biāo)記的膨脹與變形(當(dāng)通過連續(xù)物理變化、化學(xué)變化或幾何變化來形成記錄標(biāo)記時(shí)，記錄標(biāo)記的滲出和變形傾向于增長)，因此可實(shí)現(xiàn)優(yōu)選的記錄/再現(xiàn)性能。微晶形成的詳細(xì)機(jī)理仍在分析中；然而，認(rèn)為因下述現(xiàn)象引發(fā)微晶的形成-記錄層中的鉍結(jié)晶。
-記錄層中的氧化鉍(BiO)結(jié)晶。
-鉍的氧化物，例如BiFeO結(jié)晶(在本發(fā)明中，在氧化鉍和鉍的氧化物之間存在明顯的區(qū)別。鉍的氧化物是含鉍的氧化物的化合物的統(tǒng)稱，而氧化鉍是指BiO，它是鉍的氧化物之一)。
-記錄層中的鉍和相鄰層中的硫反應(yīng)并結(jié)晶。
-鉍、氧化鉍或鉍的氧化物引起相分離，例如雙節(jié)點(diǎn)分解(bimodaldecompostion)和自旋節(jié)點(diǎn)分解(spinodal decompostion)。
此處，對‘含鉍或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層’的描述是指鉍和/或鉍的氧化物以足以起到本發(fā)明記錄層的作用的比例(約50質(zhì)量％或更高)被包括；然而，記錄層通常僅僅由鉍和/或鉍的氧化物組成，不包括以雜質(zhì)形式混合的其它元素和化合物。例如，上述記錄層由下述材料組成-金屬鉍+鉍的氧化物-金屬鉍+鉍的氧化物+其它元素或化合物-鉍的氧化物-鉍的氧化物+其它元素或化合物本發(fā)明排除僅僅由金屬鉍組成的記錄層。這是因?yàn)閷τ谟涗泴觼碚f熔融變?yōu)橹鲗?dǎo)，且不容易發(fā)生微晶化。此外，可引起微晶化的金屬鉍的足夠比例為約50％質(zhì)量或更高。
記錄層的復(fù)數(shù)折射率(complex refractive index)顯示出正常的分散，這是因?yàn)橛涗泴影ㄣG和/或鉍的氧化物作為主要組分(另一方面，對于有機(jī)材料來說，存在其中的復(fù)數(shù)折射率顯示出不正常分散的波長區(qū)域，而該波長區(qū)域用作記錄/再現(xiàn)波長)。復(fù)數(shù)折射率具有小的波長依賴性，這是因?yàn)楸景l(fā)明的材料與有機(jī)材料不同，它在特定的波長范圍內(nèi)不包含大的吸收帶。因此，它能顯著解決常規(guī)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的問題因激光束之間的單獨(dú)差別導(dǎo)致的記錄/再現(xiàn)波長的變化，以及環(huán)境溫度的變化大大地影響例如記錄靈敏度、調(diào)制、抖動和誤差率的記錄性能和反射率。
對于迄今為止已知的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，有機(jī)薄膜既充當(dāng)記錄層，又充當(dāng)光吸收層，并且對于有機(jī)材料來說具有大的折射率n和較小的吸收系數(shù)k是先決條件。對于介質(zhì)來說，為了達(dá)到有機(jī)材料分解的溫度，認(rèn)為需要膜具有較大的厚度。因此，需要的是，在具有含有機(jī)材料的記錄層的常規(guī)一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的基底中的溝槽必須具有顯著的深度，并通過例如在基底的溝槽中嵌入顏料來使膜增厚。
相應(yīng)地，通過使用本發(fā)明的記錄層，可使用具有較淺溝槽的基底，它具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)移性能(成形性)。與常規(guī)的等同物相比，這類基底可以較低成本容易地制造(成形)，且所得光記錄介質(zhì)具有顯著改進(jìn)的信號質(zhì)量。
接下來，以下將說明在本發(fā)明中定義作為一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率的原因。
目前，存在對于BD-R(Blu-ray標(biāo)準(zhǔn)的一次寫入多次讀取盤)和HDDVD-R(HD DVD標(biāo)準(zhǔn)的一次寫入多次讀取盤)的作為使用藍(lán)色激光束的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)。對于包含本發(fā)明記錄介質(zhì)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)來說，為了滿足記錄靈敏度(最佳記錄功率)的標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)將激光施加到基底的平坦部分(其中不存在導(dǎo)槽的區(qū)域，換句話說，其中所有層是平坦的區(qū)域)時(shí)，反射率必須為35％或更低。該反射率在下文被稱為平坦部分處的反射率。
當(dāng)平坦部分處的反射率超過35％時(shí)，常常出現(xiàn)最佳記錄功率超過標(biāo)準(zhǔn)值所述標(biāo)準(zhǔn)值對BD-R來說是6mW(1x)，而對HD DVD-R來說是10mW(1x)。因此，對于含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)來說，非常重要的是設(shè)定厚度，以便使平坦部分的反射率為35％或更低。
接下來，以下描述了含硫化物的層為何優(yōu)選與記錄層相鄰設(shè)置的原因。
如上所述，本發(fā)明記錄層的記錄原理是微晶化。已發(fā)現(xiàn)，設(shè)置含硫化物的層作為相鄰層會促進(jìn)微晶化，且該介質(zhì)顯示出優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)性能。
下述機(jī)理目前被認(rèn)為是將硫原子添加到在本發(fā)明中作為底涂層和上涂層的相鄰層中使記錄/再現(xiàn)性能改進(jìn)的原因-鉍與硫反應(yīng)，并出現(xiàn)結(jié)晶-由于在記錄層內(nèi)生成的熱量導(dǎo)致硫化合物結(jié)晶-鉍促進(jìn)硫化合物結(jié)晶-硫促進(jìn)鉍或鉍的氧化物結(jié)晶-硬度較低的硫化合物促進(jìn)記錄層的結(jié)晶(它能接受因結(jié)晶導(dǎo)致的體積變化)-硫化合物具有較高的傳熱系數(shù)，產(chǎn)生驟冷條件，并因此促進(jìn)結(jié)晶-可采用較低強(qiáng)度的激光束升高記錄層的溫度，這是因?yàn)榇嬖谄渲信c氧化物相比，硫化合物包括較大的吸收系數(shù)(復(fù)數(shù)折射率的虛部)的情況。
此處，對于改進(jìn)的生產(chǎn)率(改進(jìn)的膜沉積速度)、合適的膜硬度和合適的復(fù)數(shù)折射率來說，在相鄰層內(nèi)的硫化物的組成優(yōu)選為50摩爾％或更高。
在本發(fā)明中，作為記錄層的相鄰層，設(shè)置含硫化物的層，該層是指上涂層或底涂層，從而顯著改進(jìn)記錄/再現(xiàn)性能?？梢缘那闆r是僅上涂層包括硫化物，僅底涂層包括硫化物，或者上涂層和底涂層均包括硫化物。
作為一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的優(yōu)選組成，本發(fā)明提供不具有底涂層的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)(例如，具有基底、記錄層、上涂層和反射層的介質(zhì))。在這種情況下，上涂層優(yōu)選包含硫化物作為主要組分。優(yōu)選的是，其中僅僅底涂層包含硫化物作為主要組分的結(jié)構(gòu)。更優(yōu)選的是，其中僅僅上涂層包含硫化物作為主要組分的結(jié)構(gòu)，以及其中上涂層和底涂層均包含硫化物作為主要組分的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的硫化物的實(shí)例包括AgS、AlS、BS、BaS、BiS、CaS、CdS、CoS、CrS、CuS、FeS、GeS、InS、KS、LiS、MgS、MnS、MoS、NaS、NbS、NiS、PbS、SbS、SnS、SrS、WS和ZnS。
然而，并不強(qiáng)制上涂層和/或底涂層包含硫化物；相反，可單獨(dú)或結(jié)合使用氧化物、氮化物、氟化物和碳酸鹽。
除了硫化物以外的上涂層用材料的實(shí)例包括Al2O3、SiO2和MgF2，而除了硫化物以外的底涂層用材料的實(shí)例包括Al2O3、AlN、SiN和ZrN。Al2O3、AlN、SiN和ZrN是具有較高傳熱系數(shù)的通用材料，但它取決于膜的質(zhì)量和雜質(zhì)含量。這些是在形成記錄標(biāo)記的過程中，對于作為本發(fā)明的記錄原理的記錄層材料的微晶化來說，產(chǎn)生驟冷條件的有效材料。
此外，以下說明了在本發(fā)明中定義各層優(yōu)選厚度范圍的原因。
首先，含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的本發(fā)明的記錄層具有實(shí)部為約2.3～3.0且虛部為約0.3～0.8的復(fù)數(shù)折射率。
為了高反射率及有利的記錄/再現(xiàn)性能，普通的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)通常包含反射層，并且該反射層通過上涂層設(shè)置在記錄層上(不優(yōu)選將反射層直接設(shè)置在記錄層上，這是因?yàn)楹瑹o機(jī)材料的記錄層的最優(yōu)選的厚度顯著小于含有機(jī)材料的記錄層)。因此，上涂層是本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的必不可少的層。
在含該反射層的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)情況下，含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的最優(yōu)選的厚度為3nm～20nm。厚度小于3nm的記錄層具有顯著受損的記錄靈敏度以及不足的調(diào)制。厚度超過20nm的記錄層也具有受損的記錄靈敏度的傾向。另外，對于厚度超過20nm的記錄層來說，存在擺動信號和推挽信號質(zhì)量下降的情況，盡管這取決于在基底內(nèi)溝槽的形狀。
在本發(fā)明中，將含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的最優(yōu)選的厚度設(shè)定為3nm～20nm時(shí)，檢測對于有利的記錄/再現(xiàn)性能和可靠度來說上涂層和底涂層的最優(yōu)選的厚度范圍。
發(fā)明人確定，對于一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)來說，記錄靈敏度是最關(guān)鍵的條件，且發(fā)明人研究了滿足標(biāo)準(zhǔn)中的記錄靈敏度的上涂層和底涂層最優(yōu)選的厚度范圍，即使得在平坦部分處的反射率基本上為35％或更低的上涂層和底涂層的最優(yōu)選厚度范圍。此處，可任意選擇用于上涂層和底涂層的材料。ZnS-SiO2可優(yōu)選用于本發(fā)明的上涂層和底涂層任何一層中，這是因?yàn)榫统练e速度、易于制備濺射靶和穩(wěn)定性來說，ZnS-SiO2是優(yōu)良的材料。如下所述，底涂層的作用是保護(hù)記錄層不受包含于基底或滲透過基底的氧和水分的侵害；因此，與上涂層相比，底涂層通常具有窄的材料選擇范圍。如上所述，考慮到材料的選擇、制造的成本和本發(fā)明的記錄原理，至少上涂層包含ZnS-SiO2作為主要組分。此處，主要組分是指該組成為50摩爾％或更高。
在上述情況下，對于含ZnS-SiO2作為主要組分的上涂層的情況(其中包括下述情況主要含其它材料的上涂層顯示出與主要含ZnS-SiO2的上涂層相同的復(fù)數(shù)折射率)，圖1～12中示出了上涂層和底涂層的最優(yōu)選的厚度的檢驗(yàn)結(jié)果。
此處，圖1～12是在具有變化厚度的底涂層(在圖中用UL膜厚度來表示)和上涂層(在圖中用OL膜厚度來表示)的平坦部分處的反射率的計(jì)算結(jié)果，同時(shí)本發(fā)明的記錄層的復(fù)數(shù)折射率被固定在2.8-i0.56，記錄層的厚度固定在10nm，并且上涂層的復(fù)數(shù)折射率固定在2.3-i0.01。
圖1～6是利用含Ag材料的反射層的計(jì)算結(jié)果，其復(fù)數(shù)折射率被認(rèn)為等于純Ag的，并且底涂層的復(fù)數(shù)折射率按如下所述變化1.4-i0.01(圖1)、1.6-i0.01(圖2)、1.8-i0.01(圖3)、2.0-i0.01(圖4)、2.2-i0.01(圖5)和2.4-i0.01(圖6)。
圖7～12是利用含Al材料的反射層的計(jì)算結(jié)果，其復(fù)數(shù)折射率被認(rèn)為等于純Al的，并且底涂層的復(fù)數(shù)折射率按如下所述變化1.4-i0.01(圖7)、1.6-i0.01(圖8)、1.8-i0.01(圖9)、2.0-i0.01(圖10)、2.2-i0.01(圖11)和2.4-i0.01(圖12)。
在圖1-12中，其中在平坦部分處的反射率為35％或更低的區(qū)域被表示為“A1區(qū)域”和“A2區(qū)域”，而在圖右側(cè)的箭頭表示反射率的邊界線。
此處，考慮到生產(chǎn)率(即成本)，底涂層和上涂層的厚度的上限設(shè)定在150nm處。然而，這并不意味著厚度超過150nm的上涂層和底涂層損害本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)性能。
計(jì)算結(jié)果表示本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率，即記錄靈敏度，極大地取決于上涂層的厚度。另一方面，與上涂層的厚度相比，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的靈敏度，即記錄靈敏度較少地取決于底涂層。
當(dāng)對于上涂層來說材料固定時(shí)(即固定上涂層的復(fù)數(shù)折射率)，隨著底涂層的復(fù)數(shù)折射率的實(shí)部增加，在平坦部分處的反射率逐漸顯示出對底涂層厚度的依賴性。然而，存在兩個(gè)上涂層的厚度區(qū)域(區(qū)域A1和區(qū)域A2)，這是因?yàn)橹饕ㄟ^上涂層的厚度來確定平坦部分的反射率為35％或更低的區(qū)域。
區(qū)域A1是其中可實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的記錄/再現(xiàn)性能的薄的上涂層區(qū)域。另一方面，區(qū)域A2是其中可顯著改進(jìn)記錄靈敏度的厚的上涂層的區(qū)域，這是因?yàn)殡S著記錄層和反射層之間的距離增加，絕緣效果得到改進(jìn)。
表1示出了基于圖1～12的結(jié)果在區(qū)域A1和區(qū)域A2內(nèi)的厚度范圍，其中厚度范圍的上限和下限是滿足在平坦部分處的反射率為35％或更低的最小厚度和最大厚度。表1表明在區(qū)域1內(nèi)上涂層的厚度范圍為0nm～60nm，和在區(qū)域2內(nèi)上涂層的厚度范圍為70nm～150nm。
表1

如上所述，計(jì)算結(jié)果是當(dāng)本發(fā)明的記錄層的復(fù)數(shù)折射率固定在2.8-i0.56，記錄層固定在10nm，并且上涂層的復(fù)數(shù)折射率固定在2.3-i0.01時(shí)在平坦部分處的反射率。
此外，在下述情況下，區(qū)域A1中上涂層的厚度范圍接近0nm-60nm，并且區(qū)域A2的上涂層的厚度范圍接近70nm-150nma)記錄層具有實(shí)部為2.3～3.0且虛部為0.3～0.8的復(fù)數(shù)折射率。
b)記錄層的厚度為3nm～20nm。
c)上涂層具有實(shí)部為1.4～3.0且虛部為0～0.1的復(fù)數(shù)折射率。
d)底涂層具有實(shí)部為1.4～3.0且虛部為0～0.1的復(fù)數(shù)折射率。
如上所述，上涂層的最優(yōu)選范圍為0nm～60nm和70nm～150nm。當(dāng)上涂層的厚度小于5nm時(shí)，記錄靈敏度下降，盡管存在其中在平坦部分處的反射率為35％或更低的情況(其中平坦部分的反射率與靈敏度不成正比的區(qū)域)。因此，這一區(qū)域被排除在本發(fā)明的最優(yōu)選厚度范圍之外。
換句話說，在本發(fā)明中，在采用含ZnS-SiO2作為主要組分的上涂層或者采用含具有與ZnS-SiO2作為主要材料的相同復(fù)數(shù)折射率的材料的上涂層的情況下，上涂層的最優(yōu)選的厚度范圍為5nm～60nm和70nm～150nm。
然而，從圖1-12的結(jié)果看出，與上涂層的厚度相比，底涂層的厚度沒有顯著影響本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的記錄靈敏度；因此，可任意選擇底涂層的厚度，只要它為150nm或更低。此處，底涂層有效地改進(jìn)記錄層的可靠度以及改進(jìn)記錄靈敏度、反射率和其它記錄/再現(xiàn)性能。
一般地，從成本的角度考慮，光學(xué)記錄介質(zhì)的基底包含聚碳酸酯。然而，直接沉積到聚碳酸酯基底上的記錄層傾向于快速降解，這是因?yàn)榫厶妓狨λ趾脱蹙哂械偷臍怏w阻擋性能。
優(yōu)選設(shè)置底涂層，從而抑制記錄層的降解。底涂層的厚度優(yōu)選為10nm或更高，以確保含鉍和或鉍的氧化物作為主要組分的記錄層的可靠度，但它主要取決于底涂層的材料和膜的質(zhì)量。
由于上述原因，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的底涂層的厚度最優(yōu)選為10nm～150nm。然而，當(dāng)具有高的氣體阻擋性能的材料用于基底或者當(dāng)氣體阻擋層設(shè)置在基底的激光入射側(cè)上時(shí)，可在不具有底涂層的情況下(即底涂層的厚度為0nm)確保一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的可靠度。
本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)可應(yīng)用于各種類型的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)上，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的記錄/再現(xiàn)性能。
作為用于二元記錄的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，例如它可用于常規(guī)的CD-R和DVD+/-R、利用藍(lán)色激光束的方式進(jìn)行記錄/再現(xiàn)的BD-R，以及采用PRML的HD DVD-R上。
此外，它可用作多級記錄的記錄介質(zhì)，與基于二元記錄和PRML的記錄/再現(xiàn)體系相比，所述多級記錄的記錄介質(zhì)可進(jìn)行高密度記錄。
以下簡單地說明多級記錄。
簡單來說，多級記錄技術(shù)是改進(jìn)記錄線密度的技術(shù)。在光記錄介質(zhì)上的多級數(shù)據(jù)記錄(允許多級數(shù)據(jù)記錄的光記錄介質(zhì)被稱為多級光記錄介質(zhì))中，用在多級光記錄介質(zhì)中的記錄標(biāo)記的記錄單元(單元記錄區(qū)域)內(nèi)所記錄的標(biāo)記的多級反射率來表達(dá)信息。
在常規(guī)的CD或DVD光記錄介質(zhì)中，用存在或者不存在記錄標(biāo)記來表示一比特(bit)。相反，根據(jù)多級記錄，記錄標(biāo)記以例如8種不同級別的尺寸被記錄，當(dāng)激光束輻照到具有不同尺寸的8種類型的記錄標(biāo)記上時(shí)，信號級(反射率級(reflectance level))各自變化(換句話說，在再現(xiàn)具有不同尺寸的8種類型的記錄標(biāo)記中獲得的再現(xiàn)信號級)，且記錄信號被讀作8種不同級下的反射率。
在多級記錄中，一個(gè)記錄標(biāo)記代表對應(yīng)于三比特的信息，并且由此可提高光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)的記錄密度。
在多級記錄中，再現(xiàn)激光束的聚束點(diǎn)直徑通常大于單元記錄區(qū)域的長度，這使一個(gè)記錄標(biāo)記可表達(dá)對應(yīng)于三比特的信息。因此，記錄線密度可增加，于是在沒有使道間距變窄的情況下增加記錄容量。
一般地，如圖13所示，通常相對于假設(shè)單元記錄區(qū)域來改變記錄標(biāo)記的面積比(光記錄介質(zhì)的平面方向上的面積比)，從而生成三種或更多種不同的再現(xiàn)信號級別。根據(jù)本發(fā)明，除面積比以外，還可通過在光記錄介質(zhì)的截面方向上改變記錄標(biāo)記形成區(qū)域的尺寸來產(chǎn)生三種或更多種的再現(xiàn)信號級別。這一記錄方法被稱為多級記錄。
抖動用作測量二元記錄中信號質(zhì)量的指標(biāo)，而SDR用作測量多級記錄中信號質(zhì)量的指標(biāo)。
此處，SDR是相當(dāng)于在二元記錄中的抖動的指標(biāo)，它用下述方程式(1)給出SDR＝(σm0+σm1+σm2+...+σmα-2+σmα-1)/(α·|R0-Rα-1|)...方程式(1)其中Ri(R0、R1、R2、...、Rα-2、Rα-1)是α種類型的多數(shù)值級別mi(m0、m1、m2、...、mα-2、mα-1)的反射級，并且σmi是在多數(shù)值級mi下，反射率級Ri的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
以下說明在本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)內(nèi)包含的其它層。
對于基底材料沒有限制，只要當(dāng)從基底側(cè)(通過該基底)發(fā)生記錄再現(xiàn)時(shí)，該材料具有優(yōu)異的熱和機(jī)械性能以及優(yōu)異的透光性能即可。用于基底的材料的實(shí)例包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、無定形聚烯烴、乙酸纖維素和聚對苯二甲酸乙二酯。在它們當(dāng)中，優(yōu)選聚碳酸酯和無定形聚烯烴。
基底的厚度沒有限制，且可以根據(jù)應(yīng)用來合適地選擇。
當(dāng)使用反射層時(shí)，在再現(xiàn)光波長下反射率足夠高的材料優(yōu)選作為這一層所使用的材料。例如，金屬如Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta和Pd可單獨(dú)或者作為其合金使用。在它們當(dāng)中，就高反射率來說，最優(yōu)選Au、Al和Ag。此外，在上述金屬是主要組分時(shí)，還可包含其它元素，這些元素包括金屬和半金屬，例如Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi。在這些當(dāng)中，從低成本和高反射率的角度來看，最優(yōu)選含Ag或Al作為主要組分的材料。在這一情況下，作為主要組分，Ag或Al的組成優(yōu)選為90質(zhì)量％或更高，從而利用Ag和Al的特征。
另外，可通過交替層壓低折射率的非金屬薄膜和高折射率的非金屬薄膜來形成多層膜，并且該多層膜可用作反射層。
反射層所使用的成膜方法的實(shí)例包括濺射法、離子鍍法、化學(xué)氣相沉積法和真空氣相沉積法。
在單層結(jié)構(gòu)(例如，被稱為單層的光盤)中，反射層的厚度優(yōu)選為30nm～300nm。
在多層結(jié)構(gòu)例如被稱為雙層的光盤中，除了離激光束入射平面最遠(yuǎn)的層以外的反射層一般被稱為半透明層，這是因?yàn)樵搶颖仨毻干浼す馐?；該半透明層的厚度?yōu)選為3nm～40nm。
另外，可在基底上或者反射層下使用常規(guī)已知的有機(jī)或無機(jī)中間層和粘合層，以便改進(jìn)反射率、記錄性能和粘合性。
可在反射層上或者在構(gòu)成層(constitutive layer)之間合適地使用保護(hù)層。
對于保護(hù)層來說，可使用避免外力而起保護(hù)功能的任何常規(guī)已知的材料。有機(jī)材料的實(shí)例包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子輻射固化樹脂和UV固化樹脂。UV固化樹脂的實(shí)例包括丙烯酸類樹脂，例如聚氨酯丙烯酸酯類、環(huán)氧丙烯酸酯類和聚酯丙烯酸酯類。此外，無機(jī)材料的實(shí)例包括SiO2、SiN4、MgF2和SnO2。這些材料可單獨(dú)或者作為混合物形式使用；可使用多層來替代單層。
保護(hù)層所使用的成膜方法的實(shí)例類似于記錄層，包括涂布法，例如旋涂法和流延法，濺射法和化學(xué)氣相沉積法。在這些當(dāng)中優(yōu)選旋涂法。
對于熱塑性樹脂和熱固性樹脂，通過涂布樹脂溶解在合適溶劑內(nèi)的涂布液體接著干燥來形成層。對于UV固化的樹脂來說，通過涂布樹脂本身或者樹脂溶解在合適溶劑內(nèi)的涂布液體接著通過UV光輻照硬化來形成層。
保護(hù)層的厚度優(yōu)選為0.1μm～100μm，更優(yōu)選為3μm～30μm。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可包含在預(yù)定構(gòu)成層上層壓的另一基底，或者它可包含在內(nèi)側(cè)構(gòu)成層彼此面對的多層結(jié)構(gòu)?；蛘?，它可包含多層結(jié)構(gòu)，在該多層結(jié)構(gòu)中在預(yù)定的構(gòu)成層上用UV固化樹脂形成導(dǎo)槽，在前述預(yù)定的構(gòu)成層上層壓有另一預(yù)定的構(gòu)成層)。此外，可在基底的空置表面(free surface)上沉積UV固化樹脂層或無機(jī)薄膜以保護(hù)表面并防止灰塵附著。本發(fā)明的光記錄介質(zhì)不限于允許僅通過從基底側(cè)施加光記錄/再現(xiàn)的結(jié)構(gòu)，而是可在構(gòu)成層上設(shè)置預(yù)定的覆蓋層并從該覆蓋層側(cè)施加光以記錄/再現(xiàn)。通過設(shè)置薄的覆蓋層并允許從該覆蓋層記錄/再現(xiàn)可實(shí)現(xiàn)高密度記錄。覆蓋層通常包含聚碳酸酯片材或者UV固化樹脂。本發(fā)明的覆蓋層可包括用于將覆蓋層與相鄰層粘結(jié)在一起的粘合層。
對于較高密度的記錄來說，本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)所使用的激光束優(yōu)選其波長短；該波長更優(yōu)選為350nm～530nm。中心波長為405nm的激光束是典型的實(shí)例。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)化了構(gòu)成一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的記錄層、底涂層和上涂層的結(jié)合與厚度范圍，并可提供具有優(yōu)異的反射率、記錄靈敏度和記錄性能，例如SDR、抖動、PRSNR和誤差率的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中PRSNR是對噪音比的部分應(yīng)答信號的縮寫，是代表基于HDDVD標(biāo)準(zhǔn)的信號質(zhì)量的指標(biāo)。
此外，通過限制層的組成、各層的厚度范圍和材料，并通過結(jié)合這些，可低成本地制造具有簡單層組成的高性能一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。另外，根據(jù)本發(fā)明，可提供具有可靠度高的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，且還根據(jù)本發(fā)明，可提供與常規(guī)的等價(jià)物相比能高密度記錄的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
下文將參考以下給出的實(shí)施例和對比例，更詳細(xì)地闡述本發(fā)明，但這些不應(yīng)被解釋為限制本發(fā)明。
(實(shí)施例1)如圖16所示，通過濺射，在具有深度為20nm的導(dǎo)槽(未示出)的聚碳酸酯基底11上按序形成記錄層12、上涂層13、反射層14和含UV固化樹脂且厚度為約5μm的保護(hù)層15，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)10。
記錄層包含Bi2O3且厚度為10nm。上涂層包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且厚度為17nm。反射層包含Ag合金(AgIn，其中In的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度為100nm。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑、和約0.55m的射束直徑，利用該射束直徑的中心處激光強(qiáng)度為1/e2；根據(jù)在光記錄介質(zhì)上的多級記錄步驟，使用由Sony Tektronics，Inc.制造的AWG-610生成的逐級波形以配置記錄策略(控制記錄中激光束的發(fā)射波形)進(jìn)行記錄。
更具體地說，根據(jù)單元記錄區(qū)域長度(記錄標(biāo)記的記錄單元)為0.24μm、具有8級(0～7級)的多級記錄步驟，單元記錄區(qū)域長度的持續(xù)時(shí)間為48ns且記錄/再現(xiàn)線速度為5.0m/s，使用圖14所示的策略，記錄了逐級波形。
基本圖案是記錄具有5個(gè)連續(xù)的記錄單元(假設(shè)的記錄區(qū)域)的多級m0(0級)和具有32個(gè)連續(xù)的記錄單元(假設(shè)的記錄區(qū)域)的多級mi，并使用了記錄所有多級mi(I＝0～7)中各級的基本圖案的圖案。這一逐級波形是其中碼間干擾(intersymbol interference)固定時(shí)的狀態(tài)，且理論上多級m0～m7(0～7級)中的各級顯示出固定的反射率水平。
此處，單元記錄區(qū)域的持續(xù)時(shí)間對應(yīng)于48ns，并且下述數(shù)值固定在規(guī)定值用于形成1級(包含第二最小尺寸和/或深度的記錄標(biāo)記)的激光束的脈沖寬度為7.2nm；用于形成2級的激光束的脈沖寬度為10.4ns；用于形成3級的激光束的脈沖寬度為12.8ns；用于形成4級的激光束的脈沖寬度為15.2ns；用于形成5級的激光束的脈沖寬度為16.8ns；用于形成6級的激光束的脈沖寬度為19.2ns；用于形成7級(包含最大尺寸和/或深度的記錄標(biāo)記)的激光束的脈沖寬度為24.0ns，其中脈沖寬度對應(yīng)于疊加在激光束元件上的脈沖電壓的持續(xù)時(shí)間。
如上所述記錄逐級波形，且如圖15所示，發(fā)現(xiàn)可實(shí)現(xiàn)在各多級的連續(xù)部分處具有均勻再現(xiàn)信號級(這幾乎是理想的)并且具有多級的顯著高線性(多級及其再現(xiàn)信號級是大致成比例的)的記錄。此外，在基底的平坦部分處的反射率為35％。
另一方面，包括含常規(guī)顏料的記錄層的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)導(dǎo)致在各多級的連續(xù)部分處不均勻的再現(xiàn)信號級，這是由于碼間干擾造成的，且確認(rèn)該介質(zhì)不適合于作為用于多級記錄的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
(實(shí)施例2)如圖16所示，通過濺射，在具有深度為21的nm導(dǎo)槽(未示出)的聚碳酸酯基底11上按序形成記錄層12、上涂層13、反射層14和包含UV固化樹脂且厚度為約5m的保護(hù)層15，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)10。
更具體地說，采用含Bi2O3且厚度為10nm的記錄層、含Ag合金(AgBi，其中Bi的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度為100nm的反射層、和含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且具有各種厚度的上涂層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑，測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和抖動。
如圖17所示，當(dāng)上涂層的厚度范圍在5nm～25nm和75nm～120nm時(shí)，觀察到合適的SDR。此處“有利的SDR”是指3.2％或更低的SDR，這是因?yàn)橐炎C實(shí)了對于有效的多級記錄體系來說，在方程式(1)中定義的SDR應(yīng)當(dāng)為3.2％或更低。
圖17也示出了SDR和反射率之間的某些相關(guān)程度。也就是說，當(dāng)SDR為3.2％或更低時(shí)，在基底的平坦部分處的反射率為35％或更低。此外，本實(shí)施例的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率根據(jù)上涂層的厚度而變化，且發(fā)現(xiàn)在反射率變得太大的區(qū)域內(nèi)SDR增加。
原因是與反射率增加有關(guān)的靈敏度劣化。認(rèn)為SDR劣化是因?yàn)樵诟叻瓷渎蕝^(qū)域內(nèi)記錄所需大的記錄功率將增加相鄰標(biāo)記和相鄰道的串?dāng)_量。此外，即使在高反射率區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)有利的SDR，靈敏度通常也會降低；因此，這種光記錄介質(zhì)不適合于作為商業(yè)產(chǎn)品。
然而，實(shí)施例最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
(實(shí)施例3)如圖16所示，通過濺射，在具有深度為22nm的導(dǎo)槽(未示出)的聚碳酸酯基底11上按序形成記錄層12、上涂層13、反射層14和含UV固化樹脂且厚度為約5μm的保護(hù)層15，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)10。
更具體地說，采用包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾為80∶20)且厚度固定為15nm的上涂層、包含Ag合金(AgBi，其中Bi的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度固定為100nm的反射層、和包含Bi2O3且具有各種厚度的記錄層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑，測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和SDR。
如圖18的結(jié)果所示，當(dāng)記錄層的厚度范圍為3nm～15nm時(shí)，觀察到合適的SDR。存在下述傾向當(dāng)記錄層的厚度小于3nm時(shí)由于不足的調(diào)制導(dǎo)致靈敏度下降。另一方面，當(dāng)記錄層厚度超過15nm時(shí)，SDR值劣化，這是因?yàn)橛涗泴又械臒岣蓴_增加。
然而，實(shí)施例中的最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
(實(shí)施例4)如圖19所示，通過濺射，在具有深度為21nm的導(dǎo)槽(未示出)的聚碳酸酯基底11上按序形成底涂層16、記錄層12、上涂層13、反射層14和包含UV固化樹脂且厚度為約5μm的保護(hù)層15，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)20。
更具體地說，采用包含Bi2O3且厚度固定為10nm的記錄層、包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且厚度固定為15nm的上涂層、包含Ag合金(AgIn，其中In的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度固定為100nm的反射層、和包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾為80∶20)且具有各種厚度的底涂層，制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑，測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和SDR。
根據(jù)圖20所示的結(jié)果，觀察到當(dāng)?shù)淄繉拥暮穸确秶鸀?nm～15nm、50nm～90nm和140nm～190nm時(shí)，觀察到合適的SDR(這大致相當(dāng)于在圖6中上涂層的厚度設(shè)定為15nm時(shí)的情況。然而，由于記錄層、底涂層和上涂層的復(fù)數(shù)折射率不同于計(jì)算條件，因此上涂層的最優(yōu)選的厚度范圍略微不同。)圖20也示出了SDR和反射率之間的某些相關(guān)程度。也就是說，當(dāng)SDR為3.2％或更低時(shí)，在基底的平坦部分處的反射率為35％或更低。此外，發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率根據(jù)底涂層的厚度而變化，且在反射率變得太大的區(qū)域內(nèi)SDR增加。
原因是與反射率增加有關(guān)的靈敏度劣化。認(rèn)為SDR劣化是因?yàn)樵诟叻瓷渎蕝^(qū)域內(nèi)記錄所需的大的記錄功率將增加相鄰標(biāo)記和相鄰道的串?dāng)_量。
然而，實(shí)施例最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
另外，當(dāng)作為記錄層的Bi2O3膜包括選任何元素M時(shí)將進(jìn)一步改進(jìn)SDR，所述元素M選自Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。這可能是因?yàn)樘砑釉豈導(dǎo)致記錄層的熱傳導(dǎo)系數(shù)下降，并且在記錄標(biāo)記處的晶體進(jìn)一步被細(xì)化(refined)。
所添加的元素M的用量優(yōu)選設(shè)定在Bi與Bi和元素M之和的原子比(Bi/Bi+元素M)不低于0.3的范圍內(nèi)。
接下來，評價(jià)根據(jù)二元記錄過程的抖動。
(實(shí)施例5)通過濺射，在具有深度為22nm的導(dǎo)槽和厚度為1.1mm的聚碳酸酯基底上按序形成反射層、上涂層和記錄層，并通過粘結(jié)厚度為0.08mm的覆蓋層與厚度為0.02mm的雙面粘合劑片材，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)(依照藍(lán)色射線標(biāo)準(zhǔn)的所謂的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì))。
更具體地說，采用包含Bi2O3且厚度固定為10nm的記錄層、包含Ag合金(AgBi，其中Bi的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度固定為100nm的反射層、和包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾為80∶20)且具有各種厚度的上涂層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.85的數(shù)值孔徑，在這些光記錄介質(zhì)的覆蓋層側(cè)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，并測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和抖動。
如圖21的結(jié)果所示，當(dāng)上涂層的厚度范圍為5nm～30nm和75nm～120nm時(shí)，獲得合適的抖動。抖動的基準(zhǔn)設(shè)定為8.5％；當(dāng)抖動低于該基準(zhǔn)時(shí)，定義為厚度的有利范圍(這同樣適用于以下的實(shí)施例)。
圖21還示出了抖動和反射率之間的某些相關(guān)程度。也就是說，當(dāng)抖動為8.5％或更低時(shí)，在基底的平坦部分處的反射率為35％或更低。此外，發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率根據(jù)上涂層的厚度而變化，且在反射率變得太大的區(qū)域內(nèi)抖動增加。
原因是與反射率增加有關(guān)的靈敏度劣化。認(rèn)為抖動劣化是因?yàn)樵诟叻瓷渎蕝^(qū)域內(nèi)記錄所需的大的記錄功率將增加相鄰標(biāo)記和相鄰道的串?dāng)_量。此外，即使在高反射率區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)有利的抖動，靈敏度通常也會降低；因此這種光記錄介質(zhì)不適合于作為商業(yè)產(chǎn)品。
然而，實(shí)施例最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
(實(shí)施例6)通過濺射，在具有深度為23nm的導(dǎo)槽和厚度為1.1mm的聚碳酸酯基底上按序形成反射層、上涂層和記錄層，并通過粘結(jié)厚度為0.08mm且具有厚度為0.02mm的雙面粘合劑片材的覆蓋層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
更具體地說，采用包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且厚度固定為15nm的上涂層、包含Ag合金(AgBi，其中Bi的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度固定為100nm的反射層、和包含Bi2O3且具有各種厚度的記錄層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，采用405nm的波長、0.85的數(shù)值孔徑，在這些光記錄介質(zhì)的覆蓋層側(cè)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，并測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和抖動。
如圖22的結(jié)果所示，當(dāng)記錄層的厚度范圍為3nm～15nm時(shí)，獲得合適的抖動。存在下述傾向當(dāng)記錄層的厚度小于3nm時(shí)由于不足的調(diào)制導(dǎo)致靈敏度下降。另一方面，當(dāng)記錄層厚度超過15nm時(shí)，抖動值劣化，這是因?yàn)樵谟涗泴又械臒岣蓴_增加。圖22還示出了抖動和反射率之間的某些相關(guān)程度。也就是說，當(dāng)抖動為8.5％或更低時(shí)，在基底的平坦部分處的反射率為35％或更低。
然而，實(shí)施例最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
(實(shí)施例7)通過濺射，在具有深度為21nm導(dǎo)槽和厚度為1.1mm的聚碳酸酯基底上按序形成反射層、上涂層、記錄層和底涂層，并通過粘結(jié)厚度為0.08mm且具有厚度為0.02mm的雙面粘合劑片材的覆蓋層，來制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
更具體地說，采用包含Bi2O3且厚度固定為10nm的記錄層、包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且厚度固定為15nm的上涂層、包含Ag合金(AgBi，其中Bi的組成為約0.5質(zhì)量％)且厚度固定為100nm的反射層、和包含ZnS和SiO2(ZnS與SiO2的摩爾比為80∶20)且具有各種厚度的底涂層，制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.85的數(shù)值孔徑，在這些光記錄介質(zhì)的覆蓋層側(cè)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，并測量這些光記錄介質(zhì)的反射率和抖動。
如圖23的結(jié)果所示，當(dāng)記錄層的厚度范圍為0nm～15nm、50nm～90nm和140nm～190nm時(shí)，獲得合適的抖動。(這大致相當(dāng)于其中在圖6中上涂層的厚度設(shè)定為15nm的情況。然而，底涂層和上涂層的計(jì)算條件不同；由于記錄層的復(fù)數(shù)折射率不同，因此最優(yōu)選的上涂層厚度范圍略微不同。)圖23也示出了抖動和反射率之間的某些相關(guān)程度。也就是說，當(dāng)抖動為8.5％或更低時(shí)，在基底的平坦部分處的反射率為35％或更低。此外，發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率根據(jù)底涂層的厚度而變化，且在反射率變得太大的區(qū)域內(nèi)抖動增加。
原因是與反射率增加有關(guān)的靈敏度劣化。認(rèn)為抖動劣化是因?yàn)樵诟叻瓷渎蕝^(qū)域內(nèi)記錄所需的大的記錄功率將增加相鄰標(biāo)記和相鄰磁跡的串?dāng)_量。
然而，實(shí)施例最優(yōu)選的厚度僅僅是本實(shí)施例的最優(yōu)選數(shù)值；它不表明本發(fā)明作為整體的最優(yōu)選數(shù)值(本實(shí)施例的厚度的最優(yōu)選范圍包括在本發(fā)明的最優(yōu)選范圍內(nèi))。
另外，當(dāng)作為記錄層的Bi2O3膜包括任何一種元素M時(shí)，將進(jìn)一步改進(jìn)抖動，所述元素M選自Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb。這可能是因?yàn)樘砑釉豈導(dǎo)致記錄層的導(dǎo)熱率下降，并且在記錄標(biāo)記處的晶體進(jìn)一步被細(xì)化。
所添加的元素M的用量優(yōu)選設(shè)定在Bi與Bi和元素M之和的摩爾比(Bi/Bi+元素M)為不低于0.3的范圍內(nèi)。
(實(shí)施例8-32)檢驗(yàn)在本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的上涂層和/或底涂層中包含硫化物的重要性。
通過濺射，在具有深度為23nm的導(dǎo)槽和厚度為0.6mm的聚碳酸酯基底上按序形成底涂層(存在該層省去的情況)、記錄層、上涂層、反射層和包含UV固化樹脂且厚度為約5μm的保護(hù)層，并通過在該保護(hù)層上粘結(jié)厚度為0.6mm的空白基底(dummy substrate)，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
更具體地說，記錄層包含厚度為10nm～15nm的Bi10Fe5Ox或Bi6Fe5Ox；底涂層和上涂層包含表2所示的材料；底涂層的厚度為10nm～30nm，且上涂層的厚度為15nm～25nm；和反射層包含厚度為40nm～100nm的Ag合金或Al合金。
通過盧瑟福背散射法(RBS)檢驗(yàn)記錄層的組成，并證實(shí)Bi沒有被完美地氧化，但Bi具有氧空穴(即，Bi以Bi+BiO或Bi+BiO+BiFeO的形式存在)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑，在這些光記錄介質(zhì)上進(jìn)行依照HD DVD-R標(biāo)準(zhǔn)的記錄/再現(xiàn)。要注意所有實(shí)施例8-32的光記錄介質(zhì)滿足在平坦部分處的反射率為35％或更低。
表2示出了當(dāng)進(jìn)行依照HD DVD-R標(biāo)準(zhǔn)的記錄/再現(xiàn)時(shí)，記錄靈敏度和PRSNR的評價(jià)結(jié)果。對于記錄靈敏度，具有最有利的小于或等于10mW的PRSNR記錄功率的情況表示為“OK”，否則為“NG”。對于PRSNR，15或更大的最有利的PRSNR表示為“OK”，否則為“NG”。
表2

上述結(jié)果證明，在本發(fā)明的含鉍和/或鉍的氧化物作為主要組分的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)中上涂層和/或底涂層中包含的硫化物非常有效。
(實(shí)施例33-44)檢驗(yàn)本發(fā)明的底涂層的下限設(shè)定為10nm的有效性。
通過濺射，在具有深度為24nm的導(dǎo)槽且厚度為0.6mm的聚碳酸酯基底上按序形成底涂層、記錄層、上涂層、反射層和保護(hù)層，并通過粘結(jié)厚度為0.6mm的空白基底，從而制備一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)。
表3中示出了各層的材料和厚度。在表3中，在圓括號內(nèi)的數(shù)值表示厚度，和在方括號內(nèi)的數(shù)值表示摩爾比。
此處，記錄層包含厚度為10nm～15nm的Bi10Fe5Ox。通過盧瑟福背散射(RBS)證實(shí)了Bi沒有被完美地氧化，但Bi具有氧空穴(即，Bi以Bi+BiO或Bi+BiO+BiFeO的形式存在)。
采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的光盤檢測儀DDU-1000，以405nm的波長、0.65的數(shù)值孔徑，在這些光記錄介質(zhì)上進(jìn)行依照HD DVD-R標(biāo)準(zhǔn)的記錄/再現(xiàn)。要注意所有實(shí)施例33-44的光記錄介質(zhì)滿足在平坦部分處的反射率為35％或更低。
表4示出了在樣品上進(jìn)行依照HD DVD-R標(biāo)準(zhǔn)的記錄/再現(xiàn)的評價(jià)結(jié)果，和通過保存試驗(yàn)(在80℃的溫度和85％的相對濕度下)從下述存檔性能(archival property)方面觀察變化PRSNR、模擬的比特誤差率(SbER)和記錄部分的反射率(I11H)。表4還示出了以下評價(jià)的結(jié)果在未記錄的樣品上進(jìn)行的保存試驗(yàn)(在80℃的溫度和85％的相對濕度下)，在樣品上進(jìn)行的依照HD DVD-R標(biāo)準(zhǔn)的記錄/再現(xiàn)，以及從以下儲存性能(shelving property)方面觀察的變化PRSNR、SbER和記錄部分的反射率(I11H)。
當(dāng)就存檔性能來說，其PRSNR小于15或者SbER超過5×10-5時(shí)，樣品被視為不可靠，該樣品在表4的評估欄中用‘NG’標(biāo)記。
對于儲存性能，當(dāng)在保存試驗(yàn)之后的記錄功率值Pw、Pb1和Pb3與在0小時(shí)的保存試驗(yàn)時(shí)記錄的相差大于0.5mW時(shí)，樣品被視為不可靠，該樣品在表4的評估欄中用‘NG’標(biāo)記。
此處在本發(fā)明的實(shí)施例中提到的術(shù)語Pw是在‘DVD Specification forHigh Density Recordable disc(HD DVD-R)Part 1(Version 1.0)’中提及的峰值功率。類似地，Pb1是偏壓(bias)功率1；Pb3是偏壓功率2和偏壓功率3(在本發(fā)明的實(shí)施例中，偏壓功率2等于偏壓功率3)。
表4的結(jié)果證明了，通過將本發(fā)明的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的底涂層的厚度設(shè)定為10nm或更大可確?？煽慷取?br> 此外，對于在實(shí)施例8-30中實(shí)現(xiàn)有利的記錄性能的底涂層和上涂層的結(jié)合，在可靠性方面獲得或類似結(jié)果。
表3

表4-1

表4-2

權(quán)利要求
1.一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，從激光束入射平面起依次包含基底、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到所述基底的平坦部分上時(shí)，該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
2.權(quán)利要求1的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述記錄層的厚度為3nm～20nm，且所述上涂層的厚度為5nm～60nm。
3.權(quán)利要求1的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述記錄層的厚度為3nm～20nm，且所述上涂層的厚度為70nm～150nm。
4.一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，從激光束入射平面起依次包含基底、底涂層、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到所述基底的平坦部分上時(shí)，該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
5.權(quán)利要求4的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)滿足下述條件(i)～(iii)(i)底涂層的厚度為10nm～150nm，(ii)記錄層的厚度為3nm～20nm，(iii)上涂層的厚度為5nm～60nm。
6.權(quán)利要求4的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中該一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)滿足下述條件(i)～(ii)和(iv)(i)底涂層的厚度為10nm～150nm，(ii)記錄層的厚度為3nm～20nm，(iv)上涂層的厚度為70nm～150nm。
7.權(quán)利要求4-6任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述底涂層包含氧化物和氮化物中的任何一種。
8.權(quán)利要求7的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述氧化物和氮化物中的至少任何一種是選自Al2O3、AlN、SiN和ZrN的化合物。
9.權(quán)利要求1-8任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述上涂層和底涂層中的至少任何一層包含硫化物，并且該硫化物是選自AgS、AlS、BS、BaS、BiS、CaS、CdS、CoS、CrS、CuS、FeS、GeS、InS、KS、LiS、MgS、MnS、MoS、NaS、NbS、NiS、PbS、SbS、SnS、SrS、WS和ZnS中的至少任何一種化合物。
10.權(quán)利要求1-8任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述上涂層和底涂層中的至少任何一層包含ZnS-SiO2，且ZnS與SiO2的摩爾混合比為70/30～90/10。
11.權(quán)利要求1-10任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述反射層包含銀和鋁中的任何一種。
12.權(quán)利要求1-11任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中所述記錄層包含選自Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V和Nb中的任何一種元素。
13.權(quán)利要求1-12任何一項(xiàng)的一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，其中形成了生成三種或更多種不同類型再現(xiàn)信號級的記錄標(biāo)記，并基于該再現(xiàn)信號級來確定記錄標(biāo)記的類型。
全文摘要
本發(fā)明提供一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，從激光束入射平面起依次包含基底、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到該基底的平坦部分上時(shí)，上述一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低；或者下述一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)，從激光束入射平面起依次包含基底、底涂層、含鉍和鉍的氧化物中的任何一種的記錄層、上涂層和反射層，其中當(dāng)將激光施加到該基底的平坦部分上時(shí)，上述一次寫入多次讀取的光記錄介質(zhì)的反射率為35％或更低。
文檔編號G11B7/24GK101080327SQ20058004301
公開日2007年11月28日 申請日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者藤井俊茂, 笹登, 林嘉隆, 三浦裕司, 藤原將行 申請人:株式會社理光