專利名稱：磁頭驅(qū)動(dòng)電路、磁記錄再現(xiàn)裝置和再現(xiàn)頭保護(hù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)磁記錄介質(zhì)記錄、再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁記錄再現(xiàn)裝置，特別涉及其再現(xiàn)頭的保護(hù)技術(shù)。
背景技術(shù)：
作為在近年來(lái)的電子設(shè)備內(nèi)部使用的記錄介質(zhì)，多使用以硬盤為代表的磁記錄再現(xiàn)裝置。在這樣的磁記錄再現(xiàn)裝置中，對(duì)用于再現(xiàn)磁記錄的數(shù)據(jù)的磁頭使用MR(Magneto Resistive，磁阻)元件。MR元件的電阻值由于磁通的變化而變化，因此通過(guò)在流過(guò)規(guī)定的偏置電流的狀態(tài)下測(cè)定兩端的電壓，從而能夠?qū)⒂涗浽诖庞涗浗橘|(zhì)上的信息變換成電壓而讀出。
已知這樣的MR元件的耐壓低，對(duì)于靜電等噪聲非常弱(專利文獻(xiàn)1)。另一方面，隨著磁記錄再現(xiàn)裝置的容量的增大，作為MR元件逐漸使用可高密度化的GMR(Giant Magneto Resistive，巨磁阻)元件、TMR(TunnelingMagneto Resistive，隧道磁阻)元件等，但這些元件耐壓更低，其保護(hù)技術(shù)成為重要的課題。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開(kāi)平6-176558號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在具有上述MR元件的磁記錄再現(xiàn)裝置中，存在如下的課題。
圖6表示一般的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁頭周邊部分的結(jié)構(gòu)。如圖6所示，磁記錄再現(xiàn)裝置100中設(shè)有再現(xiàn)頭10和記錄頭12，并包括對(duì)各個(gè)磁頭提供偏置的磁頭驅(qū)動(dòng)電路200。磁頭驅(qū)動(dòng)電路200包含再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14以及記錄頭驅(qū)動(dòng)電路16，它們被集成為一體。
再現(xiàn)頭10和記錄頭12被接近于作為磁記錄介質(zhì)的盤而設(shè)置，另一方面，磁頭驅(qū)動(dòng)電路200被設(shè)置在遠(yuǎn)離磁頭的位置的情況很多，其之間由四條布線Rx、Ry、Wx、Wy圍繞。由于這些布線以數(shù)厘米的距離互相接近圍繞，因此布線之間的寄生電容不能被忽視。
這里，在磁記錄再現(xiàn)裝置100進(jìn)行記錄工作的情況下，記錄頭驅(qū)動(dòng)電路16高速地轉(zhuǎn)換(switching)流入記錄頭12的寫入電流，但該寫入電流經(jīng)由上述布線之間的寄生電容而對(duì)再現(xiàn)頭10一側(cè)的布線Rx、Ry進(jìn)行串?dāng)_。其結(jié)果，再現(xiàn)頭10兩端的電壓隨著記錄工作時(shí)的寫入電流的轉(zhuǎn)換而變動(dòng)，因此可能對(duì)再現(xiàn)頭10的壽命、可靠性產(chǎn)生影響。
這里，為了保護(hù)再現(xiàn)頭10，考慮將在記錄工作時(shí)對(duì)再現(xiàn)頭10提供恒流的恒流源接地，并且將再現(xiàn)頭10的兩端的電位固定的方法。但是在該方法中，在轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)工作時(shí)，恢復(fù)恒流源消耗時(shí)間，存在妨礙高速的記錄、再現(xiàn)的問(wèn)題。此外，在設(shè)置了用于高速恢復(fù)的電路的情況下，電路的規(guī)模增大。
本發(fā)明鑒于這樣的課題而完成，其目的在于提供一種在磁記錄再現(xiàn)裝置中用于對(duì)再現(xiàn)頭進(jìn)行保護(hù)而不會(huì)對(duì)電路工作產(chǎn)生影響的技術(shù)。
本發(fā)明的某一方式涉及磁頭驅(qū)動(dòng)電路。該磁頭驅(qū)動(dòng)電路包括第一、第二端子，應(yīng)被連接在再現(xiàn)頭元件的兩端；可變阻抗元件，與再現(xiàn)頭元件并聯(lián)連接在第一、第二端子之間；以及控制部分，控制可變阻抗元件的阻抗?？刂撇糠衷谟涗浌ぷ髦薪档涂勺冏杩乖淖杩?。
根據(jù)該方式，在磁記錄再現(xiàn)裝置所使用的磁頭驅(qū)動(dòng)電路中，通過(guò)降低在記錄工作中與再現(xiàn)頭元件并聯(lián)設(shè)置的可變阻抗元件的阻抗，從而能夠降低第一、第二端子之間的有效的電阻值，并且通過(guò)降低對(duì)再現(xiàn)頭元件施加的電壓從而能夠保護(hù)再現(xiàn)頭元件。
可變阻抗元件的記錄工作中的阻抗也可以被設(shè)定為與再現(xiàn)頭元件的阻抗相同程度或其以下。
可變阻抗元件可以是漏極、源極分別連接在第一、第二端子，而且柵極連接在控制部分的MOS晶體管。
通過(guò)控制部分，在記錄工作時(shí)使MOS晶體管的柵極-源極間電壓比閾值電壓大，從而能夠使晶體管導(dǎo)通，在第一、第二端子之間插入與晶體管的導(dǎo)通電阻相當(dāng)?shù)碾娮?。其結(jié)果，由于在記錄工作時(shí)流入再現(xiàn)頭元件的電流的一部分流入MOS晶體管，因此能夠保護(hù)再現(xiàn)頭元件。此外，由于MOS晶體管截止時(shí)的電阻值非常高，因此能夠降低在再現(xiàn)工作時(shí)對(duì)電路產(chǎn)生的影響。
可變阻抗元件也可以包含P型MOS晶體管，其漏極、源極分別連接到第一、第二端子，柵極連接在控制部分；以及N型MOS晶體管，其源極、漏極分別連接到第一、第二端子，柵極連接在控制部分。
通過(guò)在第一、第二端子之間并聯(lián)連接P型MOS晶體管和N型MOS晶體管，從而不論第一、第二端子被設(shè)定在哪個(gè)電位的情況下，由于至少一個(gè)MOS晶體管能夠?qū)?，因此能夠更可靠地?shí)現(xiàn)再現(xiàn)頭元件的保護(hù)。
本發(fā)明的其他方式是磁頭驅(qū)動(dòng)電路。該磁頭驅(qū)動(dòng)電路包括第一、第二端子，應(yīng)被連接在再現(xiàn)頭元件的兩端；以及電壓箝位元件，與再現(xiàn)頭元件并聯(lián)連接在第一、第二端子之間，磁頭驅(qū)動(dòng)電路使電壓箝位元件工作，以使在記錄工作中對(duì)再現(xiàn)頭元件施加的電壓成為規(guī)定的電壓以下。
根據(jù)該方式，即使在記錄工作中被提供給記錄頭的電流信號(hào)通過(guò)串?dāng)_而混入到再現(xiàn)頭一側(cè)的情況下，通過(guò)防止在再現(xiàn)頭元件上施加超過(guò)規(guī)定電壓的電壓，從而能夠保護(hù)再現(xiàn)頭元件。
本發(fā)明的其它方式是磁記錄再現(xiàn)裝置。該裝置具有上述磁頭驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的其它方式是對(duì)保護(hù)方法磁記錄介質(zhì)記錄、再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁記錄再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)頭保護(hù)方法。該再現(xiàn)頭保護(hù)方法在記錄工作中將再現(xiàn)頭元件的兩端阻抗降低。
根據(jù)該方式，在記錄工作中，即使在再現(xiàn)頭一側(cè)流過(guò)由于串?dāng)_等而引起的電流，由于阻抗低，因此也能夠?qū)⒃佻F(xiàn)頭元件兩端的壓降抑制得小，并且能夠保護(hù)再現(xiàn)頭元件。
另外，以上的構(gòu)成元件的任意組合或本發(fā)明的構(gòu)成元件或在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互置換表現(xiàn)的結(jié)果，作為本發(fā)明的方式都有效。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭驅(qū)動(dòng)電路、磁記錄再現(xiàn)裝置以及再現(xiàn)頭保護(hù)方法，在磁記錄再現(xiàn)裝置中能夠保護(hù)再現(xiàn)頭而不會(huì)對(duì)電路工作產(chǎn)生影響。


圖1是表示本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2是表示可變阻抗元件的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是表示不使可變阻抗元件工作的情況下的寫模式時(shí)的各布線Rx、Ry、Wx、Wy的信號(hào)波形的圖。
圖4是表示在實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置中，使可變阻抗元件工作的情況下的寫模式時(shí)的各布線Rx、Ry、Wx、Wy的信號(hào)波形的圖。
圖5是表示可變阻抗元件的結(jié)構(gòu)的變形例的電路圖。
圖6是一般的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁頭周邊部分的結(jié)構(gòu)圖。
標(biāo)號(hào)的說(shuō)明10再現(xiàn)頭，12記錄頭，14再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路，16記錄頭驅(qū)動(dòng)電路，18控制部分，20可變阻抗元件，100磁記錄再現(xiàn)裝置，200磁頭驅(qū)動(dòng)電路。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置100的結(jié)構(gòu)的電路圖。該磁記錄再現(xiàn)裝置100是將信息寫入未圖示的磁盤中，或者讀出信息的硬盤裝置，包含再現(xiàn)頭10、記錄頭12、磁頭驅(qū)動(dòng)電路200。
在該磁記錄再現(xiàn)裝置100中，記錄頭12上安裝有線圈，并且被與高速旋轉(zhuǎn)的磁盤接近配置。在該記錄頭12的線圈中流過(guò)與應(yīng)記錄的信息對(duì)應(yīng)的信號(hào)電流時(shí)，產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，磁盤由從磁隙中漏出的磁通而磁化，從而寫入信息。
再現(xiàn)頭10包含阻值根據(jù)磁通而變化的MR元件，由于其電阻值根據(jù)從對(duì)應(yīng)于寫入的信息而被磁化的磁盤中發(fā)生的磁通而變化，因此能夠?qū)⒋判盘?hào)變換為電信號(hào)后讀出。
磁頭驅(qū)動(dòng)電路200是用于驅(qū)動(dòng)控制再現(xiàn)頭10以及記錄頭12的電路，將再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14、記錄頭驅(qū)動(dòng)電路16、控制部分18、可變阻抗元件20集成為一體。該磁頭驅(qū)動(dòng)電路200進(jìn)行分時(shí)切換，以在再現(xiàn)工作時(shí)切換為讀模式，在記錄工作時(shí)切換為寫模式。
記錄頭驅(qū)動(dòng)電路16通過(guò)寫入布線Wx、Wy與記錄頭12連接。記錄頭驅(qū)動(dòng)電路16在寫模式時(shí)成為有效(active)，根據(jù)寫入磁盤中的信息來(lái)控制記錄頭12中流過(guò)的電流。
與再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14的輸入輸出端子相當(dāng)?shù)牡谝欢俗?02以及第二端子104通過(guò)讀入布線Rx、Ry與再現(xiàn)頭10連接。再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14在讀模式時(shí)成為有效，對(duì)再現(xiàn)頭10提供一定的偏置電流Ibias。再現(xiàn)頭的MR元件的電阻值依賴于磁盤的磁通而變化，如果將該電阻值寫作Rmr，則再現(xiàn)頭10的兩端的壓降Vmr由Vmr＝Rmr×Ibias得到。通常，MR元件的電阻值為數(shù)十Ω左右，通過(guò)流過(guò)數(shù)mA的偏置電流從而能夠得到0.1V到1V左右的壓降。再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14通過(guò)將再現(xiàn)頭10的壓降、即第一端子102以及第二端子104之間的電壓進(jìn)行差動(dòng)放大而被寫入磁盤中的信息作為電信號(hào)取出。
讀入布線Rx、Ry以及寫入布線Wx、Wy從磁頭驅(qū)動(dòng)電路200到再現(xiàn)頭10以及記錄頭12之間被平行地鋪設(shè)在FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷電路板)上。從而，在各布線之間存在未圖示的寄生電容。
可變阻抗元件20被設(shè)置在第一端子102以及第二端子104之間，其阻抗相應(yīng)于從控制部分18輸入的控制信號(hào)Vcnt而變化。控制部分18對(duì)可變阻抗元件20輸出控制信號(hào)Vcnt，在讀模式中分別將可變阻抗元件20的阻抗設(shè)定得高，在寫模式中將可變阻抗元件20的阻抗設(shè)定得低。
圖2是表示可變阻抗元件20的結(jié)構(gòu)的電路圖。將寫模式時(shí)的第一端子102以及第二端子104的電壓分別設(shè)為Vx、Vy時(shí)，Vx-Vy＝Vmr成立。
在圖2中，可變阻抗元件20由N型MOS晶體管構(gòu)成。該MOS晶體管的漏極以及源極分別連接到第一端子102以及第二端子104，并且在柵極上被輸入從控制部分18輸出的控制信號(hào)Vcnt。
控制部分18作為控制信號(hào)Vcnt，在寫模式中輸出高電平，在讀模式中輸出低電平。作為控制信號(hào)Vcnt，高電平被輸出，如果Vcnt-Vy＞Vt，則作為可變阻抗元件20的MOS晶體管導(dǎo)通。這里，Vt是MOS晶體管的柵極-源極閾值電壓。
MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度以及柵極寬度設(shè)定為，使漏極-源極間的導(dǎo)通電阻Ron與連接在第一端子102以及第二端子104之間的再現(xiàn)頭10的電阻值Rmr相同程度或?yàn)槠湟韵隆?br> 圖2的可變阻抗元件20也可以由P型的MOS晶體管構(gòu)成。在該情況下，將源極以及漏極分別連接到第一端子102以及第二端子104。作為控制信號(hào)Vcnt，在寫模式下從控制部分18輸出低電平，在讀模式下從控制部分18輸出高電平。作為控制信號(hào)Vcnt輸出低電平，如果Vx-Vcnt＞Vt，則作為可變阻抗元件20的MOS晶體管導(dǎo)通。
下面說(shuō)明如以上這樣構(gòu)成的磁頭驅(qū)動(dòng)電路200以及磁記錄再現(xiàn)裝置100的工作。為了使本發(fā)明的效果更明確，首先說(shuō)明不使可變阻抗元件20工作的情況。圖3表示不使可變阻抗元件20工作的情況下的寫模式時(shí)的各布線Rx、Ry、Wx、Wy的信號(hào)波形。
在圖3中，橫軸表示時(shí)間，縱軸表示電流、電壓?？v軸、橫軸的刻度為了容易觀看而根據(jù)需要進(jìn)行了放大、縮小，因此與實(shí)際的刻度不同。
在寫模式下，在記錄頭12中流過(guò)電流，該電流的方向相應(yīng)于寫入磁盤的數(shù)據(jù)而反轉(zhuǎn)。從而，如圖3所示，在寫入布線Wx、Wy中出現(xiàn)的信號(hào)呈現(xiàn)相應(yīng)于電流的方向而變化的時(shí)間波形。
另一方面，在寫模式中，經(jīng)由讀入布線Rx、Ry，從再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14對(duì)再現(xiàn)頭10提供一定的偏置電流Ib。在寫模式下，由于再現(xiàn)頭10不受磁盤的磁場(chǎng)的影響，因此再現(xiàn)頭10的電阻值Rmr成為一定值。從而，讀入布線Rx、Ry的電壓波形Vx、Vy都應(yīng)取一定值。
但是，如上所述，由于讀入布線Rx、Ry以及寫入布線Wx、Wy被接近設(shè)置，因此通過(guò)布線之間的寄生電容，寫入布線Wx、Wy的信號(hào)分量經(jīng)由寄生電容耦合到讀入布線Rx、Ry中。其結(jié)果，如圖3所示，讀入布線Rx、Ry中分別出現(xiàn)在寫入布線Wx中傳播的信號(hào)分量。這里，由于各布線之間的寄生電容與其距離呈反比例，因此比寫入布線Wx近的讀入布線Ry的信號(hào)分量表現(xiàn)得大，反之在遠(yuǎn)的讀入布線Rx中，振幅表現(xiàn)得小。
如圖3所示，第一端子102以及第二端子104之間的電壓Vmr由偏置電流Ib引起的直流分量Ib×Rmr和圖中ΔV所示的布線之間的串?dāng)_而引發(fā)的信號(hào)分量的合計(jì)得到。該第一端子102以及第二端子之間的電壓Vmr被施加到再現(xiàn)頭10。圖3中虛線所示的電壓Vth如果假定為再現(xiàn)頭10的耐壓，則在由于布線之間的串?dāng)_而耦合了大的信號(hào)的情況下，發(fā)生超過(guò)再現(xiàn)頭10的MR元件的耐壓的電壓，可能對(duì)再現(xiàn)頭10的可靠性帶來(lái)影響。
為了保護(hù)再現(xiàn)頭10，在圖1以及圖2所示的本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置100中，使用可變阻抗元件20抑制對(duì)再現(xiàn)頭10施加的電壓。以下，說(shuō)明其工作。
在讀模式中，由于控制部分18輸出低電平作為控制信號(hào)Vcnt，因此作為可變阻抗元件20的MOS晶體管截止。此時(shí)的MOS晶體管的漏極-源極之間的阻抗相對(duì)于再現(xiàn)頭10的阻抗大幾位，因此在寫入時(shí)能夠忽視其影響。
在從讀模式切換為寫模式時(shí)，控制部分18將控制信號(hào)Vcnt切換為高電平。其結(jié)果，作為可變阻抗元件20的MOS晶體管導(dǎo)通，漏極-源極之間的阻抗成為導(dǎo)通電阻Ron。其結(jié)果，在圖2中，在第一端子102以及第二端子104上連接電阻值Ron的元件。即，在寫模式時(shí)，第一端子102以及第二端子104之間的阻抗Zr為Zr＝Rmr×Ron/(Rmr+Ron)。這里，例如假設(shè)MOS晶體管的導(dǎo)通阻抗Ron與再現(xiàn)頭10的阻抗Rmr相等，則第一端子102以及第二端子104之間的阻抗Zr為Zr＝Rmr/2，成為不設(shè)置可變阻抗元件20的情況下的1/2倍。
圖4表示在本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置100中，使可變阻抗元件20工作的情況下的寫模式時(shí)的各布線Rx、Ry、Wx、Wy的信號(hào)波形。
在讀入布線Rx、Ry的電壓Vx、Vy中，與圖3的情況同樣，存在來(lái)自寫入布線Wx、Wy的信號(hào)耦合，出現(xiàn)其信號(hào)分量。
這里，著眼于讀入布線Rx、Ry之間的電位差。如上所述，在寫模式下，第一端子102、第二端子104之間的阻抗成為不使可變阻抗元件20工作的情況下的1/2。因此，在第一端子102以及第二端子104之間，即再現(xiàn)頭10的兩端施加的電壓Vmr的直流分量成為Vmr＝Ib×Zr＝Ib×Rmr/2，其成為圖3所示的不設(shè)置可變阻抗元件20的情況下的1/2。
進(jìn)而，由于第一端子102、第二端子104之間的阻抗變低，因此從寫入布線Wx、Wy分別耦合在讀入布線Rx以及Ry中的信號(hào)分量的振幅ΔVx、ΔVy為相同程度。此時(shí)，在再現(xiàn)頭10的兩端施加的電壓Vmr中，由布線之間的串?dāng)_引發(fā)的信號(hào)分量ΔV的振幅也變小。
其結(jié)果，由于第一端子102以及第二端子104之間的電位差Vmr低于由虛線表示的再現(xiàn)頭10的耐壓Vth，因此即使在由于布線之間的串?dāng)_而從寫入布線Wx、Wy對(duì)讀入布線Rx、Ry耦合了大的信號(hào)的情況下，也能夠防止發(fā)生超過(guò)了再現(xiàn)頭10的MR元件的耐壓的電壓，并且能夠保護(hù)再現(xiàn)頭10。
如以上這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置100，在連接再現(xiàn)頭10的第一端子102、第二端子104之間設(shè)置可變阻抗元件，在不使用再現(xiàn)頭10的寫模式時(shí)，通過(guò)降低其阻抗從而能夠減少在再現(xiàn)頭10中流過(guò)的電流，并且限制施加的電壓，并且可以保護(hù)再現(xiàn)頭10。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在寫模式時(shí)在再現(xiàn)頭10中也繼續(xù)提供偏置電流Ib，因此不需要停止再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14內(nèi)部的恒流源的工作。其結(jié)果，在從寫模式切換到讀模式時(shí)，由于不發(fā)生與恒流源的再起動(dòng)相伴的時(shí)間延遲，因此能夠迅速地轉(zhuǎn)移到讀模式。
寫模式和讀模式之間的切換時(shí)間影響到對(duì)磁盤寫入、讀入數(shù)據(jù)的速度。與以往這樣在進(jìn)行再現(xiàn)頭驅(qū)動(dòng)電路14內(nèi)部的恒流源的停止、起動(dòng)的情況下所需的數(shù)微秒相比，如本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置100這樣，將MOS晶體管用作可變阻抗元件20的情況下，阻抗的切換所需的時(shí)間成為數(shù)百納秒以下的數(shù)量級(jí)。從而，與以往相比，能夠在短時(shí)間內(nèi)切換記錄、再現(xiàn)，并且能夠保護(hù)再現(xiàn)頭10而不會(huì)招致磁記錄再現(xiàn)裝置100的速度降低。
上述實(shí)施方式為例示，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些各構(gòu)成元件和各處理過(guò)程的組合可以有各種變形例，而且這樣的變形例也屬于本發(fā)明的范圍。
例如，在實(shí)施方式中，由單一的MOS晶體管構(gòu)成可變阻抗元件20，但也可以如圖5所示這樣構(gòu)成。圖5是表示可變阻抗元件20的結(jié)構(gòu)的變形例的電路圖。在圖5的變形例中，可變阻抗元件20包含N型的MOS晶體管20n以及P型的MOS晶體管20p。
P型MOS晶體管20p的漏極、源極分別連接到第一端子102、第二端子104。而且，N型MOS晶體管20n的源極、漏極分別連接到第一端子102、第二端子104。在這些MOS晶體管20n、20p的柵極上輸入從控制部分18輸出的控制信號(hào)Vcnt、Vcnt’。
控制部分18作為控制信號(hào)Vcnt，在寫模式中輸出高電平，在讀模式中輸出低電平。此外，作為控制信號(hào)Vcnt’，在寫模式中輸出低電平，在讀模式中輸出高電平。其結(jié)果，在寫模式中，MOS晶體管20n、20p兩者截止，在讀模式中MOS晶體管20n、20p兩者導(dǎo)通。
這樣，通過(guò)并聯(lián)設(shè)置N型和P型的MOS晶體管，從而能夠降低寫模式時(shí)的第一端子102和第二端子104之間的阻抗Zr，并且能夠降低對(duì)再現(xiàn)頭10施加的電壓。
進(jìn)而，在寫入布線Rx、Ry的電位Vx、Vy由于串?dāng)_引起的信號(hào)分量而變動(dòng)的情況下等，認(rèn)為其中一個(gè)MOS晶體管的柵極-源極間電壓變動(dòng)，晶體管截止。這里，通過(guò)并聯(lián)設(shè)置兩個(gè)互補(bǔ)的晶體管，從而由于其中一個(gè)晶體管持續(xù)導(dǎo)通，因此能夠進(jìn)行更可靠的再現(xiàn)頭10的保護(hù)。
在實(shí)施方式中，可變阻抗元件20的阻抗被設(shè)定得與再現(xiàn)頭10的阻抗Rmr相等，但不限定于此。該阻抗的值根據(jù)再現(xiàn)頭10的耐壓Vth、串?dāng)_引起的信號(hào)分量的振幅等而適當(dāng)?shù)貨Q定即可。
在由MOS晶體管構(gòu)成可變阻抗元件20的情況下，由于由晶體管的大小、即柵極長(zhǎng)度以及柵極寬度決定導(dǎo)通電阻Ron，因此最好也考慮其面積來(lái)決定導(dǎo)通電阻Ron。
此外，在實(shí)施方式中，作為可變阻抗元件20，以MOS晶體管為例進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以使用其它的一般使用的可變阻抗元件。
進(jìn)而，可變阻抗元件20和控制部分18，可以如圖1所示這樣與磁頭驅(qū)動(dòng)電路200集成為一體，也可以在其外部另外構(gòu)成。關(guān)于采樣哪種結(jié)構(gòu)，根據(jù)半導(dǎo)體的制造工藝和要求的特性、成本等來(lái)選擇即可。
進(jìn)而，本實(shí)施方式的磁頭驅(qū)動(dòng)電路200以及使用它的磁記錄再現(xiàn)裝置100可以歸納如下。即，可變阻抗元件20也可以考慮在應(yīng)連接到再現(xiàn)頭10的兩端的第一端子102、第二端子104之間進(jìn)行電壓箝位，以使在寫模式中施加到再現(xiàn)頭10的電壓成為規(guī)定的電壓以下的箝位元件。從而，代替可變阻抗元件，或者與可變阻抗元件一同，與再現(xiàn)頭10并聯(lián)設(shè)置具有其它的電壓箝位功能的電路元件，并在寫模式下使其工作，從而也能夠得到同樣的效果。
在實(shí)施方式中，說(shuō)明了使用磁盤的磁記錄再現(xiàn)裝置100，但本發(fā)明的再現(xiàn)頭保護(hù)技術(shù)不限定于此，作為其它的磁記錄介質(zhì)同樣可以也可以應(yīng)用于圓盤形的軟盤存儲(chǔ)裝置、螺旋掃描型的圖像記錄裝置(VTR)、或者卡式磁卡等中。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明的磁頭驅(qū)動(dòng)電路、磁記錄再現(xiàn)裝置以及再現(xiàn)頭保護(hù)方法，在磁記錄再現(xiàn)裝置中，能夠保護(hù)再現(xiàn)頭而不對(duì)電路工作產(chǎn)生影響。
權(quán)利要求
1.一種磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括第一、第二端子，應(yīng)被連接在再現(xiàn)頭元件的兩端；可變阻抗元件，與所述再現(xiàn)頭元件并聯(lián)連接在所述第一、第二端子之間；以及控制部分，控制所述可變阻抗元件的阻抗，所述控制部分在記錄工作中降低所述可變阻抗元件的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述可變阻抗元件的記錄工作中的阻抗被設(shè)定為與所述再現(xiàn)頭元件的阻抗相同程度或其以下。
3.如權(quán)利要求1所述的磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述可變阻抗元件是漏極、源極分別連接在所述第一、第二端子，而且柵極連接在所述控制部分的MOS晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述可變阻抗元件包含P型MOS晶體管，其漏極、源極分別連接到所述第一、第二端子，柵極連接在所述控制部分；以及N型MOS晶體管，其源極、漏極分別連接到所述第一、第二端子，柵極連接在所述控制部分。
5.一種磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括第一、第二端子，應(yīng)被連接在再現(xiàn)頭元件的兩端；以及電壓箝位元件，與所述再現(xiàn)頭元件并聯(lián)連接在所述第一、第二端子之間，所述磁頭驅(qū)動(dòng)電路使所述電壓箝位元件工作，以使在記錄工作中對(duì)所述再現(xiàn)頭元件施加的電壓成為規(guī)定的電壓以下。
6.如權(quán)利要求1至5的任何一項(xiàng)所述的磁頭驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述磁頭驅(qū)動(dòng)電路被一體集成在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上。
7.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5的任何一項(xiàng)所述的磁頭驅(qū)動(dòng)電路。
8.一種再現(xiàn)頭保護(hù)方法，用于對(duì)磁記錄介質(zhì)記錄、再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，在記錄工作中使再現(xiàn)頭元件兩端之間的阻抗降低。
全文摘要
在磁記錄再現(xiàn)裝置中保護(hù)再現(xiàn)頭而不會(huì)對(duì)電路工作產(chǎn)生影響。磁記錄再現(xiàn)裝置(100)是對(duì)未圖示的磁盤寫入、或讀出信息的硬盤裝置，包含再現(xiàn)頭(10)、記錄頭(12)、磁頭驅(qū)動(dòng)電路(200)。磁頭驅(qū)動(dòng)電路(200)是用于驅(qū)動(dòng)控制再現(xiàn)頭(10)以及記錄頭(12)的電路，將再現(xiàn)頭(10)、記錄頭驅(qū)動(dòng)電路(16)、控制部分(18)、可變阻抗元件(20)集成為一體。該磁頭驅(qū)動(dòng)電路(200)進(jìn)行分時(shí)切換，以在再現(xiàn)工作時(shí)切換為讀模式，在記錄工作時(shí)切換為寫模式?？刂撇糠?18)在寫模式時(shí)降低可變阻抗元件(20)的阻抗。
文檔編號(hào)G11B5/40GK101040325SQ20058003504
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月25日
發(fā)明者北東慎吾, 岡本勇次郎 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司