專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)。具體地說，本發(fā)明涉及由三個記錄層組成的可記錄的光記錄介質(zhì)。
背景技術：
隨著全面處理包括運動圖像和靜止圖像的視頻信號、音頻信號和計算機數(shù)據(jù)信息的多媒體時代的來臨，已經(jīng)廣泛地使用包括類似CD和DVD的所有種類的光盤的封裝介質(zhì)。最近，已積極的努力為移動電話、數(shù)碼相機、廣播和電影的記錄介質(zhì)提供光記錄介質(zhì)。
將光記錄介質(zhì)分為只讀存儲器(ROM)光記錄介質(zhì)、能夠僅記錄一次信息的可記錄光記錄介質(zhì)，和能夠?qū)憽⒆x并重復地刪除信息的可重寫的光記錄介質(zhì)。
可以將可記錄光記錄介質(zhì)應用于數(shù)據(jù)備份或廣播、電影等的存儲?？墒褂帽热缛玖系挠袡C材料或無機材料作為可記錄光記錄介質(zhì)的記錄層材料。僅在使用有機材料作為記錄層材料的情況中，在記錄在光記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)的長期存儲中會發(fā)生問題。
作為可記錄光記錄介質(zhì)的記錄機制，a)當燒制記錄層材料時產(chǎn)生凹坑，b)當記錄層材料分解時體積膨脹形成凹坑，c)在記錄層熔化之后的凝固形成新狀態(tài)，和d)通過與外來物質(zhì)的接觸表面上的反應形成新材料(例如，硅化物、鍺化合物，或銻化合物)。
同樣，可多重發(fā)生這些機制。在由多重機制產(chǎn)生記錄標記的情況中，如果將激光束照射在光記錄介質(zhì)上，記錄層中的第一材料和第二材料可混合并改變而形成不同于記錄層的材料。
在這種情況中，由記錄層材料中改變的光學性質(zhì)記錄數(shù)據(jù)，并且在記錄前后根據(jù)改變的光學性質(zhì)可以由可反射性的變更來識別所記錄的數(shù)據(jù)。
圖1是示出現(xiàn)有光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是示出在記錄至圖1的光記錄介質(zhì)的執(zhí)行片的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一個形式的截面圖。并且，圖3是示出在記錄至圖1的光記錄介質(zhì)的執(zhí)行槽的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一個形式的截面圖。
在圖1中，光記錄介質(zhì)包括基片60、反射層50、信息記錄層100、光傳輸層10，和介質(zhì)層20、30。
基片60用于支撐光記錄介質(zhì)的外形。通常使用陶瓷、玻璃、樹脂等作為基片60的材料，但是聚碳酸脂樹脂是優(yōu)選的。
在基片60上沉積反射層50，反射激光束經(jīng)光傳輸層10入射至光記錄介質(zhì)，并且返回該束至光傳輸層10的方向。因此，所需的是光傳輸層10包含具有高反射性的材料或添加了高反射性材料的合金。
在反射層50上沉積信息記錄層100，并且包括第一記錄層110和第二記錄層120。
包含在第一記錄層110和第二記錄層120中的每個材料當激光束放射在其上時形成混合物中的新材料。新材料具有與周圍其它材料完全不同的反射性。
當放射激光束時，第一記錄層110和第二記錄層120的材料在它們在接觸面處發(fā)生反應的機制中作出記錄標記以形成新材料。
同樣，在信息記錄層100的至少一側(cè)上層壓介質(zhì)層20、30。
在圖2和圖3中，在通過放射激光束至光記錄介質(zhì)來記錄信息的情況中解釋了在光記錄介質(zhì)中記錄的形式。
在信息記錄層100的表面上形成槽和片，并且引導放射至光記錄介質(zhì)上的激光束。
片記錄(land recording)意味將數(shù)據(jù)記錄到如圖2中所示的信息記錄層100的凸面部分上，并且在信息記錄層100的表面中激光束第一次到達的部分上形成記錄標記90。
槽記錄(groove recording)意味將數(shù)據(jù)記錄到如圖3中所示的信息記錄層100的凹面部分上，并且在信息記錄層100的表面中激光束隨后到達的部分上形成記錄標記90。
因此，在光記錄介質(zhì)中片記錄和槽記錄都是可能的。
光記錄介質(zhì)由類似于反射層50、信息記錄層100、光傳輸層10，和介質(zhì)層20、30的四或五層組成。這樣，光記錄介質(zhì)厚且制造成本增加。特別地，反射層50包含比如AgPdCu或AgNdCu的十分昂貴的物質(zhì)，并且其厚度大約是700至1000。因此，光記錄介質(zhì)的制造成本增加，并且由于反射層50光記錄介質(zhì)的厚度更厚。
另一方面，下一代記錄介質(zhì)需要十分高的數(shù)據(jù)的記錄密度和傳輸速度。光記錄介質(zhì)的記錄標記的尺寸應小于現(xiàn)有尺寸以增加記錄在光記錄介質(zhì)中的記錄密度。這樣，應將放射至光記錄介質(zhì)上的激光波長減至450nm或更少，并且數(shù)值孔徑應增加至0.7或更高。同樣，數(shù)據(jù)傳輸速度應遠高于現(xiàn)在的30Mbps和35Mbps之間。
在下一代記錄介質(zhì)BD(藍光光盤)的情況中，在光記錄介質(zhì)中應包括具有可接受的5.28m/s和10.56m/s之間的記錄線速度的范圍內(nèi)的抖動的性質(zhì)和405nm波長的3mW和7mW之間的激光功率的記錄層材料。
具體地說，具有上述性質(zhì)的可記錄光記錄介質(zhì)需要記錄層材料的組合，其中I)光記錄介質(zhì)中的記錄標記和間隔之間的對比度應較高，II)記錄敏感度應較高，III)所記錄的標記應穩(wěn)定，IV)應在BD系統(tǒng)中滿足包括記錄標記的噪聲和抖動的記錄性質(zhì)。
同樣，在通過放射的激光將記錄標記90制造在光記錄介質(zhì)內(nèi)的情況中，需要記錄層材料的組合以防止用于制造記錄標記90的激光功率過高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供光記錄介質(zhì)，其中信息層可由三個記錄層組成，通過除去反射層和介質(zhì)層可以減少厚度，并且可以節(jié)省制造成本。
本發(fā)明的另一目的是提供光記錄介質(zhì)，其具有高記錄靈敏度和記錄標記和間隔之間的大對比度并且滿足BD的特性。
本發(fā)明的另一目的是提供光記錄介質(zhì)，其具有記錄標記的優(yōu)秀的穩(wěn)定性和優(yōu)秀的記錄特性并且滿足BD的特性。
本發(fā)明的另一目的是提供光記錄介質(zhì)，其中制造記錄標記所必須的激光功率低。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的光記錄介質(zhì)包括基片和位于基片上的信息記錄層。信息記錄層包括第一記錄層，其包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選出的至少一種元素，第二信息記錄層，其包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選出的至少一種元素和第三信息記錄層，其包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選出的至少一種元素。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的光記錄介質(zhì)包括基片、位于基片上的至少兩個信息記錄層和在信息記錄層之間形成的分離層。信息記錄層包括第一記錄層，其包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選出的至少一種元素，第二信息記錄層，其包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選出的至少一種元素和第三信息記錄層，其包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選出的至少一種元素。
如上所述，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，信息層可以由三個記錄層組成，通過除去反射層和介質(zhì)層可以減少厚度，并且可以減少制造成本。
同樣，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可提供高記錄敏感度和記錄標記與間隔之間的對比度并且以高密度記錄數(shù)據(jù)。
此外，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，低激光功率足夠用于制造記錄標記。
此外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可提供十分穩(wěn)定的記錄標記和優(yōu)秀的記錄特性。


通過參考與附圖一起考慮的下面的具體描述，本發(fā)明的上述和其它特點與優(yōu)點將逐漸變得明顯。在附圖中圖1是示出現(xiàn)有光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2是示出片記錄至圖1的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；
圖3是示出槽記錄至圖1的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖5是示出片記錄至圖4的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；圖6是示出槽記錄至圖4的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；圖7是示出片記錄至根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光記錄介質(zhì)的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；圖8是示出槽記錄至根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光記錄介質(zhì)的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖10A和圖10B是示出根據(jù)包括五個記錄層和兩個記錄層的光記錄介質(zhì)的記錄之前和之后的反射性的結(jié)果的視圖；圖11A和圖11B是示出在圖10A和圖10B的測試結(jié)果中的包含Ge的記錄層的記錄之后的水平溫度分布的視圖；圖12A和圖12B是示出在圖10A和圖10B的測試結(jié)果中的包含Ge的記錄層的記錄之后的垂直溫度分布的視圖；圖13是示出在改變了第三記錄層和介質(zhì)層的厚度的組合的情況中，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)的反射性變更的結(jié)果的視圖；圖14是示出用于根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)的性能評估的光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄的激光記錄脈沖波形的視圖；圖15是示出根據(jù)在圖14的記錄脈沖中的記錄的情況中的記錄時間的光記錄介質(zhì)的溫度分布的視圖；圖16是示出取決于根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)中的介質(zhì)層的存在的溫度分布的視圖。
具體實施例方式
以下，將參考附圖具體解釋本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5是示出片記錄至圖4的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖。并且，圖6是示出槽記錄至圖4的光記錄介質(zhì)的情況中產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖。
在圖4中，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)包括基片200、信息記錄層210，和光傳輸層220。
基片200用于支撐光記錄介質(zhì)的外形。通常使用陶瓷、玻璃、樹脂等作為基片200的材料，并且聚碳酸酯是優(yōu)選的。
光傳輸層220包含具有高反射性的材料或添加了高反射性材料的合金。激光束通過光傳輸層220入射至光記錄介質(zhì)，并且將光束返回光傳輸層220的方向。
在基片200上沉積信息記錄層220，并且包括第一記錄層212、第二記錄層214和第三記錄層216。
在激光束放射到其上時第一記錄層212、第二記錄層214，和第三記錄層216中包含的每種材料形成混合物中的新材料。新材料具有與周圍其它材料完全不同的反射性。
圖4的信息記錄層210中的第一記錄層212、第二記錄層214，和第三記錄層216的位置可以互相交換。也就是，不必按順序設置第一記錄層212、第二記錄層214，和第三記錄層216。
第一記錄層212包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選出的至少一種元素，優(yōu)選地以AW(SbZTe1-Z)1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式，其中，A是從Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、V、Bi、Zr、Ti、Mn和Mo構(gòu)成的第一組中選擇的至少一種元素。
第二信息記錄層214需要包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素。也需要第二信息記錄層214包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素作為占百分之50的原子(原子％)或更多的主元素。
第三信息記錄層216包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選出的至少一種元素。
當放射激光束時，第一記錄層212、第二記錄層214，和第三記錄層216的材料在它們在接觸面起反應以形成新材料的機制中制造記錄標記。
圖5和圖6示出在通過放射激光束至根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光記錄介質(zhì)記錄信息的情況中，記錄至光記錄介質(zhì)的形式。
在信息記錄層210的表面上形成槽和片，并且引導激光束放射至光記錄介質(zhì)上。
片記錄是指將數(shù)據(jù)記錄至如圖5中所示的信息記錄層210的凸面部分上，并且在信息記錄層210的表面中激光束第一次到達的部分上形成記錄標記250。
槽記錄是指將數(shù)據(jù)記錄至如圖6中所示的信息記錄層210的凹面部分上，并且在信息記錄層210的表面中激光束之后到達的部分上形成記錄標記250。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中片記錄和槽記錄都是可能的。
圖7是示出片記錄至根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光記錄介質(zhì)的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖。并且，圖8是示出槽記錄至根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光記錄介質(zhì)的情況中所產(chǎn)生的記錄標記的一種形式的截面圖。
在圖7和圖8中，可以在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光記錄介質(zhì)中的信息記錄層210的周圍或內(nèi)側(cè)層壓介質(zhì)層260。
假如不存在介質(zhì)層260，在同樣的記錄功率下溫度會上升一點，因為在放射激光束時透射率高而吸收率低。
介質(zhì)層260需要包含從AlN、GeN、SiN、Al2O3、ZnS-SiO2、TiO和SiO2組成的組選擇的至少一種元素。
添加至介質(zhì)層260的元素具有良好的吸收性，并且使得在放射激光束時降低了激光束的透射率。這樣，在層壓了介質(zhì)層260的情況中，降低了產(chǎn)生記錄標記250時必須的激光功率。
同樣，假如放射激光束到信息記錄層210，介質(zhì)層260通過以合適的速率輻射信息記錄層210中所產(chǎn)生的熱量來調(diào)節(jié)信息記錄層210的溫度分布。
可以在信息記錄層210的至少一側(cè)或信息記錄層210的內(nèi)側(cè)設置介質(zhì)層260。
其它構(gòu)造與根據(jù)第一實施例的光記錄介質(zhì)相同。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
在圖9中，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的光記錄介質(zhì)包括基片200、位于兩個和更多信息記錄層210、230之間的分離層240，和信息記錄層210、230，和光傳輸層220。
如圖5至圖8所述可以在信息記錄層210、230中形成記錄標記250。
信息記錄層210、230不需要具有相同的結(jié)構(gòu)。這樣，可以將介質(zhì)層260進一步包括在信息記錄層210、230中的僅一個中。
以下，將描述本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的應用性，比較包含五層的光記錄介質(zhì)(以下稱為“五層的光記錄介質(zhì)”)和包含兩層的光記錄介質(zhì)(以下稱為“兩層的光記錄介質(zhì)”)之間的反射性和熱量分布。
圖10A和圖10B是示出根據(jù)包括五個記錄層和兩個記錄層的光記錄介質(zhì)的記錄之前和之后的反射性的結(jié)果的視圖。圖11A和圖11B是示出在圖10A和圖10B的測試結(jié)果中的包含Ge的記錄層的記錄之后的水平溫度分布的視圖。并且，圖12A和圖12B是示出在圖10A和圖10B的測試結(jié)果中的包含Ge的記錄層的記錄之后的垂直溫度分布的視圖。
如同上述的其它光記錄介質(zhì)，除了兩個記錄層110、120之外，五層的光記錄介質(zhì)還包括反射層50和介質(zhì)層20、30。
兩層的光記錄介質(zhì)由兩層信息記錄層組成。
五層和兩層的光記錄介質(zhì)包括包含Ge和Au的信息記錄層。
在圖10A和10B中，兩層的光記錄介質(zhì)在記錄前后顯示出滿意的反射性差異。
在圖11A和圖11B中示出包含Ge的記錄層的水平溫度分布，溫度集中在兩層的光記錄介質(zhì)中的激光中心，但是相對廣泛地分散在五層的光記錄介質(zhì)的前后左右。假如是五層的光記錄介質(zhì)，在記錄標記中可發(fā)生熱干擾，并且因此兩層的光記錄介質(zhì)在標記控制方面較好。
僅在兩層的光記錄介質(zhì)中，因為在放射激光時不存在厚層，在相同的記錄功率下較少地增加了溫度，并且因此透射率可以很高并且吸收率可以很低。這可以通過涂覆介質(zhì)層260來實現(xiàn)。
參考示出包含Ge的記錄層的水平溫度分布的圖12A和圖12B，在兩層的光記錄介質(zhì)中，溫度集中在激光中心，并且左右的熱量損失很少，并且這樣標記控制更有效。假如是五層的光記錄介質(zhì)，由于厚反射層50具有高熱導率，更多的熱量溢出到前后左右，并且因而可以減少由熱量造成的基片的變型。另一方面，在兩層的光記錄介質(zhì)中溫度集中導致熱量造成的變化。這可以通過涂覆介質(zhì)層260實現(xiàn)。
因此，兩層的光記錄介質(zhì)在反射性和熱量方面具有滿意的性質(zhì)。
以下，將描述根據(jù)第一至第三實施例的光記錄介質(zhì)的測試結(jié)果。
首先，將描述用于測試的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和記錄層材料。
測試中使用的光記錄介質(zhì)包括內(nèi)徑15mm、外徑120mm，和厚度1.1mm的圓環(huán)形基片200，并且在基片200上形成具有片和槽的0.32μm的軌跡間距。
基片200由聚碳酸酯制成，并且在基片200上以第三記錄層216、由ZnS-SiO2組成的介質(zhì)層260、第二記錄層214和第一記錄層212的順序?qū)訅憾鄠€薄層。
同樣，以20μm的PSA膠通過聚碳酸酯蓋板將光透射層220粘附在第一記錄層212上。在層疊結(jié)構(gòu)中，介質(zhì)層260的厚度是200，第三記錄層216的厚度是300，第二記錄層214的厚度是30，并且第一記錄層212的厚度是90。
下面描述根據(jù)本發(fā)明的第一至第三實施例的以上測試的條件。
在測試中，光記錄介質(zhì)的恒定線速度是5.28m/s，并且光記錄介質(zhì)的測量位置是離內(nèi)圓周30mm處。記錄至光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)是槽記錄的，該處使用的激光束的波長是408nm，并且將復制功率設為35mW。同樣，使用Pulstec公司的ODU-1000作為測試設備。
在表1中，解釋了如上所述的光記錄介質(zhì)中的信息記錄層210和介質(zhì)層260的材料的組合和其測試結(jié)果。
表1


第一記錄層212、第二記錄層214和第三記錄層216依次由作為測試1中的主要元素的GeSbTe、Si和Ag；測試2中的GeSbTe、Ge和Ag；測試3中的GeSbTe、Sb和Ag；測試4中的GeSbTe、Sn和Ag；測試5中的AgInSbTe、Si和Au；測試6中的AgInSbTe、Ge和Au；測試7中的AgInSbTe、Sb和Au；測試8中的AgInSbTe、Sn和Au；測試9中的GeSbTe、Si和Cr；測試10中的GeSbTe、Si和W；測試11中的GeSbTe、Si和Ni；和測試12中的GeSbTe、Sb和Mo組成。
根據(jù)8T調(diào)制、啟動DC測試功率和標記穩(wěn)定性，根據(jù)每個測試組合的測試標準具有光記錄介質(zhì)的反射性的差異。根據(jù)表1的每個標準的結(jié)果在每個測試標準的右列(用于標記穩(wěn)定性的列)以示出最佳結(jié)果的測試組合的順序被標記為“○”、“△”或“×”。
首先，8T調(diào)制在間隔和標記之間顯示出反射性的差異。
也就是，以百分比(％)表示除以最大反射值(I8H)的激光束的8T調(diào)制脈沖的最小反射值和最大反射值之間的差(I8pp)。在激光束的8T調(diào)制測試中，反射性的差是光記錄介質(zhì)的第一標準。這樣，由于其發(fā)射性的差較大，確定了光記錄介質(zhì)是合適的。
在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的測試中，測試5的間隔和標記之間的反射性的差是最好的，為55％。
啟動DC測試功率是確定標準，其可以間接確認是否可以以前述記錄功率(Pw)記錄具有最優(yōu)結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)。
BD應以小于7mW到光記錄介質(zhì)的1X、2X速度的范圍內(nèi)的激光記錄功率產(chǎn)生記錄標記250。為間接確認，通過測量信息記錄層210中的任何變化的開始的功率，如果所測量的功率在1.5mW和2.5mW之間，則確定光記錄介質(zhì)具有前述激光功率下合適的記錄靈敏度。
以下，將描述測量作為確定標準的啟動DC測試功率的詳細方法。
首先，將間隔功率(Ps(mW))的激光束放射至光記錄介質(zhì)。激光束的脈沖是單脈沖類型的，不是多脈沖類型。并且，假如放射了激光束，測量光記錄介質(zhì)的反射性的初始大小作為激光功率初始化在示波器中的變化。所測量的激光功率的大小是啟動DC測試功率的值。
在測試中，如果啟動DC測試功率低于2.5mW則確定光記錄介質(zhì)為最優(yōu)化的。在測試中，啟動DC測試功率的值顯示出在測試5中是最好的，測試6中次之，測試3中第三。
作為測試的確定標準，標記穩(wěn)定性是確定記錄標記250是否可以長時間保持而不發(fā)生任何變化的標準。當記錄標記250由8T調(diào)制的激光脈沖形成至光記錄介質(zhì)時，應保持記錄標記250的大小而不隨時間在重新產(chǎn)生的功率的激光束的作用下或在室溫下變大或變小。
在測試中，在測試2、測試3、測試5、測試6和測試8中改變記錄層中的記錄標記250。這樣，由記錄層212、214、216的材料比率和光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)可以改進記錄層212、214、216的材料。
根據(jù)三個測試結(jié)果，依次作為第一記錄層212、第二記錄層214和第三記錄層216的Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、Au、Cr、Mo的組合被評估為用于信息記錄層210的最佳材料。但是，大多數(shù)上述材料的組合具有稍大的啟動DC測試功率，并且因而如果存在將記錄激光功率降低一點的方法，它們是更適合信息記錄層210的。
以下，在通過上述測試被選為合適的材料的Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、Au、Cr、Mo的組合中選擇GeSbTe、Si和Ag作為第一記錄層212、第二記錄層214和第三記錄層216的主要元素，并且將具體描述改進給定上述組合的光記錄介質(zhì)的反射性和記錄靈敏度的測試結(jié)果。
圖13是示出假如第三記錄層和介質(zhì)層的厚度的組合變化，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)的反射性變化的結(jié)果。
在圖13中，水平軸指示以為單位的記錄層216的厚度，垂直軸指示以為單位的介質(zhì)層260的厚度，并且圖13中的值指示根據(jù)第三記錄層216和介質(zhì)層260的厚度的反射性。
在設計了HTL(高至低)反射性的上述測試中使用光記錄介質(zhì)，如在標記和間隔的部分中的反射性差別所見。
在兩種情況中進行測試，即當?shù)谌涗泴?16是300時不包括由ZnS-SiO2組成的介質(zhì)層260(圖13的數(shù)字2)和以厚度200層壓介質(zhì)層260，通過選擇高對比度的兩個區(qū)域考慮基片260的熱量變化。
圖14是示出用于根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)的性能評估的光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄的激光記錄脈沖波形的視圖。
在圖14中，用于光記錄介質(zhì)的記錄的激光脈沖的記錄功率(Pw)是5.7mW，間隔功率(Ps)是1.5mW，并且底部功率是0.1mW。激光記錄脈沖具有從2T至6T的隨機多脈沖，并且通過調(diào)制脈沖使得對每個記錄脈沖制成N-1個分開的脈沖完成記錄。
圖15是示出根據(jù)在圖14的記錄脈沖中的記錄的情況中的記錄時間的光記錄介質(zhì)的溫度分布的視圖。并且，圖16是示出取決于根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)中的介質(zhì)層的存在的溫度分布。
在圖15中，圖一、二和三指示圖14的圖一、二和三的每次的光記錄介質(zhì)的軌跡中心的垂直部分中的溫度分布。
圖15的溫度分布示出根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)形成兩層和五層的光記錄介質(zhì)的溫度分布的中間形式。
即，假如像本發(fā)明的光記錄介質(zhì)一樣不存在反射層和介質(zhì)層，可以實現(xiàn)滿意的性質(zhì)。
在圖16中，圖14示出的2T的前沿和后沿的溫度分布相似，不管介質(zhì)層260是否存在。因此，不需要在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中層壓介質(zhì)層260。
在信息記錄層100為一(1)的情況中示出根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的性能的卓越性。然而，當存在兩個或更多信息記錄層100、200時是相同的。通過構(gòu)成元素、厚度比率、厚度和等可以結(jié)合兩個或更多的信息記錄層100、200中的一個或更多信息記錄層，如上所示。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，應注意可由本領域的技術人員根據(jù)上述教導作出修正和變更。因此，應理解在附加權利要求所描述的本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)，可對本發(fā)明的具體實施例作出改變。
權利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，其用于在信息記錄層中由通過放射的激光束形成具有與周圍物質(zhì)不同的反射性的物質(zhì)的機制來記錄信息，其包含基片；信息記錄層，其位于基片上；其中，該信息記錄層包括第一記錄層，其包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素；第二記錄層，其包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素；和第三記錄層，其包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素。
2.如權利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第一記錄層包含AW(SbZTe1-Z)1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式的混合物，其中，A是從Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、V、Bi、Zr、Ti、Mn和Mo構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素。
3.如權利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第二記錄層在第三記錄層的周圍形成。
4.如權利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第二記錄層在第三記錄層的周圍形成。
5.如權利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第一記錄層在第二記錄層或第三記錄層的周圍形成。
6.如權利要求1所述的光記錄介質(zhì)，進一步包括介質(zhì)層，其包含從AlN、GeN、SiN、Al2O3、ZnS-SiO2、TiO和SiO2組成的組選擇的至少一種元素。
7.如權利要求6所述的光記錄介質(zhì)，其中，該介質(zhì)層在信息記錄層的至少一側(cè)上形成。
8.如權利要求6所述的光記錄介質(zhì)，其中，該介質(zhì)層在信息記錄層中形成。
9.一種光記錄介質(zhì)，其用于在信息記錄層中由通過放射的激光束形成具有與周圍物質(zhì)不同的反射性的物質(zhì)的機制來記錄信息，其包含基片；至少兩個信息記錄層，其位于基片上，和分離層，其在信息記錄層之間形成其中，該信息記錄層包括第一記錄層，其包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素；第二記錄層，其包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素；和第三記錄層，其包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素。
10.如權利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第一記錄層包含AW(SbZTe1-Z)1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式的混合物，其中，A是從Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、V、Bi、Zr、Ti、Mn和Mo構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素。
11.如權利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第二記錄層在信息記錄層之一中的第三記錄層周圍形成。
12.如權利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第二記錄層在信息記錄層之一中的第三記錄層周圍形成。
13.如權利要求11所述的光記錄介質(zhì)，其中，該第一記錄層在信息記錄層之一中的第二記錄層或第三記錄層周圍形成。
14.如權利要求9所述的光記錄介質(zhì)，進一步包括介質(zhì)層，其包含從AlN、GeN、SiN、Al2O3、ZnS-SiO2、TiO和SiO2組成的組選擇的至少一種元素。
15.如權利要求14所述的光記錄介質(zhì)，其中，該介質(zhì)層在信息記錄層的至少一個上形成。
16.如權利要求14所述的光記錄介質(zhì)，其中，該介質(zhì)層在信息記錄層的至少一個中形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光記錄介質(zhì)包括基片和位于基片上的信息記錄層。信息記錄層包括包含從Ag、In、Ge、Sb和Te構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的第一記錄層，包含從Si、Sn、Sb和Ge構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的第二信息記錄層，和包含從Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的第三信息記錄層。因此，通過由三個記錄層組成并去除反射層和介質(zhì)層，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可以減少厚度和制造成本。
文檔編號G11B7/243GK1909087SQ200510135819
公開日2007年2月7日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權日2005年8月5日
發(fā)明者李光烈 申請人:Lg電子株式會社