專利名稱：鐵電存儲器的元件結(jié)構(gòu)及非破壞讀出方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將鐵電體的殘留極化的磁滯特性利用在數(shù)據(jù)保持的鐵電存儲元件，尤其涉及非破壞讀出鐵電存儲器。
背景技術(shù)：
眾所周知，鐵電體材料具有磁滯特性，可以利用該特性形成非易失性存儲器，記錄數(shù)據(jù)。以前，這種存儲器的讀出法是破壞讀出法，即，是需要向為了讀出而被選擇的存儲器單元進行再寫入的、利用極化反轉(zhuǎn)電流的破壞讀出。此時，由于再寫入動作的存在，讀出速度低下的問題和疲勞問題是對Flash存儲器的缺點而成為瓶頸。因此，開始研究非破壞讀出方法，但有“1”和“0”的差異小、如IT型在讀出電流差的方式中工序上的可靠性的問題等各種問題。
進行非破壞讀出時，有“1”和“0”的信號量差異小的問題。因此，例如有采取如下所述的讀出方法的技術(shù)方案。
特開平5-55664施加Vc以下的脈沖，讀出微分介電常數(shù)的差。
特開平5-129622施加Vc以下的雙極脈沖，檢測出電流應(yīng)答的第二諧波成分的位相。
特開平6-275062施加Vc以下的雙極脈沖，檢測出電流應(yīng)答的第二諧波成分的位相。
對于上述各種方法進行說明，在將微分介電常數(shù)的差用于數(shù)據(jù)讀出的方法(特開平5-55664)中，微分介電常數(shù)的差很小，難以用通常的讀出法檢測出。另外，由于受到持續(xù)讀出周期或數(shù)據(jù)干擾等影響，差很容易被消除。
在位相檢測出諧波成分的差的方法(特開平5-129622、特開平6-275062)中，從幾乎是噪聲中選出微小的信號，讀出靈敏度是很大的問題。
除此之外，還有讀出施加微小偏壓時的電流差的非破壞讀出方法，但是，施加微小偏壓時的電流差是由于鐵電體元件的轉(zhuǎn)換引起的差，有隨著時間的流逝而消失的傾向。最初的“1”和“0”的差越大，這種傾向越顯著，實質(zhì)上不可能進行非破壞讀出。
專利文獻(xiàn)1特開平5-55664專利文獻(xiàn)2特開平5-129622專利文獻(xiàn)3特開平6-275062發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下的方法。
(a)根據(jù)本發(fā)明的進行鐵電存儲器的非破壞讀出的方法，其特征在于，由讀出側(cè)具有的諧振電路用某種諧振頻率諧振而輸出向鐵電存儲器元件施加脈沖時的應(yīng)答(圖1)。
(b)在根據(jù)(a)所述的方法中，施加的脈沖可以是Sin波、三角波、方波中的任一個，單極或雙極中的任一個。另外，脈沖的振幅只要小于等于鐵電體薄膜的抗電壓(Vc)就可以，但優(yōu)選是在讀出信號被檢測出的范圍內(nèi)盡量小的電壓。其原因是，例如，元件結(jié)構(gòu)采用簡單矩陣結(jié)構(gòu)的時候，由于不具有選擇晶體管，因此，寫入時和讀出時都在施加脈沖的振幅(電壓)中部分地時常施加在非選擇電容器。此時，施加電壓越小，來自非選擇電容器的多余的位線電容越小，并反映在動作速度。
(c)在(a)中，在諧振方法中采用的是LC諧振器，但也可以采用使用晶體管的方法(圖2)。
(d)在(a)～(c)中，當(dāng)鐵電存儲器元件的電容為C、諧振頻率為f時，可以成立f＝1/(2π(LC))(L是感應(yīng)系數(shù))的關(guān)系式。即，若C只改變ΔC，諧振頻率f就只改變Δf。本發(fā)明在讀出記錄信息時，將諧振頻率的變化作為記錄信息非破壞取出。即，將任意時間的諧振頻率f+Δf變換為應(yīng)答信號，取出信息。在此，向應(yīng)答信號的變換采用通常的FM解調(diào)的方法，但也可以采用其他方法(圖1)。
(e)在本發(fā)明中，在鐵電電容器中記錄某種信息(“0”以及“1”)時，極化P1狀態(tài)時，Δf1以與施加電壓相同的極性被放大，記錄相反的信息時，即極化P2狀態(tài)時，Δf2以與施加電壓相反的極性被放大。
(f)在本發(fā)明中，例如，有在一個存儲器元件記錄一位信息的所謂簡單矩陣型鐵電存儲器。另一方面，為了更有效地取出(a)～(e)，合成來自兩個存儲器元件的應(yīng)答，作為一位的信息，并且，兩個存儲器元件優(yōu)選分為記錄用元件和參考用元件。參考用存儲器元件可以共用，也可以各個位具備一個，如果是共用，那么具有增加存儲器電容的效果，如果各個位具備一個，那么可以減少向各個信號線施加讀出信號的時序控制負(fù)擔(dān)(圖3)。
(g)在(f)中，對于本發(fā)明的非破壞讀出方法，進行詳細(xì)的說明。圖4是將一個存儲器元件作為一位使用時的例子。由于讀出信息是處理來自存儲器元件的應(yīng)答而生成的脈沖的位相，因此需要成為用于判斷其的基準(zhǔn)的脈沖。因此，在本實施例中，將另外的讀出用的輸出脈沖作為基準(zhǔn)脈沖。此時，基準(zhǔn)脈沖通過的經(jīng)路一定，但向存儲器元件的讀出脈沖的經(jīng)路根據(jù)選擇存儲器元件的地址改變，不是固定的。因此，需要控制電路，該控制電路用于在途中的經(jīng)路的某個地方裝入選擇地址的信息而校正基準(zhǔn)脈沖或應(yīng)答脈沖的位相。因此，在此，在基準(zhǔn)脈沖的經(jīng)路夾著延遲校正電路。但是，也可以是具有同等功能的其他電路，例如，可以是控制向各個信號線施加讀出信號的時序的方法。對于位相差檢測方法，進行如下的判斷，檢測來自存儲器元件的應(yīng)答和基準(zhǔn)脈沖的位相差，如果其在某個范圍內(nèi)就是“1”，如果不在某個范圍內(nèi)就是“0”。對于該判斷方法，可以用合成來自存儲器元件的應(yīng)答和基準(zhǔn)脈沖而形成的脈沖的振幅進行判斷的方法，也可以用其他方法。圖5至圖7是將兩個存儲器元件作為一位使用的例子。在任何時候，對兩個存儲器元件給于讀出脈沖，合成其應(yīng)答作為一位信息。兩個存儲器元件分為記錄用元件和參考用元件。參考用元件可以共用，也可以各個位具備一個，如果是共用，那么具有增加存儲器電容的效果，但需要與圖4的例相同的校正位相的裝置。但是，由于可以用與圖4的例不同的任意比例加入?yún)⒖加迷蚨c圖4的例相比可以簡化校正位相的裝置、或根據(jù)參考用元件和檢測容限的關(guān)系省略校正位相的裝置(圖8)。另一方面，如果各個位具備一個參考用元件，那么由于記錄用元件和參考用元件的關(guān)系在哪個位都不會改變，因此，可以省略校正位相的裝置。合成來自兩個存儲器元件的應(yīng)答的時序是(1)諧振之前、(2)諧振之后的輸出、(3)再變換為應(yīng)答信號之后中的任何一種都可以，可以按(1)、(2)、(3)的順序共用化讀出電路，但按(3)、(2)、(1)的順序可以提高讀出的可靠性。
(h)在(a)～(g)中，可以采用在各個存儲器的典型的數(shù)據(jù)寫入方法。例如，作為本發(fā)明的研究對象的鐵電存儲器的一個形態(tài)，對簡單矩陣型鐵電存儲器進行說明。簡單矩陣型鐵電存儲器的電路如圖9所示，設(shè)置在字線和位線交叉的位置的一個電容器形成一個存儲器元件。用通常的方法進行數(shù)據(jù)寫入。作為其一例，對非選擇存儲器元件的電壓成為選擇存儲器元件的電壓的1/3的、1/3V規(guī)則的寫入例進行說明。當(dāng)向選擇存儲器元件寫入“0”或“1”時，對字線以及位線按圖10或圖11的順序施加電壓。錯開對各線變更電壓的時序，是為了防止在非選擇存儲器單元施加動作電壓的1/3以上的電壓，優(yōu)選按如圖所示的形式進行，但只要是進行相同的動作，就不限于圖例。按圖10或圖11的順序施加電壓時的選擇存儲器元件和非選擇存儲器元件的電壓如圖12或圖13所示。分別在第四順序進行“0”或“1”的寫入。另一方面，進行讀出動作時，只在選擇字線WL1施加預(yù)定的脈沖，而其他的字線以及位線都不施加電壓。此時，施加在WL1的脈沖的電壓和頻率，優(yōu)選為對于非選擇存儲器元件不引起數(shù)據(jù)的反轉(zhuǎn)的電壓和頻率，要么是充分低的電壓、優(yōu)選為寫入電壓的1/3以下，或即使電壓稍微高也不引起數(shù)據(jù)的反轉(zhuǎn)的高頻率。
(i)根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)大電容存儲器。使用(a)～(h)，可以實現(xiàn)圖14的存儲器陣列。此時，存儲器陣列是在串聯(lián)設(shè)置的兩個電容器存儲1位的結(jié)構(gòu)，將其作為1單位單元(Unit cell)，平面狀地采取簡單矩陣結(jié)構(gòu)。并且，將簡單矩陣結(jié)構(gòu)多層層積的是圖13，在所有的單元只有進行數(shù)據(jù)寫入的電路形成在Si晶片上，寫入電路全部設(shè)置在電容器單元的下面。將這些作為1塊，組合多個塊，將全塊同時或非同時地以非破壞的方式與讀出電路組合而實現(xiàn)大電容的是圖15。


圖1是本實施形式的鐵電存儲器元件的結(jié)構(gòu)圖，其中，將施加脈沖時的應(yīng)答，通過讀出側(cè)具有的諧振電路用某種諧振頻率諧振而輸出。
圖2示出了根據(jù)本實施形式的由晶體管的LC諧振器的代替電路。
圖3是根據(jù)本實施形式的鐵電存儲器元件的結(jié)構(gòu)圖，其中，合成來自兩個存儲器元件的應(yīng)答作為1位的信息，并且，兩個存儲器元件分為記錄用元件和參考用元件。
圖4示出了根據(jù)本實施形式的將一個存儲器元件作為1位使用時的順序例。
圖5示出了根據(jù)本實施形式的將兩個存儲器元件作為1位使用時的順序例(其一)。
圖6示出了根據(jù)本實施形式的將兩個存儲器元件作為1位使用時的順序例(其二)。
圖7示出了根據(jù)本實施形式的將兩個存儲器元件作為1位使用時的順序例(其三)。
圖8示出了根據(jù)本實施形式的將兩個存儲器元件作為1位使用時的極化狀態(tài)和輸入輸出信號。
圖9示出了根據(jù)本實施形式的用1/3V規(guī)則或1/2V規(guī)則進行數(shù)據(jù)的寫入動作的簡單矩陣型鐵電存儲器元件的等效電路。
圖10示出了根據(jù)本實施形式的在1/3V規(guī)則中寫入“0”時的字線、位線動作狀態(tài)。
圖11示出了根據(jù)本實施形式的在1/3V規(guī)則中寫入“1”時的字線、位線動作狀態(tài)。
圖12示出了根據(jù)本實施形式的在1/3V規(guī)則中寫入“0”時的存儲器元件的電壓施加狀態(tài)。
圖13示出了根據(jù)本實施形式的在1/3V規(guī)則中寫入“1”時的存儲器元件的電壓施加狀態(tài)。
圖14示出了根據(jù)本實施形式的在寫入電路上多層層積將在串聯(lián)設(shè)置的兩個電容器存儲1位的結(jié)構(gòu)作為1單位單元的平面狀簡單矩陣結(jié)構(gòu)而形成的框圖。
圖15示出了根據(jù)本實施形式的在寫入電路上集成多個多層層積在串聯(lián)設(shè)置的兩個電容器存儲1位的結(jié)構(gòu)作為1單位單元的平面狀簡單矩陣結(jié)構(gòu)、組合同時讀出全部塊的電路的本發(fā)明的非破壞讀出型鐵電存儲器元件。
圖16示出了根據(jù)本實施形式的在各個位線具備一個參考用鐵電電容器的鐵電存儲器元件的剖面圖。
圖17示出了根據(jù)本實施形式的0.6μm×0.6μm PZTN電容器的磁滯曲線。
圖18示出了根據(jù)本實施形式的在各個位線具有一個參考用電容器的存儲器元件的等效電路。
圖19示出了根據(jù)本實施形式的在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元而形成的簡單矩陣型鐵電存儲器元件的、串聯(lián)層積設(shè)置的兩個電容器的剖面SEM照。
圖20示出了根據(jù)本實施形式的在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元而形成的簡單矩陣型鐵電存儲器元件的、串聯(lián)層積設(shè)置的兩個電容器的磁滯曲線。
圖21示出了根據(jù)本實施形式的在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元而形成的簡單矩陣型鐵電存儲器元件的等效電路。
圖22示出了在根據(jù)本實施形式的在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元而形成的單位單元施加0.2V的脈沖、被FM調(diào)制的讀出信號、以及被FM解調(diào)的讀出信號。
圖23示出了層積2層根據(jù)本實施形式的在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元而形成的電容為250kbit的簡單矩陣型存儲器陣列的、本發(fā)明的電容為500kbit的層積型存儲器元件的SEM剖面照。
圖24示出了根據(jù)本實施形式的鐵電電容器的電容根據(jù)讀出脈沖的電壓變化、諧振頻率根據(jù)電容變化而被調(diào)制時的波形。
圖25示出了根據(jù)本實施形式的鐵電體的極化方向和電容變化的關(guān)系。
圖26示出了對根據(jù)本實施形式的鐵電電容器的電容根據(jù)讀出脈沖的電壓變化、諧振頻率根據(jù)電容變化而被調(diào)制時的波形實施FM解調(diào)、根據(jù)此時的數(shù)據(jù)記錄狀態(tài)(極化的方向)讀出信號波形反轉(zhuǎn)。
圖27示出了根據(jù)本實施形式的利用現(xiàn)有方法從應(yīng)答信號直接取出差分的順序。
圖28示出了根據(jù)本實施形式的利用現(xiàn)有方法從應(yīng)答信號直接取出差分時的信號波形的比較。(20a時間和電流值的關(guān)系、20b電流的一次微分、20c電流的二次微分(第二諧波成分))圖29示出了根據(jù)本實施形式的利用現(xiàn)有方法從應(yīng)答信號直接取出差分時，如果對鐵電體薄膜施加微小電壓，只有第一周期極化狀態(tài)的差異表現(xiàn)在小磁滯回線形狀。
圖30示出了根據(jù)本實施形式的利用現(xiàn)有方法從應(yīng)答信號直接取出差分時，如果對鐵電體薄膜施加微小電壓，第二周期以后描繪同一小磁滯回線。
具體實施例方式
(a)用實施例說明本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)。
制作了由1.字線(WL)、2.位線(BL)、3.數(shù)據(jù)寫入第一鐵電體層(Ca)、4.數(shù)據(jù)參考用第二鐵電體層(Cb)構(gòu)成的簡單矩陣型鐵電存儲元件。此時的元件結(jié)構(gòu)圖如圖3a所示。
鐵電體材料使用Pb(Zr、Ti、Nb)O3薄膜。用旋轉(zhuǎn)涂布法，在PZT形成用溶膠凝膠溶液中，事先添加Nb和Si在650℃的氧氣氛圍中制作了150nm的PZTN(110/20/60/20)薄膜。
實際制作的元件的剖面圖如圖16所示，該元件以0.6μm規(guī)則形成，所有的電容器由0.6μm×0.6μm面積的微小電容器構(gòu)成。此時的典型的磁滯特性如圖17所示。
另外，制作的元件的等效電路圖如圖18所示。
(b)接著，試制了在所有的存儲用電容器上串聯(lián)地層積設(shè)置參考用單元、將非選擇電容抑制為最小而形成的簡單矩陣型鐵電存儲器元件。
制作了由1.字線(WL)、5.第一位線(BLa)、6.第二位線(BLb)、3.第一鐵電體層(Ca)、4.第二鐵電體層(Cb)構(gòu)成的簡單矩陣型鐵電存儲器元件(圖3b)。
串聯(lián)設(shè)置的兩個電容器(記錄用單元+參考用單元)的放大照如圖19所示。另外，如圖20所示，此時的記錄用單元和參考用單元的特性幾乎相同，示出了良好的特性。
另外，試制的元件的等效電路圖如圖21所示。在本實施例中，在所有的寫入電容器通過同一字線串聯(lián)連接參考用電容器的優(yōu)點是，非選擇電容被抑制為最小，施加在同一字線的電源串?dāng)_完全被消除。
如圖22所示，寫入在這樣試制的鐵電存儲器元件的數(shù)據(jù)用0.1V振幅脈沖可以讀出寫入信號。
另外，利用本發(fā)明試制的兩層層積的500kbit電容的元件剖面圖如圖23所示。并且，該存儲器元件示出了良好的存儲特性。
(c)對于本發(fā)明使用的讀出方法，以下面的實施例為基礎(chǔ)進行更詳細(xì)的論述。
對鐵電存儲器元件(具體是鐵電電容器)施加Sin波、方波、三角波等形狀的脈沖。
讀出此時的應(yīng)答，用LC諧振電路諧振。此時，鐵電電容器的電容根據(jù)脈沖的電壓變化，同時，諧振頻率根據(jù)電容變化而變化。此時被調(diào)制的波形如圖24所示。
在此，圖25示出了鐵電體的極化方向和電容變化的關(guān)系，眾所周知，電容變化的方向根據(jù)記錄狀態(tài)逆轉(zhuǎn)。由于電容變化的方向也當(dāng)然地反映在諧振頻率的變化方向，因此，諧振頻率的變化方向也根據(jù)記錄(極化)狀態(tài)逆轉(zhuǎn)。
因此，將諧振頻率變換為電壓等的應(yīng)答信號，如圖26所示，獲得由“1”或“0”位相反轉(zhuǎn)的應(yīng)答信號。
實際上，由于電容變化小，對于原來的諧振頻率只產(chǎn)生10-4～10-7倍的變化。該變化與電壓成比例，但由于非破壞讀出的特性是只施加低電壓，因此，頻率變化變的更小。
這些符合以下的(1)式。
ΔCfCf0=ϵ(3)ϵ(2)Epcos(ωpt)]]>+ϵ(4)ϵ(2)Ep2cos(2ωpt)]]>+ϵ(5)ϵ(2)Ep3cos(3ωpt)+············---(1)]]>取出該變化只能用頻率檢測。作為比較例，給鐵電電容器施加+3V或-3V，預(yù)充電為“0”或“1”并寫入數(shù)據(jù)之后，施加微小振幅(0.2V)的Sin波，從此時的應(yīng)答信號(小磁滯回線)直接取出差分(圖27)。進行各種研究，得到了如圖28所示的結(jié)果。圖28a示出了時間和電流值的關(guān)系，圖28b示出了電流的一次微分，并且圖28c示出了電流的二次微分。
根據(jù)以上的結(jié)果，對于主要的信號，“1”和“0”之間幾乎沒有差異，即使有一些由于極化方向的差異，需要的信息也埋沒在串?dāng)_中而被完全消除。
其原因是，如果對鐵電體薄膜施加微小電壓，只有第一周期極化狀態(tài)的差異表現(xiàn)在小磁滯回線形狀(圖29)，而第二周期以后，由于描繪同一小磁滯回線(圖30)，因此，對于線形介電常數(shù)等主要的信息，沒有“1”和“0”的差異(非線形介電常數(shù)是線形介電常數(shù)的＜1/1000＝。圖30示出了實測的小磁滯回線，形成中心對稱的圓形狀，該點也就證明了特開平5-55664施加Vc以下的脈沖、讀出微分介電常數(shù)的差；特開平5-129622施加Vc以下的雙極脈沖、檢測出電流應(yīng)答的第二諧波成分的位相；以及特開平6-275062施加Vc以下的雙極脈沖、檢測出電流應(yīng)答的第二諧波成分的位相等先前申請的非破壞讀出方式不成立。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明進行的非破壞讀出，不受成為非破壞讀出時的問題的“1”和“0”的差小、伴隨周期的差分的減少等問題的限制。并且，在通常的讀出方法中，存在隨著鐵電體元件尺寸的減少讀出容限ΔQ減少的問題，但在根據(jù)本發(fā)明的方法中，f＝1/(2π(LC))的關(guān)系，將ΔC/C ∝ΔF/F用于讀出規(guī)則，因此，比通常的方法，降低隨著鐵電體元件尺寸的減少的影響，有利于高集成化。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
符號說明C1、C2電容器；R1、R2電阻；ξ阻尼因素；fc截止頻率；C11、C12、C21、C11a、C11b、C12a、C12b、C21a、C21b、C22a、C22b鐵電電容器；WL、WL1、WL2、1WL、2WL字線；BL1、B1a、BLb、BL1、BL2、1BL、2BL、BL1a、BL1b、BL2a、BL2b位線；NF、Nfa、NFb、1NF、2NFPZTN鐵電薄膜；SO、1SO、2SO、3SOSiO2層間絕緣膜。
權(quán)利要求
1.一種進行鐵電存儲器的非破壞讀出的方法，其特征在于，由讀出側(cè)具有的諧振電路用某種諧振頻率諧振而輸出向鐵電存儲器元件施加脈沖時的應(yīng)答。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，施加的脈沖是Sin波、三角波、方波中的任一個，單極或雙極中的任一個，脈沖的振幅小于等于Vc。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，當(dāng)鐵電存儲器元件的電容為C、諧振頻率為f時，若C只改變ΔC，諧振頻率f就只改變Δf，取出其信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，將任意時間的諧振頻率f+Δf變換為應(yīng)答信號，取出信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，用鐵電體的極化狀態(tài)，記錄某種信息時，反映一個方向的極化P1狀態(tài)而發(fā)生Δf1調(diào)制，反映逆方向的極化P2狀態(tài)而發(fā)生Δf2調(diào)制時，Δf1和Δf2具有相反的極性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，合成來自兩個存儲器元件的應(yīng)答，作為一位的信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，隔著在平行的第一位線和第二位線的中心交叉的字線串聯(lián)連接、并具有相同電容的兩個鐵電電容器，不包括由蓄積一位數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的選擇晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，兩個存儲器元件分為記錄用元件和參考用元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的方法，其特征在于，合成來自兩個存儲器元件的應(yīng)答之后，同時讀出。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的方法，其特征在于，鐵電體材料使用Pb(Zr、Ti、Nb)O3。
全文摘要
在鐵電存儲器元件中，有一些對于非破壞讀出方法的研究，但“1”和“0”的差異小和工序上的可靠性的問題一直沒有得到解決。本發(fā)明提供了一種適合于簡單矩陣結(jié)構(gòu)存儲器元件的非破壞讀出方法。根據(jù)本發(fā)明的非破壞讀出型鐵電存儲器的非破壞讀出方法包括在鐵電存儲器元件串聯(lián)設(shè)置的一對記錄用單元和參考用單元寫入1位信息的步驟；非破壞讀出通過讀出側(cè)具備的諧振電路用某種諧振頻率諧振對于寫入在一對記錄用單元和參考用單元的1位信息施加脈沖時的應(yīng)答后輸出的輸出信號的步驟。
文檔編號G11C11/22GK1677560SQ20051005531
公開日2005年10月5日 申請日期2005年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月26日
發(fā)明者木島健, 濱田泰彰 申請人:精工愛普生株式會社