專利名稱：無機記錄材料與只寫一次型光盤片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄材料與光儲存媒體(optical storagemedium)，特別是涉及一種無機記錄材料與只寫一次型光盤片。
背景技術(shù)：
光儲存媒體由于較傳統(tǒng)的磁性儲存媒體具有儲存容量大、保存容易、保存期限長、成本低廉、兼容性高、錯誤率低與資料不易損害等優(yōu)點，已逐漸取代一般而成為現(xiàn)代人不可或缺的媒體之一。
一般來說，光儲存媒體可分為光盤(compact disc，CD)和數(shù)位化多功能光盤(digital versatile disc，DVD)。其中，又以只寫一次型光儲存媒體(write onee optical storage medium)最為普遍，如只寫一次型光盤(compact disc-recordable，CD-R)和只寫一次型數(shù)位化功能光盤(digital versatile disc-recordable，DVD-R)。
只寫一次型光儲存媒體一般是以有機染料作為盤片中記錄層的紀錄材料，藉由鐳射光照射加熱后，使有機材料產(chǎn)生變化來記錄資料。然而，由于有機材料價格昂貴、使用期限不長、容易造成環(huán)境污染，且制程復雜，加上使用旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)時，填充性與膜層均勻性皆不佳，而增加了生產(chǎn)上的難度。此外，下一代藍光光盤片的鐳射光波長較短，約落在405nm附近，需要分子量更小的有機分子，而使得能夠應(yīng)用的有機染料的取得更加不易，且其溶劑的選擇性更少，因此限制了有機染料的發(fā)展。
由此可見，上述現(xiàn)有的光儲存媒體顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決光儲存媒體存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的光儲存媒體存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的只寫一次型光盤片，能夠改進一般現(xiàn)有的光儲存媒體，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的光儲存媒體存在的缺陷，而提供一種無機記錄材料，可應(yīng)用于只寫一次型光盤片、只寫一次型數(shù)位化功能光盤片與藍光可寫一次型光盤片的記錄層材料，所要解決的技術(shù)問題是使其無機記錄層的材料具有較佳的填充性及均勻性，且可以顯著改善信號品質(zhì)，提高部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的光儲存媒體存在的缺陷，而提供一種只寫一次型光盤、只寫一次性數(shù)位化功能光盤片與藍光可寫一次型光盤片，所要解決的技術(shù)問題是使其無機記錄層的材料具有較佳的填充性及均勻性，且可以顯著改善信號品質(zhì)，提高部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的無機記錄材料，其適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點。此無機記錄材料的分子式為AxByCz。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。上述的A元素例如是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一，B元素例如是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一，而C元素例如是選自銻(Sb)、銦(In)、鉍(Bi)或鋅(Zn)其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的無機記錄材料，其中所述的無機記錄材料更可以包括元素D，且元素D例如是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的另一種無機記錄材料，其適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點。此無機記錄材料的分子式為AxByDα。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3。上述的A元素例如是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一，B元素例如是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一，而D元素例如是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明再提出的一種只寫一次型光盤片，其具有一第一基材、一第二基材以及一無機記錄層。其中，第二基材配置于第一基材上方，而無機記錄層配置于第一基材與第二基材之間。無機記錄層適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點。上述的無機記錄層的材料的分子式為AxByCz。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。上述的A元素例如是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一，B元素例如是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一，而C元素例如是選自銻(Sb)、銦(In)、鉍(Bi)或鋅(Zn)其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的無機記錄層的材料更可以包括元素D，且元素D例如為選自氧(O)或氮(N)其中之一。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一基材的材質(zhì)包括玻璃(SiOX)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)樹脂或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的無機記錄層的厚度是介于5納米至60納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一第一介電層，配置于該無機記錄層與該第一基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一第二介電層，配置于該無機記錄層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一反射層，配置于該第二介電層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的反射層的材質(zhì)包括銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉛(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或至少包含其中之一的合金。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的反射層的厚度是介于20納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一保護層，配置于該反射層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的保護層的材質(zhì)包括高分子樹脂(UV curable resin)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的保護層的厚度是介于2微米至8微米之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明再提出的只寫一次型光盤片，其包括第一基材；第二基材，配置于該第一基材上方；以及一無機記錄層，配置于該第一基材與該第二基材之前，該無機記錄層適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點，該無機記錄層的材料的分子式為AxByDα，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一；B元素是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一；D元素是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一基材的材質(zhì)包括玻璃(SiOX)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的無機記錄層的厚度是介于5納米至60納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一第一介電層，配置于該無機記錄層與該第一基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第一介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的更包括一第二介電層，配置于該無機記錄層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的第二介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一反射層，配置于該第二介電層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的反射層的材質(zhì)包括銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉛(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或至少包含其中之一的合金。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的反射層的厚度是介于20納米至200納米之間。
前述的只寫一次型光盤片，更包括一保護層，配置于該反射層與該第二基材之間。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的保護層的材質(zhì)包括高分子樹脂(UV curable resin)。
前述的只寫一次型光盤片，其中所述的保護層的厚度是介于2微米至8微米之間。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是有關(guān)于一種只寫一次型光盤片，其中記錄層的材料為無機材料，此無機材料的分子式為AxByCz、AxByDα或AxByCzDα，其中A元素選自硅或錫其中之一，B元素選自鋁、銀、金、鈦、鎳、銅、鈷、鉭、鐵、鎢、鉻、釩、鎵、鉛或鉬其中之一，C元素選自銻、銦、鉍或鋅其中之一，而D元素選自氧或氮其中之一。該無機記錄層的材料具有較佳的填充性及均勻性，且可以顯著改善信號品質(zhì)，提高部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明只寫一次型光盤片至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明因采用無機材料做為記錄層，此無機材料可應(yīng)用于只寫一次光盤片、只寫一次型數(shù)位化功能光盤片與藍光可寫一次型光盤片的記錄層材料，而且具有較佳的填充性與膜層的均勻性，以及高耐旋光性、高耐候性，并且不易污染環(huán)境，適合大量制造生產(chǎn)，且本發(fā)明所示無機材料構(gòu)成特殊的記錄媒體結(jié)構(gòu)，是由鍍膜制程的方法而達成，并且在藍光光盤的規(guī)格有很好的結(jié)果，可以顯著改善信號品質(zhì)，提高部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)。
綜上所述，本發(fā)明特殊的無機記錄材料與只寫一次型光盤片，該無機記錄層的材料具有較佳的填充性及均勻性，且可以顯著改善信號品質(zhì)，提高部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)，從而更加適于實用。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的光儲存媒體具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1A至圖1E為依照本發(fā)明較佳實施例的只寫一次型光盤片的剖面示意圖。
圖2A為制作實例一的測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比與記錄層中添加第三元素銻含量的關(guān)系圖。
圖2B為制作實例一的測試盤片在寫入鐳射脈沖寬度20ns～70ns范圍內(nèi)反射率與時間的關(guān)系圖。
圖2C為制作實例一的測試盤片在寫入鐳射脈沖寬度20ns～70ns范圍內(nèi)利用電荷耦合組件相機取得記號的影像圖。
圖3A為測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比與硅鋁銻合金記錄層在濺鍍過程中充氧量的關(guān)系圖。
圖3B為制作實例二的藍光光盤的動態(tài)觀察圖。
圖4A為制作實例三的測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比與硅鋁銻合金記錄層在濺鍍過程中充氮量的關(guān)系4B為制作實例三的藍光光盤的動態(tài)觀察圖。
100a、100b、100c、100d、100e只寫一次型光盤片102、108基材 104無機記錄層106、110介電層112反射層114保護層具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的只寫一次型光盤片其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱1A至圖1E所示，本發(fā)明較佳實施例的只寫一次型光盤片，其主要包括請參閱圖1A所示，本實施例的只寫一次型光盤片100a具有基材102與108、無機記錄層104與介電層106。其中，基材108配置在基材102上方，無機記錄層104配置在基材102與基材108之間，而介電層106配置在無機記錄層104與基材108之間。在本實施例中，基材102與108的材質(zhì)例如為玻璃(SiOX)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料，而介電層106的材質(zhì)例如為氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)，其厚度例如是介于10納米至200納米之間。此外，介電層還可以為多層結(jié)構(gòu)。
無機記錄層104中的無機材料適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點。此無機材料的分子式為AxByCz。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。在本實施例中，A元素例如是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一，B元素例如是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一，而C元素例如是選自銻(Sb)、銦(In)、鉍(Bi)或鋅(Zn)其中之一。在另一實施例中，上述的無機材料更可以包括元素D，且元素D例如為選自氧(O)或氮(N)其中之一，其厚度例如是介于5納米至60納米之間。
另外，請同時參閱圖1B、圖1D與圖1E所示，在只寫一次型光盤片100b、100d與100e中，在無機記錄層104與基材102之間，更可以配置有介電層110。其中，介電層110的材質(zhì)例如為氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)，其厚度例如是介于10納米至200納米之間。此外，介電層還可以為多層結(jié)構(gòu)。
此外，請同時參閱圖1C、圖1D與圖1E所示，在只寫一次型光盤片100c、100d與100e中，在介電層106與108基材之間，更可以配置有反射層112。其中，反射層112的材質(zhì)例如為銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉛(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或至少包含其中之一的合金，其厚度例如是介于20納米至200納米之間。
另外，請參閱圖1E所示，在只寫一次型光盤片100e中，在反射層112與基材108之間，更可以配置有保護層114。其中，保護層114的材質(zhì)包括高分子樹脂(UV curableresin)，其厚度例如是介于2微米至8微米之間。
值得一提的是，在上述的只寫一次型光盤片中，還可以使用另一種無機材料來作為無機記錄層，此無機材料的分子式為AxByDα。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3。其中，A元素例如是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一，B元素例如是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一，而D元素例如是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
以下是舉出本發(fā)明的只寫一次型光盤片的制作實例，以詳細說明的，但以下的實例并非限制本發(fā)明的范圍。此外，以下亦列出部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)與記錄層的材質(zhì)的關(guān)系圖，其測試條件如下表1所示。
表1

制作實例一首先，在基板(軌距0.74微米)上形成介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，厚度為25納米。接著，在介電層上形成無機記錄層，其材質(zhì)為硅鋁銻合金(SixAlySbz)，其厚度為20納米。然后，再在無機記錄層上形成另一介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，其厚度為20納米。之后，在上述介電層上形成反射層，其材質(zhì)為鋁鈦合金(AlTi alloy)，其厚度為100納米。
請參閱圖2所示，為制作實例一的測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比與記錄層中添加第三元素銻含量的關(guān)系圖。在固定氬氣流量為35sccm時，固定記錄層材料中的硅/鋁比例為70/40，改變添加第三元素銻含量由0～15(at.％)，則盤片記錄的部分的反應(yīng)的訊號雜訊比(PRSNR)，會隨著銻含量而變化。如在銻含量為10(at.％)時，可達到17.4以上，所以改變記錄層中銻含量，可以有效地改善其記錄特性。
另外，使用靜態(tài)測試儀器(Toptica公司制，型號Media test-1)，對制作實例一的測試盤片進行測試，以在寫入記號標記的同時，監(jiān)測整個記錄過程。此靜態(tài)測試機是使用一個波長為398納米的半導藍光鐳射二極管，在單一脈沖模式下，寫入一個記錄跡點在測試盤片上，并操作另一個波長為422納米的半導藍光鐳射二極管，在連續(xù)波模式(continuous-wavelength mode，cw mode)下去監(jiān)測記錄的過程，亦即為利用不同的鐳射功率(mW)及鐳射脈沖(ns)寫入，使其材料產(chǎn)生變化，進而產(chǎn)生光學性質(zhì)的改變，造成記錄點與非記錄點反射率的差異，轉(zhuǎn)換成電壓訊號并藉以量測兩相的轉(zhuǎn)換時間，且對應(yīng)每一條件利用電荷耦合組件(CCD)相機影像，觀察記錄的過程。其中，靜態(tài)測試機的寫入功率為11mW，寫入脈沖寬度為20ns～70ns。
同時請參閱圖2B與圖2C所示，圖2B為制作實例一的測試盤片在寫入鐳射脈沖寬度20ns～70ns范圍內(nèi)反射率與時間的關(guān)系圖。圖2C為制作實例一的測試盤片在寫入鐳射脈沖寬度20ns～70ns范圍內(nèi)利用電荷耦合組件相機取得記號的影像圖。當記錄層的材質(zhì)為硅鋁銻合金時，由電荷耦合組件(CCD)相機照相圖得知在鐳射寫入功率為11mW，鐳射脈沖時間為20ns以上就可寫入記錄點，且記錄點的反射率與周圍未記錄區(qū)域的反射率不同，藉由此反射率不同的特點，即可作為只寫一次型高密度光學資訊記錄媒體。
制作實例二首先，在基板(軌距0.74微米)上形成介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，厚度為25納米。接著，在介電層上形成無機記錄層，其材質(zhì)為硅鋁銻氧化合物(SixAlySbzOα)，其厚度為20納米。然后，再在無機記錄層上形成另一介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，其厚度為20納米。之后，在上述介電層上形成反射層，其材質(zhì)為鋁鈦合金(AlTi alloy)，其厚度為100納米。
參閱圖3A所示，是制作實例二的測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)與硅鋁銻合金記錄層在濺鍍過程中氧氣流量的關(guān)系圖。在固定氬氣流量為35sccm時，改變氧氣流量0～12sccm，則盤片記錄的部分的反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)，會隨著氧氣流量而變化。如在氧氣流量4sccm時，可達到17.9，所以改變?yōu)R鍍過程中的氧氣流量，可以顯著地改善其記錄特性。圖3B為制作實例二的藍光光盤的動態(tài)觀察圖(eyepattern)。
制作實例三首先，在基板(軌距0.74微米)上形成介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，厚度為25納米。接著，在介電層上形成無機記錄層，其材質(zhì)為硅鋁銻氮化合物(SixAlySbzNα)，其厚度為20納米。然后，再在無機記錄層上形成另一介電層，其材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)，其厚度為20納米。之后，在上述介電層上形成反射層，其材質(zhì)為鋁鈦合金(AlTi alloy)，其厚度為100納米。
請參閱圖4A所示，為制作實例三的測試盤片的部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)與硅鋁銻合金記錄層在濺鍍過程中氮氣流量的關(guān)系圖?？傻弥诠潭鍤饬髁繛?5sccm時，改變氮氣流量0～12sccm，可以顯著地改善其反射率，而盤片記錄的部分的反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)，則會隨著氮氣流量而變化。如在氮氣流量8sccm時，部分反應(yīng)訊號雜訊比(PRSNR)可達到20.7，所以改變?yōu)R鍍過程中的通入氮氣量，可以顯著地改善其記錄特性。圖4B為制作實例三的藍光光盤的動態(tài)觀察圖(eyepattern)。
綜上所述，在本發(fā)明的只寫一次光盤片中，使用無機材料作為記錄材料，相對于習知技術(shù)中所使用的有機材料，其膜層填充性與均勻性、環(huán)境污染性、耐旋光性及耐候性皆較佳，適合大量生制造生產(chǎn)。此外，本發(fā)明的無機材料，已達到只寫一次盤片的基本特性，而可應(yīng)用于只寫一次光盤片、只寫一次型數(shù)位化功能光盤片及未來藍光可寫一次型盤片的記錄層材料。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種無機記錄材料，適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點，其特征在于分子式為AxByCz，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20；A元素是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一；B元素是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一；C元素是選自銻(Sb)、銦(In)、鉍(Bi)或鋅(Zn)其中之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無機記錄材料，其特征在于更包括元素D，且該元素D是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
3.一種無機記錄材料，適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點，其特征在于該無機記錄材料的分子式為AxByDα，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一；B元素是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一；D元素是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
4.一種用權(quán)利要求1所述的無機記錄材料制成的只寫一次型光盤片，其特征在于其包括一第一基材；一第二基材，配置于該第一基材上方；以及一無機記錄層，配置于該第一基材與該第二基材之間，該無機記錄層適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點，該無機記錄層的材料的分子式為AxByCz，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20；A元素是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一；B元素是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一；C元素是選自銻(Sb)、銦(In)、鉍(Bi)或鋅(Zn)其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一基材的材質(zhì)包括玻璃(SiOX)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)樹脂或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的無機記錄層的材料更包括元素D，且該元素D是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的無機記錄層的厚度是介于5納米至60納米之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于更包括一第一介電層，配置于該無機記錄層與該第一基材之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于更包括一第二介電層，配置于該無機記錄層與該第二基材之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其更包括一反射層，配置于該第二介電層與該第二基材之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的反射層的材質(zhì)包括銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉛(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或至少包含其中之一的合金。
18.根據(jù)權(quán)利要求16中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的反射層的厚度是介于20納米至200納米之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求16中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中更包括一保護層，配置于該反射層與該第二基材之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的保護層的材質(zhì)包括高分子樹脂(UV curable resin)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的保護層的厚度是介于2微米至8微米之間。
22.一種用權(quán)利要求3所述的無機記錄材料制成的只寫一次型光盤片，其特征在于其包括一第一基材；一第二基材，配置于該第一基材上方；以及一無機記錄層，配置于該第一基材與該第二基材之前，該無機記錄層適于受鐳射光照射加熱后，吸熱產(chǎn)生變化而形成具有不同反射率的記錄點，該無機記錄層的材料的分子式為AxByDα，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是選自硅(Si)或錫(Sn)其中之一；B元素是選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎢(W)、鉻(Cr)、釩(V)、鎵(Ga)、鉛(Pb)或鉬(Mo)其中之一；D元素是選自氧(O)或氮(N)其中之一。
23.根據(jù)權(quán)利要求22中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一基材的材質(zhì)包括玻璃(SiOX)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求22中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的無機記錄層的厚度是介于5納米至60納米之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求22中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中更包括一第一介電層，配置于該無機記錄層與該第一基材之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求25中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求25中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第一介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
29.根據(jù)權(quán)利要求22中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中更包括一第二介電層，配置于該無機記錄層與該第二基材之間。
30.根據(jù)權(quán)利要求29中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層的材質(zhì)包括氮化硅(SiNx)、硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化鋁(AlNx)、碳化硅(SiC)、氮化鍺(GeNx)、氮化鈦(TiNx)、氧化鉭(TaOx)或氧化釔(YOx)。
31.根據(jù)權(quán)利要求29中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層的厚度是介于10納米至200納米之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求29中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的第二介電層是包括多層結(jié)構(gòu)。
33.根據(jù)權(quán)利要求29中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其更包括一反射層，配置于該第二介電層與該第二基材之間。
34.根據(jù)權(quán)利要求33中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的反射層的材質(zhì)包括銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉛(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或至少包含其中之一的合金。
35.根據(jù)權(quán)利要求33中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的反射層的厚度是介于20納米至200納米之間。
36.根據(jù)權(quán)利要求33中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其更包括一保護層，配置于該反射層與該第二基材之間。
37.根據(jù)權(quán)利要求36中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的保護層的材質(zhì)包括高分子樹脂(UV curable resin)。
38.根據(jù)權(quán)利要求36中所述的只寫一次型光盤片，其特征在于其中所述的保護層的厚度是介于2微米至8微米之間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種只寫一次型光盤片，其中記錄層的材料為無機材料，此無機材料的分子式為A
文檔編號G11B7/24GK1828747SQ200510051069
公開日2006年9月6日 申請日期2005年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月1日
發(fā)明者陳種發(fā), 葉儒林, 陳炳茂, 王威翔 申請人:錸德科技股份有限公司