專利名稱：在磁測試器中測試微致動器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硬磁盤驅(qū)動器。更具體地說，本發(fā)明涉及測試在硬盤驅(qū)動器中使用的微致動器的沖程和頻率響應(yīng)的方法。
硬盤驅(qū)動器是通用的信息存儲器件，基本上由被磁性讀寫元件存取的一系列可旋轉(zhuǎn)盤或其他磁存儲介質(zhì)組成。一般稱為轉(zhuǎn)換器的這些數(shù)據(jù)傳送元件通常被滑塊主體所承載并被嵌入滑塊主體中，在形成于盤上的離散數(shù)據(jù)磁道上方，滑塊主體被保持在很近的位置上，以此允許讀/寫操作可被實施。為了相對于盤表面適當(dāng)?shù)胤胖棉D(zhuǎn)換器，在滑塊主體上形成的空氣軸承表面(ABS)經(jīng)受著流動的氣流，該流動氣流提供了足夠的升力以使滑塊和轉(zhuǎn)換器在盤數(shù)據(jù)磁道上“漂浮”。磁盤的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生了沿其表面以基本上平行于該盤切向速度方向的流動氣流或者風(fēng)。氣流與滑塊主體的ABS合作，使得滑塊在自旋的盤上飄浮。實際上，懸置的滑塊通過這個自激的空氣軸承與盤表面物理分離。
ABS設(shè)計的某些主要目的是使滑塊及其相伴的轉(zhuǎn)換器盡可能近地在旋轉(zhuǎn)盤的表面上漂浮，并且均勻維持不變的近距離而不管可變的漂浮狀態(tài)?？諝廨S承滑塊和旋轉(zhuǎn)磁盤之間的高度或分離間隙一般被定義為漂浮高度。通常，安裝的轉(zhuǎn)換器或讀/寫元件僅在旋轉(zhuǎn)盤表面上方大約幾微英寸處漂浮?；瑝K漂浮的高度被認(rèn)為是影響所安裝的讀/寫元件的磁盤讀取和紀(jì)錄能力的最關(guān)鍵參數(shù)之一。相對較小的漂浮高度使轉(zhuǎn)換器能夠取得磁盤表面上不同數(shù)據(jù)位的位置之間更大的分辨率，從而提高數(shù)據(jù)密度和存儲容量。隨著利用相對較小而功能很強(qiáng)的硬盤驅(qū)動器的輕便、緊湊的筆記本類型計算機(jī)的日益普及，對于越來越低的漂浮高度的需求已經(jīng)在持續(xù)增長。
圖1說明了本領(lǐng)域典型的硬盤驅(qū)動器設(shè)計。硬盤驅(qū)動器100是通用的信息存儲器件，基本上由一系列被磁性讀寫元件存取的可旋轉(zhuǎn)盤104組成。一般稱為轉(zhuǎn)換器的這些數(shù)據(jù)傳送元件通常被滑塊主體110所承載并被嵌入滑塊主體110中，在形成于盤上的離散數(shù)據(jù)磁道上方，滑塊主體110被保持在很近的位置上，以此允許讀/寫操作可被實施。通過懸架將滑塊保持在盤上方。懸架具有負(fù)載梁和撓曲，其允許與所述盤垂直的方向上的移動。通過音圈電機(jī)使懸架圍繞樞軸旋轉(zhuǎn)以此提供粗略的位置調(diào)整。微致動器使滑塊耦合至懸架末端并允許進(jìn)行精細(xì)的位置調(diào)整。
為了相對于盤表面適當(dāng)?shù)胤胖棉D(zhuǎn)換器，在滑塊主體110上形成的空氣軸承表面(ABS)經(jīng)受著流動的氣流，該流動的氣流提供了足夠的升力以使滑塊110(和轉(zhuǎn)換器)在盤數(shù)據(jù)磁道上“漂浮”。磁盤104的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生了沿其表面以基本上平行于該盤切向速度方向的流動氣流或者風(fēng)。氣流與滑塊主體110的ABS合作，使得滑塊在自旋的盤上飄浮。實際上，懸置的滑塊110通過這個自激的空氣軸承與盤表面104物理分離?；瑝K110的ABS通常被配置在面對旋轉(zhuǎn)盤104的滑塊表面上，并且極大地影響了滑塊在各種狀態(tài)下于盤上飄浮的能力。為了控制滑塊的面內(nèi)的運(yùn)動，尤其是為了訪問盤表面上的不同數(shù)據(jù)磁道，磁頭懸架組件(HSA)通常加入了主致動器。主致動器可以是位于讀/寫磁頭相對端的音圈電機(jī)。由于HSA較大的慣性，主致動器具有有限的帶寬。懸架的振動使得從遠(yuǎn)處控制讀/寫磁頭的位置變得困難。沿主致動器獲得所需的速度和位置精度具有難度。
先進(jìn)的硬盤驅(qū)動器設(shè)計在讀/寫磁頭和HSA的樞軸之間加入了次級致動器或微致動器。這些微致動器的、與所施加的電壓有關(guān)的沖程或位移的距離通常為1μm的量級。圖2a說明了具有U-形陶瓷框架結(jié)構(gòu)201的微致動器。框架201由比如氧化鋯制成。框架201具有與基底203相對而置的兩個臂202?；瑝K204被兩個臂202保持在與基底203相對的一端。壓電材料帶205被附加到每個臂202。結(jié)合片206允許滑塊204電連接到控制器。圖2b說明了附加到致動器懸架撓曲部207和負(fù)載梁208的微致動器。微致動器可耦合至懸架舌簧209。沿懸架撓曲部207耦合的連動桿(traces)210將壓電材料帶205連接到一組連接片211。施加于連接片211的電壓導(dǎo)致帶205縮短和伸長，同時移動滑塊204的位置。借助于懸架鉸鏈片214，懸架撓曲部207可被附加到基板212，基板210具有用于在樞軸上安裝的孔213。加工孔(tooling hole)215便于在制造期間操控懸架，并且懸架孔216減輕了懸架的重量。
在裝運(yùn)之前按照常規(guī)要測試讀/寫磁頭。通常，使讀/寫磁頭在連接至動態(tài)參數(shù)(DP)測試器的旋轉(zhuǎn)盤上漂浮并且實施一系列的讀/寫活動。在讀/寫磁頭被裝配進(jìn)磁頭萬向懸掛支架組件(HGA)、HSA或磁頭磁盤組件時，可實施DP測試。
DP測試可包括測試各種輸入電壓下微致動器的沖程。圖3示出了一種測試沖程的方法。通過在不同的恒定輸入電壓下寫入第一同心磁道310和第二同心磁道320并且接著通過以連續(xù)增加或減少的半徑讀取而獲得上述磁道的“磁道剖面圖”可測量準(zhǔn)靜態(tài)沖程。磁道剖面圖可將讀磁頭330的半徑位置和讀回信號340進(jìn)行比較。輸入電壓可以是無輸入、最大輸入或負(fù)的最大輸入。磁道剖面圖的每個峰值表示磁道的中心。利用相鄰峰值之間的距離350可計算沖程。
DP測試還可包括對頻率響應(yīng)的測試。頻率響應(yīng)將沖程和輸入頻率進(jìn)行比較。如圖4所示，通過在每一輸入頻率下首先擦除帶狀盤表面、而后以期望的頻率施加預(yù)定的交流輸入電壓同時在盤的大約一次旋轉(zhuǎn)當(dāng)中改寫這個已擦除的帶來測量頻率響應(yīng)。在除去輸入電壓后，通過以連續(xù)增加或減少的半徑讀取而映射(map)所寫入的信號，同時紀(jì)錄作為半徑和角度位置的函數(shù)的讀回信號的幅度。正弦曲線410在數(shù)學(xué)上適于代表具有每一磁道的讀回信號的峰值幅度的位置的磁道讀數(shù)。這條正弦曲線的幅度420是給定頻率下的沖程。
這些方法比較慢。對于每一期望的頻率，必須擦除并重寫盤表面。在每一頻率下，映射被寫入的信號所需要的數(shù)據(jù)量同樣是較大的，因為圖4的映像(map)是兩維的而不是一維的。用于測量微致動器頻率響應(yīng)的其他方法包括光學(xué)和電學(xué)測試。在光學(xué)測試中，激光束被射向讀/寫磁頭或其附近。收集反射光并對其進(jìn)行速度或反射表面的位移分析。這種方法需要昂貴的設(shè)備和精密的對準(zhǔn)。電學(xué)測試對于具有不止一個有源元件的微致動器來說是可能的。輸入電壓被施加于某些但是并非所有元件上。未接受輸入電壓的這些元件被其他元件機(jī)械驅(qū)動，從而生成由此導(dǎo)出沖程的較小的輸出電壓。然而，這種激勵模式不同于其中所有元件接收輸入電壓的應(yīng)用中的模式。因此，頻率響應(yīng)屬于振動模式，其不同于實際關(guān)注的模式。此外，在HSA具有多個讀/寫磁頭時，只訪問所關(guān)注的磁頭而沒有其他磁頭的干擾將變得困難。


圖1說明了本領(lǐng)域中已知的硬盤驅(qū)動器設(shè)計。
圖2a-b說明了如在本領(lǐng)域中已知的、附加到致動器懸架撓曲部和負(fù)載梁的微致動器。
圖3說明了用于測試沖程的方法的結(jié)果的一個實施例。
圖4說明了用于測試頻率響應(yīng)的方法的結(jié)果的一個實施例。
圖5說明了如在本發(fā)明中實施的測試系統(tǒng)的一個實施例。
圖6以流程圖的形式說明了按照本發(fā)明的測試方法的一個實施例。
圖7說明了按照本發(fā)明生成的校準(zhǔn)曲線的實例。
圖8a-c說明了按照本發(fā)明生成的反饋信號的實例。
圖9以曲線圖的形式說明了與頻率相比較的沖程的一個廓線。
圖10以曲線圖的形式說明了與頻率相比較的增益的廓線。
具體實施例方式
公開了一種用于測試微致動器的沖程和頻率響應(yīng)的系統(tǒng)和方法。在一個實施例中，動態(tài)參數(shù)測試器可在磁存儲介質(zhì)的無噪聲部分上寫入兩條同心磁道。讀/寫磁頭和微致動器可定位于兩條同心磁道之間。在第一頻率下，將初始振蕩電壓施加于微致動器同時從兩條同心磁道讀回信號。微致動器的沖程特征可部分基于讀回信號來計算。初始振蕩電壓可根據(jù)以前的測試來確定。微致動器的第一沖程特征可以第一信號的時間平均幅度為基礎(chǔ)?？梢灶A(yù)定的間距寫入兩條同心磁道。
圖5說明了如在本發(fā)明中實施的測試系統(tǒng)的一個實施例。磁頭萬向懸掛支架組件HGA的懸架501和微致動器502可將滑塊503懸置于存儲數(shù)據(jù)的盤504上。可將HGA加入動態(tài)參數(shù)(DP)測試器505。DP測試器505可具有控制微致動器502的第一電連接506、控制滑塊503的讀/寫磁頭的第二電連接506、以及控制懸架501移動的機(jī)構(gòu)(圖中未示出)。在大多數(shù)DP測試器上，機(jī)構(gòu)是標(biāo)準(zhǔn)的。用于移動懸架的典型機(jī)構(gòu)可包括其上安裝有懸架的塊狀不銹鋼平臺?？蓪⑵脚_安裝到用于精確移動的壓電級和用于長距離運(yùn)動的電動級上。DP測試器可用來測試HGA的沖程和頻率響應(yīng)。
圖6以流程圖的形式說明了測試方法的一個實施例。過程開始(方框605)于將具有滑塊503的HGA裝入DP測試器(方框610)。帶狀盤504區(qū)域被擦除(方框615)。讀/寫磁頭以預(yù)定的間距(2δ)在擦除的帶上寫入兩條或多條同心磁道(方框620)。間距是兩條平行或同心線之間的距離。在無輸入電壓施加于微致動器時實施寫入。通過移動DP測試器505的機(jī)構(gòu)來獲得間距。磁道剖面圖在任何一個磁道上獲得(方框625)。磁道剖面圖可以是作為磁道半徑(r)增量變化的函數(shù)的讀回信號的磁道平均幅度(TAA)。函數(shù)TAA(r)以磁道的中心為基準(zhǔn)。因此，獨(dú)立變量(r)通常在介于正和負(fù)十微英寸(±0.25μm)的范圍內(nèi)變化。然后，磁道將被讀回同時在連續(xù)增加或減少頻率(f)的情形下微致動器經(jīng)歷可變輸入電壓(V)。正如由一對輸入?yún)?shù)(如頻率和電壓)所定義以及由底部至峰值所測得的，在每一測試狀態(tài)下的沖程由讀回信號的平均幅度導(dǎo)出。
假定微致動器在輸入電壓下以正弦曲線移動，微致動器的中立位置與兩條同心磁道的中心一致。因為頻率響應(yīng)的測試由多個測試狀態(tài)組成，每一狀態(tài)可由索引號i來標(biāo)識。因此，輸入頻率和電壓可用f(i)和V(i)來表示并且相應(yīng)的沖程和時間平均讀回信號幅度表示為S(i)和TAA(i)，它們的關(guān)系由下面的方程1來描述TAA(i)=2π∫-δSδTAA(r)[S(i)]2-(r+δ)2·dr---(1)]]>利用方程1可生成TAA(i)對S(i)的校準(zhǔn)曲線(方框630)。圖7說明了校準(zhǔn)曲線的實例。這個實例中的校準(zhǔn)曲線將TAA(毫伏)和在30微英寸間距處的微致動器中的沖程進(jìn)行比較。
所需的參數(shù)TAA(r)和TAA(i)是讀回信號幅度的序列并且可以在任何標(biāo)準(zhǔn)DP測試器505上很容易得到。在沒有激勵微致動器502的情形下，在標(biāo)準(zhǔn)磁道剖面圖測量中生成TAA(r)。TAA(r)被用來生成TAA(i)對S(i)的校準(zhǔn)曲線。根據(jù)定義，TAA(i)是在微致動器502被激勵時的時間平均讀回信號幅度。只要激勵持續(xù)至少一次盤504的旋轉(zhuǎn)，TAA(i)相當(dāng)于讀回信號幅度的磁道平均，其在任何標(biāo)準(zhǔn)DP測試器504中可得到。因此，DP測試器的主要修改是提供激勵微致動器的裝置，如添加圖5所示的第二電連接506。
可將校準(zhǔn)曲線定性地分成四個區(qū)域。區(qū)域701可以和非常小的沖程相關(guān)聯(lián)。讀磁頭通常還未到達(dá)兩條磁道的任一條，或者剛好到達(dá)兩條磁道的內(nèi)緣。另外，與背景噪聲相比，讀回信號可能是很微弱的。因此，區(qū)域701通常不適合實施沖程測量。區(qū)域702可以和中等沖程相關(guān)聯(lián)。該區(qū)域的讀磁頭可在兩條磁道中適當(dāng)?shù)匾苿?，但是不會超出范圍。與背景噪聲相比，讀回信號可能是很強(qiáng)的，并且校準(zhǔn)曲線的斜率可能是陡峭的。由此，區(qū)域702可能最適合沖程測量。區(qū)域703可以和大約磁道間距的一半相關(guān)聯(lián)。讀磁頭可在磁道外緣附近移動，產(chǎn)生較強(qiáng)的讀回信號。然而，校準(zhǔn)曲線可能是平坦的。沖程的分辨率可能比區(qū)域702中的更低。另外，沖程值可能是不確定的，因為曲線不是單調(diào)的。區(qū)域704可以和比磁道間距的一半更大的沖程相關(guān)聯(lián)。校準(zhǔn)曲線的斜率可能比區(qū)域702中的更低。通常，區(qū)域704可能是第二最期望的工作范圍。
校準(zhǔn)曲線的性質(zhì)是重要的。在區(qū)域702更寬時，測試可能魯棒。然而，在測試期間，沖程通常更大，這導(dǎo)致微致動器的更大磨損。當(dāng)區(qū)域2更窄并且校準(zhǔn)曲線的峰值更高時，測試可能是最精確的。兩條同心寫入的磁道之間的間距可操控校準(zhǔn)曲線的形狀。校準(zhǔn)曲線的峰值通常發(fā)生在峰-峰沖程近似等于磁道間距時。在磁道幾乎彼此鄰近時，峰值通常最高。通過運(yùn)行某些數(shù)值模擬、利用典型的磁道剖面圖并利用方程1改變間距，用戶可比較若干試驗性的測試狀態(tài)。
如果在f(i)變化時V(i)保持不變，S(i)可橫跨所有四個區(qū)域。為了保持在區(qū)域702內(nèi)，可遵循圖6所示的方法來調(diào)節(jié)V(i)。定義校準(zhǔn)曲線上的區(qū)域702并選擇區(qū)域702中的“理想沖程”Sideal。基于以前經(jīng)驗的統(tǒng)計，設(shè)置初始電壓V(1)和頻率f(1)(方框635)。讀/寫磁頭被定位于兩條同心磁道之間(方框640)。DP測試器505激勵微致動器502時讀/寫磁頭取讀數(shù)(方框645)。獲得TAA(1)(方框650)并且計算初始沖程S(1)(方框655)。如果最后的頻率正被使用(方框660)，則過程結(jié)束(方框665)。如果頻率不是最后的頻率(方框660)，則S(1)與校準(zhǔn)曲線相比較。如果S(1)在區(qū)域702內(nèi)(方框670)，則測量是可接受的。不需要重試。然而，如果S(1)在區(qū)域702的外部，則V(1)將被調(diào)節(jié)以使S(1)更接近“理想沖程”。假定在方程2中被定義為G(i)＝S(i)/V(i) (2)的增益G(i)與輸入電壓無關(guān)，如方程3所示，V(1)和S(1)可能彼此成比例V(j)new＝V(i)old×Sideal/S(i)old(3)在概念上，可以不止一次調(diào)節(jié)V(1)。按照方程3調(diào)節(jié)V(1)直至S(1)在區(qū)域702內(nèi)(方框685)。在S(1)位于區(qū)域702內(nèi)時迭代停止。由于微致動器良好的線性，實際上不需要不止一次的調(diào)節(jié)。
對于隨后的f(i)，當(dāng)i增加時(方框675)，通過假定增益不會隨頻率發(fā)生顯著的變化可計算缺省輸入電壓。接著，如方程4所示，以和V(i)的重試相同的方式計算V(i+1)V(i+1)＝V(i)×Sideal/S(i) (4)方程4可具有“相位滯后”，因為增益確實隨頻率發(fā)生變化。然而，與和變化的增益相關(guān)聯(lián)的誤差相比，區(qū)域702相對較寬。因此，實際上，方程4通常是充分的。在任何給定頻率下，很少需要通過方程3來調(diào)節(jié)輸入電壓。
方程4中可加入校正因子，其依賴于典型的頻率響應(yīng)以此預(yù)測由f(i)到f(i+1)的增益變化。在大多數(shù)應(yīng)用中，這個校正因子可能是不必要的。方程4的變形在方程5中被示出V(i+1)＝V(i)x[Sideal/S(i)]×[Gain(i)/Gain(i+1)] (5)必要時，方程4或5可用來預(yù)測所使用的下一頻率的增益(方框680)。目的是控制V(i)從而將沖程保持在區(qū)域702內(nèi)，同時激勵的頻率在預(yù)定范圍內(nèi)逐步掃描。
在DP測試器505上測量TAA(i)時，低通濾波器的轉(zhuǎn)角頻率可能比微致動器激勵的頻率大至少若干倍。這可防止讀回信號的包絡(luò)被人為變平并且防止“平均”幅度TAA(i)被夸大。圖8a示出了原始饋送。圖8b說明了利用正確的低通濾波器的讀回信號的包絡(luò)，圖8c說明了利用錯誤的低通濾波器的讀回信號的包絡(luò)。
如果在測量期間調(diào)用方程3，換句話說，如果在相同頻率f(i)下微致動器被不止一個輸入電壓所激勵，只有最后的輸入電壓值和最后的時間平均讀回信號幅度值作為V(i)和TAA(i)被保留?？蓙G棄區(qū)域2之外的測量。對于每一磁頭，一條校準(zhǔn)曲線在所有頻率下都是有效的。在每一頻率f(i)下，一個V(i)和一個TAA(i)被用作原始數(shù)據(jù)。利用校準(zhǔn)曲線，TAA(i)產(chǎn)生沖程S(i)。圖9說明了與頻率(Hz)相比較的沖程(微英寸)的一條廓線。通過方程2，S(i)和V(i)產(chǎn)生G(i)。圖10說明了與頻率(Hz)相比較的增益(微英寸/伏特)的一條廓線。
盡管在這里對若干實施例進(jìn)行了特別說明和描述，但是將會意識到，在沒有背離本發(fā)明的精神和指定范圍的情形下，本發(fā)明的修改和變更被上述教導(dǎo)所覆蓋并且是在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測試方法，包含在磁存儲介質(zhì)的無噪聲部分上寫入兩條同心磁道；在所述兩條同心磁道之間定位讀/寫磁頭和微致動器；將第一頻率下的第一振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第一信號；以及部分基于所述第一信號，計算所述微致動器的第一沖程特征。
2.如權(quán)利要求1所述的測試方法，其中所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的所述無噪聲部分通過擦除所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的一部分來產(chǎn)生。
3.如權(quán)利要求1所述的測試方法，還包含從以前的測試來確定所述第一振蕩電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的測試方法，其中所述微致動器的第一沖程特征是以所述第一信號的時間平均幅度為基礎(chǔ)的。
5.如權(quán)利要求4所述的測試方法，還包含以預(yù)定的間距寫入所述兩條同心磁道。
6.如權(quán)利要求5所述的測試方法，還包含基于由下面的方程所表示的所述間距(2δ)、所述時間平均幅度(TAA)、磁道半徑(r)和所述第一沖程特征(S)之間的關(guān)系來生成校準(zhǔn)曲線TAA(i)=2π∫-δS-δTAA(r)[S(i)]2-(r+δ)2·dr]]>
7.如權(quán)利要求1所述的測試方法，還包含將第二頻率下的第二振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第二信號；以及部分基于所述第二信號，計算所述微致動器的第二沖程特征。
8.如權(quán)利要求7所述的測試方法，還包含通過用所述第一電壓乘以所述第一沖程特征再除以理想沖程特征來計算所述第二電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的測試方法，還包含利用典型的頻率響應(yīng)來預(yù)測所述第一頻率和所述第二頻率之間的增益變化。
10.一種測試系統(tǒng)，包含磁存儲介質(zhì)，用來存儲數(shù)據(jù)；讀/寫磁頭，用來在所述磁存儲介質(zhì)的無噪聲部分上寫入兩條同心磁道；磁頭萬向懸掛支架組件，用來將所述讀/寫磁頭和微致動器定位于所述兩條同心磁道之間；以及測試器，用來將第一頻率下的第一振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第一信號。
11.如權(quán)利要求10所述的測試系統(tǒng)，其中所述微致動器的第一沖程特征是以所述第一信號的時間平均幅度為基礎(chǔ)的。
12.如權(quán)利要求11所述的測試系統(tǒng)，其中所述測試器將第二頻率下的第二振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第二信號。
13.如權(quán)利要求12所述的測試系統(tǒng)，其中所述第二振蕩電壓通過用所述第一電壓乘以所述第一沖程特征再除以理想沖程特征來計算。
14.如權(quán)利要求12所述的測試系統(tǒng)，其中典型的頻率響應(yīng)用來預(yù)測所述第一頻率和所述第二頻率之間的增益變化。
15.一組駐留在存儲介質(zhì)中的指令，所述一組指令能夠由處理器來執(zhí)行以此實現(xiàn)處理數(shù)據(jù)的方法，所述方法包含在磁存儲介質(zhì)的無噪聲部分上寫入兩條同心磁道；在所述兩條同心磁道之間定位讀/寫磁頭和微致動器；將第一頻率下的第一振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第一信號；以及部分基于所述第一信號，計算所述微致動器的第一沖程特征。
16.如權(quán)利要求15所述的一組指令，還包含從以前的測試來確定所述第一振蕩電壓。
17.如權(quán)利要求15所述的一組指令，其中所述微致動器的第一沖程特征是以所述第一信號的時間平均幅度為基礎(chǔ)的。
18.如權(quán)利要求17所述的一組指令，還包含以預(yù)定的間距寫入所述兩條同心磁道。
19.如權(quán)利要求18所述的一組指令，還包含基于由下面的方程所表示的所述間距(2δ)、所述時間平均幅度(TAA)、磁道半徑(r)和所述第一沖程特征(S)之間的關(guān)系來生成校準(zhǔn)曲線TAA(i)=2π∫-δS-δTAA(r)[S(i)]2-(r+δ)2·dr]]>
20.如權(quán)利要求15所述的一組指令，還包含將第二頻率下的第二振蕩電壓施加于所述微致動器同時從所述兩條同心磁道讀回第二信號；以及部分基于所述第二信號，計算所述微致動器的第二沖程特征。
21.如權(quán)利要求20所述的一組指令，還包含通過用所述第一電壓乘以所述第一沖程特征再除以理想沖程特征來計算所述第二電壓。
22.如權(quán)利要求20所述的一組指令，還包含利用典型的頻率響應(yīng)來預(yù)測所述第一頻率和所述第二頻率之間的增益變化。
全文摘要
公開了用于測試微致動器的沖程和頻率響應(yīng)的系統(tǒng)和方法。動態(tài)參數(shù)測試器在磁存儲介質(zhì)的無噪聲部分上寫入兩條同心磁道。讀/寫磁頭和微致動器定位于兩條同心磁道之間。將第一頻率下的初始振蕩電壓施加于微致動器同時從兩條同心磁道讀回信號。微致動器的沖程特征部分基于讀回信號來計算。初始振蕩電壓根據(jù)以前的測試來確定。微致動器的第一沖程特征以第一信號的時間平均幅度為基礎(chǔ)。以預(yù)定的間距寫入兩條同心磁道。
文檔編號G11B21/02GK1922692SQ200480041180
公開日2007年2月28日 申請日期2004年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月5日
發(fā)明者L·-Y·朱, C·-H·楊, X·張, Y·付, E·T·查 申請人:新科實業(yè)有限公司