專利名稱：：光記錄媒體和光記錄媒體的記錄再生方法及光記錄再生裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及可重寫的DVR等的具有兩層記錄層的高密度記錄用的單面兩層型的光記錄媒體(以下有稱為“相變化型光信息記錄媒體”、“相變化型光記錄媒體”、“光信息記錄媒體”、“信息記錄媒體”的情況)以及該光記錄媒體的記錄再生方法及光記錄再生裝置。
背景技術：
：通常，壓縮盤(CD)或DVD利用來自凹坑的底部及鏡面部的光的干涉產(chǎn)生的反射率變化來檢測2值信號的記錄及跟蹤信號。近年來，作為與CD具有再生互換性(互換性)的光記錄媒體，除了相變化型的可重寫的壓縮盤(CD-RWCD-Rewritable)逐漸被廣泛使用外，對DVD也提出各種相變化型的可重寫的DVD。另外，提出了針對容量是4.7GB的DVD，使記錄再生波長為350～420nm短波長化并增大數(shù)值孔徑NA(NumericalAperture)而作為20GB以上容量的系統(tǒng)高密度DVR的方案(參見非專利文獻1)。這些相變化型的可重寫的CD、DVD及DVR利用由非晶質(zhì)和結晶狀態(tài)的折射率差產(chǎn)生的反射率差及相位差變化進行記錄信息信號的檢測。通常的相變化型光記錄媒體具有在基板上至少設置下部保護層、相變化型記錄層、上部保護層、及反射層的結構，利用這些結構層的多重干涉控制反射率差及相位差，從而能夠使其具有與CD或DVD的互換性。在所述CD-RW中，在使折射率下降到15～25％程度的范圍內(nèi)，能夠確保CD和記錄信號及槽信號的互換性，如果使用附加了涵蓋反射率低的情況的放大系統(tǒng)的CD驅(qū)動器就能夠進行再生。另外，相變化型光記錄媒體，由于能夠僅利用一束聚焦光束的強度調(diào)制進行擦除和再記錄過程，所以在CD-RW或可重寫DVD等的相變化型光記錄媒體中，記錄也包含同時進行記錄和擦除的蓋寫(オ一バ一ライト)(O/W)記錄。此外，利用相變化的信息的記錄能夠采用結晶、非晶質(zhì)或它們的混合狀態(tài)，也能夠使用多個結晶相。但是，目前被實用化的可重寫相變化型光記錄媒體，通常是將未記錄及擦除狀態(tài)作為結晶狀態(tài)，并形成非晶質(zhì)的標記而進行記錄。作為所述相變化型記錄層的材料，多是使用含有硫族元素即S、Se或Te的硫化物類合金。例如，以GeTe-Sb2Te3疑似二元合金為主要成分的GeSbTe類；以InTe-Sb2Te3疑似二元合金為主要成分的InSbTe類；以Sb0.7Te0.3共晶合金為主要成分的AgInSbTe類、GeSbTe類合金等。在這些材料中，主要是在GeTe-Sb2Te3疑似二元合金中添加了過量的Sb類、尤其是接近Ge1Sb2Te4或者Ge2Sb2Te5等的金屬間化合物的組成被實用化。這些組成以不伴隨金屬間化合物特有的相分離的結晶化為特征，結晶成長速度快，所以初始化容易，擦除時的再結晶化速度快。因此，以往作為顯示實用的O/W特性的記錄層，疑似二元合金類或接近金屬間化合物的組成受到關注(參見非專利文獻2)。此外，以往關于GeSbTe三元組成或以該三元組成為母體含有添加元素的記錄層組成有過報道(參見專利文獻1～4)。然而，這樣組成的材料還剛剛開始開發(fā)，要適用于可重寫的DVR等的高密度記錄用的光記錄媒體還存在很多必須解決的問題。尤其是在藍色激光等的短波長的光學系統(tǒng)的情況下，光束輸出低，因此存在記錄層容易出現(xiàn)噪聲這樣的缺陷。此外，從光入射方面來看，當使基板與記錄層之間的保護層的膜厚變厚時，由于當保護層的膜厚變厚時，就容易出現(xiàn)膜厚變化或難以實現(xiàn)保存特性，所以難以滿足O/W特性和保存特性這兩方面，因此成為高速高密度記錄化中的課題。此外，在可進行單面兩層光記錄的光記錄媒體的情況下，反射率是通常的光記錄媒體的一半以下的5～7％很低，當還考慮每兩層的對焦跳變時，存在當跳變到第二記錄層時推挽信號小以及對焦或跟蹤容易脫離的課題。作為這樣的單面兩層光記錄媒體，例如，在專利文獻5中公開有兩個記錄層的單面兩層型光盤。此外，在專利文獻6中公開了具有第一可寫數(shù)據(jù)記錄層和第二可寫數(shù)據(jù)記錄層的光學數(shù)據(jù)記錄媒體。此外，在專利文件7中公開了具有兩層被夾在兩個電介質(zhì)層之間的相變化類型的記錄層的光學信息媒體。但是，在所述單面兩層型光記錄媒體的情況下，需要提高光入射側(cè)的記錄層(第二記錄結構層)的透過率，而使光到達與光入射側(cè)相反一側(cè)的記錄層(第一記錄結構層)，才可進行記錄。但是，當為了進行充分的記錄而使記錄層的膜厚變厚進而使散熱層不厚時，存在作為記錄再生特性的跳動、調(diào)制不充分這樣的課題，因此現(xiàn)狀是，還不能夠得到即使對于紅色激光的兩層DVD+RW或藍色激光等的短波長的低輸出光，記錄靈敏度也高、不產(chǎn)生跳動等噪聲、O/W特性優(yōu)良、存檔特性也良好、并且對焦或跟蹤容易、能夠?qū)崿F(xiàn)與ROM的互換的可高密度記錄的兩層結構的光記錄媒體，因此期望能夠盡快提供。專利文獻1特開昭61-258787號公報專利文獻2特開昭62-152786號公報專利文獻3特開平1-63195號公報專利文獻4特開平1-211249號公報專利文獻5特開2003-141775號公報專利文獻6特許第3216794號公報專利文獻7特表2002-515623號公報非專利文獻1ISOMTechnicalDigest，’00(2000)，210非專利文獻2SPIE，vol.2514(1995)，pp294-301
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，解決現(xiàn)有的問題而應對所述需求，提供一種光記錄媒體及該光記錄媒體的記錄再生方法，該光記錄媒體是即使相對于藍色激光等的短波長的低輸出光記錄靈敏度也高、不產(chǎn)生跳動等噪聲、O/W特性優(yōu)良、存檔特性也良好、容易進行對焦及跟蹤、并能夠與ROM互換的能夠高密度記錄的單面兩層型的光記錄媒體。為了解決所述課題，本發(fā)明的發(fā)明者們反復專心研究的結果得出如下見解，在具有基板且在該基板上依次設置至少第一記錄結構層、中間層、第二記錄結構層的光記錄媒體中，通過附加槽條件，能夠容易進行兩層的對焦及跟蹤以及與ROM的互換。本發(fā)明是基于本發(fā)明的發(fā)明者們的所述見解的發(fā)明，用于解決所述課題的手段如下。即，<1>一種光記錄媒體，其特征在于，其具有基板并在該基板上依次至少具有第一記錄結構層、中間層、第二記錄結構層及覆蓋基板，該覆蓋基板的槽深度以所述第二記錄結構層的推挽信號為基準是所述第一記錄結構層的推挽信號的大小成為同等以上的深度。在該<1>所述的光記錄媒體中，通過對兩層結構的光記錄媒體附加槽條件，使得即使相對于藍色激光等的短波長的低輸出光記錄靈敏度也高、不產(chǎn)生跳動等噪音、O/W特性優(yōu)良、存檔特性也良好、容易進行對焦及跟蹤、并且能夠與ROM互換。<2>上述<1>中所述的光記錄媒體，其在從覆蓋基板側(cè)入射光的情況下，基板的槽深度(d1)與覆蓋基板的槽深度(d2)滿足下式d1＞d2、0＜d1≤7λ/8n及0＜d2≤7λ/8n(其中，λ表示記錄再生波長，n表示基板的折射率。槽深度為λ/4n、λ/2n及3λ/4n的情況除外)。<3>上述<1>到<2>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第一記錄結構層從基板側(cè)依次具有反射層、第一界面層、第一保護層、第一記錄層及第二保護層。<4>上述<3>所述的光記錄媒體，其中，第一記錄層含有60mol％以上的Sb70Te30。<5>上述<1>到<4>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第二記錄結構層從中間層側(cè)依次具有第三保護層、散熱層、第四保護層、第二記錄層及第五保護層。<6>上述<5>所述的光記錄媒體，其中，第二記錄層含有40mol％以上的Ge50Te50。<7>上述<3>到<6>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第一記錄層及第二記錄層含有0.1～5原子％的從O、N及S中選擇的至少一種元素。<8>上述<3>到<7>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第一記錄層及第二記錄層含有從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中選擇的至少一種元素。<9>上述<5>到<8>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，在散熱層和第四保護層之間具有第二界面層。<10>上述<3>到<9>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第一保護層、第二保護層、第四保護層及第五保護層含有ZnS和SiO2的混合物。<11>上述<5>到<10>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第三保護層含有ITO及IZO中的任意一種。<12>上述<3>到<11>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，第一界面層及第二界面層中至少一個含有從TiC和TiO2的混合物、ZrC和ZrO2的混合物、SiC和SiO2的混合物及CrC和CrO2的混合物中選擇的至少一種。<13>上述<3>到<12>中任意一項所述的光記錄媒體，其中，反射層及散熱層含有Au及Au合金、Ag及Ag合金、Cu及Cu合金中的任意一種。<14>一種光記錄媒體的記錄再生方法，其特征在于，對于上述<1>到<13>中任意一項所述的光記錄媒體中的各記錄結構層，使光束從所述覆蓋基板側(cè)入射，進行信息的記錄及再生中的至少其中之一。在本發(fā)明的光記錄媒體的記錄再生方法中，對于所述本發(fā)明的光記錄媒體，通過照射激光進行信息的記錄及再生中至少其中之一。其結果，能夠有效地進行穩(wěn)定且可靠的信息的記錄及再生中的任意一項。<15>一種光記錄再生裝置，其對光記錄媒體從光源照射激光而在該光記錄媒體上進行信息的記錄及再生中的至少其中之一，其特征在于，所述光記錄媒體是上述<1>到<13>中任意一項所述的光記錄媒體。本發(fā)明的光記錄裝置，對光記錄媒體從光源照射激光而在該光記錄媒體上進行信息的記錄及再生中至少其中之一，作為所述相變化型光記錄媒體使用本發(fā)明的所述光記錄媒體。在該本發(fā)明的光記錄裝置中能夠穩(wěn)定且可靠地進行信息的記錄及再生中至少其中之一。圖1是表示本發(fā)明的兩層型光記錄媒體的一例的層結構剖面圖；圖2是表示實施例的兩層型光記錄媒體的層結構的剖面圖；圖3是表示波長405nm、NA＝0.65的光入射側(cè)的基板的槽深度與推挽(pushpull)信號及RF信號的關系的圖；圖4是表示從波長405nm、NA＝0.65的光入射側(cè)看內(nèi)側(cè)的基板的槽深度與推挽(pushpull)信號及RF信號的關系的圖；具體實施方式(光記錄媒體)本發(fā)明的光記錄媒體具有基板并在該基板上依次形成的至少第一記錄結構層、中間層、第二記錄結構層及覆蓋基板，而且根據(jù)需要還具有其它層。所述覆蓋基板的槽深度以所述第二記錄結構層的推挽信號為基準是所述第一記錄結構層的推挽信號的大小成為同等以上的深度。由此，能夠良好地進行第二記錄層的對焦、跟蹤。其中，所謂所述“同等”，是指推挽信號的最大測定誤差是3％程度，當分別將第一記錄結構層及第二記錄結構層的推挽信號讀小3％時，則為97％，當將其讀大3％時，則為103％，所以兩者之差最大為6％。因此，當兩者的測定值的差在6％以內(nèi)時，則看作“同等”。具體的，在采用從覆蓋基板側(cè)入射光的結構的情況下，當使基板的槽深度(d1)和覆蓋基板的槽深度(d2)的關系為d1＞d2時，從光入射側(cè)看成為內(nèi)側(cè)的基板的槽深度深，由此雖然第一記錄結構層的推挽信號比第二記錄結構層的推挽信號大，但由于來自第一記錄結構層的再生信號通過第二記錄結構層而降低了40～60％，所以能夠使第一記錄結構層的推挽信號接近于第二記錄結構層的推挽信號，從而使對焦、跟蹤穩(wěn)定。并且，也能夠使記錄的RF信號成為能夠再生的電平。但是，由于當槽深度是λ/4n、λ/2n、3λ/4n(其中，λ表示記錄再生波長，n表示基板的折射率)時，推挽信號變成零，所以不做成這樣的槽深度。此外，槽深度的范圍設為大于0而在7λ/8n以下。另外，雖然也可以設d2＞d1，但由于槽深度越深則推挽信號越容易取得，所以優(yōu)選地使推挽信號大的一方位于內(nèi)側(cè)。圖3表示波長405nm、NA＝0.65的覆蓋基板的槽深度與推挽(pushpull)信號及RF信號。圖4表示波長405nm、NA＝0.65的基板的槽深度與推挽信號及RF信號。在圖3及圖4所示的槽深度的范圍內(nèi)，光入射側(cè)的第二記錄結構層的推挽信號的最大值是23，從光入射側(cè)看內(nèi)側(cè)的第一記錄結構層的推挽信號的最大值是25，第一記錄結構層一方稍大，第一及第二記錄結構層的對焦、跟蹤都穩(wěn)定。此外，RF信號也與第一及第二記錄結構層同樣處于可記錄再生范圍。另外，由于對再生來說優(yōu)選RF信號大，所以，在圖3及圖4的情況下，例如將覆蓋基板的槽深度設為30nm，將基板的槽深度設為40nm，則第一、第二記錄結構層RF信號都變大，且推挽信號的大小也大致相等，所以特性變好。本發(fā)明的光記錄媒體的所述第一記錄結構層，從基板側(cè)開始依次至少具有反射層、第一界面層、第一保護層、第一記錄層及第二保護層，并根據(jù)需要還可具有其它層。此外，所述第二記錄結構層，從中間層側(cè)開始依次至少具有第三保護層、散熱層、第四保護層、第二記錄層及第五保護層，并根據(jù)需要還可具有其它層。在此，圖1是將表示本發(fā)明的光記錄媒體的一例的層結構剖面模式地圖示的圖。該光記錄媒體具有基板1/反射層2/第一界面層14/第一保護層3/第一記錄層4/第二保護層5/中間層6/第三保護層7/散熱層8/第四保護層9/第二記錄層10/第五保護層11/覆蓋基板13的結構。并且在散熱層8與第四保護層9之間也可以設置第二界面層(無圖示)。-基板-作為所述基板1的材料，能夠使用例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚烯樹脂等的透明樹脂或者透明玻璃。在它們中，聚碳酸酯樹脂最廣泛地用于CD，而且便宜，所以是最優(yōu)選的材料。在所述基板1上通常設置引導記錄再生光的間距0.8μm以下的槽，但該槽不一定必須是幾何學的矩形或梯形狀的槽，也可以通過利用例如離子注入等形成折射率不同的波導管那樣的結構而形成光學的槽。在使用高NA的物鏡的情況下，優(yōu)選地覆蓋基板13為0.3mm以下的片狀的厚度，更優(yōu)選為0.06～0.20mm。只要NA是0.6～0.65左右，則使用厚度是0.6mm的基板。-第一記錄層-作為對第一記錄層所使用的優(yōu)選的相變化記錄材料，可以舉出以Sb及Te為主要成分的合金，優(yōu)選地Sb70Te30的含量在60mol％以上，更優(yōu)選為60～90mol％。通過使所述含量為60mol％以上，使O/W特性迅速變好，當超過90mol％時，則O/W特性再次變差。在這些材料中，優(yōu)選以Sb、Te、Ge為構成元素的材料。在由這樣的構成元素構成的第一記錄層，根據(jù)需要也可以將其它元素添加到總計10原子％左右。此外，通過在第一記錄層上進而添加0.1～5原子％的從O、N、S中選擇的至少一種元素，能夠微調(diào)第一記錄層的光學常數(shù)。但是，當添加超過5原子％時，由于會使結晶化速度降低而使擦除性能變差，因此是不優(yōu)選的。此外，為了不降低O/W時的結晶化速度而提高時效穩(wěn)定性，優(yōu)選地添加8原子％以下的從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中選擇的至少一種元素，更優(yōu)選地添加量是0.1～5原子％。優(yōu)選地對于SbTe的這些元素和Ge的總計添加量是15原子％以下。當超過15原子％時，就會引起Sb以外成分的相分離。特別是添加效果大的是Ge含量為3～5原子％的情況。-第二記錄層-作為在所述第二記錄層所使用的優(yōu)選的相變化記錄材料，可以列舉出以Ge及Te為主要成分的合金，優(yōu)選地Ge50Te50的含量在40mol％以上，更優(yōu)選為40～90mol％。通過使所述含量為40mol％以上，即使在透過率高的層O/W也變得良好。此外，當超過90mol％時，O/W特性變差。在這些材料中，僅由Ge、Te構成的材料是優(yōu)選的。對由這樣的構成元素構成的第二記錄層，根據(jù)需要也可以將其它元素添加到總計10原子％左右。此外，通過在記錄層進而添加0.1～5原子％的從N、O、S中選擇的至少一種元素，能夠微調(diào)第二記錄層的光學常數(shù)。但是，當添加超過5原子％時，會使記錄、擦除性能夠變差，因此是不優(yōu)選的。此外，為了不降低O/W時的結晶化速度而提高時效穩(wěn)定性，優(yōu)選地添加20原子％以下的從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中選擇的至少一種元素，更優(yōu)選地添加量是2～15原子％。當比15原子％多時，則引起Ge原子或Te原子的相分離。進而，作為在第一及第二記錄層添加的材料，為了時效穩(wěn)定性的提高和折射率的微調(diào)，優(yōu)選地添加5原子％以下的從Si、Sn及Pb中選擇的至少一種元素。優(yōu)選地這些元素和Ge的總計添加量為15原子％以下。另外，Si、Sn、Pb與Ge相同，是具有4配位網(wǎng)狀結構的元素。此外，通過添加15原子％以下的從Al、Ga及In中選擇的至少一種元素，使結晶化溫度上升，同時能夠減少跳動，改善記錄靈敏度，但由于偏析也容易產(chǎn)生，所以優(yōu)選為10原子％以下。此外，當以8原子％以下的量添加Ag時，在改善記錄靈敏度上有效果，特別是當用于Ge的添加量超過5原子％的情況下效果顯著。但是，當Ag的添加量超過8原子％時，由于會使跳動增加或破壞非晶質(zhì)標記的穩(wěn)定性，所以是不優(yōu)選的。此外，Ag和Ge的總計添加量超過15原子％就容易產(chǎn)生偏析，所以是不優(yōu)選的。作為Ag的含量特別優(yōu)選的是5原子％以下。優(yōu)選地第一及第二記錄層的厚度為5～100nm的范圍。如果比5nm薄就難以得到充分的對比度，還有結晶化速度變慢的傾向，在短時間內(nèi)的擦除易變得困難。另一方面，如果超過100nm同樣難以得到光學的對比度，還容易產(chǎn)生裂紋。作為對比度需要具有與DVD等再生專用盤的互換性。此外，在最短標記長度為0.5μm以下的高密度記錄的情況下，優(yōu)選地第一及第二記錄層的厚度為5～25nm。不足5nm則反射率會變得過低，還易出現(xiàn)膜生長初期不均勻的組成、稀疏的膜的影響，因此是不優(yōu)選的。另一方面，如果比25nm厚，除了熱容量變大記錄靈敏度變差外，由于結晶生長變成3維，所以存在非晶質(zhì)標記的邊緣混亂、跳動增高的傾向。并且，由第一及第二記錄層的相變化引起的體積變化變得顯著，重復蓋寫(O/W)耐久性變差，所以是不優(yōu)選的。從標記端的跳動及重復蓋寫(O/W)的耐久性觀點出發(fā)，更優(yōu)選為20nm以下。優(yōu)選地第一及第二記錄層的密度是體密度的80％以上，更優(yōu)選為90％以上。在濺射成膜法中要想使密度大，就要降低成膜時的濺射氣體(Ar等稀有氣體)的壓力或使基板接近于靶的正面配置等，需要使照射在記錄層上的高能量的Ar量增多。高能量的Ar是為了濺射而照射在靶上的Ar離子一部分被彈回而到達基板側(cè)的Ar、或者等離子體中的Ar離子被基板全面的表皮電壓加速而到達基板的Ar中的任意一種。將這樣的高能量的稀有氣體的照射效果稱為“原子噴砂(atomicpeening)效果”。通常所使用的Ar氣體中的濺射，由“原子噴砂效果”使Ar被混入濺射膜中。根據(jù)該混入的膜中的Ar量能夠估量“原子噴砂效果”。即，如果Ar的量少，則意味著高能量Ar的照射效果小，易形成密度稀疏的膜。另一方面，如果Ar的量過多，則高能量的Ar的照射強烈，雖然密度變高，但進入膜中的Ar在重復O/W時被釋放，產(chǎn)生空隙(void)，使重復耐久性劣化。記錄層膜中的適當?shù)腁r量是0.1～1.5原子％。并且，由于與直流濺射相比，使用高頻濺射時能夠減少膜中的Ar量而得到高密度膜，所以是優(yōu)選的。此外，第一及第二記錄層成膜后的狀態(tài)通常是非晶質(zhì)。因此，成膜后，需要使各記錄層全面結晶化而作為被初始化的狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。作為初始化方法，也可以是由固相的退火進行的初始化，但是，優(yōu)選的是在暫且使記錄層熔化并再凝固時漸漸冷卻使其結晶化的所謂由熔化再結晶化而進行的初始化。雖然上述各記錄層在成膜之后結晶生長的核幾乎沒有，固相的結晶化困難，但按照熔化再結晶化，通過在形成少數(shù)的結晶核的情況下熔化，使結晶生長變?yōu)橹黧w，再結晶化以高速進行。因為由所述熔化再結晶化而形成的結晶與由固相的退火而形成的結晶反射率不同，所以如果混雜就成為噪聲的原因。而且，在實際的O/W記錄時，由于擦除部成為由熔化再結晶化而形成的結晶，所以優(yōu)選地初始化也利用熔化再結晶化進行。在利用熔化再結晶化進行初始化時，記錄層的熔化最好是局部的且在1毫秒程度以下的短時間內(nèi)進行。其理由是，當熔化區(qū)域擴展、熔化時間或者冷卻時間過長時，由于熱會使各層被破壞或者使可塑性基板表面變形。為了給與適于初始化的熱過程，優(yōu)選地將波長600～1000nm左右的高輸出半導體激光聚焦成長軸為100～300μm、短軸為1～3μm的橢圓形而進行照射，并以短軸方向作為掃描軸以1～10m/s的線速度進行掃描。即使相同的聚焦光，如果接近圓形則熔化區(qū)域也會過大，容易再引起非晶質(zhì)化，此外對多層結構的各層及基板的損害大，是不優(yōu)選的。對于初始化由熔化再結晶化進行可如下地進行確認。即，在初始化后的光記錄媒體上，直流地以一定線速度照射被聚焦成直徑約比1.5μm小的點徑的足夠熔化記錄層的記錄功率Pw的記錄光。在有引導槽的情況下，對該槽或者由槽間形成的軌道在施加跟蹤伺服及對焦伺服狀態(tài)下進行。然后，如果在相同軌道上直流照射擦除功率Pe(≤Pw)的擦除光而得到的擦除狀態(tài)的反射率，與未記錄的初始狀態(tài)的反射率幾乎完全相同，則能夠確認該初始化狀態(tài)是熔化再結晶狀態(tài)。其原因是，由于記錄光照射使記錄層暫且被熔化，而用擦除光照射其而形成的完全再結晶化的狀態(tài)，是已經(jīng)過了由記錄光進行的熔化和由擦除光進行的再結晶化的過程而被熔化再結晶化的狀態(tài)。另外，所謂初始化狀態(tài)的反射率Rini與熔化再結晶化狀態(tài)Rcry的反射率大致相同，是指用(Rini-Rcry)/{(Rini+Rcry)/2}定義的兩者的反射率差是0.2以下(即20％以下)。通常，只有退火等的固相結晶化其反射率差比20％大。-第一、第二、第四、以及第五保護層-如圖1所示，第一記錄層以夾在第一保護層和第二保護層之間的狀態(tài)設置，第二記錄層以夾在第四保護層和第五保護層之間的狀態(tài)設置。以下針對夾著這些記錄層的第一、第二、第四及第五保護層進行說明。第一保護層同時具有向反射層有效率地散熱的功能。此外，第二保護層主要對防止由于記錄時的高溫而使中間層的表面變形是有效的。第四保護層同時具有向散熱層、第三保護層散熱的功能以及防止第二記錄層與散熱層的相互擴散的功能。此外，第五保護層對防止由于反射率的調(diào)整和記錄時的高溫而引起的覆蓋基板的變形是有效的。第一、第二、第四、以及第五保護層的材料，考慮折射率、導熱率、化學穩(wěn)定性、機械強度、密接性等來決定。作為材料期望導熱特性低，但其指標是1×10-3PJ/(μm·N·nsec)。另外，直接測定這樣的低導熱率材料的薄膜狀態(tài)的導熱率是困難的，可以代替直接測定而從熱模擬和實際的記錄靈敏度的測定結果得到指標。作為所述低導熱率材料，可以列舉出含有50～90mol％的例如ZnS、ZnO、TaS2、稀土類硫化物中至少一種的包含透明性高且熔點或分解點在1000℃以上的耐熱性化合物的復合電介質(zhì)。作為所述稀土類硫化物，可列舉出含有La、Ce、Nd、Y等稀土類硫化物60～90mol％的復合電介質(zhì)。在這些材料中，特別優(yōu)選使ZnS、ZnO、TaS2或稀土類硫化物的比例為70～90mol％的材料。作為所述熔點或分解點為1000℃以上的耐熱化合物，可列舉出例如Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Si、Ge、Pb等的氧化物、氮化物或者碳化物、以及Ca、Mg、Li等的氟化物等。并且，所述氧化物、硫化物、氮化物、碳化物、氟化物不一定必須采用化學量綱的組成，為了折射率等的控制改變組成或混合使用也有效。作為第一、第二、第四、及第五保護層材料，考慮所述注意點及與第一、第二記錄層的材料的匹配性，ZnS和SiO2的混合物是最優(yōu)選的，從制造成本降低方面考慮各保護層采用相同的材料有利。本發(fā)明的光記錄媒體的層結構屬于被叫做速冷結構的層結構的一種。速冷結構是通過采用促進散熱提高記錄層再凝固時的冷卻速度的層結構，在避免非晶質(zhì)標記形成時的再結晶化問題的同時，實現(xiàn)了由高速結晶化產(chǎn)生的高擦除比。第一及第四保護層的膜厚對重復蓋寫(O/W)的耐久性有很大影響，尤其在抑制跳動變差上重要。膜厚一般是5～30nm。不足5nm，則在所述保護層部的導熱的延遲效果不充分，記錄靈敏度顯著下降，是不優(yōu)選的。膜厚比30nm厚，則除了不能夠得到標記寬度方向的溫度分布充分的平坦化效果外，還使記錄時第二及第五保護層的各自的記錄層側(cè)與反射層或散熱層側(cè)的溫度差變大，由于保護層兩側(cè)的熱膨脹差容易引起保護層自身非對稱地變形。這種重復使微觀的塑性變形在保護層內(nèi)部積累，導致噪聲增加，因此是不優(yōu)選的。所述第一及第四保護層的膜厚在記錄激光的波長是600～700nm時優(yōu)選為1～25nm，在波長是350～600nm時優(yōu)選為3～20nm，更優(yōu)選為3～15nm。此外，所述第二及第五保護層的膜厚，優(yōu)選為30～150nm，從O/W特性方面考慮更優(yōu)選為40～130nm。所述膜厚比30nm薄，則由于記錄層熔化時的變形等容易被破壞，O/W特性變差。此外，超過150nm，則反射率的變化易變大，難以均勻地記錄。當使用所述相變化記錄材料時，在最短標記長度為0.3μm以下的高密度記錄中，能夠?qū)崿F(xiàn)低跳動，但在為了實現(xiàn)高密度記錄而使用短波長的激光二極管(例如，波長410nm以下)的情況下，還需要進一步注意所述速冷結構的層結構。尤其在使用波長是500nm以下、數(shù)值孔徑NA是0.55以上的小聚焦光束的1束蓋寫(O/W)特性的研究上，為了寬地取得高擦除比及擦除功率的余量，使標記寬度方向的溫度分布平坦化是重要的。所述傾向，即使在使用波長350～420nm、NA＝0.85前后的光學系統(tǒng)的DVR對應的光學系統(tǒng)上也同樣。因此，為了具有光透過性并且也具有散熱性且成為高記錄靈敏度，如果散熱層使用Au，去除第二屆面層，且使散熱層的厚度小于10nm而在2nm以上，可以進行使兩層記錄層的靈敏度一致的設計。在使用所述的光學系統(tǒng)的高密度標記長度調(diào)制記錄中，特別在第一及第四保護層使用導熱性低的材料，優(yōu)選的使其膜厚為3～20nm是重要的。因此，設置在第一保護層上的第一界面層需要是高導熱率，利用這種結構，在高速記錄時熱不會迅速釋放，且熱傳遞到反射層，從而能夠進行高速記錄。此外，到達第一記錄結構層的光由于是透過第二記錄結構層而來的透過光，所以入射光量在第二記錄結構層的入射光量的一半以下，因此，期望增加第二記錄結構層的入射光或提高第一記錄層的靈敏度。在本發(fā)明中，在入射光少的第一記錄結構層，用導熱率低的層夾著第一記錄層來提高記錄靈敏度，并且通過使第一保護層的膜厚減薄為3～20nm而易于吸收熱，從而能夠提高記錄靈敏度。在所述層結構中，在只考慮導熱性的情況下，雖然提高第一保護層或第四保護層的導熱系數(shù)可促進散熱效果，但過多地促進散熱，就要產(chǎn)生記錄需要的照射功率變高，記錄靈敏度顯著下降這樣的問題，所以需要將導熱率限制得低。并且，由于通過使用低導熱率的薄膜保護層，在記錄功率照射開始時的數(shù)nsec～數(shù)十nsec(毫微秒)內(nèi)，對從記錄層向反射層或散熱層的導熱給與時間延遲，之后能夠促進向反射層或散熱層的散熱，所以不會由于保護層的導熱特性而使記錄靈密度降低到所需要以上的水平。由于這樣的原因，現(xiàn)有所知道的以SiO2、Ta2O5、Al2O3、AlN、SiN等為主要成分的保護層材料，由于其自身的導熱率過高而不優(yōu)選以單體進行使用。-第三保護層-作為第三保護層優(yōu)選的材料，可列舉出將在波長380～420nm的光透過率提高到70％以上的ITO(In2O3和SnO的混合類組成)、IZO(In2O3和ZnO的混合組成)等。由于這些材料導熱率高，所以在第二記錄層記錄時產(chǎn)生的熱經(jīng)由散熱層由第三保護層散熱。由此，由以需要急劇冷卻的SbTe為主要成分的相變化材料構成的記錄層變成最佳的速冷狀態(tài)，從而能夠形成小的非結晶標記。第三保護層如果考慮散熱效果期望越厚越好，但如果比200nm厚，則應力就會變大而出現(xiàn)裂紋。此外，小于20nm，則散熱效果小。因此，優(yōu)選地第三保護層的膜厚為20～200nm，更優(yōu)選為30～160nm。-第一及第二界面層-針對滿足本發(fā)明的層結構并具有由4nm厚的(TiC)80(TiO2)20構成的第一界面層、第二界面層的相變化型光記錄媒體(與實施例1相同的結構)和除了不具有第一、第二界面層的任何一個這一點以外具有完全相同的層結構的相變化型光記錄媒體，比較了第一記錄層的記錄靈敏度特性(80℃、85％RH下保存時的存檔特性)，結果如下表1中所示。其中，記錄再生條件是，記錄再生光波長405nm，物鏡的NA＝0.85，記錄線速度6.0m/s，記錄線密度0.160μm/bit，記錄功率9.0mW(跳動最小的功率)，再生功率0.5mW，將記錄模式設為1-7調(diào)制記錄了隨機信號。另外，跳動是σ/Tw(窗口寬度)。表1.存檔特性(80℃、85％RH)從表1的結果知道，在不具有第一界面層、第二界面層的情況下，存檔特性變差。此外，當作為第一及第二界面層的材料使用(TiC)80(TiO2)20、(ZrC)80(ZrO2)20、(SiC)80(SiO2)20、(CrC)80(CrO2)20中的任意一種時，由于這些這些材料穩(wěn)定，且材料中的氧量是10重量％以下的少量，所以即使在反射層或散熱層使用Ag或Al等也幾乎看不到氧化引起的變化。對將上述材料和由Ag構成的反射層及散熱層組合的光記錄媒體的存檔保存性(在80℃、85％RH下保存200小時)進行了核查，結果，記錄的標記的跳動無變化，顯示了良好的特性。通過將第一及第二界面層的膜厚薄地形成為2～15nm，優(yōu)選為3～10nm左右，能夠易于向反射層散熱。在保護層含有S而反射層包含Ag的情況下，由于Ag容易被硫化，所以為了抑制其反應，至少需要2nm。此外，如果過厚，由于熱容易蓄積，無法記錄小標記，所以在藍色波長下優(yōu)選為15nm以下。但是，第二記錄結構層的散熱性，如所述那樣只是第三保護層的散熱性是不充分的，在由相變化材料構成的記錄層中，由于利用最初的速冷而形成非結晶標記，所以為了改善散熱性，利用將第三保護層和散熱層組合的結構能夠改善高密度記錄特性、O/W特性、保存性。-反射層-通過反射層使用導熱率格外高的材料，能夠改善擦除比及擦除功率余量。研究的結果發(fā)現(xiàn)，要想在寬的擦除功率范圍內(nèi)發(fā)揮本發(fā)明的記錄層持有的良好的擦除特性，優(yōu)選地使用不只是膜厚方向的溫度分布及時間變化，而且膜面方向(相對記錄光束掃描方向垂直的方向)的溫度分布也盡可能的平坦化的層結構。因此，在本發(fā)明中，優(yōu)選地使用非常高的導熱率、300nm以下的薄反射層來促進橫向的散熱效果。此外，通常薄膜的導熱率與體狀態(tài)的導熱率相比較小。尤其是膜厚不足40nm的薄膜，由于生長初期的島狀結構的影響有導熱率減小1位數(shù)以上的情況，是不優(yōu)選的。并且，由于根據(jù)成膜條件而結晶性或雜質(zhì)量不同，所以即使打算制成相同組成的膜導熱率也有不同，這是需要考慮的。雖然使反射層的厚度加厚也能夠促進第一記錄結構層的反射層的散熱，但當厚度超過300nm時，比起第一記錄層的膜面方向，膜厚方向的導熱變得顯著，不能夠達到改善膜面方向的溫度分布的效果。此外，反射層自身的熱容量增大，不僅反射層，而且第一記錄層的冷卻也需要時間，阻礙了非晶質(zhì)標記的形成。最優(yōu)選的是設置薄的高導熱率的反射層而有選擇地促進向橫向的散熱?，F(xiàn)有被使用的速冷結構，只注重膜厚方向的1維的熱釋放，只期望從第一記錄層向反射層快速散熱，但并沒有充分注意該平面方向的溫度分布的平坦化。作為所述反射層的材料，可列舉出Au及Au合金、Ag及Ag合金、Cu及Cu合金、Al及Al合金等。作為Ag合金，優(yōu)選含有Ag90原子％以上。作為添加元素可列舉出Cu、Pt、Pd等。在使用Ag或Ag合金作為反射層的情況下，優(yōu)選的膜厚是30～200nm。如果不足30nm，即使純Ag其散熱效果也不充分。當超過200nm時，比起水平方向熱向垂直方向釋放，無益于水平方向的熱分布改善，而且不需要的厚膜會使生產(chǎn)性下降。此外，膜表面的微觀的平坦性也變差。作為Al合金，可列舉出添加了從例如Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo及Mn中選擇的至少一種元素0.2～2原子％的合金，這些合金體積電阻率與添加元素的濃度成比例地增加，此外，由于改善了耐突起性，所以可考慮耐久性、體積電阻率、成膜速度等來使用。添加元素量不足0.2原子％時，雖然也按照成膜條件形成，但耐突起性(耐ヒロツク性)不充分的情況多。此外，如果比2原子％多，則難以得到所述的低電阻率。在更重視時效穩(wěn)定性的情況下，優(yōu)選將Ta作為添加元素。并且，含有Cu0.3～5.0原子％的Al-Cu類合金也是優(yōu)選的。尤其在層疊ZnS和SiO2的混合類組成的膜和Ta2O5膜的兩層結構的保護層的情況下，由于含有Cu0.5～4.0原子％的Al-Cu類合金均衡良好地滿足耐蝕性、密接性、高導熱率的全部特性，所以是優(yōu)選的。此外，含有Si0.3～0.8原子％、含有Mg0.3～1.2原子％的Al-Mg-Si類合金也是優(yōu)選的。在使用上述Al合金作為反射層的情況下，優(yōu)選的膜厚是150～300nm。不足150nm，則即使是純Al散熱效果也不充分，如果超過300nm，則與Ag合金的情況相同，比起水平方向熱向垂直方向釋放，無益于水平方向的熱分布的改善，由于反射層自身的熱容量變大，所以使記錄層的冷卻速度變慢。此外，膜表面的微觀的平坦性變差。確認了在反射層使用的Ag合金或Al合金其體積電阻率與其添加元素的濃度成比例地增加。另一方面，雜質(zhì)的添加通常減小結晶粒徑，使晶界的電子散亂增加，使導熱率下降。添加雜質(zhì)的量的調(diào)節(jié)，對于通過增大結晶粒徑而得到材料本來的高導熱率是需要的。本發(fā)明的第二記錄層在結晶化溫度(Tm)附近的再凝固時的結晶生長成為再結晶化的速率。使Tm附近的冷卻速度增大到極限，可靠且清楚地形成非晶質(zhì)標記及其邊緣，超速冷結構是有效的，并且，膜面方向的溫度分布的平坦化原來在Tm附近可以高速擦除，從而直到更高的擦除功率能夠可靠地確保由再結晶化進行的擦除。因此，當將所謂的“考慮了第三保護層的導熱延遲效果的超速冷結構”應用于本發(fā)明的第二記錄結構層上時，即使是使用半透明的相變化材料的結構，也能夠非結晶化良好地形成記錄標記。-散熱層-在本發(fā)明中，為了這樣的超速冷而設置散熱層。在散熱層形成時，需要使成膜時的沉積速率比反射層的情況慢而消除膜厚不均勻性。優(yōu)選地其膜厚在2nm以上而小于10nm，如果小于2nm，則即使沉積速率減慢也會形成不均勻。如果不小于10nm，則由于第二記錄結構層的透過率不會增高，所以光不能夠到達第一記錄層。優(yōu)選地第二記錄結構層的透過率在40％以上。作為散熱層的材料，為了形成上述超速冷結構，優(yōu)選Au及Au合金、Ag及Ag合金、Cu及Cu合金。Au在膜厚200nm的反射率為37％左右，比膜厚200nm的反射率為88％的Ag低，但由于吸收與Ag相同，所以在厚度薄的2nm以上而小于10nm的膜厚時，可使透過率變高，可以作為第二記錄結構層的半透明層。對Ag或Ag合金，與所述反射層的情況相同，優(yōu)選的膜厚也由于相同的原因是30～200nm。在使用上述Al合金作為反射層的情況下，優(yōu)選的膜厚是150～300nm。如果小于150nm，則即使是純Al散熱效果也不充分。此外，如果超過300nm，則比起水平方向熱向垂直方向釋放，無益于水平方向的熱分布的改善，使反射散熱層自身的熱容量增大，因此使記錄層的冷卻速度變慢。此外，膜表面的微觀的平坦性也變差。在使用Cu或Cu合金的情況下，通過在鄰接層盡量消除硫(S)及氧(O)而作為散熱層，在紅色波長下厚度薄的2nm以上而小于10nm的膜厚時，能夠使透過率變高，由于金屬也是導熱率高的材料，所以優(yōu)選地作為第二記錄結構層的半透明層。所述反射層及散熱層通常用濺射法或真空蒸鍍法形成，但需要使合并了靶、蒸鍍材料本身的雜質(zhì)量以及成膜時混入的水分及氧量的所有雜質(zhì)量為2原子％以下。因此，優(yōu)選地使處理室的達到真空度為1×10-3Pa以下。此外，當以比10-4差的達到真空度進行成膜時，使成膜速率為1nm/秒以上，優(yōu)選為10nm/秒以上以防止雜質(zhì)進入?；蛘撸诤斜?原子％多的有意添加的元素的情況下，優(yōu)選地使成膜速率為10nm/秒以上而極力地防止附加雜質(zhì)的混入。也存在成膜條件與雜質(zhì)量無關地對結晶粒徑產(chǎn)生影響的情況。例如，在Al中混入了2原子％左右的Ta的合金膜，在結晶粒間混雜的非晶質(zhì)相，但結晶相和非晶質(zhì)相的比例依賴于成膜條件。此外，在低壓下濺射的結晶部分的比例增加，體積電阻率下降，導熱率增加。膜中雜質(zhì)的組成或結晶性也依賴于濺射所使用的合金靶的制法或濺射氣體(Ar、Ne、Xe等)。這樣，薄膜狀態(tài)的體積電阻率僅由金屬材料的組成無法決定。雖然優(yōu)選地為了得到高導熱率而如上述那樣減少雜質(zhì)量，但在另一方面，由于Ag或Al的純金屬具有耐蝕性或耐突起性差的傾向，所以需要考慮兩者的平衡決定最佳組成。為了得到更高的導熱性和高可靠性而使反射層多層化也是有效的。在這種情況下，至少1層如下地構成，既，其具有所有層總膜厚的50％以上的膜厚，并由實際作用于散熱效果的所述高導熱性材料(低體積電阻率材料)構成，從而有助于其它層的耐蝕性、與保護層的密接性、耐突起性的改善。作為具體例子，在使用金屬中最高導熱率及低體積電阻率的Ag的情況下，當在與Ag鄰接的保護層中包含S時，易引起Ag的硫化而導致的腐蝕，具有重復蓋寫(O/W)情況的劣化略快的傾向。因此，在使用Ag或者Ag合金作為低體積電阻率材料時，在與鄰接保護層之間作為界面層設置厚度為1～100nm的Al合金層也有效。作為Al合金可以使用與對反射層所說明的相同的材料。如果界面層的厚度小于1nm，則保護效果不充分，如果超過100nm，則會犧牲散熱效果。此外，如果使厚度為5nm以上，則層不會成為島狀結構而容易均勻地形成。而且，在使用Ag合金散熱層和Al合金界面層時，由于Ag和Al是比較容易相互擴散的組合，所以使Al合金表面氧化1nm以上的厚度而設置界面氧化層是更優(yōu)選的。另外，當界面氧化層的厚度超過5nm，尤其超過10nm時，其變成熱阻，破壞了本來的作為散熱性極高的散熱層的功能，所以是不優(yōu)選的。在本發(fā)明中，為了選擇顯示良好特性的高導熱率的反射層及散熱層，也可以直接測定各自的導熱率，但可以利用電阻來估計導熱的好壞。原因是在如金屬膜那樣主要由電子來導熱或?qū)щ姷牟牧现?，導熱率和導電率之間有良好的比例關系。薄膜的電阻用在其膜厚及測定域的面積上規(guī)格化的電阻率值表示。體積電阻率和面電阻率能夠用通常的四探針法進行測定，由JISN7194規(guī)定。根據(jù)本方法，比實測薄膜的導熱率本身簡便得多，而且能夠得到再現(xiàn)性好的數(shù)據(jù)。作為優(yōu)選的反射層及散熱層的特性，優(yōu)選體積電阻率為20～150nΩ·m，更優(yōu)選為20～100nΩ·m。在薄膜狀態(tài)，實際上難達到小于20nΩ·m。此外，即使在體積電阻率比150nΩ·m大的情況，例如超過300nm的厚膜也能夠降低面電阻率，但在這樣高體積電阻率材料中只降低面電阻率不能夠得到充分的散熱效果?？梢钥紤]到厚膜每單位面積的熱容量會增大。此外，這樣的厚膜由于成膜需要時間材料費也增加，所以從制造成本的觀點出發(fā)不僅是不優(yōu)選的，而且膜表面的微觀平坦性也變差。所述反射層及散熱層的多層化，對于通過將高體積電阻率材料和低體積電阻率材料組合而用所期望的膜厚得到所期望的面電阻率也是有效的。雖然利用合金化進行的體積電阻率的調(diào)節(jié)，由于使用合金靶而能夠簡化濺射工序，但也成為使靶的制造成本而且使媒體的原材料比上升的主要原因。因此，使純Al、純Ag或純Au的薄膜和上述添加元素本身的薄膜多層化，得到所期望的體積電阻率也是有效的。如果層數(shù)到3層左右，雖然初期的裝置成本增加，但反之能夠抑制媒體成本。優(yōu)選地使反射層為由多層金屬膜形成的總膜厚是40～300nm的多層結構，總膜厚的50％以上為體積電阻率是20～150nΩ·m的金屬薄膜層(可以是多層)。下面，如圖1所示，在設置薄的覆蓋基板的結構中，在使用高NA的物鏡的情況下，優(yōu)選覆蓋基板的厚度為0.3mm以下，更優(yōu)選為0.06～0.20mm。NA是0.50～0.70，使用厚度是0.6mm的覆蓋基板。作為所述覆蓋基板的材料，可列舉出聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚硅氧烷類樹脂、氟類樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等，但優(yōu)選在光學特性、成本方面優(yōu)良的聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂。作為使用由這些材料構成的透明片形成薄型覆蓋基板的方法，可列舉出通過紫外線固化樹脂或透明的雙面粘合片粘貼透明片的方法。此外，也可以在保護層上涂覆紫外線固化樹脂并使其固化而形成薄型覆蓋基板。雖然在中間層或粘接層上也能夠使用上述的樹脂，但由于紫外線固化樹脂在成本方面優(yōu)良，所以是優(yōu)選的。中間層的厚度，在NA是0.6～0.65左右、藍色(405nm)LD的情況下，優(yōu)選為能夠減少來自各層的信號的干擾的20～50μm，更優(yōu)選為30～40μm。按照本發(fā)明能夠提供如下的光記錄媒體，其是即使相對于藍色激光等短波長的低輸出光，記錄靈敏度也高、不產(chǎn)生跳動等噪聲、O/W特性優(yōu)良、存檔特性也良好、容易進行對焦和跟蹤、能夠與ROM互換并且能夠高密度記錄的相變化型的光記錄媒體。(光記錄媒體的記錄再生方法)本發(fā)明的光記錄媒體的記錄再生方法，其對于所述本發(fā)明的兩層結構的光記錄媒體的各信息層，從覆蓋基板側(cè)入射光束而進行信息的記錄及再生。具體地說，一邊使光記錄媒體以規(guī)定的線速度或者規(guī)定的定角速度旋轉(zhuǎn)，一邊從覆蓋基板側(cè)通過物鏡照射半導體激光(例如波長350～700nm的振蕩波長)等的記錄用的光。利用該照射光，使第一及第二記錄層吸收該光而局部溫度上升，形成例如非晶質(zhì)標記而記錄信息。如上述那樣被記錄的信息的再生，可通過一邊使光記錄媒體以規(guī)定的定線速度旋轉(zhuǎn)一邊從基板側(cè)照射激光并檢測出其反射光來進行。(光記錄再生裝置)本發(fā)明的光記錄再生裝置，其對光記錄媒體從光源照射激光，在該光記錄媒體上進行記錄及再生信息中的至少一種，并且作為所述光記錄媒體使用本發(fā)明的所述光記錄媒體。所述光記錄再生裝置并沒有特別限定，能夠根據(jù)目的適當選擇，例如，具有射出激光的半導體激光器等的作為光源的激光光源、將從激光光源射出的激光聚焦在被安裝于轉(zhuǎn)軸上的光記錄媒體上的聚焦透鏡、將從激光光源射出的激光導向聚焦透鏡和激光檢測器的光學元件、檢測激光的反射光的激光檢測器，進而根據(jù)需要還可具有其它機構。所述光記錄再生裝置將從激光光源射出的激光利用光學元件導向聚焦透鏡，并由該聚焦透鏡將激光聚焦照射在光記錄媒體上而在光記錄媒體上進行記錄。此時，光記錄再生裝置將激光的反射光導向激光檢測器，并根據(jù)激光檢測器的激光的檢測量來控制激光光源的光量。所述激光檢測器將檢測出的激光的檢測量變換成電壓或電流并作為檢測量信號輸出。作為所述其它機構，可列舉出控制機構等。作為所述控制機構并不局限于能夠控制所述各機構的動作，沒有特別的限定，能夠根據(jù)目的適當選擇，例如可以列舉出用于照射及掃描進行強度調(diào)制的激光的定序器(シ一ケンサ一)、計算機等的設備。以下利用實施例詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受下述實施例的任何限定。(實施例1)-光記錄媒體的制作-在聚碳酸酯樹脂基板21上依次形成反射層22(Ag97Cu1Pt1Pd1)、第一界面層34[(TiC)80(TiO2)20]、第一保護層23(ZnS·SiO2)、第一記錄層24(Ag5In5Sb65Te25)、第二保護層25(ZnS·SiO2)、中間層26(UV固化樹脂、三菱マテリアル株式會社製、SD318)、第三保護層27(IZO)、散熱層28(Ag97Cu1Pt1Pd1)、第二界面層35[(TiC)80(TiO2)20]、第四保護層29(ZnS·SiO2)、第二記錄層30(Ge43Te43Sn12N2)、第五保護層31(ZnS·SiO2)及覆蓋基板33(聚碳酸酯樹脂)，制作圖2所示的層結構的光記錄媒體。另外，各層的厚度如下述，中間層26用旋涂法形成，覆蓋基板33通過透明的粘合片(帝人株式會社製75μm厚的聚碳酸酯片(ポリカシ一ト))粘貼，其它層利用濺射法邊控制厚度邊形成?；?1的厚度0.6mm，反射層22的厚度100nm，第一界面層34的厚度2nm，第一保護層23的厚度10nm，第一記錄層24的厚度14nm，第二保護層25的厚度60nm，中間層26的厚度35μm，第三保護層27的厚度30nm，散熱層28的厚度5nm，第四保護層29的厚度8nm，第二記錄層30的厚度12nm，第五保護層31的厚度130nm，覆蓋基板33的厚度0.6mm。此外，基板1的槽深度d1＝35nm，覆蓋基板的槽深度d2＝30nm。(實施例2)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將第一界面層的材質(zhì)改變?yōu)?ZrC)80(ZrO2)20，將第三保護層的材質(zhì)改變?yōu)镮TO，去除了第二界面層并將散熱層改變?yōu)楹穸?nm的Au之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例3)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將第一界面層改變?yōu)?SiC)80(SiO2)20，將第二界面層的材質(zhì)改變?yōu)?CrC)80(CrO2)20，將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝75nm、d2＝90nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例4)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將第一界面層、第二界面層的材質(zhì)改變?yōu)?SiC)80(SiO2)20，將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝160nm、d2＝150nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例5)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝230nm、d2＝220nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例6)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了沒設置第一界面層之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例7)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了沒設置第二界面層之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(實施例8)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝100nm、d2＝35nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(比較例1)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了去除第一界面層，將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝60nm、d2＝50nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(比較例2)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了將基板及覆蓋基板的槽深度改變?yōu)閐1＝100nm、d2＝40nm之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。(參考例1)-光記錄媒體的制作-在實施例1中，除了沒有設置第三保護層和第一及第二界面層之外，與實施例1相同，制作了光記錄媒體。對于所得到的實施例1～8及比較例1～2、參考例1的各光記錄媒體，表2表示了第一記錄結構層及第二記錄結構層的槽深度與推挽信號的比(將第二記錄結構層的信號大小設為1時的第一記錄結構層的信號大小)。另外，光學系統(tǒng)的波長設為402nm。此外，聚碳酸酯樹脂的折射率n約為1.53。表2.根據(jù)表2的結果，比較例1的第一記錄結構層的槽深度是60nm，但由于該值接近λ/(4n)＝402nm/4×1.53≈66nm，所以第二記錄結構層的推挽信號變小，變得難以進行跟蹤。此外，第二記錄結構層由于在第二記錄層有記錄的情況下和沒有記錄的情況下透過率都變化，所以如果第一記錄結構層的推挽信號的大小不是等于或大于第二記錄結構層，就難以穩(wěn)定。相反，當?shù)谝挥涗浗Y構層的推挽信號小時，使跟蹤變得不穩(wěn)定，兩層記錄容易變得不穩(wěn)定。表3-1、3-2集中表示實施例1～8及比較例1～2、參考例1的各光記錄媒體的各層的構成材料。表3-1.表3-2.(*)第一第一保護層23，第二第二保護層25，第四第四保護層29，第五第五保護層31(評價)對于上述實施例1～8及比較例1～2、參考例1的各光記錄媒體，使用波長402nm、數(shù)值孔徑NA0.65的光學系統(tǒng)照射聚焦光束，在線速度6.0m/s、0.160μm/bit的條件下，以下述基準評價初始跳動(Jitter)、記錄靈敏度(記錄功率，即表示跳動最小的功率)、存檔特性及O/W特性。結果表示在表4-1、4-2中。(存檔特性的評價基準)在80℃、85％(RH)的保存狀態(tài)下，跳動上升為20％以上的時間(H)。(O/W特性的評價基準)由于蓋寫(O/W)引起的跳動上升達到20％的蓋寫次數(shù)(次)。(記錄靈敏度(記錄功率)的評價基準)跳動最小的功率表4-1.第一記錄結構層表4-2.第二記錄結構層(*)由于對焦失敗無法記錄從表4-1、4-2的結果可以看出，實施例1～8的光記錄媒體與比較例1相比，顯示出優(yōu)良的記錄靈敏度、存檔特性、O/W特性。與此相對，比較例1的保存特性(存檔特性)非常差，記錄功率也高，靈敏度不好。此外，比較例2的記錄靈敏度及初始跳動差。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性。本發(fā)明的光記錄媒體能夠廣泛用于例如CD-RW、DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM、使用藍紫色激光器的Blu-rayDisk(藍光盤)系統(tǒng)等。權利要求1.一種光記錄媒體，其特征在于，其具有基板并在該基板上依次至少具有第一記錄結構層、中間層、第二記錄結構層及覆蓋基板，所述覆蓋基板的槽深度以所述第二記錄結構層的推挽信號為基準是所述第一記錄結構層的推挽信號的大小成為同等以上的深度。2.如權利要求1所述的光記錄媒體，其特征在于，在從覆蓋基板側(cè)入射光的情況下，基板的槽深度(d1)與覆蓋基板的槽深度(d2)滿足下式d1＞d2、0＜d1≤7λ/8n及0＜d2≤7λ/8n(其中，λ表示記錄再生波長，n表示基板的折射率，槽深度為λ/4n、λ/2n及3λ/4n的情況除外)。3.如權利要求1或2中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第一記錄結構層從基板側(cè)依次具有反射層、第一界面層、第一保護層、第一記錄層及第二保護層。4.如權利要求3所述的光記錄媒體，其特征在于，第一記錄層含有60mol％以上的Sb70Te30。5.如權利要求1到4中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第二記錄結構層從中間層側(cè)依次具有第三保護層、散熱層、第四保護層、第二記錄層及第五保護層。6.如權利要求5所述的光記錄媒體，其特征在于，第二記錄層含有40mol％以上的Ge50Te50。7.如權利要求3到6中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第一記錄層及第二記錄層含有0.1～5原子％的從O、N及S中選擇的至少一種元素。8.如權利要求3到7中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第一記錄層及第二記錄層含有從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中選擇的至少一種元素。9.如權利要求5到8中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，在散熱層和第四保護層之間具有第二界面層。10.如權利要求3到9中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第一保護層、第二保護層、第四保護層及第五保護層含有ZnS和SiO2的混合物。11.如權利要求5到10中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第三保護層含有ITO及IZO中的任意一種。12.如權利要求3到11中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，第一界面層及第二界面層中至少一個含有從TiC和TiO2的混合物、ZrC和ZrO2的混合物、SiC和SiO2的混合物及CrC和CrO2的混合物中選擇的至少一種。13.如權利要求3到12中任意一項所述的光記錄媒體，其特征在于，反射層及散熱層含有Au及Au合金、Ag及Ag合金、Cu及Cu合金中的任意一種。14.一種光記錄媒體的記錄再生方法，其特征在于，對于權利要求1到13中任意一項所述的光記錄媒體中的各記錄結構層，使光束從所述覆蓋基板側(cè)入射，進行信息的記錄及再生中的至少其中之一。15.一種光記錄再生裝置，其對光記錄媒體從光源照射激光而在該光記錄媒體上進行信息的記錄及再生中的至少其中之一，其特征在于，所述光記錄媒體是權利要求1到13中任意一項所述的光記錄媒體。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種光記錄媒體，其是即使相對于藍色激光等的短波長的低輸出光記錄靈敏度也高、不產(chǎn)生跳動等噪聲、O/W特性優(yōu)良、存檔特性也良好、容易進行對焦及跟蹤、并能夠與ROM互換的能夠高密度記錄的兩層相變化型的光記錄媒體。因此，提供的光記錄媒體，其具有基板并在該基板上依次至少具有第一記錄結構層、中間層、第二記錄結構層及覆蓋基板，該覆蓋基板的槽深度以所述第二記錄結構層的推挽信號為基準是所述第一記錄結構層的推挽信號的大小成為同等以上的深度。文檔編號G11B7/007GK1906666SQ20048004046公開日2007年1月31日申請日期2004年11月29日優(yōu)先權日2003年12月3日發(fā)明者篠塚道明,真貝勝,巖佐博之申請人:株式會社理光