專利名稱：以低速可擦除且以高速可記錄的相位改變介質(zhì)以及用于這種介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種相位改變光存儲(chǔ)介質(zhì)，一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變光存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備，以及一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變光存儲(chǔ)介質(zhì)的方法。
相位改變光存儲(chǔ)介質(zhì)具有一個(gè)由某種材料制成的層，該材料在初始時(shí)處于非結(jié)晶狀態(tài)且在制造過程期間改變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)。通過局部地將一個(gè)相位改變介質(zhì)加熱到某個(gè)溫度，數(shù)據(jù)被寫入該介質(zhì)，在該溫度它從結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榉墙Y(jié)晶狀態(tài)，從而創(chuàng)建了具有與周圍結(jié)晶區(qū)域不同的反射系數(shù)的非結(jié)晶標(biāo)記。
可以高速實(shí)現(xiàn)從結(jié)晶狀態(tài)到非結(jié)晶狀態(tài)的改變，這使得這種介質(zhì)受到那些需要高存儲(chǔ)密度和高記錄速度的應(yīng)用的青睞。
典型地，一種符合DVD+R標(biāo)準(zhǔn)的相位改變介質(zhì)可以一種高達(dá)16x的速度被寫入，這里x是介質(zhì)被讀取的速度，該速度被稱為參考速度(DVD+R是數(shù)字通用盤+R的縮寫，這里R代表可記錄的)。
背景技術(shù)：
如在EP專利0286406B1中所提到的，相位改變介質(zhì)在物理上是可重寫的，因?yàn)橥ㄟ^適當(dāng)?shù)募訜峥梢詫?shí)現(xiàn)非結(jié)晶標(biāo)記的再結(jié)晶。然而，如在EP專利0286406 B1中進(jìn)一步陳述的，使用常規(guī)的相位改變介質(zhì)不能以高速實(shí)現(xiàn)從非結(jié)晶狀態(tài)回到結(jié)晶狀態(tài)的改變。EP專利0286406 B1提出了一種相位改變介質(zhì)，其記錄層由一種新材料制成。借助這種新材料，既可以以高速實(shí)現(xiàn)記錄又可以以高速實(shí)現(xiàn)擦除。
EP專利0286406中所述類型的高速可重寫相位改變介質(zhì)針對(duì)需要高速擦除能力的應(yīng)用。
本發(fā)明的一個(gè)目的是為那些需要高速記錄能力但不需要真正的可重寫能力的應(yīng)用提出一種效能成本劃算的解決方案。
發(fā)明概要這是借助權(quán)利要求1到6中的任何一條所要求的一種設(shè)備，權(quán)利要求7中要求的介質(zhì)，以及權(quán)利要求8中所要求的方法實(shí)現(xiàn)的。
根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和方法用于驅(qū)動(dòng)一種相位改變介質(zhì)，該介質(zhì)具有一個(gè)由某種材料制成的層，該材料能夠局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變，所述材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)到所述結(jié)晶狀態(tài)的改變。
根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備包括-一個(gè)用戶接口，通過該接口用戶可以在多種操作模式中選擇一種操作模式，所述的多種操作模式包括一種寫模式，該模式用于通過局部地將所述的材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變到所述的非結(jié)晶狀態(tài)來將數(shù)據(jù)寫入所述的介質(zhì)，以及一種擦除模式，該模式用于通過局部地將所述的材料從所述的非結(jié)晶狀態(tài)改變回所述的結(jié)晶狀態(tài)來擦除寫在所述介質(zhì)上的數(shù)據(jù)，-用于產(chǎn)生掃描所述介質(zhì)的激光束的裝置，-用于根據(jù)選擇的操作模式而控制所述激光束的功率的裝置，以及-用于以某種線速度對(duì)所述的介質(zhì)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的裝置，該線速度取決于選擇的操作模式，應(yīng)用于所述的寫模式的線速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度，并且應(yīng)用于所述的擦除模式的線速度等于或低于所述的最大結(jié)晶速度。
根據(jù)本發(fā)明的方法包括步驟-讀取在多種可用的操作模式中的用戶選擇，所述的多種操作模式包括一種寫模式，該模式用于通過局部地將所述的材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變到所述的非結(jié)晶狀態(tài)來將數(shù)據(jù)寫入所述的介質(zhì)，以及一種擦除模式，該模式用于通過局部地將所述的材料從所述的非結(jié)晶狀態(tài)改變回所述的結(jié)晶狀態(tài)來擦除寫在所述介質(zhì)上的數(shù)據(jù)，-產(chǎn)生一種用于掃描所述的介質(zhì)的激光束，-根據(jù)選擇的操作模式來控制所述激光束的功率，以及-以某種線速度對(duì)所述的介質(zhì)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，該線速度取決于選擇的操作模式，應(yīng)用于所述的寫模式的線速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度，并且應(yīng)用于所述的擦除模式的線速度等于或低于所述的最大結(jié)晶速度。
根據(jù)本發(fā)明的相位改變的一次寫入、多次讀取的介質(zhì)具有a)一個(gè)由某種材料制成的層，當(dāng)被一個(gè)具有適當(dāng)功率的激光加熱、同時(shí)所述的介質(zhì)以一個(gè)適當(dāng)?shù)木€速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，該材料能夠局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變，所述材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)到所述結(jié)晶狀態(tài)的改變，b)一個(gè)擺動(dòng)軌道，該擺動(dòng)攜帶介質(zhì)相關(guān)信息，所述的介質(zhì)相關(guān)信息包括下列值-功率和線速度，被稱為寫入功率和寫入線速度，被用于局部地將所述的材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變到所述的非結(jié)晶狀態(tài)，-功率和線速度，被稱為擦除功率和擦除線速度，被用于局部地將所述的材料從所述的非結(jié)晶狀態(tài)改變到所述的結(jié)晶狀態(tài)，-其中所述的寫入速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度并且所述的擦除速度不高于所述的最大結(jié)晶速度。
本專利申請(qǐng)的發(fā)明者已經(jīng)認(rèn)識(shí)到常規(guī)的相位改變技術(shù)除了對(duì)于那些不需要真正的可重寫能力的應(yīng)用是適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案以外，對(duì)于那些需要高速寫入能力的應(yīng)用也是一種適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案。這種應(yīng)用的一個(gè)例子是從一個(gè)被成功試驗(yàn)的短劇復(fù)制視頻內(nèi)容。
發(fā)明者還認(rèn)識(shí)到一次寫入、多次讀取(WORM)介質(zhì)具有如下缺點(diǎn)當(dāng)寫在介質(zhì)上的數(shù)據(jù)變得陳舊或當(dāng)寫操作失敗時(shí)，該介質(zhì)不能被重新使用。
因此提出了一種相位改變介質(zhì)，一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變介質(zhì)的設(shè)備和方法，它們?cè)试S以高速寫入且以低速擦除。所提出的低速擦除選項(xiàng)必須被視為一種可以被應(yīng)用到整個(gè)介質(zhì)(或該介質(zhì)的部分)的格式化選項(xiàng)從而使得該介質(zhì)(或該介質(zhì)的部分)恢復(fù)到原始狀態(tài)。借助所提出的相位改變介質(zhì)，驅(qū)動(dòng)設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法，數(shù)據(jù)的直接覆蓋是不可能的。在新數(shù)據(jù)可被高速寫入介質(zhì)之前，數(shù)據(jù)首先必須被低速擦除。因而所提出的介質(zhì)不是真正可重寫的。
所提出的發(fā)明對(duì)于終端用戶來說非常令人感興趣的，因?yàn)樗鼮樗?她提供了一種相對(duì)便宜且具有高速記錄能力的介質(zhì)，非常適用于大多數(shù)消費(fèi)類應(yīng)用，同時(shí)在需要的時(shí)候給他/她格式化介質(zhì)的選項(xiàng)。例如，所提出的發(fā)明將被有利地用于DVD+R高速應(yīng)用。
附圖簡述本發(fā)明的這些以及其它方面將進(jìn)一步參考下面的附圖進(jìn)行描述-

圖1是根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)的一個(gè)例子的示意性表示；-圖2是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的一個(gè)例子的示意框圖；-圖3是根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)可記錄介質(zhì)的方法的框圖。
優(yōu)選實(shí)施例描述圖1顯示了一種介質(zhì)1，圖1A是一個(gè)平面視圖，圖1B顯示了在線b-b上所取的截面圖的一小部分，并且圖1B以較大的比例顯示了介質(zhì)1的一部分2。介質(zhì)1是一個(gè)具有軌道的盤，每個(gè)軌道由螺旋線3的360度旋轉(zhuǎn)構(gòu)成。每個(gè)軌道包括一個(gè)凹槽4和一個(gè)凸區(qū)(land)5。為了記錄數(shù)據(jù)，介質(zhì)1有一個(gè)記錄層6，該記錄層被沉積在一個(gè)透明底層7上并且被一個(gè)保護(hù)涂層8覆蓋。數(shù)據(jù)被記錄在凹槽4上。軌道被一個(gè)通過底層7進(jìn)入介質(zhì)1的激光束掃描。軌道與其平均中心線具有一個(gè)連續(xù)的正弦偏差。這個(gè)正弦偏差被稱為擺動(dòng)。在某些標(biāo)準(zhǔn)中，所述的擺動(dòng)被調(diào)制來攜帶信息。例如在DVD+R中，所述的擺動(dòng)是相位調(diào)制的。
所述的介質(zhì)是一種相位改變介質(zhì)，這意味著記錄層6由一種能夠局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變的材料制成。數(shù)據(jù)是這樣寫入的通過局部地將該介質(zhì)加熱到一個(gè)溫度，介質(zhì)在該溫度處從結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榉墙Y(jié)晶狀態(tài)，從而創(chuàng)建與周圍結(jié)晶區(qū)域具有不同反射系數(shù)的非結(jié)晶標(biāo)記。相反地，數(shù)據(jù)是這樣被擦除的通過局部地將該介質(zhì)加熱到一個(gè)溫度，介質(zhì)在該溫度處從非結(jié)晶狀態(tài)改變回結(jié)晶狀態(tài)。
記錄層6的材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)變到所述的結(jié)晶狀態(tài)。
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的用于驅(qū)動(dòng)介質(zhì)1的設(shè)備10的一個(gè)例子。設(shè)備10尤其包括光學(xué)單元20、總線22、微處理器組件24、用戶接口26、源編碼器/解碼器28、信道解碼器30、信道編碼器32、伺服塊34、發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元35以及擺動(dòng)處理塊36。源編碼器/解碼器28被耦合到一個(gè)主機(jī)系統(tǒng)37(作為示例，主機(jī)系統(tǒng)37可以是PC、音頻播放器、視頻播放器...)。微處理器組件24、用戶接口26、源編碼器/解碼器28、信道解碼器30、信道編碼器32、伺服塊34、發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元35以及擺動(dòng)處理塊36被連接到總線22。
用戶接口26被設(shè)計(jì)以便允許用戶在多個(gè)操作模式中選擇一個(gè)操作模式，所述的多種操作模式包括-一種寫模式，在該模式中，通過局部地將記錄層的材料從結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榉墙Y(jié)晶狀態(tài)，而將由主機(jī)系統(tǒng)37提供的數(shù)據(jù)寫入到介質(zhì)1上，以及-一種擦除模式，在該模式中，通過局部地將記錄層的材料從非結(jié)晶狀態(tài)改變回結(jié)晶狀態(tài)，而擦除寫入到介質(zhì)1上的數(shù)據(jù)。
有利地，還有一種讀模式可用，在該模式中，寫入到介質(zhì)1上的數(shù)據(jù)被讀取并且被遞送給主機(jī)系統(tǒng)37。
光學(xué)單元20包括一個(gè)輻射源38，例如一個(gè)半導(dǎo)體激光器，以產(chǎn)生一個(gè)激光束41，該激光束通過一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)被被定向到介質(zhì)1的一個(gè)軌道，該光學(xué)系統(tǒng)尤其包括一個(gè)聚焦物鏡42。輻射源38被一個(gè)輻射源控制單元40所控制。輻射源控制單元40被連接到總線22并且根據(jù)所選擇的操作模式來控制激光束41的功率。
典型地，輻射源控制單元40驅(qū)動(dòng)輻射源38，從而使得產(chǎn)生的激光束41具有-低功率，當(dāng)所選擇的模式是讀模式時(shí)，-中等功率，當(dāng)所選擇的模式是擦除模式時(shí)，-高功率，當(dāng)所選擇的模式是寫模式時(shí)。
作為示例，讀功率被設(shè)置為0.7mW±0.1mW，對(duì)于一個(gè)等于16x的寫線速度，寫功率被設(shè)置在35mW之間(寫功率取決于寫線速度)，并且擦除功率被包括在5mV和10mW之間。
激光束41在介質(zhì)1上產(chǎn)生一個(gè)小點(diǎn)43。為了讓小點(diǎn)43掃描軌道，介質(zhì)1由發(fā)動(dòng)機(jī)45沿著軸44旋轉(zhuǎn)。發(fā)動(dòng)機(jī)45被一個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元35所控制。發(fā)動(dòng)機(jī)控制電路35根據(jù)所選擇的操作模式來調(diào)整發(fā)動(dòng)機(jī)的線速度。常規(guī)地，用于讀模式的線速度被稱為參考速度并且被記為x。作為示例，在DVD+R標(biāo)準(zhǔn)中，讀速度是x＝3.49m.s-1。根據(jù)本發(fā)明-當(dāng)寫模式被選擇時(shí)所使用的線速度高(它可以高達(dá)16x)；-當(dāng)擦除模式被選擇時(shí)所使用的線速度低；它低于最大結(jié)晶速度，該最大結(jié)晶速度取決于用于記錄層6的材料；典型地，它被包括在1x和2.4x之間。
激光束41被介質(zhì)1反射。入射光束和反射光束被一個(gè)光束分離器46(例如一個(gè)半透鏡)彼此分離。反射的輻射光束47被傳遞給一個(gè)光檢測(cè)器50。光檢測(cè)器50具有一個(gè)輻射敏感表面，該表面被切分成多個(gè)象限從而產(chǎn)生多個(gè)光電流。在圖2中，作為例子表示了一個(gè)4象限的光檢測(cè)器。這不是限制性的。光檢測(cè)器50的4個(gè)象限分別攜帶參考號(hào)QA，QB，QC和QD。它們產(chǎn)生4個(gè)光電流A，B，C和D。
4個(gè)光電流A，B，C和D被送到預(yù)處理塊60，該塊負(fù)責(zé)生成
-被輸入到伺服塊34的幾個(gè)差分信號(hào)，-被輸入到擺動(dòng)處理塊36的一個(gè)擺動(dòng)信號(hào)，以及-被輸入到信道解碼器30的一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。
伺服塊34負(fù)責(zé)控制光學(xué)單元20(包括定位光學(xué)單元20，聚焦激光束41，跟蹤螺旋線3)。
擺動(dòng)處理塊36負(fù)責(zé)處理擺動(dòng)信號(hào)從而恢復(fù)擺動(dòng)信號(hào)攜帶的信息。
信道解碼器30負(fù)責(zé)從光學(xué)單元20讀取的數(shù)據(jù)信號(hào)中恢復(fù)出源編碼的數(shù)據(jù)。為了進(jìn)行解碼，源編碼的數(shù)據(jù)被送到源編碼器/解碼器28。最終，解碼后的數(shù)據(jù)被遞送給主機(jī)系統(tǒng)37。
主機(jī)系統(tǒng)37還可以提供要被寫入介質(zhì)1的數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)被源編碼器/解碼器28編碼。源編碼的數(shù)據(jù)接著被信道編碼器32處理。信道編碼的數(shù)據(jù)被施加到輻射源控制單元40。
如參考圖1所解釋的那樣，擺動(dòng)信號(hào)被調(diào)制以便于攜帶信息(通常是物理格式信息)。在DVD+R標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)信息被稱為“預(yù)凹槽尋址”(或ADIP)。ADIP特別地包括關(guān)于讀和寫功率以及讀和寫線速度的數(shù)據(jù)。當(dāng)前，與在該標(biāo)準(zhǔn)中定義的ADIP相比，還有用于傳輸額外的多條信息的容量。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，擦除功率和擦除線速度作為ADIP的部分被傳輸。這是有利的，因?yàn)锳DIP信息在制造階段期間被包括在介質(zhì)本身中。它不必在后來階段被寫入到盤上，并且它也不能被刪除或修改。
可替換地，擦除功率和擦除線速度可被寫入介質(zhì)的信息區(qū)(它位于該介質(zhì)的可記錄區(qū))或它可被存儲(chǔ)在設(shè)備10中。
為了允許介質(zhì)的部分記錄以及隨后向一個(gè)部分記錄的介質(zhì)追加數(shù)據(jù)，在許多標(biāo)準(zhǔn)中引入了多會(huì)話的概念。例如，一個(gè)符合DVD+R標(biāo)準(zhǔn)的介質(zhì)可以包含單個(gè)會(huì)話或多個(gè)會(huì)話。在信息區(qū)的開始處存儲(chǔ)了一個(gè)稱為內(nèi)容表的表，并且該表包含關(guān)于在盤上記錄的必要信息(特別是會(huì)話的位置)。
在一個(gè)有利的實(shí)施例中設(shè)計(jì)了一個(gè)用戶接口26以允許用戶選擇要被擦除的介質(zhì)區(qū)域。例如，要被擦除的區(qū)域可以是一個(gè)會(huì)話，多個(gè)會(huì)話或整個(gè)信息區(qū)。
當(dāng)用戶選擇一個(gè)或多個(gè)會(huì)話時(shí)，微處理器組件24的微處理器在內(nèi)容表中恢復(fù)所選擇會(huì)話的位置并且相應(yīng)地驅(qū)動(dòng)伺服塊34。結(jié)果，激光束41的位置被控制以便僅僅掃描所選擇會(huì)話的位置。在一個(gè)或多個(gè)會(huì)話被擦除后，必須更新內(nèi)容表以便刪除對(duì)已擦除會(huì)話的引用。
在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)要擦除整個(gè)介質(zhì)時(shí)(或者因?yàn)檫@是用戶選擇的選項(xiàng)，或者因?yàn)闆]有其它可用的擦除選項(xiàng))，微處理器組件24的微處理器在內(nèi)容表中檢查被記錄的介質(zhì)區(qū)域的位置。這個(gè)信息被用于在擦除過程期間跳過未被記錄的部分介質(zhì)(微處理器相應(yīng)地向伺服塊34發(fā)出指令)。這個(gè)實(shí)施例是有利的，因?yàn)樗鼘?dǎo)致減少了整個(gè)擦除過程所需的時(shí)間量(由于擦除是以低速進(jìn)行的，所以它是一個(gè)相當(dāng)長的過程；典型地，它可能要花1到2個(gè)小時(shí))。
圖3的框圖是根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)介質(zhì)1的方法的優(yōu)選實(shí)施例的示意性表示。
-在框100中，介質(zhì)1被置入設(shè)備10，-接著，在框101中，從介質(zhì)1中恢復(fù)了所需的信息，特別地，包括了用于介質(zhì)1的擦除功率和擦除線速度的ADIP信息；-接著，在框102中，用戶被提示在多種操作模式中選擇一種操作模式，所述的多種操作模式包括一種寫模式W，一種擦除模式E以及可選地一種讀模式R；-接著，在框103中，根據(jù)所選擇的操作模式，通過在內(nèi)容表中進(jìn)行查詢來確定要被掃描的位置；-接著，在框104中，根據(jù)所選擇的操作模式，設(shè)置功率P和線速度S；-接著，在框105中，當(dāng)介質(zhì)以適當(dāng)?shù)木€速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，在適當(dāng)?shù)奈恢糜靡粋€(gè)具有適當(dāng)功率的激光束掃描介質(zhì)，從而對(duì)介質(zhì)進(jìn)行讀或?qū)懟虿脸?接著，在框106中，當(dāng)可應(yīng)用時(shí)，內(nèi)容表被更新。
關(guān)于所描述的相位改變存儲(chǔ)介質(zhì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法，在不背離本發(fā)明范圍的情況下，可以提出修改或改進(jìn)。因而本發(fā)明不受限于所提供的例子，特別地，它不受限于DVD+R標(biāo)準(zhǔn)。
在參考圖2所描述的實(shí)施例中，擺動(dòng)是一個(gè)用于攜帶位置信息而不是用于跟蹤的調(diào)制信號(hào)。這不是限制性的。擺動(dòng)信號(hào)也可被用于跟蹤，作為已知的“單點(diǎn)推拉”或“3點(diǎn)推拉”方法的替代方案。本發(fā)明可不依賴于擺動(dòng)信號(hào)的類型(純周期的或調(diào)制的擺動(dòng)信號(hào))并且不依賴于擺動(dòng)信號(hào)被使用的方式(用于跟蹤和/或攜帶信息)來應(yīng)用。當(dāng)擺動(dòng)未被調(diào)制時(shí)，那么關(guān)于要使用的功率和線速度的信息必須被放在介質(zhì)的信息區(qū)。
圖2的實(shí)施例使用一種4象限的光檢測(cè)器。這不是限制性的。例如可以使用一個(gè)具有與要被掃描的軌道方向相平行的分割線的兩段式先檢測(cè)器而不是4象限的光檢測(cè)器。
單詞“包括”的使用并不排除權(quán)利要求或說明書中所列舉的那些元素或步驟之外的其它元素或步驟的存在。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變介質(zhì)(1)的設(shè)備(10)，該相位改變介質(zhì)具有一個(gè)由一種能夠局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變的材料制成的層(6)，所述材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)到所述的結(jié)晶狀態(tài)的改變，所述的設(shè)備包括-一個(gè)用戶接口(26)，通過該接口用戶能夠從多個(gè)操作模式中選擇一個(gè)操作模式，該多個(gè)操作模式包括一寫模式，該寫模式用于通過局部地將所述材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)樗龅姆墙Y(jié)晶狀態(tài)來在所述的介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)，以及一擦除模式，該擦除模式用于通過局部地將所述材料從所述的非結(jié)晶狀態(tài)改變回所述的結(jié)晶狀態(tài)而擦除在所述介質(zhì)上寫入的數(shù)據(jù)，-產(chǎn)生一個(gè)用于掃描所述介質(zhì)的激光束的裝置，-用于根據(jù)所選擇的操作模式來控制所述激光束的功率的裝置(40)，以及-用于以一線速度旋轉(zhuǎn)所述介質(zhì)的裝置(72)，該線速度取決于所選擇的操作模式，在所述的寫模式中應(yīng)用的線速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度，并且在所述的擦除模式中應(yīng)用的線速度等于或低于所述的最大結(jié)晶速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中要求的設(shè)備，其中所述的用戶接口進(jìn)一步被設(shè)計(jì)以允許選擇一讀模式，用于讀取寫入到所述介質(zhì)上的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中要求的設(shè)備，包括用于在所述的介質(zhì)上讀取要在所述擦除模式中使用的功率和線速度的值的裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中要求的設(shè)備，其中所述的用戶接口被設(shè)計(jì)以允許用戶在所述的介質(zhì)上選擇要被擦除的數(shù)據(jù)區(qū)域，所述的設(shè)備包括用于控制所述激光束的位置以在所述擦除模式中僅僅掃描所述數(shù)據(jù)區(qū)域的裝置(34)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中要求的設(shè)備，包括通過在存儲(chǔ)于所述介質(zhì)上的記錄區(qū)域列表中查找所述的位置來確定所述數(shù)據(jù)區(qū)域在所述介質(zhì)上的位置的裝置，以及用于在所述的數(shù)據(jù)區(qū)域被擦除后，從所述的記錄區(qū)域列表刪除所述數(shù)據(jù)區(qū)域的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中要求的設(shè)備，包括用于確定數(shù)據(jù)被寫入的介質(zhì)區(qū)域的裝置，以及用于控制所述激光束的位置以在所述的擦除模式中僅僅掃描所述數(shù)據(jù)區(qū)域的裝置。
7.一種相位改變介質(zhì)，具有a)一個(gè)由一種材料制成的層，該材料能夠在所述介質(zhì)以某一適當(dāng)?shù)木€速度被旋轉(zhuǎn)的同時(shí)由一個(gè)具有適當(dāng)功率的激光加熱時(shí)，局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變，所述材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)樗龅慕Y(jié)晶狀態(tài)，b)一個(gè)擺動(dòng)軌道，該擺動(dòng)攜帶介質(zhì)相關(guān)的信息，所述的介質(zhì)相關(guān)的信息包括下列值-稱為寫入功率和寫入線速度的功率和線速度，被用于局部地將所述的材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)樗龇墙Y(jié)晶狀態(tài)，-稱為擦除功率和擦除線速度的功率和線速度，被用于局部地將所述的材料從所述非結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)樗鼋Y(jié)晶狀態(tài)，-其中所述的寫入線速度遠(yuǎn)高于所述最大結(jié)晶速度，而所述的擦除線速度不高于所述的最大結(jié)晶速度。
8.一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變介質(zhì)的方法，該相位改變介質(zhì)具有一個(gè)由一種能夠局部地在非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間改變的材料制成的層，所述材料的特征在于一個(gè)最大結(jié)晶速度，在該速度之上不能實(shí)現(xiàn)從所述的非結(jié)晶狀態(tài)到所述的結(jié)晶狀態(tài)的改變，所述的方法包括步驟-讀取從多個(gè)可用的操作模式中的一個(gè)用戶選擇，所述的多個(gè)操作模式包括一寫模式，該寫模式用于通過局部地將所述材料從所述的結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)樗龅姆墙Y(jié)晶狀態(tài)來在所述介質(zhì)上寫入數(shù)據(jù)，以及一擦除模式，該擦除模式用于通過局部地將所述材料從所述非結(jié)晶狀態(tài)改變回所述的結(jié)晶狀態(tài)來擦除在所述介質(zhì)上寫入的數(shù)據(jù)，-產(chǎn)生一個(gè)用于掃描所述介質(zhì)的激光束，-根據(jù)所選擇的操作模式來控制所述激光束的功率，以及-以一線速度旋轉(zhuǎn)所述介質(zhì)，該線速度取決于所選擇的操作模式，在所述的寫模式中應(yīng)用的線速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度，而在所述的擦除模式中應(yīng)用的線速度等于或低于所述的最大結(jié)晶速度。
全文摘要
提出了一種相位改變介質(zhì)，一種用于驅(qū)動(dòng)相位改變介質(zhì)的設(shè)備和方法，它們?cè)试S以高速寫入并且以低速擦除。所提出的低速擦除選項(xiàng)必須被視為一種可以被應(yīng)用到整個(gè)介質(zhì)(或該介質(zhì)的部分)的格式化選項(xiàng)從而使得該介質(zhì)(或該介質(zhì)的部分)恢復(fù)到原始狀態(tài)。借助本發(fā)明，數(shù)據(jù)的直接覆蓋是不可能的在新數(shù)據(jù)可被高速寫入介質(zhì)之前，數(shù)據(jù)首先必須被低速擦除。根據(jù)本發(fā)明，該介質(zhì)以一種線速度被旋轉(zhuǎn)，該線速度取決于所選擇的操作模式，應(yīng)用于寫入模式的線速度遠(yuǎn)高于所述的最大結(jié)晶速度，而應(yīng)用于所述的擦除模式的線速度等于或低于所述的最大結(jié)晶速度。應(yīng)用DVD+R高速。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1813290SQ200480017700
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2004年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月26日
發(fā)明者H·馬坦斯, R·范登奧特拉亞爾, R·烏魯特斯 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司