技術(shù)編號：6755618
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相位改變光存儲介質(zhì)，一種用于驅(qū)動相位改變光存儲介質(zhì)的設(shè)備，以及一種用于驅(qū)動相位改變光存儲介質(zhì)的方法。相位改變光存儲介質(zhì)具有一個(gè)由某種材料制成的層，該材料在初始時(shí)處于非結(jié)晶狀態(tài)且在制造過程期間改變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)。通過局部地將一個(gè)相位改變介質(zhì)加熱到某個(gè)溫度，數(shù)據(jù)被寫入該介質(zhì)，在該溫度它從結(jié)晶狀態(tài)改變?yōu)榉墙Y(jié)晶狀態(tài)，從而創(chuàng)建了具有與周圍結(jié)晶區(qū)域不同的反射系數(shù)的非結(jié)晶標(biāo)記。可以高速實(shí)現(xiàn)從結(jié)晶狀態(tài)到非結(jié)晶狀態(tài)的改變，這使得這種介質(zhì)受到那些需要高存儲密度和高記...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。