專利名稱：帶有非磁性籽層間隙結(jié)構(gòu)的感應(yīng)磁頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及一種硬盤驅(qū)動器的磁頭，并尤其涉及在這種磁頭的寫入頭部分的磁極之間的非磁性電感應(yīng)寫入間隙的制造。
背景技術(shù)：
如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，標(biāo)準(zhǔn)磁頭包括寫入頭元件，該寫入頭元件包括兩個磁極，它們通常稱作第一磁極(P1)和第二磁極(P2)，并在這兩個磁極之間形成寫入間隙層。在數(shù)據(jù)記錄過程中，磁通量在兩個磁極之間的寫入間隙跨過而產(chǎn)生磁場，這個磁場影響位于磁頭附近的硬盤上的磁性介質(zhì)的薄膜層，使得變化的磁通量在磁性介質(zhì)內(nèi)形成數(shù)據(jù)位。在縱向磁頭中，數(shù)據(jù)位的大小基本上由第二磁極的磁極尖的尺寸來確定，這個磁極尖在此稱為P2極尖。
對磁性介質(zhì)更高的面記錄密度的不斷要求需要位的尺寸更小，而這是通過減小寫入間隙層的厚度和P2極尖的尺寸來實(shí)現(xiàn)的。在典型的現(xiàn)有技術(shù)磁頭中，寫入間隙材料包括不導(dǎo)電、非磁性材料，如氧化鋁。P2極尖是利用光刻技術(shù)形成的，在該光刻技術(shù)中，由磁性材料，如NiFe構(gòu)成的導(dǎo)電籽層淀積在氧化鋁寫入間隙層上，并且在導(dǎo)電籽層上形成經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料，在該光阻材料中形成有極尖溝槽(trench)。此后，利用導(dǎo)電籽層傳導(dǎo)電鍍電流，在極尖溝槽內(nèi)電鍍P2極尖。在電鍍工藝之后，除去光阻材料和未遮蓋的籽層。結(jié)果，設(shè)置在經(jīng)電鍍的極尖之下的剩余籽層有效地成為極尖的一部分，而磁通量經(jīng)過該部分流過。因此，籽層的厚度對P2極尖的整個厚度是有影響的。
在更先進(jìn)的磁頭中，磁極尖材料形成為具有比磁性籽層中可以實(shí)現(xiàn)的更顯著改善的磁特性。這種改善的磁特性對于以更大的磁通量密度提供增強(qiáng)的磁通量從而向磁性介質(zhì)寫入更小的數(shù)據(jù)位都是有益的。在這種情況下，磁性籽層的相對普通的磁特性對于流過P2極尖的所需磁通量是不利的。本發(fā)明的磁頭包括非磁性、導(dǎo)電籽層，這種籽層有助于獲得流過P2極尖的所需磁通量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁頭包括寫入頭元件，該寫入頭元件包括第一和第二磁極，且在這兩個磁極之間設(shè)置一個寫入間隙層。在第一實(shí)施例中，寫入間隙層包括第一次層，該第一次層電機(jī)在第一磁極上以作用為粘結(jié)層。構(gòu)成第一次層的材料是非磁性和不導(dǎo)電的。而寫入間隙層包括第二次層，該第二次層由非磁性、導(dǎo)電材料形成。然后，通過在第二次層上形成經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料，第二磁極的P2極尖光刻地形成在第二次層上，在第二次層中形成P2極尖溝槽。然后，在極尖溝槽中電鍍P2極尖，在此，導(dǎo)電的第二次層用來傳導(dǎo)電鍍電流。在優(yōu)選實(shí)施例中，粘結(jié)層優(yōu)選地由Ta或Ti構(gòu)成，厚度從大約25到大約200，且優(yōu)選厚度大約為50，且第二次層優(yōu)選由Rh或Ru構(gòu)成，厚度從大約100到大約1000，且優(yōu)選厚度大約為500。
在另一實(shí)施例中，寫入間隙層包括另一次層，該次層形成在粘結(jié)層和導(dǎo)電非磁性的第二次層之間。這個第三次層由在活性離子蝕刻(RIE)過程中可蝕刻的材料構(gòu)成。第三次層優(yōu)選由Ta、Ti、W、Mo或Si構(gòu)成，并形成為大約100到大約1000的厚度，且優(yōu)選厚度大約600。在包括第三次層的情況下，導(dǎo)電、非磁性的第二次層優(yōu)選地形成為厚度從大約100到大約1000，且優(yōu)選厚度為200。第三次層在制造磁頭過程中采取P1極開槽工藝(P1 pole notching process)的情況下是有益的。與現(xiàn)有技術(shù)的P1極開槽工藝相比，在利用活性離子種的P1極開槽工藝中采用RIE可蝕刻的第三次層導(dǎo)致被蝕刻的材料在P2極尖各側(cè)上的再淀積減少。這也可以縮短研磨磁極的整個加工時間。
本發(fā)明的磁頭的優(yōu)點(diǎn)是它包括一個具有非磁性、導(dǎo)電次層的寫入頭，這有助于磁頭P2極尖的電鍍。
本發(fā)明的磁頭的另一優(yōu)點(diǎn)是它包括具有更理想磁通量流動特性的P2磁極尖。
本發(fā)明的磁頭的再一優(yōu)點(diǎn)是它包括這樣一種寫入頭，該寫入頭在P1極開槽步驟中減小了側(cè)壁再沉積。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的優(yōu)點(diǎn)是它具有增大的面數(shù)據(jù)存儲密度。
本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的另一優(yōu)點(diǎn)是它包括這樣一種磁頭，該磁頭包括具有非磁性、導(dǎo)電次層的寫入頭，這有助于磁頭的P2極尖的電鍍。
本發(fā)明的再一優(yōu)點(diǎn)是它包括這樣一種磁頭，該磁頭具有寫入頭元件，該寫入頭元件包括具有更理想磁通量流動特性的P2磁極尖。
對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在閱讀下面參照附圖給出的詳細(xì)描述時，本發(fā)明的這些和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將毫無疑義地呈現(xiàn)出來。


下面的附圖并非按照實(shí)際裝置按比例作出的，而是為了圖示在此說明的本發(fā)明而給出。
圖1是總地描繪包括本發(fā)明的磁頭的硬盤驅(qū)動器的俯視圖；圖2是描繪現(xiàn)有技術(shù)磁頭的各個部件的側(cè)橫截面圖；圖3是描繪本發(fā)明的磁頭的各個部件的側(cè)橫截面圖；圖4是描繪本發(fā)明的寫入間隙結(jié)構(gòu)的詳細(xì)特征的放大橫截面圖；以及圖5是描繪本發(fā)明的另一種寫入間隙結(jié)構(gòu)的詳細(xì)特征的放大橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
在圖1中示出典型的硬盤驅(qū)動器10的簡化的俯視圖，該驅(qū)動器10包括本發(fā)明的磁頭。如圖所示，至少一個硬盤14可旋轉(zhuǎn)地安裝在電動化的芯軸18上。其上設(shè)置磁頭26的滑塊22安裝在致動臂30上，以便在每個旋轉(zhuǎn)的硬盤14的表面之上飛行(fly)，如本領(lǐng)域中所公知的。本發(fā)明包括改善的特征和用于這種磁頭的制造方法，為了更好地理解本發(fā)明下面描述現(xiàn)有技術(shù)的磁頭。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解到的，圖2是描繪現(xiàn)有技術(shù)磁頭的各部分的側(cè)橫截面圖，該磁頭被稱為縱向磁頭。如圖2所示，磁頭38包括第一磁屏蔽層(S1)40，該第一磁屏蔽層形成在滑塊主體材料22的表面33上。讀取頭傳感器元件52設(shè)置在電絕緣層54和56內(nèi)，而第二磁屏蔽層(S2)58形成在絕緣層56上。然后，電絕緣層59淀積在S2屏蔽層58上，而第一磁極(P1)60在絕緣層59上制得。
在制得P1極60之后，通常由非磁性、不導(dǎo)電、非金屬材料，如氧化鋁構(gòu)成的寫入間隙層淀積在P1極60上。這之后是P2磁極尖76的制造，該制造過程包括淀積籽層，該籽層一般為磁性導(dǎo)電金屬，如NiFe；隨之以光刻過程，包括淀積經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料層(未示出)，該光阻材料層中包括P2極尖溝槽。這隨之以在經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料溝槽中電鍍P2極尖76，在這種情況下，籽層78作用為導(dǎo)通電鍍電流。在P2極尖76電鍍之后，去除光阻材料和暴露出的籽層，并然后在寫入間隙層72之上、絕緣層82內(nèi)形成包括線圈(coil turn)的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)。此后，第二磁極的磁軛部分84形成為與P2極尖76磁性相連，并通過后面的間隙元件(back gapelement)90連接到P2極60。依次制造電引線(未示出)，并且淀積另一絕緣層114，以便封裝磁頭。磁頭38隨后制得，從而產(chǎn)生一個空氣浮動表面(air bearing surface)(ABS)116。
應(yīng)理解的是很多磁頭38的詳細(xì)特征和制造步驟對本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的，并且對于提供對本發(fā)明的全面理解來說，它們在此并非是必須描述的。
圖3是描繪本發(fā)明的磁頭118的各種部件的側(cè)橫截面圖，本發(fā)明可以用作圖1中的硬盤驅(qū)動器的磁頭26。本發(fā)明的顯著特征涉及寫入間隙的結(jié)構(gòu)，該寫入間隙是在磁極之間制成的。因此，本發(fā)明的磁頭包括很多與上述現(xiàn)有技術(shù)的磁頭類似的特征和結(jié)構(gòu)，并因此為了易于理解而用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)識這些類似的特征和結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，本發(fā)明的磁頭118包括形成在滑塊主體材料22的表面44上的第一磁屏蔽層(S1)40。讀取頭傳感器元件52設(shè)置在電絕緣層54和56內(nèi)，而第二磁屏蔽層(S2)58形成在絕緣層56之上。然后，電絕緣層59淀積在S2屏蔽層58上，而第一磁極(P1)60在絕緣層59上制得。
在制造P1極60之后，本發(fā)明的導(dǎo)電寫入間隙層120在下面參照圖4詳細(xì)描述的步驟中形成于P1極60之上。這隨之以P2磁極尖124的制造，P2磁極尖124的制造包括光刻工序，該光刻工序包括淀積包含P2極尖溝槽的經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料層(未示出)。這隨之以P2極尖124在經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料溝槽中電鍍，在這種情況下，寫入間隙層作用為導(dǎo)通電鍍電流。在P2極尖124電鍍之后，去除光阻材料，并然后在絕緣層82內(nèi)、在寫入間隙層120之上制造包含線圈(coil turn)80的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)。此后，第二磁極的磁軛部分84形成為于P2極尖124磁性相連，并通過后面的間隙元件90磁性連接到P1極60。隨后制造電引線(未示出)，并且淀積另一絕緣層114，以封裝磁頭。隨后制造磁頭118，從而形成空氣浮動表面(ABS)116。
如從圖4中的放大的側(cè)橫截面圖中清楚看到的，本發(fā)明的吸入間隙層120的第一優(yōu)選實(shí)施例包括第一次層128，該第一次層128是在P1極60制得之后跨過晶片表面淀積的。次層128淀積，而作用為金屬的P1極層表面130與本發(fā)明的寫入間隙層120的隨后的次層之間的粘結(jié)層。在優(yōu)選實(shí)施例中，粘結(jié)層128優(yōu)選由金屬的、非磁性材料制成，該材料優(yōu)選地諸如是Ta或Ti，或其他可接受的材料，如Cr或NiCr，或它們的結(jié)合。粘結(jié)次層128以從大約25到大約200的厚度制得，且優(yōu)選的厚度為大約50。
在淀積粘結(jié)次層128之后，淀積寫入間隙層120的第二次層132。第二次層132優(yōu)選地由非磁性、導(dǎo)電金屬構(gòu)成，如優(yōu)選地為Rh或Ru，或其他可接受的材料，如Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn、和Ta，或它們的結(jié)合。次層132以從大約100到大約1000的厚度形成，且優(yōu)選的厚度大約為500。
在淀積非磁性、導(dǎo)電第二次層132之后，P2極尖124在其上直接制造，而不需要象現(xiàn)有技術(shù)中所做的那樣(如圖2的籽層78)淀積極尖籽層。即，非磁性導(dǎo)電寫入間隙籽層132被用于導(dǎo)通電鍍P2極尖124的電鍍電流。因此，在淀積導(dǎo)電寫入間隙籽層132之后，進(jìn)行類似于現(xiàn)有技術(shù)P2極尖制造工序的光刻工序，其中，經(jīng)構(gòu)圖的光阻材料(未示出)形成在次層132上，隨之以在光阻材料中所形成的P2極尖溝槽之內(nèi)電鍍P2極尖124。電鍍電流在電鍍工序期間流過次層132。此后，去除光阻材料，如使用濕的化學(xué)涂層消除劑(wet chemical stripper)，且優(yōu)選地利用離子蝕刻工藝從除P2極尖124之下的受保護(hù)區(qū)域之外的所有區(qū)域上去除次層132和130。此后，包括線圈80、第二磁極的磁軛部分84和進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)如現(xiàn)有技術(shù)中已知的那樣得以制造，從而完成了本發(fā)明的磁頭的制造。
本發(fā)明的寫入間隙層120的結(jié)構(gòu)的顯著特征是粘結(jié)次層128作用為有效地將P1磁極60的金屬材料與寫入間隙層120的金屬導(dǎo)電次層132相結(jié)合。主要由于P1磁極材料內(nèi)的材料(通常為NiFe)應(yīng)力，在P1劑60的金屬材料和形成寫入間隙次層132的金屬材料之間未利用粘結(jié)次層的情況下，在所完成的磁頭中、在寫入間隙處會發(fā)生分層現(xiàn)象。而且，希望形成次層132的材料不易于氧化，以便可以避免在ABS處的腐蝕和摩擦(tribological)問題，并且希望在電鍍工序中次層132可以向P2極尖導(dǎo)通電流，并更容易地被鍍上。
利用次層132中的導(dǎo)電、非磁性材料制造寫入間隙層120實(shí)現(xiàn)了寫入間隙層厚度的減小和P2磁極尖24整體厚度的減小。也就是，良好的電導(dǎo)體，如Rh，允許在仍然提供充足的電鍍電流來電鍍P2極尖的同時使用薄的次層132。而且，由于次層132是非磁性的，因此，與現(xiàn)有技術(shù)的P2極尖相比，P2磁極尖的整體厚度減小，在現(xiàn)有技術(shù)的P2極尖中，磁性籽層(圖2中的78)由于磁通量從其流過而有效地成為P2極尖的一部分。
在現(xiàn)有技術(shù)的更先進(jìn)的磁頭中，P2極尖由磁性材料形成，該磁性材料諸如是CoFe合金，具有顯著改善的磁通量流動特性，該特性比現(xiàn)有技術(shù)的NiFe磁性籽層的磁通量流動特性優(yōu)越。改進(jìn)的磁特性對于以更大的磁通量密度提供增強(qiáng)的磁通流是有益的，從而可以向磁性介質(zhì)寫入更小的數(shù)據(jù)位。在這種情況下，需要減小寫入間隙的厚度以適應(yīng)更高的位密度。在本發(fā)明的寫入間隙層120中，它的粘結(jié)層128在這種情況下是至關(guān)重要的，因?yàn)樵谶@種情況下電鍍的磁極的特性可能會包含導(dǎo)致離層的大量應(yīng)力。
圖5是描繪本發(fā)明的磁頭144的寫入間隙層140另一實(shí)施例的放大的側(cè)橫截面圖。如在此所描繪的，寫入間隙層140主要包括三個次層148、152和156，第一次層148是粘結(jié)層，并且它基本上與上面描述的且如圖4所示的磁頭的粘結(jié)次層128相同。具體地說，粘結(jié)次層128優(yōu)選地由金屬、非磁性材料構(gòu)成，優(yōu)選地，該材料諸如是Ta或Ti，或其他諸如Cr或NiCr或它們的結(jié)合的可接受材料。粘結(jié)次層128以從大約25到大約200的厚度制造，且優(yōu)選厚度為50。
中間層152由非磁性材料構(gòu)成，該非磁性材料諸如是Ta、Ti、W、Mo和Si，該材料在活性離子蝕刻(RIE)工藝中是可蝕刻的，RIE諸如利用氧氣和氟活性品類，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。中間次層152的厚度可以從大約100到1000，且優(yōu)選厚度大約為600。
寫入間隙層140的第三次層156基本類似于圖4所示且如上面描述的磁頭118的寫入間隙層120的第二次層132。具體地說，第三次層156由非磁性、導(dǎo)電材料構(gòu)成，該材料諸如是Rh或Ru，或者其他可接受的材料，如Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn和Ta，或它們的結(jié)合。該第三次層156的厚度從大約100到大約1000，且優(yōu)選厚度為200。第三次層156作用為用于電鍍P2極尖124的電導(dǎo)體，如上面已經(jīng)描述過的，且在中間次層152也導(dǎo)電的情況下，該第三次層輔助傳導(dǎo)電流。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，P1極開槽步驟通常在制造縱向磁頭的過程中進(jìn)行，以便從P2極尖上基本消除側(cè)向?qū)懭?side writing)。具體地說，在制造P2極尖之后，進(jìn)行離子束蝕刻步驟，在此P2極尖作為蝕刻掩膜，并蝕刻掉正好沿著P2極尖一側(cè)的寫入間隙層和P1極的部分。作為開槽步驟的結(jié)構(gòu)，基本上消除了由于磁通量不期望地從P2極尖一側(cè)向P1極流動而造成的不利的磁頭側(cè)向?qū)懭搿?br> 本發(fā)明磁頭144的寫入間隙結(jié)構(gòu)140的中間次層152的重要性在于因?yàn)樗赗IE工藝中可蝕刻，因此，P1極開槽步驟比現(xiàn)有技術(shù)中的P1極開槽過程更容易進(jìn)行，在這種情況下采用標(biāo)準(zhǔn)的離子束蝕刻過程。即，本發(fā)明的離子束P1極開槽步驟可以通過向離子銑削(ion milling)過程中加入活性成分(reactive component)而更有效地進(jìn)行，這是由于次層152的RIE可蝕刻材料在RIE過程中成為其他成分，從而減少了被蝕刻的材料的再次淀積。
具有三個次層148、152和156的寫入間隙層140在具有兩個次層128和132的寫入間隙層120上提供了一些改進(jìn)的加工特性。然而，寫入間隙層120和140中每一個都包括非磁性、導(dǎo)電次層132、156，它們分別作用為承載電鍍P2極尖過程中的電流。結(jié)果，本發(fā)明的磁頭118和144可以以更薄的寫入間隙層和更小的P2極尖來制造。這最終有利于形成更小的數(shù)據(jù)位，該數(shù)據(jù)位被寫入導(dǎo)本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的磁性介質(zhì)中，從而提高了本發(fā)明的硬盤驅(qū)動器的面數(shù)據(jù)存儲密度。
雖然已經(jīng)針對特定優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明加以圖示和描述，但是應(yīng)該理解到在閱讀本公開物時，在形式和細(xì)節(jié)上的改進(jìn)可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員無疑議地作出。因此，意圖為隨后的權(quán)利要求書涵蓋所有這些變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)仍然包括本發(fā)明的發(fā)明特征的精髓和范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，包括第一磁極；第二磁極；寫入間隙層，該寫入間隙層設(shè)置在所述第一磁極和第二磁極之間，其中所述寫入間隙層包括至少兩個次層，這兩個次層包括粘結(jié)次層和導(dǎo)電、非磁性次層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述粘結(jié)層設(shè)置在所述第一磁極上，而所述第二磁極在所述導(dǎo)電、非磁性次層上電鍍。
3.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層在電鍍所述第二磁極的過程中作用為電流導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述粘結(jié)次層由從Ta、Ti、Cr和NiCr構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層由從Rh、Ru、Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn和Ta構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述粘結(jié)次層是以從大約25到大約200的厚度形成的。
7.如權(quán)利要求6所述的磁頭，其中，所述粘結(jié)次層形成為大約50的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層是以從大約100到大約1000的厚度形成的。
9.如權(quán)利要求6所述的磁頭，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層形成為大約500的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述第二磁極由CoFe合金構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述寫入間隙層還包括第三次層，該第三次層設(shè)置在所述粘結(jié)次層和所述導(dǎo)電、非磁性次層之間，并且所述第三次層由在活性離子蝕刻工藝中可蝕刻的材料構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求11所述的磁頭，其中，所述第三次層以從大約100到大約1000的厚度形成。
13.如權(quán)利要求12所述的磁頭，其中，所述第三次層以大約600的厚度形成。
14.如權(quán)利要求11所述的磁頭，其中，所述第三次層由從Ta、Ti、W、Mo和Si構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述粘結(jié)層設(shè)置在所述第一磁極上，且所述第二磁極在所述導(dǎo)電、非磁性次層上電鍍，在這種情況下，所述導(dǎo)電、非磁性次層在所述第二磁極的電鍍過程中作用為電流導(dǎo)體；所述粘結(jié)次層由從Ta、Ti、Cr和NiCr構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，且以從大約25到大約200的厚度形成；所述導(dǎo)電、非磁性次層由從Rh、Ru、Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn和Ta構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，并以從大約100到大約1000的厚度形成；所述寫入間隙層還包括第三次層，該次層設(shè)置在所述粘結(jié)次層和所述導(dǎo)電、非磁性次層之間，且所述第三次層由在活性離子蝕刻過程中可蝕刻的材料構(gòu)成；且所述第三次層由從Ta、Ti、W、Mo和Si構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，且以從大約100到大約1000的厚度形成。
16.一種硬盤驅(qū)動器，包括至少一個硬盤，該硬盤適于在硬盤驅(qū)動器上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動；至少一個滑塊裝置，該滑塊裝置具有滑塊主體部分，該主體適于在所述硬盤上飛行；磁頭，該磁頭形成在所述滑塊上，用于向所述硬盤寫入數(shù)據(jù)，所述磁頭包括第一磁極；第二磁極；寫入間隙層，該寫入間隙層設(shè)置在所述第一和第二磁極之間，其中所述寫入間隙層包括至少兩個次層，這兩個次層包括粘結(jié)次層和導(dǎo)電、非磁性次層。
17.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述粘結(jié)次層設(shè)置在所述第一磁極上，而所述第二磁極在所述導(dǎo)電、非磁性次層上電鍍。
18.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述粘結(jié)次層由從Ta、Ti、Cr和NiCr構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述粘結(jié)次層形成為厚度從大約25到大約200的厚度。
20.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層由從Rh、Ru、Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn和Ta構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
21.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層形成為厚度大約從100到大約1000。
22.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述第二磁極由CoFe合金構(gòu)成。
23.如權(quán)利要求16所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述寫入間隙層還包括第三次層，該第三次層設(shè)置在所述粘結(jié)次層和所述導(dǎo)電、非磁性次層之間，且所述第三次層由在活性離子蝕刻過程中可蝕刻的材料構(gòu)成。
24.如權(quán)利要求23所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述第三次層形成為厚度從大約100到大約1000。
25.如權(quán)利要求23所述的硬盤驅(qū)動器，其中，所述第三次層由從Ta、Ti、W、Mo和Si構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成。
26.一種制造磁頭的方法，包括在襯底表面上制造第一磁極；在所述第一磁極上制造寫入間隙層，包括在所述第一磁極上制造粘結(jié)次層以及在所述粘結(jié)次層之上制造導(dǎo)電、非磁性次層；在所述導(dǎo)電、非磁性次層上電鍍第二磁極，包括將電流穿過所述導(dǎo)電、非磁性次層以便鍍上所述第二磁極的步驟。
27.如權(quán)利要求26所述的制造磁頭的方法，其中，所述粘結(jié)次層由從Ta、Ti、Cr和NiCr構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，并且形成為厚度從大約25到大約200。
28.如權(quán)利要求26所述的制造磁頭的方法，其中，所述導(dǎo)電、非磁性次層由從Rh、Ru、Ir、Mo、W、Au、Be、Pd、Pt、Cu、PtMn和Ta構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，并形成為厚度從大約100到大約1000。
29.如權(quán)利要求26所述的制造磁頭的方法，包括在所述粘結(jié)次層和所述導(dǎo)電、非磁性次層之間形成第三次層的步驟，且所述第三次層由在活性離子蝕刻過程中可蝕刻的材料構(gòu)成。
30.如權(quán)利要求29所述的磁頭，其中，所述第三次層由從Ta、Ti、W、Mo和Si構(gòu)成的組中選出的材料構(gòu)成，且形成為厚度從大約100到大約1000。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁頭，包括第一和第二磁極，且寫入間隙層置于二者之間。在第一實(shí)施例中，寫入間隙層包括非磁性、不導(dǎo)電第一次層，該第一次層優(yōu)選由Ta或Ti構(gòu)成，其淀積在第一磁極上以作用為粘結(jié)層。寫入間隙層還包括第二次層，該第二次層由非磁性、導(dǎo)電材料形成，該材料優(yōu)選由Rh或Ru構(gòu)成。P2極尖在第二次層上電鍍，其中，導(dǎo)電的第二次層用于導(dǎo)通電鍍電流。在另一實(shí)施例中，寫入間隙層包括第三次層，該第三次層在活性離子蝕刻(RIE)過程中可蝕刻，并且形成在第一和第二次層之間。第三次層優(yōu)選由Ta或Ti構(gòu)成。
文檔編號G11B5/31GK1677496SQ20041010035
公開日2005年10月5日 申請日期2004年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
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