專利名稱：卷繞式真空蒸鍍方法及卷繞式真空蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及下述方式的卷繞式真空蒸鍍方法及卷繞式真空蒸鍍裝置，該方式為在減壓環(huán)境內(nèi)連續(xù)傳送絕緣薄膜，在使薄膜附著到冷卻用輥上進行冷卻的同時，在該薄膜上蒸鍍金屬膜加以卷繞。
背景技術(shù)：
以往以來，下述方式的卷繞式真空蒸鍍方法例如在下述專利文獻1中所闡述的那樣已為眾所周知，上述方式為通過將從導(dǎo)出輥所連續(xù)傳送出的長原料薄膜卷到冷卻用筒式輥上，使來自與該筒式輥對向配置的蒸發(fā)源的蒸發(fā)物質(zhì)蒸鍍到原料薄膜上，用卷繞輥來卷繞蒸鍍后的原料薄膜。
在這種真空蒸鍍方法中，為了防止蒸鍍時原料薄膜的熱變形，在使原料薄膜附著到冷卻用筒式輥表面的同時，實行成膜處理。但是，在這種真空蒸鍍方法中，如何確保對冷卻用筒式輥的原料薄膜附著作用，已成為主要的問題。
作為提高原料薄膜和冷卻用筒式輥之間附著力的結(jié)構(gòu)，例如有下述專利文獻2中所闡述的結(jié)構(gòu)。圖5表示出下述專利文獻2中記載的卷繞式(等離子體CVD)成膜裝置的概略結(jié)構(gòu)。
參見圖5，在被維持成減壓環(huán)境的真空室1內(nèi)部，設(shè)置帶金屬膜薄膜2的導(dǎo)出輥3、冷卻用筒式輥4及卷繞輥5，在筒式輥4的下方配置有反應(yīng)氣體供給源6。
在此，帶金屬膜薄膜2在絕緣薄膜之上形成有導(dǎo)電原薄膜，在該導(dǎo)電原薄膜之上來自反應(yīng)氣體供給源6的反應(yīng)氣體產(chǎn)生反應(yīng)并形成薄膜。另外，筒式輥4在金屬制的輥表面形成有絕緣層，對輥主體施加規(guī)定的負電位。
而且，在圖5所示的卷繞式(等離子體CVD)成膜裝置中，在導(dǎo)出輥3和筒式輥4之間設(shè)置電子束照射器7，與此同時在該電子束照射器7和筒式輥4之間設(shè)置導(dǎo)輥8，用來將帶金屬膜薄膜2上的導(dǎo)電膜與接地電位連接。據(jù)此，對帶金屬膜薄膜2的絕緣層一側(cè)表面照射電子束使帶金屬膜薄膜2帶電，通過在與筒式輥4之間所發(fā)生的電吸附力，來尋求帶金屬膜薄膜2和筒式輥4之間的附著。
專利文獻1特開平7-118835號公報專利文獻2特開2000-17440號公報發(fā)明內(nèi)容但是，在圖5所示結(jié)構(gòu)的以往卷繞式(等離子體CVD)成膜裝置中存在下述問題，即作為帶金屬膜薄膜2只不過僅僅帶導(dǎo)電膜的塑料薄膜是有效的，而不能使用于在以塑料薄膜為示例的原料薄膜上蒸鍍金屬膜的處理。
原因是，雖然在該以往的卷繞式(等離子體CVD)成膜裝置中，因已經(jīng)形成金屬膜，而可以在處理前使施加給冷卻用筒式輥的偏置電位對帶金屬膜薄膜起作用，但是在蒸鍍金屬膜的場合下，不能在金屬膜被蒸鍍前的原料薄膜上附加偏置電位。再者，在只是使金屬膜蒸鍍前的原料薄膜帶電的場合下，有時若在薄膜上蒸鍍金屬膜，則原料薄膜所帶的電荷向蒸鍍于其上的金屬膜擴散，因此原因使筒式輥和原料薄膜之間的靜電吸引力下降，造成雙方的附著力惡化。
因而，以往卷繞式(等離子體CVD)成膜裝置中帶電及偏置電位的施加方法，不能使用于在以塑料薄膜為示例的原料薄膜上蒸鍍金屬膜的場合，而無法獲得冷卻用筒式輥和原料薄膜之間高的附著力，因此原料薄膜的冷卻效果不足在薄膜上引發(fā)皺紋等的熱變形，或者不能尋求原料薄膜行進速度的高速化而不能期望生產(chǎn)性提高。
本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，其課題為提供在生產(chǎn)性方面優(yōu)良的卷繞式真空蒸鍍方法及卷繞式真空蒸鍍裝置，該方法及裝置可以抑制以塑料薄膜為示例的絕緣原料薄膜的熱變形以高速形成金屬膜。
上面的課題采用下述卷繞式真空蒸鍍方法來解決，該卷繞式真空蒸鍍方法為，在減壓環(huán)境內(nèi)連續(xù)傳送絕緣原料薄膜，在使上述原料薄膜附著到冷卻用輥上進行冷卻的同時，在該原料薄膜上蒸鍍金屬膜加以卷繞，其特征為，在上述金屬膜的蒸鍍前，通過使上述原料薄膜帶電，讓上述原料薄膜附著到上述冷卻用輥上，在上述金屬膜的蒸鍍后，通過對上述金屬膜和上述冷卻用輥之間施加電壓，使上述原料薄膜附著到上述冷卻用輥上。
另外，上面的課題采用下述卷繞式真空蒸鍍裝置來解決，該卷繞式真空蒸鍍裝置具備真空室；導(dǎo)出部，配置于該真空室的內(nèi)部，用來連續(xù)傳送絕緣原料薄膜；卷繞部，用來卷繞從該導(dǎo)出部所傳送出的原料薄膜；冷卻用輥，配置于上述導(dǎo)出部和上述卷繞部之間，用來與上述原料薄膜附著對該薄膜進行冷卻；蒸發(fā)源，與上述冷卻用輥對向配置，用來使金屬膜蒸鍍到上述原料薄膜上，還包括帶電粒子照射裝置，配置于上述導(dǎo)出部和上述蒸發(fā)源之間，用來對上述原料薄膜照射帶電粒子；輔助輥，配置于上述冷卻用輥和上述卷繞部之間，用來與上述原料薄膜的成膜面接觸，引導(dǎo)該原料薄膜的行進；電壓施加裝置，用來對上述冷卻用輥和上述輔助輥之間施加直流電壓。
在金屬膜的蒸鍍前，因帶電粒子的照射而帶電的原料薄膜對于施加偏置電位后的冷卻用輥，通過靜電吸引力被附著。
另一方面，在金屬膜的蒸鍍后，雖然因被蒸鍍金屬膜使在原料薄膜上所帶的電荷一部分消失，但是可以通過和輔助輥的接觸對金屬膜施加電位，使之在該金屬膜和冷卻用輥之間產(chǎn)生靜電吸引力。據(jù)此，即使在蒸鍍后，原料薄膜和冷卻用輥之間的附著力也被維持。
如上所述，在本發(fā)明中，由于在金屬膜的蒸鍍前后都可以獲得原料薄膜和冷卻用輥之間高的附著力，因而能夠提高原料薄膜的冷卻效率，以此防止蒸鍍時原料薄膜的熱變形，并且提高原料薄膜的行進速度在生產(chǎn)性提高方面做出貢獻。
另一方面，若對冷卻用輥和輔助輥(原料薄膜上的金屬膜)之間所施加的偏置電位增大到規(guī)定以上，則因蒸鍍金屬噴濺引起短路時的熱損傷增大，很有可能成為損壞品質(zhì)的原因。
因此，最好設(shè)計下述工序，即測定被蒸鍍金屬膜的表面電位并控制施加電壓以使其達到設(shè)定范圍，據(jù)此可以避免因蒸鍍金屬噴濺而引起的損傷，能夠?qū)で笃焚|(zhì)的穩(wěn)定化。
作為上述設(shè)定范圍，設(shè)為獲得原料薄膜和冷卻用輥之間適當附著力的電壓以上并且不使因蒸鍍金屬噴濺而引起的損傷發(fā)生的電壓以下，按照所使用的原料薄膜材料、厚度及薄膜行進速度等加以適當選定。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的卷繞式真空蒸鍍裝置10的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖2表示的是原料薄膜成膜面，A表示出油圖形25形成后的狀態(tài)，B表示出金屬膜26蒸鍍后的狀態(tài)。
圖3是說明對原料薄膜12的電子束照射工序的剖面模式圖。
圖4是說明蒸膜后原料薄膜12和筒式輥14之間吸附作用的剖面模式圖。
圖5是以往卷繞式真空蒸鍍裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
符號說明10卷繞式真空蒸鍍裝置11真空室12原料薄膜13導(dǎo)出輥
14筒式輥(冷卻用輥)15卷繞輥16蒸發(fā)源18輔助輥20圖形形成部件(掩膜形成裝置)21電子束照射器(帶電粒子照射裝置)22直流偏壓電源(電壓施加裝置)23除電部件(除電裝置)25油圖形(oil pattern)26金屬膜27傳感器(檢測裝置)28控制器(控制裝置)根據(jù)本發(fā)明，由于在對絕緣原料薄膜的金屬膜蒸鍍前后，都能確保原料薄膜和冷卻用輥之間高的附著力，因而可以防止原料薄膜的熱變形，與此同時能夠提高原料薄膜的行進速度在生產(chǎn)性提高方面做出較大貢獻。
具體實施例方式
下面，有關(guān)本發(fā)明的實施方式，參照附圖予以說明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的卷繞式真空蒸鍍裝置10的概略結(jié)構(gòu)圖。本實施方式的卷繞式真空蒸鍍裝置10具備真空室11、原料薄膜12的導(dǎo)出輥13、冷卻用筒式輥14、卷繞輥15及蒸鍍物質(zhì)的蒸發(fā)源16。
真空室11介由管道連接部11a與未圖示的真空泵等真空排氣系統(tǒng)連接，其內(nèi)部被減壓排氣成規(guī)定的真空度。真空室11的內(nèi)部空間利用分隔板11b，被分隔成配置導(dǎo)出輥13及卷繞輥15等的空間和配置蒸發(fā)源16的空間。
原料薄膜12由裁剪成規(guī)定寬度的長絕緣塑料薄膜構(gòu)成，在本實施方式中，使用OPP(延伸聚丙烯)單層薄膜。
還有，在此之外還可以使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜、聚酯薄膜、PPS(硫化聚苯)薄膜之類的塑料薄膜和紙片等。
原料薄膜12從導(dǎo)出輥13進行傳送，介由多個導(dǎo)輥17、筒式輥14、輔助輥18及多個導(dǎo)輥19被卷繞到導(dǎo)出輥15上。導(dǎo)出輥13及卷繞輥15各自對應(yīng)于本發(fā)明的“導(dǎo)出部”及“卷繞部”，在它們上雖未加以圖示但分別設(shè)置有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部。
筒式輥14呈筒狀且為不銹鋼等的金屬制，在內(nèi)部具備有冷卻水循環(huán)系統(tǒng)等冷卻機構(gòu)以及使之旋轉(zhuǎn)驅(qū)動筒式輥14的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)等。在筒式輥14的表面以規(guī)定的夾角卷繞原料薄膜12。被卷到筒式輥14上的原料薄膜12其外面一側(cè)的成膜面由來自蒸發(fā)源16的蒸鍍物質(zhì)形成膜，與此同時通過筒式輥14被冷卻。
蒸發(fā)源16具備有下述機構(gòu)，用來在收容蒸鍍物質(zhì)的同時采用電阻加熱、感應(yīng)加熱、電子束加熱等眾所周知的方法使蒸鍍物質(zhì)加熱蒸發(fā)。該蒸發(fā)源16配置于筒式輥14的下方，用來使蒸鍍物質(zhì)的蒸氣附著到對向筒式輥14上的原料薄膜12上，使之形成鍍層。
作為蒸鍍物質(zhì)，除Al、Co、Cu、Ni、Ti等金屬元素單質(zhì)之外，還使用Al-Zn、Cu-Zn、Fe-Co等二種以上金屬或多元素系列合金，蒸發(fā)源也不限定為1個，也可以設(shè)置多個。
本實施方式的卷繞式真空蒸鍍裝置10進一步具備圖形形成部件20、電子束照射器21、直流偏壓電源22及除電部件23。
圖形形成部件20用來形成下述圖形并且對應(yīng)于本發(fā)明的“掩模形成裝置”，被設(shè)置于導(dǎo)出輥13和筒式輥14之間，上述圖形用來對原料薄膜12的成膜面劃定金屬膜的蒸鍍區(qū)域，圖2表示出原料薄膜12的成膜面。
圖形形成部件20的構(gòu)成為，例如在原料薄膜12的成膜面上沿其縱向(行進方向)，遍及多列涂敷圖2A中陰影所示形狀的油圖形25。因而，在成膜時下述形狀的金屬膜26被形成多列(圖2B)，上述形狀為在油圖形25的開口部25a上被鍍蒸鍍物質(zhì)的略方形金屬圖形介由連接部26a按規(guī)定間距來連接。還有，金屬膜26的成膜方式并不限定為上述。
接著，電子束照射器21對應(yīng)于本發(fā)明的“帶電粒子照射裝置”，用來在原料薄膜12上作為帶電粒子照射電子束使原料薄膜12帶負電。
圖3是說明對原料薄膜12的電子束照射工序的剖面模式圖。在本實施方式中，電子束照射器21設(shè)置于和筒式輥14表面的對向位置上，用來對接觸到筒式輥14的原料薄膜12成膜面照射電子束。由于在筒式輥14上照射電子束，因而可以在對原料薄膜12進行冷卻的同時，照射電子束。
尤其是，在本實施方式中電子束照射器21其構(gòu)成為，電子束在沿原料薄膜12橫向進行掃描的同時加以照射，據(jù)此可以避免因局部電子束照射而引起的原料薄膜損傷，與此同時能夠均勻且高效率地使原料薄膜12帶電。
直流偏壓電源22用來對筒式輥14和輔助輥18之間施加規(guī)定的直流電壓，對應(yīng)于本發(fā)明的“電壓施加裝置”。在本實施方式中，筒式輥14與正極連接，輔助輥18與負極連接。據(jù)此，照射電子束使之帶負電后的原料薄膜12如圖3所示，在筒式輥14的表面因靜電吸引力而被電吸附并且被附著。
在此，輔助輥18是金屬制，被設(shè)置于其表面與原料薄膜12成膜面轉(zhuǎn)接的位置上。
圖4是對蒸鍍后原料薄膜12和筒式輥14之間的吸附作用進行說明的剖面模式圖。通過蒸鍍，在原料薄膜12上形成金屬膜26呈圖形狀。如圖2B所示，金屬膜26沿縱向相連。
由于將輔助輥18與直流偏壓電源22的負極連接，因而被輔助輥18引導(dǎo)的原料薄膜12通過其成膜面上金屬膜26(參見圖2B)和輔助輥18表面的接觸，而對該金屬膜施加負電位。其結(jié)果為，被夾于金屬膜26和筒式輥14之間的原料薄膜12進行極化，在原料薄膜12和筒式輥14之間產(chǎn)生靜電吸附力，尋求雙方的附著。
尤其是，在本實施方式中將直流偏壓電源22設(shè)為可變電源，控制向原料薄膜12上的金屬膜26所施加的電位，來尋求向金屬膜26的施加電壓穩(wěn)定化。據(jù)此，通過金屬膜26的施加電壓變動，來避免向筒式輥14的原料薄膜12附著力下降，或者因金屬膜26和筒式輥14之間短路所發(fā)生的噴濺而引起的損傷。
具體而言，卷繞式真空蒸鍍裝置10具備傳感器(檢測裝置)27，設(shè)置于比輔助輥18的配置位置(關(guān)系到薄膜行進方向)更上行的一側(cè)，用來檢測原料薄膜12表面金屬膜26的表面電位；控制器(控制裝置)28，用來接受傳感器27的檢測輸出對直流偏壓電源22進行控制以使金屬膜26的電位達到設(shè)定范圍。
還有，作為上述設(shè)定范圍，設(shè)為獲得原料薄膜12和筒式輥14之間適當附著力的電壓以上且不使因蒸鍍金屬噴濺而引起的損傷發(fā)生的電壓以下，按照所使用原料薄膜12的材料、厚度以及薄膜行進速度等加以適當選定。
作為傳感器27的結(jié)構(gòu)示例，可以使用下述類型的表面電位計，這種類型的表面電位計通過使測定探頭內(nèi)的電極產(chǎn)生振動令其對探頭內(nèi)電極引發(fā)與薄膜表面電位大小相應(yīng)的位移電流，來測量薄膜表面電位。
還有，不限定于根據(jù)薄膜表面電位來控制施加電壓的結(jié)構(gòu)，例如也可以測量原料薄膜12的溫度來控制施加電壓。
接著，除電部件23對應(yīng)于本發(fā)明的“除電裝置”，配置于輔助輥18和卷繞輥15之間，具有對原料薄膜12進行除電的功能，該原料薄膜是通過來自電子束照射器21的電子照射而帶電的。作為除電部件23的結(jié)構(gòu)示例在等離子體中采用下述機構(gòu)，用來使原料薄膜12通過，通過轟擊處理對原料薄膜12進行除電。
下面，有關(guān)本實施方式的卷繞式真空蒸鍍裝置10動作以及本發(fā)明的卷繞式真空蒸鍍方法，予以說明。
在被減壓成規(guī)定真空度的真空室11內(nèi)部，從導(dǎo)出輥13所連續(xù)傳送的原料薄膜12經(jīng)過油圖形25的形成工序、電子束照射工序、蒸鍍工序以及除電工序，被連續(xù)卷繞到卷繞輥15上。
在掩模形成工序中，原料薄膜12通過圖形形成部件20在成膜面上例如涂敷形成圖2A所示形狀的油圖形25。作為掩模形成方法，可以采用圖形轉(zhuǎn)印法，該圖形轉(zhuǎn)印法利用與原料薄膜12轉(zhuǎn)接的轉(zhuǎn)印輥。
形成油圖形25后的原料薄膜12被卷到筒式輥14上。原料薄膜12在和筒式輥14的接觸開始位置旁邊，通過電子束照射器21照射電子束，在電位上帶負電。
此時，由于正在原料薄膜12與筒式輥14所接觸的位置上照射電子束，因而可以高效率地對原料薄膜12進行冷卻。
另外，在對于行進的原料薄膜12成膜面沿其橫向進行掃描的同時照射電子束，以此可以避免因電子束局部照射而引起的原料薄膜12的熱變形，與此同時能夠使原料薄膜12均勻且高效率地帶電。
受到電子束照射而帶負電的原料薄膜12對于筒式輥14通過直流偏壓電源22被偏置為正電位，因靜電吸引力而被附著(圖3)。隨后，從蒸發(fā)源16所蒸發(fā)的蒸鍍物質(zhì)通過堆積到原料薄膜12的成膜面上，以此形成圖2B所示的金屬膜26。該金屬膜26具有介由連接部26a沿原料薄膜12的縱向所連接的多列條紋形狀。
在原料薄膜12上所形成的金屬膜26介由輔助輥18施加直流偏壓電源22的負電位。由于金屬膜26形成為沿原料薄膜12的縱向所連接的條紋，因而在金屬膜26的蒸鍍后被卷到筒式輥14的原料薄膜12中，處于金屬膜26側(cè)一方的表面以及處于筒式輥14側(cè)另一方的表面分別向正、負進行極化，如圖4所示使之在原料薄膜12和筒式輥14之間產(chǎn)生靜電吸附力。其結(jié)果為，原料薄膜12和筒式輥14互相附著。
如上所述，在本實施方式中由于在金屬膜26的蒸鍍前，通過電子束的照射使原料薄膜12帶電令其附著到筒式輥14上，在金屬膜26的蒸鍍后，通過對該金屬膜26和筒式輥14之間所施加的偏壓使原料薄膜12附著到筒式輥14上，因而即使在金屬膜的蒸鍍前使原料薄膜12所帶的電荷(電子)一部分在此后金屬膜的蒸鍍工序中被該金屬膜釋放并消失，也可以通過從輔助輥18向金屬膜26的負電位施加(電子供給)來補償該所消失的電荷一部分或全部。
因而，根據(jù)本實施方式，即便在蒸鍍工序后也抑制原料薄膜12和筒式輥14之間的附著力下降，在蒸鍍工序的前后都能確保原料薄膜12的穩(wěn)定冷卻作用。
據(jù)此，可以防止金屬膜的蒸鍍時原料薄膜12的熱變形，與此同時使原料薄膜12的高速行進化以及成膜運行速度的高速化成為可能，能夠謀求生產(chǎn)性的提高。這種結(jié)構(gòu)，在采用OPP薄膜等那種若附著金屬膜則不易帶電的材料來構(gòu)成原料薄膜12的場合下是有用的。再者，在原料薄膜12上形成金屬膜26呈圖形狀的場合下，由于隨著部分溫度上升，有時電荷產(chǎn)生變化，因而使電荷失去后的金屬膜形成部分通過偏壓來提高其附著性，是為了均勻冷卻原料薄膜12所期望的。
另外，根據(jù)本實施方式，由于根據(jù)原料薄膜12上金屬膜26的表面電位來控制筒式輥14和輔助輥18之間的施加電壓，因而可以穩(wěn)定維持對筒式輥14的原料薄膜12附著作用，與此同時能夠謀求因噴濺等而引起的熱損傷的抑制。
如上所述，實行金屬膜26蒸鍍后的原料薄膜12在通過除電部件23進行除電之后，被卷繞到卷繞輥15上。據(jù)此，在確保原料薄膜12的穩(wěn)定卷繞動作的同時，可以防止因帶電而引起的纏繞皺紋。
實施例下面，說明本發(fā)明的實施例。
在本實施示例中，分別對于只有偏壓的情形、只有電子束照射的情形以及偏壓+電子束照射(本發(fā)明)的情形，測量出在不使原料薄膜12產(chǎn)生熱變形(皺紋、收縮等)的狀況下可以實行成膜處理的最大運行速度。
作為原料薄膜12使用寬度為600mm、厚度為4μm的OPP薄膜，對其蒸鍍有金屬A1，以成為表面電阻為2Ω/□的薄膜厚度。作為電子束照射器21使用4kV×100～200mA的掃描型電子槍，掃描頻率設(shè)為1000Hz。另外，直流偏壓電源22的電源電壓設(shè)為100～120V。
實驗結(jié)果如下。
只有偏壓 300m/min只有電子束照射250m/min偏壓+電子束照射 500m/min根據(jù)本發(fā)明，得知可以以偏壓施加及電子束照射的成倍效果來提高原料薄膜12和筒式輥14之間的附著力，在運行速度的高速化方面做出較大貢獻。
上面，雖然有關(guān)本發(fā)明的實施方式已做出說明，但是不言而喻，本發(fā)明并不限定于此，而可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思進行各種變形。
例如，在上述實施方式中，雖然作為在原料薄膜12上所蒸鍍的金屬膜26如圖2B所示，形成介由連接部26a所連接的條紋，但是并不限于此，例如不言而喻也可以設(shè)為沿薄膜縱向的直線圖形，或者不實行掩膜形成而形成沒有空隙狀的膜。
另外，在上面的實施方式中，雖然照射電子束使原料薄膜12帶負電，但是取而代之，也可以照射離子使原料薄膜12帶正電。這種場合下，將使施加給筒式輥14和輔助輥18的偏壓極性與上述實施方式相反(使筒式輥14成為負極，使輔助輥18成為正極)。
權(quán)利要求
1.一種卷繞式真空蒸鍍方法，用來在減壓氣氛環(huán)境內(nèi)連續(xù)傳送絕緣原料薄膜，在使上述原料薄膜附著到冷卻用輥上進行冷卻的同時，在該原料薄膜上蒸鍍金屬膜加以卷繞，其特征為在上述金屬膜的蒸鍍前，通過使上述原料薄膜帶電，使上述原料薄膜附著到上述冷卻用輥上，在上述金屬膜的蒸鍍后，通過對上述金屬膜和上述冷卻用輥之間施加電壓，使上述原料薄膜附著到上述冷卻用輥上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為在使上述原料薄膜帶電的工序中，對于行進的上述原料薄膜在沿該原料薄膜橫向進行掃描，同時照射帶電粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為在上述原料薄膜接觸到上述冷卻用輥時，進行上述帶電粒子的照射工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為在對上述金屬膜和上述冷卻用輥之間施加電壓的工序中，在引導(dǎo)上述金屬膜蒸鍍后的原料薄膜行進的輔助輥和上述冷卻用輥之間施加直流電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為對上述金屬膜和上述冷卻用輥之間施加電壓的工序包括測量上述金屬膜的表面電位的工序，和控制上述施加電壓使上述所測量出的電位在設(shè)定范圍的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為具有在使上述原料薄膜帶電的工序之前，將劃定上述金屬膜蒸鍍區(qū)域的掩模圖案形成于上述原料薄膜的成膜面上的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空蒸鍍方法，其特征為具有在上述金屬膜的蒸鍍后，對上述原料薄膜進行除電的工序。
8.一種卷繞式真空蒸鍍裝置，具備真空室；導(dǎo)出部，配置于該真空室的內(nèi)部，用于連續(xù)傳送絕緣原料薄膜；卷繞部，用來卷繞從該導(dǎo)出部所傳送出的原料薄膜；冷卻用輥，配置于上述導(dǎo)出部和上述卷繞部之間，用來與上述原料薄膜附著對該薄膜進行冷卻；蒸發(fā)源，與上述冷卻用輥對向配置，用來使金屬膜蒸鍍到上述原料薄膜上，其特征為還包括帶電粒子照射裝置，配置于上述導(dǎo)出部和上述蒸發(fā)源之間，用來對上述原料薄膜照射帶電粒子；輔助輥，配置于上述冷卻用輥和上述卷繞部之間，用來與上述原料薄膜的成膜面接觸，引導(dǎo)該原料薄膜的行進；電壓施加裝置，用來對上述冷卻用輥和上述輔助輥之間施加直流電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卷繞式真空蒸鍍裝置，其特征為在上述冷卻用輥和上述輔助輥之間設(shè)置檢測裝置，用來對上述原料薄膜上所蒸鍍的金屬膜表面電位進行檢測，與此同時具備控制裝置，用于根據(jù)上述檢測裝置的輸出，對上述電壓施加裝置的施加電壓進行控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卷繞式真空蒸鍍裝置，其特征為上述帶電粒子照射裝置設(shè)置在與上述冷卻用輥表面對向的位置上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卷繞式真空蒸鍍裝置，其特征為在上述導(dǎo)出部和上述帶電粒子照射裝置之間設(shè)置有掩模形成裝置，用來形成掩模圖案，該掩模圖案用來對上述原料薄膜的成膜面劃定上述金屬膜的蒸鍍區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的卷繞式真空蒸鍍裝置，其特征為在上述輔助輥和上述卷繞部之間設(shè)置有除電裝置，用來對上述原料薄膜進行除電。
全文摘要
提供在生產(chǎn)性方面優(yōu)良的卷繞式真空蒸鍍方法及卷繞式真空蒸鍍裝置，該方法及裝置可以在不使由塑料單層薄膜構(gòu)成的基底薄膜產(chǎn)生熱變形的狀況下形成金屬膜。通過配置電子束照射器21，與此同時設(shè)置對輔助輥18和筒式輥14之間施加偏壓的直流偏壓電源22，該電子束照射器用來在金屬膜蒸鍍前對原料薄膜12照射電子束，該輔助輥用來引導(dǎo)成膜后的原料薄膜12，在金屬膜的蒸鍍前，使通過電子束的照射令其帶電的原料薄膜12附著到筒式輥14上，在金屬膜的蒸鍍后，通過對與輔助輥18電氣的連接的金屬膜和筒式輥14之間所施加的偏壓，使原料薄膜12附著到筒式輥14上。
文檔編號G11B5/85GK1619009SQ20041009494
公開日2005年5月25日 申請日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月20日
發(fā)明者林信博, 廣野貴啟, 多田勲, 中塚篤 申請人:愛發(fā)科股份有限公司