專利名稱：帶有雙級(jí)致動(dòng)器的伺服自寫入的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)。更特別地，本發(fā)明涉及一種用于為自伺服寫入(SSW)過程設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)。
背景技術(shù)：
圖1示出了具有磁讀取/寫入頭(或記錄滑動(dòng)器)101的示例硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)100，其包括，舉例來說，偏移頭，使用用于向盤102寫入數(shù)據(jù)和/或從盤102讀取數(shù)據(jù)的雙級(jí)伺服系統(tǒng)而將其定位在磁盤102上的所選擇的軌道上方。將數(shù)據(jù)記錄在盤102的表面上的同心數(shù)據(jù)信息軌道的陣列中。盡管HDD100只示出了單個(gè)磁盤102，但HDD通常具有多個(gè)堆疊的、一般是旋轉(zhuǎn)的硬磁盤。
HDD 100的雙級(jí)伺服系統(tǒng)包括致動(dòng)器105；音圈馬達(dá)(VCM)104，用于粗略地定位讀取/寫入頭懸架106；以及二級(jí)致動(dòng)器，例如微致動(dòng)器或微定位器，用于在所選擇的軌道上方精細(xì)地定位讀取/寫入頭101。正如在此使用的，微致動(dòng)器(或微定位器)是放置在懸架和滑動(dòng)器之間并相對(duì)于該懸架而移動(dòng)該滑動(dòng)器的小致動(dòng)器。
圖2圖示了包括懸架201、微致動(dòng)器205和滑動(dòng)器209的示例懸架和微致動(dòng)器裝置200的截面。懸架201包括承載梁202、凹座203和曲梁(flexure)204。微致動(dòng)器205包括襯底206、微致動(dòng)器結(jié)構(gòu)207和至少一個(gè)彎曲元件208。襯底206是微致動(dòng)器205的固定結(jié)構(gòu)。微致動(dòng)器結(jié)構(gòu)207是微致動(dòng)器205的活動(dòng)結(jié)構(gòu)。滑動(dòng)器209包括讀取元件210和偏離讀取元件210的寫入元件211。
軌道訪問和跟蹤通常由HDD的伺服系統(tǒng)通過使用被稱為伺服模式的磁寫入模式提供，該模式存儲(chǔ)在HDD的至少一個(gè)磁盤上。所使用的一種普通類別的伺服模式裝置稱為專用伺服系統(tǒng)，其中，硬盤之一的一個(gè)表面被用來存儲(chǔ)所有伺服模式。所使用的另一種普通類別的伺服模式裝置稱為扇區(qū)伺服系統(tǒng)，其中，在每個(gè)數(shù)據(jù)表面上的每個(gè)軌道上的每個(gè)扇區(qū)之間或幾個(gè)扇區(qū)之間的軌道的一小部分被用來存儲(chǔ)伺服模式。所使用的再一種普通類別的伺服模式裝置稱為混合伺服系統(tǒng)，其中，使用專用的和伺服-扇區(qū)型伺服系統(tǒng)技術(shù)，從而獲得每種各自的伺服系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)。
一種用于或HDD的一個(gè)或多個(gè)盤上寫入伺服模式的技術(shù)使用被稱為伺服寫入器系統(tǒng)的專用設(shè)備。舉例來說，伺服寫入器系統(tǒng)包括激光測(cè)量的訪問系統(tǒng)，用于將該伺服寫入器系統(tǒng)的頭精確地定位在HDD的盤上方，以精確地寫入伺服模式。HDD被箝位到伺服寫入器以便在HDD和伺服寫入器之間保持精確定位。授予Ehrlich等人的美國專利No.6519107 B1公開了用于將伺服模式寫入到磁硬盤驅(qū)動(dòng)器上的示例技術(shù)。
使用伺服寫入器系統(tǒng)的一個(gè)缺點(diǎn)是，因?yàn)樵谒欧Ｊ綄懭脒^程期間HDD是敞開的，所以其必須在清潔的環(huán)境中使用以便減少HDD的污染的可能性。此外，當(dāng)將HDD從伺服寫入器解除箝位時(shí)，HDD的共振改變。因此，HDD的伺服系統(tǒng)并不完全遵循伺服模式，導(dǎo)致可重復(fù)的偏轉(zhuǎn)，其使得伺服系統(tǒng)難以確定處于軌道上。
已經(jīng)開發(fā)了自伺服寫入(SSW)技術(shù)，用來減少與使用伺服寫入器的寫入伺服模式相關(guān)的缺點(diǎn)。舉例來說，授予Brown等人的美國專利第6040955號(hào)涉及一種自伺服寫入(SSW)技術(shù)，其中，將伺服信息寫入到開始于HDD的第一止動(dòng)器(crash stop)的磁盤上。寫入伺服信息的頭被移向其它止動(dòng)器，直到所檢測(cè)的剛寫入的伺服信息的幅度等于預(yù)定的量為止，在該點(diǎn)寫入更多的伺服信息。頭的運(yùn)動(dòng)和下一個(gè)伺服模式的寫入繼續(xù)在盤上進(jìn)行，直到遇到第二止動(dòng)器。授予Shultz等人的美國專利第6429989 B1號(hào)涉及一種SSW技術(shù)，其基于檢測(cè)兩個(gè)定時(shí)標(biāo)記的通過、以及在基本相同的圓周位置上將徑向延伸(extension)寫入到定時(shí)標(biāo)記上，而橫跨磁盤的表面寫入定時(shí)標(biāo)記。
SSW過程的一個(gè)方面是在SSW過程的開始設(shè)置初始伺服軌道間距。使用內(nèi)徑(ID)止動(dòng)器的順應(yīng)性(compliance)和預(yù)定的VCM電流量來沿徑向產(chǎn)生一組間距相等的軌道，其被用做在SSW過程的下一階段期間，橫跨盤的整個(gè)表面的徑向傳播的基礎(chǔ)。圖3示出了在傳統(tǒng)SSW過程的開始執(zhí)行的示例的傳統(tǒng)初始伺服軌道間距設(shè)置技術(shù)的流程圖300。在步驟301，將驅(qū)動(dòng)HDD的磁盤的馬達(dá)以期望的伺服寫入器速度驅(qū)動(dòng)。在步驟302，從裝載器(ramp)解下致動(dòng)器并以受控的速度將讀取/寫入頭裝到盤表面上。在步驟303，對(duì)致動(dòng)器施加偏壓，以使得讀取/寫入頭對(duì)著ID止動(dòng)器，并且使致動(dòng)器為SSW過程做好準(zhǔn)備。在步驟304，使用預(yù)定的VCM電流為預(yù)定數(shù)目的軌道(例如，16個(gè)軌道)寫入突發(fā)脈沖(burst)模式。通常，盤每轉(zhuǎn)一圈寫入100-200個(gè)突發(fā)脈沖。例如，如果軌道具有200個(gè)扇區(qū)(扇區(qū)0-199)，則在扇區(qū)0-199的每一個(gè)中寫入突發(fā)脈沖。對(duì)于每個(gè)伺服軌道，突發(fā)脈沖寫入定時(shí)和VCM電流會(huì)發(fā)生變化。
圖4圖示了在為16個(gè)軌道寫入突發(fā)脈沖模式之后，圖3中示出的示例的伺服初始軌道間距設(shè)置技術(shù)的結(jié)果。圖4示出了兩個(gè)扇區(qū)——扇區(qū)0和1的16個(gè)伺服軌道。圖4的較低的部分處于盤的ID，而上面的部分朝向盤的OD。突發(fā)脈沖b0-b15已被寫入到每個(gè)扇區(qū)0和1中。盤從右向左旋轉(zhuǎn)。
在寫入突發(fā)脈沖模式之后，在步驟305，頭被移向盤最內(nèi)側(cè)的部分，并使用讀取/寫入頭的讀取傳感器查找突發(fā)脈沖b0，即位置最靠近盤的ID的突發(fā)脈沖模式的位置。在步驟306，使用非常小的VCM電流步長來將讀取/寫入頭移向外徑，并查找突發(fā)脈沖b1和b2的位置。在步驟307，頭的讀取傳感器部分被定位在突發(fā)脈沖b1的中央上方，以使得突發(fā)脈沖b0的幅度等于突發(fā)脈沖b2的幅度，并且突發(fā)脈沖b1的幅度是最大值。在步驟308，在盤旋轉(zhuǎn)幾周期間，測(cè)量突發(fā)脈沖b0、b1和b2的各自幅度，并將其平均。
在步驟309，計(jì)算重疊度(overlap)，其定義為重疊度＝(b0+b2)/b1，其中b0、b1和b2是突發(fā)脈沖b0、b1和b2各自的平均幅度。在步驟310，頭被移向盤的OD，測(cè)量和平均每個(gè)突發(fā)脈沖b2-b14及它們各自相鄰的突發(fā)脈沖的幅度，并且，類似于步驟309中定義的重疊度計(jì)算而計(jì)算重疊度。對(duì)于步驟310中的每次測(cè)量，將頭的讀取傳感器部分定位在對(duì)其進(jìn)行重疊度測(cè)量的突發(fā)脈沖的中央(即每個(gè)突發(fā)脈沖b2-b14的中央)上方，以使得與正被測(cè)量的突發(fā)脈沖相鄰的突發(fā)脈沖的幅度相等，并且正被測(cè)量的突發(fā)脈沖的幅度是最大值。在步驟311，將所計(jì)算的重疊度與目標(biāo)重疊度值(如0.9)相比較。在步驟311，如果所計(jì)算的重疊度和目標(biāo)重疊度值之間的差在所選擇的標(biāo)準(zhǔn)(如2％)內(nèi)，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟312，并結(jié)束初始軌道間距設(shè)置技術(shù)。
在步驟312，如果所計(jì)算的重疊度不在所選擇的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟313，在該處確定所計(jì)算的重疊度是否大于目標(biāo)重疊度值。在步驟313，如果所計(jì)算的重疊度大于目標(biāo)重疊度值，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟314，在該處將預(yù)定的VCM電流間隔增加一個(gè)增量。流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟315。在步驟313，如果所計(jì)算的重疊度小于目標(biāo)重疊度值，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟316，在該處將預(yù)定的VCM電流重疊度減少一個(gè)增量。流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟315，在該處所有先前寫入的突發(fā)脈沖都被清除。以新的預(yù)定的VCM電流，流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟303，并且重復(fù)該過程，直到所計(jì)算的重疊度在所選擇的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)。
在圖3的初始伺服軌道設(shè)置過程最后，已經(jīng)創(chuàng)建了一組沿徑向等間距的軌道(即16個(gè)具有幾百個(gè)突發(fā)脈沖模式的軌道)。該模式位于盤的內(nèi)徑部分。傳統(tǒng)的SSW使用初始軌道間距設(shè)置技術(shù)來補(bǔ)償具有大讀取/寫入偏移量的頭。也就是說，致動(dòng)器的邊緣接觸到ID止動(dòng)器，因此不需要伺服控制來將頭放置在每個(gè)突發(fā)脈沖的中央。因?yàn)轭^的讀取/寫入偏移量遠(yuǎn)大于伺服軌道間距，所以被寫入的軌道數(shù)目必須大于2+軌道中頭的讀取/寫入偏移量，如圖5所示。在圖5中，頭501包括讀取元件502和寫入元件503，其由讀取/寫入偏移量504分隔開。突發(fā)脈沖505被示出為寫入到伺服軌道506上。
傳統(tǒng)的初始伺服軌道間距設(shè)置技術(shù)依賴于ID止動(dòng)器的順應(yīng)性，用于提供頭的可控開環(huán)運(yùn)動(dòng)。也就是說，當(dāng)正對(duì)著ID止動(dòng)器推致動(dòng)器時(shí)，即圖3中的步驟303，ID止動(dòng)器被壓縮，并且頭的位置與如果ID止動(dòng)器未被壓縮時(shí)不同。當(dāng)壓縮ID止動(dòng)器時(shí)，頭的位置與用于壓縮ID止動(dòng)器的VCM電流量相關(guān)。圖6是圖示了用VCM電流表示的止動(dòng)力(推力)與致動(dòng)器位置之間的函數(shù)關(guān)系的圖。圖6中示出的VCM電流值是代表性的，并可依賴于用于ID止動(dòng)器的材料、VCM扭矩常數(shù)、ID止動(dòng)器和致動(dòng)器的幾何形狀以及其它外力而改變。如圖6所示，ID止動(dòng)器壓縮，即致動(dòng)器的位置和所施加的力不是線性相關(guān)的。通常，在初始伺服軌道設(shè)置過程期間使用由601表示的壓縮范圍。圖6的曲線不是完全可重復(fù)的，所以對(duì)于相同的VCM電流，在ID止動(dòng)器的頭位置不是完全可重復(fù)的。因此，當(dāng)重復(fù)傳統(tǒng)的初始伺服軌道設(shè)置過程時(shí)，該過程花費(fèi)很多時(shí)間。此外，當(dāng)基于VCM電流在盤上移動(dòng)頭時(shí)，需要額外的時(shí)間來安排頭的位置。而且，SSW過程的其余部分使用最后的預(yù)定的固定VCM電流來執(zhí)行，所以總的處理時(shí)間和伺服信息的定位精確性可能受到不利影響。因此，必須為ID止動(dòng)器使用昂貴的材料，因?yàn)閷?duì)初始軌道間距設(shè)置技術(shù)來說，ID止動(dòng)器的順應(yīng)特性是關(guān)鍵性的。
因此，所需要的是一種用于設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)，其不依靠ID止動(dòng)器的順應(yīng)特性作為設(shè)置伺服軌道間距的基礎(chǔ)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)，其不依靠ID止動(dòng)器的順應(yīng)特性作為設(shè)置伺服軌道間距的基礎(chǔ)。此外，本發(fā)明的該技術(shù)提高了整個(gè)SSW過程的精確性。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)由用來為硬盤驅(qū)動(dòng)器的伺服系統(tǒng)設(shè)置初始伺服軌道間距的方法提供，該硬盤驅(qū)動(dòng)器具有至少一個(gè)硬盤、致動(dòng)器、二級(jí)致動(dòng)器如微致動(dòng)器或毫致動(dòng)器、對(duì)應(yīng)于每個(gè)硬盤的讀取/寫入頭、以及至少一個(gè)用于致動(dòng)器的止動(dòng)器。將致動(dòng)器定位在止動(dòng)器(內(nèi)徑止動(dòng)器或外徑止動(dòng)器)的對(duì)面，并且，當(dāng)致動(dòng)器被定位在止動(dòng)器對(duì)面，以及當(dāng)讀取/寫入頭處于第一位置時(shí)，將突發(fā)脈沖模式寫入到至少一個(gè)硬盤上。以預(yù)定的偏置電壓增量，施加到二級(jí)致動(dòng)器上的偏置電壓改變預(yù)定的次數(shù)，例如16次，以將讀取/寫入頭的位置改變相應(yīng)的次數(shù)，并將突發(fā)脈沖模式寫入到至少一個(gè)硬盤上讀取/寫入頭的每個(gè)分別改變的位置處。為具有與該突發(fā)脈沖模式相鄰的兩個(gè)突發(fā)脈沖模式的至少一個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的量。當(dāng)寫入16個(gè)突發(fā)脈沖模式時(shí)，通常選擇14個(gè)突發(fā)脈沖模式來確定重疊度。通過測(cè)量和平均多個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度，以使得每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式具有兩個(gè)相鄰的突發(fā)脈沖模式，并通過測(cè)量和平均與每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度而確定重疊度的量。然后，對(duì)于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式，重疊度被確定為所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的突發(fā)脈沖模式的平均幅度的和除以所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度。當(dāng)為每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定的重疊度的量處于所選擇的預(yù)定的目標(biāo)重疊值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)時(shí)，結(jié)束用于設(shè)置初始伺服軌道間距的方法。否則，當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量大于預(yù)定的目標(biāo)重疊值時(shí)，增大預(yù)定的偏置電壓增量，或者當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量小于預(yù)定的目標(biāo)重疊值時(shí)，減小預(yù)定的偏置電壓增量。以新的預(yù)定的偏置電壓增量重復(fù)該過程。


本發(fā)明通過示例的方式來演示，并且，不限于附圖，其中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，并且，其中圖1示出了具有雙極伺服系統(tǒng)的示例硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)；圖2圖示了示例的懸架和微致動(dòng)器裝置的截面；
圖3示出了用于在傳統(tǒng)SSW過程的開始執(zhí)行的示例的初始伺服軌道間距設(shè)置技術(shù)的流程圖；圖4圖示了在為16個(gè)軌道寫入突發(fā)脈沖之后，圖3中示出的示例的伺服初始軌道間距設(shè)置技術(shù)的結(jié)果；圖5圖示了示例頭的讀取/寫入偏移量；圖6是圖示了用VCM電流表示的止動(dòng)力(推力)與致動(dòng)器位置之間的函數(shù)關(guān)系的圖；以及圖7示出了在SSW過程的開始執(zhí)行的根據(jù)本發(fā)明的示例的初始軌道間距設(shè)置技術(shù)的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了一種用于為雙伺服系統(tǒng)HDD設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)，其不依靠ID止動(dòng)器的順應(yīng)特性作為設(shè)置伺服軌道間距的基礎(chǔ)。本發(fā)明使用了二級(jí)致動(dòng)器來設(shè)置初始伺服軌道間距設(shè)置。盡管本發(fā)明的初始軌道間距設(shè)置技術(shù)可以使用任意種類的二級(jí)致動(dòng)器，例如微致動(dòng)器或毫致動(dòng)器(milliactuator)，但本發(fā)明的下列描述是基于微致動(dòng)器的使用的。
本發(fā)明利用微致動(dòng)器的沖程(stroke)來設(shè)置初始伺服軌道間距。使用單個(gè)預(yù)定的固定VCM電流來將致動(dòng)器推向ID止動(dòng)器，并且該VCM電流在SSW過程期間保持相同。使用幾個(gè)(例如16個(gè))不同的微致動(dòng)器偏置電壓來為初始伺服軌道間距設(shè)置操作、以及如果必要的話還有擦除操作的讀取/寫入過程而定位頭。
目前可用的微致動(dòng)器具有對(duì)于+30V偏置電壓大約為±1μm的沖程。沖程和輸入偏置電壓之間的關(guān)系是線性的并具有極好的可重復(fù)性?，F(xiàn)用的HDD具有大約100K TPI，并且用于數(shù)據(jù)軌道的軌道間距等于0.25μm。這樣，現(xiàn)用的微致動(dòng)器的沖程覆蓋8個(gè)數(shù)據(jù)軌道，即2μm/0.25μm＝8。在傳統(tǒng)的SSW過程中，伺服軌道間距是數(shù)據(jù)軌道間距的一半。因此，微致動(dòng)器沖程覆蓋16個(gè)伺服軌道。此外，用于現(xiàn)用的HDD的頭的典型的讀取/寫入偏移量是在3到8個(gè)伺服軌道之間。這樣，現(xiàn)用的微致動(dòng)器可被用于根據(jù)本發(fā)明的用于現(xiàn)用的HDD的SSW過程。而且，微致動(dòng)器的沖程可以通過增大施加到微致動(dòng)器上的偏置電壓的范圍擴(kuò)展到16個(gè)伺服軌道以外。這樣，因?yàn)镠DD的TPI容量增大并且軌道間距相應(yīng)地變得更窄，所以微致動(dòng)器將具有足夠的性能來提供用于根據(jù)本發(fā)明的SSW過程的初始伺服軌道間距操作。
本發(fā)明利用的微致動(dòng)器沖程和偏置電壓之間的線性關(guān)系使得易于計(jì)算用于下一步驟的預(yù)定的固定偏置電壓。另外，用于頭安置所需的時(shí)間非常短，所以整個(gè)SSW處理時(shí)間相應(yīng)地減少。此外，作為偏置電壓的函數(shù)，微致動(dòng)器的沖程具有極好的可重復(fù)性，所以處理變得更加精確并且可以在整體上更短的時(shí)間周期內(nèi)完成。此外，ID止動(dòng)器的順應(yīng)特性對(duì)于本發(fā)明來說不是那么重要，所以可以為ID止動(dòng)器選擇較便宜的材料。
圖7示出了用于在SSW過程的開始執(zhí)行的根據(jù)本發(fā)明的示例的初始軌道間距設(shè)置技術(shù)的流程圖700。在步驟701，驅(qū)動(dòng)HDD的磁盤的馬達(dá)被以期望的伺服寫入器速度驅(qū)動(dòng)。在步驟702，將致動(dòng)器從裝載器上解下，并將讀取/寫入頭以受控的速度放在盤表面上。在步驟703，使用預(yù)定的VCM電流來給對(duì)著ID止動(dòng)器的致動(dòng)器施加偏壓，并使其為SSW過程做好準(zhǔn)備。SSW過程自始至終都使用同樣的預(yù)定的VCM電流來給正對(duì)ID止動(dòng)器的致動(dòng)器施加偏壓。在步驟704，使用施加到微致動(dòng)器的預(yù)定的偏置電壓寫入突發(fā)脈沖模式。通常，盤每轉(zhuǎn)一圈寫入100-200個(gè)突發(fā)脈沖。例如，如果軌道具有200個(gè)扇區(qū)(扇區(qū)0-199)，則在扇區(qū)0-199的每一個(gè)中寫入突發(fā)脈沖。對(duì)于每個(gè)伺服軌道，突發(fā)脈沖寫入定時(shí)和VCM電流會(huì)發(fā)生變化。步驟704的結(jié)果看起來與傳統(tǒng)的初始軌道設(shè)置技術(shù)的結(jié)果相似，其在圖4中示出。
在寫入突發(fā)脈沖模式之后，在步驟705，通過改變施加到微致動(dòng)器的偏置電壓，頭被移向盤的最內(nèi)側(cè)的部分，并使用讀取/寫入頭的讀取傳感器查找突發(fā)脈沖b0，即最靠近盤的ID的突發(fā)脈沖模式的位置。在步驟706，通過微致動(dòng)器偏置電壓的改變，讀取/寫入頭被移向外徑以查找突發(fā)脈沖b1和b2的位置。在步驟707，頭的讀取傳感器部分定位在突發(fā)脈沖b1的中央上方，以使得突發(fā)脈沖b0的幅度等于突發(fā)脈沖b2的幅度，并且，突發(fā)脈沖b1的幅度是最大值。在步驟708，在盤旋轉(zhuǎn)數(shù)圈期間測(cè)量突發(fā)脈沖b0、b1和b2各自的幅度，并將其平均。
在步驟709，計(jì)算重疊度，其定義為重疊度＝(b0+b2)/b1，其中b0、b1和b2是突發(fā)脈沖b0、b1和b2各自的平均幅度。在步驟710，通過改變施加到微致動(dòng)器的偏置電壓，頭被移向盤的OD，測(cè)量和平均每個(gè)突發(fā)脈沖b2-b14的幅度，并測(cè)量和平均它們各自相鄰的突發(fā)脈沖。對(duì)于步驟310中的每一次測(cè)量，頭的讀取傳感器被定位在對(duì)其進(jìn)行重疊度測(cè)量的突發(fā)脈沖的中央(即每個(gè)突發(fā)脈沖b2-b14的中央)上方，以使得與正被測(cè)量的突發(fā)脈沖相鄰的突發(fā)脈沖的幅度相等，并且正被測(cè)量的突發(fā)脈沖的幅度是最大值。類似于步驟709中對(duì)重疊度的計(jì)算而為每個(gè)突發(fā)脈沖b2-14計(jì)算重疊度。在步驟711，將所計(jì)算的重疊度與目標(biāo)重疊度值(例如0.9)進(jìn)行比較。在步驟711，如果所計(jì)算的重疊度和目標(biāo)重疊度值之間的差在所選擇的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，例如2％，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟712，并結(jié)束初始軌道間距設(shè)置技術(shù)。
在步驟711，如果所計(jì)算的重疊度不在所選擇的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟713，在該處確定所計(jì)算的重疊度是否大于目標(biāo)重疊度值。在步驟713，如果所計(jì)算的重疊度大于目標(biāo)重疊度值，則流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟714，在該處將施加到微致動(dòng)器的預(yù)定的偏置電壓增量增加預(yù)定的量。流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟716。在步驟713，如果所計(jì)算的重疊度小于目標(biāo)重疊度值，則流程繼續(xù)到步驟715，將施加到微致動(dòng)器上的預(yù)定的偏置電壓增量減小預(yù)定的量。流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟716，在該處所有先前寫入的突發(fā)脈沖都被清除。以新的偏置電壓步長，流程繼續(xù)進(jìn)行到步驟703，并且重復(fù)該過程，直到所計(jì)算的重疊度在所選擇的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)。
盡管已說明了通過一開始將HDD的致動(dòng)器定位在ID止動(dòng)器對(duì)面而設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)，但應(yīng)當(dāng)理解，也可以通過一開始將致動(dòng)器定位在OD止動(dòng)器的對(duì)面而使用本發(fā)明的技術(shù)。
盡管出于理解清晰的目的已經(jīng)詳細(xì)描述了前述發(fā)明，但顯而易見的是，可以在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)實(shí)踐某些改變和修改。因此，本實(shí)施例將被視為示意性的而非限制性的，并且本發(fā)明不會(huì)被限制到在這里給出的細(xì)節(jié)，而可以在所附權(quán)利要求的范圍及其等同物內(nèi)進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種用于為硬盤驅(qū)動(dòng)器的伺服系統(tǒng)設(shè)置初始伺服軌道間距的方法，該硬盤驅(qū)動(dòng)器具有至少一個(gè)硬盤、致動(dòng)器、二級(jí)致動(dòng)器、對(duì)應(yīng)于每個(gè)硬盤的讀取/寫入頭以及至少一個(gè)用于所述致動(dòng)器的止動(dòng)器，該方法包括以下步驟(a)將致動(dòng)器定位在止動(dòng)器對(duì)面；(b)當(dāng)致動(dòng)器定位在止動(dòng)器對(duì)面并且讀取/寫入頭在第一位置時(shí)，將突發(fā)脈沖模式寫入在至少一個(gè)硬盤上；(c)以預(yù)定的偏置電壓增量，將施加到二級(jí)致動(dòng)器上的偏置電壓改變預(yù)定的次數(shù)，以將讀取/寫入頭的位置改變相應(yīng)的次數(shù)，并將突發(fā)脈沖模式寫入到至少一個(gè)硬盤上讀取/寫入頭的每個(gè)分別改變的位置處；(d)為至少一個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的量，其中，該突發(fā)脈沖模式具有與該突發(fā)脈沖模式相鄰的兩個(gè)突發(fā)脈沖模式；(e)當(dāng)為每個(gè)選擇的突發(fā)脈沖模式確定的重疊度的量在所選擇的預(yù)定的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)時(shí)，結(jié)束所述用于設(shè)置初始伺服軌道間距的方法；(f)當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量大于預(yù)定的目標(biāo)重疊度值時(shí)，增大預(yù)定的偏置電壓增量，而當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量小于預(yù)定的目標(biāo)重疊度值時(shí)，減小預(yù)定的偏置電壓增量；以及(g)以新的預(yù)定的偏置電壓增量重復(fù)步驟(a)到(e)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述為每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的量的步驟包括以下步驟測(cè)量多個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度，每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式具有兩個(gè)相鄰的突發(fā)脈沖模式；測(cè)量與每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度；以及將用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度確定為所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的突發(fā)脈沖模式的幅度的和除以所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，測(cè)量多個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度的步驟和測(cè)量每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度的步驟分別被執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)，該方法還包括以下步驟將所測(cè)量的每個(gè)分別選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度平均；以及將所測(cè)量的與每個(gè)分別的突發(fā)脈沖模式相鄰的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度平均，以及其中，為每個(gè)分別的所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的步驟是基于平均的測(cè)量的每個(gè)分別的突發(fā)脈沖模式的幅度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，讀取/寫入頭的位置改變的所述預(yù)定的次數(shù)是16。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，為14個(gè)突發(fā)脈沖模式確定所述重疊度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述止動(dòng)器是內(nèi)徑止動(dòng)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述止動(dòng)器是外徑止動(dòng)器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述二級(jí)致動(dòng)器是微致動(dòng)器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述二級(jí)致動(dòng)器是毫致動(dòng)器。
10.一種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括至少一個(gè)硬盤；致動(dòng)器；二級(jí)致動(dòng)器；對(duì)應(yīng)于每個(gè)硬盤的讀取/寫入頭；以及至少一個(gè)用于所述致動(dòng)器的止動(dòng)器；至少一個(gè)硬盤，具有通過以下步驟設(shè)置的伺服軌道間距(a)將致動(dòng)器定位在止動(dòng)器對(duì)面；(b)當(dāng)致動(dòng)器定位在止動(dòng)器對(duì)面并且讀取/寫入頭在第一位置時(shí)，將突發(fā)脈沖模式寫入到至少一個(gè)硬盤上；(c)以預(yù)定的偏置電壓增量，將施加到二級(jí)致動(dòng)器上的偏置電壓改變預(yù)定的次數(shù)，以將讀取/寫入頭的位置改變相應(yīng)的次數(shù)，并將突發(fā)脈沖模式寫入在至少一個(gè)硬盤上讀取/寫入頭的每個(gè)分別的所改變的位置處；(d)為至少一個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的量，其中，該突發(fā)脈沖模式具有與該突發(fā)脈沖模式相鄰的兩個(gè)突發(fā)脈沖模式；(e)當(dāng)為每個(gè)選擇的突發(fā)脈沖模式確定的重疊度的量在所選擇的預(yù)定的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)時(shí)，結(jié)束所述用于設(shè)置初始伺服軌道間距的方法；(f)當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量大于預(yù)定的目標(biāo)重疊度值時(shí)，增加預(yù)定的偏置電壓增量，而當(dāng)用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度的量小于預(yù)定的目標(biāo)重疊度值時(shí)，減小預(yù)定的偏置電壓增量；以及(g)以新的預(yù)定的偏置電壓增量重復(fù)步驟(a)到(e)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，當(dāng)為每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式確定重疊度的量時(shí)，測(cè)量多個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度，每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式具有兩個(gè)相鄰的突發(fā)脈沖模式，測(cè)量與每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度，并且將用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度確定為所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的突發(fā)脈沖模式的幅度的和除以所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，當(dāng)測(cè)量所述多個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度以及當(dāng)測(cè)量每個(gè)都執(zhí)行了預(yù)定的次數(shù)的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度時(shí)，將所測(cè)量的每個(gè)分別的所選擇的突發(fā)脈沖模式的幅度平均，將所測(cè)量的與每個(gè)分別的突發(fā)脈沖模式相鄰的每個(gè)突發(fā)脈沖模式的幅度平均，并基于所平均的所測(cè)量的每個(gè)分別的突發(fā)脈沖模式的幅度，確定用于每個(gè)分別的所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，讀取/寫入頭的位置改變的所述預(yù)定的次數(shù)是16。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，為14個(gè)突發(fā)脈沖模式確定所述重疊度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，所述止動(dòng)器是內(nèi)徑止動(dòng)器。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，所述止動(dòng)器是外徑止動(dòng)器。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，所述二級(jí)致動(dòng)器是微致動(dòng)器。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，所述二級(jí)致動(dòng)器是毫致動(dòng)器。
全文摘要
一種用于為硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的伺服系統(tǒng)設(shè)置初始伺服軌道間距的技術(shù)，其基于使用二級(jí)致動(dòng)器例如微致動(dòng)器或毫致動(dòng)器。將HDD的致動(dòng)器定位在止動(dòng)器對(duì)面，并且當(dāng)讀取/寫入頭處于第一位置時(shí)，將突發(fā)脈沖模式寫入在硬盤上。增加性地改變二級(jí)致動(dòng)器的偏置電壓，以改變讀取/寫入頭的位置并為每次改變寫入突發(fā)脈沖模式。重疊度被確定為所選擇的突發(fā)脈沖模式相鄰的突發(fā)脈沖模式的平均幅度的和除以所選擇的突發(fā)脈沖模式的平均幅度。當(dāng)所確定的用于每個(gè)所選擇的突發(fā)脈沖模式的重疊度在所選擇的目標(biāo)重疊度值的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)時(shí)，結(jié)束該過程。
文檔編號(hào)G11B5/596GK1604199SQ20041008246
公開日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月29日
發(fā)明者山本智 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司