專利名稱：用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路及升壓方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種升壓電路及其升壓方法，特別是關(guān)于一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路及升壓方法。
背景技術(shù)：
可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器屬于一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其無(wú)需電源持續(xù)供應(yīng)也能保有存儲(chǔ)內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)，加上低耗電、高寫(xiě)入/抹除效率、可重復(fù)寫(xiě)入及高密度等優(yōu)點(diǎn)，使得其應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛，例如于行動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)位助理(PDA)及各式消費(fèi)性電子產(chǎn)品中，可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器已成為必要元件。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分成專業(yè)半導(dǎo)體制造公司及無(wú)晶圓廠的IC設(shè)計(jì)公司，專業(yè)半導(dǎo)體制造公司主要以提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程為主，如果需其它特殊制程，則需較昂貴制造費(fèi)用，而利用CMOS邏輯制程制造的可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器不需要特殊制程，因此逐漸地被當(dāng)成嵌入式存儲(chǔ)元件使用。
可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器操作于編程程序或抹除程序時(shí)，是透過(guò)存儲(chǔ)元件在高電場(chǎng)強(qiáng)度下所產(chǎn)生的熱電子效應(yīng)或電子隧道遷移效應(yīng)來(lái)達(dá)成，而為達(dá)到此熱電子效應(yīng)或電子隧道遷移效應(yīng)，此存儲(chǔ)元件的源極與汲極間或源極與閘極間的偏壓需高達(dá)8V以上，對(duì)應(yīng)用于寬幅工作電壓范圍的可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器而言，如何控制升壓電路的輸出準(zhǔn)位是一大挑戰(zhàn)。
有鑒于此，本發(fā)明是針對(duì)上述的困擾，提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路及其升壓方法，以改善上述的缺失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，是在提供一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其在一寬幅工作電壓范圍內(nèi)，將電源電壓準(zhǔn)位升高，以提供可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)元件所需的高準(zhǔn)位電壓。
本發(fā)明的另一目的，是在提供一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，使得電源電壓準(zhǔn)位的提升位在一較小的變化幅度內(nèi)，以簡(jiǎn)化變壓器設(shè)計(jì)。
為達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)體裝置的升壓電路，包括一電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路，其在接收并檢測(cè)一電源電壓準(zhǔn)位后得到一檢測(cè)結(jié)果，且有一振蕩電路輸出一輸出振幅與電源電壓準(zhǔn)位相等的周期性信號(hào)，再利用一驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)檢測(cè)結(jié)果及周期性信號(hào)產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并通過(guò)由一電荷移轉(zhuǎn)電路根據(jù)周期性信號(hào)及驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)提升電源電壓準(zhǔn)位，另有一變壓器接收并調(diào)變電荷移轉(zhuǎn)電路提升后的電源電壓準(zhǔn)位，以輸出一高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓。
本發(fā)明另外提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其步驟包括首先提供一電源電壓準(zhǔn)位，并檢測(cè)電源電壓準(zhǔn)位以得到一檢測(cè)結(jié)果，且再提供一周期性信號(hào)而產(chǎn)生額外的電荷，并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果提供一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)利用額外的電荷將電源電壓準(zhǔn)位提高，最后調(diào)變電源電壓準(zhǔn)位并輸出一高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓。
以下通過(guò)由具體實(shí)施例配合所附的圖式詳加說(shuō)明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖1為本發(fā)明的升壓電路的內(nèi)部電路方塊圖；圖2為本發(fā)明的升壓電路內(nèi)的電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路的內(nèi)部電路方塊圖；圖3為本發(fā)明的電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路內(nèi)部的參考電壓產(chǎn)生器的電路圖；圖4為本發(fā)明的升壓電路內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)部電路方塊圖；圖5為本發(fā)明的升壓電路內(nèi)的電荷移轉(zhuǎn)電路的電路示意圖；圖6為本發(fā)明的用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法的步驟流程圖；圖7為可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的電路方塊圖；圖8為可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列的電路示意圖；圖9為可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列內(nèi)的每一存儲(chǔ)元件的電路示意圖；圖10為現(xiàn)有的電荷移轉(zhuǎn)電路在寬幅工作電壓范圍所得到的高準(zhǔn)位輸出圖；圖11為本發(fā)明的電號(hào)移轉(zhuǎn)電路在寬幅工作電壓范圍所得到的高準(zhǔn)位輸出圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其是提供一可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置所需的高準(zhǔn)位電壓，可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置包括m列n行的存儲(chǔ)元件，而本發(fā)明利用升壓電路提高一電源電壓準(zhǔn)位，以提供存儲(chǔ)元件所需的高準(zhǔn)位電壓。
首先，本發(fā)明提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，圖1所示為升壓電路的內(nèi)部電路方塊圖，升壓電路包括一電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202，將工作電壓范圍為2.5V～3.6V或3.6V～5V的電源電壓準(zhǔn)位輸入至電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202，電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202檢測(cè)電源電壓準(zhǔn)位以得到一檢測(cè)結(jié)果，并有一振蕩電路204輸出一頻率為5MHz～200MHz的周期性信號(hào)，此周期性信號(hào)為方波，且周期性信號(hào)的輸出振幅等于電源電壓準(zhǔn)位，且有一驅(qū)動(dòng)電路206連接振蕩電路204及電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202，并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果及周期性信號(hào)產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，及一電荷移轉(zhuǎn)電路208利用周期性信號(hào)產(chǎn)生的額外電荷及根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)提升電源電壓準(zhǔn)位，另有一變壓器(regulator)210連接電荷移轉(zhuǎn)電路208及電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202，以接收并調(diào)變電荷移轉(zhuǎn)電路208提升后的電源電壓準(zhǔn)位，以輸出高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓，此高準(zhǔn)位電壓可大于10V以上。
其中，當(dāng)電源電壓準(zhǔn)位介于2.5V～3.6V間時(shí)，電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位是否大于3.0V，當(dāng)電源電壓準(zhǔn)位大于3.0V，驅(qū)動(dòng)電路206便輸出為低驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，小于3.0V則輸出高驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；而若電源電壓準(zhǔn)位在3.6V～5V間時(shí)，電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202便以4.5V為基準(zhǔn)，以檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位是否大于4.5V，若電源電壓準(zhǔn)位大于4.5V，則驅(qū)動(dòng)電路206便會(huì)輸出為低驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，小于4.5V則輸出高驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
圖2所示為電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路的內(nèi)部電路方塊圖，電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202包括一線性電壓分壓器212及一參考電壓產(chǎn)生器214，并分別連接至一比較器216，電源電壓準(zhǔn)位輸入至線性電壓分壓器212，再通過(guò)由參考電壓產(chǎn)生器214產(chǎn)生一為3.0或4.5V的參考電壓準(zhǔn)位，而參考電壓產(chǎn)生器214的電路圖如圖3所示，使比較器216可以根據(jù)3.0V或4.5V的參考電壓以比較電源電壓準(zhǔn)位而提供檢測(cè)結(jié)果，并由圖中所示的輸出端S輸出至驅(qū)動(dòng)電路。
圖4所示為驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)部電路方塊圖，驅(qū)動(dòng)電路206包括一相位振幅調(diào)變電路218，其連接電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路202的輸出端S，相位振幅調(diào)變電路218輸出一電壓準(zhǔn)位至一相連接的相位驅(qū)動(dòng)電路220，相位驅(qū)動(dòng)電路220接收振蕩電路產(chǎn)生的周期性信號(hào)及相位振幅調(diào)變電路218輸出的電壓準(zhǔn)位，以輸出一適當(dāng)相位振幅的信號(hào)至電荷移轉(zhuǎn)電路；至于電荷移轉(zhuǎn)電路208的電路示意圖如圖5所示，振蕩電路所提供的周期性信號(hào)會(huì)經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路至電荷移轉(zhuǎn)電路，并且注入多余的電荷至電荷移轉(zhuǎn)電路208，電荷移轉(zhuǎn)電路208便通過(guò)由振蕩電路提供的周期性信號(hào)及驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而利用多余的電荷以提升電源電壓準(zhǔn)位。
本發(fā)明還提出一種應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，圖6所示為升壓方法的步驟流程圖，包括下列步驟，首先，如步驟S10，提供一電源電壓準(zhǔn)位，接著如步驟S12，以3.0V或4.5V為基準(zhǔn)以檢測(cè)電源電壓準(zhǔn)位并且提供一檢測(cè)結(jié)果，當(dāng)以3.0V為基準(zhǔn)時(shí)，大于3.0V時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之為高驅(qū)動(dòng)能力，而以4.5V為基準(zhǔn)時(shí)，大于4.5V時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之為高驅(qū)動(dòng)能力，再來(lái)如步驟S14，提供一周期性信號(hào)以產(chǎn)生額外的電荷，并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果提供一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，接著如步驟S16，根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)以利用額外的電荷提升電源電壓準(zhǔn)位，最后如步驟S18，將電源電壓準(zhǔn)位調(diào)變后，輸出一高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓。
本發(fā)明的升壓電路是用來(lái)提升可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置所需的電源電壓準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一高準(zhǔn)位電壓，可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的電路方塊圖如圖7所示，可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置包括一可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列222，其是由m列n行的存儲(chǔ)元件構(gòu)成，而位于同列的存儲(chǔ)元件的控制電極連接至同一字元線，并使同行的存儲(chǔ)元件的汲極連接至同一位元線，以形成有m列的字元線及n行的位元線，通過(guò)由字元線及位元線的電壓信號(hào)來(lái)控制存儲(chǔ)元件進(jìn)行抹除、編程及讀取等動(dòng)作，且本發(fā)明的升壓電路224接收并檢測(cè)一電源電壓準(zhǔn)位，并且輸出一高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位輸出，以提供給該等存儲(chǔ)元件，并有一列解碼器226輸出m個(gè)電壓介于OV與電源電壓準(zhǔn)位的字元線控制信號(hào)至一字無(wú)線電壓轉(zhuǎn)換器228，其分別與列解碼器226及可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列222的m條字元線連接，并接收列解碼器226的m個(gè)字元線控制信號(hào)，且以一第一參考電壓、一第二參考電壓及一第一高電壓準(zhǔn)位為參考基準(zhǔn)，第一高電壓準(zhǔn)位為8V～13V間，并將m個(gè)字元線控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓介于OV與第一高電壓準(zhǔn)位的控制信號(hào)，并分別輸出至m列的字元線，以控制可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列222，另有一位元控制器230輸出n個(gè)電壓介于OV與電源電壓準(zhǔn)位的位元線控制信號(hào)至一位元控制線電壓轉(zhuǎn)換器232，且以第一參考電壓、第二參考電壓及一第二高電壓準(zhǔn)位為參考基準(zhǔn)，此第二高電壓準(zhǔn)位為5V～8V，將n個(gè)位元線控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓介于OV與第二高電壓準(zhǔn)位的n個(gè)位元線信號(hào)，并有一行解碼器234連接n條位元線及位元控制線電壓轉(zhuǎn)換器232，并接收n個(gè)位元線信號(hào)以提供給n行的位元線。
其中，圖8所示為可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列的電路示意圖，可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列是由m列n行的存儲(chǔ)元件構(gòu)成，而每一存儲(chǔ)元件的電路示意圖如圖9所示，每一存儲(chǔ)元件236包括一MOS電晶體238及一MIS結(jié)構(gòu)電容240，MOS電晶體238可為NMOS電晶體或PMOS電晶體，MOS電晶體238的閘極延伸成為MIS結(jié)構(gòu)電容240的電極，而井區(qū)作為該MIS結(jié)構(gòu)電容240的另一個(gè)電極，可抹除可編程MOS電晶體的閘極電壓準(zhǔn)位取決于MIS結(jié)構(gòu)電容240與MOS電晶體238的閘極電容比值，Cc/(Cc+Cn)，和外加控制電極電壓準(zhǔn)位，當(dāng)MIS結(jié)構(gòu)電容240愈大，則MOS電晶體238閘極電壓愈大。
本發(fā)明的升壓電路運(yùn)用在可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)胞陣列內(nèi)的存儲(chǔ)元件，利用升壓電路來(lái)提高電源電壓準(zhǔn)位，以提供存儲(chǔ)元件所需的高準(zhǔn)位電壓，因?yàn)榇鎯?chǔ)元件的源極與汲極間或源極與閘極間的偏壓需高達(dá)8V以上，而此利用一般標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程的元件只能夠提供3.3V的偏壓，因此必須利用本發(fā)明的升壓電路以提供存儲(chǔ)元件一高準(zhǔn)位電壓。
本發(fā)明的升壓電路主要是利用電荷移轉(zhuǎn)電路產(chǎn)生的電荷來(lái)提升電源電壓準(zhǔn)位，圖10為現(xiàn)有電荷移轉(zhuǎn)電路在寬幅工作電壓范圍所得到的高準(zhǔn)位輸出圖，a曲線是3.3V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓17.4V，b曲線是3.0V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓15.8V，而c曲線是2.5V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓13.2V，當(dāng)在2.5V～3.3V的工作電壓范圍內(nèi)，高準(zhǔn)位輸出相差4.2V，因此變壓器(regulator)的設(shè)計(jì)較復(fù)雜而圖11為本發(fā)明的電荷移轉(zhuǎn)電路在寬幅工作電壓范圍所得到的高準(zhǔn)位輸出圖，d曲線是3.3V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓14.6V，e曲線是3.0V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓13.1V，f曲線是2.5V電源電壓時(shí)，輸出高準(zhǔn)位電壓13.2V，在2.5V～3.3V的工作電壓范圍內(nèi)，使用本發(fā)明的電荷移轉(zhuǎn)電路的高準(zhǔn)位輸出僅相差1.5V，使得變壓器的設(shè)計(jì)較簡(jiǎn)易。
本發(fā)明提出一種用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路及升壓方法，以在一寬幅工作電壓范圍內(nèi)，提高電源電壓準(zhǔn)位，以提供可抹除可唯讀快閃存儲(chǔ)元件所需的高準(zhǔn)位電壓，且因電源電壓準(zhǔn)位的提升范圍在一較小的變化幅度內(nèi)，因此可簡(jiǎn)化變壓器設(shè)計(jì)。
以上所述是通過(guò)由實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的特點(diǎn)，其目的在使熟習(xí)該技術(shù)者能了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，而非限定本發(fā)明的專利范圍，故凡其他未脫離本發(fā)明所揭示的精神而完成的等效修飾或修改，仍應(yīng)包含在以下所述的申請(qǐng)專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其是提供一可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置所需的高準(zhǔn)位電壓，該可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置包括m列n行的存儲(chǔ)元件，而該升壓電路提供該存儲(chǔ)元件所需的該高準(zhǔn)位電壓，其特征在于，該升壓電路包括一電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路，其是接收檢測(cè)一電源電壓準(zhǔn)位，以提供一檢測(cè)結(jié)果；一振蕩電路，其是提供輸出一周期性信號(hào)，且該周期性信號(hào)的輸出振幅等于該電源電壓準(zhǔn)位；一驅(qū)動(dòng)電路，其是連接該振蕩電路及該電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路，并根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果及該周期性信號(hào)產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；一電荷移轉(zhuǎn)電路，其是通過(guò)由該周期性信號(hào)及該驅(qū)動(dòng)信號(hào)以提升該電源電壓準(zhǔn)位以及一變壓器，其是連接該電荷移轉(zhuǎn)電路及該電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路，以接收并調(diào)變?cè)撾姾梢妻D(zhuǎn)電路提升后的該電源電壓準(zhǔn)位，以輸出高于該電源電壓準(zhǔn)位的該高準(zhǔn)位電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該電源電壓準(zhǔn)位是為2.5V～3.6V間。
3.如權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，當(dāng)該電源電壓準(zhǔn)位大于3.OV時(shí)，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高驅(qū)動(dòng)能力。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該電源電壓準(zhǔn)位是為3.6V～5V間。
5.如權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，當(dāng)該電源電壓準(zhǔn)位大于4.5V時(shí)，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高驅(qū)動(dòng)能力。
6.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路包括一線性電壓分壓器及一參考電壓產(chǎn)生器，并分別連接至一比較器，該線性電壓分壓器用以輸入該電源電壓準(zhǔn)位，而該參考電壓產(chǎn)生器用以產(chǎn)生一參考電壓準(zhǔn)位，以使該比較器根據(jù)該參考電壓以比較該電源電壓準(zhǔn)位而提供該檢測(cè)結(jié)果。
7.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該參考電壓是為3.0V及4.5V其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該周期性信號(hào)的頻率為5～200MHz。
9.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器的升壓電路，其特征在于，所述該周期性信號(hào)是為方波。
10.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該驅(qū)動(dòng)電路包括一相位振幅調(diào)變電路，其是連接該電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路，該相位振幅調(diào)變電路輸出一電壓準(zhǔn)位；以及一相位驅(qū)動(dòng)電路，其接收該振蕩電路產(chǎn)生的周期性信號(hào)輸出及該相位振幅調(diào)變電路輸出的電壓準(zhǔn)位，以輸出一相位振幅相當(dāng)?shù)男盘?hào)至該電荷移轉(zhuǎn)電路。
11.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，每一該存儲(chǔ)元件包括一NMOS電晶體及一MIS結(jié)構(gòu)電容，該NMOS電晶體的閘極延伸成為該MIS結(jié)構(gòu)電容的電極，而井區(qū)作為該MIS結(jié)構(gòu)電容的另一個(gè)電極。
12.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路，其特征在于，所述該高準(zhǔn)位電壓是大于10V。
13.一種用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其特征在于，其步驟包括提供一電源電壓準(zhǔn)位；檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位以提供一檢測(cè)結(jié)果；提供一周期性信號(hào)以產(chǎn)生額外的電荷，并根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果提供一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；根據(jù)該驅(qū)動(dòng)信號(hào)以利用該額外的電荷提升該電源電壓準(zhǔn)位；以及調(diào)變?cè)撾娫措妷簻?zhǔn)位以輸出一高于該電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其特征在于，是以3.0V為基準(zhǔn)，以檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位。
15.如權(quán)利要求14所述的用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其特征在于，檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位大于3.0V時(shí)，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高驅(qū)動(dòng)能力。
16.如權(quán)利要求13所述的用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其特征在于，是以4.5V為基準(zhǔn)，以檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位。
17.如權(quán)利要求16所述的應(yīng)用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓方法，其特征在于，所述檢測(cè)該電源電壓準(zhǔn)位大于4.5V時(shí)，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低驅(qū)動(dòng)能力，反之，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高驅(qū)動(dòng)能力。
全文摘要
本發(fā)明提出一種用于可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置的升壓電路及升壓方法，升壓電路提供在可抹除可編程唯讀存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)元件所需的高準(zhǔn)位電壓，升壓電路包括利用一電源電壓準(zhǔn)位檢測(cè)電路接收檢測(cè)一電源電壓準(zhǔn)位，以得到一檢測(cè)結(jié)果，并有一振蕩電路輸出一振幅與電源電壓準(zhǔn)位相等的周期性信號(hào)，另有一驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)檢測(cè)結(jié)果及周期性信號(hào)產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)至一電荷移轉(zhuǎn)電路，使得電荷移轉(zhuǎn)電路通過(guò)由周期性信號(hào)及驅(qū)動(dòng)信號(hào)將電源電壓準(zhǔn)位提高，并輸出至一變壓器調(diào)變提升后，即可輸出高于電源電壓準(zhǔn)位的高準(zhǔn)位電壓。本發(fā)明可在一2.5V～3.6V或3.6V～5.0V的寬幅工作電壓范圍內(nèi)將電源電壓準(zhǔn)位升高，并可簡(jiǎn)化變壓器設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)G11C16/30GK1753104SQ200410079208
公開(kāi)日2006年3月29日 申請(qǐng)日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月20日
發(fā)明者林信章, 黃文謙, 張浩誠(chéng) 申請(qǐng)人:億而得微電子股份有限公司