專(zhuān)利名稱(chēng)：利用磁盤(pán)反轉(zhuǎn)獲取滑塊與盤(pán)表面接觸的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)、制備和操作領(lǐng)域，尤其涉及用于磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的滑塊(slider)拋光方法和磁盤(pán)清潔方法。
背景技術(shù)：
常見(jiàn)的現(xiàn)有技術(shù)磁存儲(chǔ)設(shè)備(磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)10中的相關(guān)部件在圖1中以簡(jiǎn)化的方框圖形式進(jìn)行了舉例說(shuō)明。盡管只示出一個(gè)盤(pán)16和一個(gè)滑塊11，但是在驅(qū)動(dòng)器上可以有多個(gè)盤(pán)，而且通常每個(gè)盤(pán)上有兩個(gè)滑塊，即盤(pán)的每個(gè)面有一個(gè)滑塊。這種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器包括用于記錄數(shù)據(jù)的薄膜磁盤(pán)16，對(duì)磁盤(pán)16的磁道中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫(xiě)的滑塊11。電子臂(AE)模塊17具有除其它功能以外還向讀頭(沒(méi)有示出)提供偏置電壓并對(duì)來(lái)自讀頭的信號(hào)進(jìn)行放大的電路。電子臂(AE)模塊17受讀/寫(xiě)(RW)通道18的控制，讀/寫(xiě)通道執(zhí)行伺服扇區(qū)的讀出和數(shù)據(jù)的讀/寫(xiě)。當(dāng)旋轉(zhuǎn)主軸24的主軸電機(jī)(沒(méi)有示出)正轉(zhuǎn)動(dòng)磁盤(pán)時(shí)，為了讀寫(xiě)圍繞磁盤(pán)的圓形磁道上的數(shù)據(jù)，旋轉(zhuǎn)致動(dòng)裝置12在近似沿著磁盤(pán)16的半徑的弓形路徑上移動(dòng)臂22和相連的滑塊11。旋轉(zhuǎn)方向如指向旋轉(zhuǎn)方向的滑塊和臂所示，即旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)上的選定點(diǎn)首先通過(guò)臂22的下面，然后再通過(guò)滑塊11的下面。在臂/滑塊之間的這種取向和旋轉(zhuǎn)方向?qū)е職飧?air-bearing)的形成并將被稱(chēng)作前向方向或工作方向。這種工作方向可以是如圖1所示的順時(shí)針?lè)较?，也可以是反時(shí)針?lè)较?，在反時(shí)針?lè)较虻那樾沃校?滑塊將出現(xiàn)在主軸24的另一邊。工作方向是在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器時(shí)就固定了的。驅(qū)動(dòng)器10包含加載/卸載斜坡結(jié)構(gòu)(ramp structure)26，當(dāng)臂向外旋轉(zhuǎn)到外直徑(OD)時(shí)，它升起臂以從而將滑塊抬離磁盤(pán)。急停裝置(crash-stop)28防止臂旋轉(zhuǎn)時(shí)與主軸靠得太近。在硬盤(pán)控制器(HDC)20控制下的主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)器14控制著旋轉(zhuǎn)的方向和速度。主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)器14包含分別驅(qū)動(dòng)主軸電機(jī)的線(xiàn)圈的電路，并由此對(duì)主軸電機(jī)具有高度靈活的控制。HDC 20是可編程設(shè)備，其執(zhí)行存于存儲(chǔ)器19的程序中的指令。微處理器單元(MPU)21具有處理器、存儲(chǔ)器、與外部設(shè)備的接口以及類(lèi)似的裝置，并控制與主機(jī)設(shè)備(沒(méi)有示出)的通信。
圖2舉例說(shuō)明的是具有寫(xiě)頭11W和讀頭11R的滑塊11的特定實(shí)施例的部分截面圖。當(dāng)磁盤(pán)在滑塊11的氣浮表面(ABS)下旋轉(zhuǎn)時(shí)，讀頭11R讀出磁轉(zhuǎn)變。當(dāng)沿標(biāo)記為“ABS”的線(xiàn)切割晶片時(shí)，并且在氣浮特征或外層之任一個(gè)的制備之前，該視圖正處于此制備點(diǎn)。讀頭11R的部件包括第一防護(hù)層(S1)，兩個(gè)絕緣層107、109(它們圍繞傳感器元件105(也稱(chēng)為MR條))和第二防護(hù)層101(P1/S2)。MR條可以由單層或多層的多種材料構(gòu)成。術(shù)語(yǔ)“條高度”是指從ABS到該元件的另一端測(cè)量的傳感器元件105的尺寸?？刂茥l高度對(duì)于讀頭對(duì)源于磁盤(pán)薄膜的磁場(chǎng)的響應(yīng)而言是非常重要的。這種類(lèi)型的滑塊被稱(chēng)為“合并頭”，因?yàn)镻1/S2層101充當(dāng)讀頭11R的防護(hù)層和寫(xiě)頭11W的極片。偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈也包含另一個(gè)極片P3 103，它與P1/S2 101連接。P2 102跨過(guò)寫(xiě)間隙層43面對(duì)P1/S2 101，以形成氣浮表面(ABS)處的寫(xiě)間隙。零喉高度(zero throat height)(ZTH)被定義為從ABS到通過(guò)在間隙層43上形成臺(tái)階而使P3與間隙層分離的位置的距離。對(duì)ZTH的控制是當(dāng)試圖減少這種類(lèi)型的寫(xiě)頭11W的軌道寬度時(shí)所面臨的限制之一?？刂芞TH和條高度的一種技術(shù)是使切口稍微超出最終ABS應(yīng)處的位置并且接著拋光(lap)ABS以精確去掉材料，直至達(dá)到所希望的平面。
在磁存儲(chǔ)設(shè)備10的滑塊11的典型制備過(guò)程中，大量的滑塊從具有成行成列的磁傳感器的單一晶片中制作出來(lái)。這些磁傳感器使用半導(dǎo)體類(lèi)型的處理方法在晶片表面上同時(shí)沉積。在各種處理實(shí)施例中，在晶片被切成行或單個(gè)滑塊以露出傳感器元件之后，必須進(jìn)行進(jìn)一步的處理。接著滑塊被處理以形成保護(hù)層和氣浮表面特征。通常，使用氣浮表面(ABS)上的突出(氣浮特征)的空氣動(dòng)力學(xué)模式(pattern)形成滑塊，在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作期間，這些突出能使滑塊靠近磁盤(pán)以恒定高度飛行。磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的記錄密度受到傳感器和磁介質(zhì)之間的距離的限制。氣浮滑塊設(shè)計(jì)的一個(gè)目的是盡可能靠近磁介質(zhì)地“飛行”，但避免與該介質(zhì)進(jìn)行過(guò)多的物理接觸。希望間隙或“飛行高度”較小，使得傳感器能夠辨別從磁盤(pán)上間隔緊密的區(qū)域發(fā)出的磁場(chǎng)。在形成全部特征之后，每個(gè)滑塊具有在通常為基于碳的材料的外覆層所覆蓋的ABS處終結(jié)的讀頭和寫(xiě)頭。
磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中使用的磁盤(pán)16的制備過(guò)程通常包含使用特殊拋光頭進(jìn)行拋光處理。已經(jīng)公開(kāi)的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)2002/0029448描述了這個(gè)過(guò)程，并包含對(duì)拋光頭的描述。在磁盤(pán)制備期間的這種拋光不同于磁盤(pán)安裝在驅(qū)動(dòng)器之后的拋光。在授權(quán)給G.Smith的美國(guó)專(zhuān)利6,419,551中，通過(guò)使用外真空源實(shí)現(xiàn)已完成的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的拋光，該真空源被施加到磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器以將滑塊的飛行高度降至工作水平之下，即使已經(jīng)增加了旋轉(zhuǎn)速度。對(duì)于在正?？蛻?hù)環(huán)境中工作的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，真空源不可用，因此可以通過(guò)降低旋轉(zhuǎn)速度的方法來(lái)降低飛行高度并對(duì)磁盤(pán)上的高斑點(diǎn)進(jìn)行拋光。一種已經(jīng)描述的拋光方案是使用磁傳感器的電元件所產(chǎn)生的熱導(dǎo)致滑塊后部的物理突出，以完成磁盤(pán)拋光。
對(duì)所謂的“紋化磁盤(pán)”進(jìn)行拋光的過(guò)程已經(jīng)由P.CALCAGNO等人在“盤(pán)面的反過(guò)程拋光方法”，IBM技術(shù)公布報(bào)告，02-1994，卷37，02A號(hào)中進(jìn)行了描述。他們提到，涉及當(dāng)研磨材料或表面與盤(pán)面保持相抵時(shí)旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的紋化處理(texturing process)往往在紋凹槽的背面留下毛刺(burr)。如果使用在與用于紋化的方向相反的方向旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)進(jìn)行拋光處理，毛刺往往折入凹槽中，因此會(huì)引起突出度的減少。應(yīng)當(dāng)注意的是，在這種情況下用于紋化和拋光的旋轉(zhuǎn)方向與安裝在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器時(shí)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)的方向沒(méi)有關(guān)系。
拋光也可以在滑塊11安裝于驅(qū)動(dòng)器之后進(jìn)行。例如，G.Smith的美國(guó)專(zhuān)利6,493,184描述了包含專(zhuān)用拋光區(qū)的磁盤(pán)設(shè)計(jì)，該專(zhuān)用拋光區(qū)比磁盤(pán)其它部分更粗糙，能夠用于對(duì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的滑塊進(jìn)行拋光。
為了改善磁存儲(chǔ)設(shè)備的性能，需要一種對(duì)滑塊進(jìn)行拋光的改進(jìn)方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是對(duì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的滑塊進(jìn)行拋光的方法，其中以和用于形成氣浮以及讀、寫(xiě)數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)。反方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)導(dǎo)致不形成氣浮，并且滑塊與盤(pán)面接觸。拋光處理去掉滑塊的磁傳感器上分隔磁盤(pán)與傳感器的材料，以產(chǎn)生更高的靈敏度。與磁盤(pán)的接觸實(shí)現(xiàn)滑塊的快速拋光而不會(huì)損害磁盤(pán)?？蛇x地，這個(gè)實(shí)施例或下面描述的任何可選實(shí)施例中的拋光停止點(diǎn)，可通過(guò)監(jiān)視例如MR電阻(MR resistance)(MRR)的變化，即ΔMRR/MRR的測(cè)量參數(shù)，直至達(dá)到所選擇的范圍來(lái)確定。在另一個(gè)實(shí)施例中，滑塊首先通過(guò)在向后方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)來(lái)進(jìn)行拋光以獲取高拋光速率，接著通過(guò)前進(jìn)方向進(jìn)行拋光以取得慢拋光速率，從而增加檢測(cè)合適停止點(diǎn)的精度?？蛇x擇地，可以結(jié)合前進(jìn)旋轉(zhuǎn)而向磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器施加真空以降低飛行高度并提高拋光速率。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的拋光技術(shù)用于從滑塊的氣浮表面清除分隔磁電阻元件和磁介質(zhì)的材料，例如外層。如果滑塊的基底突出到讀頭的元件以外，可以繼續(xù)進(jìn)行拋光，直至該基底已經(jīng)磨得與讀頭的元件基本上共面?？蛇x擇地，磁記錄盤(pán)可以擁有用于對(duì)滑塊進(jìn)行拋光的專(zhuān)用拋光區(qū)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)磁盤(pán)在非氣浮方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊被用來(lái)通過(guò)在盤(pán)面上掃動(dòng)滑動(dòng)來(lái)從盤(pán)面去除碎片。


圖1以簡(jiǎn)化形式舉例說(shuō)明了常見(jiàn)現(xiàn)有技術(shù)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的相關(guān)部件。
圖2舉例說(shuō)明的是包含寫(xiě)頭和讀頭的元件的現(xiàn)有技術(shù)滑塊的橫截面圖。
圖3舉例說(shuō)明的是包含讀頭的選定元件(包含碳外層)的現(xiàn)有技術(shù)滑塊的橫截面圖，用于說(shuō)明MR條中出現(xiàn)的凹陷和相對(duì)基底的周?chē)牧稀?br> 圖4舉例說(shuō)明的是包含讀頭的選定元件的滑塊的橫截面圖，其中滑塊已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行了拋光以去除圖3所示的凹陷和碳外層。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的使用反向旋轉(zhuǎn)對(duì)滑塊進(jìn)行拋光的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
滑塊的氣浮特征通常被分成正壓或負(fù)壓類(lèi)型。對(duì)于每一種類(lèi)型，只有當(dāng)磁盤(pán)正在滑塊下方以指定操作(“前進(jìn)”)方向旋轉(zhuǎn)時(shí)才形成氣浮。申請(qǐng)人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，沿向后或相反方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)允許滑塊與磁盤(pán)接觸，因?yàn)闆](méi)有形成氣浮。下面使用術(shù)語(yǔ)“接觸”描述滑塊和磁盤(pán)間的關(guān)系，即使在處于高速旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下可能存在某種周期性的分離。申請(qǐng)人利用滑塊與磁盤(pán)的接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)滑塊的迅速拋光而不會(huì)損壞磁盤(pán)。
通常，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中使用的主軸電機(jī)受到電子裝置和程序代碼的高度控制，這些程序代碼也被稱(chēng)為微碼或固件，存于圖1所示的存儲(chǔ)器19中。被提供給主軸電機(jī)的線(xiàn)圈的脈沖的速率、持續(xù)時(shí)間和序列都是可編程的，因此可以通過(guò)直接改變HDC 20的微碼在任一旋轉(zhuǎn)方向，和任何不超過(guò)系統(tǒng)最大速率的速度的條件下操縱脈沖的速率、持續(xù)時(shí)間和序列。因此，可以通過(guò)使用已知技術(shù)修改微碼而得到本發(fā)明實(shí)施例的反轉(zhuǎn)和速度變化方面的實(shí)現(xiàn)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明對(duì)滑塊進(jìn)行拋光的方法的流程圖。磁盤(pán)首先被提速到沿反方向，即與正常工作方向相反的方向的選定旋轉(zhuǎn)速度201。滑塊被移到磁盤(pán)上選定要拋光的區(qū)域中203。磁盤(pán)的所有或者部分可訪(fǎng)問(wèn)表面能夠用于滑塊拋光?？梢允褂肐D或OD處的專(zhuān)用拋光區(qū)，它可以是在正常工作期間被急停裝置或者加載/卸載斜坡裝置的阻止使用的區(qū)域，所述加載/卸載斜坡裝置可以被移開(kāi)或在有彈性急停裝置的情形下被縮回。在拋光期間滑塊最好在盤(pán)面的選定區(qū)域上進(jìn)行前后掃動(dòng)以避免熱積累損壞磁盤(pán)。為了確定拋光何時(shí)已經(jīng)去除所希望數(shù)量的材料，最好在拋光處理過(guò)程中至少周期性地測(cè)量MR電阻相對(duì)變化，即ΔMRR/MRR，并將其與預(yù)定值范圍進(jìn)行比較以確定完成點(diǎn)。只要ΔMRR/MRR在范圍之外，則滑塊的前后掃動(dòng)就繼續(xù)進(jìn)行205。當(dāng)ΔMRR/MRR落入所希望的范圍之內(nèi)時(shí)，這個(gè)階段的處理完成207。掃動(dòng)和測(cè)量步驟可以實(shí)現(xiàn)為順序步驟，也可以實(shí)現(xiàn)為實(shí)際并行運(yùn)行的任務(wù)。拋光處理過(guò)程可以在已經(jīng)達(dá)到反向旋轉(zhuǎn)的目標(biāo)值時(shí)終止，或可選地，繼續(xù)以前向拋光步驟以取得更精細(xì)的拋光和對(duì)精確結(jié)束點(diǎn)的更優(yōu)控制。反向旋轉(zhuǎn)以相對(duì)高的速率實(shí)現(xiàn)拋光，而前向拋光相對(duì)速度較慢，這使得能夠進(jìn)行更精確的控制。為了改變磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)方向，滑塊在停止旋轉(zhuǎn)之前移開(kāi)磁盤(pán)。接著，磁盤(pán)沿向前即工作方向自旋加速到指定速度，并讓滑塊再次移到磁盤(pán)上209。當(dāng)滑塊在正常條件下工作時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)滑塊的拋光；因此，必須采取某個(gè)額外步驟以使滑塊飛行得足夠低，以便當(dāng)滑塊與磁盤(pán)的高斑點(diǎn)接觸時(shí)，會(huì)進(jìn)行某種程度的拋光處理。可以對(duì)磁盤(pán)和滑塊施加真空，如上所述，這產(chǎn)生較低的飛行高度?？梢允褂脤?zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的滑塊，當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度增加到高于選定的工作速度時(shí)，它能夠以較低的高度飛行。滑塊的設(shè)計(jì)在本申請(qǐng)的范圍之外，使用現(xiàn)有技術(shù)的原理可以很容易地實(shí)現(xiàn)。
圖3舉例說(shuō)明的是現(xiàn)有技術(shù)的包含讀頭的選定元件的滑塊的橫截面圖，所述元件包含通常為碳的薄膜外層111，但已經(jīng)提出和/或使用許多其它的保護(hù)材料。在這個(gè)放大視圖中示出了凹陷區(qū)域113。凹陷是由于用于包括讀和寫(xiě)頭的薄膜的材料往往比基底材料115更軟。(等價(jià)地，該基底115可以被說(shuō)成突出到磁傳感器元件以外，或者說(shuō)在基底和ABS上的磁傳感器元件之間存在非平面的間斷。)通常的基底材料，例如“N58”(Al2O3-TiC)比通常用于薄膜絕緣層的氧化鋁更硬。用于磁電阻條、屏蔽和極片的金屬合金往往比氧化鋁更軟。當(dāng)滑塊的氣浮表面作為制備過(guò)程的一部分而被拋光時(shí)，薄膜材料磨損得比N58基底更快，并且導(dǎo)致凹陷區(qū)域。凹陷區(qū)域是不希望的，因?yàn)槠渫ㄟ^(guò)引起MR條105的凹陷，減少了磁電阻材料對(duì)磁盤(pán)上磁薄膜(沒(méi)有示出)的磁場(chǎng)的靈敏性。當(dāng)在拋光之后沉積外層111時(shí)，薄膜與凹陷區(qū)域保持一致，因此不會(huì)改變其表面形狀。外層的厚度也增加了MR條和磁盤(pán)上磁薄膜之間的間隔，因而減少了最終的靈敏性。本發(fā)明的滑塊拋光方法可以用于薄化或完全去除分隔MR條和介質(zhì)的外層。如果拋光持續(xù)的足夠長(zhǎng)，則MR條中的凹陷區(qū)域也可以去除。圖4舉例說(shuō)明的是和圖3的滑塊相似的截面，但在這種情形中，根據(jù)本發(fā)明對(duì)滑塊進(jìn)行了拋光。拋光一直持續(xù)到MR條上的整個(gè)外層被去除并且基底115已經(jīng)被磨掉，使得表面基本上與讀頭的元件、S1和MR條105等等的表面共面。結(jié)果是圍繞MR條的局部ABS區(qū)域已經(jīng)充分平坦化，從而與沒(méi)有進(jìn)行這種拋光的情形相比，允許MR條更靠近磁介質(zhì)。本發(fā)明的這種反轉(zhuǎn)拋光可以持續(xù)選定的時(shí)間、選定的轉(zhuǎn)數(shù)或直至測(cè)量參數(shù)落入選定的范圍。
在反轉(zhuǎn)拋光的實(shí)驗(yàn)中，申請(qǐng)人使用工作轉(zhuǎn)速為10K rpm的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。讀頭起初具有零ΔMRR/MRR，因?yàn)闂l高度沒(méi)有出現(xiàn)變化。應(yīng)當(dāng)注意的是，現(xiàn)有技術(shù)可以被用來(lái)使用驅(qū)動(dòng)器的硬件和微碼來(lái)確定ΔMRR/MRR。該磁盤(pán)首先以6K rpm的速度向前旋轉(zhuǎn)60分鐘，ΔMRR/MRR保持為零，表明沒(méi)有出現(xiàn)明顯的滑塊拋光。然后磁盤(pán)反向旋轉(zhuǎn)3分鐘，在該時(shí)間ΔMRR/MRR近似地升至0.093，表明正在快速進(jìn)行拋光。盡管對(duì)滑塊進(jìn)行快速拋光，但在這個(gè)實(shí)驗(yàn)中磁盤(pán)沒(méi)有損傷。該磁盤(pán)沒(méi)有專(zhuān)用的拋光區(qū)；因此在反轉(zhuǎn)期間，滑塊(近似為1毫米寬)在該磁盤(pán)的5毫米的區(qū)域上前后掃動(dòng)。磁盤(pán)上的薄膜和潤(rùn)滑劑都不被損壞。使滑塊在某個(gè)寬于滑塊的區(qū)域上掃動(dòng)有助于排解會(huì)損壞磁盤(pán)的熱積累。
盡管在實(shí)驗(yàn)中反向拋光沒(méi)有損壞磁盤(pán)，但是可選地，磁記錄盤(pán)可以具有至少一個(gè)專(zhuān)用拋光區(qū)用于滑塊拋光。該專(zhuān)用拋光區(qū)可位于磁盤(pán)的外直徑(OD)或內(nèi)直徑(ID)處。OD拋光區(qū)可以位于這樣的位置，其中因?yàn)榧虞d-卸載斜坡裝置位于稍微與磁盤(pán)OD重疊的位置，正常情況下滑塊不能訪(fǎng)問(wèn)到該位置。通過(guò)暫時(shí)移開(kāi)加載-卸載斜坡裝置來(lái)使用OD拋光區(qū)。ID拋光區(qū)也可以位于這樣的位置，其中因?yàn)榧蓖Ｑb置位于將致動(dòng)裝置的臂停止在磁盤(pán)ID稍微向外的位置，正常情況下滑塊不能訪(fǎng)問(wèn)到該位置。通過(guò)暫時(shí)移去急停裝置或?qū)⑵淇s回(如果它是由彈性材料制成的)，使用這個(gè)ID拋光區(qū)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)當(dāng)磁盤(pán)正向后旋轉(zhuǎn)時(shí)使滑塊在磁盤(pán)表面上掃動(dòng)(“反向旋轉(zhuǎn)掃動(dòng)”)，本發(fā)明的拋光技術(shù)被用于去除磁盤(pán)表面的碎片。因?yàn)樵摶瑝K在反轉(zhuǎn)期間與磁盤(pán)接觸，因此在機(jī)械捕獲碎片從而從磁盤(pán)上去除方面特別有效。最好是該滑塊緩慢地從ID移動(dòng)到OD?？赡苄枰M(jìn)行多次掃動(dòng)。這種技術(shù)可以作為磁盤(pán)制備過(guò)程的一部分，其中隨著磨損或碎片累積變多，處理臺(tái)中的專(zhuān)用滑塊可以周期性地進(jìn)行替換。這種技術(shù)也可以用于已組裝的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中。盡管碎片往往附著在滑塊上，但實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證明這不會(huì)影響其工作。
本發(fā)明的實(shí)施例可以被實(shí)現(xiàn)成在現(xiàn)場(chǎng)已完成的驅(qū)動(dòng)器中執(zhí)行，以及在制備過(guò)程期間執(zhí)行。微碼可以被設(shè)計(jì)成根據(jù)通過(guò)維護(hù)端口來(lái)自主機(jī)的人工命令，或作為驅(qū)動(dòng)器周期性地或響應(yīng)錯(cuò)誤而執(zhí)行的大步驟集合的一部分，來(lái)執(zhí)行該方法。
前面針對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施例提供了詳細(xì)的描述，但這并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)磁盤(pán)正前向旋轉(zhuǎn)時(shí)，該磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀數(shù)據(jù)，包括主軸電機(jī)，其可選擇地前向或反向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)；在氣浮表面上具有氣浮特征的滑塊，其中氣浮特征被設(shè)計(jì)成當(dāng)磁盤(pán)前向旋轉(zhuǎn)時(shí)形成氣浮；和控制器，其通過(guò)多次反向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)，可選擇地對(duì)磁傳感器所在的氣浮表面的區(qū)域進(jìn)行拋光。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中通過(guò)在多次反向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)之后多次前向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)，控制器可選擇地至少對(duì)磁傳感器所在的氣浮表面的區(qū)域進(jìn)行拋光。
3.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)進(jìn)行拋光時(shí)控制器測(cè)量滑塊中磁傳感器的參數(shù)，并當(dāng)參數(shù)落入選定范圍內(nèi)時(shí)終止拋光。
4.如權(quán)利要求3所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中參數(shù)是ΔMRR/MRR。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中在進(jìn)行拋光之前滑塊具有在磁傳感器上的外層，并且拋光持續(xù)進(jìn)行，直至外層在磁傳感器上的厚度已大大減少。
6.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中在進(jìn)行拋光之前滑塊具有在磁傳感器上的外層，并且拋光步驟持續(xù)進(jìn)行，直至該外層在磁傳感器上已經(jīng)基本上被去除。
7.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中在進(jìn)行拋光之前滑塊在基底和氣浮表面上磁傳感器的部件之間具有非平面間斷，并且該拋光持續(xù)進(jìn)行，直至非平面間斷得到減少。
8.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中在進(jìn)行拋光步驟之前滑塊在基底和氣浮表面上磁傳感器的部件之間具有非平面間斷，并且該拋光持續(xù)進(jìn)行，直至非平面間斷已經(jīng)基本上去除。
9.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中拋光進(jìn)一步包括使滑塊在磁盤(pán)表面的一個(gè)位置范圍上重復(fù)掃動(dòng)，以減少磁盤(pán)損傷。
10.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步包括滑塊與之連接的臂和可縮的急停裝置，其中控制器通過(guò)促使臂抵上急停裝置以縮回急停裝置，使滑塊定位在不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)區(qū)域上。
11.如權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步包括可移開(kāi)的急停裝置，其中控制器通過(guò)將臂移到急停裝置位置，將滑塊定位在不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)區(qū)域上，使得滑塊位于不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)區(qū)域上。
12.一種用于拋光滑塊的方法，該滑塊具有當(dāng)磁盤(pán)在滑塊下方前向旋轉(zhuǎn)時(shí)形成氣浮的氣浮特征，該方法包含步驟在與前向方向相反的反向方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)；和通過(guò)當(dāng)磁盤(pán)反向旋轉(zhuǎn)時(shí)將滑塊的氣浮表面定位在磁盤(pán)表面上經(jīng)過(guò)多次旋轉(zhuǎn)，對(duì)滑塊的至少部分氣浮表面進(jìn)行拋光。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中拋光步驟之后是通過(guò)當(dāng)滑塊正以低于工作高度的高度飛行時(shí)多次前向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)，對(duì)滑塊的氣浮表面進(jìn)行拋光的步驟。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)拋光步驟正在進(jìn)行時(shí)測(cè)量滑塊中磁傳感器的參數(shù)，并當(dāng)參數(shù)落入選定范圍內(nèi)時(shí)終止該拋光步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中參數(shù)包括ΔMRR/MRR。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在進(jìn)行拋光步驟之前滑塊具有在氣浮表面的磁傳感器上的外層，并且拋光步驟持續(xù)進(jìn)行，直至外層在磁傳感器上的厚度已大大減少。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在進(jìn)行拋光步驟之前滑塊具有在氣浮表面的磁傳感器上的外層，并且拋光步驟持續(xù)進(jìn)行，直至該外層在磁傳感器上已經(jīng)基本上被去除。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在進(jìn)行拋光步驟之前滑塊在基底和氣浮表面上磁傳感器的部件之間具有非平面間斷，并且該拋光步驟持續(xù)進(jìn)行，直至非平面間斷得到減少。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在進(jìn)行拋光步驟之前滑塊在基底和氣浮表面上磁傳感器的部件之間具有非平面間斷，并且該拋光步驟持續(xù)進(jìn)行，直至非平面間斷已經(jīng)基本上去除。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中拋光步驟進(jìn)一步包括使滑塊在磁盤(pán)表面的一個(gè)位置范圍上重復(fù)掃動(dòng)，以減少磁盤(pán)損傷。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，其中進(jìn)一步包括，在拋光期間，通過(guò)縮回急停裝置將滑塊定位在不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)預(yù)定區(qū)域上。
22.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括移開(kāi)急停裝置以允許滑塊移到不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)預(yù)定區(qū)域上。
23.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括移開(kāi)加載-卸載斜坡裝置以允許滑塊移到不用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤(pán)預(yù)定區(qū)域上。
24.一種從薄膜磁盤(pán)清除碎片的方法，包括旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)；將滑塊的氣浮表面定位在磁盤(pán)面上，滑塊具有氣浮表面上的氣浮特征，其中當(dāng)磁盤(pán)在氣浮特征下方沿第一方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，該氣浮特征形成氣浮，并且滑塊朝向磁盤(pán)，其中磁盤(pán)以與第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)，使得不形成氣??；和通過(guò)當(dāng)磁盤(pán)以第二方向旋轉(zhuǎn)時(shí)使滑塊在磁盤(pán)面上的選定區(qū)域上掃動(dòng)，從磁盤(pán)表面去除碎片。
全文摘要
對(duì)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中滑塊拋光的方法，其中以和用于形成氣浮及讀、寫(xiě)數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)。反方向旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)導(dǎo)致不形成氣浮，且滑塊與盤(pán)面接觸。拋光去掉滑塊的磁傳感器上分隔磁盤(pán)與傳感器的材料，以產(chǎn)生更高靈敏度。拋光停止點(diǎn)可通過(guò)監(jiān)視如MR電阻(MRR)變化，即ΔMRR/MRR的測(cè)量參數(shù)，直至達(dá)到所選范圍來(lái)確定。此拋光技術(shù)用于從滑塊氣浮表面清除分隔磁電阻元件和磁介質(zhì)的材料，如外層。如滑塊基底突出到讀頭元件以外，可繼續(xù)拋光，直至該基底已經(jīng)磨得與讀頭的元件基本上共面。另外，當(dāng)磁盤(pán)在非氣浮方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊被用來(lái)通過(guò)在盤(pán)面上掃動(dòng)滑動(dòng)來(lái)從盤(pán)面去除碎片。
文檔編號(hào)G11B5/48GK1598933SQ200410060080
公開(kāi)日2005年3月23日 申請(qǐng)日期2004年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月27日
發(fā)明者沃爾頓·豐, 唐納德·R.·吉爾斯, 萊米爾特·皮特, 克里斯·舒特登, 邁克·蘇克 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司