專利名稱：光盤裝置以及光盤的讀出方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過讓激光照射光盤介質(zhì)進(jìn)行信息寫入的光盤以及光盤裝置。
背景技術(shù)：
近年來，光盤裝置作為寫入、讀出大容量數(shù)據(jù)的方式獲得了廣泛的開發(fā)，希望達(dá)到更高存儲密度，這其中的一種方式就是利用了結(jié)晶-非結(jié)晶之間的可逆的狀態(tài)變化的相變型光盤裝置。
在相變化型光盤裝置中，通過激光照射襯底上的存儲薄膜，使其加熱升溫，在結(jié)構(gòu)上引起結(jié)晶學(xué)上的相變化，進(jìn)行信息的寫入與刪除。通過采用將結(jié)晶部非晶化的峰值功率和將非晶部結(jié)晶化的偏置功率這兩種功率，讓半導(dǎo)體激光照射光盤介質(zhì)，在光盤介質(zhì)上形成標(biāo)記(非晶部)、夾持標(biāo)記的空格(結(jié)晶部)。所寫入的標(biāo)記和空格，反射率不同，由聚焦在光盤上的光點(diǎn)將上述標(biāo)記和空格的反射率的不同作為信號檢測出來，讀出信息。
這些標(biāo)記和空格用于在光盤上的引導(dǎo)槽的凸部和凹部的兩方的軌道上寫入的凹凸存儲技術(shù)中。
在光盤介質(zhì)上，預(yù)先在生產(chǎn)工廠，與引導(dǎo)槽同時每隔一定間隔以凹凸的凹坑形成表示光盤上的位置(地址)的地址信息(預(yù)刻凹坑地址)。在地址區(qū)域，由有無凹坑和其長度的變化來表現(xiàn)。
現(xiàn)有的光盤裝置的構(gòu)成如圖2所示。
在圖2中，201表示光盤、202表示半導(dǎo)體激光器、203表示將半導(dǎo)體激光器發(fā)射的光束變換成平行光束的準(zhǔn)直透鏡，204表示分束器、205表示將光束聚集在光盤表面上的聚光裝置，206表示將光盤反射衍射后的光束聚集在光檢測裝置上的聚光透鏡，207表示接收聚光透鏡所聚集的光的光檢測裝置，208表示對光檢測裝置的輸出電壓進(jìn)行四則運(yùn)算的讀出信號運(yùn)算裝置，209表示將光點(diǎn)在光盤表面上進(jìn)行焦點(diǎn)位置控制的聚焦控制裝置，210表示將光點(diǎn)在光盤的軌道上進(jìn)行位置控制的跟蹤控制裝置，211表示移動聚光裝置的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，212表示驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置，215表示信號處理部。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在現(xiàn)有的構(gòu)成中，當(dāng)光盤從單面向多個信息面進(jìn)行信息的寫入、讀出時，要讀出第2層(內(nèi)層)中預(yù)先設(shè)置的地址時，到達(dá)第2層的光束的光量，由于第1層(表面層)的吸收與反射而產(chǎn)生損耗，所以與透過第1層的光的透過率成正比。
到達(dá)第2層的光，由第2層的預(yù)刻凹坑地址反射、衍射，再次透過第1層，到達(dá)光檢測裝置。到達(dá)光檢測裝置的光束的光量，與第1層的透過率的平方和第2層的反射率成正比。
例如，第1層的透過率為50％時，到達(dá)第2層的光是在透過第1層在第2層衍射，再次透過第1層返回到光檢測裝置上的光量，如果以第1層的光量為1，則為1×0.5×0.5×R2＝0.25×R2。式中R2為第2層的反射率。在具有第1層和第2層的存儲層的寫入標(biāo)記和空格的反射率差(ΔR)相等的光學(xué)特性的光盤中，由預(yù)刻凹坑衍射的光返回到光檢測裝置上的光量，依賴于第1層的透過率的平方和第2層的反射率，當(dāng)?shù)?層的透過率小，或者第2層的反射率小的情況下，第1層和第2層的預(yù)刻凹坑地址的信號幅度上產(chǎn)生差，要正確讀出第2層的預(yù)刻凹坑地址是困難的。
本發(fā)明正是解決上述課題的發(fā)明，其目的在于由聚焦?fàn)顟B(tài)判定裝置檢測出光點(diǎn)聚焦的存儲層，由信號品質(zhì)改善裝置改善讀出信號品質(zhì)獲得對應(yīng)于光點(diǎn)聚焦的存儲層的最優(yōu)信號品質(zhì)，并且改善第2層的預(yù)刻凹坑地址的讀出信號特性。
為解決上述問題，本發(fā)明的光盤，是具有多個信息面、以各信息面形成為螺旋狀或者同心圓狀的凹部和在所述凹部之間的凸部兩方作為存儲軌道、預(yù)先形成表示光盤上的位置等的識別信號、利用通過光束照射改變局部的光學(xué)常數(shù)或者物理形狀寫入信息信號的光盤，其特征是，所述識別信號由光學(xué)上的深度或者高度在多個信息面上不相同的凹凸?fàn)畹念A(yù)刻凹坑所構(gòu)成。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定光束在讀出時的發(fā)射光量。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在上述光盤面上聚焦照射由上述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由上述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在上述光盤面上的反射光的光檢測裝置、切換控制上述光檢測裝置的輸出值的增益的增益控制裝置、檢測在上述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制增益控制裝置，針對上述光盤的每個信息面設(shè)定上述光檢測裝置的輸出電壓。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在上述光盤面上聚焦照射由上述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由上述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在上述光盤面上的反射光的光檢測裝置、控制上述光檢測裝置的輸出值的均衡特性的均衡控制裝置、檢測在上述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定均衡特性。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在上述光盤面上聚焦照射由上述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由上述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在上述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在上述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定聚焦位置。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在上述光盤面上聚焦照射由上述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由上述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在上述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在上述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定跟蹤位置。
又，本發(fā)明的光盤裝置，其特征是包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在上述光盤面上聚焦照射由上述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由上述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在上述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、控制由上述聚焦裝置聚焦的光束的距焦點(diǎn)在上述光盤面上的傾斜的傾斜控制裝置、接收所聚焦的光束在上述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在上述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定傾斜位置。


圖1是本發(fā)明實施方式1以及實施方式5中的光盤裝置的構(gòu)成圖。
圖2是現(xiàn)有的光盤裝置的構(gòu)成圖。
圖3是在本發(fā)明實施方式1的光盤裝置中寫入讀出光盤的構(gòu)成圖。
圖4是為說明在本發(fā)明實施方式1的光盤裝置中寫入讀出光盤原理的圖。
圖5是為說明在本發(fā)明實施方式1的光盤裝置中的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的圖。
圖6是為說明在本發(fā)明實施方式3的光盤裝置中的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的圖。
圖7是為說明在本發(fā)明實施方式4的光盤裝置中的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的圖。
圖8A、8B、8C、8D是表示本發(fā)明實施方式1中的光盤裝置的構(gòu)成圖。
圖9是為說明在本發(fā)明實施方式4的光盤裝置在信號品質(zhì)改善后的波形的圖。
圖10是為說明本發(fā)明的實施方式1中的光盤的圖。
圖11是為說明本發(fā)明的實施方式6中的光盤的圖。
圖12是為說明本發(fā)明的實施方式7中的光盤的圖。
圖13是為說明本發(fā)明的實施方式8中的光盤的圖。
圖14是為說明本發(fā)明的實施方式9中的光盤的圖。
圖15是為說明本發(fā)明的實施方式10中的光盤的圖。
圖16A、B是為說明本發(fā)明的實施方式7中的均衡器特性的圖。
圖17是為說明本發(fā)明的實施方式8中的聚焦位置的圖。
圖18是為說明本發(fā)明的實施方式9中的跟蹤位置的圖。
圖19是為說明本發(fā)明的實施方式10中的徑向傾斜的圖。
圖20是為說明本發(fā)明的實施方式10中的切線傾斜光盤的圖。
圖21是為說明在本發(fā)明的實施方式2的光盤裝置中的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的圖。
圖22是為說明在本發(fā)明的實施方式5的光盤裝置在信號品質(zhì)改善后的波形的圖。
圖23是為說明現(xiàn)有的光盤裝置的寫入讀出原理的圖。
圖24是為說明現(xiàn)有的光盤裝置的寫入讀出原理的圖。
圖25是表示現(xiàn)有光盤裝置的寫入讀出的試驗結(jié)果的圖。
圖26是表示本發(fā)明的實施方式11的光盤裝置的寫入讀出的試驗結(jié)果的圖。
圖27是表示本發(fā)明的實施方式12中的光盤裝置的構(gòu)成圖。
圖28是表示為說明本發(fā)明的實施方式12中的寫入補(bǔ)償原理的圖。
圖29是表示為說明本發(fā)明的實施方式12中的寫入補(bǔ)償原理的圖。
圖30是表示本發(fā)明的實施方式11中的光盤裝置的構(gòu)成圖。
圖31是表示說明本發(fā)明的實施方式13的圖。
圖32是表示本發(fā)明的實施方式13中的寫入讀出順序的流程圖。
圖33是表示本發(fā)明的實施方式14中的寫入讀出順序的流程圖。
圖34是表示本發(fā)明的實施方式1的光盤裝置中寫入讀出的光盤的圖。
圖35是表示本發(fā)明的實施方式15以及16中的光盤的構(gòu)成圖。
圖36是為說明本發(fā)明的實施方式14中的寫入補(bǔ)償原理的圖。
具體實施例方式
(實施方式1)以下參照

本發(fā)明的實施方式1。
圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的光盤裝置的構(gòu)成圖。
在圖1中，101表示光盤、102表示半導(dǎo)體激光器、103表示準(zhǔn)直透鏡，104表示分束器、105表示聚焦裝置，106表示聚光透鏡，107表示光檢測裝置，108表示讀出信號運(yùn)算裝置，109表示聚焦控制裝置，110表示跟蹤控制裝置，111表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，112表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，113表示激光驅(qū)動裝置，115表示信號處理部。
以下說明讀出動作。
光盤101，例如是具有2個信息面的光盤，光點(diǎn)聚焦在光盤101的2個信息面中的任一個上并將信息讀出。
從半導(dǎo)體激光器102發(fā)出的激光束，通過準(zhǔn)直透鏡103、分束器104、聚焦裝置105，聚焦在光盤101的2個信息面中的一個上。所聚集的光點(diǎn)，在光盤101上反射和衍射，通過聚焦裝置105、分束器104、聚光透鏡106，聚集在光檢測裝置107上。所聚集的光，按照光檢測裝置上的各接收元件A、B、C、D的光量輸出電壓信號，在讀出信號運(yùn)算電路108中對上述電壓信號進(jìn)行四則運(yùn)算。
讀出信號運(yùn)算裝置的輸出的FE信號被傳送給聚焦位置控制裝置109。讀出信號運(yùn)算裝置的輸出的TE信號被傳送給跟蹤控制裝置110。讀出信號運(yùn)算裝置的輸出的RF信號被傳送給聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112。
聚焦位置控制裝置109根據(jù)與FE信號對應(yīng)的電壓輸出，驅(qū)動執(zhí)行機(jī)構(gòu)111，控制光點(diǎn)在光盤101的2個信息面中的任一個上的焦點(diǎn)位置。
跟蹤控制裝置110根據(jù)與TE信號對應(yīng)的電壓輸出，驅(qū)動執(zhí)行機(jī)構(gòu)111，控制光點(diǎn)在光盤101的2個信息面中的任一個面上的所希望的軌道位置的跟蹤位置控制。
根據(jù)聚焦位置控制裝置和跟蹤位置控制裝置所控制的光點(diǎn)，通過讀出光盤上的凹凸的預(yù)刻凹坑，或者相變型光盤的反射率的不同的濃淡標(biāo)記和空隙，可以將寫入在光盤上的信息讀出。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，根據(jù)RF信號，檢測出光點(diǎn)在光盤101的2個信息面中的任一面上是否聚焦。聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112的檢測值被傳送到激光驅(qū)動裝置113中，控制半導(dǎo)體激光器102的光輸出。
以下利用圖3說明光盤101的構(gòu)成。
圖3是表示具有2個信息面的光盤的光學(xué)特性的一例。
2個信息面中以光束的入射側(cè)作為第1層的信息面，只有透過第1層的光束才能到達(dá)第2層信息面。
對第1層的構(gòu)成進(jìn)行說明。在相變型光盤裝置中，通過以讓結(jié)晶部非晶化的峰值功率、以及將非晶部結(jié)晶化的偏置功率的2個功率將半導(dǎo)體激光照射到光盤介質(zhì)上，形成光盤介質(zhì)上的標(biāo)記(非晶部)和夾持標(biāo)記的空隙(結(jié)晶部)。
結(jié)晶部的光學(xué)特性，第1層結(jié)晶發(fā)射率301為9％，第1層結(jié)晶吸收率302為41％，第1層的結(jié)晶透過率303為50％。在此，百分比是針對所照射的光束強(qiáng)度為100％的情況而言。
非晶部的光學(xué)特性，第1層非結(jié)晶發(fā)射率304為3％，第2層非結(jié)晶吸收率305為27％，第1層非結(jié)晶透過率306為70％。
從第1層的數(shù)據(jù)區(qū)域檢測出的信號，上述第1層結(jié)晶發(fā)射率301和第1層非結(jié)晶發(fā)射率304的差(ΔR1)與第1層所檢測的信號對應(yīng)。這時第1層的ΔR1為6％。
針對第2層的構(gòu)成進(jìn)行說明。
結(jié)晶部的光學(xué)特性，第2層結(jié)晶反射率307為13％，第2層結(jié)晶吸收率308為65％，第2層的結(jié)晶透過率309為22％。
非晶部的光學(xué)特性，第2層非結(jié)晶反射率310為37％，第2層非結(jié)晶吸收率311為37％，第2層非結(jié)晶透過率312為26％。
從第2層的數(shù)據(jù)區(qū)域檢測出的信號，上述第2層結(jié)晶反射率307和第2層非結(jié)晶反射率310的差(ΔR2)與第2層所檢測的信號對應(yīng)。
但是，只有透過第1層信息面的光才能到達(dá)第2層的信息面。又，同樣，在第2層反射以及衍射的光中返回到光檢測裝置中的光，只有透過第1層的光才能到達(dá)。
第1層的透過率在結(jié)晶部和非晶部不同，在結(jié)晶部為50％，在非晶部為70％。這時，考慮到光盤初始化后的狀態(tài)，考察第1層整個面均為結(jié)晶狀態(tài)的情況。當(dāng)?shù)?層整個面均為結(jié)晶狀態(tài)時，由于第1層結(jié)晶透過率303為50％，到達(dá)第2層的光為50％。在這些光中，在第2層進(jìn)行反射與衍射，再次透過第1層，從第2層反射的光中的50％被透過。即，透過第1層后到達(dá)第2層的光再次透過第1層時，將產(chǎn)生50％×50％＝25％的光量損失。這樣，第2層的信號振幅(ΔR2)為將第2層結(jié)晶狀態(tài)的反射率和第2層非結(jié)晶反射率的差乘以往返第1層的損失25％，即ΔR2＝-24％×25％＝-6％。在此，ΔR1以及ΔR2的運(yùn)算中的結(jié)晶反射率和非結(jié)晶反射率的差的部分的計算為(結(jié)晶反射率)-(非結(jié)晶反射率)。第2層的ΔR2為負(fù)數(shù)，是因為第2層結(jié)晶反射率＜第2層非結(jié)晶反射率。
在具有2個信息面的光盤中，通過做成上述那樣的光學(xué)特性，使得第1層的數(shù)據(jù)區(qū)域和第2層的數(shù)據(jù)區(qū)域中的信號振幅平衡，在第1層和第2層之間沒有區(qū)別，可以獲得可確保質(zhì)量的穩(wěn)定的信號。
以下利用圖4說明信息的寫入與讀出的流程。
如果將光盤插入光盤裝置中，在激光驅(qū)動步驟(激光驅(qū)動裝置113)讓激光器發(fā)光(激光器ON)。光點(diǎn)在聚焦控制步驟(聚焦控制裝置109)被控制在光盤的任意半徑和任意層的軌道的焦點(diǎn)位置上(聚焦ON)。在跟蹤控制步驟(跟蹤控制裝置110)光點(diǎn)被控制在第1層的任意軌道的位置上(跟蹤ON)。在聚焦?fàn)顟B(tài)判定步驟(聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112)，判定是否是光點(diǎn)聚焦的層(判定寫入層)。
以下說明，在聚焦?fàn)顟B(tài)判定步驟檢測光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)的結(jié)果為聚焦在第1層的情況。
在激光器驅(qū)動步驟(激光器功率設(shè)定)命令讓讀出信號在第1層為最優(yōu)化。激光器驅(qū)動步驟對半導(dǎo)體激光器的功率進(jìn)行最優(yōu)控制，以在讀出信號運(yùn)算步驟(讀出信號運(yùn)算裝置108)所運(yùn)算后的信息為基礎(chǔ)，正確檢測出地址信息(第1層地址檢測)。然后，向第1層的指定扇區(qū)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入讀出。
以下說明，在聚焦?fàn)顟B(tài)判定步驟檢測光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)的結(jié)果為聚焦在第2層的情況。
在激光器驅(qū)動步驟(激光器功率設(shè)定)命令讓讀出信號在第2層為最優(yōu)化。激光器驅(qū)動步驟對半導(dǎo)體激光器的功率進(jìn)行最優(yōu)控制，以在讀出信號運(yùn)算步驟所運(yùn)算后的信息為基礎(chǔ)，正確檢測出地址信息(第2層地址檢測)。然后，向第2層的指定扇區(qū)開始進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入讀出。
以下說明讀出具有圖3那樣的光學(xué)特性的光盤的地址區(qū)域時的讀出原理。
圖8A是表示光盤的第1層的引導(dǎo)槽和地址部的示意圖。801為作為引導(dǎo)槽的槽軌道，802為在引導(dǎo)槽之間的臺階軌道。在光盤介質(zhì)上，預(yù)先在生產(chǎn)工廠，在形成引導(dǎo)槽的槽軌道801的同時，作為表示光盤上的位置(地址)的地址信息每隔一定間隔形成預(yù)刻凹坑805。在光盤的引導(dǎo)槽中以預(yù)刻凹坑形成的區(qū)域稱為地址區(qū)域806，其他的引導(dǎo)槽所構(gòu)成的、可進(jìn)行數(shù)據(jù)改寫的區(qū)域稱為數(shù)據(jù)區(qū)域。在地址區(qū)域，根據(jù)有無凹坑和凹坑的長度來表現(xiàn)地址信息。在上述地址信息中，有預(yù)先重復(fù)形成了相同長度的凹坑和空隙的區(qū)間。其中前半部重復(fù)凹坑列為803，后半部重復(fù)凹坑列為804。前半部重復(fù)凹坑列和后半部重復(fù)凹坑列分別以引導(dǎo)槽的槽軌道801為中心在內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)配置成交錯狀。槽軌道的中心和前半部重復(fù)凹坑列的中心之間的間隔為Wa，槽軌道的中心和后半部重復(fù)凹坑列的中心之間的間隔為Wb。相鄰重復(fù)凹坑列之間的間隔為軌道間距Tp。在Wa、Wb以及Tp之間存在著Wa＝Wb＝Tp/2的關(guān)系。807表示預(yù)刻凹坑的凹坑深度，第1層的預(yù)刻凹坑的凹坑深度為d1，第2層的預(yù)刻凹坑的凹坑深度為d2。
圖8A雖然表示的是第1層的構(gòu)造，第2層也和第1層具有相同的構(gòu)成。但第2層的凹坑深度807為d2。
光點(diǎn)通過圖8A所示的地址區(qū)域時的讀出信號波形的示意圖在圖5中表示。
以下說明光點(diǎn)掃描第1層的地址區(qū)域時的情況。
在圖5的上半部，501表示第1層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，502表示第1層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。503表示上述前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形的中心值和后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形的中心值之間的平均值與地電平504之間的電壓。505表示第1層的地址部的最大信號振幅，在圖3所示光學(xué)特性的光盤中，地址部的最大振幅ΔAR1為3％。
以下說明光點(diǎn)掃描第2層的地址區(qū)域時的情況。
在圖5的下半部，506表示第2層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，507表示第2層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。508表示上述前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形的中心值和后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形的中心值之間的平均值與地電平509之間的電壓。510表示第2層的地址部的最大信號振幅，在圖3所示光學(xué)特性的光盤中，地址部的最大振幅ΔAR2為1.1％。
但是，對于由凹坑衍射的光返回到光檢測裝置的光量的鏡面部，預(yù)刻凹坑的衍射比例設(shè)定為66％。假定第1層和第2層的預(yù)刻凹坑的深度都相等，對上述鏡面部的預(yù)刻凹坑的衍射的比例隨預(yù)刻凹坑的深度、寬度、長度的不同而不同，這里取66％為其一例，也可以取其他值。
這里，第1層的地址部的最大信號振幅505和第2層的地址部的最大信號振幅510之間有3倍左右的信號振幅差，由于第1層和第2層的信號質(zhì)量不同，在各層不能正確再現(xiàn)預(yù)刻凹坑地址。
以上表明，有必要由圖1的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112判定光點(diǎn)是聚焦在第1層或者第2層中的哪一層，從而改善地址區(qū)域的信號質(zhì)量。
為了讓第1層和第2層的地址部的信號振幅對齊，要改變第1層和第2層的預(yù)刻凹坑的振幅。
圖10是表示預(yù)刻凹坑的深度和預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅之間的關(guān)系。如圖10所示，如果光的波長為λ，當(dāng)預(yù)刻凹坑的有效槽深為λ/4時，預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅為最大。
在本發(fā)明的光盤裝置中，通過調(diào)整第1層預(yù)刻凹坑的深度和第2層預(yù)刻凹坑的深度，可以縮小第1層和第2層預(yù)刻凹坑地址之間振幅差。
說明具體例。
如圖8B所示，為了增大第2層的地址振幅，使其具有以下的構(gòu)成。
d1＜d2≤λ/4上式表明，第2層預(yù)刻凹坑的槽深度在λ/4以下，具有λ/4左右的槽深，為了縮小第1層的地址振幅，通過讓第1層預(yù)刻凹坑的深度小于第2層預(yù)刻凹坑的深度，可以增大第2層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，縮小第1層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，從而縮小第1層和第2層預(yù)刻凹坑地址的信號振幅差，具有改善第2層地址區(qū)域的信號振幅的效果。
作為另一構(gòu)成，也可以是如圖8C所示構(gòu)成。
d1＜λ/4≤d2并且d1＞(d2-λ/4)上式表明，第2層預(yù)刻凹坑的槽深度在λ/4以上，具有λ/4左右的槽深，為了縮小第1層的地址振幅，通過讓第1層預(yù)刻凹坑的深度小于(第2層預(yù)刻凹坑的深度)-(λ/4)，可以增大第2層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，縮小第1層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，從而縮小第1層和第2層預(yù)刻凹坑地址的信號振幅差，具有改善第2層地址區(qū)域的信號振幅的效果。
作為另一構(gòu)成，也可以是如圖8D所示構(gòu)成。
λ/4≤d2＜d1上式表明，第2層預(yù)刻凹坑的槽深度在λ/4以上，具有λ/4左右的槽深，為了縮小第1層的地址振幅，通過讓第1層預(yù)刻凹坑的深度大于第2層預(yù)刻凹坑的深度，可以增大第2層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，縮小第1層預(yù)刻凹坑地址的讀出信號振幅，從而縮小第1層和第2層預(yù)刻凹坑地址的信號振幅差，具有改善第2層地址區(qū)域的信號振幅的效果。
又，本發(fā)明的光盤的預(yù)刻凹坑的深度是表示在考慮了介質(zhì)的折射率之后的光學(xué)上的深度或者高度。
(實施方式2)在實施方式1中，說明通過采用第1層和第2層的槽深不同的光盤和光盤自身的特點(diǎn)，來識別第1層和第2層，在實施方式2中，說明采用第1層和第2層的槽深相同的光盤，而在寫入讀出裝置側(cè)識別第1層和第2層。
在實施方式2～4，說明光點(diǎn)聚焦在光盤上產(chǎn)生信號時，判定是聚焦在第1層上還是聚焦在第2層的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112。
首先，參照

本發(fā)明的實施方式2。
針對采用地址區(qū)域的預(yù)刻凹坑的再現(xiàn)信號判定聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，采用圖5、圖21進(jìn)行說明。
但是，光盤裝置的構(gòu)成圖和本發(fā)明的實施方式1相同，如圖1所示。
為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，本發(fā)明的光盤裝置的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，根據(jù)前半部重復(fù)凹坑列2101的讀出信號波形的中心值和后半部重復(fù)凹坑列2102的讀出信號波形的中心值之間的平均值的限幅電壓2103，識別第1層和第2層。當(dāng)限幅電平在一定范圍(閥值1a～閥值1b)內(nèi)的電壓值時判定為第1層，當(dāng)限幅電平在一定范圍(閥值2a～閥值2b)內(nèi)的電壓值時判定為第2層。
但是，(閥值1a～閥值1b)和(閥值2a～閥值2b)的范圍不相重合，如圖5所示，判定方式為，限幅電平…(閥值1a～閥值1b)＝7.5％±Δ...第1層，限幅電平…(閥值2a～閥值2b)＝2.75％±Δ...第2層。該判定由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112進(jìn)行。在此，Δ表示左邊給出數(shù)值的10％。即，(閥值1a～閥值1b)為(7.5％+0.75％)～(7.5％-0.75％)。以下相同。
當(dāng)多個信息面在3個以上時也同樣，追加設(shè)定一定范圍內(nèi)的限幅電平即可。
或者，為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，本發(fā)明的光盤裝置，根據(jù)地址區(qū)域再現(xiàn)中的地址部最大振幅2105的電壓，識別第1層和第2層。當(dāng)?shù)刂凡孔畲笳穹谝欢ǚ秶?閥值1c～閥值1d)內(nèi)的電壓值時判定為第1層，當(dāng)?shù)刂凡孔畲笳穹谝欢ǚ秶?閥值2c～閥值2d)內(nèi)的電壓值時判定為第2層。
但是，(閥值1c～閥值1d)和(閥值2c～閥值2d)的范圍不相重合，如圖5所示，判定方式為，地址部最大振幅ΔAR1…(閥值1c～閥值1d)＝3％±Δ...第1層，地址部最大振幅ΔAR2…(閥值2c～閥值2d)＝1.1％±Δ...第2層。該判定由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112進(jìn)行。
當(dāng)多個信息面在3個以上時也同樣，追加設(shè)定一定范圍內(nèi)的地址部最大振幅即可。
以上表明，多個信息面中光點(diǎn)聚焦的信息面可以通過來自地址區(qū)域的信號進(jìn)行識別。
圖21表示N層時，X層的例。
(實施方式3)以下，參照

本發(fā)明的實施方式3。
針對采用數(shù)據(jù)區(qū)域處于未寫入狀態(tài)的軌道的信號判定聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，采用圖5、圖6進(jìn)行說明。
但是，光盤裝置的構(gòu)成圖和本發(fā)明的實施方式1相同，如圖1所示。
為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，本發(fā)明的光盤裝置的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，保存讀出數(shù)據(jù)區(qū)域的未寫入軌道中的信號電平的槽電平602。
當(dāng)槽電平在一定范圍(閥值1e～閥值1f)內(nèi)的電壓值時判定為第1層，當(dāng)槽電平在一定范圍(閥值2e～閥值2f)內(nèi)的電壓值時判定為第2層。
當(dāng)多個信息面在3個以上時也同樣，追加設(shè)定一定范圍內(nèi)的槽電平即可。
但是，(閥值1e～閥值1f)和(閥值2e～閥值2f)的范圍不相重合，如圖5所示，判定方式為，槽電平…(閥值1e～閥值1f)＝6％±Δ...第1層，槽電平…(閥值2e～閥值2f)＝2.2％±Δ...第2層。該判定由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112進(jìn)行。
或者，為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，本發(fā)明的光盤裝置的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，保存讀出鏡面部的信號電平的鏡面電平601。鏡面部，如圖8A所示，是指槽軌道801和前半部重復(fù)凹坑列803之間、或者前半部重復(fù)凹坑列803和前半部重復(fù)凹坑列804之間的平坦部分。
當(dāng)鏡面電平在一定范圍(閥值1g～閥值1h)內(nèi)的電壓值時判定為第1層，當(dāng)鏡面電平在一定范圍(閥值2g～閥值2h)內(nèi)的電壓值時判定為第2層。
在此，鏡面部是指光盤上的引導(dǎo)槽或者沒有形成預(yù)刻凹坑的鏡面區(qū)域。
當(dāng)多個信息面在3個以上時也同樣，追加設(shè)定一定范圍內(nèi)的鏡面電平即可。
但是，(閥值1g～閥值1h)和(閥值2g～閥值2h)的范圍不相重合，如圖5所示，判定方式為，鏡面電平…(閥值1g～閥值1h)＝9％±Δ...第1層，鏡面電平…(閥值2g～閥值2h)＝3.3％±Δ...第2層。該判定由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112進(jìn)行。
以上表明，多個信息面中光點(diǎn)聚焦的信息面可以通過來自數(shù)據(jù)區(qū)域處于未寫入狀態(tài)的軌道的信號進(jìn)行識別。
(實施方式4)
以下，參照

本發(fā)明的實施方式4。
針對采用數(shù)據(jù)區(qū)域的處于寫入狀態(tài)的軌道的信號判定聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，采用圖7進(jìn)行說明。
但是，光盤裝置的構(gòu)成圖和本發(fā)明的實施方式1相同，如圖1所示。
在圖7中，701～706表示讀出第1層的鏡面部以及寫入信號部(圖8的槽軌道801的部分)時的讀出信號波形的示意圖，707～712表示讀出第2層的鏡面部以及寫入信號部(圖8的槽軌道801的部分)時的讀出信號波形的示意圖。在第1層中，在槽電平704的下方存在寫入信號包絡(luò)。圖3表明，在第1層中如果寫入標(biāo)記(光盤的相變膜從結(jié)晶狀態(tài)變化到非結(jié)晶狀態(tài))，反射率從9％降低到3％。相反，在第2層中在槽電平710的上方存在寫入信號包絡(luò)。圖3表明，在第2層中如果寫入標(biāo)記，反射率從13％上升到37％。這是由于第1層和第2層的相變膜的構(gòu)成不同的緣故。
為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，說明本發(fā)明的光盤裝置的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112。首先，說明當(dāng)光點(diǎn)聚焦在第1層上時，由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置判定為第1層的過程。
作為讀出數(shù)據(jù)區(qū)域的寫入軌道的讀出波形的寫入信號包絡(luò)的信號振幅的中心值的寫入信號限幅電平703與作為引導(dǎo)槽和沒有形成預(yù)設(shè)凹坑的平坦?fàn)畹溺R面部的信號的鏡面電平701的電壓之間的電壓差，作為鏡面-限幅電壓差702保存。
這里，當(dāng)鏡面-限幅電壓差702在一定范圍(閥值1i～閥值1j)內(nèi)的電壓值時判定為第1層。
以下說明當(dāng)光點(diǎn)聚焦在第2層上時，由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置判定為第2層的過程。
作為讀出數(shù)據(jù)區(qū)域的寫入軌道的讀出波形的寫入信號包絡(luò)的信號振幅的中心值的寫入信號限幅電平709與作為引導(dǎo)槽和沒有形成預(yù)設(shè)凹坑的平坦?fàn)畹溺R面部的信號的鏡面電平707的電壓之間的電壓差，作為鏡面-限幅電壓差708保存。
這里，當(dāng)鏡面-限幅電壓差708在一定范圍(閥值2i～閥值2j)內(nèi)的電壓值時判定為第2層。
但是，(閥值1i～閥值1j)和(閥值2i～閥值2j)的范圍不相重合，如圖7所示，判定方式為，鏡面-限幅電壓差…(閥值1i～閥值1j)＝4.95％±Δ...第1層，鏡面-限幅電壓差…(閥值2i～閥值2j)＝1％±Δ...第2層。該判定由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112進(jìn)行。
在此，也可以不采用寫入信號限幅電平，而采用寫入信號中的最大值的寫入信號最大電平。
在此，也可以不采用寫入信號限幅電平，而采用寫入信號中的最小值的寫入信號最小電平。
當(dāng)多個信息面在3個以上時也同樣，追加設(shè)定一定范圍內(nèi)的鏡面-限幅電壓差即可。
或者，為了判定光點(diǎn)是聚焦在第1層和第2層中的哪一層，作為讀出數(shù)據(jù)區(qū)域的寫入軌道的讀出波形的寫入信號包絡(luò)的信號振幅的中心值的寫入信號限幅電平703與作為處于未寫入狀態(tài)的引導(dǎo)槽的信號的槽電平704的電壓之間的電壓差，作為槽-限幅電壓差706保存。當(dāng)(寫入信號限幅電平)-(槽電平)的運(yùn)算結(jié)果為正時判定為第1層，運(yùn)算結(jié)果為負(fù)時判定為第2層。
在此，根據(jù)不同的光盤，也可以是當(dāng)(寫入信號限幅電平)-(槽電平)的運(yùn)算結(jié)果為負(fù)時判定為第1層，運(yùn)算結(jié)果為正時判定為第2層。
以上表明，多個信息面中光點(diǎn)聚焦的信息面可以通過來自數(shù)據(jù)區(qū)域處于寫入狀態(tài)的軌道的信號進(jìn)行識別。
(實施方式5)以下，參照

本發(fā)明的實施方式5。在實施方式2～4中，說明了為判定是第1層還是第2層的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112。在實施方式5～7中，說明當(dāng)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112判定出光點(diǎn)聚焦在第2層時，如何讓第2層的信號輸出與第1層的信號輸出相同。
采用圖1進(jìn)行說明。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制激光驅(qū)動裝置113，驅(qū)動半導(dǎo)體激光器102向第1層輸出最適合的激光。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置控制激光驅(qū)動裝置113，驅(qū)動半導(dǎo)體激光器102向第2層輸出最適合的激光。激光驅(qū)動裝置113發(fā)出指令，驅(qū)動半導(dǎo)體激光器102向第2層輸出聚焦在第1層時的大約2.7倍的光。以下說明選擇2.7倍的理由。
采用圖9說明光點(diǎn)掃描地址區(qū)域時的情況。
說明光點(diǎn)掃描第1層的地址區(qū)域時的情況。
901表示第1層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，902表示第1層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。903表示第1層的地址部的最大信號振幅，在圖3所示光學(xué)特性的光盤中，地址部的最大振幅ΔAR1為3％。904表示槽電平的電壓。又，該ΔAR1，作為圖5的第1層地址部最大振幅505，從ΔAR1＝3％就可表明。
對于激光驅(qū)動裝置113不采用2.7倍，而是采用和第1層相同的激光功率掃描第2層地址區(qū)域的情況進(jìn)行說明。這時，第2層地址部最大振幅ΔAR2為1.1％。該ΔAR2，作為圖5的第2層地址部最大振幅510，從ΔAR2＝1.1％就可表明。如果要從1.1％上升到3％，只要將1.1％乘以2.7即可。因此，在實施方式5中，圖1的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，如果判定光點(diǎn)聚焦在第2層，激光驅(qū)動裝置113的輸出，與光點(diǎn)聚焦在第1層時相比，以2.7倍的激光功率驅(qū)動光點(diǎn)。
圖9表示對第2層以2.7倍的功率驅(qū)動的狀態(tài)。905表示第2層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，906表示第2層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。907表示第2層的地址部的最大信號振幅。當(dāng)由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置判定光點(diǎn)聚焦在第2層，由于激光驅(qū)動裝置以2.7倍的激光功率驅(qū)動激光，相對于第1層的光輸出，返回到光檢測裝置上的光量增大2.7倍。其結(jié)果，第2層的地址部的最大振幅ΔAR2為3％。
這樣，第1層和第2層的地址部最大振幅均為3％，提高了第1層和第2層地址部的讀出信號質(zhì)量。
在此，光點(diǎn)聚焦在第2層時的半導(dǎo)體激光器的光輸出雖然為聚焦在第1層時的2.7倍，該值由第1層結(jié)晶反射率和第2層結(jié)晶反射率、第1層吸收率確定。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的半導(dǎo)體激光器的光輸出雖然為聚焦在第1層時的2.7倍，該值由緊接第2層的第1層的寫入軌道和未寫入軌道的狀態(tài)確定。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的半導(dǎo)體激光器的光輸出雖然為聚焦在第1層時的2.7倍，也可以僅限于光點(diǎn)聚焦在第2層的地址區(qū)域時增大光輸出。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的半導(dǎo)體激光器的光輸出雖然為聚焦在第1層時的2.7倍，也可以對第2層的地址區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)定不同的光輸出。
(實施方式6)以下，參照

本發(fā)明的實施方式6。
采用圖11進(jìn)行說明。
在圖11中，1101表示光盤、1102表示半導(dǎo)體激光器、1103表示準(zhǔn)直透鏡，1104表示分束器、1105表示聚焦裝置，1106表示聚光透鏡，1107表示光檢測裝置，1108表示讀出信號運(yùn)算裝置，1109表示聚焦控制裝置，1110表示跟蹤控制裝置，1111表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，1112表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，1113表示激光驅(qū)動裝置，1114表示增益控制裝置，1115表示信號處理部。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1112，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制增益控制裝置1114，以對第1層最適合的增益設(shè)定光檢測裝置的輸出電壓的增益。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1112的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置控制增益控制裝置1114，以對第1層最適合的增益設(shè)定光檢測裝置的輸出電壓的增益。增益控制裝置1114發(fā)出指令，以聚焦在第1層時的大約2.7倍的增益設(shè)定光檢測裝置1107的輸出電壓的增益。選擇2.7倍的理由和實施方式5所說明的理由相同。
說明光點(diǎn)掃描第1層的地址區(qū)域時的情況。
901表示第1層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，902表示第1層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。903表示第1層的地址部的最大信號振幅，在圖3所示光學(xué)特性的光盤中，地址部的最大振幅ΔAR1為3％。904表示槽電平的電壓。
說明光點(diǎn)掃描第2層的地址區(qū)域時的情況。
圖9表示對第2層設(shè)定為2.7倍的狀態(tài)。905表示第2層前半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形，906表示第2層后半部重復(fù)凹坑列的讀出信號波形。907表示第2層的地址部的最大信號振幅。當(dāng)由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置判定光點(diǎn)聚焦在第2層，由于激光驅(qū)動裝置以2.7倍的增益設(shè)定光檢測裝置1107的輸出電壓的增益，相對于第1層的光輸出，光檢測裝置的輸出電壓增大2.7倍。其結(jié)果，第2層的地址部的最大振幅ΔAR2為3％。
這樣，第1層和第2層的地址部最大振幅均為3％，提高了第1層和第2層地址部的讀出信號質(zhì)量。
在此，光點(diǎn)聚焦在第2層時的光檢測裝置的輸出電壓的增益雖然由增益控制裝置設(shè)定為聚焦在第1層時的2.7倍，該值由第1層結(jié)晶反射率和第2層結(jié)晶反射率、第1層吸收率確定。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的光檢測裝置的輸出電壓的增益雖然由增益控制裝置設(shè)定為聚焦在第1層時的2.7倍，該值由緊接第2層的第1層的寫入軌道和未寫入軌道的狀態(tài)確定。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的光檢測裝置的輸出電壓的增益雖然由增益控制裝置設(shè)定為聚焦在第1層時的2.7倍，也可以僅限于光點(diǎn)聚焦在第2層的地址區(qū)域時增大光輸出。
又，光點(diǎn)聚焦在第2層時的光檢測裝置的輸出電壓的增益雖然由增益控制裝置設(shè)定為聚焦在第1層時的2.7倍，也可以對第2層的地址區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)定不同的增益。
(實施方式7)以下，參照

本發(fā)明的實施方式7。
采用圖12進(jìn)行說明。
在圖12中，1201表示光盤、1202表示半導(dǎo)體激光器、1203表示準(zhǔn)直透鏡，1204表示分束器、1205表示聚焦裝置，1206表示聚光透鏡，1207表示光檢測裝置，1208表示讀出信號運(yùn)算裝置，1209表示聚焦控制裝置，1210表示跟蹤控制裝置，1211表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，1212表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，1213表示激光驅(qū)動裝置，1214表示均衡控制裝置，1215表示信號處理部。在此均衡控制裝置表示可以只提高特定頻率成分的增益的器件。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1212的檢測值由上述本發(fā)明的實施方式2、實施方式3以及實施方式4所述方法獲得。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1212，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制均衡控制裝置1214，以對第1層最適合的均衡特性將讀出信號運(yùn)算裝置的輸出電壓進(jìn)行波形均衡化。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1212，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，控制均衡控制裝置1214，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置以對第2層最適合的均衡特性將讀出信號運(yùn)算裝置1208的輸出電壓進(jìn)行波形均衡化。
例如，如圖16A所示，在均衡控制裝置1214中，預(yù)先準(zhǔn)備2個均衡特性。其中一個的特性是獲得最大增高的條件為頻率1/2T，增益G1，另一個的特性是獲得最大增高的條件為頻率1/2T，增益G2(G1＜G2)。當(dāng)由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1212判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，選擇一方的均衡特性，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，選擇另一方的均衡特性。
2個均衡特性，也可以如圖16B所示，其中一個的特性是獲得最大增高的條件為頻率1/2T，增益G1，另一個的特性是獲得最大增高的條件為頻率1/3T，增益G1。
通過這樣選擇均衡特性之后，也可以進(jìn)一步對所選擇的特性進(jìn)行微調(diào)整。來自均衡控制裝置1214的信號傳送到信號處理部1215，從信號處理部1215輸出讀出信號，也可以在讀出信號中檢測出抖動，根據(jù)所檢測出的抖動微調(diào)整均衡特性。或者也可以不采用抖動，而根據(jù)BER(字節(jié)誤差率)、分辨率、不均衡中的任一個進(jìn)行微調(diào)整。
每層所設(shè)定的均衡特性的微調(diào)整，可以將抖動、BER、分辨率、不均衡等表示讀出信號質(zhì)量的指標(biāo)與指定的閥值進(jìn)行比較來進(jìn)行。
抖動是指讀出信號和原信號之間在時間上的偏差，如果寫入條件相同，一般抖動越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的均衡特性的判定，可以設(shè)定為當(dāng)抖動在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的均衡特性。
BER(字節(jié)誤差率)是指讀出信號的誤差產(chǎn)生率，一般BER越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的均衡特性的判定，可以設(shè)定為當(dāng)BER在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的均衡特性。
分辨率是指讀出信號中最短或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅和最長或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅之間的比值，如果寫入條件相同，一般分辨率越大越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的均衡特性的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以上時可認(rèn)為獲得了最適合的均衡特性。
不均衡是指讀出信號中二次高頻成分的值，如果寫入條件相同，一般不均衡越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的均衡特性的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的均衡特性。
在此，作為表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，雖然是對抖動、BER、分辨率、不均衡等進(jìn)行了說明，也可以采用其他表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，例如振幅、C/N、誤碼率等。
在此，均衡特性的設(shè)定，也可以在同一信息面的數(shù)據(jù)區(qū)域和地址區(qū)域設(shè)定成不同的值。
以上表明，可以改善各層中地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的讀出信號特性，起到顯著提高讀出光盤的地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的信號質(zhì)量的作用。
(實施方式8)以下，參照

本發(fā)明的實施方式8。
采用圖13進(jìn)行說明。
在圖13中，1301表示光盤、1302表示半導(dǎo)體激光器、1303表示準(zhǔn)直透鏡，1304表示分束器、1305表示聚焦裝置，1306表示聚光透鏡，1307表示光檢測裝置，1308表示讀出信號運(yùn)算裝置，1309表示聚焦控制裝置，1310表示跟蹤控制裝置，1311表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，1312表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，1313表示激光驅(qū)動裝置，1315表示信號處理部。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1312的檢測值由上述本發(fā)明的實施方式2、實施方式3以及實施方式4所述方法獲得。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1312，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制聚焦控制裝置1309，以對第1層設(shè)定最適合的聚焦位置。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1312的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，控制聚焦控制裝置1309，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置以對第2層設(shè)定最適合的聚焦位置。
所設(shè)定的聚焦位置是如圖17所示的讓光束輪廓中的截面最小的位置(光束腰)，成為與光盤的信息面垂直的方向的位置。在這樣選擇聚焦位置之后，也可以進(jìn)一步對所選擇的聚焦位置進(jìn)行微調(diào)整。來自讀出信號運(yùn)算裝置1308的信號傳送到信號處理部1315，從信號處理部1315輸出讀出信號，也可以在讀出信號中檢測出抖動，根據(jù)所檢測出的抖動微調(diào)整聚焦控制裝置1309?；蛘咭部梢圆徊捎枚秳樱鶕?jù)BER(字節(jié)誤差率)、分辨率、不均衡中的任一個進(jìn)行微調(diào)整。
每層所設(shè)定的聚焦位置的微調(diào)整，可以將抖動、BER、分辨率、不均衡等表示讀出信號質(zhì)量的指標(biāo)與指定的閥值進(jìn)行比較來進(jìn)行。
抖動是指讀出信號和原信號之間在時間上的偏差，如果寫入條件相同，一般抖動越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的聚焦位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)抖動在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的聚焦位置。
BER(字節(jié)誤差率)是指讀出信號的誤差產(chǎn)生率，一般BER越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的聚焦位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)BER在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的聚焦位置。
分辨率是指讀出信號中最短或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅和最長或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅之間的比值，如果寫入條件相同，一般分辨率越大越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的聚焦位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以上時可認(rèn)為獲得了最適合的聚焦位置。
不均衡是指讀出信號中二次高頻成分的值，如果寫入條件相同，一般不均衡越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的聚焦位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的聚焦位置。
在此，作為表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，雖然是對抖動、BER、分辨率、不均衡等進(jìn)行了說明，也可以采用其他表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，例如振幅、C/N、誤碼率等。
在此，聚焦位置的設(shè)定，也可以在同一信息面的數(shù)據(jù)區(qū)域和地址區(qū)域設(shè)定成不同的值。
以上表明，可以改善各層中地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的讀出信號特性，起到顯著提高讀出光盤的地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的信號質(zhì)量的作用。
(實施方式9)以下，參照

本發(fā)明的實施方式9。
采用圖14進(jìn)行說明。
在圖14中，1401表示光盤、1402表示半導(dǎo)體激光器、1403表示準(zhǔn)直透鏡，1404表示分束器、1405表示聚焦裝置，1406表示聚光透鏡，1407表示光檢測裝置，1408表示讀出信號運(yùn)算裝置，1409表示聚焦控制裝置，1410表示跟蹤控制裝置，1411表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，1412表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，1413表示激光驅(qū)動裝置，1415表示信號處理部。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1412的檢測值由上述本發(fā)明的實施方式2、實施方式3以及實施方式4所述方法獲得。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1412，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制跟蹤控制裝置1410，以對第1層設(shè)定最適合的跟蹤位置。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1412的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，控制跟蹤控制裝置1410，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置以對第2層設(shè)定最適合的跟蹤位置。
所設(shè)定的跟蹤位置是如圖18所示的讓光束輪廓中的截面最小的位置(光束腰)，成為橫截光盤的信息面內(nèi)的軌道的方向的位置。在這樣選擇跟蹤位置之后，也可以進(jìn)一步對所選擇的跟蹤位置進(jìn)行微調(diào)整。來自讀出信號運(yùn)算裝置1408的信號傳送到信號處理部1415，從信號處理部1415輸出讀出信號，也可以在讀出信號中檢測出抖動，根據(jù)所檢測出的抖動微調(diào)整跟蹤控制裝置1410?；蛘咭部梢圆徊捎枚秳樱鶕?jù)BER(字節(jié)誤差率)、分辨率、不均衡中的任一個進(jìn)行微調(diào)整。
每層所設(shè)定的跟蹤位置的微調(diào)整，可以將抖動、BER、分辨率、不均衡等表示讀出信號質(zhì)量的指標(biāo)與指定的閥值進(jìn)行比較來進(jìn)行。
抖動是指讀出信號和原信號之間在時間上的偏差，如果寫入條件相同，一般抖動越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的跟蹤位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)抖動在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的跟蹤位置。
BER(字節(jié)誤差率)是指讀出信號的誤差產(chǎn)生率，一般BER越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的跟蹤位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)BER在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的跟蹤位置。
分辨率是指讀出信號中最短或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅和最長或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅之間的比值，如果寫入條件相同，一般分辨率越大越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的跟蹤位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以上時可認(rèn)為獲得了最適合的跟蹤位置。
不均衡是指讀出信號中二次高頻成分的值，如果寫入條件相同，一般不均衡越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的跟蹤位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的跟蹤位置。
在此，作為表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，雖然是對抖動、BER、分辨率、不均衡等進(jìn)行了說明，也可以采用其他表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，例如振幅、C/N、誤碼率等。
在此，跟蹤位置的設(shè)定，也可以在同一信息面的數(shù)據(jù)區(qū)域和地址區(qū)域設(shè)定成不同的值。
以上表明，可以改善各層中地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的讀出信號特性，起到顯著提高讀出光盤的地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的信號質(zhì)量的作用。
(實施方式10)
以下，參照

本發(fā)明的實施方式10。
采用圖15進(jìn)行說明。
在圖15中，1501表示光盤、1502表示半導(dǎo)體激光器、1503表示準(zhǔn)直透鏡，1504表示分束器、1505表示聚焦裝置，1506表示聚光透鏡，1507表示光檢測裝置，1508表示讀出信號運(yùn)算裝置，1509表示聚焦控制裝置，1510表示跟蹤控制裝置，1511表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，1512表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，1513表示激光驅(qū)動裝置，1515表示傾斜控制裝置，1516表示信號處理部。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1512的檢測值由上述本發(fā)明的實施方式2、實施方式3以及實施方式4所述方法獲得。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1512，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制傾斜控制裝置1515，以對第1層設(shè)定最適合的傾斜位置。
根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置1512的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，控制傾斜控制裝置1515，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置以對第2層設(shè)定最適合的傾斜位置。
所設(shè)定的傾斜位置是為光盤信息面與激光光束的光軸所成的夾角。在這樣選擇傾斜位置之后，也可以進(jìn)一步對所選擇的傾斜位置進(jìn)行微調(diào)整。來自讀出信號運(yùn)算裝置1508的信號傳送到信號處理部1516，從信號處理部1516輸出讀出信號，也可以在讀出信號中檢測出抖動，根據(jù)所檢測出的抖動微調(diào)整傾斜控制裝置1515?；蛘咭部梢圆徊捎枚秳?，而根據(jù)BER(字節(jié)誤差率)、分辨率、不均衡中的任一個進(jìn)行微調(diào)整。
傾斜，如果在方向上進(jìn)行區(qū)別，有與軌道垂直的徑向方向的傾斜和與軌道平行的切向方向的傾斜。
采用圖19說明徑向傾斜(R傾斜)。
在圖19中，1901表示光盤，1902表示光頭，1903表示傾斜臺。在徑向傾斜(R傾斜)中，有由于光盤的彎曲、光盤轉(zhuǎn)動所產(chǎn)生的面搖擺引起的光盤R傾斜1904、相對于光束的光軸上述光盤1901的寫入面的傾斜、由光頭的安裝誤差和傾斜臺的傾斜所產(chǎn)生的驅(qū)動器R傾斜1905。本質(zhì)上，對光盤R傾斜和驅(qū)動器R傾斜不進(jìn)行區(qū)分，均稱為R傾斜。
采用圖20說明切向傾斜(T傾斜)。
在圖20中，2001表示光盤，2002表示光頭，2003表示傾斜臺。在切向傾斜(T傾斜)中，有由于光盤旋轉(zhuǎn)振動、光盤的面精度誤差等引起的光盤T傾斜2004、相對于光束的光軸的上述光盤2001的寫入面的傾斜、由光頭的安裝誤差和傾斜臺的傾斜所產(chǎn)生的驅(qū)動器T傾斜2005。本質(zhì)上，對光盤T傾斜和驅(qū)動器T傾斜不進(jìn)行區(qū)分，均稱為傾斜。
每層所設(shè)定的R以及T傾斜位置的微調(diào)整，可以將抖動、BER、分辨率、不均衡等表示讀出信號質(zhì)量的指標(biāo)與指定的閥值進(jìn)行比較來進(jìn)行。
抖動是指讀出信號和原信號之間在時間上的偏差，如果寫入條件相同，一般抖動越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的R以及T傾斜位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)抖動在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的R以及T傾斜位置。
BER(字節(jié)誤差率)是指讀出信號的誤差產(chǎn)生率，一般BER越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的R以及T傾斜位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)BER在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的R以及T傾斜位置。
分辨率是指讀出信號中最短或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅和最長或者與之相對應(yīng)的時間間隔的信號的振幅之間的比值，如果寫入條件相同，一般分辨率越大越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的R以及T傾斜位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以上時可認(rèn)為獲得了最適合的R以及T傾斜位置。
不均衡是指讀出信號中二次高頻成分的值，如果寫入條件相同，一般不均衡越小越能正確讀出。在此，是否獲得了最適合的R以及T傾斜位置的判定，可以設(shè)定為當(dāng)分辨率在某一閥值以下時可認(rèn)為獲得了最適合的R以及T傾斜位置。
在此，作為表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，雖然是對抖動、BER、分辨率、不均衡等進(jìn)行了說明，也可以采用其他表示讀出信號的質(zhì)量的指標(biāo)，例如振幅、C/N、誤碼率等。
以上表明，可以改善各層中地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的讀出信號特性，起到顯著提高讀出光盤的地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的信號質(zhì)量的作用。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的光盤、光盤裝置以及光盤的讀出方法，在具有多個信息面的光盤中，數(shù)據(jù)區(qū)域無論是處于寫入狀態(tài)還是處于未寫入狀態(tài)，可以判定光點(diǎn)聚焦的信息面，在多個信息面上改善地址區(qū)域以及數(shù)據(jù)區(qū)域的的讀出信號質(zhì)量，可以顯著提高讀出光盤的地址區(qū)域或者數(shù)據(jù)區(qū)域的信號質(zhì)量。
(實施方式11)在此，采用圖23對相變型光盤的寫入原理進(jìn)行說明。在相變型光盤裝置中，通過激光照射對襯底上的存儲薄膜加熱升溫，在構(gòu)造上引起結(jié)晶學(xué)上的相變化，進(jìn)行信息的寫入和刪除。在圖23中，縱軸2301表示激光功率，橫軸表示時間軸或者表示轉(zhuǎn)動中的光盤的位置。通過以在激光功率中主要包括讓結(jié)晶部非晶化的峰值功率2302和讓非晶部結(jié)晶化的偏置功率2303的2種以上的功率將半導(dǎo)體激光照射到光盤介質(zhì)中，在光盤介質(zhì)上形成寫入標(biāo)記2304(非晶部)和夾持標(biāo)記的空隙2305(結(jié)晶部)。所寫入的標(biāo)記和空隙，反射率不同，由聚焦在光盤上的光點(diǎn)檢測出上述標(biāo)記和空隙的反射率的不同作為信號輸出，進(jìn)行信息讀出。
又，隨著存儲密度的高密度化，在寫入標(biāo)記和寫入標(biāo)記之間的熱干擾，所寫入標(biāo)記的長度可能產(chǎn)生從寫入信號的正規(guī)位置上偏移。為了補(bǔ)償這種偏移，開發(fā)了自適應(yīng)型寫入補(bǔ)償技術(shù)。對于自適應(yīng)型寫入補(bǔ)償技術(shù)，采用圖24進(jìn)行說明。
在圖24中，2401表示前空隙短的情況，2402表示前空隙長的情況。對于前空隙短的情況，當(dāng)以正規(guī)的寫入信號2407進(jìn)行寫入時，由于熱干擾的影響，標(biāo)記的前端部比正規(guī)位置要長+S3的長度2403。為了進(jìn)行補(bǔ)償，通過在寫入脈沖的先頭脈沖的位置后退-S3的長度2405，可以在寫入補(bǔ)償后形成的正規(guī)位置上寫入標(biāo)記2408。又，對于前空隙長的情況，同樣，當(dāng)以正規(guī)的寫入信號2407進(jìn)行寫入時，由于熱干擾的影響，標(biāo)記的前端部比正規(guī)位置要短-S6的長度2404。為了進(jìn)行補(bǔ)償，通過在寫入脈沖的先頭脈沖的位置前進(jìn)+S6的長度2406，可以在寫入補(bǔ)償后形成的正規(guī)位置上寫入標(biāo)記2408。通過這樣的自適應(yīng)型寫入補(bǔ)償技術(shù)，可以抑制不同長度的標(biāo)記/空隙之間讀出時的干擾，提高信號質(zhì)量。
圖25是表示采用上述寫入補(bǔ)償技術(shù)時寫入信號的眼圖。通過導(dǎo)入自適應(yīng)型寫入補(bǔ)償技術(shù)，可以獲得清晰的眼圖。這些標(biāo)記和空隙用于在光盤的引導(dǎo)槽的臺階部和槽部兩方的軌道上進(jìn)行寫入的凹凸寫入技術(shù)中。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，存在著以下的問題。即，對于現(xiàn)有的兩面光存儲介質(zhì)的情況，由于其構(gòu)成為通過從存儲介質(zhì)的上側(cè)以及下側(cè)照射光束，讀出所寫入的信息或者寫入信息，所以印刷為識別存儲介質(zhì)的標(biāo)簽的地方少，在處理上有困難。又，在讀出兩面光存儲介質(zhì)時，在只有1個光頭的裝置中，有必要將光存儲介質(zhì)取出將其面翻轉(zhuǎn)，因而不能連續(xù)讀出。要想自動進(jìn)行，有必要在上下設(shè)置2個光頭，增大了裝置，并增加了成本。
以下說明在具有圖3所示光學(xué)特性的光盤上寫入信號時的寫入讀出特性。圖26是表示試制作了具有圖3所示光學(xué)特性的光盤進(jìn)行測定的結(jié)果。在激光功率中，讓相變型存儲材料從結(jié)晶狀態(tài)非結(jié)晶化，以寫入的峰值功率作為橫軸，讀出信號的C/N值作為縱軸。
在圖26中，試制作了在襯底厚度為0.58mm的2張襯底上形成相變存儲膜、在其間用0.04mm的粘接層進(jìn)行粘貼的光盤，讓寫入各信息面的激光功率變化，形成寫入標(biāo)記，測定讀出所形成的寫入標(biāo)記時的讀出信號的C/N值，并在圖26中表示。
2601表示讀出寫入到第1信息面上的信息時所獲得的C/N值。2602表示讀出寫入到第2信息面上的信息時所獲得的C/N值。
在光盤上寫入信息時，由于光盤的面搖擺、偏心或者從外部施加到裝置上的振動、沖擊等產(chǎn)生散焦、偏離軌道的情況，使得寫入信號的C/N劣化。又，光盤和光束的光軸傾斜，也使得寫入信號的C/N劣化。該光盤的彎曲由于濕度等環(huán)境變化也可能發(fā)生變化。又，由于光頭在制造時有誤差的情況，并且也會發(fā)生經(jīng)時老化。因此，為了讓裝置可靠且良好地寫入要寫入到光盤上的信息，如果考慮到上述各種原因引起的C/N的劣化，寫入信號的C/N的限度在45dB左右。
從圖26中可以說明以下的內(nèi)容。在第1信息面上當(dāng)峰值功率在12mW以上時顯示出45dB以上的C/N值，在第2信息面上當(dāng)峰值功率在13mW以上時顯示出45dB以上的C/N值。這表明第1信息面和第2信息面的寫入靈敏度不同。
又，在哪一個信息面上，通過進(jìn)一步提高峰值功率，從圖中可以預(yù)想能進(jìn)一步增大寫入信號的C/N。
但是，如果增大激光器的峰值功率，將成為降低激光器的壽命，或者增大消耗功率，或者增大在進(jìn)行反復(fù)寫入時積蓄在存儲膜上的對存儲膜的損傷度的主要原因，因此希望盡可能降低寫入功率。
以上表明，在各種信息面上為了確保良好的信號質(zhì)量，解決上述課題，在第1信息面和第2信息面上，要寫入的激光峰值功率有必要對各信息面分別設(shè)定。
以下說明要設(shè)定的功率的確定方法。所設(shè)定的峰值功率可以通過寫入在寫入數(shù)據(jù)中最短的標(biāo)記和空隙的重復(fù)信號、根據(jù)其寫入信號的C/N值確定。
例如，將寫入信號的C/N值為50dB的峰值功率設(shè)定為峰值功率。在第1信息面和第2信息面上，學(xué)習(xí)所得到的這樣的C/N值。
又，在C/N值之外，也可以通過測定寫入信號的抖動確定峰值功率。這時，寫入數(shù)據(jù)可以通過測定寫入隨機(jī)化的標(biāo)記以及空隙的信號的抖動來確定。
預(yù)先保存上述那樣確定的峰值功率，在實際寫入數(shù)據(jù)時，根據(jù)由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置檢測第1信息面和第2信息面的結(jié)果，采用根據(jù)各個信息面的設(shè)定峰值功率寫入數(shù)據(jù)，可以獲得良好的信息質(zhì)量，并且能以充分大的激光輸出驅(qū)動半導(dǎo)體激光器。
如上所述，容易進(jìn)行標(biāo)簽印刷，并且采用1個光頭就可以自動進(jìn)行寫入讀出，提供一種容易與只有1個信息面的光存儲介質(zhì)互換，并且可以在具有2個信息面的光存儲介質(zhì)上寫入讀出的光盤裝置。
又，當(dāng)在上述第2信息面上寫入讀出時，是通過上述第1信息面進(jìn)行讀出的構(gòu)成。
當(dāng)?shù)?信息面的狀態(tài)為已寫入狀態(tài)(結(jié)晶狀態(tài)和非結(jié)晶狀態(tài)混合)和未寫入狀態(tài)(只有結(jié)晶狀態(tài))時，到達(dá)第2層的光量是不相同的。例如，在第2層上寫入時，緊接在要寫入的第2層附近的第1層狀態(tài)是未寫入狀態(tài)(只有結(jié)晶狀態(tài))時，由圖3表明第1層的透過率為50％，緊接在要寫入的第2層附近的第1層狀態(tài)是一部分或者全部為已寫入狀態(tài)時，根據(jù)到達(dá)第2層的光點(diǎn)的通過區(qū)域的第1層的寫入狀態(tài)的軌道寬度，提高透過率。
以下參照

本發(fā)明的實施方式11。圖30是表示本實施方式中的光盤1701的構(gòu)成圖。
在圖30中，3002表示設(shè)置在光盤3001的內(nèi)周部上的讀出專用區(qū)域，3004表示預(yù)先在讀出專用區(qū)域內(nèi)預(yù)先形成的預(yù)刻凹坑，3005表示預(yù)刻凹坑的軌道間距。3003表示配置在讀出專用區(qū)域外側(cè)的可改寫區(qū)域?？筛膶憛^(qū)域內(nèi)的3005表示槽狀的軌道的槽軌道，3006表示槽間軌道的臺階軌道。3007表示在槽軌道中所形成的標(biāo)記。
在讀出專用區(qū)域3002中，預(yù)先在預(yù)刻凹坑中寫入對表示光點(diǎn)是否聚焦在多個信息面中任一信息面上的信息進(jìn)行調(diào)制后的信息。
又，可改寫區(qū)域以及讀出專用區(qū)域，構(gòu)成在多個信息面中的任一信息面上。
這樣，聚焦?fàn)顟B(tài)監(jiān)測裝置可以識別多個信息面中光點(diǎn)聚焦的信息面。
(實施方式12)以下，參照

本發(fā)明的實施方式12。采用圖27進(jìn)行說明。
在圖27中，2701表示光盤、2702表示半導(dǎo)體激光器、2703表示準(zhǔn)直透鏡，2704表示分束器、2705表示聚焦裝置，2706表示聚光透鏡，2707表示光檢測裝置，2708表示讀出信號運(yùn)算裝置，2709表示聚焦控制裝置，2710表示跟蹤控制裝置，2711表示執(zhí)行機(jī)構(gòu)，2712表示聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，2713表示激光驅(qū)動裝置，2715表示寫入控制裝置，2717表示信號處理部。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置2712的檢測值由上述本發(fā)明的實施方式2、實施方式3以及實施方式4所述方法獲得。
聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置2712，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第1層時，或者沒有確定光點(diǎn)的聚焦?fàn)顟B(tài)時，控制寫入控制裝置2715，以對第1層設(shè)定最適合的寫入補(bǔ)償值。根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置2712的檢測值，當(dāng)判定光點(diǎn)聚焦在第2層時，控制寫入控制裝置2715，聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置以對第2層設(shè)定最適合的寫入補(bǔ)償值。
采用圖28和圖29說明設(shè)定最適合的寫入補(bǔ)償值的方法。在圖29中2901表示NRZI信號。2902表示根據(jù)上述NRZI信號2901寫入的寫入補(bǔ)償前的寫入標(biāo)記以及空隙。寫入標(biāo)記以及空隙2902從NRZI信號的基準(zhǔn)沿由于熱干擾等影響而邊沿偏移。
為了消除該邊沿偏移，讓寫入時的脈沖波形的先頭脈沖位置和最終脈沖的位置根據(jù)寫入標(biāo)記的長度和上述寫入標(biāo)記的前空隙或者后空隙的長度發(fā)生變化。
圖28是表示組合表的一例。2801是表示先頭脈沖位置的Tsfp的由寫入標(biāo)記長度和前空隙長度所確定的值。例如，當(dāng)寫入標(biāo)記長度為3T、前空隙長度為3T時Tsfp為a。2802是表示最終脈沖位置的Telp的由寫入標(biāo)記長度和后空隙長度所確定的值。例如，當(dāng)寫入標(biāo)記長度為3T、后空隙長度為3T時Telp為q。
寫入補(bǔ)償表的a～af的各個值通過讓寫入信號的信號質(zhì)量在各層達(dá)到最佳來確定。
寫入補(bǔ)償控制裝置，預(yù)先保存該寫入補(bǔ)償表的設(shè)定值，根據(jù)聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，設(shè)定上述寫入補(bǔ)償值。
以上表明，通過對各層設(shè)定最佳寫入功率以及寫入補(bǔ)償表，可以改善數(shù)據(jù)區(qū)域的寫入讀出信號特性，起到顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性的作用。
又，當(dāng)在上述第2信息面上寫入讀出時，為通過上述第1信息面進(jìn)行讀出的構(gòu)成。
當(dāng)?shù)?信息面的狀態(tài)為已寫入狀態(tài)(結(jié)晶狀態(tài)和非結(jié)晶狀態(tài)混合)和未寫入狀態(tài)(只有結(jié)晶狀態(tài))時，到達(dá)第2層的光量是不相同的。
例如，在第2層上寫入時，緊接在要寫入的第2層附近的第1層狀態(tài)是未寫入狀態(tài)(只有結(jié)晶狀態(tài))時，由圖3表明第1層的透過率為50％，緊接在要寫入的第2層附近的第1層狀態(tài)是一部分或者全部為已寫入狀態(tài)時，根據(jù)到達(dá)第2層的光點(diǎn)的通過區(qū)域的第1層的寫入狀態(tài)的軌道寬度，提高透過率。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的光盤裝置，在具有多個信息面的光盤中，數(shù)據(jù)區(qū)域無論是處于寫入狀態(tài)還是處于未寫入狀態(tài)，可以判定光點(diǎn)聚焦的信息面，在多個信息面上改善數(shù)據(jù)區(qū)域的的寫入讀出信號質(zhì)量，可以顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性。
(實施方式13)圖31是表示第1層的寫入標(biāo)記密度和第2層的滑運(yùn)軌道比的計算結(jié)果。計算的波長為660nm，NA為0.6。在圖31中，橫軸表示寫入標(biāo)記的密度。當(dāng)標(biāo)記密度比＝0時相當(dāng)于未寫入狀態(tài)。如果增大第1層的寫入標(biāo)記密度，將降低第2層中的滑運(yùn)軌道強(qiáng)度。由于滑運(yùn)軌道強(qiáng)度降低，當(dāng)從半導(dǎo)體激光器發(fā)出的功率相同時，第2層的光強(qiáng)度將降低上述滑運(yùn)軌道比的數(shù)量，需要提高半導(dǎo)體激光器的發(fā)出功率。
考慮到這種情況下，寫入到光盤的第2信息面上的功率(峰值功率以及偏置功率)，根據(jù)第1層的標(biāo)記密度確定，可以提高光盤的讀出信號質(zhì)量。
以下采用圖34說明學(xué)習(xí)區(qū)域的構(gòu)成。圖34是表示第1層和第2層的光盤的構(gòu)成。
3401表示光點(diǎn)入射側(cè)的第1層襯底，3402表示透過上述第1層襯底的光點(diǎn)聚焦的第2層襯底。第1層和第2層在上下并行配置。
學(xué)習(xí)區(qū)域在第1層如3403那樣配置在第1層襯底的內(nèi)周部和外周部。同樣在第2層如3404那樣配置在第2層襯底的內(nèi)周部和外周部。
內(nèi)周部和外周部的學(xué)習(xí)區(qū)域之間寫入用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)域在第1層襯底上如3405那樣，在第2層襯底上如3406那樣配置。
在此，第1層襯底和第2層襯底的學(xué)習(xí)區(qū)域距光盤中心的位置大致相同。
以下說明針對第1層的3種狀態(tài)獲得第2層的寫入功率的方法。
(1)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為未寫入?yún)^(qū)域的情況(2)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有一部分寫入的情況(3)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部寫入的情況首先說明當(dāng)(1)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部為未寫入?yún)^(qū)域時獲得第2層的寫入功率的方法。以下采用圖32的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為未寫入時，或者存在預(yù)先判明未寫入的一定區(qū)域時，搜索上述區(qū)域。
讓光頭對上述區(qū)域的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。獲得寫入功率的方法有各種方法，例如有上述3T的方法。假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl0，臺階軌道上的偏置功率為Pbl0，槽軌道上的峰值功率為Ppg0，槽軌道上的偏置功率為Pbg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。為了讓第1層處于寫入狀態(tài)，在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域內(nèi)寫入虛設(shè)數(shù)據(jù)。對寫入了上述虛設(shè)數(shù)據(jù)的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。
假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl1，臺階軌道上的偏置功率為Pbl1，槽軌道上的峰值功率為Ppg1，槽軌道上的偏置功率為Pbg1，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
然后說明當(dāng)(2)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有一部分寫入時獲得第2層的寫入功率的方法。以下采用圖32的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為有一部分寫入時，搜索上述學(xué)習(xí)區(qū)域。對向上述第1層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有寫入?yún)^(qū)域，刪除第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域的數(shù)據(jù)，讓學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域處于未寫入狀態(tài)。對向上述未寫入?yún)^(qū)域的第2層的光頭打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。獲得寫入功率的方法有各種方法，例如有上述3T的方法。
假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl0，臺階軌道上的偏置功率為Pbl0，槽軌道上的峰值功率為Ppg0，槽軌道上的偏置功率為Pbg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。為了讓第1層處于寫入狀態(tài)，在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域內(nèi)寫入虛設(shè)數(shù)據(jù)。對寫入了上述虛設(shè)數(shù)據(jù)的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。
假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl1，臺階軌道上的偏置功率為Pbl1，槽軌道上的峰值功率為Ppg1，槽軌道上的偏置功率為Pbg1，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
以下說明當(dāng)(3)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部已寫入時獲得第2層的寫入功率的方法。以下采用圖32的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為全部已寫入時，搜索上述學(xué)習(xí)區(qū)域。對向上述第1層打開聚焦、打開跟蹤。
確認(rèn)在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有寫入?yún)^(qū)域，刪除第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域的數(shù)據(jù)，讓學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域處于未寫入狀態(tài)。
對向上述未寫入?yún)^(qū)域的第2層的光頭打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。獲得寫入功率的方法有各種方法，例如有上述3T的方法。
假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl0，臺階軌道上的偏置功率為Pbl0，槽軌道上的峰值功率為Ppg0，槽軌道上的偏置功率為Pbg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。當(dāng)預(yù)先知道第1層的已寫入?yún)^(qū)域時，搜索上述已寫入?yún)^(qū)域。對上述已寫入?yún)^(qū)域的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入功率。
假定臺階軌道上的峰值功率為Ppl1，臺階軌道上的偏置功率為Pbl1，槽軌道上的峰值功率為Ppg1，槽軌道上的偏置功率為Pbg1，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入功率雖然限定在峰值功率和偏置功率的2種功率上，其他功率也可以進(jìn)行學(xué)習(xí)并保存在存儲器中。
在此，(1)、(2)、(3)雖然判定第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的初始狀態(tài)，也可以取消初始狀態(tài)的判定，使得裝置簡單化。這時，獲取第2層的寫入功率的方法采用(2)的有一部分寫入時的方法即可。
以下說明在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r的情況。當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為未寫入狀態(tài)時，寫入功率采用臺階軌道上的峰值功率Ppl0，偏置功率Pb0，槽軌道上的峰值功率為Ppg0，偏置功率為Pb0進(jìn)行寫入即可。
當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為寫入狀態(tài)時，寫入功率采用臺階軌道上的峰值功率Ppl1，偏置功率Pb1，槽軌道上的峰值功率為Ppg1，偏置功率為Pbg1進(jìn)行寫入即可。
當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為混合有未寫入狀態(tài)和寫入狀態(tài)時，或者寫入標(biāo)記密度在未寫入和寫入時之間時，寫入功率采用臺階軌道上的峰值功率Ppl0或者Ppl1中的一個，偏置功率Pbl0或者Pbl1中的一個，槽軌道上的峰值功率為Ppg0或者Ppg1，偏置功率為Pbg0或者Ppg1進(jìn)行寫入即可。
或者，當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為混合有未寫入狀態(tài)和寫入狀態(tài)時，或者寫入標(biāo)記密度在未寫入和寫入時之間時，寫入功率采用臺階軌道上的峰值功率在Ppl0和Ppl1之間插值的Ppl2，偏置功率在Pbl0和Pbl1插值的Pbl2，槽軌道上的峰值功率在Ppg0和Ppg1之間插值的Ppg2，偏置功率在Pbg0和Ppg1之間插值的Ppg2進(jìn)行寫入即可。
說明上述插值的方法。插值時，可以如下式所示以2個設(shè)定值的平均值作為插值。
(Ppl0+Ppl1)/2(Pbl0+Pbl1)/2(Ppg0+Ppg1)/2(Pbg0+Pbg1)/2又，也可以不采用平均值，而采用加權(quán)方式擬合的值。
Ppl0×y1+Ppl1×y2式中，y1和y2是讓y1+y2＝1的正的實數(shù)。
y1和y2根據(jù)光點(diǎn)透過第1層的寫入標(biāo)記密度獲得。
在此，雖然是以臺階軌道的峰值功率進(jìn)行說明，對于偏置功率、或者槽軌道的峰值功率和偏置功率也可以采用相同方法獲得。
如上所述，在第2層寫入時，根據(jù)光點(diǎn)透過第1層的寫入標(biāo)記密度，設(shè)定第2層的寫入功率，可以在多個信息面上改善數(shù)據(jù)區(qū)域的的寫入讀出信號質(zhì)量，可以顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性。
圖31是表示第1層的寫入標(biāo)記密度和第2層的滑運(yùn)軌道比的計算結(jié)果。計算的波長為660nm，NA為0.6。在圖31中，橫軸表示寫入標(biāo)記的密度。當(dāng)標(biāo)記密度比＝0時相當(dāng)于未寫入狀態(tài)。如果增大第1層的寫入標(biāo)記密度，將降低第2層中的滑運(yùn)軌道強(qiáng)度。由于滑運(yùn)軌道強(qiáng)度降低，當(dāng)從半導(dǎo)體激光器發(fā)出的功率相同時，第2層的光強(qiáng)度將降低上述滑運(yùn)軌道比的數(shù)量，需要提高半導(dǎo)體激光器的發(fā)出功率。由于半導(dǎo)體激光器的發(fā)射功率不同，在光盤第2信息面上寫入的寫入補(bǔ)償表，根據(jù)第1層的標(biāo)記密度確定，可以提高光盤的讀出信號質(zhì)量。
以下說明針對第1層的3種狀態(tài)獲得第2層的寫入補(bǔ)償表的方法。
(1)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為未寫入?yún)^(qū)域的情況(2)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有一部分寫入的情況(3)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部寫入的情況首先說明當(dāng)(1)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部為未寫入?yún)^(qū)域時獲得第2層的寫入補(bǔ)償表的方法。以下采用圖33的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為未寫入時，或者存在預(yù)先判明未寫入的一定區(qū)域時，搜索上述區(qū)域。
讓光頭對上述區(qū)域的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。獲得寫入補(bǔ)償表的方法有各種方法，例如有上述抖動最小的方法。
假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl0，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。在此，寫入補(bǔ)償表的數(shù)量為上述寫入補(bǔ)償表中的a～af的各個值，寫入補(bǔ)償表的各個值的設(shè)定值的組合總稱為Tl0、Tg0。
在此，以寫入補(bǔ)償?shù)拇螖?shù)為4的情況為例進(jìn)行說明，對于寫入補(bǔ)償?shù)拇螖?shù)為4值外的情況也相同。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。為了讓第1層處于寫入狀態(tài)，在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域內(nèi)寫入虛設(shè)數(shù)據(jù)。對寫入了上述虛設(shè)數(shù)據(jù)的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl1，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tg1，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。
然后說明當(dāng)(2)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有一部分寫入時獲得第2層的寫入補(bǔ)償表的方法。以下采用圖33的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為有一部分寫入時，搜索上述學(xué)習(xí)區(qū)域。對向上述第1層打開聚焦、打開跟蹤。
確認(rèn)在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有寫入?yún)^(qū)域，刪除第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域的數(shù)據(jù)，讓學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域處于未寫入狀態(tài)。
對向上述未寫入?yún)^(qū)域的第2層的光頭打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。獲得寫入補(bǔ)償表的方法有各種方法，例如有上述抖動最小的方法。
假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl0，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。為了讓第1層處于寫入狀態(tài)，在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域內(nèi)寫入虛設(shè)數(shù)據(jù)。對寫入了上述虛設(shè)數(shù)據(jù)的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl1，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tg1，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。
以下說明當(dāng)(3)的第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部已寫入時獲得第2層的寫入補(bǔ)償表的方法。以下采用圖33的流程圖進(jìn)行說明。
在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域中，第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為全部已寫入時，搜索上述學(xué)習(xí)區(qū)域。對向上述第1層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)在第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有寫入?yún)^(qū)域，刪除第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域的數(shù)據(jù)，讓學(xué)習(xí)區(qū)域的一定區(qū)域處于未寫入狀態(tài)。
對向上述未寫入?yún)^(qū)域的第2層的光頭打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于未寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。獲得寫入補(bǔ)償表的方法有各種方法，例如有上述抖動最小的方法。假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl0，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tg0，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。
然后對第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域打開聚焦、打開跟蹤。當(dāng)預(yù)先知道第1層的已寫入?yún)^(qū)域時，搜索上述已寫入?yún)^(qū)域。對上述已寫入?yún)^(qū)域的第2層打開聚焦、打開跟蹤。確認(rèn)第1層處于已寫入狀態(tài)，獲得第2層的寫入補(bǔ)償表。假定臺階軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tl1，槽軌道上的寫入補(bǔ)償表為Tgl，并將學(xué)習(xí)結(jié)果保存在存儲器中。
在此，(1)、(2)、(3)雖然判定第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域的初始狀態(tài)，也可以取消初始狀態(tài)的判定，使得裝置簡單化。這時，獲取第2層的寫入補(bǔ)償表的方法采用(2)的有一部分寫入時的方法即可。
以下說明在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r的情況。當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為未寫入狀態(tài)時，寫入補(bǔ)償表采用臺階軌道上的Tl0，槽軌道上的Tg1進(jìn)行寫入即可。
當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為大致寫入狀態(tài)時，寫入補(bǔ)償表采用臺階軌道上的Tl1，槽軌道上的Tg1進(jìn)行寫入即可。
當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為混合有未寫入狀態(tài)和寫入狀態(tài)時，或者寫入標(biāo)記密度在未寫入和寫入時之間時，寫入補(bǔ)償表采用臺階軌道上Tl0或者Tl1中的一個，槽軌道上的Tg0或者Tg1進(jìn)行寫入即可。
或者，當(dāng)在第2層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霑r，第1層的光點(diǎn)透過的區(qū)域為混合有未寫入狀態(tài)和寫入狀態(tài)時，或者寫入標(biāo)記密度在未寫入和寫入時之間時，寫入補(bǔ)償表采用臺階軌道上的在Tl0和Tl1之間插值的Tl2，槽軌道上的在Tg0和Tg1之間插值的Tg2進(jìn)行寫入即可。
采用圖36說明上述插值的方法。在圖36中，3605表示第1層處于未寫入狀態(tài)時獲得的寫入補(bǔ)償表Tl0，3606表示第1層處于已寫入狀態(tài)時獲得的寫入補(bǔ)償表Tl1。
在3605的各表中有根據(jù)標(biāo)記或者空隙的組合的A1到Af1的32個設(shè)定值。在3606的各表中有根據(jù)標(biāo)記或者空隙的組合的A2到Af2的32個設(shè)定值。
標(biāo)記和空隙的組合的設(shè)定位置，例如，A1和A2為前空隙長為3T并且寫入標(biāo)記長為3T時的設(shè)定位置。
插值時，在這些組合的設(shè)定位置的相同位置之間可以采用如下式所示的以2個設(shè)定值的平均值作為插值。
(A1+A2)/2(B1+B2)/2…………………(Af1+Af2)/2又，也可以不采用平均值，而采用加權(quán)方式擬合的值。
A1×z1+A2×z2B1×z1+B2×z2……………………Af1×z1+Af2×z2式中，z1和z2是讓z1+z2＝1的正的實數(shù)。
z1和z2根據(jù)光點(diǎn)透過第1層的寫入標(biāo)記密度獲得。
在此，雖然是以臺階軌道的寫入補(bǔ)償表Tl0和Tl1進(jìn)行說明，對于槽軌道也可以采用相同方法獲得。
如上所述，在第2層寫入時，根據(jù)光點(diǎn)透過第1層的寫入標(biāo)記密度，設(shè)定第2層的寫入補(bǔ)償表，可以在多個信息面上改善數(shù)據(jù)區(qū)域的的寫入讀出信號質(zhì)量，可以顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性。
(實施方式14)以下，參照

本發(fā)明的實施方式14。圖35表示光盤的構(gòu)成圖。
在圖35中，3501表示第1層襯底，3502表示第1層用戶數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，3503表示第1層學(xué)習(xí)區(qū)域，3504表示設(shè)置在第1層學(xué)習(xí)區(qū)域3503內(nèi)的寫入禁止區(qū)域，3505表示配置在上述內(nèi)周的第1層學(xué)習(xí)區(qū)域的進(jìn)一步內(nèi)側(cè)的讀出專用區(qū)域。
詳細(xì)說明寫入禁止區(qū)域的配置。上述寫入禁止區(qū)域?qū)懭氲降?層時，根據(jù)光點(diǎn)透過第1層區(qū)域的寫入標(biāo)記密度，第2層的最佳寫入功率或者寫入補(bǔ)償表不相同。
為此，預(yù)先根據(jù)寫入標(biāo)記密度，有必要學(xué)習(xí)寫入功率或者寫入補(bǔ)償表。
如圖35所示，通過預(yù)先設(shè)置寫入禁止區(qū)域，在第2層寫入時，可以快速進(jìn)行第1層處于未寫入狀態(tài)的學(xué)習(xí)。當(dāng)沒有寫入禁止區(qū)域，如前所述，必須判定(1)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域為未寫入?yún)^(qū)域的情況(2)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域有一部分寫入的情況(3)第1層的學(xué)習(xí)區(qū)域全部寫入的情況當(dāng)預(yù)先知道為未寫入?yún)^(qū)域時，相當(dāng)于圖32的流程圖中有未寫入?yún)^(qū)域時的情況。
這時，由于已知未寫入狀態(tài)，沒有必要刪除第1層的一部分區(qū)域的數(shù)據(jù)，可以縮短學(xué)習(xí)時間。
(實施方式15)以下，參照

本發(fā)明的實施方式15。圖35表示光盤的構(gòu)成圖。
在圖35中，3501表示第1層襯底，3502表示第1層用戶數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，3503表示第1層學(xué)習(xí)區(qū)域，3504表示設(shè)置在第1層學(xué)習(xí)區(qū)域3503內(nèi)的寫入禁止區(qū)域，3505表示配置在上述內(nèi)周的第1層學(xué)習(xí)區(qū)域的進(jìn)一步內(nèi)側(cè)的讀出專用區(qū)域。
在讀出專用區(qū)域中，以預(yù)先對預(yù)刻凹坑調(diào)制的形式寫入光盤的各種信息。在讀出專用區(qū)域中存儲了上述寫入禁止區(qū)域的開始半徑位置和結(jié)束半徑位置的信息。
或者在讀出專用區(qū)域中存儲了上述寫入禁止區(qū)域的開始地址和結(jié)束地址的信息。
這樣，可以預(yù)先知道在光盤中不能寫入的區(qū)域，在第2層學(xué)習(xí)區(qū)域進(jìn)行寫入功率以及寫入補(bǔ)償?shù)膶W(xué)習(xí)時，當(dāng)光點(diǎn)透過第1層的寫入禁止區(qū)域內(nèi)時，可以預(yù)先知道第1層處于未寫入狀態(tài)。
這樣，在寫入功率的學(xué)習(xí)以及寫入補(bǔ)償?shù)膶W(xué)習(xí)中，讓第1層處于未寫入狀態(tài)，可以省去刪除第1層的寫入數(shù)據(jù)，縮短學(xué)習(xí)時間。
以上表明，通過在各層設(shè)定最佳寫入功率以及寫入補(bǔ)償表，可以改善數(shù)據(jù)區(qū)域的的寫入讀出信號質(zhì)量，可以起到顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性的作用。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的光盤、光盤裝置以及光盤的讀出方法，在具有多個信息面的光盤中，數(shù)據(jù)區(qū)域無論是處于寫入狀態(tài)還是處于未寫入狀態(tài)，可以判定光點(diǎn)聚焦的信息面，在多個信息面上改善數(shù)據(jù)區(qū)域的寫入讀出信號質(zhì)量，可以顯著提高具有多個信息面的光盤的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定光束在讀出時的發(fā)射光量。
2.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、切換控制所述光檢測裝置的輸出值的增益的增益控制裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制增益控制裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定所述光檢測裝置的輸出電壓。
3.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、控制所述光檢測裝置的輸出值的均衡特性的均衡控制裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定均衡特性。
4.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由所述聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定聚焦位置。
5.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定跟蹤位置。
6.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、控制由所述聚焦裝置聚焦的光束的距焦點(diǎn)在所述光盤面上的傾斜的傾斜控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定傾斜位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一權(quán)利要求所述的光盤裝置，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置所檢測的檢測值是由所述光檢測裝置檢測在光盤上的連續(xù)軌道的1周上多處所設(shè)置的、預(yù)先形成的凹凸預(yù)刻凹坑的檢測值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一權(quán)利要求所述的光盤裝置，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置所檢測的檢測值是由所述光檢測裝置檢測在光盤上預(yù)先形成的引導(dǎo)槽的檢測值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一權(quán)利要求所述的光盤裝置，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置所檢測的檢測值是由所述光檢測裝置從寫入到光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域中的存儲信號中檢測出的檢測值。
10.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值控制激光器驅(qū)動步驟，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定光束在讀出時的發(fā)射光量。
11.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、 驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由所述聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、切換控制所述光檢測步驟的輸出值的增益的增益控制步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值控制增益控制步驟，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定所述光檢測步驟的輸出電壓。
12.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、控制所述光檢測步驟的輸出值的均衡特性的均衡控制步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定均衡特性。
13.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由所述聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定聚焦位置。
14.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由所述聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定跟蹤位置。
15.一種光盤的讀出方法，包括以下步驟具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動步驟、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動步驟所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦步驟、控制由所述聚焦步驟所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制步驟、控制由聚焦步驟聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制步驟、控制由所述聚焦步驟聚焦的光束的距焦點(diǎn)在所述光盤面上的傾斜的傾斜控制步驟、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測步驟、檢測在所述光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟的檢測值，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定傾斜位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15中的任一權(quán)利要求所述的光盤的讀出方法，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟所檢測的檢測值是由所述光檢測步驟檢測在光盤上的連續(xù)軌道的1周上多處設(shè)置的、預(yù)先形成的凹凸預(yù)刻凹坑的檢測值。
17.根據(jù)權(quán)利要求10-15中的任一權(quán)利要求所述的光盤的讀出方法，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟所檢測的檢測值是由所述光檢測步驟檢測在光盤上預(yù)先形成的引導(dǎo)槽的檢測值。
18.根據(jù)權(quán)利要求10-15中的任一權(quán)利要求所述的光盤的讀出方法，其特征在于由聚焦?fàn)顟B(tài)檢測步驟所檢測的檢測值是由所述光檢測步驟從寫入到光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域中的存儲信號中檢測出的檢測值。
19.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的所述光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測所述光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定所述光束在讀出時的發(fā)射光量。
20.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測所述光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定寫入波形。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光盤裝置，其特征在于包括具有第1信息面的第1襯底、在所述第1襯底的所述第1信息面上形成的半透明的反射膜、具有設(shè)置了能寫入讀出信息的存儲材料膜的第2信息面的第2襯底、讓所述第1信息面和所述第2信息面對向?qū)⑺龅?襯底以及所述第2襯底粘接的粘接層，在所述第1信息面和所述第2信息面上寫入的信息可以在能通過所述第1襯底讀出那樣構(gòu)成的光盤上寫入讀出。
22.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光盤裝置，其特征在于由所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置檢測的檢測值是由所述光檢測裝置對在光盤的讀出專用區(qū)域中預(yù)先寫入的信號進(jìn)行檢測的檢測值。
23.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光盤裝置，其特征在于由所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置檢測的檢測值是由所述光檢測裝置對設(shè)置在光盤上的連續(xù)軌道的1周上多處設(shè)置、預(yù)先形成的凹凸的預(yù)刻凹坑進(jìn)行檢測的檢測值。
24.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光盤裝置，其特征在于由所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置檢測的檢測值是由所述光檢測裝置對在光盤上預(yù)先形成的引導(dǎo)槽進(jìn)行檢測的檢測值。
25.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的光盤裝置，其特征在于由所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置檢測的檢測值是由所述光檢測裝置對寫入到光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域中的寫入信號進(jìn)行檢測的檢測值。
26.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測所述光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，在所述光盤的多個信息面中第1信息面以外的信息面上進(jìn)行寫入時，根據(jù)光點(diǎn)透過的所述第1信息面的寫入標(biāo)記密度，分別設(shè)定所述光束在寫入時的發(fā)射光量。
27.一種光盤裝置，包括具有多個信息面的光盤、驅(qū)動半導(dǎo)體激光器的激光驅(qū)動裝置、在所述光盤面上聚焦照射由所述激光驅(qū)動裝置所驅(qū)動的半導(dǎo)體激光的輸出光的光束的聚焦裝置、控制由所述聚焦裝置所聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面上的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置、控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)在所述光盤面內(nèi)的軌道上的位置的跟蹤控制裝置、接收所聚焦的光束在所述光盤面上的反射光的光檢測裝置、檢測所述光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置，根據(jù)所述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，在所述光盤的多個信息面中第1信息面以外的信息面上進(jìn)行寫入時，根據(jù)光點(diǎn)透過的所述第1信息面的寫入標(biāo)記密度，分別設(shè)定所述光束在寫入時的寫入波形。
28.根據(jù)權(quán)利要求26或27所述的光盤裝置，其特征在于包括具有第1信息面的第1襯底、在所述第1襯底的所述第1信息面上形成的半透明的反射膜、具有設(shè)置了能寫入讀出信息的存儲材料膜的第2信息面的第2襯底、讓所述第1信息面和所述第2信息面對向?qū)⑺龅?襯底以及所述第2襯底粘接的粘接層；在所述第1信息面和所述第2信息面上寫入的信息可以在能通過所述第1襯底讀出那樣構(gòu)成的光盤上寫入讀出。
全文摘要
在具有多個信息面的光盤上進(jìn)行寫入讀出時，檢測光點(diǎn)聚焦的信息面，獲得與聚焦面對應(yīng)的信號，改善讀出信號的質(zhì)量。包括將光束聚焦照射在光盤面上的聚光裝置105、在光盤面上控制聚焦點(diǎn)的焦點(diǎn)位置的聚焦控制裝置109、在光盤的軌道上控制由聚焦裝置聚焦的光束的聚焦點(diǎn)的位置的跟蹤控制裝置110、接收所聚焦的光束在光盤面上的反射光的光檢測裝置107、檢測在光盤的多個信息面上照射的光束的聚焦?fàn)顟B(tài)的聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置112，根據(jù)上述聚焦?fàn)顟B(tài)檢測裝置的檢測值控制激光器驅(qū)動裝置，針對各所述光盤的多個信息面設(shè)定光束在讀出時的發(fā)射光量。
文檔編號G11B7/00GK1495720SQ20031010131
公開日2004年5月12日 申請日期2000年6月21日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月22日
發(fā)明者中村敦史, 東海林衛(wèi), 石田隆, 衛(wèi) 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社