專(zhuān)利名稱(chēng)：用以產(chǎn)生快速、穩(wěn)定而準(zhǔn)確的位線電壓的射地基地放大器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的領(lǐng)域。尤甚者，本發(fā)明有關(guān)于內(nèi)存裝置內(nèi)位線電壓的產(chǎn)生。
背景技術(shù)：
在此領(lǐng)域中已知射地基地放大器(cascode amplifier，將射極接地的放大器與基極接地的放大器串接而成的放大器。本文中譯為射地基地放大器。)系用于將電流轉(zhuǎn)換成電壓。當(dāng)需要比較第一電流和第二電流時(shí)電流至電壓的轉(zhuǎn)換是非常有用的。因?yàn)槿邕\(yùn)算放大器等用于比較兩個(gè)電壓值的電壓比較器已經(jīng)是隨手可得。因此，傳統(tǒng)用于比較兩個(gè)電流值的方法為先將電流值轉(zhuǎn)換成電壓值，且然后利用運(yùn)算放大器比較此二電壓值。
實(shí)際上，電流值的比較在很多領(lǐng)域是非常有用的。舉例而言，通常裝置或組件的狀態(tài)是以與裝置或組件相關(guān)的電流表示。以?xún)?nèi)存裝置為例，在內(nèi)存裝置內(nèi)的內(nèi)存單元通常是以?xún)?nèi)存單元所能夠取得的電流值表示。舉例而言，內(nèi)存單元在當(dāng)內(nèi)存單元電流低于參考電流值時(shí)可將此內(nèi)存單元定義為”已規(guī)劃”內(nèi)存單元。相反地，假如此內(nèi)存單元電流高于參考電流值則可將此內(nèi)存單元定義為”已刪除”內(nèi)存單元。在此例子中，為了決定內(nèi)存單元的狀態(tài)，所偵測(cè)內(nèi)存單元的電流和參考電流間的比較是必須的。如前文中所指出的，在實(shí)際上，內(nèi)存單元的電流和參考電流首先轉(zhuǎn)換成相對(duì)應(yīng)電壓值，且然后利用運(yùn)算放大器比較所轉(zhuǎn)換的電壓值。
已知射地基地放大器遭遇到數(shù)個(gè)問(wèn)題。第一，雖希望使連接射地基地放大器與內(nèi)存單元的節(jié)點(diǎn)電壓(亦即，位線電壓)保持穩(wěn)定，其通常很難如愿達(dá)成。這是因?yàn)槿珉娫措妷?、制造過(guò)程和溫度等的變動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致射地基地放大器內(nèi)所使用晶體管的臨界電壓(VT)有很大的變動(dòng)范圍。因?yàn)樵谏涞鼗胤糯笃鲀?nèi)所使用的晶體管通常是不同的形式(例如，具有不同的臨界電壓范圍)，所以晶體管之間將不會(huì)針對(duì)這些變動(dòng)而嚴(yán)密地互相追蹤，因此會(huì)導(dǎo)致位線電壓隨著這些變動(dòng)而改變并大幅地依賴(lài)該等變動(dòng)。一個(gè)不穩(wěn)定的位線電壓可能導(dǎo)致從射地基地放大器輸出不可靠的電壓。因此，用于克服在已知射地基地放大器內(nèi)的如上所述缺點(diǎn)以便提供快速、穩(wěn)定且正確位線電壓的強(qiáng)烈需求在本技藝中是存在的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所提出的射地基地放大器電路已解決其在本技藝中需改善的問(wèn)題，所以可產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓。依據(jù)范例實(shí)施例，射地基地放大器電路包含有第一晶體管，其源極是連接至位線電壓而漏極則連接至輸出電壓。舉例而言，第一晶體管可以是加強(qiáng)型FET，且此第一晶體管可經(jīng)由致能晶體管和電阻而連接至電源電壓。
范例實(shí)施例亦包含有差動(dòng)電路，其反相輸入端連接至位線電壓，非反相輸入端則連接至參考電壓，且輸出端連接至第一晶體管的柵極。差動(dòng)電路是作為負(fù)反饋差動(dòng)放大器。在一實(shí)施例中，差動(dòng)電路的反相輸入端包含有第二晶體管，且差動(dòng)電路的非反相輸入包含有第三晶體管，在此順便附帶一提，第二晶體管的柵極是連接至位線電壓，第二晶體管的漏極是連接至第一晶體管的柵極，且第三晶體管的柵極是連接至參考電壓。在此特定實(shí)施例中，第二晶體管的漏極亦可經(jīng)由一個(gè)電阻而連接至電源電壓，且第三晶體管的漏極是經(jīng)由另一個(gè)電阻連接至電源電壓。在一實(shí)施例中，位線電壓是經(jīng)由選擇電路連接至記體體單元，舉例而言，此內(nèi)存單元具有耦接至接地端的源極。本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)具此方面技藝者將可從下文中詳細(xì)的說(shuō)明和所伴隨圖標(biāo)而更加顯而易見(jiàn)。


圖1顯示已知射地基地放大器電路的電路概圖；圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的射地基地放大器電路其中一實(shí)施例的電路概圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及用于產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓的射地基地放大器電路。以下說(shuō)明包含有與本發(fā)明應(yīng)用相關(guān)的特定訊息。具有此方面技藝者應(yīng)該了解可以不同于本發(fā)明在此所討論的特殊應(yīng)用的方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。再者，為了不模糊本發(fā)明的重點(diǎn)所以有些細(xì)節(jié)在此將不會(huì)討論。
在本應(yīng)用中的圖標(biāo)及其所伴隨的詳細(xì)說(shuō)明僅與本發(fā)明的范例實(shí)施例相關(guān)。為維持其簡(jiǎn)潔性，在本應(yīng)用中將不會(huì)特別說(shuō)明本發(fā)明的其它實(shí)施例，且不會(huì)利用本圖標(biāo)而特別說(shuō)明。
為了說(shuō)明本發(fā)明的特性和優(yōu)點(diǎn)，將參考圖1提供用于轉(zhuǎn)換位線電流至電壓的已知射地基地放大器電路105的簡(jiǎn)要說(shuō)明。已知射地基地放大器電路105可以是大電路配置100的一部份，舉例而言此配置100可以是內(nèi)存裝置的一部份。
射地基地放大器電路105通常包含有晶體管110和晶體管115，在此晶體管110的柵極端是連接至晶體管115的漏極端，且晶體管115的柵極端在節(jié)點(diǎn)130是連接至晶體管110的源極端。晶體管115的源極端是連接至接地端170。如圖1所顯示，射地基地放大器電路105更包含有致能晶體管150、155、電阻160、和晶體管165。致能晶體管150是經(jīng)由電阻160而連接至晶體管110，且致能晶體管155則經(jīng)由作為電阻負(fù)載的晶體管165而連接至晶體管115。致動(dòng)致能晶體管150和155以便激活射地基地放大器電路105。
射地基地放大器電路105更在節(jié)點(diǎn)130經(jīng)由通常已知為簡(jiǎn)化y-譯碼器140的選擇電路而連接至內(nèi)存單元135用于感測(cè)內(nèi)存單元135的內(nèi)存單元電流120。在操作時(shí)，y-譯碼器140和內(nèi)存單元135沿著線122取得與內(nèi)存135相關(guān)的內(nèi)存單元電流120(為了本應(yīng)用，線122可視為”位線”且為了簡(jiǎn)潔性將其簡(jiǎn)稱(chēng)為”位線122”)。因應(yīng)內(nèi)存單元電流122，射地基地放大器電路105在節(jié)點(diǎn)125產(chǎn)生輸出電壓。舉例而言，在節(jié)點(diǎn)125的輸出電壓可提供給運(yùn)算放大器(未顯示)用于與參考電壓相比較。類(lèi)似的射地基地放大器電路配置可用于將參考電流(與參考單元相關(guān))轉(zhuǎn)換成參考電壓用于與在節(jié)點(diǎn)125的輸出電壓相比較。相同方式，內(nèi)存單元的狀態(tài)可藉由使用運(yùn)算放大器比較在節(jié)點(diǎn)125的輸出電壓和參考電壓而決定。
可是，射地基地放大器電路105具有數(shù)個(gè)缺點(diǎn)。第一，當(dāng)希望能夠穩(wěn)定在節(jié)點(diǎn)130的電壓時(shí)，亦即位線電壓，在電源電壓、溫度、及制造過(guò)程上的變動(dòng)可能會(huì)在節(jié)點(diǎn)130導(dǎo)致不穩(wěn)定的位線電壓，因而產(chǎn)生潛在性的錯(cuò)誤，舉例而言，在讀取操作時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤。如上所述，因?yàn)槿缰圃爝^(guò)程和溫度等的變動(dòng)，晶體管110、115和165的臨界電壓(VT)會(huì)有一變動(dòng)范圍。因?yàn)樯涞鼗胤糯笃麟娐?05的晶體管110、115和165是不同的形式，例如，具有不同的臨界電壓范圍，所以晶體管110、115和165并沒(méi)有根據(jù)這些變動(dòng)而嚴(yán)謹(jǐn)追蹤。因此，在節(jié)點(diǎn)130的位線電壓回隨著這些變動(dòng)而大幅的改變。舉例而言，在某些例子中，節(jié)點(diǎn)130的位線電壓可從450mV變動(dòng)到800mV，這是無(wú)法接受的，特別是當(dāng)在節(jié)點(diǎn)130的定電壓希望是介于650至700mV之間時(shí)。再者，在節(jié)點(diǎn)130的不穩(wěn)定位線電壓會(huì)使內(nèi)存單元電流120產(chǎn)生變動(dòng)。因?yàn)檩敵鲭妷?25是依據(jù)內(nèi)存單元的電流120，所以因?yàn)樵诠?jié)點(diǎn)130的不穩(wěn)定位線電壓而產(chǎn)生的不穩(wěn)定內(nèi)存單元電流120會(huì)導(dǎo)致射地基地放大器電路105在節(jié)點(diǎn)125產(chǎn)生不可靠的輸出電壓。
現(xiàn)參考圖2，圖中顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的射地基地放大器電路205，其滿(mǎn)足且解決此技藝中對(duì)產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓的需求。射地基地放大器電路205可以是大電路配置200的一部份，舉例而言此配置200可以是內(nèi)存裝置的一部份。因此，射地基地放大器電路205可電氣連接至各種其它電路和/或電子組件。在圖2中顯示且將于下文中說(shuō)明的實(shí)施例中，射地基地放大器電路205系用于將內(nèi)存單元電流轉(zhuǎn)換成電壓，雖然本發(fā)明亦適用于在其它實(shí)施例的各種應(yīng)用中將電流轉(zhuǎn)換至電壓。
射地基地放大器電路205系建構(gòu)成接收輸入?yún)⒖茧妷河嵦?hào)(REF)202和電源電壓(VCC)245，且藉由感測(cè)內(nèi)存單元電流220而在節(jié)點(diǎn)225產(chǎn)生輸出電壓(VOUT)。射地基地放大器電路205更建構(gòu)成在節(jié)點(diǎn)230產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓。如圖2所顯示，射地基地放大器電路205是在節(jié)點(diǎn)230經(jīng)由通常已知為簡(jiǎn)化y-譯碼器240的選擇電路而連接至內(nèi)存單元235用于感測(cè)內(nèi)存單元電流220。內(nèi)存單元235的源極端是連接至接地端270。
在本實(shí)施例中，VCC245提供在大約1.6至2.0伏特的范圍內(nèi)的電源電壓，而REF202提供在大約0.65至0.7伏特的范圍內(nèi)(或如0.8伏特的另一個(gè)電壓)的參考電壓。當(dāng)致動(dòng)時(shí)，y-譯碼器240和內(nèi)存單元235沿著線222取得與內(nèi)存單元235相關(guān)的內(nèi)存單元電流220(為了本發(fā)明，線222可視為”位線”且為了簡(jiǎn)潔性將其簡(jiǎn)稱(chēng)為”位線222”)。如上所述，內(nèi)存電流220舉例而言，可用于標(biāo)示內(nèi)存單元235的狀態(tài)，亦即，”已規(guī)劃”或”已刪除”。
現(xiàn)將說(shuō)明射地基地放大器電路205的細(xì)部，射地基地放大器電路205包含有晶體管210和差動(dòng)電路212。在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，晶體管210為n信道FET(NFET)，舉例而言，可以是加強(qiáng)型NFET。依據(jù)一實(shí)施例，晶體管210所具有的臨界電壓(VT)是在大約0.3至0.6V的范圍內(nèi)。晶體管210的源極端是在節(jié)點(diǎn)230連接至y-譯碼器240的位線222和內(nèi)存單元235。節(jié)點(diǎn)230更連接至差動(dòng)電路212的一個(gè)輸入端。在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)230是連接至差動(dòng)電路212的反相輸入端，將于下文中詳細(xì)說(shuō)明。晶體管210的柵極端是在節(jié)點(diǎn)280連接至差動(dòng)電路212的輸出端。晶體管210的漏極端是連接至節(jié)點(diǎn)225，在此射地基地放大器電路205產(chǎn)生輸出電壓VOUT。電源電壓VCC245可經(jīng)由致能晶體管250和電阻260而在節(jié)點(diǎn)225耦接至晶體管210的漏極端。在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，致能晶體管250為p-信道FET(PFET)，其致動(dòng)時(shí)可激活射地基地放大器電路205。在一實(shí)施例中，電阻260大約為15000至30000歐姆(Ω)。
射地基地放大器電路205更包含有充電晶體管279和278。在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，晶體管278可以是如加強(qiáng)型NFET等的NFET，而晶體管279為PFET。晶體管278的源極端是連接到節(jié)點(diǎn)230，同時(shí)晶體管278的柵極端是連接到節(jié)點(diǎn)280且晶體管278的漏極端是耦接到晶體管279的漏極端。晶體管279的源極端是連接到電源電壓VCC245且于晶體管279的柵極端提供充電訊號(hào)(在圖2中以CHG表示)。充電訊號(hào)CHG在射地基地放大器電路205起始致動(dòng)期間提供臨時(shí)的訊號(hào)。當(dāng)晶體管279和278致動(dòng)時(shí)，于節(jié)點(diǎn)230的電壓會(huì)快速提升到所需電壓，亦即，在大約0.65至0.7伏特的范圍(或如0.8伏特的另一個(gè)電壓)，在本范例中，在達(dá)到此電壓值之后將晶體管279和278切斷。射地基地放大器電路205更包含有NFET晶體管297，其漏極端連接至節(jié)點(diǎn)230且源極端連接至接地端270。臨時(shí)充電訊號(hào)(在圖2中以CHG標(biāo)示)在射地基地放大器電路205起始致動(dòng)期間是提供給晶體管297的柵極端。當(dāng)致動(dòng)后，晶體管297用于將在節(jié)點(diǎn)230上的電壓箝制在所需電壓，亦即，在大約0.65至0.7伏特的范圍(或如0.8伏特的另一個(gè)電壓)，且當(dāng)充電晶體管279和278起始提升階段可避免在節(jié)點(diǎn)230的電壓過(guò)量。在射地基地放大器電路205起始致動(dòng)之后，將晶體管279、278和297關(guān)斷，所以不會(huì)影響射地基地放大器電路205的操作。
依據(jù)圖2所顯示的特殊實(shí)施例，差動(dòng)電路212系做為負(fù)反饋差動(dòng)放大器，且其包含有晶體管215、217和電阻255、257。注意電阻255和257僅以最簡(jiǎn)單的模式表示各種不同形式的電阻負(fù)載，舉例而言，可以是建構(gòu)做為電阻的晶體管，或者是包含有低導(dǎo)電性材料的一般電阻。如圖2中所顯示，晶體管215、217為n信道FET(NFET)，舉例而言，空乏型NFET。依據(jù)一實(shí)施例，各晶體管215或217具有在大約0.4至0.1伏特的范圍內(nèi)的臨界電壓VT，且在飽和區(qū)操作。晶體管215的柵極端是連接至節(jié)點(diǎn)230且形成差動(dòng)電路212的反相輸入端。晶體管217的柵極端形成差動(dòng)電路212的非反相輸入端且提供有REF202。晶體管215和217的源極端是經(jīng)由電流源295而連接至接地端270。晶體管215的漏極端是連接至節(jié)點(diǎn)280以便形成差動(dòng)電路212的輸出端。如先前所描述，差動(dòng)電路212在節(jié)點(diǎn)280的輸出端是連接至晶體管210的柵極端。節(jié)點(diǎn)280亦經(jīng)由電阻255而連接至VCC245。晶體管217的漏極端是經(jīng)由電阻257而連接至VCC245。在差動(dòng)電路212內(nèi)的電阻255和257提供特定的電阻負(fù)載，且如上所述，在其它實(shí)施例中(例如，電流鏡射負(fù)載電路)可以其它負(fù)載取代。再者，在其它實(shí)施例中差動(dòng)電路212可以使用雙級(jí)、三級(jí)、或多級(jí)的差動(dòng)電路而非在圖2中所顯示的單級(jí)差動(dòng)電路。
現(xiàn)將說(shuō)明射地基地放大器電路205的操作，射地基地放大器電路205是藉由致能晶體管250而致動(dòng)。舉例而言，當(dāng)將執(zhí)行與內(nèi)存單元235相關(guān)的讀取操作時(shí)，晶體管250會(huì)被致動(dòng)，且因此致動(dòng)射地基地放大器電路205。因?yàn)閮?nèi)存235的選擇，內(nèi)存單元235可經(jīng)由Y-譯碼器240取得內(nèi)存單元電流220。因應(yīng)內(nèi)存單元電流220會(huì)經(jīng)由電阻260而在節(jié)點(diǎn)225上形成VOUT。一般而言，流經(jīng)位線222的較高內(nèi)存單元電流220會(huì)在節(jié)點(diǎn)225上產(chǎn)生較低的VOUT。相反地，流經(jīng)位線222的較低內(nèi)存單元電流220會(huì)在節(jié)點(diǎn)225上產(chǎn)生較高的VOUT。然后將在節(jié)點(diǎn)225上所產(chǎn)生的VOUT提供給運(yùn)算放大器以便如上所述與對(duì)應(yīng)于參考單元的參考電壓相比較。
藉由差動(dòng)電路212和晶體管210可以快速、穩(wěn)定且正確的方式在節(jié)點(diǎn)230上產(chǎn)生位線電壓。在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，在節(jié)點(diǎn)230上所需要的位線電壓是在大約0.65至0.7伏特的范圍內(nèi)(或如0.8伏特的另一個(gè)電壓)。為了達(dá)到對(duì)應(yīng)于上述范圍的快速、穩(wěn)定且正確的位線電壓，差動(dòng)電路212系建構(gòu)成在非反相輸入端(對(duì)應(yīng)于晶體管217的柵極端)接收REF202。如上所述，REF202提供相當(dāng)穩(wěn)定的電壓位準(zhǔn)，其在圖2所顯示的特定實(shí)施例中是在大約0.65至0.7伏特的范圍內(nèi)(或如0.8伏特的另一個(gè)電壓)。差動(dòng)電路212更建構(gòu)成在反相輸入端(對(duì)應(yīng)于由節(jié)點(diǎn)230的位線電壓驅(qū)動(dòng)的晶體管215柵極端)接收在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓。然后，差動(dòng)電路212在節(jié)點(diǎn)280提供電壓輸出。差動(dòng)電路212動(dòng)作以便在節(jié)點(diǎn)280的電壓輸出會(huì)隨著反相輸入電壓(對(duì)應(yīng)于在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓)減少至低于非反相輸入電壓(對(duì)應(yīng)于REF202)而增加。相反地，在節(jié)點(diǎn)280的電壓輸出會(huì)隨著反相輸入電壓(對(duì)應(yīng)于在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓)高于非反相輸入電壓(對(duì)應(yīng)于REF202)而減少。
在節(jié)點(diǎn)280的電壓輸出控制晶體管210的柵極端且其在此配置中是做為負(fù)反饋以便穩(wěn)定在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓而不受變動(dòng)的影響。舉例而言，當(dāng)晶體管210的臨界電壓VT降低(例如，接近0.3V)，則晶體管210傳導(dǎo)更多的電流，因此增加在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓。當(dāng)在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓增加到高于REF202，差動(dòng)電路212會(huì)減少在節(jié)點(diǎn)280的電壓輸出。因此，經(jīng)由節(jié)點(diǎn)280而提供給晶體管210的電壓會(huì)減少，且晶體管210會(huì)傳導(dǎo)較少的電流，因而降低在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓且會(huì)抵銷(xiāo)掉因?yàn)榫w管210的低臨界電壓VT而在節(jié)點(diǎn)230所增加的位線電壓。另一方面，當(dāng)晶體管210的臨界電壓VT較高時(shí)(例如，接近0.6V)，則晶體管210傳導(dǎo)較少的電流，因此減少在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓。當(dāng)在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓降低到低于REF202，差動(dòng)電路212會(huì)增加在節(jié)點(diǎn)280的電壓輸出。因此，經(jīng)由節(jié)點(diǎn)280而提供給晶體管210的電壓會(huì)增加，且晶體管210會(huì)傳導(dǎo)較多的電流，因而增加在節(jié)點(diǎn)230的位線電壓且會(huì)抵銷(xiāo)因?yàn)榫w管210的高臨界電壓VT而在節(jié)點(diǎn)230所減少的位線電壓。事實(shí)上，在圖2所顯示的特定實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)230上的位線電壓是穩(wěn)定的且保持在REF202的電壓附近。
總而言之，可藉由射地基地放大器電路205以快速、穩(wěn)定且正確的方式在節(jié)點(diǎn)230上產(chǎn)生位線電壓且保持此電壓且其通常是不受電源電壓、制造過(guò)程和溫度中的變動(dòng)影響。因此，在節(jié)點(diǎn)225所產(chǎn)生的VOUT可更正確地對(duì)應(yīng)于與內(nèi)存單元235相關(guān)的內(nèi)存單元電流220。然后藉由射地基地放大器電路205在節(jié)點(diǎn)225所產(chǎn)生的VOUT可與對(duì)應(yīng)于參考單元的參考電壓進(jìn)行可靠的比較。
從上述對(duì)本發(fā)明范例實(shí)施例的說(shuō)明證明各種技藝均可用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的概念而不會(huì)偏離其領(lǐng)域。再者，雖然針對(duì)特定實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明，任何具有此方面技藝者將會(huì)了解對(duì)其形式和細(xì)節(jié)所做的變動(dòng)均不會(huì)偏離本發(fā)明的精神和領(lǐng)域。舉例而言，本發(fā)明所提及的晶體管、電阻負(fù)載的種類(lèi)、和特殊電壓或電壓范圍均是可修改而不會(huì)偏離其領(lǐng)域。所說(shuō)明的范例實(shí)施例在各方面均視為說(shuō)明和舉例用而非限制用。同時(shí)應(yīng)該了解本發(fā)明并不僅限于在此所提出的特殊實(shí)施例，而是可能重新排列、修改、和取代而不會(huì)偏離其領(lǐng)域的任何應(yīng)用。
因此，本發(fā)明提出用于產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓的射地基地放大器電路。
權(quán)利要求
1.一種用于產(chǎn)生位線電壓(230)的射地基地放大器電路(205)包含有第一晶體管(210)，其源極連接至前述的位線電壓(230)，且其漏極連接至輸出電壓(225)；以及差動(dòng)電路(212)，其反相輸入端(215)連接至前述的位線電壓(230)，非反相輸入端連接至參考電壓(202)，且其輸出(280)連接至前述第一晶體管(210)的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的射地基地放大器電路(205)，其中前述的第一晶體管(210)為加強(qiáng)型FET(210)。
3.如權(quán)利要求1所述的射地基地放大器電路(205)，其中前述差動(dòng)電路(212)的反相輸入端(215)包含有第二晶體管(215)，且前述差動(dòng)電路(212)的非反相輸入端包含有第三晶體管(217)，且其中前述第二晶體管(215)的柵極是連接至前述的位線電壓(230)，前述第二晶體管(215)的漏極是連接至前述第一晶體管(210)的柵極，且前述第三晶體管(217)的柵極是連接至前述的參考電壓(202)。
4.一種射地基地放大器電路(205)包含有裝置(217)用于接收參考電壓(202)；裝置(215)用于接收位線電壓(230)；裝置(212)用于因應(yīng)前述的參考電壓(202)和前述的位線電壓(230)而產(chǎn)生負(fù)反饋電壓(280)；以及裝置(210)用于利用前述的負(fù)反饋電壓(280)穩(wěn)定前述的位線電壓(230)。
5.如權(quán)利要求4所述的射地基地放大器電路(205)，其中使用前述負(fù)反饋電壓(280)的裝置(210)包含有第一晶體管(210)，其源極是連接至前述的位線電壓(230)，且其漏極是連接至輸出電壓(225)。
6.一種用于產(chǎn)生位電壓((230)的射地基地放大器電路(205)包含有第一晶體管(210)，其源極連接至前述的位線電壓(230)，且其漏極連接至輸出電壓(225)，前述的射地基地放大器電路(205)具有下列特性差動(dòng)電路(212)，其反相輸入端(215)連接至前述的位線電壓(230)，非反相輸入端連接至參考電壓(202)，且其輸出(280)連接至前述第一晶體管(210)的柵極。
7.如權(quán)利要求6所述的射地基地放大器電路(205)，其中前述的第一晶體管(210)為加強(qiáng)型FET(210)。
8.如權(quán)利要求6所述的射地基地放大器電路(205)，其中前述的位線電壓(230)是經(jīng)由選擇電路(240)連接至內(nèi)存單元(235)。
9.如權(quán)利要求6所述的射地基地放大器電路(205)，其中前述的第一晶體管(210)是經(jīng)由第二晶體管(250)和電阻(260)而連接至電源電壓(245)。
10.如權(quán)利要求6所述的射地基地放大器電路(205)，其中差動(dòng)電路(212)是做為負(fù)反饋差動(dòng)放大器。
全文摘要
提出產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確位線電壓(230)的射地基地放大器電路(205)。依據(jù)范例實(shí)施例，射地基地放大器電路(205)包含有第一晶體管(210)，其源極連接至前述的位線電壓(230)，且其漏極連接至輸出電壓(225)。射地基地放大器電路(205)亦包含有差動(dòng)電路(212)，其反相輸入端(215)連接至前述的位線電壓(230)，非反相輸入端連接至參考電壓(202)，且其輸出(280)連接至前述第一晶體管(210)的柵極。晶體管(210)和差動(dòng)電路(212)的操作會(huì)產(chǎn)生快速、穩(wěn)定且正確的位線電壓(230)。
文檔編號(hào)G11C16/06GK1701385SQ03825310
公開(kāi)日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2003年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月22日
發(fā)明者B·Q·李, L·克力維蘭德, P-L·陳 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司