專利名稱：帶有用于減少熱極端部凹陷的底涂層的浮動塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總的涉及磁性數據存貯和讀取系統(tǒng)的領域。具體說，涉及用于減少熱的極端部凸起和凹陷的浮動塊底涂層。
背景技術：
空氣支承浮動塊已廣泛使用于磁盤驅動器，以將換能頭適當定位在旋轉磁盤上方。在磁盤驅動器中，每個換能器在一旋轉磁盤表面上方僅幾納米處“飛行”。換能器安裝在具有一帶型面的浮動塊組件中。當空氣在磁盤和浮動塊之間流動時，空氣的加壓會產生一空氣支承力，這種空氣支承力是浮動塊輪廓以及兩個表面的相對運動的結果。這一空氣力阻止了換能器和旋轉磁盤之間的無意接觸。這一空氣支承也在浮動塊換能器與旋轉磁盤之間提供了非常窄的間隙。這就得以進行高密度的磁性數據的轉換并減少磨損和損傷。
磁盤存貯系統(tǒng)設計成具有越來越大的存貯容量，在磁盤上的同心的數據磁道的密度日益增加(即，數據磁道的尺寸以及數據磁道之間的徑向間隔不斷減少)，這就要減小在浮動塊所攜帶的換能器與旋轉磁盤之間的空氣支承間隙。獲取磁盤中較高數據存貯密度的一個方面就是以超低的飛行高度操作空氣支承浮動塊。
為使磁盤驅動器正常工作，浮動塊必須保持適當的飛行高度并提供適宜的接觸剛度，以確保運行期間浮動塊不會接觸磁盤。還有，空氣支承浮動塊必須具有在起動時較強的起飛性能，或是較強的傾斜加載/卸載性能，以限制浮動塊和磁盤之間的接觸。這種接觸會引起浮動塊起飛和著陸期間對浮動塊的損傷。
飛行高度是磁記錄最關鍵的參數之一。當浮動塊的平均飛行高度減小時，換能器可獲得磁盤上各單個的數據位位置之間更高的分辨率。因此，希望使換能器盡可能地貼近磁盤飛行。
在傳統(tǒng)的空氣支承浮動塊中，浮動塊本體由一導電陶瓷材料的基底薄片形成。在該基底上，淀積有一絕緣材料的薄膜，并通過諸如濺射的工藝在其中建立一金屬的換能器。換能器通常包括一用于將磁性編碼的信息存貯在一磁性介質上的寫入器部分和一用于從磁性介質獲取磁性編碼的信息的讀出器部分，這種換能器由許多帶有圖案的層連續(xù)堆疊在基底上形成。這種換能器的體積通常要比基底的體積小得多。
既包括金屬層又包括絕緣層的換能器的各層均具有與基底不同的機械和化學性能。性能的差別影響著換能器的幾個方面。首先，換能器的各層將以不同的比率研磨，因而當在制造期間研磨換能器的空氣支承面(ABS)時，不同的材料將被去除不同的量，導致換能器具有一不平的ABS。通常，在研磨過程中，換能器中金屬層被磨去的量要比基底磨去的量大。因此，研磨過程導致換能器的金屬層相對基底的極端部凹陷(PTR)。一具體層的PTR定義為在基底的平面空氣支承面與該層的平面空氣支承面之間的距離。
此外，絕緣材料經常要比換能器以更大得多的比率減少，導致材料凹陷，引起在絕緣材料與浮動塊本體基底材料的界面處可看得出的偏置。這種偏置的可變性阻止了換能器像原本可能地那樣貼近磁盤表面飛行。
還有，基底和換能器層不同的機械和化學性能進一步影響了換能器工作期間的空氣支承面。當磁性數據存貯和讀取系統(tǒng)工作時，換能器經受到磁性數據存貯和讀取系統(tǒng)內升高的溫度。此外，由于在換能器中的電流所引起的熱耗散，換能器本身或其一部分的溫度可顯著高于磁性數據存貯和讀取系統(tǒng)內的溫度。
熱膨脹系數(CTE)是溫度增加1度后每單位長度的材料的長度變化的度量。形成基底所用材料的CTE通常遠小于形成換能器金屬層所用材料的CTE。由于換能器各金屬層的CTE較大，這些層傾向于比基底膨脹更多的量。因而，當換能器經受到較高的工作溫度時，各金屬層趨向于比基底突伸得更靠近磁盤，從而影響了換能器的PTR。由溫度引起的PTR中的這一變化稱之為熱PTR(TPTR)。
在磁性數據存貯和讀取系統(tǒng)運行期間，換能器設置得密切貼近于磁性介質。在換能器和介質之間的距離最好足夠小，以允許對具有很大面密度的磁性介質進行讀寫，并且這個距離又最好足夠大，以防止磁性介質與換能器之間相接觸。換能器的性能主要取決于這一距離。
為保持換能器與磁性介質之間的距離恒定，PTR不應隨溫度顯著變化。如果TPTR很大，則換能器和介質之間的間隔將隨溫度顯著變化，從而要求低溫飛行高度足夠高，以適應在較高工作溫度時的這一變化。另一方面，如果TPTR接近于零，則可減少低溫飛行高度。
因此，需要設計一空氣支承浮動塊，盡管有不同的機械和熱的凹陷的干擾，它仍能實現一恒定的、超低的換能器飛行高度。許多的TPTR源起于外露于空氣支承面的金屬層。正是由于換能器的金屬層與基底材料(它形成空氣支承面)之間的CTE不相匹配，造成熱凸起的增加。需要這樣一種空氣支承浮動塊的設計，它可以從空氣支承面消除基底，并從而減少換能頭的TPTR。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及具有一空氣支承面的磁頭。磁頭包含一基底，基底具有由一前面、一后面、以及第一和第二側邊界定的一與磁盤相對的面。浮動塊包括設置在基底后面上的一端層，其中，底涂層具有一與磁盤相對的面，并由熱膨脹系數大于基底的熱膨脹系數的材料構成。一空氣支承墊只形成在該端層的與磁盤相對的面上。一換能頭形成在空氣支承墊中并外露于一空氣支承面。
附圖簡述

圖1為示出用于將一浮動塊定位在磁盤的磁道上方的一磁盤驅動器致動系統(tǒng)的俯視立體圖；
圖2為本發(fā)明浮動塊的一實施例的仰視圖；圖3A為圖2所示浮動塊的剖視圖；圖3B為圖2所示浮動塊另一實施例的剖視圖；圖4為本發(fā)明一浮動塊的另一實施例的仰視圖；圖5為圖4所示的浮動塊的剖視圖。
具體實施例方式
圖1示出磁盤驅動器10的俯視立體圖，它包括一音圈電動機(VCM)12、一致動臂14、一懸架16、一撓性件18、一浮動塊20、一頭部安裝件22、以及一磁盤24。浮動塊20通過撓性件18連接到懸架16末端。懸架16在頭部安裝件22處連接到致動臂14。致動臂14耦合于VCM12。如圖1右側所示，磁盤24有許多磁道26，并繞軸28旋轉。
在磁盤驅動器10工作期間，磁盤24的轉動會產生空氣運動，浮動塊20會與這種運動的空氣相交會。該空氣運動起到保持浮動塊20在磁盤24上方一很小的距離的作用，從而使浮動塊20在磁盤24上方飛行。VCM12選擇性地運作，以圍繞軸30移動致動臂14，籍此移動懸架16并將由浮動塊20所載的換能頭(未示出)定位在磁盤24的磁道26上方。換能頭的正確定位對于讀寫在磁盤24的同心磁道26上的數據是必要的。
圖2是空氣支承浮動塊20的仰視圖。浮動塊20具有與附接于撓性件18的面或頂面(未示出)相對的一常平環(huán)。浮動塊20還具有攜帶一換能頭34的一與磁盤相對的面32，換能頭34面向磁盤24并從其讀寫數據。此外，浮動塊20還具有在其頂面和與磁盤相對的面32之間延伸的一前邊36和一相對的后邊38。第一側邊40和第二側邊42在浮動塊20的前邊36和后邊38之間延伸。
空氣支承浮動塊20的與磁盤相對的面的輪廓對于浮動塊20的飛行特性有重要影響，對空氣支承浮動塊已設計出并采用了形形色色的輪廓。其中兩個例子包含在美國專利No.5,062,017(Strong等人)和No.5,343,343(Chapin)中，并均轉讓給了Seagate Eechnology Inc.，并包含在此供參考。當磁盤驅動器10工作時，浮動塊必須保持在磁盤24上方超低的飛行高度。運行期間，當浮動塊20在磁盤24(圖1)上方飛行時，在換能頭34和磁盤24之間的磁頭介質間隙(HMS)必須基本保持恒定，以便準確地從磁盤上讀取數據或將數據寫于其上。
浮動塊20的與磁盤相對的面32形成了浮動塊的一空氣支承面44(ABS)?？諝庵С忻?4是浮動塊20的基準水平面。在圖2所示的浮動塊20中，所示為一中心軌的一空氣支承墊46設置在浮動塊20的后邊38附近。雖然圖2中未示出，但其它一些構件，如一十字軌、一通道、或具有一ABS的第一和第二后部，可形成于浮動塊20的與磁盤相對的面上，而另一些構件，如從ABS凹陷的空氣通道，可形成在與磁盤相對的面32中。
浮動塊20包括一浮動塊本體48，它由導電的、諸如Al2O3-TiC、TiC、Si，SiC、ZrO2之類的陶瓷襯體材料，或者與這些材料組合形成的其它合成材料的薄片構成。一端層50在后邊38鄰近處形成浮動塊20的換能器部分。端層50包括一底涂層52和一外涂層54，且該兩層由同樣的材料形成。端層50由一種絕緣材料制成，所示絕緣材料諸如二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化釔穩(wěn)定的二氧化鋯(Y2O3-ZrO2)、氧化鈹(BeO)、氧化釔(Y2O3)、或氮化鈦(TiN)所構成。此外，端層50形成有一介電材料。界面56形成了浮動塊本體48和換能器部分50的不同材料、尤其是基底48和底涂層52之間的交界面。
中心軌46，或稱空氣支承墊，單獨設置在浮動塊20的端層50上。中心軌46與浮動塊20的后邊38鄰接，并基本上沿浮動塊20的中心線(C)設置。中心軌46由與端層50相同的材料構成。中心軌46形成浮動塊20的空氣支承面44。浮動塊20的端層50和基底48從中心軌46凹陷。此外，在浮動塊20的與磁盤相對的面32上的附加的輪廓從由中心軌46所形成的空氣支承面44凹陷。
換能頭34基本沿浮動塊20的中心線形成在中心軌46中。換能頭34是由許多金屬和絕緣層組成的多層裝置。通常，換能頭34的各金屬部分由主要為鐵(Fe)、鎳(Ni)、和/或鈷(Co)的合金構成。例如，同樣的層可由坡莫合金，即含有約20％的鐵和80％鎳的一種NiFe合金構成。這類金屬合金通常具有很大的熱膨脹系數(CTE)。例如Ni79Fe21的CTE約為12.2×10-6/℃。
在現有技術的浮動塊中，端層50由一種絕緣材料構成，其化學和機械性能與浮動塊本體48所用基底材料的密切相匹配。本發(fā)明浮動塊20的端層50的材料的CTE與換能頭34各金屬層的CTE相當。端層50的CTE大于7×10-6/℃。理想的是端層50的CTE近似等于換能頭34金屬層的CTE，后者約為12.0×10-6/℃，以使兩種材料的CTE密切相匹配。此外，底涂層52的厚度在約2.0微米和30微米之間，雖然這一厚度可在這一范圍內變化或超出這一范圍，這取決于AAB光工藝的對準能力。端層50的厚度在約10微米和約70微米之間。
圖3A是圖2浮動塊20的一部分沿其中心線20的剖視圖。圖2所示端層50由底涂層52和外涂層54的組合構成。浮動塊20包括基底浮動塊本體48、底涂層52、換能頭34、以及外涂層54。浮動塊20的空氣支承面44形成在空氣支承墊46的與磁盤相對的面32上。由金屬層和介電層形成的換能頭34形成在空氣支承墊46中、底涂層52和外涂層54之間。通過改變一般由銑加工形成的步深，可使浮動塊本體48的其余部分從ABS凹陷。雖然圖3中未示出，浮動塊20的與磁盤相對的面32可包括形成ABS的其它結構特征。
空氣支承墊46形成浮動塊20的空氣支承面44，即基準水平。一般說，不形成空氣支承墊46的部分的底涂層52和外涂層54的部分從ABS凹陷。此外，浮動塊20的基底部48可從ABS凹陷約0.005微米至約0.3微米之間。換能頭34的PTR在離ABS約0.0075微米(凹)至約-0.005微米(凸)之間。
換能頭34的各層均具有不同的機械和化學性能。由于這些不同的性能，換能頭34的各層將以不同比率研磨。于是，在制造過程中，換能頭34的空氣支承面44的研磨會導致換能頭34具有不平的ABS。通常，在研磨過程中，從換能頭34各金屬層將比從基底48研磨掉更多的量，導致金屬層相對基底48產生極端部凹陷(PTR)。一具體層的PTR定義為基底48的ABS和該層的ABS之間的距離。
換能頭34各層不同的機械和化學性能還會影響運行期間換能頭34的空氣支承面44。用于形成浮動塊基底48的材料的CTE通常要比用于形成換能頭34金屬層的材料的CTE低得多。由于金屬層的CTE較大，這些層傾向于比基底48膨脹更大的量，于是，當換能頭34經受高的工作溫度，金屬層突伸，比基底48更靠近磁盤表面(如圖3所示)，從而影響換能頭34金屬層的PTR。PTR的這一變化是由溫度引起的，故稱之為熱PTR(TPTR)。
本發(fā)明針對TPTR的問題，采用一種底涂層和外涂層相結合的端層50，構成它的材料的CTE與換能頭34的金屬層的CTE相等并密切相配。形成底涂層52和外涂層54的材料的CTE大于7.0×10-6/℃，并包含、但不限于TiO2、MgO、Y2O3-ZrO2、BeO、Y2O3、或TiN。此外，其中形成有換能頭34的空氣支承墊46由與底涂層52和外涂層54相同的材料制成。
空氣支承墊46僅形成在浮動塊20的底涂層和外涂層相結合的端層50上，并不延伸至浮動塊20的基底48上。在等溫加熱期間，換能頭34、空氣支承墊46、以及底涂層和外涂層相結合的端層50由于TPTR相對浮動塊20的基底48一致地膨脹和收縮，而不是換能頭34相對磁盤24膨脹和收縮。因而，在浮動塊20的換能頭34和磁盤24之間的飛行高度得以保持。換能頭34、中心軌46以及端層50的協(xié)調運動克服了在驅動器環(huán)境溫度中的變化來保持飛行高度。
用于浮動塊20的基準面是空氣支承墊46。由于換能頭34和空氣支承墊46一致地膨脹和收縮，所以它們彼此協(xié)調地運動，并且換能頭34相對于浮動塊20的ABS(中心軌)不存在TPTR。飛行高度根據作為基準點的空氣支承墊46確定，所以如果空氣支承墊46的ABS以某一比率膨脹，飛行高度被保持，但換能頭34不會比ABS膨脹得更快。換言之，換能頭34的極端部的高度被保持恒定，所以當換能頭34(極端部)膨脹并從ABS突伸時，基底48相應地上下移動，且浮動塊20沒有任何部分接觸磁盤。只要基底48從換能頭34凹陷，它就不會觸及磁盤24。
在本發(fā)明的另一些實施例中，空氣支承墊46設置在浮動塊20的端層50上，然而，它可位于后邊38上任一點處。即，本發(fā)明的空氣支承墊46并不必需定位在浮動塊20的中心線上，只要空氣支承墊46只形成在端層50上即可。
圖3B是圖2的浮動塊20的另一實施例沿浮動塊20的中心線的剖視圖。在圖3B中，一介電層材料58形成在底涂層52和換能器34之間。如果底涂層52由一介電材料構成，則就不需要單獨的介電層(如圖3A所示)。但是，當底涂層52由其CTE與換能頭34的金屬層的CTE密切相配的一非介電材料組成，時，則需要介電層58。
圖4是本發(fā)明另一實施例的浮動塊220的仰視圖。在本發(fā)明的所有實施例中，同樣的結構均用同樣的標號標示。與圖2所示的浮動塊20相似，浮動塊220包括一由基底材料構成的浮動塊本體248、形成在浮動塊220的后邊238上的一端層250、僅設置在端層250上的一中心軌246、以及形成在中心軌246中的一換能頭234。端層250由一底涂層252和一外涂層254組成。此外，浮動塊220包含一膨脹節(jié)或緩沖層260，所述膨脹節(jié)260沿界面256形成在基底248和底涂層252之間。
圖5是圖4所示浮動塊220沿其中心線C的剖視圖。膨脹節(jié)260吸收基底248和底涂層252之間的界面256的任何變形，并使周圍層的輪廓基本不受干擾。形成膨脹節(jié)260的材料的CTE通常大于基底248的CTE，并小于端層250的CTE，膨脹節(jié)260的CTE最好為9×10-6/℃。膨脹節(jié)260的關鍵特點是它具有較低的楊氏模量。膨脹節(jié)260的楊氏模量小于基體248和端層250的材料的楊氏模量(看哪個更小)。膨脹節(jié)260的厚度與其楊氏模量有關。當其楊氏模量降低時，膨脹節(jié)260所需的厚度也減少。用作膨脹節(jié)260的一種合適的材料的例子是硅的氮氧化物(SiOxNy)。
膨脹節(jié)260沿基底248和底涂層252之間的整個界面256設置。但是，在本發(fā)明的其它實施例中，膨脹節(jié)260可由基底248和底涂層252之間的若干墊子或一形成圖案的層構成。膨脹節(jié)260吸收底涂層252和外涂層254中材料的膨脹，并消除中心軌246的變形。由于基底248的非彈性，通常會發(fā)生變形，這可能抑制端層250的膨脹。膨脹節(jié)260吸收該變形，并允許端層250和基底248彼此獨立作用，以使在中心軌246中不產生變形。
本發(fā)明減少了換能頭的熱極端部凹陷和突起。本發(fā)明包括構成一浮動塊的底涂層和外涂層的改進的材料。此外，換能頭形成在一單獨形成在浮動塊底涂層和外涂層上的中心軌中。本發(fā)明通過加厚度底涂層和只從底涂層和外涂層結合體形成換能器飛行面來使一空氣支承面不包括基底，也就是換能器飛行面僅形成在中心軌中，而中心軌僅形成在底涂層上，并由與底涂層相同的材料形成。此外，底涂層和外涂層由CTE大致等于形成換能頭的金屬層的CTE的材料形成。所以，中心軌形成了空氣支承面的基準點。由于換能頭、中心軌、以及底涂層相對浮動塊本體一致膨脹和收縮，所以它們彼此協(xié)同地運動，并且換能頭相對于浮動塊的ABS沒有TPTR。另外，本發(fā)明可包含位于浮動塊基底和底涂層之間的一膨脹節(jié)。該膨脹節(jié)吸收基底和底涂層之間任何界面變形，并使周圍層的輪廓、特別是中心軌基本不受干擾。
雖然已參照較佳實施例描述了本發(fā)明，熟悉本技術領域的人士應理解，可在形式和細節(jié)中作出改變而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種磁頭浮動塊，它包括一基底，所述基底具有一與磁盤相對的面，該面由一前面、一后面、以及第一和第二側邊為界，所述基底具有一縱軸線；一端層，所述端層設置在所述基底的后面上，并由熱膨脹系數大于7×10-6/℃的材料構成，所述端層具有一與磁盤相對的面；一空氣支承墊，該墊僅形成在所述端層的與磁盤相對的面上；以及一換能頭，所述換能頭形成在所述空氣支承墊中，并外露于一空氣支承面。
2.如權利要求1所述的磁頭，其特征在于，所述端層由TiO2、MgO、Y2O3-ZrO2、BeO、Y2O3或TiN構成。
3.如權利要求1所述的磁頭浮動塊，其特征在于，所述換能頭包含多個金屬層。
4.如權利要求3所述的磁頭浮動塊，其特征在于，所述端層的熱膨脹系數大于所述基底的熱膨脹系數，并與換能頭金屬層的熱膨脹系數相當。
5.如權利要求1所述的磁頭浮動塊，其特征在于，它還包括一設置在基底和端層之間的緩沖層。
6.如權利要求5所述的磁頭浮動塊，其特征在于，所述緩沖層的熱膨脹系數大于基底的熱膨脹系數，但小于端層的熱膨脹系數。
7.如權利要求6所述的磁頭浮動塊，其特征在于，所述緩沖層的熱膨脹系數為9×10-6/℃。
8.如權利要求5所述的磁頭浮動塊，其特征在于，所述基底、所述端層以及所述緩沖層均具有一楊氏模量，且所述緩沖層的楊氏模量小于所述基底的和所述端層的楊氏模量。
9.一種具有一空氣支承面的磁頭，它包括一基底；一設置在所述基底上的底涂層；一設置在所述底涂層上并與所述空氣支承面相鄰的中心軌；以及一形成在所述中心軌上并外露于所述空氣支承面的數據換能器，所述數據換能器包含多個金屬層，其中，所述底涂層的熱膨脹系數與諸金屬層的熱膨脹系數相當。
10.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，所述中心軌和所述底涂層由同樣的材料構成。
11.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，所述底涂層的熱膨脹系數大于7×10-6/℃。
12.如權利要求11所述的磁頭，其特征在于，所述底涂層由TiO2、MgO、Y2O3-ZrO2、BeO、Y2O3或TiN構成。
13.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，所述底涂層包含一介電材料。
14.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，它還包含一層分隔換能器和底涂層的介電材料。
15.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，它還包括位于所述基底和所述底涂層之間的一膨脹節(jié)。
16.如權利要求15所述的磁頭，其特征在于，所述膨脹節(jié)的熱膨脹系數大于基底的熱膨脹系數，但小于底涂層的熱膨脹系數。
17.如權利要求14所述的磁頭，其特征在于，所述膨脹節(jié)的熱膨脹系數為9×10-6/℃。
18.如權利要求15所述的磁頭，其特征在于，所述基底、所述底涂層和所述膨脹節(jié)均具有一楊氏模量，且所述膨脹節(jié)的楊氏模量小于所述基底和所述底涂層的楊氏模量。
19.如權利要求18所述的磁頭，其特征在于，當所述膨脹節(jié)的楊氏模量減少時，膨脹節(jié)的厚度減少，當膨脹節(jié)的楊氏模量增加時，膨脹節(jié)的厚度增加。
20.如權利要求9所述的磁頭，其特征在于，它還包括一設置在所述換能器上的外涂層，其中，所述外涂層由與所述底涂層相同的材料構成。
21.一種用于在一旋轉磁盤附近支承一換能頭的浮動塊，所述浮動塊包括一浮動塊本體，它具有一與磁盤相對的面，所述面由一前邊、一后邊、以及第一和第二側邊界定，所述浮動塊本體具有一縱軸線，并包含一基底；以及一底涂層，所述底涂層沿所述浮動塊本體的后邊設置并形成所述后邊；一設置在所述浮動塊本體的與磁盤相對的面上且在底涂層上的中心軌；其中，所述換能頭包括多個形成在中心軌中的金屬層；以及其中，所述底涂層的熱膨脹系數大于所述基底的熱膨脹系數，并近似等于所述換能頭的金屬層的熱膨脹系數。
22.如權利要求21所述的浮動塊，其特征在于，它還包括一設置在所述底涂層上鄰接所述后邊的外涂層，其中，所述底涂層和所述外涂層由同種材料構成。
23.如權利要求21所述的浮動塊，其特征在于，它還包括一設置在所述基底和所述底涂層之間的膨脹節(jié)。
24.如權利要求23所述的浮動塊，其特征在于，所述膨脹節(jié)的熱膨脹系數大于所述基底的熱膨脹系數，但小于所述底涂層的熱膨脹系數。
25.如權利要求24所述的浮動塊，其特征在于，所述膨脹節(jié)的熱膨脹系數為9×10-6/℃。
26.如權利要求23所述的浮動塊，其特征在于，所述基底、所述底涂層、以及所述膨脹節(jié)均具有一楊氏模量，且膨脹節(jié)的楊氏模量小于基底和底涂層的楊氏模量。
27.如權利要求21所述的浮動塊，其特征在于，所述底涂層的熱膨脹系數大于7×10-6/℃。
28.如權利要求27所述的浮動塊，其特征在于，所述底涂層由TiO2、MgO、Y2O3-ZrO2、BeO、Y2O3或TiN構成。
全文摘要
一種帶有用于減少熱極端部凹陷的底涂層的磁頭浮動塊，它具有一空氣支承面，可用于從一磁性介質讀寫數據。磁頭包含一基底，基底有一與磁盤相對的面，該面由一前面、一后面、以及第一和第二側邊界定。浮動塊包括一設置在基底后面上的端層，其中，底涂層具有一與磁盤相對的面，并由一熱膨脹系數大于基底的熱膨脹系數的材料構成。一空氣支承墊只形成在端層的與磁盤相對的面上。一換能頭形成在空氣支承墊中，并外露于一空氣支承面。
文檔編號G11B5/10GK1527286SQ0316014
公開日2004年9月8日 申請日期2003年9月26日 優(yōu)先權日2002年9月27日
發(fā)明者D·麥金, J·R·彭德雷, V·S·孔, M·卡馬拉尤加達, J·A·特恩, D 麥金, 孔, 彭德雷, 特恩, 砝 燃喲 申請人:西加特技術有限責任公司