專利名稱：制造與活動(dòng)磁媒體一起運(yùn)作的轉(zhuǎn)換器滑塊上襯墊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與活動(dòng)磁性媒體一起使用的磁轉(zhuǎn)換器(磁頭)領(lǐng)域，更具體地說，涉及制造面對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)活動(dòng)媒體的轉(zhuǎn)換器的、包括空氣軸承表面在內(nèi)的滑塊表面上襯墊的方法。
背景技術(shù)：
圖1中繪制的是用現(xiàn)有方法制造的典型的磁頭與磁盤系統(tǒng)。在運(yùn)行中，磁轉(zhuǎn)換器20在磁盤16上方掃描時(shí)為懸架13所支承。通常被稱為磁頭或滑塊的這種磁轉(zhuǎn)換器包括完成記錄磁轉(zhuǎn)換(記錄頭23)和讀出磁轉(zhuǎn)換(讀出頭12)任務(wù)的組件。進(jìn)出讀出頭12和記錄頭23的電信號(hào)經(jīng)安裝于或嵌入懸架13的傳導(dǎo)分支(引線)14傳輸。一般有兩對(duì)電接觸片(未顯示)，分別用于讀出頭12和記錄頭23。電線或引線14連接于這兩對(duì)電接觸片并布于懸架內(nèi)通到懸臂電子設(shè)備(未顯示)。磁盤16安裝于主軸18上，所述主軸為主軸馬達(dá)24所驅(qū)動(dòng)，從而使磁盤16旋轉(zhuǎn)。磁盤16包括基底26，在其上沉積多層薄膜。薄膜21包含鐵磁材料，寫出頭23把包括編碼信息的磁轉(zhuǎn)換記錄于此鐵磁材料中。讀出頭12當(dāng)磁盤在磁頭20的空氣軸承表面下旋轉(zhuǎn)時(shí)讀取轉(zhuǎn)變來的磁轉(zhuǎn)換。在典型的制造薄膜磁轉(zhuǎn)換器的過程中，在一個(gè)晶片上形成許多轉(zhuǎn)換器。在基本結(jié)構(gòu)完成后，把晶片切分為四分之一或多行，再研磨并以現(xiàn)行平面蝕刻法制成盤結(jié)構(gòu)。最后再把各行切分為各個(gè)轉(zhuǎn)換器。
磁轉(zhuǎn)換器20的空氣軸承表面按常規(guī)制成軌條形，從滑塊體向媒體延伸，決定氣動(dòng)力學(xué)，并且在轉(zhuǎn)換器與旋轉(zhuǎn)的或靜止的磁盤接觸時(shí)起接觸區(qū)的作用。為了減少軌條形件與靜止的表面接觸時(shí)的靜態(tài)阻力，在條形件上和空氣軸承表面的其他區(qū)域制出沉積的襯墊29或凸塊。為了說明起見只顯示了幾個(gè)這樣的襯墊，然而，在軌條形件上及其附近可以有成百上千的這種極小的襯墊。按照常規(guī)這些極小的襯墊是用激光點(diǎn)加熱的方法制于軌條形件表面的，但是也可以用光刻法制出多層襯墊層結(jié)構(gòu)。下面要說明的本發(fā)明是使用光刻法制造這種襯墊的方法。用光刻法制造這種襯墊，其方法就是制造光致抗蝕圖案時(shí)把這些襯墊的地方制成空白。然后把制造這種襯墊的材料沉積到包括光致抗蝕劑在內(nèi)的整個(gè)表面上。除去光致抗蝕劑后沉積于光致抗蝕材料上的制造這種襯墊的材料也被除去，留下光致抗蝕劑空白處的這種襯墊。去除光致抗蝕劑的典型辦法是運(yùn)用溶液刷洗?，F(xiàn)有光刻法的一個(gè)問題是這種襯墊趨向于在外邊沿出現(xiàn)隆起或圍欄狀結(jié)構(gòu)，因?yàn)橹圃爝@種襯墊的材料沉積于圍繞這種襯墊的光致抗蝕劑側(cè)壁上。這種圍欄狀結(jié)構(gòu)的材料可能損壞磁盤并可能破裂成可損壞磁盤和驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的其他部件的碎片。
授予漢等人的發(fā)明名稱為《空氣軸承滑塊的堅(jiān)固的沉積的襯墊》的美國專利第6,236,543號(hào)提到了這種襯墊破裂的問題，隨之而來的是要使用應(yīng)力更高的硬材料。據(jù)說解決這個(gè)問題的辦法包括用一種極硬的四面體非晶碳材料制造這種襯墊和以插入至少一層諸如硅、碳化硅、二氧化硅或四碳化三硅之類的減應(yīng)力材料的辦法減少應(yīng)力。建議使用旋轉(zhuǎn)斜角沉積法使四面體非晶硅沉積，從而使這種襯墊的頂部變圓，這樣做可以把邊角修平滑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供圍欄狀結(jié)構(gòu)最小而又堅(jiān)固的滑塊的襯墊制造方法。
現(xiàn)在說明制造具有邊緣無圍欄狀結(jié)構(gòu)的沉積的襯墊的轉(zhuǎn)換器制造法。這種襯墊的形狀和位置由用現(xiàn)有方法在軌條形結(jié)構(gòu)表面上或其附近形成的光致抗蝕劑圖案中的空白處限定。優(yōu)選方案是使用垂直束法沉積襯墊結(jié)構(gòu)的初始層，用作粘結(jié)層或種子層。下一層是襯墊層，根據(jù)現(xiàn)有方法，因?yàn)橐r墊構(gòu)形的限定，優(yōu)選方案是以非垂直(傾斜)法沉積這一層。最后一層即掩膜層垂直沉積于襯墊層上，在后面的灰化步驟中提供各向異性保護(hù)。垂直沉積加工使掩膜層和種子層材料在光致抗蝕劑空白處側(cè)壁上的沉積減少到最低限度。因此，通過垂直沉積，圍欄狀結(jié)構(gòu)上的掩膜層和種子層材料比結(jié)構(gòu)的平面部分薄得多。襯墊層表面上的掩膜層的厚度應(yīng)該足以在以后的氧等離子體灰化中保護(hù)襯墊層，但襯墊層圍欄狀結(jié)構(gòu)上側(cè)壁處掩膜材料的厚度應(yīng)該薄到足以使圍欄狀結(jié)構(gòu)在灰化中得不到保護(hù)。掩膜層的材料應(yīng)該是能形成阻止以后氧等離子體穿透的鈍化氧化物的一種材料。襯墊的各材料層沉積完畢后，優(yōu)選方案是以包括機(jī)械研磨(例如，噴蘇打或溶劑擦洗)在內(nèi)的方法除去光致抗蝕劑。除去光致抗蝕劑后，以含氧等離子體對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行灰化。在灰化過程中除去襯墊層上的圍欄狀結(jié)構(gòu)，因?yàn)檠谀訉?duì)圍欄狀結(jié)構(gòu)提供的保護(hù)小于對(duì)襯墊層主體提供的保護(hù)。機(jī)械研磨由于引發(fā)圍欄狀結(jié)構(gòu)上的掩膜材料薄碎片遭破壞，增加了除去圍欄狀結(jié)構(gòu)的把握。在灰化期間掩膜層的大部分可望轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸?，而這種氧化物在結(jié)構(gòu)上也是間斷的并且是不自承的。剩下的掩膜材料以及氧化物材料以濺射浸蝕除去，使襯墊層暴露出來并且沒有圍欄狀結(jié)構(gòu)。


圖1表示的是現(xiàn)有技術(shù)，顯示磁頭與位于磁盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的相關(guān)部件的關(guān)系。
圖2表示的是現(xiàn)有技術(shù)的滑塊的空氣軸承表面上沉積的襯墊結(jié)構(gòu)。
圖3表示的是根據(jù)本發(fā)明的、在滑塊襯墊結(jié)構(gòu)上垂直沉積掩膜層。
圖4表示的是根據(jù)本發(fā)明的經(jīng)過垂直沉積工序后的襯墊結(jié)構(gòu)。
圖5表示的是根據(jù)本發(fā)明的一道工序中光致抗蝕劑去除后制造襯墊結(jié)構(gòu)的狀況。
圖6表示的是圖5中標(biāo)記E1的區(qū)域的放大圖。
圖7表示的是圖6中標(biāo)記E1的區(qū)域在根據(jù)本發(fā)明經(jīng)氧等離子體灰化和機(jī)械研磨后的放大圖。
圖8繪制的是圖7中標(biāo)記E1的區(qū)域根據(jù)本發(fā)明經(jīng)噴射蝕刻后的放大圖。
具體實(shí)施例方式
用上面說明的現(xiàn)行方法沉積根據(jù)本發(fā)明的粘結(jié)層和襯墊層導(dǎo)致沉積在側(cè)壁上的材料在去除光致抗蝕劑時(shí)產(chǎn)生圍欄狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在消除襯墊層的圍欄狀結(jié)構(gòu)方面使用基本為零度(從與基底平面垂直的方向)的入射角沉積掩膜層。使用高度定向手段，例如，離子束或?yàn)R射(優(yōu)選地用基底偏壓)沉積掩膜層時(shí)，與離子束垂直的平面上的沉積速率顯著高于與離子束平行的平面。這種比率一般可能大約為7比1。也就是說，基本從垂直方向(與法面成零度夾角)沉積，沿圍欄狀結(jié)構(gòu)側(cè)壁(平行于離子束)的掩膜層厚度大約為襯墊層表面(垂直于離子束)上掩膜層厚度的7分之1。
這意味著有一個(gè)“操作范圍”，這時(shí)掩膜層的厚度厚到足以防止下面的襯墊層氧化而圍欄狀結(jié)構(gòu)的掩膜層厚度不足以保護(hù)圍欄狀結(jié)構(gòu)的“主要部分”不為氧等離子體所侵蝕。掩膜層的操作厚度的確切限度是可以變動(dòng)的，決定于沉積設(shè)備的性能、所使用的材料和諸如氧等離子區(qū)壓力之類的參數(shù)。掩膜層厚度范圍預(yù)期大約在5-50埃米之間。根據(jù)本發(fā)明沉積掩膜層和種子層時(shí)，在圍欄狀結(jié)構(gòu)上，該兩層就會(huì)是間斷的。來自光致抗蝕劑的機(jī)械摩擦進(jìn)一步削弱側(cè)壁上的掩膜層，但不削弱襯墊表面的掩膜層，因?yàn)橐r墊表面上的掩膜層比較厚，由于圍欄狀結(jié)構(gòu)的幾何形狀使之在機(jī)械力作用下易于發(fā)生大側(cè)向偏轉(zhuǎn)對(duì)襯墊表面上的掩膜層的削弱程度也比較小。暴露于氧等離子體(灰化)和機(jī)械研磨導(dǎo)致側(cè)壁上的材料變?yōu)榉亲猿械?、松軟多孔的氧化?例如氧化硅)的部分。
相反，如果把離子束沉積或?yàn)R射流置于45度方向，或者使用任何其他非定向沉積方法，襯墊表面和圍欄狀結(jié)構(gòu)表面上的掩膜層厚度都會(huì)差不多一樣，掩蔽效果也差不多一樣。如果側(cè)壁和平面上的掩蔽物質(zhì)厚度差不多，就不會(huì)有各向異化效應(yīng)，就不會(huì)優(yōu)先把圍欄狀結(jié)構(gòu)的物質(zhì)灰化掉。結(jié)果就會(huì)是操作范圍顯著縮小或者為零。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3說明本發(fā)明。圖3繪制的是封裝于滑塊內(nèi)的轉(zhuǎn)換器，該滑塊具有根據(jù)本發(fā)明結(jié)構(gòu)的襯墊。圖3顯示轉(zhuǎn)換器20的一部分。轉(zhuǎn)換器20包含多個(gè)以現(xiàn)有工藝制造的磁轉(zhuǎn)換器。沉積的光致抗蝕劑41之間的空白也是以現(xiàn)有工藝制成的。光致抗蝕材料41形成于制造滑塊體的材料層43上。粘結(jié)層44沉積于光致抗蝕劑和空白處之上。與碳素的襯墊材料一起使用的粘結(jié)層44可以是諸如鈦或硅之類的可以形成碳化物的材料中的任一種，優(yōu)選材料是硅。這些材料通常在灰化時(shí)氧化。與對(duì)于掩膜層46的原因類似，粘結(jié)層44優(yōu)選地也是垂直沉積。粘結(jié)層44與其后沉積的功能層相比要薄一些，只需厚到足以起粘著作用，這意味著可能在不薄于大約10埃。鑒于在其內(nèi)使用浮動(dòng)體的存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)要求已定，粘結(jié)層的厚度與其他層一樣應(yīng)根據(jù)實(shí)驗(yàn)確定。結(jié)構(gòu)要求之一是包括粘結(jié)層在內(nèi)的襯墊的整個(gè)厚度，因?yàn)檫@個(gè)厚度限制置于浮動(dòng)體內(nèi)的磁傳感器與磁記錄媒體之間的間隔。
襯墊層45要沉積到比粘結(jié)層44厚得多的厚度。襯墊層的厚度一般以現(xiàn)有技術(shù)的原則決定，例如，使靜摩擦和耐磨性最佳化。目前的結(jié)構(gòu)使用的襯墊層厚度為大約150-600埃。制作襯墊的優(yōu)選材料是金剛石類的碳。這種碳可以氫化或氮化和/或加有其他的功能攙雜質(zhì)。只要在氧等離子區(qū)或其他等離子區(qū)內(nèi)灰化時(shí)足以發(fā)生揮發(fā)(即形成氣態(tài)還原產(chǎn)物)也可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)使用其他耐久材料。
在圖3的沉積方法中示出了掩膜材料47。所述掩膜材料47的優(yōu)選材料應(yīng)是暴露于氧時(shí)會(huì)鈍化，形成濃密的粘附氧化物的材料。硅是優(yōu)選材料。箭頭表示沉積受到限制，使得沉積角θ很小，即基本與表面垂直(垂直沉積)。使用垂直沉積是為了使沉積物在側(cè)壁上的沉積量最少。用現(xiàn)有技術(shù)的方法，例如離子束沉積或偏壓濺射，可得到垂直沉積。圖4顯示掩膜層46沉積完畢后空氣軸承表面的狀況。
圖5顯示光致抗蝕材料41去除后的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地用機(jī)械研磨，例如，噴蘇打或加溶液擦洗，來弱化或減少圍欄狀結(jié)構(gòu)的方法除去光致抗蝕材料41。圖6顯示圖5中標(biāo)記E1區(qū)域的放大圖，以便更清楚地顯示掩膜層46和襯墊層45的細(xì)部結(jié)構(gòu)和邊緣的外形。襯墊的結(jié)構(gòu)46F和45F是前面提到的不需要的圍欄狀結(jié)構(gòu)。圖7顯示在氧等離子體中這種結(jié)構(gòu)灰化的結(jié)果。氧使薄的圍欄狀結(jié)構(gòu)中的碳灰化，并與去除光致抗蝕劑期間的機(jī)械磨蝕一起破壞圍欄狀結(jié)構(gòu)的完整性，留下更圓一些的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對(duì)于襯墊層45的邊緣是優(yōu)選的。因?yàn)楸Ｗo(hù)襯墊的掩膜層更厚并產(chǎn)生鈍化氧化物，能對(duì)襯墊層45提供持續(xù)的覆蓋和保護(hù)。雖然所說明的實(shí)施例包含灰化步驟之前的去除保護(hù)層，但是可以預(yù)期去除保護(hù)層之前的灰化會(huì)獲得相同的結(jié)果。圖8顯示以濺射侵蝕去除掩膜材料47使襯墊層邊緣變?yōu)閳A形的結(jié)果。也可以在襯墊和滑塊上沉積更多的外保護(hù)層。
除了上面明文給出的材料、厚度值等等之外，前面本發(fā)明的實(shí)施例里的各層、結(jié)構(gòu)及材料都可按照現(xiàn)有的工藝使用，并根據(jù)現(xiàn)有的工藝制造。
這里給出的各種成分在說明中都沒有考慮少量雜質(zhì)的問題，而在實(shí)際的實(shí)施例中出現(xiàn)少量雜質(zhì)是不可避免的，這一點(diǎn)本專業(yè)技術(shù)人員是很明白的。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例是以一個(gè)具體的實(shí)施例說明的，但是這里說明的本發(fā)明并不限于實(shí)施例里的運(yùn)用，本專業(yè)技術(shù)人員了解的各種改變和修改都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造磁轉(zhuǎn)換器的滑塊上襯墊的方法，包括以下步驟形成包括磁轉(zhuǎn)換器的一個(gè)滑塊主體；形成在光致抗蝕劑中的空白處，以限定在滑塊主體上的襯墊的位置和形狀，所述空白處有側(cè)壁；在滑塊主體上沉積襯墊層，所述襯墊層在所述空白處的側(cè)壁上形成圍欄狀結(jié)構(gòu)并具有一個(gè)表面；各向異性地沉積一個(gè)掩膜層，所述側(cè)壁上的圍欄狀結(jié)構(gòu)上的掩膜層比襯墊層表面上的掩膜層??；為了除掉所述空白處以外的襯墊層和掩膜層，除去所述光致抗蝕材料；通過灰化從襯墊層上除去圍欄狀結(jié)構(gòu)；除去掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括在形成所述空白處之后和沉積所述襯墊層之前各向異性地沉積粘結(jié)層或種子層這一步驟，在所述空白處側(cè)壁上的粘結(jié)層或種子層比所述空白處底部表面上的粘結(jié)層或種子層薄。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征是，所述粘結(jié)層或種子層是一種形成碳化物的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征是，所述粘結(jié)層或種子層是硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，各向異性地沉積掩膜層這一步驟還包括用離子束在基本與所述襯墊層表面垂直的方向沉積所述掩膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步驟包括使用機(jī)械研磨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步包括噴蘇打。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步驟包括溶液擦洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，所述從襯墊層上除去圍欄狀結(jié)構(gòu)這一步還包括把所述圍欄狀結(jié)構(gòu)暴露于含氧等離子區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法。其特征是，所述襯墊層是金剛石類碳。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法。其特征是，所述掩膜層是能形成鈍化氧化物的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征是，所述各向異性地沉積掩膜層這一步驟還包括使用偏壓濺射方法在基本與所述襯墊層表面垂直的方向上沉積所述掩膜層。
13.一種制造磁轉(zhuǎn)換器的滑塊上襯墊的方法，這種方法包括以下步驟形成包括磁轉(zhuǎn)換器的一個(gè)滑塊主體；在滑塊主體的表面上沉積光致抗蝕材料；在所述光致抗蝕劑內(nèi)制出空白處，以限定襯墊的位置和形狀；在所述光致抗蝕劑和空白處上垂直沉積粘結(jié)層或種子層；在所述粘結(jié)層上沉積襯墊層，所述襯墊層包含暴露于氧等離子體時(shí)揮發(fā)的第一材料；垂直沉積掩膜層，所述掩膜層包含暴露于氧時(shí)能形成鈍化氧化物的第二材料；為了除掉所述空白處以外的粘結(jié)層、襯墊層和掩膜層，除去所述光致抗蝕材料；通過以含氧等離子體進(jìn)行的灰化從襯墊層上除去圍欄狀結(jié)構(gòu)材料；除去所述掩膜層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，所述粘結(jié)層是硅。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，所述襯墊層是金剛石類碳。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，所述掩膜層是硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是所述粘結(jié)層是硅；所述襯墊層是金剛石類碳；所述掩膜層是硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，除去掩膜層這一步驟還包括濺射侵蝕。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步驟還包括機(jī)械研磨光致抗蝕材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步驟還包括噴蘇打或溶液擦洗。
21.一種制造磁轉(zhuǎn)換器的滑塊上襯墊的方法，這種方法包括以下步驟形成包括磁轉(zhuǎn)換器的一個(gè)滑塊主體；在光致抗蝕劑內(nèi)制出空白處，以限定襯墊在滑塊上的位置和形狀，所述空白處有側(cè)壁；在滑塊體上沉積襯墊層，所述襯墊層在所述空白處的側(cè)壁上形成圍欄狀結(jié)構(gòu)并具有表面；各向異性地沉積掩膜層，所述側(cè)壁上的圍欄狀結(jié)構(gòu)上的掩膜層比襯墊層表面上的掩膜層?。煌ㄟ^灰化從襯墊層上除去圍欄狀結(jié)構(gòu)；為了除去除了空白處以外的襯墊層和掩膜層，除去光致抗蝕材料；除去所述掩膜層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征在于還包括在制出所述空白處之后和沉積所述襯墊層之前各向異性地沉積粘結(jié)層或種子層這一步驟，在所述側(cè)壁上的粘結(jié)層或種子層比所述空白處底部表面上的粘結(jié)層或種子層薄。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征是，所述粘結(jié)層或種子層是一種形成碳化物的材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征是，所述粘結(jié)層或種子層是硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征是，各向異性地沉積掩膜層這一步還包括用離子束在基本與所述襯墊層表面垂直的方向沉積所述掩膜層。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征是，所述除去光致抗蝕材料這一步驟包括使用機(jī)械研磨。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征是，所述以灰化方法從襯墊層除去圍欄狀結(jié)構(gòu)這一步驟還包括把所述圍欄狀結(jié)構(gòu)暴露于含氧等離子區(qū)。
28.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征是，所述掩膜層是形成氧化物的材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求21的方法。其特征是，所述各向異性地沉積掩膜層這一步驟還包括使用偏壓濺射方法在基本與所述襯墊層表面垂直的方向上沉積所述掩膜層。
全文摘要
制造轉(zhuǎn)換器滑塊上襯墊的方法，轉(zhuǎn)換器具有邊緣沒有圍欄狀結(jié)構(gòu)的沉積的襯墊。襯墊的形狀和位置由用現(xiàn)有方法在光致抗蝕劑內(nèi)制出的空白處限定。優(yōu)選方案是在空白處首先沉積粘結(jié)層再沉積襯墊層。再在襯墊層上垂直沉積掩膜層。襯墊層表面上的掩膜層的厚度應(yīng)足以在以后的灰化步驟中保護(hù)襯墊層，但襯墊層圍欄狀結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的掩膜材料應(yīng)薄到在灰化中不足以保護(hù)圍欄狀結(jié)構(gòu)。為了在氧等離子區(qū)使襯墊與有腐蝕性的氧等離子體隔開保護(hù)下面的襯墊層，掩膜層應(yīng)是一種能形成鈍化氧化物的材料。再以灰化輔以機(jī)械研磨除去襯墊層上的圍欄狀結(jié)構(gòu)，灰化步驟可在除去光致抗蝕劑之前實(shí)施。剩下的掩膜層以濺射侵蝕法除去，使襯墊層暴露出來，并且沒有圍欄狀結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1487505SQ0314749
公開日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2003年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月15日
發(fā)明者德特勒夫·加多, 黃成一, 盧恩卿, 師寧, 德特勒夫 加多 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司