專利名稱：具有相變層的光記錄介質(zhì)和該光記錄介質(zhì)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)和其制備方法，更具體涉及使用相變層的光記錄介質(zhì)和制備該光記錄介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
在常規(guī)光記錄介質(zhì)如光盤(CD)和數(shù)字通用盤(DVD)中，將相變層沉積到基材上，通過借助激光束透射其中熔化并冷卻特定點，在該特定點上形成凹坑，和將數(shù)據(jù)記錄到凹坑中。采用這種記錄方法的常規(guī)光記錄介質(zhì)對于提高聚焦激光束的鏡片的數(shù)據(jù)窗孔存在技術(shù)限制。
為解決這些問題，US6,197,399公開了可在不使用激光束下實現(xiàn)記錄的記錄介質(zhì)和制備該記錄介質(zhì)的方法。
圖1為US 6,197,399中公開的記錄介質(zhì)的橫截面。首先，將具有尺寸3-英寸和厚度1.22mm的硅基材進(jìn)行鹽酸處理以從硅基材12中除去自然氧化物膜，導(dǎo)致氫原子處于硅基材表面上。將電子束照射到所得硅基材21的表面上，這樣多個10nm尺寸的循環(huán)區(qū)域在其上按30nm間隔規(guī)則排列。然后，將所得基材21在清潔房間的大氣氣氛中放置約1小時，SiO2膜選擇性形成于暴露在電子束下的硅基材21的區(qū)域下。然后將所得硅基材21進(jìn)行另外的鹽酸處理，以從硅基材21中除去一些SiO2膜，結(jié)果，各自形成具有10nm寬和5nm深的凹坑。
Doner有機染料分子真空沉積到所得硅基材21的上表面上獲得記錄層。然后，將具有在其上形成的記錄層的所得硅基材21在氮氣氣氛中在80℃下加熱約1小時。將所得硅基材21在室溫下用100nm-尺寸的二氧化硅顆粒拋光，使有機染料分子選擇性地保持在選取的凹坑中，由此形成記錄區(qū)域26。然后，將所得硅基材21在40℃下在大氣氣氛中放置約1天，以在不暴露于電子束下的硅基材21的區(qū)域上形成SiO2膜24。通過用由聚苯胺和聚氯乙烯組成的化合物旋涂SiO2膜，在該SiO2膜的上表面上形成保護(hù)層27。按這種方式，制造記錄介質(zhì)，并通過借助涂布Au的原子力顯微鏡(AFM)探針在施加30V電壓下將正電荷(空穴)注入點狀記錄區(qū)域中的方式進(jìn)行記錄。
在制造上述US專利中公開的記錄介質(zhì)中，由于相變材料如doner有機染料分子通過空穴填充操作形成，必須在空穴填充操作之后從硅基材中除去相變材料，并且不能除去其中形成空穴的SiO2膜。此外，需要加熱相變層的方法，并且基材必須僅由具有高熔點的材料如硅或特殊玻璃形成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種高集成大容量光記錄介質(zhì)，該介質(zhì)甚至通過常規(guī)光記錄介質(zhì)生產(chǎn)完成的記錄和再現(xiàn)方法快速記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)并可簡單制造，和制造該高集成大容量光記錄介質(zhì)的方法。
根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供一種制造光記錄介質(zhì)的方法。在該方法中，首先在基材上順序堆疊相變材料膜、犧牲膜(sacrificial film)和金屬膜。然后，將金屬膜陽極化形成具有多孔空穴的金屬氧化物膜，并將經(jīng)空穴暴露的犧牲薄膜部分陽極化形成氧化膜，然后，通過除去金屬氧化物膜并通過刻蝕犧牲膜和使用犧牲膜的氧化物膜作為掩模的相變材料膜，使相變材料膜形成圖案。然后，自犧牲膜除去氧化膜，并在圖案化的相變材料膜的上表面上沉積上絕緣膜、反射膜和保護(hù)膜。
可將下絕緣薄膜插入基材與相變膜之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供另一制造光記錄材料的方法。在該方法中，首先在基材上順序堆疊反射膜、相變材料膜、犧牲膜和金屬膜。然后，將金屬膜陽極化形成具有多孔空穴的金屬氧化物膜，并將經(jīng)空穴暴露的犧牲薄膜部分陽極化形成氧化物膜，然后，通過除去金屬氧化物膜并通過刻蝕犧牲膜和使用犧牲膜的氧化物膜作為掩模的相變材料膜，使相變材料膜形成圖案。然后，自犧牲膜除去氧化膜，并在圖案化的相變材料膜的上表面上沉積上絕緣膜和保護(hù)膜。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供一種光記錄介質(zhì)，包括基材，在基材上的圖案化相變材料膜、沉積在基材上覆蓋相變材料膜的上絕緣膜，沉積在上絕緣膜上的反射膜，和形成于反射膜上表面上的保護(hù)膜。
在基材與相變膜之間，可形成下絕緣膜。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供另一光記錄介質(zhì)，包括基材，沉積在基材上的反射膜、在反射膜上圖案化的相變材料膜、沉積在反射膜上覆蓋相變材料膜的絕緣膜和形成于絕緣膜上表面上的保護(hù)膜。
該基材具有凸(land)-凹槽結(jié)構(gòu)，其中凸地(land)與凹槽交替排列。
基材優(yōu)選由PC、玻璃和硅中任何一種形成。
反射膜可由Al合金或Ag合金形成。相變材料膜可由Ge-Te-Sb(GTS)或含GTS的合金形成。
犧牲膜可由Ta形成，金屬膜可由Al或Al合金形成。
絕緣膜可SiO2-ZnS形成，保護(hù)膜可由PC形成。
反射膜、相變材料膜、犧牲膜、金屬膜，以及上下絕緣膜用化學(xué)蒸汽沉積法或濺射法沉積。
當(dāng)將犧牲膜氧化時，在金屬膜空穴內(nèi)生長氧化膜。
相變材料膜具有其中排列多個納米點(nanodot)柱子的基體結(jié)構(gòu)，并且優(yōu)選具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供一種高集成光記錄介質(zhì)，借助該介質(zhì)甚至通過使用已存在的光記錄和再現(xiàn)方法，也可實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)，本發(fā)明還提供制造高集成光記錄介質(zhì)的方法。


本發(fā)明的上述和其它特點和優(yōu)點將通過參考附圖對其實施方案的描述變得更顯而易見。
圖1為US 6,197,399中公開的光記錄介質(zhì)的橫截面；圖2A為根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)一部分的透視圖；圖2B為根據(jù)本發(fā)明第二個實施方案的光記錄介質(zhì)一部分的透視圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明第三個實施方案的光記錄介質(zhì)一部分的透視圖，圖4A至4K為說明制備根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)的方法的透視圖；圖5為顯示在制備根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)工藝期間，通過首先在其上已形成凸地和凹槽的聚碳酸酯上沉積鋁，然后將該鋁進(jìn)行陽極化而形成的多個空穴的掃描電鏡(SEM)圖；圖6為顯示在其上形成多個圖5的空穴的聚碳酸酯基材上側(cè)的SEM圖；圖7為顯示在除去氧化鋁后在其上保留多個TaOx柱子的聚碳酸酯基材的SEM圖；圖8為顯示其中在制備根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)期間，在刻蝕掉氧化鋁(Al2O3)后多個TaOX柱子保留于沉積在聚碳酸酯基材上的相變膜上的結(jié)構(gòu)的SEM圖。
具體實施例方式
以下將參考附圖充分描述本發(fā)明的光記錄介質(zhì)和制備光記錄介質(zhì)的方法，其中給出本發(fā)明的實施方案。
圖2A、2B和3為根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三個實施方案的光記錄介質(zhì)的一部分的透視圖。
參考圖2A，在根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)中，圖案化的相變材料膜103設(shè)置于具有凸地和凹槽的透明基材101上表面上。沉積絕緣薄膜109以覆蓋基材101的上表面和圖案化的相變薄膜103。反射膜11和保護(hù)膜113順序形成于絕緣薄膜109的上表面上。絕緣膜109、反射膜111和保護(hù)膜113各自具有凸-凹槽結(jié)構(gòu)并各自沉積至相同厚度。
在根據(jù)本發(fā)明第一方面的光記錄介質(zhì)中，發(fā)射的為記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)而發(fā)射的光照射到透明基材上，即照射到光記錄介質(zhì)的背面上，并通過透明基材101。通過透明基材101傳輸?shù)墓獗幌嘧儾牧夏D案109部分反射或傳輸。通過相變材料膜圖案109的光被反射膜111反射，再次通過透明基材101，并通過光檢測器(未示)檢測。
參考圖2B，根據(jù)本發(fā)明第二個實施方案的光記錄介質(zhì)與圖2A的光記錄記載相同，不同的是前者具有由處于基材201與圖案化相變材料膜203之間的下絕緣膜209b和覆蓋圖案化相變材料膜203的上絕緣膜209a構(gòu)成的雙層絕緣膜。在根據(jù)本發(fā)明第二個實施方案的光記錄介質(zhì)中，若基材201由聚碳酸酯構(gòu)成，則下絕緣膜209優(yōu)選形成于基材201的上表面上。根據(jù)本發(fā)明第二個實施方案的光記錄介質(zhì)采取向后入射法，其中為記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)而發(fā)射的光照射到透明基材上。
圖3給出根據(jù)本發(fā)明第三個實施方案的光記錄介質(zhì)，與第一和第二個實施方案相反，根據(jù)本發(fā)明第三個實施方案的光記錄介質(zhì)中的反射膜311插入基材301與圖案化相變材料膜303之間。在第三個實施方案中，為記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)而發(fā)射的光照射到保護(hù)膜313上并經(jīng)其通過。自光拾取裝置(pickup)(未示)發(fā)射并照射到保護(hù)膜303上的光通過圖案化相變材料膜303部分反射或傳輸，并到達(dá)反射膜311。光通過反射膜303反射到保護(hù)膜313上，自光記錄介質(zhì)經(jīng)保護(hù)膜313發(fā)出，并通過光檢測器(未示)檢測。
若將鋁陽極化并圖案化，各圖案化相變材料膜103、203和303具有其中納米點呈六角排列的蜂窩狀基體結(jié)構(gòu)，然而，若將其它材料如硅圖案化，則各圖案化相變材料膜103、203和303具有其中圓柱型納米點以不同形狀排列的不同形狀基體結(jié)構(gòu)。
與其中具有連續(xù)相變材料膜的常規(guī)光記錄介質(zhì)相反，根據(jù)本發(fā)明實施方案的光記錄介質(zhì)具有形成于凸地和凹槽上的圖案化相變材料膜，如此以高記錄密度記錄數(shù)據(jù)。因此，根據(jù)本發(fā)明上述實施方案的光記錄介質(zhì)可具有很大的記憶容量。
根據(jù)本發(fā)明上述實施方案的光記錄介質(zhì)按與存在的CD或DVD記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方式記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)。更具體地，當(dāng)光拾取裝置接受與要記錄的數(shù)據(jù)相關(guān)的信號時，光拾取裝置在光記錄介質(zhì)的預(yù)定區(qū)域上移動并將光照射到預(yù)定區(qū)域上。該光聚焦到相變材料膜的納米點上，該納米點存在于其中要記錄介質(zhì)的所需點上。加熱相變材料膜后，將加熱的相變材料膜冷卻，相變材料膜的無定形狀態(tài)變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)，導(dǎo)致反射變化。無定形狀態(tài)的相變材料膜與結(jié)晶狀態(tài)的相變材料膜之間的反射差被加工為記錄信息。
在數(shù)據(jù)再現(xiàn)時，將相變層用光照射，并檢測相變層反射的光信號。由檢測到的光信號檢測相變材料膜的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域與無數(shù)據(jù)區(qū)域之間的反射差，數(shù)據(jù)可由光記錄介質(zhì)再現(xiàn)。
圖4A至4K為說明制造本發(fā)明第一實施方案的光記錄介質(zhì)的方法的透視圖。首先，如圖4A所示，制備由聚碳酸酯(PC)、玻璃或硅形成的基材101。接著，如圖4B所示，將由Ge-Te-Sb(GTS)基合金形成的相變材料膜沉積到基材101的上表面上。如圖4G所示，將由金屬如Ta構(gòu)成的犧牲膜105沉積到相變材料膜103的上表面上。
如圖4D所示，將由鋁或鋁合金構(gòu)成的金屬膜107沉積到犧牲膜105的上表面上。如圖4E所示，將金屬膜107陽極化轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂卸嗫卓昭?08的金屬氧化物膜107a。
圖5為顯示通過首先將鋁沉積到具有凸-凹槽結(jié)構(gòu)的鋁上然后將該鋁陽極化而形成的多個空穴的掃描電鏡(SEM)圖。圖6為顯示在其上形成多個圖5的空穴的聚碳酸酯基材上側(cè)的SEM圖。從圖5和圖6可以看出，當(dāng)鋁氧化為氧化鋁時，規(guī)則地形成多個空穴。該多孔空穴排列為蜂窩狀基體結(jié)構(gòu)以使其最大的表面積。
再參考圖4E，相變材料膜103和犧牲膜105順序堆疊到基材101上表面上，同時其中排列多個孔的金屬氧化物膜107a形成于犧牲膜105的上表面上。在金屬膜107被氧化溶液氧化時形成通過空穴108暴露的犧牲膜105部分。結(jié)果，氧化膜105a自犧牲膜105通過空穴108生長為柱狀。若犧牲膜105由Ta形成，則氧化膜105a由TaOx形成。
如圖4F所示，金屬氧化物膜107a被刻蝕掉，直至犧牲膜105和犧牲膜105的氧化膜105a保留于相變材料膜103的上表面上。若犧牲膜105被完全氧化，則僅犧牲膜105分氧化膜105a保留。圖7為顯示在刻蝕掉通過陽極化鋁形成的氧化鋁后聚碳酸酯基材的SEM圖，在該基材上自Ta犧牲膜生長的多個TaOx柱子保留于相變膜的上表面上。圖8為顯示其中在制備根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)期間，在刻蝕掉氧化鋁(Al2O3)后多個TaOX柱子保留于沉積在聚碳酸酯基材上的相變膜上的結(jié)構(gòu)的SEM圖。
如圖4G所示，通過使用離子碾磨法或活性離子刻蝕(RIE)法刻蝕犧牲膜105和使用氧化膜105a作為掩蔽膜的相變材料膜103，將相變材料膜圖案化以使其具有其中排列納米點的蜂窩狀結(jié)構(gòu)。
如圖4H所示，自圖案化的相變材料膜103刻蝕犧牲膜105的氧化膜105a，直至僅保留圖案化的相變材料膜103為止。如圖41所示，采用濺射法或化學(xué)蒸汽沉積(CVD)法將絕緣膜109沉積于基材101的上表面上，以覆蓋圖案化的相變材料膜103。這里，絕緣膜109由SiO2-ZnS形成。接著，若圖4J所示，反射膜111由絕緣膜109上表面上的鋁(Al)合金或銀(Ag)合金形成。如圖4K所示，保護(hù)膜113沉積于反射膜111的上表面上。按這種方式，可完成制造具有在其基體結(jié)構(gòu)中規(guī)則排列納米點的相變材料膜103的根據(jù)本發(fā)明第一個實施方案的光記錄介質(zhì)。
在根據(jù)本發(fā)明上述實施方案的光記錄介質(zhì)中，將相變材料膜圖案化以具有納米點形狀的柱子，更優(yōu)選具有蜂窩狀基體結(jié)構(gòu)。因此，防止數(shù)據(jù)記錄區(qū)域增大，并相應(yīng)顯著提高記錄密度。此外，由于本發(fā)明上述實施方案的光記錄介質(zhì)可為使用具有低數(shù)值孔的鏡片和低能光記錄數(shù)據(jù)，因此所用的光源不限于特定類型。由于不需要高耐熱基材，因此對基材的選擇范圍寬。
在制造本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，相變材料膜可在不進(jìn)行光刻法下圖案化，因為將具有自組裝柱子的犧牲膜的氧化膜用作掩蔽物。按此方式制造的光記錄介質(zhì)可用已存在的光記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
盡管本發(fā)明已參考其示例性實施方案具體給出和描述，但本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員將理解，可在不離開下面權(quán)利要求定義的本發(fā)明精神和范圍下對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種變化。例如，基材、反射膜、相變材料膜、金屬膜、犧牲膜、絕緣膜和保護(hù)膜，可由與上面說明書中所述的材料不同的材料形成，若這些材料具有與上述材料類似的性能。
權(quán)利要求
1.一種制造光記錄介質(zhì)的方法，該方法包括在基材上順序堆疊相變材料膜、犧牲膜和金屬膜；將金屬膜陽極化形成具有多孔空穴的金屬氧化物膜；并將經(jīng)空穴暴露的犧牲薄膜部分陽極化以形成氧化物膜；通過除去金屬氧化物膜并通過刻蝕犧牲膜和使用犧牲膜的氧化物膜作為掩模的相變材料膜，使相變材料膜形成圖案；和除去犧牲膜的氧化膜，并在圖案化的相變材料膜的上表面上沉積上絕緣膜、反射膜和保護(hù)膜。
2.一種制備光記錄介質(zhì)的方法，該方法包括在基材上順序堆疊反射膜、相變材料膜、犧牲膜和金屬膜；將金屬膜陽極化形成具有多孔空穴的金屬氧化物膜，并將經(jīng)空穴暴露的犧牲薄膜部分陽極化形成氧化物膜；通過除去金屬氧化物膜并通過刻蝕犧牲膜和使用犧牲膜的氧化物膜作為掩模的相變材料膜，使相變材料膜形成圖案；和自犧牲膜除去氧化膜，并在圖案化的相變材料膜的上表面上沉積絕緣膜和保護(hù)膜。
3.權(quán)利要求1的方法，還包括在基材與相變膜之間形成下絕緣膜。
4.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中基材具有凸-凹槽結(jié)構(gòu)，其中凸地與凹槽交替排列。
5.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中基材由PC、玻璃和硅中任何一種形成。
6.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中反射膜由Al合金和Ag合金之一形成。
7.權(quán)利要求1或2任何一項的方法，其中相變材料膜由Ge-Te-Sb(GTS)或含GTS的合金之一形成。
8.權(quán)利要求1或2任何一項的方法，其中犧牲膜由Ta形成。
9.權(quán)利要求1或2任何一項的方法，其中金屬膜由Al或Al合金之一形成。
10.權(quán)利要求1的方法，其中上絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
11.權(quán)利要求2的方法，其中絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
12.權(quán)利要求3的方法，其中下絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
13.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中保護(hù)膜由聚碳酸酯(PC)形成。
14.權(quán)利要求1的方法，其中相變材料膜、犧牲膜和金屬膜用化學(xué)蒸汽沉積法和濺射法中任何一種沉積。
15.權(quán)利要求1的方法，其中上層絕緣膜和反射膜用化學(xué)蒸汽沉積法和濺射法中任何一種沉積。
16.權(quán)利要求2的方法，其中反射膜、相變材料膜、犧牲膜和金屬膜用化學(xué)蒸汽沉積法和濺射法中任何一種沉積。
17.權(quán)利要求2的方法，其中絕緣膜用化學(xué)蒸汽沉積法和濺射法中任何一種沉積。
18.權(quán)利要求3的方法，其中下絕緣膜用化學(xué)蒸汽沉積法和濺射法中任何一種沉積。
19.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中當(dāng)將犧牲膜氧化時，氧化的犧牲膜部分成長為金屬膜的空穴，以得到氧化膜。
20.權(quán)利要求1和2任何一項的方法，其中相變材料膜被圖案化以具有其中排列多個納米點柱子的基體結(jié)構(gòu)。
21.權(quán)利要求21的方法，其中納米點柱子排列為具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)。
22.一種光記錄介質(zhì)，包括基材；在基材上圖案化的相變材料膜；沉積在基材上覆蓋相變材料膜的上絕緣膜；沉積在上絕緣膜上的反射膜；和形成于反射膜上表面上的保護(hù)膜。
23.一種光記錄介質(zhì)，包括基材；沉積在基材上的反射膜；在反射膜上圖案化的相變材料膜；沉積在反射膜上覆蓋相變材料膜的絕緣膜；和形成于絕緣膜上表面上的保護(hù)膜。
24.權(quán)利要求22的光記錄介質(zhì)，還包括在基材與相變膜之間形成下絕緣膜。
25.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中基材具有凸-凹槽結(jié)構(gòu)，其中凸地與凹槽交替排列。
26.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中基材由PC、玻璃和硅中任何一種形成。
27.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中反射膜由Al合金或Ag合金形成。
28.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中相變材料膜由Ge-Te-Sb(GTS)或含GTS的合金之一形成。
29.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中犧牲膜由Ta形成。
30.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中金屬膜由Al合金或Ag合金之一形成。
31.權(quán)利要求22的光記錄介質(zhì)，其中上絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
32.權(quán)利要求23的光記錄介質(zhì)，其中絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
33.權(quán)利要求24的光記錄介質(zhì)，其中下絕緣膜由SiO2-ZnS形成。
34.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中保護(hù)膜由PC形成。
35.權(quán)利要求22和23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中在金屬膜空穴內(nèi)生長犧牲膜的氧化膜部分。
36.權(quán)利要求22或23任何一項的光記錄介質(zhì)，其中相變材料膜具有其中排列多個納米點柱子的基體結(jié)構(gòu)。
37.權(quán)利要求36的方法，其中納米點柱子排列為具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)。
全文摘要
提供具有相變材料膜的光記錄介質(zhì)和制備光記錄介質(zhì)的方法。在該方法中，首先在基材上順序堆疊相變材料膜、犧牲膜和金屬膜。然后，將金屬膜陽極化形成具有多孔空穴的金屬氧化物膜，并將經(jīng)空穴暴露的犧牲薄膜部分陽極化形成氧化膜，然后，通過除去金屬氧化物膜并通過刻蝕犧牲膜和使用犧牲膜的氧化物膜作為掩模的相變材料膜，使相變材料膜形成圖案。然后，自犧牲膜除去氧化膜，并在圖案化的相變材料膜上沉積上絕緣膜、反射膜和保護(hù)膜。該光記錄介質(zhì)通過所用自對準(zhǔn)方法簡單制造，并可具有高集成大容量記憶。
文檔編號G11B7/253GK1501377SQ03141188
公開日2004年6月2日 申請日期2003年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月18日
發(fā)明者柳寅儆, 鄭守桓, 金仁淑 申請人:三星電子株式會社