專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其測(cè)試方法和測(cè)試電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其測(cè)試方法和測(cè)試電路。
背景技術(shù)：
作為可隨機(jī)存取的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，最具代表性的是SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)以及DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。與DRAM相比，一般情況下SRAM速度快，并且只要提供電源并輸入地址，就可以捕捉該地址的變化，內(nèi)部的順序電路開始動(dòng)作，進(jìn)行讀出、寫入。和DRAM相比，由于只要施加單純的輸入信號(hào)波形SRAM就可動(dòng)作，所以生成該輸入信號(hào)波形的電路的構(gòu)成也可是簡單的。
此外，SRAM不需要象DRAM進(jìn)行刷新，以持續(xù)保持存儲(chǔ)單元中被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，所以其處理比較容易，同時(shí)由于不需要刷新，還具有在備用狀態(tài)下的保持?jǐn)?shù)據(jù)的電流較小的優(yōu)點(diǎn)?；谝陨显?，SRAM被廣泛應(yīng)用于各種用途。但是，一般情況下SRAM每一個(gè)存儲(chǔ)單元需要6個(gè)晶體管，和DRAM相比其芯片尺寸較大，所以其缺點(diǎn)是和DRAM相比價(jià)格較高。
另一方面，DRAM作為地址，要通過行地址和列地址分二次提供，規(guī)定這些地址的取入時(shí)序的信號(hào)需要RAS(行地址選通信號(hào))信號(hào)以及CAS(列地址選通信號(hào))信號(hào)，并且需要用于定期刷新存儲(chǔ)單元的控制電路，所以和SRAM相比，DRAM的時(shí)序控制比較復(fù)雜。
并且，DRAM在不存在來自外部訪問的時(shí)候，仍然需要刷新存儲(chǔ)單元，存在消耗電力過大的問題。但是另一方面，DRAM存儲(chǔ)單元可以由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管構(gòu)成，比較易于實(shí)現(xiàn)小芯片尺寸的大容量化。因此，如果構(gòu)成相同存儲(chǔ)容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，和SRAM相比DRAM的價(jià)格較低。
但是，以移動(dòng)電話為代表的移動(dòng)設(shè)備所采用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，到目前為止SRAM是主流。這是因?yàn)榧却娴囊苿?dòng)電話只能搭載簡單的功能，并不需要很大容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，并且和DRAM相比，SRAM在時(shí)序控制等方面易于處理，以及SRAM的備用電流較小從而消耗電力少，基于以上原因，SRAM趨向于需要盡量延長連續(xù)通話時(shí)間、連續(xù)待機(jī)時(shí)間的移動(dòng)電話。
然而在最近，出現(xiàn)了可搭載非常豐富功能的移動(dòng)電話，實(shí)現(xiàn)了電子郵件收發(fā)功能、訪問各種站點(diǎn)取得距離最近的餐館等市區(qū)信息的功能。并且在最近的移動(dòng)電話中還搭載了如下的功能訪問因特網(wǎng)上的WEB站點(diǎn)，將其主頁內(nèi)容簡略化顯示。因此可以想象，移動(dòng)電話在將來可以實(shí)現(xiàn)和現(xiàn)在的桌上型個(gè)人電腦一樣的功能，可以自由訪問因特網(wǎng)上的主頁等。
為了實(shí)現(xiàn)這些功能，象以往的移動(dòng)電話一樣只能單純進(jìn)行文本顯示就不可行了，向用戶提供多樣的多媒體信息的圖示顯示就必不可少了。這樣就需要將從公眾網(wǎng)等接收到的大量的數(shù)據(jù)臨時(shí)存儲(chǔ)到移動(dòng)電話內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中。也就是說，可以認(rèn)為，在今后的移動(dòng)電話中所搭載的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，必須是象DRAM一樣大容量的裝置。但是，移動(dòng)設(shè)備的小型化和輕量化又是作為移動(dòng)設(shè)備的絕對(duì)條件，所以即使在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置大容量化，也需要避免設(shè)備自身的大型化、重量化。
如同以上所說明的，移動(dòng)電話中所搭載的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，從處理的簡便以及消耗電力來考慮最好使用SRAM，從大容量化的觀點(diǎn)出發(fā)最好使用DRAM。即，可以說，對(duì)這些移動(dòng)設(shè)備而言，同時(shí)取SRAM和DRAM之長的半導(dǎo)體裝置是最佳的選擇。作為這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一種，已經(jīng)提出有“準(zhǔn)SRAM”，該裝置使用和DRAM所采用的存儲(chǔ)單元相同的存儲(chǔ)單元，但從外部看，和SRAM具有幾乎同樣的使用方法。
準(zhǔn)SRAM不需要和DRAM一樣將地址分為行地址和列地址，因此也不需要RAS、CAS這樣的時(shí)序信號(hào)。準(zhǔn)SRAM和通用的SRAM一樣，只需輸入一次地址，以相當(dāng)于時(shí)鐘同步型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的時(shí)鐘的片選信號(hào)作為觸發(fā)，將地址取入內(nèi)部進(jìn)行讀出、寫入。
但是，準(zhǔn)SRAM由于和DRAM具有同樣的存儲(chǔ)單元構(gòu)造，所以需要進(jìn)行定期的刷新動(dòng)作。因此準(zhǔn)SRAM中具有一個(gè)啟動(dòng)單元，該啟動(dòng)單元和來自裝置外部的動(dòng)作控制無關(guān)，而是通過裝置內(nèi)部的定時(shí)器，在一定的時(shí)間間隔內(nèi)啟動(dòng)刷新動(dòng)作。此時(shí)的刷新動(dòng)作稱為自刷新動(dòng)作。該生成時(shí)序無法從裝置外部進(jìn)行控制。
另一方面，準(zhǔn)SRAM中具有進(jìn)行非同步動(dòng)作的單元。也就是說存在響應(yīng)不定期生成的控制信號(hào)和地址信號(hào)的變化，進(jìn)行讀出、寫入的單元。這種準(zhǔn)SRAM中，通過裝置內(nèi)部的定時(shí)器控制的自刷新動(dòng)作，和響應(yīng)從裝置外部輸入的信號(hào)而不定期生成的讀出、寫入動(dòng)作，互相獨(dú)立地生成，所以兩者的時(shí)間間隔無法從裝置外部控制。
自刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作重疊時(shí)，會(huì)生成誤動(dòng)作。例如自刷新動(dòng)作中，應(yīng)保持的數(shù)據(jù)被破壞等誤動(dòng)作。以及，讀出、寫入動(dòng)作中，進(jìn)行了錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)、地址的讀出、寫入。
為了防止這樣的誤動(dòng)作，采取了如下的對(duì)策，例如在其中一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行過程中生成另外一個(gè)動(dòng)作的情況下，到已經(jīng)啟動(dòng)的一個(gè)動(dòng)作結(jié)束為止，使另一個(gè)動(dòng)作不開始，保持待機(jī)。也就是說，在自刷新動(dòng)作中生成讀出要求時(shí)，不立即進(jìn)行讀出動(dòng)作，而是在自刷新動(dòng)作結(jié)束后，再進(jìn)行讀出動(dòng)作。
但是通過以上對(duì)策仍然存在無法充分保證電路動(dòng)作的情況。例如，在自刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作的生成時(shí)序接近的時(shí)候，由于動(dòng)作之間的干擾有可能會(huì)生成誤動(dòng)作。例如由于字線之間的干擾、動(dòng)作之間的時(shí)間間隔短引起預(yù)充電不足，或者，其中一個(gè)動(dòng)作生成的脈沖信號(hào)導(dǎo)致的對(duì)另一個(gè)動(dòng)作的干擾等。
因此，在產(chǎn)品出廠前，需要對(duì)自刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作之間的時(shí)間間隔接近時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行確認(rèn)。
作為和刷新動(dòng)作相關(guān)的測(cè)試模式的現(xiàn)有技術(shù)，存在例如特開平1-125796、特開平4-74379等，但是這些只是對(duì)刷新動(dòng)作本身進(jìn)行確認(rèn)，并不是對(duì)生成讀出、寫入動(dòng)作和刷新動(dòng)作之間的時(shí)間間隔接近時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行確認(rèn)。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種使刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作之間的時(shí)間間隔強(qiáng)制接近時(shí)可以進(jìn)行動(dòng)作確認(rèn)的測(cè)試方法。
進(jìn)一步，本發(fā)明的目的是提供一種使刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作之間的時(shí)間間隔強(qiáng)制接近時(shí)可以進(jìn)行動(dòng)作確認(rèn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
進(jìn)一步，本發(fā)明的目的是提供一種使刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作之間的時(shí)間間隔強(qiáng)制接近時(shí)可以進(jìn)行動(dòng)作確認(rèn)的測(cè)試電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述課題，提供了一種控制方法，在具有需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的控制方法中，通常動(dòng)作模式以及測(cè)試動(dòng)作模式中的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序，以用于檢測(cè)從外部輸入的信號(hào)的狀態(tài)的變化的外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)設(shè)置為觸發(fā)；通常動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序，以上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部生成的刷新控制信號(hào)的生成時(shí)序設(shè)置為觸發(fā)；測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序，以上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)作為觸發(fā)，而上述讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序的時(shí)間間隔被設(shè)置為在外部設(shè)定的時(shí)間間隔。
上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)構(gòu)成，該地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)至少依存于外部輸入的地址變化時(shí)序和外部輸入的將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序中的至少一個(gè)。上述將半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)可以是片選信號(hào)。
通過以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，相隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第一時(shí)間間隔可設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，以單能發(fā)脈沖的后沿作為觸發(fā)時(shí)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)置的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，以單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)時(shí)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度和維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間以及上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，通過以單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、與入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第二時(shí)間間隔設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述第二規(guī)定時(shí)間可設(shè)定為在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述第一時(shí)序條件下的測(cè)試和上述第二時(shí)序條件下的測(cè)試，可以在測(cè)試動(dòng)作模式中通過切換測(cè)試模式切換信號(hào)來進(jìn)行。
上述測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作，可以根據(jù)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部生成的地址進(jìn)行，也可以根據(jù)上述外部輸入的地址進(jìn)行。
進(jìn)一步，本發(fā)明提供一種測(cè)試方法，該方法是具有需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法，其中，測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序被設(shè)定為，以用于檢測(cè)外部輸入的信號(hào)的狀態(tài)變化的外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)作為觸發(fā)，上述讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序之間的時(shí)間間隔則變?yōu)橛赏獠吭O(shè)定的時(shí)間間隔。
上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)可由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)構(gòu)成，上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)依存于外部輸入的地址變化的時(shí)序和外部輸入的將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序中的至少一個(gè)而生成。將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)可以是片選信號(hào)。
通過以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第一時(shí)間間隔可設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，以單能發(fā)脈沖的后沿作為觸發(fā)時(shí)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，以單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)時(shí)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度和維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間以及上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)由單能發(fā)脈沖構(gòu)成，通過以單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、與入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第二時(shí)間間隔設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述第二規(guī)定時(shí)間是在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述第一時(shí)序條件下的測(cè)試和上述第二時(shí)序條件下的測(cè)試，可以在測(cè)試動(dòng)作模式中通過切換測(cè)試模式切換信號(hào)來進(jìn)行。
上述測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作，可以根據(jù)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)部生成的地址進(jìn)行。
上述測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作，可以根據(jù)上述外部輸入的地址進(jìn)行。
進(jìn)一步，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該裝置是具有需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該裝置具有訪問控制裝置，以用于檢測(cè)外部輸入信號(hào)的狀態(tài)變化的外部輸入信號(hào)狀態(tài)檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，控制對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問；刷新地址生成裝置，自動(dòng)生成刷新地址；第一刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置，自動(dòng)生成第一刷新時(shí)序控制信號(hào)，所述信號(hào)用于決定通常動(dòng)作模式下的刷新時(shí)序；第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置，以上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的規(guī)定時(shí)間后，生成第二刷新時(shí)序控制信號(hào)，所述信號(hào)用于決定測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新時(shí)序；刷新時(shí)序切換裝置，在上述通常動(dòng)作模式下，選擇上述第一刷新時(shí)序控制信號(hào)，提供給上述訪問控制裝置，在上述測(cè)試動(dòng)作模式下，選擇上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)，提供給上述訪問控制裝置。測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序，以上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，上述讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序的時(shí)間間隔則變?yōu)橛赏獠吭O(shè)定的時(shí)間間隔。
上述刷新時(shí)序切換裝置由動(dòng)作模式切換信號(hào)生成裝置和第一切換切換裝置構(gòu)成，上述動(dòng)作模式切換信號(hào)生成裝置生成用于根據(jù)外部輸入信號(hào)切換上述通常動(dòng)作模式和上述測(cè)試模式的動(dòng)作模式切換信號(hào)；上述第一切換裝置根據(jù)上述動(dòng)作模式切換信號(hào)，在上述通常動(dòng)作模式下選擇上述第一刷新時(shí)序控制信號(hào)，在上述測(cè)試模式下選擇上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)，提供給上述訪問控制裝置。
上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)具有生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路，上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路依存于外部輸入的地址變化的時(shí)序和外部輸入的將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序中的至少一個(gè)而生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)。將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)可以是片選信號(hào)。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第一時(shí)間間隔可設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的后沿作為觸發(fā)，只延遲第一規(guī)定時(shí)間，并生成上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)，上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的前沿作為觸發(fā)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度和維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間以及上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、與入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第二時(shí)間間隔可設(shè)置為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述第二規(guī)定時(shí)間是在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置進(jìn)一步輸入由上述刷新時(shí)序切換裝置提供的測(cè)試模式切換信號(hào)，在上述測(cè)試模式切換信號(hào)指定了第一時(shí)序條件下的測(cè)試時(shí)，以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，通過生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，在間隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試；在上述測(cè)試模式切換信號(hào)指定了第二時(shí)序條件下的測(cè)試時(shí)，以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，通過生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在間隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、寫入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。
上述第一時(shí)序條件下的測(cè)試和上述第二時(shí)序條件下的測(cè)試，可以在測(cè)試動(dòng)作模式中通過切換測(cè)試模式切換信號(hào)來進(jìn)行。
上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置具有第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路和第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路，其中上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路生成上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)。在上述測(cè)試模式中，上述刷新時(shí)序切換裝置根據(jù)上述測(cè)試模式切換信號(hào)選擇上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)或者上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)的任意一個(gè)，提供給上述訪問控制裝置。
上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的后沿作為觸發(fā)，只延遲上述第一規(guī)定時(shí)間來生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間##。
上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的前沿作為觸發(fā)，只延遲上述第一規(guī)定時(shí)間來生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度、維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間##。
上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在第二規(guī)定時(shí)間后，生成上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第二規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。
上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步具有保持外部輸入的地址的外部輸入地址保持裝置和刷新地址切換裝置，其中刷新地址切換裝置是在上述通常動(dòng)作模式下，選擇由上述刷新地址生成裝置提供的第一刷新地址，在上述測(cè)試動(dòng)作模式下，選擇由上述外部輸入地址保持裝置提供的第二刷新地址。
進(jìn)一步，本發(fā)明還提供了一種測(cè)試電路，該電路用于測(cè)試具有需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體裝置。通過具有測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置和刷新時(shí)序切換裝置，測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序被設(shè)定為，以上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)作為觸發(fā)，則上述讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序的時(shí)間間隔變?yōu)橛赏獠吭O(shè)定的時(shí)間間隔。上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置是以用于檢測(cè)外部輸入信號(hào)的狀態(tài)變化的外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的規(guī)定時(shí)間后，生成用于決定測(cè)試動(dòng)作模式下的刷新時(shí)序的測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)；上述刷新時(shí)序切換裝置是在通常動(dòng)作模式中，選擇通常動(dòng)作刷新時(shí)序控制信號(hào)提供給上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的訪問控制裝置，在上述測(cè)試動(dòng)作模式下，選擇上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)提供給上述訪問控制裝置。
上述刷新時(shí)序切換裝置由動(dòng)作模式切換信號(hào)生成裝置和第一切換切換裝置構(gòu)成，上述動(dòng)作模式切換信號(hào)生成裝置生成用于根據(jù)外部輸入信號(hào)切換上述通常動(dòng)作模式和上述測(cè)試模式的動(dòng)作模式切換信號(hào)；上述第一切換裝置根據(jù)上述動(dòng)作模式切換信號(hào)，在上述通常動(dòng)作模式下選擇上述第一刷新時(shí)序控制信號(hào)，在上述測(cè)試模式下選擇上述第二刷新時(shí)序控制信號(hào)，提供給上述訪問控制裝置。
上述外部輸入信號(hào)狀態(tài)變化檢測(cè)信號(hào)由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)構(gòu)成，上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)依存于外部輸入的地址變化的時(shí)序和外部輸入的將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序中的至少一個(gè)而生成。將上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置選擇性地激活的信號(hào)可以是片選信號(hào)。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，通過生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第一時(shí)間間隔為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的后沿作為觸發(fā)，只延長上述第一規(guī)定時(shí)間來生成上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)，其中上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)置的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的前沿作為觸發(fā)，上述第一規(guī)定時(shí)間可設(shè)置為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度和維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間以及上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，通過生成測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在相隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、與入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。上述第二時(shí)間間隔為電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔。
上述第二規(guī)定時(shí)間是在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并附加預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)之間的延遲時(shí)間所確定的時(shí)間。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置進(jìn)一步輸入由上述刷新時(shí)序切換裝置提供的測(cè)試模式切換信號(hào)，在上述測(cè)試模式切換信號(hào)指定了第一時(shí)序條件下的測(cè)試時(shí)，以上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)序作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第一規(guī)定時(shí)間后，通過生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，在間隔第一時(shí)間間隔后開始刷新動(dòng)作的第一時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試；在上述測(cè)試模式切換信號(hào)指定了第二時(shí)序條件下的測(cè)試時(shí)，以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在預(yù)先設(shè)定的第二規(guī)定時(shí)間后，通過生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，可以在刷新動(dòng)作結(jié)束后，在間隔第二時(shí)間間隔后開始讀出、寫入動(dòng)作的第二時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。
上述第一時(shí)序條件下的測(cè)試和上述第二時(shí)序條件下的測(cè)試，可以在測(cè)試動(dòng)作模式中通過切換測(cè)試模式切換信號(hào)來進(jìn)行。
上述測(cè)試用刷新時(shí)序控制信號(hào)生成裝置具有生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路和生成上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)的第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路。在上述測(cè)試模式中，上述刷新時(shí)序切換裝置根據(jù)上述測(cè)試模式切換信號(hào)，選擇上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)或者上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)的任意一個(gè)，提供給上述訪問控制裝置。
上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的后沿作為觸發(fā)，只延遲上述第一規(guī)定時(shí)間來生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)間的延遲時(shí)間。
上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以由單能發(fā)脈沖構(gòu)成的上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的前沿作為觸發(fā)，只延遲上述第一規(guī)定時(shí)間來生成上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第一規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的脈沖寬度、維持字線激活狀態(tài)的時(shí)間和上述第一時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)間的延遲時(shí)間。
上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)發(fā)生電路以作為上述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的單能發(fā)脈沖的前沿作為觸發(fā)，在第二規(guī)定時(shí)間后，生成上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)，其中上述第二規(guī)定時(shí)間相當(dāng)于在從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)上升沿開始，到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間中，扣除自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和上述第二時(shí)間間隔的時(shí)間，并加上預(yù)先設(shè)定的各信號(hào)間的延遲時(shí)間。
上述測(cè)試電路進(jìn)一步具有保持外部輸入的地址的外部輸入地址保持裝置和刷新地址切換裝置，其中刷新地址切換裝置用于在上述通常動(dòng)作模式下，選擇由上述刷新地址生成裝置提供的第一刷新地址，在上述測(cè)試動(dòng)作模式下，選擇由上述外部輸入地址保持裝置提供的第二刷新地址。
上述測(cè)試電路內(nèi)置于上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)。并且上述測(cè)試電路與上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置分離，搭載在同一芯片上。


圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(準(zhǔn)SRAM)的電路構(gòu)成的框圖。
圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的通常動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖3是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試步驟的流程圖。
圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖6是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(準(zhǔn)SRAM)的電路構(gòu)成的框圖。
圖7是表示圖6所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖8是表示圖6所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試順序的流程圖。
圖9是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(準(zhǔn)SRAM)的電路構(gòu)成的框圖。
圖10是表示圖9所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖11是表示圖9所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖12是表示圖9所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試步驟的流程圖。
圖13是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(準(zhǔn)SRAM)的電路構(gòu)成的框圖。
圖14是表示圖13所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖15是表示圖13所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施方式)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1是表示該實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(準(zhǔn)SRAM)的電路構(gòu)成的框圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的通常動(dòng)作的時(shí)序圖。首先參照?qǐng)D1對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(SRAM)的電路構(gòu)成，并參照?qǐng)D2對(duì)本申請(qǐng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的通常動(dòng)作進(jìn)行如下說明。
讀出/寫入地址信號(hào)Add自外部輸入到地址緩沖電路21。地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25連接到該地址緩沖電路21，接收讀出/寫入地址信號(hào)Add的輸入，只要該地址數(shù)據(jù)Add之中有至少1比特發(fā)生變化，就檢測(cè)出該變化并輸出地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD。
行控電路26連接到地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25的輸出端，根據(jù)從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD，生成并輸出行選通信號(hào)RE、讀出允許信號(hào)SE以及列控信號(hào)CC。此時(shí)的行選通信號(hào)RE，如圖2所示，是一種響應(yīng)地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降而上升、從這些時(shí)間點(diǎn)開始到一時(shí)序間后下降的脈沖信號(hào)。并且，讀出允許信號(hào)SE是將行選通信號(hào)RE延遲一時(shí)序間后的信號(hào)。并且，在圖中未圖示，列控信號(hào)CC是將基于地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降的脈沖信號(hào)延遲一時(shí)序間后的信號(hào)。
列控電路27連接到行控電路26，接收由行控電路26輸出的列控信號(hào)CC，將該行控信號(hào)CC進(jìn)一步延遲，作為列選通信號(hào)CE輸出。
存儲(chǔ)單元陣列30具有與DRAM的存儲(chǔ)單元陣列同樣的構(gòu)成。和存儲(chǔ)單元陣列30的字線連接的行解碼電路31也和行控電路26相連接，在從該行控電路26輸出的行選通信號(hào)RE變?yōu)楦唠娖?H)的時(shí)序下，選擇性地將存儲(chǔ)單元陣列30對(duì)應(yīng)于從第二切換電路(MUX2)42輸出的行地址數(shù)據(jù)MAdd的字線激活。
和存儲(chǔ)單元陣列30的各位線連接的讀出放大器電路33也和行控電路26相連接，在從該行控電路26輸出的讀出允許信號(hào)SE變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)序下，將存儲(chǔ)單元陣列30的各位線激活。
列解碼電路35連接到上述地址緩沖電路21以及列控電路27，在從列控電路27輸出的列選通信號(hào)CE變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)序下，將地址數(shù)據(jù)Add中包含的列地址數(shù)據(jù)AddC解碼，將與該解碼結(jié)果對(duì)應(yīng)的讀出放大器通過I/O緩沖器36連接到輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37。
定時(shí)電路50以一定的時(shí)間間隔輸出時(shí)序信號(hào)TM，將該時(shí)序信號(hào)TM提供到刷新脈沖發(fā)生電路60。
刷新脈沖發(fā)生電路60是通常動(dòng)作下生成刷新時(shí)序的電路，連接到定時(shí)電路50的輸出端，以時(shí)序信號(hào)TM為輸入。刷新脈沖發(fā)生電路60的出入端連接到第一切換電路(MUX1)41。也就是說，刷新脈沖發(fā)生電路60根據(jù)以一時(shí)序間間隔輸出的時(shí)序信號(hào)TM，將通常刷新用脈沖信號(hào)REF提供到第一切換電路(MUX1)41。
第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62是動(dòng)作檢驗(yàn)測(cè)試中用于生成測(cè)試用刷新時(shí)序的電路，連接到地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25的輸出端，以地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD為輸入，生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1。第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62的輸出端連接到上述第一切換電路(MUX1)41。也就是說，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62根據(jù)地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD，將第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1提供到第一切換電路(MUX1)41。
測(cè)試模式輸入電路53是將通常動(dòng)作模式和測(cè)試模式之間的切換從裝置外部進(jìn)行控制的電路。測(cè)試模式輸入信號(hào)TE為輸入，輸出第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1提供到第一切換電路(MUX1)41。
上述第一切換電路(MUX1)41是對(duì)應(yīng)動(dòng)作模式(通常動(dòng)作模式或者測(cè)試模式)切換刷新時(shí)序的電路。第一切換電路(MUX1)41的輸入端連接到測(cè)試模式輸入電路53的輸出端、上述刷新脈沖發(fā)生電路60的輸出端，以及第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62的輸出端，被輸入第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1、標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF以及第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，生成刷新時(shí)序控制信號(hào)RF。
第一切換電路(MUX1)41的輸出端連接到上述行控電路26、刷新地址發(fā)生電路66、以及上述第二切換電路(MUX2)42，將刷新時(shí)序控制信號(hào)RF提供到行控電路26、刷新地址發(fā)生電路66、以及第二切換電路(MUX2)42。也就是說，第一切換電路(MUX1)41響應(yīng)第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1，選擇基于標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF的時(shí)序控制信號(hào)，或者基于第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的時(shí)序控制信號(hào)中的任意一個(gè)，作為RF輸出。
上述刷新地址發(fā)生電路66連接到第一切換電路(MUX1)41的輸出端，以刷新時(shí)序控制信號(hào)RF為輸入，將其輸出端連接到第二切換電路(MUX2)42，將刷新地址RAdd提供到第二切換電路(MUX2)42。刷新地址發(fā)生電路66將刷新時(shí)序控制信號(hào)RF作為觸發(fā)，使刷新地址上(遞增)計(jì)數(shù)，提供給第二切換電路(MUX2)42。
上述第二切換電路(MUX2)42連接到地址緩沖電路21、刷新地址發(fā)生電路66的輸出端、以及第一切換電路(MUX1)41的輸出端，輸入行地址數(shù)據(jù)AddR、刷新地址RAdd以及刷新時(shí)序控制信號(hào)RF，生成指定要訪問的存儲(chǔ)單元的行地址MAdd。第二切換電路(MUX2)42的輸出端連接到行解碼電路31，提供行地址MAdd。具體而言，當(dāng)根據(jù)刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的邏輯電平(0或1) 判斷自刷新動(dòng)作已經(jīng)啟動(dòng)時(shí)，也就是刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的邏輯電平從低電平(L)切換到高電平時(shí)，第二切換電路(MUX2)42輸出刷新地址RAdd，在此以外的時(shí)候，輸出行地址數(shù)據(jù)AddR。
上述測(cè)試模式輸入電路53是從裝置外部控制通常動(dòng)作模式和測(cè)試模式的切換的電路。以測(cè)試模式輸入信號(hào)TE為輸入，輸出第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1，提供到第一切換電路(MUX1)41。
以下對(duì)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試模式動(dòng)作以及通常動(dòng)作分開進(jìn)行說明。
首先，對(duì)通常動(dòng)作參照?qǐng)D2進(jìn)行說明。此時(shí)，測(cè)試模式輸入信號(hào)TE被設(shè)定為低電平，因此，從測(cè)試模式輸入電路53輸出的第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1變?yōu)榈碗娖?。TE＝0的時(shí)候，也就是說，由于通常動(dòng)作時(shí)測(cè)試電路不動(dòng)作，所以實(shí)質(zhì)上和沒有內(nèi)置測(cè)試電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作相同。
首先，對(duì)讀出、寫入動(dòng)作進(jìn)行說明。在時(shí)刻T1，讀出/寫入地址信號(hào)Add從“A0”變?yōu)椤癆1”后，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25檢測(cè)到地址變化，在時(shí)刻T2，使地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD上升，作為正的單能發(fā)脈沖信號(hào)提供到行控電路26和第二切換電路(MUX2)42。在這里，上述地址A0、A1作為一系列行地址，對(duì)只有一系列行地址變化時(shí)的情況舉例進(jìn)行說明。
并且，隨著上述讀出/寫和地址信號(hào)Add的變化，在時(shí)刻T3，行地址MAdd從“A0”切換為“A1”。此時(shí)的第二切換電路(MUX2)42由于作為第一切換電路(MUX1)41的輸出信號(hào)的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF為低電平，判斷出自刷新動(dòng)作沒有啟動(dòng)，所以將行地址數(shù)據(jù)AddR作為行地址MAdd提供給行解碼電路31。
接收到地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的行控電路26以時(shí)刻T4的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T5時(shí)，使行選通信號(hào)RE上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)在行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了行地址MAdd，所以和行選通信號(hào)RE同步，由行地址MAdd(AddR＝A1)所指定的字線Word在時(shí)刻T6被激活。
上述行控電路26以時(shí)刻T4中的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T7，使放大允許信號(hào)SE上升，提供到讀出放大器電路33，使讀出放大器電路33被激活。進(jìn)一步，行控電路26以時(shí)刻T4的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，使列控信號(hào)CC上升，提供到列控電路27。并且列控電路27在基于列控信號(hào)CC(最終是基于行選通信號(hào)RE)的時(shí)序，使列選通信號(hào)CE在時(shí)刻T8上升，提供到列解碼電路35。列解碼電路35中輸入有列系列地址AddC。
列解碼電路35接收該列選通信號(hào)CE，對(duì)列地址數(shù)據(jù)AddC進(jìn)行解碼，將對(duì)應(yīng)該解碼結(jié)果的讀出放大器33通過I/O緩沖器36連接到輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37。這樣，在進(jìn)行讀出動(dòng)作時(shí)，在由存儲(chǔ)單元陣列30中的行地址A1所指定的單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，通過讀出放大器33、I/O緩沖器36，發(fā)送到輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37；在進(jìn)行寫入動(dòng)作時(shí)，輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37的數(shù)據(jù)被寫入到由存儲(chǔ)單元陣列30中的行地址A1所指定的單元中。
從時(shí)刻T4的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿開始經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間后，行選通信號(hào)RE、列選通信號(hào)CE以及列選通信號(hào)CE分別下降。以上是通常模式下的讀出、寫入動(dòng)作。
以下，就通常模式下的自刷新動(dòng)作進(jìn)行說明。自刷新動(dòng)作是和從裝置外部輸入的信號(hào)無關(guān)的、根據(jù)裝置內(nèi)部生成的時(shí)序以及地址以一時(shí)序間間隔啟動(dòng)的刷新動(dòng)作。
自刷新動(dòng)作的啟動(dòng)時(shí)序由定時(shí)電路50生成。在時(shí)刻T10，從定時(shí)電路50輸出具有規(guī)定脈沖寬度的單能發(fā)脈沖信號(hào)TM后，接收到信號(hào)TM的刷新脈沖發(fā)生電路60中，根據(jù)信號(hào)TM的上升沿，輸出作為單能發(fā)脈沖信號(hào)的標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF，提供到第一切換電路(MUX1)41，上述單能發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖寬度相當(dāng)于進(jìn)行一次刷新動(dòng)作所需時(shí)間。
另一方面，刷新地址Radd由刷新地址發(fā)生電路66生成。在以下說明中，在信號(hào)TM被輸出的時(shí)刻T10，刷新地址發(fā)生電路66生成“R0”作為刷新地址RAdd，提供到第二切換電路(MUX2)42。
第一切換電路(MUX1)41在通常動(dòng)作下，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF，輸出刷新時(shí)序控制信號(hào)RF。接受比時(shí)刻T10稍有些延遲的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新已經(jīng)啟動(dòng)，行地址MAdd切換為RAdd＝R0。
接受到刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，在時(shí)刻T11，行選通信號(hào)RE上升。行解碼電路3 1中，由于提供了刷新地址RAdd，所以和行選通信號(hào)RE同步，由RAdd＝R0所指定的字線Word在時(shí)刻T12被激活。
進(jìn)一步，在時(shí)刻T13，通過讀出允許信號(hào)SE上升，讀出放大器電路33被激活，和上述被激活的字線Word相連接的存儲(chǔ)單元進(jìn)行刷新。這樣，完成了由刷新地址RAdd(R0)所指定的存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作。
在時(shí)刻T14，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF一下降，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新動(dòng)作結(jié)束，將行地址MAdd從刷新地址RAdd(R0)切換到行地址數(shù)據(jù)AddR(A1)。并且，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的下降沿被輸入到刷新地址發(fā)生電路66后，以此作為觸發(fā)，刷新地址RAdd被上計(jì)數(shù)，刷新地址Radd切換為R1。
進(jìn)一步，時(shí)刻T15，讀出/寫入地址信號(hào)Add從(A1)變化為(A2)時(shí)，接受到這一變化，在時(shí)刻T16，行地址數(shù)據(jù)MAdd從(A1)變化為(A2)。之后，將由行地址MAdd(AddR＝A2)所指定的字線Word激活，進(jìn)行通常動(dòng)作模式下的讀出、寫入。
如上所述，由于讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作獨(dú)立地生成，所以為了使兩個(gè)動(dòng)作時(shí)序不發(fā)生沖突，需要相應(yīng)的對(duì)策。
作為對(duì)策1，可以考慮進(jìn)行動(dòng)作控制，使其中一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行時(shí)另一個(gè)動(dòng)作不啟動(dòng)。
作為對(duì)策2，需要在兩個(gè)動(dòng)作的時(shí)序鄰近生成時(shí)保證不會(huì)發(fā)生由于干擾而引起的誤動(dòng)作。也就是說，進(jìn)行動(dòng)作檢驗(yàn)，以確認(rèn)強(qiáng)制施加電路構(gòu)成中可預(yù)料的最小的時(shí)間間隔后使之動(dòng)作而不發(fā)生誤動(dòng)作。
本發(fā)明中采用了上述第2對(duì)策，具體而言是對(duì)圖2中的“t1”、“t2”的時(shí)間間隔進(jìn)行動(dòng)作檢驗(yàn)。這里的“t1”是讀出、寫入動(dòng)作結(jié)束后，被上述第1對(duì)策所禁止的自刷新動(dòng)作被解除之后，自刷新動(dòng)作被啟動(dòng)時(shí)的時(shí)間間隔?！皌2”和“t1”一樣，是通過內(nèi)部定時(shí)電路50自刷新動(dòng)作啟動(dòng)之后，讀出/寫入地址信號(hào)“Add”有變化，自刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作臨近生成時(shí)的時(shí)間間隔?！皌1”、“t2”是由電路構(gòu)成決定的值，在圖1所示的第一實(shí)施方式中，“t1”的條件由第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62生成，圖6所示的第二實(shí)施方式中，“t2”的條件由第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路64生成。
以下參照?qǐng)D1對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試模式的動(dòng)作概要進(jìn)行說明，具體內(nèi)容在之后連同參照?qǐng)D3進(jìn)行說明。
測(cè)試模式輸入信號(hào)TE被激活，TE＝高電平被輸入至測(cè)試模式輸入電路53時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置識(shí)別認(rèn)為存在對(duì)測(cè)試模式的輸入。即，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置被設(shè)置為測(cè)試模式。
在前述的通常動(dòng)作模式下，讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作互相獨(dú)立地被施以動(dòng)作時(shí)序，而在測(cè)試模式下，這些動(dòng)作時(shí)序互相關(guān)連，以下針對(duì)讀出、寫入動(dòng)作進(jìn)行后，以規(guī)定的時(shí)間間隔，進(jìn)行自刷新動(dòng)作的情況進(jìn)行說明。
測(cè)試模式輸入信號(hào)TE變?yōu)門E＝1時(shí)，從測(cè)試模式輸入電路53輸出的第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1也變?yōu)門E1＝1。以該第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1(TE1＝1)為輸入的第一切換電路(MUX1)41，判斷此為測(cè)試模式，根據(jù)來自定時(shí)電路50的時(shí)序信號(hào)TM，使刷新脈沖發(fā)生電路60輸出的標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF為非選擇，而選擇第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62輸出的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，作為刷新時(shí)序控制信號(hào)RF輸出。
并且，第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的脈沖寬度需要和標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF一致。因?yàn)樵谕ǔ?dòng)作模式和測(cè)試模式下，如果要確認(rèn)的參數(shù)以外的動(dòng)作條件產(chǎn)生變化，若不考慮多余的參數(shù)的影響，則無法進(jìn)行正確的動(dòng)作確認(rèn)。
這里的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1是檢測(cè)從外部輸入的讀出/寫入地址信號(hào)Add的變化，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿開始，延遲規(guī)定時(shí)間(TA1’)后上升的信號(hào)。因此，從第一切換電路(MUX1)41輸出的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF，變?yōu)閺牡刂忿D(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA1)上升的信號(hào)。上述規(guī)定時(shí)間(TA1’)相當(dāng)于從圖3所示的規(guī)定時(shí)間“TA1”中扣除刷新時(shí)序控制信號(hào)RF和第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1之間的信號(hào)延遲的時(shí)間。
第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的上升時(shí)序也就是上述規(guī)定時(shí)間(TA1’)要將自刷新動(dòng)作根據(jù)對(duì)讀出、寫入動(dòng)作延遲多久來預(yù)先設(shè)定。這是本實(shí)施方式中測(cè)試模式動(dòng)作的主題。
具體而言，上述規(guī)定時(shí)間(TA1’)是維持上述字線激活狀態(tài)(選擇狀態(tài))的時(shí)間即字線的脈沖寬度和圖3的“t1”所表示的在電路構(gòu)成上可達(dá)到的最小的時(shí)間間隔的時(shí)間之和，并加上各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。
第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62中，檢測(cè)從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降，在從該檢測(cè)出的下降時(shí)序開始經(jīng)過上述規(guī)定的時(shí)間(TA1’)的時(shí)間點(diǎn)下，具有生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的功能，由含有已知的下降沿檢測(cè)電路、對(duì)已知的規(guī)定時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)的電路的電路構(gòu)成。
并且，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62也可以是如下的構(gòu)成檢測(cè)從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升，從該檢測(cè)出的上升時(shí)序開始，在經(jīng)過上述規(guī)定時(shí)間(TA1’)與地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的脈沖寬度的時(shí)間之和的時(shí)間點(diǎn)，生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1。此時(shí)，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62由包含已知的上升沿檢測(cè)電路、對(duì)已知的規(guī)定時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)的電路的電路構(gòu)成。
接下來，參照?qǐng)D3中的時(shí)序圖，對(duì)上述測(cè)試模式動(dòng)作進(jìn)行說明。在時(shí)刻T31，讀出/寫入地址信號(hào)Add從“A0”一變化為“A1”，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25就檢測(cè)到地址變化，在時(shí)刻T32，使地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD上升，作為正的單能發(fā)脈沖信號(hào)將轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD提供給行控電路26。
并且，隨著上述讀出/寫入地址信號(hào)Add的變化，在時(shí)刻T33，行地址MAdd從“A0”’切換為“A1”。此時(shí)第二切換電路(MUX2)42由于作為第一切換電路(MUX1)41的輸出信號(hào)的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF為低電平，判斷出自刷新動(dòng)作沒有啟動(dòng)，所以將行地址數(shù)據(jù)AddR作為行地址MAdd提供給行解碼電路31。
接受了地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的行控電路26以時(shí)刻T34的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T35時(shí)，使行選通信號(hào)RE上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了行地址MAdd，所以和行選通信號(hào)RE同步，由行地址MAdd(AddR＝A1)所指定的字線Word在時(shí)刻T36下激活。
上述行控電路26以時(shí)刻T34的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T7，使放大允許信號(hào)SE上升，提供到讀出放大器電路33，使讀出放大器電路激活。進(jìn)一步，行控電路26以時(shí)刻T34的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，使列控信號(hào)CC上升，提供到列控電路27。并且列控電路27在基于列控信號(hào)CC(最終是基于行選通信號(hào)RE)的時(shí)序，使列選通信號(hào)CE在時(shí)刻T38上升，提供到列解碼電路35。列解碼電路35中輸入有列系列地址AddC。
列解碼電路35接受該列選通信號(hào)CE，對(duì)列地址數(shù)據(jù)AddC進(jìn)行解碼，將對(duì)應(yīng)該解碼結(jié)果的讀出放大器33通過I/O緩沖器36連接到輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37。這樣，在進(jìn)行讀出動(dòng)作時(shí)，在由存儲(chǔ)單元陣列30中的行地址A1所指定的單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，通過讀出放大器33、I/O緩沖器36，發(fā)送到輸A/輸出數(shù)據(jù)端子37；在進(jìn)行寫入動(dòng)作時(shí)，輸入/輸出數(shù)據(jù)端子37的數(shù)據(jù)被寫入到由存儲(chǔ)單元陣列30中的行地址A1所指定的單元中。
從時(shí)刻T34的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿開始經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間后，行選通信號(hào)RE、列選通信號(hào)CE以及列選通信號(hào)CE分別下降。以上是測(cè)試模式下的讀出、寫入動(dòng)作。
以下就測(cè)試模式下的自刷新動(dòng)作進(jìn)行說明。自刷新動(dòng)作是和從裝置外部輸入的信號(hào)相關(guān)的、根據(jù)裝置內(nèi)部生成的時(shí)序以及地址，而啟動(dòng)的刷新動(dòng)作。
第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62檢測(cè)出時(shí)刻T34的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿，從時(shí)刻T34開始在經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(TA1’)的時(shí)刻，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62生成作為單能發(fā)脈沖信號(hào)的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，上述單能發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖寬度相當(dāng)于一次刷新動(dòng)作所需時(shí)間。如上所述，第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的脈沖寬度的設(shè)定和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同。
因此，通過第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1提供給第一切換電路(MUX1)41，在時(shí)刻T40，第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1作為具有和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同脈沖寬度的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF，提供給第二切換電路(MUX2)42。
另一方面，刷新地址Radd由刷新地址發(fā)生電路66生成。以下說明中，刷新地址發(fā)生電路66生成“R0”’作為刷新地址RAdd，提供到第二切換電路(MUX2)42。
第一切換電路(MUX1)41在測(cè)試模式動(dòng)作下，根據(jù)第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，輸出刷新時(shí)序控制信號(hào)RF。接受在時(shí)刻T40的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，在時(shí)刻T41，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新動(dòng)作已經(jīng)啟動(dòng)，行地址MAdd切換為RAdd＝R0。
進(jìn)一步，接受到時(shí)刻T40的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，在時(shí)刻T42使行選通信號(hào)RE上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)輸入了行地址MAdd，所以和行選通信號(hào)RE同步，由行地址MAdd(AddR＝R0)所指定的字線Word在時(shí)刻T43被激活。
上述行控電路26以時(shí)刻T40的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T44，使讀出允許信號(hào)SE上升，提供到讀出放大電路33，將讀出放大電路33激活，進(jìn)行由刷新地址RAdd(R0)所指定的存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作。
之后，在時(shí)刻T45，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF一下降，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新動(dòng)作結(jié)束，將行地址MAdd從刷新地址RAdd(R0)切換到行地址數(shù)據(jù)AddR(A1)。并且，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的下降被輸入到刷新地址發(fā)生電路66后，以此作為觸發(fā)，刷新地址Radd上計(jì)數(shù)，刷新地址Radd切換為R1。
上述規(guī)定時(shí)間(TA1)是時(shí)刻T36和時(shí)刻T39之間表示的既定的字線的脈沖寬度和時(shí)刻T39和時(shí)刻T43之間表示的時(shí)間間隔“t1”的時(shí)間之和，加上各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。該延遲時(shí)間依存于各個(gè)電路構(gòu)成，是不同的，但是是可以依據(jù)電路構(gòu)成預(yù)先計(jì)算的，所以，時(shí)刻T39和時(shí)刻T43之間表示的時(shí)間間隔“t1”可以將上述規(guī)定時(shí)間(TA1)設(shè)定為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔。
因此可以使讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作的時(shí)間間隔為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔“t1”這個(gè)條件強(qiáng)制生成，從而進(jìn)行測(cè)試。
以下參照?qǐng)D4的流程圖，對(duì)上述半導(dǎo)體裝置的測(cè)試步驟進(jìn)行說明。
首先，如果芯片本身就具有缺陷、或者存儲(chǔ)單元的保持性較差的話，就喪失了實(shí)施刷新動(dòng)作測(cè)試的意義，所以需要在事前進(jìn)行保持性測(cè)試(步驟S1)。保持性測(cè)試本身按照通用的DRAM中所實(shí)施的測(cè)試一樣的既有的測(cè)試順序進(jìn)行即可。
也就是說，進(jìn)行對(duì)存儲(chǔ)單元陣列30的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)寫入，將禁止刷新的狀態(tài)在持續(xù)規(guī)定的時(shí)間后，在進(jìn)行從該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)讀出時(shí)，通過對(duì)該規(guī)定時(shí)間(即刷新周期)的調(diào)整，以使讀出的數(shù)據(jù)和寫入的數(shù)據(jù)一致，確定該存儲(chǔ)單元的保持時(shí)間。該測(cè)試針對(duì)所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行，以確定和保持時(shí)間最短的存儲(chǔ)單元相匹相的刷新周期的值。
然后，為了在測(cè)試后判斷存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作以及讀出/寫入動(dòng)作是否正確進(jìn)行，在存儲(chǔ)單元陣列30內(nèi)預(yù)先寫入測(cè)試形式(testpattern)(步驟S2)。
然后，設(shè)定任意的保持時(shí)間(步驟S3)，接著通過輸入TE＝1，或者通過將第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1上升為高電平，將電路設(shè)定為測(cè)試模式(測(cè)試S4)。
然后，將任意的讀出/寫入地址信號(hào)Add施加到地址端子(步驟S5)。刷新地址使用裝置內(nèi)部設(shè)置的刷新地址發(fā)生電路66所生成的刷新地址RAdd。
通過以上過程，圖3所示的行地址“A1”的讀出、寫入動(dòng)作，以及相隔最小時(shí)間間隔“t1”后，行地址“R0”的自刷新動(dòng)作依次進(jìn)行。
然后，讀出和由上述地址所指定的字線相連接的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，進(jìn)行數(shù)據(jù)檢驗(yàn)(步驟S6)。并且，如果檢驗(yàn)結(jié)果為“未通過”時(shí)，結(jié)束測(cè)試并廢棄該芯片(步驟S8)。如果檢驗(yàn)結(jié)果為“通過”時(shí)，判斷所有測(cè)試是否結(jié)束(步驟S7)，該判斷結(jié)果為“否”時(shí)，返回到步驟S5。
之后，直到所有測(cè)試是否結(jié)束的判斷結(jié)果為“是”時(shí)止，反復(fù)執(zhí)行步驟S5-S7，當(dāng)判斷為需要確認(rèn)的所有形式相關(guān)的測(cè)試已經(jīng)結(jié)束時(shí)，TE＝0，離開測(cè)試模式，結(jié)束測(cè)試。
并且，實(shí)際上如果對(duì)取得的全部形式進(jìn)行測(cè)試需要花費(fèi)大量的時(shí)間，因此也可以找出規(guī)律性進(jìn)行測(cè)試。即，最開始對(duì)全部形式進(jìn)行調(diào)查，如果出現(xiàn)某種傾向的話，可以以省略的形式進(jìn)行測(cè)試。不只限于DRAM，在一般的內(nèi)存測(cè)試技術(shù)中，都有稱之為易于發(fā)現(xiàn)缺陷的形式的存在，所以也可以組合匹配(matching)、快速(gallop)這樣的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)然最好還是對(duì)所有的形式進(jìn)行測(cè)試。
如以上說明所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作獨(dú)立發(fā)生，為了保證兩個(gè)動(dòng)作時(shí)序鄰近發(fā)生時(shí)也不會(huì)由于干擾導(dǎo)致誤動(dòng)作，通過從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的變化的時(shí)序開始延遲規(guī)定的時(shí)間(TA1’)，使第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1上升，將自刷新動(dòng)作開始的時(shí)序設(shè)定為和其之前進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔最小，從而可以進(jìn)行動(dòng)作檢驗(yàn)，以確認(rèn)強(qiáng)制施加電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔并使之動(dòng)作后不生成誤動(dòng)作。
(第二實(shí)施方式)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路構(gòu)成和上述第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路構(gòu)成是相同的。進(jìn)一步，本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的通常模式動(dòng)作和上述第一實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置也相同，只是測(cè)試模式動(dòng)作不同。因此，將省略對(duì)本實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路構(gòu)成的說明以及對(duì)通常模式動(dòng)作的說明，對(duì)測(cè)試模式動(dòng)作的說明參照?qǐng)D5進(jìn)行如下的說明。圖5是表示本實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試模式下的動(dòng)作的時(shí)序圖。
并且，在上述第一實(shí)施方式下，測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)表記為“第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1”，但在本實(shí)施方式下，將其表記為“第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2”。
在上述第一實(shí)施方式中，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的變化的時(shí)序開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA1’)，使第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1上升，將自刷新動(dòng)作開始的時(shí)序，設(shè)定和其之前進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔為最小。與此相對(duì)，本實(shí)施方式中，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA2’)，使第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2上升，設(shè)定自刷新動(dòng)作和其之后進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔為最小。并且，上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)相當(dāng)于從圖5所示的規(guī)定時(shí)間“TA2”中扣除刷新時(shí)序控制信號(hào)RF和第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2之間的信號(hào)延遲的時(shí)間。
第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2的上升時(shí)序，即上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)，根據(jù)要將讀出、寫入動(dòng)作對(duì)刷新動(dòng)作延遲多久來預(yù)先設(shè)定。這是本實(shí)施方式的測(cè)試模式動(dòng)作的主題。
具體而言，將從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始到用于讀出、寫入動(dòng)作的字線上升為止的時(shí)間，設(shè)定為以下時(shí)間上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)和自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度和圖5的“t2”表示的電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔的時(shí)間之和，加上各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。也就是說，考慮到以上條件，來設(shè)定上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)。
第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62具有檢測(cè)從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升，在從該檢測(cè)出的上升時(shí)序起經(jīng)過上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)的時(shí)間點(diǎn)，生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2的功能。并且第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62由包含已知的上升沿檢測(cè)電路、對(duì)已知的規(guī)定時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)的電路的電路構(gòu)成。
以下參照?qǐng)D5對(duì)測(cè)試模式動(dòng)作進(jìn)行說明。時(shí)刻T51下，讀出/寫入地址信號(hào)Add從“A0”一變?yōu)椤癆1”，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25就檢測(cè)到地址變化，在時(shí)間T52，使地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD上升，作為正的單能發(fā)脈沖信號(hào)將地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD提供給行控電路26。
并且，隨著上述讀出/寫入地址信號(hào)Add的變化，行地址MAdd從“A0”切換為“A1”。此時(shí)的第二切換電路(MUX2)42由于作為第一切換電路(MUX1)41的輸出信號(hào)的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF為低電平，判斷出自刷新動(dòng)作沒有啟動(dòng)，所以將行地址數(shù)據(jù)AddR作為行地址MAdd提供給行解碼電路31。
進(jìn)一步，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62檢測(cè)時(shí)刻T52的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升沿，在從該時(shí)刻T52開始經(jīng)過上述規(guī)定時(shí)間(TA2’)的時(shí)刻，生成作為單能發(fā)脈沖信號(hào)的第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，上述單能發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖寬度相當(dāng)于一次刷新動(dòng)作所需時(shí)間。第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2的脈沖寬度的設(shè)定和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同。
因此，通過把第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2提供給第一切換電路(MUX1)41，在時(shí)刻T53，第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2作為具有和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同脈沖寬度的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF，提供給第二切換電路(MUX2)42。
接受在時(shí)刻T53的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新動(dòng)作已經(jīng)啟動(dòng)，行地址MAdd切換為RAdd＝R0。
進(jìn)一步，接受到時(shí)刻T53下的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升，在時(shí)刻T54，使行選通信號(hào)RE上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)輸入了行地址MAdd，所以和行選通信號(hào)RE同步，由行地址MAdd(AddR＝R0)所指定的字線Word在時(shí)刻T55被激活。
上述行控電路26接受到時(shí)刻T53的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升沿，使讀出允許信號(hào)SE上升，提供到讀出放大電路33，使讀出放大電路激活，進(jìn)行由刷新地址RAdd(R0)所指定的存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作。
之后，在時(shí)刻T57，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF一下降，第二切換電路(MUX2)42就判斷自刷新動(dòng)作結(jié)束，將行地址MAdd從刷新地址RAdd(R0)切換到行地址數(shù)據(jù)AddR(A1)。并且，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的下降被輸入到刷新地址發(fā)生電路66時(shí)，以此作為觸發(fā)，刷新地址RAdd被上計(jì)數(shù)，刷新地址Radd切換為R1。
進(jìn)一步，規(guī)定時(shí)間后(T58)行選通信號(hào)RE下降，由刷新地址RAdd(R0)所指定的存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作結(jié)束。
之后，以時(shí)刻T59的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，在時(shí)刻T60，使行選通信號(hào)RE上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供到行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了行地址MAdd，所以由行地址MAdd(AddR＝A1)所指定的字線Word和行選通信號(hào)RE同步，在時(shí)刻T61，被激活。之后和實(shí)施例1一樣，實(shí)施寫入、讀出動(dòng)作。
從時(shí)刻T52的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始到時(shí)刻T61的用于讀出、寫入動(dòng)作的字線的上升為止的時(shí)間設(shè)定為如下時(shí)間上述規(guī)定時(shí)間(TA2)、相當(dāng)于時(shí)刻T55和時(shí)刻T58之間的自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度、“t2”所表示的電路構(gòu)成中可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔的時(shí)間之和，加上各信號(hào)之間的延遲時(shí)間。該延遲時(shí)間依存于各個(gè)電路構(gòu)成，是不同的，但是是可以依據(jù)電路構(gòu)成預(yù)先計(jì)算的，所以，時(shí)刻T58和時(shí)刻T61之間表示的時(shí)間間隔“t2”可以設(shè)定為上述規(guī)定時(shí)間(TA2)，以使之成為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔。
因此可以使讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作的時(shí)間間隔為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔“t2”這個(gè)條件強(qiáng)制生成，從而進(jìn)行測(cè)試。
上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試步驟和上述第一實(shí)施方式的測(cè)試步驟是相同的，所以在此省略對(duì)其的說明。
如以上說明所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作獨(dú)立生成，為了保證兩個(gè)動(dòng)作時(shí)序鄰近生成時(shí)也不會(huì)由于干擾導(dǎo)致誤動(dòng)作，通過從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的變化的時(shí)序開始，延遲規(guī)定的時(shí)間(TA2’)，使第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2上升，將讀出、寫入動(dòng)作開始的時(shí)序設(shè)定得使和其之前進(jìn)行刷新動(dòng)作的時(shí)間間隔為最小(t2)，從而可以進(jìn)行動(dòng)作檢驗(yàn)，以確認(rèn)強(qiáng)制施加電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔并使之動(dòng)作后不生成誤動(dòng)作。
(第三實(shí)施方式)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。
上述第一實(shí)施方式下，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的變化的時(shí)序開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA1’)后生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，將自刷新動(dòng)作開始的時(shí)序，設(shè)定得使和其之前進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔“t1”為最小，進(jìn)行了最差時(shí)序條件(以下稱為第一最差時(shí)序條件)下的測(cè)試。并且，上述第二實(shí)施方式中，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA2’)后生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，設(shè)定得使自刷新動(dòng)作和在其之后進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔“t2”為最小，進(jìn)行了最差時(shí)序條件(以下稱為第二最差時(shí)序條件)下的測(cè)試。
在本實(shí)施方式中，為了使半導(dǎo)體裝置在上述第一以及第二最差時(shí)序條件下都可進(jìn)行測(cè)試動(dòng)作，變更上述第一以及第二實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路構(gòu)成的一部分。關(guān)于電路構(gòu)成的變更部分，將參照?qǐng)D6進(jìn)行說明。圖6是表示第三實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置構(gòu)成的框圖。
具體而言該電路由第一以及第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62、64和第三切換電路(MUX3)43構(gòu)成，其中第一以及第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62、64以由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD為輸入；上述第三切換電路(MUX3)43接受測(cè)試模式選擇信號(hào)TS的輸入，根據(jù)從測(cè)試模式輸入電路53輸出的第二動(dòng)作模式切換信號(hào)TE2，選擇從上述第一以及第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62、64輸出的第一以及第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1、TREF2中的任意一個(gè)，提供給上述第一切換電路(MUX1)41。測(cè)試模式輸入電路53，以測(cè)試模式輸入信號(hào)TE為輸入，將第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1輸出，同時(shí)以測(cè)試模式選擇信號(hào)TS為輸入，將第二測(cè)試模式切換信號(hào)TE2輸出，將第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1提供到第一切換電路(MUX1)41，將第二測(cè)試模式切換信號(hào)TE2提供到第三切換電路(MUX3)43。
本實(shí)施方式中，在設(shè)定為TE＝高電平的測(cè)試模式下，在TS＝低電平時(shí)選擇第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，在TS＝高電平時(shí)選擇第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2。并且，如果TS＝低電平，變?yōu)楹蜏y(cè)試模式選擇信號(hào)TS無關(guān)的通常動(dòng)作模式。此外，通常動(dòng)作和上述第一以及第二實(shí)施方式下相同。
在這里，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62中預(yù)先設(shè)定了上述時(shí)間間隔“t1”，以由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的下降沿作為觸發(fā)，在從該下降沿開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(TA1’)的時(shí)間點(diǎn)，將第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1提供到第三切換電路(MUX3)43。
第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62中預(yù)先設(shè)定了上述時(shí)間間隔“t2”，以由地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25輸出的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的上升沿作為觸發(fā)，在從該上升沿開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間(TA2’)的時(shí)間點(diǎn)，生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，提供到第三切換電路(MUX3)43。
如上所述，是使用上述第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1在上述第一最差時(shí)序條件“t1”下進(jìn)行測(cè)試，還是使用上述第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2在上述第二最差時(shí)序條件“t2”下進(jìn)行測(cè)試，可以通過測(cè)試模式選擇信號(hào)TS進(jìn)行控制。例如，在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試后，也可在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試，或者按相反的順序進(jìn)行也可。并且，不需要在兩種最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，根據(jù)需要也可以只使用一個(gè)測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)。
本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的通常模式動(dòng)作，和上述第一實(shí)施方式中所說明的通常模式動(dòng)作相同。測(cè)試模式動(dòng)作，如上所述，在上述第一最差時(shí)序條件“t1”下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，除了第三切換電路(MUX3)43選擇由第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62提供的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，提供給第一切換電路(MUX2)41以外，和第一實(shí)施方式中參照?qǐng)D3所說明的測(cè)試模式動(dòng)作相同。另一方面，在上述第二最差時(shí)序條件“t2”下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，其動(dòng)作除了第三切換電路(MUX3)43選擇由第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路64提供的第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，提供給第一切換電路(MUX2)41以外，和第一實(shí)施方式中參照?qǐng)D3所說明的測(cè)試模式動(dòng)作相同。
圖7是表示本實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。圖7是表示上述測(cè)試模式輸入信號(hào)TE、測(cè)試模式選擇信號(hào)TS、第1及第2動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1、TE2與各測(cè)試動(dòng)作之間的關(guān)系的一個(gè)例子的圖。如同圖7所示，TE＝1、TS＝0時(shí)，在上述第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試，在TE＝1、TS＝1時(shí)在上述第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試。
接著參照?qǐng)D8的流程圖，對(duì)上述半導(dǎo)體裝置的測(cè)試步驟進(jìn)行說明。在以下說明中，以在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試后，在第二最差條件下進(jìn)行測(cè)試的情況為例進(jìn)行說明。
首先，以和實(shí)施例1、2一樣的步驟進(jìn)行保持性測(cè)試(S1)內(nèi)存寫入(S2)。
然后設(shè)定任意的保持時(shí)間(步驟S3)，接著通過輸入TE＝1，將第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1上升為“高電平”，同時(shí)輸入測(cè)試模式選擇信號(hào)TS＝0，使第二動(dòng)作模式切換信號(hào)TE2作為低電平，進(jìn)行設(shè)定，使第三切換電路(MUX3)43選擇從第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62輸出的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1。(步驟S4)以下和實(shí)施例1一樣，進(jìn)行讀出地址設(shè)定(S5)、內(nèi)存檢驗(yàn)(S6)，檢驗(yàn)結(jié)果為“未通過”時(shí)，結(jié)束測(cè)試，并廢棄該芯片(步驟S8)。檢驗(yàn)結(jié)果為“通過”時(shí)，判斷使用時(shí)間間隔“t1”的測(cè)試是否全部結(jié)束(步驟S7)，該判斷結(jié)果為“否”時(shí)，返回到步驟S5。
之后，直到判斷所有測(cè)試是否結(jié)束的判斷結(jié)果是“是”時(shí)為止，反復(fù)執(zhí)行步驟S5-S7。
上述判斷結(jié)果變?yōu)椤笆恰睍r(shí)，接著將測(cè)試模式選擇信號(hào)TS從低電平切換為高電平，使第二動(dòng)作模式切換信號(hào)TE2上升為高電平，進(jìn)行設(shè)定，使第三切換電路(MUX3)43選擇由第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路64輸出的第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2。(步驟9)以下和實(shí)施例1(2)一樣，進(jìn)行讀出地址設(shè)定(S 10)、內(nèi)存檢驗(yàn)(S11)，檢驗(yàn)結(jié)果為“未通過”時(shí)，結(jié)束測(cè)試并廢棄該芯片(步驟S13)。檢驗(yàn)結(jié)果為“通過”時(shí)，判斷使用時(shí)間間隔“t2”的測(cè)試是否全部結(jié)束(步驟S12)，該判斷結(jié)果為“否”時(shí)返回到步驟S10。
之后，直到判斷所有測(cè)試是否結(jié)束的判斷結(jié)果是“是”時(shí)為止，反復(fù)執(zhí)行步驟S10-S12。
如以上說明所述，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，可以同時(shí)獲得上述第一實(shí)施方式所獲得的效果以及上述第二實(shí)施方式所獲得的效果。也就是說，從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的變化的時(shí)序開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA1’)后，生成第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，將自刷新動(dòng)作開始的時(shí)序設(shè)定為和其之前進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔“t1”為最小，可以進(jìn)行在第一最差時(shí)序條件下的測(cè)試和第二最差時(shí)序條件下的測(cè)試，其中第二最差時(shí)序條件下的測(cè)試是從地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始延遲規(guī)定時(shí)間(TA2’)后，生成第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，將自刷新動(dòng)作和在其之后進(jìn)行的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔“t2”設(shè)為為最小。
(第四實(shí)施方式)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。
上述第1至第3實(shí)施方式中，著眼于讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作之間的時(shí)間間隔，強(qiáng)制性地生成最差時(shí)序條件以進(jìn)行測(cè)試，在本實(shí)施方式中，除了時(shí)間間隔(時(shí)序)，也著眼于讀出、寫入動(dòng)作的行地址和自刷新的行地址之間的關(guān)系，強(qiáng)制性地生成最差地址條件，以進(jìn)行測(cè)試。
因此，本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在作為測(cè)試模式下的刷新動(dòng)作的行地址，使用外部輸入的行地址，這與上述第一、第二以及第三實(shí)施方式不同。其電路構(gòu)成可以通過變更圖1或圖6所示的電路構(gòu)成的一部分來實(shí)現(xiàn)，在本實(shí)施方式中，以改變圖6所示電路構(gòu)成的一部分為例進(jìn)行說明。
圖9是表示本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置構(gòu)成的框圖。與圖6所示電路構(gòu)成的不同點(diǎn)在于，進(jìn)一步設(shè)置了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70和第四切換電路(MUX4)44。測(cè)試模式輸入電路53以測(cè)試模式輸入信號(hào)TE為輸入，而輸出第一動(dòng)作模式切換信號(hào)TE1，提供給第一切換電路(MUX1)41。進(jìn)一步，測(cè)試模式輸入電路53以測(cè)試模式選擇信號(hào)TS為輸入，而輸出第二動(dòng)作模式切換信號(hào)TE2，提供給第三切換電路(MUX3)43。進(jìn)一步，測(cè)試模式輸入電路53以測(cè)試模式選擇信號(hào)TA為輸入而輸出第三動(dòng)作模式切換信號(hào)TE3，提供給數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70，同時(shí)輸出第四動(dòng)作模式切換信號(hào)TE4，提供給第四切換電路(MUX4)44。
以下對(duì)本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的通常動(dòng)作進(jìn)行說明。通常動(dòng)作模式中，測(cè)試模式輸入信號(hào)TE被設(shè)定為低電平，變?yōu)榈谝粍?dòng)作模式切換信號(hào)TE1＝低電平，所以第一切換電路(MUX1)41設(shè)定為選擇刷新脈沖發(fā)生電路60生成的標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF。并且，測(cè)試模式選擇信號(hào)TA設(shè)定為高電平的狀態(tài)，通過設(shè)定第三動(dòng)作模式切換信號(hào)TE3＝低電平以及第四動(dòng)作模式切換信號(hào)TE4＝低電平，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70不進(jìn)行行地址數(shù)據(jù)AddR的取入，第四切換電路(MUX4)44也被定設(shè)為，使來自數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70的測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd為非選擇，而選擇刷新地址發(fā)生電路66生成的內(nèi)部刷新地址CAdd。
因此，和上述第一實(shí)施方式所說明的通常動(dòng)作一樣，通常動(dòng)作模式下，根據(jù)外部輸入的讀出/寫入地址信號(hào)Add以及地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的狀態(tài)變化的時(shí)序，進(jìn)行讀出/寫入動(dòng)作，刷新動(dòng)作根據(jù)裝置內(nèi)部的刷新脈沖發(fā)生電路60所生成的標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF的時(shí)序和刷新地址發(fā)生電路66所生成的內(nèi)部刷新地址CAdd來進(jìn)行。
以下對(duì)測(cè)試模式動(dòng)作進(jìn)行說明。該測(cè)試模式動(dòng)作同上述第三實(shí)施方式中說明的一樣，具有在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試的動(dòng)作和在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試的動(dòng)作。圖10是用于說明在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。圖11是用于說明在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。首先參照?qǐng)D10，對(duì)于在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作進(jìn)行說明，然后參照?qǐng)D11，對(duì)在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作進(jìn)行說明。
根據(jù)圖10，在時(shí)刻T70下，測(cè)試模式輸入信號(hào)TE被設(shè)定為高電平，測(cè)試模式輸入電路53變?yōu)闇y(cè)試模式，之后，將從輸入第一測(cè)試模式選擇信號(hào)TS＝低電平所生成的TE2識(shí)別為動(dòng)作模式切換信號(hào)，提供給第三切換電路(MUX3)43。并且在時(shí)刻T71下，將第二測(cè)試模式選擇信號(hào)TA下降為低電平時(shí)，測(cè)試模式輸入電路53檢測(cè)到這一變化，將第三動(dòng)作模式切換信號(hào)TE3上升為高電平。接受到第三動(dòng)作模式切換信號(hào)TE3上升，測(cè)試存儲(chǔ)電路70取入行地址數(shù)據(jù)AddR“A0”，將該地址數(shù)據(jù)“A0”作為測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd提供給第四切換電路(MUX4)44，其中上述行地址數(shù)據(jù)AddR“A0”是通過地址緩沖器電路21從外部輸入的。
在時(shí)刻T73下，測(cè)試模式選擇信號(hào)TA一上升為高電平，測(cè)試模式輸入電路53就檢測(cè)到這一變化，將第四動(dòng)作模式切換信號(hào)TE4上升為高電平。接受到第四動(dòng)作模式切換信號(hào)TE4的上升，第四切換電路(MUX4)44被設(shè)定為使刷新地址發(fā)生電路66所生成的刷新地址CAdd“R0”為非選擇，而選擇從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70輸出的測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd“A0”，作為刷新地址RAdd“A0”提供給第二切換電路(時(shí)刻T74)。
在時(shí)刻T75下，外部輸入的讀出/寫入地址信號(hào)Add從“A0”變化為“A1”時(shí)，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25檢測(cè)到地址變化，在時(shí)刻T76，使地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD上升，作為正的單能發(fā)脈沖信號(hào)將地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD提供給行控電路26。以下，執(zhí)行和實(shí)施例1-3相同的由地址A0所指定的存儲(chǔ)單元的讀出、寫入動(dòng)作。
以下對(duì)測(cè)試模式下的刷新動(dòng)作進(jìn)行說明。刷新動(dòng)作是，使之和裝置外部輸入的信號(hào)相關(guān)連，根據(jù)裝置內(nèi)部所生成的時(shí)序以及地址來啟動(dòng)的動(dòng)作。
第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62檢測(cè)出時(shí)刻T78的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿，在從時(shí)刻T78開始經(jīng)過規(guī)定時(shí)間(TA1’)的時(shí)刻下，第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路62生成作為單能發(fā)脈沖信號(hào)的第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1，上述單能發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖寬度和進(jìn)行一次刷新動(dòng)作所需時(shí)間相當(dāng)。如上所述，第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1的脈沖寬度設(shè)定為和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同。
第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1通過第三切換電路(MUX3)43提供給第一切換電路(MUX1)41，通過這一動(dòng)作，在時(shí)刻T81下，第一測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF1作為刷新時(shí)序控制信號(hào)RF提供給第二切換電路(MUX2)，其中上述刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的脈沖寬度和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同。
第四切換電路(MUX4)44由于選擇了從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70提供的測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd，所以測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd“A0”作為刷新地址RAdd“A0”提供給第二切換電路(MUX2)42。第二切換電路(MUX2)42使時(shí)刻T81下的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的上升作為觸發(fā)，通過以行地址數(shù)據(jù)AddR＝A1為非選擇、而選擇刷新地址RAdd“A0”，在時(shí)刻T82下，行地址MAdd從“A1”切換為“A0”。
進(jìn)一步，接受到時(shí)刻T81下的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF上升，使行選通信號(hào)RE(沒有圖示)上升，將具有規(guī)定脈沖長度的行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了行地址MAdd＝A0，所以在時(shí)刻T79由TAdd＝A0所指定的字線Word被激活，進(jìn)行存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作。
之后，在時(shí)刻T84，刷新時(shí)序控制信號(hào)RF下降后，第二切換電路(MUX2)42判斷自刷新動(dòng)作的結(jié)束，將行地址MAdd從TAdd＝A0切換為行地址數(shù)據(jù)AddR(A1)。
和實(shí)施例1、3一樣，上述規(guī)定時(shí)間(TA1)是時(shí)刻T79和時(shí)刻T80之間表示的既定字線的脈沖寬度、時(shí)刻T80和時(shí)刻T83之間表示的時(shí)間間隔“t1”的時(shí)間之和，加上各信號(hào)間的延遲時(shí)間。所以讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作之間的時(shí)間間隔可以強(qiáng)制生成為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔“t1”的條件，從而進(jìn)行測(cè)試。
然后，參照?qǐng)D11對(duì)第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作進(jìn)行說明。從輸入測(cè)試模式(T85)開始到測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd“A0”的取入(T89)為止，和在第一最差時(shí)序條件下的測(cè)試動(dòng)作相同。
在時(shí)刻T90下，讀出/寫入地址信號(hào)Add從“A0”一變化為“A1”，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25就檢測(cè)到地址變化，在時(shí)刻T91，使地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD上升，作為正的單能發(fā)脈沖信號(hào)將地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD提供到行控電路26。
進(jìn)一步，第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路64檢測(cè)出在時(shí)刻T91時(shí)的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升沿，在從時(shí)刻T91開始經(jīng)過規(guī)定時(shí)間(TA2’)的時(shí)刻，生成作為單能發(fā)脈沖信號(hào)的第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，上述單能發(fā)脈沖信號(hào)的脈沖寬度和進(jìn)行一次刷新動(dòng)作所需時(shí)間相當(dāng)。
第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2通過第三切換電路(MUX3)43提供給第一切換電路(MUX1)41，通過這一動(dòng)作，在時(shí)刻T92，第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2作為刷新時(shí)序控制信號(hào)RF提供給第二切換電路(MUX2)，其中上述刷新時(shí)序控制信號(hào)RF的脈沖寬度和上述標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF相同。
接受到時(shí)刻T92的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF上升，第二切換電路(MUX2)42判斷刷新動(dòng)作已被啟動(dòng)，通過由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70輸出的第四切換電路(MUX4)44，選擇作為刷新地址RAdd提供的測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd＝0，行地址MAdd切換為A0。
進(jìn)一步，接受到時(shí)刻T92下的刷新時(shí)序控制信號(hào)RF上升，使行選通信號(hào)RE(沒有圖示)上升，將行選通信號(hào)RE提供給行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了MAdd，所以在時(shí)刻T94，由MAdd(TAdd＝A0)所指定的字線Word被激活。
之后和實(shí)施例1-3一樣，進(jìn)行由測(cè)試用行地址Tadd(A0)所指定的存儲(chǔ)單元的刷新動(dòng)作。
然后，以在時(shí)刻T98的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的下降沿作為觸發(fā)，行選通信號(hào)RE上升，提供給行解碼電路31。此時(shí)的行解碼電路31中，由于從第二切換電路(MUX2)42輸入了行地址MAdd，所以在時(shí)刻T99，由MAdd(AddR＝A1)所指定的字線Word被激活。以下和實(shí)施例1-3一樣，執(zhí)行讀出/寫入動(dòng)作。
和實(shí)施例2、3一樣，從時(shí)刻T91的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD的上升開始到時(shí)刻T99的用于讀出、寫入動(dòng)作的字線的上升為止的時(shí)間是上述規(guī)定時(shí)間(TA2)、相當(dāng)于時(shí)刻T94和時(shí)刻T96間的自刷新動(dòng)作中的字脈沖寬度、由“t2”所表示的電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔的時(shí)間之和，加上各信號(hào)間的延遲時(shí)間。
所以，自刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作之間的時(shí)間間隔可以強(qiáng)制生成為電路構(gòu)成上可預(yù)計(jì)的最小的時(shí)間間隔“t2”的條件，從而進(jìn)行測(cè)試。
如上所述，在測(cè)試模式下，不只是讀出、寫入動(dòng)作，自刷新動(dòng)作也根據(jù)從裝置外部輸入的刷新地址進(jìn)行，所以讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作之間的行地址的關(guān)系可以由裝置外部任意進(jìn)行控制。即，圖3及圖5中的讀出、寫入地址“A1”以及刷新地址“R0”可以由裝置外部任意控制。
本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的動(dòng)作和上述第三實(shí)施方式下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置動(dòng)作之間的主要不同點(diǎn)是，本實(shí)施方式中的測(cè)試模式下的自刷新動(dòng)作根據(jù)從裝置外部輸入、通過數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70輸入的測(cè)試用刷新地址TAdd，也就是根據(jù)從裝置外部輸入的刷新地址來進(jìn)行。因此，將讀出、寫入地址“A1”以及刷新地址“A0”的關(guān)系設(shè)為最差地址條件，例如指定相鄰的兩個(gè)字線的行地址，可以在最差時(shí)序條件的基礎(chǔ)上在最差地址條件下進(jìn)行測(cè)試。
以下參照?qǐng)D12的流程圖，對(duì)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試步驟進(jìn)行說明。在以下的說明中，以第一最差時(shí)序條件的進(jìn)行測(cè)試后，在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試為例進(jìn)行說明。
首先和實(shí)施例1、2一樣，進(jìn)行保持性測(cè)試(S1)、內(nèi)存寫入(S2)，和實(shí)施例3一樣進(jìn)行第一最差時(shí)序條件下的測(cè)試模式輸入(S4)。
然后將TA從高電平切換為低電平，通過將第三動(dòng)作模式切換信號(hào)TE3上升為高電平，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路70取入從地址緩沖器電路21輸出的行地址AddR(測(cè)試用刷新地址數(shù)據(jù))，作為測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd提供給第四切換電路(MUX4)44。(步驟S5)然后將任意的讀出/寫入地址信號(hào)Add施加到地址端子(步驟S6)。
通過以上過程，依次進(jìn)行圖3所示的行地址“A1”的讀出、寫入動(dòng)作，以及相隔最小時(shí)間間隔“t1”后，依次進(jìn)行在行地址“R0”的自刷新動(dòng)作。
然后，讀出上述地址所指定的與字線連接的存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)，進(jìn)行數(shù)據(jù)檢驗(yàn)(步驟S7)。并且，如果檢驗(yàn)結(jié)果為“未通過”時(shí)，結(jié)束測(cè)試并廢棄該芯片(步驟S9)。如果檢驗(yàn)結(jié)果為“通過”時(shí)，判斷所有測(cè)試是否結(jié)束(步驟S8)，該判斷結(jié)果為“否”時(shí)，返回到步驟S5。
之后，直到所有測(cè)試是否結(jié)束的判斷結(jié)果為“是”時(shí)止，反復(fù)執(zhí)行步驟S5一S8。
上述判斷結(jié)果為“是”時(shí)，接著，將測(cè)試模式選擇信號(hào)TS從低電平切換為高電平，將第二動(dòng)作模式切換信號(hào)TE2上升為高電平，第三切換電路(MUX3)43被設(shè)定為，選擇第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2，其中第二測(cè)試用刷新脈沖信號(hào)TREF2是從第二測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路64輸出的(步驟S10)。
然后和步驟S5一樣，將測(cè)試用刷新地址數(shù)據(jù)AddR作為測(cè)試用行地址數(shù)據(jù)TAdd提供給第四切換電路(MUX4)44。(步驟S11)
然后，將任意的讀出/寫入地址信號(hào)Add施加到地址端子(步驟S12)。
通過以上過程，依次進(jìn)行圖5所示的行地址“R0”下的自刷新動(dòng)作，以及相隔最小時(shí)間間隔“t2”后依次進(jìn)行在行地址“A1”的讀出、寫入動(dòng)作。
然后，讀出上述地址所指定的與字線連接的存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)，進(jìn)行數(shù)據(jù)檢驗(yàn)(步驟S13)。并且，如果檢驗(yàn)結(jié)果為“未通過”時(shí)，結(jié)束測(cè)試并廢棄該芯片(步驟S15)。如果檢驗(yàn)結(jié)果為“通過”時(shí)，判斷所有測(cè)試是否結(jié)束(步驟S14)，該判斷結(jié)果為“否”時(shí)，返回到步驟S11。
之后，直到所有測(cè)試是否結(jié)束的判斷結(jié)果為“是”時(shí)止，反復(fù)執(zhí)行步驟S11一S14。
如以上說明，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式，除了上述第一至第三實(shí)施方式下所取得的效果，也著眼于讀出、寫入動(dòng)作的行地址和自刷新動(dòng)作的行地址的關(guān)系，強(qiáng)制生成最差地址條件，從而可以進(jìn)行測(cè)試。也就是說，在最差時(shí)序條件的基礎(chǔ)上可以強(qiáng)制生成最差地址條件。
(第五實(shí)施方式)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖13是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖。圖14是表示圖13所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第一最差條件下的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。圖15是圖13所示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第二最差條件下的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。
根據(jù)上述第一至第四實(shí)施方式，在確定測(cè)試模式下刷新動(dòng)作的時(shí)序時(shí)，通過以檢測(cè)外部輸入的地址變化的信號(hào)、即地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25所生成的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)為觸發(fā)，生成測(cè)試用刷新脈沖，從而可以將讀出、寫入動(dòng)作和刷新動(dòng)作強(qiáng)制地靠近生成。
但是在準(zhǔn)SRAM中，不只是地址的變化，也存在依存于從外部輸入的芯片或者存儲(chǔ)體等被選擇的區(qū)域選擇性地激活的信號(hào)，例如片選信號(hào)等，來生成ATD信號(hào)的情況。由于片選信號(hào)/CS的輸入不一定和內(nèi)部計(jì)時(shí)電路50所生成的時(shí)序信號(hào)TM同步，所以有時(shí)也需要對(duì)通常動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作和基于片選信號(hào)/CS的激活時(shí)序的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔進(jìn)行測(cè)試。
即，上述第一至第四實(shí)施方式的說明中是以片選信號(hào)/CS處在激活狀態(tài)下為前提進(jìn)行的說明，以下的說明的前提是不存在地址的變化，片選信號(hào)/CS從非激活狀態(tài)轉(zhuǎn)換到激活狀態(tài)。并且，本實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在/CS＝1時(shí)，設(shè)定為非激活狀態(tài)，在/CS＝低電平時(shí)設(shè)定為激活狀態(tài)。隨著/CS的下降，地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路(ATD電路)25生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD，以該地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD作為觸發(fā)，在上述第一最差時(shí)序條件和第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行測(cè)試動(dòng)作。
以下，對(duì)測(cè)試模式動(dòng)作進(jìn)行說明。該測(cè)試模式動(dòng)作如上所述，存在第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作和在第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作。圖14是用于說明第一最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。圖15是用于說明第二最差時(shí)序條件下進(jìn)行的測(cè)試動(dòng)作的時(shí)序圖。
實(shí)施例5和實(shí)施例1～4的不同點(diǎn)只是隨著/CS的下降(從非激活狀態(tài)切換到激活狀態(tài))生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD。
即，在圖14所示的第一最差條件下的測(cè)試動(dòng)作中，接受到T102下/CS的下降，生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD(T103)。以下和實(shí)施例1～4一樣，以規(guī)定的時(shí)間間隔t1生成由地址A0所指定的存儲(chǔ)單元的讀出、寫入動(dòng)作和由地址A1所指定的和字線相關(guān)的刷新動(dòng)作。并且，圖14是以從外部輸入刷新地址的測(cè)試動(dòng)作(實(shí)施例)為例的，所以測(cè)試模式輸入(T101)、刷新地址的取入等和實(shí)施例4一樣進(jìn)行。
進(jìn)一步，關(guān)于圖15所示的第二最差時(shí)序條件下的測(cè)試動(dòng)作，接受到/CS下降(T105)，生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD(105)，此外，和實(shí)施例1～4是一樣的，以規(guī)定的時(shí)間間隔t2生成由地址A2所指定與字線相關(guān)的刷新動(dòng)作和由地址A0所指定的存儲(chǔ)單元的讀出、寫入動(dòng)作。測(cè)試模式輸入(T104)、刷新地址的取入等，都和圖14一樣與實(shí)施例4相同的步驟進(jìn)行。
進(jìn)一步，上述第一至第五實(shí)施方式中，列舉了測(cè)試模式下進(jìn)行動(dòng)作的測(cè)試電路部內(nèi)置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的一個(gè)例子，根據(jù)需要，由存儲(chǔ)單元陣列和周邊電路構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的全體電路安裝到單一的芯片上，這樣的形態(tài)也可以，或者，全體電路分割為幾個(gè)功能塊，將各功能塊安裝到不同的芯片上，這樣的形態(tài)也可以。如果是后者，將存儲(chǔ)單元陣列和周邊線路搭載到不同的芯片上，封裝到一個(gè)封裝內(nèi)，這樣的混載IC也可。也就是說，將來自設(shè)置在存儲(chǔ)芯片外部的控制芯片的各種控制信號(hào)提供給存儲(chǔ)芯片，這樣的構(gòu)成也屬于本發(fā)明的范疇。
并且，本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施方式中的構(gòu)造，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，可以有各種變形。
在產(chǎn)業(yè)上的使用可能性根據(jù)本發(fā)明，可以對(duì)以下確認(rèn)動(dòng)作進(jìn)行檢驗(yàn)為了保證獨(dú)立發(fā)生的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀出、寫入動(dòng)作和自刷新動(dòng)作鄰近發(fā)生時(shí)也不會(huì)由于干擾導(dǎo)致誤動(dòng)作，通過強(qiáng)制施加規(guī)定的時(shí)間間隔使之動(dòng)作，不發(fā)生誤動(dòng)作。
并且，也著眼于讀出、寫入動(dòng)作的行地址和自刷新動(dòng)作的行地址的關(guān)系，通過進(jìn)行強(qiáng)制生成最差地址條件的測(cè)試，也可以在最差時(shí)序條件的基礎(chǔ)上進(jìn)行強(qiáng)制生成最差地址條件的測(cè)試。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元；對(duì)與輸入地址信號(hào)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、讀出或者寫入的訪問控制電路；刷新控制電路，在通常動(dòng)作模式下，以與所述訪問動(dòng)作獨(dú)立地發(fā)生的刷新時(shí)序，進(jìn)行刷新；在測(cè)試模式下，以響應(yīng)于所述訪問動(dòng)作所發(fā)生的刷新時(shí)序，進(jìn)行刷新。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述訪問動(dòng)作響應(yīng)于所述輸入地址信號(hào)的變化而發(fā)生。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述訪問動(dòng)作響應(yīng)于將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從非激活狀態(tài)切換到激活狀態(tài)的激活控制信號(hào)的變化而生成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述刷新控制電路在所述測(cè)試模式下，控制所述訪問和響應(yīng)于所述訪問所發(fā)生的刷新之間的時(shí)間間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述刷新控制電路在所述測(cè)試模式下控制所述刷新時(shí)序，以使在所述訪問結(jié)束后，相隔規(guī)定的時(shí)間后開始刷新。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述刷新控制電路在所述測(cè)試模式下控制所述刷新時(shí)序，以使刷新結(jié)束后，相隔規(guī)定的時(shí)間后開始所述訪問。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，在所述測(cè)試模式中被刷新的字線按外部輸入的地址被指定。
8.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元；響應(yīng)于輸入地址信號(hào)，生成地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)的地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路；刷新時(shí)序發(fā)生電路，在通常動(dòng)作模式下，生成和所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)獨(dú)立的通常動(dòng)作用刷新時(shí)序信號(hào)；在測(cè)試模式下，響應(yīng)于所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)，生成測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括存儲(chǔ)單元控制電路，所述存儲(chǔ)單元控制電路在響應(yīng)于所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)，對(duì)與所述輸入地址信號(hào)相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，進(jìn)行訪問、讀出或者寫入的同時(shí)，響應(yīng)于所述刷新時(shí)序發(fā)生電路的輸出信號(hào)，進(jìn)行刷新，所述刷新時(shí)序發(fā)生電路在所述測(cè)試模式下，生成所述測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)，以使得響應(yīng)于所述輸入地址信號(hào)變化的訪問和刷新在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，設(shè)定所述測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)，以使在所述訪問結(jié)束后，間隔所述規(guī)定的時(shí)間后開始刷新。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，設(shè)定所述測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)，以使在所述刷新結(jié)束后，間隔所述規(guī)定的時(shí)間后開始所述訪問。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，響應(yīng)于輸入的測(cè)試模式輸入信號(hào)，設(shè)置為所述通常動(dòng)作模式和所述測(cè)試模式的任意一種模式。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步包含刷新時(shí)序切換電路，所述刷新時(shí)序切換電路響應(yīng)于所述測(cè)試模式輸入信號(hào)，選擇所述通常動(dòng)作用刷新時(shí)序信號(hào)和所述測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)中的任意一信號(hào)，提供給所述存儲(chǔ)單元控制電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步包含地址切換電路，所述地址切換電路響應(yīng)于所述刷新時(shí)序切換電路的輸出信號(hào)，選擇所述輸入地址信號(hào)和刷新地址信號(hào)的任意一信號(hào)，提供給所述存儲(chǔ)單元電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述刷新時(shí)序發(fā)生電路生成第一測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)和第二測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)，所述第一測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)被設(shè)定為使得在對(duì)存儲(chǔ)單元的所述訪問結(jié)束后，間隔第一規(guī)定時(shí)間后，開始刷新；所述第二測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)被設(shè)定為使得在所述刷新結(jié)束后，間隔第二規(guī)定時(shí)間后，開始訪問。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步包含測(cè)試用刷新時(shí)序切換電路，所述測(cè)試用刷新時(shí)序切換電路響應(yīng)于輸入的測(cè)試用刷新時(shí)序選擇信號(hào)，選擇所述第一測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)和所述第二測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)的任意一信號(hào)，提供給所述刷新時(shí)序切換電路。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述刷新地址信號(hào)是內(nèi)部生成的地址信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步包含測(cè)試用刷新地址切換電路，所述測(cè)試用刷新地址切換電路響應(yīng)于輸入的測(cè)試用刷新地址選擇信號(hào)，選擇內(nèi)部生成的地址信號(hào)和外部輸入的地址信號(hào)的任意一信號(hào)，提供給所述地址切換電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述通常動(dòng)作用刷新時(shí)序信號(hào)基于和所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)獨(dú)立動(dòng)作的定時(shí)電路的輸出信號(hào)而生成。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)響應(yīng)于將所述半導(dǎo)體裝置從非激活狀態(tài)切換到激活狀態(tài)的激活控制信號(hào)的變化而生成。
21.一種測(cè)試電路，包括刷新時(shí)序發(fā)生電路和刷新時(shí)序切換電路，所述刷新時(shí)序發(fā)生電路生成和對(duì)應(yīng)于輸入地址信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問相獨(dú)立的通常動(dòng)作用刷新時(shí)序，以及，響應(yīng)于對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問的測(cè)試用刷新時(shí)序；所述刷新時(shí)序切換電路響應(yīng)輸入的測(cè)試模式輸入信號(hào)，選擇出所述通常動(dòng)作用刷新時(shí)序信號(hào)和所述測(cè)試用刷新時(shí)序信號(hào)的任意一信號(hào)后輸出。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的測(cè)試電路，其中，控制所述測(cè)試用刷新時(shí)序，使得所述訪問和對(duì)應(yīng)所述訪問的刷新在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)生成。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的測(cè)試電路，其中，設(shè)定所述測(cè)試用刷新時(shí)序，使得所述訪問結(jié)束后，間隔規(guī)定的時(shí)間后開始刷新。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的測(cè)試電路，其中，設(shè)定所述測(cè)試用刷新時(shí)序，使得刷新結(jié)束后，間隔規(guī)定的時(shí)間后開始所述訪問。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的測(cè)試電路，具有測(cè)試用刷新地址切換電路，所述測(cè)試用刷新地址切換電路響應(yīng)于輸入的測(cè)試用刷新地址選擇信號(hào)，選擇內(nèi)部生成的地址信號(hào)和外部輸入的地址信號(hào)的任意一信號(hào)后輸出。
26.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有需要刷新的多個(gè)存儲(chǔ)單元，該方法包括向所述存儲(chǔ)單元寫入規(guī)定的測(cè)試形式的步驟；不選擇和對(duì)應(yīng)于輸入地址信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問相獨(dú)立的刷新時(shí)序，而選擇響應(yīng)于所述訪問的刷新時(shí)序的步驟；所述訪問和與所述訪問對(duì)應(yīng)的刷新在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行的步驟；判斷步驟，將從所述存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)和所述測(cè)試形式進(jìn)行對(duì)照，以此判斷所述半導(dǎo)體裝置是合格品還是不合格品。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法，所述測(cè)試方法進(jìn)一步包括通過外部輸入地址信號(hào)指定進(jìn)行刷新的字線的步驟。
28.一種生成存儲(chǔ)單元的刷新時(shí)序的刷新時(shí)序發(fā)生電路，生成通常動(dòng)作用刷新時(shí)序，該時(shí)序是和對(duì)應(yīng)于輸入地址信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問相獨(dú)立的通常動(dòng)作用刷新時(shí)序，和測(cè)試用刷新時(shí)序，響應(yīng)于對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法，其中，控制所述測(cè)試用刷新時(shí)序，使得所述訪問和與所述訪問對(duì)應(yīng)的刷新在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)生。
30.一種存儲(chǔ)單元的刷新時(shí)序控制方法，在通常動(dòng)作模式下，根據(jù)與對(duì)應(yīng)于輸入地址信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問相獨(dú)立生成的時(shí)序進(jìn)行刷新；在測(cè)試模式下，根據(jù)響應(yīng)于所述訪問所生成的時(shí)序進(jìn)行刷新。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的刷新時(shí)序控制方法，在所述測(cè)試模式下進(jìn)行刷新，使得所述訪問和與所述訪問相對(duì)應(yīng)的刷新在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)生。
全文摘要
提供一種測(cè)試方法以及測(cè)試電路，可以對(duì)刷新動(dòng)作和讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)間間隔強(qiáng)制接近時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行確認(rèn)。通常動(dòng)作模式以及測(cè)試模式下的讀出、寫入動(dòng)作的時(shí)序根據(jù)地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD設(shè)定。通常動(dòng)作模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序響應(yīng)于定時(shí)電路(50)所生成的時(shí)序信號(hào)TM，根據(jù)刷新脈沖發(fā)生電路(60)所生成的標(biāo)準(zhǔn)刷新用脈沖信號(hào)REF來設(shè)定。測(cè)試模式下的刷新動(dòng)作的時(shí)序響應(yīng)于地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)信號(hào)ATD，根據(jù)第一測(cè)試用刷新脈沖發(fā)生電路(62)所生成的第一測(cè)試用刷新脈沖生成信號(hào)TREF1來設(shè)定。通過對(duì)第一測(cè)試用刷新脈沖生成信號(hào)TREF1的生成時(shí)序的控制，可以將讀出、寫入動(dòng)作和刷新動(dòng)作在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)生成。
文檔編號(hào)G11C29/08GK1703759SQ0282801
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2002年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月11日
發(fā)明者高橋弘行, 稻葉秀雄, 內(nèi)田祥三 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司