技術(shù)編號(hào)：6750471
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其測(cè)試方法和測(cè)試電路。背景技術(shù) 作為可隨機(jī)存取的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，最具代表性的是SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)以及DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。與DRAM相比，一般情況下SRAM速度快，并且只要提供電源并輸入地址，就可以捕捉該地址的變化，內(nèi)部的順序電路開始動(dòng)作，進(jìn)行讀出、寫入。和DRAM相比，由于只要施加單純的輸入信號(hào)波形SRAM就可動(dòng)作，所以生成該輸入信號(hào)波形的電路的構(gòu)成也可是簡(jiǎn)單的。此外，SRAM不需要象DRAM進(jìn)行刷新，以持續(xù)保...
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