專利名稱：旋涂介質(zhì)的制作方法
背景技術(shù)：
光學、磁性和磁光學介質(zhì)是構(gòu)成高性能存儲技術(shù)的基石，它們不但存儲容量高，而且每兆字節(jié)存儲量的價格也適中。面密度的單位一般是千兆位/平方英寸盤片表面積(吉位/平方英寸(Gbit/in2))，面密度等于線密度(位信息/英寸磁道)乘以磁道密度/英寸。提高面密度是降低每兆字節(jié)價格的關(guān)鍵因素，因此工業(yè)界一直都希望進一步提高面密度。
參照

圖1，表示的是低面密度系統(tǒng)1(即，面密度小于5Gbit/in2)，該系統(tǒng)包括讀取裝置3以及可記錄或可重寫存儲介質(zhì)5。該存儲介質(zhì)5包含常規(guī)層，該層包括數(shù)據(jù)層7、介電層9和9′、反射層11和保護層13。系統(tǒng)1在操作時，由讀取裝置3產(chǎn)生激光15，激光入射到光學透明基底17上。激光穿過基底17，然后穿過介電層9、數(shù)據(jù)層7和第二介電層9′。激光15接著通過反射而離開反射層11，向回穿過介電層9′、數(shù)據(jù)層7、介電層9和基底17，最后被讀取裝置3讀到。
高面密度存儲介質(zhì)與CD不同，其面密度比DVD還要高，一般都大于5Gbit/in2，這類存儲介質(zhì)大多采用的是第一表面或近場讀/寫技術(shù)，旨在提高面密度。對于這類存儲介質(zhì)而言，雖然并不太看重基底的光學質(zhì)量，但是基底的物理和機械性能卻變得越來越受重視。對于高面密度應(yīng)用而言，包括第一表面應(yīng)用，存儲介質(zhì)的表面質(zhì)量會影響讀取裝置的精度、數(shù)據(jù)存儲能力以及基底的復制質(zhì)量。
存儲介質(zhì)一般包含多個層，這些層一般由處于基底比如玻璃或鋁上的多層濺射淀積層或膜構(gòu)成?？赡艿膶影ǚ瓷鋵印⒔殡妼?、數(shù)據(jù)存儲層和保護層。由于讀/寫裝置與存儲介質(zhì)之間的公差很小，層的質(zhì)量比如表面光潔度、缺陷率等將是控制介質(zhì)制造技術(shù)、甚至是限制介質(zhì)制造技術(shù)的重要因素。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及旋涂方法和由此成型的制品。在一個實施方案中，該旋涂方法包含分配由溶劑與基于溶液總重量約3～約30％的熱塑性聚合物構(gòu)成的溶液，其中溶劑在常壓下的沸點約為110℃～約250℃，極性指數(shù)大于或等于4.0，pH值約為5.5～約9；旋轉(zhuǎn)基底；然后除去溶劑，獲得包含涂層的涂布基底，該涂層在整個涂布基底表面內(nèi)的起伏點少于或等于10個。
在另一個實施方案中，旋涂方法包含向基底上分配溶液，該溶液包含聚合物、沸點約為125℃～約180℃的第一溶劑和沸點約為190℃或更高的第二溶劑；然后旋轉(zhuǎn)基底，從而將溶液涂布在基底上。
在還一個實施方案中，旋涂方法包含旋轉(zhuǎn)基底，在按弧線平移方式于基底上方移動分配器的同時將溶液分配在基底上，然后旋轉(zhuǎn)基底，從而將溶液涂布在基底上。
以如下附圖和詳細說明為例來說明前述的特點和其它特點。
附圖簡述現(xiàn)在參照附圖，其中同一元件的標號相同圖1是現(xiàn)有技術(shù)低面密度系統(tǒng)的橫截面示意圖，它采用了光學透明基底；圖2是熱退火時間(烘烤時間)對粗糙度作的曲線圖；圖3是旋涂基底的頂視圖，其中涂層形成了“丘狀凸起(spoke)”；圖4是沿圖2中4-4剖線獲得的橫截面視圖，表示的是丘狀凸起；圖5是旋涂基底的頂視圖，其中涂層形成了“星爆狀紋路(starburst)”；圖6是基底的頂視圖，表示的是分配臂將待旋涂材料分配到基底上時所做的一種動作；圖7是基底的頂視圖，表示的是分配臂將待旋涂材料分配到基底上時所做的另一種動作；圖8是旋轉(zhuǎn)卡盤的橫截面?zhèn)纫晥D，設(shè)計該卡盤的目的是減弱背面污染程度和減少起伏點數(shù)。
發(fā)明詳述對于某些存儲介質(zhì)的實施方案而言，希望在成品盤片和/或下層基底上旋涂一層聚合物，目的是起到保護、找平作用和/或使在成品介質(zhì)中制造出物理形貌(比如凹坑、溝槽等)成為可能。在這些應(yīng)用當中，由于涂布方法不完善，因此很難達到表面質(zhì)量、波紋和起伏點要求。
許多數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)對表面質(zhì)量要求很嚴格，很難滿足，特別是旋涂塑料下層。未經(jīng)過圖案化的數(shù)據(jù)區(qū)域的典型要求包括低粗糙度(比如，粗糙度(Ra)小于或等于約20，優(yōu)選小于或等于約10，更優(yōu)選小于或等于約5)、微波紋(或宏波紋)(以約4mm2面積內(nèi)的峰谷差表示之，比如要求其小于或等于約35nm，優(yōu)選小于或等于約25nm，并且更優(yōu)選小于或等于約15nm)和起伏點(在整個盤片表面(比如，其表面積至少約為6,500mm2)內(nèi)少于或等于約5個，優(yōu)選少于或等于約3個，并且更優(yōu)選小于或等于約1個，其中起伏點的高度小于或等于約50nm，該高度優(yōu)選小于或等于約25nm，并且更優(yōu)選小于或等于約15nm)。起伏點指的是于介質(zhì)表面上凸起的任何有害表面特征。對于磁性介質(zhì)而言，質(zhì)量要求甚至更為嚴格。比如，表面粗糙度Ra優(yōu)選小于或等于約5，而微波紋優(yōu)選小于或等于約15nm(以約4mm2面積內(nèi)的峰谷差表示之)。對含有塑料層的介質(zhì)的其它要求包括該層與基底的粘結(jié)強度。粘結(jié)強度或剝離強度可通過現(xiàn)有技術(shù)已知的各種方法進行測定。一種方法涉及首先在聚合物膜上淀積1,000鈦。然后在鈦上再淀積1,000銅。最后在這些濺射膜上電鍍25μm銅。通過蝕穿或劃穿金屬層，成型出一條1/8in寬、大于或等于約1in長的金屬線。將成型金屬線的一端從基底上揭起，長約0.25in。然后將樣品放入力測試系統(tǒng)(比如可從Ametek Inc.獲得)中，以15mm/min的速度測試從基底上剝下該成型金屬線時所需的力。將所獲得的值乘以8，就是剝離強度(1b/in)。根據(jù)該方法所測得的結(jié)果，剝離強度至少約為11b/in才能滿足要求，優(yōu)選至少約為21b/in。
通過使用防污染的卡盤、正確選擇待旋涂聚合物、待旋涂塑料用的溶液、在高于或等于該塑料玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的溫度下對熱塑性聚合物進行退火處理、或者在等于或高于材料固有軟化點的溫度(但是比引發(fā)交聯(lián)所需的溫度要低)下對熱固性聚合物進行退火處理、和/或采用具有適宜特性的熱塑性聚合物來減少甚至消除有害的表面缺陷(比如，起伏點、微波紋、厚度不均勻性(比如邊緣顆粒、“丘狀凸起”、“星爆狀紋路結(jié)構(gòu)”等)和粗糙度(比如，大于約20)，由此將聚合物分配在基底表面上，就能達到這些要求。
基底中心有孔(比如，包含對稱結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)等等)，在旋涂該基底的過程中，臂可以平移至旋轉(zhuǎn)基底的內(nèi)周，然后在此分配溶液(比如，包含聚合物和溶劑)。這樣就會產(chǎn)生溶液環(huán)，溶液環(huán)在形成后就會受離心力的作用以足夠快的速度使涂布溶液沿基底擴散。但是，環(huán)分配法有可能使膜厚度在整個基底表面內(nèi)的不均勻性產(chǎn)生明顯偏差。這些不均勻性可以表現(xiàn)為多種形式，兩個最為常見的形式是“丘狀凸起”(見圖3和4)和“星爆狀紋路”圖案(圖5)，丘狀凸起的形式是非常薄的、由內(nèi)周向外周延伸的圓丘狀結(jié)構(gòu)，而星爆狀紋路則表現(xiàn)為膜厚度沿圓周方向產(chǎn)生偏差。在這些圖中，膜厚度由內(nèi)周向外周延伸呈楔形，這是旋涂膜在基底上的典型形式，以輪廓線表示中心孔(內(nèi)周膜較薄，外周膜較厚)，以附加輪廓線或變形輪廓線表示丘狀凸起和星爆狀紋路偏差。
通過采用這種涂布溶液，其粘度能夠在分配溶液頭與分配溶液尾之間達到更好的融合效果(比如，分配溶液環(huán)首尾相接成環(huán))，采用旋涂法時就能獲得基本上均勻的厚度(比如，厚度偏差小于或等于10％，優(yōu)選厚度偏差小于或等于約5％)了?？梢圆捎谜扯刃∮诨虻扔诩s為2,000cps的涂布溶液，優(yōu)選小于或等于約750cps，并且甚至更優(yōu)選小于或等于約500cps。粘度越低，材料就越容易均勻擴散，旋落之前所形成的融合線就越不明顯。
除了采用低粘度涂布溶液以外，還可以采用動態(tài)分配法來獲得所需的厚度均勻性，該方法在基底內(nèi)周附近所產(chǎn)生的溶液環(huán)更為均勻，該方法也可以單獨采用?？衫梅峙錁邮絹慝@得基本上均勻的厚度，該樣式包含在旋涂盤片的同時由待涂布區(qū)域外周向內(nèi)周平移分配臂，同時分配溶液(見圖6)。待達到待涂布區(qū)域內(nèi)周后，優(yōu)選將分配臂在該區(qū)域上方至少保持一滿轉(zhuǎn)，然后使分配臂再平移返回基底外周，然后結(jié)束溶液分配過程。該方法沿盤片表面形成溶液螺旋并且在內(nèi)周形成均勻的溶液環(huán)。因為待涂布區(qū)域內(nèi)周未發(fā)生涂布溶液突然開始和突然停止現(xiàn)象，所以可以避免由此而在內(nèi)周環(huán)中產(chǎn)生缺陷，從而獲得厚度均勻效果(比如，厚度偏差降低至約5％以下)。
或者，分配臂可以沿盤片按弧線方式平移(見圖7)。如果在盤片按某一標準速度(比如約120rpm)旋轉(zhuǎn)的同時進行該操作的話，那么就能在所需的涂布內(nèi)周處通過分配而獲得均勻的溶液環(huán)。與另一種分配方法一樣，該方法可通過分配而獲得基本上均勻的內(nèi)周溶液環(huán)，并且在基底上生成厚度均勻的涂層。
除了厚度基本均勻以外，還希望降低起伏點的數(shù)目。因為起伏點一般是由于涂布溶液中存在顆粒狀污染物(比如，來自于聚合物和/或溶劑)、和/或未溶解的聚合物凝膠以及旋涂過程中旋落材料再次沉積而造成的，優(yōu)選在分配之前對涂布溶液進行過濾。通過采用單膜片或多層形式的濾器(比如聚四氟乙烯(PTFE)、超高密度聚乙烯(UPE)等)，可顯著降低旋涂基底上起伏點的數(shù)目。因為同標準孔徑較大的濾器系統(tǒng)相比，使用孔徑較小的濾器可降低起伏點的數(shù)目和尺寸，所以優(yōu)選標準孔徑小于或等于約100nm的濾器，更優(yōu)選標準孔徑小于或等于約50nm的濾器，并且特別優(yōu)選標準孔徑小于或等于約25nm的濾器。過濾可在涂布溶液分配之前進行，和/或在分配過程中進行點過濾。
除了過濾以外，采用帶有一個或多個突出結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)卡盤可有助于降低起伏點的數(shù)目和尺寸。參照圖8可知，突出結(jié)構(gòu)21可防止旋落材料再次回到盤片13的正面，或者沾在背面15上。在對基底進行雙面涂布的應(yīng)用中，防止背面污染也是一個需要解決的問題。
如前所述，背面污染也是成型數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)時所遇到的一個問題。污染還可能是與卡盤自身接觸而造成的。比如，從卡盤上取下基底(兩面均包含涂層)時，與卡盤接觸可產(chǎn)生超過約25nm、約50nm并且甚至超過約100nm的起伏點。再參照圖8，通過采用圖示設(shè)計，可避免材料再次沉積到基底的正面和背面上，并且可防止卡盤與基底的涂布區(qū)域發(fā)生接觸?？ūP包含中心部分23(一般稱為盤芯)，它的作用是配合基底1上的孔。放在卡盤上時，基底1與凸緣19配合，該凸緣的外徑優(yōu)選比基底1第二面15上的涂層內(nèi)徑小。
突出結(jié)構(gòu)21處于基底1外周或其附近，其高度優(yōu)選小于凸緣19的高度，從而基底1在靜止時不與突出結(jié)構(gòu)21發(fā)生物理接觸。因此，突出結(jié)構(gòu)21的高度就比凸緣的高度小，突出結(jié)構(gòu)的高度優(yōu)選大到足以能防止污染物(和/或第一面上的涂布溶液顆粒)因被吸入基底1之下而進入第二面15。雖然突出結(jié)構(gòu)21的高度優(yōu)選比凸緣的高度小，但其高度至少約為凸緣高度的85％，更優(yōu)選其高度至少約為凸緣高度的90％，甚至更優(yōu)選其高度至少約為凸緣高度的95％，并且特別優(yōu)選其高度至少約為凸緣19高度的98％。突出結(jié)構(gòu)的長度可變，從足以在卡盤操作條件下提供結(jié)構(gòu)完整性的長度，到等于甚或超過凸緣19至基底1外周的距離的長度不等。
卡盤的全外徑優(yōu)選基本上等于或者大于基底1第二面15上涂層的外徑。因此，為了避免背面污染，突出結(jié)構(gòu)21的外徑至少基本上等于或者大于背面涂層的外徑?？ūP任選帶有延伸部分17，其外徑大于基底1的外徑。該延伸部分17可避免材料(比如污染物)在從第一面13旋落之后由于空氣流的作用而再次回到第一面13中去并污染之。
與起伏點一樣，其它表面質(zhì)量的要求也很嚴格，比如微波紋、粗糙度、平坦度等等，這樣才能實現(xiàn)可靠的頭磁道尋軌并獲得足夠的信噪比，從而使該介質(zhì)能夠獲得實際應(yīng)用(比如，盤片的讀取和寫)。為了解決基底中旋涂膜的這些質(zhì)量問題，一種辦法是包含涂布溶液中所用的那類溶劑。在一個實施方案中，溶劑共混物或混合物優(yōu)選表現(xiàn)出所需的粘度。如果溶劑的沸點太低(Tb小于約100℃)，進而揮發(fā)性太大，那么在旋落時就會使膜發(fā)生局部干燥和結(jié)皮現(xiàn)象。局部干燥和結(jié)皮現(xiàn)象可在膜中產(chǎn)生應(yīng)力梯度，這會造成過多的條紋和微波紋。如果溶劑沸點太高(Tb大于約180℃)，那么溶劑在旋涂過程中就無法充分揮發(fā)，旋轉(zhuǎn)之后膜的粘度就會過低。這種膜在旋轉(zhuǎn)后會因為應(yīng)力和表面張力的作用(邊緣效應(yīng)、基底取向)而再次發(fā)生流動，從而產(chǎn)生膜厚不均勻的區(qū)域。通過采用溶劑共混物，它包含沸點(Tb)為約100℃～約180℃(優(yōu)選約145℃～約165℃)的低沸點溶劑和高沸點(比如，Tb約190℃或更高)溶劑，所獲得的旋涂膜的表面質(zhì)量為Ra小于或等于約10，甚至小于或等于約8，而波紋(以約4mm2面積內(nèi)的峰谷差表示)小于或等于約25nm，甚至小于或等于約15nm。
與僅采用低Tb溶劑或僅采用高Tb溶劑相反，通過在涂布溶液旋涂過程中采用溶劑共混物，低沸點溶劑以中等速度蒸發(fā)，使膜干燥而提高粘度，令膜“變定”，使得膜在旋涂過程結(jié)束之后不易再次產(chǎn)生流動。因為沸點較高的溶劑其揮發(fā)性不大，膜不會因為過分干燥而產(chǎn)生局部應(yīng)力區(qū)域，該局部應(yīng)力會導致膜厚不均。溶劑優(yōu)選包含約5～約50重量％的低Tb溶劑，優(yōu)選約25重量％～約45重量％的低Tb溶劑，并且更優(yōu)選約25重量％～約35重量％的低Tb溶劑，基于溶劑的總重量，余量為高Tb溶劑?？赡艿牡蚑b溶劑包括茴香醚(Tb約為155℃)、二氯苯(Tb約為180℃)、二甲苯(Tb約為140℃)等，以及包含至少一種前述溶劑的組合?？赡艿母逿b溶劑包括甲酚(Tb約為200℃)、γ-丁內(nèi)酯(Tb約為206℃)、苯乙酮(Tb約為203℃)、N-甲基-吡咯烷酮(Tb約為202℃)等，以及包含至少一種前述溶劑的組合。
無論溶劑是單一溶劑還是混合溶劑，這些溶劑均優(yōu)選包含特定的特性，這些特性將有助于形成均勻的旋涂層，該涂層的起伏點小于或等于5，Ra小于或等于20，起伏點甚至小于或等于3，而Ra甚至小于或等于5(比如對于磁性介質(zhì)應(yīng)用而言)。溶劑(或溶劑混合物)的特性優(yōu)選包括a)常壓下的沸點約100℃～約300℃，優(yōu)選約110℃～約250℃；b)不含鹵素(即，鹵素含量低于1％)；c)含水量小于或等于約5重量％，優(yōu)選小于或等于1重量％，并且更優(yōu)選小于或等于約0.5％，基于溶劑的總重量；d)pH值為約5.5～約9，優(yōu)選約6～8，并且更優(yōu)選約6.5～約7.5；e)極性指數(shù)為約3～約10(極性指數(shù)可參見L.R.Snyder，J.Chromatographic Science(第16卷)223-234，(1978))，這些值優(yōu)選是在pH值約6～約8下測得的；f)介電常數(shù)(K)大于或等于約4，優(yōu)選大于或等于約10，這些值也優(yōu)選是在pH值約6～約8下測得的；g)閃點大于或等于約20℃，大于或等于約50℃，優(yōu)選大于或等于約100℃；h)凝固點小于或等于0℃，優(yōu)選小于或等于約-20℃；優(yōu)選包含前述至少一項特性的組合。
某些可能的溶劑包括，乙酸芳基酯和乙酸C4-C10烷基酯、碳酸C2-C6烷基酯、甲酰胺、N-C1-C6烷基甲酰胺、C1-C6烷基亞砜、乙酸烷氧基烷基酯、N-C1-C6烷基吡咯烷酮、酚、C1-C6烷基酚、芳基醚、C1-C6烷基芳基醚、C1-C6烷基脲、C4-C6環(huán)丁砜、N-乙?；h(huán)醚、C1-C6烷基乙酰胺、C1-C6烷基磷酰胺、C3-C6內(nèi)酯、芳基烷基酮以及包含至少一種前述溶劑的可溶性組合。溶劑的實例包括，乙酸丁酯、碳酸二乙酯、甲酰胺、甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、乙酸甲氧基乙酯、N-甲基吡咯烷酮、碳酸亞丙酯、茴香醚、四甲基脲、二甲基脲、環(huán)丁砜、甲基茴香醚、N-乙酰基嗎啉酮、二甲基乙酰胺、一甲基乙酰胺、veratole、六甲基磷酰胺、丁內(nèi)酯、苯乙酮、苯酚、甲酚、2，4，6-三甲苯酚、二甲苯酚以及包含至少一種前述溶劑的可溶性組合。據(jù)信本發(fā)明方法可使用的溶劑包括，水、乙酸、甲酸、甲醇、乙醇、乙醇胺、氨水、甲胺、二甲胺、乙胺、苯胺、苯二胺、乙醚、己烷、戊烷、環(huán)己烷、環(huán)戊烷和石油醚。
通過在涂布之后對膜進行熱退火處理，也可以改善旋涂膜的粗糙度和微波紋。對于熱塑性膜而言，在高于熱塑性聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的溫度下進行退火，可以使材料能夠流動和自流平，由此對改善粗糙度有利。優(yōu)選在比Tg高約25℃或更高、更優(yōu)選比Tg高約50℃或更高、最優(yōu)選比Tg高約100℃或更高的溫度下和在足夠長的時間內(nèi)對膜進行退火處理，目的是使膜軟化而不使其發(fā)生明顯的交聯(lián)或其它化學變化。通過繼續(xù)延長退火時間，可進一步改善退火所帶來的光滑或找平效果，退火時間優(yōu)選約2h或更長，更優(yōu)選大于或等于約10h，并且甚至更優(yōu)選大于或等于約20h。
圖2表示的是代表性熱塑性聚合物其退火時間與粗糙度的關(guān)系，在比其固有軟化溫度高的溫度下對熱固性聚合物和其它可交聯(lián)聚合物進行退火時(比如，聚酰亞胺前體聚酰胺酸的軟化溫度為約100℃～約150℃)，該理論也適用。只要進行退火處理時溫度不至太高和/或時間不至太長，以致產(chǎn)生了交聯(lián)或其它化學變化，那么就可以達到改善粗糙度的目的。
為了改善涂層與基底的粘結(jié)性，任選采用粘結(jié)力促進劑，比如有機硅烷或其它粘結(jié)力促進劑。在采用的粘結(jié)力促進劑時，一般都將它們?nèi)芙庠谌軇┲?，比如甲醇、水以及包含至少一種前述溶劑的組合，等等，在施用聚合物之前將其施用在盤片上。待粘結(jié)力促進劑涂布在基底上之后，就可按照之前所述施用涂布溶液了。某些可能的粘結(jié)力促進劑包括，帶有烷基氨基、烷基酰胺、烷基環(huán)氧和烷基巰基官能團的烷氧基硅烷。
比如，將聚醚酰亞胺樹脂(比如Ultem樹脂級1000，由GeneralElectric Company市售)溶解在茴香醚/γ-丁內(nèi)酯溶劑系統(tǒng)中(溶劑的重量比約為50∶50，還有15重量％Ultem樹脂)。將任選經(jīng)過拋光的基底(金屬(比如鋁等)、玻璃、陶瓷、聚合物、金屬基質(zhì)復合材料和合金以及包含至少一種前述材料的組合，等等)放在卡盤上，用機械裝置或真空固定之。然后將粘結(jié)力促進劑分配在旋轉(zhuǎn)或靜止的基底上而施用之，該粘結(jié)力促進劑比如是5ml水/甲醇溶液，該溶液含有0.05％VM651(α-氨丙基三乙氧基硅烷粘結(jié)力促進劑，由DuPon市售)。然后優(yōu)選使基底旋轉(zhuǎn)約30s，以分配粘結(jié)力促進劑，其速度比如最高約為2,000rpm。如果采用了粘結(jié)力促進劑，那么任選在施用聚合物之前，將基底比如用甲醇進行清洗，以除去過量的粘結(jié)力促進劑，然后干燥之(比如空氣干燥、真空干燥、加熱干燥等等)。
涂布溶液可以按圖3-5所示施用在基底上。施用完粘結(jié)力促進劑之后，將涂布溶液施用到基底上。然后旋轉(zhuǎn)基底，使涂布溶液沿基底基本上均勻分布，以致成膜。膜的厚度取決于各種參數(shù)，比如涂布溶液質(zhì)量、所需的厚度、涂布溶液粘度、旋轉(zhuǎn)速度、旋轉(zhuǎn)時間長短、涂布溶液固含量和環(huán)境條件(包括溫度、濕度、氣氛類型以及氣壓)等等。雖然厚度可達到約0.1μm以下，但優(yōu)選膜的厚度足夠大，從而可在膜上創(chuàng)造出任何所需的表面特征(比如凹坑、溝槽、紋路等)。一般而言，厚度最高可達約50μm，優(yōu)選小于或等于約10μm，并且對于存儲介質(zhì)型應(yīng)用而言，特別優(yōu)選小于或等于約5μm。最終厚度范圍是多少，將部分取決于需要在膜上創(chuàng)造的任何特征的深度，以及基底上任何需要膜來掩蓋的表面缺陷的大小。
對于旋轉(zhuǎn)時間長短和速度而言，其值必須足夠大，從而能夠?qū)⑼坎既芤貉鼗追峙涞剿璧膮^(qū)域中去，選擇這些參數(shù)時基于幾個因素，包括比如涂布溶液粘度、固含量和所需的涂層厚度；所有相互依存的參數(shù)。但是，旋轉(zhuǎn)速度一般為大于或等于約2,000rpm，旋轉(zhuǎn)時間為高達約25s或更長，優(yōu)選在大于或等于約4,000rpm的旋轉(zhuǎn)速度下旋轉(zhuǎn)最長約15s。比如，在采用含有15重量％Ultem樹脂級1000在茴香醚/γ-丁內(nèi)酯溶劑中的涂布溶液施涂3μm厚涂層時，其旋轉(zhuǎn)速度為2,000rpm，旋轉(zhuǎn)時間為25s。
沿基底分配完涂層之后對涂層進行干燥，優(yōu)選在惰性氣氛如氮氣下進行干燥，干燥時間要足夠長，以除去溶劑并使聚合物前體發(fā)生聚合(根據(jù)某些特定實施方案的要求)，干燥速率以獲得所需表面質(zhì)量為準。將涂布基底升高至所需溫度時，可通過控制升溫速率而使除溶劑操作不對表面特征產(chǎn)生任何有害影響。比如，加熱涂布基底時，加熱溫度高于或等于約200℃，一般優(yōu)選高于或等于約250℃，速率小于或等于約10℃/min，速率優(yōu)選小于或等于約5℃/min，速率特別優(yōu)選小于或等于約3℃/min。在基底達到所需溫度之后，使其在該溫度下保持足夠長的時間，以除去溶劑和根據(jù)需要使聚合物前體發(fā)生聚合，然后冷卻之。所用的時間一般高達幾個小時，優(yōu)選小于或等于約2h，并且特別優(yōu)選幾分鐘或其幾分之一。按此方式制造的基底可用作數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用，比如硬磁盤等，隨后任選對該基底進行加工處理。
從理論上講，基底和/或基底上的聚合物涂層可包含任何具有適當性能的聚合物，比如該聚合物必須能承受后續(xù)加工參數(shù)(比如后續(xù)涂層的施用)，比如濺射(即，對于磁性介質(zhì)而言，溫度從室溫至超過約200℃(一般等于或者超過約300℃)，而對于磁光學介質(zhì)而言，溫度從約室溫(約25℃)至約150℃)。就是說，希望聚合物有足夠的熱穩(wěn)定性，目的是為了防止它在淀積過程中產(chǎn)生形變。對于磁性介質(zhì)而言，適當?shù)木酆衔锇úＡЩD(zhuǎn)變溫度優(yōu)選大于或等于約180℃，更優(yōu)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度大于或等于約200℃的熱塑性聚合物(比如，聚醚酰亞胺、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、聚醚酮、聚酯碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚苯砜、聚苯醚、聚酰亞胺、耐熱性聚碳酸酯等等，及其前體、反應(yīng)產(chǎn)物，以及包含至少一種前述材料的組合)；甚至更優(yōu)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度大于或等于約250℃的材料(比如以砜聯(lián)二苯胺或氧聯(lián)二苯胺代替間苯二胺而制得的聚醚酰亞胺、聚酰亞胺等，及其前體、反應(yīng)產(chǎn)物，以及包含至少一種前述材料的組合)。
因為許多應(yīng)用都需要玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的聚合物，所以最好能夠調(diào)整聚合物(均聚物、共聚物或共混物)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，從而獲得玻璃化轉(zhuǎn)變溫度符合需要的膜。因此，制備涂布溶液時可以采用聚合物共混物，比如美國專利5,534,602(Lupinski和Cole，1996)所述的那些。在該實例中，聚合物共混物提供了根據(jù)需要可變的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，從約190℃～約320℃。
某些可能的熱塑性聚合物的實例包括但不限于，非晶態(tài)材料、結(jié)晶材料、半結(jié)晶材料及其前體、反應(yīng)產(chǎn)物，以及包含至少一種前述材料的組合。比如，聚合物可包含聚氯乙烯、聚烯烴(包括但不限于，線性和環(huán)狀聚烯烴，包括聚乙烯、氯化聚乙烯、聚丙烯等)、聚酯(包括但不限于，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸環(huán)己基亞甲基酯、等等)、聚酰胺、聚砜(包括但不限于，氫化聚砜等等)、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚苯硫、聚醚酮、聚醚醚酮、ABS樹脂、聚苯乙烯(包括但不限于，氫化聚苯乙烯、間同立構(gòu)和無規(guī)立構(gòu)聚苯乙烯、聚環(huán)己基乙烯、苯乙烯-共聚-丙烯腈、苯乙烯-共聚-馬來酸酐等等)、聚丁二烯、聚丙烯酸酯(包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯-聚酰亞胺共聚物等等)、聚丙烯腈、聚縮醛、聚碳酸酯、聚苯醚(包括但不限于，從2，6-二甲基苯酚衍生的聚苯醚以及聚苯醚與2，3，6-三甲基苯酚的共聚物，等等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、液晶聚合物、乙烯-聚四氟乙烯共聚物、芳香族聚酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚偏二氯乙烯、特氟隆等等。對于磁性介質(zhì)，優(yōu)選的熱塑性聚合物包括聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、耐熱性(比如大于或等于約175℃)聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯砜、和包含至少一種前述熱塑性聚合物的組合。
另外，在本發(fā)明弧線方式分配的實施方案中可采用熱固性聚合物，熱固性聚合物可以與熱塑性聚合物組合使用，或者代替之，只要熱固性聚合物在模壓條件下具備足夠的流動性從而能夠形成所需的表面特征即可，熱固性樹脂比如是環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂、聚酯、聚酰亞胺、聚氨酯、無機填料填充硅氧烷、雙馬來酰亞胺、氰酸酯、乙烯基樹脂和苯并環(huán)丁烯樹脂。另外，聚合物可包含共混物、前體、共聚物、混合物、反應(yīng)產(chǎn)物，以及包含至少一種前述熱塑性和/或熱固性聚合物的組合。
在一個實施方案中，所用的熱塑性聚合物包含性能的特定組合。其中一種性能是其反應(yīng)活性。在該實施方案中，熱塑性聚合物不具有反應(yīng)活性。換句話說，熱塑性聚合物包含少于或等于約20meq/kg的活性端基。熱塑性聚合物優(yōu)選包含少于或等于約10meq/kg的活性端基。比如，活性端基可包括羧酸、羧酸鹽、羧酸酐、胺、苯酚、醇、腈、環(huán)氧化物、氧雜環(huán)丁烷、烯、炔、環(huán)丁基(比如、環(huán)丁烷、環(huán)丁烯等等)、異氰酸酯、氰脲酸酯、噁唑以及包含至少一種前述活性端基的組合。熱塑性聚合物也優(yōu)選具有的重均分子量(Mw)為約10,000～約500,000Dalton，更優(yōu)選約20,000～約70,000Dalton，分子量是以二氯甲烷為溶劑通過凝膠滲透色譜法測定的。
為了進一步證實熱塑性聚合物不具有反應(yīng)活性，熱塑性聚合物在整個涂布過程中的分子量變化不超過約25％(比如，從向溶劑中引入之前直至貫穿整個壓制過程)，優(yōu)選分子量變化不超過約10％。
能否可靠地制造出起伏點和Ra水平符合需要的旋涂基底，起決定作用的其它特性與溶液有關(guān)。溶液的pH值優(yōu)選約5.5～約8，更優(yōu)選pH值約6～約7.5。溶液的粘度為約1～約30,000cps，優(yōu)選約1～約2,000cps，粘度是按照ASTM D1824測定的。在溫度45℃下放置3h后測定時，溶液的粘度變化優(yōu)選小于或等于約25％，更優(yōu)選小于或等于約10％。
為了能夠可靠地制造涂層，也需選擇溶液的組成。優(yōu)選溶液包含約3～約30重量％固含量，基于溶液的總重量，優(yōu)選約5～15重量％固含量。溶液中有害污染物(顆粒、凝膠等)的顆粒直徑(沿長軸測定)優(yōu)選小于或等于約0.05μm，優(yōu)選直徑大于0.05μm的顆粒小于或等于總重量的約0.1重量％，比如可通過激光掃描法測定之。溶液也優(yōu)選包含小于或等于約5重量％的含水量，更優(yōu)選小于或等于約2重量％，并且更優(yōu)選小于或等于約0.5重量％，基于溶液的總重量。溶液進一步優(yōu)選包含濁度(比如，霧度百分比)，它是按照ASTM D1003測定的，該濁度小于或等于約5％，優(yōu)選小于或等于約1％。
在將聚合物涂層施用到基底至少一面的至少一部分上之后，可對涂層進行壓花處理。撇開理論不管，由于聚合物具有流變特性，所以不僅可以在基底中壓出凹坑、溝槽、小圖案、伺服圖案和邊緣特征，而且也可以壓出所需的表面質(zhì)量(比如所需的光滑度、粗糙度、微波紋、紋路(比如磁粒取向度的微紋路)和平坦度)。壓花表面特征的深度最大約200nm。一般可以采用深度大于或等于約5nm的表面特征，優(yōu)選大于或等于約10nm，更優(yōu)選大于或等于約20nm，優(yōu)選約50nm。就橫向尺寸而言，表面特征，特別是磁性數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的表面特征，優(yōu)選其“短”尺寸等于或大于約250nm，更優(yōu)選小于或等于約200nm，甚至更優(yōu)選小于或等于約150nm，特別優(yōu)選小于或等于約100nm。
在壓花或按其它方式在涂層中創(chuàng)造出所需表面特征之后，可利用一種或多種技術(shù)在基底上施涂各種附加層，比如濺射法、化學汽相淀積法、等離子體增強化學汽相淀積法、活性濺射法、蒸發(fā)法、噴霧法、涂刷法等，以及包含至少一種前述技術(shù)的組合。一般而言，施用在基底上的層可包括一個或多個數(shù)據(jù)存儲層(比如磁性層、磁光學層、光學層等)、保護層、介電層、絕緣層、包含至少一種前述層的組合，等等。
數(shù)據(jù)存儲層可包含任何能夠存儲可檢索數(shù)據(jù)的材料，比如光學層、磁性層、或磁光學層，其厚度最大為約600，優(yōu)選厚度最大約300。可能的數(shù)據(jù)存儲層包括但不限于，氧化物(比如氧化硅氧烷)、稀土元素-過渡金屬合金、鎳、鈷、鉻、鉭、鉑、鋱、釓、鐵、硼等，以及合金和包含至少一種前述材料的組合，有機染料(比如花青或酞菁型染料)、以及無機相變化合物(比如TeSeSn或InAgSb)。優(yōu)選數(shù)據(jù)層的矯頑力至少為約1,500奧，特別優(yōu)選矯頑力至少為約3,000奧。
保護層可起到防護灰塵、油污和其它污染物的作用，其厚度大于或等于100μm～小于或等于約10，在某些實施方案中優(yōu)選其厚度小于或等于約300。在另一個實施方案中，特別優(yōu)選其厚度小于或等于約100。保護層的厚度一般至少部分取決于所用的讀取/寫機構(gòu)的類型，比如是磁性、光學還是磁光學介質(zhì)。可能的保護層包括，耐蝕材料比如氮化物(比如氮化硅和氮化鋁，等等)、碳化物(比如碳化硅等)、氧化物(比如二氧化硅等等)、聚合物(比如聚丙烯酸酯、聚碳酸酯和前述的其它聚合物)、碳膜(金剛石、類金剛石碳等等)等等，以及包含至少一種前述材料的組合。
介電層在某些存儲方案中一般用作熱控制體，其厚度一般最高為約1,000?；蛘吒?，并且最低約為200?？赡艿慕殡妼影ǖ?比如氮化硅和氮化鋁，等等)；氧化物(比如氧化鋁)、碳化物(比如碳化硅)；以及包含至少一種前述材料的組合，還有與環(huán)境相容并優(yōu)選與鄰層不發(fā)生反應(yīng)的其它材料。
如果需要反射層的話，其厚度必須足夠大，以便反射足夠多的能量，從而使數(shù)據(jù)檢索成為可能。反射層的厚度一般最高約為700，其厚度一般優(yōu)選約300?！s600。可能的反射層包括任何能夠反射特定能場的材料，包括金屬(比如鋁、銀、金、鈦和合金以及包含至少一種前述材料的混合物，等等)。除了數(shù)據(jù)存儲層、介電層、保護層和反射層之外，還可以采用其它層，比如潤滑層等等。有用的潤滑劑包括氟化合物，特別是氟油和滑脂，等等。
實施例實施例1將聚合物涂層旋涂在玻璃基底上，該涂層的Ra為約4；高度大于25nm的起伏點的數(shù)目小于10個；4mm2面積內(nèi)的微波紋約為25nm；厚度不均勻性為標準厚度的±10％。涂布溶液由18重量％Ultem1000(基于溶液的總重量)和50∶50的茴香醚(極性指數(shù)為3.8)苯乙酮(極性指數(shù)為4.8)構(gòu)成，按標準粒度0.05μm過濾該溶液。溶液經(jīng)過過濾后，其粘度約1,200cps，將其按螺旋方式動態(tài)分配在基底上，同時以150rpm的速度旋轉(zhuǎn)安放在圖8所示卡盤上的基底。然后以速度3,500rpm旋轉(zhuǎn)涂層35s。然后將涂布基底在300℃下退火2h(比Ultem的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg為217℃)高約85℃)。
實施例2將聚合物涂層旋涂在玻璃基底上，該涂層的Ra為約4；4mm2面積內(nèi)的微波紋約為25nm；厚度不均勻性為標準厚度的±10％。涂布溶液由16重量％氧聯(lián)二酸酐/間苯二胺聚酰胺酸(基于溶液的總重量)和40∶60的茴香醚NMP(N-甲基吡咯烷酮；極性指數(shù)為6.7)構(gòu)成，按標準粒度0.2μm過濾該溶液。溶液經(jīng)過過濾后，其粘度為360cps，將其按螺旋方式動態(tài)分配在基底上，同時以150rpm的速度旋轉(zhuǎn)安放在圖8所示卡盤上的基底。然后以速度3,500rpm旋轉(zhuǎn)涂層35s的同時以弧線方式將過濾后的溶液分配在基底上。然后將涂布基底在350℃下退火1h(比聚醚酰亞胺的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg約300℃)高約50℃)。
實施例3將聚合物涂層旋涂在玻璃基底上，該涂層的Ra為約5；4mm2面積內(nèi)的微波紋約為25nm；厚度不均勻性為標準厚度的±10％。涂布溶液由18重量％Ultem 1000(基于溶液的總重量)和50∶50的茴香醚γ-丁內(nèi)酯構(gòu)成，按標準粒度0.2μm過濾溶液。溶液經(jīng)過過濾后，其粘度為1,200cps，將其按弧線方式動態(tài)分配在基底上，同時以150rpm的速度旋轉(zhuǎn)安放在圖8所示卡盤上的基底。然后以速度3,500rpm旋轉(zhuǎn)涂層35s。然后將涂布基底在300℃下退火2h(比Ultem的Tg高約85℃)。
通過采用經(jīng)過設(shè)計的卡盤、溶劑共混物、分配技術(shù)、熱退火和/或過濾操作，就很容易制造出能滿足嚴格的表面質(zhì)量要求的聚合物涂布基底。
雖然以上參照例示性實施方案對本發(fā)明進行了說明，但是本領(lǐng)域熟練人員都知道，可對本發(fā)明進行修改以及用各種等效方案替代本發(fā)明中的各種元素，這些都是屬于本發(fā)明范圍之內(nèi)的。除此之外，可根據(jù)本發(fā)明公開內(nèi)容對特定條件或材料進行適應(yīng)性改變，這些也都是屬于本發(fā)明基本范圍之內(nèi)的。因此，本發(fā)明并不限于所公開的特定實施方案，它們都是本發(fā)明的最佳實施方式，但是本發(fā)明包括屬于附錄權(quán)利要求范圍之內(nèi)的所有實施方案。
權(quán)利要求
1.旋涂方法，包含向基底上分配由溶劑與基于溶液總重量為約3～約30％的聚合物構(gòu)成的溶液，其中溶劑在常壓下的沸點為約110℃～約250℃；旋轉(zhuǎn)基底；然后除去溶劑，獲得包含涂層的涂布基底，該涂層在整個涂布基底表面內(nèi)的起伏點少于或等于10個。
2.權(quán)利要求1的方法，其中溶劑進一步包含沸點為約125℃～約180℃的第一溶劑和沸點等于或大于約190℃的第二溶劑；然后旋轉(zhuǎn)基底，將溶液涂布在基底上。
3.權(quán)利要求2的方法，其中第一溶劑的沸點為約125℃～約155℃。
4.權(quán)利要求2和3任意一項的方法，其中溶液包含約5重量％～約50重量％的第一溶劑，基于溶劑的總重量。
5.權(quán)利要求4的方法，其中涂布溶液包含約25重量％～約45重量％的第一溶劑。
6.權(quán)利要求2-5任意一項的方法，其中第一溶劑選自茴香醚、二甲苯以及包含至少一種前述第一溶劑的組合。
7.權(quán)利要求2-6任意一項的方法，其中第二溶劑選自甲酚、γ-丁內(nèi)酯、苯乙酮、N-甲基-吡咯烷酮以及包含至少一種前述第二溶劑的組合。
8.權(quán)利要求1-7任意一項的方法，其中溶劑的極性指數(shù)大于或等于約4.0，而pH值為約5.5～約9。
9.權(quán)利要求1-8任意一項的方法，進一步包含在按螺旋平移方式于基底上移動分配器的同時分配溶液。
10.權(quán)利要求1-8任意一項的方法，進一步包含在按弧線平移方式于基底上移動分配器的同時分配溶液。
11.權(quán)利要求1-10任意一項的方法，進一步包含在分配過程中以較低的速度旋轉(zhuǎn)基底，然后在基底旋涂過程中以較快的速度旋轉(zhuǎn)基底。
12.旋涂方法，包含在按弧線平移方式于基底上移動分配器的同時，向第一速度的基底上分配溶液；然后以第二速度旋轉(zhuǎn)基底，將溶液涂布在基底上，其中第一速度比第二速度慢。
13.權(quán)利要求1-12任意一項的方法，其中聚合物包含熱塑性聚合物，其重均分子量為約10,000～約500,000Dalton。
14.權(quán)利要求13的方法，其中重均分子量為約20,000～約70,000Dalton。
15.權(quán)利要求13和14任意一項的方法，其中熱塑性聚合物的Tg為約180℃～約300℃。
16.權(quán)利要求15的方法，其中Tg是約200～約260℃。
17.權(quán)利要求1-16任意一項的方法，其中聚合物帶有少于或等于約20meq/kg的官能團，這些官能團選自羧酸、羧酸鹽、羧酸酐、胺、酚、醇、腈、環(huán)氧化物、氧雜環(huán)丁烷、異氰酸酯、氰脲酸酯、噁唑、環(huán)丁基、烯、炔和包含至少一種前述基團的組合。
18.權(quán)利要求17的方法，其中官能團包含羧酸。
19.權(quán)利要求1-18任意一項的方法，其中聚合物在整個方法過程中的重均分子量變化小于或等于約25％。
20.權(quán)利要求19的方法，其中重均分子量在整個方法過程中的變化小于或等于約10％。
21.權(quán)利要求1-20任意一項的方法，其中聚合物選自聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚砜、聚醚砜、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚苯醚、聚丙烯酸酯和包含至少一種前述聚合物的組合。
22.權(quán)利要求1-5和8-21任意一項的方法，其中溶劑選自乙酸芳基酯和乙酸C4-C10烷基酯、碳酸C2-C6烷基酯、甲酰胺、N-C1-C6烷基甲酰胺、C1-C6烷基亞砜、乙酸烷氧基烷基酯、N-C1-C6烷基吡咯烷酮、酚、C1-C6烷基烷基酚、芳基醚、C1-C6烷基芳基醚、C1-C6烷基脲、C4-C6環(huán)丁砜、N-乙?；h(huán)醚、C1-C6烷基乙酰胺、C1-C6烷基磷酰胺、C3-C6內(nèi)酯、芳基烷基酮以及包含至少一種前述溶劑的可溶性組合。
23.權(quán)利要求22的方法，其中溶劑選自乙酸丁酯、碳酸二乙酯、甲酰胺、甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、乙酸甲氧基乙酯、N-甲基吡咯烷酮、碳酸亞丙酯、茴香醚、四甲基脲、二甲基脲、環(huán)丁砜、甲基茴香醚、N-乙?；鶈徇⒍谆阴０?、一甲基乙酰胺、veratole、六甲基磷酰胺、丁內(nèi)酯、苯乙酮、苯酚、甲酚、2，4，6-三甲苯酚、二甲苯酚以及包含至少一種前述溶劑的可溶性組合。
24.權(quán)利要求1-23任意一項的方法，其中溶劑包含小于或等于約1重量％的鹵素，基于溶劑的總重量。
25.權(quán)利要求1-24任意一項的方法，其中溶劑的介電常數(shù)大于或等于約4。
26.權(quán)利要求25的方法，其中介電常數(shù)大于或等于約10。
27.權(quán)利要求1-26任意一項的方法，其中溶液的粘度為約1～約30,000cps，該粘度是按照ASTM D1824在室溫下測定的。
28.權(quán)利要求27的方法，其中粘度為約1～約2,000cps。
29.權(quán)利要求28的方法，其中在45℃下加熱3h后，其粘度變化小于或等于約25％。
30.權(quán)利要求1-29任意一項的方法，其中溶液包含小于或等于約0.1重量％的顆粒，在沿其長軸方向測定時，這些顆粒的直徑大于或等于約0.05μm，這是通過激光散射法測定的。
31.權(quán)利要求1-30任意一項的方法，其中溶液包含霧度百分比小于或等于約5％，該霧度百分比是按照ASTM D1003測定的。
32.權(quán)利要求31的方法，其中霧度百分比小于或等于約1％。
33.權(quán)利要求1-32任意一項的方法，其中溶液的含水量小于或等于約5重量％，基于溶液的總重量。
34.權(quán)利要求33的方法，其中含水量小于或等于約0.5重量％。
35.權(quán)利要求1-34任意一項的方法，其中涂布基底的剝離強度大于2lb/in。
36.權(quán)利要求1-35任意一項的方法，其中涂層的粗糙度小于或等于約20。
37.權(quán)利要求36的方法，其中粗糙度小于或等于約8。
38.權(quán)利要求37的方法，其中粗糙度小于或等于約5。
39.權(quán)利要求1-38任意一項的方法，其中涂層的波紋小于或等于約15nm，整個基底表面內(nèi)有小于或等于約3個起伏點，起伏點的高度小于或等于約25nm，其中波紋是以約4mm2面積內(nèi)的峰谷差表示的。
40.權(quán)利要求1-39任意一項的方法，其中涂層在整個基底表面內(nèi)有小于或等于約5個起伏點。
41.權(quán)利要求40的方法，其中涂層在整個基底表面內(nèi)有小于或等于約3個起伏點。
42.權(quán)利要求41的方法，其中涂層在整個基底表面內(nèi)有小于或等于約1個起伏點。
43.權(quán)利要求40-42任意一項的方法，其中起伏點的高度小于或等于約15nm。
44.通過權(quán)利要求1-43任意一項的方法獲得的旋涂基底。
全文摘要
在一個實施方案中，旋涂方法包含分配由溶劑與基于溶液總重量為約3～約30％的熱塑性聚合物構(gòu)成的溶液，其中該溶劑在常壓下的沸點約為110℃～約250℃，極性指數(shù)大于或等于4.0，pH值約為5.5～約9；旋轉(zhuǎn)基底；然后除去溶劑，獲得包含涂層的涂布基底，該涂層在整個涂布基底表面內(nèi)的起伏點少于或等于10個。
文檔編號G11B7/253GK1525888SQ02808452
公開日2004年9月1日 申請日期2002年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月19日
發(fā)明者J·B·賴茨, J B 賴茨, M·程, 迪茨三世, A·G·迪茨三世, 費斯特, T·P·費斯特, 加盧茨, R·R·加盧茨, 戈爾茨卡, T·B·戈爾茨卡 申請人:通用電氣公司