專利名稱：具有安全裝置的電子產(chǎn)品及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有安全裝置的電子產(chǎn)品與使用方法，特別是利用電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的具有安全裝置的電子產(chǎn)品以及使用方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品可以提供隨身攜帶信息的功能，例如記憶卡、Smart Card、CompactFlash Card、Memory Module、Smart Media Card、Secure Digital Memory Card以及Multi-Media Card等等。這類型電子產(chǎn)品基本上都具有接收端與數(shù)據(jù)總成，而在制造過程中便透過接收端接收外界所輸入的電子訊號(hào)(對(duì)應(yīng)到要儲(chǔ)存的信息)，并以數(shù)據(jù)總成儲(chǔ)存/處理所接收的電子訊號(hào)。當(dāng)電子產(chǎn)品組裝完成后，信息便已存在此類電子產(chǎn)品，使用者可以透過電子產(chǎn)品的界面來取得這些信息。
由于數(shù)據(jù)總成會(huì)儲(chǔ)存/接收來自接收端的電子訊號(hào)。一此，如何避免已制成的電子產(chǎn)品在儲(chǔ)存、輸送、銷售、使用等過程中，因?yàn)榻邮斩私邮盏接嵦?hào)(如噪聲、不正常操作等等)而改變了所儲(chǔ)存的信息，便成為一個(gè)重要的問題。
一般而言，已知技術(shù)透過兩種常見的安全裝置(security latch)來避免已儲(chǔ)存信息受到影響機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置。
機(jī)械式安全裝置的概念如圖1A與圖1B所示，電子產(chǎn)品10至少具有數(shù)據(jù)總成11、接收端12與導(dǎo)線13。首先透過接收端13將電子訊號(hào)輸入至數(shù)據(jù)總成11，而在電子訊號(hào)輸入完畢后(即信息已儲(chǔ)存至電子產(chǎn)品10)，便在電子產(chǎn)品10的組裝程序中將接收端12與導(dǎo)線13分離(即將接收端12自電子產(chǎn)品10去除)，使得數(shù)據(jù)總成11不會(huì)再接收到任何的電子訊號(hào)。當(dāng)然，此時(shí)要確定導(dǎo)線13終端被有效地絕緣隔離。
編碼式安全裝置的概念如圖1C所示，電子產(chǎn)品10至少具有數(shù)據(jù)總成11、接收端12、導(dǎo)線13與解碼總成14。任何自接收端12經(jīng)導(dǎo)線13而來的電子訊號(hào)，都要先經(jīng)過解碼總成14的處理，才會(huì)被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成11進(jìn)行儲(chǔ)存與處理。因此，即便接收端12接收到任何的噪聲，由于解碼總成14只會(huì)讓符合特定格式的電子訊號(hào)通過，數(shù)據(jù)總成11并不會(huì)受到噪聲等的影響。
機(jī)械式安全裝置的缺點(diǎn)是一定要組裝程序結(jié)束前便將數(shù)據(jù)以電子訊號(hào)的方式輸入，制程彈性與使用彈性較差。只能在制造場(chǎng)所輸入預(yù)定的數(shù)據(jù)，而不能讓使用者輸入所需要的個(gè)人化數(shù)據(jù)。并且，封裝過程若因疏失等因素，未將接收端完全去除并將導(dǎo)線終端適當(dāng)絕緣，數(shù)據(jù)總成還是可能會(huì)再接收到噪聲等。
編碼式安全裝置的缺點(diǎn)是不只電子產(chǎn)品多了編碼總成，增加了產(chǎn)品成本與尺寸大小；而且需要先將數(shù)據(jù)編碼材能輸入，增加了制程步驟與制造成本。
顯然地，各種現(xiàn)有電子產(chǎn)品用安全裝置都有其各自待改善的缺點(diǎn)。因此，有必要發(fā)展新的電子產(chǎn)品用安全裝置，特別是可以有效防治現(xiàn)有安全裝置的各種缺點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一主要目的是提出可以兼具現(xiàn)有機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置優(yōu)點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。
本發(fā)明另一主要目的是提出可以有效防治現(xiàn)有機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置的缺點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。
本發(fā)明的一大基本特征是利用電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的特征不導(dǎo)通狀態(tài)的電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管，若在漏極施加足夠高電壓的電子訊號(hào)，便可以變?yōu)榭删幊痰膶?dǎo)通狀態(tài)。因此，若將電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管電性耦接至連接輸接收端與數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，便可以透過調(diào)整出現(xiàn)在導(dǎo)線的電子訊號(hào)的電壓，改變電子訊號(hào)的傳輸路線，進(jìn)而將數(shù)據(jù)總成與外界有效隔離。
本發(fā)明基本上，是將一個(gè)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管連接至用以接收外來電子訊號(hào)的接收裝置與用以儲(chǔ)存處理電子訊號(hào)的數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管之漏極電性藕接至導(dǎo)線，而其閘極與源極電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。而在電子產(chǎn)品接收電子訊號(hào)之前，先以抹除程序(如紫外線抹除程序)等方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)。但在電子訊號(hào)接收完畢后，便以輸入高電壓訊號(hào)至導(dǎo)線的方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)，藉以確保接收端隨后接收到的任何電子訊號(hào)都不會(huì)再被數(shù)據(jù)總成所儲(chǔ)存或處理。當(dāng)然，整個(gè)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，通常是使得處理導(dǎo)通狀態(tài)的電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的電阻值小于導(dǎo)線與數(shù)據(jù)總成間的電阻值，藉以確保處理導(dǎo)通狀態(tài)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管可以完全地將任何出現(xiàn)在導(dǎo)線的電子訊號(hào)都傳導(dǎo)到電位基準(zhǔn)點(diǎn)，而不會(huì)被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成。


圖1A至圖1C為已知技術(shù)中兩種常見電子產(chǎn)品用安全裝置的示意圖；圖2A至圖2C為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的三種可能變化的示意圖；圖3為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的基本流程圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)前面的討論，本發(fā)明的一較佳實(shí)施例為一種具有安全裝置的電子產(chǎn)品。如圖2A所示，至少包含數(shù)據(jù)總成21、接收裝置22、導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24。
在此，接收裝置22用以接收自外界輸入的這些電子訊號(hào)；數(shù)據(jù)總成21用以處理多數(shù)電子訊號(hào)；導(dǎo)線23用以連接接收裝置22與數(shù)據(jù)總成21。一般來說，數(shù)據(jù)總成22可以是下列之一或下列各物件的任意組合微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電子可抹除式可編程存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器。而接收裝置22可以是下列之一或下列各物件的任意組合金屬墊、通用序列端。但必須強(qiáng)調(diào)的是，本實(shí)施例并不限制數(shù)據(jù)總成21與接收裝置22二者的細(xì)節(jié)，也不受限于此。
電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的使用是本實(shí)施例的一大特征。電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的漏極直接電性耦接至導(dǎo)線23，而電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的閘極與源極二者則都直接電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)25。
在此，唯一可以反轉(zhuǎn)的方式是將已編程電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的閘極電壓調(diào)升至高電壓(例如12伏特)，藉以抹除已編程的數(shù)據(jù)。但由于閘極已經(jīng)接地(連接到電位基準(zhǔn)點(diǎn)25)，因此不存在任何抹除已編程電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的可能性。
在此，為確保電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24可以有效地防止數(shù)據(jù)總成21接收到不正常/不需要的電子訊號(hào)，一般而言，導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的漏極電性耦接處，是位于導(dǎo)線23與接收裝置22耦接處以及導(dǎo)線23與數(shù)據(jù)總成21耦接處之間。當(dāng)然，只要導(dǎo)線23的品質(zhì)好，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24藕接到導(dǎo)線23的那里，并不是本實(shí)施例所著重的重點(diǎn)。
電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24可以處于被抹除狀態(tài)或者是可編程狀態(tài)(1)當(dāng)電子產(chǎn)品尚未輸入數(shù)據(jù)或正在輸入數(shù)據(jù)時(shí)，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24是位于被抹除狀態(tài)(不導(dǎo)通狀態(tài))。此時(shí)，任何出現(xiàn)接收裝置21的電子訊號(hào)，都會(huì)經(jīng)由導(dǎo)線23被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成21，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的存在完全沒有影響。
(2)在電子產(chǎn)品已輸入數(shù)據(jù)完畢后，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24是被一高電壓(電子訊號(hào))所編程(導(dǎo)通狀態(tài))。此時(shí)，任何出現(xiàn)在接收裝置21的電子訊號(hào)，都會(huì)經(jīng)由導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24而被傳輸?shù)诫娢换鶞?zhǔn)點(diǎn)25，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的存在充分地發(fā)揮安全裝置的功能。在此，高電壓通常是來自導(dǎo)線23，特別是來自接收裝置22(由外界所控制輸入的)。
必須特別強(qiáng)調(diào)地是，根據(jù)已知的電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管特性，出現(xiàn)在已編程電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管漏極的電子訊號(hào)的電壓/電流等已不會(huì)再改變可編程電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的導(dǎo)通狀態(tài)(除非電子訊號(hào)大到把電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管摧毀)，因此不論數(shù)據(jù)總成21被永久的與接收裝置22分離，亦即已儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)不會(huì)再發(fā)生任何變化了。
當(dāng)然，為了確保電子訊號(hào)不會(huì)再進(jìn)入數(shù)據(jù)總成，通常如B2B圖所示，藉由安裝一個(gè)小電阻26在導(dǎo)線223與數(shù)據(jù)總成21之間(其它方法也可以)，讓接收裝置22經(jīng)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的源極至電位基準(zhǔn)點(diǎn)25的電阻值小于接收裝置22經(jīng)導(dǎo)線23至數(shù)據(jù)總成21之間的電阻值。而且，如圖2C所示，還可以讓電位基準(zhǔn)點(diǎn)25的電位與數(shù)據(jù)總成21之電位零點(diǎn)27的電位相等。
舉例來說，在抹除狀態(tài)，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24的閘極電壓可以約為0.5伏特至0.8伏特；而在可編程狀態(tài)，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管24之閘極電壓可以約為-1.5伏特。而高電壓訊號(hào)的電壓則可以約為16伏特。
本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例是一種電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，如圖3所示，至少包含下列基本步驟如準(zhǔn)備方塊31所示，提供數(shù)據(jù)總成、接收裝置、導(dǎo)線以及電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管。
在此，數(shù)據(jù)總成可以是下列之一或其任何組合微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器。而接收裝置可以是下列之一或其任意組合金屬墊、通用序列端。
如連接方塊32所示，以導(dǎo)線直接電性耦接數(shù)據(jù)總成與接收裝置，并將電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的漏極直接電性藕接至導(dǎo)線，而將電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極與源極直接電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。
一般來說，導(dǎo)線與漏極電性耦接之處，大都位于導(dǎo)線與接收裝置耦接處以及導(dǎo)線與數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
如抹除方塊33所示，對(duì)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管進(jìn)行抹除程序，使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)。
一般來說，是以紫外線照射或深紫外線照射的方法來執(zhí)行抹除程序。而在抹除程序結(jié)束后，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓可以約為0.5伏特至0.8伏特。
如輸入數(shù)據(jù)方塊34所示，以接收裝置接收自外界輸入的多數(shù)電子訊號(hào)，并將這些電子訊號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)總成。
如安全處理方塊35所示，將出現(xiàn)在導(dǎo)線的高電壓訊號(hào)傳輸至電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管，使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)。
一般來說，是透過接收裝置將高電壓訊號(hào)施加于導(dǎo)線。亦即，透過調(diào)整輸入至此電子產(chǎn)品的電子訊號(hào)的內(nèi)容，并可以控制是要輸入數(shù)據(jù)至此電子產(chǎn)品，或是要啟動(dòng)此電子產(chǎn)品的安全裝置，使得該電子產(chǎn)品不再能接收外來電子訊號(hào)。
一般來說，當(dāng)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓可以約為-1.5伏特，并且高電壓訊號(hào)的電壓約為16伏特。
顯然地，由于本實(shí)例不需要切斷導(dǎo)線或去除接收裝置，因此何時(shí)輸入高電壓訊號(hào)與此電子產(chǎn)品的組裝程序進(jìn)行到那個(gè)階段無關(guān)，也與此電子產(chǎn)品最后的封裝無關(guān)。因此，可以在整告組裝程序都結(jié)束后，再輸入高電壓訊號(hào)啟動(dòng)安全裝置。如此作，可以在生產(chǎn)線上，保持輸入數(shù)據(jù)時(shí)間的彈性與修改已輸入數(shù)據(jù)的彈性，避免啟動(dòng)安全裝置(電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管)后便不能再修改所儲(chǔ)存內(nèi)容的限制。甚至，如果封裝時(shí)能確保輸入裝置不會(huì)收到噪聲，還可以提供終端使用者先輸入其個(gè)人化數(shù)據(jù)再啟動(dòng)安全裝置的彈性。
最后，綜合比較這二個(gè)實(shí)施例與兩種已知安全裝置，可以更清楚地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明不需將電子訊號(hào)編碼，可以免除已知編碼式安全裝置的一切缺點(diǎn)。
(2)本發(fā)明可以彈性選擇輸入高電壓訊號(hào)的時(shí)機(jī)，不需要像已知機(jī)械式安全裝置般，在封裝結(jié)束前便啟動(dòng)安全裝置。
(3)本發(fā)明一經(jīng)啟動(dòng)后，便可以如同已知機(jī)械式安全裝置般，永遠(yuǎn)地將已儲(chǔ)存數(shù)據(jù)與外界隔離。
(4)本發(fā)明不需要去除接收裝置，可以免除已知機(jī)械式安全裝置難免的損傷。
(5)本發(fā)明僅需要輸入一個(gè)高電壓訊號(hào)即可啟動(dòng)，比起已知技術(shù)的切割或編碼，操作步驟最簡(jiǎn)單，相關(guān)成本也最低。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的申請(qǐng)專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種具有安全裝置的電子產(chǎn)品，包含一數(shù)據(jù)總成，用以處理多數(shù)電子訊號(hào)；一接收裝置，用以接收自外界輸入的這些電子訊號(hào)；一導(dǎo)線，用以連接該接收裝置與該數(shù)據(jù)總成；以及一電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的漏極直接電性耦接至該導(dǎo)線，而該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極與源極則直接電性耦接至一電位基準(zhǔn)點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該數(shù)據(jù)總成選自下列之一微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器。
3.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置選自下列之一金屬墊、通用序列端。
4.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該導(dǎo)線與該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的該漏極電性耦接之處，位于該導(dǎo)線與該接收裝置耦接處以及該導(dǎo)線與該數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
5.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管已被抹除。
6.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管在被抹除后，又被自該接收端所輸入的高電壓所編程。
7.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管是在被抹除后，又被自該導(dǎo)線的高電壓所編程。
8.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置經(jīng)該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的該源極至該電位基準(zhǔn)點(diǎn)之間的電阻值小于該接收裝置至該數(shù)據(jù)總成之間的電阻值。
9.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置經(jīng)該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的該源極至該電位基準(zhǔn)點(diǎn)之間的電阻值小于該接收裝置至該數(shù)據(jù)總成之間的電阻值。
10.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電位基準(zhǔn)點(diǎn)的電位是與該數(shù)據(jù)總成的電位零點(diǎn)的電位相等。
11.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓約為0.5伏特至0.8伏特。
12.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
13.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
14.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該高電壓訊號(hào)的電壓約為16伏特。
15.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該高電壓訊號(hào)的電壓約為16伏特。
16.一種電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，包含提供一數(shù)據(jù)總成、一接收裝置、一導(dǎo)線以及一電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管；以該導(dǎo)線直接電性耦接該數(shù)據(jù)總成與該接收裝置，并將該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的一漏極直接電性藕接至該導(dǎo)線，而將該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的一閘極與一源極直接電性耦接至一電位基準(zhǔn)點(diǎn)；對(duì)該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管進(jìn)行一抹除程序，使得該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)；以該接收裝置接收自外界輸入的多數(shù)電子訊號(hào)，并將這些電子訊號(hào)傳輸至該數(shù)據(jù)總成；以及將出現(xiàn)在該導(dǎo)線的高電壓訊號(hào)傳輸至該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管，使得該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，讓該導(dǎo)線與該漏極電性耦接之處，位于該導(dǎo)線與該接收裝置耦接處以及該導(dǎo)線與該數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
18.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，以紫外線照射或深紫外線照射的方法來執(zhí)行該抹除程序。
19.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，是透過該接收裝置接收來自外界的該高電壓訊號(hào)。
20.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，尚可在收受完這些電子訊號(hào)后，先完成該電子的一組裝程序，然后再輸入該高電壓訊號(hào)。
21.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該數(shù)據(jù)總成是選自下列之一微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器。
22.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該接收裝置是選自下列之一金屬墊、通用序列埠。
23.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，在該抹除程序結(jié)束后，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓約為0.5伏特至0.8伏特。
24.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，當(dāng)該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，該電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
25.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該高電壓訊號(hào)的電壓約為16伏特。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有安全裝置的電子產(chǎn)品與使用方法。其是將一個(gè)電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)晶體管連接至用以接收外來電子訊號(hào)的接收裝置與用以儲(chǔ)存處理電子訊號(hào)的數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管的漏極電性藕接至導(dǎo)線，而其閘極與源極電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。在接收電子訊號(hào)之前，先以紫外線抹除程序等方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)；而在電子訊號(hào)接收完畢后，再以輸入高電壓訊號(hào)至導(dǎo)線的方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲(chǔ)器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)，以確保接收端隨后接收到的任何電子訊號(hào)都不會(huì)再被數(shù)據(jù)總成所儲(chǔ)存或處理。
文檔編號(hào)G11C16/22GK1512512SQ0216050
公開日2004年7月14日 申請(qǐng)日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月27日
發(fā)明者許丹, 許 丹 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公