專利名稱：用于將磁頭從磁盤驅(qū)動(dòng)器的傾斜件裝載到磁盤介質(zhì)上的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于將磁頭從磁盤驅(qū)動(dòng)器中的一個(gè)傾斜件(ramp)裝載到一個(gè)磁盤介質(zhì)上方的方法和設(shè)備，。
背景技術(shù)：
使用磁頭來讀/寫數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)被認(rèn)為是使用磁頭至少來讀取數(shù)據(jù)的磁盤驅(qū)動(dòng)器。該磁頭由一個(gè)致動(dòng)器所支撐，用于將磁頭沿著磁盤(磁盤介質(zhì))的徑向方向移動(dòng)。更特別地，該磁頭由一個(gè)從致動(dòng)器(actuator)的一個(gè)臂伸出的懸掛裝置(suspension)來支撐。
現(xiàn)在大部分的硬盤驅(qū)動(dòng)器采用一個(gè)傾斜件裝載系統(tǒng)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)器改變到不工作(空閑)狀態(tài)時(shí)，這類硬盤驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行下述控制。換句話說，該控制為磁頭縮回(卸載)到磁盤的外圓周之外所提供的一個(gè)傾斜件(傾斜件裝置)上，并且停止在傾斜件上形成的一個(gè)凹進(jìn)處。該凹進(jìn)處被稱為停放區(qū)(parking area)。實(shí)際上當(dāng)磁頭被卸載時(shí)，不是磁頭而是在懸掛裝置的末端形成的一個(gè)用于支撐磁頭的接頭片(tab)停止在傾斜件的停放區(qū)上。這里為簡便起見就假設(shè)磁頭被停止(停放)在傾斜件的停放區(qū)上。
采用傾斜件裝載系統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)鎖(latch)(磁鎖)，使用例如一個(gè)磁體來調(diào)節(jié)致動(dòng)器的操作。在磁頭被卸載時(shí)，這個(gè)鎖防止磁頭跳離傾斜件的停放區(qū)。在硬盤驅(qū)動(dòng)器中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的不工作狀態(tài)被解除時(shí)，磁頭從停放區(qū)被移動(dòng)(裝載)到磁盤介質(zhì)的上方。驅(qū)動(dòng)器的不工作狀態(tài)并不僅意味著磁盤介質(zhì)停止轉(zhuǎn)動(dòng)的狀態(tài)，還意味著盡管磁盤介質(zhì)在轉(zhuǎn)動(dòng)，但主機(jī)在一個(gè)固定的時(shí)間周期內(nèi)或更長的時(shí)間內(nèi)沒有發(fā)出存取請(qǐng)求的狀態(tài)。當(dāng)主機(jī)在一個(gè)固定的時(shí)間周期內(nèi)或更長的時(shí)間內(nèi)沒有發(fā)出存取請(qǐng)求時(shí)，為了減少用電需求，通常停止對(duì)硬盤驅(qū)動(dòng)器中的一些電路的供電。
在傾斜件裝載系統(tǒng)中，如上所述，當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器處于不工作狀態(tài)時(shí)，磁頭被停止(停放)在與磁盤介質(zhì)分離的位置。因此，即使當(dāng)驅(qū)動(dòng)器在不工作狀態(tài)下受到外部震動(dòng)時(shí)，也不用擔(dān)心磁頭會(huì)與磁盤介質(zhì)發(fā)生碰撞。這樣就有可能避免磁頭或磁盤介質(zhì)的損傷。不用擔(dān)心磁頭會(huì)吸到停止轉(zhuǎn)動(dòng)的磁盤介質(zhì)上。因此，傾斜件裝載系統(tǒng)能有效地使磁盤表面處于良好的狀態(tài)，并減少磁頭的提升量，以提高記錄密度。
但是在傾斜件裝載系統(tǒng)中，當(dāng)磁頭被裝載/卸載時(shí)，它與磁盤介質(zhì)在一個(gè)給定的時(shí)間周期內(nèi)是分離的，因而磁頭不能從磁盤介質(zhì)上讀取伺服信息。在這種情況下，不能基于包含在伺服信息中的位置信息來檢測(cè)磁頭的位置，也不能檢測(cè)磁頭的速度。因此，當(dāng)磁頭被裝載/卸載時(shí)不能對(duì)磁頭進(jìn)行控制(速度控制)。
目前使用的硬盤驅(qū)動(dòng)器，如日本專利KOKAI公布號(hào)2001-155455中所公開的，通過由音圈電機(jī)(VCM)的反電動(dòng)勢(shì)電壓(反EMF電壓)檢測(cè)磁頭速度來進(jìn)行裝載/卸載磁頭的速度控制(速度反饋控制)。音圈電機(jī)是致動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)源，所述致動(dòng)器支撐磁頭使得磁頭可以在磁盤介質(zhì)的徑向方向上移動(dòng)。
為了將磁頭從傾斜件上的停放區(qū)裝載到磁盤介質(zhì)的上方，通常進(jìn)行開環(huán)控制，用于在一個(gè)固定的時(shí)間周期內(nèi)向致動(dòng)器的音圈電機(jī)供給固定量的電流(VCM電流)。對(duì)音圈電機(jī)供給電流，通過與鎖(磁鎖)的鎖住力相反方向的力驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器，使得磁頭從停放區(qū)逸出(escape)。在一個(gè)固定時(shí)間周期內(nèi)供給音圈電機(jī)的VCM電流量預(yù)設(shè)為這樣一個(gè)值，使得音圈電機(jī)的速度或磁頭的速度能達(dá)到目標(biāo)速度的固定百分比(例如50％)。這樣來確定固定的時(shí)間周期，使得在經(jīng)過一段固定時(shí)間之后磁頭速度達(dá)到目標(biāo)速度的固定百分比時(shí)，磁頭能從傾斜件上的停放區(qū)移動(dòng)到其上的另一個(gè)區(qū)域。在經(jīng)過一段固定時(shí)間之后，開環(huán)控制轉(zhuǎn)換為利用音圈電機(jī)的反EMF電壓的速度反饋控制。
當(dāng)速度反饋控制開始時(shí)，由于開環(huán)控制在速度反饋控制之前執(zhí)行，磁頭速度不是恒定的。因而在現(xiàn)有技術(shù)中，速度反饋控制的初始值(初始控制變量)設(shè)為0。如果當(dāng)速度反饋控制的初始控制變量設(shè)為0時(shí)開始速度反饋控制，由于開環(huán)控制的原因從停放區(qū)逸出的磁頭失去速度。在這種情況下，磁頭臨時(shí)停在傾斜件的傾斜表面上。因此，通過速度反饋控制進(jìn)行的磁頭裝載從磁頭停住的位置重新啟動(dòng)。
當(dāng)磁頭如上面所述被裝載時(shí)，如果磁頭停止在傾斜件傾斜的表面上，在傾斜件和磁頭之間的靜摩擦的影響變得比從停放區(qū)裝載磁頭時(shí)更大。因此在現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，很難使磁頭從傾斜件逸出。另外，開環(huán)控制允許磁頭從傾斜件的停放區(qū)逸出。因此，當(dāng)開環(huán)控制轉(zhuǎn)換為速度反饋控制時(shí)磁頭速度會(huì)出現(xiàn)變化，或者當(dāng)速度反饋控制開始時(shí)初始磁頭速度會(huì)出現(xiàn)變化。這些變化導(dǎo)致磁頭速度在速度反饋控制過程中改變。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是考慮到上面的情況而開發(fā)，本發(fā)明的目的是提供一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，當(dāng)磁頭從傾斜件上被裝載到磁盤介質(zhì)的上方時(shí)，這種磁盤驅(qū)動(dòng)器能夠避免磁頭中途停止在傾斜件上，并能不依賴于開環(huán)控制執(zhí)行穩(wěn)定的速度反饋控制。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，供了一種將磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭從磁盤驅(qū)動(dòng)器的傾斜件裝載到磁盤介質(zhì)上方的方法，磁頭用于從磁盤介質(zhì)上讀取信息。方法包括通過速度反饋控制，及通過在速度反饋控制時(shí)將一個(gè)與用于速度反饋控制的初始控制變量對(duì)應(yīng)的電流供給音圈電機(jī)，進(jìn)行將磁頭從傾斜件裝載到磁盤介質(zhì)上方的磁頭裝載控制。該初始控制變量與供給到音圈電機(jī)的電流量相對(duì)應(yīng)，這一電流供給用于在從開始速度反饋控制到速度反饋控制的第一個(gè)采樣時(shí)間的一段預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)將磁頭從傾斜件上的停放區(qū)移開。進(jìn)行磁頭裝載控制包括生成一個(gè)控制變量，用于在速度反饋控制的每個(gè)采樣時(shí)間根據(jù)磁頭速度與目標(biāo)速度的差值進(jìn)行速度反饋控制，還包括將對(duì)應(yīng)于生成的控制變量的電流供給音圈電機(jī)。
本發(fā)明附加的目的和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說明中提出，并且可以在說明中部分地看到，或通過本發(fā)明的實(shí)施來得到。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過下面特別指出的手段和組合來實(shí)現(xiàn)并獲得。


組合并構(gòu)成本說明書一部分的附圖以圖解方式闡明了本發(fā)明的實(shí)施例，并與前面的概括性說明和后面的具體實(shí)施例說明一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)框圖，圖2是解釋圖1中所示硬盤驅(qū)動(dòng)器的傾斜件和致動(dòng)器之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系的圖示，圖3是表示用于速度反饋控制的初始控制變量被存儲(chǔ)在圖1中所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)FROM中的圖示，圖4是表示圖1中所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭裝載控制的步驟的流程圖，圖5A是表示在圖1中所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭裝載控制時(shí)，磁頭速度隨時(shí)間變化的例子的圖示，圖5B是表示在圖1中所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭裝載控制時(shí)，VCM電流隨時(shí)間變化的例子的圖示，圖6A是表示在現(xiàn)有硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭裝載控制時(shí)，VCM電流隨時(shí)間變化的例子的圖示，圖6B是表示在現(xiàn)有硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭裝載控制時(shí)，VCM電流隨時(shí)間變化的例子的圖示，圖7是表示確定用在圖1中所示硬盤驅(qū)動(dòng)器中的初始控制變量的步驟的流程圖，圖8是表示存儲(chǔ)在圖1中所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的變型的FROM中的初始控制變量表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)例子的圖示，圖9是表示圖1中所示硬盤驅(qū)動(dòng)器的變型的磁頭裝載控制的一些步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參考附圖來說明根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)。圖1是表示該硬盤驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖1所示，磁盤(磁性盤介質(zhì))11具有上、下兩個(gè)磁盤表面。磁盤11的一個(gè)或兩個(gè)磁盤表面用作記錄表面，數(shù)據(jù)以磁性方法記錄在其上。為磁盤11的每個(gè)記錄表面提供了一個(gè)磁頭(磁性頭)12。磁頭12用于往磁盤11上寫數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)記錄)和從磁盤11上讀數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)再現(xiàn))。在圖1中所示的結(jié)構(gòu)假設(shè)硬盤驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)單一的磁盤11，然而，驅(qū)動(dòng)器可以具有多個(gè)磁盤11，它們彼此堆疊在一起。
多個(gè)伺服區(qū)110徑向排列在磁盤11中，并且以規(guī)則的間距離散排列在磁盤11的圓周方向上。伺服數(shù)據(jù)被記錄在每個(gè)伺服區(qū)110上。伺服數(shù)據(jù)包括對(duì)于將磁頭12移動(dòng)到目標(biāo)磁道的尋道控制和把磁頭12定位于目標(biāo)磁道的目標(biāo)范圍內(nèi)的磁頭定位控制所必需的位置信息。在相鄰的伺服區(qū)110之間形成用戶數(shù)據(jù)區(qū)，用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括多個(gè)數(shù)據(jù)扇區(qū)(未表示出)。在磁盤11的每個(gè)記錄表面上形成許多同心磁道111。
磁盤11通過主軸電機(jī)(在后面用SPM來表示)13高速轉(zhuǎn)動(dòng)。磁頭12聯(lián)接到一個(gè)用作磁頭移動(dòng)裝置的致動(dòng)器(托架)14上。更特別地，磁頭12聯(lián)接到一個(gè)從致動(dòng)器14的一個(gè)臂140伸出的懸掛裝置141上。磁頭12隨著致動(dòng)器14的轉(zhuǎn)動(dòng)在磁盤11的徑向方向上移動(dòng)。這樣，磁頭12被定位在目標(biāo)磁道上。致動(dòng)器14包括一個(gè)用作致動(dòng)器14的驅(qū)動(dòng)源的音圈電機(jī)(在后面用VCM來表示)15。致動(dòng)器14由VCM15驅(qū)動(dòng)。
在磁盤11的外圓周外提供了一個(gè)傾斜件16，當(dāng)HDD改變到不工作狀態(tài)時(shí)用于收回磁頭12。實(shí)際上，不是磁頭12而是形成于致動(dòng)器14的末端的一個(gè)用于支撐磁頭的接頭片144(參見圖2)被定位在傾斜件16上。為簡便起見，這里描述為磁頭12被收回(卸載、停放)到傾斜件16上。HDD的不工作狀態(tài)并不僅意味著磁盤11停止轉(zhuǎn)動(dòng)的狀態(tài)，還意味著盡管磁盤11在轉(zhuǎn)動(dòng)，但主機(jī)在一個(gè)固定的時(shí)間周期內(nèi)或更長的時(shí)間內(nèi)沒有發(fā)出存取請(qǐng)求的狀態(tài)，如同在上面對(duì)相關(guān)技術(shù)的說明中所述的。
圖2是解釋圖1中所示的傾斜件16和致動(dòng)器14之間結(jié)構(gòu)關(guān)系的圖示。如圖2所示，傾斜件16設(shè)置在接近如圖中所示的磁盤11外圓周的給定位置。該給定位置位于接頭片144的路線上。接頭片144形成于從致動(dòng)器14的一個(gè)臂140伸出的懸掛裝置141的末端。傾斜件16具有一個(gè)停放區(qū)161，接頭片144停在其中。停放區(qū)161具有一個(gè)凹進(jìn)處，通過它將磁頭12保持在傾斜件16上。傾斜件16在靠近磁盤11的一端還具有一個(gè)第一傾斜表面162。當(dāng)磁頭12被卸載時(shí)，第一傾斜表面162允許磁頭12從磁盤11上方平滑地移動(dòng)到傾斜件16。傾斜件16還具有一個(gè)第二傾斜表面，它形成在與停放區(qū)161相鄰的位置。當(dāng)磁頭12被裝載時(shí)，第二傾斜表面163允許磁頭12從停放區(qū)161平滑地向著磁盤11移動(dòng)。
再參考圖1，一個(gè)樞軸142被裝入一個(gè)內(nèi)部的孔中，該孔大致位于致動(dòng)器14的中間，樞軸142較低的一端固定在HDD機(jī)架的基座上。樞軸142可轉(zhuǎn)動(dòng)地支撐著致動(dòng)器14。致動(dòng)器14包括一個(gè)V形的支撐架143。該支撐架143在與懸掛裝置141相反的方向上延伸。一個(gè)感應(yīng)圈(VCM感應(yīng)圈)151被固定在支撐架143上，它構(gòu)成VCM15的一部分。
圖1中所示的HDD包括一個(gè)磁鎖17a，作為調(diào)節(jié)致動(dòng)器14操作的第一鎖住裝置。當(dāng)磁頭12被收回到停放區(qū)161上時(shí)，磁鎖17a防止磁頭12在停放區(qū)161上方跳離傾斜件16。因此磁鎖17a這樣定位，以當(dāng)磁頭12在停放區(qū)161上方跳離傾斜件16的時(shí)候，通過磁力來鎖住V形支撐架143靠近磁盤11的一端。HDD還包括一個(gè)磁鎖17b，作為調(diào)節(jié)致動(dòng)器14操作的第二鎖住裝置。磁鎖17b防止磁頭12跳離磁盤1的內(nèi)圓周而與SPM13發(fā)生碰撞。因此當(dāng)磁頭12在磁盤11的內(nèi)圓周上方跳向SPM13的時(shí)候，磁鎖17b這樣定位，通過磁力來鎖住V形支撐架143遠(yuǎn)離磁盤11的另一端。鎖17a和17b不一定都是磁鎖或利用磁力的鎖裝置。例如，它們可以是機(jī)械的鎖裝置。此外，支撐架143也不一定都是V字形。
SPM13和VCM15由從驅(qū)動(dòng)器IC18供給的驅(qū)動(dòng)電流(SPM電流和VCM電流)來驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)器IC18包括一個(gè)SPM驅(qū)動(dòng)器181，一個(gè)VCM驅(qū)動(dòng)器182，以及一個(gè)反EMF電壓檢測(cè)器183。SPM驅(qū)動(dòng)器181向SPM13供給由CPU25指定的一定量的SPM電流。VCM驅(qū)動(dòng)器182向VCM15供給由CPU25指定的一定量的VCM電流。反EMF電壓檢測(cè)器183檢測(cè)VCM15的一個(gè)反EMF電壓。
磁頭12連接到一個(gè)磁頭IC(磁頭放大器電路)20。磁頭IC20包括一個(gè)讀取放大器，用于放大由磁頭12讀取的讀取信號(hào)，還包括一個(gè)寫入放大器，用于將寫入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為寫入電流。磁頭IC20連接到一個(gè)R/W通道(讀/寫IC)21。R/W通道21處理不同類型的信號(hào)。該信號(hào)處理包括將磁頭IC20放大的讀信號(hào)由模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)的處理。該信號(hào)處理還包括寫入數(shù)據(jù)的編碼處理和讀取數(shù)據(jù)的解碼處理。另外，該信號(hào)處理包括響應(yīng)由門陣列22產(chǎn)生的定時(shí)信號(hào)(門信號(hào))從二進(jìn)制讀取信號(hào)中提取伺服數(shù)據(jù)的處理。
R/W通道21連接到門陣列22和HDC(磁盤控制器)23上。門陣列22從R/W通道21檢測(cè)出的伺服數(shù)據(jù)中提取位置信息，并且保持它使得CPU25能夠讀取該信息。門陣列22生成不同的定時(shí)信號(hào)，這些定時(shí)信號(hào)對(duì)于從HDD讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入到HDD，以及對(duì)于通過R/W通道21檢測(cè)伺服數(shù)據(jù)是必需的。門陣列22包括一個(gè)用于控制的寄存器組(未顯示出來)。該寄存器組被分配給CPU25的一些存儲(chǔ)器區(qū)。CPU25從這些分配有寄存器組的存儲(chǔ)器區(qū)讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入到這些存儲(chǔ)器區(qū)，由此來控制門陣列22和HDC23。
HDC23連接到使用圖1中所示HDD的主機(jī)(主機(jī)系統(tǒng))和CPU25上。該主機(jī)是個(gè)人電腦這樣的數(shù)字設(shè)備。HDC23具有從主機(jī)接收指令(寫指令、讀指令等)、并控制主機(jī)和HDC23之間的數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌诳刂乒δ?。HDC23還具有控制磁盤11和HDC23之間通過R/W通道21的數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇疟P控制功能。
CPU25包含一個(gè)FROM(只讀閃存)251，一個(gè)RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)252，和一個(gè)ADC(AD轉(zhuǎn)換器)253。FROM251是可重寫、非易失的存儲(chǔ)器，它預(yù)先存儲(chǔ)CPU25將要執(zhí)行的控制程序。RAM252提供CPU25及同類裝置的工作區(qū)。用于感受HDD的溫度的溫度傳感器26的輸出連接到ADC253的輸入。ADC253將溫度傳感器26的檢測(cè)輸出轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。
CPU25是HDD的主控制器。CPU25根據(jù)存儲(chǔ)在FROM251中的控制程序控制HDD的其他部件。例如，為了基于由門陣列22提取的位置信息將磁頭12定位在目標(biāo)磁道之內(nèi)，CPU25執(zhí)行定位控制。當(dāng)HDD由不工作(空閑)狀態(tài)轉(zhuǎn)換為正常工作狀態(tài)時(shí)，為了將磁頭12從傾斜件16裝載到磁盤11上方，CPU25還執(zhí)行磁頭裝載控制。當(dāng)HDD由工作狀態(tài)轉(zhuǎn)換為不工作狀態(tài)時(shí)，CPU25還執(zhí)行將磁頭12從磁盤11上方卸載到傾斜件16上的控制。在本實(shí)施例中，速度反饋控制用于磁頭裝載控制?；诖蓬^12的速度(磁頭速度)執(zhí)行速度反饋控制。磁頭速度由驅(qū)動(dòng)器IC18中的反EMF電壓檢測(cè)器檢測(cè)到的反EMF電壓計(jì)算出來。在速度反饋控制中使用的控制量的初始值(初始控制變量)Rinteg(0)被預(yù)先存儲(chǔ)在FROM251的一個(gè)區(qū)域251a內(nèi)，如圖3中所示。
現(xiàn)在以把磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161裝載到磁盤11上方的磁頭裝載控制為例來說明圖1中所示HDD的一種操作。首先，概述一下磁頭裝載控制總的情況。當(dāng)磁頭12從停放區(qū)161被移動(dòng)(裝載)到磁盤11上方時(shí)，CPU25計(jì)算對(duì)于移動(dòng)必需的控制變量。CPU25將計(jì)算得到的控制變量設(shè)置到驅(qū)動(dòng)器IC18中的VCM驅(qū)動(dòng)器182上。這樣，VCM驅(qū)動(dòng)器182將取決于所設(shè)控制變量的VCM電流供給VCM15，來使VCM工作。從而，致動(dòng)器14被驅(qū)動(dòng)，并且由致動(dòng)器14支撐的磁頭12沿著磁盤11的徑向方向移動(dòng)。
如果從VCM驅(qū)動(dòng)器182供給VCM15的VCM電流使得VCM15工作，它產(chǎn)生一個(gè)反EMF電壓。驅(qū)動(dòng)器IC18中的反EMF電壓檢測(cè)器183檢測(cè)由VCM15產(chǎn)生的反EMF電壓。然后，檢測(cè)器183將檢測(cè)到的反EMF電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并將其傳送到CPU25。VCM15的反EMF電壓與磁頭12的速度(磁頭速度)相關(guān)，如日本專利申請(qǐng)KOKAI申請(qǐng)?zhí)?001-155455所述。CPU25根據(jù)由反EMF電壓檢測(cè)器183檢測(cè)到的VCM15的反EMF電壓來檢測(cè)(計(jì)算)包括VCM15在內(nèi)的致動(dòng)器14的速度。致動(dòng)器14的速度與致動(dòng)器14所支撐的磁頭12的速度(磁頭速度)相關(guān)。然后，CPU25根據(jù)檢測(cè)到的磁頭速度計(jì)算VCM15的控制變量，使得磁頭12的速度達(dá)到目標(biāo)速度。如上面所說明的，圖1中所示的HDD包括一個(gè)速度反饋控制系統(tǒng)，以使磁頭12的速度達(dá)到目標(biāo)速度。
現(xiàn)在參考圖4中所示的流程圖來詳細(xì)說明使用上述速度反饋控制系統(tǒng)的磁頭裝載控制。首先，在磁頭裝載控制開始時(shí)，CPU25將一個(gè)表明采樣時(shí)間的變量k設(shè)置為初始值0(步驟S1)。然后，CPU25將表明供給VCM15的VCM電流的多個(gè)控制Rcont(k)的初始值Rcont(0)設(shè)置給VCM驅(qū)動(dòng)器182(步驟S2)。用在速度反饋控制中的多個(gè)控制Rinteg(k)的初始值(初始控制變量)Rinteg(0)被用于初始控制變量Rcont(0)。初始控制變量Rinteg(0)被預(yù)先存儲(chǔ)在FROM251的區(qū)域251a中。
如果CPU25設(shè)定初始控制變量Rcont(0)，那么VCM驅(qū)動(dòng)器182將取決于初始控制變量Rcont(0)的VCM電流供給VCM15，以使VCM15工作。用作初始控制變量Rcont(0)的初始控制變量Rinteg(0)被預(yù)設(shè)為這樣一個(gè)值，以滿足下面的條件。該條件為初始控制變量Rinteg(0)對(duì)應(yīng)于一個(gè)足以使磁頭12在經(jīng)過一次采樣時(shí)間周期T后，在下一個(gè)采樣時(shí)間(k＝1)之前從傾斜件16的停放區(qū)161逸出(移開)的VCM電流值。自然地，初始控制變量Rinteg(0)對(duì)應(yīng)于一個(gè)足以對(duì)抗鎖17a的鎖住力、磁頭12和傾斜件16的停放區(qū)161之間的靜摩擦力，以及類似阻力，使VCM15驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器14的VCM電流值。
CPU25利用一個(gè)計(jì)時(shí)器(未顯示出來)來計(jì)算一次采樣時(shí)間周期T，以逐一累加采樣時(shí)間k(步驟S3、S4和S5)。然后，CPU25在新的采樣時(shí)間k檢測(cè)磁頭12的速度(磁頭速度)Vh(k)(步驟S6)。磁頭速度Vh(k)由VCM15的反EMF電壓值(經(jīng)過數(shù)字轉(zhuǎn)換的值)檢測(cè)(計(jì)算)出來，該反EMF電壓值由反EMF電壓檢測(cè)器183在采樣時(shí)間k時(shí)檢測(cè)出來。在這種情況下，采樣時(shí)間k表示時(shí)間(k＝1)。
CPU25通過下面的等式來計(jì)算速度差(差值速度)Vdiff(k)(步驟S7)Vdiff(k)＝Vh(k)-Vtarget…(1)其中Vtarget為目標(biāo)速度。如等式(1)中所表明的，差值速度Vdiff(k)是在當(dāng)前采樣時(shí)間k時(shí)磁頭速度Vh(k)與目標(biāo)速度Vtarget的差。
CPU25通過下面的等式求得在當(dāng)前采樣時(shí)間k的新的(整體的)控制變量(步驟S8)Rinteg(k)＝(Vdiff(k)/G)+Rinteg(k-1) …(2)其中G表示速度反饋控制系統(tǒng)的增益(反饋增益)，Vdiff(k)/G表示將步驟S7中計(jì)算得到的差分速度Vdiff(k)被反饋增益G除得到的值。換句話說，CPU25通過將在上一次采樣時(shí)間k-1使用的控制變量Rinteg(k-1)與Vdiff(k)/G相加來計(jì)算控制變量Rinteg(k)。
CPU25通過下面的等式來計(jì)算在當(dāng)前采樣時(shí)間k的新的控制變量Rcont(k)(步驟S9)Rcont(k)＝Rinteg(k)+Vdiff(k) …(3)更特別地，CPU25通過將步驟S7中計(jì)算得到的差分速度Vdiff(k)與步驟S8中獲得的控制變量Rinteg(k)相加來計(jì)算控制變量Rcont(k)。在步驟S9中，CPU25將控制變量Rcont(k)設(shè)置給VCM驅(qū)動(dòng)器182。
最后，CPU25判斷R/M通道21是否到檢測(cè)伺服數(shù)據(jù)(步驟S10)。通過檢查門陣列22是否保持伺服數(shù)據(jù)來做出這一判決。如果磁頭12不讀取伺服數(shù)據(jù)，那么門陣列22不保持伺服數(shù)據(jù)，這樣CPU25判斷沒有檢測(cè)到伺服數(shù)據(jù)。在這種情況下，CPU25判斷磁頭12還沒有到達(dá)磁盤11的上方，并返回步驟S3繼續(xù)對(duì)于磁頭裝載控制進(jìn)行速度反饋控制。磁頭12很快讀取伺服數(shù)據(jù)，并且緊接著R/W通道21檢測(cè)伺服數(shù)據(jù)。在這種情況下，CPU25判斷磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161逸出并到達(dá)磁盤11的上方。換句話說，CPU25判斷磁頭12從傾斜件16被裝載到磁盤11的上方。這樣CPU25結(jié)束磁頭裝載控制。之后，完成第一次尋道控制，將磁頭12移動(dòng)到磁盤11上的給定磁道(柱面)。
參考圖5A、5B和6A、6B，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)來說明本實(shí)施例的上述磁頭裝載控制的特性。圖5A和5B分別表示本實(shí)施例在磁頭裝載控制時(shí)，磁頭速度隨時(shí)間變化的例子，以及VCM電流隨時(shí)間變化的例子。圖6A和6B分別表示現(xiàn)有技術(shù)中在磁頭裝載控制時(shí)，磁頭速度隨時(shí)間變化的例子，以及VCM電流隨時(shí)間變化的例子。
在圖6A和6B中所示的現(xiàn)有技術(shù)中，從磁頭裝載控制的開始時(shí)間t11直到經(jīng)過一段預(yù)定周期時(shí)間T1之后的時(shí)間t12進(jìn)行開環(huán)控制。在這一開環(huán)控制中，預(yù)定的VCM電流與磁頭12的狀態(tài)無關(guān)地供給到VCM15。在時(shí)間t12之后，開環(huán)控制切換為根據(jù)磁頭速度Vh(k)而進(jìn)行的速度反饋控制。磁頭速度Vh(k)基于VCM15的反EMF電壓被檢測(cè)。從上面的等式(2)和(3)很明顯地看到，用在速度反饋控制的開始時(shí)間(k＝1)時(shí)的控制變量Rcont(1)以下式來表達(dá)Rcont(1)＝Rinteg(1)+Vdiff(1)＝(Vdiff(1)/G)+Rinteg(0)+Vdiff(1) …(4)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，既然致動(dòng)器14在時(shí)間T1期間沒有經(jīng)過反饋控制，則磁頭速度從速度反饋控制的開始時(shí)間t12到速度反饋控制的開始時(shí)間t12變化。因此在現(xiàn)有技術(shù)中，0用于在速度反饋控制的開始時(shí)間t12時(shí)的控制變量Rinteg(0)中，并且在這種情況下，在第一個(gè)采樣時(shí)間(k＝1)時(shí)的控制變量Rcont(1)以從上面的等式(4)中得出的下式來表示Rcont(1)＝(Vdiff(1)/G)+Vdiff(1) …(5)從等式(5)很明顯地看到，控制變量Rcont(1)很小。因此，如果將控制變量Rinteg(0)設(shè)為0，以將開環(huán)控制切換為速度反饋控制，那么VCM電流的初始電流值近似為0。因此在現(xiàn)有技術(shù)中，為獲得要達(dá)到目標(biāo)速度必需的VCM電流需要大量的時(shí)間，如圖6A和6B中所示。
在圖6A和6B中所示的現(xiàn)有技術(shù)中，從開環(huán)控制終止時(shí)的時(shí)間t12到磁頭速度達(dá)到目標(biāo)速度時(shí)的時(shí)間t14，速度反饋控制提高了磁頭速度。在速度反饋控制中，綜合控制從使用初始控制變量Rinteg(0)(＝0)時(shí)的時(shí)間t12開始。在t12和速度反饋控制開始之后不久的t13之間的一段時(shí)間周期內(nèi)，由于在前面的開環(huán)控制而被提高的磁頭速度因缺少VCM電流而下降到近似為0。磁頭12隨之失去速度。此后，如果速度反饋控制獲得足夠的VCM電流，磁頭速度會(huì)重新提高。
相反，根據(jù)本實(shí)施例，如上所述從磁頭裝載控制的開始就使用速度反饋控制。另外，在速度反饋控制的第一個(gè)采樣時(shí)間(k＝1)時(shí)使用一個(gè)允許磁頭以非0的速度移動(dòng)的初始控制變量Rinteg(0)。換句話說，一個(gè)使磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161逸出必需的值被用于初始控制變量Rinteg(0)。使用這樣一個(gè)初始控制變量可以避免速度反饋控制從初始電流值(≈0)時(shí)開始。
在從磁頭裝載控制的開始時(shí)使用速度反饋控制的本實(shí)施例中，如圖5A和5B中所示，從磁頭裝載控制開始時(shí)的時(shí)間t1到磁頭速度達(dá)到目標(biāo)速度時(shí)的時(shí)間t2，速度反饋控制提高了磁頭速度。而且，在一個(gè)使磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161逸出必需的值被設(shè)為速度反饋控制的初始控制變量Rinteg(0)之后，速度反饋控制開始。因此在本實(shí)施例中，VCM電流可以作為數(shù)值而得出。此外，由于總是在磁頭裝載控制中執(zhí)行速度反饋控制，磁頭速度的變化變小。如圖5A中所示，磁頭12可以(在t1和t2之間)繼續(xù)加速，而不用將磁頭速度近似為0，也不用在磁頭裝載控制期間損失速度。
鎖(磁鎖)17a的鎖力可能隨HDD的不同而不同。因此，一個(gè)通過驅(qū)動(dòng)由鎖17a鎖住的致動(dòng)器14，使磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161逸出必需的VCM電流值(在后面表示為逸出電流值)也隨HDD的不同而不同。在本實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)HDD在常溫(25℃)下獲得逸出電流值，來確定速度反饋控制的初始控制變量(初始綜合值)。被確定的初始控制變量被存儲(chǔ)在FROM251的區(qū)域251a中。在生產(chǎn)HDD的過程中對(duì)每個(gè)HDD進(jìn)行這一過程。
現(xiàn)在將參考圖7中所示流程圖來說明本實(shí)施例中確定初始控制變量的過程。首先，當(dāng)磁頭12停放在傾斜件16的停放區(qū)161上時(shí)，CPU25將一個(gè)表明VCM電流的變量I設(shè)為初始值I0(步驟S11)。初始值I0是一個(gè)經(jīng)設(shè)計(jì)的VCM電流值，足以在經(jīng)過一次采樣時(shí)間周期T之前，通過將VCM電流從VCM驅(qū)動(dòng)器182供給到VCM15，使磁頭12從停放區(qū)161逸出(移出)。
然后，CPU25將一個(gè)與當(dāng)前電流值I(I＝I0)相對(duì)應(yīng)的控制變量Rcont(0)設(shè)置給驅(qū)動(dòng)器IC18中的VCM驅(qū)動(dòng)器182(步驟S12)。這樣，VCM驅(qū)動(dòng)器182為VCM15供給一個(gè)VCM電流，其電流值I取決于所設(shè)置的控制變量Rcont(0)，從而驅(qū)動(dòng)VCM15。換句話說，CPU25將控制變量Rcont(0)(＝Rinteg(0))設(shè)置給VCM驅(qū)動(dòng)器182，嘗試使磁頭12從傾斜件16的停放區(qū)161逸出。
此后，CPU25等待，直到經(jīng)過速度反饋控制的一次采樣周期T(步驟S13和S14)，并且如步驟S6中一樣檢測(cè)磁頭速度Vh(步驟S15)。然后，CPU25確定檢測(cè)到的磁頭速度Vh是否比預(yù)設(shè)的參考速度Vth(Vth＞0)高(步驟S16)。如果Vh不比Vth高，則CPU25將當(dāng)前的電流值提高一個(gè)預(yù)定的值(增量)ΔI(步驟S17)。CPU25根據(jù)提高了ΔI的值I再次執(zhí)行步驟S12。如果Vh高于Vth，則CPU25確定當(dāng)前的電流值I是相應(yīng)HDD的逸出電流值。CPU25將與當(dāng)前電流值I相關(guān)的控制變量(綜合值)與初始控制變量(初始綜合值)Rinteg(0)一樣存儲(chǔ)在FROM251的區(qū)域251a中(步驟S18)。
如果HDD被長時(shí)間使用，停放區(qū)161的表面會(huì)變得粗糙，因此停放區(qū)161的靜摩擦可能會(huì)增加。如果HDD長時(shí)間未使用，或者致動(dòng)器14被鎖17a長時(shí)間鎖住，用于將致動(dòng)器14從其鎖住狀態(tài)釋放所需的力可能會(huì)增加。在這種情況下，上述逸出電流值也會(huì)增加。如果逸出電流值增加，盡管在速度反饋控制開始時(shí)使用與在生產(chǎn)HDD過程中獲得的逸出電流值相關(guān)的初始控制變量(初始綜合值)Rinteg(0)，也很難使磁頭12很快地從傾斜件16逸出?？紤]到逸出電流值隨時(shí)間的變化，對(duì)于HDD啟動(dòng)時(shí)進(jìn)行的HDD的每次初始化，可以根據(jù)圖7中所示的流程圖來執(zhí)行初始控制變量的確定過程。這樣，總是可以使用最新的初始控制變量Rinteg(0)，并且，盡管逸出電流值隨時(shí)間而變化，在磁頭裝載控制中磁頭12總是可以很快地從傾斜件16逸出。當(dāng)為HDD的每次初始化進(jìn)行初始控制變量的確定過程時(shí)，初始控制變量Rinteg(0)不需要總是被存儲(chǔ)在FROM251中，而是可以存儲(chǔ)在例如RAM252中。
上述實(shí)施例是基于這一前提逸出電流值幾乎不隨HDD溫度而改變。然而，鎖17a的鎖住力和VCM15的感應(yīng)圈電阻與溫度有關(guān)，并且逸出電流值也與溫度有關(guān)。參見圖8和9，說明本實(shí)施例的一種改進(jìn)，其中依照HDD的溫度來校正(確定)磁頭裝載控制在速度反饋控制開始時(shí)所使用的初始控制變量Rinteg(0)。圖8是表示存儲(chǔ)在FROM251中的一個(gè)初始控制變量表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)例子的圖示，而圖9是表示該改進(jìn)的磁頭裝載控制的一些步驟的流程圖。
首先，如圖8所示，初始控制變量表被預(yù)先存儲(chǔ)在FROM251的一個(gè)區(qū)域251b內(nèi)。用于每個(gè)預(yù)定溫度TEMP1，TEMP2，TEMP3，...的初始控制變量Rinteg(0)被記錄在表中。當(dāng)HDD的溫度環(huán)境改變時(shí)，通過根據(jù)圖7所示的流程圖執(zhí)行初始控制變量確定過程，很容易獲得用于每個(gè)溫度的初始控制變量Rinteg(0)。
根據(jù)本實(shí)施例的改進(jìn)，在磁頭裝載控制開始時(shí)，CPU25通過A/D轉(zhuǎn)換器253讀取由溫度傳感器26檢測(cè)到的HDD的溫度TEMP(步驟S21)。然后，CPU25使用存儲(chǔ)在FROM251的區(qū)域251b中的初始控制變量表，對(duì)步驟S21中讀取的溫度TEMP計(jì)算初始控制變量Rinteg(0)(步驟S22)。例如，下述線性內(nèi)插被用于步驟S22中所執(zhí)行的計(jì)算。假設(shè)當(dāng)前溫度TEMP在記錄在初始控制變量表中的溫度TEMP1和溫度TEMP2之間。換句話說，假設(shè)TEMP1＜TEMP＜TEMP2＜TEMP3。在這種情況下，由于在TEMP1到TEMP2的溫度范圍內(nèi)的初始控制變量具有線性溫度特性，CPU25計(jì)算在當(dāng)前溫度TEMP下最優(yōu)的初始控制變量Rinteg(0)。換句話說，CPU25借助于使用溫度TEMP1和TEMP2下的兩個(gè)初始控制變量的線性內(nèi)插，計(jì)算在當(dāng)前溫度TEMP下最優(yōu)的初始控制變量Rinteg(0)。當(dāng)CPU 25在步驟S22中計(jì)算在當(dāng)前溫度TEMP下最優(yōu)的初始控制變量Rinteg(0)時(shí)，它執(zhí)行在圖4的步驟S1中開始的磁頭裝載控制過程。
通過例如考慮逸出電流值隨時(shí)間的變化來初始化HDD，初始控制變量表可以被更新。如下面所說明的，上述線性內(nèi)插可以用于更新初始控制變量表。通過根據(jù)圖7所示流程圖在初始化HDD中執(zhí)行初始控制變量確定過程，CPU25計(jì)算HDD的溫度(當(dāng)前溫度)TEMP下的初始控制變量。然后，CPU25計(jì)算當(dāng)前溫度TEMP下的初始控制變量與通過上述線性內(nèi)插獲得的初始控制變量之間的差值。這樣通過將這個(gè)差值加到記錄在表中的每個(gè)溫度TEMP1，TEMP2，TEMP3，...的初始控制變量上來更新初始控制變量表。經(jīng)過更新的表是適用于HDD的當(dāng)前狀態(tài)的最新的表。
根據(jù)圖1中所示的配置，溫度傳感器26被連接到CPU25上。然而，傳感器26可以連接到門陣列22上，并且在這種情況下，CPU25通過門陣列22來讀取溫度傳感器26的溫度檢測(cè)結(jié)果。
根據(jù)上述實(shí)施例及改進(jìn)，本發(fā)明被應(yīng)用于一個(gè)HDD(硬盤驅(qū)動(dòng)器)。然而，它可以被應(yīng)用于HDD之外的磁盤驅(qū)動(dòng)器，如一個(gè)磁光驅(qū)動(dòng)器，只要磁盤驅(qū)動(dòng)器只需包含一個(gè)傾斜件，用于從磁盤介質(zhì)上讀取數(shù)據(jù)的磁頭停放在該傾斜件上。
其他的優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)可以由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易地獲得。因此，本發(fā)明更廣泛的方面并沒有限制在這里所表示和說明的特定細(xì)節(jié)和有代表性的實(shí)施例中。由此，在不背離通過附加的權(quán)利要求及其等價(jià)物所定義的總的發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍下可以實(shí)現(xiàn)不同的改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種將磁頭(12)從位于磁盤介質(zhì)(11)的外圓周之外的磁盤驅(qū)動(dòng)器的傾斜件(16)裝載到磁盤介質(zhì)(11)上方的方法，該磁頭用于從磁盤介質(zhì)(11)上讀取信息，其特征在于，執(zhí)行通過速度反饋控制將磁頭(12)從傾斜件(16)裝載到磁盤介質(zhì)(11)上方的磁頭裝載控制(步驟S3-S10)，該操作包括依照磁頭(12)速度與目標(biāo)速度的差值在速度反饋控制的每個(gè)采樣時(shí)間生成一個(gè)用于執(zhí)行速度反饋控制的控制變量，并將對(duì)應(yīng)于生成的控制變量的電流供給音圈電機(jī)(15)，該音圈電機(jī)(15)作為致動(dòng)器(14)的驅(qū)動(dòng)源，該致動(dòng)器(14)支撐著可沿磁盤介質(zhì)(11)的徑向方向移動(dòng)的磁頭(12)；并且在速度反饋控制的開始時(shí)將一個(gè)對(duì)應(yīng)于執(zhí)行速度反饋控制的初始控制變量將電流供給音圈電機(jī)(15)(步驟S2)，該初始控制變量對(duì)應(yīng)于從速度反饋控制開始時(shí)直到速度反饋控制的第一次采樣時(shí)間之間的一段預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)供給音圈電機(jī)(15)，將磁頭(12)從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開的電流量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在速度反饋控制的每次采樣時(shí)間根據(jù)從音圈電機(jī)(15)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)電壓來檢測(cè)磁頭(12)的速度(步驟S6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在生產(chǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器期間測(cè)量初始控制變量(S11-S17)；并且將測(cè)得的初始控制變量存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元(251)中(步驟S18)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在速度反饋控制開始時(shí)測(cè)量磁盤驅(qū)動(dòng)器的溫度(步驟S21)；并且根據(jù)測(cè)得的溫度和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元(251)中的初始控制變量確定在速度反饋控制開始時(shí)使用的初始控制變量(步驟S22)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，初始控制變量的測(cè)量(步驟S11-S17)包括在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)將電流供給到音圈電機(jī)(15)上，用以將磁頭(12)從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開(步驟S12-S14)；在經(jīng)過一段預(yù)定的時(shí)間周期后檢測(cè)磁頭(12)的速度(步驟S15)；確定檢測(cè)到的磁頭速度是否超出了參考速度(步驟S16)；當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度沒有超出參考速度時(shí)，通過改變電流量再次執(zhí)行(步驟S12-S14中的)在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)的電流供給(步驟S17)；并且當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度超出了參考速度時(shí)，根據(jù)供給到音圈電機(jī)(15)上的電流量確定初始控制變量(步驟S18)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在生產(chǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器期間，在多個(gè)預(yù)設(shè)溫度的每個(gè)溫度下，測(cè)量初始控制變量(步驟S11-S17)；將每個(gè)預(yù)設(shè)溫度下測(cè)得的初始控制變量存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元(251)中(步驟S18)；在速度反饋控制的開始時(shí)測(cè)量磁盤驅(qū)動(dòng)器的溫度(步驟S21)；并且根據(jù)測(cè)得的溫度和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元(251)中的初始控制變量，確定將在速度反饋控制開始時(shí)使用的與當(dāng)前溫度相對(duì)應(yīng)的初始控制變量(步驟S22)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，每次啟動(dòng)磁盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)測(cè)量初始控制變量(步驟S11-S17)，并且將測(cè)得的初始控制變量存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元(251)中(步驟S18)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于初始控制變量測(cè)量(步驟S11-S17)包括在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)將電流供給音圈電機(jī)(15)，以使磁頭從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開(步驟S12-S14)；在經(jīng)過一段預(yù)定的時(shí)間周期后檢測(cè)磁頭(12)的速度(步驟S15)；確定檢測(cè)到的磁頭(12)的速度是否超出了一個(gè)參考速度(步驟S16)；當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度沒有超出參考速度時(shí)，通過改變電流量再次執(zhí)行(步驟S12-S14中的)在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)的電流供給(步驟S17)；并且當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度超出了參考速度時(shí)，根據(jù)供給音圈電機(jī)(15)的電流量確定初始控制變量(步驟S18)。
9.使用磁頭(12)從磁盤介質(zhì)(11)讀取信息的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，一個(gè)支撐磁頭(12)在磁盤介質(zhì)(11)的徑向方向移動(dòng)的致動(dòng)器(14)，使用一個(gè)音圈電機(jī)(16)作為驅(qū)動(dòng)源；一個(gè)通過將對(duì)應(yīng)于一個(gè)設(shè)定的控制變量的電流供給音圈電機(jī)(15)來驅(qū)動(dòng)音圈電機(jī)(15)的驅(qū)動(dòng)器(182)；一個(gè)在磁盤介質(zhì)(11)的外圓周之外設(shè)置的傾斜件(16)，在磁盤驅(qū)動(dòng)器不工作的狀態(tài)下磁頭(12)停放在傾斜件(16)上；當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器的不工作狀態(tài)解除時(shí)，用于執(zhí)行磁頭裝載控制的裝置(25)，通過基于磁頭(12)的速度與目標(biāo)速度的差值的速度反饋控制，將磁頭(12)從傾斜件(16)裝載到磁盤介質(zhì)(11)上方，執(zhí)行裝置(25)包括在速度反饋控制的每個(gè)采樣時(shí)間設(shè)置對(duì)應(yīng)于磁頭(12)的速度與目標(biāo)速度之間的差值的控制變量的第一設(shè)置裝置；以及在速度反饋控制開始時(shí)由執(zhí)行裝置(25)將一個(gè)用于速度反饋控制的初始控制變量設(shè)置到驅(qū)動(dòng)器(182)上的第二設(shè)置裝置(25)，該初始控制變量對(duì)應(yīng)于在從速度反饋控制開始時(shí)直到速度反饋控制的第一次采樣時(shí)間的一段預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)，供給到音圈電機(jī)(15)，使磁頭(12)從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開的電流量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，包含一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)電壓檢測(cè)器(183)，它檢測(cè)由音圈電機(jī)(15)生成的反電動(dòng)勢(shì)電壓，其中執(zhí)行裝置(25)包括在速度反饋控制的每次采樣時(shí)間根據(jù)反電動(dòng)勢(shì)電壓檢測(cè)器(183)的檢測(cè)結(jié)果來檢測(cè)磁頭(12)的速度的裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，用于在生產(chǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器期間測(cè)量初始控制變量的裝置(25)；以及被配置來存儲(chǔ)由測(cè)量裝置(25)測(cè)得的初始控制變量的存儲(chǔ)單元(251)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，一個(gè)檢測(cè)磁盤驅(qū)動(dòng)器溫度的溫度傳感器(26)；以及由第二設(shè)置裝置在速度反饋控制開始時(shí)根據(jù)溫度傳感器(26)檢測(cè)到的當(dāng)前溫度和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元(251)中的初始控制變量確定由第二設(shè)置裝置設(shè)置到驅(qū)動(dòng)器(182)上的初始控制變量的裝置(25)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于測(cè)量裝置(25)包括在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)從驅(qū)動(dòng)器將電流供給到音圈電機(jī)(15)上的裝置，用以將磁頭(12)從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開；在經(jīng)過一段預(yù)定的時(shí)間周期后檢測(cè)磁頭(12)的速度的裝置；確定檢測(cè)到的磁頭(12)的速度是否超出了一個(gè)參考速度的裝置；當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度沒有超出參考速度時(shí)，通過改變電流量再次執(zhí)行在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)的電流供給的裝置；以及當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度超出了參考速度時(shí)，根據(jù)供給音圈電機(jī)(15)的電流量確定初始控制變量的裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，在生產(chǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器期間，在多個(gè)預(yù)設(shè)溫度的每個(gè)溫度下，測(cè)量用于速度反饋控制的初始控制變量的裝置(25)；一個(gè)存儲(chǔ)單元(251)，被配置來存儲(chǔ)在每個(gè)預(yù)設(shè)溫度下由測(cè)量裝置測(cè)得的初始控制變量；一個(gè)檢測(cè)磁盤驅(qū)動(dòng)器溫度的溫度傳感器(26)；以及根據(jù)由溫度傳感器(26)檢測(cè)到的當(dāng)前溫度和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元(251)中的每個(gè)預(yù)設(shè)溫度下的初始控制變量，確定由第二設(shè)置裝置設(shè)置到驅(qū)動(dòng)器(182)上的一個(gè)初始控制變量的裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，在每次啟動(dòng)磁盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)測(cè)量初始控制變量的裝置(25)；以及一個(gè)存儲(chǔ)單元(251)，被配置來存儲(chǔ)由測(cè)量裝置(25)最新測(cè)得的初始控制變量。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于測(cè)量裝置(25)包括在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)將電流供給到音圈電機(jī)(15)上，以使磁頭從傾斜件(16)上的停放區(qū)(161)移開的裝置；在經(jīng)過一段預(yù)定的時(shí)間周期后檢測(cè)磁頭(12)速度的裝置；確定檢測(cè)到的磁頭(12)速度是否超出了一個(gè)參考速度的裝置；當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度沒有超出參考速度時(shí)，通過改變電流量再次執(zhí)行在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)的電流供給的裝置；以及當(dāng)檢測(cè)到的磁頭(12)的速度超出了參考速度時(shí)，根據(jù)供給到音圈電機(jī)(15)上的電流量確定初始控制變量的裝置。
全文摘要
一個(gè)CPU(25)執(zhí)行磁頭裝載控制，當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器的不工作狀態(tài)被解除時(shí)，將磁頭從一個(gè)傾斜件(16)裝載到磁盤(11)上方。CPU(25)使用一個(gè)與VCM電流量相對(duì)應(yīng)的值作為控制變量的初始值(初始控制變量)，用于速度反饋控制，該VCM電流值對(duì)于直到速度反饋控制的第一次采樣時(shí)間的一段預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)將磁頭(12)從傾斜件(16)上的一個(gè)停放區(qū)(161)移開是必需的。
文檔編號(hào)G11B5/54GK1428766SQ0214253
公開日2003年7月9日 申請(qǐng)日期2002年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月25日
發(fā)明者楠本辰春 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝