專利名稱：主載體的清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁轉(zhuǎn)錄中所使用的磁轉(zhuǎn)錄用主載體或光盤成型中所使用的光盤用主載體的清潔方法。
磁轉(zhuǎn)錄中所使用的主載體通過在硅襯底、玻璃襯底等上實(shí)施照相化學(xué)腐蝕制造法、濺射、蝕刻等處理，形成磁性體的凹凸圖案而構(gòu)成。另外認(rèn)為，應(yīng)用在半導(dǎo)體等中所使用的石版印刷技術(shù)或者在光盤模壓制作中所使用的模壓制作技術(shù)，制成磁轉(zhuǎn)錄用主載體。
為了提高上述磁轉(zhuǎn)錄中的轉(zhuǎn)錄質(zhì)量，使主載體和從屬介質(zhì)沒有任何間隙地密合成為重要課題。也就是說，如果密合不良，就會存在產(chǎn)生未引起磁轉(zhuǎn)錄的區(qū)域，當(dāng)沒有引起磁轉(zhuǎn)錄時，在向從屬介質(zhì)轉(zhuǎn)錄的磁信息中會產(chǎn)生信號遺漏，降低信號質(zhì)量，在記錄的信號是伺服信號的情況下，不能充分得到跟蹤性能，可靠性降低的問題。
另外，在進(jìn)行采用上述磁轉(zhuǎn)錄方法的磁轉(zhuǎn)錄時，隨著主載體的反復(fù)使用，主載體在表面上附著異物而被污染。作為該主載體上的附著物，以在周圍環(huán)境中產(chǎn)生的塵埃、纖維碎屑等為主。
在這些附著物附著于主載體上的狀態(tài)下進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄時，在以附著部分為中心波及至周圍的范圍內(nèi)，不能確保主載體與從屬介質(zhì)的密合，不能進(jìn)行給定信號水平的圖案轉(zhuǎn)錄，從而轉(zhuǎn)錄質(zhì)量下降。通過反復(fù)進(jìn)行主載體與從屬介質(zhì)的密合，會助長上述附著物對該主載體表面的附著力，在所有以后進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的從屬介質(zhì)中產(chǎn)生同樣或比這更嚴(yán)重的圖案轉(zhuǎn)錄不良，這是許多不良品產(chǎn)生的原因。而且，由于這些附著物，還產(chǎn)生使主載體表面變形，損失正常功能的問題。
根據(jù)上述觀點(diǎn)，例如在特開2000-285637中所見那樣，提出了對磁轉(zhuǎn)錄用主載體進(jìn)行清潔處理的方案。該清潔處理是一邊旋轉(zhuǎn)安裝了清潔墊的清潔盤，一邊使之與處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的主載體的表面接觸而進(jìn)行附著物的去除。
可是，在使用上述那樣的清潔盤的清潔處理中，在形成于主載體的信息承載面上的轉(zhuǎn)錄圖案是凹凸形狀的情況下，難以除去進(jìn)入并挾持在凹部內(nèi)的異物。而且，也存在將周圍的異物壓入凹部的情況或由于異物將主載體表面擦傷的情況，也不能除去微粒子的附著物，存在清潔不充分而不能消除轉(zhuǎn)錄不良的擔(dān)心。特別是，主載體價格較高，再次利用實(shí)現(xiàn)長壽化，在成本方面有利。
另外認(rèn)為，為了除去主載體上的附著物，通過使用洗滌液的超聲波洗滌、摩擦接觸等清潔磁轉(zhuǎn)錄之前的主載體?？墒?，采用這些方法洗滌之后，存在已除去的附著物再次附著在主載體上的可能性，去除變得不充分，同時也會在主載體表面產(chǎn)生干燥洗滌液時的水印、與摩擦接觸材料的擦傷等，擔(dān)心成為信號轉(zhuǎn)錄不良、主載體破損的原因。即，即使采用洗滌液、摩擦接觸材料可暫時除去附著物，但存在由殘留的洗滌液或摩擦接觸材料再次附著在主載體表面上的情況，特別是對于微粒子不能除去。
上述因磁轉(zhuǎn)錄中的附著物造成的信號遺漏，在逐次交換從屬介質(zhì)進(jìn)行多次磁轉(zhuǎn)錄時，有時從初期就開始發(fā)生。這是因為在主載體的制作工序中就存在附著物。另外，對該附著物分析的結(jié)果可知是有機(jī)物，并已判明由與為了保護(hù)圖案而形成于襯底上的由涂層劑構(gòu)成的保護(hù)層的元素相同的元素構(gòu)成。
具體地說，主載體的制作如上所述，在襯底上形成與轉(zhuǎn)錄信號相對應(yīng)的圖案，將磁性層覆蓋在該襯底的圖案上而成，但由于還進(jìn)行在襯底上制作圖案的工序和形成磁性層的工序之外的工序，所以，為了防止損傷襯底上圖案的發(fā)生和附著塵埃，涂布形成由圖案保護(hù)用的有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)層。
另外，在磁性層形成時，剝離上述保護(hù)層之后，采用濺射法等設(shè)置磁性層，但即使剝離保護(hù)層，也會有一部分殘留在圖案上，這將導(dǎo)致在制作磁性層時發(fā)生飛散而附著在表面上，因密合不良而產(chǎn)生信號遺漏。另外存在保護(hù)層的殘留物介于襯底和磁性層之間，進(jìn)而降低兩者的密合性，成為磁性層剝離的原因，影響耐久性的問題。
另一方面，制作光盤的模壓法是使用已承載了由凹凸圖案構(gòu)成的信息的光盤用主載體(所謂模壓)，成形光盤的樹脂層的方法。而且，光盤在具有與信息相對應(yīng)的凹凸形狀的樹脂層表面上覆蓋薄膜的反射層，再設(shè)置保護(hù)層。
而且，由于在成型中途不對所述光盤用主載體進(jìn)行清潔處理，連續(xù)進(jìn)行光盤的成型，所以如果成型張數(shù)超過1000張，與磁轉(zhuǎn)錄用主載體相同，隨著異物的附著，制成的光盤的差錯率有增大的傾向，難以制作可靠性高的光盤。
根據(jù)以上所述，部分進(jìn)行的光盤用主載體的清潔可使用電解脫脂洗滌、采用清洗劑的超聲波洗滌或臭氧洗滌裝置等，但有時不能除去牢固附著的附著物。特別是，難以完全除去信號圖案凹凸部的凹部中的異物，成為成型不良的原因。
另外，本發(fā)明提供一種磁轉(zhuǎn)錄用主載體的清潔方法，除去由設(shè)置于磁轉(zhuǎn)錄用主載體的襯底上的保護(hù)層引起的在主載體上的附著物，由此進(jìn)行轉(zhuǎn)錄質(zhì)量高的磁轉(zhuǎn)錄。
而且，本發(fā)明提供一種主載體的清潔方法，將磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體的附著物，即使進(jìn)入凹部或是微粒子，也都能完全除去，由此可進(jìn)行轉(zhuǎn)錄質(zhì)量高的磁轉(zhuǎn)錄或光盤的制作。
本發(fā)明的主載體的清潔方法是在從承載信息的主載體向從屬介質(zhì)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄的磁轉(zhuǎn)錄方法中所使用的磁轉(zhuǎn)錄用主載體、或由承載信息的主載體成形光盤中所使用的光盤用主載體的清潔方法，其特征在于，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，燃燒除去進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之前或成型之前的所述主載體表面的附著物。
實(shí)施上述清潔方法的清潔裝置的特征在于，包括收存所述主載體的減壓容器；使容器內(nèi)減壓的減壓器件；使容器內(nèi)的電極和主載體之間發(fā)生等離子體放電的放電器件；以及將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器內(nèi)的氣體導(dǎo)入器件；在減壓狀態(tài)下，導(dǎo)入反應(yīng)性氣體后進(jìn)行放電，通過等離子體放電燃燒除去主載體表面的附著物。
該清潔裝置中的減壓容器進(jìn)行開閉動作可交換地收存主載體。所述減壓器件具備真空泵，使容器內(nèi)減壓至給定的壓力。所述放電器件具備將主載體與放電器件的一個電極導(dǎo)通且在與之對峙并配置于容器內(nèi)的電極和主載體之間施加放電電壓的DC電源或RF電源，在主載體上產(chǎn)生等離子體放電。所述氣體導(dǎo)入器件將給定量的反應(yīng)性高的反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器內(nèi)。
并且，磁轉(zhuǎn)錄用主載體的其它清潔方法是在襯底的圖案上形成磁性層的磁轉(zhuǎn)錄用主載體的制作過程中，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，對形成所述圖案的襯底表面進(jìn)行清潔。然后在該襯底的圖案上形成磁性層。即，在剝離形成圖案的襯底的保護(hù)層之后，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，將形成磁性層之前的襯底保護(hù)層殘留物燃燒除去，進(jìn)行清潔。
換言之，上述磁轉(zhuǎn)錄用主載體的制作方法的特征在于，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，對形成圖案的襯底的表面進(jìn)行清潔，然后在該襯底的圖案上形成磁性層。
另一清潔方法是除去具有形成了與信息相對應(yīng)的凹凸圖案的信息承載面的磁轉(zhuǎn)錄用主載體或光盤用主載體上的附著物的清潔方法，其特征在于，在所述主載體的信息承載面的表面上設(shè)置被膜，連同該被膜一起除去附著在表面上的附著物。
例如，所述被膜是碳層，在清潔時，利用等離子體除去該被膜。另外，所述被膜是高分子被膜，在清潔時，利用溶劑或等離子體除去該被膜。被膜的除去也可以采用超聲波洗滌，使之剝離。在所述主載體上形成被膜，可使用通過濺射法、CVD法使含有碳的材料成膜的方法、通過蒸鍍使高分子材料成膜的方法等各種成膜方法。在確保良好的轉(zhuǎn)錄性或成型性的方面，被膜的厚度優(yōu)選為40nm以下。若被膜的厚度大于40nm，在磁轉(zhuǎn)錄的情況下，圖案的表面與從屬介質(zhì)之間的距離增大，導(dǎo)致轉(zhuǎn)錄性劣化，分辨能力降低，在光盤成型的情況下，成型尺寸的變化增大。
由清潔后的主載體再次進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型時，在信息承載面的表面上再次形成所述被膜后使用。
另外，在磁轉(zhuǎn)錄用主載體的情況下，上述被膜可以成為設(shè)置于襯底上的磁性層，在清潔時，除去該磁性層，再次使用時，通過濺射法等再次形成磁性層。
所述清潔優(yōu)選與磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型連續(xù)地進(jìn)行，優(yōu)選在每個磁轉(zhuǎn)錄工序(成型工序)中，或者在磁轉(zhuǎn)錄(成型)給定次數(shù)后，或者在因附著物造成的轉(zhuǎn)錄不良或成型不良發(fā)生時，從磁轉(zhuǎn)錄裝置或成型裝置中取出主載體，進(jìn)行清潔處理。此時，準(zhǔn)備多個主載體，依次反復(fù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型和清潔，這在效率方面優(yōu)選。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，燃燒除去進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型之前的主載體表面的附著物，由此，可以以干式處理且非接觸方式除去纖維碎屑等附著物，所以相對于使用洗滌液的超聲波洗滌、摩擦接觸等的清潔方法，已除去的附著物不會再次附著在主載體上，也不會產(chǎn)生水印、擦傷等，也可以除去微粒子，可以防止因主載體和從屬介質(zhì)的密合不良造成的轉(zhuǎn)錄信號劣化或成型不良的發(fā)生，可進(jìn)行質(zhì)量穩(wěn)定的磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型，提高了可靠性，使主載體高壽命化。
另外，在形成于襯底的圖案上設(shè)置磁性層制作磁轉(zhuǎn)錄用主載體時，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，對形成了所述圖案的襯底表面進(jìn)行清潔處理，然后形成磁性層，從而在磁性層形成時，可完全除去保護(hù)層的殘留物，可減少因制作的主載體表面上的保護(hù)層造成的附著物，抑制因主載體和從屬介質(zhì)的密合不良造成的信號遺漏，能夠進(jìn)行質(zhì)量穩(wěn)定的磁轉(zhuǎn)錄，提高可靠性，同時達(dá)到延長主載體使用壽命的目的。
另外，在磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體的信息承載面的表面上設(shè)置被膜，在清潔時，連同該被膜一起將附著在表面上的附著物除去，從而可確實(shí)除去附著在主載體表面上的異物以及微粒子，特別是對于進(jìn)入并挾持在圖案凹部內(nèi)的異物，通過除去凹部壁面的被膜，使槽寬度擴(kuò)大，所以可以容易地除去，消除轉(zhuǎn)錄不良或成型不良，可進(jìn)行主載體的再利用，可進(jìn)行質(zhì)量穩(wěn)定的磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型，提高了可靠性，延長了主載體的使用壽命。
圖2是一個實(shí)施方式中的磁轉(zhuǎn)錄用主載體的主要部分的剖面圖。
圖3是表示對圖2的襯底進(jìn)行清潔的狀態(tài)的清潔裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是表示其它實(shí)施方式的磁轉(zhuǎn)錄用主載體清潔前的狀態(tài)的剖面圖。
圖5是圖4清潔之后的主載體的剖面圖。
圖6是圖4其它實(shí)施方式的主載體的剖面圖。
其中，1-清潔裝置，2-主載體，3-減壓容器，4-減壓器件，5-放電器件，6-氣體導(dǎo)入器件，21-襯底，22-磁性層，23-清潔用被膜，31-基礎(chǔ)部件，32-蓋部件，41-真空泵，51-電源，52-放電電極，61-氣體導(dǎo)入通路，2a-凸部，2b-凹部，P1、P2-附著物。


圖1所示的清潔裝置包括收存主載體2的減壓容器3(真空容器)；使容器3內(nèi)減壓的減壓器件4；使容器3內(nèi)的電極52和主載體2之間發(fā)生等離子體放電的放電器件5；將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器3內(nèi)的氣體導(dǎo)入器件6。
另外，采用所述裝置1的清潔方法是在利用反應(yīng)性等離子體蝕刻的干式處理中，非接觸地除去進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型之前的磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體2中的表面的附著物的方法。即，在減壓狀態(tài)下導(dǎo)入反應(yīng)性氣體后進(jìn)行放電，通過等離子體放電，燃燒除去主載體2表面的附著物。
所述減壓容器3具有罩住基礎(chǔ)部件31并密閉內(nèi)部空間的罩形蓋部件32，通過基礎(chǔ)部件31和蓋部件32相對接觸離開移動進(jìn)行開閉動作，在內(nèi)部可更換地收存主載體2。主載體2放置在基礎(chǔ)部件31上，該主載體2與電性接地的基礎(chǔ)部件31成為導(dǎo)通狀態(tài)，成為后述放電時的一個電極。
減壓器件4具備真空泵41，來自真空泵41的減壓通路42與蓋部件32連接，吸引容器3的內(nèi)部空氣，減壓至給定的壓力。在該減壓通路42中配置第1閥門V1，對其進(jìn)行控制，使之在減壓時進(jìn)行打開動作，在減壓開放時進(jìn)行關(guān)閉動作。另外，在減壓通路42上具備與第1閥門V1的容器3側(cè)匯合的排空通路43，該排空通路43與排空通道連通的同時，在中途配置第2閥門V2，對其進(jìn)行控制，使之在減壓時進(jìn)行關(guān)閉動作，在完成減壓時進(jìn)行打開動作，與大氣相通。
放電器件5具備發(fā)生放電電壓的電源51(DC電源)，同時具備配置于蓋部件32內(nèi)部的板狀放電電極52。該放電電極52被貫穿蓋部件32的支持部件53保持，同時通過配置于該支持部件53內(nèi)部的未圖示的通電部件與電源51連接。在支持部件53和蓋部件32之間加裝絕緣密封件33，使蓋部件32成為電絕緣狀態(tài)。所述放電電極52與放置在基礎(chǔ)部件31上的主載體2對峙，將電源51生成的放電電壓施加在放電電極52和主載體2之間，使主載體2上發(fā)生等離子體放電。另外，作為電源51，如后所述，可以使用RF電源。
氣體導(dǎo)入器件6具備貯藏反應(yīng)性氣體的未圖示的氣罐，來自氣罐的氣體導(dǎo)入通路61與蓋部件32連接，向容器3的內(nèi)部導(dǎo)入給定量的反應(yīng)性高的反應(yīng)性氣體。在該氣體導(dǎo)入通路61上配置第3閥門V3，對其進(jìn)行控制，使其在氣體導(dǎo)入時進(jìn)行打開動作。反應(yīng)性氣體例如是含有Ar、O2、CCl4等的組成。
說明如上所述的清潔裝置1的工作情況。首先，移動基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，打開減壓容器3，將主載體2放置在基礎(chǔ)部件31上的給定位置，并使形成了微細(xì)凹凸圖案的信息承載面朝上。移動基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，使減壓容器3為密閉狀態(tài)，在打開第1閥門V1的同時，關(guān)閉第2閥門V2，通過驅(qū)動真空泵41吸引容器3內(nèi)部的空氣，將內(nèi)部減壓至給定壓力。若成為給定的減壓狀態(tài)，就打開第3閥門V3，通過氣體導(dǎo)入通路61將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器3內(nèi)。若容器3內(nèi)部成為給定的氣體組成，由電源51(DC電源)將放電電壓施加在放電電極52和主載體2之間，在主載體2上發(fā)生等離子體放電。通過該反應(yīng)性氣體的等離子體放電，在等離子體蝕刻的作用下燃燒除去主載體2表面的附著物。
若完成給定時間的清潔，則在第1閥門V1和第3閥門V3為關(guān)閉的狀態(tài)下，打開第2閥門V2，與大氣相通，由排空通路43導(dǎo)入空氣，使容器3內(nèi)壓力上升至大氣壓。然后，移動基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，打開減壓容器3，取出基礎(chǔ)部件31上的主載體2，放置下一個主載體2，以下進(jìn)行同樣的清潔處理。
在磁轉(zhuǎn)錄的情況下，將清潔后的主載體2傳送至磁轉(zhuǎn)錄裝置中，使主載體2的信息承載面與已預(yù)先在磁道方向或垂直方向上進(jìn)行了初始磁化的從屬介質(zhì)的記錄面密合，在該密合狀態(tài)下，通過電磁鐵裝置等磁場施加裝置在與初始磁化方向近乎相反的方向上施加轉(zhuǎn)錄用磁場，將與主載體2的轉(zhuǎn)錄信息相對應(yīng)的磁化圖案轉(zhuǎn)錄記錄到從屬介質(zhì)上。另外，在光盤成型的情況下，將清潔后的主載體2傳送至成型裝置中，固定于金屬模具中，關(guān)閉模具，注射樹脂，進(jìn)行光盤樹脂層的成型。
上述主載體2的清潔優(yōu)選與磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型連續(xù)進(jìn)行，在每個磁轉(zhuǎn)錄工序(成型工序)或每給定次數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄(成型)中，對主載體2進(jìn)行清潔處理。此時，在效率方面希望準(zhǔn)備多個主載體2，依次與清潔過的物質(zhì)進(jìn)行交換。將清潔裝置1組裝成磁轉(zhuǎn)錄裝置或成型裝置的一部分，連接磁轉(zhuǎn)錄動作或成型動作，取出主載體2，傳送至清潔裝置1中進(jìn)行清潔處理。
磁轉(zhuǎn)錄用主載體是將磁性層(金屬薄膜層)覆蓋在襯底的微細(xì)凹凸圖案上的載體。襯底是由Ni等構(gòu)成的強(qiáng)磁性體的情況下，可以只用該襯底進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄，也可以不覆蓋磁性層(軟磁性層)，但通過設(shè)置轉(zhuǎn)錄特性良好的磁性層，可以進(jìn)行更好的磁轉(zhuǎn)錄。在襯底是非磁性體的情況下，必須設(shè)置磁性層。另外，在將主載體2放置于所述基礎(chǔ)部件31上時，為了使其信息承載面接地，并通過DC電源51沿該信息承載面發(fā)生放電，優(yōu)選使用導(dǎo)電性材料形成主載體2的襯底?；蛘?，在主載體2的襯底是絕緣性材料的情況下，優(yōu)選在該襯底上層壓導(dǎo)電層之后，在凹凸圖案上形成磁性層。另外，光盤用主載體(模壓)由表面上形成了微細(xì)凹凸圖案的Ni等的金屬板構(gòu)成，被所述基礎(chǔ)部件31接地。
并且，作為所述放電器件5的電源51，也可以使用RF電源代替DC電源。此時，即使主載體2因絕緣性不被基礎(chǔ)部件31接地，也能在主載體2的表面發(fā)生等離子體放電，進(jìn)行燃燒除去附著物的清潔處理。
根據(jù)如上所述的實(shí)施方式，相對于與從屬介質(zhì)密合且進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄之前的磁轉(zhuǎn)錄用主載體2，通過清潔裝置1，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電的等離子體蝕刻燃燒除去表面的附著物，由此進(jìn)行干式處理且非接觸的清潔，所以已除去的附著物不會再次附著的同時，不會在表面產(chǎn)生水印、擦傷地進(jìn)行良好的清潔，可以提高磁轉(zhuǎn)錄時的與從屬介質(zhì)的密合性，進(jìn)行轉(zhuǎn)錄質(zhì)量優(yōu)良的磁轉(zhuǎn)錄，實(shí)現(xiàn)防止主載體破損的高壽命化。另外，對設(shè)置于成型金屬模具并進(jìn)行光盤成型之前的光盤用主載體2，同樣進(jìn)行清潔，由此可進(jìn)行成型精度優(yōu)良的光盤成型，減少制成的光盤的差錯率，制作高可靠性的光盤。
下面，說明其它實(shí)施方式的清潔方法。圖2是本發(fā)明一實(shí)施方式中的磁轉(zhuǎn)錄用主載體主要部分的剖面圖，圖3是表示對襯底進(jìn)行清潔的狀態(tài)的清潔裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。另外，清潔裝置的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式的相同，對于相同部分附以相同的符號。
如圖2所示，磁轉(zhuǎn)錄用主載體2包括形成了與轉(zhuǎn)錄的信息相對應(yīng)形態(tài)的微細(xì)凹凸圖案的襯底21以及采用濺射法等覆蓋在該圖案上的磁性層22(軟磁性層)。
上述主載體2的制作述如下。得到采用各種制作方法在表面上形成微細(xì)凹凸圖案的襯底21后，在其表面上涂布形成防止損傷和塵埃附著用的有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)層(未圖示)。在將這樣的襯底21傳送至磁性層22的形成工序之前，剝離上述保護(hù)層，同時通過清潔裝置1，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，對襯底21的圖案表面進(jìn)行清潔處理。然后，通過成膜裝置等，在清潔后的襯底21的圖案上形成磁性層22。
圖3所示的清潔裝置1包括收存形成磁性層22之前的所述襯底21的減壓容器3(真空容器)；使容器3內(nèi)減壓的減壓器件4；使容器3內(nèi)的電極52和襯底21之間發(fā)生等離子體放電的放電器件5；將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器3內(nèi)的氣體導(dǎo)入器件6。
而且，采用所述裝置1的清潔通過利用反應(yīng)性等離子體蝕刻的干式處理非接觸地除去襯底21表面中的保護(hù)層殘留物。即，在減壓狀態(tài)下導(dǎo)入反應(yīng)性氣體后進(jìn)行放電，通過等離子體放電燃燒除去襯底21表面的殘留物。
所述清潔裝置1的具體結(jié)構(gòu)與圖1的結(jié)構(gòu)相同，省略其說明。而且，移動清潔裝置1的基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，打開減壓容器3，將襯底21放置在基礎(chǔ)部件31上的給定位置，并使形成微細(xì)凹凸圖案的面朝上。移動基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，使減壓容器3為密閉狀態(tài)，在打開第1閥門V1的同時，關(guān)閉第2閥門V2，通過驅(qū)動真空泵41吸引容器3內(nèi)部的空氣，將內(nèi)部減壓至給定壓力。若成為給定的減壓狀態(tài)，就打開第3閥門V3，通過氣體導(dǎo)入通路61將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器3內(nèi)。若容器3內(nèi)部成為給定的氣體組成，由電源51(DC電源)將放電電壓施加在放電電極52和襯底21之間，使襯底21上發(fā)生等離子體放電。通過該反應(yīng)性氣體的等離子體放電，利用等離子體蝕刻的作用燃燒除去襯底21表面的保護(hù)層殘留物和其它附著物。
若完成給定時間的清潔，就在第1閥門V1和第3閥門V3為關(guān)閉的狀態(tài)下，打開第2閥門V2，與大氣相通，由排空通路43導(dǎo)入空氣，使容器3內(nèi)壓力上升至大氣壓。然后，移動基礎(chǔ)部件31或蓋部件32，打開減壓容器3，取出基礎(chǔ)部件31上的襯底21，放置下一個襯底21，以下進(jìn)行同樣的清潔處理。
將清潔后的襯底21傳送至成膜裝置中，覆蓋磁性層22制成磁轉(zhuǎn)錄用的主載體2。另外，也可以利用成膜裝置用的等離子體機(jī)構(gòu)進(jìn)行上述清潔，在裝置內(nèi)連續(xù)進(jìn)行清潔、成膜。
另外，為了通過DC電源51沿圖案面發(fā)生放電，優(yōu)選使用導(dǎo)電性材料形成襯底21，使之放置于所述基礎(chǔ)部件31上時接地。并且，作為所述放電器件5的電源51，也可以使用RF電源代替DC電源。此時，即使襯底21因絕緣性不被基礎(chǔ)部件31接地，也能在襯底21的表面發(fā)生等離子體放電，進(jìn)行燃燒除去殘留物的清潔處理。
作為主載體2的襯底21，可使用鎳、硅、鋁、合金等。凹凸圖案的形成可采用模壓法等進(jìn)行。
模壓法是在表面平滑的玻璃板(或石英板)上用旋轉(zhuǎn)涂敷器等形成光致抗蝕劑，一邊旋轉(zhuǎn)該玻璃板，一邊照射對應(yīng)于伺服信號調(diào)制的激光(或電子束)，將給定圖案曝光，例如相當(dāng)于伺服信號的圖案。然后，對光致抗蝕劑進(jìn)行顯像處理，除去曝光部分，得到具有由光致抗蝕劑造成的凹凸形狀的原盤。接著，在保持原盤表面凹凸圖案的前提下，在該表面上施行電鍍(電鑄)，制成具有陽極狀凹凸圖案的Ni襯底，從原盤上剝離。襯底21的凹凸圖案的深度(突起的高度)優(yōu)選在80nm～800nm的范圍，更優(yōu)選為100nm～600nm。
另外，也可以在所述原盤上施行電鍍制成第2原盤，使用該第2原盤進(jìn)行電鍍，制成具有負(fù)極狀凹凸圖案的襯底。而且，也可以在第2原盤上進(jìn)行電鍍，或壓上樹脂液進(jìn)行固化，制作第3原盤，在第3原盤上進(jìn)行電鍍，制成具有正極狀凹凸圖案的襯底。另一方面，也可以在所述玻璃板上形成光致抗蝕劑的圖案后，進(jìn)行蝕刻，在玻璃板上形成孔穴，得到除去了光致抗蝕劑的原盤，以下與所述相同形成襯底。
所述磁性層22的形成可以采用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等真空成膜方法、以及電鍍等使磁性材料成膜。作為該磁性材料，可以使用Co、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)。特別優(yōu)選FeCo、FeCoNi。磁性層22的厚度優(yōu)選在50nm～500nm的范圍，更優(yōu)選100nm～400nm。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實(shí)施方式，對形成磁性層22之前的磁轉(zhuǎn)錄用主載體2的襯底21通過清潔裝置1，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電的等離子體蝕刻，燃燒除去表面的保護(hù)層殘留物及其它附著物，由此可以進(jìn)行良好的清潔，降低在形成磁性層22后的主載體2表面上的保護(hù)層引起的附著物。結(jié)果，可提高磁轉(zhuǎn)錄時的主載體和從屬介質(zhì)之間的密合性，防止發(fā)生附著物造成的信號遺漏，進(jìn)行轉(zhuǎn)錄質(zhì)量優(yōu)良的磁轉(zhuǎn)錄，實(shí)現(xiàn)防止磁性層剝離的高壽命化。
下面，說明其它實(shí)施方式的清潔方法。圖4是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的主載體清潔之前狀態(tài)的剖面圖，圖5是清潔之后的主載體的剖面圖。另外，各圖是模式圖，用與實(shí)際不同的比例表示各部的尺寸。
將磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體2形成為圓盤狀，在其單面的信息承載面上，與轉(zhuǎn)錄信息(伺服信號)或成型信息相對應(yīng)，具有由凸部2a和凹部2b構(gòu)成的微細(xì)凹凸形狀的圖案。在磁轉(zhuǎn)錄用主載體的情況下，如所述圖2中詳述的那樣，通過磁性層形成上述凸部2a的頂面。另外，在光盤用主載體的情況下，上述凹部2b成形光盤的坑(凸部)。
而且，在上述信息承載面的凹凸圖案的表面上形成清潔用的被膜23。該被膜23覆蓋在凸部2a的上面以及凸部2a之間的側(cè)面，即凹部2b的壁面和底面上。
由于反復(fù)進(jìn)行與從屬介質(zhì)的密合引起的磁轉(zhuǎn)錄，或由于反復(fù)進(jìn)行光盤樹脂層的成型，如圖4所示，在主載體2的被膜23上附著纖維碎屑、微粒子等附著物P1、P2。例如，纖維狀的附著物P1壓在凸部2a表面，微粒子狀的附著物P2被按壓進(jìn)入凸部2a之間的凹部2b內(nèi)，由于其大小的原因被卡在凹部2b內(nèi)。
除去上述那樣附著在表面上的附著物P1、P2的主載體2的清潔，除去所述被膜23后，連同該被膜23一起除去附著在表面上的附著物P1、P2，使清潔后的主載體2如圖5所示。由此，附著在凸部2a表面上的附著物P1與被膜23一起從主載體2上剝離除去，通過除去凹部2b壁面的被膜23使槽寬擴(kuò)大，從凹部2b中將挾持在凹部2b中的附著物P2排出除去。
所述被膜23是碳層，在清潔時，利用等離子體除去該被膜23。主載體2上被膜23的形成可以采用濺射、CVD法等使含碳原料成膜。在凸部2a的表面，將被膜23的厚度設(shè)為40nm以下(優(yōu)選5～30nm)。由此，在磁轉(zhuǎn)錄中，與從屬介質(zhì)密合時，使凸部2a的表面和從屬介質(zhì)靠近，可確保良好的轉(zhuǎn)錄分辨能力，在光盤成型中，可確保成型性。若被膜23大于40nm，在磁轉(zhuǎn)錄的情況下，圖案的表面與從屬介質(zhì)之間的距離增大，導(dǎo)致轉(zhuǎn)錄性劣化、分辨能力降低，在光盤成型的情況下，成型尺寸的變化增大。
另外，等離子體清潔利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電燃燒除去被膜23和附著物P1、P2。該等離子體清潔(反應(yīng)性等離子體蝕刻)是如下進(jìn)行的例如，使用所述清潔裝置1，將從轉(zhuǎn)錄裝置或成型裝置中取出的主載體2收存在清潔裝置的減壓容器(真空容器)中，向該減壓容器內(nèi)導(dǎo)入反應(yīng)性氣體，同時使電極和主載體2之間發(fā)生等離子體放電。反應(yīng)性氣體例如是含有Ar、O2、CCl4等的組成。
另外，作為其它實(shí)施方式，利用高分子被膜形成所述被膜23，在清潔時，使用溶劑溶解除去該高分子被膜，或使用所述等離子體除去該高分子被膜。該高分子被膜通過蒸鍍將高分子材料成膜的方法等形成。另外，被膜23的去除也可以通過對主載體2進(jìn)行超聲波洗滌，在被膜23上施加超聲波振動，使之從主載體2上剝離除去。
由清潔后的主載體2再次進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型時，如圖4所示，可再次在凹凸圖案的表面上形成清潔用的被膜23進(jìn)行使用。
在光盤用主載體中，在凹部2b的側(cè)壁面也設(shè)置被膜23的情況下，為了使凹凸圖案以原樣的形狀成型，優(yōu)選使凹部2b的寬度比成型后的光盤的坑寬度(坑直徑)大被膜23的厚度。另外，如圖6所示，例如采用濺射法，在凸部2a的上面和凹部2b的底面設(shè)置被膜23，而不在凹部2b的側(cè)壁面上設(shè)置被膜23的情況下，不需要該設(shè)置。此時，附著在凸部2a表面上的附著物P1與被膜23一起從主載體2上剝離除去，但挾持在凹部2b內(nèi)的附著物P2難以除去。從這點(diǎn)上來看，如上所述，采用CVD法等在凹部2b的側(cè)壁面上也設(shè)置被膜23對于除去異物有效。
另外，在磁轉(zhuǎn)錄用主載體的情況下，可以使用所述圖2所示的設(shè)置于襯底21上的磁性層22作為清潔時剝離的上述被膜23，在清潔時，將該磁性層22與附著物P1、P2一起除去，在再次使用時，通過濺射法等再次形成磁性層22。該磁性層22厚度較大地形成于凸部2a的上面，由此可良好地除去挾持在凹部2b內(nèi)的附著物P2。
另外，與磁轉(zhuǎn)錄用主載體2密合之前的從屬介質(zhì)必要時實(shí)施采用研磨頭、研磨件等除去表面的微小突起或附著塵埃的清潔處理。另一方面，優(yōu)選在磁轉(zhuǎn)錄的密合前工序或注射樹脂前工序中對主載體2實(shí)施不除去被膜23的清潔處理，進(jìn)行塵埃的去除。
在本實(shí)施方式中，主載體2的清潔優(yōu)選與磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型連續(xù)進(jìn)行，給定次數(shù)的磁轉(zhuǎn)錄(成型)后，或者，附著物造成的轉(zhuǎn)錄不良(成型不良)發(fā)生時，從磁轉(zhuǎn)錄裝置(成型裝置)中取出主載體2進(jìn)行清潔處理。此時，希望準(zhǔn)備多個主載體2，依次反復(fù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄(成型)和清潔。
根據(jù)上述實(shí)施方式，在磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體2上形成對信息承載面的凹凸圖案表面進(jìn)行清潔用的被膜23，將反復(fù)進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型附著了異物的主載體2從磁轉(zhuǎn)錄裝置或成型裝置中取出，在清潔裝置中采用等離子體等連同被膜23一起除去表面的附著物，從而進(jìn)行清潔處理，對于進(jìn)入凹部的附著物、微粒子狀附著物，也可以不產(chǎn)生擦傷地完全除去，可維持良好的磁轉(zhuǎn)錄性或成型性，實(shí)現(xiàn)主載體2再使用的高壽命化。
權(quán)利要求
1.一種主載體的清潔方法，是磁轉(zhuǎn)錄用主載體或光盤用主載體的清潔方法，其特征在于，利用減壓反應(yīng)性氣體環(huán)境下的等離子體放電，燃燒除去所述主載體表面的附著物。
全文摘要
一種主載體的清潔方法,將進(jìn)行磁轉(zhuǎn)錄或光盤成型之前的磁轉(zhuǎn)錄用或光盤用主載體(2)收存在減壓容器(3)中,利用減壓器件(4)使容器(3)內(nèi)減壓,通過氣體導(dǎo)入器件(6)將反應(yīng)性氣體導(dǎo)入容器(3)內(nèi),在此狀態(tài)下,通過放電器件(5)使電極(52)和主載體(2)之間產(chǎn)生等離子體放電,利用等離子體蝕刻燃燒除去主載體(2)表面上的附著物。由此以干式處理和非接觸方式不會再次附著地除去主載體上的附著物,從而進(jìn)行轉(zhuǎn)錄質(zhì)量高的磁轉(zhuǎn)錄。
文檔編號G11B23/50GK1387183SQ0212010
公開日2002年12月25日 申請日期2002年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月18日
發(fā)明者西川正一, 鐮谷彰人 申請人:富士膠片株式會社